JPH06325868A - Thin film electroluminescent panel - Google Patents

Thin film electroluminescent panel

Info

Publication number
JPH06325868A
JPH06325868A JP5178397A JP17839793A JPH06325868A JP H06325868 A JPH06325868 A JP H06325868A JP 5178397 A JP5178397 A JP 5178397A JP 17839793 A JP17839793 A JP 17839793A JP H06325868 A JPH06325868 A JP H06325868A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
substrate
sealing
thin film
sealing substrate
panel
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Pending
Application number
JP5178397A
Other languages
Japanese (ja)
Inventor
Harutaka Taniguchi
春隆 谷口
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Fuji Electric Co Ltd
Original Assignee
Fuji Electric Co Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Fuji Electric Co Ltd filed Critical Fuji Electric Co Ltd
Priority to JP5178397A priority Critical patent/JPH06325868A/en
Publication of JPH06325868A publication Critical patent/JPH06325868A/en
Pending legal-status Critical Current

Links

Landscapes

  • Electroluminescent Light Sources (AREA)

Abstract

PURPOSE:To provide a sealed base board for protecting an EL element formed on a glass base board from the outside air so that the sealed base board is unlikely to go in breakage as much as the glass base board and also suppress the material cost and processing cost. CONSTITUTION:A sealed base board is formed from a composite material with metal layers 22 laminated on at least either surface of an organic resin 22. This allows suppression of the costs, facilitates the processing, prevents breakage because of flexibility of the organic resin. and gives a sealing effect with the low moisture permeability of the metal. The electromagnetic waves emitted from EL element can be shielded simply by grounding the metal layer 22 of sealed base board.

Description

【発明の詳細な説明】Detailed Description of the Invention

【0001】[0001]

【産業上の利用分野】本発明は、交流電界型の薄膜エレ
クトロルミネセンス (EL) 素子を外気の影響から保護
するために封止した薄膜ELパネルに関する。
BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to a thin film EL panel in which an AC electric field type thin film electroluminescence (EL) element is sealed in order to protect it from the influence of outside air.

【0002】[0002]

【従来の技術】電界の印加によりELを呈する薄膜EL
素子は、高輝度発光、高解像度および大表示容量化が可
能であることから、薄型表示装置用のパネルとして注目
されている。一般的な薄膜ELパネルは、図2、図3あ
るいは図4に示すように構成されている。図2にデータ
線側断面構造を示すELパネルでは、透明なガラス基板
上に、薄膜積層構造のEL素子が形成されている。これ
は、透明ガラス基板10上に、InO2 やSnO2 あるいはI
TO (In2 3 ・SnO2 ) からなる多数の平行な帯状の
透明下部電極1を設け、その透明電極1の上にAl
2 3 、Si3 4 、SiO2 、TaO5 、TiO2 等の何れか
からなる第一の誘電体層 (第一絶縁層) 2をスパッタリ
ング法、電子ビーム蒸着法あるいは原子層エピタキシャ
ル成長法 (以下ALE法と略す) 等で形成される。次
に、第一絶縁層の上にスパッタリング法, 電子ビーム蒸
着法あるいはALE法等により形成したZnS発光層3を
形成し、そのあと、第二の誘電体層4を第一誘電体層2
と同様な材料と形成手段で形成する。次に、スパッタリ
ング法や電子ビーム蒸着法によりAl等からなる電極層を
形成し、前記透明下部電極1と直交するようにフォトリ
ソグラフィ法でストライプパターン化して背面電極5と
する。このELパネルは、透明電極2と背面電極5との
交点に対応するEL発光層3の部分を各画素とし、交流
電源30より所定の電圧を印加することによりEL発光さ
せた表示光を透明ガラス基板10側より取り出すようにな
っている。
2. Description of the Related Art A thin film EL that exhibits EL when an electric field is applied.
The element is attracting attention as a panel for a thin display device because it can emit high-luminance light, have high resolution, and have a large display capacity. A general thin film EL panel is constructed as shown in FIG. 2, FIG. 3 or FIG. In the EL panel whose data line side cross-sectional structure is shown in FIG. 2, an EL element having a thin film laminated structure is formed on a transparent glass substrate. This consists of InO 2 , SnO 2 or I on a transparent glass substrate 10.
A large number of parallel strip-shaped transparent lower electrodes 1 made of TO (In 2 O 3 .SnO 2 ) are provided, and Al is formed on the transparent electrodes 1.
A first dielectric layer (first insulating layer) 2 made of any one of 2 O 3 , Si 3 N 4 , SiO 2 , TaO 5 , TiO 2, etc. is formed by a sputtering method, an electron beam evaporation method or an atomic layer epitaxial growth method ( Hereinafter, abbreviated as ALE method) or the like. Next, a ZnS light emitting layer 3 formed by a sputtering method, an electron beam evaporation method, an ALE method or the like is formed on the first insulating layer, and then the second dielectric layer 4 is formed on the first dielectric layer 2.
It is formed by the same material and forming means. Next, an electrode layer made of Al or the like is formed by a sputtering method or an electron beam evaporation method, and a stripe pattern is formed by a photolithography method so as to be orthogonal to the transparent lower electrode 1 to form a back electrode 5. In this EL panel, the portion of the EL light emitting layer 3 corresponding to the intersection of the transparent electrode 2 and the back electrode 5 is used as each pixel, and the display light emitted by EL by applying a predetermined voltage from the AC power supply 30 is transparent glass. It is designed to be taken out from the substrate 10 side.

【0003】しかし、このように上面が開放されたまま
の状態では、外気中の水分や汚染物質により実用的な表
示ができなくなるおそれがあり、上面をカバーで覆う必
要があるが、単に覆っただけでは、発光層3をはさんで
積層される第一、第二の誘電体層2、4に積層の際に発
生した多数のピンホールやマイクロクラックが含まれて
いるため、これらの欠陥を通じて発光層3内にカバーの
内側の空間から湿気が侵入し易く、これが原因でEL発
光損失による発熱や層間剥離その他によってEL素子特
性の劣化等を招く。
However, in the state where the upper surface is left open as described above, there is a possibility that practical display cannot be performed due to moisture and contaminants in the outside air. Therefore, it is necessary to cover the upper surface with the cover, but it is simply covered. However, since the first and second dielectric layers 2 and 4 sandwiching the light emitting layer 3 contain many pinholes and microcracks generated during the stacking, Moisture easily enters into the light emitting layer 3 from the space inside the cover, which causes heat generation due to EL light emission loss, delamination of the layer, and the like, resulting in deterioration of EL element characteristics.

【0004】図3、図4はその対策として提案され、実
用化されたELパネル封止構造を示す。図3では、ガラ
ス基板10上の透明電極2の上に透湿度の低いエポキシ樹
脂等のシール材6をスクリーン印刷等により塗布し、そ
の上に封止ガラス基板の周辺部を接触させ、加熱硬化に
より接着する。これによって生ずる空間部12に注入口7
から液状体のシリコーン油を注入して充満し、その注入
口7をカバーガラス板13を用いて接着剤8により封止し
ている。このELパネルでは、EL素子と平板の封止ガ
ラス基板11との間に空間部12を形成しているが、この場
合、シール材6の厚みを厚くすると外気中の水分の透過
面積が大きくなり、水分が侵入し易くなるため、空間部
12の高さに制限がある。図4はこの点を改善し、空間部
12を封止ガラス基板11により形成したもので、空間部12
の高さを自由に選ぶことができる。封止ガラス基板11と
透明電極1の面とは薄いシール材6で接着できるので、
外気中の水分の透過面積が少なくなり、封止性能が上が
る。
FIG. 3 and FIG. 4 show an EL panel sealing structure which has been proposed and put into practical use as a countermeasure. In FIG. 3, a sealing material 6 such as an epoxy resin having a low moisture permeability is applied on the transparent electrode 2 on the glass substrate 10 by screen printing or the like, and the peripheral portion of the sealing glass substrate is brought into contact with the sealing material 6, followed by heat curing. To adhere. The injection port 7 is formed in the space 12 created by this.
The liquid silicone oil is injected and filled from above, and the injection port 7 is sealed with an adhesive 8 using a cover glass plate 13. In this EL panel, the space 12 is formed between the EL element and the flat sealing glass substrate 11. In this case, if the thickness of the sealing material 6 is increased, the permeation area of moisture in the outside air increases. , Because it is easy for moisture to enter,
Limited to 12 heights. Figure 4 improves this point,
12 is formed by the sealing glass substrate 11, and the space 12
You can freely choose the height of. Since the sealing glass substrate 11 and the surface of the transparent electrode 1 can be bonded with a thin sealing material 6,
The permeation area of moisture in the outside air is reduced and the sealing performance is improved.

【0005】一方、薄膜交流ELパネルは、交流駆動で
表示すると外部へ電磁波を放射することが不可避であ
る。この対策として、特開昭63−254697号公報、特開昭
63−254698号公報などに開示されているように、EL表
示パネルの前面、背面あるいはその両方に、導電性フィ
ルムあるいは導電シート等をELパネル表示面以外の場
所に設置し、ELパネル駆動用交流電源の接地端子と接
続、ELパネルより放射される電磁波をシールドしてい
た。図5は、特開昭63−170892に号公報開示されている
ELパネルで、この場合は、EL素子部を樹脂封止層41
の裏面側に金属板42が積層され、接地されている。この
金属板42がEL素子から放射される電磁波を吸収してい
る。
On the other hand, when the thin film AC EL panel is displayed by AC driving, it is inevitable to radiate electromagnetic waves to the outside. As measures against this, JP-A-63-254697 and JP-A-
As disclosed in Japanese Patent Laid-Open No. 63-254698, a conductive film, a conductive sheet, or the like is installed on a front surface, a rear surface, or both of the EL display panel in a place other than the EL panel display surface, and an AC for driving the EL panel is installed. It was connected to the ground terminal of the power supply and shielded the electromagnetic waves emitted from the EL panel. FIG. 5 shows an EL panel disclosed in Japanese Patent Application Laid-Open No. 63-170892. In this case, the EL element portion is covered with a resin sealing layer 41.
A metal plate 42 is laminated on the back surface side of and is grounded. The metal plate 42 absorbs the electromagnetic wave emitted from the EL element.

【0006】[0006]

【発明が解決しようとする課題】図3、図4に示したE
Lパネルの封止ガラス基板11は、高コストであり、破損
しやすい欠点がある。しかし、他の低コストの封止基板
を用いようとすると次の問題がある。すなわち、薄膜E
L素子の積層形成時に発生した、ピストンやマイクロク
ラック等の欠陥を除去するため、初期通電で交流電源に
よりゼロボルトより発光表示電圧まで徐々にあげて、欠
陥部が最小となるように潰すことが行われる。また、積
層膜は、成膜後不安定な膜であるため、エージングによ
り安定化させる必要がある。この時エージング時間短縮
のため、実使用表示周波数より高い周波数の電圧を印加
する。この場合、EL素子部の温度も上昇して数十℃程
度に上がる。また、シール材6に熱硬化性のエポキシ樹
脂を使用する場合は、80〜180 ℃の硬化温度に耐える必
要がある。そのほか、封止基板には、EL素子を広い面
積で覆うため透湿性が低いこと、また基板との接着によ
り封止するため接着性が良好なことが要求される。ま
た、図5に示すような構造では、発光部への水分の透過
の阻止を樹脂封止層41のみで行わねばならず、透湿性を
低くすることが困難である。
Problems to be Solved by the Invention E shown in FIGS.
The encapsulating glass substrate 11 of the L panel has the drawbacks of high cost and easy breakage. However, there are the following problems when trying to use other low-cost sealing substrates. That is, the thin film E
In order to remove defects such as pistons and micro-cracks that occur when the L element is laminated, it is possible to gradually raise the voltage from zero volt to the luminescent display voltage by the AC power supply at the initial energization and crush it so that the defective part is minimized. Be seen. Further, since the laminated film is an unstable film after being formed, it is necessary to stabilize it by aging. At this time, in order to shorten the aging time, a voltage having a frequency higher than the actually used display frequency is applied. In this case, the temperature of the EL element portion also rises to about several tens of degrees Celsius. Further, when a thermosetting epoxy resin is used for the sealing material 6, it is necessary to withstand a curing temperature of 80 to 180 ° C. In addition, the sealing substrate is required to have low moisture permeability in order to cover the EL element with a large area, and to have good adhesiveness in order to seal the EL element by adhesion with the substrate. Further, in the structure shown in FIG. 5, it is difficult to reduce the moisture permeability because the resin sealing layer 41 must be used only to prevent the permeation of moisture into the light emitting portion.

【0007】本発明の目的は、上記の問題を解決し、破
損しにくく、耐熱性、接着性が良好で、透湿性が低く、
さらに電磁波をシールドすることも可能である、材料コ
ストおよび加工コストの安い封止基板を用いた薄膜EL
パネルを提供することにある。
The object of the present invention is to solve the above problems, to prevent breakage, to have good heat resistance and adhesiveness, and to have low moisture permeability,
Furthermore, it is possible to shield electromagnetic waves, and thin film EL using a sealing substrate with low material cost and processing cost.
To provide a panel.

【0008】[0008]

【課題を解決するための手段】上記の目的を達成するた
めに、本発明は、発光層が誘電体層を介して電極層には
さまれた積層体を絶縁性で透明のパネル基板上に備え、
その積層体の反パネル基板側を覆う封止基板の端部がシ
ール材を介してパネル基板と結合され、封止基板とパネ
ル基板とにより前記積層体上に生ずる空間に液状材が注
入されたELパネルにおいて、封止基板が金属と有機樹
脂とを積層した複合材料よりなるものとする。封止基板
に開けられた液状材料注入口が封止基板と同一材料より
なる閉塞板で閉塞されたことが有効である。封止基板の
金属層が少なくとも反パネル基板側に設けらることが望
ましいが、有機樹脂の両面に設けられてもよい。そし
て、封止基板の金属層が接地されたことも有効である。
そのほか、封止基板の金属がアルミニウムであること、
有機樹脂がポリエチレンあるいはポリプロピレンからな
ることが有効である。
In order to achieve the above object, the present invention provides a laminated body in which a light emitting layer is sandwiched by electrode layers with a dielectric layer on an insulating and transparent panel substrate. Prepare,
The end of the sealing substrate that covers the non-panel substrate side of the laminate is joined to the panel substrate via a sealing material, and the liquid material is injected into the space created on the laminate by the sealing substrate and the panel substrate. In the EL panel, the sealing substrate is made of a composite material in which a metal and an organic resin are laminated. It is effective that the liquid material injection port opened in the sealing substrate is closed by a closing plate made of the same material as the sealing substrate. It is desirable that the metal layer of the sealing substrate is provided at least on the side opposite to the panel substrate, but it may be provided on both sides of the organic resin. It is also effective that the metal layer of the sealing substrate is grounded.
In addition, the metal of the sealing substrate is aluminum,
It is effective that the organic resin is polyethylene or polypropylene.

【0009】[0009]

【作用】封止基板が金属と有機樹脂が複合材料よりなる
ことにより、有機樹脂の厚さをある程度以上にすれば強
度は十分で、ガラスのように破損のおそれがなく、ガラ
ス基板にくらべて低コストであり、加工性も良好であ
る。有機樹脂のみでは透湿性が高いため水分が肉部へ侵
入するおそれがあるが、透湿性の低い金属を積層するこ
とにより、封止性能が向上する。また、シール材との接
着性は有機樹脂でも金属でも良好で、その接着強度に問
題がない。また、有機樹脂が柔軟で、シール材の熱硬化
あるいは紫外線硬化による収縮を吸収するので、収縮応
力による破損が発生しない。
[Function] Since the sealing substrate is made of a composite material of a metal and an organic resin, the strength is sufficient if the thickness of the organic resin is a certain amount or more, and there is no fear of breakage like glass, and it is better than a glass substrate. Low cost and good workability. Since only organic resin has high moisture permeability, water may enter the meat portion, but by laminating a metal having low moisture permeability, sealing performance is improved. Further, the adhesiveness with the sealing material is good whether it is an organic resin or a metal, and there is no problem in the adhesive strength. In addition, since the organic resin is flexible and absorbs the shrinkage of the sealing material due to heat curing or ultraviolet curing, damage due to shrinkage stress does not occur.

【0010】金属層を接地すれば、EL素子全面を覆っ
ている封止基板で電磁波をシールドするため、特に電磁
波シールド構造を新たに形成することなく、高いシール
ド効果が得られる。
If the metal layer is grounded, electromagnetic waves are shielded by the sealing substrate covering the entire surface of the EL element, so that a high shielding effect can be obtained without newly forming an electromagnetic wave shield structure.

【0011】[0011]

【実施例】以下、図2、図3、図4、図5と共通の部分
に同一の符号を付した図を引用して本発明の実施例につ
いて述べる。図1に示す第一の実施例では、基板10上に
全面にITO (In2 3 ・SnO2 )を電子ビーム蒸着あ
るいはスパッタリング後、フォトリソグラフィにより透
明電極1の平行な帯状のストライプパターンをウェット
エッチングによるエッチング加工により形成する。
DETAILED DESCRIPTION OF THE PREFERRED EMBODIMENT An embodiment of the present invention will be described below with reference to the drawings in which the same parts as those in FIGS. 2, 3, 4 and 5 are designated by the same reference numerals. In the first embodiment shown in FIG. 1, ITO (In 2 O 3 .SnO 2 ) is electron beam evaporated or sputtered on the entire surface of the substrate 10 and then the parallel striped stripe pattern of the transparent electrode 1 is wetted by photolithography. It is formed by etching processing by etching.

【0012】次に、スパッタ法により、メタルマスクを
用いて所定の面積になるように第一の誘電体層2を厚み
約2000〜4000Åに形成する。この時の誘電体2の材料と
しては、Al2 3 、Ta2 5 、SiO2 、Si3 4 、Y2
3 、TiO2 の中から一種ないしは2種を選択して使用
し、1層ないし2層膜とする。次いで、スパッタ法、電
子ビーム蒸着法あるいはALE法により、メタルマスク
を用いて所定の面積になるように発光層3を第一誘電体
層2上に厚み4000〜10000 Åに成膜する。発光層の蛍光
体母材として、ZnS、添加材としてMnを0.4〜1.6Wt
%を混ぜて作成したペレットあるいはターゲツトを用い
る。成膜後に1×10-5Torrの真空中で300 〜700 ℃、1
〜2時間の熱処理を実施する。
Next, the first dielectric layer 2 is formed in a thickness of about 2000 to 4000Å by a sputtering method using a metal mask so as to have a predetermined area. At this time, the material of the dielectric 2 is Al 2 O 3 , Ta 2 O 5 , SiO 2 , Si 3 N 4 , Y 2
One or two kinds of O 3 and TiO 2 are selected and used to form a one-layer or two-layer film. Next, the light emitting layer 3 is formed on the first dielectric layer 2 to a thickness of 4000 to 10000Å by a sputtering method, an electron beam evaporation method or an ALE method so as to have a predetermined area by using a metal mask. ZnS is used as the phosphor base material of the light emitting layer and Mn is added as the additive material in the range of 0.4 to 1.6 Wt.
Use pellets or targets prepared by mixing%. After film formation, in a vacuum of 1 × 10 -5 Torr, 300 to 700 ℃, 1
Perform heat treatment for ~ 2 hours.

【0013】さらに、スパッタ法により、第二誘電体層
4をメタルマスクを用いて所定の面積になるように発光
層3上に厚み2000〜4000Åに形成する。材料としては、
第一誘電体層2同様Al2 3 、Ta2 5 、SiO2 、Si3
4 、Y2 3 、TiO2 の中から一種ないしは2種を選
択して使用し、1層ないし2層膜とする。このあと、第
二誘電体層4上に背面電極5としてAl層を電子ビーム蒸
着で形成する。必要に応じて背面電極5は2層構造をと
る。この場合は、Al上にNiを同じ電子ビーム蒸着で続け
て形成する。そして、透明電極と直交するようにフォト
リソグラフィにてストライプ状にパターン化して背面電
極5とする。
Further, the second dielectric layer 4 is formed on the light emitting layer 3 in a thickness of 2000 to 4000Å so as to have a predetermined area by using a metal mask by a sputtering method. As a material,
Al 2 O 3 , Ta 2 O 5 , SiO 2 , Si 3 as well as the first dielectric layer 2
One or two kinds of N 4 , Y 2 O 3 and TiO 2 are selected and used to form a one-layer or two-layer film. Then, an Al layer is formed as a back electrode 5 on the second dielectric layer 4 by electron beam evaporation. The back electrode 5 has a two-layer structure as required. In this case, Ni is continuously formed on Al by the same electron beam evaporation. Then, the back electrode 5 is formed by patterning in a stripe shape by photolithography so as to be orthogonal to the transparent electrode.

【0014】図6は電極パターンを示す平面図で、透明
電極1および背面電極5はいずれも、電極から交互に両
側に端子電極が引き出されており、パターンピッチは0.
2〜0.3mm程度、電極幅は0.15〜0.22mm程度となる。端
子部分の端子電極15、55のピッチは0.4〜0.6mm、電極
幅は0.2〜0.3mmとなる。このELパネルの封止基板20
は、有機樹脂21とその両面を覆う金属層22とからなり、
厚みは0.15/1.7 /0.15mm (総厚み2.0mm) あるいは0.
15/0.7 /0.15mm(総厚み1.0mm) である。有機樹脂と
しては、ポリエチレンやポリプロピレン等の熱変形温度
が80℃以上、連続使用温度100 ℃以上の耐熱性の高いも
のを使用する。封止基板の積層方法は、表面処理した有
機材料21上に金属層22を真空蒸着法あるいはスパッタリ
ング法により形成するか、あるいは接着材を用いて金属
箔と表面処理した有機樹脂と金属箔とを張り合わせ積層
する。有機樹脂の表面処理は金属との密着性を向上させ
るために行う。封止基板は、あらかじめ注入口7の穴を
パンチングにより加工しておく。シール材6としては、
1液型あるいは2液型の熱硬化エポキシ樹脂や紫外線硬
化型エポキシ樹脂を用いる。シール樹脂厚みを制御する
ため必要に応じて5〜50μmの径のガラスロッドのスペ
ーサを適当量混合する。このシール材6を封止基板の端
縁部に数mm幅にスクリーン印刷で塗布する。シール材6
の硬化方法は、熱硬化型は、80〜180 ℃で30分〜1時
間、空気中で硬化させ封止する。紫外線硬化型は、室温
で紫外線光源によりガラス基板10側より照射して硬化さ
せ封止する。図示しないが、内面の金属層22に接地用リ
ードを接続しておき、このリードの端部と、ガラス基板
10の信号端子電極15、55のないコーナ部の一つに設けら
れた接地端子電極16とを、室温硬化あるいは熱硬化する
導電接着材により、シール材と同時に硬化導電接続を行
う。接地端子電極16を、例えばELパネル駆動回路のグ
ランド部と、リード線あるいはFPC (フレキシブル印
刷回路) を介してはんだ付けあるいは異方性導電テープ
を用いて接続することにより、金属層22は接地され、電
磁波シールド構造となる。
FIG. 6 is a plan view showing an electrode pattern. In both the transparent electrode 1 and the back electrode 5, terminal electrodes are alternately drawn out from both sides of the electrode, and the pattern pitch is 0.
The electrode width is about 2 to 0.3 mm and the electrode width is about 0.15 to 0.22 mm. The pitch of the terminal electrodes 15 and 55 in the terminal portion is 0.4 to 0.6 mm, and the electrode width is 0.2 to 0.3 mm. This EL panel sealing substrate 20
Consists of an organic resin 21 and a metal layer 22 covering both surfaces thereof,
Thickness is 0.15 / 1.7 / 0.15mm (total thickness 2.0mm) or 0.0.
It is 15 / 0.7 / 0.15mm (total thickness 1.0mm). As the organic resin, use is made of polyethylene, polypropylene or the like having a high heat resistance such as a heat distortion temperature of 80 ° C or higher and a continuous use temperature of 100 ° C or higher. The method for laminating the sealing substrate is to form a metal layer 22 on the surface-treated organic material 21 by a vacuum deposition method or a sputtering method, or to form a metal foil using an adhesive and a surface-treated organic resin and a metal foil. Laminate and laminate. The surface treatment of the organic resin is performed in order to improve the adhesion with the metal. The hole of the inlet 7 is punched in the sealing substrate in advance. As the sealing material 6,
A one-component or two-component thermosetting epoxy resin or an ultraviolet curing epoxy resin is used. In order to control the thickness of the sealing resin, an appropriate amount of glass rod spacers having a diameter of 5 to 50 μm are mixed. This sealing material 6 is applied to the edge of the sealing substrate by screen printing in a width of several mm. Seal material 6
As for the curing method, the thermosetting type is cured in air at 80 to 180 ° C. for 30 minutes to 1 hour and then sealed. The ultraviolet curing type is irradiated with an ultraviolet light source from the glass substrate 10 side at room temperature to cure and seal. Although not shown, the grounding lead is connected to the metal layer 22 on the inner surface, and the end of this lead and the glass substrate are connected.
10 and the ground terminal electrode 16 provided in one of the corners without the signal terminal electrodes 15 and 55 are cured and electrically connected at the same time as the sealing material by a conductive adhesive that is cured at room temperature or thermally cured. The metal layer 22 is grounded by connecting the ground terminal electrode 16 to, for example, the ground portion of the EL panel drive circuit via a lead wire or FPC (flexible printed circuit) using soldering or anisotropic conductive tape. , Becomes an electromagnetic wave shield structure.

【0015】次に、注入口7より液状体で絶縁性の高い
シリコーン油を空間部12に充填し、封止基板20と同様の
複合材料よりなる閉塞板9を用い、前記シール接着材6
と同一材料8で接着封止する。この構造では、シール樹
脂6が封止基板20の外周端面まで接着封止され性能を上
げるようにしている。シール接着材6による接着は、図
3、図4におけるようにガラス基板同志の接着の場合よ
り、ガラス基板と金属層を接着する場合の方が高い接着
強度が得られ、また複合封止基板20のガラス基板1との
熱膨張係数の相違は、複合封止基板の柔軟性により吸収
できる。
Next, the space 12 is filled with liquid silicone oil having a high insulating property through the inlet 7, and the sealing plate 6 is made of the same closing material 9 as the sealing substrate 20.
The same material 8 is used for adhesive sealing. In this structure, the sealing resin 6 is adhesively sealed up to the outer peripheral end surface of the sealing substrate 20 to improve the performance. Bonding with the seal adhesive 6 provides higher bonding strength when bonding the glass substrate and the metal layer than when bonding the glass substrates together as shown in FIGS. 3 and 4, and the composite sealing substrate 20 The difference in thermal expansion coefficient from the glass substrate 1 can be absorbed by the flexibility of the composite sealing substrate.

【0016】図7に示す第二の実施例では、図4の従来
構造と同様、空間部12を封止基板20により形成したもの
で、図1に用いたと同様の複合材料板を加圧形成して皿
状にし、パンチングで注入口7を打抜いたのち、シール
材6で接着したものである。この封止方法では、液状体
を注入する空間部の深さを自由に選べるため、シール材
6の厚みを薄くすることが出来る。このため、シール部
分から外気中の水分が樹脂を透過する面積が小さくでき
るため、EL素子の信頼性が高くなる。図5では、シー
ル材6は封止基板20の端縁部の平面のみ接着シールして
いるが、前記したように封止基板外周端面にもシールを
施せば、さらに封止性能が上がることは言うまでもな
い。
In the second embodiment shown in FIG. 7, as in the conventional structure of FIG. 4, the space 12 is formed by the sealing substrate 20, and the same composite material plate as that used in FIG. 1 is formed by pressure. Then, it is made into a plate shape, punched out the injection port 7 by punching, and then adhered with a sealing material 6. In this sealing method, the depth of the space for injecting the liquid material can be freely selected, so that the thickness of the sealing material 6 can be reduced. For this reason, the area where moisture in the outside air permeates the resin from the sealed portion can be reduced, and the reliability of the EL element is enhanced. In FIG. 5, the sealing material 6 is adhesively sealed only on the flat surface of the edge portion of the sealing substrate 20, but as described above, sealing the outer peripheral end face of the sealing substrate will further improve the sealing performance. Needless to say.

【0017】図8に示す第三の実施例では、封止基板20
の金属層22が片側にのみ設けられている。厚みは、Al層
22が0.25mm、有機樹脂21が0.70mmで総厚みは0.95mmであ
る。そして有機樹脂面でシール材6と接着する。この場
合、金属層22が片側にしかないため、透湿性が若干高く
なるが、シール材6と有機樹脂21との熱膨張係数の差が
小さいため、接着強度が向上する。
In the third embodiment shown in FIG. 8, the sealing substrate 20 is used.
The metal layer 22 is provided only on one side. Thickness is Al layer
22 is 0.25 mm, organic resin 21 is 0.70 mm, and the total thickness is 0.95 mm. Then, the organic resin surface adheres to the sealing material 6. In this case, since the metal layer 22 is only on one side, the moisture permeability is slightly higher, but the difference in the coefficient of thermal expansion between the sealing material 6 and the organic resin 21 is small, so the adhesive strength is improved.

【0018】図9に示す第四の実施例は、同様に片側に
のみ金属層22のある封止基板20を用い、図7と同様に皿
形に成形したものであって、第三の実施例と同様の特徴
をもっている。このような両側あるいは片側に金属層22
を有する封止基板20の透湿性は、0.4〜1.0g/m2
24時間で、ガラスの封止基板11の透湿度0.417 g/m2
・24時間に対しほぼ問題のないレベルである。
The fourth embodiment shown in FIG. 9 is similar to FIG. 7 except that the sealing substrate 20 having the metal layer 22 on only one side is used to form a dish shape. It has the same characteristics as the example. Such a metal layer 22 on one or both sides
The sealing substrate 20 having the moisture permeability of 0.4 to 1.0 g / m 2 ·
Water vapor permeability of the glass sealing substrate 11 is 0.417 g / m 2 in 24 hours.
・ It is a level with almost no problem for 24 hours.

【0019】以上、第二ないし第四の実施例でも、金属
層21を接地することにより、簡単に電磁波シールド構造
にできることは自明である。図10に示す第五の実施例
は、第三の実施例と同様に封止基板20の金属層22が片側
にのみ設けられているが、外面側ではなく内面側であ
り、ガラス基板10上の接地端子電極16へのリード17によ
る接続を容易にしている。この場合、有機樹脂21には、
透湿性の低い材料、例えば保湿性の樹脂を用いるとよ
い。図11に示す第六の実施例も、同様に内面側に金属層
21を設けたもので、図7、図9と同様に封止基板20を皿
形に成形したものである。
As described above, it is obvious that the second to fourth embodiments can easily form an electromagnetic wave shield structure by grounding the metal layer 21. In the fifth embodiment shown in FIG. 10, the metal layer 22 of the sealing substrate 20 is provided only on one side similarly to the third embodiment, but the metal layer 22 is not on the outer surface side but on the inner surface side, and on the glass substrate 10. The lead 17 facilitates connection to the ground terminal electrode 16 of. In this case, the organic resin 21
A material having low moisture permeability, for example, a moisture retaining resin may be used. Similarly, in the sixth embodiment shown in FIG. 11, a metal layer is formed on the inner surface side.
21 is provided, and the sealing substrate 20 is shaped like a dish as in FIGS. 7 and 9.

【0020】[0020]

【発明の効果】本発明によれば、従来封止基板として使
用されていた材料コスト、加工コストが高いガラス基板
に代わって、有機樹脂と金属の積層複合材料からなる基
板を用いることにより、有機樹脂の柔軟性と金属の低透
湿性と相まって、封止性能が実用上問題なく、破損のお
それのない低コストの封止基板によって封止され、信頼
性の高い薄膜ELパネルを得ることができた。
According to the present invention, by using a substrate made of a laminated composite material of an organic resin and a metal, instead of a glass substrate which has been conventionally used as a sealing substrate and which has a high material cost and a high processing cost, an organic compound Coupled with the flexibility of resin and the low moisture permeability of metal, the sealing performance is practically no problem, and a highly reliable thin film EL panel can be obtained by sealing with a low-cost sealing substrate with no risk of damage. It was

【0021】さらに、封止基板の金属層を接地すること
により、新たに電磁シールド材をELパネルの外部に形
成することなく、簡単にEL素子から放射されて電磁波
をシールドすることができた。
Furthermore, by grounding the metal layer of the sealing substrate, it was possible to easily shield the electromagnetic wave radiated from the EL element without newly forming an electromagnetic shield material outside the EL panel.

【図面の簡単な説明】[Brief description of drawings]

【図1】本発明の第一の実施例の、薄膜ELパネルの概
念的データ線側断面図
FIG. 1 is a conceptual cross-sectional view of a thin-film EL panel on the side of a data line according to a first embodiment of the present invention.

【図2】従来の薄膜ELパネルの概念的データ線側断面
FIG. 2 is a conceptual side cross-sectional view of a data line of a conventional thin film EL panel.

【図3】別の従来の薄膜ELパネルの概念的データ線側
断面図
FIG. 3 is a conceptual cross-sectional view of another conventional thin film EL panel on the side of a data line.

【図4】さらに別の従来の薄膜ELパネルの概念的デー
タ線側断面図
FIG. 4 is a sectional view of the side of a conceptual data line of still another conventional thin film EL panel.

【図5】従来の電磁波シールド機能をもつ薄膜ELパネ
ルの概念的データ線側断面図
FIG. 5 is a sectional side view of a conceptual data line of a conventional thin film EL panel having an electromagnetic wave shielding function.

【図6】本発明の実施例の薄膜ELパネルの電極パター
ンを示す平面図
FIG. 6 is a plan view showing an electrode pattern of a thin film EL panel according to an example of the present invention.

【図7】本発明の第二の実施例の薄膜ELパネルの概念
的データ線側断面図
FIG. 7 is a conceptual data line side cross-sectional view of a thin film EL panel according to a second embodiment of the present invention.

【図8】本発明の第三の実施例の薄膜ELパネルの概念
的データ線側断面図
FIG. 8 is a conceptual data line side cross-sectional view of a thin film EL panel according to a third embodiment of the present invention.

【図9】本発明の第四の実施例の薄膜ELパネルの概念
的データ線側断面図
FIG. 9 is a conceptual data line side cross-sectional view of a thin film EL panel according to a fourth embodiment of the present invention.

【図10】本発明の第五の実施例の薄膜ELパネルの概
念的データ線側断面図
FIG. 10 is a conceptual data line side cross-sectional view of a thin film EL panel according to a fifth embodiment of the present invention.

【図11】本発明の第六の実施例の薄膜ELパネルの概
念的データ線側断面図
FIG. 11 is a conceptual data line side cross-sectional view of a thin film EL panel according to a sixth embodiment of the present invention.

【符号の説明】 1 透明電極 2 第一誘電体層 3 発光層 4 第二誘電体層 5 背面電極 6 シール材 7 注入口 8 接着材 9 閉塞板 10 ガラス基板 12 空間部 20 封止基板 21 有機樹脂 22 金属層 15、55 端子電極 16 接地端子電極[Explanation of reference numerals] 1 transparent electrode 2 first dielectric layer 3 light emitting layer 4 second dielectric layer 5 back electrode 6 sealing material 7 injection port 8 adhesive 9 closure plate 10 glass substrate 12 space portion 20 sealing substrate 21 organic Resin 22 Metal layer 15, 55 Terminal electrode 16 Ground terminal electrode

Claims (8)

【特許請求の範囲】[Claims] 【請求項1】発光層が誘電体層を介して電極層にはさま
れた積層体を絶縁性で透明のパネル基板上に備え、その
積層体の反パネル基板側を覆う封止基板の端部がシール
材を介してパネル基板と結合され、封止基板とパネル基
板とにより前記積層体上に生ずる空間に液状材が注入さ
れたものにおいて、封止基板が金属と有機樹脂とを積層
した複合材料よりなることを特徴とする薄膜エレクトロ
ルミネセンスパネル。
1. An end of a sealing substrate, which comprises a laminated body having a light emitting layer sandwiched between electrode layers via a dielectric layer on an insulative and transparent panel substrate, and covering the non-panel substrate side of the laminated body. The part is joined to the panel substrate through the sealing material, and the liquid material is injected into the space generated on the laminate by the sealing substrate and the panel substrate. In the sealing substrate, the metal and the organic resin are laminated. A thin-film electroluminescent panel characterized by being made of a composite material.
【請求項2】封止基板に開けられた液状材料注入口が封
止基板と同一材料よりなる閉塞板で閉塞された請求項1
記載の薄膜エレクトロルミネセンスパネル。
2. The liquid material injection port opened in the sealing substrate is closed by a closing plate made of the same material as the sealing substrate.
A thin film electroluminescent panel as described.
【請求項3】封止基板の金属層が少なくとも反パネル基
板側に設けられた請求項1あるいは2記載の薄膜エレク
トロルミネセンスパネル。
3. The thin film electroluminescence panel according to claim 1, wherein the metal layer of the sealing substrate is provided at least on the side opposite to the panel substrate.
【請求項4】封止基板の金属層が有機樹脂の両面に設け
られた請求項1ないし3のいずれかに記載の薄膜エレク
トロルミネセンスパネル。
4. The thin film electroluminescent panel according to claim 1, wherein the metal layer of the sealing substrate is provided on both surfaces of the organic resin.
【請求項5】封止基板の金属層が接地された請求項1な
いし4のいずれかに記載の薄膜エレクトロルミネセンス
パネル。
5. The thin film electroluminescence panel according to claim 1, wherein the metal layer of the sealing substrate is grounded.
【請求項6】封止基板の金属がアルミニウムである請求
項1ないし5のいずれかに記載の薄膜エレクトロルミネ
センスパネル。
6. The thin film electroluminescent panel according to claim 1, wherein the metal of the sealing substrate is aluminum.
【請求項7】封止基板の有機樹脂がポリエチレンである
請求項1ないし6のいずれかに記載の薄膜エレクトロル
ミネセンスパネル。
7. The thin film electroluminescent panel according to claim 1, wherein the organic resin of the sealing substrate is polyethylene.
【請求項8】封止基板の有機樹脂がポリプロピレンであ
る請求項1ないし6のいずれかに記載の薄膜エレクトロ
ルミネセンスパネル。
8. The thin film electroluminescent panel according to claim 1, wherein the organic resin of the sealing substrate is polypropylene.
JP5178397A 1993-03-15 1993-07-20 Thin film electroluminescent panel Pending JPH06325868A (en)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP5178397A JPH06325868A (en) 1993-03-15 1993-07-20 Thin film electroluminescent panel

Applications Claiming Priority (3)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP5275993 1993-03-15
JP5-52759 1993-03-15
JP5178397A JPH06325868A (en) 1993-03-15 1993-07-20 Thin film electroluminescent panel

Publications (1)

Publication Number Publication Date
JPH06325868A true JPH06325868A (en) 1994-11-25

Family

ID=26393413

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP5178397A Pending JPH06325868A (en) 1993-03-15 1993-07-20 Thin film electroluminescent panel

Country Status (1)

Country Link
JP (1) JPH06325868A (en)

Cited By (12)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US6605826B2 (en) * 2000-08-18 2003-08-12 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Light-emitting device and display device
KR100407487B1 (en) * 1996-09-25 2004-03-20 삼성에스디아이 주식회사 Field effect electron emitting device and method for sealing the same
JP2011221497A (en) * 2010-04-13 2011-11-04 Samsung Mobile Display Co Ltd Display device
JP2011253177A (en) * 2010-06-01 2011-12-15 Samsung Mobile Display Co Ltd Display device
JP2011258551A (en) * 2010-06-03 2011-12-22 Fraunhofer Ges Zur Foerderung Der Angewandten Forschung Ev Luminaire
WO2012026209A1 (en) * 2010-08-25 2012-03-01 シャープ株式会社 Organic light emitting device and antistatic method for same
JP2012083763A (en) * 1999-10-29 2012-04-26 Semiconductor Energy Lab Co Ltd Electronic equipment
WO2018155518A1 (en) * 2017-02-23 2018-08-30 Agc株式会社 Glass plate construct
WO2019070006A1 (en) * 2017-10-04 2019-04-11 Agc株式会社 Glass plate construct, and diaphragm
WO2019070004A1 (en) * 2017-10-04 2019-04-11 Agc株式会社 Glass plate construct
WO2019070007A1 (en) * 2017-10-04 2019-04-11 Agc株式会社 Glass plate constituent body and vibration plate
CN112099311A (en) * 2020-09-22 2020-12-18 桂林电子科技大学 Preparation method of photoetching mask plate based on AAO nano structure

Cited By (35)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR100407487B1 (en) * 1996-09-25 2004-03-20 삼성에스디아이 주식회사 Field effect electron emitting device and method for sealing the same
JP2012083763A (en) * 1999-10-29 2012-04-26 Semiconductor Energy Lab Co Ltd Electronic equipment
US8735899B2 (en) 2000-08-18 2014-05-27 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Light-emitting device and display device
US7189999B2 (en) 2000-08-18 2007-03-13 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Light-emitting device with coating film on portions of substrates and sealing member
US7453089B2 (en) 2000-08-18 2008-11-18 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Light-emitting device and display device
US10236331B2 (en) 2000-08-18 2019-03-19 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Light-emitting device and display device
US6605826B2 (en) * 2000-08-18 2003-08-12 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Light-emitting device and display device
US9768239B2 (en) 2000-08-18 2017-09-19 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Light-emitting device and display device
US8106407B2 (en) 2000-08-18 2012-01-31 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Light-emitting device and display device
US9263697B2 (en) 2000-08-18 2016-02-16 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Light-emitting device and display device
US8497516B2 (en) 2000-08-18 2013-07-30 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Light-emitting device and display device
JP2011221497A (en) * 2010-04-13 2011-11-04 Samsung Mobile Display Co Ltd Display device
US8502448B2 (en) 2010-04-13 2013-08-06 Samsung Display Co., Ltd. Display apparatus comprising a composite member of a resin matrix and carbon fibers
EP2393077A3 (en) * 2010-06-01 2015-07-29 Samsung Display Co., Ltd. Display apparatus
JP2011253177A (en) * 2010-06-01 2011-12-15 Samsung Mobile Display Co Ltd Display device
JP2011258551A (en) * 2010-06-03 2011-12-22 Fraunhofer Ges Zur Foerderung Der Angewandten Forschung Ev Luminaire
WO2012026209A1 (en) * 2010-08-25 2012-03-01 シャープ株式会社 Organic light emitting device and antistatic method for same
WO2018155518A1 (en) * 2017-02-23 2018-08-30 Agc株式会社 Glass plate construct
JPWO2018155518A1 (en) * 2017-02-23 2019-12-19 Agc株式会社 Glass plate structure
JP2022050594A (en) * 2017-02-23 2022-03-30 Agc株式会社 Diaphragm
US11122370B2 (en) 2017-02-23 2021-09-14 AGC Inc. Glass sheet composite
CN111164991A (en) * 2017-10-04 2020-05-15 Agc株式会社 Glass plate structure and vibration plate
CN111183657B (en) * 2017-10-04 2021-07-20 Agc株式会社 Glass plate structure
CN111183657A (en) * 2017-10-04 2020-05-19 Agc株式会社 Glass plate structure
JPWO2019070007A1 (en) * 2017-10-04 2020-10-22 Agc株式会社 Glass plate structure and diaphragm
JPWO2019070004A1 (en) * 2017-10-04 2020-11-05 Agc株式会社 Glass plate structure
JPWO2019070006A1 (en) * 2017-10-04 2020-12-03 Agc株式会社 Glass plate structure and diaphragm
US11420421B2 (en) 2017-10-04 2022-08-23 AGC Inc. Glass sheet composite, and diaphragm
WO2019070006A1 (en) * 2017-10-04 2019-04-11 Agc株式会社 Glass plate construct, and diaphragm
CN111164991B (en) * 2017-10-04 2021-08-24 Agc株式会社 Glass plate structure and vibration plate
WO2019070007A1 (en) * 2017-10-04 2019-04-11 Agc株式会社 Glass plate constituent body and vibration plate
WO2019070004A1 (en) * 2017-10-04 2019-04-11 Agc株式会社 Glass plate construct
US11292231B2 (en) 2017-10-04 2022-04-05 AGC Inc. Glass sheet composite, and diaphragm
CN112099311A (en) * 2020-09-22 2020-12-18 桂林电子科技大学 Preparation method of photoetching mask plate based on AAO nano structure
CN112099311B (en) * 2020-09-22 2024-05-21 桂林电子科技大学 Preparation method of photoetching mask based on AAO nanostructure

Similar Documents

Publication Publication Date Title
JPH06325868A (en) Thin film electroluminescent panel
US20030197475A1 (en) Flat-panel display, manufacturing method thereof, and portable terminal
JPH11273873A (en) Electroluminescent lamp
JPH07272848A (en) Electroluminescent element
JPH0479192A (en) Construction for protecting electro-luminescence display panel
JPS6316877B2 (en)
JP2000223261A (en) Color electroluminescent display device and its manufacture
TWI392129B (en) Organic el element, organic el display device and method for fabricating them
JPH074793Y2 (en) EL element structure
JPH0533511B2 (en)
JPH05190280A (en) Thin film el element
JP2505173Y2 (en) Electroluminescent lamp
JPH0332080Y2 (en)
JP3542019B2 (en) Electroluminescent lamp
JPH0410616Y2 (en)
JP2880859B2 (en) Thin film EL display
EP2913860A1 (en) Lighting panel
JPH0373991A (en) Thin-film el display panel
JPS62103997A (en) Thin film light emitting device
JPS6041436B2 (en) Thin film EL panel
JPH02109294A (en) Thin film el panel
JPS6155892A (en) Method of sealing thin film el element
JPH0129319B2 (en)
JPH0419554B2 (en)
JPS6068590A (en) Method of forming insulating film