JPH07200662A - Experiment plan production support system having design knowledge base - Google Patents

Experiment plan production support system having design knowledge base

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JPH07200662A
JPH07200662A JP6000555A JP55594A JPH07200662A JP H07200662 A JPH07200662 A JP H07200662A JP 6000555 A JP6000555 A JP 6000555A JP 55594 A JP55594 A JP 55594A JP H07200662 A JPH07200662 A JP H07200662A
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JP
Japan
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defect
design
knowledge
defective
potential
Prior art date
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Pending
Application number
JP6000555A
Other languages
Japanese (ja)
Inventor
Hiroko Nishikawa
博子 西川
Kazuhiro Sugino
和宏 杉野
Takao Chisaki
貴雄 苣木
Toshihiro Yasuhara
敏浩 安原
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Hitachi Ltd
Original Assignee
Hitachi Ltd
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Filing date
Publication date
Application filed by Hitachi Ltd filed Critical Hitachi Ltd
Priority to JP6000555A priority Critical patent/JPH07200662A/en
Publication of JPH07200662A publication Critical patent/JPH07200662A/en
Pending legal-status Critical Current

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Abstract

PURPOSE:To provide an experiment plan production support system which can know a process where a newly designed product has a defect and can previously and effectively produce the plans for analyses and experiments. CONSTITUTION:The knowledges including the corresponding relation between the defects of existing products and the occurring factors of these defects, the correlation of the defect occurring factors, and the corresponding relation between the defect occurring factors and a design parameter are inputted through a new knowledge input part 2 and storey in a design knowledge base 4. Meanwhile the specifications of a new product are inputted through a requested specification input part 1, and the knowledge of the products having the similar specifications to the product inputted through the part 1 are extracted out of the base 4 by a defect occurring process generation data extracting part 3. A defect occuring process is generated by a defect occuring process generating part 5 based on the knowledge extracted at the part 5. The corresponding relation and the correlation generated at the part 5 are displayed at a defect occurring process display part 6. If the knowledge extracted at the part 5 is not included in the base 4, the more detailed specifications of a product are received and inputted through a feature data input part 7.

Description

【発明の詳細な説明】Detailed Description of the Invention

【0001】[0001]

【産業上の利用分野】LSIパッケージの新製品開発時
に必要な設計知識を効率良く格納できる設計知識ベース
を有し、設計知識をもたない初心者でも新製品の不良発
生過程を得ることができる実験計画作成支援システムに
関する。
[Industrial field of application] An experiment that has a design knowledge base that can efficiently store design knowledge required when developing a new product for an LSI package, and enables beginners who do not have design knowledge to obtain the defect occurrence process of a new product. Regarding the planning support system.

【0002】[0002]

【従来の技術】製品設計を行なう設計者の知見やノウハ
ウを登録した設計知識デ−タベースによって設計支援を
行なうエキスパートシステムは数多くでてきている。例
えば、射出成形CAEを用いて設計段階での製品・金型
形状の最適化を図ることを目的に開発されたエキスパー
トシステムが「型技術」の第6巻第7号(日刊工業新聞
社発行の1991年6月号)にて述べられている。本シ
ステムの設計知識ベースは、成形を行なった際の不具合
とその、原因、対策についての知識が蓄積されている。
2. Description of the Related Art There are many expert systems that support design based on a design knowledge database in which the knowledge and know-how of designers who design products are registered. For example, an expert system developed for the purpose of optimizing the shape of products and molds at the designing stage by using injection molding CAE is a “mold technology” Volume 6 No. 7 (published by Nikkan Kogyo Shimbun). June 1991). The design knowledge base of this system has accumulated knowledge about defects during molding, their causes, and countermeasures.

【0003】また、特開平4ー77219号公報には、
知識ベース、ニューラルネット部、実験計画部及び成形
不良診断部より構成され、成形不良の予測,診断と実験
計画による最適成形条件とを得る技術が記載されてい
る。
Further, Japanese Patent Laid-Open No. 4-77219 discloses that
A technique that includes a knowledge base, a neural network unit, an experiment planning unit, and a molding defect diagnosing unit and predicts and diagnoses molding defects and obtains optimum molding conditions based on an experimental plan is described.

【0004】さらに、特開平3ー127271号公報に
は、過去の経験より得られた設計知識を条件部と結論部
からなるルールの形式で格納する知識記憶部と設計デー
タ記憶部及び推論処理部より構成され設計パラメータの
自動設定、設計者へのアドバイス、不具合発生の予測と
診断を行い、設計業務の支援を行う装置に関する技術が
記載されている。
Further, Japanese Laid-Open Patent Publication No. 3-122771 discloses a knowledge storage unit, a design data storage unit, and an inference processing unit which store design knowledge obtained from past experience in the form of a rule including a condition section and a conclusion section. The technology relating to an apparatus configured to automatically set design parameters, advise a designer, predict and diagnose a failure, and support design work is described.

【0005】従来の設計知識ベースは、データ量が多く
なると推論に時間がかかり、また、知識の更新による知
識体系の確認がしづらいものであった。
In the conventional design knowledge base, it takes time to infer when the amount of data is large, and it is difficult to confirm the knowledge system by updating the knowledge.

【0006】[0006]

【発明が解決しようとする課題】製品設計を行なう際に
過去に設計した知見を各々の設計者が持っているが、こ
れらは各人が持っているデータであり、自由に利用でき
ない。さらに、知識の登録、矛盾した知見がないかどう
かを確認するために、全体の設計知識体系を容易に確認
できるようデータが保持される必要がある。また、不良
の原因は不良に結び付く複数の現象の組合せであるた
め、各設計者の知見を合わせて解釈しなければ、どのよ
うな解析・実験等を行なって、設計案を設定しなければ
ならないかがわからない。
Each designer has knowledge of past designs when designing a product, but these are data that each person has and cannot be used freely. Further, in order to register the knowledge and confirm whether there is any inconsistent knowledge, it is necessary to retain data so that the entire design knowledge system can be easily confirmed. In addition, since the cause of failure is a combination of multiple phenomena that lead to failure, unless the designers' knowledge is to be interpreted together, what kind of analysis / experiment, etc. must be conducted to set the design plan. I don't know.

【0007】また、一方、製品設計の設計知識は製品の
仕様ごとに様々であり、データ量が多く、不良発生過程
を生成するのに時間がかかる。しかし、要求仕様が決ま
った後、実験・解析の計画をたて詳細設計を行なうため
には、短時間で予測される不良発生過程を生成する必要
がある。
On the other hand, the design knowledge of product design varies depending on the specifications of the product, the amount of data is large, and it takes time to generate a defect occurrence process. However, after the required specifications are decided, in order to plan the experiment / analysis and perform the detailed design, it is necessary to generate the failure occurrence process predicted in a short time.

【0008】また、実験を行なうためにはコスト・時間
ともにかかるため、不良発生過程の中で実際に不良が起
こる可能性の高い不良ポテンシャルを選ぶために事前に
数値解析などでシミュレーションをする必要がある。
Further, since it takes both cost and time to carry out an experiment, it is necessary to carry out a simulation by a numerical analysis or the like in advance in order to select a defect potential which is highly likely to cause a defect in the defect generation process. is there.

【0009】本発明の第1の目的は、各設計者の知見を
もれなく格納することにある。
A first object of the present invention is to store all the knowledge of each designer.

【0010】本発明の第2の目的は、設計知識の全体を
容易に確認できるように知見の保持を行うことにある。
A second object of the present invention is to retain knowledge so that the entire design knowledge can be easily confirmed.

【0011】本発明の第3の目的は、短時間に新製品の
不良発生過程を生成することにある。
A third object of the present invention is to generate a defect occurrence process of a new product in a short time.

【0012】本発明の第4の目的は、設計知識データを
圧縮することにある。
A fourth object of the present invention is to compress design knowledge data.

【0013】本発明の第5の目的は、各設計者の知見に
より予測された不良ポテンシャルの最終判定を行なうこ
とにある。
A fifth object of the present invention is to make a final determination of the defective potential predicted by the knowledge of each designer.

【0014】[0014]

【課題を解決するための手段】上記課題を解決するため
に、本発明によれば、既に作成された製品の開発過程で
得られた不良と該不良の発生原因との対応関係、前記不
良の発生原因の相互の関係、前記不良の発生原因と設計
パラメータとの対応関係を含む知識を入力する新知見入
力手段と、該新知見入力手段により入力された知識を格
納する設計知識ベースを格納する手段と、該設計知識ベ
ースに格納された知識を表示する設計知識表示手段と、
新たに設計する製品の仕様を入力する要求仕様入力手段
と、該要求仕様入力手段に入力された製品の仕様と類似
する仕様を有する製品に関する知識を、前記設計知識ベ
ースから抽出する抽出手段と、該抽出手段により抽出さ
れた知識により、前記不良と該不良の発生原因との対応
関係、前記不良の発生原因の相互の関係の説明図を生成
する不良発生過程生成手段と、前記不良発生過程生成手
段により生成された前記説明図を表示する不良発生過程
表示手段とを備えることができる。
In order to solve the above-mentioned problems, according to the present invention, a correspondence relationship between a defect obtained in the development process of a product already made and the cause of the defect, A new knowledge input means for inputting knowledge including mutual relations of occurrence causes and a correspondence relationship between the cause of failure and design parameters, and a design knowledge base for storing the knowledge input by the new knowledge input means are stored. Means and design knowledge display means for displaying the knowledge stored in the design knowledge base,
Requirement specification input means for inputting specifications of a product to be newly designed, and extraction means for extracting knowledge about a product having specifications similar to the specifications of products input to the requirement specification input means from the design knowledge base; Based on the knowledge extracted by the extraction means, a defect occurrence process generation means for generating an explanatory diagram of a correspondence relationship between the defect and the cause of the defect and a mutual relationship of the cause of the defect, and the defect occurrence process generation. It is possible to provide a defect occurrence process display means for displaying the explanatory diagram generated by the means.

【0015】また、前記不良発生過程生成データ抽出手
段により抽出される知識が、前記設計知識ベース内に存
在しない場合に、さらに詳細な製品の仕様を入力する特
徴データ入力手段を備えることもできる。
Further, when the knowledge extracted by the defect occurrence process generation data extraction means does not exist in the design knowledge base, a feature data input means for inputting further detailed product specifications can be provided.

【0016】さらに、前記設計知識ベースは、製品の外
形および内部の構造のうちの少なくとも一つの特徴(部
分的な特徴、全体的な特徴)毎に設計パラメータの制約
と該制御の理由、設計に必要な数値解析システムの解析
モデル等の設計情報と、予測される不良、不良の発生過
程を構成する原因(以下、不良ポテンシャルと呼ぶ)
と、該不良ポテンシャルの程度を変える設計パラメー
タ、によって構成され、不良と該不良ポテンシャルの関
係、該不良ポテンシャル同志の関係、前記設計パラメー
タと前記不良ポテンシャルとの関係、を表したテーブル
構造を有することもできる。
Further, the design knowledge base is based on at least one feature (partial feature or overall feature) of the outer shape and the internal structure of the product, the constraint of the design parameter, the reason for the control, and the design. Design information such as the necessary analysis model of the numerical analysis system, the predicted failure, and the cause of the failure generation process (hereinafter referred to as failure potential)
And a design parameter that changes the degree of the defective potential, and has a table structure showing a relationship between a defect and the defective potential, a relationship between the defective potentials, and a relationship between the design parameter and the defective potential. You can also

【0017】さらに、前記不良発生過程生成手段は、不
良と不良ポテンシャルの関係を不良と不良ポテンシャル
の間に関係がない場合、各行の表す不良ポテンシャルの
数値が増加したときに各列の表す不良が増加する場合、
減少する場合、を各々記号で表して構成するマトリクス
を有することもできる。
Further, when the relationship between the defect and the defect potential is not related to each other, the defect generation process generating means determines that the defect represented by each column is increased when the numerical value of the defect potential represented by each row increases. If it increases
In the case of decreasing, it is possible to have a matrix in which each is represented by a symbol.

【0018】さらに、前記不良発生過程生成手段は、不
良ポテンシャル同志の関係を不良ポテンシャル同志の間
に関係がない場合、並列な関係にある場合、各行の表す
不良ポテンシャルの数値が増加したときに各列の表す不
良ポテンシャルの数値が増加する場合、減少する場合、
を各々記号で表して構成するマトリクスを有することも
できる。
Further, the defect generation process generation means may be arranged such that when there is no relationship between the defect potentials, there is a parallel relationship between the defect potentials, and when there is an increase in the numerical value of the defect potential represented by each row. If the number of defective potentials in a column increases or decreases,
It is also possible to have a matrix in which each is represented by a symbol.

【0019】さらに、前記不良発生過程生成手段は、不
良ポテンシャルと設計パラメータの関係を不良ポテンシ
ャルと設計パラメータの間に関係がない場合、各行の表
す設計パラメータの数値が増加したときに各列の表す不
良ポテンシャルの数値が増加する場合、減少する場合、
を各々記号で表して構成するマトリクスを有することも
できる。
Further, the defect generation process generation means represents the relationship between the defective potential and the design parameter in each column when the numerical value of the design parameter represented in each row increases when there is no relationship between the defective potential and the design parameter. If the number of bad potential increases or decreases,
It is also possible to have a matrix in which each is represented by a symbol.

【0020】[0020]

【作用】既に作成された製品の開発過程で得られた不良
と該不良の発生原因との対応関係、前記不良の発生原因
の相互の関係、前記不良の発生原因と設計パラメータと
の対応関係を含む知識を受けて新知見入力手段により入
力し、入力された知識を格納する設計知識ベースを格納
する。該設計知識ベースに格納された知識を設計知識表
示手段により表示し、新たに設計する製品の仕様を要求
仕様入力手段により受けて入力すると、該要求仕様入力
手段に入力された製品の仕様と類似する仕様を有する製
品に関する知識を、前記設計知識ベースから不良発生過
程生成データ抽出手段により抽出する。不良発生過程生
成データ抽出手段により抽出された知識により、不良と
該不良の発生原因との対応関係、前記不良の発生原因の
相互の関係の説明図を不良発生過程生成手段により生成
し、前記不良発生過程生成手段により生成された前記説
明図を不良発生過程表示手段により表示する。前記不良
発生過程生成データ抽出手段により抽出される知識が、
前記設計知識ベース内に存在しない場合に、さらに詳細
な製品の仕様を特徴データ入力手段により受けて入力す
る。
The correspondence relationship between the defect obtained in the development process of the already created product and the cause of the defect, the mutual relationship of the cause of the defect, and the correspondence between the cause of the defect and the design parameter are described. Upon receiving the contained knowledge, the new knowledge input means inputs the knowledge, and the design knowledge base that stores the input knowledge is stored. When the knowledge stored in the design knowledge base is displayed by the design knowledge display means and the specification of the product to be newly designed is received and input by the required specification input means, it is similar to the product specification input by the required specification input means. Knowledge regarding a product having specifications to be extracted is extracted from the design knowledge base by the defect occurrence process generation data extracting means. Based on the knowledge extracted by the defect occurrence process generation data extraction means, an explanatory diagram of the correspondence relationship between the defect and the cause of the defect and the mutual relationship of the cause of the defect is generated by the defect generation process generation means. The defect generation process display means displays the explanatory diagram generated by the generation process generation means. The knowledge extracted by the defect occurrence process generation data extraction means is
If it does not exist in the design knowledge base, the feature data input means receives and inputs more detailed product specifications.

【0021】また、製品の外形、内部の構造などの特徴
(部分的な特徴、全体的な特徴)毎に設計諸元の制約と
その理由、設計に必要な数値解析システムの解析モデル
等の設計情報と、予測される不良、不良の発生過程を構
成する原因(以下、不良ポテンシャルと呼ぶ)、該不良
ポテンシャルの程度を変える設計パラメータ、によって
構成され、不良ポテンシャル同志の関係、不良と不良ポ
テンシャルとの関係、設計パラメータと不良ポテンシャ
ルの関係、を表すテーブル構造をもつ設計知識ベースに
より製品設計に必要な情報をもれなく格納でき、要求仕
様に基づき設計を行なう前に全ての設計者が同じように
必要な解析・実験の内容を知ることができる。
[0021] Further, the restriction of the design specifications and the reason for each feature (partial feature, overall feature) such as the outer shape of the product and the internal structure, and the design of the analysis model of the numerical analysis system necessary for the design. Information, a predicted defect, a cause of the defect generation process (hereinafter referred to as a defect potential), and a design parameter that changes the degree of the defect potential. Relationship, and the relationship between design parameters and failure potentials, the design knowledge base that has a table structure that stores all the information necessary for product design, and all designers need to do the same before designing based on the required specifications. You can know the contents of various analyzes and experiments.

【0022】設計知識ベースにおいて、不良と該不良ポ
テンシャルとの関係、該不良ポテンシャル同志の関係、
該設計パラメータと該不良ポテンシャルとの関係、を表
したテーブル構造を表示する設計知識表示手段により設
計知識の全体を容易に確認できるように知見の保持を行
うことができる。
In the design knowledge base, the relationship between a defect and the defect potential, the relationship between the defect potentials,
Knowledge can be held so that the entire design knowledge can be easily confirmed by the design knowledge display means that displays the table structure showing the relationship between the design parameter and the defective potential.

【0023】また、設計知識ベースにおいて、不良と不
良ポテンシャルの関係を、(1)不良と不良ポテンシャ
ルの間に関係がない場合、(2)各行の表す不良ポテン
シャルの数値が増加したときに各列の表す不良が増加す
る場合、(3)減少する場合、を各々記号で表して構成
するマトリクスによって不良と不良ポテンシャルの関係
の間の設計知識データの量を少なくでき、不良と不良ポ
テンシャルの関係を短時間に生成できる不良発生過程生
成手段により、設計知識データの量を圧縮し、短時間に
新製品の不良発生過程を生成する。
In the design knowledge base, the relationship between the defect and the defect potential is (1) when there is no relationship between the defect and the defect potential, and (2) when the numerical value of the defect potential represented by each row increases, each column. The number of design knowledge data between the defect and the defect potential can be reduced by the matrix configured by respectively expressing the defect by (3) and the defect represented by (3) when the defect is represented by (3). The defect occurrence process generation means capable of generating the defect generation process in a short time compresses the amount of design knowledge data to generate the defect occurrence process of the new product in a short time.

【0024】さらに、設計知識ベースにおいて、不良ポ
テンシャル同志の関係を、(1)不良ポテンシャル同志
の間に関係がない場合(並列な関係にある場合)、
(2)各行の表す不良ポテンシャルの数値が増加したと
きに各列の表す不良ポテンシャルの数値が増加する場
合、(3)減少する場合、を各々記号で表して構成する
マトリクスによって不良ポテンシャル同志の間の設計知
識データの量を少なくでき、不良ポテンシャル同志の関
係を短時間に生成できる不良発生過程生成手段により、
設計知識データの量を圧縮し、短時間に新製品の不良発
生過程を生成する。
Further, in the design knowledge base, the relations between the defect potentials are as follows: (1) If there is no relation between the defect potentials (in parallel relation),
(2) When the numerical value of the defective potential represented by each row increases when the numerical value of the defective potential represented by each row increases, and (3) when the numerical value of the defective potential represented by each column decreases, the matrix of the defective potentials between them is used. By the failure occurrence process generation means that can reduce the amount of design knowledge data of, and can generate the relationship between the failure potentials in a short time,
The amount of design knowledge data is compressed and the defect occurrence process of a new product is generated in a short time.

【0025】さらに、設計知識ベースにおいて、設計パ
ラメータと不良ポテンシャルの関係を、(1)設計パラ
メータと不良ポテンシャルの間の関係がない場合、
(2)各行の表す設計パラメータの数値が増加したとき
に各列の表す不良ポテンシャルの数値が増加する場合、
(3)減少する場合、を各々記号で表して構成するマト
リクスによって表すことにより設計パラメータと不良ポ
テンシャルの間の設計知識データの量を少なくでき、設
計パラメータと不良ポテンシャルの関係を短時間に生成
できる不良発生過程生成手段により、設計知識データの
量を圧縮でき、短時間に新製品の不良発生過程を生成す
る。
Further, in the design knowledge base, if the relationship between the design parameter and the failure potential is (1) there is no relationship between the design parameter and the failure potential,
(2) When the numerical value of the failure potential represented by each column increases when the numerical value of the design parameter represented by each row increases,
(3) When decreasing, the amount of design knowledge data between the design parameter and the defective potential can be reduced by expressing each by a matrix constituted by symbols, and the relationship between the design parameter and the defective potential can be generated in a short time. The defect generation process generation means can compress the amount of design knowledge data and generate the defect generation process of a new product in a short time.

【0026】さらに、各マトリクスのデータを用いて不
良の発生過程を不良と不良発生ポテンシャルと該設計パ
ラメータにより生成する不良発生過程生成手段におい
て、生成された不良発生過程と各不良ポテンシャルの数
値解析を行なう解析手段と、この解析結果に基づいて、
不良ポテンシャルの許容範囲の予測をユーザから指示さ
れてこれを受ける許容範囲決定手段をもつことにより、
製品の要求仕様の特徴から予測された不良発生過程の不
良ポテンシャルの最終判定を行なうことができる。
Further, in the defect generation process generation means for generating the defect generation process based on the defect, the defect generation potential, and the design parameter by using the data of each matrix, the generated defect generation process and each defect potential are numerically analyzed. Based on the analysis means to be performed and this analysis result,
By having a tolerance range determining means which receives a user's instruction to predict the tolerance range of the defective potential,
It is possible to make a final determination of the defect potential in the defect occurrence process predicted from the characteristics of the required specifications of the product.

【0027】[0027]

【実施例】LSIパッケージ設計における設計知識ベー
スを例に説明する。
[Embodiment] A design knowledge base in LSI package design will be described as an example.

【0028】まず、パッケージの開発過程において、本
設計知識ベースが、どの過程において使用されるかにつ
いて、図8を用いて説明する。新パッケージ開発計画8
1が行われたのち、要素技術の開発も含め様々な実験が
行われ、パッケージの詳細設計82が行われ、パッケー
ジの金型開発83が終わり、試作84が行われ、認定試
験に通し認定85がなされる。本設計知識知識ベース
は、設計者の不良に対する知見(後述する)をもとに、
新パッケージ開発計画が決まったあとの、設計用の実験
計画を作成する部分に適用するものである。
First, the process in which the design knowledge base is used in the package development process will be described with reference to FIG. New package development plan 8
After 1 was performed, various experiments including the development of elemental technology were conducted, the detailed design 82 of the package was conducted, the mold development 83 of the package was completed, the prototype 84 was conducted, and certification 85 was passed through the certification test. Is done. This design knowledge knowledge base is based on the designer's knowledge of defects (described later).
This is applied to the part of creating the experimental plan for design after the new package development plan is decided.

【0029】以下、実験とは、設計者が実際に実験器具
を用いて条件出しなどを行ったり、製品の信頼性を確認
するために数値解析を行うことを示す。また、知見と
は、設計でさまざまな製品を開発する過程で得られた知
識である。
Hereinafter, the term "experiment" means that the designer actually uses the experimental equipment to set conditions, and to perform numerical analysis to confirm the reliability of the product. Knowledge is knowledge acquired in the process of developing various products by design.

【0030】図1のaテーブルに示すように設計知識ベ
ースはパッケージの外形サイズ、内部構造、詳細の特徴
等によるパッケージ全体の分類をもつ。例えば、LQF
P、QFP、TSOP等のようなパッケージの外形に対
し、内部構造の違いとして通常構造といわれるチップが
リードフレームの上に位置しているパッケージ、LOC
構造といわれるチップの上にリードフレームが位置して
いるパッケージ等がある。
As shown in the table a of FIG. 1, the design knowledge base has the classification of the entire package according to the outer size of the package, the internal structure, the characteristics of details, and the like. For example, LQF
A package in which a chip, which is said to have a normal structure due to the difference in the internal structure, is located above the lead frame with respect to the outer shape of the package such as P, QFP, TSOP, LOC.
There is a package in which a lead frame is located on a chip called a structure.

【0031】これら外形と内部構造の違い、他特徴によ
る分類が必要になるのは、これらの違い,分類により不
良と不良発生過程が異なる為、それぞれ個別のデ−タの
保有が必要だからである。
The difference between the outer shape and the internal structure and the classification based on other characteristics are necessary because the defect and the defect generation process are different due to the difference and the classification, and it is necessary to retain individual data. .

【0032】不良発生過程について具体的に図2を用い
て説明する。四角で囲まれたものが本例のパッケージの
不良を示しており、ボイド不良、金線変形不良、金線露
出不良が起こる可能性があるということを示している。
ならば、どのようにして発生するかというのがこの不良
発生過程(不良ポテンシャル)に示されるものである。
図2の50は、チップ前中央部流速が速い場合、電源ラ
イン間流速が速くなり、また、チップ前中央部粘度が高
い場合、電源ライン間粘度が高くなる可能性が高く、電
源ライン間流速が速く、電源ライン間粘度が高いと金線
変形不良が発生する可能性が高いことを意味している。
The process of occurrence of defects will be specifically described with reference to FIG. Those enclosed by squares indicate defects in the package of this example, and void defects, gold wire deformation defects, and gold wire exposure defects may occur.
Then, how this occurs is shown in this defect generation process (defective potential).
50 in FIG. 2 indicates that the flow velocity between power lines is high when the central flow velocity in front of the chip is high, and the viscosity between power supply lines is likely to be high when the central viscosity in front of the chip is high. It means that if the temperature is high and the viscosity between the power supply lines is high, there is a high possibility that a gold wire deformation defect will occur.

【0033】図1のb、c、dテーブルがそれぞれ示す
のはTSOPパッケージの図1のaの例の不良と不良ポ
テンシャルとの関係、不良ポテンシャル同志の関係、不
良ポテンシャルと設計パラメータとの関係である。この
テーブルの情報によって不良発生過程は生成される。前
記テーブルの意味をそれぞれ説明する。
The b, c, and d tables of FIG. 1 respectively show the relationship between defects and defective potentials in the example of FIG. 1a of the TSOP package, the relationship between defective potentials, and the relationship between defective potentials and design parameters. is there. The defect occurrence process is generated by the information in this table. The meaning of each table will be described.

【0034】図1のbは不良と不良ポテンシャルとの関
係を示したものであるが、各行(レコード)の項目が示
すのは、不良ポテンシャルであり、各列の項目が示すの
は不良である。マトリクスの各要素が各行の不良ポテン
シャルと各列の不良との関係を示している。要素が0の
場合には不良ポテンシャルと不良の間に関係はなく、+
の場合、不良ポテンシャルの値が増加したとき不良が増
加することを意味し、−の場合、不良ポテンシャルの値
が減少したとき不良が増加することを意味している。
FIG. 1B shows the relationship between the defect and the defect potential. The item of each row (record) shows the defect potential, and the item of each column shows the defect. . Each element of the matrix shows the relationship between the defect potential of each row and the defect of each column. When the element is 0, there is no relation between the defect potential and the defect, and +
The case of means that the number of defects increases when the value of the defect potential increases, and the case of-means that the number of defects increases when the value of the defect potential decreases.

【0035】図1のcは不良ポテンシャル同志の関係を
示したものであり、不良ポテンシャルが複数あった場合
に原因になるものを各行(レコード)の項目として、結
果となるものを各列の項目として示したテーブルであ
る。マトリクスの要素が0である場合、2つの不良ポテ
ンシャル間に関係がないことを意味している。また、マ
トリクスの要素が1である場合、2つの不良ポテンシャ
ルは並列な関係にあることを意味している。マトリクス
の要素が+である場合、各行の項目が示す不良ポテンシ
ャルが増加すると対応する列の不良ポテンシャルの値が
増加することを示している。例えば、図1のcで囲まれ
た部分51のようにチップ前流速とバスバー間流速にお
いては、チップ前流速が増加するとバスバー間流速が増
加する可能性が高いことを意味している。
FIG. 1C shows the relationship between defective potentials. Items that cause a plurality of defective potentials are items in each row (record), and results are items in each column. Is a table shown as. When the element of the matrix is 0, it means that there is no relation between the two defective potentials. When the number of elements in the matrix is 1, it means that the two defective potentials have a parallel relationship. When the element of the matrix is +, it indicates that the value of the defect potential of the corresponding column increases as the defect potential indicated by the item in each row increases. For example, in the flow rate before the tip and the flow rate between the bus bars as in the portion 51 surrounded by c in FIG. 1, it means that the flow rate between the bus bars is likely to increase as the flow rate before the tip increases.

【0036】図1のdは不良ポテンシャルと設計パラメ
ータの関係を示したものであり、各行の項目が示すのは
設計パラメータであり、各列の項目が示すのは不良ポテ
ンシャルである。マトリクスの要素が0というのは、設
計パラメータを不良ポテンシャルの間に関係はないこと
を示しており、要素が+でというのは、設計パラメータ
が増加すると不良ポテンシャルの値が増加することを示
しており、要素が−というのは、設計パラメータが減少
すると不良ポテンシャルの値が増加することを示してい
る。
FIG. 1d shows the relationship between the defective potential and the design parameters. Items in each row indicate design parameters, and items in each column indicate defective potential. An element of 0 in the matrix indicates that the design parameter is not related to the failure potential, and an element of + indicates that the value of the failure potential increases as the design parameter increases. The fact that the element is-indicates that the value of the defective potential increases as the design parameter decreases.

【0037】次に、設計知識ベースを活用した設計方法
について説明する。
Next, a design method utilizing the design knowledge base will be described.

【0038】図3に設計知識ベースの活用環境の構成を
示す。まず、新しい知見を、設計知識ベース3に入力す
る、新知見入力部2がある。さらに、入力する設計対象
であるLSIパッケージの外形、内部構造、部品の詳細
な特徴等を入力する要求仕様入力部1、要求仕様の入力
により設計知識ベース4から不良発生過程を生成するデ
−タを取り出す不良発生過程生成デ−タ抽出部3、抽出
したデ−タから不良発生過程を生成する不良発生過程生
成部5、生成された不良発生過程を表示する不良発生過
程表示部6、また、設計知識ベースの中に入力した外
形、内部構造のパッケージがない場合に内部の他の詳細
の特徴を入力することを促す特徴デ−タ入力部7からな
っている。設計知識表示部8は、設計知識を表示し、不
良発生過程表示部6は、不良の発生過程を表示する。
FIG. 3 shows the configuration of a design knowledge base utilization environment. First, there is a new knowledge input unit 2 that inputs new knowledge into the design knowledge base 3. Furthermore, a required specification input unit 1 for inputting the outer shape, internal structure, detailed characteristics of parts, etc. of an LSI package to be input, and data for generating a defect occurrence process from a design knowledge base 4 by inputting required specifications. A defect occurrence process generation data extracting unit 3 for extracting the defect occurrence process, a defect occurrence process generation unit 5 for generating a defect occurrence process from the extracted data, a defect occurrence process display unit 6 for displaying the generated defect occurrence process, and It is composed of a feature data input unit 7 that prompts input of other detailed features of the inside when there is no package of the external shape and the internal structure input in the design knowledge base. The design knowledge display unit 8 displays the design knowledge, and the defect occurrence process display unit 6 displays the defect occurrence process.

【0039】次に、図4を用いて設計知識ベースの使用
方法について説明する。
Next, a method of using the design knowledge base will be described with reference to FIG.

【0040】まず、要求仕様が決まると設計者は、パッ
ケージの外形サイズ、内部構造名を要求仕様入力部1に
入力する(処理101)。このとき、全ての入力項目が
設計者によって入力されない場合があるが問題はない。
新しく開発されるパッケージ等は、全ての項目の値、内
容が一致するものではないからである。ここで、入力さ
れたデータをキーとして、不良と不良発生ポテンシャル
との関係を現すテーブル番号、不良ポテンシャルと不良
ポテンシャルとの関係を表すテーブル番号、不良ポテン
シャルと設計諸元パラメータとの関係を表すテーブル番
号をもとに、不良発生過程生成データ抽出部3によって
設計知識ベース4から不良と不良ポテンシャルの関係を
表す図1のbに示すテーブル、不良ポテンシャル同志の
関係を表す図1のcに示すテーブル、不良ポテンシャル
と設計パラメータの関係を表す図1のdに示すテーブ
ル、の3つのテーブルを構成するデータが取り出される
(処理102)。不良発生過程生成データ抽出部3によ
ってデータがロードされると不良発生過程生成部5は、
取り出されたテーブルのデータを用いて不良発生過程を
不良発生過程表示部6に表示する(処理103)。具体
的な不良発生過程の生成方法については、後記で、図1
を用いて説明する。たとえば、図2のような不良発生過
程が画面に表示される。設計者は、図2のように、表示
された不良発生過程をみて実験計画を作成し、設計時に
信頼性を十分に考慮した実験を行うことができる。例え
ば、予測される不良の金線露出不良をなくすため、チッ
プ上荷重を大きくするか、チップ下荷重を小さくする必
要があることがわかる。そこで、どちらかを満足するよ
うに設計者が考え、製品を試作して実験を行い、不良の
発生しない設計パラメータの範囲を求めることができ
る。このとき、また、設計者は、チップ上の荷重は、チ
ップ前の中央部の粘度が高くなると大きくなる可能性が
大きいことがわかり、この情報から粘度も高めるための
設計パラメータ(材料、形状寸法などの設計諸元)を変
更、追加するための実験が必要なことがわかる。さら
に、もし変更するパラメータを思い付かない設計者で
も、チップ上の荷重を画面上でピックすると、関係する
パラメータが図7(c)のように画面上に表示される。
但し、熟練の設計者はこの不良発生過程内の不良ポテン
シャルからシステムが推薦するパラメータ以外に自分で
設計パラメータを変えて実験を行う。
First, when the required specifications are determined, the designer inputs the external size of the package and the internal structure name into the required specifications input section 1 (process 101). At this time, all the input items may not be input by the designer, but there is no problem.
This is because the value and content of all items in a newly developed package do not match. Here, using the input data as a key, a table number representing the relationship between the defect and the defect occurrence potential, a table number representing the relationship between the defect potential and the defect potential, and a table representing the relationship between the defect potential and the design specification parameter. Based on the numbers, the defect occurrence process generation data extraction unit 3 from the design knowledge base 4 shows a relationship between a defect and a defect potential shown in FIG. 1b, and a table showing a relationship between defect potentials shown in c of FIG. , Data showing the relationship between the defective potential and the design parameter, which is shown in d of FIG. 1, is taken out (process 102). When the defect occurrence process generation data extraction unit 3 loads the data, the defect occurrence process generation unit 5
The defect occurrence process is displayed on the defect occurrence process display unit 6 using the data of the retrieved table (process 103). A specific method of generating a defect occurrence process will be described later with reference to FIG.
Will be explained. For example, the defect occurrence process as shown in FIG. 2 is displayed on the screen. As shown in FIG. 2, the designer can create an experiment plan by looking at the displayed defect occurrence process and perform an experiment in which reliability is sufficiently taken into consideration when designing. For example, it can be seen that it is necessary to increase the load on the chip or decrease the load under the chip in order to eliminate the predicted defective exposure of the gold wire. Therefore, the designer can think of one of them to satisfy one of them, make a prototype of the product, and perform an experiment to find the range of the design parameters in which no defect occurs. At this time, the designer also knows that the load on the chip is likely to increase as the viscosity of the central part in front of the chip increases, and from this information, the design parameters (material, shape and dimension) for increasing the viscosity It can be seen that an experiment for changing and adding design specifications) is necessary. Further, if a designer who cannot think of the parameter to be changed picks up the load on the chip on the screen, the related parameter is displayed on the screen as shown in FIG. 7C.
However, an experienced designer performs an experiment by changing the design parameters himself / herself in addition to the parameters recommended by the system based on the defect potential in the defect generation process.

【0041】要求仕様入力部1(図3参照)に外形サイ
ズ、内部構造を入力したときに、設計知識ベースの中に
該当するパッケージのデータがなかった場合について図
5を用いて説明する。不良発生過程生成データ抽出部3
が特徴データ入力部2を起動する(処理201)。特徴
データ入力部2では、新しい構造のパッケージの特徴を
抽出して似た構造、似た部品をもつパッケージの不良発
生過程を取り出すために、図6に示すようないくつかの
質問事項を提示し入力を促す(処理202)。設計者が
質問事項に対して特徴データ入力部2にデ−タを入力す
ると、これらデ−タについて不良発生過程生成データ抽
出部3が設計知識ベース4から各質問事項の特徴デ−タ
をキーとして不良と不良ポテンシャルの関係を表す図1
のbに示すテーブル、不良ポテンシャル同志の関係を表
す図1のcに示すテーブル、不良ポテンシャルと設計パ
ラメータの関係を表す図1のdに示すテーブル、の3つ
のテーブルを構成するデータが取り出される。(処理2
03)。不良発生過程生成データ抽出部3によってデー
タがロードされると不良発生過程生成部5は、取り出さ
れたテーブルのデータを用いて不良発生過程を不良発生
過程表示部6に表示する(処理204)。
A case where there is no corresponding package data in the design knowledge base when the external size and the internal structure are input to the required specification input unit 1 (see FIG. 3) will be described with reference to FIG. Defect occurrence process generation data extraction unit 3
Activates the feature data input unit 2 (process 201). The feature data input unit 2 presents some questions as shown in FIG. 6 in order to extract the features of a package having a new structure and to take out the defect occurrence process of a package having a similar structure and similar parts. Prompt for input (process 202). When the designer inputs data to the characteristic data input unit 2 for the questions, the defect occurrence process generation data extraction unit 3 for these data uses the design knowledge base 4 as a key for the characteristic data of each question. Fig. 1 showing the relationship between defects and defect potentials
3b, the table shown in FIG. 1c showing the relationship between defective potentials, and the table shown in FIG. 1d showing the relationship between defective potentials and design parameters are taken out. (Process 2
03). When data is loaded by the defect occurrence process generation data extraction unit 3, the defect occurrence process generation unit 5 displays the defect occurrence process on the defect occurrence process display unit 6 using the data of the retrieved table (process 204).

【0042】また、上記特徴データ入力部2における質
問事項は新たなパッケージの特徴に対する不良の発生過
程が発見され設計知識が増えると増加されるものであ
る。更に、この新たなパッケージの設計が終了し新しい
構造に対する知見が蓄えられれば、質問事項は消去さ
れ、新しい内部構造、外形の知識として登録される。
The questions in the feature data input section 2 are increased when a defect occurrence process for a new feature of the package is discovered and design knowledge is increased. Further, when the design of this new package is completed and the knowledge about the new structure is accumulated, the questions are deleted and registered as the knowledge of the new internal structure and outer shape.

【0043】次に具体的に図1を用いて不良発生過程を
生成する方法について説明する。まず、図4、図5を用
いて説明した処理で中央処理装置23にロードされた図
1−bのデ−タにより不良と不良発生ポテンシャルが図
7−aのように不良発生過程表示部6に表示される。例
えば、図1−bの電源ライン間間流速31という不良ポ
テンシャルのレコードのボイド不良33、金線変形不良
34、金線露出不良35の値が0、+、0であることか
ら、図7−aの曲線で囲まれた部分36の不良発生過程
が取り出され表示される。同様にして、他の不良と不良
発生プロセスの関係が生成される。また、不良が増加す
るのは不良ポテンシャルの値が増加する場合なのか、ま
た、減少する場合なのかが、各不良ポテンシャルのデ−
タとして保持される。
Next, a method of generating a defect occurrence process will be specifically described with reference to FIG. First, according to the data of FIG. 1-b loaded in the central processing unit 23 by the processing described with reference to FIGS. 4 and 5, the defect and the defect generation potential are displayed as shown in FIG. Is displayed in. For example, since the values of the void defect 33, the gold wire deformation defect 34, and the gold wire exposure defect 35 of the record of the defective potential of the flow rate 31 between power lines in FIG. 1-b are 0, +, 0, The defect occurrence process of the portion 36 surrounded by the curve a is taken out and displayed. Similarly, a relationship between another defect and the defect occurrence process is generated. Further, whether the number of defects increases when the value of the defect potential increases or decreases, the data of each defect potential is determined.
Retained as data.

【0044】次に、既に表示されている不良ポテンシャ
ルに対して不良発生過程の中で下流にある不良ポテンシ
ャルを図1−cのデータにより結び付ける場合、図7−
bのように不良発生過程表示部6に表示する。例えば、
図1−cの電源ライン間間流速37の列にある不良ポテ
ンシャルのチップ前中央部流速38、チップ前左右部流
速39、チップ前中央部粘度40、チップ前左右粘度4
1の値が+、0、0、0であることから、図7−bの曲
線で囲まれた部分42のように不良発生過程が表示され
る。更に、設計パラメータと不良ポテンシャルの関係は
表示されないが、各不良ポテンシャルをマウスなどで指
定するとプルダウンメニューとして図7−cのように表
示される。例えば、図1−dのチップ前中央部流速60
に対する列の設計パラメータであるゲート部体積61、
チップ前中央部体積62、チップ前左右部分体積63、
電源ライン間断面積64の値が各々、−、−、0、0で
あるため、不良ポテンシャルのチップ前中央部流速60
を指定するとゲート部体積61、チップ前中央部体積6
2がプルダウンメニューとして表示されることになる。
Next, in the case where the defective potentials downstream in the defective occurrence process are connected to the already displayed defective potentials by the data shown in FIG.
It is displayed on the defect occurrence process display unit 6 as shown in b. For example,
In the column of the flow velocity between the power supply lines 37 in FIG.
Since the value of 1 is +, 0, 0, 0, the defect occurrence process is displayed like the portion 42 surrounded by the curve in FIG. 7-b. Further, although the relationship between the design parameter and the defective potential is not displayed, when each defective potential is designated with a mouse or the like, a pull-down menu is displayed as shown in FIG. 7-c. For example, in FIG.
The gate volume 61 which is the design parameter of the row for
Front center volume 62 of the tip, left and right front volume 63 of the tip,
Since the values of the cross-sectional area 64 between the power supply lines are −, −, 0, 0, respectively, the flow velocity of the central portion 60 in the front of the chip of the defective potential is 60.
Is specified, the volume of the gate is 61, and the volume of the center of the front of the chip is 6
2 will be displayed as a pull-down menu.

【0045】次に、設計者が新しい設計知識を得たとき
に、設計知識ベースに登録する方法について、説明す
る。設計者は解析・実験等を通して不良の発生過程に関
する知見を得たり、不良の発生過程を推測したりする。
不良の発生過程に関する知見とは、具体的には以下に示
す知見である。
Next, a method of registering in the design knowledge base when the designer acquires new design knowledge will be described. The designer obtains knowledge about the failure occurrence process and estimates the failure occurrence process through analysis and experiments.
The knowledge about the process of occurrence of defects is specifically the knowledge described below.

【0046】1.A不良は、不良ポテンシャルbが原因
で起こる。
1. The A defect occurs due to the defect potential b.

【0047】2.不良ポテンシャルbは、不良ポテンシ
ャルaが原因で起こる。
2. The defective potential b occurs due to the defective potential a.

【0048】3.不良ポテンシャルcは、不良ポテンシ
ャルdと不良ポテンシャルeが原因で起こる。
3. The defective potential c is caused by the defective potential d and the defective potential e.

【0049】4.不良ポテンシャルfは、設計パラメー
タx1によって変化する。
4. The defective potential f changes depending on the design parameter x1.

【0050】上記の知見を得た場合、まず、設計者は、
図3の新知見入力部2に知見を入力する。新知見入力部
では、パッケージの外形、内部構造、あるいは、詳細の
特徴を入力する。例えば、パッケージの外形としてTS
OP、内部構造として通常構造、あるいは、詳細の特徴
としてチップの枚数などである。これらが前に説明した
不良発生過程生成デ−タ抽出部3において設計知識ベー
ス4から不良発生過程に関するテーブルを取り出すキー
として使用されるものである。
When the above knowledge is obtained, the designer first
Knowledge is input to the new knowledge input unit 2 in FIG. In the new knowledge input section, the external shape, internal structure, or detailed feature of the package is input. For example, as the package outline, TS
OP, a normal structure as an internal structure, or the number of chips as a detailed feature. These are used as keys for extracting the table relating to the defect occurrence process from the design knowledge base 4 in the defect occurrence process generation data extraction unit 3 described above.

【0051】外形、内部構造等が入力されると、次に、
その外形、内部構造をもつパッケージに予測される不良
の発生場所と不良名を入力する。例えば、不良発生場所
としてチップ上、不良名はボイド不良というように入力
する。そして、不良の原因である不良ポテンシャルの観
測される場所、またその現象を入力する。例えば、不良
の原因として観測される場所としてチップ上、その現象
名として流速というように入力する。不良の原因が複数
ある場合、つまり、不良ポテンシャルが複数ある場合、
その不良ポテンシャル同志の関係がどのような関係なの
かを入力する。
When the outline, internal structure, etc. are input, next,
Enter the location and name of the defect that is expected to occur in the package that has the outline and internal structure. For example, the defect name is input such as void defect on the chip. Then, the place where the defect potential, which is the cause of the defect, is observed, and the phenomenon thereof are input. For example, input is made on the chip as the location observed as the cause of the defect, and the flow velocity as the phenomenon name. If there are multiple causes of failure, that is, if there are multiple failure potentials,
Enter what kind of relationship the bad potentials have.

【0052】これらが、並列な関係にある場合には並列
な関係にある不良ポテンシャルをすべてマウス等で指定
し、新知見入力部2にあらかじめ用意されているメニュ
ーの中から「並列」というコマンドを選ぶ。また、原因
と結果の関係にある不良ポテンシャルの場合にはメニュ
ーから「直列」というコマンドを選ぶ。この場合、どち
らが原因で(不良発生過程の中では、下流の不良ポテン
シャルであるという)どちらが結果であるか(不良発生
過程の中では、上流の不良ポテンシャルであるという)
を入力する。次に各不良ポテンシャルに関係する設計パ
ラメータを入力する。このように不良、不良ポテンシャ
ル、設計パラメータとの間に関係と向きが張られたとこ
ろで、この不良と不良ポテンシャルの関係、不良ポテン
シャル同志の関係、不良ポテンシャルと設計パラメータ
の関係の定性的な傾向を入力する。
When these are in a parallel relationship, all the defective potentials in a parallel relationship are designated by a mouse or the like, and the command "parallel" is selected from the menu prepared in advance in the new knowledge input section 2. Choose. In the case of a defect potential having a cause-effect relationship, select the "series" command from the menu. In this case, which is the cause (which is the downstream defect potential in the defect occurrence process) and which is the result (which is the upstream defect potential in the defect occurrence process)?
Enter. Next, design parameters related to each defective potential are input. In this way, when relations and orientations have been established among defects, defect potentials, and design parameters, qualitative trends in the relation between defects and defect potentials, the relationship between defect potentials, and the relationship between defect potentials and design parameters are clarified. input.

【0053】例えば、電源ライン間間流速が増加すると
金線変形不良が増加するといった傾向である。具体的な
処理の方法としては、不良ポテンシャルと不良、不良ポ
テンシャル同志、設計パラメータと不良ポテンシャルと
いう原因・結果の関係になっている2つを選択し、結果
となる不良、あるいは、不良ポテンシャルの値が増加す
るのはその原因の値が増加したときか、または、減少し
たときなのかを入力すればよい。
For example, there is a tendency that defective gold wire deformation increases as the flow velocity between power lines increases. As a specific processing method, two defective potentials and defectives, defective potentials, and design parameters and defective potentials having a cause / result relationship are selected, and the resulting defectiveness or the value of the defective potential is selected. It suffices to input whether or not the value increases when the value of the cause increases or decreases.

【0054】[0054]

【発明の効果】本発明による設計知識ベースを有する実
験計画作成支援システムによって、すべての設計者が同
じように新しく設計する製品の不良発生過程を知ること
ができ、設計者は事前に解析、実験の計画を効率良く作
成することができる。
According to the experiment planning support system having the design knowledge base according to the present invention, all designers can similarly know the defect occurrence process of the newly designed product, and the designers can analyze and experiment in advance. The plan can be created efficiently.

【0055】また、製品の仕様ごとに異なる設計知識デ
−タを不良と不良ポテンシャルの関係、不良ポテンシャ
ル同志の関係、不良ポテンシャルと設計パラメータの関
係を表すマトリクスにより圧縮して保持することができ
る。
Further, different design knowledge data for each product specification can be compressed and held by a matrix showing the relationship between defects and defective potentials, the relationship between defective potentials, and the relationship between defective potentials and design parameters.

【図面の簡単な説明】[Brief description of drawings]

【図1】設計知識ベースのテーブル説明図。FIG. 1 is an explanatory diagram of a design knowledge base table.

【図2】不良発生過程の説明図。FIG. 2 is an explanatory diagram of a defect occurrence process.

【図3】設計知識ベース使用環境の構成図。FIG. 3 is a configuration diagram of a design knowledge base use environment.

【図4】設計知識ベースの使用方法に関するフロー図。FIG. 4 is a flow diagram regarding a method of using a design knowledge base.

【図5】設計知識ベースの使用方法に関するフロー図。FIG. 5 is a flowchart showing how to use a design knowledge base.

【図6】特徴入力画面における入力項目例の説明図。FIG. 6 is an explanatory diagram of an example of input items on the feature input screen.

【図7】不良発生過程の説明図。FIG. 7 is an explanatory diagram of a defect occurrence process.

【図8】LSIパッケージ開発の過程を示す説明図。FIG. 8 is an explanatory diagram showing a process of developing an LSI package.

【符号の説明】[Explanation of symbols]

1……要求仕様入力部、 2……新知見入力部、 3…
…不良発生過程生成デ−タ抽出部、 4……設計知識ベ
ース、 5……不良発生過程生成部、 6……不良発生
過程表示部、 7……特徴デ−タ入力部、 8……設計
知識表示部、31、37、38、39、40、41、6
0……不良ポテンシャル名、 32、33、34……不
良名、 36……不良と不良ポテンシャルの関係の一部
分、42……不良ポテンシャル同志の関係の一部分、
50……不良発生過程の一部分、 51……不良ポテン
シャル同志の関係を表す値、 61、62、63、64
……設計パラメータ名。
1 ... Required specification input section, 2 ... New knowledge input section, 3 ...
... Defect occurrence process generation data extraction unit, 4 ... Design knowledge base, 5 ... Defect occurrence process generation unit, 6 ... Defect occurrence process display unit, 7 ... Characteristic data input unit, 8 ... Design Knowledge display part, 31, 37, 38, 39, 40, 41, 6
0 ... defective potential name, 32, 33, 34 ... defective name, 36 ... part of relation between defective and defective potential, 42 ... partial relation of defective potential,
50: Part of defective process, 51: Value indicating the relationship between defective potentials, 61, 62, 63, 64
…… Design parameter name.

───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 安原 敏浩 東京都小平市上水本町五丁目20番1号 株 式会社日立製作所半導体事業部内 ─────────────────────────────────────────────────── ─── Continuation of the front page (72) Inventor Toshihiro Yasuhara 5-20-1, Josuihonmachi, Kodaira-shi, Tokyo Incorporated company Hitachi Ltd. Semiconductor Division

Claims (6)

【特許請求の範囲】[Claims] 【請求項1】既に作成された製品の開発過程で得られた
不良と該不良の発生原因との対応関係、前記不良の発生
原因の相互の関係、前記不良の発生原因と設計パラメー
タとの対応関係を含む知識を入力する新知見入力手段
と、 該新知見入力手段により入力された知識を格納する設計
知識ベースを格納する手段と、 該設計知識ベースに格納された知識を表示する設計知識
表示手段と、 新たに設計する製品の仕様を入力する要求仕様入力手段
と、 該要求仕様入力手段に入力された製品の仕様と類似する
仕様を有する製品に関する知識を、前記設計知識ベース
から抽出する抽出手段と、 該抽出手段により抽出された知識により、前記不良と該
不良の発生原因との対応関係、前記不良の発生原因の相
互の関係の説明図を生成する不良発生過程生成手段と、 前記不良発生過程生成手段により生成された前記説明図
を表示する不良発生過程表示手段と、 を備えることを特徴とする実験計画作成支援システム。
1. A correspondence relationship between a defect obtained in the development process of a product already created and a cause of the defect, a mutual relation of the cause of the defect, a correspondence between the cause of the defect and a design parameter. New knowledge input means for inputting knowledge including relations, means for storing a design knowledge base for storing the knowledge input by the new knowledge input means, and design knowledge display for displaying the knowledge stored in the design knowledge base Means, requirement specification input means for inputting specifications of a newly designed product, and extraction for extracting knowledge about a product having specifications similar to the specifications of the product input to the requirement specification input means from the design knowledge base Means and the knowledge extracted by the extracting means to generate an explanatory diagram of the correspondence between the defect and the cause of the defect and the mutual relationship of the cause of the defect. Experimental planning support system characterized in that it comprises a stage, and a failure process display means for displaying the diagram generated by the failure process generating unit.
【請求項2】請求項1において、前記不良発生過程生成
データ抽出手段により抽出される知識が、前記設計知識
ベース内に存在しない場合に、さらに詳細な製品の仕様
を入力する特徴データ入力手段を備えることを特徴とす
る実験計画作成支援システム。
2. The characteristic data input means for inputting further detailed product specifications when the knowledge extracted by the defect occurrence process generation data extracting means does not exist in the design knowledge base. An experimental plan creation support system characterized by being provided.
【請求項3】請求項1または2において、前記設計知識
ベースは、 製品の外形および内部の構造のうちの少なくとも一つの
特徴(部分的な特徴、全体的な特徴)毎に設計パラメー
タの制約と該制御の理由、設計に必要な数値解析システ
ムの解析モデル等の設計情報と、予測される不良、不良
の発生過程を構成する原因(以下、不良ポテンシャルと
呼ぶ)と、該不良ポテンシャルの程度を変える設計パラ
メータ、によって構成され、不良と該不良ポテンシャル
の関係、該不良ポテンシャル同志の関係、前記設計パラ
メータと前記不良ポテンシャルとの関係、を表したテー
ブル構造を有し、製品設計に必要な情報を格納すること
を特徴とする実験計画作成支援システム。
3. The design knowledge base according to claim 1, wherein the design knowledge base includes design parameter constraints for at least one feature (partial feature, overall feature) of the product outer shape and internal structure. The reason for the control, design information such as an analysis model of a numerical analysis system necessary for designing, a predicted defect, a cause that constitutes a defect generation process (hereinafter, referred to as a defect potential), and a degree of the defect potential are described. It has a table structure showing the relationship between defects and the defective potentials, the relationship between the defective potentials, and the relationship between the design parameters and the defective potentials. An experimental plan creation support system characterized by storing.
【請求項4】請求項3において、前記不良発生過程生成
手段は、不良と不良ポテンシャルの関係を不良と不良ポ
テンシャルの間に関係がない場合、各行の表す不良ポテ
ンシャルの数値が増加したときに各列の表す不良が増加
する場合、減少する場合、を各々記号で表して構成する
マトリクスを有することを特徴とする実験計画作成支援
システム。
4. The defect generation process generation means according to claim 3, wherein when there is no relation between the defect and the defect potential between the defect and the defect potential, the defect generation process generation means determines each value when the numerical value of the defect potential represented by each row increases. A system for supporting the planning of an experiment, which has a matrix configured to represent by symbols each of a case where the number of defects represented by a column increases and a case where the number of defects decreases.
【請求項5】請求項3において、前記不良発生過程生成
手段は、不良ポテンシャル同志の関係を不良ポテンシャ
ル同志の間に関係がない場合、並列な関係にある場合、
各行の表す不良ポテンシャルの数値が増加したときに各
列の表す不良ポテンシャルの数値が増加する場合、減少
する場合、を各々記号で表して構成するマトリクスを有
することを特徴とする実験計画作成支援システム。
5. The defect generation process generation means according to claim 3, wherein the defective potentials have no relation between the defective potentials, and the defective potentials have a parallel relation.
An experimental plan creation support system characterized by having a matrix that represents each symbol when the numerical value of the defective potential represented by each row increases or decreases when the numerical value of the defective potential represented by each column increases. .
【請求項6】請求項3において、前記不良発生過程生成
手段は、不良ポテンシャルと設計パラメータの関係を不
良ポテンシャルと設計パラメータの間に関係がない場
合、各行の表す設計パラメータの数値が増加したときに
各列の表す不良ポテンシャルの数値が増加する場合、減
少する場合、を各々記号で表して構成するマトリクスを
有することを特徴とする実験計画作成支援システム。
6. The defect generation process generation means according to claim 3, wherein when the relationship between the defective potential and the design parameter is not related to the defective potential and the design parameter, when the numerical value of the design parameter represented by each row increases. An experimental plan making support system characterized in that it has a matrix that represents each symbol by a symbol when the number of defective potentials in each column increases or decreases, respectively.
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Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
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US7289859B2 (en) 2005-09-30 2007-10-30 Hitachi, Ltd. Method for determining parameter of product design and its supporting system
JP2009522657A (en) * 2005-12-29 2009-06-11 スリーエム イノベイティブ プロパティズ カンパニー An expert system for planning experiments.

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