JPH0812899B2 - Package for high frequency circuits - Google Patents
Package for high frequency circuitsInfo
- Publication number
- JPH0812899B2 JPH0812899B2 JP3632886A JP3632886A JPH0812899B2 JP H0812899 B2 JPH0812899 B2 JP H0812899B2 JP 3632886 A JP3632886 A JP 3632886A JP 3632886 A JP3632886 A JP 3632886A JP H0812899 B2 JPH0812899 B2 JP H0812899B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- package
- carrier
- frequency circuit
- high frequency
- metal plate
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired - Lifetime
Links
Description
【発明の詳細な説明】 〔概要〕 複数のキャリアをそれぞれ着脱可能に搭載する高周波
回路用パッケージであって、該キャリアとパッケージと
の間に薄い金属板を敷設することによってキャリアとパ
ッケージとの間の電気的接触を良好にし、キャリア上に
形成された高周波回路の電気的特性の改善を図る。DETAILED DESCRIPTION OF THE INVENTION [Outline] A high-frequency circuit package in which a plurality of carriers are detachably mounted, respectively, and a thin metal plate is laid between the carriers to provide a space between the carriers. To improve the electrical characteristics of the high-frequency circuit formed on the carrier.
本発明は高周波回路用のパッケージに関するものであ
り、更に詳しく言えば高周波回路が形成されたキャリア
を該パッケージに搭載するとき、該高周波回路の電気的
特性を良好にする高周波回路用のパッケージに関するも
のである。The present invention relates to a package for a high frequency circuit, and more particularly to a package for a high frequency circuit which improves electrical characteristics of the high frequency circuit when a carrier having the high frequency circuit is mounted on the package. Is.
第２図は人工衛星や地上局で使用されるマイクロ波増
幅器の斜視図である。実際に用いるときはチッ素などの
不活性ガスを封入した後に蓋をされて密封される。FIG. 2 is a perspective view of a microwave amplifier used in an artificial satellite or a ground station. In actual use, after enclosing an inert gas such as nitrogen, it is covered and sealed.
１はステンレス製の高周波回路用パッケージであり、
表面にニッケルメッキがなされている。２はキャリアで
あり、金メッキされた銅製の支持体とその上に固着され
たアルミナ基板により構成されている。3,4はそれぞれ
アルミナ基板上に印刷形成された入力整合回路および出
力整合回路である。また5,6はマイクロ波信号増幅用のF
ET（電界効果トランジスタ）が形成された半導体チップ
である。1 is a high frequency circuit package made of stainless steel,
The surface is nickel plated. A carrier 2 is composed of a gold-plated support made of copper and an alumina substrate fixed on the support. Reference numerals 3 and 4 are an input matching circuit and an output matching circuit formed by printing on an alumina substrate, respectively. Also, 5 and 6 are F for microwave signal amplification.
It is a semiconductor chip on which ET (field effect transistor) is formed.
図のように７段のキャリア２は直列に接続されている
が、各キャリアはねじ7,8によってパッケージネジ止め
されている。これにより１つのキャリアが故障した場合
の良品との交換作業が容易になるとともに、交換作業に
おいて温度等のストレスを加える必要がないのでこれに
よる他の正常なキャリアの電気的特性が劣化するのを防
止することができる。As shown in the figure, the seven stages of carriers 2 are connected in series, but each carrier is fixed to the package with screws 7 and 8. This facilitates replacement work with a non-defective product when one carrier fails, and since it is not necessary to apply stress such as temperature during the replacement work, the electrical characteristics of other normal carriers are deteriorated. Can be prevented.
ところでキャリア２のアルミナ基板上に形成される高
周波回路は分布定数回路であり、その回路特性はアルミ
ナ基板の背面全体が安定な接地レベル状態にあるとき所
定の特性となるように設定されているものである。By the way, the high-frequency circuit formed on the alumina substrate of the carrier 2 is a distributed constant circuit, and its circuit characteristics are set to have predetermined characteristics when the entire back surface of the alumina substrate is in a stable ground level state. Is.
第３図は従来例にかかるマイクロ波増幅器の断面図で
あり、第２図においてＡ−Ａ方向からみたものである。
キャリア２は温度膨張係数の異なるアルミナ基板と銅製
の支持体からなるため、図のようにそりが生じている。
この隙間は実際上、数10μｍとわずかであるが、高周波
的には大きな影響を及ぼし、例えば周波数特性や増幅度
の変動の原因となっている。FIG. 3 is a cross-sectional view of a microwave amplifier according to a conventional example, which is viewed from the AA direction in FIG.
Since the carrier 2 is composed of an alumina substrate having a different coefficient of thermal expansion and a support made of copper, warpage occurs as shown in the figure.
Although this gap is actually as small as several tens of μm, it has a great influence on high frequencies and causes, for example, variations in frequency characteristics and amplification degree.
本発明はかかる従来例の問題点に鑑み創作されたもの
であり、キャリアがパッケージに搭載されたときにも良
好な電気的特性を示すことが可能な高周波回路用パッケ
ージの提供を目的とする。The present invention was created in view of the problems of the conventional example, and an object of the present invention is to provide a high-frequency circuit package capable of exhibiting good electrical characteristics even when the carrier is mounted in the package.
本発明は、高周波回路が形成された複数のキャリアを
それぞれ着脱可能に搭載する高周波回路用パッケージに
おいて、前記キャリアとパッケージとの間に薄い金属板
を敷設してなることを特徴とする。The present invention is a high-frequency circuit package in which a plurality of carriers each having a high-frequency circuit formed thereon are detachably mounted, and a thin metal plate is laid between the carrier and the package.
キャリアとパッケージとの間に薄い金属板が敷設され
るので、キャリアのそりによって生じたパッケージとの
間の間隙が埋められる。従って該金属板を介してキャリ
アとパッケージとの間の接触面積を増やすことができ
る。Since a thin metal plate is laid between the carrier and the package, the gap between the carrier and the package caused by the warpage of the carrier is filled. Therefore, the contact area between the carrier and the package can be increased through the metal plate.
このためキャリアの背面は安定な接地電位レベル（パ
ッケージの電位）となるから、パッケージに搭載された
ときにもキャリアは所定の電気的特性を示すことができ
る。これにより高周波回路全体としての電気的特性も良
好となる。For this reason, the back surface of the carrier has a stable ground potential level (potential of the package), so that the carrier can exhibit predetermined electrical characteristics even when mounted on the package. As a result, the electrical characteristics of the high frequency circuit as a whole are improved.
次に図を参照しながら本発明の実施例に係るマイクロ
波増幅器について説明する。第１図（ａ）は第２図の斜
視図においてＢ−Ｂからみた断面図であり、第１図
（ｂ）はその上面図である。第１図（ａ），（ｂ）にお
いて第２図と同じ番号で示す部品は同じものを示してい
る。Next, a microwave amplifier according to an embodiment of the present invention will be described with reference to the drawings. 1 (a) is a sectional view taken along the line BB in the perspective view of FIG. 2, and FIG. 1 (b) is a top view thereof. In FIGS. 1 (a) and 1 (b), the parts indicated by the same numbers as in FIG. 2 are the same parts.
９は弾力性をもった厚さが25〜30μｍ程度の薄い金属
板、例えば銅箔であり、キャリア２と高周波回路用パッ
ケージ１との間に敷設されている。なお銅箔９の枚数は
間隙の大きさによって加減される。Reference numeral 9 is a thin metal plate having elasticity of about 25 to 30 μm, for example, a copper foil, which is laid between the carrier 2 and the high frequency circuit package 1. The number of copper foils 9 is adjusted depending on the size of the gap.
かかる銅箔９はキャリア２とパッケージ１との間に生
じた間隙を埋めてキャリア２の背面が高周波的に一様な
接地電位レベルになるようにするので、キャリア２上に
形成された高周波回路の動作の安定化が可能となる。The copper foil 9 fills the gap between the carrier 2 and the package 1 so that the back surface of the carrier 2 has a uniform ground potential level in terms of high frequency. Therefore, the high frequency circuit formed on the carrier 2 is formed. The operation of can be stabilized.
特に、図のように隣接するキャリアとキャリアを接続
するように銅箔９を敷設することにより、キャリア相互
間の接地電位レベルの不連続性を取り除くことができる
ので、各キャリアの安定動作が可能となる。In particular, by laying the copper foil 9 so that adjacent carriers are connected to each other as shown in the figure, discontinuity in the ground potential level between the carriers can be removed, so that stable operation of each carrier is possible. Becomes
なお実施例では薄い金属板として銅箔９を用いたが、
アルミニウム箔や金箔などでも勿論よい。Although the copper foil 9 is used as the thin metal plate in the embodiment,
Of course, aluminum foil or gold foil may be used.
また実施例では平坦な銅箔を用いたが、波形形状のも
のを用いれば、ネジ止めされるときの圧力によって銅箔
９がたわみ、これによりキャリア２とパッケージ１との
接触面積がより大きくなるので、その効果は一層大き
い。Although a flat copper foil is used in the embodiment, if a corrugated copper foil is used, the copper foil 9 bends due to the pressure when screwed, and the contact area between the carrier 2 and the package 1 becomes larger. Therefore, the effect is even greater.
以上説明したように、本発明によればキャリアとパッ
ケージとの間に敷設された薄い金属板によってキャリア
とパッケージとの間の電気的接触を良好にすることが可
能となるから、キャリア上に形成された高周波回路の電
気的特性の改善および安定化が可能となる。As described above, according to the present invention, it is possible to improve the electrical contact between the carrier and the package by the thin metal plate laid between the carrier and the package. It is possible to improve and stabilize the electrical characteristics of the generated high frequency circuit.
第１図は本発明の実施例に係るマイクロ波増幅器の構成
図であり、 第２図はマイクロ波増幅器の斜視図であり、 第３図は従来例に係るマイクロ波増幅器の断面図であ
る。 （符号の説明） １……高周波回路用パッケージ、 ２……キャリア、 ３……入力整合回路（高周波回路）、 ４……出力整合回路（高周波回路）、 5,6……信号増幅用FET（高周波回路）、 7,8……ネジ、 ９……銅箔（薄い金属板）。1 is a configuration diagram of a microwave amplifier according to an embodiment of the present invention, FIG. 2 is a perspective view of the microwave amplifier, and FIG. 3 is a sectional view of a microwave amplifier according to a conventional example. (Description of symbols) 1 ... High frequency circuit package, 2 ... Carrier, 3 ... Input matching circuit (high frequency circuit), 4 ... Output matching circuit (high frequency circuit), 5, 6 ... Signal amplification FET ( High-frequency circuit), 7,8 ... screws, 9 ... copper foil (thin metal plate).
Claims (2)
それぞれ着脱可能に搭載する高周波回路用パッケージに
おいて、 前記キャリアとパッケージとの間に薄い金属板を敷設し
てなることを特徴とする高周波回路用パッケージ。1. A high-frequency circuit package in which a plurality of carriers each having a high-frequency circuit formed thereon are detachably mounted, wherein a thin metal plate is laid between the carrier and the package. For the package.
特徴とする特許請求の範囲第１項記載の高周波回路用パ
ッケージ。2. The high frequency circuit package according to claim 1, wherein the metal plate is formed in a corrugated shape.
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP3632886A JPH0812899B2 (en) | 1986-02-20 | 1986-02-20 | Package for high frequency circuits |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP3632886A JPH0812899B2 (en) | 1986-02-20 | 1986-02-20 | Package for high frequency circuits |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS62194633A JPS62194633A (en) | 1987-08-27 |
| JPH0812899B2 true JPH0812899B2 (en) | 1996-02-07 |
Family
ID=12466768
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP3632886A Expired - Lifetime JPH0812899B2 (en) | 1986-02-20 | 1986-02-20 | Package for high frequency circuits |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0812899B2 (en) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US8992806B2 (en) | 2003-11-18 | 2015-03-31 | Honeywell International Inc. | Antireflective coatings for via fill and photolithography applications and methods of preparation thereof |
-
1986
- 1986-02-20 JP JP3632886A patent/JPH0812899B2/en not_active Expired - Lifetime
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US8992806B2 (en) | 2003-11-18 | 2015-03-31 | Honeywell International Inc. | Antireflective coatings for via fill and photolithography applications and methods of preparation thereof |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS62194633A (en) | 1987-08-27 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| US3683241A (en) | Radio frequency transistor package | |
| US4339628A (en) | RF Shielding support for stacked electrical circuit boards | |
| EP0954039B1 (en) | Gunn diode, NRD guide gunn oscillator and fabricating method | |
| ATE54776T1 (en) | SEMICONDUCTOR ELEMENT AND MANUFACTURING PROCESS. | |
| US7586194B2 (en) | Semiconductor device having exposed heat dissipating metal plate | |
| US4839712A (en) | Compact combiner for semiconductor devices operating in the ultra-high frequency range | |
| US5477083A (en) | Chip carrier for enabling production of high performance microwave semiconductor device by disposing semiconductor chip thereon | |
| JPH0812899B2 (en) | Package for high frequency circuits | |
| JPH0322915Y2 (en) | ||
| EP0950265B1 (en) | Uniform ballast resistance for a thermally balanced radio frequency power transistor | |
| JPS6083401A (en) | Microwave circuit | |
| JPS63140556A (en) | Semiconductor device | |
| JP2758273B2 (en) | Mounting structure of high-frequency planar circuit module | |
| JP2624395B2 (en) | Metal base structure of high frequency circuit module | |
| JPS61108152A (en) | Package for ic chip | |
| JPS62193269A (en) | Circuit device for microwave or milliwave | |
| JPS5936916Y2 (en) | High frequency hybrid integrated circuit board | |
| JPH066512Y2 (en) | Integrated circuit package | |
| JPS629733Y2 (en) | ||
| JPH01187956A (en) | Package for semiconductor device | |
| JPS6399566A (en) | Hybrid integrated circuit characterized by high frequency and high output power | |
| JPS63245944A (en) | Semiconductor integrated circuit chip sealing device | |
| Saunier et al. | 30/20 GHz spacecraft GaAs FET solid state transmitter for trunking and customer-premise-service application | |
| JPH046097B2 (en) | ||
| JPS60124957A (en) | Semiconductor device |