JPH07211460A - 電界発光素子の製造方法 - Google Patents
電界発光素子の製造方法Info
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- JPH07211460A JPH07211460A JP6308807A JP30880794A JPH07211460A JP H07211460 A JPH07211460 A JP H07211460A JP 6308807 A JP6308807 A JP 6308807A JP 30880794 A JP30880794 A JP 30880794A JP H07211460 A JPH07211460 A JP H07211460A
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Classifications
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- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L33/00—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
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- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
- C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
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- C23C14/22—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material characterised by the process of coating
- C23C14/34—Sputtering
-
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-
- H—ELECTRICITY
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Abstract
(57)【要約】
【目的】 透明な下部電極の黒化現象を防止し、良質の
電界発光素子を得る電界発光素子の製造方法を提供す
る。 【構成】 基板２１上に所定パターンの下部電極２２を
形成する段階と、該下部電極２２を制限器に連結して接
地させた状態で該下部電極２２および基板２１上に第１
絶縁膜２３を形成する段階と、該第１絶縁膜２３上に発
光層２４を形成する段階と、該発光層２４上に第２絶縁
膜２５を形成する段階と、該第２絶縁膜２５上に所定パ
ターンの上部電極２６を形成する段階と、を順次行な
う。
電界発光素子を得る電界発光素子の製造方法を提供す
る。 【構成】 基板２１上に所定パターンの下部電極２２を
形成する段階と、該下部電極２２を制限器に連結して接
地させた状態で該下部電極２２および基板２１上に第１
絶縁膜２３を形成する段階と、該第１絶縁膜２３上に発
光層２４を形成する段階と、該発光層２４上に第２絶縁
膜２５を形成する段階と、該第２絶縁膜２５上に所定パ
ターンの上部電極２６を形成する段階と、を順次行な
う。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、電界発光素子（Electr
oluminescence Device）の製造方法に関するものであ
り、詳しくは、透明な下部電極に制限器（Limitator ）
を連結し、該下部電極表面上に強誘電体（Ferroelectri
cs）の絶縁膜を蒸着して、該下部電極の黒化（Barkenin
g ）減少を防止し得る、電界発光素子の製造方法に関す
るものである。
oluminescence Device）の製造方法に関するものであ
り、詳しくは、透明な下部電極に制限器（Limitator ）
を連結し、該下部電極表面上に強誘電体（Ferroelectri
cs）の絶縁膜を蒸着して、該下部電極の黒化（Barkenin
g ）減少を防止し得る、電界発光素子の製造方法に関す
るものである。
【０００２】
【従来の技術】一般に、電子管（Cathode Ray Tube：Ｃ
ＲＴ）が情報表示素子として用いられているが、近来、
該情報表示素子を軽量化、固体化および平面化させて次
の世代の情報表示素子を得るため、電界発光素子（Elec
troluminescence Device）、ＬＣＤ（Liquid Crystal D
isplay）、ＬＥＤ（Light Emitting Dicode ）、ＰＤＰ
（Plasma Display Panel）に対する研究が活発に行なわ
れている。そして、これら情報表示素子の中で、前記電
界発光素子は、高電気場で発生したエネルギ性電子と、
発光中心との相互作用により能動的に光を発生する固定
表示素子であって、表示面積が大きく、輝度、色対比お
よび視野等が優秀であるので、その適用性が広く認めら
れている。
ＲＴ）が情報表示素子として用いられているが、近来、
該情報表示素子を軽量化、固体化および平面化させて次
の世代の情報表示素子を得るため、電界発光素子（Elec
troluminescence Device）、ＬＣＤ（Liquid Crystal D
isplay）、ＬＥＤ（Light Emitting Dicode ）、ＰＤＰ
（Plasma Display Panel）に対する研究が活発に行なわ
れている。そして、これら情報表示素子の中で、前記電
界発光素子は、高電気場で発生したエネルギ性電子と、
発光中心との相互作用により能動的に光を発生する固定
表示素子であって、表示面積が大きく、輝度、色対比お
よび視野等が優秀であるので、その適用性が広く認めら
れている。
【０００３】ところが、現在ＺｎＳを母体とする電界発
光素子は、実用面において十分な黄橙色および緑色の輝
度を有するが、赤色および青色の輝度は十分に有してい
ないので、ＺｎＳの代わりにＣａＳまたはＳｒＳを母体
とし高輝度で多色化を実現し得る電界発光素子の研究が
行なわれている。
光素子は、実用面において十分な黄橙色および緑色の輝
度を有するが、赤色および青色の輝度は十分に有してい
ないので、ＺｎＳの代わりにＣａＳまたはＳｒＳを母体
とし高輝度で多色化を実現し得る電界発光素子の研究が
行なわれている。
【０００４】かつ、アルカリ土類（Alkali Earth）の母
体に、二重の発光中心を添加した白色光電界発光素子に
関する研究が行なわれており、該白色光電界発光素子は
単色表示素子として適用され、フィルタにより三原色発
光を制御し得るので、注目されている。
体に、二重の発光中心を添加した白色光電界発光素子に
関する研究が行なわれており、該白色光電界発光素子は
単色表示素子として適用され、フィルタにより三原色発
光を制御し得るので、注目されている。
【０００５】また、従来の電界発光素子においては、図
５に示したように、基板１と、該基板１上に成層された
所定パターンの透明な下部電極２と、該下部電極２の形
成された基板１上に蒸着された第１絶縁膜３と、該第１
絶縁膜３上に蒸着された発光層４と、該発光層４上に蒸
着された第２絶縁膜５と、該第２絶縁膜５上に蒸着され
た所定パターンに形成された上部電極６と、を備えてい
た。
５に示したように、基板１と、該基板１上に成層された
所定パターンの透明な下部電極２と、該下部電極２の形
成された基板１上に蒸着された第１絶縁膜３と、該第１
絶縁膜３上に蒸着された発光層４と、該発光層４上に蒸
着された第２絶縁膜５と、該第２絶縁膜５上に蒸着され
た所定パターンに形成された上部電極６と、を備えてい
た。
【０００６】そして、このような従来の電界発光素子の
製造方法を説明すると、次のようであった。
製造方法を説明すると、次のようであった。
【０００７】すなわち、たとえば、ガラス製の基板１上
に、ＩＴＯが２０００Å程度の厚さに蒸着された後、写
真食刻法により所定パターンの透明なＩＴＯ下部電極２
が形成される。次いで、該下部電極２の形成された基板
１上に、第１絶縁膜３として、たとえば、Ｙ2 Ｏ3 、Ｓ
ｉ3 Ｎ4 、Ｔａ2 Ｏ5 、ＳｉＯ2 、ＳｉＯＮ、ＳｒＴｉ
Ｏ3 、ＢａＴｉＯ3 、ＰＬＺＴ、ＰｂＴｉＯ3 の中の１
つの成分が、３０００Å〜５０００Å程度の厚さにスパ
ッタリング（Sputtering）により蒸着される。
に、ＩＴＯが２０００Å程度の厚さに蒸着された後、写
真食刻法により所定パターンの透明なＩＴＯ下部電極２
が形成される。次いで、該下部電極２の形成された基板
１上に、第１絶縁膜３として、たとえば、Ｙ2 Ｏ3 、Ｓ
ｉ3 Ｎ4 、Ｔａ2 Ｏ5 、ＳｉＯ2 、ＳｉＯＮ、ＳｒＴｉ
Ｏ3 、ＢａＴｉＯ3 、ＰＬＺＴ、ＰｂＴｉＯ3 の中の１
つの成分が、３０００Å〜５０００Å程度の厚さにスパ
ッタリング（Sputtering）により蒸着される。
【０００８】この場合、図６に示したように、スパッタ
リング装置の真空チャンバ１１内部上方側には基板ホル
ダ（holder）１２が垂下され、該真空チャンバ１１内部
底面上にはスパッタリングターゲット１３を有するター
ゲットホルダ１４が設置され、前記基板ホルダ１２下面
に下部電極２の形成された基板１下面が設置される。次
いで、該真空チャンバ１１内部に、プロセスガス（Proc
ess Gas ）のＡｒと反応ガス（Reactive Gas）のＯ2 、
Ｎ2 とをそれぞれ注入し、それら基板１とスパッタリン
グターゲット１３とに外部から電源を印加すると、前記
反応ガスのプラズマ（plasma）が発生し、前記下部電極
２および基板１上に第１絶縁膜３が蒸着される。その
後、電子ビーム蒸着法（Electron-Beam Evaporation ）
またはスパッタリング法（Sputtering）により、該第１
絶縁膜３上にＳｎＳ、ＳｒＳ、ＣａＳ系の発光層４を６
０００〜１００００Å程度の厚さに蒸着し、該発光層４
上に前記第１絶縁膜３と同様な材質の第２絶縁膜５を、
３０００〜５０００Å程度の厚さに蒸着する。次いで、
該第２絶縁膜５上にアルミニウム系の金属を２０００Å
程度の厚さに蒸着し、写真食刻法により所定パターンの
上部電極６を形成する。
リング装置の真空チャンバ１１内部上方側には基板ホル
ダ（holder）１２が垂下され、該真空チャンバ１１内部
底面上にはスパッタリングターゲット１３を有するター
ゲットホルダ１４が設置され、前記基板ホルダ１２下面
に下部電極２の形成された基板１下面が設置される。次
いで、該真空チャンバ１１内部に、プロセスガス（Proc
ess Gas ）のＡｒと反応ガス（Reactive Gas）のＯ2 、
Ｎ2 とをそれぞれ注入し、それら基板１とスパッタリン
グターゲット１３とに外部から電源を印加すると、前記
反応ガスのプラズマ（plasma）が発生し、前記下部電極
２および基板１上に第１絶縁膜３が蒸着される。その
後、電子ビーム蒸着法（Electron-Beam Evaporation ）
またはスパッタリング法（Sputtering）により、該第１
絶縁膜３上にＳｎＳ、ＳｒＳ、ＣａＳ系の発光層４を６
０００〜１００００Å程度の厚さに蒸着し、該発光層４
上に前記第１絶縁膜３と同様な材質の第２絶縁膜５を、
３０００〜５０００Å程度の厚さに蒸着する。次いで、
該第２絶縁膜５上にアルミニウム系の金属を２０００Å
程度の厚さに蒸着し、写真食刻法により所定パターンの
上部電極６を形成する。
【０００９】そして、このような従来の電界発光素子に
おいては、下部電極２と上部電極６とに、約１ＭＶ／ｃ
ｍ以上の高電界が発生されるように交流電圧を印加する
と、第１絶縁膜３と発光層４間および発光層４と第２絶
縁膜５間の界面状態（Interface State ）にいた電子
（Electron）が、該発生層４の伝導帯（Cunduction Ban
d ）にトンネリング（Tunneling ）され、該発光層４の
高電界によりエネルギ性電子（Hot Electron）に加速さ
れる。次いで、該加速された電子は、発光層４の母体Ｚ
ｎＳ内にドーピングされた発光中心のＭｎ2+に衝突（Im
pact）して励起（Exictation）され、該母体をイオン化
させて正孔（Hole）と結合し、電子−ホール対（Electr
on-Hole Pair）を作る。
おいては、下部電極２と上部電極６とに、約１ＭＶ／ｃ
ｍ以上の高電界が発生されるように交流電圧を印加する
と、第１絶縁膜３と発光層４間および発光層４と第２絶
縁膜５間の界面状態（Interface State ）にいた電子
（Electron）が、該発生層４の伝導帯（Cunduction Ban
d ）にトンネリング（Tunneling ）され、該発光層４の
高電界によりエネルギ性電子（Hot Electron）に加速さ
れる。次いで、該加速された電子は、発光層４の母体Ｚ
ｎＳ内にドーピングされた発光中心のＭｎ2+に衝突（Im
pact）して励起（Exictation）され、該母体をイオン化
させて正孔（Hole）と結合し、電子−ホール対（Electr
on-Hole Pair）を作る。
【００１０】一方、エネルギ性電子（Hot Electron）に
より伝導帯で励起された電子は再び価電子帯（Valence
Band）に落下するが、この場合、該価電子帯に落下する
エネルギ差に該当する量だけの光が発光層４から放出さ
れ、該放出光は基板１を経て電界発光素子の外部に放出
される。
より伝導帯で励起された電子は再び価電子帯（Valence
Band）に落下するが、この場合、該価電子帯に落下する
エネルギ差に該当する量だけの光が発光層４から放出さ
れ、該放出光は基板１を経て電界発光素子の外部に放出
される。
【００１１】
【発明が解決しようとする課題】しかるに、このような
従来の電界発光素子の製造方法においては、強誘電体
（Ferroelectrics）であるＳｒＴｉＯ3 、ＢａＴｉ
Ｏ3 、ＰＬＺＴ、ＰＢＴｉＯ3の中の１つが第１絶縁膜
３として蒸着される場合、該蒸着される第１絶縁膜３表
面に電位（electric potential）が発生するが、該電位
が透明な下部電極２を黒化（darkening ）させるので、
基板を経て外部に放出される光の量が少なくなって発光
素子の質が低下されるという不都合な点があった。
従来の電界発光素子の製造方法においては、強誘電体
（Ferroelectrics）であるＳｒＴｉＯ3 、ＢａＴｉ
Ｏ3 、ＰＬＺＴ、ＰＢＴｉＯ3の中の１つが第１絶縁膜
３として蒸着される場合、該蒸着される第１絶縁膜３表
面に電位（electric potential）が発生するが、該電位
が透明な下部電極２を黒化（darkening ）させるので、
基板を経て外部に放出される光の量が少なくなって発光
素子の質が低下されるという不都合な点があった。
【００１２】本発明の目的は、上述の問題を解決し、基
板上に透明な下部電極を制限器に連結させた状態で蒸着
させ、該下部電極の黒化（darkening ）現象発生を防止
し、良質の電界発光素子製造方法を提供しようとするも
のである。
板上に透明な下部電極を制限器に連結させた状態で蒸着
させ、該下部電極の黒化（darkening ）現象発生を防止
し、良質の電界発光素子製造方法を提供しようとするも
のである。
【００１３】
【課題を解決するための手段】この発明による電界発光
素子の製造方法は、基板上に所定パターンの下部電極を
形成する段階と、該下部電極を接地させた状態で該下部
電極および基板上に第１絶縁膜を形成する段階と、該第
１絶縁膜上に発光層を形成する段階と、該発光層上に第
２絶縁膜を形成する段階と、該第２絶縁膜上に所定パタ
ーンの上部電極を形成する段階と、を順次行なうもので
ある。
素子の製造方法は、基板上に所定パターンの下部電極を
形成する段階と、該下部電極を接地させた状態で該下部
電極および基板上に第１絶縁膜を形成する段階と、該第
１絶縁膜上に発光層を形成する段階と、該発光層上に第
２絶縁膜を形成する段階と、該第２絶縁膜上に所定パタ
ーンの上部電極を形成する段階と、を順次行なうもので
ある。
【００１４】好ましくは、第１絶縁膜は、下部電極が制
限器に連結され接地された状態で、スパッタリングによ
り蒸着されるとよい。
限器に連結され接地された状態で、スパッタリングによ
り蒸着されるとよい。
【００１５】また、好ましくは、第１絶縁膜は、強誘電
体であるとよい。
体であるとよい。
【００１６】
【実施例】以下、本発明の実施例に対し、図面を用いて
詳細に説明する。
詳細に説明する。
【００１７】図１に示したように、本発明に係る電界発
光素子においては、基板２１上に蒸着された後所定パタ
ーンに形成される透明な下部電極２２と、該下部電極２
２および基板２１上面に蒸着された強誘電体の第１絶縁
膜２３と、該第１絶縁膜２３上に蒸着された発光層２４
と、該発光層２４上に蒸着された第２絶縁膜２５と、該
第２絶縁膜２５上に蒸着された後所定パターンに形成さ
れる上部電極２６と、を備えている。
光素子においては、基板２１上に蒸着された後所定パタ
ーンに形成される透明な下部電極２２と、該下部電極２
２および基板２１上面に蒸着された強誘電体の第１絶縁
膜２３と、該第１絶縁膜２３上に蒸着された発光層２４
と、該発光層２４上に蒸着された第２絶縁膜２５と、該
第２絶縁膜２５上に蒸着された後所定パターンに形成さ
れる上部電極２６と、を備えている。
【００１８】そして、このように構成される本発明に係
る電界発光素子の製造方法を説明すると、次のようであ
る。
る電界発光素子の製造方法を説明すると、次のようであ
る。
【００１９】まず、従来と同様な方法で、たとえば、ガ
ラスの基板２１上にＩＴＯの層が蒸着された後、所定パ
ターンに写真食刻されて透明なＩＴＯの下部電極２２が
形成される。
ラスの基板２１上にＩＴＯの層が蒸着された後、所定パ
ターンに写真食刻されて透明なＩＴＯの下部電極２２が
形成される。
【００２０】次いで、該下部電極２２および基板２１上
面に強誘電体の第１絶縁膜２３として、たとえばＹ2 Ｏ
3 、Ｓｉ3 Ｎ4 、Ｔａ2 Ｏ5 、ＳｉＯＮ、ＳｒＴｉ
Ｏ3 、ＢａＴｉＯ3 、ＰＬＺＴ、ＰｂＴｉＯ3 の中の１
つ、好ましくは、ＳｉＴｉＯ3 、ＢａＴｉＯ3 、ＰＬＺ
Ｔ、ＰｂＴｉＯ3 の中の１つが、スパッタリング（Sput
tering）法により蒸着される。すなわち、図２および図
４に示したように、スパッタリング装置の真空チャンバ
１１内部上方側に連結線３０を有する基板ホルダ１２が
垂下され、該基板ホルダ１２下部に銅Ｃｕの導電層２９
が被覆されたシャドーマスク（Shadow Mask ）２８が掛
合され、それら基板ホルダ１２内の連結線３０とシャド
ーマスク２８の導電層２９とが接続され、該連結線３０
は真空チャンバ１１外部の制限器２７に連結されて接地
され、該真空チャンバ１１内部底面上にスパッタリング
１３を有するターゲットホルダ１４が設置される。
面に強誘電体の第１絶縁膜２３として、たとえばＹ2 Ｏ
3 、Ｓｉ3 Ｎ4 、Ｔａ2 Ｏ5 、ＳｉＯＮ、ＳｒＴｉ
Ｏ3 、ＢａＴｉＯ3 、ＰＬＺＴ、ＰｂＴｉＯ3 の中の１
つ、好ましくは、ＳｉＴｉＯ3 、ＢａＴｉＯ3 、ＰＬＺ
Ｔ、ＰｂＴｉＯ3 の中の１つが、スパッタリング（Sput
tering）法により蒸着される。すなわち、図２および図
４に示したように、スパッタリング装置の真空チャンバ
１１内部上方側に連結線３０を有する基板ホルダ１２が
垂下され、該基板ホルダ１２下部に銅Ｃｕの導電層２９
が被覆されたシャドーマスク（Shadow Mask ）２８が掛
合され、それら基板ホルダ１２内の連結線３０とシャド
ーマスク２８の導電層２９とが接続され、該連結線３０
は真空チャンバ１１外部の制限器２７に連結されて接地
され、該真空チャンバ１１内部底面上にスパッタリング
１３を有するターゲットホルダ１４が設置される。
【００２１】次いで、前記下部電極２２の形成された基
板２１が前記基板ホルダ１２下面に設置されると、該下
部電極２２は前記導電層２９を通って前記連結線３０に
連結され、前記制限器２７に連結される。
板２１が前記基板ホルダ１２下面に設置されると、該下
部電極２２は前記導電層２９を通って前記連結線３０に
連結され、前記制限器２７に連結される。
【００２２】このような状態で、プロセスガス（Proces
s Gas ）のＡｒと反応ガス（Reactive Gas）のＯ2 、Ｎ
2 とを前記真空チャンバ１１内部にそれぞれ注入し、そ
れら基板２１とスパッタリングターゲット１３に電源を
印加すると、前記反応ガスのプラズマ（Plasma）が発生
して、下部電極２２および基板上に第１絶縁膜２３が蒸
着される。この場合、前記制限器２７はツェナーダイオ
ードおよび抵抗を有する通常の素子が用いられ、図３に
電流／電圧特性を示したように、前記第１絶縁膜２３に
生成される電位（electric potential）は、それら下部
電極２２、導電層２９、連結線３０および制限器２７を
経て接地され、該制限器２７に流れる電流Ｉは電圧Ｖの
増加に従いある程度増加された後、臨界電圧
（Ｖlimit ）が増加してもそれ以上増加されなくなる。
したがって、前記強誘電体の第１絶縁膜２３が透明なＩ
ＴＯの下部電極２２上に蒸着されても、該下部電極２２
は従来のように黒化されなくなる。
s Gas ）のＡｒと反応ガス（Reactive Gas）のＯ2 、Ｎ
2 とを前記真空チャンバ１１内部にそれぞれ注入し、そ
れら基板２１とスパッタリングターゲット１３に電源を
印加すると、前記反応ガスのプラズマ（Plasma）が発生
して、下部電極２２および基板上に第１絶縁膜２３が蒸
着される。この場合、前記制限器２７はツェナーダイオ
ードおよび抵抗を有する通常の素子が用いられ、図３に
電流／電圧特性を示したように、前記第１絶縁膜２３に
生成される電位（electric potential）は、それら下部
電極２２、導電層２９、連結線３０および制限器２７を
経て接地され、該制限器２７に流れる電流Ｉは電圧Ｖの
増加に従いある程度増加された後、臨界電圧
（Ｖlimit ）が増加してもそれ以上増加されなくなる。
したがって、前記強誘電体の第１絶縁膜２３が透明なＩ
ＴＯの下部電極２２上に蒸着されても、該下部電極２２
は従来のように黒化されなくなる。
【００２３】次いで、従来と同様に、前記第１絶縁膜２
３上にＳｎＳ、ＳｒＳ、ＣａＳ系の発光層２４が蒸着さ
れ、該発光層２４上に前記第１絶縁膜２３と同様な材質
の強誘電体の第２絶縁膜２５が蒸着され、該第２絶縁膜
２５上にアルミニウム系の金属が蒸着されて、所定パタ
ーンの上部電極２６が形成される。
３上にＳｎＳ、ＳｒＳ、ＣａＳ系の発光層２４が蒸着さ
れ、該発光層２４上に前記第１絶縁膜２３と同様な材質
の強誘電体の第２絶縁膜２５が蒸着され、該第２絶縁膜
２５上にアルミニウム系の金属が蒸着されて、所定パタ
ーンの上部電極２６が形成される。
【００２４】
【発明の効果】以上説明したように、本発明に係る電界
発光素子の製造方法においては、透明なＩＴＯの下部電
極を制限器に電気的に連結して接地させ、該下部電極お
よび基板上に強誘電体の第１絶縁膜をスパッタリングさ
せて形成するようになっているため、従来のようなＩＴ
Ｏの下部電極の黒化現象が防止され、第１絶縁膜の電位
を制御して良質の電界発光素子を製造し得るという効果
がある。
発光素子の製造方法においては、透明なＩＴＯの下部電
極を制限器に電気的に連結して接地させ、該下部電極お
よび基板上に強誘電体の第１絶縁膜をスパッタリングさ
せて形成するようになっているため、従来のようなＩＴ
Ｏの下部電極の黒化現象が防止され、第１絶縁膜の電位
を制御して良質の電界発光素子を製造し得るという効果
がある。
【図１】本発明に係る電界発光素子の構造を示した縦断
面図である。
面図である。
【図２】本発明に係る電界発光素子製造方法の制限器を
利用したスパッタリング過程表示説明図である。
利用したスパッタリング過程表示説明図である。
【図３】本発明に係る制限器の電流／電圧特性を表示す
る図である。
る図である。
【図４】本発明に係る下部電極に制限器が連結され接地
された状態表示説明図である。
された状態表示説明図である。
【図５】従来の電界発光素子の構造を示した縦断面図で
ある。
ある。
【図６】従来の電界発光素子の製造方法のスパッタリン
グ過程表示説明図である。
グ過程表示説明図である。
１，２１ 基板 ２，２２ 下部電極 ３，２３ 第１絶縁膜 ４，２４ 発光層 ５，２５ 第２絶縁膜 ６，２６ 上部電極 １１ 真空チャンバ １２ 基板ホルダ １３ スパッタリングターゲット １４ ターゲットホルダ ２７ 制限器 ２８ シャドーマスク（shadow mask ） ２９ 導電層 ３０ 連結線 なお、各図中、同一符号は同一または相当部分を示す。
Claims (3)
- 【請求項１】 電界発光素子の製造方法であって、 基板上に所定パターンの下部電極を形成する段階と、 該下部電極を接地させた状態で該下部電極および基板上
に第１絶縁膜を形成する段階と、 該第１絶縁膜上に発光層を形成する段階と、 該発光層上に第２絶縁膜を形成する段階と、 該第２絶縁膜上に所定パターンの上部電極を形成する段
階と、を順次行なう電界発光素子の製造方法。 - 【請求項２】 前記第１絶縁膜は、前記下部電極が制限
器に連結され接地された状態で、スパッタリングにより
蒸着される、請求項１記載の電界発光素子の製造方法。 - 【請求項３】 前記第１絶縁膜は、強誘電体である、請
求項１記載の電界発光素子の製造方法。
Applications Claiming Priority (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| KR1019930027655A KR100279591B1 (ko) | 1993-12-14 | 1993-12-14 | 전계발광소자 제조방법 |
| KR93P27655 | 1993-12-14 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH07211460A true JPH07211460A (ja) | 1995-08-11 |
Family
ID=19370918
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP6308807A Pending JPH07211460A (ja) | 1993-12-14 | 1994-12-13 | 電界発光素子の製造方法 |
Country Status (3)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US5494699A (ja) |
| JP (1) | JPH07211460A (ja) |
| KR (1) | KR100279591B1 (ja) |
Families Citing this family (10)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| DE59702419D1 (de) * | 1997-07-15 | 2000-11-09 | Unaxis Trading Ag Truebbach | Verfahren und Vorrichtung zur Sputterbeschichtung |
| AU768057B2 (en) * | 1999-02-25 | 2003-11-27 | Kaneka Corporation | Integrated thin-film solar battery |
| US6156164A (en) * | 1999-06-22 | 2000-12-05 | Tokyo Electron Limited | Virtual shutter method and apparatus for preventing damage to gallium arsenide substrates during processing |
| US6639355B1 (en) | 1999-12-20 | 2003-10-28 | Morgan Adhesives Company | Multidirectional electroluminescent lamp structures |
| US6624569B1 (en) | 1999-12-20 | 2003-09-23 | Morgan Adhesives Company | Electroluminescent labels |
| US6621212B1 (en) | 1999-12-20 | 2003-09-16 | Morgan Adhesives Company | Electroluminescent lamp structure |
| US7060153B2 (en) * | 2000-01-17 | 2006-06-13 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Display device and method of manufacturing the same |
| KR100364539B1 (ko) * | 2000-05-18 | 2002-12-16 | 엘지전자 주식회사 | 솔리드 스테이트 디스플레이 제조방법 |
| US6922020B2 (en) | 2002-06-19 | 2005-07-26 | Morgan Adhesives Company | Electroluminescent lamp module and processing method |
| KR100866881B1 (ko) * | 2007-03-14 | 2008-11-04 | 엘지전자 주식회사 | 발광 다이오드 패키지 |
Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS6256636A (ja) * | 1985-09-03 | 1987-03-12 | Tokyo Materiarusu:Kk | 熱可塑性樹脂被覆コイルばねの製造法 |
Family Cites Families (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| FI61983C (fi) * | 1981-02-23 | 1982-10-11 | Lohja Ab Oy | Tunnfilm-elektroluminensstruktur |
| FI62448C (fi) * | 1981-04-22 | 1982-12-10 | Lohja Ab Oy | Elektroluminensstruktur |
| US5200277A (en) * | 1988-02-29 | 1993-04-06 | Hitachi, Ltd. | Electroluminescent device |
-
1993
- 1993-12-14 KR KR1019930027655A patent/KR100279591B1/ko not_active IP Right Cessation
-
1994
- 1994-12-13 US US08/357,281 patent/US5494699A/en not_active Expired - Lifetime
- 1994-12-13 JP JP6308807A patent/JPH07211460A/ja active Pending
Patent Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS6256636A (ja) * | 1985-09-03 | 1987-03-12 | Tokyo Materiarusu:Kk | 熱可塑性樹脂被覆コイルばねの製造法 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| KR950021816A (ko) | 1995-07-26 |
| KR100279591B1 (ko) | 2001-02-01 |
| US5494699A (en) | 1996-02-27 |
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A02 | Decision of refusal |
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