JPH06349786A - Manufacture of semiconductor device - Google Patents
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- JPH06349786A JPH06349786A JP13478093A JP13478093A JPH06349786A JP H06349786 A JPH06349786 A JP H06349786A JP 13478093 A JP13478093 A JP 13478093A JP 13478093 A JP13478093 A JP 13478093A JP H06349786 A JPH06349786 A JP H06349786A
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Abstract
Description
【０００１】[0001]
【産業上の利用分野】本発明は、半導体装置の製造プロ
セスにおけるイオン注入済のレジストマスクの除去方法
に関する。BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to a method for removing an ion-implanted resist mask in a semiconductor device manufacturing process.
【０００２】[0002]
【従来の技術】図２にイオン注入前のレジストマスクの
断面図を示す。図において、２１は基板であり、２２は
レジストマスクである。イオン注入前のレジスト成分は
レジスト樹脂から構成されているが、このレジストマス
クにイオンが注入されると、イオン注入種（リン、ホウ
素、ヒ素等）がレジスト樹脂と化学結合し、図３に示す
ように、レジストマスクの表層が非常に固い変質層２３
となる。なお、イオン注入種の届かない下層は通常のレ
ジスト樹脂の状態で残り、これは不変質層２４と呼ばれ
ている。2. Description of the Related Art FIG. 2 shows a sectional view of a resist mask before ion implantation. In the figure, 21 is a substrate and 22 is a resist mask. The resist component before ion implantation is composed of a resist resin. When ions are implanted into this resist mask, ion-implanted species (phosphorus, boron, arsenic, etc.) chemically bond with the resist resin and are shown in FIG. As described above, the surface layer of the resist mask is a very hard altered layer 23.
Becomes The lower layer to which the ion-implanted species cannot reach remains in the state of a normal resist resin, which is called the invariant layer 24.
【０００３】図３に示すイオン注入後の使用済のレジス
トマスクの除去方法としては、伝統的には酸素プラズマ
アッシングプロセスが使用されてきた。このアッシング
方法は、プラズマ中のイオンの衝撃がイオン注入により
固く変質したレジスト変質層２３を壊し、同時にプラズ
マ中に生成された酸素原子がレジスト不変質層２４と酸
化反応することを利用して、イオン注入後の使用済のレ
ジストマスクを除去するものである。しかし、酸素プラ
ズマによるアッシングは、イオン注入によりレジスト中
に打ち込まれたイオン注入種（リン、ホウ素、ヒ素等）
の酸化物を生成する。リン、ホウ素、ヒ素等の酸化物は
揮発しにくいので、基板上に残渣として残留する。この
残渣は後処理の薬液処理によって除去することができる
が、一度除去された成分が溶液中で再付着することがあ
り、歩留りを下げる原因となっていた。As a method of removing the used resist mask after the ion implantation shown in FIG. 3, an oxygen plasma ashing process has been traditionally used. This ashing method utilizes that the bombardment of ions in the plasma destroys the resist-altered layer 23 that has been hard-altered by ion implantation, and at the same time, the oxygen atoms generated in the plasma oxidize with the resist-altered layer 24. The used resist mask after the ion implantation is removed. However, ashing with oxygen plasma is performed by ion implantation species (phosphorus, boron, arsenic, etc.) implanted in the resist by ion implantation.
Produces oxides of. Since oxides of phosphorus, boron, arsenic, etc. are hard to volatilize, they remain as a residue on the substrate. This residue can be removed by a post-treatment with a chemical solution, but once removed components may reattach in the solution, causing a reduction in yield.
【０００４】そこで、イオン注入種の酸化物を生成しな
いプロセスとして水素プラズマプロセスが考案された。
リン、ホウ素またはヒ素と水素との化合物は揮発し易い
ことがよく知られており、実際に水素プラズマを使用し
て処理したところ残渣なしにレジストマスクを除去する
ことができた。ところが、水素プラズマプロセスではア
ッシング速度が極めて遅い。そこで、水素に少量の水蒸
気を添加することによりアッシング速度を高める方法が
考案された。この方法は、少量の水蒸気の添加がアッシ
ングの反応種である水素の解離率を高めているためと考
えられる。Therefore, a hydrogen plasma process has been devised as a process that does not generate oxides of ion-implanted species.
It is well known that the compound of phosphorus, boron or arsenic and hydrogen is easily volatilized, and it was possible to remove the resist mask without residue when actually treating with hydrogen plasma. However, the ashing rate is extremely slow in the hydrogen plasma process. Therefore, a method of increasing the ashing rate by adding a small amount of water vapor to hydrogen has been devised. This method is considered to be because the addition of a small amount of water vapor increases the dissociation rate of hydrogen, which is a reaction species of ashing.
【０００５】イオン注入によってレジストが固く変質す
る変質層２３は、レジストマスクの表面層（上面、側
面）であり、水素と水蒸気の混合ガスプラズマプロセス
によってこの固い変質層２３が除去されると内部の不変
質層２４が現れる。この不変質層２４の除去には、酸素
ガスを主に使用するダウンフローアッシングプロセスが
有効である。この理由は、ウェーハのプラズマ照射時間
をなるべく短くすることで、プラズマによるダメージを
最小限にとゞめることができるからである。それゆえ、
イオン注入済のレジストマスクの除去には、水素と水蒸
気の混合ガスプラズマ処理と酸素ガスプラズマのダウン
フロー処理との２ステップアッシングプロセスが近年使
用されるようになった。The modified layer 23 in which the resist is hardly modified by the ion implantation is the surface layer (top surface, side surface) of the resist mask, and when the hard modified layer 23 is removed by the mixed gas plasma process of hydrogen and water vapor, the inside of The unaltered layer 24 appears. A downflow ashing process which mainly uses oxygen gas is effective for removing the non-altered layer 24. The reason for this is that by shortening the plasma irradiation time of the wafer as much as possible, damage due to plasma can be minimized. therefore,
In recent years, a two-step ashing process including a mixed gas plasma treatment of hydrogen and water vapor and a downflow treatment of oxygen gas plasma has been used to remove the resist mask after the ion implantation.
【０００６】[0006]
【発明が解決しようとする課題】イオン注入済のレジス
トマスクの表面層には、イオン注入種（リン、ホウ素、
ヒ素等）以外にも、イオン注入装置の構成材料である金
属（アルミニウムが多い）が存在する。これらの金属
は、図４に示すように、レジストマスクの表面に薄い金
属膜２５を形成している。この膜質は一般に酸化アルミ
ニウム系の膜であることが多く、どの程度の厚さの膜が
形成されるかはイオン注入装置の状態によって異なる。The surface layer of an ion-implanted resist mask has ion-implanted species (phosphorus, boron,
In addition to arsenic), there is a metal (mostly aluminum) that is a constituent material of the ion implantation device. As shown in FIG. 4, these metals form a thin metal film 25 on the surface of the resist mask. Generally, the film quality is often an aluminum oxide film, and the thickness of the film to be formed depends on the state of the ion implantation apparatus.
【０００７】この金属膜２５の厚さが薄く、また密度が
低い場合には、前記の第１ステッププロセスである水素
と水蒸気の混合ガスプラズマ処理におけるイオン衝撃に
よって除去することができる。しかし、金属膜２５の膜
厚が厚く、また密度が高い場合には、前記の第２ステッ
ププロセスの酸素ガスプラズマのダウンフロー処理後
も、図５に示すように残渣として基板２１上に残留す
る。この残渣は後処理のフッ酸溶液処理によるリフトオ
フやアルカリ溶液処理によって除去することもできる
が、一度除去された成分が溶液中で再付着したりして歩
留りを低下させる原因となっている。When the metal film 25 is thin and has a low density, it can be removed by ion bombardment in the mixed gas plasma treatment of hydrogen and water vapor, which is the first step process. However, when the metal film 25 is thick and has a high density, it remains as a residue on the substrate 21 as shown in FIG. 5 even after the down-flow treatment of the oxygen gas plasma in the second step process. . Although this residue can be removed by lift-off by post-treatment with hydrofluoric acid solution or by treatment with an alkaline solution, it causes re-adhesion of the once-removed component in the solution, which causes a decrease in yield.
【０００８】本発明の目的は、この欠点を解消すること
にあり、イオン注入済のレジストマスクの除去方法にお
いて、レジストマスク表面に形成されたイオン注入装置
の構成材料である金属からなる薄膜が残渣として残留し
ないようにする除去方法を提供することにある。An object of the present invention is to eliminate this drawback. In the method of removing a resist mask after ion implantation, a thin film made of metal, which is a constituent material of the ion implantation apparatus, formed on the surface of the resist mask is a residue. The purpose is to provide a removal method that prevents the residual.
【０００９】[0009]
【課題を解決するための手段】上記の目的は、下記のい
ずれの手段によっても達成される。The above object can be achieved by any of the following means.
【００１０】第１の手段は、水素と水蒸気と不活性ガス
の混合ガスプラズマ処理をなした後、少なくとも酸素を
含むガスプラズマのダウンフロー処理をなしてイオン注
入済のレジストマスクを除去するものである。The first means is to perform a mixed gas plasma treatment of hydrogen, water vapor and an inert gas, and then perform a downflow treatment of a gas plasma containing at least oxygen to remove the ion-implanted resist mask. is there.
【００１１】第２の手段は、不活性ガスプラズマ処理を
なした後、水素と水蒸気の混合ガスプラズマ処理をな
し、さらに少なくとも酸素を含むガスプラズマのダウン
フロー処理をなしてイオン注入済のレジストマスクを除
去するものである。The second means is to perform an inert gas plasma treatment, then perform a mixed gas plasma treatment of hydrogen and water vapor, and further perform a downflow treatment of a gas plasma containing at least oxygen to perform ion implantation of a resist mask. Is to be removed.
【００１２】第３の手段は、水素と水蒸気の混合ガスプ
ラズマ処理をなした後、不活性ガスプラズマ処理をな
し、さらに少なくとも酸素を含むガスプラズマのダウン
フロー処理をなしてイオン注入済のレジストマスクを除
去するものである。A third means is a mixed gas plasma treatment of hydrogen and water vapor, an inert gas plasma treatment, and a down-flow treatment of a gas plasma containing at least oxygen. Is to be removed.
【００１３】なお、前記の不活性ガスはアルゴン、キセ
ノン、または、クリプトンであることが好ましい。The inert gas is preferably argon, xenon or krypton.
【００１４】[0014]
【作用】レジストマスクの表面に形成される金属膜の成
分をμ−ＡＥＳ（μ−オージェ電子分光法）を使用して
調査した結果、主にＡｌ2 Ｏ3 であることが判明した。
このＡｌ2 Ｏ3 は非常に安定な物質として知られてい
る。この主としてＡｌ2 Ｏ 3 からなる金属膜をドライ処
理によって除去することができれば、従来の２ステップ
アッシングプロセスに容易に組み込むことができること
に着目して研究した結果、アルゴンやキセノンのガスプ
ラズマ処理をなすことによってこの金属膜を除去しうる
ことを見出した。そこで、従来のレジストマスクの除去
プロセスの第１ステップである水素と水蒸気の混合ガス
プラズマ処理の前または後に不活性ガスプラズマ処理を
追加するか、または、水素と水蒸気に不活性ガスを混入
した混合ガスプラズマ処理を実施することによって、レ
ジストマスク表面に形成されたイオン注入装置の構成材
料である金属からなる薄膜が残留することなくイオン注
入済のレジストマスクを良好に除去することを可能にし
た。[Function] Formation of the metal film formed on the surface of the resist mask
Minutes using μ-AES (μ-Auger electron spectroscopy)
As a result of the investigation, mainly Al2O3It turned out to be
This Al2O3Is known as a very stable substance
It This mainly Al2O 3Drying a metal film made of
If it can be removed by reason, the conventional two steps
Easy integration into the ashing process
As a result of research focusing on the
This metal film can be removed by performing a plasma treatment.
I found that. Therefore, conventional resist mask removal
Mixed gas of hydrogen and steam, the first step of the process
Inert gas plasma treatment before or after plasma treatment
Add or mix hydrogen and steam with inert gas
By performing the mixed gas plasma treatment described above.
Constituent material of ion implantation equipment formed on the surface of dystomask
Ion injection without leaving a thin film of metal
Enables good removal of the resist mask that has already entered
It was
【００１５】[0015]
【実施例】以下、図面を参照して本発明の三つの実施例
に係るイオン注入済のレジストマスクの除去方法につい
て説明する。DETAILED DESCRIPTION OF THE PREFERRED EMBODIMENTS A method for removing an ion-implanted resist mask according to three embodiments of the present invention will be described below with reference to the drawings.
【００１６】図１参照 図１は、本発明に係るレジストマスクの除去方法に使用
される２ステップアッシング装置の構成図である。図に
おいて左側のチャンバーは金属薄膜と変質層とをプラズ
マ処理により除去するカソードカップル型平行平板式Ｒ
ＩＥチャンバーであって、１はアノード電極であり、２
はウェーハを載置するカソード電極であり、３はガス導
入口であり、４はガス排気口であり、５は高周波電源で
ある。また、右側のチャンバーは不変質層をダウンフロ
ー処理により除去するダウンフローチャンバーであっ
て、６はプラズマ発生室であり、７はガス導入口であ
り、８はマイクロ波導波管であり、９はマイクロ波透過
窓であり、１０はウェーハを載置するウェーハステージ
であり、１１はガス排気口である。１２はウェーハ運搬
アームである。FIG. 1 is a block diagram of a two-step ashing apparatus used in the method of removing a resist mask according to the present invention. The chamber on the left side of the drawing is a cathode-coupled parallel plate type R for removing the metal thin film and the altered layer by plasma treatment.
IE chamber, 1 is an anode electrode, 2
Is a cathode electrode on which a wafer is placed, 3 is a gas inlet, 4 is a gas outlet, and 5 is a high frequency power source. Further, the chamber on the right side is a downflow chamber for removing the unaltered layer by downflow processing, 6 is a plasma generation chamber, 7 is a gas inlet, 8 is a microwave waveguide, and 9 is A microwave transmission window, 10 is a wafer stage on which a wafer is placed, and 11 is a gas exhaust port. Reference numeral 12 is a wafer carrying arm.
【００１７】この装置を使用してアッシング処理される
サンプルは、シリコン基板上にレジストを塗布してパタ
ーニングした後、イオン注入したもので、イオン注入種
としてはリン、ホウ素またはヒ素を使用し、イオン注入
条件は、１例として加速エネルギー７０ＫｅＶ、ドーズ
量１×１０16／ｃｍ2 とした。The sample to be ashed by using this apparatus is one in which a resist is applied on a silicon substrate, patterned and then ion-implanted. Phosphorus, boron or arsenic is used as an ion-implantation species. The implantation conditions are, for example, an acceleration energy of 70 KeV and a dose of 1 × 10 16 / cm 2 .
【００１８】アッシング処理の手順としては、まず第１
ステップとして図４に示すサンプルをＲＩＥチャンバー
のカソード電極２上に載置して表面の金属薄膜２５と変
質層２３とをプラズマ処理により除去した後、ウェーハ
搬送アーム１２を使用してサンプルをダウンフローチャ
ンバーのウェーハステージ１０上に移送し、第２ステッ
プとして不変質層２４をダウンフロー処理により除去す
る。The first ashing procedure is as follows.
As a step, the sample shown in FIG. 4 is placed on the cathode electrode 2 of the RIE chamber to remove the metal thin film 25 and the altered layer 23 on the surface by plasma treatment, and then the sample is down-flowed using the wafer transfer arm 12. The wafer is transferred onto the wafer stage 10 in the chamber, and as a second step, the invariant layer 24 is removed by downflow processing.
【００１９】第１例 各チャンバーの処理条件を以下に示す。 First Example The processing conditions of each chamber are shown below.
【００２０】〔ＲＩＥチャンバー（第１ステップ）〕Ｒ
Ｆパワー＝５００Ｗ、Ｈ2 流量＝４００ｓｃｃｍ、Ｈ2
Ｏ流量＝１００ｓｃｃｍ、Ａｒ流量＝５０ｓｃｃｍ、圧
力＝１．０Ｔｏｒｒ、ウェーハステージ温度＝５℃[RIE chamber (first step)] R
F power = 500 W, H 2 flow rate = 400 sccm, H 2
O flow rate = 100 sccm, Ar flow rate = 50 sccm, pressure = 1.0 Torr, wafer stage temperature = 5 ° C.
【００２１】〔ダウンフローチャンバー（第２ステッ
プ）〕マイクロ波パワー＝１．５ＫＷ、Ｏ2 流量＝１３
５０ｓｃｃｍ、Ｈ2 Ｏ流量＝１５０ｓｃｃｍ、圧力＝
１．０Ｔｏｒｒ、ウェーハステージ温度＝２００℃[Down flow chamber (second step)] Microwave power = 1.5 kW, O 2 flow rate = 13
50 sccm, H 2 O flow rate = 150 sccm, pressure =
1.0 Torr, wafer stage temperature = 200 ° C
【００２２】上記の第１ステップと第２ステップの処理
を実施した結果、レジストマスクは完全に除去され、し
かも、イオン注入装置の構成材料である金属がイオン注
入時にスパッタされてレジストマスク表層に形成された
薄い金属膜２５も残留することなく除去された。As a result of carrying out the above-mentioned first step and second step, the resist mask is completely removed, and moreover, the metal which is the constituent material of the ion implantation apparatus is sputtered at the time of ion implantation to form on the surface layer of the resist mask. The thin metal film 25 thus removed was also removed without remaining.
【００２３】第２例 各チャンバーの処理条件を以下に示す。 Second Example The processing conditions of each chamber are shown below.
【００２４】〔ＲＩＥチャンバー（第１ステップ）〕最
初にアルゴンプラズマ処理によって金属薄膜２５を除去
し、次いで水素と水蒸気の混合ガスプラズマ処理によっ
て変質層２３を除去する。 （１）金属薄膜の除去条件 ＲＦパワー＝３００Ｗ、Ａｒ流量＝５０ｓｃｃｍ、圧力
＝１．０Ｔｏｒｒ、ウェーハステージ温度＝５℃ （２）変質層の除去条件 ＲＦパワー＝５００Ｗ、Ｈ2 流量＝４００ｓｃｃｍ、Ｈ
2 Ｏ流量＝１００ｓｃｃｍ、圧力＝１．０Ｔｏｒｒ、ウ
ェーハステージ温度＝５℃[RIE Chamber (First Step)] First, the metal thin film 25 is removed by argon plasma treatment, and then the altered layer 23 is removed by mixed gas plasma treatment of hydrogen and water vapor. (1) Removal condition of metal thin film RF power = 300 W, Ar flow rate = 50 sccm, pressure = 1.0 Torr, wafer stage temperature = 5 ° C. (2) Removal layer removal condition RF power = 500 W, H 2 flow rate = 400 sccm, H
2 O flow rate = 100 sccm, pressure = 1.0 Torr, wafer stage temperature = 5 ° C.
【００２５】〔ダウンフローチャンバー（第２ステッ
プ）〕マイクロ波パワー＝１．５ＫＷ、Ｏ2 流量＝１３
５０ｓｃｃｍ、Ｈ2 Ｏ流量＝１５０ｓｃｃｍ、圧力＝
１．０Ｔｏｒｒ、ウェーハステージ温度＝２００℃[Down flow chamber (second step)] Microwave power = 1.5 kW, O 2 flow rate = 13
50 sccm, H 2 O flow rate = 150 sccm, pressure =
1.0 Torr, wafer stage temperature = 200 ° C
【００２６】上記の第１ステップと第２ステップの処理
を実施した結果、レジストマスクは完全に除去され、し
かも、イオン注入装置の構成材料である金属がイオン注
入時にスパッタされてレジストマスク表層に形成された
薄い金属膜２５も残留することなく除去された。As a result of carrying out the above-mentioned first step and second step, the resist mask is completely removed, and the metal, which is a constituent material of the ion implantation apparatus, is sputtered during the ion implantation to form on the surface layer of the resist mask. The thin metal film 25 thus removed was also removed without remaining.
【００２７】第３例 各チャンバーの処理条件を以下に示す。 Third Example The processing conditions of each chamber are shown below.
【００２８】〔ＲＩＥチャンバー（第１ステップ）〕最
初に水素と水蒸気の混合ガスプラズマ処理によって変質
層を除去し、次いでアルゴンプラズマ処理によって金属
薄膜を除去する。 （１）変質層の除去条件 ＲＦパワー＝５００Ｗ、Ｈ2 流量＝４００ｓｃｃｍ、Ｈ
2 Ｏ流量＝１００ｓｃｃｍ、圧力＝１．０Ｔｏｒｒ、ウ
ェーハステージ温度＝５℃ （２）金属薄膜の除去条件 ＲＦパワー＝３００Ｗ、Ａｒ流量＝５０ｓｃｃｍ、圧力
＝１．０Ｔｏｒｒ、ウェーハステージ温度＝５℃[RIE Chamber (First Step)] First, the deteriorated layer is removed by a mixed gas plasma treatment of hydrogen and water vapor, and then the metal thin film is removed by an argon plasma treatment. (1) Conditions for removing deteriorated layer RF power = 500 W, H 2 flow rate = 400 sccm, H
2 O flow rate = 100 sccm, pressure = 1.0 Torr, wafer stage temperature = 5 ° C. (2) Removal condition of metal thin film RF power = 300 W, Ar flow rate = 50 sccm, pressure = 1.0 Torr, wafer stage temperature = 5 ° C.
【００２９】〔ダウンフローチャンバー（第２ステッ
プ）〕マイクロ波パワー＝１．５ＫＷ、Ｏ2 流量＝１３
５０ｓｃｃｍ、Ｈ2 Ｏ流量＝１５０ｓｃｃｍ、圧力＝
１．０Ｔｏｒｒ、ウェーハステージ温度＝２００℃[Down flow chamber (second step)] Microwave power = 1.5 kW, O 2 flow rate = 13
50 sccm, H 2 O flow rate = 150 sccm, pressure =
1.0 Torr, wafer stage temperature = 200 ° C
【００３０】上記の第１ステップと第２ステップの処理
を実施した結果、レジストマスクは完全に除去され、し
かも、イオン注入装置の構成材料である金属がイオン注
入時にスパッタされてレジストマスク表層に形成された
薄い金属膜２５も残留することなく除去された。As a result of performing the above-mentioned first step and second step, the resist mask is completely removed, and moreover, the metal which is a constituent material of the ion implantation apparatus is sputtered during the ion implantation to form on the surface layer of the resist mask. The thin metal film 25 thus removed was also removed without remaining.
【００３１】比較例 比較のため、従来のレジストマスクの除去方法における
各チャンバーの処理条件と処理結果とについて以下に示
す。 Comparative Example For comparison, the processing conditions and processing results of each chamber in the conventional resist mask removing method are shown below.
【００３２】〔ＲＩＥチャンバー（第１ステップ）〕Ｒ
Ｆパワー＝５００Ｗ、Ｈ2 流量＝４００ｓｃｃｍ、Ｈ2
Ｏ流量＝１００ｓｃｃｍ、圧力＝１．０Ｔｏｒｒ、ウェ
ーハステージ温度＝５℃[RIE chamber (first step)] R
F power = 500 W, H 2 flow rate = 400 sccm, H 2
O flow rate = 100 sccm, pressure = 1.0 Torr, wafer stage temperature = 5 ° C.
【００３３】〔ダウンフローチャンバー（第２ステッ
プ）〕マイクロ波パワー＝１．５ＫＷ、Ｏ2 流量＝１３
５０ｓｃｃｍ、Ｈ2 Ｏ流量＝１５０ｓｃｃｍ、圧力＝
１．０Ｔｏｒｒ、ウェーハステージ温度＝２００℃[Down flow chamber (second step)] Microwave power = 1.5 kW, O 2 flow rate = 13
50 sccm, H 2 O flow rate = 150 sccm, pressure =
1.0 Torr, wafer stage temperature = 200 ° C
【００３４】上記の第１ステップと第２ステップの処理
を実施した結果、レジストマスクは完全に除去できた
が、イオン注入装置の構成材料である金属がイオン注入
時にスパッタされてレジストマスク表面に形成された金
属薄膜２５は、図５に示すように残渣として残留した。As a result of performing the above-mentioned first step and second step, the resist mask could be completely removed, but the metal which is the constituent material of the ion implantation apparatus was sputtered during the ion implantation and formed on the surface of the resist mask. The formed metal thin film 25 remained as a residue as shown in FIG.
【００３５】[0035]
【発明の効果】以上説明したとおり、本発明に係る半導
体装置の製造方法においては、第１ステップとして水素
と水蒸気の混合ガスプラズマ処理の前または後に不活性
ガスプラズマ処理を実施するか、または、水素と水蒸気
と不活性ガスの混合ガスプラズマ処理を実施し、第２ス
テップとして酸素ガスプラズマのダウンフロー処理を実
施することによって、イオン注入装置の構成材料である
金属がイオン注入時にスパッタされてレジストマスク表
層に形成された金属薄膜を含めてイオン注入済のレジス
トマスクを完全に除去することができるので、半導体装
置の製造歩留りの向上とコストダウンとに寄与するとこ
ろが大きい。As described above, in the method of manufacturing a semiconductor device according to the present invention, as the first step, the inert gas plasma treatment is performed before or after the mixed gas plasma treatment of hydrogen and water vapor, or By performing a mixed gas plasma treatment of hydrogen, water vapor, and an inert gas, and performing a downflow treatment of an oxygen gas plasma as a second step, the metal that is a constituent material of the ion implantation apparatus is sputtered at the time of ion implantation and resist. Since the ion-implanted resist mask including the metal thin film formed on the mask surface layer can be completely removed, it largely contributes to the improvement of the manufacturing yield of the semiconductor device and the cost reduction.
【図１】イオン注入済のレジストマスクの除去に使用さ
れる装置の構成図である。FIG. 1 is a configuration diagram of an apparatus used for removing an ion-implanted resist mask.
【図２】イオン注入前のレジストマスクの断面図であ
る。FIG. 2 is a sectional view of a resist mask before ion implantation.
【図３】イオン注入後のレジストマスクの断面図であ
る。FIG. 3 is a cross-sectional view of a resist mask after ion implantation.
【図４】イオン注入装置の構成材料である金属からなる
膜が表面に形成されたレジストマスクの断面図である。FIG. 4 is a cross-sectional view of a resist mask on the surface of which a film made of metal, which is a constituent material of the ion implantation apparatus, is formed.
【図５】従来技術によるレジストマスク除去後の状態を
示す断面図である。FIG. 5 is a cross-sectional view showing a state after removing a resist mask by a conventional technique.
１ アノード電極 ２ カソード電極 ３ ガス導入口 ４ ガス排気口 ５ 高周波電源 ６ プラズマ発生室 ７ ガス導入口 ８ マイクロ波導波管 ９ マイクロ波透過窓 １０ ウェーハステージ １１ ガス排気口 １２ ウェーハ搬送アーム ２１ 基板 ２２ レジストマスク ２３ 変質層 ２４ 不変質層 ２５ 金属薄膜 1 Anode Electrode 2 Cathode Electrode 3 Gas Inlet 4 Gas Exhaust 5 High Frequency Power 6 Plasma Generation Chamber 7 Gas Inlet 8 Microwave Waveguide 9 Microwave Transmission Window 10 Wafer Stage 11 Gas Exhaust 12 Wafer Transfer Arm 21 Substrate 22 Resist Mask 23 Altered layer 24 Invariant layer 25 Metal thin film
Claims (4)
ラズマ処理をなした後、少なくとも酸素を含むガスプラ
ズマのダウンフロー処理をなしてイオン注入済のレジス
トマスクを除去する工程を有することを特徴とする半導
体装置の製造方法。1. A step of removing the ion-implanted resist mask by performing a mixed gas plasma treatment of hydrogen, water vapor and an inert gas, and then performing a downflow treatment of a gas plasma containing at least oxygen. And a method for manufacturing a semiconductor device.
素と水蒸気の混合ガスプラズマ処理をなし、さらに少な
くとも酸素を含むガスプラズマのダウンフロー処理をな
してイオン注入済のレジストマスクを除去する工程を有
することを特徴とする半導体装置の製造方法。2. A step of removing an ion-implanted resist mask by performing a mixed gas plasma treatment of hydrogen and water vapor after performing an inert gas plasma treatment and further performing a downflow treatment of a gas plasma containing at least oxygen. A method of manufacturing a semiconductor device, comprising:
なした後、不活性ガスプラズマ処理をなし、さらに少な
くとも酸素を含むガスプラズマのダウンフロー処理をな
してイオン注入済のレジストマスクを除去する工程を有
することを特徴とする半導体装置の製造方法。3. A step of removing an ion-implanted resist mask by performing an inert gas plasma treatment after performing a mixed gas plasma treatment of hydrogen and water vapor, and further performing a downflow treatment of a gas plasma containing at least oxygen. A method of manufacturing a semiconductor device, comprising:
または、クリプトンであることを特徴とする請求項１、
２、または、３記載の半導体装置の製造方法。4. The inert gas is argon, xenon,
Alternatively, it is krypton.
2. The method for manufacturing a semiconductor device according to 2 or 3.
Priority Applications (1)
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|---|---|---|---|
| JP13478093A JPH06349786A (en) | 1993-06-04 | 1993-06-04 | Manufacture of semiconductor device |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP13478093A JPH06349786A (en) | 1993-06-04 | 1993-06-04 | Manufacture of semiconductor device |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH06349786A true JPH06349786A (en) | 1994-12-22 |
Family
ID=15136386
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
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| JP13478093A Withdrawn JPH06349786A (en) | 1993-06-04 | 1993-06-04 | Manufacture of semiconductor device |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH06349786A (en) |
Cited By (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
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-
1993
- 1993-06-04 JP JP13478093A patent/JPH06349786A/en not_active Withdrawn
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