JPH07161622A - Projection aligner - Google Patents
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- JPH07161622A JPH07161622A JP5310508A JP31050893A JPH07161622A JP H07161622 A JPH07161622 A JP H07161622A JP 5310508 A JP5310508 A JP 5310508A JP 31050893 A JP31050893 A JP 31050893A JP H07161622 A JPH07161622 A JP H07161622A
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- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
- G03F7/70—Microphotolithographic exposure; Apparatus therefor
- G03F7/70058—Mask illumination systems
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- G03F7/70—Microphotolithographic exposure; Apparatus therefor
- G03F7/70216—Mask projection systems
- G03F7/70258—Projection system adjustments, e.g. adjustments during exposure or alignment during assembly of projection system
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- Physics & Mathematics (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Exposure And Positioning Against Photoresist Photosensitive Materials (AREA)
- Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)
Abstract
Description
【０００１】[0001]
【産業上の利用分野】本発明は、例えば半導体素子製造
用のフォトリソグラフィ工程で使用される投影露光装置
に関し、特に投影光学系の瞳面付近に所定の透過率分布
又は位相分布を有する所謂瞳フィルタが設置される投影
露光装置に関する。BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to a projection exposure apparatus used in, for example, a photolithography process for manufacturing semiconductor devices, and more particularly to a so-called pupil having a predetermined transmittance distribution or phase distribution near the pupil plane of a projection optical system. The present invention relates to a projection exposure apparatus in which a filter is installed.
【０００２】[0002]
【従来の技術】半導体素子又は液晶表示素子等を製造す
るためのフォトリソグラフィ工程において、フォトマス
ク又はレチクル（以下、「レチクル」を例に取って説明
する）のパターンを投影光学系を介してフォトレジスト
が塗布されたウエハ（又はガラスプレート等）上に投影
露光する投影露光装置が使用されている。近年、半導体
素子等のパターンが益々高集積化されるのに伴い、投影
露光装置においてもより高い解像力でパターンを露光す
ることが求められている。この場合、単に投影光学系の
開口数を高めて解像力を向上するのでは、その開口数の
２乗に反比例して焦点深度が浅くなって、ウエハ上のシ
ョット領域の全面に高解像力でレチクルのパターン像を
露光するのが困難となる。2. Description of the Related Art In a photolithography process for manufacturing a semiconductor device, a liquid crystal display device, or the like, a pattern of a photomask or reticle (hereinafter referred to as a "reticle" as an example) is photographed through a projection optical system. A projection exposure apparatus is used which performs projection exposure on a wafer (or a glass plate or the like) coated with a resist. In recent years, as the patterns of semiconductor elements and the like have become more highly integrated, it is required for a projection exposure apparatus to expose the patterns with higher resolution. In this case, if the numerical aperture of the projection optical system is simply increased to improve the resolving power, the depth of focus becomes shallow in inverse proportion to the square of the numerical aperture, and the reticle of the reticle with a high resolving power is formed over the entire shot area on the wafer. It becomes difficult to expose the pattern image.
【０００３】また、露光光としてより短波長の光を用い
て解像力を向上する方法も考えられるが、投影光学系の
レンズエレメントの硝材として短波長の光を透過させる
適当なものがないこと、及び短波長の光に感光する適当
なフォトレジストがないこと等から、短波長化には現状
では限界がある。そこで、露光光の波長（露光波長）を
変えずに、焦点深度を浅くすることなく解像力を向上さ
せるための種々の研究が行われている。A method of improving the resolution by using light of shorter wavelength as the exposure light is also conceivable, but there is no suitable glass material for the lens element of the projection optical system that transmits light of short wavelength, and At present, there is a limit to shortening the wavelength because there is no suitable photoresist that is sensitive to light having a short wavelength. Therefore, various studies have been conducted to improve the resolution without reducing the depth of focus without changing the wavelength of exposure light (exposure wavelength).
【０００４】その中の１つとして、公知になっていない
が例えば特願平４−２６３５２１号において、投影光学
系の瞳（レチクルのパターンのフーリエ変換像が形成さ
れる領域）付近に、遮光板等の光学的フィルタ（以下、
「瞳フィルタ」と呼ぶ）を配置することにより、コンタ
クトホールパターンのような孤立的パターンを投影する
際の解像力、及び焦点深度を向上させる所謂瞳フィルタ
法が提案されている。瞳フィルタとしては、遮光板、若
しくはガラス基板に遮光膜を形成したもの等の他に、偏
光板を使用して異なる領域を通過した光束の偏光方向を
直交させてそれら異なる領域を通過した光束間の可干渉
性を低減させたもの、又はガラス基板の厚さの分布を変
える等の手法により異なる領域を通過する光束間に可干
渉距離を超える光路長差を付与するもの等が使用でき
る。As one of them, although not publicly known, for example, in Japanese Patent Application No. 4-263521, a light shield plate is provided near the pupil of the projection optical system (the area where the Fourier transform image of the reticle pattern is formed). Optical filters such as
A so-called pupil filter method has been proposed which improves the resolving power and the depth of focus when projecting an isolated pattern such as a contact hole pattern by arranging a “pupil filter”). As the pupil filter, in addition to a light shielding plate or a glass substrate on which a light shielding film is formed, a polarizing plate is used to make the polarization directions of the light beams passing through different regions orthogonal to each other, and between the light beams passing through the different regions. Of which the coherence is reduced, or a method of giving an optical path length difference exceeding the coherence length between light beams passing through different regions by a method such as changing the distribution of the thickness of the glass substrate can be used.
【０００５】この瞳フィルタ法は、主にコンタクトホー
ルパターンの露光を行う際に有効であり、それ以外の例
えばライン・アンド・スペースパターンのような周期的
なパターンの露光時にはその瞳フィルタは不要となる。
そこで、特願平４−２６３５２１号においては、露光す
るパターンに応じて投影光学系の瞳面（レチクルのパタ
ーン形成面のフーリエ変換面）又はこの瞳面の近傍の面
に瞳フィルタを着脱するための着脱機構が備えられてい
る。The pupil filter method is effective mainly when exposing a contact hole pattern, and the pupil filter is not necessary when exposing other periodic patterns such as a line and space pattern. Become.
Therefore, in Japanese Patent Application No. 4-263521, a pupil filter is attached to or detached from a pupil plane of the projection optical system (Fourier transform plane of the reticle pattern forming plane) or a plane in the vicinity of this pupil plane according to the pattern to be exposed. The attachment / detachment mechanism is provided.
【０００６】[0006]
【発明が解決しようとする課題】このような瞳フィルタ
の着脱機構を備えた投影露光装置を使って、コンタクト
ホールパターン以外の露光を行う際に、誤って瞳フィル
タを投影光学系内に設置して露光を行うと、瞳フィルタ
が露光光のエネルギーを吸収して加熱され、この加熱が
長時間続くと瞳フィルタが損傷する可能性がある。ま
た、瞳フィルタの存在により却って解像力が低下してし
まう恐れもあり、更に、瞳フィルタの加熱により投影光
学系内の温度が上昇すると、投影光学系の収差等が発生
し、解像力が次第に低下する恐れもある。When a projection exposure apparatus equipped with such a pupil filter attachment / detachment mechanism is used to perform exposure other than a contact hole pattern, the pupil filter is erroneously installed in the projection optical system. When the exposure is performed by exposure, the pupil filter absorbs the energy of the exposure light and is heated, and if this heating continues for a long time, the pupil filter may be damaged. Further, the existence of the pupil filter may rather reduce the resolving power. Further, when the temperature inside the projection optical system rises due to the heating of the pupil filter, aberrations of the projection optical system occur and the resolving power gradually decreases. There is a fear.
【０００７】これに対して、コンタクトホールパターン
用のレチクルは、全体のパターン領域に対する遮光部
（クロム膜等）の面積の割合が、ライン・アンド・スペ
ースパターン用のレチクルに比べて大きく、瞳フィルタ
に照射されるエネルギーが少ないため、上述のような瞳
フィルタの加熱現象は殆ど起こらない。本発明は斯かる
点に鑑み、瞳フィルタを必要としないパターンを露光す
る場合に、誤って投影光学系の瞳面付近に瞳フィルタを
設置して露光を行うことがない投影露光装置を提供する
ことを目的とする。On the other hand, the contact hole pattern reticle has a larger area ratio of the light-shielding portion (chrome film or the like) to the entire pattern area than the line-and-space pattern reticle. Since the energy irradiated to the eye is small, the above-described heating phenomenon of the pupil filter hardly occurs. In view of this point, the present invention provides a projection exposure apparatus that does not erroneously install a pupil filter near the pupil plane of the projection optical system to perform exposure when exposing a pattern that does not require a pupil filter. The purpose is to
【０００８】[0008]
【課題を解決するための手段】本発明による第１の投影
露光装置は、例えば図１に示すように、マスク（Ｒ）上
に形成された転写用のパターンの像を投影光学系（１
Ａ）を介して感光基板（Ｗ）上に投影する投影露光装置
において、投影光学系（１Ａ）の瞳面（マスク面に対す
るフーリエ変換面）又はこの瞳面の近傍の面内であって
マスク（Ｒ）からの光束が通過する領域に所定の透過率
分布又は位相分布を有する瞳フィルタ（４３Ａ）を設置
すると共に、そのマスクからの光束が通過する領域から
瞳フィルタ（４３Ａ）を退避させる瞳フィルタ着脱手段
（２６）と；そのマスク上のパターンの種類に応じて予
め定められたその瞳フィルタの着脱情報を入力する着脱
情報入力手段と；この着脱情報入力手段により入力され
たその瞳フィルタの着脱情報に基づいて瞳フィルタ着脱
手段（２６）の動作を制御する制御手段（２２）と；瞳
フィルタ（４３Ａ）の着脱状態を検出する着脱状態検出
手段（２８）と；この着脱状態検出手段により検出され
た瞳フィルタ（４３Ａ）の着脱状態がその着脱情報入力
手段により入力されたその瞳フィルタの着脱情報に対応
するかどうかを確認する確認手段と；を有するものであ
る。A first projection exposure apparatus according to the present invention, for example, as shown in FIG. 1, projects an image of a transfer pattern formed on a mask (R) into a projection optical system (1
In a projection exposure apparatus for projecting onto a photosensitive substrate (W) via (A), a pupil plane (Fourier transform plane with respect to the mask plane) of the projection optical system (1A) or a mask in the plane near the pupil plane ( A pupil filter (43A) having a predetermined transmittance distribution or phase distribution is provided in a region through which the light flux from R) passes, and the pupil filter (43A) is retracted from the region through which the light flux from the mask passes. Attachment / detachment means (26); Attachment / detachment information input means for inputting attachment / detachment information of the pupil filter predetermined according to the type of pattern on the mask; Attachment / detachment of the pupil filter input by the attachment / detachment information input means Control means (22) for controlling the operation of the pupil filter attachment / detachment means (26) based on the information; attachment / detachment state detection means (28) for detecting the attachment / detachment state of the pupil filter (43A); And a confirmation means for confirming whether the attachment / detachment state of the pupil filter (43A) detected by the attachment / detachment state detection means corresponds to the attachment / detachment information of the pupil filter input by the attachment / detachment information input means. .
【０００９】この場合、その着脱状態検出手段（２８）
の一例は、瞳フィルタ（４３Ａ）の投影光学系（１Ａ）
に対する相対的な位置を検出する位置検出手段である。
また、その着脱情報入力手段の一例は、マスクのパター
ンの種類に応じて予め定められた瞳フィルタの着脱情報
を記憶する記憶手段（２２）と、マスク上の転写用のパ
ターンの種類を判別するマスク判別手段（２５）と、そ
の記憶手段に記憶されたその瞳フィルタの着脱情報から
判別されたその転写用パターンの種類に応じたその瞳フ
ィルタの最適着脱情報を選択する選択手段（２２）と、
を有するものである。この場合、その制御手段（２２）
は、その最適着脱情報に基づいて瞳フィルタ着脱手段
（２６）の動作を制御し、その確認手段は、着脱状態検
出手段（２８）により検出されたその瞳フィルタの着脱
状態がその最適着脱情報に対応するかどうかを確認する
ことが望ましい。In this case, the attachment / detachment state detecting means (28)
One example is a projection optical system (1A) of a pupil filter (43A).
The position detecting means detects a relative position with respect to.
Further, an example of the attachment / detachment information input means determines a storage means (22) for storing the attachment / detachment information of the pupil filter which is predetermined according to the type of the mask pattern, and the type of the transfer pattern on the mask. A mask discriminating means (25) and a selecting means (22) for selecting the optimum attachment / detachment information of the pupil filter according to the type of the transfer pattern discriminated from the attachment / detachment information of the pupil filter stored in the storage means. ,
Is to have. In this case, the control means (22)
Controls the operation of the pupil filter attachment / detachment means (26) based on the optimum attachment / detachment information, and the confirmation means uses the attachment / detachment state of the pupil filter detected by the attachment / detachment state detection means (28) as the optimum attachment / detachment information. It is desirable to confirm whether it corresponds.
【００１０】また、本発明による第２の投影露光装置
は、例えば図１に示すように、マスク（Ｒ）上に形成さ
れた転写用のパターンの像を投影光学系（１Ａ）を介し
て感光基板（Ｗ）上に投影する投影露光装置において、
投影光学系（１Ａ）の瞳面又はこの瞳面の近傍の面内で
あってマスク（Ｒ）からの光束が通過する領域に対して
着脱自在に支持され、所定の透過率分布又は位相分布を
有する瞳フィルタ（４３Ａ）と；マスク（Ｒ）上のパタ
ーンの種類に応じて予め定められた瞳フィルタ（４３
Ａ）の着脱情報を入力する着脱情報入力手段と；瞳フィ
ルタ（４３Ａ）上に設けられ、マスク（Ｒ）からの光束
の光量に応じた信号を出力する光電変換手段（２７Ａ）
と；この光電変換手段の出力信号に基づいてマスク
（Ｒ）のパターンの種類及び瞳フィルタ（４３Ａ）の着
脱状態を判別する判別手段（２２）と；この判別手段に
より判別されたその瞳フィルタの着脱状態が、その着脱
情報入力手段により入力されたその瞳フィルタの着脱情
報と対応するかどうかを確認する確認手段（２２）と；
を有するものである。In the second projection exposure apparatus according to the present invention, as shown in FIG. 1, for example, an image of a transfer pattern formed on a mask (R) is exposed through a projection optical system (1A). In a projection exposure apparatus that projects onto a substrate (W),
The projection optical system (1A) is detachably supported on the pupil plane or in the plane near the pupil plane and through which the light flux from the mask (R) passes, and a predetermined transmittance distribution or phase distribution is obtained. A pupil filter (43A) having; a pupil filter (43) that is predetermined according to the type of pattern on the mask (R)
Attachment / detachment information input means for inputting the attachment / detachment information of A); photoelectric conversion means (27A) provided on the pupil filter (43A) and outputting a signal according to the light amount of the light flux from the mask (R).
A discriminating means (22) for discriminating the type of pattern of the mask (R) and the attachment / detachment state of the pupil filter (43A) on the basis of the output signal of the photoelectric conversion means; and of the pupil filter discriminated by the discrimination means. A confirmation means (22) for confirming whether the attachment / detachment state corresponds to the attachment / detachment information of the pupil filter input by the attachment / detachment information input means;
Is to have.
【００１１】この場合、瞳フィルタ（４３Ａ）が、所定
の減光特性を有する減光領域（４４Ａ）を有するもので
あるとき、光電変換手段（２７Ａ）を減光領域（４４
Ａ）上に設けることが望ましい。In this case, when the pupil filter (43A) has a dimming region (44A) having a predetermined dimming characteristic, the photoelectric conversion means (27A) is switched to the dimming region (44).
It is desirable to provide it on A).
【００１２】[0012]
【作用】斯かる本発明の第１の投影露光装置によれば、
例えばライン・アンド・スペースパターンの露光を行う
際には、その着脱情報入力手段から、投影光学系（１
Ａ）の瞳面付近のマスクからの結像光束が通過する領域
から瞳フィルタ（４３Ａ）を退避させるようにとの着脱
情報が入力される。この着脱情報に応じて、制御手段
（２２）が瞳フィルタ着脱手段（２６）を介して瞳フィ
ルタ（４３Ａ）を退避させる。その後、例えば瞳フィル
タ（４３Ａ）の現在の位置を検出するエンコーダ（位置
検出手段）等からなる着脱状態検出手段（２８）によ
り、瞳フィルタ（４３Ａ）が投影光学系（１Ａ）から退
避されているかどうかを検出する。そして、確認手段
（２２）が着脱状態検出手段（２８）の検出結果が退避
状態を示しているかどうかを確認する。これにより、誤
って瞳フィルタ（４３Ａ）が設置された状態で露光が行
われることがなくなる。According to the first projection exposure apparatus of the present invention,
For example, when the line and space pattern is exposed, the projection optical system (1
Attachment / detachment information for withdrawing the pupil filter (43A) from the area where the image forming light flux from the mask near the pupil surface of A) is input. According to this attachment / detachment information, the control means (22) retracts the pupil filter (43A) via the pupil filter attachment / detachment means (26). After that, is the pupil filter (43A) retracted from the projection optical system (1A) by the attachment / detachment state detection means (28) including, for example, an encoder (position detection means) that detects the current position of the pupil filter (43A)? To detect. Then, the confirmation means (22) confirms whether or not the detection result of the attachment / detachment state detection means (28) indicates the retracted state. This prevents exposure from being performed by mistake with the pupil filter (43A) installed.
【００１３】また、その着脱情報入力手段が、マスク
（Ｒ）上の転写用のパターンの種類を判別するマスク判
別手段（２５）を有する場合、露光対象とするマスク
（Ｒ）がライン・アンド・スペースパターン用のマスク
であるときには、そのマスク判別手段（２５）により実
際にそのマスク（Ｒ）がライン・アンド・スペースパタ
ーン用のマスクであることが判別される。そして、この
判別結果に基づいて瞳フィルタ（４３Ａ）の最適着脱情
報、即ちこの場合には瞳フィルタ（４３Ａ）を退避させ
るという情報が選択され、この退避情報に基づいて瞳フ
ィルタ（４３Ａ）が投影光学系（１Ａ）から退避され
る。従って、瞳フィルタ（４３Ａ）のみならず、マスク
（Ｒ）側でもパターンの種類のチェックが行われるた
め、マスク（Ｒ）と瞳フィルタ（４３Ａ）との組み合せ
を誤る確率が更に低下する。Further, when the attachment / detachment information input means has a mask discriminating means (25) for discriminating the type of a transfer pattern on the mask (R), the mask (R) to be exposed is line-and-line. When it is a mask for space pattern, the mask discriminating means (25) discriminates that the mask (R) is actually a mask for line and space pattern. Then, the optimal attachment / detachment information of the pupil filter (43A), that is, the information that the pupil filter (43A) is retracted in this case is selected based on the determination result, and the pupil filter (43A) is projected based on this retracted information. It is retracted from the optical system (1A). Therefore, not only the pupil filter (43A) but also the mask (R) side is checked for the pattern type, so that the probability of erroneous combination of the mask (R) and the pupil filter (43A) is further reduced.
【００１４】次に、本発明の第２の投影露光装置によれ
ば、瞳フィルタ（４３Ａ）上には光電変換手段（２７
Ａ）が設けられている。一般に、コンタクトホールパタ
ーンは全体のパターン領域の面積に対する遮光部の面積
の割合が、ライン・アンド・スペースパターンに比べて
大きく、コンタクトホールパターンを通過する光量はラ
イン・アンド・スペースパターンを通過する光量に比べ
て小さい。そこで、露光光源をオンにして、光電変換手
段（２７Ａ）の出力信号をモニタすることにより、現在
ロードされているマスク（Ｒ）に形成されているパター
ンがコンタクトホールパターンかライン・アンド・スペ
ースパターンかが判別される。Next, according to the second projection exposure apparatus of the present invention, the photoelectric conversion means (27) is provided on the pupil filter (43A).
A) is provided. Generally, in the contact hole pattern, the ratio of the area of the light shielding part to the area of the entire pattern area is larger than that of the line and space pattern, and the amount of light passing through the contact hole pattern is the amount of light passing through the line and space pattern. Small compared to. Therefore, by turning on the exposure light source and monitoring the output signal of the photoelectric conversion means (27A), the pattern currently formed on the mask (R) is a contact hole pattern or a line-and-space pattern. Is determined.
【００１５】更に、露光光源をオンにしたときにその光
電変換手段（２７Ａ）からの出力信号が大きくなれば、
瞳フィルタ（４３Ａ）が投影光学系（１Ａ）の瞳面付近
に設置されていることが分かり、逆に露光光源をオンに
したときにその光電変換手段（２７Ａ）からの出力信号
が小さいままであれば、瞳フィルタ（４３Ａ）が投影光
学系（１Ａ）の瞳面付近から退避されていることが分か
る。従って、光電変換手段（２７Ａ）の検出信号から、
現在ロードされているマスク（Ｒ）がライン・アンド・
スペースパターン用のマスクであることが判別された場
合には、露光光源をオン又はオフにして瞳フィルタ（４
３Ａ）が退避されているかどうかを確認する。これによ
り誤ってライン・アンド・スペースパターンに対して瞳
フィルタ（４３Ａ）が使用されることがなくなる。Furthermore, if the output signal from the photoelectric conversion means (27A) becomes large when the exposure light source is turned on,
It can be seen that the pupil filter (43A) is installed near the pupil plane of the projection optical system (1A), and conversely, when the exposure light source is turned on, the output signal from the photoelectric conversion means (27A) remains small. If so, it can be seen that the pupil filter (43A) is retracted from the vicinity of the pupil plane of the projection optical system (1A). Therefore, from the detection signal of the photoelectric conversion means (27A),
The currently loaded mask (R) is line and
When it is determined that the mask is for the space pattern, the exposure light source is turned on or off and the pupil filter (4
3A) is saved. This prevents the pupil filter (43A) from being accidentally used for the line and space pattern.
【００１６】また、瞳フィルタ（４３Ａ）が減光領域
（４４Ａ）を有する場合には、その減光領域（４４Ａ）
では光の透過率が小さくてもよいため、減光領域（４４
Ａ）上に光電変換手段（２７Ａ）を配置することによ
り、結像特性に対する悪影響がなくなる。When the pupil filter (43A) has a dimming area (44A), that dimming area (44A).
Since the light transmittance may be small, the light reduction area (44
By arranging the photoelectric conversion means (27A) on A), the image forming characteristics are not adversely affected.
【００１７】[0017]
【実施例】以下、本発明による投影露光装置の一実施例
につき図１〜図３を参照して説明する。図１は、本実施
例の投影露光装置の概略構成を示し、この図１におい
て、水銀ランプ６から射出された露光光は、楕円鏡７で
反射された後、インプットレンズ９、所定の波長帯の光
を選択して通過させる干渉フィルタ板１０を経てフライ
アイレンズ１１に入射し、フライアイレンズ１１の後側
（レチクル側）焦点面に多数の光源像が形成される。楕
円鏡７の第２焦点の近傍に露光光の照射及び遮断を切り
換えるためのシャッタ８が配置され、装置全体の動作を
制御する主制御系２２が駆動装置２３を介してシャッタ
８の開閉を行う。DETAILED DESCRIPTION OF THE PREFERRED EMBODIMENTS An embodiment of the projection exposure apparatus according to the present invention will be described below with reference to FIGS. FIG. 1 shows a schematic configuration of the projection exposure apparatus of this embodiment. In FIG. 1, the exposure light emitted from a mercury lamp 6 is reflected by an elliptic mirror 7, and then an input lens 9 and a predetermined wavelength band are provided. The light is incident on the fly-eye lens 11 through the interference filter plate 10 that allows the selected light to pass therethrough, and a large number of light source images are formed on the focal plane on the rear side (reticle side) of the fly-eye lens 11. A shutter 8 for switching irradiation and blocking of exposure light is arranged near the second focus of the elliptic mirror 7, and a main control system 22 for controlling the operation of the entire apparatus opens and closes the shutter 8 via a drive unit 23. .
【００１８】フライアイレンズ１１の後側焦点面に、露
光光用の開口絞り（以下、「σ絞り」という）１２が配
置され、σ絞り１２内の多数の光源像からの露光光ＩＬ
が、ミラー１３で反射された後、第１のリレーレンズ１
４、可変視野絞り（レチクルブラインド）１５、第２の
リレーレンズ１６、ミラー１７及びコンデンサーレンズ
１８を介して、レチクルＲのパターン領域を均一な照度
で照明する。この場合、可変視野絞り１５の配置面はレ
チクルＲのパターン形成面と共役であり、σ絞り１２の
配置面は、投影光学系１Ａの瞳面（レチクルＲのパター
ン領域のフーリエ変換面）ＦＴＰと共役である。主制御
系２２が、駆動装置２４を介してσ絞り１２及び可変視
野絞り１５の開口部の形状を所定の形状に設定する。An aperture stop 12 for exposure light (hereinafter referred to as “σ stop”) 12 is arranged on the rear focal plane of the fly-eye lens 11, and exposure light IL from a large number of light source images in the σ stop 12 is arranged.
However, after being reflected by the mirror 13, the first relay lens 1
4, through the variable field diaphragm (reticle blind) 15, the second relay lens 16, the mirror 17 and the condenser lens 18, the pattern area of the reticle R is illuminated with a uniform illuminance. In this case, the arrangement surface of the variable field stop 15 is conjugate with the pattern formation surface of the reticle R, and the arrangement surface of the σ stop 12 is the pupil plane of the projection optical system 1A (Fourier transform surface of the pattern area of the reticle R) FTP. It is conjugate. The main control system 22 sets the shapes of the openings of the σ diaphragm 12 and the variable field diaphragm 15 to predetermined shapes via the driving device 24.
【００１９】また、レチクルＲはレチクルテージＲＳＴ
上に保持され、レチクルステージＲＳＴの近傍にレチク
ルリーダ２５が配置されている。図示省略されたレチク
ルローダ系によりレチクルＲをレチクルステージＲＳＴ
上にロードする際に、レチクルＲ上に形成されたレチク
ル情報（バーコード等）をレチクルリーダ２５で読み取
り、読み取ったレチクル情報を主制御系２２に供給す
る。これにより、主制御系２２は、現在レチクルステー
ジＲＳＴ上に保持されているレチクルＲの内容（コンタ
クトホールパターン又はライン・アンド・スペースパタ
ーン等のパターンの種類、パターンの最小線幅等）を認
識できる。The reticle R is a reticle RST.
The reticle reader 25 is held near the reticle stage RST and is arranged near the reticle stage RST. The reticle R is moved to the reticle stage RST by a reticle loader system (not shown).
When loaded on the reticle R, the reticle information (bar code or the like) formed on the reticle R is read by the reticle reader 25, and the read reticle information is supplied to the main control system 22. As a result, the main control system 22 can recognize the content of the reticle R currently held on the reticle stage RST (type of pattern such as contact hole pattern or line and space pattern, minimum line width of pattern, etc.). .
【００２０】コンデンサーレンズ１８から射出される露
光光ＩＬのもとで、レチクルＲのパターン像が投影光学
系１Ａを介してフォトレジストが塗布されたウエハＷ上
に投影露光される。ウエハＷはウエハステージＷＳＴ上
に載置され、ウエハステージＷＳＴは、ウエハＷを投影
光学系１Ａの光軸ＡＸに垂直なＸＹ平面内で位置決めす
るＸＹステージ、及びウエハＷを光軸ＡＸに平行なＺ方
向に位置決めするＺステージ等より構成されている。ウ
エハステージＷＳＴの２次元座標はレーザ干渉計１９に
より常時計測され、計測結果がウエハステージ駆動装置
２０に供給され、ウエハステージ駆動装置２０は、主制
御系２２から供給された目標座標にウエハステージＷＳ
Ｔの位置決めを行う。これにより、ウエハＷの所望のシ
ョット領域が投影光学系１Ａの露光フィールド内に位置
決めされる。Under the exposure light IL emitted from the condenser lens 18, the pattern image of the reticle R is projected and exposed onto the wafer W coated with the photoresist via the projection optical system 1A. The wafer W is placed on the wafer stage WST, and the wafer stage WST aligns the wafer W in the XY plane perpendicular to the optical axis AX of the projection optical system 1A and the wafer W parallel to the optical axis AX. It is composed of a Z stage or the like that positions in the Z direction. The two-dimensional coordinates of wafer stage WST are constantly measured by laser interferometer 19, and the measurement result is supplied to wafer stage drive unit 20. Wafer stage drive unit 20 sets wafer stage WS to the target coordinates supplied from main control system 22.
Position T. As a result, the desired shot area of the wafer W is positioned within the exposure field of the projection optical system 1A.
【００２１】また、投影光学系１Ａの近傍に、ウエハＷ
の露光面のフォーカス位置（光軸ＡＸ方向の位置）及び
傾斜角を検出するためのフォーカス・レベリングセンサ
２１が設けられ、このフォーカス・レベリングセンサ２
１による計測結果もウエハステージ駆動装置２０に供給
されている。ウエハステージ駆動装置２０が、ウエハス
テージＷＳＴ内のレベリングステージ等を介してウエハ
Ｗの露光面を投影光学系１Ａの像面に合致させることに
より、オートフォーカス及びオートレベリングが行われ
る。Further, the wafer W is provided near the projection optical system 1A.
A focus / leveling sensor 21 for detecting the focus position (position in the optical axis AX direction) and the tilt angle of the exposure surface of the is provided.
The measurement result of 1 is also supplied to the wafer stage drive device 20. The wafer stage drive device 20 causes the exposure surface of the wafer W to match the image plane of the projection optical system 1A via a leveling stage or the like in the wafer stage WST, thereby performing autofocus and autoleveling.
【００２２】また、主制御系２２は着脱装置２６を介し
て、必要に応じて投影光学系１Ａの瞳面ＦＴＰ上でレチ
クルＲからの結像光束が通過する領域（即ち、瞳）に瞳
フィルタ４３Ａ等を配置する。瞳フィルタ４３Ａは、ガ
ラス基板上に遮光膜４４Ａを形成したものである。本実
施例では、後述のように種々の瞳フィルタが用意されて
おり、主制御系２２からの指示に応じて、着脱装置２６
はレチクルＲのパターンに応じた瞳フィルタを投影光学
系１Ａの瞳位置に設置すると共に、瞳フィルタを必要と
しないパターンを露光するときには、着脱装置２６は投
影光学系１Ａの瞳から瞳フィルタを退避させて代わりに
ダミーのガラス基板を設置する。具体的に、コンタクト
ホールパターンを露光する際には、コンタクトホールパ
ターンの開口の大きさ等に応じて最適な瞳フィルタが投
影光学系１Ａの瞳位置に設置され、ライン・アンド・ス
ペースパターンを露光する際には投影光学系１Ａの瞳位
置にはダミーのガラス基板が設置される。Further, the main control system 22 is, via the attachment / detachment device 26, a pupil filter in an area (that is, a pupil) on the pupil plane FTP of the projection optical system 1A where the imaging light flux from the reticle R passes, if necessary. 43A etc. are arranged. The pupil filter 43A has a light shielding film 44A formed on a glass substrate. In this embodiment, various pupil filters are prepared as described later, and the attachment / detachment device 26 is responsive to an instruction from the main control system 22.
Sets a pupil filter corresponding to the pattern of the reticle R at the pupil position of the projection optical system 1A, and when exposing a pattern that does not require the pupil filter, the attachment / detachment device 26 retracts the pupil filter from the pupil of the projection optical system 1A. Then, a dummy glass substrate is installed instead. Specifically, when exposing the contact hole pattern, an optimum pupil filter is installed at the pupil position of the projection optical system 1A according to the size of the opening of the contact hole pattern and the like, and the line and space pattern is exposed. In doing so, a dummy glass substrate is installed at the pupil position of the projection optical system 1A.
【００２３】本実施例では、着脱装置２６による設定状
態を示す位置情報、即ち現在投影光学系１Ａの瞳位置に
設置されている瞳フィルタ又はダミーのガラス基板の種
類に対応する信号を検出するためのロータリエンコーダ
２８が設けられ、このロータリエンコーダ２８の検出信
号が主制御系２２に供給されている。主制御系２２は、
ロータリエンコーダ２８からの検出信号により、現在投
影光学系１Ａの瞳位置に設置されている瞳フィルタ又は
ダミーのガラス基板の種類を認識できる。In this embodiment, in order to detect the position information indicating the setting state by the attachment / detachment device 26, that is, the signal corresponding to the kind of the pupil filter or the dummy glass substrate currently installed at the pupil position of the projection optical system 1A. The rotary encoder 28 is provided, and the detection signal of the rotary encoder 28 is supplied to the main control system 22. The main control system 22 is
Based on the detection signal from the rotary encoder 28, the type of the pupil filter or the dummy glass substrate currently installed at the pupil position of the projection optical system 1A can be recognized.
【００２４】また、本実施例の瞳フィルタ４３Ａ上の遮
光膜４４Ａ上には、フォトダイオード等からなり、露光
光ＩＬに対して感度を有する受光素子２７Ａが固定さ
れ、受光素子２７Ａからの光電変換信号が判別回路２９
に供給されている。レチクルＲがコンタクトホールパタ
ーン用のレチクルである場合には、投影光学系１Ａの瞳
を通過する光量が少なく、レチクルＲがライン・アンド
・スペースパターン用のレチクルである場合には、投影
光学系１Ａの瞳を通過する光量が大きいことを利用し
て、判別回路２９は、受光素子２７Ａの光電変換信号の
大きさからレチクルＲのパターンの種類を判別する。こ
の判別結果の情報が主制御系２２に供給されている。On the light shielding film 44A on the pupil filter 43A of this embodiment, a light receiving element 27A having a sensitivity to the exposure light IL is fixed, and a photoelectric conversion from the light receiving element 27A is fixed. The signal is the discrimination circuit 29
Is being supplied to. When the reticle R is a reticle for a contact hole pattern, the amount of light passing through the pupil of the projection optical system 1A is small, and when the reticle R is a reticle for a line and space pattern, the projection optical system 1A is used. The discriminating circuit 29 discriminates the type of the pattern of the reticle R from the magnitude of the photoelectric conversion signal of the light receiving element 27A by utilizing the large amount of light passing through the pupil. Information on the determination result is supplied to the main control system 22.
【００２５】また、判別回路２９は、受光素子２７Ａか
らの光電変換信号が所定のノイズレベルよりも大きいと
きにハイレベル“１”となり、それ以外のときにローレ
ベル“０”となる着脱判別信号をも主制御系２２に供給
する。主制御系２２は、駆動装置２３を介してシャッタ
８を開状態としたときに、その判別回路２９からの着脱
判別信号がハイレベル“１”となったときには、瞳フィ
ルタ４３Ａが投影光学系１Ａの瞳位置に設置されている
ことを確認できる。逆に、シャッタ８を開状態としたと
きに、その判別回路２９からの着脱判別信号がローレベ
ル“０”のままであるときには、主制御系２２は、瞳フ
ィルタ４３Ａが投影光学系１Ａの瞳位置から退避されて
いることを確認できる。The discriminating circuit 29 has a high level "1" when the photoelectric conversion signal from the light receiving element 27A is higher than a predetermined noise level, and a low level "0" otherwise. Is also supplied to the main control system 22. In the main control system 22, when the shutter 8 is opened via the drive unit 23 and the attachment / detachment determination signal from the determination circuit 29 becomes a high level “1”, the pupil filter 43A causes the projection optical system 1A to operate. It can be confirmed that it is installed at the pupil position of. Conversely, when the shutter 8 is opened and the attachment / detachment determination signal from the determination circuit 29 remains at the low level "0", the main control system 22 causes the pupil filter 43A to cause the pupil filter 43A to project to the pupil of the projection optical system 1A. You can confirm that it has been retracted from the position.
【００２６】更に、ウエハステージＷＳＴ上のウエハＷ
の近傍には光電変換素子よりなる照射量モニタ３０が設
置され、この照射量モニタ３０の出力信号が主制御系２
２に供給されている。例えば瞳フィルタ４３Ａが投影光
学系１Ａの瞳位置から退避され、その瞳位置にダミーの
ガラス基板が設置されている場合には、主制御系２２
は、ウエハステージＷＳＴを移動させてその照射量モニ
タ３０を投影光学系１Ａの露光フィールド内に設置す
る。そして、照射量モニタ３０の出力信号の大小から、
主制御系２２は、レチクルＲのパターンがコンタクトホ
ールパターン又はライン・アンド・スペースパターンか
を判別する。Further, the wafer W on the wafer stage WST
A dose monitor 30 composed of a photoelectric conversion element is installed in the vicinity of, and the output signal of the dose monitor 30 is used as the main control system 2.
2 is being supplied. For example, when the pupil filter 43A is retracted from the pupil position of the projection optical system 1A and a dummy glass substrate is installed at the pupil position, the main control system 22
Moves the wafer stage WST and installs the irradiation amount monitor 30 in the exposure field of the projection optical system 1A. Then, from the magnitude of the output signal of the dose monitor 30,
The main control system 22 determines whether the pattern of the reticle R is a contact hole pattern or a line and space pattern.
【００２７】次に、図１の着脱装置２６の詳細な構成に
つき図２を参照して説明する。この着脱装置２６は、レ
ボルバー式で瞳フィルタの交換又は着脱を行うものであ
る。図２（ｂ）は本実施例の投影光学系１Ａ及び着脱装
置２６の正面断面図、図２（ａ）は投影光学系１Ａ及び
着脱装置２６の平面図であり、図２（ｂ）に示すよう
に、投影光学系１Ａは、上から順にレンズ３1 〜３n よ
り構成される前群レンズ系３及び開口絞り５を前群鏡筒
２Ａ内に固定し、後群レンズ系４を後群鏡筒２Ｂ内に固
定して構成されている。開口絞り５は、鏡筒２Ａの最下
部の瞳面付近に取り付けられている。Next, the detailed structure of the attaching / detaching device 26 of FIG. 1 will be described with reference to FIG. The attachment / detachment device 26 is a revolver type for exchanging or attaching / detaching the pupil filter. 2B is a front sectional view of the projection optical system 1A and the attachment / detachment device 26 of this embodiment, and FIG. 2A is a plan view of the projection optical system 1A and the attachment / detachment device 26, which are shown in FIG. 2B. As described above, in the projection optical system 1A, the front lens group system 3 and the aperture stop 5 composed of the lenses 3 1 to 3 n are fixed in the front lens barrel 2A in order from the top, and the rear lens system 4 is rear lens group. It is configured to be fixed in the lens barrel 2B. The aperture stop 5 is attached near the lowermost pupil plane of the lens barrel 2A.
【００２８】そして、鏡筒２Ａと鏡筒２Ｂとの間に、着
脱装置２６の回転板４１を配し、回転板４１を光軸ＡＸ
に平行な軸４１ａを中心としてモータ４２により回転自
在に支持する。光軸ＡＸと回転軸４１ａとの間隔はＲ１
である。図２（ａ）に示すように、回転板４１の上には
５個の瞳フィルタ４３Ａ，４３Ｂ，４３Ｄ〜４３Ｆ及び
ダミーのガラス基板４３Ｃを配し、瞳フィルタ及びダミ
ーのガラス基板４３Ｃの中心を、回転板４１上の軸４１
ａを中心とした半径Ｒ１の円周上にほぼ等角度間隔で位
置決めしておく。瞳フィルタ４３Ａ，４３Ｂ，４３Ｄ〜
４３Ｆは、それぞれガラス基板上に直径の異なる遮光膜
４４Ａ，４４Ｂ，４４Ｄ〜４４Ｆが形成されたものであ
り、遮光膜４４Ａ，４４Ｂ，４４Ｄ〜４４Ｆ上にそれぞ
れフォトダイオード等からなる受光素子２７Ａ，２７
Ｂ，２７Ｄ〜２７Ｆが固定されている。これら受光素子
２７Ａ，２７Ｂ，２７Ｄ〜２７Ｆの光電変換信号は並列
に図１の判別回路２９に供給され、判別回路２９では、
各受光素子毎にレチクルＲのパターンの判別及び瞳フィ
ルタの着脱状態を判別して、判別結果の情報を主制御系
２２に供給する。Then, the rotary plate 41 of the attachment / detachment device 26 is arranged between the lens barrel 2A and the lens barrel 2B, and the rotary plate 41 is attached to the optical axis AX.
It is rotatably supported by a motor 42 about an axis 41a parallel to the axis. The distance between the optical axis AX and the rotation axis 41a is R1.
Is. As shown in FIG. 2A, five pupil filters 43A, 43B, 43D to 43F and a dummy glass substrate 43C are arranged on the rotary plate 41, and the centers of the pupil filter and the dummy glass substrate 43C are arranged. , The shaft 41 on the rotating plate 41
Positioning is performed at substantially equal angular intervals on the circumference of radius R1 centered on a. Pupil filters 43A, 43B, 43D-
Reference numeral 43F denotes light-shielding films 44A, 44B, 44D to 44F having different diameters formed on a glass substrate, and the light-receiving elements 27A and 27 formed of photodiodes or the like on the light-shielding films 44A, 44B, 44D to 44F, respectively.
B, 27D to 27F are fixed. The photoelectric conversion signals of these light receiving elements 27A, 27B, 27D to 27F are supplied in parallel to the discrimination circuit 29 of FIG.
The determination of the pattern of the reticle R and the attachment / detachment state of the pupil filter are determined for each light receiving element, and the information of the determination result is supplied to the main control system 22.
【００２９】この場合、受光素子２７Ａ，２７Ｂ，２７
Ｄ〜２７Ｆはそれぞれ遮光膜上に設置されているため、
投影光学系１Ａの瞳位置に瞳フィルタを設置したとき
に、それら受光素子により結像特性が悪影響を受けるこ
とがない。なお、瞳フィルタ４３Ａ，４３Ｂ，４３Ｄ〜
４３Ｆとしては、直径の異なる遮光板を細い支柱で支持
するだけのフィルタを使用でき、この場合には瞳フィル
タ４３Ｃは単なる空間となる。In this case, the light receiving elements 27A, 27B, 27
Since each of D to 27F is installed on the light shielding film,
When the pupil filter is installed at the pupil position of the projection optical system 1A, the image forming characteristics are not adversely affected by those light receiving elements. The pupil filters 43A, 43B, 43D-
As 43F, it is possible to use a filter in which light-shielding plates having different diameters are supported by thin columns, and in this case, the pupil filter 43C becomes a mere space.
【００３０】この投影光学系１Ａを図１の投影露光装置
に装着した場合、露光するパターンに応じて図２（ａ）
のθ１方向に回転板４１を回転して、瞳フィルタの内の
最適の瞳フィルタ又はダミーのガラス基板４３Ｃの中心
を投影光学系１Ａの光軸ＡＸ上に位置決めする。これに
より、露光するパターンに応じて高い解像力、且つ深い
焦点深度で露光が行われる。When this projection optical system 1A is mounted on the projection exposure apparatus shown in FIG. 1, the pattern shown in FIG.
The rotation plate 41 is rotated in the θ1 direction to position the center of the optimum pupil filter of the pupil filters or the dummy glass substrate 43C on the optical axis AX of the projection optical system 1A. As a result, exposure is performed with high resolution and a deep depth of focus according to the pattern to be exposed.
【００３１】また、図２（ａ）に示すように、回転板４
１上には所定の角度ピッチで格子パターンが配列された
周期的トラック３２、及び所定の原点の位置のみにパタ
ーンが配列された原点トラック３１が形成され、これら
周期的トラック３２及び原点トラック３１上にロータリ
エンコーダ２８が設置されている。回転板４１が回転す
ると、ロータリエンコーダ２８は、周期的トラック３２
の回転角に応じて生成されるアップ・ダウンのパルス信
号を積算し、原点トラック３１の原点パターンがその下
を通過した時点でその積算値をリセットする。これによ
り、回転板４１の絶対回転角がロータリエンコーダ２８
により常時検出され、この絶対回転角の情報が図１の主
制御系２２に供給されている。As shown in FIG. 2A, the rotary plate 4
A periodic track 32 in which a grid pattern is arranged at a predetermined angular pitch and an origin track 31 in which a pattern is arranged only at a position of a predetermined origin are formed on the first surface 1. On the periodic track 32 and the origin track 31, A rotary encoder 28 is installed in. As the rotating plate 41 rotates, the rotary encoder 28 causes the periodic track 32 to move.
The up / down pulse signals generated according to the rotation angle are integrated, and the integrated value is reset when the origin pattern of the origin track 31 passes below it. As a result, the absolute rotation angle of the rotary plate 41 is determined by the rotary encoder 28.
Is constantly detected by this, and the information of this absolute rotation angle is supplied to the main control system 22 of FIG.
【００３２】本実施例では、予め瞳フィルタ又はダミー
のガラス基板４３Ｃが投影光学系１Ａの瞳に設置されて
いるときにロータリエンコーダ２８により検出される絶
対回転角が求められている。従って、主制御系２２は、
その絶対回転角の情報から現在投影光学系１Ａの瞳に設
定されている瞳フィルタ又はダミーのガラス基板の種類
を判別できる。In this embodiment, the absolute rotation angle detected by the rotary encoder 28 when the pupil filter or the dummy glass substrate 43C is installed in the pupil of the projection optical system 1A is obtained in advance. Therefore, the main control system 22
From the information on the absolute rotation angle, the type of the pupil filter or the dummy glass substrate currently set in the pupil of the projection optical system 1A can be determined.
【００３３】次に、本実施例でコンタクトホールパター
ンの露光を行う場合の全体の動作の一例につき図３のフ
ローチャートを参照して説明する。先ず図３のステップ
１０１において、図１のレチクルステージＲＳＴ上にコ
ンタクトホールパターン用のレチクルをロードする。そ
の際に、主制御系２２はレチクルリーダ２５を介して、
ロードされるレチクルに形成されているバーコードを読
み取る。これにより、ロードされるレチクルがコンタク
トホールパターン用のレチクルかどうかが確認される。
コンタクトホールパターン用のレチクルでない場合に
は、レチクル収納棚（不図示）にある正しいレチクルと
の交換が行われる。Next, an example of the entire operation when the contact hole pattern is exposed in this embodiment will be described with reference to the flowchart of FIG. First, in step 101 of FIG. 3, a reticle for a contact hole pattern is loaded on the reticle stage RST of FIG. At that time, the main control system 22 passes through the reticle reader 25,
Read the barcode on the reticle to be loaded. This confirms whether the reticle to be loaded is a reticle for contact hole pattern.
If it is not a reticle for a contact hole pattern, it is replaced with a correct reticle on a reticle storage shelf (not shown).
【００３４】なお、レチクルがコンタクトホールパター
ン用のレチクルかどうかを確認する方法としては、バー
コードを読み取る方法以外に、レチクル収納棚からレチ
クルステージＲＳＴ上にレチクルを搬送する途中で、透
過率測定装置によりレチクルのパターン領域の透過率
（透過光量／入射光量）を測定する方法を用いてもよ
い。一般にコンタクトホールパターンでは全体のパター
ン領域の面積に対する遮光部の面積の割合が、ライン・
アンド・スペースパターンのようなパターンに比べて大
きい。即ち、コンタクトホールパターンの透過率は他の
パターンに比べて小さいため、透過率の計測からコンタ
クトホールパターンか否かを判別できる。As a method for confirming whether or not the reticle is a reticle for a contact hole pattern, other than the method of reading a bar code, a transmittance measuring device is used during the transportation of the reticle from the reticle storage shelf onto the reticle stage RST. Alternatively, a method of measuring the transmittance (amount of transmitted light / amount of incident light) in the pattern area of the reticle may be used. Generally, in the contact hole pattern, the ratio of the area of the light shielding part to the area of the entire pattern area is
Larger than patterns like the And Space pattern. That is, since the transmittance of the contact hole pattern is smaller than that of the other patterns, it is possible to determine whether or not it is the contact hole pattern by measuring the transmittance.
【００３５】その後、ステップ１０２において、主制御
系２２は着脱装置２６を動作させて、図２（ａ）の瞳フ
ィルタ４３Ａ，４３Ｂ，４３Ｄ〜４３Ｆの内から露光対
象とするレチクルに形成されたコンタクトホールパター
ンに対応する瞳フィルタ（これを瞳フィルタ４３Ａとす
る）を選択して、投影光学系１Ａの瞳位置に設定する。
この際に、主制御系２２は、図２のロータリエンコーダ
２８からの位置信号のモニタし、選択された瞳フィルタ
４３Ａが実際に投影光学系１Ａの瞳位置に設定されたか
どうかを確認し、別の瞳フィルタが設定されている場合
には、着脱装置２６を介してその瞳フィルタを交換す
る。Thereafter, in step 102, the main control system 22 operates the attachment / detachment device 26 to cause the contacts formed on the reticle to be exposed from the pupil filters 43A, 43B, 43D to 43F shown in FIG. A pupil filter corresponding to the hole pattern (this will be referred to as a pupil filter 43A) is selected and set at the pupil position of the projection optical system 1A.
At this time, the main control system 22 monitors the position signal from the rotary encoder 28 of FIG. 2 and confirms whether or not the selected pupil filter 43A is actually set at the pupil position of the projection optical system 1A. If the pupil filter is set, the pupil filter is replaced via the attachment / detachment device 26.
【００３６】次に、主制御系２２は、ステップ１０３に
おいて図１のシャッタ８を開いて露光光ＩＬの照射を開
始し、ステップ１０４において、判別回路２９を介して
瞳フィルタ４３Ａ上の受光素子２７Ａの出力信号をモニ
タする。そして、ステップ１０５において、判別回路２
９は、受光素子２７Ａの出力信号がノイズレベルより大
きいかどうかを検査し、この検査結果を主制御系２２に
供給する。受光素子２７Ａの出力信号がそのノイズレベ
ル以下である場合には、瞳フィルタ４３Ａが投影光学系
１Ａの瞳位置に設置されていないことになり、何等かの
誤動作が生じている恐れがあるため、ステップ１０６に
おいて主制御系２２はオペレータコールを行う。これに
応じてオペレータは、着脱装置２６の動作を調べる。Next, the main control system 22 opens the shutter 8 in FIG. 1 to start irradiation of the exposure light IL in step 103, and in step 104, via the discriminating circuit 29, the light receiving element 27A on the pupil filter 43A. Monitor the output signal of. Then, in step 105, the determination circuit 2
Reference numeral 9 inspects whether the output signal of the light receiving element 27A is higher than the noise level, and supplies the inspection result to the main control system 22. When the output signal of the light receiving element 27A is equal to or lower than the noise level, the pupil filter 43A is not installed at the pupil position of the projection optical system 1A, and some malfunction may occur. In step 106, the main control system 22 makes an operator call. In response to this, the operator examines the operation of the attachment / detachment device 26.
【００３７】一方、ステップ１０５において、受光素子
２７Ａの出力信号がそのノイズレベルより大きい場合に
は、瞳フィルタ４３Ａが投影光学系１Ａの瞳位置に設置
されていることが確認できたため、ステップ１０７に移
行して、受光素子１Ａの出力信号のレベルがコンタクト
ホールパターンに対応するレベルかどうかを検査する。
その出力信号がコンタクトホールパターンに対応するレ
ベルである場合には、ステップ１０８に移行して、シャ
ッタ８を閉じた後、露光対象のウエハをウエハステージ
ＷＳＴ上にロードして露光を行う。また、受光素子１Ａ
の出力信号のレベルがコンタクトホールパターンに対応
するレベルでない場合には、ステップ１０６に移行して
主制御系２２はオペレータコールを行う。オペレータ
は、レチクルテージＲＳＴ上に載置されているレチクル
の種類を確認する。On the other hand, when the output signal of the light receiving element 27A is higher than the noise level in step 105, it can be confirmed that the pupil filter 43A is installed at the pupil position of the projection optical system 1A. After shifting, it is inspected whether the level of the output signal of the light receiving element 1A is the level corresponding to the contact hole pattern.
When the output signal has a level corresponding to the contact hole pattern, the process proceeds to step 108, the shutter 8 is closed, and the wafer to be exposed is loaded on the wafer stage WST to perform exposure. In addition, the light receiving element 1A
If the level of the output signal is not at the level corresponding to the contact hole pattern, the process proceeds to step 106 and the main control system 22 makes an operator call. The operator confirms the type of reticle placed on the reticle stage RST.
【００３８】以上のように本実施例によれば、瞳フィル
タ４３Ａ上の受光素子２７Ａの出力信号を用いて、瞳フ
ィルタ４３Ａが投影光学系１Ａの瞳位置に実際に設定さ
れているかどうか、及び露光対象とするパターンがコン
タクトホールパターンかどうかを確認しているため、コ
ンタクトホールパターンの露光を行う際に誤って瞳フィ
ルタを設置しないという事態が確実に回避できる。As described above, according to this embodiment, by using the output signal of the light receiving element 27A on the pupil filter 43A, whether the pupil filter 43A is actually set at the pupil position of the projection optical system 1A, and Since it is confirmed whether or not the pattern to be exposed is the contact hole pattern, it is possible to surely avoid the situation that the pupil filter is not installed by mistake when the contact hole pattern is exposed.
【００３９】次に、コンタクトホールパターン以外の例
えばライン・アンド・スペースパターン（Ｌ＆Ｓパター
ン）の露光を行う場合の全体の動作の一例につき図３の
フローチャートを参照して説明する。先ず図３のステッ
プ１１１において、図１のレチクルステージＲＳＴ上に
Ｌ＆Ｓパターン用のレチクルをロードする。その際に、
レチクルリーダ２５を介してレチクルに形成されている
バーコードを読み取り、ロードされるレチクルがＬ＆Ｓ
パターン用のレチクルかどうかを確認する。Ｌ＆Ｓパタ
ーン用のレチクルでない場合には、レチクル収納棚にあ
る正しいレチクルとの交換が行われる。Next, an example of the entire operation when exposing, for example, a line and space pattern (L & S pattern) other than the contact hole pattern will be described with reference to the flowchart of FIG. First, in step 111 in FIG. 3, the reticle for the L & S pattern is loaded on the reticle stage RST in FIG. At that time,
The barcode formed on the reticle is read via the reticle reader 25, and the loaded reticle is L & S.
Check if it is a pattern reticle. If the reticle is not the L & S pattern reticle, the reticle is replaced with the correct reticle on the reticle storage shelf.
【００４０】その後、ステップ１１２において、主制御
系２２は着脱装置２６を動作させて、図２（ａ）のダミ
ーのガラス基板４３Ｃを投影光学系１Ａの瞳位置に設定
する。この際に、主制御系２２は、図２のロータリエン
コーダ２８からの位置信号のモニタし、ダミーのガラス
基板４３Ｃが実際に投影光学系１Ａの瞳位置に設定され
たかどうかを確認し、瞳フィルタが設定されている場合
には、着脱装置２６を介してその瞳フィルタを交換す
る。Thereafter, in step 112, the main control system 22 operates the attachment / detachment device 26 to set the dummy glass substrate 43C of FIG. 2 (a) at the pupil position of the projection optical system 1A. At this time, the main control system 22 monitors the position signal from the rotary encoder 28 of FIG. 2 to confirm whether the dummy glass substrate 43C is actually set at the pupil position of the projection optical system 1A, and the pupil filter If is set, the pupil filter is replaced via the attachment / detachment device 26.
【００４１】次に、主制御系２２は、ステップ１１３に
おいて図１のシャッタ８を開いて露光光ＩＬの照射を開
始し、ステップ１１４において、判別回路２９を介して
瞳フィルタ４３Ａ，４３Ｂ，４３Ｄ〜４３Ｆ上の受光素
子２７Ａ，２７Ｂ，２７Ｄ〜２７Ｆの出力信号をモニタ
する。そして、ステップ１１５において、判別回路２９
は、受光素子２７Ａ，２７Ｂ，２７Ｄ〜２７Ｆの出力信
号がノイズレベルより小さいかどうかを検査し、この検
査結果を主制御系２２に供給する。受光素子の中に出力
信号がそのノイズレベル以上であるものが存在する場合
には、何等かの瞳フィルが誤って投影光学系１Ａの瞳位
置に設置されていることになり、何等かの誤動作が生じ
ている恐れがあるため、ステップ１１６において主制御
系２２はオペレータコールを行う。これに応じてオペレ
ータは、着脱装置２６の動作を調べる。Next, the main control system 22 opens the shutter 8 of FIG. 1 to start irradiation of the exposure light IL in step 113, and in step 114, the pupil filters 43A, 43B, 43D through the discrimination circuit 29. The output signals of the light receiving elements 27A, 27B, 27D to 27F on 43F are monitored. Then, in step 115, the discrimination circuit 29
Checks whether the output signals of the light receiving elements 27A, 27B, 27D to 27F are lower than the noise level, and supplies the inspection result to the main control system 22. When there is an output signal whose noise level is higher than the noise level among the light receiving elements, it means that some pupil fill is erroneously installed at the pupil position of the projection optical system 1A and some malfunction occurs. Therefore, the main control system 22 makes an operator call in step 116. In response to this, the operator examines the operation of the attachment / detachment device 26.
【００４２】一方、ステップ１１５において、全ての受
光素子の出力信号がそのノイズレベルより小さい場合に
は、瞳フィルタは投影光学系１Ａの瞳位置に設置されて
いないことが確認できたため、ステップ１１７に移行し
て、図１の照射量モニタ３０を投影光学系１Ａの露光フ
ィールド内に移動し、照射量モニタ３０の出力信号をモ
ニタする。その後、ステップ１１８において、照射量モ
ニタ３０の出力信号のレベルがＬ＆Ｓパターンに対応す
るレベルかどうかを検査する。その出力信号がＬ＆Ｓパ
ターンに対応するレベルである場合には、ステップ１１
９に移行して、シャッタ８を閉じた後、露光対象のウエ
ハをウエハステージＷＳＴ上にロードして露光を行う。
また、照射量モニタ３０の出力信号のレベルがＬ＆Ｓパ
ターンに対応するレベルでない場合には、ステップ１１
６に移行して主制御系２２はオペレータコールを行う。
オペレータは、レチクルテージＲＳＴ上に載置されてい
るレチクルの種類を確認する。On the other hand, in step 115, if the output signals of all the light receiving elements are smaller than the noise level, it can be confirmed that the pupil filter is not installed at the pupil position of the projection optical system 1A. Then, the dose monitor 30 of FIG. 1 is moved into the exposure field of the projection optical system 1A, and the output signal of the dose monitor 30 is monitored. Then, in step 118, it is inspected whether the level of the output signal of the dose monitor 30 is a level corresponding to the L & S pattern. If the output signal is at a level corresponding to the L & S pattern, step 11
After shifting to 9 and closing the shutter 8, the wafer to be exposed is loaded on the wafer stage WST and exposed.
If the level of the output signal of the dose monitor 30 does not correspond to the L & S pattern, step 11
In step 6, the main control system 22 makes an operator call.
The operator confirms the type of reticle placed on the reticle stage RST.
【００４３】以上のように本実施例によれば、Ｌ＆Ｓパ
ターンの露光を行う場合に、瞳フィルタ上の受光素子の
出力信号を用いて、瞳フィルタが投影光学系１Ａの瞳位
置に設定されていないことを確認しているため、誤って
瞳フィルタを設置した状態で露光を行うことが確実に防
止される。従って、大きなエネルギーの露光光の照射に
より瞳フィルタが損傷を受けることもなくなる。更に、
照射量モニタ３０の出力信号から、露光対象とするパタ
ーンがライン・アンド・スペースパターンかどうかを確
認しているため、他のレチクルのパターンを誤って露光
することが確実に回避できる。As described above, according to this embodiment, when the L & S pattern is exposed, the pupil filter is set at the pupil position of the projection optical system 1A by using the output signal of the light receiving element on the pupil filter. Since it has been confirmed that there is no pupil filter, it is possible to reliably prevent exposure with the pupil filter installed by mistake. Therefore, the pupil filter is not damaged by the irradiation of the exposure light of large energy. Furthermore,
Since it is confirmed from the output signal of the irradiation amount monitor 30 whether the pattern to be exposed is a line-and-space pattern, it is possible to surely avoid accidentally exposing the pattern of another reticle.
【００４４】なお、特に注意を要することは、瞳フィル
タが投影光学系１Ａの瞳位置に設置されている状態で、
コンタクトホールパターン以外の露光を行うこと（瞳フ
ィルタにコンタクトホールパターン以外の露光時の露光
量が照射されること）である。そこで、レチクル交換後
にウエハの第１ショット領域へ露光する際の露光量を下
げることにより、瞳フィルタにいきなり高い照射量の露
光光が照射されないようにする方法も考えられる。It should be noted that, in particular, when the pupil filter is installed at the pupil position of the projection optical system 1A,
Exposure other than the contact hole pattern is performed (the pupil filter is irradiated with the exposure amount at the time of exposure other than the contact hole pattern). Therefore, it is possible to consider a method in which the exposure amount when exposing the first shot area of the wafer after the reticle is changed is reduced so that the pupil filter is not suddenly irradiated with a large amount of exposure light.
【００４５】次に、本発明の他の実施例につき図４を参
照して説明する。この実施例はスライド式で瞳フィルタ
の交換又は着脱を行うものである。図４（ｂ）は本実施
例の投影光学系１Ｂ及び瞳フィルタの着脱装置３３の正
面断面図、図４（ａ）は投影光学系１Ｂ及び瞳フィルタ
の着脱装置３３の平面図であり、図２に対応する部分に
は同一符号を付してある。図４（ｂ）に示すように、投
影光学系１Ｂは、鏡筒２Ｃ内に上から順に前群レンズ系
３、開口絞り５、及び後群レンズ系４を固定して構成さ
れ、鏡筒２Ｃの開口絞り５の直下の部分、即ち投影光学
系１Ｂの瞳面付近に開口４５Ａ及び４５Ｂが穿設されて
いる。そして、開口４５Ａ及び４５Ｂを通して光軸ＡＸ
を垂直に横切るＸ軸方向にスライド板４６を配し、スラ
イド板４６を送り装置４７でＸ方向に摺動自在に支持す
る。図４（ａ）に示すように、スライド板４６上には、
Ｘ軸上に中心を有するように瞳フィルタ４３Ｂ，４３
Ｄ，４３Ｅ及びダミーのガラス基板４３Ｃを配置する。Next, another embodiment of the present invention will be described with reference to FIG. In this embodiment, the pupil filter is exchanged or detached by a slide type. 4B is a front sectional view of the projection optical system 1B and the pupil filter attaching / detaching device 33 of this embodiment, and FIG. 4A is a plan view of the projection optical system 1B and the pupil filter attaching / detaching device 33. The parts corresponding to 2 are given the same reference numerals. As shown in FIG. 4B, the projection optical system 1B is configured by fixing the front group lens system 3, the aperture stop 5, and the rear group lens system 4 in this order from the top in the lens barrel 2C. The openings 45A and 45B are formed immediately below the aperture stop 5, that is, near the pupil plane of the projection optical system 1B. Then, the optical axis AX passes through the openings 45A and 45B.
The slide plate 46 is arranged in the X-axis direction across the vertical direction, and the slide plate 46 is slidably supported in the X direction by the feeding device 47. As shown in FIG. 4A, on the slide plate 46,
The pupil filters 43B, 43 are arranged so as to have their centers on the X axis.
D, 43E and a dummy glass substrate 43C are arranged.
【００４６】本実施例では、露光するパターンに応じて
スライド板４６をＸ軸方向に移動させて、最適な瞳フィ
ルタ又はガラス基板４３Ｃの中心を投影光学系１Ｂの光
軸ＡＸに合致させる。これにより、露光するパターンに
応じて、高い解像力、且つ深い焦点深度で露光が行われ
る。また、図４（ａ）に示すように、瞳フィルタ４３
Ｂ，４３Ｄ，４３Ｅの遮光膜上にそれぞれ受光素子２７
Ｂ，２７Ｄ，２７Ｅが固定され、これら受光素子の出力
信号が図１の判別回路２９に供給される。図２の実施例
と同様に、図４の受光素子２７Ｂ，２７Ｄ，２７Ｅの出
力信号より、瞳フィルタの投影光学系１Ｂの瞳位置への
設置状態、及び露光対象とするパターンの種類が判別で
きる。In this embodiment, the slide plate 46 is moved in the X-axis direction in accordance with the pattern to be exposed, and the optimum center of the pupil filter or the glass substrate 43C is aligned with the optical axis AX of the projection optical system 1B. Thereby, exposure is performed with high resolution and a deep depth of focus according to the pattern to be exposed. In addition, as shown in FIG.
The light receiving element 27 is formed on each of the light shielding films B, 43D, and 43E.
B, 27D and 27E are fixed, and the output signals of these light receiving elements are supplied to the discrimination circuit 29 of FIG. Similar to the embodiment of FIG. 2, the installation state of the pupil filter at the pupil position of the projection optical system 1B and the type of the pattern to be exposed can be determined from the output signals of the light receiving elements 27B, 27D, and 27E of FIG. .
【００４７】また、スライド板４６上には、Ｘ方向に直
線状のスケール３４が設置され、このスケール３４の絶
対位置をリニアエンコーダ３５により検出できるように
なっており、リニアエンコーダ３５の計測結果が図１の
主制御系２２に供給されている。主制御系２２は、リニ
アエンコーダ３５の計測結果より現在投影光学系１Ｂの
瞳位置に設置されている瞳フィルタの種類を認識でき
る。他の構成及び動作は図１及び図２の実施例と同様で
ある。Further, a linear scale 34 is installed on the slide plate 46 in the X direction, and the absolute position of the scale 34 can be detected by the linear encoder 35. It is supplied to the main control system 22 of FIG. The main control system 22 can recognize the type of the pupil filter currently installed at the pupil position of the projection optical system 1B from the measurement result of the linear encoder 35. Other configurations and operations are similar to those of the embodiment shown in FIGS.
【００４８】なお、上述実施例では、瞳フィルタとして
径の異なる遮光膜が形成されたガラス基板が使用されて
いるが、瞳フィルタとしては、例えば偏光板を組み合わ
せたフィルタ、中心部と周辺部とで所定の光路長差を設
けたフィルタ等を使用することができる。このように、
本発明は上述実施例に限定されず、本発明の要旨を逸脱
しない範囲で種々の構成を取り得る。In the above-mentioned embodiment, the glass substrate on which the light-shielding films having different diameters are formed is used as the pupil filter, but as the pupil filter, for example, a filter in which polarizing plates are combined, a central portion and a peripheral portion are used. It is possible to use a filter or the like having a predetermined optical path difference. in this way,
The present invention is not limited to the above-mentioned embodiments, and various configurations can be adopted without departing from the gist of the present invention.
【００４９】[0049]
【発明の効果】本発明の第１の投影露光装置によれば、
着脱状態検出手段により検出した瞳フィルタの着脱状態
が、露光対象とするマスクに応じて定められた瞳フィル
タの着脱情報に対応するかどうかを確認しているため、
瞳フィルタを必要としないパターンを露光する場合に、
誤って投影光学系の瞳面付近に瞳フィルタを設置して露
光を行うことがないという利点がある。According to the first projection exposure apparatus of the present invention,
Since it is confirmed whether the attachment / detachment state of the pupil filter detected by the attachment / detachment state detecting means corresponds to the attachment / detachment information of the pupil filter determined according to the mask to be exposed,
When exposing a pattern that does not require a pupil filter,
There is an advantage that a pupil filter is not installed by mistake near the pupil plane of the projection optical system to perform exposure.
【００５０】従って、照射エネルギーによる瞳フィルタ
の加熱又は損傷、及びそれに伴う投影光学系内の温度上
昇を防止することができるため、投影光学系の冷却時間
を取る必要がなくなり、露光工程のスループットの低下
を防止することができる。また、着脱状態検出手段が、
瞳フィルタの投影光学系に対する相対的な位置を検出す
る位置検出手段である場合には、機械的な位置関係から
確実且つ簡便に瞳フィルタが投影光学系の瞳面付近に設
置されているかどうかを検出できる。Therefore, since it is possible to prevent the pupil filter from being heated or damaged by the irradiation energy and the temperature rise in the projection optical system due to the irradiation energy, it is not necessary to cool the projection optical system and the throughput of the exposure process can be improved. The decrease can be prevented. In addition, the attachment / detachment state detection means is
In the case of the position detecting means for detecting the relative position of the pupil filter with respect to the projection optical system, whether or not the pupil filter is installed near the pupil plane of the projection optical system surely and easily is determined from the mechanical positional relationship. Can be detected.
【００５１】また、着脱情報入力手段が、マスクのパタ
ーンの種類に応じて予め定められた瞳フィルタの着脱情
報を記憶する記憶手段と、マスク上の転写用のパターン
の種類を判別するマスク判別手段と、その記憶手段に記
憶された瞳フィルタの着脱情報から判別された転写用パ
ターンの種類に応じた瞳フィルタの最適着脱情報を選択
する選択手段とを有し、制御手段が、その最適着脱情報
に基づいて瞳フィルタ着脱手段の動作を制御し、確認手
段が、着脱状態検出手段により検出された瞳フィルタの
着脱状態がその最適着脱情報に対応するかどうかを確認
する場合には、マスク上の実際のパターンに対応する瞳
フィルタが選択されるため、マスクと瞳フィルタとの対
応関係を誤ることがない。Further, the attachment / detachment information input means stores the attachment / detachment information of the pupil filter which is predetermined according to the type of the mask pattern, and the mask discrimination means for discriminating the type of the transfer pattern on the mask. And the selection means for selecting the optimum attachment / detachment information of the pupil filter according to the type of the transfer pattern determined from the attachment / detachment information of the pupil filter stored in the storage means, and the control means has the optimum attachment / detachment information. The operation of the pupil filter attachment / detachment means is controlled based on the above, and the confirmation means confirms whether the attachment / detachment state of the pupil filter detected by the attachment / detachment state detection means corresponds to the optimum attachment / detachment information. Since the pupil filter corresponding to the actual pattern is selected, the correspondence between the mask and the pupil filter is not mistaken.
【００５２】次に、本発明の第２の投影露光装置によれ
ば、瞳フィルタ上に設けた光電変換手段の出力信号か
ら、マスクのパターンの種類及び瞳フィルタの着脱状態
を判別するようにしているため、瞳フィルタを必要とし
ないパターンを露光する場合に、誤って投影光学系の瞳
面付近に瞳フィルタを設置して露光を行うことがないと
いう利点がある。Next, according to the second projection exposure apparatus of the present invention, the type of mask pattern and the attached / detached state of the pupil filter are discriminated from the output signal of the photoelectric conversion means provided on the pupil filter. Therefore, when a pattern that does not require a pupil filter is exposed, there is an advantage that the pupil filter is not installed by mistake in the vicinity of the pupil plane of the projection optical system.
【００５３】この場合、その光電変換手段を瞳フィルタ
上の減光領域上に設けた場合には、光電変換手段による
投影光学系の結像特性に対する影響が小さいという利点
がある。In this case, when the photoelectric conversion means is provided on the dimming area on the pupil filter, there is an advantage that the photoelectric conversion means has a small influence on the image forming characteristics of the projection optical system.
【図１】本発明による投影露光装置の一実施例の全体を
示す構成図である。FIG. 1 is a configuration diagram showing an entire embodiment of a projection exposure apparatus according to the present invention.
【図２】（ａ）はその実施例の投影光学系及び瞳フィル
タの着脱装置を示す平面図、（ｂ）はその投影光学系及
び着脱装置を示す正面断面図である。2A is a plan view showing a projection optical system and a pupil filter attaching / detaching device of the embodiment, and FIG. 2B is a front sectional view showing the projection optical system and the attaching / detaching device.
【図３】実施例でレチクルのパターンを露光する場合の
動作の一例を示すフローチャートである。FIG. 3 is a flowchart showing an example of an operation when exposing a reticle pattern in an embodiment.
【図４】（ａ）は本発明の他の実施例の投影光学系及び
瞳フィルタの着脱装置を示す平面図、（ｂ）はその投影
光学系及び着脱装置を示す正面断面図である。4A is a plan view showing a projection optical system and a pupil filter attaching / detaching device according to another embodiment of the present invention, and FIG. 4B is a front sectional view showing the projection optical system and the attaching / detaching device.
１Ａ，１Ｂ 投影光学系 ２Ａ 前部鏡筒 ２Ｂ 後部鏡筒 ２Ｃ 鏡筒 ５ 開口絞り ６ 水銀ランプ ８ シャッタ １１ フライアイレンズ １８ コンデンサーレンズ Ｒ レチクル Ｗ ウエハ ２２ 主制御系 ２５ レチクルリーダ ２６ 着脱装置 ２７Ａ，２７Ｂ，２７Ｄ〜２７Ｅ 受光素子 ２８ ロータリエンコーダ ２９ 判別回路 ３０ 照射量モニタ ４１ 回転板 ４３Ａ，４３Ｂ，４３Ｄ〜４３Ｆ 瞳フィルタ ４３Ｃ ダミーのガラス基板 1A, 1B Projection optical system 2A Front lens barrel 2B Rear lens barrel 2C Lens barrel 5 Aperture stop 6 Mercury lamp 8 Shutter 11 Fly eye lens 18 Condenser lens R Reticle W Wafer 22 Main control system 25 Reticle reader 26 Detaching device 27A, 27B , 27D to 27E Light receiving element 28 Rotary encoder 29 Discrimination circuit 30 Irradiation amount monitor 41 Rotating plate 43A, 43B, 43D to 43F Pupil filter 43C Dummy glass substrate
Claims (5)
の像を投影光学系を介して感光基板上に投影する投影露
光装置において、 前記投影光学系の瞳面又は該瞳面の近傍の面内であって
前記マスクからの光束が通過する領域に所定の透過率分
布又は位相分布を有する瞳フィルタを設置すると共に、
前記マスクからの光束が通過する領域から該瞳フィルタ
を退避させる瞳フィルタ着脱手段と；前記マスク上のパ
ターンの種類に応じて予め定められた前記瞳フィルタの
着脱情報を入力する着脱情報入力手段と；該着脱情報入
力手段により入力された前記瞳フィルタの着脱情報に基
づいて前記瞳フィルタ着脱手段の動作を制御する制御手
段と；前記瞳フィルタの着脱状態を検出する着脱状態検
出手段と；該着脱状態検出手段により検出された前記瞳
フィルタの着脱状態が前記着脱情報入力手段により入力
された前記瞳フィルタの着脱情報に対応するかどうかを
確認する確認手段と；を有することを特徴とする投影露
光装置。1. A projection exposure apparatus for projecting an image of a transfer pattern formed on a mask onto a photosensitive substrate via a projection optical system, comprising: a pupil plane of the projection optical system or a surface in the vicinity of the pupil plane. In addition to installing a pupil filter having a predetermined transmittance distribution or phase distribution in a region in which the light flux from the mask passes,
Pupil filter attachment / detachment means for retracting the pupil filter from a region through which the light flux from the mask passes; attachment / detachment information input means for inputting attachment / detachment information of the pupil filter predetermined according to the type of pattern on the mask Control means for controlling the operation of the pupil filter attachment / detachment means based on the attachment / detachment information of the pupil filter input by the attachment / detachment information input means; attachment / detachment state detection means for detecting the attachment / detachment state of the pupil filter; Projection exposure, comprising: confirmation means for confirming whether the attachment / detachment state of the pupil filter detected by the state detection means corresponds to the attachment / detachment information of the pupil filter input by the attachment / detachment information input means. apparatus.
タの前記投影光学系に対する相対的な位置を検出する位
置検出手段であることを特徴とする請求項１記載の投影
露光装置。2. The projection exposure apparatus according to claim 1, wherein the attachment / detachment state detecting means is a position detecting means for detecting a relative position of the pupil filter with respect to the projection optical system.
パターンの種類に応じて予め定められた前記瞳フィルタ
の着脱情報を記憶する記憶手段と、前記マスク上の前記
転写用のパターンの種類を判別するマスク判別手段と、
前記記憶手段に記憶された前記瞳フィルタの着脱情報か
ら判別された前記転写用パターンの種類に応じた前記瞳
フィルタの最適着脱情報を選択する選択手段と、を有
し、 前記制御手段は、前記最適着脱情報に基づいて前記瞳フ
ィルタ着脱手段の動作を制御し、前記確認手段は、前記
着脱状態検出手段により検出された前記瞳フィルタの着
脱状態が前記最適着脱情報に対応するかどうかを確認す
ることを特徴とする請求項１又は２記載の投影露光装
置。3. The attachment / detachment information input means stores a storage means for storing attachment / detachment information of the pupil filter, which is predetermined according to a type of the pattern of the mask, and a type of the transfer pattern on the mask. A mask discriminating means for discriminating,
Selecting means for selecting optimum attachment / detachment information of the pupil filter according to the type of the transfer pattern determined from the attachment / detachment information of the pupil filter stored in the storage means, and the control means, The operation of the pupil filter attachment / detachment means is controlled based on the optimum attachment / detachment information, and the confirmation means confirms whether or not the attachment / detachment state of the pupil filter detected by the attachment / detachment state detection means corresponds to the optimum attachment / detachment information. The projection exposure apparatus according to claim 1 or 2, wherein:
の像を投影光学系を介して感光基板上に投影する投影露
光装置において、 前記投影光学系の瞳面又は該瞳面の近傍の面内であって
前記マスクからの光束が通過する領域に対して着脱自在
に支持され、所定の透過率分布又は位相分布を有する瞳
フィルタと；前記マスク上のパターンの種類に応じて予
め定められた前記瞳フィルタの着脱情報を入力する着脱
情報入力手段と；前記瞳フィルタ上に設けられ、前記マ
スクからの光束の光量に応じた信号を出力する光電変換
手段と；該光電変換手段の出力信号に基づいて前記マス
クのパターンの種類及び前記瞳フィルタの着脱状態を判
別する判別手段と；該判別手段により判別された前記瞳
フィルタの着脱状態が、前記着脱情報入力手段により入
力された前記瞳フィルタの着脱情報と対応するかどうか
を確認する確認手段と；を有することを特徴とする投影
露光装置。4. A projection exposure apparatus for projecting an image of a transfer pattern formed on a mask onto a photosensitive substrate via a projection optical system, comprising: a pupil plane of the projection optical system or a surface in the vicinity of the pupil plane. A pupil filter having a predetermined transmittance distribution or phase distribution, which is detachably supported in a region through which the light flux from the mask passes, which is predetermined according to the type of the pattern on the mask. An attachment / detachment information input means for inputting attachment / detachment information of the pupil filter; a photoelectric conversion means provided on the pupil filter for outputting a signal according to a light quantity of a light beam from the mask; and an output signal of the photoelectric conversion means. Discriminating means for discriminating the type of the mask pattern and the attached / detached state of the pupil filter based on the mask; the attached / detached state of the pupil filter discriminated by the discriminating means is input by the attach / detach information inputting means. Projection exposure apparatus characterized by having: a confirmation means for confirming whether been associated with detachable information of the pupil filter.
する減光領域を有し、前記光電変換手段を該減光領域上
に設けたことを特徴とする請求項４記載の投影露光装
置。5. The projection exposure apparatus according to claim 4, wherein the pupil filter has a dimming region having a predetermined dimming characteristic, and the photoelectric conversion means is provided on the dimming region. .
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP5310508A JPH07161622A (en) | 1993-12-10 | 1993-12-10 | Projection aligner |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP5310508A JPH07161622A (en) | 1993-12-10 | 1993-12-10 | Projection aligner |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH07161622A true JPH07161622A (en) | 1995-06-23 |
Family
ID=18006073
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP5310508A Withdrawn JPH07161622A (en) | 1993-12-10 | 1993-12-10 | Projection aligner |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH07161622A (en) |
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