JPH0810786B2 - 紫外レーザによる導体パターンの形成方法 - Google Patents
紫外レーザによる導体パターンの形成方法Info
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- JPH0810786B2 JPH0810786B2 JP11175688A JP11175688A JPH0810786B2 JP H0810786 B2 JPH0810786 B2 JP H0810786B2 JP 11175688 A JP11175688 A JP 11175688A JP 11175688 A JP11175688 A JP 11175688A JP H0810786 B2 JPH0810786 B2 JP H0810786B2
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Description
【発明の詳細な説明】 ［産業上の利用分野］ この発明は、紫外レーザによる導体パターンの形成方
法に関するものである。
法に関するものである。
［従来の技術］ 一般に、プリント配線板上の導体パターン形成は、フ
ォトレジスト材料を用い、銅箔をエッチングすることに
より行なわれている。また、光化学反応を利用した直接
パターン形成アディティブ法による導体形成も行なわれ
ている（電子材料,1980年６月，第73ページ〜第78ペー
ジ参照）。この方法は、フォトレジスト材料を用いずに
無電解メッキ法により直接基板にパターンを形成する方
法であり、工程が簡略化され、生産性を著しく向上させ
るものと期待されている。しかし、現状においては、導
体として用いられるメッキ層の銅と基板との密着力が弱
いため、信頼性に欠け、実用になる範囲も限られてい
る。
ォトレジスト材料を用い、銅箔をエッチングすることに
より行なわれている。また、光化学反応を利用した直接
パターン形成アディティブ法による導体形成も行なわれ
ている（電子材料,1980年６月，第73ページ〜第78ペー
ジ参照）。この方法は、フォトレジスト材料を用いずに
無電解メッキ法により直接基板にパターンを形成する方
法であり、工程が簡略化され、生産性を著しく向上させ
るものと期待されている。しかし、現状においては、導
体として用いられるメッキ層の銅と基板との密着力が弱
いため、信頼性に欠け、実用になる範囲も限られてい
る。
他方、プリント配線板は高密度化がますます進み、基
板の製造方法が色々と検討されており、導体パターンの
形成方法についても色々と工夫がなされている。このよ
うな高密度化の進むプリント基板の中で、多層化が著し
く進んだ多層銅ポリイミド基板がある。この基板はセラ
ミック基板の上に層間絶縁層としてポリイミド樹脂層を
数十層まで積み上げることにより多層化を図ったもので
ある。誘電率の低いポリイミド樹脂を用いるため、コン
ピュータへの適用が進められ、新しい高密度実装モジュ
ールとして広く適用されることが期待されている。
板の製造方法が色々と検討されており、導体パターンの
形成方法についても色々と工夫がなされている。このよ
うな高密度化の進むプリント基板の中で、多層化が著し
く進んだ多層銅ポリイミド基板がある。この基板はセラ
ミック基板の上に層間絶縁層としてポリイミド樹脂層を
数十層まで積み上げることにより多層化を図ったもので
ある。誘電率の低いポリイミド樹脂を用いるため、コン
ピュータへの適用が進められ、新しい高密度実装モジュ
ールとして広く適用されることが期待されている。
従来の多層銅ポリイミド基板の導体パターンの形成方
法について以下に述べる。セラミック基板上に電解メッ
キにより銅メッキ層を形成し、フォトレジストを使用す
ることによって銅のエッチングを行ない導体パターンを
形成する。この上に第１層目のポリイミド層を絶縁層と
して塗布する。ポリイミド絶縁層の導体パターンとセラ
ミック基板上の導体パターンとの接続が必要なため、ポ
リイミド樹脂層にバイアホール形成を行なう。そこでバ
イアホール形成ができるように、感光性ポリイミド樹脂
を用いてバイアホール部分の樹脂を現像により洗い流
し、バイアホールを形成する方法が試みられている。こ
のポリイミド樹脂層の上に導体パターンを形成させ、さ
らにこの上に第２層目のポリイミド樹脂層を塗布すると
いうようにして数十層の積層がなされ、多層化を可能に
した。なお、ポリイミド樹脂層上の導体パターン形成に
は、まず銅の層をメッキ法によりポリイミド層全体に被
う。メッキ層とポリイミド層との密着力を強化するため
にあらかじめ基板の粗面化が必要である。ポリイミド層
上全面が銅メッキ層で被われると、フォトレジストを用
いてパターン形成を行ない、エッチングにより銅層を除
去することによって導体パターンが形成される。
法について以下に述べる。セラミック基板上に電解メッ
キにより銅メッキ層を形成し、フォトレジストを使用す
ることによって銅のエッチングを行ない導体パターンを
形成する。この上に第１層目のポリイミド層を絶縁層と
して塗布する。ポリイミド絶縁層の導体パターンとセラ
ミック基板上の導体パターンとの接続が必要なため、ポ
リイミド樹脂層にバイアホール形成を行なう。そこでバ
イアホール形成ができるように、感光性ポリイミド樹脂
を用いてバイアホール部分の樹脂を現像により洗い流
し、バイアホールを形成する方法が試みられている。こ
のポリイミド樹脂層の上に導体パターンを形成させ、さ
らにこの上に第２層目のポリイミド樹脂層を塗布すると
いうようにして数十層の積層がなされ、多層化を可能に
した。なお、ポリイミド樹脂層上の導体パターン形成に
は、まず銅の層をメッキ法によりポリイミド層全体に被
う。メッキ層とポリイミド層との密着力を強化するため
にあらかじめ基板の粗面化が必要である。ポリイミド層
上全面が銅メッキ層で被われると、フォトレジストを用
いてパターン形成を行ない、エッチングにより銅層を除
去することによって導体パターンが形成される。
［発明が解決しようとする課題］ 従来の導体パターンの形成方法は、以上のように銅ポ
リイミド基板を作るために感光性ポリイミドを用いてバ
イアホールを形成し、さらにフォトレジスト材料を用い
てパターン形成を行なっている。従って、一層につき２
度のリングラフィ工程によるパターン形成を必要とし、
積層が増すにつれて工程が非常に複雑となるという問題
点があった。
リイミド基板を作るために感光性ポリイミドを用いてバ
イアホールを形成し、さらにフォトレジスト材料を用い
てパターン形成を行なっている。従って、一層につき２
度のリングラフィ工程によるパターン形成を必要とし、
積層が増すにつれて工程が非常に複雑となるという問題
点があった。
この発明は上記のような問題点を解消するためになさ
れたもので、銅ポリイミド基板をはじめとする種々の基
板での導体パターン形成において、複雑なリソグラフィ
工程を省略することができ、その製造工程を大幅に簡略
化できる紫外レーザによる導体パターンの形成方法を得
ることを目的とする。
れたもので、銅ポリイミド基板をはじめとする種々の基
板での導体パターン形成において、複雑なリソグラフィ
工程を省略することができ、その製造工程を大幅に簡略
化できる紫外レーザによる導体パターンの形成方法を得
ることを目的とする。
［課題を解決するための手段］ この発明に係る紫外レーザによる導体パターンの形成
方法は、感光剤を含む絶縁層に紫外レーザを照射し、絶
縁層を分解除去すると共に感光剤を活性化する工程、感
光剤の活性部にメッキ核を形成する工程、及びメッキ核
形成部をメッキして導体パターンとする工程を施すもの
である。
方法は、感光剤を含む絶縁層に紫外レーザを照射し、絶
縁層を分解除去すると共に感光剤を活性化する工程、感
光剤の活性部にメッキ核を形成する工程、及びメッキ核
形成部をメッキして導体パターンとする工程を施すもの
である。
［作用］ この発明における導体パターンの形成方法は、光に感
光してメッキ核となる感光剤を含有した基板に高輝度の
紫外レーザを照射すると、基板の中心組成である高分子
材料は紫外レーザにより分解除去され、基板表面はメッ
キ層が密着するのに最適な状態に粗面化される。これと
同時に、感光剤は紫外線照射により感光されて無電解メ
ッキ液中の金属を析出させる触媒核として作用し、無電
解メッキにより基板上に金属導体のパターンを形成する
ことができる。このように、基板材料中に紫外レーザに
感知する感光剤を含有させることにより、通常のレジス
ト材料を使用することなく、直接的に基板上に導体パタ
ーンを形成させることができる。なお、従来の直接的に
基板上に導体パターンを形成させるフォトアディティブ
法においては、基板と導体金属層間の密着力が不十分で
あったが、紫外レーザによる基板の分解除去反応により
一挙に解決できる。
光してメッキ核となる感光剤を含有した基板に高輝度の
紫外レーザを照射すると、基板の中心組成である高分子
材料は紫外レーザにより分解除去され、基板表面はメッ
キ層が密着するのに最適な状態に粗面化される。これと
同時に、感光剤は紫外線照射により感光されて無電解メ
ッキ液中の金属を析出させる触媒核として作用し、無電
解メッキにより基板上に金属導体のパターンを形成する
ことができる。このように、基板材料中に紫外レーザに
感知する感光剤を含有させることにより、通常のレジス
ト材料を使用することなく、直接的に基板上に導体パタ
ーンを形成させることができる。なお、従来の直接的に
基板上に導体パターンを形成させるフォトアディティブ
法においては、基板と導体金属層間の密着力が不十分で
あったが、紫外レーザによる基板の分解除去反応により
一挙に解決できる。
［実施例］ 以下、この発明の一実施例を図について説明する。図
面（ａ）〜（ｅ）はこの発明の一実施例による、紫外レ
ーザによる導体パターンの形成方法を工程順に示す説明
図であり、図において、（１）は絶縁層、（２）は感光
剤、（３）は紫外レーザ、（４）は金属酸化物、（５）
はメッキ核、（６）は導体パターンである。
面（ａ）〜（ｅ）はこの発明の一実施例による、紫外レ
ーザによる導体パターンの形成方法を工程順に示す説明
図であり、図において、（１）は絶縁層、（２）は感光
剤、（３）は紫外レーザ、（４）は金属酸化物、（５）
はメッキ核、（６）は導体パターンである。
次にこの発明の一実施例による、紫外レーザによる導
体パターンの形成方法を図面をもとに工程順に説明す
る。図面（ａ）に示すように感光剤（２）を含む絶縁層
（１）に、図面（ｂ）に示すように紫外レーザ（３）を
照射する。紫外レーザ（３）によって絶縁層（１）の表
面層が分解除去され、これと同時に感光剤（２）が露出
して、活性化される。（2a）は感光剤の活性部であり、
還元性を有する。次に、メッキ核溶液処理を施すと、図
面（ｃ）に示すように絶縁層（１）の表面層に付着した
金属酸化物（４）はそのままであるが、活性化された感
光剤（2a）に接触した金属酸化物は感光剤（2a）により
還元されて金属（4a）が析出する。従って洗浄により未
反応の金属酸化物（４）を除去すると、図面（ｄ）に示
すようにメッキ核となる金属（５）が残る。これにメッ
キを施すと、図面（ｅ）に示すようにメッキ核（５）上
にメッキ層が形成され、これが導体パターン（６）とな
る。
体パターンの形成方法を図面をもとに工程順に説明す
る。図面（ａ）に示すように感光剤（２）を含む絶縁層
（１）に、図面（ｂ）に示すように紫外レーザ（３）を
照射する。紫外レーザ（３）によって絶縁層（１）の表
面層が分解除去され、これと同時に感光剤（２）が露出
して、活性化される。（2a）は感光剤の活性部であり、
還元性を有する。次に、メッキ核溶液処理を施すと、図
面（ｃ）に示すように絶縁層（１）の表面層に付着した
金属酸化物（４）はそのままであるが、活性化された感
光剤（2a）に接触した金属酸化物は感光剤（2a）により
還元されて金属（4a）が析出する。従って洗浄により未
反応の金属酸化物（４）を除去すると、図面（ｄ）に示
すようにメッキ核となる金属（５）が残る。これにメッ
キを施すと、図面（ｅ）に示すようにメッキ核（５）上
にメッキ層が形成され、これが導体パターン（６）とな
る。
図面（ａ）の絶縁層（１）は、例えば高分子材料など
の樹脂層である。この感光剤を含む絶縁層である基板材
料について説明する。感光剤をあらかじめ基板材料中に
含有させることによって、紫外レーザに感光する基板材
料を作ることができる。基板材料全体に均一に感光剤が
分散していると、バイアホールを形成したときの側壁部
分のメッキ形成が可能となる。しかし、バイアホールが
ない場合、あるいはバイアホールのメッキが不用の場合
などは、基板材料全体に均一に感光剤を分散させず、基
板に感光剤を含有した樹脂を塗布してもよい。以下、銅
ポリイミド基板の場合のポリイミド樹脂中に感光剤を混
合する方法の一例を具体的に説明する。ポリイミド樹脂
は一般に溶剤に不溶であるため、溶剤に可溶な前駆体で
あるポリアミック酸を用いる。ポリアミック酸に感光剤
で混入して300〜400℃での加熱処理による脱水閉環反応
を行なうことにより、感光剤含むポリイミドが得られ
る。以上ポリイミド樹脂中に感光剤を分散させた場合に
ついて述べたが、これ以外にガラスエポキシ樹脂基板の
エポキシ樹脂中に感光剤を分散することによって、ある
いは感光剤の分散された樹脂を基板にコーティングする
ことによっても顕著な効果が認められる。
の樹脂層である。この感光剤を含む絶縁層である基板材
料について説明する。感光剤をあらかじめ基板材料中に
含有させることによって、紫外レーザに感光する基板材
料を作ることができる。基板材料全体に均一に感光剤が
分散していると、バイアホールを形成したときの側壁部
分のメッキ形成が可能となる。しかし、バイアホールが
ない場合、あるいはバイアホールのメッキが不用の場合
などは、基板材料全体に均一に感光剤を分散させず、基
板に感光剤を含有した樹脂を塗布してもよい。以下、銅
ポリイミド基板の場合のポリイミド樹脂中に感光剤を混
合する方法の一例を具体的に説明する。ポリイミド樹脂
は一般に溶剤に不溶であるため、溶剤に可溶な前駆体で
あるポリアミック酸を用いる。ポリアミック酸に感光剤
で混入して300〜400℃での加熱処理による脱水閉環反応
を行なうことにより、感光剤含むポリイミドが得られ
る。以上ポリイミド樹脂中に感光剤を分散させた場合に
ついて述べたが、これ以外にガラスエポキシ樹脂基板の
エポキシ樹脂中に感光剤を分散することによって、ある
いは感光剤の分散された樹脂を基板にコーティングする
ことによっても顕著な効果が認められる。
次に使用する感光剤について説明する。露光により還
元性を付与される感光剤として、芳香族アゾ化合物（光
分解により還元性フェノール）,Fe2（C2O4）３（光還元
によりFeC2O4）,2,7−アントラキノンジスルホネート
（光還元により水素付化物），メチレンブルー（光還元
により水素付化物），さらにTiO2,ZnOがある。TiO2,ZnO
は紫外線照射により電子（ｅ），正孔（ｈ）対の発生に
より電位勾配が生じ、電子はTiO2,ZnOの内部へ、正孔は
表面へ移動し、電荷分離が起こる。この時、正孔は表面
の陰イオンと再結合して酸素を放出すると同時に深い準
位の還元性トラップが形成される｛詳しくは雑誌（ELEC
TROCHEMICAL SCIENCE AND TECHNOLOGY,Septembir 1794,
1160ページ〜1167ページ）参照｝。従って、金属塩と反
応し、金属が析出すると考えられている。感光剤として
用いられるものは、以上のように感光により還元性を付
与され、金属塩を還元することによって金属を析出させ
るものの他に、感光により感光剤そのものから金属が遊
離し、金属核となるものがある、例えば有機カルボン酸
の金属塩が350nm以下の紫外光により金属を遊離するこ
とは知られており、酒石酸二銀塩、グルタミン酸二銀塩
などの二銀塩を感光剤として用い、直接的にメッキ核を
形成することができる。このような二銀塩のみでは感度
不足のため、ZnOを組み合わせることによって増感させ
ることも可能である。種々の増感剤について検討した結
果、TiO2,ZnOを用いた場合が効果的であった。この発明
の一実施例として、基板が銅ポリイミド基板の場合につ
いて以下に述べる。
元性を付与される感光剤として、芳香族アゾ化合物（光
分解により還元性フェノール）,Fe2（C2O4）３（光還元
によりFeC2O4）,2,7−アントラキノンジスルホネート
（光還元により水素付化物），メチレンブルー（光還元
により水素付化物），さらにTiO2,ZnOがある。TiO2,ZnO
は紫外線照射により電子（ｅ），正孔（ｈ）対の発生に
より電位勾配が生じ、電子はTiO2,ZnOの内部へ、正孔は
表面へ移動し、電荷分離が起こる。この時、正孔は表面
の陰イオンと再結合して酸素を放出すると同時に深い準
位の還元性トラップが形成される｛詳しくは雑誌（ELEC
TROCHEMICAL SCIENCE AND TECHNOLOGY,Septembir 1794,
1160ページ〜1167ページ）参照｝。従って、金属塩と反
応し、金属が析出すると考えられている。感光剤として
用いられるものは、以上のように感光により還元性を付
与され、金属塩を還元することによって金属を析出させ
るものの他に、感光により感光剤そのものから金属が遊
離し、金属核となるものがある、例えば有機カルボン酸
の金属塩が350nm以下の紫外光により金属を遊離するこ
とは知られており、酒石酸二銀塩、グルタミン酸二銀塩
などの二銀塩を感光剤として用い、直接的にメッキ核を
形成することができる。このような二銀塩のみでは感度
不足のため、ZnOを組み合わせることによって増感させ
ることも可能である。種々の増感剤について検討した結
果、TiO2,ZnOを用いた場合が効果的であった。この発明
の一実施例として、基板が銅ポリイミド基板の場合につ
いて以下に述べる。
ポリイミド樹脂中にTiO2を次に示す条件で混合する。
使用するTiO2の粒径としては0.01〜５μｍの範囲のもの
を用いる。５μｍ以上の粒径のものを用いると、光の透
過性が損なわれるため、感度が低下する。また、0.01μ
ｍ以下のものを用いると、樹脂へのTiO2の混合時に樹脂
の増粘が著しくなり、樹脂の調整並びに基板への塗布が
不可能になる。好ましくは0.02〜0.2μｍの粒径のもの
を用いるとよい。TiO2樹脂への添加量は0.1〜60重量％
の範囲が好ましい。0.1重量％以下の添加量では充分な
メッキ核形成がなされない。60重量％以上になると樹脂
粘度の増粘が著しくなり、基板への均一な塗布が困難に
なるばかりでなく、樹脂中のTiO2の充填率か高くなるこ
とにより、ポリイミド樹脂の絶縁特性が損なわれる。
使用するTiO2の粒径としては0.01〜５μｍの範囲のもの
を用いる。５μｍ以上の粒径のものを用いると、光の透
過性が損なわれるため、感度が低下する。また、0.01μ
ｍ以下のものを用いると、樹脂へのTiO2の混合時に樹脂
の増粘が著しくなり、樹脂の調整並びに基板への塗布が
不可能になる。好ましくは0.02〜0.2μｍの粒径のもの
を用いるとよい。TiO2樹脂への添加量は0.1〜60重量％
の範囲が好ましい。0.1重量％以下の添加量では充分な
メッキ核形成がなされない。60重量％以上になると樹脂
粘度の増粘が著しくなり、基板への均一な塗布が困難に
なるばかりでなく、樹脂中のTiO2の充填率か高くなるこ
とにより、ポリイミド樹脂の絶縁特性が損なわれる。
次に紫外レーザについて説明する。最近、高輝度の紫
外線を照射することのできるレーザの進歩が著しく、例
えばガスの組み合わせで種々の波長の紫外線を発光する
エキシマレーザあるいはYAGレーザの第４高調波を利用
すれば、容易に高輝度の紫外線を取り出すことができる
ようになってきた。例えばArFガスを用いたエキシマレ
ーザの193nmの紫外線、あるいはKrFガスを用いたエキシ
マレーザの249nmの紫外線を高分子材料に照射すると、
閾値以上になると高分子材料が順次に分解除去されるこ
とが見出されている。光化学反応により高分子鎖の切断
が生じ、低分子量化にともない、炭酸ガスや一酸化炭素
となり蒸発分解するものと考えられる。高分子材料の分
解除去の方法として、CO2レーザ等の赤外レーザを利用
することもできるが、この方法は局部加熱により分解除
去するために、エキシマレーザのように表面層のみの反
応ではなく、内部に熱が伝達されるため、分解除去部分
のシャープなパターンが得られず、さらに、煤発生も多
く見られる。この点、紫外レーザを用いると、表面層で
の反応により分解除去が進むため、分解除去部分のパタ
ーンが非常にシャープになる。従って、シャープなパタ
ーンで基板表面の粗面化、さらに除去加工が行なわれ
る。また、基板中はメッキ層を形成するための核となる
感光剤を含んでおり、この感光剤は樹脂層によって被わ
れている。このため、このままで紫外線を照射すると樹
脂層によって照射光が吸収され、感光が抑制される。さ
らに、感光剤のメッキ核溶液との接触が妨げられ、メッ
キ核の形成が損なわれる。そこであらかじめ基板を研摩
することにより、表面を粗面化すると共に、感光剤を露
出させる必要がある。高輝度の紫外レーザを使用するこ
とによって、基板の樹脂層の除去加工と基板中の感光剤
の露光を同時に成し遂げることができる。使用できるレ
ーザは、例えばF2（157nm）,ArF（193nm）,KrCl（222n
m）,KrF（249nm）,ClF（284nm）,XeCl（308nm）,XeF（3
51nm）などのエキシマレーザおよびYAGレーザの第４高
調波（265nm）がある。
外線を照射することのできるレーザの進歩が著しく、例
えばガスの組み合わせで種々の波長の紫外線を発光する
エキシマレーザあるいはYAGレーザの第４高調波を利用
すれば、容易に高輝度の紫外線を取り出すことができる
ようになってきた。例えばArFガスを用いたエキシマレ
ーザの193nmの紫外線、あるいはKrFガスを用いたエキシ
マレーザの249nmの紫外線を高分子材料に照射すると、
閾値以上になると高分子材料が順次に分解除去されるこ
とが見出されている。光化学反応により高分子鎖の切断
が生じ、低分子量化にともない、炭酸ガスや一酸化炭素
となり蒸発分解するものと考えられる。高分子材料の分
解除去の方法として、CO2レーザ等の赤外レーザを利用
することもできるが、この方法は局部加熱により分解除
去するために、エキシマレーザのように表面層のみの反
応ではなく、内部に熱が伝達されるため、分解除去部分
のシャープなパターンが得られず、さらに、煤発生も多
く見られる。この点、紫外レーザを用いると、表面層で
の反応により分解除去が進むため、分解除去部分のパタ
ーンが非常にシャープになる。従って、シャープなパタ
ーンで基板表面の粗面化、さらに除去加工が行なわれ
る。また、基板中はメッキ層を形成するための核となる
感光剤を含んでおり、この感光剤は樹脂層によって被わ
れている。このため、このままで紫外線を照射すると樹
脂層によって照射光が吸収され、感光が抑制される。さ
らに、感光剤のメッキ核溶液との接触が妨げられ、メッ
キ核の形成が損なわれる。そこであらかじめ基板を研摩
することにより、表面を粗面化すると共に、感光剤を露
出させる必要がある。高輝度の紫外レーザを使用するこ
とによって、基板の樹脂層の除去加工と基板中の感光剤
の露光を同時に成し遂げることができる。使用できるレ
ーザは、例えばF2（157nm）,ArF（193nm）,KrCl（222n
m）,KrF（249nm）,ClF（284nm）,XeCl（308nm）,XeF（3
51nm）などのエキシマレーザおよびYAGレーザの第４高
調波（265nm）がある。
従って、TiO2（２）を含むポリイミド樹脂（１）にAr
FあるいはKrFのエキシマレーザを用い、193nmあるいは2
49nmの紫外線（３）を照射することによって、ポリイミ
ド樹脂を分解除去し、TiO2（2a）を露出させると同時に
還元性を付与させることができる（図面（ｂ））。これ
に金属塩（４）を塗布すると、ポリイミドの露光された
部分に接触した金属塩（4a）のみが還元され、この部分
にメッキ核となる金属（５）が析出する（図面
（ｃ））。金属塩として例えばPdCl2,AgCl,H2PtCl6を用
いた場合、析出する金属はそれぞれPd,Ag,Ptである。次
に洗浄して未露光部分の未反応金属塩を除去し（図面
（ｄ））、無電解銅メッキ液に浸漬するとメッキ層
（６）が形成される（図面（ｅ））。また、ポリイミド
層にバイアホール形成が必要な場合には、エキシマレー
ザの出力を上げることによって、容易にバイアホールが
形成できる。バイアホール形成と同時にバイアホール壁
面ではTiO2が露出され、露光により還元性が付与される
ため、バイアホール形成とメッキ核形成を同時に行なう
ことができ、銅ポリイミド基板の製造プロセスを非常に
簡略化できる結果となった。
FあるいはKrFのエキシマレーザを用い、193nmあるいは2
49nmの紫外線（３）を照射することによって、ポリイミ
ド樹脂を分解除去し、TiO2（2a）を露出させると同時に
還元性を付与させることができる（図面（ｂ））。これ
に金属塩（４）を塗布すると、ポリイミドの露光された
部分に接触した金属塩（4a）のみが還元され、この部分
にメッキ核となる金属（５）が析出する（図面
（ｃ））。金属塩として例えばPdCl2,AgCl,H2PtCl6を用
いた場合、析出する金属はそれぞれPd,Ag,Ptである。次
に洗浄して未露光部分の未反応金属塩を除去し（図面
（ｄ））、無電解銅メッキ液に浸漬するとメッキ層
（６）が形成される（図面（ｅ））。また、ポリイミド
層にバイアホール形成が必要な場合には、エキシマレー
ザの出力を上げることによって、容易にバイアホールが
形成できる。バイアホール形成と同時にバイアホール壁
面ではTiO2が露出され、露光により還元性が付与される
ため、バイアホール形成とメッキ核形成を同時に行なう
ことができ、銅ポリイミド基板の製造プロセスを非常に
簡略化できる結果となった。
以上、絶縁層が銅ポリイミド基板の場合について述べ
たが、これに限るものではなく、例えば通常のガラスエ
ポキシ基板においても同様に、エポキシ樹脂中にTiO2を
分散させることによって可能である。
たが、これに限るものではなく、例えば通常のガラスエ
ポキシ基板においても同様に、エポキシ樹脂中にTiO2を
分散させることによって可能である。
また、基板材料中にTiO2などの感光剤を分散させず、
絶縁層の表面に感光剤を塗布等によって形成する場合に
おいては、樹脂中に感光剤を分散際させて塗布用樹脂を
形成し、この塗布用樹脂を絶縁層に塗布すればよい。
絶縁層の表面に感光剤を塗布等によって形成する場合に
おいては、樹脂中に感光剤を分散際させて塗布用樹脂を
形成し、この塗布用樹脂を絶縁層に塗布すればよい。
また、図面（ｅ）におけるメッキは無電解メッキに限
らず、電解メッキでも同様の効果がある。
らず、電解メッキでも同様の効果がある。
以上の方法により導体パターンを形成したプリント配
線板は、工程の簡略化にともなう低コスト化が期待でき
るばかりでなく、導体金属と基板との密着力も優れ、信
頼性の高いものであることが分かった。以下にその効果
について具体的に実施例をあげて説明する。
線板は、工程の簡略化にともなう低コスト化が期待でき
るばかりでなく、導体金属と基板との密着力も優れ、信
頼性の高いものであることが分かった。以下にその効果
について具体的に実施例をあげて説明する。
（実施例１） 市販ポリイミド樹脂（デュポン社製パイラリンPI−25
55）100g中に平均粒径0.1μｍのTiO25gを十分に分散さ
せたものをアルミナ基板に膜厚10μｍとなるように調節
しながら塗布する。はじめに135℃で20分の予備加熱を
行ない、さらに300℃で90分の加熱により完全効果を行
なう。ポリイミド表面に塩化パラジウム（PdCl2）溶液
を塗布し、乾燥後、マスクを介してレーザを照射する。
エキシマレーザ（三菱電機製MEX−40U）を用いてArFの1
93nmの紫外光をポリイミド樹脂の表面に照射することに
よって導体パターンを形成する。ポリイミド表面に2J/c
m2パルスエネルギーのレーザ光を20パルス照射する。照
射した後、直ちに錯化剤で過剰の塩化パラジウムを洗い
流す。この基板を無電解メッキ液（シュプレー社カッパ
ーミックス328）に浸し、薄い銅メッキ層を形成させ
る。次にパネル電解メッキによって一次銅を成長させ
て、金属メッキ層を10μｍの厚さに仕上げる。以上のよ
うにして銅ポリイミド基板を形成した。また、バイアホ
ール部分のメッキが必要な場合は、レーザ光を50パルス
照射すると、瞬時のうちに10μｍの厚さのポリイミドが
分解除去されて、クリーンな穴が形成される。この穴に
塩化パラジウンム溶液を塗布し、乾燥させるとメッキ核
となるパラジウムが析出する。これを無電解メッキ液に
浸漬するとバイアホール側壁にメッキ層が形成される。
このようにして形成されたメッキ層の特性を評価するた
めに、1cm幅のメッキ銅のピーリング試験を行ない銅メ
ッキ層とポリイミド層間の密着力を比較した。比較例と
して、ポリイミド樹脂層をサンドペーパーでこすった後
Pd溶液で処理し、無電解メッキ液に浸漬し、さらにその
後電解メッキにより成長させたメッキ層（比較例１）、
および上記のTiO2の入ったポリイミド層に高圧水銀ラン
プによる紫外線を照射することによってメッキ核を形成
させて成長させたメッキ層（比較例２）を挙げる。この
実施例１、比較例１、および比較例２における引き剥し
強さ（Kg/lcm幅）を表１に示す。
55）100g中に平均粒径0.1μｍのTiO25gを十分に分散さ
せたものをアルミナ基板に膜厚10μｍとなるように調節
しながら塗布する。はじめに135℃で20分の予備加熱を
行ない、さらに300℃で90分の加熱により完全効果を行
なう。ポリイミド表面に塩化パラジウム（PdCl2）溶液
を塗布し、乾燥後、マスクを介してレーザを照射する。
エキシマレーザ（三菱電機製MEX−40U）を用いてArFの1
93nmの紫外光をポリイミド樹脂の表面に照射することに
よって導体パターンを形成する。ポリイミド表面に2J/c
m2パルスエネルギーのレーザ光を20パルス照射する。照
射した後、直ちに錯化剤で過剰の塩化パラジウムを洗い
流す。この基板を無電解メッキ液（シュプレー社カッパ
ーミックス328）に浸し、薄い銅メッキ層を形成させ
る。次にパネル電解メッキによって一次銅を成長させ
て、金属メッキ層を10μｍの厚さに仕上げる。以上のよ
うにして銅ポリイミド基板を形成した。また、バイアホ
ール部分のメッキが必要な場合は、レーザ光を50パルス
照射すると、瞬時のうちに10μｍの厚さのポリイミドが
分解除去されて、クリーンな穴が形成される。この穴に
塩化パラジウンム溶液を塗布し、乾燥させるとメッキ核
となるパラジウムが析出する。これを無電解メッキ液に
浸漬するとバイアホール側壁にメッキ層が形成される。
このようにして形成されたメッキ層の特性を評価するた
めに、1cm幅のメッキ銅のピーリング試験を行ない銅メ
ッキ層とポリイミド層間の密着力を比較した。比較例と
して、ポリイミド樹脂層をサンドペーパーでこすった後
Pd溶液で処理し、無電解メッキ液に浸漬し、さらにその
後電解メッキにより成長させたメッキ層（比較例１）、
および上記のTiO2の入ったポリイミド層に高圧水銀ラン
プによる紫外線を照射することによってメッキ核を形成
させて成長させたメッキ層（比較例２）を挙げる。この
実施例１、比較例１、および比較例２における引き剥し
強さ（Kg/lcm幅）を表１に示す。
（実施例２） 市販ポリイミド樹脂（デュポン社製パイラリンPI−25
55）100g中に平均粒径0.5μｍのグルタミン酸二銀塩20g
を充分に分散させたものをアルミナ基板に膜厚10μｍと
なるように調節しながら塗布する。はじめに135℃で20
分の予備加熱を行ない、さらに300℃で90分の加熱によ
り完全硬化を行なう。エキシマレーザ（三菱電機製MEX
−40U）を用いてArFの193nmの紫外光をポリイミド樹脂
の表面に照射する。ポリイミド樹脂表面は表層を分解除
去されると同時に表面に銀が析出してメッキ核が形成さ
れる。この基板を無電解メッキ液（シュプレー社カッパ
ーミックス328）に浸すと、レーザ照射部分に薄い銅メ
ッキ層が形成される。次にバネ電解メッキによって一次
銅を成長させて、金属メッキ層を10μｍの厚さに仕上げ
る。なお、2J/cm2のパルスエネルギーのレーザを20パル
ス照射した。以上のようにして銅ポリイミド基板を形成
し、メッキ層の特性を評価するために、1cm幅のメッキ
銅のピーリング試験を行なうことによって銅メッキ層と
ポリイミド層間の密着力比較した。比較例として、ポリ
イミド樹脂層をサンドペーパーでこすり、Pd溶液で処理
後、無電解メッキ液に浸漬し、さらにその後電解メッキ
により成長させたメッキ層（比較例１）、および上記の
ポリイミド層に高圧水銀ランプによる紫外線を照射する
ことによって、メッキ核を形成させて成長させたメッキ
層（比較例３）を挙げる。この実施例２、比較例１、お
よび比較例３における引き剥し強さ（Kg/lcm幅）を表２
に示す。
55）100g中に平均粒径0.5μｍのグルタミン酸二銀塩20g
を充分に分散させたものをアルミナ基板に膜厚10μｍと
なるように調節しながら塗布する。はじめに135℃で20
分の予備加熱を行ない、さらに300℃で90分の加熱によ
り完全硬化を行なう。エキシマレーザ（三菱電機製MEX
−40U）を用いてArFの193nmの紫外光をポリイミド樹脂
の表面に照射する。ポリイミド樹脂表面は表層を分解除
去されると同時に表面に銀が析出してメッキ核が形成さ
れる。この基板を無電解メッキ液（シュプレー社カッパ
ーミックス328）に浸すと、レーザ照射部分に薄い銅メ
ッキ層が形成される。次にバネ電解メッキによって一次
銅を成長させて、金属メッキ層を10μｍの厚さに仕上げ
る。なお、2J/cm2のパルスエネルギーのレーザを20パル
ス照射した。以上のようにして銅ポリイミド基板を形成
し、メッキ層の特性を評価するために、1cm幅のメッキ
銅のピーリング試験を行なうことによって銅メッキ層と
ポリイミド層間の密着力比較した。比較例として、ポリ
イミド樹脂層をサンドペーパーでこすり、Pd溶液で処理
後、無電解メッキ液に浸漬し、さらにその後電解メッキ
により成長させたメッキ層（比較例１）、および上記の
ポリイミド層に高圧水銀ランプによる紫外線を照射する
ことによって、メッキ核を形成させて成長させたメッキ
層（比較例３）を挙げる。この実施例２、比較例１、お
よび比較例３における引き剥し強さ（Kg/lcm幅）を表２
に示す。
以上のように、実施例1,2のどちらにおいてもその効
果は明らかであった。
果は明らかであった。
［発明の効果］ 以上のように、この発明によれば、感光剤を含む絶縁
層に紫外レーザを照射し、絶縁層を分解除去すると共に
感光剤を活性化する工程、感光剤の活性部にメッキ核を
形成する工程、メッキ核形成部をメッキして導体パター
ンとする工程を施すことにより、複雑なリソグラフィ工
程を省略でき、その製造工程を大幅に簡略化できる。さ
らに、レーザによる分解除去作用を利用するため、導体
パターンの付着力が増強され、信頼性の高い導体パター
ンを形成できる紫外レーザによる導体パターンの形成方
法が得られる効果がある。
層に紫外レーザを照射し、絶縁層を分解除去すると共に
感光剤を活性化する工程、感光剤の活性部にメッキ核を
形成する工程、メッキ核形成部をメッキして導体パター
ンとする工程を施すことにより、複雑なリソグラフィ工
程を省略でき、その製造工程を大幅に簡略化できる。さ
らに、レーザによる分解除去作用を利用するため、導体
パターンの付着力が増強され、信頼性の高い導体パター
ンを形成できる紫外レーザによる導体パターンの形成方
法が得られる効果がある。
第１図（ａ）〜（ｅ）はこの発明の一実施例による紫外
レーザによる導体パターンの形成方法を工程順に示す説
明図である。 （１）……絶縁層、（２）……感光剤、（３）……紫外
レーザ、（４）……金属酸化物、（５）……メッキ核、
（６）……導体パターン。
レーザによる導体パターンの形成方法を工程順に示す説
明図である。 （１）……絶縁層、（２）……感光剤、（３）……紫外
レーザ、（４）……金属酸化物、（５）……メッキ核、
（６）……導体パターン。
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 高浜 亨 兵庫県尼崎市塚口本町８丁目１番１号 三 菱電機株式会社生産技術研究所内 (72)発明者 大峯 恩 兵庫県尼崎市塚口本町８丁目１番１号 三 菱電機株式会社生産技術研究所内 (56)参考文献 特開 昭54−108265（ＪＰ，Ａ) 特開 昭61−143580（ＪＰ，Ａ)
Claims (1)
- 【請求項１】感光剤を含む絶縁層に紫外レーザを照射
し、上記絶縁層を分解除去すると共に上記感光剤を活性
化する工程、上記感光剤の活性部にメッキ核を形成する
工程、上記メッキ核形成部をメッキして導体パターンと
する工程を施す紫外レーザによる導体パターンの形成方
法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP11175688A JPH0810786B2 (ja) | 1988-05-09 | 1988-05-09 | 紫外レーザによる導体パターンの形成方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP11175688A JPH0810786B2 (ja) | 1988-05-09 | 1988-05-09 | 紫外レーザによる導体パターンの形成方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH01281792A JPH01281792A (ja) | 1989-11-13 |
| JPH0810786B2 true JPH0810786B2 (ja) | 1996-01-31 |
Family
ID=14569391
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP11175688A Expired - Fee Related JPH0810786B2 (ja) | 1988-05-09 | 1988-05-09 | 紫外レーザによる導体パターンの形成方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0810786B2 (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2007079156A2 (en) * | 2005-12-30 | 2007-07-12 | E. I. Du Pont De Nemours And Company | Substrates for electronic circuitry type applications |
Families Citing this family (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| DE10016132A1 (de) | 2000-03-31 | 2001-10-18 | Infineon Technologies Ag | Elektronisches Bauelement mit flexiblen Kontaktierungsstellen und Verfahren zu dessen Herstellung |
| GB0212632D0 (en) * | 2002-05-31 | 2002-07-10 | Shipley Co Llc | Laser-activated dielectric material and method for using the same in an electroless deposition process |
-
1988
- 1988-05-09 JP JP11175688A patent/JPH0810786B2/ja not_active Expired - Fee Related
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2007079156A2 (en) * | 2005-12-30 | 2007-07-12 | E. I. Du Pont De Nemours And Company | Substrates for electronic circuitry type applications |
| WO2007079156A3 (en) * | 2005-12-30 | 2007-09-27 | Du Pont | Substrates for electronic circuitry type applications |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH01281792A (ja) | 1989-11-13 |
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |