JPH0690505B2 - ホトマスク - Google Patents
ホトマスクInfo
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- JPH0690505B2 JPH0690505B2 JP20666485A JP20666485A JPH0690505B2 JP H0690505 B2 JPH0690505 B2 JP H0690505B2 JP 20666485 A JP20666485 A JP 20666485A JP 20666485 A JP20666485 A JP 20666485A JP H0690505 B2 JPH0690505 B2 JP H0690505B2
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- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
- G03F7/70—Microphotolithographic exposure; Apparatus therefor
- G03F7/70216—Mask projection systems
- G03F7/70283—Mask effects on the imaging process
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F1/00—Originals for photomechanical production of textured or patterned surfaces, e.g., masks, photo-masks, reticles; Mask blanks or pellicles therefor; Containers specially adapted therefor; Preparation thereof
- G03F1/50—Mask blanks not covered by G03F1/20 - G03F1/34; Preparation thereof
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- Physics & Mathematics (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Preparing Plates And Mask In Photomechanical Process (AREA)
- Exposure And Positioning Against Photoresist Photosensitive Materials (AREA)
Description
【発明の詳細な説明】 〔発明の利用分野〕 この発明は縮小投影露光装置の原画として用いるホトマ
スクに関するものである。
スクに関するものである。
第４図（ａ）は従来のホトマスクの一部を示す断面図で
ある。図において、１はガラス基板、２はガラス基板１
上に設けられたCr等からなる遮光膜、３、４は遮光膜２
を部分的に除去した開口パタンで、開口パタン３は孤立
していて、その寸法は縮小投影露光装置の解像限界に近
い値であり、また開口パタン４の寸法は比較的大きい。
ある。図において、１はガラス基板、２はガラス基板１
上に設けられたCr等からなる遮光膜、３、４は遮光膜２
を部分的に除去した開口パタンで、開口パタン３は孤立
していて、その寸法は縮小投影露光装置の解像限界に近
い値であり、また開口パタン４の寸法は比較的大きい。
このようなホトマスクを用いて縮小投影露光装置により
ウェハ上にパタンを転写する場合には、ホトマスクを透
過する光の強度分布は第４図（ｂ）に示すようになる
が、露光光学系が高周波の空間周波数成分を伝達できな
いため、ウェハ上の強度分布は第４図（ｃ）に示すよう
になり、開口パタン３を透過した光のコントラストが低
くなる。一方、半導体製造工程においては、パタン転写
のために所定値以上のコントラストを得る必要がある。
このため、開口パタン３を透過した光のコントラストを
大きくするために、露光量を多くすることが考えられる
が、この場合には開口パタン４に対する露光量が多すぎ
るため、第４図（ｄ）に示すように開口パタン４の転写
パタンの寸法が大きくなってしまう。
ウェハ上にパタンを転写する場合には、ホトマスクを透
過する光の強度分布は第４図（ｂ）に示すようになる
が、露光光学系が高周波の空間周波数成分を伝達できな
いため、ウェハ上の強度分布は第４図（ｃ）に示すよう
になり、開口パタン３を透過した光のコントラストが低
くなる。一方、半導体製造工程においては、パタン転写
のために所定値以上のコントラストを得る必要がある。
このため、開口パタン３を透過した光のコントラストを
大きくするために、露光量を多くすることが考えられる
が、この場合には開口パタン４に対する露光量が多すぎ
るため、第４図（ｄ）に示すように開口パタン４の転写
パタンの寸法が大きくなってしまう。
この発明は上述の問題点を解決するためになされたもの
で、解像限界に近い微小な孤立開口パタンを透過した光
のコントラストを大きくすることができるとともに、そ
の他の開口パタンを高い寸法精度でウェハ上に転写する
ことができるホトマスクを提供することを目的とする。
で、解像限界に近い微小な孤立開口パタンを透過した光
のコントラストを大きくすることができるとともに、そ
の他の開口パタンを高い寸法精度でウェハ上に転写する
ことができるホトマスクを提供することを目的とする。
この目的を達成するため、この発明においては、基板に
遮光膜を設け、該遮光膜を部分的に除去した開口部を有
するホトマスクにおいて、該開口部の中に解像しない程
度の大きさの微細な遮光パタンを複数個配置し、該開口
部に位相シフト層を設ける。
遮光膜を設け、該遮光膜を部分的に除去した開口部を有
するホトマスクにおいて、該開口部の中に解像しない程
度の大きさの微細な遮光パタンを複数個配置し、該開口
部に位相シフト層を設ける。
第１図はこの発明に係るホトマスクの一部を示す断面
図、第２図は第１図に示したホトマスクのパタンを示す
図である。図に示すように、開口パタン４には転写可能
な寸法より小さい寸法の微細な遮光パタン５が多数個配
置されており、遮光パタン５はパタンとして転写するこ
とはなく、開口パタン４を透過する光量を減らす作用を
行なう。この結果、開口パタン４の透過率は開口パタン
３の透過率より小さくなる。このため、開口パタン３に
合わせて露光量を多くしたとしても、開口パタン４の転
写パタンの寸法が大きくなることはない。なお、1/10縮
小投影露光装置用のホトマスクでは、遮光パタン５の寸
法は１〜２μｍ程度でよく、通常のレティクルパタン描
画法で容易に形成できる。また、開口パタン４の寸法に
応じて透過率を変化させたい場合には、遮光パタン５の
配置密度を調整すればよい。
図、第２図は第１図に示したホトマスクのパタンを示す
図である。図に示すように、開口パタン４には転写可能
な寸法より小さい寸法の微細な遮光パタン５が多数個配
置されており、遮光パタン５はパタンとして転写するこ
とはなく、開口パタン４を透過する光量を減らす作用を
行なう。この結果、開口パタン４の透過率は開口パタン
３の透過率より小さくなる。このため、開口パタン３に
合わせて露光量を多くしたとしても、開口パタン４の転
写パタンの寸法が大きくなることはない。なお、1/10縮
小投影露光装置用のホトマスクでは、遮光パタン５の寸
法は１〜２μｍ程度でよく、通常のレティクルパタン描
画法で容易に形成できる。また、開口パタン４の寸法に
応じて透過率を変化させたい場合には、遮光パタン５の
配置密度を調整すればよい。
ところで、ホトマスク上に周期的な開口パタンが存在す
るとき、その周期的な開口パタンの一個おきの開口部を
透過する照明光の位相を変化させると解像度が向上する
ことが知られており、たとえば露光波長λ＝365nm、縮
小レンズの開口数NA＝0.4である1/10縮小投影露光装置
を用いた場合には、ウェハ上で0.6μｍピッチ（開口部
0.3μｍ、遮光部0.3μｍ）の周期的な開口パタンの転写
が可能となる。しかし、0.3μｍの孤立開口パタンと0.3
μｍの周期的な開口パタンとでは適切な露光量が異な
り、孤立開口パタンに合わせて露光量を多くすると、周
期的な開口パタンの開口部が遮光部より大きく転写さ
れ、寸法精度の劣化を招く。そこで、第３図に示すよう
に、照明光の位相を180°変える位相シフト層８を設け
た周期的な開口パタン７に微細な遮光パタン５を多数配
置して、開口パタン７の透過率を約40％下げ、孤立開口
パタン３については何らパタンを設けないようにした。
そして、開口パタン３に適切な露光量で露光した結果、
周期的な開口パタン７と開口パタン３との両方を精度よ
く転写することができるようになった。
るとき、その周期的な開口パタンの一個おきの開口部を
透過する照明光の位相を変化させると解像度が向上する
ことが知られており、たとえば露光波長λ＝365nm、縮
小レンズの開口数NA＝0.4である1/10縮小投影露光装置
を用いた場合には、ウェハ上で0.6μｍピッチ（開口部
0.3μｍ、遮光部0.3μｍ）の周期的な開口パタンの転写
が可能となる。しかし、0.3μｍの孤立開口パタンと0.3
μｍの周期的な開口パタンとでは適切な露光量が異な
り、孤立開口パタンに合わせて露光量を多くすると、周
期的な開口パタンの開口部が遮光部より大きく転写さ
れ、寸法精度の劣化を招く。そこで、第３図に示すよう
に、照明光の位相を180°変える位相シフト層８を設け
た周期的な開口パタン７に微細な遮光パタン５を多数配
置して、開口パタン７の透過率を約40％下げ、孤立開口
パタン３については何らパタンを設けないようにした。
そして、開口パタン３に適切な露光量で露光した結果、
周期的な開口パタン７と開口パタン３との両方を精度よ
く転写することができるようになった。
以上説明したように、この発明に係るホトマスクにおい
ては、解像限界に近い微小な孤立開口パタンを透過した
光のコントラストを大きくすることができるとともに、
その他の開口パタンの転写パタンの寸法精度を向上する
ことができるから、解像限界に近い微小な開口パタンと
その他の開口パタンとの両方を寸法精度を劣化させるこ
となく転写することができる。このように、この発明の
効果は顕著である。
ては、解像限界に近い微小な孤立開口パタンを透過した
光のコントラストを大きくすることができるとともに、
その他の開口パタンの転写パタンの寸法精度を向上する
ことができるから、解像限界に近い微小な開口パタンと
その他の開口パタンとの両方を寸法精度を劣化させるこ
となく転写することができる。このように、この発明の
効果は顕著である。
第１図はこの発明に係るホトマスクの一部を示す断面
図、第２図は第１図に示したホトマスクのパタンを示す
図、第３図はこの発明に係る他のホトマスクの一部を示
す断面図、第４図（ａ）は従来のホトマスクを示す図、
第４図（ｂ）は第４図（ａ）に示したホトマスク上の強
度分布を示すグラフ、第４図（ｃ）、（ｄ）は第４図
（ａ）に示したホトマスクを使用した場合のウェハ上の
強度分布を示すグラフである。 １…ガラス基板、２…遮光膜 ３、４…開口パタン、５…遮光パタン ７…開口パタン、８…位相シフト層
図、第２図は第１図に示したホトマスクのパタンを示す
図、第３図はこの発明に係る他のホトマスクの一部を示
す断面図、第４図（ａ）は従来のホトマスクを示す図、
第４図（ｂ）は第４図（ａ）に示したホトマスク上の強
度分布を示すグラフ、第４図（ｃ）、（ｄ）は第４図
（ａ）に示したホトマスクを使用した場合のウェハ上の
強度分布を示すグラフである。 １…ガラス基板、２…遮光膜 ３、４…開口パタン、５…遮光パタン ７…開口パタン、８…位相シフト層
Claims (1)
- 【請求項１】基板に遮光膜を設け、該遮光膜を部分的に
除去した開口部を有するホトマスクにおいて、 該開口部の中に解像しない程度の大きさの微細な遮光パ
タンを複数個配置し、該開口部に位相シフト層を設けた
ことを特徴とするホトマスク。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP20666485A JPH0690505B2 (ja) | 1985-09-20 | 1985-09-20 | ホトマスク |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP20666485A JPH0690505B2 (ja) | 1985-09-20 | 1985-09-20 | ホトマスク |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS6267547A JPS6267547A (ja) | 1987-03-27 |
| JPH0690505B2 true JPH0690505B2 (ja) | 1994-11-14 |
Family
ID=16527088
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP20666485A Expired - Fee Related JPH0690505B2 (ja) | 1985-09-20 | 1985-09-20 | ホトマスク |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0690505B2 (ja) |
Families Citing this family (47)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
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| US5298365A (en) | 1990-03-20 | 1994-03-29 | Hitachi, Ltd. | Process for fabricating semiconductor integrated circuit device, and exposing system and mask inspecting method to be used in the process |
| JPH04368947A (ja) * | 1991-06-18 | 1992-12-21 | Mitsubishi Electric Corp | 位相シフトマスクの作成方法 |
| JP2928477B2 (ja) * | 1995-11-21 | 1999-08-03 | 株式会社日立製作所 | 半導体装置の製造方法 |
| US6228539B1 (en) | 1996-09-18 | 2001-05-08 | Numerical Technologies, Inc. | Phase shifting circuit manufacture method and apparatus |
| JP2000206671A (ja) | 1999-01-13 | 2000-07-28 | Mitsubishi Electric Corp | フォトマスク、フォトマスクの製造方法、および半導体集積回路装置の製造方法 |
| EP1043626A1 (en) * | 1999-04-06 | 2000-10-11 | STMicroelectronics S.r.l. | A method for improving the performance of photolithographic equipment and for increasing the lifetime of the optics thereof |
| US6978436B2 (en) | 2000-07-05 | 2005-12-20 | Synopsys, Inc. | Design data format and hierarchy management for phase processing |
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| US7028285B2 (en) | 2000-07-05 | 2006-04-11 | Synopsys, Inc. | Standard cell design incorporating phase information |
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| US6777141B2 (en) | 2000-07-05 | 2004-08-17 | Numerical Technologies, Inc. | Phase shift mask including sub-resolution assist features for isolated spaces |
| US6541165B1 (en) | 2000-07-05 | 2003-04-01 | Numerical Technologies, Inc. | Phase shift mask sub-resolution assist features |
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| US6524752B1 (en) | 2000-07-05 | 2003-02-25 | Numerical Technologies, Inc. | Phase shift masking for intersecting lines |
| US6733929B2 (en) | 2000-07-05 | 2004-05-11 | Numerical Technologies, Inc. | Phase shift masking for complex patterns with proximity adjustments |
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| US6584610B1 (en) | 2000-10-25 | 2003-06-24 | Numerical Technologies, Inc. | Incrementally resolved phase-shift conflicts in layouts for phase-shifted features |
| US6653026B2 (en) | 2000-12-20 | 2003-11-25 | Numerical Technologies, Inc. | Structure and method of correcting proximity effects in a tri-tone attenuated phase-shifting mask |
| US6551750B2 (en) | 2001-03-16 | 2003-04-22 | Numerical Technologies, Inc. | Self-aligned fabrication technique for tri-tone attenuated phase-shifting masks |
| US6635393B2 (en) | 2001-03-23 | 2003-10-21 | Numerical Technologies, Inc. | Blank for alternating PSM photomask with charge dissipation layer |
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| US6573010B2 (en) | 2001-04-03 | 2003-06-03 | Numerical Technologies, Inc. | Method and apparatus for reducing incidental exposure by using a phase shifter with a variable regulator |
| US6569583B2 (en) | 2001-05-04 | 2003-05-27 | Numerical Technologies, Inc. | Method and apparatus for using phase shifter cutbacks to resolve phase shifter conflicts |
| US6593038B2 (en) | 2001-05-04 | 2003-07-15 | Numerical Technologies, Inc. | Method and apparatus for reducing color conflicts during trim generation for phase shifters |
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| US6852471B2 (en) | 2001-06-08 | 2005-02-08 | Numerical Technologies, Inc. | Exposure control for phase shifting photolithographic masks |
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| US6698007B2 (en) | 2001-10-09 | 2004-02-24 | Numerical Technologies, Inc. | Method and apparatus for resolving coloring conflicts between phase shifters |
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| US7122281B2 (en) | 2002-02-26 | 2006-10-17 | Synopsys, Inc. | Critical dimension control using full phase and trim masks |
| US6605481B1 (en) | 2002-03-08 | 2003-08-12 | Numerical Technologies, Inc. | Facilitating an adjustable level of phase shifting during an optical lithography process for manufacturing an integrated circuit |
| US6704921B2 (en) | 2002-04-03 | 2004-03-09 | Numerical Technologies, Inc. | Automated flow in PSM phase assignment |
| US6785879B2 (en) | 2002-06-11 | 2004-08-31 | Numerical Technologies, Inc. | Model-based data conversion |
| US6821689B2 (en) | 2002-09-16 | 2004-11-23 | Numerical Technologies | Using second exposure to assist a PSM exposure in printing a tight space adjacent to large feature |
| KR101099301B1 (ko) * | 2003-07-18 | 2011-12-26 | 칼 자이스 에스엠에스 엘티디 | 포토마스크의 임계치 변화량 정정 방법 |
| JP4539061B2 (ja) * | 2003-09-08 | 2010-09-08 | 凸版印刷株式会社 | 位相シフトマスクの製造方法及び位相シフトマスク並びに半導体素子の製造方法 |
-
1985
- 1985-09-20 JP JP20666485A patent/JPH0690505B2/ja not_active Expired - Fee Related
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS6267547A (ja) | 1987-03-27 |
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|---|---|---|---|
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