JPH08213689A - 固体レーザ媒質および固体レーザ装置 - Google Patents

固体レーザ媒質および固体レーザ装置

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JPH08213689A
JPH08213689A JP1707595A JP1707595A JPH08213689A JP H08213689 A JPH08213689 A JP H08213689A JP 1707595 A JP1707595 A JP 1707595A JP 1707595 A JP1707595 A JP 1707595A JP H08213689 A JPH08213689 A JP H08213689A
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solid
state laser
laser
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yag crystal
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JP1707595A
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Masaki Tsunekane
正樹 常包
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SEITAI HIKARI JOHO KENKYUSHO KK
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SEITAI HIKARI JOHO KENKYUSHO KK
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Abstract

(57)【要約】 【目的】高出力で安定した単峰横モードの得られる固体
レーザを得る。 【構成】母材に発振元素を含有する固体レーザ材料1
と、その固体レーザ材料1の母材と同一の母材2とが直
接に隣接してなる固体レーザ媒質を用いる。

Description

【発明の詳細な説明】
【0001】
【産業上の利用分野】本発明は、固体レーザ装置および
その固体レーザ装置内に配設されてレーザ光を発生す
る、固体レーザ装置の部品を成す固体レーザ媒質に関す
る。
【0002】
【従来の技術】図5は、従来の固体レーザ装置の一例を
示す概略構成図である(オプテックスレターズ(Opt
ics Letters)誌、17巻、1003頁参
照)。励起用の19個の半導体レーザ101から発せら
れた励起光としてのレーザ光を光ファイバ102により
伝送し、それらを直径約700μmに束ねたものを励起
光源108とし、曲率半径800mmの凹面ミラー10
5を通してNd:YAGロッド106に励起光を照射
し、そのNd:YAGロッド106の励起を行ってい
る。
【0003】この凹面ミラー105と出力ミラー107
とによりレーザ共振器が構成されており、このレーザ共
振器の内部には、横モード制御用の開口板109が備え
られている。上記文献によると、この構成により、1
6.4Wの励起光吸収時に7.6WのTEM00の単峰
レーザ出力を得ている。
【0004】図6は従来の固体レーザ装置の他の例を示
す概略構成図である(アプライドフィジックスB(Ap
plied Physics B)誌、58巻、865
頁参照)。ここでは、0.3mm厚のYb:YAG結晶
111の全反射コーティングを施した面111bを、銅
製のヒートシンク110にInフォイル119を介して
密着させ、励起及びレーザ発振はもう片方の高透過率膜
を形成した面111aから行うというものである。
【0005】光ファイバ112から射出された励起光1
12aはYb:YAG結晶111に入射し、Yb:YA
G結晶111の、全反射コーティングが施された面11
1bで反射しレンズ114を介して全反射ミラー115
で反射し、再度レンズ114を介してYb:YAG結晶
111に入射する。この励起光112aの照射によりY
b:YAG結晶111で発生したレーザ光は、全反射ミ
ラー116と出力ミラー117との間で共振し出力ミラ
ー117を透過して出力される。
【0006】この図6に示す構成によると、Yb:YA
G結晶111の内部で発生した熱を、ヒートシンク11
0に密着させた結晶面111bを経由してヒートシンク
110に吸収させることにより、Yb:YAG結晶11
1内の熱勾配を発振レーザ光の進行方向(図6の上下方
向)に対して平行にし、熱勾配によって生じる結晶内の
熱レンズや複屈折の、発振レーザ光に対する影響を緩和
し、高出力でも良好な単峰モードのレーザ光を得ること
ができる。
【0007】図7は、従来の固体レーザ装置のもう1つ
の例を示す概略構成図である(オプティクス・レターズ
(Optics Letters)17巻、1587頁
参照)。厚さ2mmのNd:YAG結晶121をサファ
イア結晶122に接着剤123によって密着固定し、N
d:YAG結晶121の密着させた面121bと相対す
る面121aより半導体レーザアレイ128で励起を行
っている。Nd:YAG結晶121には励起面121a
側に1.06μmに対する高反射コーティング、サファ
イア122に密着させた側の面121bには反射率98
%の部分反射コーティングがなされており、この二つの
面121a,121bのコーティングによりレーザ共振
器が形成されている。サファイア122のNd:YAG
121に密着させた面122aにはコーティングはな
く、反対側の面122bには1.06μmに対して高透
過率のコーティングがなされており、サファイア結晶1
22を通して1.06μmのレーザ出力が取り出され
る。この図7に示す例は、図6に示す例同様、Nd:Y
AG結晶121内で発生する熱を密着したサファイア結
晶122によってレーザ発振方向に効果的に逃がすもの
である。
【0008】
【発明が解決しようとする課題】図5に示す方式では、
Nd:YAGロッド106内の発熱がそのNd:YAG
ロッド106の側面に逃げ、Nd:YAGロッド106
内に円筒状の熱分布が生じ、それに伴う屈折率変化によ
り、Nd:YAGロッド106内部に等価的にレンズ
(一般に「熱レンズ」と呼ばれる)が形成される。その
熱レンズの焦点距離は、発熱量、すなわち励起光強度に
依存して変化するために、レーザ共振器内のレーザ光の
固有モードも励起光強度に応じて変化する。このためT
EM00モードのレーザ出力は励起光強度に対して線形
でなく、15W以上の吸収励起光強度ではTEM00レ
ーザ出力が飽和する傾向がみられる。またレーザ出力強
度やレーザ放射角がレーザ共振器内の固有モードによっ
て変化するために、励起光強度の変動のみならず、N
d:YAGロッド106の外側を囲むホルダーの温度や
温度分布、外気温などによってもレーザ出力強度やレー
ザ放射角が変動する恐れがある。
【0009】図6に示す方式では、前述したように、Y
AG結晶111内の熱勾配が発振レーザ光の進行方向に
対し平行であるため、熱レンズや複屈折の影響を受けに
くいという利点があるものの、励起とレーザ発振をYA
G結晶111の同じ面111a側から行うために、励起
光の集光光学系や、レーザ共振器を構成するミラーの配
置位置が制約を受け、励起光の集光光学系やレーザ共振
器の構成の自由度が制限される。また、レーザ共振器及
び励起光の集光光学系を必ずしも最適な特性に設定する
ことができない恐れがある。さらに、励起光の集光光学
系とレーザ共振器を互いに同じ軸方向には配置できない
ために、配置が2次元的あるいは3次元的となりレーザ
装置全体が大型化し、かつ、調整やアライメントが複雑
になりやすい。さらに、放熱をよくする目的で薄いYA
G結晶111を用いているため、励起光の1回の照射で
は吸収効率が低く、外側にミラー115を設けて励起光
を何度も結晶内に往復させる必要があり、励起光学系が
複雑である。
【0010】また図7に示す方式では、図6に示す方式
と同様、熱レンズや複屈折の影響は受けにくいものの、
Nd:YAG結晶121とサファイア結晶122を密着
させてもその間のコーティング膜や接着剤123の薄い
層によって熱の伝搬が阻害されるという問題がある。さ
らに接着剤123でのレーザ光の吸収やコーティングを
行っていないサファイアの面122aで1.06μm発
振光が反射されるため、損失が大きいという問題もあ
る。さらにYAG結晶121の厚さによりレーザ共振器
の形状が制限されるため、高出力化は望むことができ
ず、またレーザ共振器の構成に汎用性が低いという問題
もある。
【0011】本発明は、上記事情に鑑み、高出力で安定
した単峰横モードのレーザ光を得るのに適した固体レー
ザ媒質およびその固体レーザ媒質を使用した固体レーザ
装置を提供することを目的とする。
【0012】
【課題を解決するための手段】上記目的を達成する本発
明の固体レーザ媒質は、母材に発振元素を含有する固体
レーザ材料と、その固体レーザ材料に直接に隣接する、
その固体レーザ材料の母材と同一の母材とを有すること
を特徴とする。ここで、「直接に隣接する」とは、それ
ら固体レーザ材料と母材との間に接着剤等が配置されて
おらず固体レーザ材料の直ぐ隣りに母材が存在すること
を意味する。
【0013】固体レーザ材料と母材とを直接に隣接させ
るには、例えば固体レーザ材料と母材とを加熱接着して
もよく、あるいは、例えば母材を結晶成長させ、その母
材結晶の先に、その母材に発振元素を含有させた固体レ
ーザ結晶を成長させてもよく、あるいは、母材の一部分
に、発振元素を注入しあるいは拡散させてもよく、その
製法は、どのようなものであってもよい。
【0014】ここで、例えば結晶成長の手法により、固
体レーザ材料と母材とが直接に隣接した固体レーザ媒質
を得る場合は、それら固体レーザ材料の結晶方向と母材
の結晶方向は当然に揃っているが、例えば固体レーザ材
料と母材を加熱接着すること等により固体レーザ媒質を
得る場合においても、それら固体レーザ材料と母材が、
いずれも結晶の場合において、固体レーザ材料の結晶方
向と母材の結晶方向が互いに揃った状態で互いに隣接し
ていることが好ましい。
【0015】また、本発明の固体レーザ媒質は、固体レ
ーザ材料と母材を各一層のみ有するものであってもよい
が、各一層のみである必要はなく、固体レーザ材料およ
び母材のうちの少なくとも一方が少なくとも二層形成さ
れるように、固体レーザ材料と母材が交互に順次隣接し
ているものであってもよい。また本発明の固体レーザ装
置は、母材に発振元素を含有する固体レーザ材料と、そ
の固体レーザ材料の母材と同一の母材とが直接に隣接し
てなる固体レーザ媒質と、固体レーザ材料と母材との境
界面をレーザ光が横切るように固体レーザ媒質を挟んで
配設されてなるレーザ共振器と、固体レーザ媒質に励起
光を入射する励起光源とを備えたことを特徴とするもの
である。
【0016】本発明の固体レーザ装置における固体レー
ザ媒質としては、上述した本発明の固体レーザ媒質の種
々の態様のものを用いることができる。また、本発明の
固体レーザ装置は、本発明の固体レーザ媒質がレーザ光
の進行方向に対し複数個直列に配置されたものであって
もよい。
【0017】
【作用】本発明の固体レーザ媒質は、発振元素を含有す
る固体レーザ材料と、その固体レーザ材料の母材と共通
の母材とを、例えば、接着剤を使用せず、高い精度で研
磨した面どうしを結晶方位をあわせておいて加熱して接
着すること等により、直接に隣接させたものであるた
め、発振元素を含有する固体レーザ材料内で発生した熱
は、その境界面を通して、励起光を吸収しない、したが
って発熱のない母材内に拡散・伝搬する。そのため発振
元素を含有する固体レーザ材料内の温度勾配はその境界
面に垂直に形成され、それに伴う固体レーザ材料内の屈
折率変化も同様に境界面に垂直になるため、境界面に対
して平行な波面を持つレーザ発振光は、その固体レーザ
材料内を透過しても、一様な影響を受けるだけであって
波面自体が乱れることは少ない。従って励起光強度によ
らず、レーザ共振器内の固有モードは変化せず、高出力
でも安定した単峰レーザ出力が得られる。また発熱の最
も大きい部分から、最も近い経路で、しかも間に接着剤
もコーティング膜も空気も含まない、構造的にほぼ一体
と見なせる境界面を通して、非常に効果的に熱を伝搬さ
せることができるために、発振元素を含有する固体レー
ザ材料の温度上昇自体を著しく下げることができる。そ
のため熱勾配に伴う屈性率変化ならびに複屈折の大きさ
自体を低減する事ができ、さらに固体レーザ材料の熱的
な物性変化によるレーザ特性の劣化や、固体レーザ材料
内での極小的な発熱、膨張による固体レーザ材料の破損
も防ぐことができる。さらに同じ母材同士をほとんど一
体にすることから、境界面における光学的な損失はほぼ
無視できるほど小さく、コーティング膜による高透過率
化よりもさらに損失の少ないレーザ共振器を構成するこ
とができ、レーザ発振特性を向上させることができる。
【0018】さらに、本発明の固体レーザ媒質は、固体
レーザ材料と母材とが完全に一体化しているために、一
個の固体として扱うことができ、取り扱いが容易であ
る。また、発振元素を含有する固体レーザ材料を複数層
形成した場合は、一層目の固体レーザ材料では吸収しき
れなかった励起光が二層目以降の固体レーザ材料で吸収
され、励起光を高効率で吸収し、レーザ発振効率を大幅
に改善することができる。
【0019】また、母材を複数層形成した場合は、それ
らの母材に挟まれた固体レーザ材料内で発生した熱が、
その固体レーザ材料に隣接する双方の母材に向かって放
熱されるため、その放熱効率が格段に向上する。
【0020】
【実施例】以下、本発明の実施例について説明する。図
1は、本発明の固体レーザ装置の第1実施例を示した概
略構成図である。本実施例における固体レーザ媒質はY
AG結晶であり、このYAG結晶は、Nd:YAG結晶
(本発明にいう固体レーザ材料の一例)1とアンドープ
YAG結晶(本発明にいう母材の一例)2とにより形成
されている。Nd:YAG結晶1は、外形直径5mm、
厚さ1mmの、Nd(ネオジウム;本発明にいう発振元
素の一例)の原子含有率1.1%のYAG(イットリウ
ム・アルミニウム・ガーネット)であり、アンドープY
AG結晶2の外形直径は、Nd:YAG結晶1の外形直
径5mmと同一の5mm、厚さは3mmのものである。
これらNd:YAG結晶1とアンドープYAG結晶の双
方の結晶方向が一致するように、例えばこの実施例では
<111>方向が図1の左右に延びるようにしてNd:
YAG結晶1とアンドープYAG結晶2とを密着させ、
その状態で1000℃に加熱してそれらを接着する。こ
の接着の後、結晶1,2の両外面1a,2aに、波長
1.06μmと0.81μmに対して、反射率0.5%
以下の低反射率のコーティングを行なう。本実施例のY
AG結晶(固体レーザ媒質)は、このようにして形成さ
れている。
【0021】このYAG結晶は側面にIn9を介してC
uのヒートシンク10に保持されており、結晶側面から
効果的な放熱を行っている。レーザ共振器は曲率半径1
mの凹面ミラー5と平面出力ミラー6からなり、これら
のミラー5,6の間隔は0.5mである。ミラー5の凹
面にはYAG結晶で発振レーザ光の波長1.06μmに
対して反射率99.7%以上の高反射、励起用半導体レ
ーザから出力される励起レーザ光の波長である0.81
μmに対しては反射率5%以下の低反射の膜がコーティ
ングされており、平面ミラー6には波長1.06μmに
対して反射率95%の部分反射膜がコーティングされて
いる。YAG結晶への励起はコア径600μmのファイ
バー出力型の半導体レーザ8(波長0.81μm、最大
出力20W)を用い、光ファイバー8aを経由して出力
された励起レーザ光を、2枚の焦点距離50mmの平凸
レンズ7を用い、さらに凹面ミラーを通してYAG結晶
に集光し、YAG結晶を励起している。横モードの制御
はレーザ共振器内に配置した開口径400μmピンホー
ル11で行っている。本実施例によれば、高出力励起時
にも良好な出力特性と単峰TEM00モードが得られ
る。
【0022】この実施例では、発振元素としてNd、母
材としてYAGの例を示したが、この他にも発振元素と
して、Cr、Ti、Ho、Tm、Er、Ceなどを採用
することができ、また母材としてはYAGの他にYL
F、YVO4、YAO、LiSAF、LiCAF、GS
GG、YSGGなどを採用することができる。また母材
としてガラス材料を使用しても同様の効果が期待でき
る。
【0023】またこの実施例では、Nd:YAG結晶1
の片面のみにアンドープYAG結晶2を接着したが、N
d:YAG結晶1の両面をアンドープYAG結晶2で挟
んでやればNd:YAG結晶1の両面から発熱が吸収さ
れるために、放熱特性をさらに改善することができる。
図2は、本発明の固体レーザ装置の第2実施例を示した
概略構成図である。図1に示す実施例における各構成要
素に対応する構成要素には、図1に付した符号と同一の
符号を付して示し、相違点のみについて説明する。図
3,図4についても同様である。
【0024】発振元素を含まないアンドープYAG結晶
2の接着していない側の面2aを曲率1mの球面上に加
工・研磨し、その面2aに発振レーザ波長に対して高反
射、励起光波長に対して高透過率の反射膜を形成し、こ
の反射膜をもって図1に示す凹面ミラー5に代えてい
る。励起はこの球面ミラーを通して行う。レーザ共振器
の構成としては、図1に示すレーザ共振器にほぼ等しい
が、凹面ミラーとYAG結晶が一体化されたことによ
り、部品点数が減ると共に、図1に比べ、レーザ共振器
内でレーザ発振光が透過する面が1つ少なくなり、損失
が減少し、固体レーザ装置の効率が向上する。
【0025】図3は、本発明の固体レーザ装置の第3実
施例を示した概略構成図である。レーザ共振器の構成は
先に示した第1実施例(図1参照)と同じである。この
例では加熱接着したNd:YAG結晶1とアンドープY
AG結晶2からなるYAG結晶と、そのYAG結晶と同
一構造の、加熱接着したNd:YAG結晶1′とアンド
ープYAG結晶2′とからなるYAG結晶が、発振レー
ザ光の進行方向に直列に互いに近接して配置されてい
る。一層目のNd:YAG結晶1で吸収しきれなかった
励起レーザ光は、さらに引き続き同様な構造の二層目の
Nd:YAG結晶1′内を通過することにより、さらに
吸収され、実効的にNd:YAG結晶の厚みが2倍にな
ったのと同じ吸収効率を得ることができる。
【0026】この例では2つのYAG結晶を並べたが、
さらに多くのYAG結晶を並べることによりさらに吸収
効率を高め、レーザの発振効率をさらに向上させること
も可能である。図4は、本発明の固体レーザ装置の第4
実施例を示した概略構成図である。レーザ共振器及び励
起方法の構成は先に示した第1実施例(図1参照)と同
じである。本実施例では、Nd:YAG結晶1とアンド
ープYAG結晶2が交互に三層ずつ並べられ、それぞれ
が交互に加熱接着されて一体化されたYAG結晶が用い
られている。このように一体化することにより、図3に
示す第3実施例の場合に比べコーティング面が少なくな
るために、レーザ共振器内のレーザ光の損失を小さくす
ることができる。また取り扱いも容易になる。
【0027】尚、上記各実施例におけるYAG結晶は、
Nd:YAG結晶1とアンドープYAG結晶2を別々に
形成しそれらを加熱接着して形成するものとして説明し
たが、結晶成長により、あるいは、アンドープYAG結
晶にNd元素を注入あるいは拡散させることによりYA
G結晶を形成してもよい。また、本発明はYAG結晶に
限られるものでもなく、例えば、前述した各種の母材お
よび各種の発振元素を用いることができる。
【0028】
【発明の効果】以上説明したように、本発明によれば、
高出力でも良好な単峰モードのレーザ出力が得られる。
【図面の簡単な説明】
【図1】本発明の固体レーザ装置の第1実施例を示した
概略構成図である。
【図2】本発明の固体レーザ装置の第2実施例を示した
概略構成図である。
【図3】本発明の固体レーザ装置の第3実施例を示した
概略構成図である。
【図4】本発明の固体レーザ装置の第4実施例を示した
概略構成図である。
【図5】従来の固体レーザ装置の一例を示す概略構成図
である。
【図6】従来の固体レーザ装置の他の例を示す概略構成
図である。
【図7】従来の固体レーザ装置のもう1つの例を示す概
略構成図である。
【符号の説明】
1 Nd:YAG結晶 2 アンドープYAG結晶 5 凹面ミラー 6 平面出力ミラー 7 平凸レンズ 8 半導体レーザ 9 Inプレート 10 ヒートシンク 11 ピンホール

Claims (5)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項1】 母材に発振元素を含有させた固体レーザ
    材料と、該固体レーザ材料に直接に隣接する、該固体レ
    ーザ材料の母材と同一の母材とを有することを特徴とす
    る固体レーザ媒質。
  2. 【請求項2】 前記固体レーザ材料と前記母材とが加熱
    接着されてなることを特徴とする請求項1記載の固体レ
    ーザ媒質。
  3. 【請求項3】 前記固体レーザ材料と前記母材が、いず
    れも結晶であって、該固体レーザ材料の結晶方向と該母
    材の結晶方向が互いに揃った状態で互いに隣接している
    ことを特徴とする請求項1又は2記載の固体レーザ媒
    質。
  4. 【請求項4】 前記固体レーザ材料および前記母材のう
    ちの少なくとも一方が少なくとも二層形成されるよう
    に、該固体レーザ材料と該母材が交互に順次隣接してい
    ることを特徴とする請求項1から3のうちいずれか1項
    記載の固体レーザ媒質。
  5. 【請求項5】 母材に発振元素を含有する固体レーザ材
    料と、該固体レーザ材料の母材と同一の母材とが直接に
    隣接してなる固体レーザ媒質と、 前記固体レーザ材料と前記母材との境界面をレーザ光が
    横切るように前記固体レーザ媒質を挟んで配設されてな
    るレーザ共振器と、 前記固体レーザ媒質に励起光を入射する励起光源とを備
    えたことを特徴とする固体レーザ装置。
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Cited By (17)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH1187813A (ja) * 1997-09-12 1999-03-30 Toshiba Corp 固体レーザ発振器
JPH11160746A (ja) * 1997-11-26 1999-06-18 Nec Corp 波長変換方法及び波長変換素子
US6341139B1 (en) 1998-04-28 2002-01-22 Fuji Photo Film Co., Ltd. Semiconductor-laser-pumped solid state laser
US7158546B2 (en) 2002-02-27 2007-01-02 Nec Corporation Composite laser rod, fabricating method thereof, and laser device therewith
JP2007208002A (ja) * 2006-02-01 2007-08-16 Ricoh Co Ltd 半導体レーザー励起固体レーザー装置
CN102394468A (zh) * 2011-11-25 2012-03-28 程秋虎 一种全固态激光器的设计方法
JP2016082122A (ja) * 2014-10-20 2016-05-16 三星ダイヤモンド工業株式会社 固体レーザ素子
JP2016082121A (ja) * 2014-10-20 2016-05-16 三星ダイヤモンド工業株式会社 固体レーザ素子
CN105720461A (zh) * 2016-05-06 2016-06-29 重庆邮电大学 一种2微米波段可调谐铥钬共掺锁模全光纤激光器
CN105720467A (zh) * 2016-05-06 2016-06-29 重庆邮电大学 一种2微米波段全保偏混合锁模超短脉冲光纤激光器
CN105762622A (zh) * 2016-05-06 2016-07-13 中国人民解放军国防科学技术大学 一种高功率窄线宽全光纤放大器
CN105826801A (zh) * 2016-05-06 2016-08-03 重庆邮电大学 一种双波长可调谐短脉冲光纤激光器
CN105958308A (zh) * 2016-07-03 2016-09-21 中国人民解放军国防科学技术大学 高功率啁啾脉冲放大短波红外相干超连续谱激光光源
CN107209059A (zh) * 2014-12-01 2017-09-26 仪器系统光学测量技术有限责任公司 用于校准光谱辐射仪的方法
CN107389187A (zh) * 2017-06-12 2017-11-24 中国科学院西安光学精密机械研究所 位敏阳极探测器及其制作方法
CN107478331A (zh) * 2017-07-27 2017-12-15 中国科学院上海光学精密机械研究所 光纤光栅时延谱的测量装置和测量方法
US10367324B2 (en) 2016-10-28 2019-07-30 Inter-University Research Institute Corporation National Institutes Of Natural Sciences Laser component

Cited By (19)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH1187813A (ja) * 1997-09-12 1999-03-30 Toshiba Corp 固体レーザ発振器
JPH11160746A (ja) * 1997-11-26 1999-06-18 Nec Corp 波長変換方法及び波長変換素子
US6215580B1 (en) 1997-11-26 2001-04-10 Nec Corporation Wavelength converter for generating optical harmonics of incident laser light at high efficiency and method for varying wavelength of incident laser light
US6341139B1 (en) 1998-04-28 2002-01-22 Fuji Photo Film Co., Ltd. Semiconductor-laser-pumped solid state laser
US7158546B2 (en) 2002-02-27 2007-01-02 Nec Corporation Composite laser rod, fabricating method thereof, and laser device therewith
US7496125B2 (en) 2002-02-27 2009-02-24 Konoshima Chemical Co. Ltd. Composite laser rod, fabricating method thereof, and laser device therewith
JP2007208002A (ja) * 2006-02-01 2007-08-16 Ricoh Co Ltd 半導体レーザー励起固体レーザー装置
CN102394468A (zh) * 2011-11-25 2012-03-28 程秋虎 一种全固态激光器的设计方法
JP2016082122A (ja) * 2014-10-20 2016-05-16 三星ダイヤモンド工業株式会社 固体レーザ素子
JP2016082121A (ja) * 2014-10-20 2016-05-16 三星ダイヤモンド工業株式会社 固体レーザ素子
CN107209059A (zh) * 2014-12-01 2017-09-26 仪器系统光学测量技术有限责任公司 用于校准光谱辐射仪的方法
CN105720461A (zh) * 2016-05-06 2016-06-29 重庆邮电大学 一种2微米波段可调谐铥钬共掺锁模全光纤激光器
CN105720467A (zh) * 2016-05-06 2016-06-29 重庆邮电大学 一种2微米波段全保偏混合锁模超短脉冲光纤激光器
CN105762622A (zh) * 2016-05-06 2016-07-13 中国人民解放军国防科学技术大学 一种高功率窄线宽全光纤放大器
CN105826801A (zh) * 2016-05-06 2016-08-03 重庆邮电大学 一种双波长可调谐短脉冲光纤激光器
CN105958308A (zh) * 2016-07-03 2016-09-21 中国人民解放军国防科学技术大学 高功率啁啾脉冲放大短波红外相干超连续谱激光光源
US10367324B2 (en) 2016-10-28 2019-07-30 Inter-University Research Institute Corporation National Institutes Of Natural Sciences Laser component
CN107389187A (zh) * 2017-06-12 2017-11-24 中国科学院西安光学精密机械研究所 位敏阳极探测器及其制作方法
CN107478331A (zh) * 2017-07-27 2017-12-15 中国科学院上海光学精密机械研究所 光纤光栅时延谱的测量装置和测量方法

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