JPH0816669B2 - グルコースセンサの製造方法 - Google Patents

グルコースセンサの製造方法

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JPH0816669B2
JPH0816669B2 JP5028345A JP2834593A JPH0816669B2 JP H0816669 B2 JPH0816669 B2 JP H0816669B2 JP 5028345 A JP5028345 A JP 5028345A JP 2834593 A JP2834593 A JP 2834593A JP H0816669 B2 JPH0816669 B2 JP H0816669B2
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glucose oxidase
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    • C12BIOCHEMISTRY; BEER; SPIRITS; WINE; VINEGAR; MICROBIOLOGY; ENZYMOLOGY; MUTATION OR GENETIC ENGINEERING
    • C12QMEASURING OR TESTING PROCESSES INVOLVING ENZYMES, NUCLEIC ACIDS OR MICROORGANISMS; COMPOSITIONS OR TEST PAPERS THEREFOR; PROCESSES OF PREPARING SUCH COMPOSITIONS; CONDITION-RESPONSIVE CONTROL IN MICROBIOLOGICAL OR ENZYMOLOGICAL PROCESSES
    • C12Q1/00Measuring or testing processes involving enzymes, nucleic acids or microorganisms; Compositions therefor; Processes of preparing such compositions
    • C12Q1/001Enzyme electrodes
    • C12Q1/002Electrode membranes

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  • Measuring Or Testing Involving Enzymes Or Micro-Organisms (AREA)
  • Apparatus Associated With Microorganisms And Enzymes (AREA)

Description

【発明の詳細な説明】
【0001】
【産業上の利用分野】本発明は、グルコースセンサの製
造方法に関し、特に血糖値などを測定するセンサを大量
かつ均質に製造する方法に関する。
【0002】
【従来の技術】従来、この種のグルコースセンサは、例
えば特開昭55−162051号公報に示されるよう
に、血液中のグルコース濃度(血糖値)を測定すること
を目的として用いられている。グルコースセンサは一般
的にグルコースオキシダーゼ固定化膜と各種トランスデ
ューサから構成されている。
【0003】ここで使用される酵素グルコースオキシダ
ーゼは、溶液中のグルコースを酸素を使ってグルコン酸
と過酸化水素に変換する。従って各種トランスデューサ
として酸素電極を使用して酸素の減少量を測定する,あ
るいは過酸化水素電極を使用して過酸化水素の増加量を
測定する,あるいはpH電極を使用してグルコン酸の増
加量を測定することにより溶液中のグルコース濃度を決
定することが可能である。
【0004】測定溶液中の溶存酸素濃度は大気飽和の場
合0.25mM程度であるため、グルコースセンサの測
定可能上限は100mg/d1程度であった。しかし糖
尿病患者の血糖値は500mg/d1に達する場合があ
りこのセンサで測定することは不可能であった。
【0005】そこで例えば特開昭55−162051号
公報、または1987年10月、エレクトロケミカルソ
サイエティ・エクステンデド・アブストラクト,第87
−2巻,2276頁(THE ELECTROCHEM
ICAL SOCIETYEXTENDED ABST
RACTS,VOL.87−2,p.2276,OCT
OBER,1987),あるいは特開平03−6564
5号公報に示されるように酸素の透過に比べてグルコー
スの透過を制限するグルコース制限透過膜を使用するこ
とにより、グルコースセンサの測定上限を拡大してい
る。
【0006】さらに詳しく従来技術を明らかにするため
に図を用いて具体的に説明する。
【0007】図5は特開昭55−162051号公報に
開示されてある技術のグルコースセンサをわかりやすく
示す図である。電極支持体51に白金カソード52と銀
アノード53が形成されている。ここにグルコースオキ
シダーゼ固定化膜54,選択透過膜55を順次重ね、中
心に孔が形成されている外膜56で覆い固定する。この
センサを代用血管壁に設置し血液中のグルコースを測定
する。血液中のグルコース及び酸素は選択透過膜55を
介してグルコースオキシダーゼ固定化膜54に透過す
る。グルコースオキシダーゼによりグルコースは酸化さ
れるがこの際、酸素が消費されるため溶存酸素濃度が減
少する。この減少量を白金カソード52と銀アノード5
3からなる酸素電極で測定することからグルコース濃度
を決定することができる。さらにグルコースは選択透過
膜55の作用により透過が制限されるためグルコースセ
ンサの測定上限は500mg/d1まで拡大する。
【0008】図6(A)はエレクトロケミカルソサイエ
ティ・エクステンデド・アブストラクト,第87−2
巻,2276頁のグルコースセンサの電極構造を示す
図,(B)はそのグルコースセンサの断面図である。図
6(A)において、白金カソード61と銀アノード63
がエポキシ樹脂62上に形成されており、前記センサと
同様に酸素電極として機能する。図6(B)において白
金カソード61上にグルコースオキシダーゼ固定化膜6
4が形成されており、さらにその上にシリコーンゴム膜
65が形成されている。血液中のグルコース濃度を測定
する場合、シリコーンゴム膜65が制限透過膜として機
能し、グルコースの透過を制限することにより、センサ
の測定上限が拡大する。このセンサの場合、グルコース
オキシダーゼ固定化膜64はグルコースオキシダーゼと
グルタルアルデヒドの混合溶液を滴下することにより、
シリコーンゴム膜65はシリコーン溶液を滴下すること
によりそれぞれ形成されている。
【0009】図7は特開平03−65645号公報に開
示されてあるグルコースセンサの技術をわかりやすく示
す断面図である。サファイア基板71上の2個の島状シ
リコンにソース72,ドレイン73,ゲート74,酸化
シリコン膜75,窒化シリコン膜76が形成されており
イオン感受性電界効果型トランジスタ(ISFET)を
構成している。さらに2個のISFETの間に金電極7
7が形成されている。一方のゲート74上にグルコース
オキシダーゼ固定化膜78が形成されており、他方のゲ
ート74上にはアルブミン架橋膜79が形成されてお
り、さらにその上を制限透過膜80が覆っている。この
センサで血液中のグルコース濃度を測定する場合、制限
透過膜80を透過したグルコースはグルコースオキシダ
ーゼ固定化膜78中でグルコン酸に変換されISFET
表面に到達する。ISFETはpHセンサとして機能す
るため、グルコン酸生成に伴うpH変化を測定すること
によりグルコース濃度を決定することができる。制限透
過膜80はグルコースの透過を制限するためセンサの測
定上限を拡大する。アルブミン架橋膜79が形成された
ISFETは参照用ISFETとして機能しセンサ応答
のドリフト等を補正する。センサの製造方法はシリコン
オンサファイアウェハ上にフォトリソグラフィ技術によ
り微小なISFETを多数形成し、引き続いてグルコー
スオキシダーゼ固定化膜78及びアルブミン架橋膜79
をフォトリソグラフィ技術により形成する。このISF
ETチップをウェハから切り出し、フレキシブル基板上
に実装した後、アルブミンとグルタルアルデヒドの混合
溶液を滴下することにより制限透過膜80を形成する。
【0010】
【発明が解決しようとする課題】グルコースセンサの製
作において制限透過膜の形成は、トランスデューサが大
きい場合は、図5に示すように予め製造された制限透過
膜をセンサ表面に直接装着することにより実現可能であ
った。しかしながらトランスデューサが微小化すると、
前記のように予め製造した制限透過膜を適用することが
困難となり、図6及び図7に示したようにトランスデュ
ーサ上に制限透過膜の原料溶液を塗布し乾燥することに
より1個づつ形成されていた。制限透過膜の膜厚あるい
は性状はグルコースセンサの応答に非常に影響するが、
塗布による形成法では均質な膜を得ることが困難である
ためセンサの良品率の向上が難しく、また1個づつ製作
するため多大な工数を必要とした。
【0011】したがって、本発明の目的は、均質な制限
透過膜を有するグルコースセンサを大量に製造する方法
を提供することである。
【0012】
【課題を解決するための手段】本発明の特徴は、複数個
の電気化学センサが形成されたウェハに、グルコースオ
キシダーゼ固定化膜上にグルコース制限透過膜を有する
グルコースセンサを製造する方法において、電気化学セ
ンサが形成されたウェハ上にフォトレジストを塗布した
後、フォトリソグラフィ法により所定の部分のフォトレ
ジストを除く工程と、前記ウェハ表面にグルコースオキ
シダーゼと架橋剤を含むタンパク質溶液をスピン塗布し
た後、シリコーンを含有するタンパク質と架橋剤の混合
溶液であるシリコーン溶液をスピン塗布することにより
グルコースオキシダーゼ固定化膜及びシリコーン膜を形
成する工程と、前記ウェハを有機溶剤で処理することに
より前記フォトレジストを溶解し所定の部分以外に存在
するグルコースオキシダーゼ固定化膜及びシリコーン膜
をリフトオフする工程とを有して均質なシリコーン膜か
なるグルコース制限透過膜をウェハ単位で形成するグ
ルコースセンサの製造方法にある。
【0013】本発明の他の特徴は、複数個の電気化学セ
ンサが形成されたウェハに、グルコースオキシダーゼ固
定化膜上にグルコース制限透過膜を有するグルコースセ
ンサを製造する方法において、電気化学センサが形成さ
れたウェハ上にフォトレジストを塗布した後、フォトリ
ソグラフィ法により所定の部分のフォトレジストを除く
工程と、前記ウェハ表面にグルコースオキシダーゼと架
橋剤を含むタンパク質溶液をスピン塗布することにより
グルコースオキシダーゼ固定化膜を形成する工程と、前
記ウェハを有機溶剤で処理することにより前記フォトレ
ジストを溶解し所定の部分以外に存在するグルコースオ
キシダーゼ固定化膜をリフトオフする工程と、前記ウェ
ハ上にラジカル変性シリコーン溶液をスピン塗布した
後、フォトリソグラフィ法により所定の部分にシリコー
ン膜を形成する工程とを有して均質なシリコーン膜から
なるグルコース制限透過膜をウェハ単位で形成するグル
コースセンサの製造方法にある。
【0014】
【実施例】次に、本発明について図面を参照して説明す
る。図1(A)は、本発明の一実施例であるISFET
を用いたグルコースセンサの概略図であり、図1(B)
は図1(A)のA−A′部における断面図である。
【0015】図1(A)、(B)において、サファイア
基板1上の2個の島状シリコンにソース2,ドレイン
3,ゲート4,酸化シリコン膜5,窒化シリコン膜6が
形成されておりイオン感受性電界効果型トランジスタ
(ISFET)を構成している。このゲート4の大きさ
は50μm×400μmである。さらに2個のISFE
Tの間に金電極7が形成されている。一方のゲート4上
にグルコースオキシダーゼ固定化膜8が形成されてお
り、他方のゲート4上にはアルブミン架橋膜9が形成さ
れており、さらにその上を制限透過膜10が覆ってい
る。グルコースオキシダーゼ固定化膜8の大きさは10
0μm×500μmであり膜の厚さは1μmである。ま
た制限透過膜の大きさは800μm×500μmであり
膜の厚さは同じく1μmである。このセンサチップは電
極パッド部11をワイヤ12でボンディングしフレキシ
ブル基板13に実装されている。またこのボンディング
部は耐水性ワックス14によりシーリングされている。
センサチップの大きさは1.7mm×4.7mmであ
る。測定はこのセンサチップ先端部分をサンプル中に浸
して行なう。
【0016】図2は図1(A)のA−A′部における断
面図をもとに、グルコースオキシダーゼ固定化膜,アル
ブミン架橋膜および制限透過膜をフォトリソグラフィ法
による形成を示した図である。
【0017】図2(A)に示すように、サファイアウェ
ハ21上にISFET22及び金電極23形成する。
次に図2(B)に示すように、ポジティブフォトレジス
ト24をウェハ全面に塗布し、フォトマスクを介して紫
外線を照射し現像することにより、所定の部分のレジス
トを取り除く。次に、図2(C)に示すように、上記ウ
ェハ上に15重量%アルブミン−1%グルタルアルデヒ
ド混合溶液25を全面に塗布しゲル化させ、引き続いて
25%シリコーンエマルジョン−15重量%アルブミン
−1%グルタルアルデヒド混合溶液26を全面に塗布し
ゲル化させる。次に図2(D)に示すように、上記ウェ
ハを有機溶媒中で超音波処理することによりポジティブ
フォトレジストを溶解させアルブミン架橋膜25及び制
限透過膜26を形成する。次に図2(E)に示すよう
に、アルブミン架橋膜25及び制限透過膜26が形成さ
れたウェハに図2(B)と同様にポジティブフォトレジ
スト27を塗布し所定の部分を取り除く。次に図2
(F)に示すように、上記ウェハ上に6重量%グルコー
スオキシダーゼを含む15重量%アルブミン−1%グル
タルアルデヒド混合液28を塗布しゲル化させ、引き続
き25%シリココーンエマルジョン−15重量%アルブ
ミン1%グルタルアルデヒド混合液29を塗布しゲル化
させる。次に図2(G)に示すように、上記ウェハ上に
図2(D)と同様にポジティブフォトレジストを溶解す
ることにより、グルコースオキシダーゼ固定化膜28及
び制限透過膜29を形成する。次に図2(H)に示すよ
うに、アルブミン架橋膜25,グルコースオキシダーゼ
固定化膜28,制限透過膜26,29が形成されたウェ
ハを切り分けて、さきに述べた図1(A),(B)に相
当するチップを得る。
【0018】従来技術では1個づつグルコースセンサを
製作していた場合の良品率が10%以下であったのに対
し、本発明による方法では90%以上の良品率を達成し
た。
【0019】前記、25%シリコーンエマルジョン−1
5重量%アルブミン−1%グルタルアルデヒド混合溶液
に代えて50%アミノ変性シリコーン−5%グルタルア
ルデヒド溶液を用いることもできる。
【0020】図3は、本発明は他の実施例を示すプロセ
ス図であり、図2と同様に図1(A)のA−A′におけ
る断面図を示している。まず図3(A)に示すように、
サファイアウェハ31上にISFET32及び金電極3
3を形成する。次に図3(B)に示すように、ポジティ
フォトレジスト34をウェハ全面に塗布し、フォトマ
スクを介して紫外線を照射し現像することにより、所定
の部分のレジストを取り除く。次に図3(C)に示すよ
うに、上記ウェハ上に15重量%アルブミン−1%グル
タルアルデヒド混合溶液35を全面に塗布しゲル化す
る。次に図3(D)に示すように、上記ウェハを有機溶
媒中で超音波処理することによりポジティブフォトレジ
ストを溶解させアルブミン架橋膜35を形成する。次に
図3(E)に示すように、アルブミン架橋膜35が形成
されたウェハに図3(B)と同様にポジティブフォトレ
ジスト36を塗布し所定の部分を取り除く。次に図3
(F)に示すように、上記ウェハ上に6重量%グルコー
ルオキシダーゼを含む15重量%アルブミン−1%グル
タルアルデヒド混合液37を塗布しゲル化する。次に図
3(G)に示すように、上記ウェハ上に図3(D)と同
様にポジティブフォトレジストを溶解することにより、
グルコースオキシダーゼ固定化膜37を形成する。次に
図3(H)に示すように、ラジカル反応性シリコーンに
反応開始剤として1重量%リボフラビンリン酸及び光増
感剤として1%テトラメチルエチレンジアミンを含む溶
液38をウェハ上にスピン塗布する。次に図3(I)に
示すように、フォトマスクを介して紫外線を照射し現像
することにより所定の部分に制限透過膜39を形成す
る。次に図3(J)に示すように、アルブミン架橋膜3
5,グルコースオキシダーゼ固定化膜37及び制限透過
膜39が形成されたウェハを切り分けた図1(A),
(B)に示すようなチップを得る。
【0021】この実施例の場合工程は増加するが、シリ
コーンの粘性を変えることにより制限透過膜の膜の厚さ
を制御することが比較的容易である。
【0022】図4(A)は本発明の別の実施例であるア
ンペロメトリック電極を用いたグルコースセンサの概略
図であり、図4(B)は図4(A)のB−B′における
断面図である。
【0023】シリコンウェハ41上に金あるいは白金を
パターニングすることにより作用極42及び対極43を
形成する。また銀をパターニングし塩化鉄(FeC
3 )溶液で処理することにより参照極44を形成す
る。その後グルコースオキシダーゼ固定化膜45及び制
限透過膜46をフォトリソグラフィを用いてパターニン
グを行い最後にチップ毎に切断しフレキシブル基板47
に実装する。ISFETの場合と同様に、25%シリコ
ーンエマルジョン−15重量%アルブミン−1%グルタ
ルアルデヒド混合溶液を用いる方法、50%アミノ変性
シリコーン−5%グルタルアルデヒド溶液を用いる方
法、及びラジカル変性シリコーンを用いる方法のうちど
の方法でも制限透過膜46を形成することができる。
【0024】
【発明の効果】以上説明したように、本発明によるグル
コースセンサの製造方法は、制限透過膜をフォトリソグ
ラフィ技術を用いてパターニングするため、均質な制限
透過膜を有するグルコースセンサを大量に製造すること
が可能であるという効果がある。
【図面の簡単な説明】
【図1】本発明の実施例によるグルコースセンサを示す
概略図である。
【図2】本発明の一実施例の製造方法を工程順に示した
断面図である。
【図3】本発明の他の実施例の製造方法を工程順に示し
た断面図である。
【図4】本発明の別の実施例によるグルコースを示す概
略図である。
【図5】従来技術のグルコースセンサを示す説明図であ
る。
【図6】他の従来技術のグルコースセンサを示す説明図
である。
【図7】別の従来技術のグルコースセンサを示す説明図
である。
【符号の説明】
1 サファイア基板 2 ソース 3 ドレイン 4 ゲート 5 酸化シリコン膜 6 窒化シリコン膜 7 金電極 8 グルコースオキシダーゼ固定化膜 9 アルブミン架橋膜 10 制限透過膜 11 電極パット部 12 ワイヤ 13 フレキシブル基板 14 ワックス 21 サファイアウェハ 22 ISFET 23 金電極 24 ポジティブフォトレジスト 25 アルブミン架橋膜 26 制限透過膜 27 ポジティブフォトレジスト 28 グルコースオキシダーゼ固定化膜 29 制限透過膜 31 サファイアウェハ 32 ISFET 33 金電極 34 ポジティブフォトレジスト 35 アルブミン架橋膜 36 ポジティブフォトレジスト 37 グルコースオキシダーゼ固定化膜 38 ラジカル反応性シリコーン 39 制限透過膜 41 シリコーンウェハ 42 作用極 43 対極 44 参照極 45 グルコースオキシダーゼ固定化膜 46 制限透過膜 47 フレキシブル基板 51 電極支持体 52 白金カソード 53 銀アノード 54 グルコースオキシダーゼ固定化膜 55 制限透過膜 56 外膜 61 白金カソード 62 エポキシ樹脂 63 銀アノード 64 グルコースオキシダーゼ固定化膜 65 シリコーンゴム膜 71 サファイア基板 72 ソース 73 ドレイン 74 ゲート 75 酸化シリコン膜 76 窒化シリコン膜 77 金電極 78 グルコースオキシダーゼ固定化膜 79 アルブミン架橋膜 80 制限透過膜
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (51)Int.Cl.6 識別記号 庁内整理番号 FI 技術表示箇所 G01N 27/327 G01N 27/30 353 J 353 Z

Claims (6)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項1】 複数個の電気化学センサが形成されたウ
    ェハに、グルコースオキシダーゼ固定化膜上にグルコー
    ス制限透過膜を有するグルコースセンサを製造する方法
    において、 (イ)電気化学センサが形成されたウェハ上にフォトレ
    ジストを塗布した後、フォトリソグラフィ法により所定
    の部分のフォトレジストを除く工程と、 (ロ)前記ウェハ表面にグルコースオキシダーゼと架橋
    剤を含むタンパク質溶液をスピン塗布した後、シリコー
    ンを含有するタンパク質と架橋剤の混合溶液であるシリ
    コーン溶液をスピン塗布することによりグルコースオキ
    シダーゼ固定化膜及びシリコーン膜を形成する工程と、 (ハ)前記ウェハを有機溶剤で処理することにより前記
    フォトレジストを溶解し所定の部分以外に存在するグル
    コースオキシダーゼ固定化膜及びシリコーン膜をリフト
    オフする工程と、 を有して均質なシリコーン膜からなるグルコース制限透
    過膜をウェハ単位で形成することを特徴とするグルコー
    スセンサの製造方法。
  2. 【請求項2】 前記電気化学センサがイオン感受性電界
    効果型トランジスタである請求項1記載のグルコースセ
    ンサの製造方法。
  3. 【請求項3】 前記電気化学センサがアンペロメトリッ
    ク電極である請求項1記載のグルコースセンサの製造方
    法。
  4. 【請求項4】 複数個の電気化学センサが形成されたウ
    ェハに、グルコースオキシダーゼ固定化膜上にグルコー
    ス制限透過膜を有するグルコースセンサを製造する方法
    において、 (イ)電気化学センサが形成されたウェハ上にフォトレ
    ジストを塗布した後、フォトリソグラフィ法により所定
    の部分のフォトレジストを除く工程と、 (ロ)前記ウェハ表面にグルコースオキシダーゼと架橋
    剤を含むタンパク質溶液をスピン塗布することによりグ
    ルコースオキシダーゼ固定化膜を形成する工程と、 (ハ)前記ウェハを有機溶剤で処理することにより前記
    フォトレジストを溶解し所定の部分以外に存在するグル
    コースオキシダーゼ固定化膜をリフトオフする工程と、 (ニ)前記ウェハ上にラジカル変性シリコーン溶液を
    ピン塗布した後、フォトリソグラフィ法により所定の部
    分にシリコーン膜を形成する工程と、 を有して均質なシリコーン膜からなるグルコース制限透
    過膜をウェハ単位で形成することを特徴とするグルコー
    スセンサの製造方法。
  5. 【請求項5】 前記電気化学センサがイオン感受性電界
    効果型トランジスタである請求項記載のグルコースセ
    ンサの製造方法。
  6. 【請求項6】 前記電気化学センサがアンペロメトリッ
    ク電極である請求項記載のグルコースセンサの製造方
    法。
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