JPH07179773A - Azo compound - Google Patents

Azo compound

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JPH07179773A
JPH07179773A JP32574893A JP32574893A JPH07179773A JP H07179773 A JPH07179773 A JP H07179773A JP 32574893 A JP32574893 A JP 32574893A JP 32574893 A JP32574893 A JP 32574893A JP H07179773 A JPH07179773 A JP H07179773A
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JP
Japan
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group
azo
phenylene
compound
thin film
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JP32574893A
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Japanese (ja)
Inventor
Tetsuo Saji
哲夫 佐治
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Dainichiseika Color and Chemicals Mfg Co Ltd
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Dainichiseika Color and Chemicals Mfg Co Ltd
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Filing date
Publication date
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Abstract

PURPOSE:To obtain a new azo compound useful for the production of a thin film of a functional material such as dye and photoconductive material by a wet process using an aqueous solvent. CONSTITUTION:This compound is expressed by formula I (R is H or an alkyl; phi1 and phi2 are each p-phenylene; (m) is >=1; (n) is >=1 and preferably 6), e.g. the compound of formula II. The compound of formula I can be produced e.g. by mixing and dissolving sodium hydride in a polyethylene glycol having a polymerization degree of 13, adding 4-(2-bromoethoxy)-4'-hexylazobenzene to the mixture, reacting under heating, distilling out the solvent from the reaction mixture under reduced pressure, adding 1-butanol and water, fractionating the mixture, distilling out the solvent from the organic layer, dissolving the residue in benzene and developing on a silica get column.

Description

【発明の詳細な説明】Detailed Description of the Invention

【0001】[0001]

【産業上の利用分野】本発明は、色素、光導電性材料な
どの機能材料の薄膜を水系溶媒を用いた湿式法で製造す
る際に有用なアゾ化合物に関する。
BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to an azo compound useful when a thin film of a functional material such as a dye or a photoconductive material is produced by a wet method using an aqueous solvent.

【0002】[0002]

【従来の技術】従来、カラーフィルター、電子写真感光
体、光センサー、太陽電池、エレクトロルミネッセンス
素子、光記録媒体、非線形光学素子、電気光学素子、フ
ォトクロミック薄膜、エレクトロクロミック素子、ガス
センサー、及びイオンセンサーなどの機能素子に用いら
れる機能材料、即ち色素、電荷発生材、電荷輸送材、エ
レクトロルミネッセンス材料、感光性色素、非線形光学
材料、電気光学材料、フォトクロミック材料、エレクト
ロクロミック材料、ガスセンシング材料、及びイオンセ
ンシング材料などが疎水性である場合、疎水性物質の薄
膜の製造方法として、例えば以下のような方法が利用さ
れている。
2. Description of the Related Art Conventionally, color filters, electrophotographic photoconductors, photosensors, solar cells, electroluminescence devices, optical recording media, nonlinear optical devices, electro-optical devices, photochromic thin films, electrochromic devices, gas sensors, and ion sensors. Functional materials used in functional elements such as dyes, charge generation materials, charge transport materials, electroluminescent materials, photosensitive dyes, nonlinear optical materials, electro-optical materials, photochromic materials, electrochromic materials, gas sensing materials, and ions. When the sensing material or the like is hydrophobic, the following method is used as a method for manufacturing a thin film of a hydrophobic substance.

【0003】溶液又は分散液を用いる湿式法として、塗
布法、ブレードコート法、ロールコート法、スピンコー
ト法、ディッピング法、スプレー法などの塗工法、平
版、凸版、凹版、孔版、スクリーン、転写などの印刷
法、電着法、電解重合法などの電気化学的手法など。
As a wet method using a solution or a dispersion liquid, a coating method such as a coating method, a blade coating method, a roll coating method, a spin coating method, a dipping method and a spray method, a lithographic plate, a letterpress, an intaglio, a stencil, a screen, a transfer method, etc. Electrochemical methods such as printing method, electrodeposition method, electrolytic polymerization method, etc.

【0004】液体状モノマーの重合ないし重縮合反応を
利用する方法として、キャスティング法、リアクション
・インジェクションモールド法など。
As a method utilizing polymerization or polycondensation reaction of a liquid monomer, casting method, reaction injection molding method, etc.

【0005】気体分子又は気体状モノマーを用いる方法
として、昇華転写法、蒸着法、真空蒸着法、イオンビー
ム法、スパッタリング法、プラズマ重合法、光重合法な
ど。
Examples of methods using gas molecules or gaseous monomers include sublimation transfer method, vapor deposition method, vacuum vapor deposition method, ion beam method, sputtering method, plasma polymerization method, photopolymerization method and the like.

【0006】加熱による溶融あるいは軟化を利用する方
法として、ホットプレス法、射出成形法、延伸法、溶融
性粉体を用いる静電塗工法など。
As a method of utilizing melting or softening by heating, there are a hot pressing method, an injection molding method, a drawing method, an electrostatic coating method using a meltable powder, and the like.

【0007】フェロセン残基含有界面活性剤の電解酸化
を利用する方法、即ち、フェロセン残基を有する界面活
性剤を用いて、疎水性物質の微粒子を水中に分散した分
散液を電解し、アノード表面において該フェロセン残基
を酸化することにより界面活性剤としての機能を喪失さ
せ、アノード表面近傍において、前記の微粒子の分散状
態を破壊し、その結果、該微粒子をカソード表面へ付着
させる方法[T.Saji,K.Hoshino,Y.Ishii,M.Goto,Journa
l of the American Chemical Society、113巻、45
0頁(1991年)]。
A method utilizing electrolytic oxidation of a ferrocene residue-containing surfactant, that is, a surfactant having a ferrocene residue is used to electrolyze a dispersion liquid in which fine particles of a hydrophobic substance are dispersed in water to form an anode surface. In the method of T., the function as a surfactant is lost by oxidizing the ferrocene residue, and the dispersed state of the fine particles is destroyed in the vicinity of the anode surface, and as a result, the fine particles are attached to the cathode surface [T. Saji, K.Hoshino, Y.Ishii, M.Goto, Journa
l of the American Chemical Society, Volume 113, 45
0 (1991)].

【0008】[0008]

【発明が解決しようとする課題】これらの従来の薄膜製
造方法は種々の利点を持つ反面、前記の疎水性機能材料
の薄膜の製造に適用する場合、例えば以下のような制限
や課題がある。
While these conventional thin film manufacturing methods have various advantages, they have the following limitations and problems when applied to the manufacturing of the above-mentioned hydrophobic functional material thin film.

【0009】前記の湿式法を利用する場合、水ではな
く、有機溶剤を使用することが多い。有機溶剤の使用に
ともなう課題の一つとして、塗工設備の他に、火災防止
及び人体・自然環境への安全・保全のために大がかりな
付帯設備即ち多額な設備投資を必要とし、さらに、薄膜
製造工程で発生する可燃性の有機溶剤蒸気を安全かつ完
全に除去するには、多大なエネルギー即ち多額な運転経
費を必要とするという問題がある。
When the above-mentioned wet method is used, an organic solvent is often used instead of water. As one of the problems with the use of organic solvents, in addition to coating equipment, large-scale incidental equipment, that is, a large amount of equipment investment is required for fire prevention and safety / conservation for the human body and the natural environment. There is a problem that a large amount of energy, that is, a large operating cost is required to safely and completely remove the combustible organic solvent vapor generated in the manufacturing process.

【0010】有機溶剤の使用にともなう課題の一つとし
て、前記の湿式法において、疎水性物質微粒子の分散溶
媒として有機溶剤を使用する場合、分散液作成から薄膜
の作成までの分散工程、分散液の貯蔵及び使用途上、あ
るいは薄膜製造工程において該微粒子の結晶成長、結晶
転移、及び/あるいは、凝集状態の変化を完全に防止
し、該微粒子の状態を制御することは容易でないという
問題がある。疎水性物質微粒子の結晶成長、結晶転移、
及び、凝集状態を制御して薄膜を製造することは、疎水
性の機能材料の薄膜を用いる前記の機素子の特性を向上
させる上で、極めて重要な課題である。
As one of the problems associated with the use of an organic solvent, in the above-mentioned wet method, when an organic solvent is used as a dispersion solvent for fine particles of a hydrophobic substance, a dispersion process from dispersion preparation to thin film preparation, dispersion There is a problem that it is not easy to completely prevent the crystal growth, crystal transition, and / or change of the agglomeration state of the fine particles during storage and use of the fine particles, or to control the fine particle state in the thin film manufacturing process. Crystal growth, crystal transition of hydrophobic substance particles,
Also, controlling the aggregation state to produce a thin film is an extremely important issue in improving the characteristics of the above-mentioned device using a thin film of a hydrophobic functional material.

【0011】前記の湿式法において、有機溶剤中での疎
水性物質微粒子の結晶成長及び結晶転移抑制、及び、凝
集状態制御の解決手段として、従来、該微粒子の分散液
中に、バインダー樹脂(ベヒクル又はワニスともいう)
を共存させる方法が広く用いられている。即ち、従来の
湿式法による薄膜の製造方法においては、疎水性物質を
バインダー樹脂の有機溶剤溶液中へ溶解又は微粒子とし
て分散させた塗工液、塗料、又は、インキが広く用いら
れている。バインダー樹脂を用いる場合の課題の一つ
は、得られる薄膜に、疎水性の機能材料とともにバイン
ダー樹脂が共存することとなり、該薄膜の単位体積中の
機能材料の量、即ち濃度が減少するという問題がある。
該薄膜中のバインダー樹脂の使用量を低減し、機能材料
の濃度を向上させることは、カラーフィルター、電子写
真感光体、光センサー、太陽電池、エレクトロルミネッ
センス素子、光記録媒体、非線形光学素子、電気光学素
子、フォトクロミック薄膜、エレクトロクロミック素
子、ガスセンサー、及びイオンセンサーなどの特性を向
上させる上で重要な課題である。
In the above-mentioned wet method, as a means for suppressing the crystal growth and crystal transition of fine particles of a hydrophobic substance in an organic solvent and controlling the aggregation state, conventionally, a binder resin (vehicle) has been used in a dispersion liquid of the fine particles. Or varnish)
The method of coexisting is widely used. That is, in the conventional method of manufacturing a thin film by a wet method, a coating liquid, a coating material, or an ink in which a hydrophobic substance is dissolved or dispersed as fine particles in an organic solvent solution of a binder resin is widely used. One of the problems when using a binder resin is that the binder resin coexists in the obtained thin film together with the hydrophobic functional material, and the amount of the functional material per unit volume of the thin film, that is, the concentration decreases. There is.
To reduce the amount of the binder resin used in the thin film and improve the concentration of the functional material, color filters, electrophotographic photoreceptors, photosensors, solar cells, electroluminescent elements, optical recording media, non-linear optical elements, electrical This is an important issue for improving the characteristics of optical elements, photochromic thin films, electrochromic elements, gas sensors, ion sensors, and the like.

【0012】前記の湿式法においてバインダー樹脂を用
いる場合の課題の一つとして、該樹脂の選択の問題があ
る。前記の湿式法薄膜製造方法において用いられるバイ
ンダー樹脂は、疎水性物質微粒子の分散性及び分散安定
性、該微粒子の結晶成長抑制、分散液の流動特性といっ
た薄膜製造に関わる諸特性、及び薄膜の機械的強度、安
定性、光学特性、電気的特性といった薄膜の諸特性を同
時に満足することが要求され、その選択は容易でなく、
多くの場合、全ての特性を完全に満足するバインダー樹
脂を選択出来るとは限らないという問題がある。
One of the problems in using a binder resin in the above-mentioned wet method is the problem of selecting the resin. The binder resin used in the above-mentioned wet method thin film manufacturing method is used for various characteristics relating to thin film manufacturing, such as dispersibility and dispersion stability of the hydrophobic substance particles, suppression of crystal growth of the particles, and flow characteristics of the dispersion liquid, and mechanical properties of the thin film. It is required to simultaneously satisfy various characteristics of the thin film such as dynamic strength, stability, optical characteristics, and electrical characteristics, and its selection is not easy,
In many cases, there is a problem that it is not always possible to select a binder resin that completely satisfies all the properties.

【0013】液体状モノマーを利用する方法の課題とし
て、液体状モノマーは、それ自身が重合反応を起こすと
いう高い反応性を有するため、有機溶剤を使用する場合
と同等以上に高度な防災・安全・環境保全のための付帯
設備を必要とするという問題がある。
As a problem of the method using the liquid monomer, since the liquid monomer has a high reactivity of causing a polymerization reaction by itself, a high degree of disaster prevention / safety as compared with the case of using an organic solvent can be achieved. There is a problem that ancillary equipment for environmental protection is required.

【0014】気体分子又は分子クラスターを用いる方法
の課題として、昇華転写法、蒸着法、真空蒸着法、イオ
ンビーム法、スパッタリング法などの方法は、気化しう
る疎水性物質のみを単独で薄膜化しうる利点がある反
面、気化により分解しやすい物質や気化しない物質には
適用できないという重大な制限がある。又プラズマ重合
法や光重合法も、適用出来る例は限られている。
As a subject of the method using gas molecules or molecular clusters, methods such as sublimation transfer method, vapor deposition method, vacuum vapor deposition method, ion beam method, and sputtering method can make only a vaporizable hydrophobic substance into a thin film by itself. Despite its advantages, it has a serious limitation that it cannot be applied to substances that are easily decomposed by vaporization or that are not vaporized. In addition, examples applicable to the plasma polymerization method and the photopolymerization method are limited.

【0015】真空装置の使用にともなう課題として、真
空蒸着法、イオンビーム法、スパッタリング法などの方
法で大面積かつ均一な薄膜を製造するには、高価な大型
の真空装置を必要とする。又、大面積の薄膜基板を真空
装置へ出し入れする操作を能率良く実施することは容易
でない。
As a problem associated with the use of a vacuum apparatus, an expensive large vacuum apparatus is required to manufacture a large-area and uniform thin film by a method such as a vacuum vapor deposition method, an ion beam method and a sputtering method. Further, it is not easy to efficiently carry out the operation of taking a large area thin film substrate into and out of the vacuum apparatus.

【0016】加熱による溶融あるいは軟化を利用する方
法の課題として、第一に熱的安定性の問題があり、熱的
に不安定な物質には適用できないという重大な制限があ
る。第二に薄膜の膜厚の問題があり、ホットプレス法、
射出成形法、延伸法、溶融性粉体を用いる静電塗工法な
どの方法で1μm未満の膜厚の薄膜を製造することは極
めて困難である。
As a problem of the method utilizing melting or softening by heating, there is a problem of thermal stability in the first place, and there is a serious limitation that it cannot be applied to a thermally unstable substance. Secondly, there is the problem of thin film thickness, the hot pressing method,
It is extremely difficult to produce a thin film having a film thickness of less than 1 μm by a method such as an injection molding method, a stretching method, an electrostatic coating method using a meltable powder, or the like.

【0017】フェロセン残基含有界面活性剤の電解酸化
を利用する方法の課題として、第一に、得られる薄膜中
へのフェロセン残基を有する界面活性剤及び/あるいは
その酸化生成物の残留を皆無にすることは困難であり、
これらが機能材料の薄膜の特性に悪影響を及ぼす場合が
ありうる。第二に、導電性基板又は電極の表面材質の問
題があり、フェロセン残基含有界面活性剤の電解酸化を
利用する方法では、アノードとして作用する導電性基板
又は電極の表面の材質として、フェロセン残基含有界面
活性剤分子よりも酸化還元電位が貴な材質を用いなけれ
ばならないという制約がある。
As a subject of the method utilizing electrolytic oxidation of a ferrocene residue-containing surfactant, firstly, there is no residue of the surfactant having a ferrocene residue and / or its oxidation product in the obtained thin film. Is difficult to
These may adversely affect the properties of the thin film of functional material. Secondly, there is a problem with the surface material of the conductive substrate or the electrode, and in the method utilizing electrolytic oxidation of the ferrocene residue-containing surfactant, the ferrocene residue is used as the material of the surface of the conductive substrate or electrode acting as an anode. There is a constraint that a material having a redox potential higher than that of the group-containing surfactant molecule must be used.

【0018】そこで、本発明は、以上の通りの従来技術
の欠点を解消して、疎水性の物質及び機能材料の薄膜を
製造する上で有用なアゾ化合物を提供しようとするもの
である。
Therefore, the present invention aims to solve the above-mentioned drawbacks of the prior art and provide an azo compound useful for producing a thin film of a hydrophobic substance and a functional material.

【0019】[0019]

【課題を解決する為の手段】本発明者は、特定のアゾ化
合物を界面活性剤として用いて、疎水性物質を水系溶剤
(水単独又は水と相溶性のある有機溶剤と水との混合溶
剤)中に可溶化又は分散させた液について、必要に応じ
て支持電解質を加え、カソードとして作用する導電性基
板又は電極を構成する成分の溶出の起こらない電位にお
いて電解を行い、カソード表面において、前記のアゾ化
合物を電解還元することにより、カソード表面近傍にお
いて、前記の疎水性物質の可溶化状態又は分散状態を破
壊し、その結果、該疎水性物質をカソードとして作用す
る導電性基板又は電極の表面へ、薄膜として付着させる
ことが出来ることを見出し、本発明に到達した。
Means for Solving the Problems The present inventor has used a specific azo compound as a surfactant to add a hydrophobic substance to an aqueous solvent (water alone or a mixed solvent of water and an organic solvent compatible with water). ) In the solution solubilized or dispersed in, the supporting electrolyte is added as necessary, electrolysis is performed at a potential at which the components constituting the conductive substrate or the electrode acting as the cathode do not elute, and at the cathode surface, By electrolytically reducing the azo compound of 1., the solubilized state or dispersed state of the hydrophobic substance is destroyed in the vicinity of the cathode surface, and as a result, the surface of the conductive substrate or electrode that acts as the cathode with the hydrophobic substance. Therefore, they have found that they can be attached as a thin film, and arrived at the present invention.

【0020】本発明は、下記の一般式〔I〕 R−φ−N=N−φ−O(CHO(CH
O)H 〔I〕 [ここで、Rは水素原子、又は、アルキル基を表し、φ
及びφはp−フェニレン基を表し、mは1以上の整
数を表し、nは1以上、好ましくは6以上の整数を表
す。]で表されるアゾ化合物である。
The present invention provides the following general formula [I] R-φ 1 -N = N-φ 2 -O (CH 2 ) m O (CH 2 C
H 2 O) n H [I] [wherein R represents a hydrogen atom or an alkyl group, φ
1 and φ 2 represent a p-phenylene group, m represents an integer of 1 or more, and n represents an integer of 1 or more, preferably 6 or more. ] It is an azo compound represented by.

【0021】[0021]

【作用】本発明のアゾ化合物を単独又は混合して用いる
ことにより、疎水性の機能材料を水系溶剤(水単独、又
は、水と相溶性のある有機溶剤と水との混合溶剤)中へ
分散又は可溶化し、該アゾ化合物を電解還元して分散状
態又は可溶化状態を壊し、カソード表面に機能材料を付
着させることにより、例えば、優れたカラーフィルタ
ー、電子写真感光体、光センサー、太陽電池、エレクト
ロルミネッセンス素子、光記録媒体、非線形光学素子、
電気光学素子、フォトクロミック薄膜、エレクトロクロ
ミック素子、ガスセンサー、及び、イオンセンサーなど
を提供することができる。
By using the azo compound of the present invention alone or in combination, the hydrophobic functional material is dispersed in the water-based solvent (water alone or a mixed solvent of water and an organic solvent compatible with water). Alternatively, it is solubilized, the azo compound is electrolytically reduced to break the dispersed state or the solubilized state, and a functional material is attached to the cathode surface, thereby, for example, an excellent color filter, an electrophotographic photoreceptor, an optical sensor, a solar cell. , Electroluminescence element, optical recording medium, non-linear optical element,
It is possible to provide an electro-optical element, a photochromic thin film, an electrochromic element, a gas sensor, an ion sensor and the like.

【0022】[0022]

【実施例】以下、本発明を実施例により更に詳細に説明
する。なお、以下の説明において、化学物質の構造確認
に使用したプロトン核磁気共鳴スペクトル(以下、
−NMRと略記する。)はクロロホルム−dを溶媒と
し、周波数270MHzにおいて測定したものであり、
化学シフト値(δ)はテトラメチルシランを内部標準と
してppm単位で表し、シグナルの積分値は分子中の水
素原子Hの数に換算して表し、シグナルのパターンは、
シングレットをs、ダブレットをd、トリプレットを
t、カルテットをq、マルチプレットをmと表記する。
又、フーリエ変換赤外線吸収スペクトル(以下、FT−
IRと略記する。)は試料を臭化カリウムの板へ塗布し
て測定したものである。
EXAMPLES The present invention will now be described in more detail with reference to examples. In the following description, the proton nuclear magnetic resonance spectrum (hereinafter referred to as 1 H
-Abbreviated as NMR. ) Is measured at a frequency of 270 MHz using chloroform-d 1 as a solvent,
The chemical shift value (δ) is expressed in ppm with tetramethylsilane as an internal standard, the integrated value of the signal is expressed in terms of the number of hydrogen atoms H in the molecule, and the signal pattern is
A singlet is represented by s, a doublet is represented by d, a triplet is represented by t, a quartet is represented by q, and a multiplet is represented by m.
In addition, Fourier transform infrared absorption spectrum (hereinafter referred to as FT-
Abbreviated as IR. ) Is measured by applying the sample to a plate of potassium bromide.

【0023】実施例1 前記の一般式〔I〕において、Rがn−ヘキシル、mが
2、nが13のもの、即ち、下記の化学構造式(1)
Example 1 In the above general formula [I], R is n-hexyl, m is 2 and n is 13, that is, the following chemical structural formula (1)

【0024】[0024]

【化1】 で表されるアゾ化合物。[Chemical 1] An azo compound represented by.

【0025】合成例1 〔実施例1のアゾ化合物(1)
の合成〕 1)合成中間体4−ヘキシル−4’−ヒドロキシアゾベ
ンゼンの合成 水20cmにアセトン20cm及び濃塩酸18.1
cm(0.2mol)を混合し、そこへp−n−ヘキ
シルアニリン12.4g(0.07mol)を良くかき
混ぜながら加え、溶解した。この溶液を冷却して0ない
し5℃に保ち、良くかき混ぜながら、亜硝酸ナトリウム
5.09g(0.07mol)を水20cmに溶解し
た溶液を10分を要し滴下し、次いで20分間攪拌して
ジアゾニウム溶液を得た。一方、水50cmに水酸化
ナトリウム3g(0.075mol)及び炭酸ナトリウ
ム12g(0.11mol)を溶かした溶液中へ、フェ
ノール6.58g(0.07mol)を溶解したカップ
ラー溶液を15〜20℃に保ち、良くかき混ぜながら、
前記のジアゾニウム溶液を10分を要し滴下し、次いで
1時間攪拌した。この反応液を希塩酸で中和し、析出し
た固体を濾過し、水で洗浄し、減圧下乾燥した。得られ
た固形分をベンゼンに溶解し、シリカゲル(メルク社製
「シリカゲル60」)カラムへ展開し、ベンゼンで抽出
して不純物を分離した後、エタノール/ベンゼン混合溶
媒で抽出し、減圧下、溶媒を留去して、4−ヘキシル−
4’−ヒドロキシアゾベンゼンを得た。
Synthesis Example 1 [azo compound (1) of Example 1]
Synthesis of 1) Synthesis of Synthetic Intermediate 4-Hexyl-4′-hydroxyazobenzene Acetone 20 cm 3 and concentrated hydrochloric acid 18.1 in 20 cm 3 of water.
cm 3 (0.2 mol) was mixed, and 12.4 g (0.07 mol) of pn-hexylaniline was added thereto with thorough stirring and dissolved. The solution was cooled and kept at 0 to 5 ° C., while stirring well, a solution of 5.09 g (0.07 mol) of sodium nitrite in 20 cm 3 of water was added dropwise over 10 minutes, and then stirred for 20 minutes. A diazonium solution was obtained. On the other hand, a coupler solution prepared by dissolving 6.58 g (0.07 mol) of phenol in a solution prepared by dissolving 3 g (0.075 mol) of sodium hydroxide and 12 g (0.11 mol) of sodium carbonate in 50 cm 3 of water was added at 15 to 20 ° C. And stir well,
The diazonium solution was added dropwise over 10 minutes and then stirred for 1 hour. The reaction solution was neutralized with dilute hydrochloric acid, and the precipitated solid was filtered, washed with water, and dried under reduced pressure. The obtained solid content is dissolved in benzene, developed on a silica gel (“Silica gel 60” manufactured by Merck & Co., Inc.) column, extracted with benzene to separate impurities, and then extracted with an ethanol / benzene mixed solvent, and the solvent is removed under reduced pressure. Was distilled off to give 4-hexyl-
4'-hydroxyazobenzene was obtained.

【0026】2)合成中間体4−(2−ブロモエトキ
シ)−4’−ヘキシルアゾベンゼンの合成 2−ブタノン80cmに4−ヘキシル−4’−ヒドロ
キシアゾベンゼン4.23g(15mmol)、1,2
−ジブロモエタン8.46g(45mmol)、及び、
炭酸カリウム4.15g(30mmol)を混合し、良
くかき混ぜながら加熱して、還流下、3日間撹拌した。
固形物を濾別し、濾液の溶媒を減圧下留去してからベン
ゼンに溶解し、シリカゲル(メルク社製「シリカゲル6
0」)カラムへ展開し、ベンゼンで抽出して不純物を分
離した後、更にベンゼンで抽出し、減圧下、溶媒を留去
して、4−(2−ブロモエトキシ)−4’−ヘキシルア
ゾベンゼンを得た。この化合物のH−NMR測定結果
は図1の通りであり、化学シフト値(積分値、シグナル
パターン、及び、帰属)は脂肪族プロトンについて0.
89(3H,m,n−ヘキシル基の6−位メチル基),
1.33(6H,m,n−ヘキシル基の3,4,5−位
メチレン基),1.66(2H,m,n−ヘキシル基の
2−位メチレン基),2.68(2H,t,n−ヘキシ
ル基の1−位メチレン基),3.68(2H,t,2−
ブロモエトキシ基の2−位メチレン基),及び,4.3
8ppm(2H,t,2−ブロモエトキシ基の1−位メ
チレン基)、芳香族プロトンについて7.03(2H,
d),7.31(2H,d),7.81(2H,d),
及び,7.91ppm(2H,d)であった。
2) Synthesis of synthetic intermediate 4- (2-bromoethoxy) -4'-hexylazobenzene 4-hexyl-4'-hydroxyazobenzene 4.23 g (15 mmol), 1,2 in 80 cm 3 of 2-butanone.
-8.46 g (45 mmol) of dibromoethane, and
4.15 g (30 mmol) of potassium carbonate was mixed, heated with thorough stirring, and stirred under reflux for 3 days.
The solid matter is filtered off, the solvent of the filtrate is distilled off under reduced pressure, and the residue is dissolved in benzene.
0 ") column, extracted with benzene to separate impurities, and then extracted with benzene, and the solvent was distilled off under reduced pressure to give 4- (2-bromoethoxy) -4'-hexylazobenzene. Obtained. The 1 H-NMR measurement result of this compound is as shown in FIG. 1, and the chemical shift value (integral value, signal pattern, and attribution) is 0.
89 (methyl group at 6-position of 3H, m, n-hexyl group),
1.33 (methylene group at 3,4,5-position of 6H, m, n-hexyl group), 1.66 (methylene group at 2-position of 2H, m, n-hexyl group), 2.68 (2H, methylene group at 1-position of t, n-hexyl group), 3.68 (2H, t, 2-
2-position methylene group of bromoethoxy group), and 4.3
8 ppm (methylene group at 1-position of 2H, t, 2-bromoethoxy group), 7.03 (2H,
d), 7.31 (2H, d), 7.81 (2H, d),
And 7.91 ppm (2H, d).

【0027】3)アゾ化合物(1)の合成 窒素雰囲気下、ジメトキシエタン20cmに、下記の
一般式〔II〕 HO(CHCHO)H 〔II〕 において重合度nが13のポリエチレングリコール8.
0g(13.5mmol)及び水素化ナトリウム0.3
g(12.5mmol)を混合し、良く撹拌して溶解し
た。この溶液へ4−(2−ブロモエトキシ)−4’−ヘ
キシルアゾベンゼン2.13g(5.47mmol)を
加え、加熱し、還流下24時間、撹拌した。放冷後、減
圧下、溶媒を留去し、1−ブタノール及び水を加えて良
くかき混ぜてから分液し、有機層から減圧下、溶媒を留
去し、ベンゼンに溶解してシリカゲル(メルク社製「シ
リカゲル60」)カラムへ展開し、ベンゼンで抽出して
不純物を分離した後、更にベンゼンで抽出し、減圧下、
溶媒を留去して、実施例1のアゾ化合物(1)を得た。
3) Synthesis of azo compound (1) Polyethylene having a polymerization degree n of 13 in 20 cm 3 of dimethoxyethane in the following general formula [II] HO (CH 2 CH 2 O) n H [II] under a nitrogen atmosphere. Glycol 8.
0 g (13.5 mmol) and sodium hydride 0.3
g (12.5 mmol) were mixed and well stirred to dissolve. To this solution, 2.13 g (5.47 mmol) of 4- (2-bromoethoxy) -4′-hexylazobenzene was added, heated, and stirred under reflux for 24 hours. After allowing to cool, the solvent was distilled off under reduced pressure, 1-butanol and water were added, and the mixture was well stirred and then separated, and the solvent was distilled off from the organic layer under reduced pressure and dissolved in benzene to dissolve in silica gel (Merck). "Silica gel 60" column made, and extracted with benzene to separate impurities, and then further extracted with benzene, under reduced pressure,
The solvent was distilled off to obtain the azo compound (1) of Example 1.

【0028】この生成物をテトラヒドロフランに溶解
し、ゲルパーミュエーションクロマトグラフィー分析
(以下、GPCと略記する。)を行ったところ、アゾ化
合物(1)の生成を支持する結果が得られた。即ち、原
料のアゾベンゼン誘導体及びポリエチレングリコールは
検出されず、これらよりも分子量が大きいことを示唆す
る保持時間の所に1つの鋭いピークが観察された。
When this product was dissolved in tetrahydrofuran and subjected to gel permeation chromatography analysis (hereinafter abbreviated as GPC), results supporting the formation of azo compound (1) were obtained. That is, the raw material azobenzene derivative and polyethylene glycol were not detected, and one sharp peak was observed at the retention time suggesting that the molecular weight was larger than these.

【0029】化学組成式C467815として
の計算値、炭素61.45%、水素8.74%、窒素
3.12%に対して、元素分析結果は炭素61.79
%、水素9.18%、窒素2.74%であった。
The calculated values as the chemical composition formula C 46 H 78 N 2 O 15 are 61.45% carbon, 8.74% hydrogen, and 3.12% nitrogen, and the elemental analysis result is 61.79 carbon.
%, Hydrogen 9.18%, and nitrogen 2.74%.

【0030】合成例1のアゾ化合物(1)のFT−IR
測定結果は図2の通りであった。又、H−NMR測定
結果は図3の通りであり、化学シフト値、積分値、シグ
ナルパターン、及び、帰属について解析した結果を表1
に示す。
FT-IR of azo compound (1) of Synthesis Example 1
The measurement result was as shown in FIG. The 1 H-NMR measurement results are shown in FIG. 3, and the results of analysis of chemical shift values, integrated values, signal patterns, and attributions are shown in Table 1.
Shown in.

【0031】以上の機器分析結果から、合成例1の生成
物は、実施例1のアゾ化合物(1)であることが確認さ
れた。
From the above instrumental analysis results, it was confirmed that the product of Synthesis Example 1 was the azo compound (1) of Example 1.

【0032】応用例1 粉末状態を走査型電子顕微鏡で観察したときの粒子の最
大径が0.2μm以下であり、粉末X線回折のパターン
が公知のβ型の結晶型に帰属される銅フタロシアニン
を、実施例1のアゾ化合物(1)を用いて、水中に、支
持電解質としての塩酸の存在下、超音波照射して分散し
た。このとき、分散液中における各成分の濃度を、アゾ
化合物について0.45g/dm(0.5mmol/
dm)、β型銅フタロシアニンについて5mmol/
dm、支持電解質について0.1mol/dmにな
るよう調節した。
Application Example 1 Copper phthalocyanine which has a maximum particle diameter of 0.2 μm or less when observed in a powder state with a scanning electron microscope and whose powder X-ray diffraction pattern belongs to a known β-type crystal form. Was dispersed in water using the azo compound (1) of Example 1 by ultrasonic irradiation in the presence of hydrochloric acid as a supporting electrolyte. At this time, the concentration of each component in the dispersion liquid was 0.45 g / dm 3 (0.5 mmol /
dm 3 ), 5 mmol / β-type copper phthalocyanine
dm 3 , and the supporting electrolyte was adjusted to be 0.1 mol / dm 3 .

【0033】この分散液を図4に示す電解槽に仕込み、
幅10mm、長辺20mm、厚さ1.1mmのガラス板
の1面に形成されたインジウム・錫複合酸化物薄膜(以
下、ITOと略記する。)を分散液に長辺方向に10m
m浸けて、これをカソードとし、白金網線をアノード、
飽和甘コウ電極(以下、SCEと略記する。)を参照電
極として用いて、ポテンショスタットにてITO電極へ
の印加電圧を−0.5V(対SCE)に調節し、温度2
5℃において、定電圧電解し、クーロメーター(電量
計)で電気量を測定した。電解開始後、約30分を要
し、30ミリクーロンの電気量を流し、ITO電極上に
緑味青色の薄膜(幅10mm、長さ10mm)を製造し
た。電解終了後、ITO電極を引き上げ、イオン交換水
で洗浄し、60℃に制御した送風式乾燥機中で乾燥し
た。
This dispersion was charged into the electrolytic cell shown in FIG.
An indium-tin composite oxide thin film (hereinafter abbreviated as ITO) formed on one surface of a glass plate having a width of 10 mm, a long side of 20 mm, and a thickness of 1.1 mm was dispersed in a dispersion liquid for 10 m in the long side direction.
Immerse m, use this as the cathode, platinum mesh wire as the anode,
Using a saturated sweet koh electrode (hereinafter abbreviated as SCE) as a reference electrode, the voltage applied to the ITO electrode was adjusted to -0.5 V (vs. SCE) with a potentiostat, and the temperature was adjusted to 2
At 5 ° C., constant voltage electrolysis was performed, and the amount of electricity was measured with a coulometer (coulometer). It took about 30 minutes after the start of electrolysis, and an electric quantity of 30 millicoulomb was applied to produce a greenish blue thin film (width 10 mm, length 10 mm) on the ITO electrode. After completion of electrolysis, the ITO electrode was pulled up, washed with ion-exchanged water, and dried in a blower dryer controlled at 60 ° C.

【0034】この膜の表面および断面を走査型電子顕微
鏡(倍率1万倍)で観察したところ、最大粒子径0.2
μm以下の粒子が密集して多孔性の膜を形成しているこ
とが判った。また、この膜の透過スペクトルパターンお
よびX線回折パターンは、前記で使用したのと同質のI
TO電極上に、β型銅フタロシアニン分散液を塗工法で
成膜したものと一致した。すなわち、使用した顔料(β
型銅フタロシアニン)の粒子径および結晶型を変えず
に、その顔料の薄膜を製造することができたことが確認
された。
When the surface and cross section of this film were observed with a scanning electron microscope (magnification: 10,000 times), the maximum particle size was 0.2.
It was found that particles having a size of μm or less were densely packed to form a porous film. In addition, the transmission spectrum pattern and X-ray diffraction pattern of this film show the same quality I as used above.
This was the same as a film formed by coating the β-type copper phthalocyanine dispersion on the TO electrode by a coating method. That is, the used pigment (β
It was confirmed that a thin film of the pigment could be produced without changing the particle size and the crystal type of the copper phthalocyanine (type copper phthalocyanine).

【0035】実施例2 前記の一般式〔I〕において、Rがn−ヘキシル、mが
2、nが12のもの、即ち、下記の化学構造式(2)
Example 2 In the above general formula [I], R is n-hexyl, m is 2 and n is 12, that is, the following chemical structural formula (2)

【0036】[0036]

【化2】 で表されるアゾ化合物。[Chemical 2] An azo compound represented by.

【0037】合成例2 〔実施例2のアゾ化合物(2)
の合成〕 ポリエチレングリコールとして重合度nが12のものを
用いた他は合成例1の場合と全く同様にして、実施例2
のアゾ化合物(2)を合成した。この化合物のGPC分
析結果は、アゾ化合物(1)よりも僅かに分子量が小さ
いことを示唆し、FT−IR測定結果は、アゾ化合物
(1)の場合(図2)と全く同等であった。また、
−NMR測定結果は、ポリオキシエチレン部分に帰属さ
れる3.60ないし3.75ppmのマルチプレットの
積分値が48Hである点を除いては、アゾ化合物(1)
の場合(図3)に極めて類似していた。以上の機器分析
結果から、アゾ化合物(2)の構造であることが確認さ
れた。
Synthesis Example 2 [Azo compound (2) of Example 2]
Synthesis of Example 2 was carried out in the same manner as in Synthesis Example 1 except that polyethylene glycol having a degree of polymerization n of 12 was used.
The azo compound (2) was synthesized. The GPC analysis result of this compound suggested that the molecular weight was slightly smaller than that of the azo compound (1), and the FT-IR measurement result was completely equivalent to that of the azo compound (1) (FIG. 2). Also, 1 H
-The NMR measurement results show that the azo compound (1) is the same except that the integral value of the multiplet of 3.60 to 3.75 ppm assigned to the polyoxyethylene portion is 48H.
Was very similar to the case (Fig. 3). From the above instrumental analysis results, it was confirmed that the structure was the azo compound (2).

【0038】応用例2 アゾ化合物(1)の代りにアゾ化合物(2)を用い、カ
ソードとして、ITOの代わりにアルミニウム板を用
い、電流密度50μA/cmで1時間、定電流電解を
行った以外は応用例1と同様にして、アルミニウム板上
にβ型銅フタロシアニンの薄膜を製造した。
Application Example 2 The azo compound (2) was used in place of the azo compound (1), an aluminum plate was used in place of ITO as the cathode, and constant current electrolysis was performed at a current density of 50 μA / cm 2 for 1 hour. A β-type copper phthalocyanine thin film was manufactured on an aluminum plate in the same manner as in Application Example 1 except for the above.

【0039】実施例3 前記の一般式〔I〕において、Rがn−ヘキシル、mが
2、nが14のもの、即ち、下記の化学構造式(3)
Example 3 In the above general formula [I], R is n-hexyl, m is 2 and n is 14, that is, the following chemical structural formula (3)

【0040】[0040]

【化3】 で表されるアゾ化合物。[Chemical 3] An azo compound represented by.

【0041】合成例3 〔実施例3のアゾ化合物(3)
の合成〕 ポリエチレングリコールとして重合度nが14のものを
用いた他は合成例1の場合と全く同様にして、実施例3
のアゾ化合物(3)を合成した。この化合物のGPC分
析結果は、アゾ化合物(1)よりも僅かに分子量が大き
いことを示唆し、FT−IR測定結果は、アゾ化合物
(1)の場合(図2)と全く同等であった。H−NM
R測定結果は、ポリオキシエチレン部分に帰属される
3.60ないし3.75ppmのマルチプレットの積分
値が56Hである点を除いては、アゾ化合物(1)の場
合(図3)に極めて類似していた。以上の機器分析結果
から、アゾ化合物(3)の構造であることが確認され
た。
Synthesis Example 3 [Azo compound (3) of Example 3]
Synthesis of Example 3 Example 3 was repeated in the same manner as in Synthesis Example 1 except that polyethylene glycol having a degree of polymerization n of 14 was used.
The azo compound (3) was synthesized. The GPC analysis result of this compound suggested that the molecular weight was slightly larger than that of the azo compound (1), and the FT-IR measurement result was completely equivalent to that of the azo compound (1) (FIG. 2). 1 H-NM
The R measurement result is very similar to that of the azo compound (1) (FIG. 3) except that the integral value of the multiplet of 3.60 to 3.75 ppm attributed to the polyoxyethylene portion is 56H. Was. From the above instrumental analysis results, it was confirmed that the structure was the azo compound (3).

【0042】応用例3 アゾ化合物(1)の代りにアゾ化合物(3)を用い、カ
ソードとして、ITOの代わりにアルミニウム板を用
い、電流密度50μA/cmで1時間、定電流電解を
行った以外は応用例1と同様にして、アルミニウム板上
にβ型銅フタロシアニンの薄膜を製造した。
Application Example 3 The azo compound (3) was used in place of the azo compound (1), an aluminum plate was used in place of ITO as the cathode, and constant current electrolysis was carried out at a current density of 50 μA / cm 2 for 1 hour. A β-type copper phthalocyanine thin film was manufactured on an aluminum plate in the same manner as in Application Example 1 except for the above.

【0043】合成例4 〔実施例1ないし3のアゾ化合
物の混合物〕 ポリエチレングリコールとして重合度nが12、13、
及び、14のものの混合物(平均重合度13)を用いた
他は合成例1の場合と全く同様にして、実施例1ないし
3のアゾ化合物(1)、(2)、及び、(3)の混合物
を合成した。この化合物のGPC分析結果は、3種類の
アゾ化合物の混合物であることを示唆する、隣接した3
本のピークを示し、FT−IR測定結果はアゾ化合物
(1)の場合(図2)と全く同等であった。H−NM
R測定結果もアゾ化合物(1)の場合(図3)に極めて
類似していた。
Synthesis Example 4 [Mixture of azo compounds of Examples 1 to 3] Polyethylene glycol having a degree of polymerization n of 12, 13,
And the azo compounds (1), (2), and (3) of Examples 1 to 3 in the same manner as in Synthesis Example 1 except that a mixture of 14 compounds (average degree of polymerization: 13) was used. The mixture was synthesized. The GPC analysis result of this compound indicates that it is a mixture of three adjacent azo compounds, suggesting that it is a mixture of three azo compounds.
The peak of the book was shown, and the FT-IR measurement result was exactly the same as in the case of the azo compound (1) (FIG. 2). 1 H-NM
The R measurement result was also very similar to the case of the azo compound (1) (FIG. 3).

【0044】応用例4 合成例4で合成したアゾ化合物(1)、(2)、及び、
(3)の混合物を用いた他は応用例1と同様にして、I
TO電極上にβ型銅フタロシアニンの薄膜を製造した。
Application Example 4 Azo compounds (1), (2), and
In the same manner as in Application Example 1 except that the mixture of (3) was used, I
A β-type copper phthalocyanine thin film was manufactured on the TO electrode.

【0045】実施例4ないし20 合成例(1)におけるp−n−ヘキシルアニリンの代わ
りに、アニリン、p−トルイジン、p−エチルアニリ
ン、p−n−プロピルアニリン、p−n−ブチルアニリ
ン、p−n−ペンチルアニリン、p−n−ヘプチルアニ
リン、p−n−オクチルアニリン、p−n−ノニルアニ
リン、p−n−デシルアニリン、p−n−ウンデシルア
ニリン、又は、p−n−ドデシルアニリンを用い、1,
2−ジブロモエタンの代りに、ジブロモメタン、1,3
−ジブロモプロパン、1,4−ジブロモブタン、1,5
−ジブロモペンタン、1,6−ジブロモヘキサン、又は
1,12−ジブロモドデカンを用い、又、種々の重合度
のポリエチレングリコールを用いた他は、合成例(1)
と同様にして、実施例4ないし20のアゾ化合物(4)
ないし(20)を合成した。これらのアゾ化合物のFT
−IRは全て実施例1の場合(図2)に良く類似してい
た。例えば、実施例7の場合のFT−IR測定結果を図
5に示す。一方、H−NMRは、それぞれの構造の特
徴を良く反映したパターンを示した。例えば、実施例
6、7、14、及び、16のアゾ化合物のH−NMR
測定結果を図6ないし9に示す。又、表1に実施例1な
いし20のアゾ化合物のH−NMRの解析結果(化学
シフト、積分値、シグナルパターン、及び、帰属)を示
す。
Examples 4 to 20 Instead of pn-hexylaniline in Synthesis Example (1), aniline, p-toluidine, p-ethylaniline, pn-propylaniline, pn-butylaniline, p -N-pentylaniline, pn-heptylaniline, pn-octylaniline, pn-nonylaniline, pn-decylaniline, pn-undecylaniline, or pn-dodecylaniline , 1,
Instead of 2-dibromoethane, dibromomethane, 1,3
-Dibromopropane, 1,4-dibromobutane, 1,5
-Dibromopentane, 1,6-dibromohexane, or 1,12-dibromododecane was used, and polyethylene glycol having various degrees of polymerization was used.
In the same manner as in Examples 4 to 20 (4)
To (20) were synthesized. FT of these azo compounds
All -IR were very similar to those in Example 1 (Fig. 2). For example, the FT-IR measurement result in the case of Example 7 is shown in FIG. On the other hand, 1 H-NMR showed a pattern that well reflected the characteristics of each structure. For example, 1 H-NMR of the azo compounds of Examples 6, 7, 14 and 16
The measurement results are shown in FIGS. Table 1 shows the 1 H-NMR analysis results (chemical shift, integrated value, signal pattern, and attribution) of the azo compounds of Examples 1 to 20.

【0046】[0046]

【化4】 [Chemical 4]

【0047】[0047]

【化5】 [Chemical 5]

【0048】[0048]

【化6】 [Chemical 6]

【0049】[0049]

【化7】 [Chemical 7]

【0050】[0050]

【化8】 [Chemical 8]

【0051】[0051]

【化9】 [Chemical 9]

【0052】[0052]

【化10】 [Chemical 10]

【0053】[0053]

【化11】 [Chemical 11]

【0054】[0054]

【化12】 [Chemical 12]

【0055】[0055]

【化13】 [Chemical 13]

【0056】[0056]

【化14】 [Chemical 14]

【0057】[0057]

【化15】 [Chemical 15]

【0058】[0058]

【化16】 [Chemical 16]

【0059】[0059]

【化17】 [Chemical 17]

【0060】[0060]

【化18】 [Chemical 18]

【0061】[0061]

【化19】 [Chemical 19]

【0062】[0062]

【化20】 [Chemical 20]

【0063】[0063]

【表1】 実施例 化合物 化学シフト 積分値 シグナル プロトンの帰属 番号 番号 [ppm] パターン 1 1 0.89 3H m ヘキシル基の6位(末端) 1.32 6H m ヘキシル基の3,4,5位 1.65 2H m ヘキシル基の2位 2.68 2H t ヘキシル基の1位 3.60〜 3.75 52H m ポリオキシエチレン部分 3.90 2H t φ隣接オキシエチレンの2位 4.22 2H t φ隣接オキシエチレンの1位 7.03 2H d フェニレンφのアゾ基のm位 7.31 2H d フェニレンφのアゾ基のm位 7.82 2H d フェニレンφのアゾ基のo位 7.92 2H d フェニレンφのアゾ基のo位 2 2 0.89 3H m ヘキシル基の6位(末端) 1.32 6H m ヘキシル基の3,4,5位 1.66 2H m ヘキシル基の2位 2.68 2H t ヘキシル基の1位 3.60〜 3.75 48H m ポリオキシエチレン部分 3.90 2H t φ隣接オキシエチレンの2位 4.22 2H t φ隣接オキシエチレンの1位 7.03 2H d フェニレンφのアゾ基のm位 7.31 2H d フェニレンφのアゾ基のm位 7.81 2H d フェニレンφのアゾ基のo位 7.91 2H d フェニレンφのアゾ基のo位 3 3 0.89 3H m ヘキシル基の6位(末端) 1.32 6H m ヘキシル基の3,4,5位 1.65 2H m ヘキシル基の2位 2.68 2H t ヘキシル基の1位 3.60〜 3.75 56H m ポリオキシエチレン部分 3.90 2H t φ隣接オキシエチレンの2位 4.22 2H t φ隣接オキシエチレンの1位 7.03 2H d フェニレンφのアゾ基のm位 7.31 2H d フェニレンφのアゾ基のm位 7.81 2H d フェニレンφのアゾ基のo位 7.92 2H d フェニレンφのアゾ基のo位 4 4 3.60〜 3.75 40H m ポリオキシエチレン部分 3.90 2H t φ隣接オキシエチレンの2位 4.22 2H t φ隣接オキシエチレンの1位 7.01 2H d フェニレンφのアゾ基のm位 7.45 1H m フェニルφのアゾ基のp位 7.51 2H m フェニルφのアゾ基のm位 7.89 2H m フェニルφのアゾ基のo位 7.92 2H d フェニレンφのアゾ基のo位 5 5 2.25 2H m φ隣接オキシプロピレン2位 3.60〜 ポリオキシエチレン部分及び 3.75 62H m φ隣接オキシプロピレン3位 4.12 2H t φ隣接オキシプロピレン1位 7.00 2H d フェニレンφのアゾ基のm位 7.45 1H m フェニルφのアゾ基のp位 7.51 2H m フェニルφのアゾ基のm位 7.88 2H m フェニルφのアゾ基のo位 7.92 2H d フェニレンφのアゾ基のo位 6 6 1.79 2H m オキシテトラメチレン2又は3位 1.91 2H m オキシテトラメチレン2又は3位 3.56 2H t オキシテトラメチレンの4位 3.60〜 3.75 52H m ポリオキシエチレン部分 4.08 2H t オキシテトラメチレンの1位 7.01 2H d フェニレンφのアゾ基のm位 7.45 1H m フェニルφのアゾ基のp位 7.51 2H m フェニルφのアゾ基のm位 7.89 2H m フェニルφのアゾ基のo位 7.92 2H d フェニレンφのアゾ基のo位 7 7 1.46 4H m オキシヘキサメチレン3及び4位 1.63 2H m オキシヘキサメチレン2又は5位 1.83 2H m オキシヘキサメチレン2又は5位 3.48 2H t オキシヘキサメチレンの6位 3.60〜 3.75 52H m ポリオキシエチレン部分 4.05 2H t オキシヘキサメチレンの1位 7.00 2H d フェニレンφのアゾ基のm位 7.45 1H m フェニルφのアゾ基のp位 7.51 2H m フェニルφのアゾ基のm位 7.88 2H m フェニルφのアゾ基のo位 7.92 2H d フェニレンφのアゾ基のo位 8 8 1.28〜 1.60 18H m ドデシルメチレン部分 1.83 2H m ドデシルメチレン部分 3.44 2H t ドデシルメチレンの12位 3.60〜 3.75 176H m ポリオキシエチレン部分 4.04 2H t オキシドデシルメチレンの1位 7.00 2H d フェニレンφのアゾ基のm位 7.44 1H m フェニルφのアゾ基のp位 7.51 2H m フェニルφのアゾ基のm位 7.87 2H m フェニルφのアゾ基のo位 7.91 2H d フェニレンφのアゾ基のo位 9 9 2.23 3H s メチル基 3.60〜 3.75 64H m ポリオキシエチレン部分 3.89 2H t φ隣接オキシエチレンの2位 4.21 2H t φ隣接オキシエチレンの1位 7.02 2H d フェニレンφのアゾ基のm位 7.31 2H d フェニレンφのアゾ基のm位 7.82 2H d フェニレンφのアゾ基のo位 7.91 2H d フェニレンφのアゾ基のo位 10 10 1.03 3H t エチル基の末端メチル 1.79 2H m オキシテトラメチレン2又は3位 1.91 2H m オキシテトラメチレン2又は3位 2.58 2H q エチル基のメチレン 3.56 2H t オキシテトラメチレンの4位 3.60〜 3.75 72H m ポリオキシエチレン部分 4.09 2H t オキシテトラメチレンの1位 7.03 2H d フェニレンφのアゾ基のm位 7.31 2H d フェニレンφのアゾ基のm位 7.81 2H d フェニレンφのアゾ基のo位 7.92 2H d フェニレンφのアゾ基のo位 11 11 0.93 3H t プロピル基の3位(末端) 1.66 2H m プロピル基の2位 2.67 2H t プロピル基の1位 3.60〜 3.75 60H m ポリオキシエチレン部分 5.90 2H s φ隣接オキシメチレン 7.02 2H d フェニレンφのアゾ基のm位 7.30 2H d フェニレンφのアゾ基のm位 7.82 2H d フェニレンφのアゾ基のo位 7.92 2H d フェニレンφのアゾ基のo位 12 12 0.90 3H t ブチル基の4位(末端) 1.33 2H m ブチル基の3位 1.66 2H m ブチル基の2位 2.68 2H t ブチル基の1位 3.60〜 3.75 80H m ポリオキシエチレン部分 3.90 2H t φ隣接オキシエチレンの2位 4.22 2H t φ隣接オキシエチレンの1位 7.03 2H d フェニレンφのアゾ基のm位 7.31 2H d フェニレンφのアゾ基のm位 7.81 2H d フェニレンφのアゾ基のo位 7.92 2H d フェニレンφのアゾ基のo位 13 13 0.89 3H t ペンチル基の5位(末端) 1.32 4H m ペンチル基の3及び4位 1.46 4H m オキシヘキサメチレン3及び4位 1.60〜 オキシヘキサメチレン2又は5位 1.70 4H m 及びペンチル基の2位 1.83 2H m オキシヘキサメチレン2又は5位 2.68 2H t ペンチル基の1位 3.48 2H t オキシヘキサメチレンの6位 3.60〜 3.75 96H m ポリオキシエチレン部分 4.05 2H t オキシヘキサメチレンの1位 7.03 2H d フェニレンφのアゾ基のm位 7.30 2H d フェニレンφのアゾ基のm位 7.82 2H d フェニレンφのアゾ基のo位 7.91 2H d フェニレンφのアゾ基のo位 14 14 0.89 3H m ヘキシル基の6位(末端) 1.32 6H m ヘキシル基の3,4,5位 1.66 2H m ヘキシル基の2位 2.68 2H t ヘキシル基の1位 3.60〜 3.75 88H m ポリオキシエチレン部分 3.90 2H t φ隣接オキシエチレンの2位 4.22 2H t φ隣接オキシエチレンの1位 7.03 2H d フェニレンφのアゾ基のm位 7.31 2H d フェニレンφのアゾ基のm位 7.81 2H d フェニレンφのアゾ基のo位 7.91 2H d フェニレンφのアゾ基のo位 15 15 0.89 3H m ヘプチル基の7位(末端) 1.31 8H m ヘプチル基の3,4,5,6位 1.66 2H m ヘプチル基の2位 2.68 2H t ヘプチル基の1位 3.60〜 3.75 68H m ポリオキシエチレン部分 5.90 2H s φ隣接オキシメチレン 7.03 2H d フェニレンφのアゾ基のm位 7.30 2H d フェニレンφのアゾ基のm位 7.82 2H d フェニレンφのアゾ基のo位 7.91 2H d フェニレンφのアゾ基のo位 16 16 0.88 3H m オクチル基の8位(末端) 1.31 10H m オクチル基の3位〜7位 1.66 2H m オクチル基の2位 2.68 2H t オクチル基の1位 3.60〜 3.75 88H m ポリオキシエチレン部分 3.90 2H t φ隣接オキシエチレンの2位 4.22 2H t φ隣接オキシエチレンの1位 7.03 2H d フェニレンφのアゾ基のm位 7.30 2H d フェニレンφのアゾ基のm位 7.82 2H d フェニレンφのアゾ基のo位 7.92 2H d フェニレンφのアゾ基のo位 17 17 0.88 3H m ノニル基の9位(末端) 1.31 12H m ノニル基の3位〜8位 1.66 2H m ノニル基の2位 1.79 2H m オキシテトラメチレン2又は3位 1.91 2H m オキシテトラメチレン2又は3位 2.68 2H t ノニル基の1位 3.56 2H t オキシテトラメチレンの4位 3.60〜 3.75 120H m ポリオキシエチレン部分 4.08 2H t オキシテトラメチレンの1位 7.03 2H d フェニレンφのアゾ基のm位 7.31 2H d フェニレンφのアゾ基のm位 7.82 2H d フェニレンφのアゾ基のo位 7.91 2H d フェニレンφのアゾ基のo位 18 18 0.88 3H m デシル基の10位(末端) 1.31 14H m デシル基の3位〜9位 1.66 2H m デシル基の2位 2.68 2H t デシル基の1位 3.60〜 3.75 100H m ポリオキシエチレン部分 3.90 2H t φ隣接オキシエチレンの2位 4.22 2H t φ隣接オキシエチレンの1位 7.03 2H d フェニレンφのアゾ基のm位 7.30 2H d フェニレンφのアゾ基のm位 7.81 2H d フェニレンφのアゾ基のo位 7.92 2H d フェニレンφのアゾ基のo位 19 19 0.88 3H m ウンデシル基の11位(末端) 1.31 16H m ウンデシル基の3位〜10位 1.66 2H m ウンデシル基の2位 2.68 2H t ウンデシル基の1位 3.60〜 3.75 80H m ポリオキシエチレン部分 3.90 2H t φ隣接オキシエチレンの2位 4.22 2H t φ隣接オキシエチレンの1位 7.03 2H d フェニレンφのアゾ基のm位 7.31 2H d フェニレンφのアゾ基のm位 7.82 2H d フェニレンφのアゾ基のo位 7.92 2H d フェニレンφのアゾ基のo位 20 20 0.88 3H t ドデシル基の12位(末端) 1.31 18H m ドデシル基の3位〜11位 1.46 4H m オキシヘキサメチレン3及び4位 1.60〜 オキシヘキサメチレン2又は5位 1.70 4H m 及びドデシル基の2位 1.83 2H m オキシヘキサメチレン2又は5位 2.68 2H t ドデシル基の1位 3.48 2H t オキシヘキサメチレンの6位 3.60〜 3.75 104H m ポリオキシエチレン部分 4.05 2H t オキシヘキサメチレンの1位 7.03 2H d フェニレンφのアゾ基のm位 7.30 2H d フェニレンφのアゾ基のm位 7.82 2H d フェニレンφのアゾ基のo位 7.91 2H d フェニレンφのアゾ基のo位 [Table 1] Example compound chemical shift integral value signal proton assignmentNumber Number [ppm] Pattern 1 1 0.89 3H m 6-position (terminal) of hexyl group 1.32 6H m 3,4,5 position of hexyl group 1.652 2H m 2 position of hexyl group 2.68 2H t 1-position of hexyl group 3 .60-3.75 52H m polyoxyethylene part 3.902 Ht φTwo2nd position of adjacent oxyethylene 4.22 2H t φTwo1st position of adjacent oxyethylene 7.03 2H d phenylene φTwoPosition of the azo group of 7.31 2H d phenylene φ1M-position of azo group of 7.82 2H d phenylene φ1O position of azo group 7.92 2H d o-position of azo group of phenylene φ 2  2 2 0.89 3H m Hexyl group 6-position (terminal) 1.32 6H m Hexyl group 3,4,5 position 1.66 2H m Hexyl group 2 position 2.68 2H t Hexyl group 1-position 3 .60-3.75 48H m polyoxyethylene part 3.902 Ht φTwo2nd position of adjacent oxyethylene 4.22 2H t φTwo1st position of adjacent oxyethylene 7.03 2H d phenylene φTwoPosition of the azo group of 7.31 2H d phenylene φ1Position of the azo group of 7.81 2H d phenylene φ1O position of azo group 7.91 2H d phenylene φ 2 o position of azo group 3 3 0.89 3H m Hexyl group 6-position (terminal) 1.32 6H m Hexyl group 3,4,5 position 1.652 2H m Hexyl group 2 position 2.68 2H t Hexyl group 1-position 3 .60-3.75 56H m polyoxyethylene part 3.902 Ht φTwo2nd position of adjacent oxyethylene 4.22 2H t φTwo1st position of adjacent oxyethylene 7.03 2H d phenylene φTwoPosition of the azo group of 7.31 2H d phenylene φ1Position of the azo group of 7.81 2H d phenylene φ1O position of azo group 7.92 2H d o-position of azo group of phenylene φ 2  4 4 3.60 to 3.75 40H m polyoxyethylene part 3.902 Ht φTwo2nd position of adjacent oxyethylene 4.22 2H t φTwo1st position of adjacent oxyethylene 7.01 2H d phenylene φTwoM-position of the azo group of 7.45 1H m phenyl φ1Position of the azo group of 7.51 2H m phenyl φ1M-position of the azo group of 7.89 2H m phenyl φ1O position of azo group7.92 2H d o-position of azo group of phenylene φ 2  5 5 2.25 2H m φTwoAdjacent oxypropylene 2-position 3.60-polyoxyethylene moiety and 3.75 62H m φTwoAdjacent oxypropylene 3-position 4.12 2H t φTwoAdjacent oxypropylene 1-position 7.00 2H d phenylene φTwoM-position of the azo group of 7.45 1H m phenyl φ1Position of the azo group of 7.51 2H m phenyl φ1Position of the azo group of 7.88 2H m phenyl φ1O position of azo group7.92 2H d o-position of azo group of phenylene φ 2  6 6 1.79 2H m oxytetramethylene 2 or 3 position 1.91 2H m oxytetramethylene 2 or 3 position 3.562 2H t 4 position of oxytetramethylene 3.60-3.75 52H m polyoxyethylene moiety 4.08 2H t 1-position of oxytetramethylene 7.01 2H d phenylene φTwoM-position of the azo group of 7.45 1H m phenyl φ1Position of the azo group of 7.51 2H m phenyl φ1M-position of the azo group of 7.89 2H m phenyl φ1O position of azo group7.92 2H d o-position of azo group of phenylene φ 2  7 7 1.46 4H m oxyhexamethylene 3 and 4 position 1.63 2H m oxyhexamethylene 2 or 5 position 1.83 2H m oxyhexamethylene 2 or 5 position 3.48 2H t 6 position of oxyhexamethylene 3 .60-3.75 52H m polyoxyethylene moiety 4.05 2H t 1-position of oxyhexamethylene 7.00 2H d phenylene φTwoM-position of the azo group of 7.45 1H m phenyl φ1Position of the azo group of 7.51 2H m phenyl φ1Position of the azo group of 7.88 2H m phenyl φ1O position of azo group 7.92 2H d o-position of azo group of phenylene φ 2  8 8 1.28 to 1.60 18H m dodecyl methylene moiety 1.83 2H m dodecyl methylene moiety 3.42 2H t 12-position of dodecyl methylene 3.60 to 3.75 176 H m polyoxyethylene moiety 4.04 2H t 1st position of oxidodecyl methylene 7.00 2H d phenylene φTwoM-position of the azo group of 7.44 1H m phenyl φ1Position of the azo group of 7.51 2H m phenyl φ1M position of azo group of 7.87 2H m phenyl φ1O position of azo group 7.91 2H d phenylene φ 2 o position of azo group 9 9 2.23 3Hs methyl group 3.60 to 3.75 64H m polyoxyethylene moiety 3.89 2H t φTwo2nd position of adjacent oxyethylene 4.21 2H t φTwo1st position of adjacent oxyethylene 7.02 2H d phenylene φTwoPosition of the azo group of 7.31 2H d phenylene φ1M-position of azo group of 7.82 2H d phenylene φ1O position of azo group 7.91 2H d phenylene φ 2 o position of azo group 10 10 1.03 3H t Terminal methyl of ethyl group 1.79 2H m oxytetramethylene 2 or 3-position 1.91 2H m oxytetramethylene 2 or 3-position 2.58 2H q Ethyl-based methylene 3.562 2H t 4-position of oxytetramethylene 3.60 to 3.75 72H m polyoxyethylene moiety 4.092Ht 1-position of oxytetramethylene 7.03 2H d phenylene φTwoPosition of the azo group of 7.31 2H d phenylene φ1Position of the azo group of 7.81 2H d phenylene φ1O position of azo group 7.92 2H d o-position of azo group of phenylene φ 2  11. 11 11 0.93 3H t propyl group 3-position (terminal) 1.662 2H m propyl group 2-position 2.67 2H t propyl group 1-position 3.60 to 3.75 60H m polyoxyethylene moiety 5. 90 2H s φTwoAdjacent oxymethylene 7.02 2H d phenylene φTwoM-position of the azo group of 7.30 2H d phenylene φ1M-position of azo group of 7.82 2H d phenylene φ1O position of azo group 7.92 2H d o-position of azo group of phenylene φ 2  12 12 0.90 3H t butyl group 4 position (terminal) 1.33 2H m butyl group 3 position 1.662 2H m butyl group 2 position 2.68 2H t butyl group 1 position 3.60-3 0.75 80H m polyoxyethylene part 3.90 2H t φTwo2nd position of adjacent oxyethylene 4.22 2H t φTwo1st position of adjacent oxyethylene 7.03 2H d phenylene φTwoPosition of the azo group of 7.31 2H d phenylene φ1Position of the azo group of 7.81 2H d phenylene φ1O position of azo group 7.92 2H d o-position of azo group of phenylene φ 2  13 13 0.89 3H t 5-position (end) of pentyl group 1.32 4H m 3- and 4-position of pentyl group 1.46 4H m oxyhexamethylene 3 and 4-position 1.60-oxyhexamethylene 2 or 5-position 1.70 4H m and 2-position of pentyl group 1.83 2H m oxyhexamethylene 2 or 5 position 2.68 1-position of 2H t pentyl group 3.48 6-position of 2H t oxyhexamethylene 3.60-3. 75 96H m polyoxyethylene moiety 4.05 2H t 1-position of oxyhexamethylene 7.03 2H d phenylene φTwoM-position of the azo group of 7.30 2H d phenylene φ1M-position of azo group of 7.82 2H d phenylene φ1O position of azo group 7.91 2H d phenylene φ 2 o position of azo group 14 14 0.89 3H m 6-position (terminal) of hexyl group 1.32 6H m 3,4,5-position of hexyl group 1.662 2H m 2-position of hexyl group 2.68 2H t 1-position of hexyl group 3 .60-3.75 88H m polyoxyethylene part 3.902 Ht φTwo2nd position of adjacent oxyethylene 4.22 2H t φTwo1st position of adjacent oxyethylene 7.03 2H d phenylene φTwoPosition of the azo group of 7.31 2H d phenylene φ1Position of the azo group of 7.81 2H d phenylene φ1O position of azo group 7.91 2H d phenylene φ 2 o position of azo group 15 15 0.89 3H m 7-position (terminal) of heptyl group 1.318 3H of heptyl group 3,4,5,6 position 1.662 2H of heptyl group 2.68 2H t 1 of heptyl group Position 3.60 to 3.75 68H m polyoxyethylene part 5.90 2H s φTwoAdjacent oxymethylene 7.03 2H d phenylene φTwoM-position of the azo group of 7.30 2H d phenylene φ1M-position of azo group of 7.82 2H d phenylene φ1O position of azo group 7.91 2H d phenylene φ 2 o position of azo group 16 16 0.88 3H m 8th position of octyl group (terminal) 1.31 10Hm 3rd position to 7th position of octyl group 1.662 2Hm 2nd position of octyl group 2.68 2H t 1st position of octyl group 3. 60-3.75 88H m polyoxyethylene part 3.902 Ht φTwo2nd position of adjacent oxyethylene 4.22 2H t φTwo1st position of adjacent oxyethylene 7.03 2H d phenylene φTwoM-position of the azo group of 7.30 2H d phenylene φ1M-position of azo group of 7.82 2H d phenylene φ1O position of azo group 7.92 2H d o-position of azo group of phenylene φ 2  17 17 0.88 3H m 9-position (terminal) of nonyl group 1.31 12H m Nonyl group 3-position 8-8 1.662 2H m nonyl group 2-position 1.792 2H m oxytetramethylene 2 or 3 position 1.91 2H m oxytetramethylene 2 or 3 position 2.68 2H t 1 position of nonyl group 3.56 2H t 4 position of oxytetramethylene 3.60 to 3.75 120H m polyoxyethylene moiety 4.08 2H 1-position of t oxytetramethylene 7.02 2H d phenylene φTwoPosition of the azo group of 7.31 2H d phenylene φ1M-position of azo group of 7.82 2H d phenylene φ1O position of azo group 7.91 2H d phenylene φ 2 o position of azo group 18 18 0.88 10-position (terminal) of 3H m decyl group 1.31 3 to 9-position of 14 H m decyl group 1. 6-position of 2 Hm decyl group 2. 1-position of 2 68 2 H t decyl group 3. 60-3.75 100Hm polyoxyethylene part 3.902HtφTwo2nd position of adjacent oxyethylene 4.22 2H t φTwo1st position of adjacent oxyethylene 7.03 2H d phenylene φTwoM-position of the azo group of 7.30 2H d phenylene φ1Position of the azo group of 7.81 2H d phenylene φ1O position of azo group 7.92 2H d o-position of azo group of phenylene φ 2  19 19 0.88 3H m Undecyl group 11-position (terminal) 1.31 16H m undecyl group 3-position 10-6. 66 2H m undecyl group 2-position 2.68 2H t undecyl group 1-position 3. 60-3.75 80H m polyoxyethylene part 3.902 Ht φTwo2nd position of adjacent oxyethylene 4.22 2H t φTwo1st position of adjacent oxyethylene 7.03 2H d phenylene φTwoPosition of the azo group of 7.31 2H d phenylene φ1M-position of azo group of 7.82 2H d phenylene φ1O position of azo group 7.92 2H d o-position of azo group of phenylene φ 2  20 20 0.88 3H t 12-position (terminal) of dodecyl group 1.31 18H m 3- to 11-position of dodecyl group 1.46 4H m oxyhexamethylene 3 and 4-position 1.60 to oxyhexamethylene 2 or 5 Position 1.70 4H m and 2-position of dodecyl group 1.83 2H m oxyhexamethylene 2 or 5 position 2.68 2H t 1-position of dodecyl group 3.48 2H t 6-position of oxyhexamethylene 3.60-3 0.75 104H m polyoxyethylene moiety 4.05 2H t 1-position of oxyhexamethylene 7.03 2H d phenylene φTwoM-position of the azo group of 7.30 2H d phenylene φ1M-position of azo group of 7.82 2H d phenylene φ1O position of azo group 7.91 2H d phenylene φ 2 o position of azo group

【0064】応用例5 応用例1における銅フタロシアニンの代わりに顔料とし
てモノクロロ銅フタロシアニン(最大粒子径0.2μm
以下)を使用し、応用例1におけるアゾ化合物(1)の
代わりに実施例4ないし20のアゾ化合物を用い、超音
波処理の代わりにボールミルで分散を行い、電流密度5
0μA/cmで1時間、定電流電解を行った以外は応
用例1と同様にして、電極上に青色の薄膜を製造した。
Application Example 5 Instead of the copper phthalocyanine in Application Example 1, monochloro copper phthalocyanine (maximum particle size 0.2 μm) was used as a pigment.
The following) were used, the azo compounds of Examples 4 to 20 were used in place of the azo compound (1) in Application Example 1, and the dispersion was carried out by a ball mill instead of ultrasonic treatment to obtain a current density of 5
A blue thin film was produced on the electrode in the same manner as in Application Example 1 except that constant current electrolysis was performed at 0 μA / cm 2 for 1 hour.

【0065】[0065]

【効果】本発明のアゾ化合物を単独又は混合して用いる
ことにより、水単独、又は、水と相溶性のある有機溶剤
と水との混合溶剤を用いた湿式法で、疎水性の物質及び
機能材料の薄膜を製造することができ、その際、バイン
ダー樹脂又は液状モノマーの使用量をゼロ又は必要最小
限にすることが出来る。
[Effect] By using the azo compound of the present invention alone or in combination, a hydrophobic substance and a function are obtained by a wet method using water alone or a mixed solvent of water and an organic solvent compatible with water. A thin film of material can be produced, with the amount of binder resin or liquid monomer used being zero or minimal.

【0066】本発明のアゾ化合物を用いることにより、
気化により分解しやすい疎水性の物質及び機能材料、気
化しない疎水性の物質及び機能材料、又は、熱により分
解しやすい疎水性の物質及び機能材料の薄膜を製造する
ことが出来る。
By using the azo compound of the present invention,
It is possible to manufacture a hydrophobic substance and functional material that is easily decomposed by vaporization, a hydrophobic substance and functional material that is not vaporized, or a thin film of a hydrophobic substance and functional material that is easily decomposed by heat.

【0067】本発明のアゾ化合物を用いることにより、
高価な設備を使用せずに、大面積かつ均一な疎水性の物
質及び機能材料の薄膜を製造することが出来る。
By using the azo compound of the present invention,
A large area and uniform thin film of a hydrophobic substance and a functional material can be produced without using expensive equipment.

【0068】本発明のアゾ化合物を用いることにより、
数十nmから数μmの範囲で膜厚の制御された均一な疎
水性の物質及び機能材料の薄膜を製造することが出来
る。
By using the azo compound of the present invention,
It is possible to manufacture a uniform thin film of a hydrophobic substance and a functional material having a controlled film thickness in the range of several tens nm to several μm.

【0069】本発明のアゾ化合物を用いることにより、
導電性基板又は電極の表面材質の制約を受けずに、大面
積かつ均一な疎水性の物質及び機能材料の薄膜を製造す
ることが出来る。
By using the azo compound of the present invention,
It is possible to produce a large-area and uniform thin film of a hydrophobic substance and a functional material without being restricted by the surface material of the conductive substrate or the electrode.

【0070】[0070]

【図面の簡単な説明】[Brief description of drawings]

【図1】 合成中間体4−(2−ブロモエトキシ)−
4’−ヘキシルアゾベンゼンの270MHzH−NM
R測定結果である。
FIG. 1 Synthetic intermediate 4- (2-bromoethoxy)-
270 MHz 1 H-NM of 4'-hexylazobenzene
It is an R measurement result.

【図2】 実施例1のアゾ化合物(1)のFT−IR測
定結果である。
2 is an FT-IR measurement result of the azo compound (1) of Example 1. FIG.

【図3】 実施例1のアゾ化合物(1)の270MHz
H−NMR測定結果である。
FIG. 3 shows the azo compound (1) of Example 1 at 270 MHz.
It is a 1 H-NMR measurement result.

【図4】 薄膜を製造するための電解装置の一例であ
る。
FIG. 4 is an example of an electrolysis apparatus for producing a thin film.

【図5】 実施例7のアゾ化合物(7)のFT−IR測
定結果である。
5 is an FT-IR measurement result of the azo compound (7) of Example 7. FIG.

【図6】 実施例6のアゾ化合物(6)の270MHz
H−NMR測定結果である。
6] 270 MHz of azo compound (6) of Example 6
It is a 1 H-NMR measurement result.

【図7】 実施例7のアゾ化合物(7)の270MHz
H−NMR測定結果である。
FIG. 7: 270 MHz of azo compound (7) of Example 7
It is a 1 H-NMR measurement result.

【図8】 実施例14のアゾ化合物(14)の270M
HzH−NMR測定結果である。
FIG. 8: 270M of azo compound (14) of Example 14
It is a result of Hz 1 H-NMR measurement.

【図9】 実施例16のアゾ化合物(16)の270M
HzH−NMR測定結果である。
FIG. 9: 270M of azo compound (16) of Example 16
It is a result of Hz 1 H-NMR measurement.

【0071】[0071]

【符号の説明】[Explanation of symbols]

B…残留溶剤(ベンゼン) C…クロロホルム W…水 1…導電性基板(カソード) 2…白金網(アノード) 3…塩橋(SCEへ接続) 4…電解液容器 5…ゴム栓 6…ガラスフィルター 7…クランプ(バネ式) 8…電極保持具 9…導線 B ... Residual solvent (benzene) C ... Chloroform W ... Water 1 ... Conductive substrate (cathode) 2 ... Platinum mesh (anode) 3 ... Salt bridge (connect to SCE) 4 ... Electrolyte container 5 ... Rubber stopper 6 ... Glass filter 7 ... Clamp (spring type) 8 ... Electrode holder 9 ... Conductor

Claims (1)

【特許請求の範囲】[Claims] 【請求項1】 下記の一般式〔I〕 R−φ−N=N−φ−O(CHO(CH
O)H 〔I〕 [ここで、 Rは水素原子、又は、アルキル基を表し、 φ及びφはp−フェニレン基を表し、 mは1以上の整数を表し、 nは1以上、好ましくは6以上の整数を表す。]で表さ
れるアゾ化合物。
1. The following general formula [I] R-φ 1 -N = N-φ 2 -O (CH 2 ) m O (CH 2 C
H 2 O) n H [I] [wherein R represents a hydrogen atom or an alkyl group, φ 1 and φ 2 represent a p-phenylene group, m represents an integer of 1 or more, and n represents 1 It represents an integer of at least 6, preferably at least 6. ] The azo compound represented by this.
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Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP5019688B2 (en) * 1999-12-08 2012-09-05 エポック・バイオサイエンシーズ・インコーポレイテッド Fluorescence quenching detection reagent and method
US20130087167A1 (en) * 2011-10-07 2013-04-11 Xerox Corporation Tunable surfactants in dampening fluids for digital offset ink printing applications

Cited By (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP5019688B2 (en) * 1999-12-08 2012-09-05 エポック・バイオサイエンシーズ・インコーポレイテッド Fluorescence quenching detection reagent and method
JP2012175975A (en) * 1999-12-08 2012-09-13 Epoch Biosciences Inc Fluorescent quenching detection reagent and method
US9713828B2 (en) 2011-04-27 2017-07-25 Xerox Corporation Tunable surfactants in dampening fluids for digital offset ink printing applications
US10328688B2 (en) 2011-04-27 2019-06-25 Xerox Corporation Tunable surfactants in dampening fluids for digital offset ink printing applications
US20130087167A1 (en) * 2011-10-07 2013-04-11 Xerox Corporation Tunable surfactants in dampening fluids for digital offset ink printing applications

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