JPH0669898B2 - 光ファイバ用多孔質母材合成用トーチ - Google Patents
光ファイバ用多孔質母材合成用トーチInfo
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- JPH0669898B2 JPH0669898B2 JP1205079A JP20507989A JPH0669898B2 JP H0669898 B2 JPH0669898 B2 JP H0669898B2 JP 1205079 A JP1205079 A JP 1205079A JP 20507989 A JP20507989 A JP 20507989A JP H0669898 B2 JPH0669898 B2 JP H0669898B2
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- C03B37/01—Manufacture of glass fibres or filaments
- C03B37/012—Manufacture of preforms for drawing fibres or filaments
- C03B37/014—Manufacture of preforms for drawing fibres or filaments made entirely or partially by chemical means, e.g. vapour phase deposition of bulk porous glass either by outside vapour deposition [OVD], or by outside vapour phase oxidation [OVPO] or by vapour axial deposition [VAD]
- C03B37/01413—Reactant delivery systems
- C03B37/0142—Reactant deposition burners
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- C03B2207/00—Glass deposition burners
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- C03B2207/18—Eccentric ports
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- Manufacture, Treatment Of Glass Fibers (AREA)
Description
本発明は光ファイバケーブルのプリフォーム製造用トー
チに係り、特に、構造が簡単で、ガラス原材料流れ中に
渦を発生させることができ、かつ、トーチノズル内にガ
ラス原材料が残留することなく多孔質母材中に不純物が
混入する恐れがなく多孔質プリフォームの堆積効率を向
上することのできる光ファイバ用多孔質母材合成用トー
チに関する。
チに係り、特に、構造が簡単で、ガラス原材料流れ中に
渦を発生させることができ、かつ、トーチノズル内にガ
ラス原材料が残留することなく多孔質母材中に不純物が
混入する恐れがなく多孔質プリフォームの堆積効率を向
上することのできる光ファイバ用多孔質母材合成用トー
チに関する。
一般に、光ファイバケーブルを製造するには、まず、プ
リフォームと称される外径10〜30mm、長さ300〜1,000mm
程度の円柱状のガラス棒を作る必要がある。プリフォー
ムは次の線引き工程で紡糸されるとそのまま光ファイバ
になるように、光ファイバのコア径とクラッド径の比と
同じ断面構成及び屈折率分布を持っている。 このプリフォームの製造方法には、MCVD法（Modified C
hemical Vapor Deposition）、OVD法（Outside Vapor P
hase Oxidation Deposition）、VAD法（Vapor Phase Ax
ial Depositi on）等がある。 MCVD法（Modified Chemical Vapor Deposition）は、回
転する石英ガラス管の内部に主原料のSiCl4とガラスの
屈折率を変化させるGeCl4、POCl3、BCl3等のドープ剤
を、O2ガスとともにガス状にして送り込み、外側から酸
水素バーナーで加熱してSiO2、GeO2、B2O3等の酸化物
‘スート（すす）’を酸化反応により石英ガラス管内壁
に堆積し、このスートを同時にガラス化するものであ
る。 OVD法（Outside Vapor Phass Oxidation Deposition）
は、主原料のSiCl4を火炎加水分解して純粋な透明石英
ガラスを作る方法である。すなわち、SiCl4の上記を可
燃ガスと酸素を用いて加水分解し、中心のガラス棒の表
面に空気を多く含んだSiO2のスートを多層に堆積させ、
最後に約1,500℃に加熱し透明な石英ガラスとするもの
である。 VAD法（Vapor Phase Axial Deposition）は、第11図に
示す如く、酸水素バーナー（合成用トーチ）300からSiC
l4、GeCl4、POCl3、BBr3を送り出し、種になる石英棒31
0の先端にSiO2、GeO2、B2O3等のスートを堆積させる。
この石英棒310を回転しながら引き上げて空気を多量に
含んだ多孔質プリフォーム320を成長するものである。3
30は、加熱炉である。 このように、光ファイバの製造に当たっては、VAD法等
による多孔質プリフォームの合成が基本となる。このVA
D法等の多孔質プリフォーム合成法においては、SiCl4、
GeCl4等の気体状のガラス原材料をH2、O2等の火炎によ
ってSiO2、GeO2等の酸化物を生成し、これらSiO2、GeO2
等の酸化物がH2、O2等の火炎中でガラス微粒子を形成
し、母材表面に堆積し、多孔質プリフォームを形成す
る。 このOVD法とVAD法に用いられるトーチは、第９図に示す
如き構成を有している。すなわち、100は、合成用トー
チで、円筒状に形成されており、内部略中央に円筒状に
形成されたガラス原材料吹出ノズル110が嵌合されてい
る。このガラス原材料吹出ノズル110からは、ガラス原
材料であるSiCl4、GeCl4、POCl3等のドープ剤が供給さ
れ、ガラス原材料吹出ノズル110と合成用トーチ100の内
壁との間からは、O2、H2ガスが供給される。このO2、H2
ガスは、合成用トーチ100から吹き出されて、酸水素火
炎120となり、SiCl4、GeCl4、POCl3等のドープ剤は、ガ
ラス状ガラス原材料流130となってガラス原材料吹出ノ
ズル110から吹き出される。 このO2、H2ガスと、SiCl4、GeCl4、POCl3等のドープ剤
とによって、SiO2、GeO2、B2O3等のスートが生成され、
このSiO2、GeO2、B2O3等のスートが種になる石英棒の先
端に堆積し、この石英棒を回転しながら引き上げて行く
と、空気を多量に含んだ多孔質プリフォーム140が成長
する。 しかし、合成用トーチ100から吹き出されるガラス原材
料流130は、層流であり、多孔質プリフォーム140への堆
積効率はSiO2に換算して2g/mm程度と低いものとなって
いる。 そこで、近年、堆積効率を向上するため、第10図に示す
如き合成用トーチが開発されている。この合成用トーチ
200は、ガラス原材料吹出ノズル110内に、スクリュー21
0を設け、このスクリュー210をモータ220によって回転
させ、ガラス原材料の流れ中に渦を発生させるようにし
たものである。このようにすることによって多孔質プリ
フォーム140への堆積効率の増加を試みたもので、堆積
効率は、第９図図示合成用トーチ100に比して最大で約
２倍の向上を期待することができる。
リフォームと称される外径10〜30mm、長さ300〜1,000mm
程度の円柱状のガラス棒を作る必要がある。プリフォー
ムは次の線引き工程で紡糸されるとそのまま光ファイバ
になるように、光ファイバのコア径とクラッド径の比と
同じ断面構成及び屈折率分布を持っている。 このプリフォームの製造方法には、MCVD法（Modified C
hemical Vapor Deposition）、OVD法（Outside Vapor P
hase Oxidation Deposition）、VAD法（Vapor Phase Ax
ial Depositi on）等がある。 MCVD法（Modified Chemical Vapor Deposition）は、回
転する石英ガラス管の内部に主原料のSiCl4とガラスの
屈折率を変化させるGeCl4、POCl3、BCl3等のドープ剤
を、O2ガスとともにガス状にして送り込み、外側から酸
水素バーナーで加熱してSiO2、GeO2、B2O3等の酸化物
‘スート（すす）’を酸化反応により石英ガラス管内壁
に堆積し、このスートを同時にガラス化するものであ
る。 OVD法（Outside Vapor Phass Oxidation Deposition）
は、主原料のSiCl4を火炎加水分解して純粋な透明石英
ガラスを作る方法である。すなわち、SiCl4の上記を可
燃ガスと酸素を用いて加水分解し、中心のガラス棒の表
面に空気を多く含んだSiO2のスートを多層に堆積させ、
最後に約1,500℃に加熱し透明な石英ガラスとするもの
である。 VAD法（Vapor Phase Axial Deposition）は、第11図に
示す如く、酸水素バーナー（合成用トーチ）300からSiC
l4、GeCl4、POCl3、BBr3を送り出し、種になる石英棒31
0の先端にSiO2、GeO2、B2O3等のスートを堆積させる。
この石英棒310を回転しながら引き上げて空気を多量に
含んだ多孔質プリフォーム320を成長するものである。3
30は、加熱炉である。 このように、光ファイバの製造に当たっては、VAD法等
による多孔質プリフォームの合成が基本となる。このVA
D法等の多孔質プリフォーム合成法においては、SiCl4、
GeCl4等の気体状のガラス原材料をH2、O2等の火炎によ
ってSiO2、GeO2等の酸化物を生成し、これらSiO2、GeO2
等の酸化物がH2、O2等の火炎中でガラス微粒子を形成
し、母材表面に堆積し、多孔質プリフォームを形成す
る。 このOVD法とVAD法に用いられるトーチは、第９図に示す
如き構成を有している。すなわち、100は、合成用トー
チで、円筒状に形成されており、内部略中央に円筒状に
形成されたガラス原材料吹出ノズル110が嵌合されてい
る。このガラス原材料吹出ノズル110からは、ガラス原
材料であるSiCl4、GeCl4、POCl3等のドープ剤が供給さ
れ、ガラス原材料吹出ノズル110と合成用トーチ100の内
壁との間からは、O2、H2ガスが供給される。このO2、H2
ガスは、合成用トーチ100から吹き出されて、酸水素火
炎120となり、SiCl4、GeCl4、POCl3等のドープ剤は、ガ
ラス状ガラス原材料流130となってガラス原材料吹出ノ
ズル110から吹き出される。 このO2、H2ガスと、SiCl4、GeCl4、POCl3等のドープ剤
とによって、SiO2、GeO2、B2O3等のスートが生成され、
このSiO2、GeO2、B2O3等のスートが種になる石英棒の先
端に堆積し、この石英棒を回転しながら引き上げて行く
と、空気を多量に含んだ多孔質プリフォーム140が成長
する。 しかし、合成用トーチ100から吹き出されるガラス原材
料流130は、層流であり、多孔質プリフォーム140への堆
積効率はSiO2に換算して2g/mm程度と低いものとなって
いる。 そこで、近年、堆積効率を向上するため、第10図に示す
如き合成用トーチが開発されている。この合成用トーチ
200は、ガラス原材料吹出ノズル110内に、スクリュー21
0を設け、このスクリュー210をモータ220によって回転
させ、ガラス原材料の流れ中に渦を発生させるようにし
たものである。このようにすることによって多孔質プリ
フォーム140への堆積効率の増加を試みたもので、堆積
効率は、第９図図示合成用トーチ100に比して最大で約
２倍の向上を期待することができる。
しかしながら、第９図に示す如き従来のOVD法とVAD法に
用いられるトーチにあっては、合成用トーチ100から吹
き出されるガラス原材料流130が、層流となっており、
多孔質プリフォーム140への堆積効率はSiO2に換算して2
g/mm程度と低いという問題点を有している。 SiO2、GeO2等の酸化物によって形成されるガラス微粒子
の堆積効率は、空間の圧力勾配（ガラス微粒子が多孔質
プリフォームの母材表面に衝突する力）、温度勾配（多
孔質プリフォームの母材表面に衝突するガラス微粒子の
温度のバラツキ）以外にガラス微粒子の濃度勾配（ガラ
ス微粒子が多孔質プリフォームの母材表面に衝突すると
きのガラス微粒子の1cm3当たりの含有量）によっても変
化する。すなわち、一般には、この濃度勾配が最少の場
合、すなわち、火炎中で微粒子が均一に混合して微粒子
の濃度が火炎中でほぼ一定となった場合は、ガラス原材
料が火炎中に滞留する時間が最大となり、多孔質プリフ
ォームの母材表面へのガラス微粒子形成の効率が向上す
ると考えられている。 このような原理の基で第10図に示す如き合成用トーチ20
0が考案されている。この第10図に示す如き合成用トー
チ200によると、堆積効率が第９図図示合成用トーチ100
に比して最大で約２倍向上することが期待できるが、ガ
ラス原材料吹出ノズル110内に、スクリュー210を設け、
このスクリュー210をモータ220によって回転させるた
め、装置が複雑になるという問題点を有している。 また、第10図に示す如き従来のOVD法とVAD法に用いられ
るトーチにあっては、ガス状のガラス原材料（SiCl4、G
eCl4等）によりスクリュー、モータといった金属部が腐
食し、機械的な故障が発生し易いという問題点を有して
いる。 さらに、第10図に示す如き従来のOVD法とVAD法に用いら
れるトーチにあっては、ガス状のガラス原材料（SiC
l4、GeCl4等）によりスクリュー、モータといった金属
部が腐食して金属部が剥落したり、スクリュー、モータ
の回転部分の摩擦により金属粉が発生したりして多孔質
プリフォーム中に不純物が混入することがあるという問
題点を有している。 またさらに、第10図に示す如き従来のOVD法とVAD法に用
いられるトーチにあっては、ガラス原材料吹出ノズル11
0内に、スクリュー210及び、このスクリュー210を回転
するためのモータ220を取付けるため、使用設備が高価
なものとなり、コスト高となるという問題点を有してい
る。 本発明は、ガラス原材料流れ中に渦を発生させることに
よってガラス微粒子の濃度勾配を最少にでき堆積効率を
最大にすることができる点に鑑みてなされたもので、構
造が簡単で、ガラス原材料流れ中に渦を発生させること
ができ、かつ、トーチノズル内にガラス原料材が残留す
ることなく多孔質母材中に不純物が混入する恐れがなく
多孔質プリフォームの堆積効率を向上することのできる
光ファイバ用多孔質母材合成用トーチを提供することを
目的としている。
用いられるトーチにあっては、合成用トーチ100から吹
き出されるガラス原材料流130が、層流となっており、
多孔質プリフォーム140への堆積効率はSiO2に換算して2
g/mm程度と低いという問題点を有している。 SiO2、GeO2等の酸化物によって形成されるガラス微粒子
の堆積効率は、空間の圧力勾配（ガラス微粒子が多孔質
プリフォームの母材表面に衝突する力）、温度勾配（多
孔質プリフォームの母材表面に衝突するガラス微粒子の
温度のバラツキ）以外にガラス微粒子の濃度勾配（ガラ
ス微粒子が多孔質プリフォームの母材表面に衝突すると
きのガラス微粒子の1cm3当たりの含有量）によっても変
化する。すなわち、一般には、この濃度勾配が最少の場
合、すなわち、火炎中で微粒子が均一に混合して微粒子
の濃度が火炎中でほぼ一定となった場合は、ガラス原材
料が火炎中に滞留する時間が最大となり、多孔質プリフ
ォームの母材表面へのガラス微粒子形成の効率が向上す
ると考えられている。 このような原理の基で第10図に示す如き合成用トーチ20
0が考案されている。この第10図に示す如き合成用トー
チ200によると、堆積効率が第９図図示合成用トーチ100
に比して最大で約２倍向上することが期待できるが、ガ
ラス原材料吹出ノズル110内に、スクリュー210を設け、
このスクリュー210をモータ220によって回転させるた
め、装置が複雑になるという問題点を有している。 また、第10図に示す如き従来のOVD法とVAD法に用いられ
るトーチにあっては、ガス状のガラス原材料（SiCl4、G
eCl4等）によりスクリュー、モータといった金属部が腐
食し、機械的な故障が発生し易いという問題点を有して
いる。 さらに、第10図に示す如き従来のOVD法とVAD法に用いら
れるトーチにあっては、ガス状のガラス原材料（SiC
l4、GeCl4等）によりスクリュー、モータといった金属
部が腐食して金属部が剥落したり、スクリュー、モータ
の回転部分の摩擦により金属粉が発生したりして多孔質
プリフォーム中に不純物が混入することがあるという問
題点を有している。 またさらに、第10図に示す如き従来のOVD法とVAD法に用
いられるトーチにあっては、ガラス原材料吹出ノズル11
0内に、スクリュー210及び、このスクリュー210を回転
するためのモータ220を取付けるため、使用設備が高価
なものとなり、コスト高となるという問題点を有してい
る。 本発明は、ガラス原材料流れ中に渦を発生させることに
よってガラス微粒子の濃度勾配を最少にでき堆積効率を
最大にすることができる点に鑑みてなされたもので、構
造が簡単で、ガラス原材料流れ中に渦を発生させること
ができ、かつ、トーチノズル内にガラス原料材が残留す
ることなく多孔質母材中に不純物が混入する恐れがなく
多孔質プリフォームの堆積効率を向上することのできる
光ファイバ用多孔質母材合成用トーチを提供することを
目的としている。
上記目的を達成するために、本発明の光ファイバ用多孔
質母材合成用トーチにおいては、円筒状に形成される合
成用トーチ本体の内部略中央に円筒状に形成されるガラ
ス原材料吹出ノズルを嵌合し、該ガラス原材料吹出ノズ
ルからSiCl4、GeCl4等をガス状にしたガラス原材料を供
給し該ガラス原材料吹出ノズルと合成用トーチ本体内壁
との間からO2、H2ガスを供給して種石英棒の先端から多
孔質プリフォームを成長させる光ファイバ用多孔質母材
合成用トーチにおいて、上記ガラス原材料吹出ノズルの
内壁に開口面積を小さくする絞り部を形成したものであ
る。 また、上記目的を達成するために、本発明の光ファイバ
用多孔質母材合成用トーチにおいては、円筒状に形成さ
れる合成用トーチ本体の内部略中央に外部からSiCl4、G
eCl4等をガス状にしたガラス原材料を供給するガラス原
材料供給パイプが接続され円筒状に形成されるガラス原
材料吹出ノズルを嵌合し、該ガラス原材料吹出ノズルか
らガラス原材料を供給し該ガラス原材料吹出ノズルと合
成用トーチ本体内壁との間からO2、H2ガスを供給して種
石英棒の先端から多孔質プリフォームを成長させる光フ
ァイバ用多孔質母材合成用トーチにおいて、上記ガラス
原材料供給パイプを上記ガラス原材料吹出ノズルの内筒
接線方向に設けたものである。 さらに、上記目的を達成するために、本発明の光ファイ
バ用多孔質母材合成用トーチにおいては、円筒状に形成
される合成用トーチ本体の内部略中央に円筒状に形成さ
れるガラス原材料吹出ノズルを嵌合し、該ガラス原材料
吹出ノズルからSiCl4、GeCl4等をガス状にしたガラス原
材料を供給し該ガラス原材料吹出ノズルと合成用トーチ
本体内壁との間からO2、H2ガスを供給して種石英棒の先
端から多孔質プリフォームを成長させる光ファイバ用多
孔質母材合成用トーチにおいて、上記ガラス原材料吹出
ノズルの内壁に螺旋状に形成される羽根を形成したもの
である。 またさらに、上記目的を達成するために、本発明の光フ
ァイバ用多孔質母材合成用トーチにおいては、円筒状に
形成される合成用トーチ本体の内部略中央に外部からSi
Cl4、GeCl4等をガス状にしたガラス原材料を供給するガ
ラス原材料供給パイプが接続され円筒状に形成されるガ
ラス原材料吹出ノズルを嵌合し、該ガラス原材料吹出ノ
ズルからガラス原材料を供給し該ガラス原材料吹出ノズ
ルと合成用トーチ本体内壁との間からO2、H2ガスを供給
して種石英棒の先端から多孔質プリフォームを成長させ
る光ファイバ用多孔質母材合成用トーチにおいて、上記
ガラス原材料吹出ノズルの先端出口近傍に、該ガラス原
材料吹出ノズルの内壁面円周方向に沿ってガス状のガラ
ス原材料を吹き出す第２のガラス原材料供給パイプを設
け、該第２のガラス原材料供給パイプからもガラス原材
料を所定圧で上記ガラス原材料吹出ノズル内に供給する
ようにしたものである。 さらにまた、上記目的を達成するために、本発明の光フ
ァイバ用多孔質母材合成用トーチにおいては、円筒状に
形成される合成用トーチ本体の内部略中央に外部からSi
Cl4、GeCl4等をガス状にしたガラス原材料を供給するガ
ラス原材料供給パイプが接続され円筒状に形成されるガ
ラス原材料吹出ノズルを嵌合し、該ガラス原材料吹出ノ
ズルからガラス原材料を供給し該ガラス原材料吹出ノズ
ルと合成用トーチ本体内壁との間からO2、H2ガスを供給
して種石英棒の先端から多孔質プリフォームを成長させ
る光ファイバ用多孔質母材合成用トーチにおいて、上記
ガラス原材料供給パイプを上記ガラス原材料吹出ノズル
の先端出口近傍に設け、ガラス原材料吹出ノズル内の滞
留時間を短くするようにしたものである。
質母材合成用トーチにおいては、円筒状に形成される合
成用トーチ本体の内部略中央に円筒状に形成されるガラ
ス原材料吹出ノズルを嵌合し、該ガラス原材料吹出ノズ
ルからSiCl4、GeCl4等をガス状にしたガラス原材料を供
給し該ガラス原材料吹出ノズルと合成用トーチ本体内壁
との間からO2、H2ガスを供給して種石英棒の先端から多
孔質プリフォームを成長させる光ファイバ用多孔質母材
合成用トーチにおいて、上記ガラス原材料吹出ノズルの
内壁に開口面積を小さくする絞り部を形成したものであ
る。 また、上記目的を達成するために、本発明の光ファイバ
用多孔質母材合成用トーチにおいては、円筒状に形成さ
れる合成用トーチ本体の内部略中央に外部からSiCl4、G
eCl4等をガス状にしたガラス原材料を供給するガラス原
材料供給パイプが接続され円筒状に形成されるガラス原
材料吹出ノズルを嵌合し、該ガラス原材料吹出ノズルか
らガラス原材料を供給し該ガラス原材料吹出ノズルと合
成用トーチ本体内壁との間からO2、H2ガスを供給して種
石英棒の先端から多孔質プリフォームを成長させる光フ
ァイバ用多孔質母材合成用トーチにおいて、上記ガラス
原材料供給パイプを上記ガラス原材料吹出ノズルの内筒
接線方向に設けたものである。 さらに、上記目的を達成するために、本発明の光ファイ
バ用多孔質母材合成用トーチにおいては、円筒状に形成
される合成用トーチ本体の内部略中央に円筒状に形成さ
れるガラス原材料吹出ノズルを嵌合し、該ガラス原材料
吹出ノズルからSiCl4、GeCl4等をガス状にしたガラス原
材料を供給し該ガラス原材料吹出ノズルと合成用トーチ
本体内壁との間からO2、H2ガスを供給して種石英棒の先
端から多孔質プリフォームを成長させる光ファイバ用多
孔質母材合成用トーチにおいて、上記ガラス原材料吹出
ノズルの内壁に螺旋状に形成される羽根を形成したもの
である。 またさらに、上記目的を達成するために、本発明の光フ
ァイバ用多孔質母材合成用トーチにおいては、円筒状に
形成される合成用トーチ本体の内部略中央に外部からSi
Cl4、GeCl4等をガス状にしたガラス原材料を供給するガ
ラス原材料供給パイプが接続され円筒状に形成されるガ
ラス原材料吹出ノズルを嵌合し、該ガラス原材料吹出ノ
ズルからガラス原材料を供給し該ガラス原材料吹出ノズ
ルと合成用トーチ本体内壁との間からO2、H2ガスを供給
して種石英棒の先端から多孔質プリフォームを成長させ
る光ファイバ用多孔質母材合成用トーチにおいて、上記
ガラス原材料吹出ノズルの先端出口近傍に、該ガラス原
材料吹出ノズルの内壁面円周方向に沿ってガス状のガラ
ス原材料を吹き出す第２のガラス原材料供給パイプを設
け、該第２のガラス原材料供給パイプからもガラス原材
料を所定圧で上記ガラス原材料吹出ノズル内に供給する
ようにしたものである。 さらにまた、上記目的を達成するために、本発明の光フ
ァイバ用多孔質母材合成用トーチにおいては、円筒状に
形成される合成用トーチ本体の内部略中央に外部からSi
Cl4、GeCl4等をガス状にしたガラス原材料を供給するガ
ラス原材料供給パイプが接続され円筒状に形成されるガ
ラス原材料吹出ノズルを嵌合し、該ガラス原材料吹出ノ
ズルからガラス原材料を供給し該ガラス原材料吹出ノズ
ルと合成用トーチ本体内壁との間からO2、H2ガスを供給
して種石英棒の先端から多孔質プリフォームを成長させ
る光ファイバ用多孔質母材合成用トーチにおいて、上記
ガラス原材料供給パイプを上記ガラス原材料吹出ノズル
の先端出口近傍に設け、ガラス原材料吹出ノズル内の滞
留時間を短くするようにしたものである。
ガラス原材料吹出ノズルの内壁に開口面積を小さくする
絞り部を形成しているため、構造を簡単にすることがで
き、ガラス原材料流れ中に渦を発生させることができ、
かつ、トーチノズル内にガラス原材料が残留することな
く多孔質母材中に不純物が混入する恐れがなく多孔質プ
リフォームの堆積効率を向上することができる。 ガラス原材料供給パイプを上記ガラス原材料吹出ノズル
の内壁面円周方向に沿ってガス状にしたガラス原材料を
吹き出すように設けているため、構造を簡単にすること
ができ、ガラス原材料流れ中に渦を発生させることがで
き、かつ、トーチノズル内にガラス原材料が残留するこ
となく多孔質母材中に不純物が混入する恐れがなく多孔
質プリフォームの堆積効率を向上することができる。 ガラス原材料吹出ノズルの内壁面に螺旋状に形成される
羽根を設けているため、構造を簡単にすることができ、
ガラス原材料流れ中に渦を発生させることができ、多孔
質プリフォームの堆積を向上することができる。 ガラス原材料吹出ノズルの先端出口近傍に、該ガラス原
材料吹出ノズルの内壁面円周方向に沿ってガス状のガラ
ス原材料を吹き出す第２のガラス原材料供給パイプを設
け、該第２のガラス原材料供給パイプからもガラス原材
料を所定圧で上記ガラス原材料吹出ノズル内に供給する
ようにしてあるため、構造を簡単にすることができ、ガ
ラス原材料流れ中に渦を発生させることができ、多孔質
プリフォームの堆積効率を向上することができる。 ガラス原材料供給パイプをガラス原材料吹出ノズルの先
端出口近傍に設け、ガラス原材料吹出ノズル内の滞留時
間を短くするようにしてあるため、ガラス原材料の層流
を作り出すことなく、構造を簡単にでき、ガラス原材料
流れ中に渦を発生させることができ、多孔質プリフォー
ムの堆積効率を向上することができる。
絞り部を形成しているため、構造を簡単にすることがで
き、ガラス原材料流れ中に渦を発生させることができ、
かつ、トーチノズル内にガラス原材料が残留することな
く多孔質母材中に不純物が混入する恐れがなく多孔質プ
リフォームの堆積効率を向上することができる。 ガラス原材料供給パイプを上記ガラス原材料吹出ノズル
の内壁面円周方向に沿ってガス状にしたガラス原材料を
吹き出すように設けているため、構造を簡単にすること
ができ、ガラス原材料流れ中に渦を発生させることがで
き、かつ、トーチノズル内にガラス原材料が残留するこ
となく多孔質母材中に不純物が混入する恐れがなく多孔
質プリフォームの堆積効率を向上することができる。 ガラス原材料吹出ノズルの内壁面に螺旋状に形成される
羽根を設けているため、構造を簡単にすることができ、
ガラス原材料流れ中に渦を発生させることができ、多孔
質プリフォームの堆積を向上することができる。 ガラス原材料吹出ノズルの先端出口近傍に、該ガラス原
材料吹出ノズルの内壁面円周方向に沿ってガス状のガラ
ス原材料を吹き出す第２のガラス原材料供給パイプを設
け、該第２のガラス原材料供給パイプからもガラス原材
料を所定圧で上記ガラス原材料吹出ノズル内に供給する
ようにしてあるため、構造を簡単にすることができ、ガ
ラス原材料流れ中に渦を発生させることができ、多孔質
プリフォームの堆積効率を向上することができる。 ガラス原材料供給パイプをガラス原材料吹出ノズルの先
端出口近傍に設け、ガラス原材料吹出ノズル内の滞留時
間を短くするようにしてあるため、ガラス原材料の層流
を作り出すことなく、構造を簡単にでき、ガラス原材料
流れ中に渦を発生させることができ、多孔質プリフォー
ムの堆積効率を向上することができる。
以下、本発明の実施例について説明する。 第１実施例（第１図〜第３図） 第１図〜第３図には、本発明に係る光ファイバ用多孔質
母材合成用トーチの第１実施例が示されている。 図において、１は、光ファイバ用多孔質母材合成用トー
チで、合成用トーチ本体２と、ガラス原材料吹出ノズル
３とによって構成されている。 合成用トーチ本体２は、外観が円筒状に形成されてお
り、複数の円筒が多層に形成され、この複数の円筒の最
下端部が底板４によって封止されている。この複数の円
筒によってO2ガス吹出口、H2ガス吹出口が形成されてお
り、O2ガス吹出口、H2ガス吹出口には、それぞれO2、H2
ガスを供給するための酸水素供給パイプ５が接続されて
いる。この合成用トーチ本体２の内部略中央にガラス原
材料吹出ノズル３が合成用トーチ本体２のO2ガスを供給
する酸水素供給パイプ５の内壁面と所定間隔をおいて嵌
合されている。 ガラス原材料吹出ノズル３は、底板４を貫通する円筒
（例えば、試験管状）によって構成されている。６は、
合成用トーチ本体２の底板４を貫通し、ガラス原材料吹
出ノズル３に接続されるガラス原材料供給パイプであ
る。このガラス原材料供給パイプ６は、合成用トーチ本
体２の外部からSiCl4、GeCl4等をガス状にしたガラス原
材料を供給するものである。このガラス原材料吹出ノズ
ル３の内壁には、第２図に示す如く、先端出口近傍に開
口面積を小さくする絞り部７が形成されている。 この絞り部７の開口面積は、この絞り部７を通ったSiCl
4、GeCl4等のガス状ガラス原材料の流れに渦が生じるだ
けの絞りであれば良く、形状は流線型でも矩形状でも、
その形状は如何なるものでもよい。そして、絞り部７の
最少開口面積は、具体的には、ガラス原材料吹出ノズル
３の内径（一般的には、1.0〜1.5mm）の90％〜40％であ
る。また、絞り部７を設ける位置は、ガラス原材料吹出
ノズル３の先端出口より長さl0（3mm＜l0＜60mm）のと
ころである。さらに、絞り部７のガラス原材料吹出ノズ
ル３の筒方向の長さl1は、ガラス原材料吹出ノズル３の
先端出口より絞り部７の設けられている位置間での距離
l0の約1/3の長さである。すなわち、この絞り部７の幅l
1は、1mm＜l1＜20mmである。 このように構成されるものであるから、ガラス原材料供
給パイプ６からは、SiCl4、GeCl4等をガス状にしたガラ
ス原材料が供給され、ガラス原材料吹出ノズル３内に送
り込まれる。ガラス原材料吹出ノズル３内に送り込まれ
たSiCl4、GeCl4等ガスは、ガラス原材料吹出ノズル３内
部を第３図図示矢印Ａに示す如く、層状となって移動し
ていく。このSiCl4、GeCl4等の層流は、ガラス原材料吹
出ノズル３の先端近傍の絞り部７において、乱され、絞
り部７通過後、渦流となって第３図図示矢印Ｂに示す如
く、吹き出される。 一方、酸水素供給パイプ５からは、O2、H2のそれぞれの
ガスが個別に供給され、合成用トーチ本体２の内部で、
ガラス原材料吹出ノズル３の外壁面との間を通り、各吹
出口から吹き出され光ファイバ用多孔質母材合成用トー
チ１の先端より火炎８となって吹き出される。このO2、
H2ガスの火炎８内において、SiCl4、GeCl4等の気体状の
ガラス原材料からSiO2、GeO2等の酸化物が生成され、こ
れらSiO2、GeO2等の酸化物がH2、O2等の火炎中でガラス
微粒子を形成し、母材表面に堆積し、多孔質プリフォー
ムを形成する。 したがって、本実施例によれば、ガラス原材料吹出ノズ
ル３の先端近傍の絞り部７においてSiCl4、GeCl4等の気
体状のガラス原材料流に渦流を生じさせることができ
る。このため、多孔質プリフォームの堆積効率を向上す
ることができる。 第２実施例（第４図〜第５図） 第４図〜第５図には、本発明に係る光ファイバ用多孔質
母材合成用トーチの第２実施例が示されている。 図において、10は、光ファイバ用多孔質母材合成用トー
チで、合成用トーチ本体11と、ガラス原材料吹出ノズル
12とによって構成されている。 本実施例が第１図図示第１実施例と異なる点は、SiC
l4、GeCl4等をガス状にしたガラス原材料が供給される
ガラス原材料供給パイプ13を合成用トーチ本体11の壁面
を貫通し、ガラス原材料吹出ノズル12に、該ガラス原材
料吹出ノズル12の内壁面円周方向に沿って吹き出し可能
に設けた点である。他は、第１図図示第１実施例と同一
である。 このように構成されるものであるから、ガラス原材料供
給パイプ13からは、SiCl4、GeCl4等をガス状にしたガラ
ス原材料が第５図図示矢印Ａに示す如く供給され、ガラ
ス原材料吹出ノズル12内に送り込まれる。このガラス原
材料吹出ノズル12内に送り込まれたSiCl4、GeCl4等ガス
は、ガラス原材料吹出ノズル12内壁に沿って送り込まれ
るため、第５図図示矢印Ｂに示す如く、ガラス原材料吹
出ノズル12内で渦流を発生する。 したがって、本実施例によれば、ガラス原材料吹出ノズ
ル12内に内壁面に沿って送り込まれるため、SiCl4、GeC
l4等の気体状のガラス原材料流に渦流を生じさせること
ができ、多孔質プリフォームの堆積効率を向上すること
ができる。 第３実施例（第６図） 第６図には、本発明に係る光ファイバ用多孔質母材合成
用トーチの第３実施例が示されている。 図において、20は、光ファイバ用多孔質母材合成用トー
チで、合成用トーチ本体21と、ガラス原材料吹出ノズル
22とによって構成されている。 本実施例が第１図図示第１実施例と異なる点は、ガラス
原材料供給パイプ23を介して、SiCl4、GeCl4等をガス状
にしたガラス原材料の供給されるガラス原材料吹出ノズ
ル22内部壁面に、螺旋状に形成される羽根24を形成した
点である。他は、第１図図示第１実施例と同一である。 このように構成されるものであるから、ガラス原材料供
給パイプ23から供給されるSiCl4、GeCl4等をガス状にし
たガラス原材料は、ガラス原材料吹出ノズル22内に送り
込まれて、ガラス原材料吹出ノズル22内部壁面に螺旋状
に設けられた羽根24によって、渦流となってガラス原材
料吹出ノズル22先端から吹き出される。 したがって、本実施例によれば、ガラス原材料吹出ノズ
ル12内に内壁面に螺旋状に羽根24が設けられているた
め、SiCl4、GeCl4等の気体状のガラス原材料流に渦流を
生じさせることができ、多孔質プリフォームの堆積効率
を向上することができる。 第４実施例（第７図） 第７図には、本発明に係る光ファイバ用多孔質母材合成
用トーチの第４実施例が示されている。 図において、30は、光ファイバ用多孔質母材合成用トー
チで、合成用トーチ本体31と、ガラス原材料吹出ノズル
32とによって構成されている。 本実施例が第１図図示第１実施例と異なる点は、ガラス
原材料吹出ノズル32内にSiCl4、GeCl4等をガス状にした
ガラス原材料を供給するガラス原材料供給パイプ13に加
え、ガラス原材料供給パイプ13よりもガラス原材料吹出
ノズル32の先端出口近傍に、該ガラス原材料吹出ノズル
32の内壁面円周方向に沿ってガス状のガラス原材料を吹
き出す第２のガラス原材料供給パイプ33を設けた点であ
る。他は、第１図図示第１実施例と同一である。 このように構成されるものであるから、ガラス原材料供
給パイプ13から供給されるSiCl4、GeCl4等をガス状にし
たガラス原材料は、ガラス原材料吹出ノズル32内を通り
上昇し、ガラス原材料吹出ノズル32の先端出口近傍で、
ガラス原材料供給パイプ33からSiCl4、GeCl4等をガス状
にしたガラス原材料が再度、ガラス原材料吹出ノズル32
内壁に沿って送り込まれる。このため、ガラス原材料吹
出ノズル32内で渦流を発生する。 したがって、本実施例によれば、ガラス原材料供給パイ
プ13から供給されるSiCl4、GeCl4等をガス状にしたガラ
ス原材料にガラス原材料供給パイプ33からガラス原材料
吹出ノズル32内壁に沿ってSiCl4、GeCl4等をガス状にし
たガラス原材料が再度吹き出されるため、SiCl4、GeCl4
等の気体状のガラス原材料流に渦流を生じさせることが
でき、多孔質プリフォームの堆積効率を向上することが
できる。 第５実施例（第８図） 第８図には、本発明に係る光ファイバ用多孔質母材合成
用トーチの第５実施例が示されている。 図において、40は、村光ファイバ用多孔質母材合成用ト
ーチで、合成用トーチ本体41と、ガラス原材料吹出ノズ
ル42とによって構成されている。 本実施例が第１図図示第１実施例と異なる点は、ガラス
原材料吹出ノズル42内にSiCl4、GeCl4等をガス状にした
ガラス原材料を供給するガラス原材料供給パイプ43をガ
ラス原材料吹出ノズル42の先端出口近傍に設けた点であ
る。他は、第１図図示第１実施例と同一である。 このように構成されるものであるから、ガラス原材料供
給パイプ43からは、SiCl4、GeCl4等をガス状にしたガラ
ス原材料が供給され、ガラス原材料吹出ノズル42内に送
り込まれる。このガラス原材料吹出ノズル42内に送り込
まれたSiCl4、GeCl4等をガス状にしたガラス原材料は、
ガラス原材料吹出ノズル42内部を移動していく。この
間、SiCl4、GeCl4等をガス状にしたガラス原材料のガラ
ス原材料吹出ノズル42内部での対空時間が短いため、層
流となる前にガラス原材料吹出ノズル42先端から吹き出
される。 したがって、本実施例によれば、ガラス原材料供給パイ
プ43から供給されるSiCl4、GeCl4等をガス状にしたガラ
ス原材料がガラス原材料吹出ノズル42内で層流になる前
に吹き出されるため、SiCl4、GeCl4等の気体状のガラス
原材料流に渦流を生じさせ、多孔質プリフォームの堆積
効率を向上することができる。
母材合成用トーチの第１実施例が示されている。 図において、１は、光ファイバ用多孔質母材合成用トー
チで、合成用トーチ本体２と、ガラス原材料吹出ノズル
３とによって構成されている。 合成用トーチ本体２は、外観が円筒状に形成されてお
り、複数の円筒が多層に形成され、この複数の円筒の最
下端部が底板４によって封止されている。この複数の円
筒によってO2ガス吹出口、H2ガス吹出口が形成されてお
り、O2ガス吹出口、H2ガス吹出口には、それぞれO2、H2
ガスを供給するための酸水素供給パイプ５が接続されて
いる。この合成用トーチ本体２の内部略中央にガラス原
材料吹出ノズル３が合成用トーチ本体２のO2ガスを供給
する酸水素供給パイプ５の内壁面と所定間隔をおいて嵌
合されている。 ガラス原材料吹出ノズル３は、底板４を貫通する円筒
（例えば、試験管状）によって構成されている。６は、
合成用トーチ本体２の底板４を貫通し、ガラス原材料吹
出ノズル３に接続されるガラス原材料供給パイプであ
る。このガラス原材料供給パイプ６は、合成用トーチ本
体２の外部からSiCl4、GeCl4等をガス状にしたガラス原
材料を供給するものである。このガラス原材料吹出ノズ
ル３の内壁には、第２図に示す如く、先端出口近傍に開
口面積を小さくする絞り部７が形成されている。 この絞り部７の開口面積は、この絞り部７を通ったSiCl
4、GeCl4等のガス状ガラス原材料の流れに渦が生じるだ
けの絞りであれば良く、形状は流線型でも矩形状でも、
その形状は如何なるものでもよい。そして、絞り部７の
最少開口面積は、具体的には、ガラス原材料吹出ノズル
３の内径（一般的には、1.0〜1.5mm）の90％〜40％であ
る。また、絞り部７を設ける位置は、ガラス原材料吹出
ノズル３の先端出口より長さl0（3mm＜l0＜60mm）のと
ころである。さらに、絞り部７のガラス原材料吹出ノズ
ル３の筒方向の長さl1は、ガラス原材料吹出ノズル３の
先端出口より絞り部７の設けられている位置間での距離
l0の約1/3の長さである。すなわち、この絞り部７の幅l
1は、1mm＜l1＜20mmである。 このように構成されるものであるから、ガラス原材料供
給パイプ６からは、SiCl4、GeCl4等をガス状にしたガラ
ス原材料が供給され、ガラス原材料吹出ノズル３内に送
り込まれる。ガラス原材料吹出ノズル３内に送り込まれ
たSiCl4、GeCl4等ガスは、ガラス原材料吹出ノズル３内
部を第３図図示矢印Ａに示す如く、層状となって移動し
ていく。このSiCl4、GeCl4等の層流は、ガラス原材料吹
出ノズル３の先端近傍の絞り部７において、乱され、絞
り部７通過後、渦流となって第３図図示矢印Ｂに示す如
く、吹き出される。 一方、酸水素供給パイプ５からは、O2、H2のそれぞれの
ガスが個別に供給され、合成用トーチ本体２の内部で、
ガラス原材料吹出ノズル３の外壁面との間を通り、各吹
出口から吹き出され光ファイバ用多孔質母材合成用トー
チ１の先端より火炎８となって吹き出される。このO2、
H2ガスの火炎８内において、SiCl4、GeCl4等の気体状の
ガラス原材料からSiO2、GeO2等の酸化物が生成され、こ
れらSiO2、GeO2等の酸化物がH2、O2等の火炎中でガラス
微粒子を形成し、母材表面に堆積し、多孔質プリフォー
ムを形成する。 したがって、本実施例によれば、ガラス原材料吹出ノズ
ル３の先端近傍の絞り部７においてSiCl4、GeCl4等の気
体状のガラス原材料流に渦流を生じさせることができ
る。このため、多孔質プリフォームの堆積効率を向上す
ることができる。 第２実施例（第４図〜第５図） 第４図〜第５図には、本発明に係る光ファイバ用多孔質
母材合成用トーチの第２実施例が示されている。 図において、10は、光ファイバ用多孔質母材合成用トー
チで、合成用トーチ本体11と、ガラス原材料吹出ノズル
12とによって構成されている。 本実施例が第１図図示第１実施例と異なる点は、SiC
l4、GeCl4等をガス状にしたガラス原材料が供給される
ガラス原材料供給パイプ13を合成用トーチ本体11の壁面
を貫通し、ガラス原材料吹出ノズル12に、該ガラス原材
料吹出ノズル12の内壁面円周方向に沿って吹き出し可能
に設けた点である。他は、第１図図示第１実施例と同一
である。 このように構成されるものであるから、ガラス原材料供
給パイプ13からは、SiCl4、GeCl4等をガス状にしたガラ
ス原材料が第５図図示矢印Ａに示す如く供給され、ガラ
ス原材料吹出ノズル12内に送り込まれる。このガラス原
材料吹出ノズル12内に送り込まれたSiCl4、GeCl4等ガス
は、ガラス原材料吹出ノズル12内壁に沿って送り込まれ
るため、第５図図示矢印Ｂに示す如く、ガラス原材料吹
出ノズル12内で渦流を発生する。 したがって、本実施例によれば、ガラス原材料吹出ノズ
ル12内に内壁面に沿って送り込まれるため、SiCl4、GeC
l4等の気体状のガラス原材料流に渦流を生じさせること
ができ、多孔質プリフォームの堆積効率を向上すること
ができる。 第３実施例（第６図） 第６図には、本発明に係る光ファイバ用多孔質母材合成
用トーチの第３実施例が示されている。 図において、20は、光ファイバ用多孔質母材合成用トー
チで、合成用トーチ本体21と、ガラス原材料吹出ノズル
22とによって構成されている。 本実施例が第１図図示第１実施例と異なる点は、ガラス
原材料供給パイプ23を介して、SiCl4、GeCl4等をガス状
にしたガラス原材料の供給されるガラス原材料吹出ノズ
ル22内部壁面に、螺旋状に形成される羽根24を形成した
点である。他は、第１図図示第１実施例と同一である。 このように構成されるものであるから、ガラス原材料供
給パイプ23から供給されるSiCl4、GeCl4等をガス状にし
たガラス原材料は、ガラス原材料吹出ノズル22内に送り
込まれて、ガラス原材料吹出ノズル22内部壁面に螺旋状
に設けられた羽根24によって、渦流となってガラス原材
料吹出ノズル22先端から吹き出される。 したがって、本実施例によれば、ガラス原材料吹出ノズ
ル12内に内壁面に螺旋状に羽根24が設けられているた
め、SiCl4、GeCl4等の気体状のガラス原材料流に渦流を
生じさせることができ、多孔質プリフォームの堆積効率
を向上することができる。 第４実施例（第７図） 第７図には、本発明に係る光ファイバ用多孔質母材合成
用トーチの第４実施例が示されている。 図において、30は、光ファイバ用多孔質母材合成用トー
チで、合成用トーチ本体31と、ガラス原材料吹出ノズル
32とによって構成されている。 本実施例が第１図図示第１実施例と異なる点は、ガラス
原材料吹出ノズル32内にSiCl4、GeCl4等をガス状にした
ガラス原材料を供給するガラス原材料供給パイプ13に加
え、ガラス原材料供給パイプ13よりもガラス原材料吹出
ノズル32の先端出口近傍に、該ガラス原材料吹出ノズル
32の内壁面円周方向に沿ってガス状のガラス原材料を吹
き出す第２のガラス原材料供給パイプ33を設けた点であ
る。他は、第１図図示第１実施例と同一である。 このように構成されるものであるから、ガラス原材料供
給パイプ13から供給されるSiCl4、GeCl4等をガス状にし
たガラス原材料は、ガラス原材料吹出ノズル32内を通り
上昇し、ガラス原材料吹出ノズル32の先端出口近傍で、
ガラス原材料供給パイプ33からSiCl4、GeCl4等をガス状
にしたガラス原材料が再度、ガラス原材料吹出ノズル32
内壁に沿って送り込まれる。このため、ガラス原材料吹
出ノズル32内で渦流を発生する。 したがって、本実施例によれば、ガラス原材料供給パイ
プ13から供給されるSiCl4、GeCl4等をガス状にしたガラ
ス原材料にガラス原材料供給パイプ33からガラス原材料
吹出ノズル32内壁に沿ってSiCl4、GeCl4等をガス状にし
たガラス原材料が再度吹き出されるため、SiCl4、GeCl4
等の気体状のガラス原材料流に渦流を生じさせることが
でき、多孔質プリフォームの堆積効率を向上することが
できる。 第５実施例（第８図） 第８図には、本発明に係る光ファイバ用多孔質母材合成
用トーチの第５実施例が示されている。 図において、40は、村光ファイバ用多孔質母材合成用ト
ーチで、合成用トーチ本体41と、ガラス原材料吹出ノズ
ル42とによって構成されている。 本実施例が第１図図示第１実施例と異なる点は、ガラス
原材料吹出ノズル42内にSiCl4、GeCl4等をガス状にした
ガラス原材料を供給するガラス原材料供給パイプ43をガ
ラス原材料吹出ノズル42の先端出口近傍に設けた点であ
る。他は、第１図図示第１実施例と同一である。 このように構成されるものであるから、ガラス原材料供
給パイプ43からは、SiCl4、GeCl4等をガス状にしたガラ
ス原材料が供給され、ガラス原材料吹出ノズル42内に送
り込まれる。このガラス原材料吹出ノズル42内に送り込
まれたSiCl4、GeCl4等をガス状にしたガラス原材料は、
ガラス原材料吹出ノズル42内部を移動していく。この
間、SiCl4、GeCl4等をガス状にしたガラス原材料のガラ
ス原材料吹出ノズル42内部での対空時間が短いため、層
流となる前にガラス原材料吹出ノズル42先端から吹き出
される。 したがって、本実施例によれば、ガラス原材料供給パイ
プ43から供給されるSiCl4、GeCl4等をガス状にしたガラ
ス原材料がガラス原材料吹出ノズル42内で層流になる前
に吹き出されるため、SiCl4、GeCl4等の気体状のガラス
原材料流に渦流を生じさせ、多孔質プリフォームの堆積
効率を向上することができる。
本発明は、以上説明したように構成されているので、以
下に記載されるような効果を奏する。 ガラス原材料吹出ノズルの内壁に開口面積を小さくする
絞り部を形成しているため、構造を簡単にすることがで
き、ガラス原材料流れ中に渦を発生させることができ、
かつ、トーチノズル内にガラス原材料が残留することな
く多孔質母材中に不純物が混入する恐れがなく多孔質プ
リフォームの堆積効率を向上することができる。 ガラス原材料供給パイプを上記ガラス原材料吹出ノズル
の内壁面円周方向に沿ってガス状にしたガラス原材料を
吹き出すように設けているため、構造を簡単にすること
ができ、ガラス原材料流れ中に渦を発生させることがで
き、かつ、トーチノズル内にガラス原材料が残留するこ
となく多孔質母材中に不純物が混入する恐れがなく多孔
質プリフォームの堆積効率を向上することができる。 ガラス原材料吹出ノズルの内壁面に螺旋状に形成される
羽根を設けているため、構造を簡単にすることができ、
ガラス原材料流れ中に渦を発生させることができ、多孔
質プリフォームの堆積を向上することができる。 ガラス原材料吹出ノズルの先端出口近傍に、該ガラス原
材料吹出ノズルの内壁面円周方向に沿ってガス状のガラ
ス原材料を吹き出す第２のガラス原材料供給パイプを設
け、該第２のガラス原材料供給パイプからもガラス原材
料を所定圧で上記ガラス原材料吹出ノズル内に供給する
ようにしてあるため、構造を簡単にすることができ、ガ
ラス原材料流れ中に渦を発生させることができ、多孔質
プリフォームの堆積効率を向上することができる。 ガラス原材料供給パイプをガラス原材料吹出ノズルの先
端出口近傍に設け、ガラス原材料吹出ノズル内の滞留時
間を短くするようにしてあるため、ガラス原材料の層流
を作り出すことなく、構造を簡単にでき、ガラス原材料
流れ中に渦を発生させることができ、多孔質プリフォー
ムの堆積効率を向上することができる。
下に記載されるような効果を奏する。 ガラス原材料吹出ノズルの内壁に開口面積を小さくする
絞り部を形成しているため、構造を簡単にすることがで
き、ガラス原材料流れ中に渦を発生させることができ、
かつ、トーチノズル内にガラス原材料が残留することな
く多孔質母材中に不純物が混入する恐れがなく多孔質プ
リフォームの堆積効率を向上することができる。 ガラス原材料供給パイプを上記ガラス原材料吹出ノズル
の内壁面円周方向に沿ってガス状にしたガラス原材料を
吹き出すように設けているため、構造を簡単にすること
ができ、ガラス原材料流れ中に渦を発生させることがで
き、かつ、トーチノズル内にガラス原材料が残留するこ
となく多孔質母材中に不純物が混入する恐れがなく多孔
質プリフォームの堆積効率を向上することができる。 ガラス原材料吹出ノズルの内壁面に螺旋状に形成される
羽根を設けているため、構造を簡単にすることができ、
ガラス原材料流れ中に渦を発生させることができ、多孔
質プリフォームの堆積を向上することができる。 ガラス原材料吹出ノズルの先端出口近傍に、該ガラス原
材料吹出ノズルの内壁面円周方向に沿ってガス状のガラ
ス原材料を吹き出す第２のガラス原材料供給パイプを設
け、該第２のガラス原材料供給パイプからもガラス原材
料を所定圧で上記ガラス原材料吹出ノズル内に供給する
ようにしてあるため、構造を簡単にすることができ、ガ
ラス原材料流れ中に渦を発生させることができ、多孔質
プリフォームの堆積効率を向上することができる。 ガラス原材料供給パイプをガラス原材料吹出ノズルの先
端出口近傍に設け、ガラス原材料吹出ノズル内の滞留時
間を短くするようにしてあるため、ガラス原材料の層流
を作り出すことなく、構造を簡単にでき、ガラス原材料
流れ中に渦を発生させることができ、多孔質プリフォー
ムの堆積効率を向上することができる。
第１図〜第３図は本発明に係る光ファイバ用多孔質母材
合成用トーチの第１実施例を示すもので、第１図は光フ
ァイバ用多孔質母材合成用トーチの一部断面全体斜視
図、第２図は第１図図示光ファイバ用多孔質母材合成用
トーチの断面正面図、第３図は第１図図示光ファイバ用
多孔質母材合成用トーチの正面図、第４図〜第５図は本
発明に係る光ファイバ用多孔質母材合成用トーチの第２
実施例を示すもので、第４図は光ファイバ用多孔質母材
合成用トーチの平面図、第５図は第１図図示光ファイバ
用多孔質母材合成用トーチの断面図、第６図は本発明に
係る光ファイバ用多孔質母材合成用トーチの第３実施例
を示す断面正面図、第７図は本発明に係る光ファイバ用
多孔質母材合成用トーチの第４実施例を示す断面正面
図、第８図は本発明に係る光ファイバ用多孔質母材合成
用トーチの第５実施例を示す断面正面図、第９図は従来
の光ファイバ用多孔質母材合成用トーチを示す図、第10
図は従来の光ファイバ用多孔質母材合成用トーチを示す
図、第11図はVAD法による多孔質プリフォームの製造方
法を示す図である。 1,10,20,30,40……光ファイバ用多孔質母材合成用トー
チ 2,11,21,31,41……合成用トーチ本体 3,12,22,32,42……ガラス原材料吹出ノズル 6,13,23,33,43……ガラス原材料供給パイプ ７……絞り部 24……羽根 33……第２のガラス原材料供給パイプ
合成用トーチの第１実施例を示すもので、第１図は光フ
ァイバ用多孔質母材合成用トーチの一部断面全体斜視
図、第２図は第１図図示光ファイバ用多孔質母材合成用
トーチの断面正面図、第３図は第１図図示光ファイバ用
多孔質母材合成用トーチの正面図、第４図〜第５図は本
発明に係る光ファイバ用多孔質母材合成用トーチの第２
実施例を示すもので、第４図は光ファイバ用多孔質母材
合成用トーチの平面図、第５図は第１図図示光ファイバ
用多孔質母材合成用トーチの断面図、第６図は本発明に
係る光ファイバ用多孔質母材合成用トーチの第３実施例
を示す断面正面図、第７図は本発明に係る光ファイバ用
多孔質母材合成用トーチの第４実施例を示す断面正面
図、第８図は本発明に係る光ファイバ用多孔質母材合成
用トーチの第５実施例を示す断面正面図、第９図は従来
の光ファイバ用多孔質母材合成用トーチを示す図、第10
図は従来の光ファイバ用多孔質母材合成用トーチを示す
図、第11図はVAD法による多孔質プリフォームの製造方
法を示す図である。 1,10,20,30,40……光ファイバ用多孔質母材合成用トー
チ 2,11,21,31,41……合成用トーチ本体 3,12,22,32,42……ガラス原材料吹出ノズル 6,13,23,33,43……ガラス原材料供給パイプ ７……絞り部 24……羽根 33……第２のガラス原材料供給パイプ
Claims (5)
- 【請求項１】円筒状に形成される合成用トーチ本体の内
部略中央に円筒状に形成されるガラス原材料吹出ノズル
を嵌合し、該ガラス原材料吹出ノズルからSiCl4、GeCl4
等をガス状にしたガラス原材料を供給し該ガラス原材料
吹出ノズルと合成用トーチ本体内壁との間からO2、H2ガ
スを供給して種石英棒の先端から多孔質プリフォームを
成長させる光ファイバ用多孔質母材合成用トーチにおい
て、上記ガラス原材料吹出ノズルの内壁に開口面積を小
さくする絞り部を形成したことを特徴とする光ファイバ
用多孔質母材合成用トーチ。 - 【請求項２】円筒状に形成される合成用トーチ本体の内
部略中央に外部からSiCl4、GeCl4等をガス状にしたガラ
ス原材料を供給するガラス原材料供給パイプが接続され
円筒状に形成されるガラス原材料吹出ノズルを嵌合し、
該ガラス原材料吹出ノズルからガラス原材料を供給し該
ガラス原材料吹出ノズルと合成用トーチ本体内壁との間
からO2、H2ガスを供給して種石英棒の先端から多孔質プ
リフォームを成長させる光ファイバ用多孔質母材合成用
トーチにおいて、上記ガラス原材料供給パイプを上記ガ
ラス原材料吹出ノズルの内壁面円周方向に沿ってガス状
にしたガラス原材料を吹き出すように設けたことを特徴
とする光ファイバ用多孔質母材合成用トーチ。 - 【請求項３】円筒状に形成される合成用トーチ本体の内
部略中央に円筒状に形成されるガラス原材料吹出ノズル
を嵌合し、該ガラス原材料吹出ノズルからSiCl4、GeCl4
等をガス状にしたガラス原材料を供給し該ガラス原材料
吹出ノズルと合成用トーチ本体内壁との間からO2、H2ガ
スを供給して種石英棒の先端から多孔質プリフォームを
成長させる光ファイバ用多孔質母材合成用トーチにおい
て、上記ガラス原材料吹出ノズルの内壁に螺旋状に形成
される羽根を形成したことを特徴とする光ファイバ用多
孔質母材合成用トーチ。 - 【請求項４】円筒状に形成される合成用トーチ本体の内
部略中央に外部からSiCl4、GeCl4等をガス状にしたガラ
ス原材料を供給するガラス原材料供給パイプが接続され
円筒状に形成されるガラス原材料吹出ノズルを嵌合し、
該ガラス原材料吹出ノズルからガラス原材料を供給し該
ガラス原材料吹出ノズルと合成用トーチ本体内壁との間
からO2、H2ガスを供給して種石英棒の先端から多孔質プ
リフォームを成長させる光ファイバ用多孔質母材合成用
トーチにおいて、上記ガラス原材料吹出ノズルの先端出
口近傍に、該ガラス原材料吹出ノズルの内壁面円周方向
に沿ってガス状のガラス原材料を吹き出す第２のガラス
原材料供給パイプを設け、該第２のガラス原材料供給パ
イプからもガラス原材料を所定圧で上記ガラス原材料吹
出ノズル内に供給するようにしたことを特徴とする光フ
ァイバ用多孔質母材合成用トーチ。 - 【請求項５】円筒状に形成される合成用トーチ本体の内
部略中央に外部からSiCl4、GeCl4等をガス状にしたガラ
ス原材料を供給するガラス原材料供給パイプが接続され
円筒状に形成されるガラス原材料吹出ノズルを嵌合し、
該ガラス原材料吹出ノズルからガラス原材料を供給し該
ガラス原材料吹出ノズルと合成用トーチ本体内壁との間
からO2、H2ガスを供給して種石英棒の先端から多孔質プ
リフォームを成長させる光ファイバ用多孔質母材合成用
トーチにおいて、上記ガラス原材料供給パイプを上記ガ
ラス原材料吹出ノズルの先端出口近傍に設け、ガラス原
材料吹出ノズル内の滞留時間を短くするようにしたこと
を特徴とする光ファイバ用多孔質母材合成用トーチ。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1205079A JPH0669898B2 (ja) | 1989-08-08 | 1989-08-08 | 光ファイバ用多孔質母材合成用トーチ |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1205079A JPH0669898B2 (ja) | 1989-08-08 | 1989-08-08 | 光ファイバ用多孔質母材合成用トーチ |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0369527A JPH0369527A (ja) | 1991-03-25 |
| JPH0669898B2 true JPH0669898B2 (ja) | 1994-09-07 |
Family
ID=16501075
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP1205079A Expired - Fee Related JPH0669898B2 (ja) | 1989-08-08 | 1989-08-08 | 光ファイバ用多孔質母材合成用トーチ |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0669898B2 (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US9564963B2 (en) | 1995-06-30 | 2017-02-07 | Interdigital Technology Corporation | Automatic power control system for a code division multiple access (CDMA) communications system |
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| WO2002098805A1 (en) * | 2001-05-30 | 2002-12-12 | Pirelli & C. S.P.A. | Method and burner for manufacturing a glass optical fibre preform by vapour deposition |
| US6688881B1 (en) * | 2002-08-09 | 2004-02-10 | Fitel Usa Corp. | Torch mount for high deposition glass torches |
| IN2014CN02480A (ja) * | 2011-09-29 | 2015-06-19 | Sumitomo Electric Industries | |
| JP6070323B2 (ja) | 2013-03-21 | 2017-02-01 | 大陽日酸株式会社 | 燃焼バーナ、バーナ装置、及び原料粉体加熱方法 |
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| JPS61116799A (ja) * | 1984-11-10 | 1986-06-04 | 荒田 吉明 | 軸供給型大出力プラズマジエツト発生装置 |
| JPS6261629A (ja) * | 1985-09-11 | 1987-03-18 | ウ−デ・ゲゼルシヤフト・ミト・ベシユレンクテル・ハフツング | 合成ガスを造るための装置 |
| JPS62133097A (ja) * | 1985-12-04 | 1987-06-16 | Nippon Denso Co Ltd | 半導体ウエハのめつき装置 |
| JPS63239800A (ja) * | 1987-03-27 | 1988-10-05 | 日本電子株式会社 | 誘導プラズマト−チ構造 |
-
1989
- 1989-08-08 JP JP1205079A patent/JPH0669898B2/ja not_active Expired - Fee Related
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Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH0369527A (ja) | 1991-03-25 |
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