JPH06187466A - Semiconductor and microcomputer system - Google Patents

Semiconductor and microcomputer system

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JPH06187466A
JPH06187466A JP4338694A JP33869492A JPH06187466A JP H06187466 A JPH06187466 A JP H06187466A JP 4338694 A JP4338694 A JP 4338694A JP 33869492 A JP33869492 A JP 33869492A JP H06187466 A JPH06187466 A JP H06187466A
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JP
Japan
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semiconductor memory
identification information
memory device
controller
circuit
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JP4338694A
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Japanese (ja)
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Kazuhiro Mita
和弘 三田
Takashi Shimizu
敬 清水
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Toshiba Corp
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Abstract

PURPOSE:To provide a semiconductor memory which can ensure the universal applicability of a controller and to facilitate the construction of its compact structure together with high reliability and the high speed driving performance. CONSTITUTION:A semiconductor memory 3 consists of a controller 3a which includes an address generating circuit, a data generating circuit and a semiconductor memory control signal generating circuit, and the semiconductor memory 3b1-3bn which undergo the driving control through the controller 3a. The device 3b1-3bn contain the identification information storage circuits which store the identification information for mutual discrimination and the discrimination information discriminating circuits which identify the identification information on the identification information storage circuits respectively. Then a microcomputer system consists of a CPU 1, a main memory and an input/output device and uses the memory 3 as the main memory.

Description

【発明の詳細な説明】Detailed Description of the Invention

【0001】[0001]

【産業上の利用分野】本発明は回路構造の簡略化やコン
パクト化を図った半導体メモリ装置、およびこの半導体
メモリ装置を利用したマイクロコンピュータシステムに
関する。
BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to a semiconductor memory device having a simplified and compact circuit structure, and a microcomputer system using this semiconductor memory device.

【0002】[0002]

【従来の技術】周知のように、半導体メモリ素子もしく
は半導体メモリ装置は、マイクロコンピュータシステム
などの主メモリとして、あるいはメモリカードなど各種
のカード類のメモリとして広く実用に供されている。た
とえば、中央処理装置、主メモリ,および入出力装置を
具備して成るマイクロコンピュータシステムにおいて
は、記憶容量を大きくするため、複数個の半導体メモリ
素子で主メモリを構成する形態を採っている。すなわ
ち、図3に概略構成をブロック図として示すごとく、中
央処理装置1に対して、アドレス生成回路,データ生成
回路,半導体メモリ素子制御信号生成回路,および半導
体メモリ素子選択信号生成回路を備えたコントローラ2
a、および前記コントローラ2aによって駆動が制御され
る複数個の半導体メモリ素子2b1 ,2b2 ,…2bn を具備
して成る半導体メモリ装置2を主メモリ(外部記憶装
置)として付設した構成を採っている。ここで、コント
ローラ2aは、中央処理装置1からのアドレスバス,デー
タバス,書き込み信号,読みだし信号,アドレスイネー
ブル信号により、それぞれ対応する生成回路を駆動す
る。そして、このコントローラ2aの生成回路の駆動に対
応して、アドレス入力,データ入出力,読みだし(出
力)イネーブル入力,および書き込みイネーブル入力が
半導体メモリ素子2b1 ,2b2 ,…2bn に順次なされる一
方、これら半導体メモリ素子2b1 ,2b2 ,…2bn のいず
れかが、チップセレクト信号によって選択され、所要デ
ータの書き込み・読みだしがなされる構成となってい
る。つまり、この半導体メモリ装置2の場合、アドレス
バス,データバス,書き込み信号,読みだし信号は、各
半導体メモリ素子2b1 ,2b2 ,…2bn に共通であるが、
アドレスイネーブル信号,アドレスバス信号に従動する
チップセレクト信号は、各半導体メモリ素子2b1 ,2
b2 ,…2bn ごとに分岐して、コントローラ2aに接続し
ている。
As is well known, a semiconductor memory device or a semiconductor memory device is widely put to practical use as a main memory of a microcomputer system or a memory of various cards such as a memory card. For example, in a microcomputer system including a central processing unit, a main memory, and an input / output device, a plurality of semiconductor memory devices form a main memory in order to increase the storage capacity. That is, as shown in the schematic configuration of FIG. 3 as a block diagram, a controller including an address generation circuit, a data generation circuit, a semiconductor memory element control signal generation circuit, and a semiconductor memory element selection signal generation circuit for the central processing unit 1. 2
a and a semiconductor memory device 2 including a plurality of semiconductor memory devices 2b 1 , 2b 2 , ... 2b n whose drive is controlled by the controller 2a, is attached as a main memory (external storage device). ing. Here, the controller 2a drives the corresponding generation circuits by the address bus, the data bus, the write signal, the read signal, and the address enable signal from the central processing unit 1. Address input, data input / output, read (output) enable input, and write enable input are sequentially applied to the semiconductor memory devices 2b 1 , 2b 2 , ... 2b n in response to the driving of the generation circuit of the controller 2a. On the other hand, one of these semiconductor memory elements 2b 1 , 2b 2 , ..., 2b n is selected by a chip select signal, and required data is written / read out. That is, in the case of the semiconductor memory device 2, the address bus, the data bus, the write signal, and the read signal are common to the respective semiconductor memory elements 2b 1 , 2b 2 , ... 2b n ,
The chip select signal driven by the address enable signal and the address bus signal is supplied to the semiconductor memory devices 2b 1 and 2
Each of b 2 , ... 2b n is branched and connected to the controller 2a.

【0003】[0003]

【発明が解決しようとする課題】上記半導体メモリ装置
2は、いわゆるフロッピーディスクを主体とするメモリ
装置に較べて、コンパクト化や高速駆動など図り得ると
いう利点があるものの、なお、次のような問題がある。
すなわち、前記コンパクト化や高速駆動を図りながら、
さらなるメモリ容量の増加(増大)を図るため、半導体
メモリ素子を増加・付設する場合、別途、対応するチッ
プセレクト信号用端子を備えたコントローラ2aと置き換
える必要があり、また、コントローラ2aが具備するチッ
プセレクト信号生成回路(ラッチやデコーダを用いて構
成されている)も複雑になる。そして、前記コントロー
ラ2aの汎用性がなくなることは、コントローラ2aの多品
種化を必然的に招来し、また一方、チップセレクト信号
生成回路の複雑化は、コンパクト化や信頼性ないし高速
駆動性などを損なうことになり、実用上十分満足し得る
機能(性能)を有するとはいい難い。特に、各半導体メ
モリ素子2b1 ,2b2 ,…2bn ごとに、チップセレクト信
号配線を有することは、半導体メモリ装置2のコンパク
ト化、および信号遅延として悪影響をもたらすことにな
る。
The above-mentioned semiconductor memory device 2 has an advantage that it can be made compact and can be driven at high speed, as compared with a memory device mainly including a so-called floppy disk, but the following problems are still encountered. There is.
In other words, while achieving the compactness and high speed driving,
In order to increase (increase) the memory capacity further, when adding / attaching semiconductor memory elements, it is necessary to separately replace with a controller 2a having a corresponding chip select signal terminal, and a chip included in the controller 2a. The select signal generation circuit (which is configured using a latch and a decoder) also becomes complicated. Then, the lack of versatility of the controller 2a inevitably leads to the production of a variety of controllers 2a, while the complexity of the chip select signal generation circuit leads to a reduction in size, reliability, or high-speed driveability. However, it is difficult to say that it has a function (performance) that is satisfactory for practical use. In particular, having the chip select signal wiring for each of the semiconductor memory devices 2b 1 , 2b 2 , ..., 2b n causes adverse effects such as downsizing of the semiconductor memory device 2 and signal delay.

【0004】本発明は上記事情に対処してなされたもの
で、コントローラに汎用性を持たせ得るばかりでなく、
コンパクト化の達成が容易で、かつすぐれた信頼性ない
し高速駆動性を備えた半導体メモリ装置、およびこれを
主メモリとするマイクロコンピュータシステムの提供を
目的とする。
The present invention has been made in consideration of the above circumstances, and not only can the controller have general versatility,
It is an object of the present invention to provide a semiconductor memory device which is easy to achieve compactness and has excellent reliability and high-speed driveability, and a microcomputer system which uses the semiconductor memory device as a main memory.

【0005】[0005]

【課題を解決するための手段】本発明に係る半導体メモ
リ装置は、アドレス生成回路,データ生成回路,および
半導体メモリ素子制御信号生成回路を備えたコントロー
ラと、前記コントローラによって駆動が制御される複数
個の半導体メモリ素子とを具備して成る半導体メモリ装
置であって、前記各半導体メモリ素子は相互に区別する
ための識別情報を記憶する識別情報記憶回路およびこの
識別情報記憶回路の識別情報を識別する識別情報識別回
路を内蔵していることを特徴とし、さらに本発明に係る
マイクロコンピュータシステムは、中央処理装置、主メ
モリ,および入出力装置を具備して成るマイクロコンピ
ュータシステムにおいて、前記主メモリとして、上記構
成の半導体メモリ装置を用いたことを特徴とする。すな
わち、アドレス生成回路,データ生成回路,および半導
体メモリ素子制御信号生成回路を備えたコントローラ、
このコントローラによって駆動が制御される複数個の半
導体メモリ素子を具備して成る半導体メモリ装置であっ
て、かつ前記各半導体メモリ素子は相互に区別するため
の識別情報を記憶する識別情報記憶回路およびこの識別
情報記憶回路の識別情報を識別する識別情報識別回路を
内蔵している半導体メモリ装置を主メモリとして具備し
て成ることを特徴とする。
A semiconductor memory device according to the present invention includes a controller having an address generation circuit, a data generation circuit, and a semiconductor memory device control signal generation circuit, and a plurality of drives whose driving is controlled by the controller. And a semiconductor memory device, wherein each semiconductor memory device identifies an identification information storage circuit that stores identification information for distinguishing each other and identification information of the identification information storage circuit. The microcomputer system according to the present invention further comprises a central processing unit, a main memory, and an input / output device, wherein the main memory includes an identification information identification circuit. The semiconductor memory device having the above structure is used. That is, a controller including an address generation circuit, a data generation circuit, and a semiconductor memory device control signal generation circuit,
A semiconductor memory device comprising a plurality of semiconductor memory elements whose driving is controlled by the controller, wherein each of the semiconductor memory elements stores an identification information storage circuit for storing identification information for distinguishing each other. A semiconductor memory device having an identification information identification circuit for identifying the identification information of the identification information storage circuit is provided as a main memory.

【0006】[0006]

【作用】本発明に係る半導体メモリ装置によれば、主メ
モリを構成する複数個の半導体メモリ素子は、それぞれ
相互に区別するための識別情報を記憶する識別情報記憶
回路およびこの識別情報記憶回路の識別情報を識別する
識別情報識別回路を内蔵しており、いわゆるアクセスし
た場合、コントローラを介しての1回目のアドレス信号
転送により、いずれか一つの半導体メモリ素子がアクテ
ィブ状態に選択・設定され、このアクティブ状態に選択
・設定された半導体メモリ素子が2回目のアドレス信号
転送を選択的に受取って、指示されたアドレス信号に対
応してデータの授受が行われる。つまり、各半導体メモ
リ素子の識別情報記憶回路に、予めそれぞれ識別情報
(ID)書き込み信号ピンを介して、予め書き込んでお
いた半導体メモリ素子ごとに異なる識別情報番号が先ず
選択・指定される。その後、この選択・指定に基づいて
所定の半導体メモリ素子がアクティブ状態に自動的に設
定され、所要のアクセスが進行することになる。
According to the semiconductor memory device of the present invention, the plurality of semiconductor memory devices forming the main memory store the identification information storage circuit for storing identification information for distinguishing each other and the identification information storage circuit. When a so-called access is made, one of the semiconductor memory devices is selected and set in the active state by the first address signal transfer when the so-called access is made. The semiconductor memory device selected / set in the active state selectively receives the second address signal transfer, and data is exchanged in accordance with the instructed address signal. That is, the identification information number which is previously written in the identification information storage circuit of each semiconductor memory element is previously selected and designated for each semiconductor memory element via the identification information (ID) write signal pin. Thereafter, based on this selection / designation, the predetermined semiconductor memory device is automatically set to the active state, and the required access proceeds.

【0007】[0007]

【実施例】以下、図1および図2を参照して本発明の実
施例を説明する。
Embodiments of the present invention will be described below with reference to FIGS.

【0008】図1は本発明に係る半導体メモリ装置の要
部構成例を示すブロック図で、3はアドレス生成回路,
データ生成回路,および半導体メモリ素子制御信号生成
回路を備えたコントローラ3a、および前記コントローラ
3aによって駆動が制御される複数個の半導体メモリ素子
3b1 ,3b2 ,…3bn を具備して成る半導体メモリ装置で
ある。そして、前記半導体メモリ装置3の主要部を成す
各半導体メモリ素子3b1 ,3b2 ,…3bn は、それぞれ書
き込み信号ピン4を介して書き込まれ、かつ相互に区別
するための識別情報、すなわち各半導体メモリ素子3
b1 ,3b2 ,…3bnごとに異なる識別情報番号を記憶する
識別情報(ID)記憶回路、およびこの識別情報(I
D)記憶回路の識別情報を識別する識別情報(ID)識
別回路を内蔵した構成をもって特徴付けられる。
FIG. 1 is a block diagram showing a configuration example of a main part of a semiconductor memory device according to the present invention. 3 is an address generation circuit,
Controller 3a including data generation circuit and semiconductor memory device control signal generation circuit, and the controller
Multiple semiconductor memory devices whose drive is controlled by 3a
It is a semiconductor memory device comprising 3b 1 , 3b 2 , ... 3b n . The semiconductor memory devices 3b 1 , 3b 2 , ... 3b n forming the main part of the semiconductor memory device 3 are respectively written via the write signal pin 4 and are identification information for distinguishing each other, that is, Semiconductor memory device 3
An identification information (ID) storage circuit that stores a different identification information number for each b 1 , 3b 2 , ... 3b n , and this identification information (I
D) It is characterized by having a configuration including an identification information (ID) identification circuit for identifying the identification information of the memory circuit.

【0009】次に、この構成の半導体メモリ装置3の動
作ないし使用について説明する。先ず、各半導体メモリ
素子3b1 ,3b2 ,…3bn につき、コントローラ3aとの接
続に先立って、各半導体メモリ素子3b1 ,3b2 ,…3bn
ごとに、それぞ書き込み信号ピン4をアクティブにした
状態で、アドレスバスもしくはデータバスを利用して互
いに異なった識別情報(ID)を、それぞれ内蔵してい
る識別情報(ID)記憶回路に書き込み・記憶させる。
前記識別情報(ID)を内蔵している識別情報(ID)
記憶回路に書き込み・記憶させた各半導体メモリ素子3b
1 ,3b2 ,…3bn を主メモリ(外部記憶装置)として、
コントローラ3aに接続し半導体メモリ装置3を構成する
一方、要すれば中央処理装置1などに接続して、たとえ
ばマイクロコンピュータシステムを構成する。
Next, the operation or use of the semiconductor memory device 3 having this structure will be described. First, the semiconductor memory device 3b 1, 3b 2, ... per 3b n, prior to connection to a controller 3a, the semiconductor memory device 3b 1, 3b 2, ... 3b n
Each time, with the write signal pin 4 activated, the different identification information (ID) is written to the built-in identification information (ID) storage circuit using the address bus or the data bus. Remember.
Identification information (ID) containing the identification information (ID)
Each semiconductor memory element 3b written / stored in the memory circuit
1 , 3b 2 , ... 3b n as main memory (external storage device)
The semiconductor memory device 3 is connected to the controller 3a, and if necessary, the semiconductor memory device 3 is connected to the central processing unit 1 or the like to form, for example, a microcomputer system.

【0010】この構成において、中央処理装置1で半導
体メモリ装置3を駆動ないしアクセスする場合、アドレ
スバスを利用して所要のアドレス信号を2回転送する。
このとき、1回目のアドレス信号は各半導体メモリ素子
3b1 ,3b2 ,…3bn を相互に識別(区分け)するため、
各半導体メモリ素子3b1 ,3b2 ,…3bn ごとに異なって
いる識別情報番号を転送する。そして、この識別情報番
号の転送は、共通のアドレスバスに接続している各半導
体メモリ素子3b1 ,3b2 ,…3bn が受け取り、各半導体
メモリ素子3b1 ,3b2 ,…3bn ごとに記憶回路に記憶し
ている識別情報番号と、同じく内蔵している識別回路に
て比較・対比され、一致する識別情報番号を有する(書
き込まれた)一つの半導体メモリ素子だけがアクティブ
状態に選択・設定される。このようにして、アクティブ
状態に選択・設定された一つの半導体メモリ素子は、2
回目のアドレス信号を受取って、指示されたアドレス信
号に対して所要のデータの授受が行われる。
In this configuration, when the central processing unit 1 drives or accesses the semiconductor memory device 3, a required address signal is transferred twice using the address bus.
At this time, the first address signal is applied to each semiconductor memory device.
3b 1 , 3b 2 , ... 3b n are mutually distinguished (divided),
Different identification information numbers are transferred to the respective semiconductor memory elements 3b 1 , 3b 2 , ... 3b n . The transfer of the identification information number, each semiconductor memory device 3b 1, 3b 2 are connected to a common address bus, ... 3b n receives the respective semiconductor memory elements 3b 1, 3b 2, ... for each 3b n The identification information number stored in the memory circuit is compared and compared with the identification circuit also built in, and only one semiconductor memory element having the same identification information number (written) is selected in the active state. Is set. In this way, one semiconductor memory device selected and set in the active state is
Upon receiving the address signal for the second time, required data is exchanged with the instructed address signal.

【0011】図2は本発明に係る半導体メモリ装置の他
の構成例の要部を示すブロック図であり、上記構成例に
おけるコントローラ3aのアドレス生成回路の代わりに、
論理アドレス生成回路を内蔵させ、かつコントローラ3
a′と半導体メモリ素子3b1 ,3b2 ,…3bn との共通の
アドレスバスを論理アドレス書き込み信号とし、アドレ
ス信号および識別情報番号をデータバスのマルチプレク
サで転送する構成としている。
FIG. 2 is a block diagram showing the main part of another configuration example of the semiconductor memory device according to the present invention. Instead of the address generation circuit of the controller 3a in the above configuration example,
Controller with a built-in logical address generation circuit
a 'and the semiconductor memory device 3b 1, 3b 2, ... a common address bus and 3b n and a logical address writing signal, and configured to transfer an address signal and the identification information ID in the data bus of the multiplexer.

【0012】この構成の半導体メモリ装置3の動作ない
し使用においては、先ず、各半導体メモリ素子3b1 ,3b
2 ,…3bn につき、コントローラ3a′との接続に先立っ
て、各半導体メモリ素子3b1 ,3b2 ,…3bn ごとに、そ
れぞ書き込み信号ピン4をアクティブにした状態で、デ
ータバスのマルチプレクサを利用して互いに異なった識
別情報(ID)を、それぞれ内蔵している識別情報(I
D)記憶回路に書き込み・記憶させる。前記識別情報
(ID)を内蔵している識別情報(ID)記憶回路に書
き込み・記憶させた各半導体メモリ素子3b1 ,3b2 ,…
3bn を主メモリ(外部記憶装置)として、コントローラ
3a′に接続し半導体メモリ装置3′を構成する一方、要
すれば中央処理装置1などに接続して、たとえばマイク
ロコンピュータシステムを構成する。
In the operation or use of the semiconductor memory device 3 having this structure, first, the respective semiconductor memory elements 3b 1 and 3b are
2 , ... 3b n , prior to connection with the controller 3a ′, for each semiconductor memory device 3b 1 , 3b 2 , ... 3b n , with the write signal pin 4 activated respectively, and the multiplexer of the data bus. The identification information (ID) different from each other is stored by using the identification information (I
D) Write / store in the memory circuit. Each of the semiconductor memory devices 3b 1 , 3b 2 , ... Written and stored in an identification information (ID) storage circuit containing the identification information (ID).
Controller with 3b n as main memory (external storage)
The semiconductor memory device 3'is connected to 3a ', and if necessary, the semiconductor memory device 3'is connected to the central processing unit 1 or the like to form, for example, a microcomputer system.

【0013】そして、半導体メモリ装置3′に所要のデ
ータを書き込むとき、もしくは読み出すときは、先ず、
論理アドレス書き込み信号をアクティブにし、次いでア
クセスする半導体メモリ素子を選択する識別情報番号、
およびデータの授受を行うアドレス信号をデータバスを
利用し、数バイトに別けて指示する。この指示に基づい
て、指示された識別情報番号を有する(書き込まれてい
る)半導体メモリ素子が選択的にアクティブな状態とな
って、前記指示されたアドレス信号に対して所要のデー
タの授受が行われることになる。
When writing or reading required data to or from the semiconductor memory device 3 ', first,
An identification number for activating a logical address write signal and then selecting a semiconductor memory device to be accessed,
And, the address signal for transmitting and receiving data is instructed by dividing into several bytes using the data bus. Based on this instruction, the semiconductor memory device having the designated identification information number (written) is selectively activated, and the required data is transmitted / received to / from the designated address signal. Will be seen.

【0014】[0014]

【発明の効果】上記説明から分かるように、本発明に係
る半導体メモリ装置は、いわゆるコントローラが汎用的
で、記憶容量を増加(増大)させるため、たとえばマイ
クロコンピュータシステムにおいて、新たに半導体メモ
リ素子を付設(接続)することが可能となる。すなわ
ち、併設した複数個の半導体メモリ素子に関して選択信
号回路など要せずに、所要の半導体メモリ素子を選択的
にアクセスし得るので、専用的なコントローラが不要と
なるばかりでなく、前記半導体メモリ素子の選択信号回
路の不要に伴って回路構成の簡略化や信頼性の向上など
も容易に図られる。したがって、この半導体メモリ装置
は、たとえば各種のカード類、あるいはコンピュータシ
ステム類の記憶装置として実用上多くの利点をもたらす
ものといえる。
As can be seen from the above description, in the semiconductor memory device according to the present invention, the so-called controller is general-purpose, and the storage capacity is increased (increased). It becomes possible to attach (connect). That is, since a required semiconductor memory element can be selectively accessed without requiring a selection signal circuit or the like for a plurality of semiconductor memory elements provided side by side, not only is a dedicated controller unnecessary, but also the semiconductor memory element is not required. The simplification of the circuit configuration and the improvement of reliability can be easily achieved due to the elimination of the selection signal circuit. Therefore, it can be said that this semiconductor memory device brings many practical advantages as a storage device of various cards or computer systems.

【図面の簡単な説明】[Brief description of drawings]

【図1】本発明に係る半導体メモリ装置の要部構成例を
示すブロック図。
FIG. 1 is a block diagram showing a configuration example of a main part of a semiconductor memory device according to the present invention.

【図2】本発明に係る半導体メモリ装置のたの要部構成
例を示すブロック図。
FIG. 2 is a block diagram showing an example of the main part configuration of a semiconductor memory device according to the present invention.

【図3】従来の半導体メモリ装置の要部構成を示すブロ
ック図。
FIG. 3 is a block diagram showing a main configuration of a conventional semiconductor memory device.

【符号の説明】[Explanation of symbols]

1…中央処理装置 2,3,3′…半導体メモリ装置
2a,3a,3a′…コントローラ 2b1 ,2b2 ,3
b1 ,3b2 …半導体メモリ素子 4…書込み信号ピン
1 ... Central processing unit 2, 3, 3 '... Semiconductor memory device
2a, 3a, 3a '... Controllers 2b 1 , 2b 2 , 3
b 1 , 3b 2 ... semiconductor memory device 4 ... write signal pin

Claims (2)

【特許請求の範囲】[Claims] 【請求項1】 アドレス生成回路,データ生成回路,お
よび半導体メモリ素子制御信号生成回路を備えたコント
ローラと、 前記コントローラによって駆動が制御される複数個の半
導体メモリ素子とを具備して成る半導体メモリ装置であ
って、 前記各半導体メモリ素子は相互に区別するための識別情
報を記憶する識別情報記憶回路およびこの識別情報記憶
回路の識別情報を識別する識別情報識別回路を内蔵して
いることを特徴とする半導体メモリ装置。
1. A semiconductor memory device comprising: a controller having an address generation circuit, a data generation circuit, and a semiconductor memory device control signal generation circuit; and a plurality of semiconductor memory devices whose drive is controlled by the controller. Wherein each of the semiconductor memory elements includes an identification information storage circuit that stores identification information for distinguishing each other and an identification information identification circuit that identifies the identification information of the identification information storage circuit. Semiconductor memory device.
【請求項2】 中央処理装置、主メモリ,および入出力
装置を具備して成るマイクロコンピュータシステムにお
いて、 前記主メモリが、アドレス生成回路,データ生成回路,
および半導体メモリ素子制御信号生成回路を備えたコン
トローラ、およびこのコントローラによって駆動が制御
される複数個の半導体メモリ素子を具備して成る半導体
メモリ装置であって、かつ前記各半導体メモリ素子は相
互に区別するための識別情報を記憶する識別情報記憶回
路およびこの識別情報記憶回路の識別情報を識別する識
別情報識別回路を内蔵していることを特徴とするマイク
ロコンピュータシステム。
2. A microcomputer system comprising a central processing unit, a main memory, and an input / output device, wherein the main memory is an address generation circuit, a data generation circuit,
A semiconductor memory device comprising: a controller having a semiconductor memory device control signal generation circuit; and a plurality of semiconductor memory devices whose driving is controlled by the controller, wherein the semiconductor memory devices are distinguished from each other. A microcomputer system having a built-in identification information storage circuit for storing identification information for performing identification and an identification information identification circuit for identifying identification information of the identification information storage circuit.
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