JPH08162942A - Output circuit, input circuit and input/output interface system using them - Google Patents

Output circuit, input circuit and input/output interface system using them

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JPH08162942A
JPH08162942A JP6295174A JP29517494A JPH08162942A JP H08162942 A JPH08162942 A JP H08162942A JP 6295174 A JP6295174 A JP 6295174A JP 29517494 A JP29517494 A JP 29517494A JP H08162942 A JPH08162942 A JP H08162942A
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JP6295174A
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Hirotoshi Sato
広利 佐藤
Tomohisa Wada
知久 和田
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Mitsubishi Electric Corp
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Mitsubishi Electric Corp
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Publication date
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    • H03ELECTRONIC CIRCUITRY
    • H03KPULSE TECHNIQUE
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    • H03K19/0175Coupling arrangements; Interface arrangements
    • H03K19/0185Coupling arrangements; Interface arrangements using field effect transistors only
    • HELECTRICITY
    • H03ELECTRONIC CIRCUITRY
    • H03KPULSE TECHNIQUE
    • H03K19/00Logic circuits, i.e. having at least two inputs acting on one output; Inverting circuits
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Abstract

PURPOSE: To provide an output circuit, an input circuit and an input/output interface system using them capable of transmitting signals at a high speed with low power consumption. CONSTITUTION: Complementary logic signals DT and /DT outputted from an internal circuit IS1 are converted to complementary current signals IO and /IO in this output circuit OP1 and outputted to transmission lines T1 and T2 in a current mode. This input circuit IP1 converts the inputted complementary current signals IO and /IO to complementary voltage signals VO and /VO and outputs them to the internal circuit IS11 in a voltage mode.

Description

【発明の詳細な説明】Detailed Description of the Invention

【0001】[0001]

【産業上の利用分野】本発明は、電流モードを用いてデ
ータを伝送するための出力回路、入力回路、およびこれ
らを用いた入出力インタフェースシステムに関するもの
である。
BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to an output circuit and an input circuit for transmitting data using a current mode, and an input / output interface system using these.

【0002】[0002]

【従来の技術】従来、半導体装置間のデータ転送の規格
として、TTL(Transistor−Transi
stor Logic)、LVTTL(Low Vol
tage TTL)等のインタフェース規格がある。こ
れらの伝送方法は、伝送する信号の電圧の振幅を変化さ
せ、振幅の変化を検知する電圧モードによるものであっ
た。しかしながら、半導体装置の動作周波数の高速化に
伴い、100MHz以上の周波数を有する信号を伝送す
る場合、遅延、反射等の問題が発生する。このため、G
TL(Gunning Transceiver Lo
gic)、CTT(Center Tapped Te
rmination)等の小振幅インタフェース規格が
提案されている。これらの小振幅インタフェース規格に
用いられる出力回路には、プッシュプル型出力回路とオ
ープン・ドレイン型出力回路とがある。
2. Description of the Related Art Conventionally, as a standard for data transfer between semiconductor devices, TTL (Transistor-Transi) is used.
store Logic), LVTTL (Low Vol)
interface TTL) and other interface standards. These transmission methods are based on the voltage mode in which the amplitude of the voltage of the signal to be transmitted is changed and the change in the amplitude is detected. However, as the operating frequency of semiconductor devices increases, problems such as delay and reflection occur when signals having a frequency of 100 MHz or higher are transmitted. Therefore, G
TL (Gunning Transceiver Lo)
gic), CTT (Center Tapered Te)
, and small amplitude interface standards have been proposed. Output circuits used in these small-amplitude interface standards include push-pull type output circuits and open-drain type output circuits.

【0003】まず、従来の出力回路であるプッシュプル
型出力回路について図面を参照しながら説明する。図1
2は、従来のプッシュプル型出力回路を用いた入出力イ
ンタフェースシステムの構成を示すブロック図である。
First, a push-pull type output circuit which is a conventional output circuit will be described with reference to the drawings. FIG.
2 is a block diagram showing a configuration of an input / output interface system using a conventional push-pull type output circuit.

【0004】図12を参照して、入出力インタフェース
システムは、半導体装置IC101およびIC111
を、伝送線路T101を含む。半導体装置IC101
は、内部回路IS101、出力回路OP101を含む。
出力回路OP101は、PMOSトランジスタQ10
1、NMOSトランジスタQ102を含む。半導体装置
IC111は、抵抗R101、入力回路IP101、内
部回路IS111を含む。入力回路IP101は、コン
パレータCP101を含む。
With reference to FIG. 12, the input / output interface system includes semiconductor devices IC101 and IC111.
Including the transmission line T101. Semiconductor device IC101
Includes an internal circuit IS101 and an output circuit OP101.
The output circuit OP101 is a PMOS transistor Q10.
1, including an NMOS transistor Q102. The semiconductor device IC111 includes a resistor R101, an input circuit IP101, and an internal circuit IS111. The input circuit IP101 includes a comparator CP101.

【0005】プッシュプル型の出力回路OP101は、
プルアップ用のPMOSトランジスタQ101およびプ
ルダウン用のNMOSトランジスタQ102により構成
される。PMOSトランジスタQ101およびNMOS
トランジスタQ102のゲートには、内部回路IS10
1から出力される信号を受ける。出力回路OP101
は、入力した信号に応じて、ハイレベルまたはローレベ
ルの出力信号を伝送線路T101へ出力する。このと
き、出力される信号は、PMOSトランジスタQ101
およびNMOSトランジスタQ102により駆動される
信号である。
The push-pull type output circuit OP101 is
It is composed of a pull-up PMOS transistor Q101 and a pull-down NMOS transistor Q102. PMOS transistor Q101 and NMOS
The gate of the transistor Q102 has an internal circuit IS10.
1 receives the signal output from 1. Output circuit OP101
Outputs a high-level or low-level output signal to the transmission line T101 according to the input signal. At this time, the output signal is the PMOS transistor Q101.
And a signal driven by the NMOS transistor Q102.

【0006】一方、入力回路IP101は、コンパレー
タCP101により構成される。伝送線路T101を介
して入力された信号は、コンパレータCP101に入力
される。コンパレータCP101は、入力ノードN10
1の電位と基準電位Vrefの電位とを比較し、比較し
た結果に応じて出力信号を内部回路IS111へ出力す
る。ここで、入力ノードN101には、終端抵抗R10
1が接続され、終端抵抗101の他端は所定の終端電位
VTTに接続されており、入力ノードN101の電位が
終端電位VTTに終端される。したがって、伝送線路T
101の特性インピーダンスと終端抵抗R101のイン
ピーダンスとの整合が取られている。上記の構成によ
り、半導体装置IC101の出力回路OP101から伝
送線路T101を介して半導体装置IC111へ信号が
伝送される。
On the other hand, the input circuit IP101 is composed of a comparator CP101. The signal input via the transmission line T101 is input to the comparator CP101. The comparator CP101 has an input node N10.
The potential of 1 is compared with the potential of the reference potential Vref, and an output signal is output to the internal circuit IS111 according to the comparison result. Here, the terminating resistor R10 is connected to the input node N101.
1 is connected, the other end of the terminating resistor 101 is connected to a predetermined terminating potential VTT, and the potential of the input node N101 is terminated to the terminating potential VTT. Therefore, the transmission line T
The characteristic impedance of 101 and the impedance of the terminating resistor R101 are matched. With the above configuration, a signal is transmitted from the output circuit OP101 of the semiconductor device IC101 to the semiconductor device IC111 via the transmission line T101.

【0007】次に、従来のオープン・ドレイン型出力回
路について説明する。図13は、従来のオープン・ドレ
イン型出力回路を用いた入出力インタフェースシステム
の構成を示すブロック図である。図13に示す入出力イ
ンタフェースシステムと図12に示す入出力インタフェ
ースシステムとで異なる点は、出力回路OP101が出
力回路OP102に変更された点であり、その他の点は
同様であるので以下詳細な説明を省略する。
Next, a conventional open drain type output circuit will be described. FIG. 13 is a block diagram showing the configuration of an input / output interface system using a conventional open drain type output circuit. The difference between the input / output interface system shown in FIG. 13 and the input / output interface system shown in FIG. 12 is that the output circuit OP101 is changed to the output circuit OP102, and the other points are the same. Is omitted.

【0008】図13を参照して、半導体装置IC102
は、内部回路IS101、出力回路OP102を含む。
出力回路OP102は、NMOSトランジスタQ103
を含む。
Referring to FIG. 13, semiconductor device IC 102
Includes an internal circuit IS101 and an output circuit OP102.
The output circuit OP102 is an NMOS transistor Q103.
including.

【0009】オープン・ドレイン型出力回路OP102
は、プルダウン用のNMOSトランジスタQ103から
構成される。NMOSトランジスタQ131のゲート
は、内部回路IS101から出力される信号を受ける。
NMOSトランジスタQ103は、入力した信号に応じ
て、ローレベルの出力信号を出力する。一方、ハイレベ
ルの出力に関しては、NMOSトランジスタQ103の
駆動力を弱め、終端電位VTTを基準電位Vrefより
も高く設定することにより、ハイレベルの信号が伝送さ
れる。上記の動作により、半導体装置IC102の出力
回路OP102から伝送線路T101を介して半導体装
置IC111へ信号が伝送される。
Open drain type output circuit OP102
Is composed of a pull-down NMOS transistor Q103. The gate of the NMOS transistor Q131 receives the signal output from the internal circuit IS101.
The NMOS transistor Q103 outputs a low level output signal according to the input signal. On the other hand, with respect to the high-level output, a high-level signal is transmitted by weakening the driving force of the NMOS transistor Q103 and setting the termination potential VTT higher than the reference potential Vref. By the above operation, a signal is transmitted from the output circuit OP102 of the semiconductor device IC102 to the semiconductor device IC111 via the transmission line T101.

【0010】次に、GTL規格の入出力インタフェース
システムについて説明する。図14は、従来のGTL規
格の入出力インタフェースシステムの構成を示すブロッ
ク図である。
Next, the GTL standard input / output interface system will be described. FIG. 14 is a block diagram showing the configuration of a conventional GTL standard input / output interface system.

【0011】図14を参照して、入出力インタフェース
システムは、半導体装置IC103およびIC112、
伝送線路T101を含む。半導体装置IC103は、内
部回路IS101、出力回路OP103、終端抵抗R1
02を含む。出力回路OP103は、インバータG10
1、G102、PMOSトランジスタQ104、NMO
SトランジスタQ105〜Q108を含む。半導体装置
IC112は、内部回路IS111、入力回路IP10
2を含む。入力回路IP102は、PMOSトランジス
タQ111〜Q113、NMOSトランジスタQ11
4、Q115を含む。
Referring to FIG. 14, the input / output interface system includes semiconductor devices IC103 and IC112,
The transmission line T101 is included. The semiconductor device IC103 includes an internal circuit IS101, an output circuit OP103, and a terminating resistor R1.
Including 02. The output circuit OP103 is an inverter G10.
1, G102, PMOS transistor Q104, NMO
Includes S transistors Q105 to Q108. The semiconductor device IC112 includes an internal circuit IS111 and an input circuit IP10.
2 inclusive. The input circuit IP102 includes PMOS transistors Q111 to Q113 and an NMOS transistor Q11.
4, including Q115.

【0012】GTL規格の出力回路OP103は、オー
プン・ドレイン型回路で構成されており、ターンオフ時
の波形歪みを緩和するため、NMOSトランジスタQ1
06およびQ107は、NMOSトランジスタQ108
を徐々にオフにする。また、出力ノードN111は、終
端抵抗R102を介して終端電位VTTに終端されてい
る。したがって、伝送線路T101の特性インピーダン
スと終端抵抗R102のインピーダンスとの整合が取れ
るように構成されている。NMOSトランジスタQ10
8によりローレベルの信号が出力され、ハイレベルの出
力に関しては、NMOSトランジスタQ108の駆動力
を弱め、終端電位VTTを基準電位Vrefよりも高く
設定することにより、ハイレベルの信号が発生される。
The GTL standard output circuit OP103 is composed of an open drain type circuit, and in order to alleviate the waveform distortion at the time of turn-off, the NMOS transistor Q1 is used.
06 and Q107 are NMOS transistors Q108
Gradually turn off. The output node N111 is terminated to the termination potential VTT via the termination resistor R102. Therefore, the characteristic impedance of the transmission line T101 and the impedance of the terminating resistor R102 are matched. NMOS transistor Q10
A low level signal is output by 8, and a high level signal is generated by weakening the driving force of the NMOS transistor Q108 and setting the termination potential VTT higher than the reference potential Vref for the high level output.

【0013】一方、入力回路IP102は、PMOSト
ランジスタQ111〜Q113、NMOSトランジスタ
Q114およびQ115からなる差動増幅回路によって
構成されている。入力回路IP102は、入力ノードN
112の電位と基準電位Vrefとを比較し、比較結果
を内部回路IS111へ出力する。上記の動作により、
IC103から伝送線路T101を介して半導体装置I
C112へ信号が伝送される。
On the other hand, the input circuit IP102 is composed of a differential amplifier circuit including PMOS transistors Q111 to Q113 and NMOS transistors Q114 and Q115. The input circuit IP102 has an input node N
The potential of 112 is compared with the reference potential Vref, and the comparison result is output to the internal circuit IS111. By the above operation,
The semiconductor device I from the IC 103 via the transmission line T101.
A signal is transmitted to C112.

【0014】次に、CTT規格の入出力インタフェース
システムについて説明する。図15は、CTT規格の入
出力インタフェースシステムの構成を示すブロック図で
ある。
Next, the CTT standard input / output interface system will be described. FIG. 15 is a block diagram showing the configuration of the CTT standard input / output interface system.

【0015】図15を参照して、入出力インタフェース
システムは、半導体装置IC104およびIC113、
伝送線路T1を含む。半導体装置IC104は、内部回
路IS102、出力回路OP104を含む。出力回路O
P104は、制御論理回路CL、コンパレータCP10
2、PMOSトランジスタQ121、Q122、NMO
SトランジスタQ123、Q124を含む。半導体装置
IC113は、内部回路IS111、入力回路IP10
3、終端抵抗R103を含む。入力回路IP103は、
コンパレータCP103を含む。
Referring to FIG. 15, the input / output interface system includes semiconductor devices IC104 and IC113,
The transmission line T1 is included. The semiconductor device IC104 includes an internal circuit IS102 and an output circuit OP104. Output circuit O
P104 is a control logic circuit CL and a comparator CP10.
2, PMOS transistors Q121, Q122, NMO
It includes S transistors Q123 and Q124. The semiconductor device IC113 includes an internal circuit IS111 and an input circuit IP10.
3, including a terminating resistor R103. The input circuit IP103 is
A comparator CP103 is included.

【0016】CTT規格の出力回路OP104は、2組
の出力ドライバにより構成されている。これらのドライ
バを同時に動作させ、出力がハイレベル/ローレベルの
基準電位を超えた後、コンパレータCP102の出力を
制御論理回路CLへフィードバックし、制御論理回路C
Lに接続された出力ドライバをカットオフさせるように
制御されている。半導体装置IC113に関しては、図
12に示す半導体装置IC111と同様に動作する。上
記の動作により、半導体装置IC104から伝送線路T
1を介して半導体装置IC113へ信号が伝送される。
The CTT standard output circuit OP104 is composed of two sets of output drivers. These drivers are operated simultaneously, and after the output exceeds the high-level / low-level reference potential, the output of the comparator CP102 is fed back to the control logic circuit CL to control the control logic circuit C.
It is controlled to cut off the output driver connected to L. The semiconductor device IC113 operates similarly to the semiconductor device IC111 shown in FIG. By the above operation, the transmission line T from the semiconductor device IC 104
A signal is transmitted to the semiconductor device IC 113 via 1.

【0017】[0017]

【発明が解決しようとする課題】上記の各従来例では、
いずれのインタフェース規格においても電圧変化により
信号を伝送していた。したがって、ボード配線のトータ
ル容量が大きい場合、その容量を充電または放電する必
要がある。この結果、信号伝送のために大電流を流す出
力バッファが必要となり、かつ、ボード配線容量が充放
電されるため、入出力インタフェースに用いられる入力
回路および出力回路の消費電流が大きくなるという問題
点があった。また、出力回路の出力インピーダンスと伝
送線路の特性インピーダンス、および伝送線路の特性イ
ンピーダンスと入力回路の入力インピーダンスとの不整
合により、信号に反射が生じ、高速に信号を伝送するこ
とができないという問題点もあった。
In each of the above conventional examples,
In any interface standard, signals were transmitted by voltage changes. Therefore, when the total capacitance of the board wiring is large, it is necessary to charge or discharge the capacitance. As a result, an output buffer for flowing a large current is required for signal transmission, and board wiring capacitance is charged and discharged, resulting in a large current consumption of an input circuit and an output circuit used for an input / output interface. was there. Further, due to the mismatch between the output impedance of the output circuit and the characteristic impedance of the transmission line, and the mismatch between the characteristic impedance of the transmission line and the input impedance of the input circuit, the signal is reflected and the signal cannot be transmitted at high speed. There was also.

【0018】上記の電圧モードによる入出力インタフェ
ースシステム以外に、電流モードによる入出力インタフ
ェースシステムがある。電流モードのインタフェースと
しては、ECL(Emitter Coupled L
ogic)インタフェースが知られている。たとえば、
Tomoaki KAWAMURA氏(NTT LSI
Lab.)によって発表された論文“An Extr
emely Low−power Bpolar Cu
rrent−mode I/O Circuit fo
r Multi−Gbit/s Interface
s”(1994Symposium on VlSI
Circuits Digital of Techn
ical Papers)がある。上記の論文では、バ
イポーラ・トランジスタを用いた電流モードのインタフ
ェース回路が開示されている。この回路の出力回路は、
相補のバイポーラ・トランジスタによって構成されるカ
レント・スイッチ・ドライバで構成され、入力回路は、
コモン・ベース・バイポーラトランジスタで差動電流を
受ける構成となっている。
In addition to the voltage mode input / output interface system described above, there is a current mode input / output interface system. An ECL (Emitter Coupled L) is used as a current mode interface.
known) interfaces are known. For example,
Mr. Tomoaki KAWAMURA (NTT LSI
Lab. ) Published the paper "An Extr
emery Low-power Bpolar Cu
current-mode I / O Circuit fo
r Multi-Gbit / s Interface
s ”(1994 Symposium on VlSI
Circuits Digital of Techn
ical Papers). The above paper discloses a current mode interface circuit using bipolar transistors. The output circuit of this circuit is
The input circuit is composed of a current switch driver composed of complementary bipolar transistors.
The common base bipolar transistor is configured to receive the differential current.

【0019】上記の出力回路および入力回路を用いた場
合以下の問題点がある。まず、バイポーラ・トランジス
タを用いた場合、プロセス的に高価になる。また、バイ
アス電流を必要とするため、低消費電力化には向かな
い。さらに、上記の出力回路および入力回路はバイポー
ラ・トランジスタの特性を利用した回路であるので、M
OSトランジスタへの置換は容易に行なうことはできな
い。さらに、上記の出力回路および入力回路は、ECL
インタフェースとのコンパティビリティを考慮した回路
であるので、一般的な半導体記憶装置用のインタフェー
スへの置換は難しい。以上のような問題点があった。
The use of the above output circuit and input circuit has the following problems. First, when a bipolar transistor is used, the process becomes expensive. Moreover, since a bias current is required, it is not suitable for low power consumption. Furthermore, since the output circuit and the input circuit described above are circuits that utilize the characteristics of bipolar transistors, M
Replacement with an OS transistor cannot be easily performed. Further, the above output circuit and input circuit are
Since it is a circuit in consideration of compatibility with the interface, it is difficult to replace it with an interface for a general semiconductor memory device. There were the above problems.

【0020】また、他の電流モードのECLインタフェ
ースとしては、特開平4−207223号公報に開示さ
れる出力回路、特開平4−207224号公報に開示さ
れる出力回路、特開昭62−53518号公報に開示さ
れる集積回路用出力バッファ回路がある。これらの各公
報に開示された回路は、MOSトランジスタを用いたE
CLインタフェース用の回路である。上記の各回路は、
ECLインタフェースとのコンパティビリティを考慮し
た回路であるので、一般的なデバイス(超高速デバイス
等以外のデバイス)の使用環境とは異なるため、一般的
な半導体記憶装置用のインタフェースへの適用が難しい
という問題点があった。
Other current mode ECL interfaces include an output circuit disclosed in Japanese Patent Application Laid-Open No. 4-207223, an output circuit disclosed in Japanese Patent Application Laid-Open No. 4-207224, and Japanese Patent Application Laid-Open No. 62-53518. There is an output buffer circuit for an integrated circuit disclosed in the publication. The circuits disclosed in each of these publications are based on an E using a MOS transistor.
This is a circuit for CL interface. Each of the above circuits
Since the circuit is compatible with the ECL interface, it is different from the usage environment of general devices (devices other than ultra-high speed devices, etc.), so it is difficult to apply it to general semiconductor memory device interfaces. There was a problem.

【0021】また、電流センス回路としては、たとえ
ば、Evert Seevinck(Senior M
ember,IEEE),Petrus J. van
Bers,and Hans Ontrop氏によっ
て発表された論文“Current−Mode Tec
hniques for High−Speed VL
SI Circuits with applicat
ion to Current Sense Ampl
ifier for CMOS SRAM’s”(IE
EE JOURNAL OF SOLID−STATE
CIRCUITS,VOL.26,NO.4,APR
IL 1991)に開示された回路がある。この回路
は、メモリ・セル・アレイのデータを検知するとともに
増幅するために使用される。実際には、数十μAから数
百μAの電流を検知し、電流を電圧に変換して数百mV
の電圧差に変換するために使用される。この回路は、メ
モリ・セル・アレイに接続されたビット線に比較的大き
な容量がついた場合に有効である。しかしながら、この
回路は、メモリ・セル・アレイのデータ検出用に使用さ
れるものであり、上記に述べた入出力インタフェースへ
の適用は困難であった。
The current sense circuit may be, for example, Ever Seevinck (Senior M).
Ember, IEEE), Petrus J. et al. van
Paper "Current-Mode Tec" published by Bers, and Hans Ontrop
hnies for High-Speed VL
SI Circuits with applicat
ion to Current Sense Ampl
ifer for CMOS SRAM's ”(IE
EE JOURNAL OF SOLID-STATE
CIRCUITS, VOL. 26, NO. 4, APR
IL 1991). This circuit is used to sense and amplify the data in the memory cell array. Actually, a current of several tens of μA to several hundreds of μA is detected, the current is converted into a voltage, and a few hundred mV is converted.
Used to convert the voltage difference of. This circuit is effective when the bit line connected to the memory cell array has a relatively large capacitance. However, this circuit is used for data detection of the memory cell array, and it is difficult to apply it to the above-mentioned input / output interface.

【0022】本発明の目的は、高速にデータを転送する
ことができるとともに、消費電力を低く抑えることがで
きる入力回路、出力回路、およびこれらを用いた入出力
インタフェースシステムを提供することである。
An object of the present invention is to provide an input circuit, an output circuit, and an input / output interface system using these, which can transfer data at high speed and suppress power consumption to a low level.

【0023】本発明のさらに他の目的は、一般的な半導
体記憶装置に適した入力回路、出力回路、および入出力
インタフェースシステムを提供することである。
Still another object of the present invention is to provide an input circuit, an output circuit, and an input / output interface system suitable for a general semiconductor memory device.

【0024】[0024]

【課題を解決するための手段】請求項1記載の出力回路
は、互いに相補な第1および第2相補電流信号を伝送路
を介して電流モードで外部へ伝送する出力回路であっ
て、互いに相補な第1および第2相補論理信号を受ける
入力端と、入力端へ入力された第1および第2相補論理
信号の電位に応じて、第1および第2相補電流信号を電
流モードで外部へ出力する出力手段を含む。
An output circuit according to claim 1 is an output circuit for transmitting first and second complementary current signals which are complementary to each other to the outside in a current mode through a transmission line, and which are complementary to each other. Output first and second complementary current signals in current mode according to the potentials of the first and second complementary logic signals input to the input terminals and the first and second complementary logic signals. Output means for

【0025】請求項2記載の出力回路は、請求項1記載
の出力回路の構成に加え、出力手段の終端に接続され、
所定の終端電位を受ける抵抗手段をさらに含む。
In addition to the configuration of the output circuit according to claim 1, the output circuit according to claim 2 is connected to the terminal of the output means,
It further includes resistance means for receiving a predetermined termination potential.

【0026】請求項3記載の出力回路は、請求項2記載
の出力回路の構成に加え、抵抗手段は、一端が終端電位
を受ける第1および第2抵抗を含み、出力手段は、電流
源と、第1相補論理信号を受けるゲートを有し、一端が
第1抵抗に接続され、他端が電流源と接続される第1N
MOSトランジスタと、第2相補論理信号を受けるゲー
トを有し、一端が第2抵抗に接続され、他端が電流源と
接続される第2NMOSトランジスタとを含む。
In the output circuit according to a third aspect of the present invention, in addition to the configuration of the output circuit according to the second aspect, the resistance means includes first and second resistors whose one end receives a termination potential, and the output means includes a current source and a current source. , A first N having a gate for receiving a first complementary logic signal, one end of which is connected to the first resistor and the other end of which is connected to a current source
A MOS transistor and a second NMOS transistor having a gate for receiving a second complementary logic signal, one end of which is connected to the second resistor and the other end of which is connected to a current source are included.

【0027】請求項4記載の出力回路は、請求項1記載
の出力回路の構成に加え、出力手段は、第1相補論理信
号を受けるゲートを有し、一端に接地電位を受ける第1
プルダウン用NMOSトランジスタと、第2相補論理信
号を受けるゲートを有し、一端に接地電位を受ける第2
プルダウン用NMOSトランジスタとを含む。
According to a fourth aspect of the present invention, in addition to the configuration of the output circuit according to the first aspect, the output means has a gate for receiving a first complementary logic signal, and a first end receives a ground potential.
A second pull-down NMOS transistor and a gate for receiving a second complementary logic signal, and a second end for receiving a ground potential
And a pull-down NMOS transistor.

【0028】請求項5記載の出力回路は、請求項1記載
の出力回路の構成に加え、出力手段は、第1相補論理信
号を受けるゲートを有し、一端に電源電圧を受ける第1
プルアップ用PMOSトランジスタと、第2相補論理信
号を受けるゲートを有し、一端に電源電圧を受ける第2
プルアップ用PMOSトランジスタとを含む。
According to a fifth aspect of the present invention, in addition to the configuration of the first aspect of the output circuit, the output means has a gate for receiving a first complementary logic signal, and a first end for receiving a power supply voltage.
A second pull-up PMOS transistor, a gate for receiving a second complementary logic signal, and a second end for receiving a power supply voltage
And a pull-up PMOS transistor.

【0029】請求項6記載の入力回路は、外部から伝送
路を介して電流モードで伝送される互いに相補な第1お
よび第2相補電流信号を受ける入力回路であって、第1
および第2相補電流信号を受ける入力端と、入力端へ入
力された第1および第2相補電流信号の電流変化を電圧
変化へ変換し、第1および第2相補電流信号の電流に応
じた互いに相補な第1および第2相補電圧信号を電圧モ
ードで内部に出力する変換手段を含む。
An input circuit according to a sixth aspect of the present invention is an input circuit for receiving first and second complementary current signals which are complementary to each other and which are transmitted from the outside in a current mode through a transmission line.
And an input end receiving the second complementary current signal, and a current change of the first and second complementary current signals input to the input end converted into a voltage change, and the input and the second complementary current signals corresponding to the currents of the first and second complementary current signals are mutually converted. It includes converting means for internally outputting complementary first and second complementary voltage signals in a voltage mode.

【0030】請求項7記載の入力回路は、請求項6記載
の入力回路の構成に加え、変換手段は、第1および第2
相補電流信号の電流を差動し、電流変化を電圧変化へ変
換するカレントコンベイ回路を含む。
According to a seventh aspect of the present invention, in addition to the configuration of the input circuit according to the sixth aspect, the converting means includes first and second converting means.
A current-convey circuit that differentially converts the current of the complementary current signal and converts the current change into a voltage change is included.

【0031】請求項8記載の入力回路は、請求項7記載
の入力回路の構成に加え、カレントコンベイ回路は、一
端に第1相補電流信号を受け、他端に電源電圧を受ける
第1負荷と、一端が第1負荷の一端と接続される第1P
MOSトランジスタと、一端が第1PMOSトランジス
タの他端と接続され、接地電位を受けるゲートを有する
第2PMOSトランジスタと、一端が第2PMOSトラ
ンジスタの他端と接続され、他端に接地電位を受ける第
2負荷と、一端に第2相補電流信号を受け、他端に電源
電圧を受ける第3負荷と、一端が第1負荷の一端と接続
され、他端が第1PMOSトランジスタのゲートと接続
され、第1および第2PMOSトランジスタの接続点の
電位を受けるゲートを有する第3PMOSトランジスタ
と、一端が第3PMOSトランジスタの他端および第1
PMOSトランジスタのゲートと接続され、接地電位を
受けるゲートを有する第4PMOSトランジスタと、一
端が第4PMOSトランジスタの他端と接続され、他端
に接地電位を受ける第4負荷とを含み、第2PMOSト
ランジスタと第2負荷との接続点から第1相補電圧信号
が出力され、第4PMOSトランジスタと第4負荷との
接続点から第2相補電圧信号が出力される。
In addition to the configuration of the input circuit according to claim 7, the input circuit according to claim 8 is characterized in that the current conveyor circuit has a first load receiving a first complementary current signal at one end and a power supply voltage at the other end. And a first P whose one end is connected to one end of the first load
A MOS transistor, a second PMOS transistor having one end connected to the other end of the first PMOS transistor and having a gate for receiving the ground potential, and a second load having one end connected to the other end of the second PMOS transistor and receiving the ground potential at the other end. A third load that receives a second complementary current signal at one end and a power supply voltage at the other end, one end that is connected to one end of the first load, and the other end that is connected to the gate of the first PMOS transistor. A third PMOS transistor having a gate for receiving the potential at the connection point of the second PMOS transistor, and one end of the third PMOS transistor and the other end of the third PMOS transistor
A fourth PMOS transistor including a fourth PMOS transistor having a gate connected to the gate of the PMOS transistor and having a ground potential, and a fourth load having one end connected to the other end of the fourth PMOS transistor and having the other end receiving the ground potential; The first complementary voltage signal is output from the connection point with the second load, and the second complementary voltage signal is output from the connection point with the fourth PMOS transistor and the fourth load.

【0032】請求項9記載の入力回路は、請求項7記載
の入力回路の構成に加え、カレントコンベイ回路は、一
端に第1相補電流信号を受け、他端に接地電位を受ける
第1負荷と、一端が第1負荷の一端と接続される第1N
MOSトランジスタと、一端が第1NMOSトランジス
タの他端と接続され、電源電圧を受けるゲートを有する
第2NMOSトランジスタと、一端が第2NMOSトラ
ンジスタの他端と接続され、他端に電源電圧を受ける第
2負荷と、一端に第2相補電流信号を受け、他端に接地
電位を受ける第3負荷と、一端が第1負荷の一端と接続
され、他端が第1NMOSトランジスタのゲートと接続
され、第1および第2NMOSトランジスタの接続点の
電位を受けるゲートを有する第3NMOSトランジスタ
と、一端が第3NMOSトランジスタの他端および第1
NMOSトランジスタのゲートと接続され、電源電圧を
受けるゲートを有する第4NMOSトランジスタと、一
端が第4NMOSトランジスタの他端と接続され、他端
に電源電圧を受ける第4負荷とを含み、第2NMOSト
ランジスタと第2負荷との接続点から第1相補電圧信号
が出力され、第4NMOSトランジスタと第4負荷との
接続点から第2相補電圧信号が出力される。
According to a ninth aspect of the present invention, in addition to the configuration of the input circuit according to the seventh aspect, the current conveyor circuit has a first load receiving a first complementary current signal at one end and a ground potential at the other end. And a first N whose one end is connected to one end of the first load
A second load having a MOS transistor, one end of which is connected to the other end of the first NMOS transistor and having a gate for receiving a power supply voltage, and one end of which is connected to the other end of the second NMOS transistor and whose other end receives the power supply voltage. A third load that receives the second complementary current signal at one end and a ground potential at the other end, one end connected to one end of the first load, the other end connected to the gate of the first NMOS transistor, and A third NMOS transistor having a gate for receiving the potential of the connection point of the second NMOS transistor, and one end of the third NMOS transistor and the other end of the third NMOS transistor
A fourth NMOS transistor having a gate connected to the gate of the NMOS transistor and having a power supply voltage; a fourth load having one end connected to the other end of the fourth NMOS transistor and having the other end receiving the power supply voltage; The first complementary voltage signal is output from the connection point with the second load, and the second complementary voltage signal is output from the connection point with the fourth NMOS transistor and the fourth load.

【0033】請求項10記載の入力回路は、請求項6記
載の入力回路の構成に加え、入力端は、第1相補電圧信
号を受ける第1入力端と、第2相補電圧信号を受ける第
2入力端とを含み、入力回路は、一端が第1入力端と接
続され、他端に所定の終端電位を受ける第1終端抵抗
と、一端が第2入力端と接続され、他端に所定の終端電
位を受ける第2終端抵抗とをさらに含む。
In addition to the structure of the input circuit according to claim 6, the input circuit according to claim 10 has a first input terminal for receiving a first complementary voltage signal and a second input terminal for receiving a second complementary voltage signal. The input circuit includes an input terminal, one end of which is connected to the first input terminal, the other end of which is connected to the first terminating resistor that receives a predetermined terminating potential, and one end of which is connected to the second input terminal and which is connected to the other end of the predetermined input terminal. It further includes a second terminating resistor that receives a terminating potential.

【0034】請求項11記載の入力回路は、外部から伝
送路を介して電流モードで伝送される電流信号を受ける
入力回路であって、電流信号の電位と所定の基準電位と
を比較する比較手段と、比較手段による比較結果に応じ
て、電流信号の電流に応じた電圧信号を電圧モードで内
部に出力する出力手段とを含む。
The input circuit according to claim 11 is an input circuit which receives a current signal transmitted from the outside in a current mode via a transmission path, and a comparison means for comparing the potential of the current signal with a predetermined reference potential. And an output means for outputting a voltage signal corresponding to the current of the current signal to the inside in the voltage mode in accordance with the comparison result by the comparison means.

【0035】請求項12記載の入力回路は、請求項11
記載の入力回路の構成に加え、比較手段は、負側入力端
子に電流信号を受け、正側入力端子に基準電圧を受ける
コンパレータを含み、出力手段は、コンパレータの出力
信号を受けるゲートを有し、一端に電流信号を受けるN
MOSトランジスタと、一端がNMOSトランジスタの
他端と接続され、他端に電源電圧を受ける負荷とを含
み、NMOSトランジスタと負荷との接続点から電圧信
号が出力される。
An input circuit according to claim 12 is the input circuit according to claim 11.
In addition to the configuration of the input circuit described, the comparison means includes a comparator that receives the current signal at the negative side input terminal and the reference voltage at the positive side input terminal, and the output means has a gate that receives the output signal of the comparator. , N receiving a current signal at one end
A voltage signal is output from a connection point between the NMOS transistor and the load, which includes a MOS transistor and a load having one end connected to the other end of the NMOS transistor and the other end receiving a power supply voltage.

【0036】請求項13記載の入力回路は、請求項11
記載の入力回路の構成に加え、比較手段は、正側入力端
子に電流信号を受け、負側入力端子に基準電位を受ける
コンパレータを含み、出力手段は、コンパレータの出力
信号を受けるゲートを有し、一端に電流信号を受け、他
端に電源電圧を受ける第1PMOSトランジスタと、コ
ンパレータの出力信号を受けるゲートを有し、一端に電
源電圧を受ける第2PMOSトランジスタと、一端が第
2PMOSトランジスタの他端と接続され、他端に接地
電位を受ける負荷とを含み、第2PMOSトランジスタ
と負荷との接続点から電圧信号が出力される。
The input circuit according to claim 13 is the same as in claim 11.
In addition to the configuration of the input circuit described, the comparison means includes a comparator that receives the current signal at the positive side input terminal and the reference potential at the negative side input terminal, and the output means has a gate that receives the output signal of the comparator. , A first PMOS transistor that receives a current signal at one end and a power supply voltage at the other end, a second PMOS transistor that has a gate that receives the output signal of the comparator, one end that receives the power supply voltage, and one end that is the other end of the second PMOS transistor A voltage signal is output from the connection point between the second PMOS transistor and the load, the load signal being connected to the second PMOS transistor and the load receiving the ground potential at the other end.

【0037】請求項14記載の入力回路は、請求項11
記載の入力回路の構成に加え、比較手段は、一端に電流
信号を受ける第1NMOSトランジスタと、一端および
ゲートが第1NMOSトランジスタの他端と接続され、
他端に電源電圧を受ける第1PMOSトランジスタと、
一端に基準電位を受け、他端およびゲートが第1NMO
Sトランジスタのゲートと接続される第2NMOSトラ
ンジスタと、一端が第2NMOSトランジスタの他端お
よびゲートと接続され、他端に電源電圧を受け、第1P
MOSトランジスタのゲートおよび第1NMOSトラン
ジスタと第1PMOSトランジスタとの接続点と接続さ
れるゲートを有する第1PMOSトランジスタとを含
み、出力手段は、第2PMOSトランジスタのゲートと
接続されるゲートを有し、一端に電源電圧を受ける第3
PMOSトランジスタと、一端が第3PMOSトランジ
スタの他端と接続され、他端に接地電位を受ける負荷と
を含み、第3PMOSトランジスタと負荷との接続点か
ら電圧信号が出力される。
According to a fourteenth aspect of the present invention, there is provided the input circuit of the eleventh aspect.
In addition to the configuration of the input circuit described above, the comparison unit has a first NMOS transistor receiving a current signal at one end, and one end and a gate connected to the other end of the first NMOS transistor,
A first PMOS transistor receiving a power supply voltage at the other end,
One end receives the reference potential, and the other end and gate are the first NMO
A second NMOS transistor connected to the gate of the S transistor, one end of which is connected to the other end and the gate of the second NMOS transistor, and the other end of which receives the power supply voltage
A first PMOS transistor having a gate connected to the gate of the MOS transistor and a connection point between the first NMOS transistor and the first PMOS transistor, and the output means has a gate connected to the gate of the second PMOS transistor, and at one end Third receiving power supply voltage
A voltage signal is output from a connection point between the third PMOS transistor and the load, the PMOS transistor and the load including one end connected to the other end of the third PMOS transistor and receiving the ground potential at the other end.

【0038】請求項15記載の入力回路は、請求項11
記載の入力回路の構成に加え、比較手段は、一端に電流
信号を受ける第1PMOSトランジスタと、一端が第1
PMOSトランジスタの他端と接続され、他端に接地電
位を受ける第1NMOSトランジスタと、一端が第1P
MOSトランジスタのゲートと接続され、他端が基準電
位を受ける抵抗と、一端が抵抗の一端および第1PMO
Sトランジスタのゲートと接続され、第1PMOSトラ
ンジスタと第1NMOSトランジスタとの接続点と接続
されるゲートを有する第2PMOSトランジスタと、一
端が第2PMOSトランジスタの他端と接続され、他端
に接地電位を受け、第2PMOSトランジスタの他端お
よび第1NMOSトランジスタのゲートと接続されるゲ
ートを有する第2NMOSトランジスタとを含み、出力
手段は、第2NMOSトランジスタのゲート接続される
ゲートを有し、他端に接地電位を受ける第3NMOSト
ランジスタと、一端が第3NMOSトランジスタの他端
と接続され、他端に電源電圧を受ける負荷とを含み、第
3NMOSトランジスタと負荷との接続点から電圧信号
が出力される。
The input circuit according to the fifteenth aspect is the eleventh aspect.
In addition to the configuration of the input circuit described, the comparison means includes a first PMOS transistor that receives a current signal at one end and a first PMOS transistor at one end.
A first NMOS transistor connected to the other end of the PMOS transistor and receiving a ground potential at the other end;
A resistor connected to the gate of the MOS transistor, the other end of which receives the reference potential, and one end of the resistor and the first PMO.
A second PMOS transistor having a gate connected to the gate of the S transistor and having a connection point between the first PMOS transistor and the first NMOS transistor; one end connected to the other end of the second PMOS transistor and the other end receiving a ground potential A second NMOS transistor having a gate connected to the other end of the second PMOS transistor and the gate of the first NMOS transistor, the output means having a gate connected to the gate of the second NMOS transistor, and the ground potential at the other end. The voltage signal is output from the connection point of the third NMOS transistor and the load, the one end of which is connected to the other end of the third NMOS transistor and the other end of which is a load receiving the power supply voltage.

【0039】請求項16記載の入出力インタフェースシ
ステムは、出力用半導体装置から入力用半導体装置へ伝
送路を介して電流モードで互いに相補な第1および第2
相補電流信号を電流モードで伝送する入出力インタフェ
ースシステムであって、出力用半導体装置は、第1およ
び第2相補電流信号を電流モードで伝送路へ出力する出
力回路を含み、入力用半導体装置は、伝送路を介して入
力した第1および第2相補電流信号の電流変化を電圧変
化へ変換し、第1および第2相補電流信号の電流に応じ
た互いに相補な第1および第2相補電圧信号を電圧モー
ドで内部に出力する入力回路を含む。
According to a sixteenth aspect of the present invention, in the input / output interface system, the first and second complementary semiconductor devices in the current mode are provided from the output semiconductor device to the input semiconductor device via the transmission line.
An input / output interface system for transmitting a complementary current signal in a current mode, wherein the output semiconductor device includes an output circuit for outputting the first and second complementary current signals to a transmission line in a current mode, and the input semiconductor device is , First and second complementary voltage signals that are complementary to each other according to the currents of the first and second complementary current signals, by converting the current changes of the first and second complementary current signals input via the transmission path into voltage changes It includes an input circuit for outputting the voltage in a voltage mode.

【0040】請求項17記載の入出力インタフェースシ
ステムは、請求項16記載の入出力インタフェースシス
テムの構成に加え、入力用半導体装置は、第1相補電圧
信号を受ける第1入力端と、第2相補電流信号を受ける
第2入力端と、一端が第1入力端と接続され、他端に所
定の終端電位を受ける第1終端抵抗と、一端が第2入力
端と接続され、他端に所定の終端電位を受ける第2終端
抵抗とをさらに含む。
According to a seventeenth aspect of the present invention, in addition to the configuration of the sixteenth aspect of the input / output interface system, the input semiconductor device has a first input terminal for receiving a first complementary voltage signal and a second complementary terminal. A second input end for receiving the current signal, one end connected to the first input end, a first terminating resistor for receiving a predetermined termination potential at the other end, one end connected to the second input end, and a predetermined end for the other end It further includes a second terminating resistor that receives a terminating potential.

【0041】請求項18記載の入出力インタフェースシ
ステムは、出力用半導体装置から入力用半導体装置へ伝
送路を介して電流モードで電流信号を伝送する入出力イ
ンタフェースシステムであって、出力用半導体装置は、
MOSトランジスタから構成され、電流信号を電流モー
ドで伝送路へ出力する出力回路を含み、入力用半導体装
置は、伝送路を介して入力した電流信号の電流変化を電
圧変化へ変換し、電流信号の電圧に応じた電圧信号を電
圧モードで内部に出力する入力回路を含む。
The input / output interface system according to claim 18 is an input / output interface system for transmitting a current signal in a current mode from an output semiconductor device to an input semiconductor device via a transmission path, wherein the output semiconductor device is ,
The input semiconductor device includes an output circuit configured to include a MOS transistor and outputting a current signal to the transmission line in a current mode. The input semiconductor device converts a current change of the current signal input through the transmission line into a voltage change, and converts the current signal into a voltage change. It includes an input circuit for outputting a voltage signal according to the voltage to the inside in a voltage mode.

【0042】[0042]

【作用】請求項1ないし請求項5記載の出力回路におい
ては、互いに相補な第1および第2相補論理信号に応じ
た第1および第2相補電流信号を電流モードで外部へ出
力することができる。
In the output circuit according to any one of claims 1 to 5, the first and second complementary current signals according to the complementary first and second complementary logic signals can be output to the outside in the current mode. .

【0043】請求項6ないし請求項10記載の入力回路
においては、電流モードで伝送される互いに相補な第1
および第2相補電流信号の電流変化を電圧変化へ変換
し、第1および第2相補電流信号の電流に応じた互いに
相補な第1および第2相補電圧信号を電圧モードで内部
に出力することができる。
According to another aspect of the input circuit of the present invention, the first complementary signals are transmitted in the current mode.
And a current change of the second complementary current signal is converted into a voltage change, and first and second complementary voltage signals complementary to each other corresponding to the currents of the first and second complementary current signals are internally output in a voltage mode. it can.

【0044】請求項11ないし請求項15記載の入力回
路においては、電流モードで伝送された電流信号の電位
と所定の基準電位とを比較し、比較結果に応じて電流信
号の電流に応じた電圧信号を電圧モードで内部に出力す
ることができる。
In the input circuit according to any one of claims 11 to 15, the potential of the current signal transmitted in the current mode is compared with a predetermined reference potential, and the voltage corresponding to the current of the current signal is determined according to the comparison result. The signal can be output internally in voltage mode.

【0045】請求項16および請求項17記載の入出力
インタフェースシステムにおいては、出力用半導体装置
から第1および第2相補電流信号を電流モードで伝送路
へ出力することができ、入力用半導体装置は、入力した
第1および第2相補電流信号の電流変化を電圧変化へ変
換し、第1および第2相補電流信号の電流に応じた互い
に相補な第1および第2相補電流信号を電圧モードで内
部に出力することができる。
In the input / output interface system according to the sixteenth and seventeenth aspects, the first and second complementary current signals can be output from the output semiconductor device to the transmission line in the current mode, and the input semiconductor device is , Converting the current changes of the input first and second complementary current signals into voltage changes, and internally converting the complementary first and second complementary current signals corresponding to the currents of the first and second complementary current signals in the voltage mode. Can be output to.

【0046】請求項18記載の入出力インタフェースシ
ステムにおいては、出力用半導体装置のMOSトランジ
スタから構成された出力手段から電流信号を電流モード
で伝送路へ出力することができ、入力用半導体装置は、
入力した電流信号の電流変化を電圧変化へ変換し、電流
信号の電流に応じた電圧信号を電圧モードで内部に出力
することができる。
In the input / output interface system according to the eighteenth aspect, a current signal can be output to the transmission line in the current mode from the output means constituted by the MOS transistor of the output semiconductor device, and the input semiconductor device is
The current change of the input current signal can be converted into a voltage change, and a voltage signal according to the current of the current signal can be internally output in the voltage mode.

【0047】[0047]

【実施例】以下、本発明の各実施例を図面参照しながら
説明する。図1は、本発明の第1の実施例の入出力イン
タフェースシステムの構成を示すブロック図である。
Embodiments of the present invention will be described below with reference to the drawings. FIG. 1 is a block diagram showing the configuration of the input / output interface system of the first embodiment of the present invention.

【0048】図1を参照して、入出力インタフェースシ
ステムは、半導体装置IC1およびIC11、伝送線路
T1、T2を含む。本実施例では、半導体装置IC1か
ら伝送線路T1およびT2を介して電流モードで互いに
相補な相補電流信号が半導体装置IC11へ伝送され
る。半導体装置IC1としては、ダイナミックランダム
アクセスメモリ、シンクロナスダイナミックランダムア
クセスメモリ、スタティックランダムアクセスメモリ等
の一般的な半導体記憶装置が用いられる。半導体装置I
C11としては、マイクロプロセッサ等の演算処理装置
が用いられる。また、逆に、半導体装置IC1として演
算処理装置を用い、半導体装置IC11として一般的な
半導体記憶装置を用いてもよい。さらに、半導体装置I
C1およびIC11ともに一般的な半導体記憶装置を用
いてもよいし、演算処理装置を用いてもよい。以下の各
実施例でも同様である。
Referring to FIG. 1, the input / output interface system includes semiconductor devices IC1 and IC11 and transmission lines T1 and T2. In this embodiment, complementary current signals complementary to each other in the current mode are transmitted from the semiconductor device IC1 to the semiconductor device IC11 via the transmission lines T1 and T2. As the semiconductor device IC1, a general semiconductor memory device such as a dynamic random access memory, a synchronous dynamic random access memory, or a static random access memory is used. Semiconductor device I
An arithmetic processing unit such as a microprocessor is used as C11. Conversely, an arithmetic processing unit may be used as the semiconductor device IC1 and a general semiconductor memory device may be used as the semiconductor device IC11. Furthermore, the semiconductor device I
A general semiconductor memory device may be used for both C1 and IC11, or an arithmetic processing device may be used. The same applies to each of the following embodiments.

【0049】半導体装置IC1は、内部回路IS1、出
力回路OP1を含む。内部回路IS1から出力回路OP
1へ互いに相補な内部データ信号である相補論理信号D
T、/DTが出力回路OP1へ入力される。
The semiconductor device IC1 includes an internal circuit IS1 and an output circuit OP1. Output circuit OP from internal circuit IS1
Complementary logic signal D which is an internal data signal complementary to 1
T and / DT are input to the output circuit OP1.

【0050】出力回路OP1は、終端抵抗R1、R2、
NMOSトランジスタQ1Q2、電流源I1を含む。終
端抵抗R1の一端には所定の終端電位VTTが供給され
る。終端抵抗R1の他端はNMOSトランジスタQ1の
一端と接続される。NMOSトランジスタQ1のゲート
には相補論理信号DTが供給される。NMOSトランジ
スタQ1の他端は電流源I1の一端と接続される。電流
源I1の他端には接地電位が供給される。終端抵抗R2
の一端には終端電位VTTが供給される。終端抵抗R2
の他端はNMOSトランジスタQ2の一端と接続され
る。NMOSトランジスタQ2のゲートには相補論理信
号/DTが供給される。NMOSトランジスタQ2の他
端は電流源I1の一端と接続される。終端抵抗R1とN
MOSトランジスタQ1との接続点であるノードN1は
伝送線路T1と接続される。終端抵抗R2とNMOSト
ランジスタQ2との接続点であるノードN2は伝送線路
T2と接続される。
The output circuit OP1 includes terminating resistors R1, R2,
It includes an NMOS transistor Q1Q2 and a current source I1. A predetermined termination potential VTT is supplied to one end of the termination resistor R1. The other end of the terminating resistor R1 is connected to one end of the NMOS transistor Q1. The complementary logic signal DT is supplied to the gate of the NMOS transistor Q1. The other end of the NMOS transistor Q1 is connected to one end of the current source I1. The ground potential is supplied to the other end of the current source I1. Termination resistance R2
A terminal potential VTT is supplied to one end of the. Termination resistance R2
The other end of is connected to one end of the NMOS transistor Q2. A complementary logic signal / DT is supplied to the gate of the NMOS transistor Q2. The other end of the NMOS transistor Q2 is connected to one end of the current source I1. Termination resistors R1 and N
A node N1 which is a connection point with the MOS transistor Q1 is connected to the transmission line T1. A node N2, which is a connection point between the terminating resistor R2 and the NMOS transistor Q2, is connected to the transmission line T2.

【0051】上記のように、NMOSトランジスタQ1
およびQ2と電流源I1とにより差動型のデータ出力回
路が構成される。したがって、内部回路IS1から出力
された相補論理信号DT、/DTに応じて、ノードN
1、N2から互いに相補な相補電流信号IO、/IOが
伝送線路T1、T2へそれぞれ出力される。なお、終端
抵抗R1およびR2は、図1に示すように、半導体装置
IC1の内部に予め設けてもよいし、半導体装置IC1
の外部において接続してもよい。
As described above, the NMOS transistor Q1
And Q2 and the current source I1 constitute a differential data output circuit. Therefore, according to the complementary logic signals DT and / DT output from the internal circuit IS1, the node N
Complementary current signals IO and / IO which are complementary to each other are output from 1 and N2 to the transmission lines T1 and T2, respectively. The terminating resistors R1 and R2 may be provided inside the semiconductor device IC1 in advance as shown in FIG.
It may be connected outside the.

【0052】半導体装置IC11は、内部回路IS1
1、入力回路IP1を含む。入力回路IP1は、負荷L
1〜L4、PMOSトランジスタQ11〜Q14を含
む。負荷L1の一端には電源電圧VCCが供給される。
負荷L1の他端のノードN11には、伝送線路T1およ
びPMOSトランジスタQ11の一端が接続される。P
MOSトランジスタQ11の他端はPMOSトランジス
タQ13の一端と接続される。PMOSトランジスタQ
13の他端であるノードN16は負荷L3の一端および
内部回路IS11と接続される。PMOSトランジスタ
Q13のゲートはノードN15を介して接地電位を供給
される。負荷L3の他端には接地電位が供給される。負
荷L2の一端には電源電圧VCCが供給される。負荷L
2の他端であるノードN12は、伝送線路T2およびP
MOSトランジスタQ12の一端と接続される。PMO
SトランジスタQ12のゲートはPMOSトランジスタ
Q11およびQ13の接続点であるノードN13と接続
される。PMOSトランジスタQ12の他端はPMOS
トランジスタQ14の一端と接続される。PMOSトラ
ンジスタQ12およびQ14の接続点であるノードN1
4はPMOSトランジスタQ11のゲートと接続され
る。PMOSトランジスタQ14のゲートはノードN1
5を介して接地電位が供給される。PMOSトランジス
タQ14の他端であるノードN15は負荷L4の一端お
よび内部回路IS11と接続される。負荷L4の他端に
は接地電位が供給される。
The semiconductor device IC11 has an internal circuit IS1.
1, including the input circuit IP1. The input circuit IP1 has a load L
1 to L4 and PMOS transistors Q11 to Q14. The power supply voltage VCC is supplied to one end of the load L1.
The transmission line T1 and one end of the PMOS transistor Q11 are connected to the node N11 at the other end of the load L1. P
The other end of the MOS transistor Q11 is connected to one end of the PMOS transistor Q13. PMOS transistor Q
The node N16, which is the other end of 13, is connected to one end of the load L3 and the internal circuit IS11. The gate of the PMOS transistor Q13 is supplied with the ground potential via the node N15. The ground potential is supplied to the other end of the load L3. The power supply voltage VCC is supplied to one end of the load L2. Load L
2 is the other end of node N12,
It is connected to one end of MOS transistor Q12. PMO
The gate of S transistor Q12 is connected to node N13 which is a connection point of PMOS transistors Q11 and Q13. The other end of the PMOS transistor Q12 is a PMOS
It is connected to one end of the transistor Q14. A node N1 which is a connection point of the PMOS transistors Q12 and Q14
4 is connected to the gate of the PMOS transistor Q11. The gate of the PMOS transistor Q14 is the node N1.
A ground potential is supplied via 5. The node N15, which is the other end of the PMOS transistor Q14, is connected to one end of the load L4 and the internal circuit IS11. The ground potential is supplied to the other end of the load L4.

【0053】上記のように、2つのPMOSトランジス
タQ11およびQ12をクロスカップル型に接続し、そ
れらのドレイン端子にPMOSトランジスタQ13およ
びQ14をそれぞれ接続することにより、カレント・コ
ンベイ回路が構成される。したがって、伝送線路T1お
よびT2から相補電流信号IO、/IOがノードN1
1、N12に供給される。相補電流信号IO、/IOが
逆方向の電流であるいわゆる差動モードの場合、入力回
路IP1の入力インピーダンスは小さくなる。逆に、同
一の大きさで同一方向の電流が入力されるコモンモード
の場合、入力インピーダンスは大きくなる。なお、上記
のカレントコンベイ回路を構成するPMOSトランジス
タQ11〜Q14のサイズ(たとえば、ゲート長および
ゲート幅と)を同じにし、また、PMOSトランジスタ
Q11〜Q14を飽和領域で動作させることにより、ト
ランジスタ特性を一致させることができる。このため、
PMOSトランジスタQ11〜Q14の駆動能力を同一
にすることができ、カレントコンベイ回路を有効的に動
作させることが可能となる。
As described above, by connecting the two PMOS transistors Q11 and Q12 in a cross-couple type and connecting the PMOS transistors Q13 and Q14 to their drain terminals, respectively, a current-convey circuit is formed. Therefore, the complementary current signals IO and / IO are transmitted from the transmission lines T1 and T2 to the node N1.
1, N12. In the so-called differential mode in which the complementary current signals IO and / IO are reverse currents, the input impedance of the input circuit IP1 is small. On the contrary, in the common mode in which currents of the same magnitude and in the same direction are input, the input impedance increases. In addition, by making the sizes (for example, the gate length and the gate width) of the PMOS transistors Q11 to Q14 that form the above current-convey circuit the same and operating the PMOS transistors Q11 to Q14 in the saturation region, the transistor characteristics can be improved. Can be matched. For this reason,
The drivability of the PMOS transistors Q11 to Q14 can be made the same, and the current conveyor circuit can be effectively operated.

【0054】上記の構成の場合、PMOSトランジスタ
Q11およびQ13は直列に接続され、ノードN13に
接続されて電流を流す他のデバイスがないため、PMO
SトランジスタQ11およびQ13を流れる電流は等し
くなる。また、上記のようにPMOSトランジスタQ1
1およびQ13は飽和領域で動作しているので、等しい
電流が流れる場合ソース・ゲート間に印加される電圧が
等しくなる。つまり、PMOSトランジスタQ11の電
圧V1とPMOSトランジスタQ13の電圧V3とは等
しくなる。
In the case of the above configuration, since the PMOS transistors Q11 and Q13 are connected in series and there is no other device connected to the node N13 to flow current, the PMO
The currents flowing through S transistors Q11 and Q13 are equal. In addition, as described above, the PMOS transistor Q1
Since 1 and Q13 operate in the saturation region, the voltages applied between the source and the gate become equal when equal currents flow. That is, the voltage V1 of the PMOS transistor Q11 and the voltage V3 of the PMOS transistor Q13 become equal.

【0055】また、上記と同様に、トランジスタQ12
およびQ14に流れる電流も等しくなるので、PMOS
トランジスタQ12の電圧V2およびPMOSトランジ
スタQ14の電圧V4とが等しくなる。この結果、V1
+V4=V2+V3となり、ノードN11とノードN1
6との間の電圧と、ノードN12とノードN17との間
の電圧が等しくなる。これは、入力回路IP1のノード
N11とノードN12との電位レベルが等しく、電位の
振幅がないことを示している。この結果、入力回路IP
1は、電位振幅を受けず、電流の差を受けることにより
信号を受けることができる。
Further, similarly to the above, the transistor Q12
Since the currents flowing in Q14 and Q14 are also equal, the PMOS
The voltage V2 of the transistor Q12 and the voltage V4 of the PMOS transistor Q14 become equal. As a result, V1
+ V4 = V2 + V3, and the node N11 and the node N1
6 becomes equal to the voltage between the node N12 and the node N17. This indicates that the potential levels of the node N11 and the node N12 of the input circuit IP1 are the same and there is no potential amplitude. As a result, the input circuit IP
1 can receive a signal by not receiving a potential amplitude but a current difference.

【0056】したがって、入力された相補電流信号I
O、/IOの電流差により、カレントコンベア回路へ流
れる電流値が変化し、負荷L3およびL4に流れ込んだ
電流によりノードN16およびノードN17に電位振幅
が現れる。この電位振幅が互いに相補な相補電圧信号V
O、/VOとして内部回路IS11へ出力される。
Therefore, the input complementary current signal I
The current value flowing to the current conveyor circuit changes due to the current difference between O and / IO, and the potential amplitude appears at the nodes N16 and N17 due to the current flowing into the loads L3 and L4. Complementary voltage signals V whose potential amplitudes are complementary to each other
It is output to the internal circuit IS11 as O and / VO.

【0057】上記の動作により、相補電流信号IO、/
IOの電流変化が相補電圧信号VO、/VOの電圧変化
に変換され、内部回路IS11へ入力される。したがっ
て、内部回路IS1から出力されたデータ信号である相
補論理信号DT、/DTが出力回路OP1で相補電流信
号IO、/IOに変換され、電流モードにより伝送線路
T1およびT2を介して半導体装置IC11へ入力され
る。半導体装置IC11は、入力した相補電流信号I
O、/IOを電圧モードに変換し、相補電圧信号VO、
/VOを内部回路IS11へ出力する。
By the above operation, complementary current signals IO, /
The change in the current of IO is converted into the change in the voltage of the complementary voltage signals VO and / VO and input to the internal circuit IS11. Therefore, the complementary logic signals DT and / DT which are the data signals output from the internal circuit IS1 are converted into complementary current signals IO and / IO by the output circuit OP1, and the semiconductor device IC11 via the transmission lines T1 and T2 in the current mode. Is input to. The semiconductor device IC11 receives the input complementary current signal I
O, / IO are converted to voltage mode, and complementary voltage signals VO,
/ VO is output to the internal circuit IS11.

【0058】次に、図1に示す入出力インタフェースシ
ステムの信号波形について説明する。図2は、図1に示
す入出力インタフェースシステムの信号波形を示す図で
ある。図2では、電源電圧VCCを5Vとし、終端電位
VDTを2.8Vとした場合の信号波形を示している。
電源電圧および終端電位はこの具体例に限定されるもの
ではなく、他の電圧であってもよい。また、図2では、
相補論理信号DT、/DT、および相補電圧信号VO、
/VOは各信号の電位を示しており、NMOSトランジ
スタQ1およびQ2、ならびにPMOSトランジスタQ
11およびQ12の各信号は、電流値が示されている。
Next, the signal waveforms of the input / output interface system shown in FIG. 1 will be described. FIG. 2 is a diagram showing signal waveforms of the input / output interface system shown in FIG. FIG. 2 shows a signal waveform when the power supply voltage VCC is 5V and the termination potential VDT is 2.8V.
The power supply voltage and the termination potential are not limited to this specific example, and may be other voltages. In addition, in FIG.
Complementary logic signals DT and / DT and complementary voltage signal VO,
/ VO indicates the potential of each signal, and the NMOS transistors Q1 and Q2, and the PMOS transistor Q
The current value is shown for each of the signals 11 and Q12.

【0059】図2を参照して、相補論理信号DT、/D
Tが変化すると、PMOSトランジスタQ1およびQ2
を流れる電流が変化する。この電流が伝送線路T1およ
びT2を介して入力回路IP1へ入力され、PMOSト
ランジスタQ11およびQ12の電流が変化する。PM
OSトランジスタQ11およびQ12の電流が変化する
と、相補電圧信号VO、/VOの電位が変化する。した
がって、相補論理信号DT、/DTの電位変化に応じた
相補電圧信号VO、/VOが内部回路IS11へ入力さ
れる。また、上記一連の過程で、ノードN1、N2、N
11、およびN12の電位はほぼ一定の電位となってい
る。
Referring to FIG. 2, complementary logic signals DT, / D
When T changes, PMOS transistors Q1 and Q2
The current flowing through it changes. This current is input to the input circuit IP1 via the transmission lines T1 and T2, and the currents of the PMOS transistors Q11 and Q12 change. PM
When the currents of OS transistors Q11 and Q12 change, the potentials of complementary voltage signals VO and / VO change. Therefore, complementary voltage signals VO and / VO corresponding to potential changes of complementary logic signals DT and / DT are input to internal circuit IS11. Also, in the above series of processes, the nodes N1, N2, N
The potentials of 11 and N12 are almost constant.

【0060】以上の動作により、半導体装置IC1から
半導体装置IC11へ電流モードで相補電流信号が伝送
され、かつ相補電流信号IO、/IOの電位は一定であ
るため、ボード配線容量が充放電されることがなく、低
消費電力で信号を伝送することが可能となる。
By the above operation, the complementary current signal is transmitted from the semiconductor device IC1 to the semiconductor device IC11 in the current mode, and the potentials of the complementary current signals IO and / IO are constant, so that the board wiring capacitance is charged and discharged. It is possible to transmit signals with low power consumption.

【0061】また、入力回路IP1は、電圧変化を検知
するのではなく電流差を検知するため、伝送線路T1お
よびT2において信号を振幅させる必要がない。したが
って、出力回路OP1の駆動能力を小さくすることがで
き、デバイスサイズを小さくすることが可能となる。た
とえば、従来の電圧モードによる出力回路が約100×
200μm2 の場合、本実施例の出力回路では約10×
30μm2 にすることができ、約1桁程度デバイス面積
を縮小することが可能となる。
Further, since the input circuit IP1 does not detect a voltage change but a current difference, it is not necessary to make the signal amplitude in the transmission lines T1 and T2. Therefore, the drive capability of the output circuit OP1 can be reduced, and the device size can be reduced. For example, the conventional voltage mode output circuit is about 100 ×
In the case of 200 μm 2 , the output circuit of this embodiment has about 10 ×
It can be reduced to 30 μm 2, and the device area can be reduced by about one digit.

【0062】また、本実施例では、伝送線路T1、T2
の入力回路OP1側に終端抵抗が接続されていない。伝
送線路T1、T2の特性インピーダンスは、一般的に
は、50Ω、120Ω等であるのに対して、入力側の回
路の入力インピーダンスは小さい。したがって、上記の
ように入力回路IP1側に何も接続せず、入力インピー
ダンスを小さく抑えることにより、入力回路IP1によ
り決定される定常電位に終端した状態で伝送線路T1、
T2を介して信号を受けることになる。この状態では、
入射電圧は振幅せず、電流は出力回路OP1の出力振幅
の2倍の大きさの振幅となる。
Further, in the present embodiment, the transmission lines T1 and T2 are
The terminating resistor is not connected to the input circuit OP1 side of. The characteristic impedances of the transmission lines T1 and T2 are generally 50Ω, 120Ω, etc., whereas the input impedance of the circuit on the input side is small. Therefore, as described above, by connecting nothing to the input circuit IP1 side and suppressing the input impedance to a low level, the transmission line T1,
A signal will be received via T2. In this state,
The incident voltage does not oscillate, and the current has an amplitude twice the output amplitude of the output circuit OP1.

【0063】以下、終端抵抗が存在しない場合に2倍の
電流差を検知できる理由について説明する。伝送線路の
特性インピーダンスをZ0 、伝送線路の入射波の電圧を
1、電流をi1 、反射波の電圧をe1 ′、電流を
1 ′、入力側の入力インピーダンスをR、入力側の電
圧をe2 、電流をi2 とすると、 e1 +e1 ′=e2 =Ri2 …(1) i1 −i1 ′=i2 …(2) i1 =e1 /Z0 …(3) i1 ′=e1 ′/Z0 …(4) となる。次に、(1)、(3)、(4)式より、 e1 ′={(R−Z0 )/(R+Z0 )}e1 …(5) となる。次に、(5)式を(1)式へ代入すると、 e2 ={2R/(R+Z0 )}e1 …(6) となる。次に、(1)、(3)、(6)式より、 i2 =2i1 0 /(R+Z0 )…(7) となる。次に、(3)〜(5)式より、 i1 ′={(R−Z0 )/(R+Z0 )}i1 …(8) となる。終端が短絡されている場合、入力インピーダン
スRは0となり、(5)〜(8)式より、 e1 ′=−e1 …(9) i1 ′=−i1 …(10) e2 =0…(11) i2 =2i…(12) となる。したがって、入力側の電流i2 は、入射波の電
流i1 の2倍となり、入力回路IP1は、出力回路OP
1の出力振幅の2倍の電流差で検知でき、微小な信号で
も安定に検出することが可能となる。
The reason why the double current difference can be detected without the termination resistor will be described below. Characteristic impedance of the transmission line is Z 0 , incident wave voltage of the transmission line is e 1 , current is i 1 , reflected wave voltage is e 1 ′, current is i 1 ′, input impedance of input side is R, input side is R Where e 2 is the voltage and i 2 is the current, then e 1 + e 1 ′ = e 2 = Ri 2 (1) i 1 −i 1 ′ = i 2 (2) i 1 = e 1 / Z 0 (3) i 1 ′ = e 1 ′ / Z 0 (4) Next, from the equations (1), (3) and (4), e 1 ′ = {(R−Z 0 ) / (R + Z 0 )} e 1 (5) Next, by substituting the equation (5) into the equation (1), e 2 = {2R / (R + Z 0 )} e 1 (6) Next, from equations (1), (3), and (6), i 2 = 2i 1 Z 0 / (R + Z 0 ) ... (7) Next, from the expressions (3) to (5), i 1 ′ = {(R−Z 0 ) / (R + Z 0 )} i 1 (8) When the terminal is short-circuited, the input impedance R becomes 0, and from equations (5) to (8), e 1 ′ = −e 1 (9) i 1 ′ = −i 1 (10) e 2 = 0 ... (11) i 2 = 2i ... (12). Therefore, the current i 2 on the input side is twice the current i 1 of the incident wave, and the input circuit IP1 is
It is possible to detect with a current difference of twice the output amplitude of 1, and it is possible to stably detect even a minute signal.

【0064】さらに、本実施例では、出力回路OP1に
は、終端抵抗R1、R2が接続され、終端電位VTTに
終端されている。入力回路IP1の入力インピーダンス
は、実際には完全に0Ωではなく、わずかに低い抵抗値
(数Ω以下程度)あるので、わずかではあるが反射波を
生じる。したがって、伝送線路T1、T2を介して反射
電圧、反射電流を返すことになる。しかしながら、上記
のように終端抵抗R1、R2により、伝送線路T1、T
2の特性インピーダンスと出力側のインピーダンスとの
整合が取られているので、再度入力回路IP1へ反射波
が入力することを防止することが可能となる。したがっ
て、高速に信号を伝送することが可能となる。
Further, in this embodiment, the output circuit OP1 is connected to the terminating resistors R1 and R2 and is terminated to the terminating potential VTT. The input impedance of the input circuit IP1 is actually not completely 0Ω and has a slightly low resistance value (about several Ω or less), so that a reflected wave is generated although it is slight. Therefore, the reflected voltage and the reflected current are returned via the transmission lines T1 and T2. However, as described above, the transmission lines T1, T
Since the characteristic impedance of 2 and the impedance of the output side are matched, it is possible to prevent the reflected wave from being input to the input circuit IP1 again. Therefore, it becomes possible to transmit a signal at high speed.

【0065】さらに、終端電位VTTを適当な電位に設
定することにより、入力回路IP1の感度のよい領域で
入力回路IP1を使用することができ、さらに微小な電
流でも安定に検出することが可能となる。
Further, by setting the terminating potential VTT to an appropriate potential, the input circuit IP1 can be used in a region where the sensitivity of the input circuit IP1 is high, and even a minute current can be detected stably. Become.

【0066】次に、本発明の第2の実施例について説明
する。図3は、本発明の第2の実施例の入出力インタフ
ェースシステムの構成を示すブロック図である。図3に
示す入出力インタフェースシステムと図1に示す入出力
インタフェースシステムとで異なる点は、ノードN11
およびN12に終端抵抗R11、R12が付加された点
であり、その他の点は図1に示す入出力インタフェース
システムと同様であるので以下詳細な説明を省略する。
Next, a second embodiment of the present invention will be described. FIG. 3 is a block diagram showing the configuration of the input / output interface system of the second embodiment of the present invention. The difference between the input / output interface system shown in FIG. 3 and the input / output interface system shown in FIG.
And N12 to which terminating resistors R11 and R12 are added, and other points are the same as those of the input / output interface system shown in FIG. 1, and therefore detailed description thereof will be omitted below.

【0067】図3を参照して、半導体装置IC12は、
終端抵抗R11、R12をさらに含む。終端抵抗R11
の一端には終端電位VTTが供給され、他端はノードN
11と接続される。終端抵抗R12も同様にノードN1
2と接続される。図3では、終端抵抗R11、R12を
半導体装置IC12の内部に配置しているが、入力回路
IP1の内部に配置してもよいし、半導体装置IC12
の外部に接続してもよい。
Referring to FIG. 3, the semiconductor device IC12 is
It further includes termination resistors R11 and R12. Termination resistor R11
Is supplied with the terminal potential VTT at one end thereof and the node N at the other end thereof.
11 is connected. Similarly, the terminating resistor R12 is also the node N1.
Connected with 2. Although the terminating resistors R11 and R12 are arranged inside the semiconductor device IC12 in FIG. 3, they may be arranged inside the input circuit IP1 or the semiconductor device IC12.
May be connected to the outside.

【0068】上記のように、終端抵抗R11およびR1
2を付加することにより、伝送線路T1、T2の特性イ
ンピーダンスと入力側での入力インピーダンスとの整合
を取ることができ、入力側からの反射をなくすことがで
きる。したがって、より高速に信号を伝送することが可
能となる。
As described above, the terminating resistors R11 and R1
By adding 2, it is possible to match the characteristic impedances of the transmission lines T1 and T2 with the input impedance on the input side, and to eliminate reflection from the input side. Therefore, the signal can be transmitted at a higher speed.

【0069】次に、本発明の第3の実施例の入出力イン
タフェースシステムについて説明する。図4は、本発明
の第3の実施例の入出力インタフェースシステムの構成
を示すブロック図である。図4に示す入出力インタフェ
ースシステムと図3に示す入出力インタフェースシステ
ムとで異なる点は、抵抗R13およびR14が付加され
た点であり、その他の点は図3に示す入出力インタフェ
ースシステムと同様であるので以下詳細な説明を省略す
る。
Next, an input / output interface system according to the third embodiment of the present invention will be described. FIG. 4 is a block diagram showing the configuration of the input / output interface system of the third embodiment of the present invention. The input / output interface system shown in FIG. 4 differs from the input / output interface system shown in FIG. 3 in that resistors R13 and R14 are added, and other points are the same as those in the input / output interface system shown in FIG. Therefore, detailed description will be omitted below.

【0070】図4を参照して、半導体装置IC13は、
抵抗R13、R14をさらに含む。抵抗R13は、伝送
線路T1とノードN11との間に直列に接続される。抵
抗R14は、伝送線路T2とノードN12との間に直列
に接続される。抵抗R11およびR12は、入力側の保
護用の抵抗として機能する。したがって、伝送線路T
1、T2の特性インピーダンスと抵抗R13、R14の
インピーダンスを含めた入力側の入力インピーダンスと
の整合を終端抵抗R11およびR12により取ることに
より、入力側の入力インピーダンスが大きくなった場合
でも、反射をなくすことが可能となる。したがって、保
護用の抵抗を付加した場合でも、より高速に信号を伝送
することが可能となる。
Referring to FIG. 4, the semiconductor device IC13 is
The resistors R13 and R14 are further included. The resistor R13 is connected in series between the transmission line T1 and the node N11. The resistor R14 is connected in series between the transmission line T2 and the node N12. The resistors R11 and R12 function as protective resistors on the input side. Therefore, the transmission line T
By matching the characteristic impedance of T1 and T2 with the input impedance on the input side including the impedances of resistors R13 and R14 by terminating resistors R11 and R12, reflection is eliminated even when the input impedance on the input side becomes large. It becomes possible. Therefore, it becomes possible to transmit the signal at a higher speed even when the protective resistor is added.

【0071】次に、本発明の第4の実施例の入出力イン
タフェースシステムについて説明する。図5は、本発明
の第4の実施例の入出力インタフェースシステムの構成
を示すブロック図である。図5に示す入出力インタフェ
ースシステムと図1に示す入出力インタフェースシステ
ムとで異なる点は、出力回路OP1が出力回路OP2に
変更された点であり、その他の点は図1に示す入出力イ
ンタフェースシステムと同様であるので以下詳細な説明
を省略する。
Next, an input / output interface system according to the fourth embodiment of the present invention will be described. FIG. 5 is a block diagram showing the configuration of the input / output interface system of the fourth embodiment of the present invention. The input / output interface system shown in FIG. 5 differs from the input / output interface system shown in FIG. 1 in that the output circuit OP1 is changed to the output circuit OP2, and the other points are the input / output interface system shown in FIG. Since it is the same as, the detailed description will be omitted below.

【0072】図5を参照して、半導体装置IC2は、内
部回路IS1、出力回路OP2を含む。出力回路OP2
は、NMOSトランジスタQ3、Q4を含む。NMOS
トランジスタQ3のゲートには、内部回路IS1から相
補論理信号DTが入力される。NMOSトランジスタQ
3の一端は伝送線路T1と接続され、他端は接地電位を
受ける。NMOSトランジスタQ4のゲートには内部回
路IS1から相補論理信号/DTが入力される。NMO
SトランジスタQ4の一端は伝送線路T2と接続され、
他端は接地電位を受ける。
Referring to FIG. 5, semiconductor device IC2 includes an internal circuit IS1 and an output circuit OP2. Output circuit OP2
Includes NMOS transistors Q3 and Q4. NMOS
The complementary logic signal DT is input from the internal circuit IS1 to the gate of the transistor Q3. NMOS transistor Q
One end of 3 is connected to the transmission line T1, and the other end receives the ground potential. The complementary logic signal / DT is input from the internal circuit IS1 to the gate of the NMOS transistor Q4. NMO
One end of the S transistor Q4 is connected to the transmission line T2,
The other end receives the ground potential.

【0073】上記のように、出力回路OP2は、プルダ
ウン用のNMOSトランジスタQ3、Q4より構成され
る。すなわち、出力回路OP2は、プルダウン用のトラ
ンジスタのみで構成されるため、回路のサイズを非常に
小さくすることが可能となる。
As described above, the output circuit OP2 is composed of the pull-down NMOS transistors Q3 and Q4. That is, since the output circuit OP2 is composed only of pull-down transistors, the size of the circuit can be made extremely small.

【0074】また、出力回路OP2は、プルダウン用の
トランジスタのみで構成されるため、内部回路IS1か
ら出力される相補論理信号DT、/DTのうちハイレベ
ルの信号を受けるNMOSトランジスタが電流を引抜く
ことになる。一方、半導体装置IC11では、プルダウ
ン用のNMOSトランジスタQ3、Q4が引抜く電流の
差を受け、入力回路IP1で差動電流が生じる。したが
って、本実施例の入出力インタフェースシステムでも、
第1の実施例と同様に、伝送線路T1、T2上には電圧
振幅は現れず、電流差で信号が伝送される。この結果、
ボード配線に大きな容量がついた場合でもその容量を充
放電する必要がないため、低消費電力で高速に信号を伝
送することが可能となる。
Further, since the output circuit OP2 is composed of only pull-down transistors, the NMOS transistor receiving the high level signal of the complementary logic signals DT and / DT output from the internal circuit IS1 draws out the current. It will be. On the other hand, in the semiconductor device IC11, the difference in current drawn by the pull-down NMOS transistors Q3 and Q4 causes a differential current in the input circuit IP1. Therefore, even in the input / output interface system of this embodiment,
Similar to the first embodiment, no voltage amplitude appears on the transmission lines T1 and T2, and a signal is transmitted by a current difference. As a result,
Even if the board wiring has a large capacity, it is not necessary to charge and discharge the capacity, and thus it is possible to transmit signals at high speed with low power consumption.

【0075】次に、本発明の第5の実施例の入出力イン
タフェースシステムについて説明する。図6は、本発明
の第5の実施例の入出力インタフェースシステムの構成
を示すブロック図である。
Next explained is an input / output interface system according to the fifth embodiment of the invention. FIG. 6 is a block diagram showing the configuration of the input / output interface system of the fifth embodiment of the present invention.

【0076】図6を参照して、入出力インタフェースシ
ステムは、半導体装置IC3、IC12、伝送線路T
1、T2を含む。半導体装置IC3は、内部回路IS
1、出力回路OP3を含む。出力回路OP3は、PMO
SトランジスタQ5、Q6を含む。半導体装置IC12
は、内部回路IS11、入力回路IP2を含む。入力回
路IP2は、負荷L5〜L8、NMOSトランジスタQ
15〜Q18を含む。
Referring to FIG. 6, the input / output interface system includes semiconductor devices IC3, IC12 and a transmission line T.
1, including T2. The semiconductor device IC3 has an internal circuit IS.
1, including the output circuit OP3. The output circuit OP3 is a PMO
It includes S transistors Q5 and Q6. Semiconductor device IC12
Includes an internal circuit IS11 and an input circuit IP2. The input circuit IP2 includes loads L5 to L8 and an NMOS transistor Q.
15 to Q18 are included.

【0077】内部回路IS1から内部データである相補
論理信号DT、/DTが出力回路OP3へ出力される。
PMOSトランジスタQ5のゲートには、相補論理信号
DTが入力される。PMOSトランジスタQ5の一端は
電源電圧VCCを受け、他端は伝送線路T1と接続され
る。PMOSトランジスタQ6のゲートには、相補論理
信号/DTが入力される。PMOSトランジスタQ6の
一端には電源電圧VCCが供給され、他端は伝送線路T
2と接続される。
Internal circuit IS1 outputs complementary logic signals DT and / DT as internal data to output circuit OP3.
The complementary logic signal DT is input to the gate of the PMOS transistor Q5. One end of the PMOS transistor Q5 receives the power supply voltage VCC, and the other end is connected to the transmission line T1. The complementary logic signal / DT is input to the gate of the PMOS transistor Q6. The power supply voltage VCC is supplied to one end of the PMOS transistor Q6, and the other end of the transmission line T
Connected with 2.

【0078】負荷L7の一端には接地電位が供給され、
他端は、伝送線路T1およびNMOSトランジスタQ1
5の一端と接続される。NMOSトランジスタQ15の
他端はNMOSトランジスタQ17の一端と接続され
る。NMOSトランジスタQ17のゲートには、ノード
N25を介して電源電圧VCCが供給される。NMOS
トランジスタQ17の他端は負荷L5の一端および内部
回路IS11と接続される。負荷L5の他端には電源電
圧VCCが供給される。負荷L8の一端には接地電位が
供給され、他端は、伝送線路T2およびNMOSトラン
ジスタQ16と接続される。NMOSトランジスタQ1
6のゲートは、NMOSトランジスタQ15およびQ1
7の接続点であるノードN23と接続される。NMOS
トランジスタQ16の他端はNMOSトランジスタQ1
8の一端と接続される。NMOSトランジスタQ16お
よびQ18の接続点であるノードN24は、NMOSト
ランジスタQ15のゲートと接続される。NMOSトラ
ンジスタQ18のゲートはノードN25を介して電源電
圧VCCを受ける。NMOSトランジスタQ18の他端
は、負荷L6の一端および内部回路IS11と接続され
る。負荷L6の他端には、電源電圧VCCが供給され
る。
The ground potential is supplied to one end of the load L7,
The other end has a transmission line T1 and an NMOS transistor Q1.
5 is connected to one end. The other end of the NMOS transistor Q15 is connected to one end of the NMOS transistor Q17. The power supply voltage VCC is supplied to the gate of the NMOS transistor Q17 via the node N25. NMOS
The other end of the transistor Q17 is connected to one end of the load L5 and the internal circuit IS11. The power supply voltage VCC is supplied to the other end of the load L5. The ground potential is supplied to one end of the load L8, and the other end is connected to the transmission line T2 and the NMOS transistor Q16. NMOS transistor Q1
The gate of 6 has NMOS transistors Q15 and Q1
7 is connected to the node N23, which is a connection point of No.7. NMOS
The other end of the transistor Q16 has an NMOS transistor Q1.
8 is connected to one end. A node N24, which is a connection point between the NMOS transistors Q16 and Q18, is connected to the gate of the NMOS transistor Q15. The gate of NMOS transistor Q18 receives power supply voltage VCC via node N25. The other end of the NMOS transistor Q18 is connected to one end of the load L6 and the internal circuit IS11. The power supply voltage VCC is supplied to the other end of the load L6.

【0079】上記のように、図6に示す入出力インタフ
ェースシステムは、基本的には図5に示す入出力インタ
フェースシステムと同様であるが、各デバイスの極性お
よび接続が逆となっている。すなわち、出力回路OP3
は、プルアップ用のPMOSトランジスタQ5、Q6か
ら構成され、出力回路OP3の回路サイズは、出力回路
OP2と同様に小さくすることが可能となる。また、出
力回路OP3がプルアップ用のトランジスタのみから構
成されているので、内部回路IS1から出力される相補
論理信号DT、/DTのうちローレベルの信号を受ける
PMOSトランジスタが電流が引抜くことになる。プル
アップ用のPMOSトランジスタQ5、Q6の引抜く電
流差を入力回路IP2が受け、入力回路IP2に差動電
流が生じる。この結果、本実施例でも、上記の各実施例
と同様に、伝送線路T1、T2上には電圧振幅は現れ
ず、電流差で信号が伝送されることになる。したがっ
て、ボード配線に大きな容量がついた場合でもその容量
が充放電されることがないため、低消費電力で高速に信
号を伝送することが可能となる。
As described above, the input / output interface system shown in FIG. 6 is basically the same as the input / output interface system shown in FIG. 5, but the polarities and connections of the respective devices are reversed. That is, the output circuit OP3
Is composed of PMOS transistors Q5 and Q6 for pull-up, and the circuit size of the output circuit OP3 can be reduced similarly to the output circuit OP2. Further, since the output circuit OP3 is composed only of pull-up transistors, the current may be drawn out by the PMOS transistor receiving the low level signal of the complementary logic signals DT and / DT output from the internal circuit IS1. Become. The input circuit IP2 receives the current difference drawn by the pull-up PMOS transistors Q5 and Q6, and a differential current is generated in the input circuit IP2. As a result, in this embodiment as well, as in the above-described embodiments, no voltage amplitude appears on the transmission lines T1 and T2, and a signal is transmitted by a current difference. Therefore, even if the board wiring has a large capacitance, the capacitance is not charged or discharged, and thus it is possible to transmit a signal at high speed with low power consumption.

【0080】次に、本発明の第6の実施例の入出力イン
タフェースシステムについて説明する。図7は、本発明
の第6の実施例の入出力インタフェースシステムの構成
を示すブロック図である。
Next explained is an input / output interface system according to the sixth embodiment of the invention. FIG. 7 is a block diagram showing the configuration of the input / output interface system of the sixth embodiment of the present invention.

【0081】図7を参照して、入出力インタフェースシ
ステムは、半導体装置IC4、IC14、伝送線路T1
を含む。半導体装置IC4から伝送線路T1を介して電
流モードで信号がIC14へ伝送される。すなわち、上
記各実施例は、差動モード出力の例を示したが、以下の
各実施例では、シングルモード出力の例を示している。
Referring to FIG. 7, the input / output interface system includes semiconductor devices IC4, IC14 and a transmission line T1.
including. A signal is transmitted from the semiconductor device IC4 to the IC14 in the current mode via the transmission line T1. That is, although the above embodiments have shown the examples of the differential mode output, the following embodiments show the examples of the single mode output.

【0082】半導体装置IC4は、内部回路IS2、出
力回路OP4を含む。出力回路OP4は、NMOSトラ
ンジスタQ7を含む。内部回路IS2は、内部データで
ある論理信号DTを出力回路OP4へ出力する。NMO
SトランジスタQ7のゲートには、論理信号DTが入力
される。NMOSトランジスタQ7の一端には接地電位
が供給され、他端は伝送線路T1と接続される。したが
って、出力回路OP4は、プルダウン用のNMOSトラ
ンジスタQ7のみで構成されるため、論理信号DTがハ
イレベルのとき、NMOSトランジスタQ7が電流を強
く引抜くことになる。
The semiconductor device IC4 includes an internal circuit IS2 and an output circuit OP4. The output circuit OP4 includes an NMOS transistor Q7. The internal circuit IS2 outputs the logic signal DT which is internal data to the output circuit OP4. NMO
The logic signal DT is input to the gate of the S transistor Q7. The ground potential is supplied to one end of the NMOS transistor Q7, and the other end is connected to the transmission line T1. Therefore, since the output circuit OP4 is composed of only the pull-down NMOS transistor Q7, the NMOS transistor Q7 strongly draws the current when the logic signal DT is at the high level.

【0083】半導体装置IC14は、内部回路IS1
2、入力回路IP3を含む。入力回路IP3は、負荷L
11、NMOSトランジスタQ21、コンパレータCP
1を含む。負荷L11の一端には電源電圧VCCが供給
され、他端は、内部回路およびNMOSトランジスタQ
21の一端と接続される。NMOSトランジスタQ21
の他端は、伝送線路T1およびコンパレータCP1の負
側入力端子と接続される。コンパレータCP1の正側入
力端子には、基準電位Vrefが入力される。NMOS
トランジスタQ21のゲートには、コンパレータCP1
の出力が入力される。
The semiconductor device IC14 has an internal circuit IS1.
2. Including an input circuit IP3. The input circuit IP3 has a load L
11, NMOS transistor Q21, comparator CP
Including 1. The power supply voltage VCC is supplied to one end of the load L11, and the other end has an internal circuit and an NMOS transistor Q.
21 is connected to one end. NMOS transistor Q21
The other end of is connected to the transmission line T1 and the negative side input terminal of the comparator CP1. The reference potential Vref is input to the positive input terminal of the comparator CP1. NMOS
The gate of the transistor Q21 has a comparator CP1
The output of is input.

【0084】上記の構成により、コンパレータCP1
は、基準電位VrefとノードN31の電位とを比較
し、NMOSトランジスタQ21のゲート電位を制御す
る。この結果、ノードN31のプルダウン電流が大きい
場合、NMOSトランジスタQ21の電流駆動力がアッ
プされ、ノードN31の電位降下が抑えられる。逆に、
プルダウン電流が小さい場合には、NMOSトランジス
タQ21の電流駆動力を抑えて、ノードN31の電位降
下が保たれる。この結果、入力回路IP3のNMOSト
ランジスタQ21を流れるプルダウン電流により、負荷
L11に電流が流れ、ノードN32に出力電位が現れ
る。したがって、ノードN32から電圧信号VOが内部
回路IS12へ出力される。
With the above configuration, the comparator CP1
Compares the reference potential Vref with the potential of the node N31 to control the gate potential of the NMOS transistor Q21. As a result, when the pull-down current of the node N31 is large, the current driving capability of the NMOS transistor Q21 is increased and the potential drop of the node N31 is suppressed. vice versa,
When the pull-down current is small, the current driving capability of the NMOS transistor Q21 is suppressed and the potential drop of the node N31 is maintained. As a result, due to the pull-down current flowing through the NMOS transistor Q21 of the input circuit IP3, a current flows through the load L11 and an output potential appears at the node N32. Therefore, voltage signal VO is output from node N32 to internal circuit IS12.

【0085】上記の動作により、論理信号DTがハイレ
ベルのとき、NMOSトランジスタQ7が電流を強く引
抜くことにより、入力回路IP3はローレベルのデータ
を検知する。このとき、伝送線路T2上には、電圧振幅
は現れず、電流変化で電流信号IOが伝送されることに
なる。
With the above operation, when the logic signal DT is at the high level, the NMOS transistor Q7 strongly draws the current, so that the input circuit IP3 detects the data at the low level. At this time, no voltage amplitude appears on the transmission line T2, and the current signal IO is transmitted due to a change in current.

【0086】次に、図7に示す入出力インタフェースシ
ステムの信号波形について説明する。図8は、図7に示
す入出力インタフェースシステムの信号波形を示す図で
ある。図8では、一例として、電源電圧VCCが5Vの
場合を示している。電源電圧VCCはこの値に限定され
るものではなく、他の値でもよい。また、図8では、論
理信号DTおよび電圧信号VOは、その電位が示されて
おり、NMOSトランジスタQ7およびQ21を流れる
信号はその電流値が示されている。
Next, the signal waveforms of the input / output interface system shown in FIG. 7 will be described. FIG. 8 is a diagram showing signal waveforms of the input / output interface system shown in FIG. FIG. 8 shows, as an example, the case where the power supply voltage VCC is 5V. The power supply voltage VCC is not limited to this value and may be another value. In FIG. 8, the potentials of the logic signal DT and the voltage signal VO are shown, and the current values of the signals flowing through the NMOS transistors Q7 and Q21 are shown.

【0087】まず、論理信号DTの電位が立上がると、
NMOSトランジスタQ7を流れる電流が増加する。次
に、NMOSトランジスタQ7を流れる電流の増加に伴
い、NMOSトランジスタQ21を流れる電流が増加す
る。これに応じて、電圧信号VOの電位が降下する。以
上の経過により、論理信号DTの電圧変化が電流変化に
変換されて伝送され、最終的に電圧信号VOの電圧変化
として出力される。また、上記一連の過程で、ノードN
7およびN31の電位はほぼ一定の電位となっている。
First, when the potential of the logic signal DT rises,
The current flowing through the NMOS transistor Q7 increases. Next, as the current flowing through the NMOS transistor Q7 increases, the current flowing through the NMOS transistor Q21 increases. In response to this, the potential of the voltage signal VO drops. By the above process, the voltage change of the logic signal DT is converted into the current change and transmitted, and finally output as the voltage change of the voltage signal VO. In the above series of processes, the node N
The potentials of 7 and N31 are almost constant.

【0088】上記のように、伝送線路T1上に電圧振幅
は現れず、電流変化で信号が伝送される。したがって、
ボード配線に大きな容量がついた場合でも、その容量を
充放電することがないため、低消費電力で高速に信号を
伝送することが可能となる。また、1つの信号を1つの
伝送線路で伝達することができるので、システムの小面
積および小スペースを実現することができる。
As described above, the voltage amplitude does not appear on the transmission line T1, and the signal is transmitted by the change in current. Therefore,
Even if the board wiring has a large capacity, the capacity is not charged or discharged, so that it is possible to transmit a signal at high speed with low power consumption. Moreover, since one signal can be transmitted by one transmission line, a small area and a small space of the system can be realized.

【0089】次に、本発明の第7の実施例の入出力イン
タフェースシステムについて説明する。図9は、本発明
の第7の実施例の入出力インタフェースシステムの構成
を示すブロック図である。図9に示す入出力インタフェ
ースシステムと図7に示す入出力インタフェースシステ
ムとで異なる点は、入力回路IP3が入力回路IP4に
変更された点であり、その他の点は図7に示す入出力イ
ンタフェースシステムと同様であるので以下詳細な説明
を省略する。
Next explained is an input / output interface system according to the seventh embodiment of the invention. FIG. 9 is a block diagram showing the configuration of the input / output interface system of the seventh embodiment of the present invention. The input / output interface system shown in FIG. 9 differs from the input / output interface system shown in FIG. 7 in that the input circuit IP3 is changed to the input circuit IP4, and the other points are the input / output interface system shown in FIG. Since it is the same as, the detailed description will be omitted below.

【0090】図9を参照して、入力回路IP4は、コン
パレータCP2、PMOSトランジスタQ22、Q2
3、負荷L12を含む。コンパレータCP2の負側入力
端子には、基準電位Vrefが入力される。コンパレー
タCP2の正側入力端子は、ノードN35を介して伝送
線路T1およびPMOSトランジスタQ22の一端と接
続される。PMOSトランジスタQ22の他端には、電
源電圧VCCが供給される。NMOSトランジスタQ2
2およびQ23の各ゲートには、コンパレータCP2の
出力信号が入力される。PMOSトランジスタQ22の
一端には、電源電圧VCCが供給される。PMOSトラ
ンジスタQ23の他端は、ノードN36を介して負荷L
12の一端および内部回路IS12と接続される。負荷
L12の他端には接地電位が供給される。
Referring to FIG. 9, the input circuit IP4 includes a comparator CP2, PMOS transistors Q22 and Q2.
3, including load L12. The reference potential Vref is input to the negative side input terminal of the comparator CP2. The positive input terminal of the comparator CP2 is connected to the transmission line T1 and one end of the PMOS transistor Q22 via the node N35. The power supply voltage VCC is supplied to the other end of the PMOS transistor Q22. NMOS transistor Q2
The output signal of the comparator CP2 is input to the gates of 2 and Q23. The power supply voltage VCC is supplied to one end of the PMOS transistor Q22. The other end of the PMOS transistor Q23 has a load L via a node N36.
12 and one end of the internal circuit IS12. The ground potential is supplied to the other end of the load L12.

【0091】上記の構成により、コンパレータCP2
は、基準電位VrefとノードN35の電位とを比較
し、PMOSトランジスタQ22およびQ23のゲート
電位を制御する。したがって、ノードN35のプルダウ
ン電流が大きい場合には、PMOSトランジスタQ22
の電流駆動力をアップして、ノードN35の電位降下を
抑える。逆に、プルダウン電流が小さい場合には、PM
OSトランジスタQ22の電流駆動力を抑えて、ノード
N35の電位降下を保つ。したがって、入力回路IP4
のコンパレータCP2の出力電位によりPMOSトラン
ジスタQ23のゲート電位を制御することにより、負荷
L12を電流が流れ、ノードN36に出力電位が現れ
る。この結果、ノードN36から電圧信号VOが内部回
路IS12へ出力される。
With the above configuration, the comparator CP2
Compares the reference potential Vref with the potential of the node N35 and controls the gate potentials of the PMOS transistors Q22 and Q23. Therefore, when the pull-down current of the node N35 is large, the PMOS transistor Q22
The current drivability of is increased to suppress the potential drop of the node N35. Conversely, if the pull-down current is small, PM
The current drivability of the OS transistor Q22 is suppressed to keep the potential drop of the node N35. Therefore, the input circuit IP4
By controlling the gate potential of the PMOS transistor Q23 by the output potential of the comparator CP2, a current flows through the load L12 and the output potential appears at the node N36. As a result, the voltage signal VO is output from the node N36 to the internal circuit IS12.

【0092】上記の動作により、論理信号DTがハイレ
ベルの場合、トランジスタQ7が電流を強く引くことに
より、入力回路IP4はローレベルのデータを検知す
る。したがって、本実施例でも、伝送線路T1上には、
電圧振幅が現れず、電流変化で信号が伝達される。この
結果、ボード配線に大きな容量がついた場合でも、その
容量が充放電されることはなく、低消費電力で高速に信
号を伝送することが可能となる。
With the above operation, when the logic signal DT is at the high level, the transistor Q7 strongly pulls the current, and the input circuit IP4 detects the data at the low level. Therefore, also in this embodiment, on the transmission line T1,
The voltage amplitude does not appear, and the signal is transmitted by the change in current. As a result, even if the board wiring has a large capacitance, the capacitance is not charged or discharged, and it is possible to transmit a signal at high speed with low power consumption.

【0093】次に、本発明の第8の実施例の入出力イン
タフェースシステムについて説明する。図10は、本発
明の第8の実施例の入出力インタフェースシステムの構
成を示すブロック図である。図10に示す入出力インタ
フェースシステムと図7に示す入出力インタフェースシ
ステムとで異なる点は、入力回路IP3が入力回路IP
5に変更された点であり、その他の点は図7に示す入出
力インタフェースシステムと同様であるので以下詳細な
説明を省略する。
Next explained is an input / output interface system according to the eighth embodiment of the invention. FIG. 10 is a block diagram showing the configuration of the input / output interface system of the eighth embodiment of the present invention. The input / output interface system shown in FIG. 10 differs from the input / output interface system shown in FIG. 7 in that the input circuit IP3 is the input circuit IP3.
5 and the other points are the same as those of the input / output interface system shown in FIG. 7, and therefore detailed description thereof will be omitted below.

【0094】図10を参照して、入力回路IP5は、P
MOSトランジスタQ31〜Q33、NMOSトランジ
スタQ34、Q35、負荷L13を含む。PMOSトラ
ンジスタQ34の一端は、ノードN41を介して伝送線
路T1に接続される。NMOSトランジスタQ34の他
端はPMOSトランジスタQ31の一端と接続される。
PMOSトランジスタQ31の他端には電源電圧VCC
が供給される。NMOSトランジスタQ34とPMOS
トランジスタQ31との接続点であるノードN42は、
PMOSトランジスタQ31およびQ32の各ゲートと
接続される。PMOSトランジスタQ32の一端には電
源電圧VCCが供給される。PMOSトランジスタQ3
2の他端は、NMOSトランジスタQ35の一端と接続
される。NMOSトランジスタQ35の他端は、基準電
位Vrefが供給される。PMOSトランジスタQ32
とNMOSトランジスタQ35との接続点であるノード
N43は、NMOSトランジスタQ34およびQ35の
各ゲートと接続される。
Referring to FIG. 10, input circuit IP5 has P
It includes MOS transistors Q31 to Q33, NMOS transistors Q34 and Q35, and a load L13. One end of the PMOS transistor Q34 is connected to the transmission line T1 via the node N41. The other end of the NMOS transistor Q34 is connected to one end of the PMOS transistor Q31.
The power supply voltage VCC is applied to the other end of the PMOS transistor Q31.
Is supplied. NMOS transistor Q34 and PMOS
The node N42, which is a connection point with the transistor Q31, is
It is connected to the gates of PMOS transistors Q31 and Q32. The power supply voltage VCC is supplied to one end of the PMOS transistor Q32. PMOS transistor Q3
The other end of 2 is connected to one end of an NMOS transistor Q35. The reference potential Vref is supplied to the other end of the NMOS transistor Q35. PMOS transistor Q32
A node N43, which is a connection point between the NMOS transistor Q35 and the NMOS transistor Q35, is connected to each gate of the NMOS transistors Q34 and Q35.

【0095】PMOSトランジスタQ33のゲートは、
PMOSトランジスタQ32のゲートと接続される。P
MOSトランジスタQ33の一端には電源電圧VCCが
供給される。PMOSトランジスタQ33の他端は、ノ
ードN44を介して負荷L13の一端および内部回路I
C12と接続される。負荷L13の他端は接地電位が供
給される。
The gate of the PMOS transistor Q33 is
It is connected to the gate of PMOS transistor Q32. P
The power supply voltage VCC is supplied to one end of the MOS transistor Q33. The other end of the PMOS transistor Q33 is connected to one end of the load L13 and the internal circuit I via the node N44.
It is connected to C12. The ground potential is supplied to the other end of the load L13.

【0096】上記の構成により、入力回路IP5では、
基準電位VrefとノードN41の電位とが比較され、
比較結果に応じてPMOSトランジスタQ32のゲート
電位が制御される。したがって、ノードN41のプルダ
ウン電流が大きい場合には、ノードN42の電位が降下
し、PMOSトランジスタQ32の電流駆動力がアップ
され、ノードN43の電位が上昇する。この結果、NM
OSトランジスタQ34の電流駆動力がアップされ、ノ
ードN41の電位が上昇することになる。したがって、
ノードN41の電位振幅はなくなるが、電流振幅は存在
することになる。
With the above configuration, in the input circuit IP5,
The reference potential Vref and the potential of the node N41 are compared,
The gate potential of the PMOS transistor Q32 is controlled according to the comparison result. Therefore, when the pull-down current of node N41 is large, the potential of node N42 drops, the current driving capability of PMOS transistor Q32 increases, and the potential of node N43 rises. As a result, NM
The current drivability of the OS transistor Q34 is increased and the potential of the node N41 is increased. Therefore,
The potential amplitude of the node N41 disappears, but the current amplitude exists.

【0097】逆に、プルダウン電流が小さい場合には、
PMOSトランジスタQ32の電流駆動力が抑えられ、
ノードN43の電位が降下される。この結果、NMOS
トランジスタQ34の電流駆動力が抑えられ、ノードN
41の電位が降下することになる。したがって、ノード
N42の電位によりPMOSトランジスタQ33のゲー
ト電位が制御され、負荷L13を電流が流れることによ
り、ノードN44に出力電位が現れる。この結果、ノー
ドN44から電圧信号VOが内部回路IC12へ出力さ
れる。
On the contrary, when the pull-down current is small,
The current driving capability of the PMOS transistor Q32 is suppressed,
The potential of the node N43 drops. As a result, NMOS
The current driving capability of the transistor Q34 is suppressed, and the node N
The potential of 41 drops. Therefore, the gate potential of the PMOS transistor Q33 is controlled by the potential of the node N42, and the current flows through the load L13, so that the output potential appears at the node N44. As a result, the voltage signal VO is output from the node N44 to the internal circuit IC12.

【0098】上記の動作により、論理信号DTがハイレ
ベルの場合、プルダウン用のNMOSトランジスタQ7
が電流を強く引くことになり、入力回路IP5は、ロー
レベルのデータを検知する。したがって、本実施例で
も、伝送線路T1上には電圧振幅は現れず、電流変化で
信号が伝送される。この結果、ボード配線に大きな容量
がついた場合でも、その容量が充放電されることがな
く、低消費電力で高速に信号を伝送することが可能とな
る。
With the above operation, when the logic signal DT is at the high level, the pull-down NMOS transistor Q7
Strongly draws a current, and the input circuit IP5 detects low level data. Therefore, also in this embodiment, the voltage amplitude does not appear on the transmission line T1, and the signal is transmitted by the current change. As a result, even if the board wiring has a large capacitance, the capacitance is not charged or discharged, and it is possible to transmit a signal at high speed with low power consumption.

【0099】次に、本発明の第9の実施例の入出力イン
タフェースシステムについて説明する。図11は、本発
明の第9の実施例の入出力インタフェースシステムの構
成を示すブロック図である。
Next explained is an input / output interface system according to the ninth embodiment of the invention. FIG. 11 is a block diagram showing the configuration of the input / output interface system of the ninth embodiment of the present invention.

【0100】図11を参照して、入出力インタフェース
システムは、半導体装置IC5、IC17、伝送線路T
1を含む。半導体装置IC5は、内部回路IS2、出力
回路OP5を含む。出力回路OP5は、PMOSトラン
ジスタQ8を含む。内部回路IS2は、内部データであ
る論理信号DTを出力回路OP5へ出力する。PMOS
トランジスタQ8のゲートには、論理信号DTが入力さ
れる。PMOSトランジスタQ8の一端には電源電圧V
CCが供給され、他端はノードN8を介して伝送線路T
1と接続される。
Referring to FIG. 11, the input / output interface system includes semiconductor devices IC5, IC17 and a transmission line T.
Including 1. The semiconductor device IC5 includes an internal circuit IS2 and an output circuit OP5. The output circuit OP5 includes a PMOS transistor Q8. The internal circuit IS2 outputs the logic signal DT which is internal data to the output circuit OP5. PMOS
The logic signal DT is input to the gate of the transistor Q8. The power supply voltage V is applied to one end of the PMOS transistor Q8.
CC is supplied to the other end of the transmission line T via the node N8.
1 is connected.

【0101】上記のように、出力回路OP5は、プルア
ップ用のPMOSトランジスタQ8により構成されるの
で、出力回路OP5の回路サイズを小さくすることが可
能となる。また、出力回路OP5は、プルアップ用のP
MOSトランジスタQ8により構成されるので、論理信
号DTがローレベルの場合、PMOSトランジスタQ8
が電流が強く引抜くことになる。
As described above, since the output circuit OP5 is composed of the pull-up PMOS transistor Q8, the circuit size of the output circuit OP5 can be reduced. Further, the output circuit OP5 has a P for pull-up.
Since it is composed of the MOS transistor Q8, when the logic signal DT is at the low level, the PMOS transistor Q8
However, the current is strongly drawn.

【0102】半導体装置IC17は、内部回路IC1
2、入力回路IP6を含む。入力回路IP6は、PMO
SトランジスタQ23、Q24、NMOSトランジスタ
Q25〜Q27、負荷L14を含む。
The semiconductor device IC17 has an internal circuit IC1.
2. Including the input circuit IP6. The input circuit IP6 is a PMO
It includes S transistors Q23 and Q24, NMOS transistors Q25 to Q27, and a load L14.

【0103】PMOSトランジスタQ23の一端はノー
ドN51を介して伝送線路T1と接続される。PMOS
トランジスタQ23の他端はノードN52を介してNM
OSトランジスタQ25の一端と接続される。NMOS
トランジスタQ25の他端には接地電位が供給される。
抵抗R21の一端には基準電位Vrefが供給される。
抵抗R21の他端は、ノードN53を介してPMOSト
ランジスタQ23のゲートおよびPMOSトランジスタ
Q24の一端と接続される。PMOSトランジスタQ2
4のゲートは、ノードN52と接続される。PMOSト
ランジスタQ24の他端は、ノードN54を介して、N
MOSトランジスタQ25およびQ26のゲート、なら
びにPMOSトランジスタQ26の一端と接続される。
NMOSトランジスタQ26の他端には接地電位が供給
される。負荷L14の一端には電源電圧VCCが供給さ
れる。負荷L14の他端は、ノードN55を介して、N
MOSトランジスタQ27の一端および内部回路IC1
2と接続される。NMOSトランジスタQ27のゲート
は、NMOSトランジスタQ25およびQ26の各ゲー
トと接続される。NMOSトランジスタQ27の他端に
は接地電位が供給される。
One end of the PMOS transistor Q23 is connected to the transmission line T1 via the node N51. PMOS
The other end of the transistor Q23 is connected to NM via the node N52.
It is connected to one end of the OS transistor Q25. NMOS
The ground potential is supplied to the other end of the transistor Q25.
The reference potential Vref is supplied to one end of the resistor R21.
The other end of the resistor R21 is connected to the gate of the PMOS transistor Q23 and one end of the PMOS transistor Q24 via the node N53. PMOS transistor Q2
The gate of 4 is connected to the node N52. The other end of the PMOS transistor Q24 is connected to the N node via the node N54.
Connected to the gates of MOS transistors Q25 and Q26, and one end of PMOS transistor Q26.
The ground potential is supplied to the other end of the NMOS transistor Q26. The power supply voltage VCC is supplied to one end of the load L14. The other end of the load L14 passes through the node N55 and N
One end of MOS transistor Q27 and internal circuit IC1
Connected with 2. The gate of NMOS transistor Q27 is connected to the gates of NMOS transistors Q25 and Q26. The ground potential is supplied to the other end of the NMOS transistor Q27.

【0104】上記の構成により、内部回路IP6は、基
準電位VrefとノードN51の電位とを比較し、この
比較結果に応じてPMOSトランジスタQ23のゲート
電位が制御される。したがって、ノードN51のプルア
ップ電流が大きい場合には、PMOSトランジスタQ2
3の電流駆動力がアップされ、ノードN52の電位が上
昇する。この結果、PMOSトランジスタQ24の電流
駆動力がダウンし、ノードN54の電位が降下すること
になる。したがって、PMOSトランジスタQ23およ
びNMOSトランジスタQ25を介して流れる電流が減
少し、ノードN51の電位の上昇が抑えられる。この結
果、ノードN51での電位振幅はなくなるが、電流振幅
は存在することになる。
With the above structure, internal circuit IP6 compares reference potential Vref with the potential of node N51, and the gate potential of PMOS transistor Q23 is controlled according to the result of the comparison. Therefore, when the pull-up current of the node N51 is large, the PMOS transistor Q2
The current drivability of No. 3 is increased and the potential of the node N52 is increased. As a result, the current drivability of the PMOS transistor Q24 is lowered and the potential of the node N54 is lowered. Therefore, the current flowing through the PMOS transistor Q23 and the NMOS transistor Q25 is reduced, and the rise in the potential of the node N51 is suppressed. As a result, the potential amplitude at the node N51 disappears, but the current amplitude exists.

【0105】逆に、プルアップ電流が小さい場合には、
PMOSトランジスタQ23の電流駆動力が抑えられ、
ノードN51の電位が降下する。したがって、PMOS
トランジスタQ24の電流駆動力が上昇し、ノードN5
4の電位が上昇することになる。上記の動作により、ノ
ードN54の電位により、NMOSトランジスタQ27
のゲート電位が制御され、負荷L14を電流が流れるこ
とによりノードN55に出力電位が現れる。したがっ
て、ノードN55から電圧信号VOが内部回路IC12
へ出力される。
On the contrary, when the pull-up current is small,
The current driving capability of the PMOS transistor Q23 is suppressed,
The potential of the node N51 drops. Therefore, the PMOS
The current driving capability of the transistor Q24 increases, and the node N5
The potential of 4 will rise. By the above operation, the potential of the node N54 causes the NMOS transistor Q27
The gate potential is controlled, and the current flows through the load L14, whereby the output potential appears at the node N55. Therefore, the voltage signal VO is output from the node N55 to the internal circuit IC12.
Output to

【0106】上記の動作により、論理信号DTがローレ
ベルの場合、PMOSトランジスタQ8が電流を強く引
くことになり、入力回路IP6は、ハイレベルのデータ
を検知することになる。したがって、本実施例でも、伝
送線路T1上には電圧振幅は現れず、電流変化で信号が
伝送される。この結果、ボード配線に大きな容量がつい
た場合でも、その容量を充放電することがないため、低
消費電力で高速に信号を伝送することが可能となる。
With the above operation, when the logic signal DT is at the low level, the PMOS transistor Q8 strongly draws the current, and the input circuit IP6 detects the high level data. Therefore, also in this embodiment, the voltage amplitude does not appear on the transmission line T1, and the signal is transmitted by the current change. As a result, even if the board wiring has a large capacity, the capacity is not charged or discharged, so that a signal can be transmitted at high speed with low power consumption.

【0107】[0107]

【発明の効果】請求項1ないし請求項5記載の出力回路
においては、第1および第2相補論理信号に応じた第1
および第2相補電流信号を電流モードで外部へ出力する
ことができるので、低消費電力で高速に信号を伝送する
ことができる。
In the output circuit according to any one of claims 1 to 5, the first circuit according to the first and second complementary logic signals is provided.
Since the second complementary current signal can be output to the outside in the current mode, the signal can be transmitted at high speed with low power consumption.

【0108】請求項6ないし請求項10記載の入力回路
においては、電流モードで伝送された第1および第2相
補電流信号を第1および第2相補電流信号に変換して電
圧モードで内部に出力するので、低消費電力で高速に信
号を伝送することが可能となる。
In the input circuit according to any one of claims 6 to 10, the first and second complementary current signals transmitted in the current mode are converted into the first and second complementary current signals and internally output in the voltage mode. Therefore, it becomes possible to transmit signals at high speed with low power consumption.

【0109】請求項11ないし請求項15記載の入力回
路においては、電流モードで伝送された電流信号の電位
と所定の基準電位とを比較し、比較結果に応じて電圧信
号を電圧モードで内部に出力することができるので、低
消費電力で高速に信号を伝送することができる。
In the input circuit according to any one of claims 11 to 15, the potential of the current signal transmitted in the current mode is compared with a predetermined reference potential, and the voltage signal is internally fed in the voltage mode in accordance with the comparison result. Since it can be output, a signal can be transmitted at high speed with low power consumption.

【0110】請求項16および請求項17記載の入出力
インタフェースシステムにおいては、電流モードで第1
および第2相補電流信号を出力用半導体装置から入力用
半導体装置へ伝送することができるので、低消費電力で
高速に信号を伝送することが可能となる。
In the input / output interface system according to the sixteenth and seventeenth aspects, the first mode in the current mode is used.
Since the second complementary current signal can be transmitted from the output semiconductor device to the input semiconductor device, the signal can be transmitted at high speed with low power consumption.

【0111】請求項18記載の入出力インタフェースシ
ステムにおいては、電流モードで電流信号を出力よう半
導体装置から入力用半導体装置へ伝送することができる
ので、低消費電力で高速に信号を伝送することが可能と
なる。
In the input / output interface system according to the eighteenth aspect, since the current signal can be transmitted from the semiconductor device to the input semiconductor device in the current mode, the signal can be transmitted at high speed with low power consumption. It will be possible.

【図面の簡単な説明】[Brief description of drawings]

【図1】 本発明の第1の実施例の入出力インタフェー
スシステムの構成を示すブロック図である。
FIG. 1 is a block diagram showing a configuration of an input / output interface system according to a first embodiment of the present invention.

【図2】 図1に示す入出力インタフェースシステムの
信号波形を示す図である。
FIG. 2 is a diagram showing signal waveforms of the input / output interface system shown in FIG.

【図3】 本発明の第2の実施例の入出力インタフェー
スシステムの構成を示すブロック図である。
FIG. 3 is a block diagram showing a configuration of an input / output interface system according to a second embodiment of the present invention.

【図4】 本発明の第3の実施例の入出力インタフェー
スシステムの構成を示すブロック図である。
FIG. 4 is a block diagram showing a configuration of an input / output interface system according to a third embodiment of the present invention.

【図5】 本発明の第4の実施例の入出力インタフェー
スシステムの構成を示すブロック図である。
FIG. 5 is a block diagram showing a configuration of an input / output interface system according to a fourth embodiment of the present invention.

【図6】 本発明の第5の実施例の入出力インタフェー
スシステムの構成を示すブロック図である。
FIG. 6 is a block diagram showing a configuration of an input / output interface system according to a fifth embodiment of the present invention.

【図7】 本発明の第6の実施例の入出力インタフェー
スシステムの構成を示すブロック図である。
FIG. 7 is a block diagram showing a configuration of an input / output interface system according to a sixth embodiment of the present invention.

【図8】 図7に示す入出力インタフェースシステムの
信号波形を示す図である。
8 is a diagram showing signal waveforms of the input / output interface system shown in FIG.

【図9】 本発明の第7の実施例の入出力インタフェー
スシステムの構成を示すブロック図である。
FIG. 9 is a block diagram showing the configuration of an input / output interface system according to a seventh embodiment of the present invention.

【図10】 本発明の第8の実施例の入出力インタフェ
ースシステムの構成を示すブロック図である。
FIG. 10 is a block diagram showing a configuration of an input / output interface system according to an eighth embodiment of the present invention.

【図11】 本発明の第9の実施例の入出力インタフェ
ースシステムの構成を示すブロック図である。
FIG. 11 is a block diagram showing a configuration of an input / output interface system according to a ninth embodiment of the present invention.

【図12】 従来のプッシュプル型出力回路を用いた入
出力インタフェースシステムの構成を示すブロック図で
ある。
FIG. 12 is a block diagram showing a configuration of an input / output interface system using a conventional push-pull type output circuit.

【図13】 従来のオープンドレイン型出力回路を用い
た入出力インタフェースシステムの構成を示すブロック
図である。
FIG. 13 is a block diagram showing a configuration of an input / output interface system using a conventional open drain type output circuit.

【図14】 従来のTDL規格の入出力インタフェース
システムの構成を示すブロック図である。
FIG. 14 is a block diagram showing a configuration of a conventional TDL standard input / output interface system.

【図15】 従来のCTT規格の入出力インタフェース
システムの構成を示すブロック図である。
FIG. 15 is a block diagram showing a configuration of a conventional CTT standard input / output interface system.

【符号の説明】[Explanation of symbols]

IC1 半導体装置、IC11 半導体装置、IS1
内部回路、OP1 出力回路、T1伝送線路、T2 伝
送線路、IS11 内部回路、IP1 入力回路。
IC1 semiconductor device, IC11 semiconductor device, IS1
Internal circuit, OP1 output circuit, T1 transmission line, T2 transmission line, IS11 internal circuit, IP1 input circuit.

───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (51)Int.Cl.6 識別記号 庁内整理番号 FI 技術表示箇所 H03K 19/0944 H03K 19/092 19/094 A ─────────────────────────────────────────────────── ─── Continuation of the front page (51) Int.Cl. 6 Identification number Internal reference number FI Technical indication H03K 19/0944 H03K 19/092 19/094 A

Claims (18)

【特許請求の範囲】[Claims] 【請求項1】 互いに相補な第1および第2相補電流信
号を伝送路を介して電流モードで外部へ伝送する出力回
路であって、 互いに相補な第1および第2相補論理信号を受ける入力
端と、 前記入力端へ入力された前記第1および第2相補論理信
号の電位に応じて、前記第1および第2相補電流信号を
電流モードで外部へ出力する出力手段を含む出力回路。
1. An output circuit for transmitting complementary first and second complementary current signals to the outside in a current mode through a transmission line, the input circuit receiving complementary first and second complementary logic signals. And an output circuit for outputting the first and second complementary current signals to the outside in the current mode according to the potentials of the first and second complementary logic signals input to the input terminal.
【請求項2】 前記出力手段の終端に接続され、所定の
終端電位を受ける抵抗手段をさらに含む請求項1記載の
出力回路。
2. The output circuit according to claim 1, further comprising resistance means connected to a terminal of the output means and receiving a predetermined terminal potential.
【請求項3】 前記抵抗手段は、 一端に前記終端電位を受ける第1および第2抵抗を含
み、 前記出力手段は、 電流源と、 前記第1相補論理信号を受けるゲートを有し、一端が前
記第1抵抗に接続され、他端が前記電流源と接続される
第1NMOSトランジスタと、 前記第2相補論理信号を受けるゲートを有し、一端が前
記第2抵抗に接続され、他端が前記電流源と接続される
第2NMOSトランジスタとを含む請求項2記載の出力
回路。
3. The resistance means includes first and second resistors for receiving the terminal potential at one end thereof, and the output means has a current source and a gate for receiving the first complementary logic signal, one end of which is A first NMOS transistor connected to the first resistor and the other end connected to the current source; and a gate receiving the second complementary logic signal, one end connected to the second resistor and the other end connected to the second resistor. The output circuit according to claim 2, further comprising a second NMOS transistor connected to the current source.
【請求項4】 前記出力手段は、 前記第1相補論理信号を受けるゲートを有し、一端に接
地電位を受ける第1プルダウン用NMOSトランジスタ
と、 前記第2相補論理信号を受けるゲートを有し、一端に前
記接地電位を受ける第2プルダウン用NMOSトランジ
スタとを含む請求項1記載の出力回路。
4. The output means includes a gate for receiving the first complementary logic signal, a first pull-down NMOS transistor for receiving a ground potential at one end, and a gate for receiving the second complementary logic signal, The output circuit according to claim 1, further comprising a second pull-down NMOS transistor receiving at one end the ground potential.
【請求項5】 前記出力手段は、 前記第1相補論理信号を受けるゲートを有し、一端に電
源電圧を受ける第1プルアップ用PMOSトランジスタ
と、 前記第2相補論理信号を受けるゲートを有し、一端に前
記電源電圧を受ける第2プルアップ用PMOSトランジ
スタとを含む請求項1記載の出力回路。
5. The output means has a gate that receives the first complementary logic signal, a first pull-up PMOS transistor that receives a power supply voltage at one end, and a gate that receives the second complementary logic signal. 2. The output circuit according to claim 1, further comprising a second pull-up PMOS transistor which receives the power supply voltage at one end thereof.
【請求項6】 外部から伝送路を介して電流モードで伝
送される互いに相補な第1および第2相補電流信号を受
ける入力回路であって、 前記第1および第2相補電流信号を受ける入力端と、 前記入力端へ入力された前記第1および第2相補電流信
号の電流変化を電圧変化へ変換し、前記第1および第2
相補電流信号の電流に応じた互いに相補な第1および第
2相補電圧信号を電圧モードで内部に出力する変換手段
を含む入力回路。
6. An input circuit for receiving complementary first and second complementary current signals transmitted from the outside in a current mode through a transmission line, the input circuit receiving the first and second complementary current signals. And converting a current change of the first and second complementary current signals input to the input terminal into a voltage change, the first and second
An input circuit including converting means for internally outputting first and second complementary voltage signals complementary to each other according to the current of the complementary current signal in a voltage mode.
【請求項7】 前記変換手段は、 前記第1および第2相補電流信号の電流を差動し、電流
変化を電圧変化へ変換するカレントコンベイ回路を含む
請求項6記載の入力回路。
7. The input circuit according to claim 6, wherein the conversion means includes a current conversion circuit that differentially converts the currents of the first and second complementary current signals and converts a current change into a voltage change.
【請求項8】 前記カレントコンベイ回路は、 一端に前記第1相補電流信号を受け、他端に電源電圧を
受ける第1負荷と、 一端が前記第1負荷の一端と接続される第1PMOSト
ランジスタと、 一端が前記第1PMOSトランジスタの他端と接続さ
れ、接地電位を受けるゲートを有する第2PMOSトラ
ンジスタと、 一端が前記第2PMOSトランジスタの他端と接続さ
れ、他端に前記接地電位を受ける第2負荷と、 一端に前記第2相補電流信号を受け、他端に前記電源電
圧を受ける第3負荷と、 一端が前記第1負荷の一端と接続され、他端が前記第1
PMOSトランジスタのゲートと接続され、前記第1お
よび第2PMOSトランジスタの接続点の電位を受ける
ゲートを有する第3PMOSトランジスタと、 一端が前記第3PMOSトランジスタの他端および前記
第1PMOSトランジスタのゲートと接続され、前記接
地電位を受けるゲートを有する第4PMOSトランジス
タと、 一端が前記第4PMOSトランジスタの他端と接続さ
れ、他端に前記接地電位を受ける第4負荷とを含み、 前記第2PMOSトランジスタと前記第2負荷との接続
点から前記第1相補電圧信号が出力され、 前記第4PMOSトランジスタと前記第4負荷との接続
点から前記第2相補電圧信号が出力される請求項7記載
の入力回路。
8. The current-conveying circuit includes: a first load that receives the first complementary current signal at one end and a power supply voltage at the other end; and a first PMOS transistor having one end connected to one end of the first load. A second PMOS transistor having one end connected to the other end of the first PMOS transistor and having a gate for receiving the ground potential; one end connected to the other end of the second PMOS transistor for receiving the ground potential at the other end; A load, a third load receiving at one end the second complementary current signal and receiving the power supply voltage at the other end, one end connected to one end of the first load, and the other end of the first load
A third PMOS transistor having a gate connected to the gate of the PMOS transistor and receiving a potential at a connection point of the first and second PMOS transistors; one end connected to the other end of the third PMOS transistor and the gate of the first PMOS transistor; A fourth PMOS transistor having a gate for receiving the ground potential; and a fourth load having one end connected to the other end of the fourth PMOS transistor and receiving the ground potential at the other end, the second PMOS transistor and the second load The input circuit according to claim 7, wherein the first complementary voltage signal is output from a connection point between the second complementary voltage signal and the fourth PMOS transistor, and the second complementary voltage signal is output from a connection point between the fourth PMOS transistor and the fourth load.
【請求項9】 前記カレントコンベイ回路は、 一端に前記第1相補電流信号を受け、他端に接地電位を
受ける第1負荷と、 一端が前記第1負荷の一端と接続される第1NMOSト
ランジスタと、 一端が前記第1NMOSトランジスタの他端と接続さ
れ、電源電圧を受けるゲートを有する第2NMOSトラ
ンジスタと、 一端が前記第2NMOSトランジスタの他端と接続さ
れ、他端に前記電源電圧を受ける第2負荷と、 一端に前記第2相補電流信号を受け、他端に前記接地電
位を受ける第3負荷と、 一端が前記第1負荷の一端と接続され、他端が前記第1
NMOSトランジスタのゲートと接続され、前記第1お
よび第2NMOSトランジスタの接続点の電位を受ける
ゲートを有する第3NMOSトランジスタと、 一端が前記第3NMOSトランジスタの他端および前記
第1NMOSトランジスタのゲートと接続され、前記電
源電圧を受けるゲートを有する第4NMOSトランジス
タと、 一端が前記第4NMOSトランジスタの他端と接続さ
れ、他端に前記電源電圧を受ける第4負荷とを含み、 前記第2NMOSトランジスタと前記第2負荷との接続
点から前記第1相補電圧信号が出力され、 前記第4NMOSトランジスタと前記第4負荷との接続
点から前記第2相補電圧信号が出力される請求項7記載
の入力回路。
9. The current-convey circuit includes: a first load that receives the first complementary current signal at one end and a ground potential at the other end; and a first NMOS transistor whose one end is connected to one end of the first load. A second NMOS transistor having one end connected to the other end of the first NMOS transistor and having a gate receiving a power supply voltage; one end connected to the other end of the second NMOS transistor and a second end receiving the power supply voltage A load, a third load receiving at one end the second complementary current signal and receiving the ground potential at the other end, one end connected to one end of the first load, and the other end of the first load
A third NMOS transistor having a gate connected to the gate of the NMOS transistor and receiving a potential at a connection point of the first and second NMOS transistors; one end connected to the other end of the third NMOS transistor and the gate of the first NMOS transistor; A fourth NMOS transistor having a gate for receiving the power supply voltage; and a fourth load having one end connected to the other end of the fourth NMOS transistor and receiving the power supply voltage at the other end, the second NMOS transistor and the second load 8. The input circuit according to claim 7, wherein the first complementary voltage signal is output from a connection point between the second complementary voltage signal and the fourth NMOS transistor, and the second complementary voltage signal is output from a connection point between the fourth NMOS transistor and the fourth load.
【請求項10】 前記入力端は、 前記第1相補電圧信号を受ける第1入力端と、 前記第2相補電圧信号を受ける第2入力端とを含み、 前記入力回路は、 一端が前記第1入力端と接続され、他端に所定の終端電
位を受ける第1終端抵抗と、 一端が前記第2入力端と接続され、他端に前記終端電位
を受ける第2終端抵抗とをさらに含む請求項6記載の入
力回路。
10. The input terminal includes a first input terminal for receiving the first complementary voltage signal and a second input terminal for receiving the second complementary voltage signal, wherein the input circuit has one end having the first A first terminating resistor connected to the input end and receiving a predetermined terminating potential at the other end, and a second terminating resistor having one end connected to the second input end and receiving the terminating potential at the other end. 6. The input circuit according to item 6.
【請求項11】 外部から伝送路を介して電流モードで
伝送される電流信号を受ける入力回路であって、 前記電流信号の電位と所定の基準電位とを比較する比較
手段と、 前記比較手段による比較結果に応じて、前記電流信号の
電流に応じた電圧信号を電圧モードで内部に出力する出
力手段とを含む入力回路。
11. An input circuit for receiving a current signal transmitted in a current mode from the outside via a transmission path, comprising: a comparing means for comparing a potential of the current signal with a predetermined reference potential; An input circuit including an output unit that internally outputs a voltage signal corresponding to a current of the current signal in a voltage mode according to a comparison result.
【請求項12】 前記比較手段は、 負側入力端子に前記電流信号を受け、正側入力端子に前
記基準電圧を受けるコンパレータを含み、 前記出力手段は、 前記コンパレータの出力信号を受けるゲートを有し、一
端に前記電流信号を受けるNMOSトランジスタと、 一端が前記NMOSトランジスタの他端と接続され、他
端に電源電圧を受ける負荷とを含み、 前記NMOSトランジスタと前記負荷との接続点から前
記電圧信号が出力される請求項11記載の入力回路。
12. The comparison means includes a comparator that receives the current signal at a negative side input terminal and receives the reference voltage at a positive side input terminal, and the output means has a gate that receives an output signal of the comparator. And an NMOS transistor having one end receiving the current signal, and a load having one end connected to the other end of the NMOS transistor and receiving a power supply voltage at the other end, the voltage from a connection point of the NMOS transistor and the load. The input circuit according to claim 11, wherein a signal is output.
【請求項13】 前記比較手段は、 正側入力端子に前記電流信号を受け、負側入力端子に前
記基準電位を受けるコンパレータを含み、 前記出力手段は、 前記コンパレータの出力信号を受けるゲートを有し、一
端に前記電流信号を受け、他端に電源電圧を受ける第1
PMOSトランジスタと、 前記コンパレータの出力信号を受けるゲートを有し、一
端に前記電源電圧を受ける第2PMOSトランジスタ
と、 一端が前記第2PMOSトランジスタの他端と接続さ
れ、他端に接地電位を受ける負荷とを含み、 前記第2PMOSトランジスタと前記負荷との接続点か
ら前記電圧信号が出力される請求項11記載の入力回
路。
13. The comparison means includes a comparator that receives the current signal at a positive side input terminal and receives the reference potential at a negative side input terminal, and the output means has a gate that receives an output signal of the comparator. And receiving the current signal at one end and the power supply voltage at the other end
A second PMOS transistor having a PMOS transistor, a gate receiving the output signal of the comparator, receiving the power supply voltage at one end, a load having one end connected to the other end of the second PMOS transistor and receiving the ground potential at the other end 12. The input circuit according to claim 11, wherein the voltage signal is output from a connection point between the second PMOS transistor and the load.
【請求項14】 前記比較手段は、 一端に前記電流信号を受ける第1NMOSトランジスタ
と、 一端およびゲートが前記第1NMOSトランジスタの他
端と接続され、他端に電源電圧を受ける第1PMOSト
ランジスタと、 一端に前記基準電位を受け、他端およびゲートが前記第
1NMOSトランジスタのゲートと接続される第2NM
OSトランジスタと、 一端が前記第2NMOSトランジスタの他端およびゲー
トと接続され、他端に前記電源電圧を受け、前記第1P
MOSトランジスタのゲートおよび前記第1NMOSト
ランジスタと前記第1PMOSトランジスタとの接続点
と接続されるゲートを有する第1PMOSトランジスタ
とを含み、 前記出力手段は、 前記第2PMOSトランジスタのゲートと接続されるゲ
ートを有し、一端に前記電源電圧を受ける第3PMOS
トランジスタと、 一端が前記第3PMOSトランジスタの他端と接続さ
れ、他端に接地電位を受ける負荷とを含み、 前記第3PMOSトランジスタと前記負荷との接続点か
ら前記電圧信号が出力される請求項11記載の入力回
路。
14. The comparing means includes: a first NMOS transistor having one end for receiving the current signal; a first PMOS transistor having one end and a gate connected to the other end of the first NMOS transistor and the other end for receiving a power supply voltage; A second NM having the other end and the gate connected to the gate of the first NMOS transistor.
An OS transistor, one end of which is connected to the other end and the gate of the second NMOS transistor, the other end of which receives the power supply voltage, and the first P
A first PMOS transistor having a gate connected to a connection point between the first NMOS transistor and the first PMOS transistor and a gate of the MOS transistor; and the output means has a gate connected to the gate of the second PMOS transistor. And a third PMOS that receives the power supply voltage at one end
12. A transistor and a load including one end connected to the other end of the third PMOS transistor and receiving the ground potential at the other end, wherein the voltage signal is output from a connection point between the third PMOS transistor and the load. Input circuit described.
【請求項15】 前記比較手段は、 一端に前記電流信号を受ける第1PMOSトランジスタ
と、 一端が前記第1PMOSトランジスタの他端と接続さ
れ、他端に接地電位を受ける第1NMOSトランジスタ
と、 一端が前記第1PMOSトランジスタのゲートと接続さ
れ、他端が前記基準電位を受ける抵抗と、 一端が前記抵抗の一端および前記第1PMOSトランジ
スタのゲートと接続され、前記第1PMOSトランジス
タと前記第1NMOSトランジスタとの接続点と接続さ
れるゲートを有する第2PMOSトランジスタと、 一端が前記第2PMOSトランジスタの他端と接続さ
れ、他端に前記接地電位を受け、前記第2PMOSトラ
ンジスタの他端および前記第1NMOSトランジスタの
ゲートと接続されるゲートを有する第2NMOSトラン
ジスタとを含み、 前記出力手段は、 前記第2NMOSトランジスタのゲート接続されるゲー
トを有し、他端に前記接地電位を受ける第3NMOSト
ランジスタと、 一端が前記第3NMOSトランジスタの他端と接続さ
れ、他端に電源電圧を受ける負荷とを含み、 前記第3NMOSトランジスタと前記負荷との接続点か
ら前記電圧信号が出力される請求項11記載の入力回
路。
15. The comparing means comprises: a first PMOS transistor having one end for receiving the current signal; a first NMOS transistor having one end connected to the other end of the first PMOS transistor and receiving a ground potential at the other end; A resistor connected to the gate of the first PMOS transistor, the other end receiving the reference potential, one end connected to one end of the resistor and the gate of the first PMOS transistor, and a connection point between the first PMOS transistor and the first NMOS transistor A second PMOS transistor having a gate connected to, and one end connected to the other end of the second PMOS transistor, the other end receiving the ground potential, and the other end of the second PMOS transistor and the gate of the first NMOS transistor Second NMOS having a controlled gate And a third NMOS transistor having a gate connected to the gate of the second NMOS transistor, the other end having a third NMOS transistor receiving the ground potential, and one end connected to the other end of the third NMOS transistor, The input circuit according to claim 11, further comprising a load receiving a power supply voltage at the other end, wherein the voltage signal is output from a connection point between the third NMOS transistor and the load.
【請求項16】 出力用半導体装置から入力用半導体装
置へ伝送路を介して電流モードで互いに相補な第1およ
び第2相補電流信号を電流モードで伝送する入出力イン
タフェースシステムであって、 前記出力用半導体装置は、 前記第1および第2相補電流信号を電源モードで前記伝
送路へ出力する出力回路を含み、 前記入力用半導体装置は、 前記伝送路を介して入力した前記第1および第2相補電
流信号の電流変化を電圧変化へ変換し、前記第1および
第2相補電流信号の電流に応じた互いに相補な第1およ
び第2相補電圧信号を電圧モードで内部に出力する入力
回路を含む入出力インタフェースシステム。
16. An input / output interface system for transmitting, in a current mode, first and second complementary current signals complementary to each other in a current mode from a semiconductor device for output to a semiconductor device for input through a transmission line, wherein the output The semiconductor device for input includes an output circuit for outputting the first and second complementary current signals to the transmission line in a power supply mode, and the semiconductor device for input includes the first and second input circuits input through the transmission line. An input circuit is provided which converts a current change of the complementary current signal into a voltage change and internally outputs in a voltage mode complementary first and second complementary voltage signals corresponding to the currents of the first and second complementary current signals. I / O interface system.
【請求項17】 前記入力用半導体装置は、 前記第1相補電圧信号を受ける第1入力端と、 前記第2相補電流信号を受ける第2入力端と、 前記第1入力端と接続され、他端に所定の終端電位を受
ける第1終端抵抗と、 前記第2入力端と接続され、他端に前記終端電位を受け
る第2終端抵抗とをさらに含む請求項16記載の入出力
インタフェースシステム。
17. The input semiconductor device is connected to a first input terminal for receiving the first complementary voltage signal, a second input terminal for receiving the second complementary current signal, and the first input terminal, and the like. 17. The input / output interface system according to claim 16, further comprising a first terminating resistor having an end receiving a predetermined terminating potential, and a second terminating resistor connected to the second input end and having the other end receiving the terminating potential.
【請求項18】 出力用半導体装置から入力用半導体装
置へ伝送路を介して電流モードで電流信号を伝送する入
出力インタフェースシステムであって、 前記出力用半導体装置は、 MOSトランジスタから構成され、前記電流信号を電流
モードで前記伝送路へ出力する出力回路を含み、 前記入力用半導体装置は、 前記伝送路を介して入力した前記電流信号の電流変化を
電圧変化へ変換し、前記相補電流信号の電流に応じた電
圧信号を電圧モードで内部に出力する入力回路を含む入
出力インタフェースシステム。
18. An input / output interface system for transmitting a current signal in a current mode from an output semiconductor device to an input semiconductor device via a transmission path, wherein the output semiconductor device comprises a MOS transistor, An output circuit that outputs a current signal to the transmission line in a current mode is included, the input semiconductor device converts a current change of the current signal input via the transmission line into a voltage change, and the complementary current signal An input / output interface system including an input circuit that internally outputs a voltage signal according to a current in a voltage mode.
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