JPH06275739A - Adaptor made of ceramics, and ceramic package - Google Patents

Adaptor made of ceramics, and ceramic package

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JPH06275739A
JPH06275739A JP5086837A JP8683793A JPH06275739A JP H06275739 A JPH06275739 A JP H06275739A JP 5086837 A JP5086837 A JP 5086837A JP 8683793 A JP8683793 A JP 8683793A JP H06275739 A JPH06275739 A JP H06275739A
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ceramic
package
ceramic package
printed wiring
adapter
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Hiroyuki Fujita
浩幸 藤多
Thomas Goodman
トーマス・グッドマン
Yoshikazu Murakami
義和 村上
Hidetoshi Kawasaki
英俊 川▲崎▼
T Murphy Arthur
アーサー・ティー・マーフィー
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Sony Corp
EIDP Inc
Original Assignee
Sony Corp
EI Du Pont de Nemours and Co
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Abstract

PURPOSE: To provide a hexahedral ceramic package for housing a semiconductor chip which can be packaged in high density. CONSTITUTION: The ceramic package is formed of a plurality of laminated low temperature baked ceramic sheet 12. The package comprises containers 42A, 42B formed on upper and lower surfaces to contain a semiconductor chip, a connector 18B electrically connected to the chip and formed in the container, a plurality of lands 14 formed on the lower surface, and a semiconductor circuit 16 formed therein to electrically connect the connectors 18A, 18B or the connectors 18A, 18B to each other.

Description

【発明の詳細な説明】Detailed Description of the Invention

【0001】[0001]

【産業上の利用分野】本発明は、低温焼成セラミックシ
ートから成り、新規の構造を有するセラミック製アダプ
ター及びセラミックパッケージに関する。
BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to a ceramic adapter and a ceramic package, which are made of low temperature fired ceramic sheets and have a novel structure.

【0002】[0002]

【従来の技術】電子機器の小型化・高性能化に伴い、半
導体素子等の高密度実装が重要になってきている。ま
た、半導体素子等自体の高密度化・高集積化が要求さ
れ、それに伴い入出力端子数が増大すると同時に、半導
体チップの発熱量が増加する傾向にある。これらに対応
するために、半導体チップを実装するためのパッケージ
には、例えば、次の特性が要求されている。 (A)放熱性、耐熱性等の熱的特性に優れていること (B)パッケージの内部配線の抵抗が小さく、パッケー
ジを構成する材料の誘電率が低い等、電気的特性に優れ
ていること (C)信頼性が高いこと (D)効率よく、高密度且つ高い信頼性にて他の回路に
接続できること (E)小型であること また、半導体素子の動作速度が高速になるに従い、半導
体チップを収納するパッケージに対しても、インピーダ
ンス不整合による伝送信号劣化が少ないこと、信号伝播
速度が早いことといった要求が大きくなりつつある。こ
のような種々の要求を満足し得る半導体パッケージの一
種に、セラミックシートを複数積層したランドグリッド
アレイ(以下、LGAと略す)パッケージを挙げること
ができる。
2. Description of the Related Art With the miniaturization and high performance of electronic equipment, high-density mounting of semiconductor elements has become important. Further, there is a demand for higher density and higher integration of semiconductor elements and the like, and along with this, the number of input / output terminals increases, and at the same time, the amount of heat generated by semiconductor chips tends to increase. In order to meet these requirements, a package for mounting a semiconductor chip is required to have the following characteristics, for example. (A) Excellent thermal characteristics such as heat dissipation and heat resistance (B) Excellent electrical characteristics such as low internal wiring resistance of the package and low dielectric constant of the material forming the package (C) High reliability (D) Efficient, high-density and high-reliability connection to other circuits (E) Small size Further, as the operating speed of semiconductor elements increases, semiconductor chips Also for the package that accommodates the package, there are increasing demands that the transmission signal deterioration due to impedance mismatch is small and the signal propagation speed is fast. One type of semiconductor package that can satisfy such various requirements is a land grid array (hereinafter abbreviated as LGA) package in which a plurality of ceramic sheets are stacked.

【0003】LGAパッケージの材料として、現在、主
にアルミナが用いられている。LGAパッケージは、通
常、以下の方法で作製することができる。
At present, alumina is mainly used as a material for the LGA package. The LGA package can be usually manufactured by the following method.

【0004】先ず、原料アルミナ粉末に所定の有機結合
剤(バインダ)及び可塑剤等を加えて成形されたグリー
ンシートを所定の大きさに加工し、パンチング等によっ
てスルーホールあるいはビヤホールのための穴開け加工
を施す。次に、グリーンシートにタングステンやモリブ
デン(以下、高融点金属と呼ぶ)から成る金属ペースト
をスクリーン印刷して、スルーホールあるいはビヤホー
ルを含む導体回路部、外部端子や電極との接続用のラン
ド部、及びワイヤボンディング部等を形成する。このよ
うなグリーンシートを所定数(通常3〜8層)作製した
後、積層して、水素ガス等の還元雰囲気下、約1500
〜1600゜Cの高温で同時焼成する。その後、ランド
部やワイヤボンディング部に金めっきやニッケルめっき
を施し、最後にめっき端子部を切断する。
First, a green sheet formed by adding a predetermined organic binder (binder) and a plasticizer to a raw material alumina powder is processed into a predetermined size, and punched or the like to make holes for through holes or via holes. Apply processing. Next, a metal paste made of tungsten or molybdenum (hereinafter referred to as refractory metal) is screen-printed on the green sheet to form a conductor circuit portion including a through hole or a via hole, a land portion for connection with an external terminal or an electrode, And forming a wire bonding portion and the like. After producing a predetermined number (usually 3 to 8 layers) of such green sheets, they are stacked and then subjected to a reduction atmosphere of hydrogen gas or the like at about 1500.
Simultaneous firing at a high temperature of ~ 1600 ° C. Then, the land portion and the wire bonding portion are plated with gold or nickel, and finally the plated terminal portion is cut.

【0005】従来のLGAパッケージの製造技術におい
ては、高温での同時焼成時における溶融を防ぐために、
高融点金属から成る金属ペーストを用いる。高融点金属
は抵抗値が高く、しかも高融点金属の表面に金線等によ
るワイヤボンディングやハンダ付けを施すことが困難で
ある。それ故、高温同時焼成後、ランド部やワイヤボン
ディング部に金めっきやニッケルめっきを施すことが不
可欠である。このようなめっきを施すため、図14に模
式的な断面図を示すように、めっき用電極層108が必
要とされ、このめっき用電極層はパッケージの完成後に
もパッケージ内に残される。尚、図14中、100はセ
ラミック層、102は導体回路部、104はワイヤボン
ディング部、106はワイヤボンディング部の上に形成
されためっき層である。
In the conventional LGA package manufacturing technique, in order to prevent melting at the time of simultaneous firing at high temperature,
A metal paste made of a refractory metal is used. The refractory metal has a high resistance value, and it is difficult to wire-bond or solder the surface of the refractory metal with a gold wire or the like. Therefore, it is indispensable to apply gold plating or nickel plating to the land portion and the wire bonding portion after the high temperature co-firing. In order to perform such plating, a plating electrode layer 108 is required as shown in the schematic sectional view of FIG. 14, and this plating electrode layer is left in the package even after the package is completed. In FIG. 14, 100 is a ceramic layer, 102 is a conductor circuit section, 104 is a wire bonding section, and 106 is a plating layer formed on the wire bonding section.

【0006】このLGAパッケージをプリント配線板に
実装する場合、通常、ハンダを用いて両者を電気的及び
機械的に接続するか、プリント配線板に電気的及び機械
的に接続されたプラスチック又は金属から構成されたソ
ケットにLGAパッケージを取り付ける。
When this LGA package is mounted on a printed wiring board, usually, both are electrically and mechanically connected by using solder, or a plastic or metal electrically and mechanically connected to the printed wiring board. Attach the LGA package to the configured socket.

【0007】例えばデジタルIC用のLGAパッケージ
においては、一般に、1〜2層の信号線層と、2〜6層
の電源層あるいはグランド層、プリント配線板とのイン
ターフェイスを形成する入出力層、抵抗やコンデンサを
実装する層、抵抗やコンデンサのための配線層、放熱板
を取り付けるための層、半導体チップを実装する層、リ
ッドを取り付けるための層など、全体として、3〜8層
あるいはそれ以上のセラミックシートを積層する必要が
ある。
In an LGA package for a digital IC, for example, generally, 1 to 2 signal line layers, 2 to 6 power supply layers or ground layers, an input / output layer forming an interface with a printed wiring board, and a resistor. 3-8 layers or more, such as a layer for mounting a capacitor or a capacitor, a wiring layer for a resistor or a capacitor, a layer for mounting a heat sink, a layer for mounting a semiconductor chip, a layer for mounting a lid, etc. It is necessary to stack ceramic sheets.

【0008】一方、比較的多数の入出力パッドを有する
半導体ICのベアチップをプリント配線板に実装する方
法として、ワイヤボンディング方式やフリップチップ方
式の他に、TAB(Tape Automated Bonding)方式が知
られている。TAB方式に用いられるフィルムキャリア
は、例えばポリイミドフィルムから成る絶縁層と、ポリ
イミドフィルムの片面又は両面に形成された銅箔の回路
から成る導体層から構成されている。ベアチップとプリ
ント配線板とはフィルムキャリアに形成された導体層に
よって電気的に接続される。
On the other hand, as a method of mounting a bare chip of a semiconductor IC having a relatively large number of input / output pads on a printed wiring board, a TAB (Tape Automated Bonding) method is known in addition to a wire bonding method and a flip chip method. There is. The film carrier used in the TAB system is composed of, for example, an insulating layer made of a polyimide film and a conductor layer made of a circuit of copper foil formed on one side or both sides of the polyimide film. The bare chip and the printed wiring board are electrically connected by a conductor layer formed on the film carrier.

【0009】銅箔から成る導体層の抵抗値が低いので伝
送線路である導体層を通る信号の損失が少なく、しか
も、ポリイミドの比誘電率が4程度と低いので伝送線路
である導体層の電気長を短くすることができる。尚、導
体層の回路長をL、実効誘電率をεeffとした場合、電
気長は L×√εeff で表される。
Since the resistance value of the conductor layer made of copper foil is low, the loss of signals passing through the conductor layer which is the transmission line is small, and the relative dielectric constant of polyimide is as low as about 4, so that the electric conductivity of the conductor layer which is the transmission line is low. The length can be shortened. When the circuit length of the conductor layer is L and the effective dielectric constant is εeff, the electrical length is represented by L × √εeff.

【0010】また、TAB方式においては、絶縁層の両
面に導体層を形成することによって、マイクロストリッ
プ線路構造を形成することができ、伝送線路の特性イン
ピーダンスを制御することが可能になり、高速の信号伝
送に対処することができる。
Further, in the TAB method, a microstrip line structure can be formed by forming conductor layers on both surfaces of an insulating layer, and it becomes possible to control the characteristic impedance of the transmission line, which results in high speed. The signal transmission can be dealt with.

【0011】[0011]

【発明が解決しようとする課題】従来のLGAパッケー
ジは、アルミナを主成分とするために、以下に述べる問
題を有する。
The conventional LGA package has the following problems because it contains alumina as a main component.

【0012】即ち、LGAパッケージの作製工程におい
てめっき工程を必要とするので、LGAパッケージの製
造工程が増加する。しかも、めっき用電極層108を必
要とすることから、積層すべきグリーンシートの層数や
それらの製造工程数が増加するという問題もある。ま
た、LGAパッケージ中に残存するめっき用電極層10
8は、半導体チップの動作時、所謂オープンスタブとな
る。その結果、高周波信号がめっき用電極層108によ
って反射され、伝送信号波形の劣化といった高周波特性
の劣化という問題が生じる。
That is, since a plating process is required in the manufacturing process of the LGA package, the manufacturing process of the LGA package is increased. Moreover, since the plating electrode layer 108 is required, there is a problem that the number of layers of the green sheets to be laminated and the number of manufacturing steps thereof increase. In addition, the plating electrode layer 10 remaining in the LGA package
8 is a so-called open stub when the semiconductor chip operates. As a result, the high-frequency signal is reflected by the plating electrode layer 108, which causes a problem of deterioration of high-frequency characteristics such as deterioration of transmission signal waveform.

【0013】また、主としてアルミナから成る従来のL
GAパッケージは、比誘電率εが10前後と高く、信号
の伝播遅延や誘電損失、あるいはクロストークの問題が
生じ易いという問題もある。
The conventional L mainly composed of alumina
The GA package has a high relative permittivity ε of about 10 and has a problem that problems such as signal propagation delay, dielectric loss, and crosstalk are likely to occur.

【0014】また、アルミナを主成分としたグリーンシ
ートから作製された、従来の半導体パッケージにおいて
は、以下に述べる実装上の問題がある。
Further, the conventional semiconductor package made of a green sheet containing alumina as a main component has the following mounting problem.

【0015】即ち、通常、半導体パッケージはプリント
配線板上に平面的に実装される。従って、プリント配線
板上で占める半導体パッケージの面積が大きいという問
題がある。また、このような実装方法では、半導体パッ
ケージと半導体パッケージとの間の距離が長くなり、信
号の伝送距離が長くなる。その結果、信号の遅延が大き
くなる。しかも、半導体パッケージ/プリント配線板/
半導体パッケージによって形成される信号伝送経路に
は、半導体パッケージとプリント配線板との間に合計2
カ所のインピーダンス不連続部が形成されるため、高速
信号を伝送する場合、伝送される信号波形が乱れるとい
う問題もある。
That is, usually, the semiconductor package is planarly mounted on the printed wiring board. Therefore, there is a problem that the semiconductor package occupies a large area on the printed wiring board. Further, in such a mounting method, the distance between the semiconductor packages becomes long, and the signal transmission distance becomes long. As a result, the signal delay increases. Moreover, semiconductor packages / printed wiring boards /
The signal transmission path formed by the semiconductor package has a total of two between the semiconductor package and the printed wiring board.
Since impedance discontinuities are formed at some places, there is also a problem in that when a high speed signal is transmitted, the transmitted signal waveform is disturbed.

【0016】半導体チップの実装密度を高めるための一
手段として、半導体チップを収納した複数のLGAパッ
ケージを垂直方向に積み上げる方式が考えられるが、こ
のような方式に適したLGAパッケージは知られていな
い。しかも、アルミナを主成分とするグリーンシートを
用いてLGAパッケージを作製した場合、アルミナの比
誘電率が10程度と高いので、伝送線路の電気長が長く
なり、半導体チップを収納した複数のLGAパッケージ
を垂直方向に積み上げた場合、半導体チップ間の実効的
な電気長が長くなり、信号の伝播遅延が問題となる。
As a means for increasing the mounting density of semiconductor chips, a method of vertically stacking a plurality of LGA packages accommodating semiconductor chips can be considered, but an LGA package suitable for such a method is not known. . Moreover, when an LGA package is manufactured by using a green sheet containing alumina as a main component, the relative dielectric constant of alumina is as high as about 10, so that the electrical length of the transmission line becomes long, and a plurality of LGA packages accommodating semiconductor chips are provided. If they are stacked in the vertical direction, the effective electrical length between the semiconductor chips becomes long and the signal propagation delay becomes a problem.

【0017】一方、半導体チップの実装密度を高めるた
めの別の手段として、複数の半導体チップを1つのLG
Aパッケージに収納する方式が考えられる。しかしなが
ら、半導体チップ同士を接続するための配線層が更に必
要となり、アルミナを主成分とするグリーンシートを用
いてLGAパッケージを作製した場合、設計上必要とさ
れるLGAパッケージ内の配線層の数が不足するという
問題がある。
On the other hand, as another means for increasing the packaging density of the semiconductor chips, a plurality of semiconductor chips are combined into one LG.
A method of storing in an A package can be considered. However, a wiring layer for connecting the semiconductor chips to each other is further required, and when an LGA package is manufactured using a green sheet containing alumina as a main component, the number of wiring layers in the LGA package required for the design is reduced. There is a shortage problem.

【0018】更に、LGAパッケージに収納された半導
体チップを設計変更した場合、あるいは新規の半導体チ
ップを用いる場合、以下に述べる問題が生じる。
Furthermore, when the design of the semiconductor chip housed in the LGA package is changed or a new semiconductor chip is used, the following problems occur.

【0019】即ち、このような場合、通常、半導体チッ
プにおけるLGAパッケージの入出力端子部に対する信
号や入出力あるいは電源の割当も変更される。従って、
LGAパッケージに形成された導体回路部も設計変更す
る必要があり、その結果、プリント配線板全体の回路設
計変更を行う必要もある。
That is, in such a case, usually, the allocation of signals, input / output or power supply to the input / output terminal portion of the LGA package in the semiconductor chip is also changed. Therefore,
It is also necessary to change the design of the conductor circuit portion formed in the LGA package, and as a result, it is necessary to change the circuit design of the entire printed wiring board.

【0020】ピングリッドアレイ(PGA)パッケージ
においては、従来から、プラスチックや金属から成るア
ダプターが用いられており、このアダプターを、PGA
パッケージとプリント配線板の間に介在させる。そし
て、半導体チップの設計変更等を行った場合、かかるア
ダプターの内部配線を変更する。これによって、プリン
ト配線板の回路を変更する必要がなくなる。しかしなが
ら、このようなアダプターにおいては、PGAパッケー
ジに設けられた信号線路とアダプター間のインピーダン
ス整合が取られておらず、高速信号の伝送時、信号波形
に劣化が生じる。それ故、高速信号の伝送にはかかるア
ダプターを用いることができないという問題がある。
In the pin grid array (PGA) package, an adapter made of plastic or metal has been conventionally used.
It is interposed between the package and the printed wiring board. Then, when the design of the semiconductor chip is changed, the internal wiring of the adapter is changed. This eliminates the need to change the circuit of the printed wiring board. However, in such an adapter, impedance matching between the signal line provided in the PGA package and the adapter is not achieved, and the signal waveform deteriorates during transmission of a high-speed signal. Therefore, there is a problem that such an adapter cannot be used for high-speed signal transmission.

【0021】また、TAB方式においても、以下に述べ
るような問題がある。
The TAB method also has the following problems.

【0022】即ち、TAB方式においては、伝送線路の
特性インピーダンスを制御することが可能になり、高速
の信号伝送に対処することができる。しかしながら、導
体層を3層以上にすることは極めて困難であり、伝送線
路を多層化することができないという問題がある。ま
た、ベアチップとプリント配線板とはフィルムキャリア
に形成された導体層によって電気的に接続されるが、か
かる導体層は、交差することのない2次元的な放射状の
パターンに限定される。従って、導体層のパターンの設
計自由度が低く、半導体チップを設計変更した場合、あ
るいは新規の半導体チップを用いる場合、導体層の設計
変更では対処できず、プリント配線板全体の回路設計変
更を行う必要がある。
That is, in the TAB method, the characteristic impedance of the transmission line can be controlled, and high-speed signal transmission can be coped with. However, it is extremely difficult to have three or more conductor layers, and there is a problem that the transmission line cannot be multilayered. The bare chip and the printed wiring board are electrically connected by a conductor layer formed on the film carrier, but the conductor layer is limited to a two-dimensional radial pattern that does not intersect. Therefore, when the design freedom of the pattern of the conductor layer is low and the semiconductor chip is redesigned or a new semiconductor chip is used, the design change of the conductor layer cannot be dealt with, and the circuit design of the entire printed wiring board is changed. There is a need.

【0023】以上、各種の問題を簡単に纏めると、以下
のとおりとなる。 (1)アルミナを主成分としたセラミックシートから構
成されたセラミックパッケージあるいは半導体パッケー
ジにおける問題点 めっき工程が必要 めっき層の存在に起因した高周波特性の劣化 高比誘電率に起因した高周波特性の劣化 セラミックシートの積層数が少ないことに起因した
低実装密度 セラミックシートの積層数が少ないことに起因した
配線層数の不足 (2)半導体チップの設計変更、新規半導体チップの採
用等に伴う問題点 セラミックパッケージやプリント配線板の回路設計
変更 従来のアダプターにおける高周波特性の劣化 TAB方式におけるフィルムキャリアやプリント配
線板の回路設計変更
The various problems described above can be summarized as follows. (1) Problems in a ceramic package or a semiconductor package composed of a ceramic sheet containing alumina as a main component A plating process is required Degradation of high frequency characteristics due to the presence of a plating layer Degradation of high frequency characteristics due to a high relative dielectric constant Ceramic Low mounting density due to the small number of laminated sheets. Insufficient number of wiring layers due to the small number of laminated ceramic sheets. (2) Problems associated with semiconductor chip design changes, new semiconductor chip adoption, etc. Ceramic packages And circuit design changes of printed wiring boards Deterioration of high-frequency characteristics of conventional adapters Circuit design changes of film carriers and printed wiring boards in the TAB method

【0024】低温焼成用のセラミックグリーンシートを
用いたPGAパッケージ等の製法が、例えば特開平2−
90551号公報から公知である。しかしながら、この
公報には、LGAパッケージの製法や、上記の種々の問
題を解決するための手段が開示も示唆もなされていな
い。
A method of manufacturing a PGA package or the like using a ceramic green sheet for low temperature firing is disclosed in, for example, Japanese Patent Application Laid-Open No. Hei 2-
It is known from the publication No. 90551. However, this publication neither discloses nor suggests a method for manufacturing the LGA package and means for solving the above various problems.

【0025】従って、本発明の第1の目的は、上記〜
並びに及びの問題点に対処し得る、半導体パッケ
ージとプリント配線板とを電気的に接続するためのセラ
ミック製アダプターを提供することにある。
Therefore, the first object of the present invention is to:
It is an object of the present invention to provide a ceramic adapter for electrically connecting a semiconductor package and a printed wiring board, which can solve the problems (1) and (2).

【0026】また、本発明の第2の目的は、上記〜
並びにの問題点に対処し得る、プリント配線板に設け
られた回路と、端子部を上に向けた状態でプリント配線
板に取り付けられた半導体チップとを電気的に接続する
ための、TAB方式におけるフィルムキャリアの代替と
なり得るセラミック製アダプターを提供することにあ
る。
The second object of the present invention is to
In the TAB method for electrically connecting the circuit provided on the printed wiring board and the semiconductor chip mounted on the printed wiring board with the terminal portion facing upward, which can address the problems of The object is to provide a ceramic adapter that can replace the film carrier.

【0027】更に、本発明の第3の目的は、上記〜
の問題点に対処し得る、半導体チップを収納するための
セラミックパッケージを提供することにある。
Further, the third object of the present invention is to
SUMMARY OF THE INVENTION It is an object of the present invention to provide a ceramic package for accommodating semiconductor chips, which can solve the above problems.

【0028】[0028]

【課題を解決するための手段】上記の第1の目的を達成
するために、半導体パッケージとプリント配線板とを電
気的に接続するための、本発明の第1の態様に係る六面
体のセラミック製アダプターは、積層された複数の低温
焼成セラミックシートから成り、上面及び下面のそれぞ
れに形成された複数のランド部と、内部に形成された、
ランド部相互を電気的に接続する導体回路部とを備えて
いることを特徴とする。
In order to achieve the above-mentioned first object, a hexahedral ceramic body according to a first aspect of the present invention for electrically connecting a semiconductor package and a printed wiring board. The adapter is composed of a plurality of laminated low-temperature fired ceramic sheets, a plurality of land portions formed on each of the upper surface and the lower surface, and formed inside,
And a conductor circuit portion for electrically connecting the land portions to each other.

【0029】また、上記の第2の目的を達成するため
に、プリント配線板に設けられた回路と、端子部を上に
向けた状態でプリント配線板に取り付けられた半導体チ
ップとを電気的に接続するための、本発明の第2の態様
に係る六面体のセラミック製アダプターは、積層された
複数の低温焼成セラミックシートから成り、下面に形成
された、プリント配線板の回路との電気的な接続のため
の複数のランド部と、下面に形成された、半導体チップ
を収納するための凹部と、この凹部に形成された、半導
体チップの端子部との電気的な接続のための接続部と、
内部に形成された、接続部とランド部とを電気的に接続
する導体回路部とを備えていることを特徴とする。
In order to achieve the second object, the circuit provided on the printed wiring board and the semiconductor chip mounted on the printed wiring board with the terminal portions facing upward are electrically connected. The hexahedral ceramic adapter according to the second aspect of the present invention for connection is composed of a plurality of laminated low temperature fired ceramic sheets, and is electrically connected to the circuit of the printed wiring board formed on the lower surface. A plurality of land portions for, a recess formed on the lower surface for housing the semiconductor chip, a connection portion formed in the recess for electrical connection with the terminal portion of the semiconductor chip,
It is characterized by comprising a conductor circuit portion formed inside to electrically connect the connecting portion and the land portion.

【0030】更に、上記の第3の目的を達成するため
に、半導体チップを収納するための、本発明の第1の態
様に係る六面体のセラミックパッケージは、積層された
複数の低温焼成セラミックシートから成り、上面及び下
面のそれぞれに形成された、半導体チップを収納する収
納部と、これらの収納部のそれぞれに形成された、半導
体チップとの電気的な接続のための接続部と、下面に形
成された複数のランド部と、内部に形成された、ランド
部と接続部あるいは接続部相互を電気的に接続する導体
回路部とを備えていることを特徴とする。
Further, in order to achieve the above-mentioned third object, a hexahedral ceramic package for accommodating a semiconductor chip according to the first aspect of the present invention comprises a plurality of laminated low-temperature fired ceramic sheets. Comprising: A storage part formed on each of the upper surface and the lower surface for accommodating a semiconductor chip, a connection part formed in each of these storage parts for electrical connection with the semiconductor chip, and formed on the lower surface. A plurality of formed land portions, and a conductor circuit portion that is formed inside and electrically connects the land portion and the connection portion or the connection portions to each other.

【0031】更に、上記の第3の目的を達成するため
に、半導体チップを収納するための、本発明の第2の態
様に係る六面体のセラミックパッケージは、積層された
複数の低温焼成セラミックシートから成り、半導体チッ
プを収納する収納部と、この収納部に形成された、半導
体チップとの電気的な接続のための接続部と、上面及び
下面のそれぞれに形成された複数のランド部と、内部に
形成された、それぞれのランド部と接続部あるいはラン
ド部相互を電気的に接続する導体回路部とを備えている
ことを特徴とする。
Furthermore, in order to achieve the above-mentioned third object, a hexahedral ceramic package for accommodating a semiconductor chip according to the second aspect of the present invention is formed by stacking a plurality of low temperature fired ceramic sheets. A storage part for storing the semiconductor chip, a connection part formed in the storage part for electrical connection with the semiconductor chip, a plurality of land parts formed on each of the upper surface and the lower surface, and And each of the land portions and the connecting portion or the conductor circuit portion electrically connecting the land portions to each other.

【0032】本発明の第2の態様に係るセラミックパッ
ケージにおいては、収納部は、セラミックパッケージの
上面又は下面に形成された凹部から成ることが好まし
い。あるいは又、収納部は、セラミックパッケージの上
面及び下面に形成された凹部から成り、セラミックパッ
ケージの内部に形成された導体回路部は、半導体チップ
相互を電気的に接続するための回路を更に含むことが好
ましい。
In the ceramic package according to the second aspect of the present invention, it is preferable that the accommodating portion is a recess formed on the upper surface or the lower surface of the ceramic package. Alternatively, the accommodating portion may include recesses formed on the upper surface and the lower surface of the ceramic package, and the conductor circuit portion formed inside the ceramic package may further include a circuit for electrically connecting the semiconductor chips to each other. Is preferred.

【0033】本明細書において、低温焼成用のセラミッ
クグリーンシートという場合、未焼成のセラミックシー
トを意味し、低温焼成セラミックシートという場合、か
かるセラミックグリーンシートを低温同時焼成した後の
セラミックシートを意味する。
In the present specification, a ceramic green sheet for low-temperature firing means an unfired ceramic sheet, and a low-temperature firing ceramic sheet means a ceramic sheet after low-temperature co-firing of such a ceramic green sheet. .

【0034】低温焼成セラミックシートの原料として、
例えば、(ホウケイ酸ガラス+アルミナ)、(鉛ホウケ
イ酸ガラス+アルミナ)、(アルミナ・カルシウム・ホ
ウケイ酸ガラス+アルミナ)、(アルミナ・マグネシウ
ム・ホウケイ酸ガラス+石英や石英ガラス)、(ホウケ
イ酸ガラス+アルミナ,フォルステライト)、(ホウケ
イ酸ガラス+石英+アルミナ+コージェライト)等のガ
ラスセラミック複合系材料、(コージェライト系β−ス
ポジェメン系材料)、(コージェライト系ZnO・Mg
O・Al23・SiO2材料)、(コージェライト系B2
3・MgO・Al23・SiO2系材料)等の結晶化ガ
ラス系材料、Al23・CaO・SiO2・MgO・B2
3、Al23・CaO・SiO2・BaO・B23等の
非ガラス系材料を挙げることができるが、これらに限定
されるものではない。ランド部、接続部あるいは導体回
路部は金属ペーストを用いて形成する。それ故、金属ペ
ーストを構成する金属(例えば、融点1065゜Cの
金、融点1085゜Cの銅、融点962゜Cの銀、融点
1455゜Cのニッケル)の融点よりも低い温度(例え
ば、800〜1000゜C)で焼成できる材料であれば
よい。
As a raw material for the low temperature fired ceramic sheet,
For example, (borosilicate glass + alumina), (lead borosilicate glass + alumina), (alumina calcium calcium borosilicate glass + alumina), (alumina magnesium magnesium borosilicate glass + quartz or quartz glass), (borosilicate glass Glass-ceramic composite materials such as (+ alumina, forsterite), (borosilicate glass + quartz + alumina + cordierite), (cordierite β-spogemen-based materials), (cordierite-based ZnO / Mg)
O ・ Al 2 O 3・ SiO 2 material), (cordierite type B 2
O 3 · MgO · Al 2 O 3 · SiO 2 based materials) and other crystallized glass-based materials, Al 2 O 3 · CaO · SiO 2 · MgO · B 2
Non-glass materials such as O 3 and Al 2 O 3 .CaO.SiO 2 .BaO.B 2 O 3 can be cited, but not limited to these. The land portion, the connection portion or the conductor circuit portion is formed by using a metal paste. Therefore, a temperature lower than the melting point of the metal (eg, gold having a melting point of 1065 ° C., copper having a melting point of 1085 ° C., silver having a melting point of 962 ° C., nickel having a melting point of 1455 ° C.) (for example, 800 Any material can be used as long as it can be fired at up to 1000 ° C.

【0035】[0035]

【作用】本発明のセラミック製アダプターあるいはセラ
ミックパッケージはLGAタイプであり、積層された複
数の低温焼成セラミックシートから成る。この低温焼成
セラミックシートは800゜C程度の低温で焼成可能な
低温焼成用のセラミックグリーンシートを焼成すること
によって得られる。このように焼成温度が低いため、
金、銀、銅等の金属ペーストを用いて、低抵抗値を有し
且つワイヤボンディングやハンダ付けが可能な接続部や
ランド部及び導体回路部を形成することができる。従っ
て、めっき工程が不要となり、めっき用電極層も不要と
なる。また、低損失の伝送線路を形成することができ
る。
The ceramic adapter or ceramic package of the present invention is of the LGA type and comprises a plurality of low temperature fired ceramic sheets laminated together. This low temperature firing ceramic sheet is obtained by firing a low temperature firing ceramic green sheet that can be fired at a low temperature of about 800 ° C. Since the firing temperature is low,
By using a metal paste such as gold, silver, or copper, it is possible to form a connection portion, a land portion, and a conductor circuit portion that have a low resistance value and can be wire-bonded or soldered. Therefore, the plating process becomes unnecessary and the electrode layer for plating becomes unnecessary. Moreover, a low-loss transmission line can be formed.

【0036】低温焼成セラミックシートの比誘電率εは
4.5〜8程度であり、アルミナを主成分とする通常の
高温焼成セラミックシートの比誘電率εより低い。従っ
て、短い電気長の伝送線路を形成することができ、信号
の伝播遅延等が起こり難い。
The relative permittivity ε of the low temperature fired ceramic sheet is about 4.5 to 8, which is lower than the relative permittivity ε of the normal high temperature fired ceramic sheet containing alumina as a main component. Therefore, a transmission line having a short electrical length can be formed, and a signal propagation delay or the like hardly occurs.

【0037】更に、低温焼成セラミックシートは100
層程度の積層が可能であり、多数の信号層、電源層、グ
ランド層等を形成することができる。それ故、セラミッ
ク製アダプターやセラミックパッケージの設計自由度を
高めることができるし、半導体チップの高密度実装が可
能になる。また、電気長を短くすることができる。更に
は、電源層やグランド層を信号層の信号線と対向させる
ことによって、マイクロストリップ構造又はサスペンド
構造を有する伝送線路を形成することができ、伝送線路
のインピーダンス不整合も最小にすることができる。そ
の結果、歪みの少ない信号伝送が可能になる。
Further, the low temperature fired ceramic sheet is 100
It is possible to stack about layers, and a large number of signal layers, power supply layers, ground layers, etc. can be formed. Therefore, the degree of freedom in designing the ceramic adapter and the ceramic package can be increased, and high-density mounting of semiconductor chips becomes possible. Also, the electrical length can be shortened. Furthermore, by making the power supply layer and the ground layer face the signal line of the signal layer, a transmission line having a microstrip structure or a suspended structure can be formed, and impedance mismatch of the transmission line can be minimized. . As a result, signal transmission with less distortion becomes possible.

【0038】しかも、半導体チップの設計変更等を行う
場合でも、セラミック製アダプターあるいはセラミック
パッケージの導体回路部及び接続部の設計変更を行うだ
けでよく、プリント配線板の設計変更を行う必要がなく
なる。
Moreover, even when the design of the semiconductor chip is changed, it is only necessary to change the design of the conductor circuit portion and the connection portion of the ceramic adapter or ceramic package, and it is not necessary to change the design of the printed wiring board.

【0039】[0039]

【実施例】以下、図面を参照して、本発明を実施例に基
づき説明する。尚、図面はセラミック製アダプターやセ
ラミックパッケージ等の模式的な断面図あるいは一部を
切り欠いた模式的名断面図等であり、同一参照番号は、
同一要素、同一部品を表す。
DESCRIPTION OF THE PREFERRED EMBODIMENTS The present invention will now be described based on embodiments with reference to the drawings. It should be noted that the drawings are schematic sectional views of a ceramic adapter, a ceramic package, or the like or a schematic name sectional view in which a part is cut away, and the same reference numbers are used.
Represents the same element and the same part.

【0040】(実施例1)実施例1は、本発明の第1の
態様に係るセラミック製アダプターに関する。実施例1
のセラミック製アダプター10の模式的な断面図を図1
に、また、LGAパッケージ78及びプリント配線板7
0との接続状態を模式的に図2に示す。
(Example 1) Example 1 relates to a ceramic adapter according to the first aspect of the present invention. Example 1
1 is a schematic sectional view of the ceramic adapter 10 of FIG.
In addition, the LGA package 78 and the printed wiring board 7
A state of connection with 0 is schematically shown in FIG.

【0041】実施例1のセラミック製アダプター10
は、複数の積層された低温焼成セラミックシート12か
ら成る。セラミック製アダプター10の外形は六面体、
好ましくは直方体である。尚、各図においては、低温焼
成セラミックシート間の境界は、図を簡素化するために
図示していない。
Ceramic Adapter 10 of Example 1
Consists of a plurality of laminated low temperature fired ceramic sheets 12. The external shape of the ceramic adapter 10 is a hexahedron,
It is preferably a rectangular parallelepiped. It should be noted that in each figure, the boundaries between the low temperature fired ceramic sheets are not shown in order to simplify the figures.

【0042】セラミック製アダプター10の上面10A
及び下面10Bのそれぞれには複数のランド部14A,
14Bが形成されている。ランド部14A,14Bは、
縦方向及び横方向に例えば2.54mmピッチで、多数
配列されている。セラミック製アダプター10の上面1
0Aに形成された複数のランド部14Aは、半導体チッ
プが収納されたLGAパッケージ78のランド部80と
の接続のために設けられている。LGAパッケージとセ
ラミック製アダプターとの接続は、ハンダ付けによって
行うことができる。また、セラミック製アダプター10
の下面10Bに形成された複数のランド部14Bは、例
えば、プリント配線板70に形成された回路72との接
続のために設けられている。セラミック製アダプター1
0とプリント配線板70に形成された回路72との接続
は、ハンダ付けによって行ってもよいし、あるいは、ソ
ケットによって行ってもよい。
The upper surface 10A of the ceramic adapter 10
And a plurality of land portions 14A on each of the lower surface 10B,
14B is formed. The land portions 14A and 14B are
A large number are arranged in the vertical direction and the horizontal direction at a pitch of 2.54 mm, for example. Upper surface 1 of ceramic adapter 10
The plurality of lands 14A formed in 0A are provided for connection with the lands 80 of the LGA package 78 in which the semiconductor chip is housed. The LGA package and the ceramic adapter can be connected by soldering. Also, a ceramic adapter 10
The plurality of lands 14B formed on the lower surface 10B are provided for connection with the circuit 72 formed on the printed wiring board 70, for example. Ceramic adapter 1
0 and the circuit 72 formed on the printed wiring board 70 may be connected by soldering or a socket.

【0043】セラミック製アダプター10の内部には、
ランド部14A,14B相互を電気的に接続する導体回
路部16が形成されている。より具体的には、導体回路
部16は、低温焼成セラミックシート12の間に形成さ
れており、あるいは又、低温焼成セラミックシート12
内に形成されたビヤホールやスルーホールでもある。導
体回路部16は、信号線、グランド部、電源配線部等と
しての機能を果たす。尚、各図において、導体回路部1
6は模式的に描かれている。
Inside the ceramic adapter 10,
A conductor circuit portion 16 that electrically connects the land portions 14A and 14B is formed. More specifically, the conductor circuit portion 16 is formed between the low temperature fired ceramic sheets 12, or alternatively, the low temperature fired ceramic sheets 12 are formed.
It is also a via hole and a through hole formed inside. The conductor circuit section 16 functions as a signal line, a ground section, a power supply wiring section, and the like. In each figure, the conductor circuit section 1
6 is drawn schematically.

【0044】図1に示した本発明の第1の態様に係るセ
ラミック製アダプター10は、例えば、以下に説明する
作製方法で作製することができる。
The ceramic adapter 10 according to the first embodiment of the present invention shown in FIG. 1 can be manufactured by, for example, the manufacturing method described below.

【0045】デュポン社製の商品名「グリーンテープ
851TA」(厚さ114μm)を、低温焼成用のセラ
ミックグリーンシートとして用いた。このセラミックグ
リーンシートの組成の概略は以下のとおりである。 ホウケイ酸ガラス 55重量% アルミナ 30重量% シリカ 7重量% アクリル系樹脂 8重量%
Product name “Green tape manufactured by DuPont
"851TA" (thickness 114 μm) was used as a ceramic green sheet for low temperature firing. The outline of the composition of this ceramic green sheet is as follows. Borosilicate glass 55% by weight Alumina 30% by weight Silica 7% by weight Acrylic resin 8% by weight

【0046】[工程−100]この低温焼成用のセラミ
ックグリーンシート20に、外形打ち抜き加工、及びパ
ンチングによるビヤホールやスルーホール用の穴を開け
る穴開け加工を施す。
[Step-100] This ceramic green sheet 20 for low-temperature firing is subjected to outer shape punching and punching to make holes for via holes and through holes by punching.

【0047】[工程−110]次いで、セラミックグリ
ーンシート20に、半導体パッケージとの接続のための
ランド部14A、外部回路との接続のためのランド部1
4B、ランド部14A,14B相互を電気的に接続する
導体回路部16のそれぞれを、金属ペーストを用いて形
成する。
[Step-110] Next, on the ceramic green sheet 20, a land portion 14A for connecting to a semiconductor package and a land portion 1 for connecting to an external circuit.
4B and each of the conductor circuit portions 16 that electrically connect the land portions 14A and 14B to each other are formed using a metal paste.

【0048】[工程−110A]そのために、先ず、穴
の中に金属ペーストを埋め込み、かかる金属ペーストを
乾燥させて、金属ペースト中に含まれていた溶剤を除去
する。金属ペーストとして、金ペースト、銀ペースト、
銅ペースト等の低抵抗率の金属ペーストを用いることが
でき、例えば、以下に概要を示す固形成分を有するもの
を使用することができる。 金パウダー 95重量% エチルセルロース系樹脂 5重量% こうして、穴内に導体回路部16の一部が形成される。
[Step-110A] For that purpose, first, a metal paste is embedded in the hole, and the metal paste is dried to remove the solvent contained in the metal paste. As metal paste, gold paste, silver paste,
A low-resistivity metal paste such as a copper paste can be used, and, for example, one having a solid component outlined below can be used. Gold powder 95% by weight Ethylcellulose-based resin 5% by weight In this way, a part of the conductor circuit portion 16 is formed in the hole.

【0049】[工程−110B]次に、セラミックグリ
ーンシート20上に、ランド部14A,14B、導体回
路部16の一部を、例えばスクリーン印刷法にて金属ペ
ーストを用いて形成する。金属ペーストとして、例え
ば、以下に概要を示す固形成分を有するものを使用する
ことができる。尚、穴を埋めるために用いた金属ペース
トと、本工程で用いる金属ペーストの組成を若干変更し
た。 金パウダー 80重量% 酸化物 2重量% エチルセルロース系樹脂 18重量% あるいは、ランド部14A,14Bを、以下の固形成分
を有する金属ペーストを用いて形成することができる。 銀パウダー 60重量% パラジウム 10重量% 酸化物及びガラス 10重量% フェノール系樹脂 20重量%
[Step-110B] Next, the land portions 14A and 14B and a part of the conductor circuit portion 16 are formed on the ceramic green sheet 20 by using a metal paste, for example, by a screen printing method. As the metal paste, for example, one having a solid component whose outline is described below can be used. The composition of the metal paste used for filling the holes and the composition of the metal paste used in this step were slightly changed. Gold powder 80% by weight Oxide 2% by weight Ethylcellulose-based resin 18% by weight Alternatively, the land portions 14A and 14B can be formed by using a metal paste having the following solid components. Silver powder 60% by weight Palladium 10% by weight Oxide and glass 10% by weight Phenolic resin 20% by weight

【0050】こうして、図3に示すように、種々のセラ
ミックグリーンシートを形成する。尚、[工程−110
A]及び[工程−110B]の順序は、適宜変更するこ
とができる。また、[工程−110A]及び[工程−1
10B]にて使用した金属ペーストの固形成分は例示で
あり、適宜、成分を変更することができる。
Thus, as shown in FIG. 3, various ceramic green sheets are formed. [Step-110
The order of [A] and [Step-110B] can be appropriately changed. In addition, [Process-110A] and [Process-1
The solid components of the metal paste used in [10B] are examples, and the components can be appropriately changed.

【0051】尚、必要に応じて、セラミック製アダプタ
ー10の内部に厚膜抵抗部やコンデンサ部(図示せず)
を形成することができる。厚膜抵抗部を形成する場合、
抵抗用材料として、例えば、以下に概要を示す固形成分
を有する材料を用いることができる。 酸化ルチニウム 45重量% 銀バインダー 8重量% パラジウム 5重量% ガラス 20重量% エチルセルロース系樹脂 22重量% あるいは、 酸化ルチニウム 40重量% パイロクロア 5重量% ガラス 30重量% エチルセルロース系樹脂 25重量% 厚膜抵抗部の形成は、上記の抵抗用材料を用いて、例え
ばスクリーン印刷法にて形成することができる。また、
コンデンサ用材料として、例えば、以下に概要を示す固
形成分を有するテープ状の材料を用いることができる。 チタン酸バリウム 83重量% ガラス 10重量% アクリル系樹脂 7重量% コンデンサ部の形成は、上記のテープ状のコンデンサ用
材料をセラミックグリーンシート上に張り合わせること
によって形成することができる。
If necessary, a thick film resistor section or a capacitor section (not shown) may be provided inside the ceramic adapter 10.
Can be formed. When forming a thick film resistor,
As the resistance material, for example, a material having a solid component outlined below can be used. Rutinium oxide 45% by weight Silver binder 8% by weight Palladium 5% by weight Glass 20% by weight Ethylcellulose-based resin 22% by weight Or ruthenium oxide 40% by weight Pyrochlore 5% by weight Glass 30% by weight Ethylcellulose-based resin 25% by weight Thick film resistance part It can be formed by using the above resistance material, for example, by a screen printing method. Also,
As the capacitor material, for example, a tape-shaped material having a solid component as outlined below can be used. Barium titanate 83% by weight Glass 10% by weight Acrylic resin 7% by weight The capacitor part can be formed by laminating the above-mentioned tape-shaped capacitor material on a ceramic green sheet.

【0052】[工程−120]次に、セラミック製アダ
プター10を作製するために、熱プレス装置を用いて、
[工程−110A]及び[工程−110B]にて作製し
た複数のセラミックグリーンシートを積層して熱プレス
し、互いに接着一体化する。その後、通常の方法で、積
層されたセラミックグリーンシート及び金属ペースト
(場合によっては、抵抗用材料やコンデンサ用材料)を
低温同時焼成して、セラミック製アダプター10を作製
する。尚、焼成温度は、用いる材料に依存するが、通
常、800〜1000゜Cである。焼成工程における雰
囲気、焼成時間等の焼成条件は、使用する材料に依存し
て、最適化すればよい。こうして、図1に示すようなセ
ラミック製アダプター10を作製することができる。
[Step-120] Next, in order to produce the ceramic adapter 10, a hot press machine is used.
The plurality of ceramic green sheets produced in [Step-110A] and [Step-110B] are laminated and hot pressed to be bonded and integrated with each other. After that, the ceramic green sheet and the metal paste (in some cases, a resistor material and a capacitor material) that have been laminated are co-fired at a low temperature by a usual method to manufacture the ceramic adapter 10. The firing temperature depends on the material used, but is usually 800 to 1000 ° C. The firing conditions such as the atmosphere and firing time in the firing step may be optimized depending on the material used. In this way, the ceramic adapter 10 as shown in FIG. 1 can be manufactured.

【0053】(実施例2)実施例2は、本発明の第2の
態様に係るセラミック製アダプターに関する。図4に模
式的な断面図を示す実施例2のセラミック製アダプター
30は、複数の積層された低温焼成セラミックシート1
2から成る。セラミック製アダプター30の外形は六面
体、好ましくは直方体である。実施例2のセラミック製
アダプター30は、TAB方式におけるフィルムキャリ
アの代替として機能する。
(Example 2) Example 2 relates to a ceramic adapter according to the second aspect of the present invention. A ceramic adapter 30 of Example 2 whose schematic cross-sectional view is shown in FIG.
It consists of two. The external shape of the ceramic adapter 30 is a hexahedron, preferably a rectangular parallelepiped. The ceramic adapter 30 of Example 2 functions as a substitute for the film carrier in the TAB method.

【0054】即ち、このセラミック製アダプター30
は、プリント配線板70に設けられた回路72と、半導
体チップ74とを電気的に接続する。半導体チップ74
は、例えばベアチップである。尚、半導体チップ74
は、端子部76を上に向けた状態で、公知の方法にてプ
リント配線板70に取り付けられている。この状態を、
一部を切り欠いた模式的な断面図である図5に示す。
That is, this ceramic adapter 30
Electrically connects the circuit 72 provided on the printed wiring board 70 and the semiconductor chip 74. Semiconductor chip 74
Is a bare chip, for example. The semiconductor chip 74
Is attached to the printed wiring board 70 by a known method with the terminal portion 76 facing upward. This state
FIG. 5 is a schematic cross-sectional view with a part cut away.

【0055】セラミック製アダプター30の下面30B
には、実施例1と同様に、プリント配線板70の回路7
2との電気的な接続のための複数のランド部14が形成
されている。セラミック製アダプター30とプリント配
線板70に形成された回路72との接続は、ハンダ付け
によって行ってもよいし、あるいは、ソケットによって
行ってもよい。
Lower surface 30B of ceramic adapter 30
The circuit 7 of the printed wiring board 70 is the same as in the first embodiment.
A plurality of lands 14 are formed for electrical connection with the two. The connection between the ceramic adapter 30 and the circuit 72 formed on the printed wiring board 70 may be made by soldering or a socket.

【0056】セラミック製アダプター30の下面30B
には、更に、半導体チップ74を収納するための凹部3
2が形成されている。この凹部32の底面には、半導体
チップの端子部76との電気的な接続のための接続部1
8が形成されている。半導体チップの端子部76と接続
部18の電気的な接続は、例えばフリップチップ方式に
て行うことができる。
Lower surface 30B of ceramic adapter 30
In addition, the recess 3 for accommodating the semiconductor chip 74
2 is formed. The bottom surface of the recess 32 has a connecting portion 1 for electrical connection with the terminal portion 76 of the semiconductor chip.
8 is formed. The electrical connection between the terminal portion 76 of the semiconductor chip and the connecting portion 18 can be made by, for example, a flip chip method.

【0057】また、セラミック製アダプター30の内部
には、接続部18とランド部14とを電気的に接続する
導体回路部16が形成されている。実施例1と同様に、
導体回路部16は、低温焼成セラミックシート12の間
に形成されており、あるいは又、低温焼成セラミックシ
ート12内に形成されたビヤホールやスルーホールでも
ある。導体回路部16は、信号線、グランド部、電源配
線部等としての機能を果たす。尚、実施例1と同様に、
セラミック製アダプター30の内部に厚膜抵抗部やコン
デンサ部を形成することができる。更には、セラミック
製アダプター30の上面30Aに厚膜抵抗部やコンデン
サ部を形成し、あるいはディスクリート部品である抵抗
器やコンデンサを取り付けることができる。
Inside the ceramic adapter 30, a conductor circuit portion 16 for electrically connecting the connecting portion 18 and the land portion 14 is formed. Similar to Example 1,
The conductor circuit portion 16 is formed between the low temperature fired ceramic sheets 12, or is also a via hole or a through hole formed in the low temperature fired ceramic sheet 12. The conductor circuit section 16 functions as a signal line, a ground section, a power supply wiring section, and the like. Incidentally, as in Example 1,
A thick film resistor part and a capacitor part can be formed inside the ceramic adapter 30. Furthermore, a thick film resistor part or a capacitor part can be formed on the upper surface 30A of the ceramic adapter 30, or a resistor or a capacitor which is a discrete component can be attached.

【0058】セラミック製アダプター30の上面30A
には放熱フィン(図示せず)を取り付けてもよい。ある
いは又、放熱のために、セラミック製アダプター30の
上面30Aと下面30Bを貫通する穴を設けてもよい。
The upper surface 30A of the ceramic adapter 30
A radiation fin (not shown) may be attached to the. Alternatively, holes for penetrating the upper surface 30A and the lower surface 30B of the ceramic adapter 30 may be provided for heat dissipation.

【0059】図4に示した本発明の第2の態様に係るセ
ラミック製アダプターは、実質的には、実施例1で説明
した作製方法で作製することができる。尚、接続部18
は、導体回路部16あるいはランド部14と同様の方法
で形成すればよい。
The ceramic adapter shown in FIG. 4 according to the second aspect of the present invention can be manufactured substantially by the manufacturing method described in the first embodiment. The connecting portion 18
May be formed in the same manner as the conductor circuit portion 16 or the land portion 14.

【0060】(実施例3)実施例3は、半導体チップを
収納するための、本発明の第1の態様に係るセラミック
パッケージに関する。このセラミックパッケージ40の
模式的な断面図を図6に示す。また、セラミックパッケ
ージ40と、半導体チップ74A,74B及びプリント
配線板70の配置・取り付け関係を模式的に図7に示
す。
Example 3 Example 3 relates to a ceramic package for accommodating a semiconductor chip according to the first aspect of the present invention. A schematic sectional view of the ceramic package 40 is shown in FIG. Further, FIG. 7 schematically shows the arrangement / attachment relationship of the ceramic package 40, the semiconductor chips 74A and 74B, and the printed wiring board 70.

【0061】実施例3のセラミックパッケージ40は、
複数の積層された低温焼成セラミックシート12から成
る。セラミックパッケージ40の外形は六面体、好まし
くは直方体である。
The ceramic package 40 of Example 3 is
It consists of a plurality of laminated low temperature fired ceramic sheets 12. The outer shape of the ceramic package 40 is a hexahedron, preferably a rectangular parallelepiped.

【0062】セラミックパッケージ40の上面40A及
び下面40Bのそれぞれには、半導体チップ74A,7
4Bを収納する収納部42A,42Bが形成されてい
る。具体的には、収納部42A,42Bは、セラミック
パッケージ40の上面40A及び下面40Bのそれぞれ
に形成された凹部である。
Semiconductor chips 74A, 7 are provided on the upper surface 40A and the lower surface 40B of the ceramic package 40, respectively.
Storage units 42A and 42B for storing 4B are formed. Specifically, the accommodating portions 42A and 42B are concave portions formed on the upper surface 40A and the lower surface 40B of the ceramic package 40, respectively.

【0063】これらの収納部42A,42Bの底部のそ
れぞれには、半導体チップ74A,74Bとの電気的な
接続のための接続部18A,18Bが形成されている。
これらの接続部18A,18Bには、例えば、フリップ
チップ方式による半導体チップ74A,74Bとの電気
的な接続のためにバンプを設けることが望ましい。
Connection portions 18A and 18B for electrical connection with the semiconductor chips 74A and 74B are formed on the bottoms of the storage portions 42A and 42B, respectively.
It is desirable to provide bumps on these connecting portions 18A and 18B for electrical connection with the semiconductor chips 74A and 74B by a flip chip method, for example.

【0064】セラミックパッケージ40の下面40Bに
は、実施例1と同様に、プリント配線板70の回路72
との電気的な接続のための複数のランド部14が形成さ
れている。セラミックパッケージ40とプリント配線板
70に形成された回路72との接続は、ハンダ付けによ
って行ってもよいし、あるいは、ソケットによって行っ
てもよい。
The circuit 72 of the printed wiring board 70 is provided on the lower surface 40B of the ceramic package 40, as in the first embodiment.
A plurality of lands 14 are formed for electrical connection with. The connection between the ceramic package 40 and the circuit 72 formed on the printed wiring board 70 may be made by soldering or a socket.

【0065】更に、セラミックパッケージ40の内部に
は、ランド部14と接続部18A,18Bあるいは接続
部18A,18B相互を電気的に接続する導体回路部1
6が形成されている。実施例1と同様に、導体回路部1
6は、低温焼成セラミックシート12の間に形成されて
おり、あるいは又、低温焼成セラミックシート12内に
形成されたビヤホールやスルーホールでもある。導体回
路部16は、信号線、グランド部、電源配線部等として
の機能を果たす。尚、実施例1と同様に、セラミックパ
ッケージ40の内部に厚膜抵抗部やコンデンサ部を形成
することができる。また、セラミックパッケージ40の
上面40A、あるいは収納部42A,42Bに厚膜抵抗
部やコンデンサ部を形成し、あるいはディスクリート部
品である抵抗器やコンデンサを取り付けることができ
る。
Further, inside the ceramic package 40, the conductor circuit portion 1 for electrically connecting the land portion 14 to the connecting portions 18A and 18B or the connecting portions 18A and 18B.
6 is formed. Similar to the first embodiment, the conductor circuit unit 1
Reference numeral 6 denotes a via hole or a through hole formed between the low temperature fired ceramic sheets 12 or formed in the low temperature fired ceramic sheets 12. The conductor circuit section 16 functions as a signal line, a ground section, a power supply wiring section, and the like. As in the first embodiment, the thick film resistor portion and the capacitor portion can be formed inside the ceramic package 40. Further, a thick film resistor part or a capacitor part may be formed on the upper surface 40A of the ceramic package 40 or the accommodating parts 42A and 42B, or a resistor or a capacitor which is a discrete part may be attached.

【0066】尚、図7において、44はセラミックパッ
ケージ40の下面40Bに公知の方法で取り付けられた
リッド、46はセラミックパッケージ40の上面40A
に公知の方法で取り付けられた放熱板である。放熱板4
6の上に放熱フィン(図示せず)を取り付けてもよい。
尚、セラミックパッケージ40の下面40Bに設けられ
た凹部42Bに収納された半導体チップ74Bの放熱の
ために、凹部42Aと凹部42Bを連通する貫通孔を設
けてもよい。
In FIG. 7, 44 is a lid attached to the lower surface 40B of the ceramic package 40 by a known method, and 46 is the upper surface 40A of the ceramic package 40.
Is a heat radiating plate attached by a known method. Heat sink 4
A radiating fin (not shown) may be attached on top of 6.
A through hole may be provided to connect the recess 42A and the recess 42B for heat dissipation of the semiconductor chip 74B housed in the recess 42B provided on the lower surface 40B of the ceramic package 40.

【0067】図6に示した本発明の第1の態様に係るセ
ラミックパッケージは、実質的には、実施例1で説明し
た作製方法で作製することができる。尚、接続部18
A,18Bは、導体回路部16あるいはランド部14と
同様の方法で形成すればよい。
The ceramic package according to the first aspect of the present invention shown in FIG. 6 can be manufactured substantially by the manufacturing method described in the first embodiment. The connecting portion 18
A and 18B may be formed in the same manner as the conductor circuit portion 16 or the land portion 14.

【0068】(実施例4)実施例4は、半導体チップを
収納するための、本発明の第2の態様に係るセラミック
パッケージに関する。実施例4のセラミックパッケージ
50の模式的な断面図を図8に示す。また、このセラミ
ックパッケージ50に半導体チップ74を収納した状態
を図9に、更に、このセラミックパッケージ50とプリ
ント配線板70及びLGAパッケージの接続状態を図1
0に模式的に示す。
Example 4 Example 4 relates to a ceramic package for accommodating a semiconductor chip according to the second aspect of the present invention. A schematic cross-sectional view of the ceramic package 50 of Example 4 is shown in FIG. Further, FIG. 9 shows a state where the semiconductor chip 74 is housed in the ceramic package 50, and FIG. 1 shows a connection state of the ceramic package 50 with the printed wiring board 70 and the LGA package.
0 schematically shows.

【0069】実施例4のセラミックパッケージ50は、
複数の積層された低温焼成セラミックシート12から成
る。セラミックパッケージ50の外形は六面体、好まし
くは直方体である。
The ceramic package 50 of the fourth embodiment is
It consists of a plurality of laminated low temperature fired ceramic sheets 12. The outer shape of the ceramic package 50 is a hexahedron, preferably a rectangular parallelepiped.

【0070】セラミックパッケージ50の上面50A又
は下面50Bの一方には、半導体チップ74を収納する
収納部52が形成されている。実施例4においては、具
体的には、収納部52は、セラミックパッケージ50の
下面50Bに形成された凹部である。
A storage portion 52 for storing the semiconductor chip 74 is formed on one of the upper surface 50A and the lower surface 50B of the ceramic package 50. In the fourth embodiment, specifically, the storage section 52 is a recess formed in the lower surface 50B of the ceramic package 50.

【0071】この収納部52の底部には、例えばベアチ
ップ形式の半導体チップ74との電気的な接続のための
接続部18が形成されている。この接続部は、例えば、
ワイヤボンディング用の接続部とすることができる。
At the bottom of the accommodating portion 52, there is formed a connecting portion 18 for electrical connection with, for example, a bare chip type semiconductor chip 74. This connection is, for example,
It can be used as a connection portion for wire bonding.

【0072】セラミックパッケージ50の下面50Bに
は、プリント配線板70の回路72との電気的な接続の
ための複数のランド部14Bが形成されている。また、
セラミックパッケージ50の上面50Aには、例えばL
GAパッケージ78の端子部80との電気的な接続のた
めの複数のランド部14Aが形成されている。セラミッ
クパッケージ50のランド部14Aとプリント配線板7
0に形成された回路72との接続は、ハンダ付けによっ
て行ってもよいし、あるいは、ソケットによって行って
もよい。セラミックパッケージ50とLGAパッケージ
78の端子部80との電気的な接続は、ハンダ付けによ
って行ってもよいし、あるいは、ソケットによって行っ
てもよい。
On the lower surface 50B of the ceramic package 50, a plurality of lands 14B for electrical connection with the circuit 72 of the printed wiring board 70 are formed. Also,
On the upper surface 50A of the ceramic package 50, for example, L
A plurality of lands 14A for electrical connection with the terminal 80 of the GA package 78 are formed. The land portion 14A of the ceramic package 50 and the printed wiring board 7
The connection with the zero-formed circuit 72 may be made by soldering or by a socket. The ceramic package 50 and the terminal portion 80 of the LGA package 78 may be electrically connected by soldering or a socket.

【0073】セラミックパッケージ50の内部には、そ
れぞれのランド部14A,14Bと接続部18あるいは
ランド部14A,14B相互を電気的に接続する導体回
路部16が形成されている。更に、実施例1と同様に、
セラミックパッケージ50の内部に厚膜抵抗部やコンデ
ンサ部を形成することができる。また、セラミックパッ
ケージ50の収納部52に厚膜抵抗部やコンデンサ部を
形成し、あるいはディスクリート部品である抵抗器やコ
ンデンサを取り付けることができる。
Inside the ceramic package 50, the respective land portions 14A, 14B and the connection portion 18 or the conductor circuit portion 16 for electrically connecting the land portions 14A, 14B are formed. Furthermore, as in the first embodiment,
A thick film resistor portion and a capacitor portion can be formed inside the ceramic package 50. Further, a thick film resistor portion or a capacitor portion can be formed in the housing portion 52 of the ceramic package 50, or a resistor or a capacitor which is a discrete component can be attached.

【0074】半導体チップの端子部76と接続部18の
電気的な接続は、例えば金線82を用いたワイヤボンデ
ィング方式にて行うことができる。尚、図9において、
44はセラミックパッケージ50の下面50Bに公知の
方法で取り付けられたリッドである。
The terminal portion 76 of the semiconductor chip and the connecting portion 18 can be electrically connected by a wire bonding method using a gold wire 82, for example. In addition, in FIG.
Reference numeral 44 denotes a lid mounted on the lower surface 50B of the ceramic package 50 by a known method.

【0075】図8に示した本発明の第2の態様に係るセ
ラミックパッケージは、実質的には、実施例1で説明し
た作製方法で作製することができる。尚、接続部18
は、導体回路部16あるいはランド部14と同様の方法
で形成すればよい。
The ceramic package according to the second aspect of the present invention shown in FIG. 8 can be manufactured substantially by the manufacturing method described in the first embodiment. The connecting portion 18
May be formed in the same manner as the conductor circuit portion 16 or the land portion 14.

【0076】(実施例5)実施例5は、実施例4にて説
明した本発明の第2の態様に係るセラミックパッケージ
の変形である。実施例5が実施例4と相違する点は、半
導体チップを収納する収納部がセラミックパッケージの
上面及び下面に形成された凹部から成る点、及び、セラ
ミックパッケージの内部に形成された導体回路部が半導
体チップ相互を電気的に接続するための回路を更に含む
点にある。実施例5のセラミックパッケージ50の模式
的な断面図を図11に示す。また、このセラミックパッ
ケージ50に半導体チップ74A,74Bを収納した状
態の模式的な断面図を図12に、更に、セラミックパッ
ケージ50とプリント配線板70及びLGAパッケージ
78の配置・接続状態を図13に模式的に示す。
(Embodiment 5) Embodiment 5 is a modification of the ceramic package according to the second aspect of the present invention described in Embodiment 4. The fifth embodiment is different from the fourth embodiment in that the storage portion for storing the semiconductor chip is composed of concave portions formed on the upper surface and the lower surface of the ceramic package, and the conductor circuit portion formed inside the ceramic package is different. It further includes a circuit for electrically connecting the semiconductor chips to each other. A schematic cross-sectional view of the ceramic package 50 of Example 5 is shown in FIG. Further, FIG. 12 is a schematic sectional view showing a state where the semiconductor chips 74A and 74B are housed in the ceramic package 50, and FIG. 13 is a layout / connection state of the ceramic package 50, the printed wiring board 70 and the LGA package 78. It shows typically.

【0077】実施例5のセラミックパッケージ50は、
複数の積層された低温焼成セラミックシート12から成
る。セラミックパッケージ50の外形は六面体、好まし
くは直方体である。
The ceramic package 50 of Example 5 is
It consists of a plurality of laminated low temperature fired ceramic sheets 12. The outer shape of the ceramic package 50 is a hexahedron, preferably a rectangular parallelepiped.

【0078】実施例5のセラミックパッケージ50の上
面50A及び下面50Bのそれぞれには、半導体チップ
74A,74Bを収納する収納部52A,52Bが形成
されている。実施例5においては、具体的には、収納部
52A,52Bは、セラミックパッケージ50の上面5
0A及び下面50Bのそれぞれに形成された凹部であ
る。
Storage portions 52A and 52B for storing the semiconductor chips 74A and 74B are formed on the upper surface 50A and the lower surface 50B of the ceramic package 50 of the fifth embodiment, respectively. In the fifth embodiment, specifically, the storage portions 52A and 52B are the upper surface 5 of the ceramic package 50.
0A and the bottom surface 50B are concave portions respectively formed.

【0079】この収納部52A及び52Bのそれぞれの
底部には、例えばベアチップ形式の半導体チップ74
A,74Bとの電気的な接続のための接続部18A,1
8Bが形成されている。これらの接続部18A,18B
は、例えば、フリップチップ用の接続部とすることがで
き、バンプが形成されていることが望ましい。
At the bottom of each of the accommodating portions 52A and 52B, for example, a bare chip type semiconductor chip 74 is provided.
Connection parts 18A, 1 for electrical connection with A, 74B
8B is formed. These connection parts 18A, 18B
Can be, for example, a connection portion for a flip chip, and it is desirable that bumps are formed.

【0080】セラミックパッケージ50の下面50Bに
は、実施例4と同様に、プリント配線板70の回路72
との電気的な接続のための複数のランド部14Bが形成
されている。また、セラミックパッケージ50の上面5
0Aには、例えばLGAパッケージ78の端子部80と
の電気的な接続のための複数のランド部14Aが形成さ
れている。
The circuit 72 of the printed wiring board 70 is provided on the lower surface 50B of the ceramic package 50, as in the fourth embodiment.
A plurality of lands 14B for electrical connection with is formed. In addition, the upper surface 5 of the ceramic package 50
A plurality of lands 14A for electrical connection with the terminals 80 of the LGA package 78 are formed in the 0A.

【0081】セラミックパッケージ50の内部には、そ
れぞれのランド部14A,14Bと接続部18A,18
Bあるいはランド部14A,14Bの相互を、更には接
続部18A,18Bの相互を電気的に接続する導体回路
部16が形成されている。尚、実施例1と同様に、セラ
ミックパッケージ50の内部に厚膜抵抗部やコンデンサ
部を形成することができる。また、セラミックパッケー
ジ50の収納部52A,52Bに厚膜抵抗部やコンデン
サ部を形成し、あるいはディスクリート部品である抵抗
器やコンデンサを取り付けることができる。
Inside the ceramic package 50, the land portions 14A and 14B and the connecting portions 18A and 18 are connected.
A conductor circuit portion 16 is formed which electrically connects the B or land portions 14A and 14B to each other, and further the connecting portions 18A and 18B to each other. As in the first embodiment, the thick film resistor portion and the capacitor portion can be formed inside the ceramic package 50. Further, a thick film resistor portion or a capacitor portion can be formed in the housing portions 52A and 52B of the ceramic package 50, or a resistor or a capacitor which is a discrete component can be attached.

【0082】半導体チップの端子部76A,76Bと接
続部18A,18Bの電気的な接続は、例えばフリップ
チップ方式にて行うことができる。尚、図12におい
て、44Bはセラミックパッケージ50の下面50Bに
公知の方法で取り付けられたリッド、44Aはセラミッ
クパッケージ50の上面50Aに公知の方法で取り付け
られたリッドである。放熱のために、セラミックパッケ
ージ50の収納部52A,52Bを連通する穴を設けて
もよい。
The terminals 76A and 76B of the semiconductor chip and the connecting portions 18A and 18B can be electrically connected by, for example, a flip chip method. In FIG. 12, 44B is a lid attached to the lower surface 50B of the ceramic package 50 by a known method, and 44A is a lid attached to the upper surface 50A of the ceramic package 50 by a known method. A hole may be provided for communicating the storage portions 52A and 52B of the ceramic package 50 for heat dissipation.

【0083】図11に示した本発明の第2の態様に係る
セラミックパッケージは、実質的には、実施例1で説明
した作製方法で作製することができる。尚、接続部18
は、導体回路部16あるいはランド部14と同様の方法
で形成すればよい。
The ceramic package according to the second aspect of the present invention shown in FIG. 11 can be manufactured substantially by the manufacturing method described in the first embodiment. The connecting portion 18
May be formed in the same manner as the conductor circuit portion 16 or the land portion 14.

【0084】以上、本発明を好ましい実施例に基づき説
明したが、本発明はこれらの実施例に限定されるもので
はない。セラミック製アダプターあるいはセラミックパ
ッケージの作製に用いた材料は例示であり、適宜変更す
ることができる。また、各実施例のセラミック製アダプ
ターあるいはセラミックパッケージの導体回路部、接続
部、ランド部の配置・構造も例示であり、適宜設計変更
することができる。
The present invention has been described above based on the preferred embodiments, but the present invention is not limited to these embodiments. The materials used for producing the ceramic adapter or the ceramic package are examples, and can be appropriately changed. Further, the arrangement / structure of the conductor circuit portion, the connecting portion, and the land portion of the ceramic adapter or ceramic package of each embodiment is also an example, and the design can be appropriately changed.

【0085】本発明の第1の態様に係るセラミック製ア
ダプター10は、LGAパッケージとLGAパッケージ
の接続に用いることができる。また、セラミック製アダ
プター10の上面に複数のLGAパッケージを搭載させ
ることもできる。本発明の第2の態様に係るセラミック
製アダプター30においては、凹部32に複数の半チッ
プを収納することができる。
The ceramic adapter 10 according to the first aspect of the present invention can be used for connecting LGA packages to each other. Further, a plurality of LGA packages can be mounted on the upper surface of the ceramic adapter 10. In the ceramic adapter 30 according to the second aspect of the present invention, a plurality of half chips can be stored in the recess 32.

【0086】本発明の第1の態様に係るセラミックパッ
ケージ40において、各収納部42A,42Bに1つず
つ半導体チップを収納したが、収納部42A,42Bの
それぞれに複数個の半導体チップを収納してもよい。ま
た、半導体チップの端子部76A,76Bと接続部18
A,18Bの電気的な接続を、例えばワイヤボンディン
グ方式にて行うこともできる。必要に応じて、凹部と半
導体チップとリッドあるいは放熱板で形成された空間に
熱伝導性の優れた熱伝導性材料を充填して、放熱効果を
高めることができる。かかる熱伝導性材料として、例え
ば、シリコンオイル及びZnO等の金属酸化物やアルミ
ナ粉あるいは窒化アルミニウム粉から成るフィラーから
構成された組成物、あるいは銅、アルミニウム等の金属
粉を分散させた樹脂組成物等を例示することができる。
In the ceramic package 40 according to the first aspect of the present invention, one semiconductor chip is stored in each of the storage portions 42A and 42B, but a plurality of semiconductor chips are stored in each of the storage portions 42A and 42B. May be. Also, the terminal portions 76A and 76B of the semiconductor chip and the connecting portion 18
The electrical connection between A and 18B can be made by, for example, a wire bonding method. If necessary, the space formed by the recess, the semiconductor chip, the lid, and the heat dissipation plate can be filled with a heat conductive material having excellent heat conductivity to enhance the heat dissipation effect. As such a heat conductive material, for example, a composition composed of a filler made of silicon oxide and metal oxide such as ZnO, alumina powder or aluminum nitride powder, or a resin composition in which metal powder such as copper or aluminum is dispersed Etc. can be illustrated.

【0087】また、本発明の第2の態様に係るセラミッ
クパッケージ50において、各収納部52A,52Bに
1つずつ半導体チップを収納したが、収納部52A,5
2Bのそれぞれに複数個の半導体チップを収納してもよ
い。プリント配線板の上に複数のセラミックパッケージ
50を実装することも可能である。必要に応じて、凹部
と半導体チップとリッドで形成された空間に熱伝導性の
優れた熱伝導性材料を充填して、放熱効果を高めること
ができる。
Further, in the ceramic package 50 according to the second aspect of the present invention, one semiconductor chip is stored in each of the storage portions 52A and 52B.
A plurality of semiconductor chips may be housed in each 2B. It is also possible to mount a plurality of ceramic packages 50 on the printed wiring board. If necessary, the space formed by the recess, the semiconductor chip and the lid can be filled with a thermally conductive material having excellent thermal conductivity to enhance the heat dissipation effect.

【0088】本発明の第2の態様に係るセラミックパッ
ケージ50において、上面50A及び下面50Bに形成
されたランド部14A及び14Bの配列は、同じであっ
ても、異なっていてもよい。平面で見たとき、半導体チ
ップ74A,74Bをセラミックパッケージ50の中央
部に配置してもよいし、側壁に寄せてもよい。側壁の半
導体チップを寄せた場合、残された領域にランド部を形
成すればよい。1つのセラミックパッケージ50を配置
する例に基づき実施例4及び5を説明したが、複数のセ
ラミックパッケージ50を積み重ねることができる。
In the ceramic package 50 according to the second aspect of the present invention, the arrangement of the land portions 14A and 14B formed on the upper surface 50A and the lower surface 50B may be the same or different. When viewed in a plan view, the semiconductor chips 74A and 74B may be arranged in the central portion of the ceramic package 50 or may be brought close to the side walls. When the semiconductor chips on the side walls are brought close to each other, a land portion may be formed in the remaining region. Although the fourth and fifth embodiments have been described based on the example in which one ceramic package 50 is arranged, a plurality of ceramic packages 50 can be stacked.

【0089】[0089]

【発明の効果】本発明のセラミック製アダプターあるい
はセラミックパッケージはLGAタイプであり、積層さ
れた複数の低温焼成セラミックシートから成る。低温焼
成セラミックシートを用いることによって、従来のめっ
き工程が不要となり、めっき用電極層も不要となり、更
には、比誘電率εを低下させることができる。その結
果、低損失の伝送線路を形成することができ、短い電気
長の伝送線路を形成することができ、信号の伝播遅延等
が起こり難い。
The ceramic adapter or ceramic package of the present invention is of the LGA type and comprises a plurality of low temperature fired ceramic sheets laminated together. By using the low temperature fired ceramic sheet, the conventional plating process is unnecessary, the electrode layer for plating is also unnecessary, and the relative permittivity ε can be reduced. As a result, a low-loss transmission line can be formed, a transmission line having a short electrical length can be formed, and signal propagation delay and the like are unlikely to occur.

【0090】また、低温焼成セラミックシートは100
層程度の積層が可能であり、配線の立体化を行うことが
可能となり、セラミック製アダプターやセラミックパッ
ケージの設計自由度を高めることができ、半導体チップ
の高密度実装が可能になり、更には、電気長を短くする
ことができる。電源層やグランド層を信号層の信号線と
対向させることによって、マイクロストリップ構造又は
サスペンド構造を有する伝送線路を形成することがで
き、伝送線路のインピーダンス不整合も最小にすること
ができ、歪みの少なく且つ高速の信号伝送が可能にな
る。
The low temperature fired ceramic sheet is 100
It is possible to stack about several layers, it is possible to make the wiring three-dimensional, it is possible to increase the degree of freedom in designing ceramic adapters and ceramic packages, and high-density mounting of semiconductor chips becomes possible. Electric length can be shortened. By making the power supply layer and the ground layer face the signal line of the signal layer, a transmission line having a microstrip structure or a suspended structure can be formed, impedance mismatch of the transmission line can be minimized, and distortion of the transmission line can be minimized. A small and high-speed signal transmission becomes possible.

【0091】しかも、半導体チップの設計変更等を行う
場合でも、本発明のセラミック製アダプターの導体回路
部及び接続部の設計変更を行うだけでよく、プリント配
線板の設計変更を行う必要がなくなる。
Moreover, even when the design of the semiconductor chip is changed, it is only necessary to change the design of the conductor circuit portion and the connection portion of the ceramic adapter of the present invention, and it is not necessary to change the design of the printed wiring board.

【0092】本発明のセラミックパッケージにおいて
は、半導体チップを高さ方向に配置することができ、半
導体チップの高密度実装が可能になる。併せて、半導体
チップ相互の配線が最短化されると同時に特性インピー
ダンスが制御された伝送線路を形成することができ、そ
の結果、信号の高速伝送を波形劣化を抑制した状態で行
うことができるばかりか、インピーダンスの不整合を最
小にすることができる。
In the ceramic package of the present invention, the semiconductor chips can be arranged in the height direction, which enables high-density mounting of the semiconductor chips. At the same time, the wiring between the semiconductor chips can be minimized, and at the same time, a transmission line whose characteristic impedance is controlled can be formed. As a result, high-speed transmission of signals can be performed while suppressing waveform deterioration. Or the impedance mismatch can be minimized.

【0093】また、プリント配線板への入出力に関し
て、単一の半導体チップが収納されているセラミックパ
ッケージと互換性を有する、複数の半導体チップを収納
し得るセラミックパッケージを提供することが可能であ
る。
Further, it is possible to provide a ceramic package that can accommodate a plurality of semiconductor chips and is compatible with the ceramic package that accommodates a single semiconductor chip in terms of input and output to and from the printed wiring board. .

【0094】本発明のセラミックパッケージに例えばC
PUを収納すれば、プリント配線板を変更することな
く、CPUの収納されたセラミックパッケージを交換す
るだけで、CPUの交換を行うことができる。また、本
発明の各セラミックパッケージに特定の独立した機能を
有する半導体チップを収納し、かかるセラミックパッケ
ージをランド部で接続し、特定のランド部をバス信号伝
送路と指定すれば、コンピュータのバスシステムを構築
することができる。この場合、本発明のセラミックパッ
ケージの追加は極めて容易である。更に、メモリから成
る半導体チップを本発明のセラミックパッケージに収納
することによって、増設メモリを構築することもでき、
この場合にも、本発明のセラミックパッケージの追加は
極めて容易である。
In the ceramic package of the present invention, for example, C
If the PU is housed, the CPU can be replaced by simply replacing the ceramic package housing the CPU, without changing the printed wiring board. In addition, if a semiconductor chip having a specific independent function is housed in each ceramic package of the present invention, the ceramic package is connected by a land portion, and the specific land portion is designated as a bus signal transmission path, a computer bus system Can be built. In this case, the addition of the ceramic package of the present invention is extremely easy. Further, an additional memory can be constructed by housing a semiconductor chip composed of a memory in the ceramic package of the present invention,
Also in this case, the addition of the ceramic package of the present invention is extremely easy.

【図面の簡単な説明】[Brief description of drawings]

【図1】実施例1のセラミック製アダプターの模式的な
断面図である。
FIG. 1 is a schematic cross-sectional view of a ceramic adapter of Example 1.

【図2】実施例1のセラミック製アダプターを用いた、
LGAパッケージとプリント配線板との接続状態を示す
模式的な断面図である。
FIG. 2 shows the case of using the ceramic adapter of Example 1,
FIG. 6 is a schematic cross-sectional view showing a connection state between an LGA package and a printed wiring board.

【図3】実施例1のセラミック製アダプターを作製する
ための、各種セラミックグリーンシートの積層前の模式
的な断面図である。
FIG. 3 is a schematic cross-sectional view of various ceramic green sheets before they are laminated for producing the ceramic adapter of Example 1.

【図4】実施例2のセラミック製アダプターの模式的な
断面図である。
FIG. 4 is a schematic cross-sectional view of a ceramic adapter of Example 2.

【図5】実施例2のセラミック製アダプターを用いた、
半導体チップとプリント配線板との接続状態を示す模式
的な断面図である。
FIG. 5: Using the ceramic adapter of Example 2,
It is a typical sectional view showing a connected state of a semiconductor chip and a printed wiring board.

【図6】実施例3のセラミックパッケージの模式的な断
面図である。
FIG. 6 is a schematic cross-sectional view of a ceramic package of Example 3.

【図7】実施例3のセラミックパッケージと、プリント
配線板との接続状態を示す模式的な断面図である。
FIG. 7 is a schematic cross-sectional view showing a connection state between a ceramic package of Example 3 and a printed wiring board.

【図8】実施例4のセラミックパッケージの模式的な断
面図である。
FIG. 8 is a schematic cross-sectional view of a ceramic package of Example 4.

【図9】実施例4のセラミックパッケージに半導体チッ
プを収納した状態を示す模式的な断面図である。
FIG. 9 is a schematic cross-sectional view showing a state where semiconductor chips are housed in a ceramic package of Example 4.

【図10】実施例4のセラミックパッケージと、プリン
ト配線板及びLGAパッケージとの接続状態を示す模式
図である。
FIG. 10 is a schematic diagram showing a connection state of a ceramic package of Example 4, a printed wiring board and an LGA package.

【図11】実施例5のセラミックパッケージの模式的な
断面図である。
FIG. 11 is a schematic cross-sectional view of a ceramic package of Example 5.

【図12】実施例5のセラミックパッケージに半導体チ
ップを収納した状態を示す模式的な断面図である。
FIG. 12 is a schematic cross-sectional view showing a state where semiconductor chips are housed in a ceramic package of Example 5.

【図13】実施例5のセラミックパッケージと、プリン
ト配線板及びLGAパッケージとの接続状態を示す模式
図である。
FIG. 13 is a schematic diagram showing a connection state of a ceramic package of Example 5, a printed wiring board and an LGA package.

【図14】従来のLGAパッケージにおける問題点を説
明するためのLGAパッケージの模式的な一部を切断し
た断面図である。
FIG. 14 is a cross-sectional view of a schematic part of an LGA package for explaining a problem in the conventional LGA package.

【符号の説明】[Explanation of symbols]

10,30 セラミック製アダプター 12 低温焼成セラミックシート 14,14A,14B ランド部 16 導体回路部 18,18A,18B 接続部 20 セラミックグリーンシート 40,50 セラミックパッケージ 32 凹部 44,44A,44B リッド 46 放熱板 42A,42B,52,52A,52B 収納部 70 プリント配線板 72 プリント配線板に設けられた回路 74,74A,74B 半導体チップ 76 半導体チップの端子部 78 LGAパッケージ 80 LGAパッケージのランド部 82 金線 10,30 Ceramic adapter 12 Low temperature firing ceramic sheet 14,14A, 14B Land part 16 Conductor circuit part 18,18A, 18B connection part 20 Ceramic green sheet 40,50 Ceramic package 32 Recess 44,44A, 44B Lid 46 Heat sink 42A , 42B, 52, 52A, 52B Storage section 70 Printed wiring board 72 Circuit provided on the printed wiring board 74, 74A, 74B Semiconductor chip 76 Semiconductor chip terminal section 78 LGA package 80 LGA package land section 82 Gold wire

フロントページの続き (51)Int.Cl.5 識別記号 庁内整理番号 FI 技術表示箇所 H01L 25/18 H05K 1/18 U 7128−4E // H01R 33/76 9057−5E 33/94 9057−5E (72)発明者 藤多 浩幸 東京都品川区北品川6丁目7番35号 ソニ ー株式会社内 (72)発明者 トーマス・グッドマン 東京都品川区北品川6丁目7番35号 ソニ ー株式会社内 (72)発明者 村上 義和 東京都品川区北品川6丁目7番35号 ソニ ー株式会社内 (72)発明者 川▲崎▼ 英俊 東京都品川区北品川6丁目7番35号 ソニ ー株式会社内 (72)発明者 アーサー・ティー・マーフィー 東京都目黒区柿の木坂1丁目28番4号Front page continuation (51) Int.Cl. 5 Identification code Office reference number FI Technical display location H01L 25/18 H05K 1/18 U 7128-4E // H01R 33/76 9057-5E 33/94 9057-5E ( 72) Inventor Hiroyuki Fujita 6-735 Kita-Shinagawa, Shinagawa-ku, Tokyo Sony Corporation (72) Inventor Thomas Goodman 6-7-35 Kita-Shinagawa, Shinagawa-ku, Tokyo Sony Corporation ( 72) Inventor Yoshikazu Murakami 6-735 Kita-Shinagawa, Shinagawa-ku, Tokyo, Sony Corporation (72) Inventor Kawa-saki Hidetoshi 6-35 Kita-Shinagawa, Shinagawa-ku, Tokyo Sony Corporation (72) Inventor Arthur T. Murphy 1-28-4 Kakikizaka, Meguro-ku, Tokyo

Claims (6)

【特許請求の範囲】[Claims] 【請求項1】半導体パッケージとプリント配線板とを電
気的に接続するための、六面体のセラミック製アダプタ
ーであって、 積層された複数の低温焼成セラミックシートから成り、 上面及び下面のそれぞれに形成された複数のランド部
と、 内部に形成された、ランド部相互を電気的に接続する導
体回路部とを備えていることを特徴とするセラミック製
アダプター。
1. A hexahedral ceramic adapter for electrically connecting a semiconductor package and a printed wiring board, comprising a plurality of low-temperature fired ceramic sheets laminated and formed on each of an upper surface and a lower surface. A ceramic adapter comprising a plurality of lands and a conductor circuit portion formed inside and electrically connecting the lands to each other.
【請求項2】プリント配線板に設けられた回路と、端子
部を上に向けた状態で該プリント配線板に取り付けられ
た半導体チップとを電気的に接続するための、六面体の
セラミック製アダプターであって、 積層された複数の低温焼成セラミックシートから成り、 下面に形成された、プリント配線板の回路との電気的な
接続のための複数のランド部と、 下面に形成された、半導体チップを収納するための凹部
と、 該凹部に形成された、半導体チップの端子部との電気的
な接続のための接続部と、 内部に形成された、接続部とランド部とを電気的に接続
する導体回路部とを備えていることを特徴とするセラミ
ック製アダプター。
2. A hexahedral ceramic adapter for electrically connecting a circuit provided on a printed wiring board and a semiconductor chip mounted on the printed wiring board with a terminal portion facing upward. A plurality of low-temperature fired ceramic sheets that are laminated, and a plurality of lands formed on the lower surface for electrical connection with the circuit of the printed wiring board and a semiconductor chip formed on the lower surface. A recess for accommodating, a connecting portion formed in the recess for electrically connecting to a terminal portion of a semiconductor chip, and a connecting portion and a land portion formed inside are electrically connected A ceramic adapter characterized by having a conductor circuit section.
【請求項3】半導体チップを収納するための六面体のセ
ラミックパッケージであって、 積層された複数の低温焼成セラミックシートから成り、 上面及び下面のそれぞれに形成された、半導体チップを
収納する収納部と、 該収納部のそれぞれに形成された、半導体チップとの電
気的な接続のための接続部と、 下面に形成された複数のランド部と、 内部に形成された、ランド部と接続部あるいは接続部相
互を電気的に接続する導体回路部とを備えていることを
特徴とするセラミックパッケージ。
3. A hexahedral ceramic package for accommodating semiconductor chips, comprising a plurality of laminated low temperature fired ceramic sheets, and accommodating portions for accommodating semiconductor chips formed on each of an upper surface and a lower surface. A connection part formed in each of the storage parts for electrical connection with a semiconductor chip, a plurality of land parts formed on a lower surface, and a land part and a connection part or connection formed inside And a conductor circuit section for electrically connecting the sections to each other.
【請求項4】半導体チップを収納するための六面体のセ
ラミックパッケージであって、 積層された複数の低温焼成セラミックシートから成り、 半導体チップを収納する収納部と、 該収納部に形成された、半導体チップとの電気的な接続
のための接続部と、 上面及び下面のそれぞれに形成された複数のランド部
と、 内部に形成された、それぞれのランド部と接続部あるい
はランド部相互を電気的に接続する導体回路部とを備え
ていることを特徴とするセラミックパッケージ。
4. A hexahedral ceramic package for accommodating semiconductor chips, comprising a plurality of laminated low-temperature fired ceramic sheets, accommodating part for accommodating semiconductor chips, and a semiconductor formed in the accommodating part. A connection part for electrical connection with the chip, a plurality of land parts formed on each of the upper surface and the lower surface, and each land part formed inside and the connection part or the land parts are electrically connected to each other. A ceramic package, comprising: a conductor circuit portion to be connected.
【請求項5】前記収納部は、セラミックパッケージの上
面又は下面に形成された凹部から成ることを特徴とする
請求項4に記載のセラミックパッケージ。
5. The ceramic package according to claim 4, wherein the housing portion comprises a recess formed on the upper surface or the lower surface of the ceramic package.
【請求項6】前記収納部は、セラミックパッケージの上
面及び下面に形成された凹部から成り、セラミックパッ
ケージの内部に形成された導体回路部は、半導体チップ
相互を電気的に接続するための回路を更に含むことを特
徴とする請求項4に記載のセラミックパッケージ。
6. The accommodating portion comprises recesses formed on the upper surface and the lower surface of the ceramic package, and the conductor circuit portion formed inside the ceramic package forms a circuit for electrically connecting the semiconductor chips to each other. The ceramic package according to claim 4, further comprising:
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