JPH06310576A - Z-axis wiring for burn in of discrete die for non- packaged die - Google Patents

Z-axis wiring for burn in of discrete die for non- packaged die

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JPH06310576A
JPH06310576A JP10494193A JP10494193A JPH06310576A JP H06310576 A JPH06310576 A JP H06310576A JP 10494193 A JP10494193 A JP 10494193A JP 10494193 A JP10494193 A JP 10494193A JP H06310576 A JPH06310576 A JP H06310576A
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die
pad
contact
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plate
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アラン・ジー・ウッド
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M Farnwace Warren
ウォレン・エム・ファーンワース
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Abstract

PURPOSE: To provide a burn-in/test fixture where an individual die composed of two parts is reuseable by establishing contact between a bonding pad and an external connector lead by utilizing a Z axis anisotropic conductive wiring material and a TAB tape. CONSTITUTION: A TAB tape 41 is used to extend between a contact pad 37 on a die cavity plate 13 and a bonding pad 27. A Z axis anisotropic conductivity wiring material 53 is used to provide an interface between a bonding pad 27 and the TAB tape 41, and the TAB tape 41 and the bonding pad 27 are brought into ohmic contact therebetween through the Z axis anisotropic conductive wiring material 53 rather than directly. The Z axis anisotropic conductive wiring material 53 can extend between the TAB tape 41 and the contact pad 37 whereby connection of the TAB tape 41 to the contact pad 37 is facilitated. Thus, the die 21 can be burned in without bonding of a conductor to the bonding pad 27.

Description

【発明の詳細な説明】Detailed Description of the Invention

【0001】[0001]

【産業上の利用分野】本発明は半導体デバイスの電気試
験装置に関する。さらに詳しくは、本発明は導電性ポリ
マーを利用し、個別の非パッケージまたは半パッケージ
ダイのダイナミックバーンインおよび全ての電気/性能
/スピード試験を実施するために使用される装置および
方法に関する。
BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to a semiconductor device electrical test apparatus. More specifically, the present invention relates to apparatus and methods that utilize conductive polymers and are used to perform dynamic burn-in and all electrical / performance / speed testing of discrete non-packaged or semi-packaged dies.

【0002】[0002]

【従来の技術および発明が解決しようとする課題】半導
体デバイスはその品質および信頼性を保証するために、
一連の試験操作に付される。この試験操作には通常“プ
ローブ試験”が含まれ、またこの試験においては、ウェ
ハー上にある個々のダイは最初に機能およびスピードに
ついて試験される。そのレベルでダイを電気的に試験す
るためにプローブカードが使用される。電気接続は一度
にウェハーのダイ1個だけとインターフェースしてお
り、個別のダイとインターフェースするよう設計されて
いない。ウェハーが機能性ダイの品質の良さそうである
ことを示す機能性ダイの歩留りを有する場合、各個のダ
イはパッケージ中に組立てられ半導体デバイスを形成す
る。通常、パッケージングにはリードフレームおよびプ
ラスチックまたはセラミックハウジングが含まれる。パ
ッケージされたデバイスは次に別の一連の試験に付さ
れ、これらの試験にはバーンインおよび個別試験が含ま
れる。個別試験により、組立後およびバーンイン後に生
じうるスピードおよびエラーについてデバイスを試験す
ることができる。バーンインは高温でデバイス(UU
T)を電気的に稼動させることにより故障メカニズムを
加速する。これによりそうでなければ発生する潜在的故
障が排除される。
2. Description of the Related Art In order to guarantee the quality and reliability of semiconductor devices,
Subjected to a series of test operations. This test operation typically involves a "probe test", in which individual dies on the wafer are first tested for function and speed. A probe card is used to electrically test the die at that level. The electrical connections interface with only one die on the wafer at a time and are not designed to interface with individual die. If the wafer has a functional die yield that indicates that the functional die is likely to be of good quality, each individual die is assembled in a package to form a semiconductor device. Packaging typically includes a leadframe and a plastic or ceramic housing. The packaged device is then subjected to another series of tests, including burn-in and individual tests. Individual testing allows the device to be tested for possible speeds and errors after assembly and after burn-in. Burn-in is a high temperature device (UU
Electrically activating T) accelerates the failure mechanism. This eliminates potential failures that would otherwise occur.

【0003】これらの操作の変法により、回路配置上に
組立てられたデバイス例えばメモリボードは、回路の信
頼性を保証するためメモリボードに沿って、デバイスに
分布されるようにバーンインすることができる。この密
着組立て試験(closed asse-mbly testing) により、デ
バイスはより容易に動作することができるように個別に
パッケージされることが考えられる。複合集積回路デバ
イスは単一ユニットとしてパッケージされることが提唱
される。これは通常のリードフレームがあってもなくて
も達成することができる。これには従来の試験法と比べ
て2つの問題がある。第1に、通常のリードフレームパ
ッケージが使用されないため、個別試験はより難しい。
さらに、マルチデバイスが単一パッケージ中に組立てら
れると、パッケージの性能は最低の性能を有するダイの
性能まで低下する。換言すれば個々のダイを仕分ける能
力はプローブ試験により得られるものに限定される。第
2に、パッケージングは他の制限を有し、これらはバー
ンインストレス条件により加重され、パッケージング7
がバーンイン試験のための限定要因となる。
Due to these variants of operation, devices, eg memory boards, assembled on a circuit arrangement can be burned in along the memory boards to be distributed to the devices in order to guarantee the reliability of the circuit. . With this closed asse-mbly testing, it is conceivable that the devices will be individually packaged for easier operation. It is proposed that the composite integrated circuit device be packaged as a single unit. This can be accomplished with or without a conventional leadframe. This has two problems compared to conventional test methods. First, individual testing is more difficult because regular leadframe packages are not used.
Moreover, when multiple devices are assembled in a single package, the performance of the package degrades to that of the die with the worst performance. In other words, the ability to sort individual die is limited to that obtained by probe testing. Secondly, packaging has other limitations, which are weighted by burn-in stress conditions and packaging 7
Is the limiting factor for the burn-in test.

【0004】混成集積回路形態は単一パッケージ中に複
数のダイを組込む。これによりパッケージング密度が増
加し、異なるダイ上のマッチド部材を単品としてパッケ
ージすることができる。このような集成品の良品率は少
なくともその構成部材のダイの良品率の積であり、より
低い総良品率となる。ダイの性能について考慮すると、
その良品率は、その構成部材の良品率の積よりも有意に
低くなりがちである。バーンインされたダイの試験結果
が利用可能な場合、その構成部材の良品率を増加するこ
とができる。さらに、種々の特性(例えば信号のタイミ
ングおよび応答時間)を調和させることにより構成部材
を適合させることができ、それにより完全な集成品に固
有の応答に余裕を多く与える。このような混成集積回路
は半導体ダイをバーンインする必要がある。個別にパッ
ケージされた半導体デバイスで達成されるものと同様の
方法で個々のダイを試験できることが望ましい。
A hybrid integrated circuit form incorporates multiple dies in a single package. This increases packaging density and allows matched members on different dies to be packaged as a single item. The non-defective rate of such an assembled product is at least the product of the non-defective rate of the die of the constituent member, which results in a lower total non-defective rate. Considering the performance of the die,
The non-defective rate tends to be significantly lower than the product of the non-defective rate of the constituent members. If the test results of the burned-in die are available, the yield rate of the component can be increased. In addition, components can be tailored by matching various characteristics (eg, signal timing and response time), thereby providing more margin for the response inherent in a complete assembly. Such hybrid integrated circuits require the semiconductor die to be burned in. It would be desirable to be able to test individual die in a manner similar to that achieved with individually packaged semiconductor devices.

【0005】一般譲渡された米国特許第4,899,1
07号において、個別のTAB(テープ自動ボンディン
グ;tape automated bonding) ダイのための再使用可能
なバーンイン/試験フィクスチャー(fixture)が提供さ
れる。このフィクスチャーは2つの部分から構成され、
その1つは被試験ユニット(UUT)としての半導体ダ
イを収容するためのダイキャビティプレートであり、そ
してもう1つはダイおよびバーンインオーブンとの電気
的接触を確立する。試験フィクスチャーの第1部分はそ
の中にダイが挿入されるキャビティを回路のサイドアッ
プに含有する。ダイはフローティングプラットホーム上
に残る。第2部分は高い脆化温度の基板を有し、その上
にそれぞれ対応するダイパッド用プローブがマウントさ
れる。複数のプローブはそれぞれ(PCボードと類似
の)基板上の電気トレース(trace)に接続され、各ダイ
の各ダイパッドは高速機能試験のために互いに電気絶縁
される。プローブ先端は8個または16個のダイを収容
するようなアレイに配列される。試験フィクスチャーの
2部分は各ダイの各パッドが対応するプローブ先端と整
合するように接合される。試験フィクスチャーは機能テ
スターの効率を最大にするために、8個または16個の
ダイを収容するような形状である。部品を個別化する
(個々のダイに分別する)場合、幾つかの試験および関
連の操作がある。このため、単一の試験フィクスチャー
の中に多数のダイを保持することは不都合である。
General Assigned US Pat. No. 4,899,1
At 07, a reusable burn-in / test fixture for individual TAB (tape automated bonding) dies is provided. This fixture consists of two parts,
One is a die cavity plate for housing the semiconductor die as the unit under test (UUT), and the other establishes electrical contact with the die and the burn-in oven. The first part of the test fixture contains a cavity in the side up of the circuit into which the die is inserted. The die remains on the floating platform. The second portion has a substrate with a high embrittlement temperature, and the corresponding die pad probe is mounted thereon. Each of the plurality of probes is connected to an electrical trace on a substrate (similar to a PC board) and each die pad of each die is electrically isolated from each other for high speed functional testing. The probe tips are arranged in an array to accommodate 8 or 16 dies. The two parts of the test fixture are bonded so that each pad on each die is aligned with the corresponding probe tip. The test fixture is shaped to accommodate 8 or 16 dies to maximize the efficiency of the functional tester. When singulating parts (separating into individual dies), there are several tests and associated operations. For this reason, it is inconvenient to keep multiple dies in a single test fixture.

【0006】外圧を集成品にかけることなく長期の信頼
性を示す電気接続を確立するために、TABテープは通
常ボンディングパッドでボンディングされる。TABテ
ープのボンディングはTABテープが取除かれた時ダイ
からボンディングパッドがリフトオフする(分離された
形態になる)ことのできる機械的接続を確立する。ボン
ディングパッドはダイ上の回路部品を外部と接続するた
めの配線として使用されるダイの表面上の導電性領域で
ある。通常、導体はボンディングパッドにボンディング
されるが、実際にボンディングすることなくボンディン
グパッドに対して導体をバイアスすることによりボンデ
ィングパッドを通して電気的接触を確立することができ
る。非パッケージダイのバーンインおよび全ての特性決
定試験で遭遇する問題の1つはボンディングパッドの外
部接続回路部品への接続により生じる物理的ストレスで
ある。この問題は、多くのダイ形状においてボンディン
グパッドはパッシベーション層の表面レベルの下に嵌込
まれるという事実により複雑になる。パッシベーション
層は低共融点ガラス例えばBPSGの層であり、ダイ上
の回路部品を保護するためにダイに塗布される。
TAB tapes are typically bonded with bond pads to establish long-term reliable electrical connections without the application of external pressure to the assembly. Bonding the TAB tape establishes a mechanical connection that allows the bond pad to lift off (become in a detached form) from the die when the TAB tape is removed. Bonding pads are conductive areas on the surface of the die that are used as wiring to connect the circuit components on the die to the outside world. Typically, the conductor is bonded to the bond pad, but electrical contact can be established through the bond pad by biasing the conductor against the bond pad without actually bonding. One of the problems encountered in non-packaged die burn-in and all characterization tests is the physical stress caused by the connection of bond pads to external connection circuitry. This problem is complicated by the fact that in many die geometries the bond pads fit below the surface level of the passivation layer. The passivation layer is a layer of low eutectic glass, such as BPSG, applied to the die to protect the circuit components on the die.

【0007】[0007]

【課題を解決するための手段】最終組立ての前に個別の
フィクスチャーにおいて試験および関連の操作を行なう
のが望ましいことがわかった。これを達成するために、
2つの部分からなる個別のダイのための再使用可能なバ
ーンイン/試験フィクスチャーが提供される。このフィ
クスチャーは2つの部分から構成され、その1つは被試
験ユニット(UUT)としての半導体ダイを収容するた
めのダイキャビティプレートである。Z軸異方導電配線
材料は半導体ダイ上のボンディングパッドまたはそれと
同等の接着点とのオーミック接触を確立するために使用
される。Z軸異方導電配線材料は等方性的に導電性の材
料としてもまた知られている。Z軸異方導電配線材料は
実質的にボンディングパッドを損傷することなくオーミ
ック接触を確立するのに十分な程、ボンディングパッド
におけるダイの形状と整合することができる。バイアス
力により接触を確立することができるため、導体をボン
ディングパッドにボンディングすることなくダイをバー
ンインし、試験することが可能である。Z軸異方導電配
線材料は金属入りのポリマー複合材料であり、コネクタ
および試験用途のためのコンプライアント配線材料とし
て機能することができる。この材料はエラストマー導電
ポリマー配線(elastomeric conductive polymer inte-
rconnect;ECPI) 材料と呼ばれる材料グループに属
する。これらはAT&TBeII研究所またはshin Ets
u Polymer America 社から入手しうる。
It has been found desirable to perform testing and related operations on individual fixtures prior to final assembly. To achieve this,
A reusable burn-in / test fixture for a separate two-piece die is provided. This fixture is composed of two parts, one of which is a die cavity plate for accommodating a semiconductor die as a unit under test (UUT). The Z-axis anisotropic conductive wiring material is used to establish ohmic contact with the bonding pads on the semiconductor die or equivalent bonding points. Z-axis anisotropic conductive wiring materials are also known as isotropically conductive materials. The Z-axis anisotropically conductive wiring material can be sufficiently aligned with the die shape at the bond pads to establish ohmic contact without substantially damaging the bond pads. The contact can be established by the bias force, allowing the die to be burned in and tested without bonding the conductor to the bond pad. Z-axis anisotropic conductive wiring materials are metal-filled polymer composites that can serve as compliant wiring materials for connectors and test applications. This material is an elastomeric conductive polymer wire.
rconnect; ECPI) belongs to a material group called materials. These are AT & TBeII Research Institute or shin Ets
u Available from Polymer America.

【0008】第1の態様においては、ダイはフィクスチ
ャーの第1部分のキャビティ中にフェースアップで置か
れる。TABテープはフィクスチャー上のボンディング
パッド位置と外部コネクタリードとの間に信号を伝える
ために使用される。TABテープは外部コネクタリード
または外部コネクタリードに通じるフィクスチャー上の
他のリードとの接触を確立する。ボンディングパッドお
よびTABテープ間の接触を確立するために、Z軸異方
導電配線材料がボンディングパッド位置におけるダイと
TABテープの間に置かれる。したがって、Z軸異方導
電配線材料およびTABテープを利用することによりボ
ンディングパッドおよび外部コネクタリード間の接触が
確立される。Z軸異方導電配線材料およびTABテープ
上の導体はボンディングパッドから接続点まで伸び、そ
して接続点はコンタクトまで通じ、これらは引き続いて
外部コネクタリードに通じる。
In the first aspect, the die is placed face up in the cavity of the first portion of the fixture. The TAB tape is used to carry signals between the bonding pad locations on the fixture and the external connector leads. The TAB tape establishes contact with the external connector leads or other leads on the fixture leading to the external connector leads. Z-axis anisotropic conductive wiring material is placed between the die and the TAB tape at the bond pad location to establish contact between the bond pad and the TAB tape. Therefore, the contact between the bonding pad and the external connector lead is established by utilizing the Z-axis anisotropic conductive wiring material and the TAB tape. The Z-axis anisotropic conductive wiring material and the conductors on the TAB tape extend from the bonding pads to the connection points, and the connection points lead to the contacts, which in turn lead to the external connector leads.

【0009】Z軸異方導電配線材料およびTABテープ
は、その接続機能がTABテープをダイに永久的にボン
ディングすることなく達成されうることを除けば、本質
的に従来のTAB配線法と同様である。ダイ上の回路部
品との接触を維持するために、Z軸異方導電配線材料お
よびTABテープはバーンイン/試験フィクスチャーが
組立てられる時、ダイに対してバイアスされる。Z軸異
方導電配線材料およびTABテープの非ボンディング接
触が主としてダイパッドに適用される。テープと他の導
体との間の接触もまた非ボンディング接触であってよ
い。TABテープのフィクスチャーへの接着はまた永久
的ボンディングすることなしで、またはボンディング技
術により行なってもい。Z軸異方導電配線材料は分離し
た圧縮可能なエラストマーパッド、またはZ軸異方導電
配線材料のエラストマー特性によりダイに対してバイア
スされる。
The Z-axis anisotropically conductive wiring material and TAB tape are essentially similar to conventional TAB wiring methods except that their connecting function can be accomplished without permanently bonding the TAB tape to the die. is there. To maintain contact with the circuit components on the die, the Z-axis anisotropic conductive wiring material and TAB tape are biased against the die when the burn-in / test fixture is assembled. Non-bonding contacts of Z-axis anisotropic conductive wiring material and TAB tape are mainly applied to the die pad. The contact between the tape and the other conductor may also be a non-bonding contact. Bonding the TAB tape to the fixture may also be done without permanent bonding or by bonding techniques. The Z-axis anisotropic conductive wiring material is biased against the die by a separate compressible elastomer pad or the elastomeric properties of the Z-axis anisotropic conductive wiring material.

【0010】この態様の好ましい形態においては、外部
コネクタリードは好ましくはDIP(デュアル インラ
イン パッケージ;dual inline package)またはQFP
(クワッド フラット パック;quad flat pack) 形状
のコネクタピンである。ピンは接続点で終端する。この
態様の別の形態においては、TABテープ上の導体はテ
ープのトップまで通じ、そしてフィクスチャーの第2部
分の接着により、第2部分または分離した導体を通して
導体および外部接続リード間の電気的接続が確立する。
フィクスチャーにより単一のダイおよびバーンインオー
ブンとの電気的接触が確立し、また個別にパッケージさ
れた形態のダイの試験が可能になる。本発明の第2の態
様において2つの部分からなる個別のダイのための再使
用可能なバーンイン/試験フィクスチャーが提供され
る。試験フィクスチャーの第1部分はその中にダイが回
路面を上にして挿入されるキャビティを含有する。ダイ
はフローティングプラットホーム上に残る。第2部分は
各ダイパッド用プローブを有する。各プローブはバーン
インボードへの接着のために、また個別回路テスターへ
の接続のために使用することのできる電気コネクタに接
続される。Z軸異方導電配線材料はボンディングパッド
に対して直接置かれ、プローブおよびダイ間のインター
フェースを確立する。有利には、プローブはZ軸異方導
電配線材料上に圧力を加え、それによりボンディングパ
ッドとの良好なオーミック接触が確立する。
In a preferred form of this aspect, the external connector leads are preferably DIP (dual inline package) or QFP.
(Quad flat pack) shaped connector pins. The pin terminates at the connection point. In another form of this aspect, the conductors on the TAB tape extend to the top of the tape, and the bonding of the second portion of the fixture causes an electrical connection between the conductor and the external connection lead through the second portion or a separate conductor. Is established.
The fixture establishes electrical contact with the single die and the burn-in oven, and also allows testing of individually packaged forms of the die. In a second aspect of the invention, a reusable burn-in / test fixture for a two-part individual die is provided. The first portion of the test fixture contains a cavity into which the die is inserted circuit side up. The die remains on the floating platform. The second portion has a probe for each die pad. Each probe is connected to an electrical connector that can be used for bonding to a burn-in board and for connecting to an individual circuit tester. The Z-axis anisotropic conductive wiring material is placed directly against the bond pads to establish the interface between the probe and the die. Advantageously, the probe exerts a pressure on the Z-axis anisotropically conductive wiring material, which establishes a good ohmic contact with the bonding pad.

【0011】プローブは幾つかの形態をとることができ
る。蒸着導体はこれが固定基板上に位置することができ
ることを除けばTABテープの使用と類似している。導
電性エラストマーを使用してもよく、その場合、導電性
エラストマーはZ軸異方導電配線材料をボンディングパ
ッドに対してバイアスするためにZ軸異方導電配線材料
と協力する。別法として、バイアスされた金属プローブ
例えばプローブワイヤを使用してもよく、このバイアス
された金属プローブはZ軸異方導電配線材料をボンディ
ングパッドに対してバイアスする際にZ軸異方導電配線
材料と協力することができる。第3の態様において、ダ
イはフィクスチャーの第1部分のキャビティ中にフェー
スアップで置かれる。フィクスチャーの第2部分は外部
コネクタリードを含み、ダイ上のボンディングパッドと
の接触を確立するべく使用される。ダイの外部接続リー
ドへの接着はZ軸異方導電配線材料を通しての第2部分
上の接触点を通して、またはそれによりZ軸異方導電配
線材料との接触が確立されるTABテープのような中間
部材を通して確立される。第4の態様において、ダイは
ダイ収容キャビティを含むフィクスチャーにフェースダ
ウンで置かれる。Z軸異方導電配線材料はダイの下にあ
るダイ収容キャビティ中に置かれ、そしてダイ上のボン
ディングパッドとの接触はフィクスチャー上の外部コネ
クタリードを用い、Z軸異方導電配線材料を通して確立
される。この態様において、プローブ、Z軸異方導電配
線材料および電気コネクタは第2部分上に位置する。こ
の態様の好ましい形態においては、電気コネクタはダイ
の回路側のフェースから上方に伸びており、その結果フ
ィクスチャーは通常ダイの集積回路側をフェースダウン
して、テスターに接続される。
The probe can take several forms. The vapor-deposited conductor is similar to the use of TAB tape except that it can be located on a fixed substrate. A conductive elastomer may be used, in which case the conductive elastomer cooperates with the Z-axis anisotropic conductive wiring material to bias the Z-axis anisotropic conductive wiring material against the bonding pads. Alternatively, a biased metal probe, such as a probe wire, may be used which biases the Z-axis anisotropically conductive wiring material against the bonding pad. Can cooperate with. In a third aspect, the die is placed face up in the cavity of the first portion of the fixture. The second portion of the fixture contains the external connector leads and is used to establish contact with the bond pads on the die. Adhesion of the die to the external connection leads is through a contact point on the second portion through the Z-axis anisotropic conductive wiring material, or an intermediate such as TAB tape where contact is established with the Z-axis anisotropic conductive wiring material. Established through members. In a fourth aspect, the die is placed facedown on a fixture that includes the die receiving cavity. The Z-axis anisotropic conductive wiring material is placed in the die receiving cavity below the die, and contact with the bonding pads on the die is established through the Z-axis anisotropic conductive wiring material using the external connector leads on the fixture. To be done. In this aspect, the probe, Z-axis anisotropic conductive wiring material and electrical connector are located on the second portion. In a preferred form of this aspect, the electrical connector extends upwardly from the circuit side face of the die so that the fixture is normally faced down on the integrated circuit side of the die and connected to the tester.

【0012】図1および図2に言及すると、本発明のバ
ーンインフィクスチャー11はダイキャビティプレート
13およびカバー15を含む。ダイキャビティプレート
13はダイ収容キャビティ17を含む。ダイ収容キャビ
ティ17は少なくともダイ21を収容するのに十分な寸
法を有する。ダイ21は典型的には0.1mmの幅のボン
ディングパッド27において接続される。ダイキャビテ
ィプレート13はスロット31を有し、それによりダイ
がダイ収容キャビティ17から持ち上げられるように容
易にダイ21の底に近づくことができる。ダイキャビテ
ィプレート13中のダイ21の整合はカバー15をボン
ディングパッド27に整合させることにより達成され
る。複数の外部コネクタリード33がバーンインフィク
スチャー11から伸びる。図2を見てわかるように、好
ましい態様において、外部コネクタリード33はダイキ
ャビティプレート13に接着され、そこから伸びる。外
部コネクタリード33はコネクタピンとして示され、好
ましくはDIPまたはQFP形状である。外部コネクタ
リード33はダイキャビティプレート13により固定さ
れ、コンタクトパッド37によりダイキャビティプレー
ト13上で終端する。コンタクトパッド37はボンディ
ングパッド27と大体平面状に整合される。
Referring to FIGS. 1 and 2, the burn-in fixture 11 of the present invention includes a die cavity plate 13 and a cover 15. The die cavity plate 13 includes a die receiving cavity 17. The die-accommodating cavity 17 has a size sufficient to accommodate at least the die 21. The die 21 is connected at bond pads 27, which are typically 0.1 mm wide. The die cavity plate 13 has slots 31 which allow easy access to the bottom of the die 21 as the die is lifted from the die receiving cavity 17. Alignment of the die 21 in the die cavity plate 13 is achieved by aligning the cover 15 with the bonding pads 27. A plurality of external connector leads 33 extend from the burn-in fixture 11. As can be seen in FIG. 2, in the preferred embodiment, the external connector leads 33 are adhered to and extend from the die cavity plate 13. The external connector leads 33 are shown as connector pins and are preferably DIP or QFP shaped. The external connector lead 33 is fixed by the die cavity plate 13, and is terminated on the die cavity plate 13 by the contact pad 37. The contact pad 37 is aligned with the bonding pad 27 in a generally planar manner.

【0013】図1および2に言及すると、TABテープ
41はダイキャビティプレート13上のコンタクトパッ
ド37とボンディングパッド27の間を伸びるために使
用される。図4に示されるように、ボンディングパッド
は典型的にはBPSGパッシベーション層45により確
立される上面レベル43の下に嵌込まれる。TABテー
プ41は好ましくはポリアミドから成形されたプラスチ
ックフィルム47を含み、その上に複数の導電性トレー
ス49が形成される。図2にさらに言及すると、導電性
トレース49はボンディングパッド27またはコンタク
トパッド37との位置合せのために設けられたバンプ5
1,52を有する。したがって、導電性トレース49は
ボンディングパッド27とコンタクトパッド37の間に
信号を伝えることができ、またボンディングパッド27
およびコンタクトパッド37とそれぞれのバンプ51,
52との間にオーミック接触が確立する。バンプ52お
よびコンタクトパッド37間のオーミック接触の形成に
は、TABテープ41を動かすのに十分なバイアス力を
コンタクトパッド37に加えることが必要である。
Referring to FIGS. 1 and 2, TAB tape 41 is used to extend between contact pads 37 and bond pads 27 on die cavity plate 13. As shown in FIG. 4, the bond pads are typically recessed below the top level 43 established by the BPSG passivation layer 45. The TAB tape 41 comprises a plastic film 47, preferably molded from polyamide, on which a plurality of conductive traces 49 are formed. With further reference to FIG. 2, the conductive traces 49 are bumps 5 provided for alignment with the bonding pads 27 or contact pads 37.
1, 52. Therefore, the conductive traces 49 can carry signals between the bond pads 27 and the contact pads 37, and also bond pads 27.
And contact pad 37 and respective bumps 51,
Ohmic contact is established with 52. The formation of ohmic contact between the bumps 52 and the contact pads 37 requires applying a biasing force to the contact pads 37 sufficient to move the TAB tape 41.

【0014】幾つかの場合において、パッシベーション
層45の適用の結果としてボンディングパッド27はダ
イの上面の下に嵌込まれる。ボンディングパッド27は
また脆くなりがちである。Z軸異方導電配線材料53は
ボンディングパッド27およびTABテープ41間のイ
ンターフェースを与えるべく使用される。これによりT
ABテープ41およびボンディングパッド27間の直接
よりもむしろZ軸異方導電配線材料53を通してオーミ
ック接触するようになる。好都合には、Z軸異方導電配
線材料はまたTABテープ41およびコンタクトパッド
37間を伸びることができ、それによりTABテープ4
1のコンタクトパッド37への接続が容易になる。ボン
ディングパッド27およびTABテープ41間における
Z軸異方導電配線材料53の使用は幾つかの機能を果た
す。Z軸異方導電配線材料の弾性的に変形する能力によ
り、これはボンディングパッド27により定められるく
ぼみの中に到達するのに十分な程変形することができる
Z軸異方導電配線材料53のコンプライアントな性質に
より、ボンディングパッドに対して最小のダメージでボ
ンディングパッド27とのオーミック接触が可能にな
る。ボンディングパッドはバーンインおよび試験後実質
的にダメージを受けないで残るのが望ましいので、この
ことは非パッケージダイのバーンインおよび試験におい
て重要である。Z軸異方導電配線材料53のコンプライ
アントな性質により、TABテープ41のような中間コ
ンタクト部材はボンディングパッド27との整合にわず
かに狂いが生じうる。ボンディングパッド27とも接触
するTABテープ41の下の導電路に十分な量の材料が
存在する限りは、オーミック接触が確立する。オーミッ
ク接触を維持するべくバイアス力を加えることもまた必
要である。別のエラストマーパッドを使用することによ
りバイアス力は達成されうるが、Z軸異方導電配線材料
53のエラストマー的性質によってもバイアス力を与え
ることができる。
In some cases, bond pad 27 is recessed below the top surface of the die as a result of the application of passivation layer 45. Bonding pad 27 also tends to be brittle. The Z-axis anisotropic conductive wiring material 53 is used to provide an interface between the bonding pad 27 and the TAB tape 41. This makes T
Ohmic contact is made through the Z-axis anisotropic conductive wiring material 53 rather than directly between the AB tape 41 and the bonding pad 27. Conveniently, the Z-axis anisotropically conductive wiring material can also extend between the TAB tape 41 and the contact pads 37, thereby allowing the TAB tape 4 to move.
The connection to the contact pad 37 of No. 1 becomes easy. The use of Z-axis anisotropically conductive wiring material 53 between the bonding pad 27 and the TAB tape 41 serves several functions. Due to the elastically deforming ability of the Z-axis anisotropic conductive wiring material, it can be deformed sufficiently to reach into the recess defined by the bonding pad 27. Due to the client nature, ohmic contact with the bonding pad 27 is possible with minimal damage to the bonding pad. This is important in non-packaged die burn-in and testing, as it is desirable that the bond pads remain substantially undamaged after burn-in and testing. Due to the compliant nature of the Z-axis anisotropically conductive wiring material 53, intermediate contact members such as TAB tape 41 may be slightly misaligned with bonding pads 27. As long as there is a sufficient amount of material in the conductive path under the TAB tape 41 that also contacts the bonding pad 27, ohmic contact is established. It is also necessary to apply a biasing force to maintain ohmic contact. The biasing force may be achieved by using another elastomer pad, but the biasing force may also be provided by the elastomeric nature of the Z-axis anisotropically conductive wiring material 53.

【0015】Z軸異方導電配線材料53はボンディング
パッド27に永久的に接着される必要はない。オーミッ
ク接触はバイアス力により確立される。これによりボン
ディングパッド27を破壊することなくダイ21からZ
軸異方導電配線材料53およびTABテープ41をリフ
トすることができる。したがって、Z軸異方導電配線材
料53およびTABテープ41はボンディングパッド2
7とコンタクトパッド37の間に信号を伝えることがで
きる。また、Z軸異方導電配線材料53およびTABテ
ープ41をダイ21に永久的にボンディングして、バー
ンイン後のTABテープ41のダイ21への接着を維持
することもできる。カバー15は硬質のカバープレート
61および場合によっては弾性バイアス部材として働く
弾性の圧縮可能なエラストマーストリップ63を含む。
カバープレート61がダイキャビティプレート13に固
定されると、エラストマーストリップ63はZ軸異方導
電配線材料53およびTABテープ41をダイ21に対
してバイアスする。これによりTABテープ41をボン
ディングパッド27にボンディングすることなくボンデ
ィングパッド27とTABテープ41上の導電トレース
の間にオーミック接触が確立する。ダイ21をダイキャ
ビティプレート13中に一時的に固定するための最適な
技術は一般に“ゲルパック(gel pack) ”として知られ
ている予備硬化されたRTVシリコーンストリップをバ
ッキングストリップ65として使用することである。バ
ッキングストリップ65は接着剤なしにダイを所定の位
置に保持するのに十分な静電荷および摩擦係数を有し、
またエラストマー性である。換言すれば、シリコーンは
シリコンを所定の位置に保持し、そしてシリコンをTA
Bテープ41およびカバープレート61に対してバイア
スする。
The Z-axis anisotropic conductive wiring material 53 need not be permanently bonded to the bonding pad 27. Ohmic contact is established by the bias force. This allows the die 21 to move to Z without breaking the bonding pad 27.
The axially anisotropic conductive wiring material 53 and the TAB tape 41 can be lifted. Therefore, the Z-axis anisotropic conductive wiring material 53 and the TAB tape 41 are bonded to the bonding pad 2.
Signals can be transmitted between the contact pads 7 and the contact pads 37. Further, the Z-axis anisotropic conductive wiring material 53 and the TAB tape 41 can be permanently bonded to the die 21 to maintain the adhesion of the TAB tape 41 to the die 21 after burn-in. The cover 15 includes a rigid cover plate 61 and an elastic compressible elastomeric strip 63 that optionally acts as an elastic biasing member.
When the cover plate 61 is fixed to the die cavity plate 13, the elastomer strip 63 biases the Z-axis anisotropic conductive wiring material 53 and the TAB tape 41 with respect to the die 21. This establishes an ohmic contact between the bonding pad 27 and the conductive trace on the TAB tape 41 without bonding the TAB tape 41 to the bonding pad 27. The optimal technique for temporarily fixing the die 21 in the die cavity plate 13 is to use a pre-cured RTV silicone strip, commonly known as a "gel pack", as the backing strip 65. . The backing strip 65 has sufficient electrostatic charge and coefficient of friction to hold the die in place without adhesive,
It is also elastomeric. In other words, the silicone holds the silicon in place and the silicone is
B tape 41 and cover plate 61 are biased.

【0016】ダイ21をダイキャビティプレート13中
の所定の位置に一時的に固定するための最適な技術は予
備硬化されたRTVシリコーンストリップのバッキング
ストリップ65としての使用であることがわかっている
ため、エラストマーストリップ63は任意であると考え
られる。したがって、バッキングストリップ65の使用
により、エラストマーストリップ63を使用しなくても
ダイ21はTABテープ41に対してバイアスされる。
但し、その距離はバイアスをかけるのに適するように選
択される。ボンディングパッド27においてZ軸異方導
電配線材料53の非ボンディング接触は重要である。T
ABテープ41とフィクスチャー11上のコンタクトパ
ッド37との間の接触はボンディング技術により行なう
ことができる。このようなボンディングはフィクスチャ
ーを多数回使用してもフィクスチャー11を劣化しない
ことを期待される。このような接触のためにボンディン
グが使用される場合、TABテープからの導体がフィク
スチャー11と共に残るが、フィクスチャー11の動作
には支障はない。
It has been found that the best technique for temporarily fixing the die 21 in place in the die cavity plate 13 is to use a pre-cured RTV silicone strip as the backing strip 65. Elastomeric strip 63 is considered optional. Thus, the use of backing strip 65 biases die 21 against TAB tape 41 without the use of elastomeric strip 63.
However, the distance is chosen to be suitable for biasing. Non-bonding contact of the Z-axis anisotropic conductive wiring material 53 on the bonding pad 27 is important. T
The contact between the AB tape 41 and the contact pad 37 on the fixture 11 can be made by a bonding technique. It is expected that such bonding will not deteriorate the fixture 11 even if the fixture is used many times. When bonding is used for such contact, the conductor from the TAB tape remains with the fixture 11, but the operation of the fixture 11 is not hindered.

【0017】カバープレート61をダイキャビティプレ
ート13と整合させるために位置決めピン67が使用さ
れる。クランプ71はカバープレート61をダイキャビ
ティプレート13上の所定の位置に固定する。クランプ
71はワイヤクラスプで構成することができ、それは図
示したようにラッチするよう位置されるか、またはダイ
キャビティプレート13およびカバープレート61にお
いて水平な位置に嵌合される。カバープレート61が所
定の位置にあると、TABテープ41上の導体はボンデ
ィングパッド27からコンタクトパッド37の位置に伸
び、その結果ボンディングパッド27は外部コンタクト
リード33に電気的に通じる。図5はボンディングパッ
ド27の領域においてZ軸異方導電配線材料53との接
触を確立するべく変形されたカバープレート81が中間
コンタクト83を使用する図1および2の態様の変形を
示す。外部コネクタリード33との接触はカバープレー
ト81上の電気コンタクト85により確立される。この
接触はZ軸異方導電配線材料53、導電性ポリマーまた
は直接の金属対金属接続によるものであってよい。
Positioning pins 67 are used to align the cover plate 61 with the die cavity plate 13. The clamp 71 fixes the cover plate 61 at a predetermined position on the die cavity plate 13. The clamp 71 can be constructed with a wire clasp, which is positioned to latch as shown, or fitted in a horizontal position on the die cavity plate 13 and cover plate 61. With the cover plate 61 in place, the conductors on the TAB tape 41 extend from the bonding pads 27 to the contact pads 37, so that the bonding pads 27 are electrically connected to the external contact leads 33. FIG. 5 shows a modification of the embodiment of FIGS. 1 and 2 in which the cover plate 81 modified to establish contact with the Z-axis anisotropic conductive wiring material 53 in the area of the bonding pad 27 uses an intermediate contact 83. Contact with the external connector leads 33 is established by electrical contacts 85 on the cover plate 81. This contact may be by a Z-axis anisotropically conductive wiring material 53, a conductive polymer or a direct metal-to-metal connection.

【0018】図6はダイキャビティハウジング91が中
間コンタクト93を有する態様を示す。ダイ21はフェ
ースダウンで置かれ、ボンディングパッド27および中
間コンタクト93間の接続が確立する。この場合、Z軸
異方導電配線材料53はダイ21の下にある。予備硬化
されたRTVシリコーンバッキングストリップ95はダ
イ21をカバープレート97に固定し、かつダイ21を
中間コンタクト93に対してバイアスするために使用さ
れる。図7に示されるように、パッケージ101の別の
態様において、ダイ収容ハウジング103はダイ21を
保持するために使用され、そして上部分は105は外部
コネクタピン107を用いてダイ21を外部の試験回路
部品と接続するために使用される。ダイ収容ハウジング
103はダイ収容キャビティ109を含有し、これはダ
イ21をダイ21上のボンディングパッド27と整合す
る電気コンタクト111と整合して支持する。Z軸異方
導電配線材料53はダイ21と上部分105の間に位置
し、電気的接続はコネクタピン107を用いてボンディ
ングパッド27およびコンタクト111間に確立する。
この構成の1つの態様において、コンタクト111は金
属化合物である。コンタクト111として、他の導体を
使用してもよい。例として、コンタクト111として導
電性ポリマーを使用することができる。
FIG. 6 shows an embodiment in which the die cavity housing 91 has an intermediate contact 93. The die 21 is placed face down and the connection between the bonding pad 27 and the intermediate contact 93 is established. In this case, the Z-axis anisotropically conductive wiring material 53 is below the die 21. A pre-cured RTV silicone backing strip 95 is used to secure the die 21 to the cover plate 97 and bias the die 21 against the intermediate contact 93. In another embodiment of the package 101, as shown in FIG. 7, the die housing 103 is used to hold the die 21, and the upper portion 105 uses the external connector pins 107 to test the die 21 externally. Used to connect to circuit components. The die receiving housing 103 contains a die receiving cavity 109, which supports the die 21 in alignment with electrical contacts 111 which align with the bonding pads 27 on the die 21. The Z-axis anisotropic conductive wiring material 53 is located between the die 21 and the upper portion 105, and the electrical connection is established between the bonding pad 27 and the contact 111 using the connector pin 107.
In one aspect of this configuration, the contact 111 is a metal compound. Other conductors may be used as the contact 111. As an example, a conductive polymer can be used as the contact 111.

【0019】図8に示されるような態様においては、コ
ンタクトピン123はダイ21上のボンディングパッド
27の位置でZ軸異方導電配線材料53に伸びる。コン
タクトピン123は絶縁性カバー125にマウントさ
れ、そしてカバー125がダイキャビティハウジング1
31にマウントされるとコンタクトピン123と外部コ
ネクタピン129のベース部分127の間に電気的接続
が確立される。場合によっては、さらにダイ21をハウ
ジング131中の所定の位置に固定するため上面にエラ
ストマーストリップ135を使用してもよい。コンタク
ト123はプローブコンタクトと類似しているピンタイ
プのコンタクトである。カバー125のダイ21との整
合が比較的正確なため、コンタクト123がZ軸異方導
電配線材料53にボンディングパッド27との良好なオ
ーミック接触を確立させるのに十分な力を維持しながら
比較的低いバイアス力を有するように設計することがで
きる。図9はハウジングフィクスチャー141が単にダ
イ21を保持し、TABテープ143と電気的に通じる
構成を示す。TABテープ143はフィクスチャー14
1の領域を超えて伸び、外部コネクタ147で終端す
る。Z軸異方導電配線材料53はTABテープ143お
よびダイ21間に位置し、ダイパッド27との接触を確
立する。ボンディングパッドの詳細な位置については説
明しなかったが、例えばダイ21の端部におけるボンデ
ィングパッドの従来の配置を含む種々の形状を試験する
ことができる。本発明はまた、LOC(チップ上のリー
ド;Ieads over chip)または他の設計の形状のダイを試
験するために使用してもよい。上記の例のそれぞれにお
いて、組立てられたフィクスチャーは従来の試験装置例
えばバーンインオーブン中に適合される。
In the embodiment as shown in FIG. 8, the contact pin 123 extends to the Z-axis anisotropic conductive wiring material 53 at the position of the bonding pad 27 on the die 21. The contact pins 123 are mounted on the insulating cover 125, and the cover 125 is mounted on the die cavity housing 1.
When mounted on 31, an electrical connection is established between the contact pin 123 and the base portion 127 of the external connector pin 129. In some cases, an elastomeric strip 135 may also be used on the top surface to further secure the die 21 in place in the housing 131. The contact 123 is a pin type contact similar to the probe contact. Due to the relatively accurate alignment of the cover 125 with the die 21, the contacts 123 remain relatively strong while maintaining sufficient force to establish good ohmic contact with the Z-axis anisotropically conductive wiring material 53 with the bonding pads 27. It can be designed to have a low bias force. FIG. 9 shows a configuration in which the housing fixture 141 simply holds the die 21 and is in electrical communication with the TAB tape 143. The TAB tape 143 is the fixture 14
It extends beyond region 1 and terminates in an external connector 147. The Z-axis anisotropic conductive wiring material 53 is located between the TAB tape 143 and the die 21 and establishes contact with the die pad 27. Although the detailed location of the bond pads has not been described, various geometries can be tested, including, for example, conventional placement of bond pads at the ends of die 21. The invention may also be used to test LOC (Ieads over chip) or other shaped die. In each of the above examples, the assembled fixture is fitted in conventional test equipment such as a burn-in oven.

【0020】[0020]

【発明の効果】本発明によれば、2つの部分からなる個
別ダイのための再使用可能なバーンイン/試験フィクス
チャーが提供される。本発明のフィクスチャーによりバ
ーンインオーブンおよび個別ダイテスターとの電気的接
触が確立する。
The present invention provides a reusable burn-in / test fixture for a two-part individual die. The fixture of the present invention establishes electrical contact with the burn-in oven and individual die tester.

【図面の簡単な説明】[Brief description of drawings]

【図1】本発明のバーンインフィクスチャーの好ましい
態様を示す図である。
FIG. 1 is a diagram showing a preferred embodiment of a burn-in fixture of the present invention.

【図2】本発明のバーンインフィクスチャーの好ましい
態様を示す図である。
FIG. 2 is a diagram showing a preferred embodiment of the burn-in fixture of the present invention.

【図3】本発明の1つの態様として使用されるZ軸異方
導電配線材料およびTABテープの詳細図である。
FIG. 3 is a detailed view of a Z-axis anisotropic conductive wiring material and TAB tape used as one embodiment of the present invention.

【図4】Z軸異方導電配線材料およびTABテープの詳
細断面図である。
FIG. 4 is a detailed cross-sectional view of a Z-axis anisotropic conductive wiring material and a TAB tape.

【図5】変形されたカバープレートが中間コンタクト部
材である第1および2の態様の変形を示す図である。
FIG. 5 is a diagram showing a modification of the first and second aspects in which the modified cover plate is an intermediate contact member.

【図6】ダイキャビティハウジングがダイと外部接続ピ
ンとの間の接続に使用される態様を示す図である。
FIG. 6 shows how the die cavity housing is used for the connection between the die and the external connection pins.

【図7】上部がダイを外部の試験回路部品に接続するの
に使用される試験パッケージの別の態様を示す図であ
る。
FIG. 7 illustrates another embodiment of a test package whose top is used to connect the die to external test circuit components.

【図8】変形されたカバープレートがプローブワイヤ接
触を持つ図1および2の態様の変形を示す図である。
FIG. 8 shows a variation of the embodiment of FIGS. 1 and 2 in which the deformed cover plate has probe wire contact.

【図9】フレキシブルテープおよびZ軸異方導電配線材
料がダイを外部の試験回路部品に接続される外部コネク
タに直接接続するのに使用される本発明の変形を示す図
である。
FIG. 9 illustrates a variation of the invention in which a flexible tape and Z-axis anisotropic conductive wiring material are used to directly connect the die to an external connector that connects to an external test circuit component.

【図10】本発明の変形例を示す図である。FIG. 10 is a diagram showing a modified example of the present invention.

───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 デイビッド・エイ・ヘンブリー アメリカ合衆国、83709 アイダホ州、ボ イーズ、スモウク・ランチ・ドライブ 10855 (72)発明者 ウォレン・エム・ファーンワース アメリカ合衆国、83709 アイダホ州、ボ イーズ、ウエスト・コロンビア・ロード 10781 ─────────────────────────────────────────────────── ─── Continued Front Page (72) Inventor David A. Henbury, Smouk Ranch Drive, Boyes, 83709, Idaho, United States, 10855 (72) Inventor Warren M. Fernworth, Bo Bo, 83709, Idaho, United States Ease, West Columbia Road 10781

Claims (9)

【特許請求の範囲】[Claims] 【請求項1】 a)第1プレート; b)第1プレート上のダイ収容キャビティ; c)第1プレートとかみ合う第2プレート; d)その上に複数のコンタクトを持つ第1および第2プ
レートの1つ; e)ダイがダイ収容キャビティ内に置かれるとき、コン
タクトがダイ上の接触位置と整合するように置かれる複
数のコンタクト; f)パッド面に垂直であるZ軸において電気的に導電性
であり、かつ、パッド面を横切って電気絶縁を与え、そ
してダイおよび複数のコンタクトの間のダイ上に置かれ
るパッド;および g)コンタクトに電気的に通じ、前記プレートの1つに
マウントされるコネクタ端子;を含むダイ形態の半導体
集積回路デバイスを試験するための個別試験装置。
1. a) a first plate; b) a die receiving cavity on the first plate; c) a second plate which engages with the first plate; d) first and second plates having a plurality of contacts thereon. One; e) a plurality of contacts that are placed so that when the die is placed in the die receiving cavity, the contacts are aligned with the contact locations on the die; f) electrically conductive in the Z-axis, which is perpendicular to the pad surface. A pad placed on the die between the die and the plurality of contacts and providing electrical isolation across the pad surface; and g) electrically connected to the contact and mounted on one of the plates. An individual test apparatus for testing a semiconductor integrated circuit device in a die form including a connector terminal.
【請求項2】 a)前記パッドと協力し、第1および第
2プレートがかみ合わされた後にコンタクトを持つダイ
収容キャビティ内に収容されるダイをバイアスし、そし
て前記パッドとダイ上の前記接触位置との間に十分な圧
力を与えて前記パッドとダイ上の前記接触位置との間に
オーミック接触を確立する前記パッドから離れたエラス
トマーストリップ;および b)さらに静電引力および摩擦力によってダイ収容キャ
ビティ内の位置にダイを固定し、それによりダイ収容キ
ャビティ内に置かれた後で、かつ、第2プレートが第1
プレートとかみ合わせられる前に、ダイをダイ収容キャ
ビティについて位置的整合を維持することができるエラ
ストマーストリップ;をさらに含む請求項1記載の個別
試験装置。
2. A) cooperating with the pad, biasing a die housed in a die receiving cavity having a contact after the first and second plates are mated, and the pad and the contact location on the die. An elastomer strip away from the pad that provides sufficient pressure between the pad and the contact location on the die to establish an ohmic contact; and b) further electrostatic attraction and friction forces to the die-accommodating cavity. Fixing the die in position within the die, thereby placing the die in the die receiving cavity and the second plate
The individual testing device of claim 1, further comprising an elastomeric strip capable of maintaining the die in positional alignment with the die receiving cavity before being mated with the plate.
【請求項3】 第1および第2プレートがかみ合わされ
た後にコンタクトを持つダイ収容キャビティ内に収容さ
れるダイをバイアスし、前記パッドと協力してバイアス
して前記パッドとダイ上の前記接触位置との間に十分な
圧力を与えて前記パッドとダイ上の前記接触位置との間
にオーミック接触を確立する前記パッドから離れた手段
をさらに含む請求項1記載の個別試験装置。
3. A biasing die contained in a die receiving cavity having contacts after the first and second plates are mated and biased in cooperation with the pad to provide the pad and the contact location on the die. The individual test device of claim 1, further comprising means remote from the pad for providing sufficient pressure between the pad and the pad to establish an ohmic contact between the pad and the contact location on the die.
【請求項4】 さらに、ダイ収容キャビティはその中に
バイアスされた基板を持ち、バイアスされた基板はダイ
に対してバイアス力を加え、バイアス力は前記パッドを
通してダイ上の接触位置と前記複数のコンタクトとの間
に、電気的接続を確立するために前記パッドと協力する
請求項1記載の個別試験装置。
4. The die receiving cavity further has a biased substrate therein, the biased substrate exerts a biasing force on the die, the biasing force passing through the pad and the contact location on the die and the plurality of die. The individual test device of claim 1, which cooperates with the pad to establish an electrical connection with a contact.
【請求項5】 さらに、コンタクトは第1および第2プ
レートがかみ合わされた後にダイ収容キャビティと整合
されるコンタクト部材を含有し、前記コンタクト部材は
前記パッドと協力して前記パッドとダイ上の前記接触位
置との間に十分な圧力を与えて前記パッドとダイ上の前
記接触位置との間にオーミック接触を確立する請求項
1、2または4いずれか1項記載の個別試験装置。
5. The contact further includes a contact member that is aligned with the die receiving cavity after the first and second plates are mated, the contact member cooperating with the pad and the pad and the die on the die. An individual test apparatus as claimed in any one of claims 1, 2 or 4 wherein sufficient pressure is provided between the pad and the contact location to establish ohmic contact between the pad and the contact location on the die.
【請求項6】 さらに、コンタクトが第1および第2プ
レートがかみ合わされた後にダイ収容キャビティに伸び
るフレキシブルロッドを含有する請求項1、2または4
記載の個別試験装置。
6. The method of claim 1, 2 or 4 wherein the contact further comprises a flexible rod extending into the die receiving cavity after the first and second plates are mated.
Individual test equipment described.
【請求項7】 さらに、コンタクトが第1および第2プ
レートがかみ合わされた後にダイ収容キャビティと整合
されるコンタクトパッドをそれぞれ含有する請求項1記
載の個別試験装置。
7. The individual test device of claim 1, wherein the contacts further each include a contact pad that is aligned with the die receiving cavity after the first and second plates are mated.
【請求項8】 さらに、第1および第2プレートがダイ
収容キャビティ内のダイと一緒に固定される時、複数の
前記接触位置がコネクタ端子と電気的に通じる請求項
1、2または4いずれか1項記載の個別試験装置。
8. The plurality of contact positions are in electrical communication with the connector terminals when the first and second plates are secured together with the die in the die receiving cavity. The individual test apparatus according to item 1.
【請求項9】 さらに、第1プレートおよび第2プレー
トが整合手段によって整合され、そしてダイおよび絶縁
性基板がダイ収容キャビティに置かれる時、コネクタ端
子がダイ上の接触位置と整合するようにコネクタ端子が
第2プレート上に置かれる請求項1、2または4いずれ
か1項記載の個別試験装置。
9. The connector further comprises: the first plate and the second plate being aligned by the aligning means, and the connector terminal being aligned with the contact position on the die when the die and the insulating substrate are placed in the die receiving cavity. The individual test apparatus according to claim 1, 2 or 4, wherein the terminal is placed on the second plate.
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Citations (3)

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