JPH0695395B2 - Method of making substrate of flat information recording medium - Google Patents

Method of making substrate of flat information recording medium

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JPH0695395B2
JPH0695395B2 JP60199747A JP19974785A JPH0695395B2 JP H0695395 B2 JPH0695395 B2 JP H0695395B2 JP 60199747 A JP60199747 A JP 60199747A JP 19974785 A JP19974785 A JP 19974785A JP H0695395 B2 JPH0695395 B2 JP H0695395B2
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JP
Japan
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substrate
flat
record carrier
concavo
material containing
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清 谷井
俊昭 樫原
仁孝 渡辺
美恵子 小深田
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Panasonic Holdings Corp
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Matsushita Electric Industrial Co Ltd
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    • CCHEMISTRY; METALLURGY
    • C03GLASS; MINERAL OR SLAG WOOL
    • C03CCHEMICAL COMPOSITION OF GLASSES, GLAZES OR VITREOUS ENAMELS; SURFACE TREATMENT OF GLASS; SURFACE TREATMENT OF FIBRES OR FILAMENTS MADE FROM GLASS, MINERALS OR SLAGS; JOINING GLASS TO GLASS OR OTHER MATERIALS
    • C03C17/00Surface treatment of glass, not in the form of fibres or filaments, by coating
    • C03C17/22Surface treatment of glass, not in the form of fibres or filaments, by coating with other inorganic material
    • C03C17/23Oxides
    • CCHEMISTRY; METALLURGY
    • C03GLASS; MINERAL OR SLAG WOOL
    • C03CCHEMICAL COMPOSITION OF GLASSES, GLAZES OR VITREOUS ENAMELS; SURFACE TREATMENT OF GLASS; SURFACE TREATMENT OF FIBRES OR FILAMENTS MADE FROM GLASS, MINERALS OR SLAGS; JOINING GLASS TO GLASS OR OTHER MATERIALS
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    • CCHEMISTRY; METALLURGY
    • C03GLASS; MINERAL OR SLAG WOOL
    • C03CCHEMICAL COMPOSITION OF GLASSES, GLAZES OR VITREOUS ENAMELS; SURFACE TREATMENT OF GLASS; SURFACE TREATMENT OF FIBRES OR FILAMENTS MADE FROM GLASS, MINERALS OR SLAGS; JOINING GLASS TO GLASS OR OTHER MATERIALS
    • C03C2218/00Methods for coating glass
    • C03C2218/30Aspects of methods for coating glass not covered above
    • C03C2218/355Temporary coating

Description

【発明の詳細な説明】 産業上の利用分野 本発明は、平板状情報記録担体の基板に溝またはピット
列を作成する方法に関するものである。
Description: TECHNICAL FIELD The present invention relates to a method for forming a groove or a pit row in a substrate of a flat information record carrier.

従来の技術 基板表面に微細なパターンを形成するエッチング技術
は、半導体集積回路,プリント基板,透明電導膜,さら
に光ディスクなどの情報記録媒体の製造には欠くことの
できない技術となっている。特に最近では、パターンの
微細化,プロセスの自動化などの要求から、エッチング
プロセスのドライ化が注目を集めている。既にVLSIの製
造にはドライエッチングプロセスが実用化されている
が、これよりさらに微細なサブミクロンのパターン形成
を行なう光ディスク基板の作成にも、この技術が取り入
れられている。
2. Description of the Related Art The etching technique for forming a fine pattern on the surface of a substrate is an essential technique for manufacturing information recording media such as semiconductor integrated circuits, printed circuit boards, transparent conductive films, and optical discs. Particularly in recent years, dry etching process has been attracting attention due to demands for pattern miniaturization and process automation. Although the dry etching process has already been put to practical use in the manufacture of VLSI, this technology has been adopted in the production of optical disc substrates for forming even finer submicron patterns.

以下、第2図を参照しながら、光ディスク基板上のパタ
ーン形成をドライエッチングにより行なう方法を説明す
る。
Hereinafter, a method of performing pattern formation on the optical disk substrate by dry etching will be described with reference to FIG.

まず、高精度に研磨されたガラス基板1の表面に、フォ
トレジスト2を均一に塗布する(第2図(a))。そし
て、ガラス基板1を回転させながら、所望のピット列や
溝の構造に対応して変調を受けたレーザー光3をフォト
レジスト2に照射する(第2図(b))。これを現像する
ことにより、フォトレジスト2の露光された領域が除去
されて、表面に同心円状または螺旋状の凹凸パターンが
現われる(第2図(c))。
First, the photoresist 2 is uniformly applied to the surface of the glass substrate 1 that has been highly accurately polished (FIG. 2 (a)). Then, while rotating the glass substrate 1, the photoresist 2 is irradiated with the laser light 3 which is modulated in accordance with a desired pit row or groove structure (FIG. 2 (b)). By developing this, the exposed region of the photoresist 2 is removed, and a concentric or spiral uneven pattern appears on the surface (FIG. 2 (c)).

次に、この凹凸パターン付きガラス基板に対し、気体プ
ラズマ4を作用させてガラス基板1のエッチングを行な
う。エッチング用のガスとしては、CHF3などが用いられ
る。この時、放電により生ずるプラズマ4はガラス基板
1の表面に垂直入射してガラスをスパッタリングすると
同時に、ガラスの主成分であるSiO2などと選択的に反応
してこれを分解する作用をもつ。
Next, the glass substrate 1 with the concave-convex pattern is subjected to gas plasma 4 to etch the glass substrate 1. CHF 3 or the like is used as the etching gas. At this time, the plasma 4 generated by the discharge has a function of vertically incident on the surface of the glass substrate 1 to sputter the glass, and at the same time, selectively reacts with SiO 2 which is the main component of the glass to decompose the glass.

所定の深さまでエッチングを進行させた後(第2図
(d))、残留したフォトレジスト2をO2ガスを用いたプ
ラズマアッシングにより除去すれば、表面に所定の同心
円状または螺旋状の溝やピット列が刻まれた光ディスク
用ガラス基板が得られる(第2図(e))。
After etching is advanced to a predetermined depth (see FIG. 2).
(d)) If the remaining photoresist 2 is removed by plasma ashing using O 2 gas, a glass substrate for an optical disc having a predetermined concentric or spiral groove or pit row on the surface is obtained ( Fig. 2 (e)).

発明が解決しようとする問題点 このような従来の方法では、ガラス基板上に所定の溝ま
たはピット列を形成するためのマスクとしてフォトレジ
ストを用いているため、現像という湿式のプロセスが必
要となる。このため、ガラス基板表面に不純物が付着
し、形成されるパターンに対する欠陥となるなどの問題
があった。
Problems to be Solved by the Invention In such a conventional method, since a photoresist is used as a mask for forming a predetermined groove or pit row on a glass substrate, a wet process called development is required. . For this reason, there is a problem that impurities adhere to the surface of the glass substrate and cause defects in the formed pattern.

問題点を解決するための手段 本発明は、上記問題点を解決するため、所定の溝または
ピット列を形成するためのマスクとして、加熱により結
晶状態の変化する材料を用いたものである。
Means for Solving the Problems In order to solve the above problems, the present invention uses a material whose crystal state is changed by heating as a mask for forming a predetermined groove or pit row.

作用 この手段による作用は以下のようになる。Action The action of this means is as follows.

ドライエッチングプロセスにおいて、材料がエッチング
される速度は材料の種類はもちろん、同一組成の材料で
あってもその結晶性の状態によっても変化する。従っ
て、基板上に、加熱により結晶状態の変化する材料を付
着し、これにレーザー光を照射するなどの方法で、所定
の部位を加熱してその部位の結晶状態を変化させておけ
ば、この基板をエッチングすることによって、基板表面
に付着した材料のうち加熱した領域のエッチング速度が
異なり、凹凸パターンが形成できる。エッチングが進行
してガラス表面が露出した後もエッチングを続ければ、
この凹凸パターンがガラス表面に転写される。
In the dry etching process, the rate at which a material is etched varies depending not only on the type of material but also on the crystalline state of materials having the same composition. Therefore, if a material whose crystal state changes by heating is attached to the substrate and a predetermined portion is heated by changing the crystal state of the portion by a method such as irradiating this with a laser beam, By etching the substrate, the etching rate of the heated region of the material attached to the surface of the substrate is different, and the concavo-convex pattern can be formed. If etching is continued even after the etching progresses and the glass surface is exposed,
This uneven pattern is transferred to the glass surface.

本実施例では、レーザー光による露光後に現像をする必
要が無いため、前述の従来の方法のような問題点を生じ
ない。
In this embodiment, since it is not necessary to develop after the exposure with the laser light, the problems of the conventional method described above do not occur.

実 施 例 本発明の実施例について、第1図を参照しながら説明す
る。
Example An example of the present invention will be described with reference to FIG.

まず、高精度に研磨されたガラス基板1の表面に、Te酸
化物膜5を蒸着する(第1図(a))。このときTe酸化物
膜5はアモルファス状態となっている。
First, the Te oxide film 5 is vapor-deposited on the surface of the glass substrate 1 which is highly accurately polished (FIG. 1 (a)). At this time, the Te oxide film 5 is in an amorphous state.

このガラス基板1を回転させながら、所望のピット列や
溝の構造に対応して変調を受けたレーザー光3をTe酸化
物膜5に照射することにより、照射された領域が加熱さ
れてアモルファス状態であった膜が結晶化される(第1
図(b))。
By irradiating the Te oxide film 5 with the laser light 3 which is modulated in accordance with a desired pit row or groove structure while rotating the glass substrate 1, the irradiated region is heated to an amorphous state. The film that was once crystallized (first
(Figure (b)).

次に、このガラス基板1に対し、Arガスを用いてエッチ
ングを行なうと、Te酸化物膜5のうちアモルファス状態
の領域が結晶化状態の領域より速くエッチングされ、表
面に凹凸パターンが現われる(第1図(c))。ひき続き
エッチングを行なうと、Te酸化物膜5のアモルファス状
態の領域は全てエッチングで除去され、ガラス表面が露
出する。この時点から、エッチングガスをCHF3に切り換
えて引き続きエッチングを行なうと、CHF3ガスが解離し
て生じたプラズマはガラスの主成分であるSiO2と反応
し、ガラス表面を選択的にエッチングする。そして、残
ったTe酸化膜も全てエッチングにより除去されれば、表
面に所定の同心円状または螺旋状の溝やピット列が刻ま
れた光ディスク用ガラス基板が得られる(第1図
(e))。
Next, when the glass substrate 1 is etched using Ar gas, the regions of the Te oxide film 5 in the amorphous state are etched faster than the regions in the crystallized state, and an uneven pattern appears on the surface (first). Figure 1 (c)). When the etching is continued, all the amorphous regions of the Te oxide film 5 are removed by etching, and the glass surface is exposed. From this point, when the etching gas is switched to CHF 3 and etching is continued, the plasma generated by the dissociation of the CHF 3 gas reacts with SiO 2 , which is the main component of glass, to selectively etch the glass surface. Then, if all the remaining Te oxide film is also removed by etching, a glass substrate for an optical disk having a predetermined concentric or spiral groove or pit row on the surface is obtained (FIG. 1).
(e)).

なお、本実施例では、Te酸化物は蒸着当初アモルファス
状態であって、レーザー照射された部位が結晶化される
のであるが、蒸着材料を適切に選べば、これと逆に、レ
ーザー照射前に膜全体が結晶状態であって照射された部
位をアモルファス状態に転移させることもできる。この
場合には照射された領域が速くエッチングされ、本実施
例と逆の凹凸パターンが得られる。
In this example, the Te oxide is in an amorphous state at the beginning of vapor deposition, and the laser-irradiated portion is crystallized. However, if the vapor-deposition material is appropriately selected, conversely, before laser irradiation, The entire film is in a crystalline state and the irradiated portion can be transformed into an amorphous state. In this case, the irradiated area is etched quickly, and a concavo-convex pattern reverse to that of this embodiment is obtained.

また、ガラス基板表面に付着させる材料としては、本実
施例のTe酸化物の他に、Se,Sn,Sb,Pb,Bi,Asなどのカル
コゲナイト系の元素を主成分とする材料を用いることも
できる。
Further, as the material to be attached to the glass substrate surface, in addition to the Te oxide of the present embodiment, a material containing a chalcogenite-based element such as Se, Sn, Sb, Pb, Bi, As, etc. it can.

また、ガラス基板1としては、ソーダガラスの他、石英
ガラス等を用いることによりエッチング速度の改善を図
ることができる。さらにガラス基板1に刻まれた溝を一
度金属板に転写した後これをアクリル等の基板に転写し
て、これを光ディスク基板として用いることもできる。
この場合、同一の溝構造を有する光ディスク基板を多数
枚複製することができる。
Further, as the glass substrate 1, it is possible to improve the etching rate by using quartz glass or the like in addition to soda glass. Further, it is also possible to transfer the grooves engraved in the glass substrate 1 once to a metal plate and then transfer this to a substrate such as acrylic, and use this as an optical disk substrate.
In this case, a large number of optical disc substrates having the same groove structure can be duplicated.

また、エッチング用のガスとしては、本実施例のCHF3,
及びArの他、CF4,C2F6,C3F8,NF3,CCl4などを用いること
もできる。
Further, as the etching gas, CHF 3 ,
In addition to Ar and Ar, CF 4 , C 2 F 6 , C 3 F 8 , NF 3 , CCl 4 or the like can be used.

発明の効果 以上のように、本発明によれば、ガラス基板のドライエ
ッチングにおいて、加熱により結晶状態の変化する材料
をマスクとして用いることにより、湿式プロセスを必要
としないドライエッチングプロセスが可能となり、高精
度の凹凸パターンを基板に形成できるため欠陥の少ない
光ディスク用基板を作成することができる。
As described above, according to the present invention, in the dry etching of the glass substrate, the dry etching process which does not require the wet process can be performed by using the material whose crystal state is changed by heating as the mask. Since the concave-convex pattern with high accuracy can be formed on the substrate, an optical disc substrate with few defects can be produced.

【図面の簡単な説明】[Brief description of drawings]

第1図は本発明の一実施例における光ディスク基板の作
成方法を示した工程図、第2図は従来例の光ディスク基
板の作成方法を示した工程図である。 1……ガラス基板、2……フォトレジスト、3……レー
ザー光、4……気体プラズマ、5……Te酸化物膜。
FIG. 1 is a process drawing showing a method of manufacturing an optical disk substrate in one embodiment of the present invention, and FIG. 2 is a process drawing showing a method of manufacturing a conventional optical disk substrate. 1 ... glass substrate, 2 ... photoresist, 3 ... laser light, 4 ... gas plasma, 5 ... Te oxide film.

───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 小深田 美恵子 大阪府門真市大字門真1006番地 松下電器 産業株式会社内 (56)参考文献 特開 昭54−77105(JP,A) 特開 昭54−134603(JP,A) ─────────────────────────────────────────────────── ─── Continuation of the front page (72) Inventor Mieko Ofukada 1006 Kadoma, Kadoma City, Osaka Prefecture Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. (56) Reference JP-A-54-77105 (JP, A) JP-A-54- 134603 (JP, A)

Claims (6)

【特許請求の範囲】[Claims] 【請求項1】平板状基板に対し温度変化に対応して結晶
状態の変化をおこす材料を付着させる工程と、前記材料
の同心円状または螺旋状の領域を加熱する工程と、前記
材料を具備する前記平板状基板に対しプラズマ状態の気
体を作用させる工程とを含み、前記平板状基板に前記加
熱した領域に対応する凹凸パターンを形成することを特
徴とする平板状情報記録担体の基板作成方法。
1. A method comprising the steps of: attaching a material that changes a crystalline state in response to a temperature change to a flat substrate; heating a concentric or spiral region of the material; and including the material. A step of causing a gas in a plasma state to act on the flat substrate, and forming a concavo-convex pattern corresponding to the heated area on the flat substrate.
【請求項2】平板状基板のうち少なくとも凹凸パターン
を形成する部位がSiO2を主成分とする材料であることを
特徴とする特許請求の範囲第1項記載の平板状情報記録
担体の基板作成方法。
2. A substrate for a flat information record carrier according to claim 1, wherein at least a portion of the flat substrate on which the concavo-convex pattern is formed is a material containing SiO 2 as a main component. Method.
【請求項3】平版状基板のうち、少なくとも凹凸パター
ンを形成する部位がSiO2およびNa2Oを主成分とする材料
であることを特徴とする特許請求の範囲第1項記載の平
板状情報記録担体の基板作成方法。
3. The flat plate-shaped information according to claim 1, wherein at least a portion of the lithographic substrate on which the concavo-convex pattern is formed is a material containing SiO 2 and Na 2 O as main components. Method of making substrate of record carrier.
【請求項4】加熱により結晶状態の変化する材料とし
て、Te,Se,Sn,Sb,Pb,Bi,Asのうち少なくとも一つを含む
材料を用いることを特徴とする特許請求の範囲第1項記
載の平板状情報記録担体の基板作成方法。
4. A material containing at least one of Te, Se, Sn, Sb, Pb, Bi and As is used as the material whose crystal state is changed by heating. A method for producing a substrate of the flat information recording carrier described in the above.
【請求項5】加熱により結晶状態の変化する材料とし
て、Te酸化物を主成分とする材料を用いることを特徴と
する特許請求の範囲第1項記載の平板状情報記録担体の
基板作成方法。
5. The method for producing a substrate for a flat information record carrier according to claim 1, wherein a material containing Te oxide as a main component is used as the material whose crystal state changes by heating.
【請求項6】プラズマ状態の気体として、Ar,CHF3,CF4,
C2F6,C3F8,NF3,CCl4のうち少なくとも一つを用いること
を特徴とする特許請求の範囲第1項記載の平板状情報記
録担体の基板作成方法。
6. Ar, CHF 3 , CF 4 , as a gas in a plasma state
The method for producing a substrate for a flat information record carrier according to claim 1, wherein at least one of C 2 F 6 , C 3 F 8 , NF 3 and CCl 4 is used.
JP60199747A 1985-09-10 1985-09-10 Method of making substrate of flat information recording medium Expired - Lifetime JPH0695395B2 (en)

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JPS6260145A JPS6260145A (en) 1987-03-16
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Families Citing this family (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN1890733B (en) * 2003-12-01 2011-09-14 索尼株式会社 Process for producing original disc for optical disc and original disc for optical disc
WO2006045332A1 (en) * 2004-10-27 2006-05-04 Singulus Mastering B.V. Mastering process with phase-change materials

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JPS6030019B2 (en) * 1977-12-01 1985-07-13 パイオニア株式会社 Method for manufacturing optical signal recording carrier
JPS54134603A (en) * 1978-04-11 1979-10-19 Mitsubishi Electric Corp Production of information recording medium

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