JPH0677729A - Antenna integrated microwave circuit - Google Patents

Antenna integrated microwave circuit

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Publication number
JPH0677729A
JPH0677729A JP4225853A JP22585392A JPH0677729A JP H0677729 A JPH0677729 A JP H0677729A JP 4225853 A JP4225853 A JP 4225853A JP 22585392 A JP22585392 A JP 22585392A JP H0677729 A JPH0677729 A JP H0677729A
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JP
Japan
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substrate
conductor
microwave circuit
ground conductor
semiconductor
Prior art date
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Pending
Application number
JP4225853A
Other languages
Japanese (ja)
Inventor
Morishige Hieda
護重 檜枝
Kenji Suematsu
憲治 末松
Akio Iida
明夫 飯田
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Mitsubishi Electric Corp
Original Assignee
Mitsubishi Electric Corp
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Publication date
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Publication of JPH0677729A publication Critical patent/JPH0677729A/en
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Abstract

PURPOSE:To separate a microwave circuit and an antenna and to prevent the radiation pattern of the antenna from being disordered by constituting the microwave circuit on the reverse surface across the earth conductor of the radiation conductor of the antenna. CONSTITUTION:An incident high-frequency signal is inputted to a low noise amplifier 30 through the microstrip line composed of a coupling hole 5, the earth conductor 2, and a strip conductor 6, and amplified in a small noise state. The amplified high-frequency signal is inputted to a frequency converter 31 through the microstrip line, passed through a band-pass filter 20a, and inputted to a semiconductor element 8. A local oscillation signal from an input terminal 11, on the other hand, passes through the filter 20a and excites a semiconductor element 8 and is mixed with the high-frequency signal to generate an intermediate-frequency signal. The intermediate-frequency signal passes through a band-stopping filter 21 and is outputted from an output terminal 9. Neither the local oscillation signal nor the intermediate-frequency signal does not leak out to the filter 20a and neither the high-frequency signal nor the intermediate- frequency signal leaks out to the filter 20b; and none of the passing intermediate-frequency signal leaks out to the filter 21.

Description

【発明の詳細な説明】Detailed Description of the Invention

【0001】[0001]

【産業上の利用分野】この発明は、マイクロ波・ミリ波
帯等において使用される、アンテナと、半導体素子を含
むマイクロ波回路とを組み合わせた、アンテナ一体化マ
イクロ波回路に関するものである。
BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to a microwave circuit integrated with an antenna, which is used in a microwave / millimeter wave band or the like and is a combination of an antenna and a microwave circuit including a semiconductor element.

【0002】[0002]

【従来の技術】図8は例えば「MICROWAVE J
OURNAL」1988年3月号、116ページのFi
g.6に示された従来のアンテナ一体化マイクロ波回路
の構成図である。図において、3は薄い誘電体膜の上に
構成されたアンテナの放射素子、4は裏面に地導体が付
いた半導体基板、6はストリップ導体、8は半導体素
子、9は出力端子、15はランゲカップラ、30は低雑
音増幅器、32は移相器である。裏面に地導体の付いた
半導体基板4と、放射素子3とから構成されるマイクロ
ストリップアンテナに入力した高周波信号は、ストリッ
プ導体6と裏面に地導体の付いた半導体基板4から構成
され、直交して放射素子3に結合している2つのマイク
ロストリップ線路を介して、ランゲカップラ15に入力
する。ランゲカップラ15は、アンテナに入力した高周
波信号が、円偏波の時にアンテナの効率が良くなるよう
に、前記2つのマイクロストリップ線路からの高周波信
号を合成する。合成された高周波信号はストリップ導体
6と裏面に地導体の付いた半導体基板4から構成される
マイクロストリップ線路を介して低雑音増幅器30に入
力される。低雑音増幅器30に入力された高周波信号
は、低い雑音で増幅され、移相器32に出力される。移
相器32にて位相を変化された高周波信号は、ストリッ
プ導体6と裏面に地導体の付いた半導体基板4から構成
されるマイクロストリップ線路を介して出力端子9から
出力される。
2. Description of the Related Art FIG. 8 shows, for example, "MICROWAVE J
OURRNA ", March 1988, p. 116, Fi
g. It is a block diagram of the conventional antenna integrated microwave circuit shown in FIG. In the figure, 3 is a radiating element of an antenna formed on a thin dielectric film, 4 is a semiconductor substrate having a ground conductor on the back surface, 6 is a strip conductor, 8 is a semiconductor element, 9 is an output terminal, and 15 is a Lange. A coupler, 30 is a low noise amplifier, and 32 is a phase shifter. A high frequency signal input to a microstrip antenna composed of a semiconductor substrate 4 having a ground conductor on the back surface and a radiating element 3 is composed of a strip conductor 6 and a semiconductor substrate 4 having a ground conductor on the back surface, and is orthogonal to each other. And is input to the Lange coupler 15 via two microstrip lines coupled to the radiating element 3. The Lange coupler 15 combines the high-frequency signals from the two microstrip lines so that the high-frequency signal input to the antenna is circularly polarized and the efficiency of the antenna is improved. The synthesized high frequency signal is input to the low noise amplifier 30 via a microstrip line composed of a strip conductor 6 and a semiconductor substrate 4 having a ground conductor on the back surface. The high frequency signal input to the low noise amplifier 30 is amplified with low noise and output to the phase shifter 32. The high frequency signal whose phase has been changed by the phase shifter 32 is output from the output terminal 9 via a microstrip line composed of the strip conductor 6 and the semiconductor substrate 4 having the ground conductor on the back surface.

【0003】ここでは、1つのアンテナと前記アンテナ
に接続された回路に付いて示したが、図8に示す回路を
2次元的に多数配置し、個々のアンテナに接続された移
相器の移相量を変えることにより、フェーズドアレイと
して使用できる。
Although one antenna and a circuit connected to the antenna are shown here, a large number of circuits shown in FIG. 8 are two-dimensionally arranged and a phase shifter connected to each antenna is shifted. It can be used as a phased array by changing the phase amount.

【0004】[0004]

【発明が解決しようとする課題】従来のアンテナ一体化
マイクロ波回路は以上のように構成されており、アンテ
ナと同一面上にあるマイクロ波回路からの不要放射が、
アンテナの放射パターンを乱すという問題点があった。
また、アンテナの放射素子とマイクロ波回路を2次元的
に配置するために、アンテナとマイクロ波回路の足し合
わせた分の面積が必要になり、フェーズドアレイを構成
する場合に、所要の性能を得るための放射素子の配置の
間隔を狭くできないという問題点があった。
The conventional microwave circuit integrated with an antenna is constructed as described above, and unnecessary radiation from the microwave circuit on the same plane as the antenna is
There was a problem of disturbing the radiation pattern of the antenna.
In addition, since the radiating element of the antenna and the microwave circuit are two-dimensionally arranged, an area corresponding to the sum of the antenna and the microwave circuit is required, and the required performance is obtained when the phased array is configured. Therefore, there is a problem in that the space between the radiating elements cannot be narrowed.

【0005】この発明は上記のような問題点を解決する
ためになされたもので、アンテナとマイクロ波回路が干
渉せず、フェーズドアレーアンテナを構成する場合にお
いても、アンテナ間隔を十分狭くすることができる小形
なアンテナ一体化マイクロ波回路を得ることを目的とし
ている。
The present invention has been made to solve the above problems, and the antenna and the microwave circuit do not interfere with each other, and the antenna interval can be sufficiently narrowed even when a phased array antenna is constructed. The objective is to obtain a compact microwave circuit with integrated antenna.

【0006】[0006]

【課題を解決するための手段】請求項1に係るアンテナ
一体化マイクロ波回路は、誘電体または半導体からなる
第一の基板と、上記第一の基板の一方の面に形成された
地導体と、上記地導体に設けられた結合孔と、上記第一
の基板の他方の面に形成された半導体素子を用いたマイ
クロ波回路と、誘電体または半導体からなる第二の基板
と、上記第二の基板の一方の面に形成された放射導体
と、上記地導体と電気的に連続で、上記第二の基板を回
避する切り欠きが設けられた金属筐体とを備え、上記第
二の基板の他方の面を上記地導体に対向させて上記第一
の基板と第二の基板とを積層し、上記結合孔を介して上
記放射導体とマイクロ波回路とを電磁的に結合させるも
のである。
An antenna integrated microwave circuit according to a first aspect of the present invention comprises a first substrate made of a dielectric material or a semiconductor, and a ground conductor formed on one surface of the first substrate. A microwave circuit using a coupling hole provided in the ground conductor, a semiconductor element formed on the other surface of the first substrate, a second substrate made of a dielectric or a semiconductor, and the second substrate. A radiation housing formed on one surface of the substrate, and a metal housing that is electrically continuous with the ground conductor and is provided with a notch for avoiding the second substrate. The other surface of the first substrate and the second substrate are laminated with the other surface thereof facing the ground conductor, and the radiation conductor and the microwave circuit are electromagnetically coupled through the coupling hole. .

【0007】請求項2に係るアンテナ一体化マイクロ波
回路は、誘電体または半導体からなる第一の基板と、上
記第一の基板の一方の面に形成された地導体と、上記地
導体に設けられた結合孔と、上記第一の基板の他方の面
に形成された半導体素子を用いたマイクロ波回路と、誘
電体または半導体からなる第二の基板と、上記第二の基
板の一方の面に形成された放射導体と、上記第二の基板
の他方の面に形成された地導体と、誘電体または半導体
からなり、上記第一の基板を回避する切り欠きが設けら
れた第三の基板と、上記第三の基板の一方の面に形成さ
れた地導体と、上記第三の基板の他方の面に形成された
マイクロ波回路と、上記第三の基板の地導体と電気的に
連続で、上記第二の基板を回避する切り欠きが設けられ
た金属筐体とを備え、上記第二の基板の地導体を上記第
一の地導体と上記第三の基板の地導体が電気的に連続に
なるように対向させて第一の基板と第二の基板と第三の
基板とを積層し、上記結合孔を介して上記放射導体と上
記第一の基板上に形成されたマイクロ波回路とを電磁的
に結合させるものである。
An antenna-integrated microwave circuit according to a second aspect is provided with a first substrate made of a dielectric or a semiconductor, a ground conductor formed on one surface of the first substrate, and the ground conductor. And a microwave circuit using a semiconductor element formed on the other surface of the first substrate, a second substrate made of a dielectric material or a semiconductor, and one surface of the second substrate. And a ground conductor formed on the other surface of the second substrate, a dielectric or semiconductor, and a third substrate provided with a notch for avoiding the first substrate. And a ground conductor formed on one surface of the third substrate, a microwave circuit formed on the other surface of the third substrate, and electrically continuous with the ground conductor of the third substrate. And a metal housing provided with a notch for avoiding the second substrate. , The ground conductor of the second substrate is opposed to the ground conductor of the first substrate and the ground conductor of the third substrate so as to be electrically continuous, and the first substrate, the second substrate, and the third substrate A substrate is laminated, and the radiation conductor is electromagnetically coupled to the microwave circuit formed on the first substrate through the coupling hole.

【0008】請求項3に係るアンテナ一体化マイクロ波
回路は、誘電体または半導体からなる第一の基板と、上
記第一の基板の一方の面に形成された地導体と、上記地
導体に設けられた結合孔と、上記第一の基板の他方の面
に形成された半導体素子を用いたマイクロ波回路と、誘
電体または半導体からなる第二の基板と、上記第二の基
板の一方の面に形成された放射導体と、上記第二の基板
の他方の面に形成された地導体と、上記第二の基板の地
導体上に配置された半導体素子と、誘電体または半導体
からなり、上記第一の基板と上記半導体素子とを回避す
る切り欠きが設けられた第三の基板と、上記第三の基板
の一方の面に形成された地導体と、上記第三の基板の他
方の面に形成されたマイクロ波回路と、上記第三の基板
の地導体と電気的に連続で、上記第二の基板を回避する
切り欠きが設けられた金属筐体とを備え、上記第二の基
板の地導体を上記第一の地導体と上記第三の基板の地導
体が電気的に連続になるように対向させて第一の基板と
第二の基板と第三の基板とを積層し、上記結合孔を介し
て放射導体と上記第一の基板上に形成されたマイクロ波
回路とを電磁的に結合させるものである。
An antenna-integrated microwave circuit according to a third aspect of the present invention is provided with a first substrate made of a dielectric or a semiconductor, a ground conductor formed on one surface of the first substrate, and the ground conductor. And a microwave circuit using a semiconductor element formed on the other surface of the first substrate, a second substrate made of a dielectric material or a semiconductor, and one surface of the second substrate. A radiation conductor formed on the second substrate, a ground conductor formed on the other surface of the second substrate, a semiconductor element arranged on the ground conductor of the second substrate, a dielectric or a semiconductor, A third substrate provided with a notch for avoiding the first substrate and the semiconductor element, a ground conductor formed on one surface of the third substrate, and the other surface of the third substrate And the microwave circuit formed on the And a metal casing provided with a notch for avoiding the second substrate, wherein the ground conductor of the second substrate is electrically connected to the ground conductor of the third substrate. The first substrate, the second substrate, and the third substrate, which are opposed to each other so as to be continuous, and the microwave is formed on the radiation conductor and the first substrate through the coupling hole. The circuit is electromagnetically coupled.

【0009】請求項4に係るアンテナ一体化マイクロ波
回路は、誘電体または半導体からなる第一の基板と、上
記第一の基板の一方の面に形成された地導体と、上記地
導体に設けられた結合孔と、上記第一の基板の他方の面
に形成された半導体素子を用いたマイクロ波回路と、誘
電体または半導体からなる第二の基板と、上記第二の基
板の一方の面に形成された放射導体とを備え、上記第二
の基板の他方の面を上記地導体に対向させて第一の基板
と第二の基板とを積層し、上記結合孔を介して上記放射
導体とマイクロ波回路とを電磁的に結合させるアンテナ
一体化マイクロ波回路において、上記マイクロ波回路
が、上記結合孔を介して上記放射導体に結合する長さが
λ/2(λ:ストリップ導体上におけるアンテナ信号波
の1波長)の第一のストリップ導体と、上記第一のスト
リップ導体の両端に一方の端子が各々接続され、他方の
端子が共通とされた2つの半導体素子と、上記2つの半
導体素子の共通とされた端子に接続された第二のストリ
ップ導体とを備えて構成された周波数変換器を有するも
のである。
An antenna-integrated microwave circuit according to a fourth aspect is provided with a first substrate made of a dielectric or a semiconductor, a ground conductor formed on one surface of the first substrate, and the ground conductor. And a microwave circuit using a semiconductor element formed on the other surface of the first substrate, a second substrate made of a dielectric material or a semiconductor, and one surface of the second substrate. A radiation conductor formed on the second substrate, the other surface of the second substrate is opposed to the ground conductor, the first substrate and the second substrate are laminated, and the radiation conductor is provided through the coupling hole. In a microwave circuit integrated with an antenna for electromagnetically coupling a microwave circuit and a microwave circuit, a length of coupling the microwave circuit to the radiation conductor through the coupling hole is λ / 2 (λ: on a strip conductor). 1st wavelength of antenna signal wave) One terminal was connected to both ends of the trip conductor and the first strip conductor, and the other terminal was connected to two common semiconductor elements and the common terminals of the two semiconductor elements. And a frequency converter configured with a second strip conductor.

【0010】請求項5に係るアンテナ一体化マイクロ波
回路は、誘電体または半導体からなる第一の基板と、上
記第一の基板の一方の面に形成された地導体と、上記地
導体に設けられた結合孔と、上記第一の基板の他方の面
に形成された半導体素子を用いたマイクロ波回路と、誘
電体または半導体からなる第二の基板と、上記第二の基
板の一方の面に形成された放射導体とを備え、上記第二
の基板の他方の面を上記地導体に対向させて第一の基板
と第二の基板とを積層し、上記結合孔を介して上記放射
導体とマイクロ波回路とを電磁的に結合させるアンテナ
一体化マイクロ波回路において、上記マイクロ波回路
が、上記結合孔を介して上記放射導体に結合する環状の
第一のストリップ導体と、上記第一のストリップ導体の
上記結合孔と対称の位置に接続された第二のストリップ
導体と、上記第一のストリップ導体の上記第二のストリ
ップ導体を接続した位置からλ/4(λ:ストリップ導
体上におけるアンテナ信号波の1波長)離れた位置に一
方の端子が各々接続され、他方の端子が地導体に接続さ
れた2つの半導体素子とを備えて構成された周波数変換
器を有するものである。
An antenna-integrated microwave circuit according to a fifth aspect is provided with a first substrate made of a dielectric or a semiconductor, a ground conductor formed on one surface of the first substrate, and the ground conductor. And a microwave circuit using a semiconductor element formed on the other surface of the first substrate, a second substrate made of a dielectric material or a semiconductor, and one surface of the second substrate. A radiation conductor formed on the second substrate, the other surface of the second substrate is opposed to the ground conductor, the first substrate and the second substrate are laminated, and the radiation conductor is provided through the coupling hole. In an antenna-integrated microwave circuit that electromagnetically couples a microwave circuit with a microwave circuit, the microwave circuit includes an annular first strip conductor coupled to the radiation conductor via the coupling hole, and the first strip conductor. Symmetric with the above coupling hole of the strip conductor Position away from the position where the second strip conductor connected to the second conductor and the second strip conductor of the first strip conductor are connected by λ / 4 (λ: 1 wavelength of the antenna signal wave on the strip conductor) To a semiconductor element, one terminal of which is connected to each other and the other terminal of which is connected to a ground conductor.

【0011】[0011]

【作用】この発明においては、アンテナの放射導体の地
導体を介して裏面にマイクロ波回路が構成されるため
に、マイクロ波回路とアンテナが分離でき、干渉しな
い。また、同じ位置の表裏に放射素子とマイクロ波回路
があるため、アンテナ一体化マイクロ波回路のユニット
を小形にすることができ、フェーズドアレーアンテナを
構成する場合に、放射素子の間隔を所要の値に設定でき
る。
According to the present invention, since the microwave circuit is formed on the back surface via the ground conductor of the radiation conductor of the antenna, the microwave circuit and the antenna can be separated and do not interfere with each other. In addition, since the radiating element and the microwave circuit are located on the front and back at the same position, the unit of the microwave circuit with integrated antenna can be made small, and when the phased array antenna is configured, the spacing between the radiating elements is the required value. Can be set to.

【0012】また、半導体基板の地導体と金属筐体が電
気的に連続であるため、半導体基板の機械的強度、熱拡
散が向上し、外部回路と接続する場合にも、地導体の連
続性が保ち易い。さらに、半導体基板の周囲を誘電体基
板で構成し、地導体を連続させることにより、電気的性
能を劣化させること無く、高価な半導体基板の大きさを
小さくでき、コストを低減できる。
Further, since the ground conductor of the semiconductor substrate and the metal casing are electrically continuous, the mechanical strength and heat diffusion of the semiconductor substrate are improved, and the continuity of the ground conductor is improved even when connecting to an external circuit. Is easy to keep. Further, by forming the periphery of the semiconductor substrate with a dielectric substrate and connecting the ground conductor continuously, it is possible to reduce the size of the expensive semiconductor substrate and reduce the cost without deteriorating the electrical performance.

【0013】また、複数の半導体基板を用いることによ
り、異なる種類の半導体素子を用いることができ、設計
の自由度が向上する。
Further, by using a plurality of semiconductor substrates, different kinds of semiconductor elements can be used, and the degree of freedom in design is improved.

【0014】また、所要のマイクロ波回路を小形にでき
るため、フェーズドアレーアンテナを構成する場合にお
いても、マイクロ波回路の間隔を狭くすることができる
ために、アンテナ間隔を十分狭くすることができる。
Further, since the required microwave circuit can be made small, the interval between the microwave circuits can be narrowed even when the phased array antenna is constructed, so that the antenna interval can be sufficiently narrowed.

【0015】[0015]

【実施例】実施例1.図1(a)はこの発明の実施例1
を示す斜視図、図1(b)は図1(a)のBB断面図で
ある。図において、1は誘電体基板、2は地導体、3は
放射素子、4は半導体基板、5は結合孔、6はストリッ
プ導体、7は整合用スタブ、8は半導体素子、9は出力
端子、10は金属筐体、11は局発信号入力端子、20
a,20bは帯域通過フィルタ、21は帯域阻止フィル
タ、30は低雑音増幅器、31は周波数変換器である。
EXAMPLES Example 1. FIG. 1A shows a first embodiment of the present invention.
FIG. 1 (b) is a cross-sectional view taken along line BB of FIG. 1 (a). In the figure, 1 is a dielectric substrate, 2 is a ground conductor, 3 is a radiating element, 4 is a semiconductor substrate, 5 is a coupling hole, 6 is a strip conductor, 7 is a matching stub, 8 is a semiconductor element, 9 is an output terminal, 10 is a metal casing, 11 is a local signal input terminal, 20
Reference numerals a and 20b are band pass filters, 21 is a band stop filter, 30 is a low noise amplifier, and 31 is a frequency converter.

【0016】次に動作について説明する。地導体2と放
射素子3から構成されるマイクロストリップアンテナに
入射した高周波信号は、結合孔5および、地導体2とス
トリップ導体6から構成されるマイクロストリップ線路
を介して、低雑音増幅器30に入力される。低雑音増幅
器30は、半導体素子8と整合用スタブ7から構成され
ており、入力した高周波信号を低い雑音で増幅する。低
雑音増幅器で増幅された高周波信号は、地導体2とスト
リップ導体6から構成されるマイクロストリップ線路を
介して周波数変換器31に入力される。周波数変換器3
1において高周波信号は帯域通過フィルタ20aを通過
し、半導体素子8に入力される。一方、局発信号入力端
子11から入力した局発信号は帯域通過フィルタ20b
を通過し、半導体素子8を励起する。半導体素子8にお
いて局発信号と高周波信号は周波数混合され、中間周波
信号を発生する。発生した中間周波信号は帯域阻止フィ
ルタ21を通過し、出力端子9から出力される。ここ
で、帯域通過フィルタ20aは高周波信号のみを通過す
る構成になっているため、局発信号及び中間周波信号は
漏れ出さない。また、帯域通過フィルタ20bは局発信
号のみを通過する構成になっているため、高周波信号及
び中間周波信号は漏れ出さない。また、帯域阻止フィル
タ21は、高周波信号及び中間周波信号を通過しない構
成になっているために、中間周波信号は通過し、高周波
信号及び中間周波信号は漏れ出さない。
Next, the operation will be described. The high frequency signal incident on the microstrip antenna composed of the ground conductor 2 and the radiating element 3 is input to the low noise amplifier 30 via the coupling hole 5 and the microstrip line composed of the ground conductor 2 and the strip conductor 6. To be done. The low noise amplifier 30 is composed of the semiconductor element 8 and the matching stub 7, and amplifies the input high frequency signal with low noise. The high frequency signal amplified by the low noise amplifier is input to the frequency converter 31 via the microstrip line including the ground conductor 2 and the strip conductor 6. Frequency converter 3
At 1, the high frequency signal passes through the band pass filter 20a and is input to the semiconductor element 8. On the other hand, the local oscillator signal input from the local oscillator signal input terminal 11 receives the bandpass filter 20b.
To excite the semiconductor element 8. In the semiconductor element 8, the local oscillation signal and the high frequency signal are mixed in frequency to generate an intermediate frequency signal. The generated intermediate frequency signal passes through the band elimination filter 21 and is output from the output terminal 9. Here, since the band pass filter 20a is configured to pass only the high frequency signal, the local oscillation signal and the intermediate frequency signal do not leak out. Further, since the bandpass filter 20b is configured to pass only the local oscillation signal, the high frequency signal and the intermediate frequency signal do not leak out. Further, since the band elimination filter 21 is configured not to pass the high frequency signal and the intermediate frequency signal, the intermediate frequency signal passes and the high frequency signal and the intermediate frequency signal do not leak out.

【0017】実施例2.図2(a)はこの発明の実施例
2を示す斜視図、図2(b)は図2(a)のCC断面図
である。図において、1a,1bは誘電体基板、12は
ワイアである。
Example 2. Second Embodiment FIG. 2A is a perspective view showing a second embodiment of the present invention, and FIG. 2B is a CC sectional view of FIG. 2A. In the figure, 1a and 1b are dielectric substrates, and 12 is a wire.

【0018】次に動作について説明する。地導体2と放
射素子3から構成されるマイクロストリップアンテナに
入射した高周波信号は、結合孔5および、地導体2とス
トリップ導体6から構成されるマイクロストリップ線路
を介して、低雑音増幅器30に入力される。低雑音増幅
器30で増幅された高周波信号は、地導体2とストリッ
プ導体6から構成されるマイクロストリップ線路、およ
びワイア12を介して誘電体基板1b上のストリップ導
体6と地導体2から構成されるマイクロストリップ線路
に入力される。誘電体基板1b上のマイクロストリップ
線路に入力された高周波信号は、出力端子9から出力さ
れる。
Next, the operation will be described. The high frequency signal incident on the microstrip antenna composed of the ground conductor 2 and the radiating element 3 is input to the low noise amplifier 30 via the coupling hole 5 and the microstrip line composed of the ground conductor 2 and the strip conductor 6. To be done. The high frequency signal amplified by the low noise amplifier 30 is composed of the microstrip line composed of the ground conductor 2 and the strip conductor 6 and the strip conductor 6 and the ground conductor 2 on the dielectric substrate 1b via the wire 12. Input to the microstrip line. The high frequency signal input to the microstrip line on the dielectric substrate 1b is output from the output terminal 9.

【0019】実施例3.図3(a)はこの発明の実施例
3を示す斜視図、図3(b)は図3(a)のDD断面図
である。図において、13a,13bは半導体素子であ
る。
Example 3. 3A is a perspective view showing a third embodiment of the present invention, and FIG. 3B is a DD sectional view of FIG. 3A. In the figure, 13a and 13b are semiconductor elements.

【0020】次に動作について説明する。低雑音増幅器
30aは、半導体素子8から構成されており、入力した
高周波信号を低い雑音で増幅する。低雑音増幅器30a
に入力した高周波信号は低い雑音で増幅され、地導体2
とストリップ導体6から構成されるマイクロストリップ
線路を介して低雑音増幅器30bに入力される。低雑音
増幅器30bは、半導体基板4とは別構成になった半導
体素子13aから構成されており、入力した高周波信号
を低い雑音で増幅する。低雑音増幅器30bで増幅され
た高周波信号は、地導体2と誘電体基板1b上のストリ
ップ導体6から構成されるマイクロストリップ線路を介
して周波数変換器31に入力される。周波数変換器31
は、誘電体基板1b上に配置された2つの帯域通過フィ
ルタ20a,20bと帯域阻止フィルタ21及び異なる
基板上に配置された半導体素子13bとから構成されて
いる。周波数変換器31において高周波信号は帯域通過
フィルタ20aを通過し、半導体素子13bに入力され
る。一方、局発信号入力端子11から入力した局発信号
は帯域通過フィルタ20bを通過し、半導体素子13b
を励起する。半導体素子13bにおいて局発信号と高周
波信号は周波数混合され、中間周波信号を発生する。発
生した中間周波信号は帯域阻止フィルタ21を通過し、
出力端子9から出力される。
Next, the operation will be described. The low noise amplifier 30a includes the semiconductor element 8 and amplifies the input high frequency signal with low noise. Low noise amplifier 30a
The high-frequency signal input to the
It is input to the low noise amplifier 30b via the microstrip line composed of the strip conductor 6 and the strip conductor 6. The low-noise amplifier 30b is composed of a semiconductor element 13a that has a structure different from that of the semiconductor substrate 4, and amplifies the input high-frequency signal with low noise. The high frequency signal amplified by the low noise amplifier 30b is input to the frequency converter 31 via the microstrip line composed of the ground conductor 2 and the strip conductor 6 on the dielectric substrate 1b. Frequency converter 31
Is composed of two band pass filters 20a and 20b arranged on the dielectric substrate 1b, a band stop filter 21, and a semiconductor element 13b arranged on a different substrate. In the frequency converter 31, the high frequency signal passes through the band pass filter 20a and is input to the semiconductor element 13b. On the other hand, the local oscillator signal input from the local oscillator signal input terminal 11 passes through the band pass filter 20b, and the semiconductor element 13b
Excite. In the semiconductor element 13b, the local oscillation signal and the high frequency signal are mixed in frequency to generate an intermediate frequency signal. The generated intermediate frequency signal passes through the band elimination filter 21,
It is output from the output terminal 9.

【0021】実施例4.上記実施例では、金属筐体は誘
電体基板を支えるだけのものであったが、回路の上部に
蓋をして、気密構造にしてもよい。
Example 4. In the above embodiment, the metal casing only supports the dielectric substrate, but a lid may be provided on the upper portion of the circuit to form an airtight structure.

【0022】図4はこの発明の実施例4を示す断面図で
ある。図において、10は金属筐体、40はコネクタで
ある。
FIG. 4 is a sectional view showing Embodiment 4 of the present invention. In the figure, 10 is a metal housing and 40 is a connector.

【0023】次に動作について説明する。出力端子9に
出力された信号は、コネクタ40より出力される。
Next, the operation will be described. The signal output to the output terminal 9 is output from the connector 40.

【0024】ここで、コネクタ40を気密性のあるもの
にし、誘電体基板1aと誘電体基板1bとの、及び誘電
体基板1bと金属筐体10との地導体の接続部を半田付
等により気密すれば、金属筐体10の内部は密封され、
半導体基板4が外気に触れることがない。
Here, the connector 40 is made airtight, and the connecting portions of the ground conductors of the dielectric substrate 1a and the dielectric substrate 1b and between the dielectric substrate 1b and the metal casing 10 are soldered or the like. If airtight, the inside of the metal housing 10 is sealed,
The semiconductor substrate 4 is never exposed to the outside air.

【0025】ここで金属筐体10は一体化してある必要
がなく、基板装着後に蓋をする構造でも構わない。ま
た、信号出力部はコネクタ以外にも、マイクロストリッ
プ線路、コプレーナ線路などでもよい。
Here, the metal casing 10 does not have to be integrated, and may have a structure in which a lid is attached after the substrate is mounted. The signal output section may be a microstrip line, a coplanar line, or the like, instead of the connector.

【0026】実施例5.図5はこの発明の実施例5のマ
イクロ波回路を示す平面図である。図において、6a,
6bはストリップ導体、8a,8bは半導体素子、22
は高域通過フィルタである。なお、このマイクロ波回路
の裏面には、上記実施例同様に、結合孔5を介してマイ
クロ波回路に結合する地導体2と放射素子3から構成さ
れるマイクロストリップアンテナが設けられている。
Example 5. 5 is a plan view showing a microwave circuit according to a fifth embodiment of the present invention. In the figure, 6a,
6b is a strip conductor, 8a and 8b are semiconductor elements, 22
Is a high pass filter. On the back surface of this microwave circuit, a microstrip antenna composed of a ground conductor 2 and a radiating element 3 which are coupled to the microwave circuit through a coupling hole 5 is provided as in the above embodiment.

【0027】次に動作について説明する。地導体2と放
射素子3から構成されるマイクロストリップアンテナに
入射した高周波信号は、結合孔5および、地導体2とス
トリップ導体6aから構成されるマイクロストリップ線
路を介して、半導体素子8a,8bに入力する。ここ
で、結合孔5から半導体素子8aまでの距離と半導体素
子までの距離がともにλ/4であるが、結合孔からの方
向が異なるために、高周波信号は半導体素子8aと半導
体素子8bに逆位相で入力する。また、帯域阻止フィル
タ21は高周波信号を通過しない構成になっている。ま
た、半導体素子8aからの高周波信号と、半導体素子8
bからの高周波信号は逆位相のため、中間給電点でのイ
ンピーダンスは短絡となり、高周波信号は半導体素子8
a,8bに効率よく印加される。一方、局発信号入力端
子11から入力した局発信号はストリップ導体6bと地
導体2から構成されるマイクロストリップ線路を介して
高域通過フィルタ22に入力する。ここで高域通過フィ
ルタ22は局発信号を通過する構成になっている。ま
た、帯域阻止フィルタ21は局発信号を通過しない構成
になっているために局発信号は出力端子9側に漏れださ
ない。高域通過フィルタ22を通過した局発信号はスト
リップ導体6bと地導体から構成されたマイクロストリ
ップ線路を介して半導体素子8a及び8bに入力し、半
導体素子8a、8bを励起する。このとき局発信号はス
トリップ導体6aの結合孔部では定在波の開放端となる
ため、λ/4離れた半導体素子8aおよび半導体素子8
bからは短絡端となり、局発信号は地導体2とストリッ
プ導体6bから構成されるマイクロストリップ線路のイ
ンピーダンスにより半導体素子8aおよび8bに効率よ
く印加される。また、半導体素子8aおよび半導体素子
8bから漏れ出した局発信号は、ストリップ導体6aの
結合孔部では同相となるために放射素子3に結合せず、
局発信号が放射素子3から漏れ出さない。局発信号と高
周波信号は周波数混合され中間周波信号を発生する。発
生した中間周波信号は地導体2とストリップ導体6bか
ら構成されるマイクロストリップ線路及び、帯域阻止フ
ィルタ21を介して出力端子9から出力される。ここで
帯域阻止フィルタ21は中間周波信号を通過する構成に
なっており、通過した中間周波信号は接地されるため
に、中間周波信号はストリップ導体6aに漏れ出さな
い。また、高域通過フィルタ22は中間周波信号を通過
しない構成となっているために、中間周波信号は局発信
号入力端子11側に漏れ出さない。
Next, the operation will be described. The high frequency signal incident on the microstrip antenna composed of the ground conductor 2 and the radiating element 3 is transmitted to the semiconductor elements 8a and 8b via the coupling hole 5 and the microstrip line composed of the ground conductor 2 and the strip conductor 6a. input. Here, the distance from the coupling hole 5 to the semiconductor element 8a and the distance to the semiconductor element are both λ / 4. However, since the directions from the coupling hole are different, the high-frequency signal is opposite to the semiconductor element 8a and the semiconductor element 8b. Input in phase. Further, the band elimination filter 21 is configured not to pass a high frequency signal. In addition, the high frequency signal from the semiconductor element 8a and the semiconductor element 8
Since the high frequency signal from b is in opposite phase, the impedance at the intermediate feeding point is short-circuited and the high frequency signal
It is efficiently applied to a and 8b. On the other hand, the local oscillator signal input from the local oscillator signal input terminal 11 is input to the high-pass filter 22 via the microstrip line composed of the strip conductor 6b and the ground conductor 2. Here, the high pass filter 22 is configured to pass the local oscillation signal. Further, since the band elimination filter 21 is configured not to pass the local oscillation signal, the local oscillation signal does not leak to the output terminal 9 side. The local signal that has passed through the high-pass filter 22 is input to the semiconductor elements 8a and 8b via a microstrip line composed of a strip conductor 6b and a ground conductor, and excites the semiconductor elements 8a and 8b. At this time, the local oscillation signal becomes an open end of the standing wave in the coupling hole portion of the strip conductor 6a, so that the semiconductor element 8a and the semiconductor element 8 which are λ / 4 apart from each other.
From b, it becomes a short-circuited end, and the local oscillation signal is efficiently applied to the semiconductor elements 8a and 8b by the impedance of the microstrip line composed of the ground conductor 2 and the strip conductor 6b. Further, the local oscillation signals leaked from the semiconductor elements 8a and 8b are in phase with each other in the coupling hole portion of the strip conductor 6a and therefore are not coupled to the radiating element 3,
The local signal does not leak from the radiating element 3. The local signal and the high frequency signal are frequency mixed to generate an intermediate frequency signal. The generated intermediate frequency signal is output from the output terminal 9 via the band strip filter 21 and the microstrip line composed of the ground conductor 2 and the strip conductor 6b. Here, the band elimination filter 21 is configured to pass the intermediate frequency signal, and since the passed intermediate frequency signal is grounded, the intermediate frequency signal does not leak to the strip conductor 6a. Further, since the high-pass filter 22 is configured not to pass the intermediate frequency signal, the intermediate frequency signal does not leak to the local oscillator signal input terminal 11 side.

【0028】実施例6.図6はこの発明の実施例6のマ
イクロ波回路を示す平面図である。なお、このマイクロ
波回路の裏面には、上記実施例同様に、結合孔5を介し
てマイクロ波回路に結合する地導体2と放射素子3から
構成されるマイクロストリップアンテナが設けられてい
る。
Example 6. 6 is a plan view showing a microwave circuit according to a sixth embodiment of the present invention. On the back surface of this microwave circuit, a microstrip antenna composed of a ground conductor 2 and a radiating element 3 which are coupled to the microwave circuit through a coupling hole 5 is provided as in the above embodiment.

【0029】次に動作について説明する。地導体2と放
射素子3から構成されるマイクロストリップアンテナに
入射した高周波信号は、結合孔5および、地導体2とス
トリップ導体6aから構成されるマイクロストリップ線
路を介して、一方の端子が接地された半導体素子8aお
よび半導体素子8bに入力する。ここで、半導体素子8
aと半導体素子8bは結合孔5に対して互いに反対側に
接続されているために、高周波信号は半導体素子8aと
半導体素子8bは逆位相で、環状のストリップ導体6a
を伝わる高周波信号は定在波を生じ、ストリップ導体6
bとの接続部では、定在波の節となりインピーダンスが
短絡状態となるので、ストリップ導体6bには高周波信
号は結合しない。また、結合孔5からストリップ導体6
bの接続部までの距離がともにλ/4であるために、半
導体素子8aおよび8bの接続部からみるとインピーダ
ンスは開放となり、高周波信号は半導体素子8aおよび
半導体素子8bに効率よく印加される。一方、局発信号
入力端子11から入力した局発信号はストリップ導体6
bと地導体2から構成されるマイクロストリップ線路を
介して高域通過フィルタ22に入力する。ここで高域通
過フィルタ22は局発信号を通過する構成になってい
る。また、帯域阻止フィルタ21は局発信号を通過しな
い構成になっているために局発信号は出力端子9側に漏
れださない。高域通過フィルタ22を通過した局発信号
は、ストリップ導体6bとストリップ導体6aとの接続
部で同相分配され、環状のストリップ導体6aをそれぞ
れ伝わり、結合孔5付近に配置された半導体素子8aお
よび半導体素子8bに同相に入力され半導体素子8a,
8bを励起するが、結合孔5を介して放射素子3には結
合せず、放射素子3から放射されない。半導体素子8a
および半導体素子8bにおいて局発信号と高周波信号は
周波数混合され中間周波信号を発生する。発生した中間
周波信号は地導体2とストリップ導体6bから構成され
るマイクロストリップ線路及び、帯域阻止フィルタ21
を介して出力端子9から出力される。ここで、高域通過
フィルタ22は中間周波信号を通過しない構成となって
いるために、中間周波信号は局発信号入力端子11側に
漏れ出さない。
Next, the operation will be described. A high frequency signal incident on a microstrip antenna composed of the ground conductor 2 and the radiating element 3 is grounded at one terminal through the coupling hole 5 and the microstrip line composed of the ground conductor 2 and the strip conductor 6a. Input to the semiconductor elements 8a and 8b. Here, the semiconductor element 8
Since a and the semiconductor element 8b are connected to the opposite sides of the coupling hole 5, the high frequency signal has a phase opposite to that of the semiconductor element 8a and the semiconductor element 8b and the annular strip conductor 6a.
The high frequency signal transmitted through the
At the connection part with b, the high frequency signal is not coupled to the strip conductor 6b because it becomes a node of the standing wave and the impedance is short-circuited. In addition, from the coupling hole 5 to the strip conductor 6
Since the distance to the connection portion of b is both λ / 4, the impedance becomes open when viewed from the connection portion of the semiconductor elements 8a and 8b, and the high frequency signal is efficiently applied to the semiconductor elements 8a and 8b. On the other hand, the local oscillator signal input from the local oscillator signal input terminal 11 is the strip conductor 6
It is input to the high-pass filter 22 via a microstrip line composed of b and the ground conductor 2. Here, the high pass filter 22 is configured to pass the local oscillation signal. Further, since the band elimination filter 21 is configured not to pass the local oscillation signal, the local oscillation signal does not leak to the output terminal 9 side. The local oscillation signal that has passed through the high-pass filter 22 is distributed in phase at the connection between the strip conductor 6b and the strip conductor 6a, propagates through the annular strip conductor 6a, and the semiconductor element 8a and the semiconductor element 8a arranged near the coupling hole 5 are formed. In-phase input to the semiconductor element 8b, the semiconductor element 8a,
8b is excited, but is not coupled to the radiating element 3 through the coupling hole 5 and is not radiated from the radiating element 3. Semiconductor element 8a
In the semiconductor element 8b, the local oscillation signal and the high frequency signal are mixed in frequency to generate an intermediate frequency signal. The generated intermediate frequency signal is applied to the microstrip line composed of the ground conductor 2 and the strip conductor 6b and the band stop filter 21.
Is output from the output terminal 9 via. Here, since the high-pass filter 22 is configured not to pass the intermediate frequency signal, the intermediate frequency signal does not leak to the local oscillator signal input terminal 11 side.

【0030】実施例7.上記実施例では、放射素子3
と、それに接続されるマイクロ波回路が各々1つの場合
について述べたが、放射素子3を2次元に複数配置し、
各々の放射素子3に接続されるマイクロ波回路も複数個
配置してもよい。
Example 7. In the above embodiment, the radiating element 3
And the case where there is one microwave circuit connected to each of them, the plurality of radiating elements 3 are two-dimensionally arranged,
A plurality of microwave circuits connected to each radiating element 3 may be arranged.

【0031】図7は、この発明の実施例7を示す構成図
である。図において、32は移相器である。
FIG. 7 is a block diagram showing a seventh embodiment of the present invention. In the figure, 32 is a phase shifter.

【0032】低雑音増幅器30にて低い雑音で増幅され
た高周波信号は移相器32に入力される。移相器32に
て高周波信号は位相を変化されて、出力端子9から出力
される。ここで、移相器32の移相量を、各マイクロ波
回路ごとに所要の値に設定することにより、フェーズド
アレーとして使用できる。
The high frequency signal amplified by the low noise amplifier 30 with low noise is input to the phase shifter 32. The phase of the high frequency signal is changed by the phase shifter 32, and the high frequency signal is output from the output terminal 9. Here, by setting the phase shift amount of the phase shifter 32 to a required value for each microwave circuit, it can be used as a phased array.

【0033】なお、以上の実施例では、受信についての
み述べたが、低雑音増幅器30の代わりに高出力増幅器
を用いるなどしてマイクロ波回路を構成することによ
り、上記各実施例と同様の構成により送信にも用いるこ
とができるアンテナ一体化マイクロ波回路を得られるこ
とは言うまでもない。
Although only the reception is described in the above embodiments, a microwave circuit is configured by using a high output amplifier instead of the low noise amplifier 30, and the same configuration as the above embodiments. It goes without saying that an antenna-integrated microwave circuit that can be used for transmission can also be obtained.

【0034】[0034]

【発明の効果】請求項1の発明においては、マイクロ波
回路とアンテナが地導体の表裏に分離配置でき、マイク
ロ波回路からの不要放射がアンテナの放射パターンを乱
さない、小形なアンテナ一体化マイクロ波回路が得られ
る。
According to the invention of claim 1, the microwave circuit and the antenna can be separately arranged on the front and back of the ground conductor, and a small antenna-integrated microwave in which unnecessary radiation from the microwave circuit does not disturb the radiation pattern of the antenna. A wave circuit is obtained.

【0035】請求項2の発明においては、さらに、半導
体基板の周囲を誘電体基板で構成し、地導体を連続させ
ることにより、電気的性能を劣化させること無く、高価
な半導体基板の大きさを小さくでき、コストを低減でき
る。
According to the second aspect of the present invention, the size of the expensive semiconductor substrate can be reduced without deteriorating the electrical performance by forming the dielectric substrate around the semiconductor substrate and connecting the ground conductor. The size can be reduced and the cost can be reduced.

【0036】請求項3の発明においては、さらに、複数
の半導体基板を用いることにより、異なる種類の半導体
素子を用いることができ、設計の自由度を向上できる。
According to the third aspect of the invention, by using a plurality of semiconductor substrates, different types of semiconductor elements can be used, and the degree of freedom in design can be improved.

【0037】請求項4または請求項5の発明において
は、さらに、所要のマイクロ波回路を小形にできるた
め、フェーズドアレーアンテナを構成する場合において
も、マイクロ波回路の間隔を狭くすることができ、アン
テナ間隔を所要の値に設定できる。
According to the invention of claim 4 or claim 5, since the required microwave circuit can be made small, the interval between the microwave circuits can be narrowed even when the phased array antenna is constructed. You can set the antenna spacing to the required value.

【図面の簡単な説明】[Brief description of drawings]

【図1】この発明の実施例1を示す構成図である。FIG. 1 is a configuration diagram showing a first embodiment of the present invention.

【図2】この発明の実施例2を示す構成図である。FIG. 2 is a configuration diagram showing a second embodiment of the present invention.

【図3】この発明の実施例3を示す構成図である。FIG. 3 is a configuration diagram showing a third embodiment of the present invention.

【図4】この発明の実施例4を示す構成図である。FIG. 4 is a configuration diagram showing a fourth embodiment of the present invention.

【図5】この発明の実施例5を示す構成図である。FIG. 5 is a configuration diagram showing a fifth embodiment of the present invention.

【図6】この発明の実施例6を示す構成図である。FIG. 6 is a configuration diagram showing a sixth embodiment of the present invention.

【図7】この発明の実施例7を示す構成図である。FIG. 7 is a configuration diagram showing a seventh embodiment of the present invention.

【図8】従来のアンテナ一体化マイクロ波回路の構成図
である。
FIG. 8 is a configuration diagram of a conventional microwave circuit integrated with an antenna.

【符号の説明】[Explanation of symbols]

1,1a,1b 誘電体基板 2 地導体 3 放射素子 4 半導体基板 5 結合孔 6,6a,6b ストリップ導体 7 スタブ 8,8a,8b 半導体素子 9 出力端子 10 金属筐体 11 局発信号入力端子 12 ワイア 13a,13b 半導体素子 15 ランゲカップラ 20a,20b 帯域通過フィルタ 21 帯域阻止フィルタ 22 高域通過フィルタ 30 低雑音増幅器 31 周波数変換器 32 移相器 1, 1a, 1b Dielectric substrate 2 Ground conductor 3 Radiating element 4 Semiconductor substrate 5 Coupling hole 6, 6a, 6b Strip conductor 7 Stub 8, 8a, 8b Semiconductor element 9 Output terminal 10 Metal housing 11 Local signal input terminal 12 Wires 13a, 13b Semiconductor elements 15 Lange couplers 20a, 20b Bandpass filters 21 Bandstop filters 22 Highpass filters 30 Low noise amplifiers 31 Frequency converters 32 Phase shifters

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【手続補正書】[Procedure amendment]

【提出日】平成5年11月17日[Submission date] November 17, 1993

【手続補正1】[Procedure Amendment 1]

【補正対象書類名】明細書[Document name to be amended] Statement

【補正対象項目名】0003[Name of item to be corrected] 0003

【補正方法】変更[Correction method] Change

【補正内容】[Correction content]

【0003】また、図9は、特開平4−160804に
示された別の従来のアンテナ一体化マイクロ波回路を示
したもので、図9(a)は放射導体側から見た図、図9
(b)はマイクロ波回路側から見た図である。図におい
て、1は誘電体基板、2は地導体、3は放射導体、4は
半導体基板、5は結合孔、6はストリップ導体、32は
移相器、33は増幅器、34は入力端子である。入力端
子34に入力した高周波信号は移相器にて所定の位相に
設定され増幅器33に入力する。増幅器33にて増幅さ
れた高周波信号は、ストリップ導体6と裏面に地導体2
の付いた半導体基板4から構成されたマイクロストリッ
プ線路と、結合孔5を介して、誘電体基板1上に構成さ
れた放射素子3に入力される。ここで、放射素子3と地
導体はマイクロストリップアンテナを構成しており、高
周波信号は放射素子3から空間に放射される。ここで
は、1つのアンテナと前記アンテナに接続された回路に
付いて示したが、図8、及び図9に示す回路を2次元的
に多数配置し、個々のアンテナに接続された移相器の移
相量を変えることにより、フェーズドアレイとして使用
できる。
FIG. 9 is disclosed in Japanese Patent Laid-Open No. 4-160804.
Shown is another conventional antenna integrated microwave circuit shown.
FIG. 9A is a view seen from the radiation conductor side.
(B) is the figure seen from the microwave circuit side. Figure smell
, 1 is a dielectric substrate, 2 is a ground conductor, 3 is a radiation conductor, and 4 is
Semiconductor substrate, 5 is a coupling hole, 6 is a strip conductor, 32 is
A phase shifter, 33 is an amplifier, and 34 is an input terminal. Input end
The high-frequency signal input to the child 34 has a predetermined phase by the phase shifter.
It is set and input to the amplifier 33. Amplified by amplifier 33
The generated high frequency signal is applied to the strip conductor 6 and the ground conductor 2 on the back surface.
A microstrip composed of a semiconductor substrate 4 with a
It is constructed on the dielectric substrate 1 via the connecting line 5 and the connecting line.
Is input to the radiated element 3. Here, the radiating element 3 and the ground
The conductors make up the microstrip antenna and
The frequency signal is radiated into space from the radiating element 3. Here, one antenna and a circuit connected to the antenna are shown, but the circuits shown in FIGS. 8 and 9 are two-dimensionally arranged and a phase shifter connected to each antenna is provided. It can be used as a phased array by changing the amount of phase shift.

【手続補正2】[Procedure Amendment 2]

【補正対象書類名】明細書[Document name to be amended] Statement

【補正対象項目名】0004[Correction target item name] 0004

【補正方法】変更[Correction method] Change

【補正内容】[Correction content]

【0004】[0004]

【発明が解決しようとする課題】従来のアンテナ一体化
マイクロ波回路は以上のように構成されており、アンテ
ナと同一面上にあるマイクロ波回路からの不要放射画、
アンテナの放射パターンを乱すという問題点があった。
また、アンテナの放射素子とマイクロ波回路を2次元的
に配置するために、アンテナとマイクロ波回路の足し合
わせた文の面積が必要になり、フェーズドアレイを構成
する場合に、所用の性能を得るための放射素子の間隔に
狭められないという問題点があった。また、誘電体基板
を重ねた構成となっているために、機械的に弱く、入力
端子、及び出力端子としてコネクタなどを使用できない
という問題点があった。
The conventional microwave circuit integrated with an antenna is constructed as described above, and an unnecessary radiation image from the microwave circuit on the same plane as the antenna,
There was a problem of disturbing the radiation pattern of the antenna.
In addition, since the antenna radiating element and the microwave circuit are arranged two-dimensionally, the area of the sentence in which the antenna and the microwave circuit are added is required, and when the phased array is constructed, the required performance is obtained. For the spacing of radiating elements for
There was a problem that it could not be narrowed . Also, dielectric substrate
Because of the overlapping structure, mechanically weak input
You cannot use connectors as terminals and output terminals
There was a problem.

【手続補正3】[Procedure 3]

【補正対象書類名】明細書[Document name to be amended] Statement

【補正対象項目名】0005[Name of item to be corrected] 0005

【補正方法】変更[Correction method] Change

【補正内容】[Correction content]

【0005】この発明は上記のような問題点を解決する
ためになされたもので、アンテナとマイクロ波回路が干
渉せず、フェーズドアレーアンテナを構成する場合にお
いても、アンテナ間隔を十分狭くすることができ、コネ
クタなどを用いて容易に外部の回路と接続可能で小形な
アンテナ一体化マイクロ波回路を得ることを目的として
いる。
The present invention has been made to solve the above problems, and the antenna and the microwave circuit do not interfere with each other, and the antenna interval can be sufficiently narrowed even when a phased array antenna is constructed. Can , connect
The objective is to obtain a compact microwave circuit with an integrated antenna that can be easily connected to an external circuit using a connector .

【手続補正4】[Procedure amendment 4]

【補正対象書類名】明細書[Document name to be amended] Statement

【補正対象項目名】図9[Correction target item name] Figure 9

【補正方法】追加[Correction method] Added

【補正内容】[Correction content]

【図9】従来のアンテナ一体化マイクロ波回路の構成図
である。
FIG. 9 is a configuration diagram of a conventional antenna integrated microwave circuit.

【手続補正5】[Procedure Amendment 5]

【補正対象書類名】明細書[Document name to be amended] Statement

【補正対象項目名】符号の説明[Correction target item name] Explanation of code

【補正方法】変更[Correction method] Change

【補正内容】[Correction content]

【符号の説明】 1,1a,1b 誘電体基板 2 地導体 3 放射素子 4 半導体基板 5 結合孔 6,6a,6b ストリップ導体 7 スタブ 8,8a,8b 半導体素子 9 出力端子 10 金属筐体 11 局発信号入力端子 12 ワイア 13a,13b 半導体素子 15 ランゲカップラ 20a,20b 帯域通過フィルタ 21 帯域阻止フィルタ 22 高域通過フィルタ 30 低雑音増幅器 31 周波数変換器 32 移相器33 増幅器 34 入力端子 [Explanation of reference signs] 1,1a, 1b Dielectric substrate 2 Ground conductor 3 Radiating element 4 Semiconductor substrate 5 Coupling hole 6,6a, 6b Strip conductor 7 Stub 8,8a, 8b Semiconductor element 9 Output terminal 10 Metal housing 11 Station Source signal input terminal 12 Wires 13a, 13b Semiconductor element 15 Lange coupler 20a, 20b Band pass filter 21 Band stop filter 22 High pass filter 30 Low noise amplifier 31 Frequency converter 32 Phase shifter 33 Amplifier 34 Input terminal

【手続補正6】[Procedure correction 6]

【補正対象書類名】図面[Document name to be corrected] Drawing

【補正対象項目名】図9[Correction target item name] Figure 9

【補正方法】追加[Correction method] Added

【補正内容】[Correction content]

【図9】 [Figure 9]

───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (51)Int.Cl.5 識別記号 庁内整理番号 FI 技術表示箇所 // H01Q 13/08 8940−5J ─────────────────────────────────────────────────── ─── Continuation of the front page (51) Int.Cl. 5 Identification code Office reference number FI technical display location // H01Q 13/08 8940-5J

Claims (5)

【特許請求の範囲】[Claims] 【請求項1】 誘電体または半導体からなる第一の基板
と、上記第一の基板の一方の面に形成された地導体と、
上記地導体に設けられた結合孔と、上記第一の基板の他
方の面に形成された半導体素子を用いたマイクロ波回路
と、誘電体または半導体からなる第二の基板と、上記第
二の基板の一方の面に形成された放射導体と、上記地導
体と電気的に連続で、上記第二の基板を回避する切り欠
きが設けられた金属筐体とを備え、上記第二の基板の他
方の面を上記地導体に対向させて上記第一の基板と第二
の基板とを積層し、上記結合孔を介して上記放射導体と
マイクロ波回路とを電磁的に結合させることを特徴とす
るアンテナ一体化マイクロ波回路。
1. A first substrate made of a dielectric material or a semiconductor, and a ground conductor formed on one surface of the first substrate,
A coupling hole provided in the ground conductor, a microwave circuit using a semiconductor element formed on the other surface of the first substrate, a second substrate made of a dielectric or a semiconductor, the second substrate A radiation conductor formed on one surface of the substrate; and a metal casing that is electrically continuous with the ground conductor and is provided with a notch for avoiding the second substrate, Laminating the first substrate and the second substrate with the other surface facing the ground conductor, and electromagnetically coupling the radiation conductor and the microwave circuit through the coupling hole. Microwave circuit with integrated antenna.
【請求項2】 誘電体または半導体からなる第一の基板
と、上記第一の基板の一方の面に形成された地導体と、
上記地導体に設けられた結合孔と、上記第一の基板の他
方の面に形成された半導体素子を用いたマイクロ波回路
と、誘電体または半導体からなる第二の基板と、上記第
二の基板の一方の面に形成された放射導体と、上記第二
の基板の他方の面に形成された地導体と、誘電体または
半導体からなり、上記第一の基板を回避する切り欠きが
設けられた第三の基板と、上記第三の基板の一方の面に
形成された地導体と、上記第三の基板の他方の面に形成
されたマイクロ波回路と、上記第三の基板の地導体と電
気的に連続で、上記第二の基板を回避する切り欠きが設
けられた金属筐体とを備え、上記第二の基板の地導体を
上記第一の地導体と上記第三の基板の地導体が電気的に
連続になるように対向させて第一の基板と第二の基板と
第三の基板とを積層し、上記結合孔を介して上記放射導
体と上記第一の基板上に形成されたマイクロ波回路とを
電磁的に結合させることを特徴とするアンテナ一体化マ
イクロ波回路。
2. A first substrate made of a dielectric or a semiconductor, and a ground conductor formed on one surface of the first substrate,
A coupling hole provided in the ground conductor, a microwave circuit using a semiconductor element formed on the other surface of the first substrate, a second substrate made of a dielectric or a semiconductor, the second substrate A radiation conductor formed on one surface of the substrate, a ground conductor formed on the other surface of the second substrate, and a notch for avoiding the first substrate, which is made of a dielectric or a semiconductor, are provided. A third substrate, a ground conductor formed on one surface of the third substrate, a microwave circuit formed on the other surface of the third substrate, and a ground conductor of the third substrate And a metal housing that is electrically continuous with a notch that avoids the second substrate, and connects the ground conductor of the second substrate to the first ground conductor and the third substrate. The first substrate, the second substrate, and the third substrate are stacked with the ground conductors facing each other so that they are electrically continuous. And an antenna integrated microwave circuit, characterized in that to electromagnetically couple the microwave circuit formed on the radiating conductor and the first substrate through the coupling hole.
【請求項3】 誘電体または半導体からなる第一の基板
と、上記第一の基板の一方の面に形成された地導体と、
上記地導体に設けられた結合孔と、上記第一の基板の他
方の面に形成された半導体素子を用いたマイクロ波回路
と、誘電体または半導体からなる第二の基板と、上記第
二の基板の一方の面に形成された放射導体と、上記第二
の基板の他方の面に形成された地導体と、上記第二の基
板の地導体上に配置された半導体素子と、誘電体または
半導体からなり、上記第一の基板と上記半導体素子とを
回避する切り欠きが設けられた第三の基板と、上記第三
の基板の一方の面に形成された地導体と、上記第三の基
板の他方の面に形成されたマイクロ波回路と、上記第三
の基板の地導体と電気的に連続で、上記第二の基板を回
避する切り欠きが設けられた金属筐体とを備え、上記第
二の基板の地導体を上記第一の地導体と上記第三の基板
の地導体が電気的に連続になるように対向させて第一の
基板と第二の基板と第三の基板とを積層し、上記結合孔
を介して放射導体と上記第一の基板上に形成されたマイ
クロ波回路とを電磁的に結合させることを特徴とするア
ンテナ一体化マイクロ波回路。
3. A first substrate made of a dielectric or a semiconductor, and a ground conductor formed on one surface of the first substrate,
A coupling hole provided in the ground conductor, a microwave circuit using a semiconductor element formed on the other surface of the first substrate, a second substrate made of a dielectric or a semiconductor, the second substrate A radiation conductor formed on one surface of the substrate, a ground conductor formed on the other surface of the second substrate, a semiconductor element arranged on the ground conductor of the second substrate, a dielectric or A third substrate made of a semiconductor and provided with a notch for avoiding the first substrate and the semiconductor element, a ground conductor formed on one surface of the third substrate, and the third substrate. A microwave circuit formed on the other surface of the substrate, and electrically continuous with the ground conductor of the third substrate, a metal housing provided with a notch for avoiding the second substrate, The ground conductor of the second substrate is electrically connected to the ground conductor of the first substrate and the ground conductor of the third substrate. A first substrate, a second substrate, and a third substrate are laminated so as to face each other continuously, and a radiation conductor and a microwave circuit formed on the first substrate through the coupling hole, An antenna-integrated microwave circuit characterized by electromagnetic coupling.
【請求項4】 誘電体または半導体からなる第一の基板
と、上記第一の基板の一方の面に形成された地導体と、
上記地導体に設けられた結合孔と、上記第一の基板の他
方の面に形成された半導体素子を用いたマイクロ波回路
と、誘電体または半導体からなる第二の基板と、上記第
二の基板の一方の面に形成された放射導体とを備え、上
記第二の基板の他方の面を上記地導体に対向させて第一
の基板と第二の基板とを積層し、上記結合孔を介して上
記放射導体とマイクロ波回路とを電磁的に結合させるア
ンテナ一体化マイクロ波回路において、上記マイクロ波
回路が、上記結合孔を介して上記放射導体に結合する長
さがλ/2(λ:ストリップ導体上におけるアンテナ信
号波の1波長)の第一のストリップ導体と、上記第一の
ストリップ導体の両端に一方の端子が各々接続され、他
方の端子が共通とされた2つの半導体素子と、上記2つ
の半導体素子の共通とされた端子に接続された第二のス
トリップ導体とを備えて構成された周波数変換器を有す
ることを特徴とするアンテナ一体化マイクロ波回路。
4. A first substrate made of a dielectric material or a semiconductor, and a ground conductor formed on one surface of the first substrate,
A coupling hole provided in the ground conductor, a microwave circuit using a semiconductor element formed on the other surface of the first substrate, a second substrate made of a dielectric or a semiconductor, the second substrate A radiation conductor formed on one surface of the substrate, the other surface of the second substrate is opposed to the ground conductor, the first substrate and the second substrate are laminated, and the coupling hole is formed. In an antenna integrated microwave circuit for electromagnetically coupling the radiation conductor and the microwave circuit through the microwave circuit, the length of coupling the microwave circuit to the radiation conductor through the coupling hole is λ / 2 (λ). A first strip conductor of one wavelength of an antenna signal wave on the strip conductor), and two semiconductor elements in which one terminal is connected to both ends of the first strip conductor and the other terminal is common , Common to the above two semiconductor devices A microwave circuit integrated with an antenna, comprising: a frequency converter configured to include a second strip conductor connected to the terminal.
【請求項5】 誘電体または半導体からなる第一の基板
と、上記第一の基板の一方の面に形成された地導体と、
上記地導体に設けられた結合孔と、上記第一の基板の他
方の面に形成された半導体素子を用いたマイクロ波回路
と、誘電体または半導体からなる第二の基板と、上記第
二の基板の一方の面に形成された放射導体とを備え、上
記第二の基板の他方の面を上記地導体に対向させて第一
の基板と第二の基板とを積層し、上記結合孔を介して上
記放射導体とマイクロ波回路とを電磁的に結合させるア
ンテナ一体化マイクロ波回路において、上記マイクロ波
回路が、上記結合孔を介して上記放射導体に結合する環
状の第一のストリップ導体と、上記第一のストリップ導
体の上記結合孔と対称の位置に接続された第二のストリ
ップ導体と、上記第一のストリップ導体の上記第二のス
トリップ導体を接続した位置からλ/4(λ:ストリッ
プ導体上におけるアンテナ信号波の1波長)離れた位置
に一方の端子が各々接続され、他方の端子が地導体に接
続された2つの半導体素子とを備えて構成された周波数
変換器を有することを特徴とするアンテナ一体化マイク
ロ波回路。
5. A first substrate made of a dielectric material or a semiconductor, and a ground conductor formed on one surface of the first substrate,
A coupling hole provided in the ground conductor, a microwave circuit using a semiconductor element formed on the other surface of the first substrate, a second substrate made of a dielectric or a semiconductor, the second substrate A radiation conductor formed on one surface of the substrate, the other surface of the second substrate is opposed to the ground conductor, the first substrate and the second substrate are laminated, and the coupling hole is formed. An antenna-integrated microwave circuit for electromagnetically coupling the radiation conductor and the microwave circuit via the microwave circuit, wherein the microwave circuit is coupled to the radiation conductor via the coupling hole and an annular first strip conductor. , Λ / 4 (λ: from the position where the second strip conductor is connected to the first strip conductor at a position symmetrical to the coupling hole, and the second strip conductor is connected to the first strip conductor. A on the strip conductor A frequency converter configured to include two semiconductor elements in which one terminal is connected to each other at one wavelength) of the antenna signal wave and the other terminal is connected to the ground conductor. Microwave circuit with integrated antenna.
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