JPH06228500A - Antistatic and antireflecting film and coating for forming thereof - Google Patents
Antistatic and antireflecting film and coating for forming thereofInfo
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- JPH06228500A JPH06228500A JP1574293A JP1574293A JPH06228500A JP H06228500 A JPH06228500 A JP H06228500A JP 1574293 A JP1574293 A JP 1574293A JP 1574293 A JP1574293 A JP 1574293A JP H06228500 A JPH06228500 A JP H06228500A
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Abstract
Description
【０００１】[0001]
【産業上の利用分野】本発明は、ディスプレイの表面カ
バー、窓ガラス、ショーウィンドウ、テレビブラウン管
の前面、液晶の映像カバーガラス、計器のカバーガラ
ス、時計のカバーガラス、ＣＲＴの前面映像面等、一般
に静電気を嫌い、外光からの映り込み対策を必要する基
材の表面処理に用いられる、帯電防止反射防止膜形成用
塗料とこれから得られる帯電防止反射防止膜に関する。The present invention relates to a display surface cover, a window glass, a show window, a front surface of a television CRT, a liquid crystal image cover glass, an instrument cover glass, a watch cover glass, a CRT front image surface, and the like. In general, the present invention relates to a coating material for forming an antistatic antireflection film, which is used for the surface treatment of a base material that requires measures against reflection of external light, and an antistatic antireflection film obtained therefrom.
【０００２】[0002]
【従来の技術】ディスプレイの表面カバーやＣＲＴの前
面映像面など、静電気を嫌い、外光からの映り込み対策
を必要する基材には、通常表面処理として帯電防止と反
射防止とがなされている。例えば、テレビのブラウン管
等映像表示面は静電気が発生しやすいためホコリが付着
し易く、この付着したホコリが帯電して前方に飛び出
し、見ている人の目を傷付けてしまう恐れがあることか
ら、通常は表示面上を帯電防止処理してこれを防止する
ようにしている。2. Description of the Related Art Substrates such as a surface cover of a display and a front image plane of a CRT, which dislike static electricity and which require measures against reflection from external light, are usually subjected to antistatic treatment and antireflection treatment as surface treatment. . For example, since static electricity is easily generated on the image display surface of a television such as a cathode ray tube of a television, dust is likely to be attached, and the attached dust may be charged and jump out forward, which may damage the eyes of a viewer. Normally, the display surface is subjected to antistatic treatment to prevent this.
【０００３】また、映像面上には太陽光や蛍光灯の光が
反射して映り込みが生じ、画面が見ずらくなるため、反
射防止の処理を行うことがが望まれている。このような
帯電防止と反射防止の両機能を同時に満足させるために
は、ブラウン管の映像面上第一層目に帯電防止膜を形成
し、その上に低屈折率の反射防止膜を形成することによ
り、帯電防止膜と低屈折率膜とからなる帯電防止反射防
止膜を形成し、これによって帯電防止機能と反射防止機
能を同時に付与するといった方法がなされている。Further, sunlight or light from a fluorescent lamp is reflected on the image plane to cause reflection, and the screen becomes difficult to see. Therefore, it is desired to perform antireflection treatment. In order to satisfy both the antistatic function and the antireflection function at the same time, an antistatic film is formed as the first layer on the image plane of the cathode ray tube, and then an antireflection film having a low refractive index is formed thereon. Accordingly, an antistatic antireflection film composed of an antistatic film and a low refractive index film is formed, and thereby an antistatic function and an antireflection function are simultaneously provided.
【０００４】このような帯電防止反射防止膜を作製する
にあたり、第一層目の帯電防止膜を得るには、アンチモ
ンドープ酸化錫とバインダーとなるシリコンアルコキシ
ドの加水分解物とを溶媒に分散して塗料を作製し、この
塗料を、ブラウン管の映像面等被塗膜形成体に塗布して
アンチモンドープ酸化錫−シリカ膜を形成するといった
方法が知られており、また第２層目の反射防止膜を得る
には、シリコンアルコキシド加水分解物を溶媒に分散し
て塗料を作製し、これを帯電防止膜の上に塗布してシリ
カ膜を形成するといった方法が知られている。In producing such an antistatic antireflection film, in order to obtain the first antistatic film, antimony-doped tin oxide and a hydrolyzate of silicon alkoxide serving as a binder are dispersed in a solvent. A method is known in which a paint is prepared, and the paint is applied to an object to be coated such as an image surface of a cathode ray tube to form an antimony-doped tin oxide-silica film, and a second antireflection film. In order to obtain the above, a method is known in which a silicon alkoxide hydrolyzate is dispersed in a solvent to prepare a coating material, and the coating material is applied on the antistatic film to form a silica film.
【０００５】[0005]
【発明が解決しようとする課題】ところで、前記方法で
得られた帯電防止反射防止膜の構成では、第二層目の反
射防止膜に比べ第一層目の帯電防止膜のほうがその屈折
率が大きいものの、これら膜間の屈折率の差が小さいた
め反射防止効果が不十分であり、したがって第一層目の
高屈折率化、又は第二層目の低屈折率化が望まれてい
る。In the structure of the antistatic antireflection film obtained by the above method, the refractive index of the first antistatic film is higher than that of the second antireflection film. Although large, the difference in refractive index between these films is small, so that the antireflection effect is insufficient, and therefore, a high refractive index of the first layer or a low refractive index of the second layer is desired.
【０００６】しかしながら、第一層目を高屈折率にする
ためには超微粒子の含有率を上げることが考えられるも
のの、超微粒子の含有率を上げると該超微粒子の塗料中
での分散が悪くなり、得られる膜の透過性に問題が生じ
てしまい、さらにバインダー量が不足するため第二層目
との密着が悪くなるといった欠点が有り、実用化できな
いのが現状である。また、第二層目を低屈折率にするた
めには、例えばシリコンアルコキシド加水分解物を分散
させてなる塗料で成膜した際に、膜を多孔質化すること
により低屈折率化するといったことが考えられるが、そ
の場合には膜強度が低下するという新たな欠点が生じ、
したがってこれも実用化することができないのである。However, in order to increase the refractive index of the first layer, it is possible to increase the content of ultrafine particles, but if the content of ultrafine particles is increased, the dispersion of the ultrafine particles in the coating composition becomes poor. However, there is a problem that the obtained membrane has a problem in the permeability, and further, the amount of the binder is insufficient, so that the adhesion with the second layer is deteriorated, and it cannot be put to practical use at present. Further, in order to make the second layer have a low refractive index, for example, when the film is formed with a coating material in which a silicon alkoxide hydrolyzate is dispersed, the film is made porous to have a low refractive index. However, in that case, a new defect that the film strength is lowered occurs,
Therefore, this cannot be put to practical use either.
【０００７】[0007]
【課題を解決するための手段】本発明者は前記課題を解
決するべく、第一層目の高屈折率化及び第一層目と第二
層目との密着性向上のため、種々の方法を検討した結
果、屈折率がシリカより高くなるような高屈折率バイン
ダーにシリコンアルコキシドの加水分解物の一部を代え
ることにより、前記目的を達成し得ることを見い出し本
発明に至った。In order to solve the above problems, the present inventor has various methods for increasing the refractive index of the first layer and improving the adhesion between the first layer and the second layer. As a result of the investigation, it was found that the above object can be achieved by substituting a part of the hydrolyzate of silicon alkoxide for a high refractive index binder having a higher refractive index than silica, and the present invention has been accomplished.
【０００８】すなわち、本発明における請求項１記載の
帯電防止反射防止膜形成用塗料では、平均粒径が１〜１
００ｎｍで屈折率が１.６以上である超微粒子と、シリ
コンアルコキシド加水分解物とを溶媒に分散させてなる
塗料において、前記シリコンアルコキシド加水分解物の
一部をジルコニウムアルコキシド又はチタンアルコキシ
ドに代えたことを前記課題の解決手段とした。請求項２
記載の帯電防止反射防止膜形成用塗料では、超微粒子と
してアンチモンドープ酸化錫超微粒子を用いたことを前
記課題の解決手段とした。請求項３記載の帯電防止反射
防止膜形成用塗料では、ジルコニウムアルコキシド又は
チタンアルコキシドをキレート化して用いることを前記
課題の解決手段とした。That is, the coating composition for forming an antistatic antireflection film according to claim 1 of the present invention has an average particle size of 1 to 1.
In a paint obtained by dispersing ultrafine particles having a refractive index of 1.6 or more at 00 nm and a silicon alkoxide hydrolyzate in a solvent, a part of the silicon alkoxide hydrolyzate is replaced with zirconium alkoxide or titanium alkoxide. Was used as a means for solving the above problems. Claim 2
In the above-mentioned coating for forming antistatic antireflection film, the use of antimony-doped tin oxide ultrafine particles as the ultrafine particles was taken as a means for solving the above problems. In the coating material for forming an antistatic antireflection film according to claim 3, zirconium alkoxide or titanium alkoxide is chelated and used.
【０００９】請求項４記載の帯電防止反射防止膜形成用
塗料では、溶媒を除く成分中の、超微粒子の重量比が
０.１〜８０重量％であり、かつシリコンアルコキシド
加水分解物からジルコニウムアルコキシド又はチタンア
ルコキシドに代えた量が、ＺｒＯ2 又はＴｉＯ2 換算で
シリコンアルコキシド加水分解物の０.１〜８０重量％
であることを前記課題の解決手段とした。請求項５記載
の帯電防止反射防止膜では、被塗膜形成体側第一層目に
形成される帯電防止膜と、第二層目に形成される反射防
止膜とを具備してなり、前記帯電防止膜が、請求項１、
２、３又は４記載の帯電防止反射防止膜形成用塗料のい
ずれかが塗布されて成膜され、前記反射防止膜が、シリ
コンアルコキシド加水分解物を分散させた塗料で成膜さ
れたことを前記課題の解決手段とした。In the coating composition for forming an antistatic antireflection film according to claim 4, the weight ratio of the ultrafine particles in the components excluding the solvent is 0.1 to 80% by weight, and the silicon alkoxide hydrolyzate to zirconium alkoxide is used. Alternatively, the amount replaced with titanium alkoxide is 0.1 to 80% by weight of the silicon alkoxide hydrolyzate in terms of ZrO 2 or TiO 2.
That is the means for solving the above problems. The antistatic antireflection film according to claim 5, comprising an antistatic film formed as a first layer on the side of the film-forming target and an antireflection film formed as a second layer, The prevention film is claim 1,
Any one of the coatings for forming an antistatic antireflection film as described in 2, 3, or 4 is applied to form a film, and the antireflection film is formed to be a film in which a silicon alkoxide hydrolyzate is dispersed. It was used as a solution to the problem.
【００１０】以下、本発明を詳しく説明する。本発明の
帯電防止反射防止膜形成用塗料は、平均粒径が１〜１０
０ｎｍで屈折率が１.６以上である超微粒子と、一部を
ジルコニウムアルコキシド又はチタンアルコキシドに代
えたシリコンアルコキシド加水分解物とを溶媒に分散さ
せて得られるものである。The present invention will be described in detail below. The coating composition for forming an antistatic antireflection film of the present invention has an average particle size of 1 to 10
It is obtained by dispersing ultrafine particles having a refractive index of 0.6 or more at 0 nm and a silicon alkoxide hydrolyzate partially substituted with zirconium alkoxide or titanium alkoxide in a solvent.
【００１１】超微粒子としては、酸化錫にアンチモンを
ドープしてなるアンチモンドープ酸化錫が好適に用いら
れる。また、このアンチモンドープ酸化錫超微粒子とし
ては、その平均粒径が１〜１００ｎｍのものとされる。
なぜなら、粒径が１００ｎｍを越えるとレイリー散乱に
よって光が著しく反射され、得られる帯電防止膜を形成
した画面が白く見えて透明性が悪くなるからであり、ま
た１ｎｍ未満では導電性が悪くなるといった問題や、粒
子間の凝集が大きくなって塗料にするための均一分散が
困難になるといった問題、さらには粘性が高くなって分
散不良が生じたりこれを防ぐため所要溶媒を多くするこ
とによりアンチモンドープ酸化錫の最大配合量が低下す
るといった問題が生ずるからである。As the ultrafine particles, antimony-doped tin oxide obtained by doping tin oxide with antimony is preferably used. The antimony-doped tin oxide ultrafine particles have an average particle size of 1 to 100 nm.
This is because when the particle size exceeds 100 nm, the light is remarkably reflected by Rayleigh scattering, the resulting screen on which the antistatic film is formed looks white and the transparency deteriorates, and when it is less than 1 nm, the conductivity deteriorates. Antimony dope by increasing the amount of solvent required to prevent problems such as problems such as large agglomeration between particles and difficulty in uniform dispersion to form a paint, and poor dispersion due to high viscosity. This is because there arises a problem that the maximum compounding amount of tin oxide decreases.
【００１２】このようなアンチモンドープ酸化錫におい
て、これを得るために用いられる酸化錫としては、気相
法（当該化合物をガス化し、これを気相中で冷却し固化
する）、ＣＶＤ法（成分元素をガス化し、気相中におい
てこれらを反応させ、生成物を冷却固化する）、炭酸塩
（又はシュウ酸塩）法（当該金属元素の炭酸塩、又はシ
ュウ酸塩から気相中で変成し、冷却固化する）、酸アル
カリ法（各成分の酸性化合物と塩基性化合物の水溶物を
混合中和し、目的成分の超微粒子ゾルを得る）、さらに
は水熱法など公知の技術で製造されたものであれば使用
可能である。なお、水熱性によれば、粒子の成長、球状
化、表面改質、複数成分を粒子間の凝集、粗大化せずに
相互に化学反応またはドープさせる働きをもたらすこと
ができることが公知であり、このような技術を用いて酸
化錫を作製してもよいのはもちろんである。In such an antimony-doped tin oxide, tin oxide used to obtain it is a gas phase method (gasifying the compound, and cooling this in the gas phase to solidify), a CVD method (component). The elements are gasified, they are reacted in the gas phase, the product is cooled and solidified, and the carbonate (or oxalate) method (carbonate or oxalate of the metal element is transformed in the gas phase). , Solidification by cooling), acid-alkali method (mixing and neutralizing the aqueous solution of acidic compound and basic compound of each component to obtain ultrafine particle sol of the target component), and further by known techniques such as hydrothermal method Any item that can be used is usable. Incidentally, it is known that the hydrothermal property can bring about the functions of growing, spheroidizing, surface modifying, aggregating a plurality of components between particles, mutual chemical reaction or doping without coarsening, according to hydrothermal property, Of course, tin oxide may be produced using such a technique.
【００１３】また、酸化錫に対するアンチモンのドープ
方法、およびドープされているアンチモンの量について
は特に制限はないが、ドープ量としては酸化錫に対し１
〜５重量％であるのが、酸化錫超微粒子の帯電防止効
果、電磁波遮蔽効果などを高めるうえで好ましい。シリ
コンアルコキシド加水分解物の一部に代えて用いられる
ジルコニウムアルコキシド、チタンアルコキシドは、こ
れから得られる金属酸化物である酸化ジルコニウム（Ｚ
ｒＯ2）、酸化チタン（ＴｉＯ2）がいずれもシリカ（Ｓ
ｉＯ2）より高い屈折率を有するものであり、したがっ
てこれらがシリコンアルコキシド加水分解物の一部と代
えられることにより、得られる帯電防止膜が代えられる
前のものに比べ高屈折率のものとなるのである。The method of doping antimony with respect to tin oxide and the amount of antimony doped are not particularly limited, but the amount of doping is 1 with respect to tin oxide.
It is preferably from 5% by weight to enhance the antistatic effect and electromagnetic wave shielding effect of the tin oxide ultrafine particles. Zirconium alkoxide and titanium alkoxide used in place of a part of the silicon alkoxide hydrolyzate are zirconium oxide (Z) which is a metal oxide obtained therefrom.
rO 2 ) and titanium oxide (TiO 2 ) are both silica (S
iO 2 ) and has a higher refractive index, and therefore, by replacing them with a part of the silicon alkoxide hydrolyzate, the resulting antistatic film has a higher refractive index than that before the replacement. Of.
【００１４】ここで、ジルコニウムド又はチタンのアル
コキシド加水分解物をバインダーとしてそのまま使用し
てもよいが、より均質な塗料を作製するためには、ジル
コニウム又はチタンのアルコキシドにアセチルアセトン
やエチルアセトアセテートなどを加えてキレート化し、
これをシリコンアルコキシド加水分解物に代えて使用す
るのが好ましい。なぜなら、このようにキレート化した
ものを用いると、得られる系の加水分解速度が抑制さ
れ、不溶物のない均質なバインダーとなるからである。Here, the zirconium or titanium alkoxide hydrolyzate may be used as it is as a binder, but in order to produce a more uniform coating, zirconium or titanium alkoxide may be mixed with acetylacetone or ethylacetoacetate. Plus chelation,
It is preferable to use this instead of the silicon alkoxide hydrolyzate. This is because the use of such a chelated product suppresses the hydrolysis rate of the resulting system and provides a homogeneous binder without insoluble matter.
【００１５】ジルコニウムあるいはチタンのアルコキシ
ドの、シリコンアルコキシドに代える割合については、
ＺｒＯ2 又はＴｉＯ2 換算で、ジルコニウムあるいはチ
タンのアルコキシドに代える前のシリコンアルコキシド
加水分解物全量の０.１〜８０重量％、好ましくは０.１
〜５０重量％であり、このような割合で代えて塗料を調
製すると、得られる帯電防止膜の膜強度及び密着性が良
好になることが分かった。ここで、代える量が８０重量
％を越えると、膜強度、密着性が共に低下することも分
かった。なお、前記したシリコンアルコキシドに代える
割合については、ジルコニウムあるいはチタンのアルコ
キシドをキレート化した場合にも同様の割合が好適とさ
れる。Regarding the ratio of zirconium or titanium alkoxide to be replaced with silicon alkoxide,
As calculated as ZrO 2 or TiO 2 , 0.1 to 80% by weight, preferably 0.1% by weight based on the total amount of hydrolyzed product of silicon alkoxide before substitution with alkoxide of zirconium or titanium.
It was found to be ˜50% by weight, and when the coating material was prepared by substituting in such a proportion, the film strength and adhesion of the obtained antistatic film were improved. It was also found that when the amount of substitution exceeds 80% by weight, both the film strength and the adhesiveness decrease. It should be noted that the same ratio as the above-mentioned silicon alkoxide is suitable even when zirconium or titanium alkoxide is chelated.
【００１６】このような超微粒子と一部をジルコニウム
アルコキシド又はチタンアルコキシドに代えたシリコン
アルコキシド加水分解物との配合割合については、その
合計量に対し（ただしシリコンアルコキシドについては
ＳｉＯ2 換算、ジルコニウムアルコキシドについてはＺ
ｒＯ2 換算、チタンアルコキシドについてはＴｉＯ2換
算）超微粒子が０.１〜８０重量％とされる。０.１重量
％未満では得られる帯電防止膜の帯電防止効果が十分に
得られなくなるからであり、８０重量％を越えると相対
的にバインダーの量が少なくなることから得られる膜の
強度が低下してしまうからである。The mixing ratio of such ultrafine particles and a silicon alkoxide hydrolyzate in which a part of the zirconium alkoxide is replaced with zirconium alkoxide or titanium alkoxide is based on the total amount (however, for silicon alkoxide, converted to SiO 2 Is Z
Ultra fine particles are converted to rO 2 and titanium alkoxide is converted to TiO 2 ) 0.1 to 80% by weight. This is because if the amount is less than 0.1% by weight, the antistatic effect of the obtained antistatic film cannot be sufficiently obtained, and if the amount exceeds 80% by weight, the amount of the binder becomes relatively small and the strength of the obtained film decreases. Because I will do it.
【００１７】これらを分散させる溶媒としては、各種の
溶媒を用いることができ、例えばアルコール系、グリコ
ールエーテル系、エステル系、ケトン系等が挙げられ、
これらの単独あるいは混合系のいずれをも使用すること
ができる。また、このような溶媒に分散されて得られる
塗料において、分散せしめられる超微粒子およびアルコ
キシドの濃度は任意でよく、目的とする被膜層の厚さに
応じて適宜決定される。ここで、目的の被膜層の厚さと
は、基本的には、映像表示面等基材（被塗膜形成体）及
び帯電防止膜と反射防止膜との２層間で光学干渉が生じ
る膜厚のことである。As a solvent for dispersing these, various solvents can be used, and examples thereof include alcohol-based, glycol ether-based, ester-based, and ketone-based solvents.
Any of these alone or a mixed system can be used. Further, in the coating material obtained by dispersing in such a solvent, the concentration of the ultrafine particles and the alkoxide to be dispersed may be arbitrary and is appropriately determined according to the intended thickness of the coating layer. Here, the target thickness of the coating layer is basically the thickness of the film that causes optical interference between the base material (material to be coated) such as the image display surface and the two layers of the antistatic film and the antireflection film. That is.
【００１８】このような帯電防止反射防止膜形成用塗料
にあっては、後述する実験結果から分かるように、従来
のシリコンアルコキシドの加水分解物のみをバインダー
として使用した塗料から得られる帯電防止膜では屈折率
が１.５４位までしか上がらず、さらにシリコンアルコ
キシドの加水分解物をその上に塗布して反射防止膜を形
成したときの反射率が片面２.３％程度であるのに対
し、帯電防止膜（第一層目）の屈折率を１.７まで上げ
ることができ、さらにシリコンアルコキシドの加水分解
物を塗布して反射防止膜を形成したときの反射率を１.
０％（片面）まで下げることができた。As can be seen from the experimental results described later, such an antistatic coating for forming an antistatic antireflective film is not an antistatic film obtained from a conventional coating using only a hydrolyzate of silicon alkoxide as a binder. The refractive index rises only to about 1.54, and when the antireflection film is formed by coating a hydrolyzate of silicon alkoxide on top of it, the reflectance is about 2.3% on one side, while charging The refractive index of the anti-reflection film (first layer) can be raised to 1.7, and the reflectance when the anti-reflection film is formed by coating a hydrolyzate of silicon alkoxide is 1.
It could be reduced to 0% (one side).
【００１９】本発明における請求項５記載の帯電防止反
射防止膜は、映像表示面等基材（被塗膜形成体）側第一
層目に前述した帯電防止反射防止膜形成用塗料によって
成膜された帯電防止膜と、その上（第二層目）にシリコ
ンアルコキシド加水分解物を分散させた塗料によって成
膜された反射防止膜とからなるものである。ここで、静
電気は最外層の表面上にあるので帯電防止膜は最外層に
あるのが好ましいが、最外層になくても、その上にのっ
ている層が薄ければ最外表面と帯電防止層との間の電気
抵抗が最外表面から帯電防止膜までの微少距離に比例す
るためほとんどわずかであり、したがって帯電防止効果
がほとんど損なわれないので、帯電防止層は第一層にあ
っても充分に効果を発揮するのである。The antistatic antireflection film according to claim 5 of the present invention is formed by the above-mentioned coating material for forming an antistatic antireflection film as the first layer on the side of a base material (coating material to be coated) such as an image display surface. And an antireflection film formed by a coating material having a silicon alkoxide hydrolyzate dispersed thereon (second layer). Here, since the static electricity is on the surface of the outermost layer, it is preferable that the antistatic film is on the outermost layer, but even if it is not on the outermost layer, if the layer on it is thin, it will be charged with the outermost surface. The electric resistance between the antistatic layer and the antistatic layer is almost insignificant because it is proportional to the minute distance from the outermost surface to the antistatic film, and therefore the antistatic effect is hardly impaired. Is also fully effective.
【００２０】一方、反射防止膜は必ず最外層になければ
ならないので、本発明では最外層の第二層に設けられ
る。また、反射防止効果は反射防止膜の屈折率がより小
さいほど高くなるため、シリカ（ｎ＝１.４６）、フッ
化マグネシウム（ｎ＝１.３８）といった屈折率の最も
小さい透明な固体が、安定性が高く価格的にも安いので
一般的な材料とされる。反射率だけを考えると屈折率の
低いフッ化マグネシウムを用いて反射防止膜（第二層
膜）を形成するほうが望ましいものの、第一層膜の屈折
率、基材の屈折率によって第２層の低屈折率層（反射防
止膜）に望まれる屈折率はいろいろな数値となる。そこ
で、第二層用の塗料としてはシリコンアルコキシドにフ
ッ化マグネシウム微粒子を適宜配合し、適当な屈折率の
膜とすることが好ましい。On the other hand, since the antireflection film must be the outermost layer, it is provided in the second outermost layer in the present invention. In addition, since the antireflection effect increases as the refractive index of the antireflection film decreases, transparent solids with the smallest refractive index such as silica (n = 1.46) and magnesium fluoride (n = 1.38) It is a general material because it has high stability and is inexpensive. Considering only the reflectance, it is preferable to form the antireflection film (second layer film) using magnesium fluoride having a low refractive index, but the second layer may be formed depending on the refractive index of the first layer film and the substrate. The refractive index desired for the low refractive index layer (antireflection film) has various numerical values. Therefore, as the coating material for the second layer, it is preferable to appropriately mix magnesium fluoride fine particles with silicon alkoxide to form a film having an appropriate refractive index.
【００２１】フッ化マグネシウムとしては粉体を用いる
が、粒径が１００ｎｍを越えるとレイリー散乱によって
光が著しく反射されて得られる反射防止膜を形成した画
面が白く見えて透明性が悪くなるので、粒径は１００ｎ
ｍ以下とするのが好ましい。一方、１ｎｍ未満では粒子
間の凝集が大きくなって塗料にするための均一分散が困
難になるといった問題、さらには粘性が高くなって分散
不良が生じたりこれを防ぐため所要溶媒を多くすること
によりフッ化マグネシウムの最大配合量が低下するとい
った問題が生ずるため、１ｎｍ以上とするのが好まし
い。Although powder is used as the magnesium fluoride, if the particle size exceeds 100 nm, the light is remarkably reflected by Rayleigh scattering and the screen formed with an antireflection film looks white and the transparency deteriorates. Particle size is 100n
It is preferably m or less. On the other hand, if it is less than 1 nm, the agglomeration between particles becomes large and it becomes difficult to uniformly disperse it in a coating material. Further, the viscosity becomes high and dispersion failure occurs. Since there arises a problem that the maximum content of magnesium fluoride decreases, it is preferably 1 nm or more.
【００２２】なお、このようなフッ化マグネシウムとし
ては、前記アンチモンドープ酸化錫における酸化錫と同
様の公知の方法で得られたものであればいずれも使用可
能である。帯電防止膜、反射防止膜を形成するにあたっ
て、各塗料の塗布方法としては、スピンコート法、ディ
ップコート法、スプレーコート法、はけ塗り法など従来
公知の方法を採用することができる。また、優れた性能
を有する被膜層を形成するには、塗布後に焼き付けを行
うことが望ましく、その場合に焼き付け時間や温度は、
基材あるいは材料の種類、用途を考慮して最適条件が決
定される。As such magnesium fluoride, any magnesium fluoride obtained by a known method similar to the tin oxide in the antimony-doped tin oxide can be used. In forming the antistatic film and the antireflection film, as a coating method of each coating material, a conventionally known method such as a spin coating method, a dip coating method, a spray coating method, and a brush coating method can be adopted. Further, in order to form a coating layer having excellent performance, it is desirable to perform baking after coating, in which case the baking time and temperature are
The optimum conditions are determined in consideration of the type of base material or material and the application.
【００２３】このような帯電防止反射防止膜にあって
は、前述したように帯電防止膜がジルコニウム又はチタ
ン系のバインダーが加えられて形成されていることによ
り、この帯電防止膜とその上に形成された反射防止膜と
の密着性が非常に良好になる。なお、このような帯電防
止反射防止膜においてその膜の表面抵抗が小さい場合に
は、前述の用途に加え、電磁波遮蔽を要求されるところ
にも適用することができる。In such an antistatic antireflection film, the antistatic film is formed by adding a zirconium- or titanium-based binder as described above, so that the antistatic film and the antistatic film are formed thereon. The adhesion with the antireflection film thus formed is very good. When the surface resistance of such an antistatic antireflection film is small, it can be applied to places where electromagnetic wave shielding is required in addition to the above-mentioned applications.
【００２４】[0024]
〔実施例１〕 （１）塗布液の製造 帯電防止塗布液（Ａ）の製造 まず、テトラブトキシチタン０.９ｇにアセチルアセト
ン０.３ｇを添加しキレート化しておく。次に、テトラ
エトキシシラン１.６ｇに０.１Ｎ塩酸４.８ｇ、水１.６
ｇ及びエチルアルコール１４０ｇをそれぞれ加えて加水
分解し、さらにこれに先に作製したキレート化液を加え
て混合した。その後、この混合液に粒径５〜１０ｎｍの
アンチモンドープ酸化錫超微粒子［住友セメント株式会
社製］０.８ｇを加えて分散させ、帯電防止塗布液
（Ａ）を得た。 帯電防止塗布液（Ｂ）の製造 まず、テトラブトキシジルコニウム１.７ｇにアセチル
アセトン０.３ｇを加えキレート化しておく。次に、テ
トラエトキシシラン１.６ｇに０.１Ｎ塩酸４.８ｇ、水
１.６ｇ及びエチルアルコール１３９.２ｇをそれぞれ加
えて加水分解し、さらに先に作製したキレート化液を加
え混合した。その後、この混合液に粒径５〜１０ｎｍの
アンチモンドープ酸化錫超微粒子［住友セメント株式会
社製］０.８ｇを加えて分散させ、帯電防止塗布液
（Ｂ）を得た。 帯電防止塗布液（Ｃ）の製造 テトラエトキシシラン２.０ｇに０.１Ｎ塩酸４.１ｇ、
水１.６ｇ及びエチルアルコール１４１.３ｇをそれぞれ
加えて加水分解しておき、この液に粒径５〜１０ｎｍの
アンチモンドープ酸化錫超微粒子［住友セメント株式会
社製］１ｇを分散させ、帯電防止塗布液（Ｃ）を得た。 低屈折率塗布液（Ｄ）の製造 テトラエトキシシラン２.８に０.１Ｎ塩酸０.８ｇ、水
０.８ｇ及びエチルアルコール９５.６ｇを加え、混合す
ることによって低屈折率塗布液（Ｄ）とした。 低屈折率塗布液（Ｅ）の製造 テトラエトキシシラン２.１ｇに水１０ｇ、０.１Ｎ塩酸
０.６ｇ及びエチルアルコール８６.９ｇを加え、さらに
これに粒径１０〜２０ｎｍのフッ化マグネシウム［住友
セメント株式会社製］０.４ｇを加えて混合分散し、低
屈折率塗布液（Ｅ）を得た。[Example 1] (1) Production of coating liquid Production of antistatic coating liquid (A) First, 0.3 g of acetylacetone was added to 0.9 g of tetrabutoxytitanium for chelation. Next, to 1.6 g of tetraethoxysilane, 4.8 g of 0.1N hydrochloric acid and 1.6 g of water.
g and 140 g of ethyl alcohol were added and hydrolyzed, and the chelating solution prepared above was further added and mixed. After that, 0.8 g of antimony-doped tin oxide ultrafine particles having a particle size of 5 to 10 nm [manufactured by Sumitomo Cement Co., Ltd.] was added to and dispersed in this mixed liquid to obtain an antistatic coating liquid (A). Production of Antistatic Coating Solution (B) First, 0.3 g of acetylacetone is added to 1.7 g of tetrabutoxyzirconium for chelation. Next, 4.8 g of 0.1N hydrochloric acid, 1.6 g of water and 139.2 g of ethyl alcohol were added to 1.6 g of tetraethoxysilane to hydrolyze, and the chelating solution prepared above was further added and mixed. Then, 0.8 g of antimony-doped tin oxide ultrafine particles having a particle size of 5 to 10 nm [manufactured by Sumitomo Cement Co., Ltd.] was added to and dispersed in this mixed solution to obtain an antistatic coating solution (B). Manufacture of antistatic coating liquid (C) 4.1 g of 0.1 N hydrochloric acid on 2.0 g of tetraethoxysilane,
Water (1.6 g) and ethyl alcohol (141.3 g) were added and hydrolyzed, and 1 g of antimony-doped tin oxide ultrafine particles [Sumitomo Cement Co., Ltd.] having a particle size of 5 to 10 nm was dispersed in this solution to apply antistatic coating. Liquid (C) was obtained. Production of Low Refractive Index Coating Liquid (D) Low refractive index coating liquid (D) was prepared by adding 0.8 g of 0.1N hydrochloric acid, 0.8 g of water and 95.6 g of ethyl alcohol to tetraethoxysilane 2.8 and mixing them. And Production of low refractive index coating liquid (E) To 2.1 g of tetraethoxysilane, 10 g of water, 0.6 g of 0.1N hydrochloric acid and 86.9 g of ethyl alcohol were added, and magnesium fluoride having a particle size of 10 to 20 nm [Sumitomo Cement Co., Ltd.] was added and mixed and dispersed to obtain a low refractive index coating liquid (E).
【００２５】（２）帯電防止−反射防止膜（ａ）の成膜 帯電防止塗布液（Ａ）をスピンコート法により、４０℃
のガラス基板上に塗布し、温風により３分間乾燥を行
い、帯電防止膜を成膜する。続いて、ガラス基板を４０
℃として、低屈折率塗布液（Ｄ）をスピンコート法によ
り塗布し、１５０℃で２０分間焼き付けを行い、帯電防
止−反射防止膜（ａ）を得た。得られた膜の表面抵抗、
反射率、密着性を調べ、結果を以下の表１に示す。 〔実施例２〕 （１）帯電防止−反射防止膜（ｂ）の成膜 実施例１の（２）と同様な方法により、ガラス基板上に
帯電防止塗布液（Ｂ）を塗布し、その後低屈折率塗布液
（Ｄ）を塗布して帯電防止−反射防止膜（ｂ）を得た。
得られた膜の表面抵抗、反射率、密着性を実施例１と同
様にして調べ、結果を以下の表１に示す。 〔実施例３〕 （１）帯電防止−反射防止膜（ｃ）の成膜 実施例１の（２）と同様な方法により、ガラス基板上に
帯電防止塗布液（Ａ）を塗布し、その後低屈折率塗布液
（Ｅ）を塗布して帯電防止−反射防止膜（ｃ）を得た。
得られた膜の表面抵抗、反射率、密着性を実施例１と同
様にして調べ、結果を以下の表１に示す。 〔実施例４〕 （１）帯電防止−反射防止膜（ｄ）の成膜 実施例１の（２）と同様な方法により、ガラス基板上に
帯電防止塗布液（Ｂ）を塗布し、その後低屈折率塗布液
（Ｅ）を塗布して帯電防止−反射防止膜（ｄ）を得た。
得られた膜の表面抵抗、反射率、密着性を実施例１と同
様にして調べ、結果を以下の表１に示す。(2) Antistatic-Formation of Antireflection Film (a) The antistatic coating solution (A) was spin-coated at 40 ° C.
On the glass substrate and dried with warm air for 3 minutes to form an antistatic film. Then, the glass substrate 40
The low-refractive-index coating liquid (D) was applied at a temperature of 150 ° C. by spin coating and baked at 150 ° C. for 20 minutes to obtain an antistatic-antireflection film (a). The surface resistance of the obtained film,
The reflectance and adhesion were examined and the results are shown in Table 1 below. [Example 2] (1) Film formation of antistatic-antireflection film (b) By the same method as in (2) of Example 1, the antistatic coating solution (B) was applied on a glass substrate, and then low The refractive index coating liquid (D) was applied to obtain an antistatic-antireflection film (b).
The surface resistance, reflectance and adhesion of the obtained film were examined in the same manner as in Example 1, and the results are shown in Table 1 below. [Example 3] (1) Film formation of antistatic-antireflection film (c) By the same method as in (2) of Example 1, the antistatic coating liquid (A) was applied on a glass substrate, and then a low solution was applied. The refractive index coating liquid (E) was applied to obtain an antistatic-antireflection film (c).
The surface resistance, reflectance and adhesion of the obtained film were examined in the same manner as in Example 1, and the results are shown in Table 1 below. [Example 4] (1) Film formation of antistatic-antireflection film (d) By the same method as in (2) of Example 1, the antistatic coating liquid (B) was applied on the glass substrate, and then the coating solution was applied at a low level. The refractive index coating liquid (E) was applied to obtain an antistatic-antireflection film (d).
The surface resistance, reflectance and adhesion of the obtained film were examined in the same manner as in Example 1, and the results are shown in Table 1 below.
【００２６】〔比較例１〕 （１）帯電防止−反射防止膜（ｆ）の成膜 実施例１の（２）と同様な方法により、ガラス基板上に
帯電防止塗布液（Ｃ）を塗布し、その後低屈折率塗布液
（Ｄ）を塗布して帯電防止−反射防止膜（ｃ）を得た。
得られた膜の表面抵抗、反射率、密着性を実施例１と同
様にして調べ、結果を以下の表１に示す。 〔比較例２〕 （１）帯電防止−反射防止膜（ｇ）の成膜 実施例１の（２）と同様な方法により、ガラス基板上に
帯電防止塗布液（Ｃ）を塗布し、その後低屈折率塗布液
（Ｅ）を塗布して帯電防止−反射防止膜（ｆ）を得た。
得られた膜の表面抵抗、反射率、密着性を実施例１と同
様にして調べ、結果を以下の表１に示す。Comparative Example 1 (1) Formation of Antistatic-Antireflection Film (f) The antistatic coating liquid (C) was applied onto a glass substrate by the same method as in (2) of Example 1. Then, the low refractive index coating liquid (D) was applied to obtain an antistatic-antireflection film (c).
The surface resistance, reflectance and adhesion of the obtained film were examined in the same manner as in Example 1, and the results are shown in Table 1 below. Comparative Example 2 (1) Film Formation of Antistatic-Antireflection Film (g) By the same method as in (2) of Example 1, the antistatic coating liquid (C) was applied on the glass substrate, and then low The refractive index coating liquid (E) was applied to obtain an antistatic-antireflection film (f).
The surface resistance, reflectance and adhesion of the obtained film were examined in the same manner as in Example 1, and the results are shown in Table 1 below.
【表１】 表１に示した結果より、本実施例品は比較例品に比べ、
表面抵抗に優れていることから帯電防止性に優れ、しか
も反射率が低いことから反射防止性にも優れていること
が確認された。[Table 1] From the results shown in Table 1, the product of this example is
It was confirmed that the surface resistance was excellent, and thus the antistatic property was excellent, and the reflectance was low, and thus the antireflection property was also excellent.
【００２７】[0027]
【発明の効果】以上説明したように本発明の帯電防止反
射防止膜形成用塗料は、シリコンアルコキシドの一部を
ジルコニウムアルコキシド又はチタンアルコキシドに代
えたものであるから、これから得られる帯電防止膜中に
シリカより屈折率の高い酸化ジルコニウム又は酸化チタ
ンを導入することができ、したがって従来より屈折率の
高い帯電防止膜を作製することができる。そして、これ
により本発明の帯電防止反射防止膜形成用塗料では、高
屈折率の帯電防止膜を作製することができることから、
その上に形成される反射防止膜との屈折率の差を大きく
することができ、したがって帯電防止効果を損なうこと
なく反射防止効果の高い帯電防止反射防止膜を作製する
ことができる。請求項５記載の帯電防止反射防止膜は、
帯電防止膜がジルコニウム又はチタン系のバインダーが
加えられて形成されていることにより、この帯電防止膜
とその上に形成された反射防止膜との密着性が非常に良
好になり、したがって膜強度の高いものとなる。As described above, the coating composition for forming an antistatic antireflection film of the present invention is one in which a part of silicon alkoxide is replaced with zirconium alkoxide or titanium alkoxide. Zirconium oxide or titanium oxide having a higher refractive index than silica can be introduced, and therefore, an antistatic film having a higher refractive index than conventional can be produced. And thus, in the coating composition for forming an antistatic antireflection film of the present invention, an antistatic film having a high refractive index can be produced,
The difference in refractive index from the antireflection film formed thereon can be increased, and thus an antistatic antireflection film having a high antireflection effect can be produced without impairing the antistatic effect. The antistatic antireflection film according to claim 5,
Since the antistatic film is formed by adding a zirconium- or titanium-based binder, the adhesion between the antistatic film and the antireflection film formed on the antistatic film becomes very good, and therefore the film strength is improved. It will be expensive.
Claims (5)
１.６以上である超微粒子と、シリコンアルコキシド加
水分解物とを溶媒に分散させてなる塗料において、前記
シリコンアルコキシド加水分解物の一部をジルコニウム
アルコキシド又はチタンアルコキシドに代えたことを特
徴とする帯電防止反射防止膜形成用塗料。1. A coating material obtained by dispersing ultrafine particles having an average particle diameter of 1 to 100 nm and a refractive index of 1.6 or more and a silicon alkoxide hydrolyzate in a solvent. A coating material for forming an antistatic antireflection film, characterized in that a part thereof is replaced with zirconium alkoxide or titanium alkoxide.
用塗料において、超微粒子としてアンチモンドープ酸化
錫超微粒子を用いたことを特徴とする帯電防止反射防止
膜形成用塗料。2. The antistatic antireflection film-forming coating material according to claim 1, wherein antimony-doped tin oxide ultrafine particles are used as the ultrafine particles.
膜形成用塗料において、ジルコニウムアルコキシド又は
チタンアルコキシドをキレート化して用いることを特徴
とする帯電防止反射防止膜形成用塗料。3. The coating for forming an antistatic antireflection film according to claim 1 or 2, wherein zirconium alkoxide or titanium alkoxide is chelated and used.
防止膜形成用塗料において、溶媒を除く成分中の、超微
粒子の重量比が０.１〜８０重量％であり、かつシリコ
ンアルコキシド加水分解物からジルコニウムアルコキシ
ド又はチタンアルコキシドに代えた量が、ＺｒＯ2 又は
ＴｉＯ2 換算でシリコンアルコキシド加水分解物の０.
１〜８０重量％であることを特徴とする帯電防止反射防
止膜形成用塗料。4. The coating composition for forming an antistatic antireflection film according to claim 1, 2 or 3, wherein the weight ratio of the ultrafine particles in the components excluding the solvent is 0.1 to 80% by weight, and the silicon alkoxide. 0 hydrolyzate amount instead of the zirconium alkoxide or titanium alkoxide, silicon alkoxide hydrolyzate with ZrO 2 or TiO 2 terms.
A coating material for forming an antistatic antireflection film, which is 1 to 80% by weight.
電防止膜と、第二層目に形成される反射防止膜とを具備
してなる帯電防止反射防止膜において、前記帯電防止膜
が、請求項１、２、３又は４記載の帯電防止反射防止膜
形成用塗料のいずれかが塗布されて成膜され、前記反射
防止膜が、シリコンアルコキシド加水分解物を分散させ
た塗料で成膜されたことを特徴とする帯電防止反射防止
膜。5. An antistatic antireflection film comprising an antistatic film formed as a first layer on the body to be coated and an antireflection film formed as a second layer, wherein A film is formed by applying any one of the coatings for forming an antistatic antireflection film according to claim 1, 2, 3 or 4, and the antireflection film is a coating in which a silicon alkoxide hydrolyzate is dispersed. An antistatic antireflection film characterized by being formed.
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1574293A JPH06228500A (en) | 1993-02-02 | 1993-02-02 | Antistatic and antireflecting film and coating for forming thereof |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1574293A JPH06228500A (en) | 1993-02-02 | 1993-02-02 | Antistatic and antireflecting film and coating for forming thereof |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH06228500A true JPH06228500A (en) | 1994-08-16 |
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ID=11897221
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP1574293A Pending JPH06228500A (en) | 1993-02-02 | 1993-02-02 | Antistatic and antireflecting film and coating for forming thereof |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH06228500A (en) |
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2006299251A (en) * | 2005-03-22 | 2006-11-02 | Jsr Corp | Composition for forming high-refractive index material and cured form of the composition, and method for producing the composition |
| JP2007277073A (en) * | 2006-03-16 | 2007-10-25 | Jsr Corp | Oxide microparticle dispersion and method for producing the same |
| JP2007277505A (en) * | 2006-03-16 | 2007-10-25 | Jsr Corp | Oxide particulate dispersion and manufacturing method thereof |
| JP2007277072A (en) * | 2006-03-16 | 2007-10-25 | Jsr Corp | Oxide microparticle dispersion and method for producing the same |
-
1993
- 1993-02-02 JP JP1574293A patent/JPH06228500A/en active Pending
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2006299251A (en) * | 2005-03-22 | 2006-11-02 | Jsr Corp | Composition for forming high-refractive index material and cured form of the composition, and method for producing the composition |
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| JP2007277505A (en) * | 2006-03-16 | 2007-10-25 | Jsr Corp | Oxide particulate dispersion and manufacturing method thereof |
| JP2007277072A (en) * | 2006-03-16 | 2007-10-25 | Jsr Corp | Oxide microparticle dispersion and method for producing the same |
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