JPH06164350A - Semiconductor integrated circuit device - Google Patents

Semiconductor integrated circuit device

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JPH06164350A
JPH06164350A JP4248432A JP24843292A JPH06164350A JP H06164350 A JPH06164350 A JP H06164350A JP 4248432 A JP4248432 A JP 4248432A JP 24843292 A JP24843292 A JP 24843292A JP H06164350 A JPH06164350 A JP H06164350A
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JP
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circuit
output
power supply
reset
semiconductor integrated
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JP4248432A
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Inventor
Eiji Takagi
永次 高木
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Fuji Electric Co Ltd
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Fuji Electric Co Ltd
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Abstract

PURPOSE:To obtain the semiconductor integrated circuit device which never becomes abnormal when powered ON or OFF. CONSTITUTION:An abnormal voltage detecting circuit 20 which is a series connection body of a diode 21 and a resistance element 22 is installed between the power terminal 81 and 1st diode 65 in the semiconductor circuit 11 that the semiconductor integrated circuit device 10 is equipped with. The output line 23 led out of the connection point 24 between the abnormal voltage detecting circuit 20 and 1st diode 65 is connected to an input terminal 53a for inputting the reset output 69 from a reset circuit 68 provided to an internal circuit 63. A capacitor element 25 is interposed between the connection point 24 and a ground terminal 82. When the semiconductor integrated circuit device 10 is powered OFF and a High-level signal is inputted to a signal input terminal 83 from outside, the voltage developed at the connection point 24 is utilized to reset the internal circuit 63, and then no signal is outputted from the output terminal 63b of the internal circuit 63.

Description

【発明の詳細な説明】Detailed Description of the Invention

【0001】[0001]

【産業上の利用分野】本発明は、電源電圧の値を検出し
て電源電圧が設定値を下回る場合に半導体回路をリセッ
ト状態にするリセット回路を備えた半導体集積回路装置
に関する。
BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to a semiconductor integrated circuit device provided with a reset circuit which detects a value of a power supply voltage and puts the semiconductor circuit in a reset state when the power supply voltage falls below a set value.

【0002】[0002]

【従来の技術】電源電圧の値を検出して電源電圧が設定
値を下回る場合に半導体回路をリセット状態にするリセ
ット回路を備えた半導体集積回路装置の事例として、L
CD用のコントローラ・ドライバに適用したものが知ら
れている。図4は、従来例の半導体集積回路装置をLC
Dコントローラ・ドライバに適用したLCD装置のブロ
ック回路図、図5は、図4中に示した半導体集積回路装
置の1個の入力に対応する半導体回路の要部の回路図、
図6は、図4中に示した半導体集積回路装置の要部の回
路図である。
2. Description of the Related Art As an example of a semiconductor integrated circuit device equipped with a reset circuit that detects the value of a power supply voltage and puts the semiconductor circuit in a reset state when the power supply voltage falls below a set value,
The one applied to a controller / driver for a CD is known. FIG. 4 shows a conventional semiconductor integrated circuit device as an LC
FIG. 5 is a block circuit diagram of an LCD device applied to a D controller / driver. FIG. 5 is a circuit diagram of a main part of a semiconductor circuit corresponding to one input of the semiconductor integrated circuit device shown in FIG.
FIG. 6 is a circuit diagram of a main part of the semiconductor integrated circuit device shown in FIG.

【0003】図4,〜図6において、50は、LCD7
0が表示すべき表示データ等の複数の出力信号51を出
力する半導体集積回路装置でもあるマスタCPUであ
り、60は、マスタCPU50から受取った出力信号5
1を、LCD70に対する駆動用データ信号64に変換
したうえで、LCD70に出力するスレーブCPUでも
あるLCDコントローラ・ドライバであり、半導体集積
回路装置でもある。
In FIGS. 4 to 6, reference numeral 50 denotes the LCD 7.
0 is a master CPU that is also a semiconductor integrated circuit device that outputs a plurality of output signals 51 such as display data to be displayed, and 60 is an output signal 5 received from the master CPU 50.
It is an LCD controller driver that is also a slave CPU that converts 1 into a driving data signal 64 for the LCD 70 and then outputs it to the LCD 70, and is also a semiconductor integrated circuit device.

【0004】81は、マスタCPU50およびLCDコ
ントローラ・ドライバ60のそれぞれに電源電圧を供給
するための電源端子、82は、電源端子81に対応する
アース端子である。LCDコントローラ・ドライバ60
は、複数有る出力信号51(51a,〜51n)の単一
の出力信号毎に対応した変換処理を行う半導体回路とし
て、それぞれの出力信号51毎に個別ドライバ61(6
1a,〜61n)を備えており、これらそれぞれの個別
ドライバ61は、電源端子81と、アース端子82と、
マスタCPU50からの出力信号51を受取る信号入力
端子83を備え、出力信号51を、バッファ用増幅回路
であるCMOSインバータ62によりバッファしたうえ
で内部回路63に入力し、内部回路63においてLCD
70を駆動するのに適合したデータに変換処理し、駆動
用データ信号64(64a,〜64n)として、その出
力端子63b(63ba,〜63bn)から出力する。
CMOSインバータ62は、電源端子81側に接続され
たP−MOSFET62aと、アース端子82側に接続
されたN−MOSFET62bを備え、MOSFET6
2a,62bのゲートは互いに接続されてCMOSイン
バータ62の入力端62cをなし、出力信号51を入力
する。P−MOSFET62aのドレインとN−MOS
FET62bのドレインは互いに接続されてCMOSイ
ンバータ62の出力端62dをなし、バッファされたマ
スタCPU50の出力信号51’を内部回路63に向け
て出力する。なお、内部回路63は、後記するリセット
回路68が出力するリセット出力(Vr)69を受取る
ための入力端子63aを備えている。
Reference numeral 81 is a power supply terminal for supplying a power supply voltage to each of the master CPU 50 and the LCD controller / driver 60, and 82 is a ground terminal corresponding to the power supply terminal 81. LCD controller driver 60
Is a semiconductor circuit that performs conversion processing corresponding to each single output signal of the plurality of output signals 51 (51a, 51n), and an individual driver 61 (6) for each output signal 51.
1a, to 61n), and each individual driver 61 has a power supply terminal 81, a ground terminal 82, and
A signal input terminal 83 for receiving an output signal 51 from the master CPU 50 is provided, the output signal 51 is buffered by a CMOS inverter 62 that is a buffer amplifier circuit, and then input to an internal circuit 63.
The data is converted into data suitable for driving 70, and output as a driving data signal 64 (64a, to 64n) from the output terminal 63b (63ba, to 63bn).
The CMOS inverter 62 includes a P-MOSFET 62a connected to the power supply terminal 81 side and an N-MOSFET 62b connected to the ground terminal 82 side.
Gates of 2a and 62b are connected to each other to form an input terminal 62c of a CMOS inverter 62, and an output signal 51 is input. Drain of P-MOSFET 62a and N-MOS
The drains of the FETs 62b are connected to each other to form the output terminal 62d of the CMOS inverter 62, and output the buffered output signal 51 'of the master CPU 50 to the internal circuit 63. The internal circuit 63 has an input terminal 63a for receiving a reset output (Vr) 69 output from a reset circuit 68 described later.

【0005】65は、電源端子81と抵抗素子67を介
して信号入力端子83との間に、そのカソードが電源端
子81側に接続されて挿入された第1のダイオードであ
り、66は、抵抗素子67を介して信号入力端子83と
アース端子82間に、そのカソードが抵抗素子67を介
して信号入力端子83に接続されて挿入された第2のダ
イオードであり、人間等の外部の荷電体がLCDコント
ローラ・ドライバ60の諸端子81,82,83に接触
した際に、荷電体からの静電荷をこれらダイオード6
5,66を通して放電することにより、静電気障害から
LCDコントローラ・ドライバ60を保護するものであ
り、67は、ダイオード65,66を通して放電される
静電荷による電流の値が過大になるのを抑制するための
抵抗素子である。
Reference numeral 65 is a first diode inserted between the power supply terminal 81 and the signal input terminal 83 via the resistance element 67 with its cathode connected to the power supply terminal 81 side, and 66 is a resistance. The second diode is inserted between the signal input terminal 83 and the ground terminal 82 via the element 67 with its cathode connected to the signal input terminal 83 via the resistance element 67. When the terminals come into contact with the terminals 81, 82, 83 of the LCD controller / driver 60, the electrostatic charge from the charged body is transferred to the diode 6
Discharging through 5, 66 protects the LCD controller / driver 60 from electrostatic damage, and 67 suppresses an excessive current value due to electrostatic charge discharged through the diodes 65, 66. Is a resistance element.

【0006】LCDコントローラ・ドライバ60は、複
数の個別ドライバ61とともに、電源電圧の値を検出
し、電源電圧が設定値を下回る場合に個別ドライバ61
をリセット状態にするリセット出力(Vr)69をそれ
ぞれの個別ドライバ61〔61a〜61n)に出力する
リセット回路68を備えている。リセット回路68は、
電源端子81、アース端子82、電源端子81とアース
端子82間に接続されて、印加された電源電圧(Vs)
の値があらかじめ設定されている所定の設定値を越えた
値であるか否かを判別する電源電圧値判別回路68a、
および電源電圧値判別回路68aの出力信号68bをバ
ッファするCMOSインバータ62を備えている。電源
電圧値判別回路68aは、図7に示すように、所定の電
源電圧値(Vs)に対してやや低い設定値(Vo)を持
ち、電源電圧が個別ドライバ61の動作に支障が無いか
否かを判別する回路であり、電源電圧値(Vs)が設定
値(Vo)よりも低く、従って、個別ドライバ61が有
する内部回路63の動作に支障を与える場合には、それ
ぞれの内部回路63の動作をリセットするためのリセッ
ト信号68bを出力する。
The LCD controller / driver 60, together with the plurality of individual drivers 61, detects the value of the power supply voltage, and when the power supply voltage falls below the set value, the individual driver 61.
A reset circuit 68 is provided for outputting a reset output (Vr) 69 for resetting each of the individual drivers 61 [61a to 61n]. The reset circuit 68 is
Power supply terminal 81, ground terminal 82, and power supply voltage (Vs) applied between power supply terminal 81 and ground terminal 82
, A power supply voltage value determination circuit 68a for determining whether or not the value of is greater than a preset predetermined value.
And a CMOS inverter 62 for buffering the output signal 68b of the power supply voltage value determination circuit 68a. As shown in FIG. 7, the power supply voltage determination circuit 68a has a set value (Vo) slightly lower than a predetermined power supply voltage value (Vs), and whether the power supply voltage does not hinder the operation of the individual driver 61. In the case where the power supply voltage value (Vs) is lower than the set value (Vo) and therefore the operation of the internal circuit 63 included in the individual driver 61 is disturbed, A reset signal 68b for resetting the operation is output.

【0007】リセット信号68bは、入力端62cから
CMOSインバータ62に入力され、CMOSインバー
タ62でバッファされたうえで、出力端62dからリセ
ット出力(Vr)69として出力され、全ての内部回路
63の入力端子63a(63aa〜63an)に供給さ
れる。電源電圧値(Vs)が設定値(Vo)よりも低い
場合には、リセット出力(Vr)69はHigh レベル出
力(以降、「H」出力と略記する.)となり、電源電圧
値(Vs)が設定値(Vo)よりも高い場合には、リセ
ット出力(Vr)69はLowレベル出力(以降、「L」
出力と略記する.)となる。「H」出力のリセット出力
(Vr)69を受取った内部回路63は、リセット状態
となりLCD70に対して何らの出力も発しない。ま
た、リセット出力(Vr)69が「L」出力であると、
内部回路63は、所期の動作を行う通常動作状態とな
り、マスタCPU50から出力された出力信号51に応
じた駆動用データ信号64をLCD70に対して出力す
る。なお、電源投入の初期あるいは電源遮断の終期にお
いて、電源電圧値(Vs)が極めて低く、電源電圧値判
別回路68aの閾値(Vth)以下である場合において
も、リセット出力(Vr)69は「L」出力となるが、
この場合には電源電圧値(Vs)が極めて低いことで、
内部回路63が動作状態にはならないので、何ら問題を
生じない。
The reset signal 68b is input to the CMOS inverter 62 from the input end 62c, buffered by the CMOS inverter 62, and then output as the reset output (Vr) 69 from the output end 62d, and input to all the internal circuits 63. It is supplied to the terminals 63a (63aa to 63an). When the power supply voltage value (Vs) is lower than the set value (Vo), the reset output (Vr) 69 becomes a high level output (hereinafter abbreviated as “H” output), and the power supply voltage value (Vs) becomes. When it is higher than the set value (Vo), the reset output (Vr) 69 is a Low level output (hereinafter, “L”).
Abbreviated as output. ). Upon receiving the reset output (Vr) 69 of "H" output, the internal circuit 63 enters the reset state and does not output any output to the LCD 70. If the reset output (Vr) 69 is the “L” output,
The internal circuit 63 enters a normal operation state in which it performs a desired operation, and outputs a drive data signal 64 corresponding to the output signal 51 output from the master CPU 50 to the LCD 70. Even when the power supply voltage value (Vs) is extremely low and equal to or less than the threshold value (Vth) of the power supply voltage value determination circuit 68a at the initial stage of power-on or at the end of power-off, the reset output (Vr) 69 is "L". It will be output,
In this case, the power supply voltage value (Vs) is extremely low,
Since the internal circuit 63 does not enter the operating state, no problem occurs.

【0008】従来例の半導体集積回路装置としてのLC
D用コントローラ・ドライバ60は、前述の構成となっ
ているので、電源電圧の投入時あるいは遮断時等の低電
源電圧の場合には、内部回路63はリセットされるため
に、低い電源電圧におけるLCD用コントローラ・ドラ
イバ60の誤動作が防止され、LCD70が異常な表示
を行うことも回避することができている。
LC as a conventional semiconductor integrated circuit device
Since the D controller / driver 60 has the above-described configuration, the internal circuit 63 is reset when the power source voltage is low, such as when the power source voltage is turned on or off, so that the LCD at the low power source voltage is reset. The controller controller / driver 60 is prevented from malfunctioning, and the LCD 70 can be prevented from displaying an abnormal display.

【0009】[0009]

【発明が解決しようとする課題】前述した従来技術によ
る半導体集積回路装置においては、システムを構成する
全ての半導体集積回路装置への電源の投入あるいは遮断
が、同時に行われるシステムで使用される場合には、誤
動作の発生を防止することができるが、システム構成の
必要から、例えば、マスタCPU50と、LCD用コン
トローラ・ドライバ60の電源系統を分離して構成した
システムにおいては、電源の投入あるいは遮断時に次記
する問題が発生する。
In the above-described semiconductor integrated circuit device according to the prior art, when the power is turned on or off to all the semiconductor integrated circuit devices forming the system at the same time, the system is used. Can prevent the occurrence of malfunction, but because of the system configuration requirement, for example, in a system in which the power supply system of the master CPU 50 and the LCD controller / driver 60 are separated, the power is turned on or off. The following problems occur.

【0010】すなわち、マスタCPU50の電源は投入
されているが、LCD用コントローラ・ドライバ60の
電源が遮断されている場合において問題が発生する。マ
スタCPU50の出力信号51が「H」出力である場合
に、信号入力端子83からLCDコントローラ・ドライ
バ60に入力された「H」出力電圧は、抵抗素子67お
よび第1のダイオード65を通してLCD用コントロー
ラ・ドライバ60の電源ラインに印加される。出力信号
51の「H」出力から電源ラインに印加される電圧の値
は、途中で抵抗素子67および第1のダイオード65を
通流するために電圧値が降下することで、例えばマスタ
CPU50の電源電圧値が5〔V〕である場合に、1〜
3〔V〕となる。
That is, when the power of the master CPU 50 is turned on, but the power of the LCD controller driver 60 is shut off, a problem occurs. When the output signal 51 of the master CPU 50 is the “H” output, the “H” output voltage input to the LCD controller driver 60 from the signal input terminal 83 is passed through the resistance element 67 and the first diode 65 to the LCD controller. -Applied to the power line of the driver 60. The value of the voltage applied to the power supply line from the “H” output of the output signal 51 drops in order to pass through the resistance element 67 and the first diode 65 on the way, so that, for example, the power supply of the master CPU 50. When the voltage value is 5 [V], 1 to
It becomes 3 [V].

【0011】ところで、こうした場合であっても、出力
信号51の「H」出力から電源ラインに印加される電圧
値が、リセット回路68の設定値(Vo)を越える場合
には内部回路63は動作状態となる。しかしながら、電
源ラインに印加される電圧値が正規の電源電圧値(V
s)よりも低く中途半端な値であるために、内部回路6
3の動作は不安定となり、LCD70に対して出力信号
51に対応しない異常な駆動用データ信号64を送出す
るので、LCD70が異常な表示を行うことがある。ま
た、このような状態である時に、LCD用コントローラ
・ドライバ60の電源が投入されると、中途半端な電圧
値により動作している内部回路63内の半導体素子にラ
ッチアップ現象を誘発して、半導体素子従って内部回路
63が永久破壊する事故も発生することがある。
Even in such a case, the internal circuit 63 operates when the voltage value applied from the "H" output of the output signal 51 to the power supply line exceeds the set value (Vo) of the reset circuit 68. It becomes a state. However, the voltage value applied to the power supply line is the normal power supply voltage value (V
Since the value is lower than s) and is a halfway value, the internal circuit 6
The operation of No. 3 becomes unstable and the abnormal driving data signal 64 that does not correspond to the output signal 51 is sent to the LCD 70, so that the LCD 70 may perform an abnormal display. Further, when the LCD controller / driver 60 is powered on in such a state, a latch-up phenomenon is induced in the semiconductor element in the internal circuit 63 which is operating with a halfway voltage value, An accident may occur in which the semiconductor element and hence the internal circuit 63 are permanently damaged.

【0012】本発明は、前述の従来技術の問題点に鑑み
なされたものであり、その目的は、電源系統が分離され
た複数の半導体集積回路装置により構成されるシステム
で使用される場合においても、電源の投入あるいは遮断
時に異常状態が発生することのない半導体集積回路装置
を提供することにある。
The present invention has been made in view of the above-mentioned problems of the prior art, and its object is also to be used in a system constituted by a plurality of semiconductor integrated circuit devices whose power supply systems are separated. An object of the present invention is to provide a semiconductor integrated circuit device in which an abnormal state does not occur when power is turned on or off.

【0013】[0013]

【課題を解決するための手段】本発明では前述の目的
は、1)リセット回路と、半導体回路とを備え、前記リ
セット回路は、電源電圧を受取る電源端子と、アース端
子と、前記電源端子と前記アース端子間に接続された電
源電圧値判別回路を備え、この電源電圧値判別回路は、
電源電圧の値を検出し、前記電源電圧があらかじめ設定
されている設定値を下回る場合に前記半導体回路をリセ
ット状態にするリセット出力を前記半導体回路に出力す
るものであり、前記半導体回路は、電源電圧を受取る電
源端子と、信号入力電圧を受取る信号入力端子と、前記
電源電圧ならびに前記信号入力電圧のそれぞれに対する
アース端子と、前記電源端子と前記信号入力端子の間に
挿入されそのカソードが前記電源端子側に接続された第
1のダイオードと、前記信号入力端子と前記アース端子
の間に挿入されそのカソードが前記信号入力端子に接続
された第2のダイオードと、これらのダイオードにより
静電気障害から保護されしかも前記リセット回路からの
リセット出力を受取る入力端子を有する内部回路を備
え、前記リセット回路からリセット出力を受取った場合
には前記内部回路はリセット状態となり、前記リセット
回路から前記内部回路をリセット状態とすべきリセット
出力を受取らない場合には前記信号入力電圧に従う通常
動作を行う半導体集積回路装置において、半導体回路
は、異常電圧検出回路と、その出力線を備え、前記異常
電圧検出回路は、電源端子と第1のダイオードのカソー
ドとの間に挿入され、電源端子と信号入力端子の間の電
圧差を検出するものであり、前記出力線は、前記異常電
圧検出回路と前記内部回路の入力端子間を接続し、前記
異常電圧検出回路からの出力をリセット回路からのリセ
ット出力と共に内部回路に供給するようにした構成とし
たこと、また2)前記1項記載の手段において、半導体
回路が備える異常電圧検出回路は、そのカソードが電源
端子側に接続されたダイオードであり、その出力線は、
第1のダイオードのカソードと、前記電源端子側に接続
されたダイオードのアノードとの接続点から引き出され
る構成とすること、また3)前記2項記載の手段におい
て、半導体回路が備える異常電圧検出回路は、そのカソ
ードが電源端子側に接続されたダイオードと、このダイ
オードのアノードに接続された抵抗素子との直列接続体
であり、その出力線は、第1のダイオードのカソード
と、前記ダイオードと抵抗素子との直列接続体の有する
抵抗素子との接続点から引き出される構成とすること、
また4)前記1項ないし3項記載の手段において、半導
体集積回路装置は、インバータ回路と、半導体スイッチ
を備え、前記インバータ回路は、その入力端子に前記半
導体集積回路装置のリセット回路からのリセット出力が
入力され、このリセット出力に対して反転された出力を
その出力端子から前記半導体集積回路装置の内部回路が
有するリセット出力を受取る入力端子に向けて出力する
ものであり、前記半導体スイッチは、前記インバータ回
路の前記出力端子とアース端子との間に接続され、前記
半導体集積回路装置の半導体回路が備える異常電圧検出
回路の出力線をそのゲートに接続する構成とすること、
さらにまた5)前記1項ないし4項記載の手段におい
て、半導体回路は、コンデンサ素子を備え、前記コンデ
ンサ素子は、異常電圧検出回路の出力線が引き出される
接続点と、アース端子の間に接続された構成とするこ
と、で達成される。
SUMMARY OF THE INVENTION In the present invention, the above-mentioned objects are: 1) a reset circuit and a semiconductor circuit, wherein the reset circuit has a power supply terminal for receiving a power supply voltage, a ground terminal, and the power supply terminal. A power supply voltage value determination circuit connected between the ground terminals is provided.
Detecting a value of a power supply voltage and outputting a reset output to the semiconductor circuit, the reset output bringing the semiconductor circuit into a reset state when the power supply voltage falls below a preset value. A power supply terminal for receiving a voltage, a signal input terminal for receiving a signal input voltage, a ground terminal for each of the power supply voltage and the signal input voltage, a cathode inserted between the power supply terminal and the signal input terminal, and a cathode for the power supply. A first diode connected to the terminal side, a second diode inserted between the signal input terminal and the ground terminal and having its cathode connected to the signal input terminal, and protection from electrostatic damage by these diodes And an internal circuit having an input terminal for receiving a reset output from the reset circuit, When the reset output is received from the semiconductor integrated circuit, the internal circuit enters a reset state, and when the reset output that should bring the internal circuit into the reset state is not received from the reset circuit, the semiconductor integrated circuit performs a normal operation according to the signal input voltage. In the device, the semiconductor circuit includes an abnormal voltage detection circuit and an output line thereof, and the abnormal voltage detection circuit is inserted between the power supply terminal and the cathode of the first diode, and between the power supply terminal and the signal input terminal. The output line connects between the abnormal voltage detection circuit and the input terminal of the internal circuit, and the output from the abnormal voltage detection circuit is supplied to the internal circuit together with the reset output from the reset circuit. 2) In the means described in 2) above, the abnormal voltage detection circuit provided in the semiconductor circuit is Sword is a diode connected to the power supply terminal side, the output line,
The cathode of the first diode and the anode of the diode connected to the power supply terminal side are connected to each other, and 3) the abnormal voltage detection circuit provided in the semiconductor circuit according to the means described in 2 above. Is a series connection body of a diode whose cathode is connected to the power supply terminal side and a resistance element which is connected to the anode of this diode, and whose output line is the cathode of the first diode, the diode and the resistor. To be configured to be drawn out from a connection point with a resistance element that a series connection body with the element has,
4) In the means described in the items 1 to 3, the semiconductor integrated circuit device includes an inverter circuit and a semiconductor switch, and the inverter circuit has a reset output from a reset circuit of the semiconductor integrated circuit device at an input terminal thereof. Is input, and the output inverted from the reset output is output from the output terminal to the input terminal that receives the reset output included in the internal circuit of the semiconductor integrated circuit device. A configuration in which the output line of the abnormal voltage detection circuit which is connected between the output terminal of the inverter circuit and the ground terminal and which is included in the semiconductor circuit of the semiconductor integrated circuit device is connected to its gate;
Furthermore, 5) in the means described in the above items 1 to 4, the semiconductor circuit includes a capacitor element, and the capacitor element is connected between a connection point from which an output line of the abnormal voltage detection circuit is drawn out and a ground terminal. It is achieved by adopting a different configuration.

【0014】[0014]

【作用】本発明においては、半導体集積回路装置が備え
る半導体回路の電源端子と第1のダイオードのカソード
との間に接続される、例えば、そのカソードが電源端子
側に接続されたダイオードであるとか、あるいはそのカ
ソードが電源端子側に接続されたダイオードと抵抗素子
との直列接続体である異常電圧検出回路と、この異常電
圧検出回路と第1のダイオードのカソードとの接続点か
ら引き出されて、内部回路の入力端子と接続される出力
線とを備える構成とすることにより、電源系統が分離さ
れた複数の半導体集積回路装置により構成されるシステ
ムにおいて、或る半導体集積回路装置(例えばLCD用
コントローラ・ドライバ)の電源は遮断されているが、
他の半導体集積回路装置(例えばマスタCPU)の電源
は投入されており、しかも他の半導体集積回路装置から
出力された出力信号が「H」出力である場合に、この
「H」出力が信号入力端子から或る半導体集積回路装置
に入力されると、この電圧が、或る半導体集積回路装置
に備えられた前記異常電圧検出回路の第1のダイオード
に接続される側のみに印加され、この異常電圧検出回路
と第1のダイードとの接続点には〔「H」出力−(抵抗
素子中の電圧降下+第1のダイオードの順方向電圧降
下)〕のHigh レベルである電圧が生じる。このHigh
レベルである接続点に生じた電圧が、出力線を通して内
部回路が備える入力端子に供給されることで、あたかも
リセット回路のリセット出力(Vr)が「H」出力であ
る場合と同一の働きをなし、或る半導体集積回路装置の
半導体回路が備える内部回路を確実にリセット状態にす
る。
According to the present invention, the semiconductor integrated circuit device is connected between the power supply terminal of the semiconductor circuit and the cathode of the first diode, for example, the cathode is a diode connected to the power supply terminal side. , Or an abnormal voltage detection circuit whose cathode is a series connection of a diode and a resistance element connected to the power supply terminal side, and a connection point between the abnormal voltage detection circuit and the cathode of the first diode, In a system including a plurality of semiconductor integrated circuit devices whose power supply systems are separated by including an output line connected to an input terminal of an internal circuit, a semiconductor integrated circuit device (for example, an LCD controller)・ The power of the driver is cut off,
When the power of another semiconductor integrated circuit device (for example, a master CPU) is turned on and the output signal output from the other semiconductor integrated circuit device is the "H" output, this "H" output is a signal input. When the voltage is input from a terminal to a certain semiconductor integrated circuit device, this voltage is applied only to the side connected to the first diode of the abnormal voltage detection circuit provided in the certain semiconductor integrated circuit device. At the connection point between the voltage detection circuit and the first diode, a voltage at the High level of [“H” output− (voltage drop in resistance element + forward voltage drop of first diode)] is generated. This High
The voltage generated at the connection point, which is the level, is supplied to the input terminal provided in the internal circuit through the output line, so that the reset output (Vr) of the reset circuit has the same function as the “H” output. , An internal circuit provided in a semiconductor circuit of a semiconductor integrated circuit device is surely reset.

【0015】また、前述の半導体集積回路装置におい
て、半導体集積回路装置の内部回路は、その入力端子に
半導体集積回路装置のリセット回路からのリセット出力
が入力され、このリセット出力を反転してその出力端子
から出力するインバータ回路と、インバータ回路の出力
端子とアース端子との間に接続され、前記半導体集積回
路装置の半導体回路が備える異常電圧検出回路の出力線
をそのゲートに接続する半導体スイッチを設ける構成と
することにより、異常電圧検出回路と第1のダイードと
の接続点に発生した電圧は、半導体スイッチによりバッ
ファされたうえで内部回路に供給されるので、前述の作
用を信頼度高く実施することができる。
Further, in the aforementioned semiconductor integrated circuit device, the internal circuit of the semiconductor integrated circuit device receives the reset output from the reset circuit of the semiconductor integrated circuit device at its input terminal, and inverts this reset output and outputs it. Provided is an inverter circuit that outputs from a terminal, and a semiconductor switch that is connected between the output terminal of the inverter circuit and the ground terminal and that connects the output line of the abnormal voltage detection circuit included in the semiconductor circuit of the semiconductor integrated circuit device to its gate. With the configuration, the voltage generated at the connection point between the abnormal voltage detection circuit and the first diode is buffered by the semiconductor switch and then supplied to the internal circuit, so that the above-described operation is performed with high reliability. be able to.

【0016】さらにまた、前述の半導体集積回路装置に
おいて、半導体集積回路装置は、その異常電圧検出回路
の出力線が引き出される接続点とアース端子の間に、コ
ンデンサ素子を接続する構成とすることにより、他の半
導体集積回路装置から出力される出力信号が「H」出力
と「L」出力とを頻繁に繰り返す場合であっても、異常
電圧検出回路と第1のダイードとの接続点に発生した電
圧を、コンデンサ素子により平滑化することで、安定な
電圧を出力線を通して或る半導体集積回路装置の半導体
回路が備える内部回路に供給し、この内部回路を安定に
リセット状態に保持する。
Furthermore, in the above-described semiconductor integrated circuit device, the semiconductor integrated circuit device is configured such that a capacitor element is connected between a connection point from which the output line of the abnormal voltage detection circuit is drawn out and a ground terminal. , Even when the output signal output from another semiconductor integrated circuit device frequently repeats the “H” output and the “L” output, the abnormal voltage detection circuit occurs at the connection point of the first diode. By smoothing the voltage with a capacitor element, a stable voltage is supplied to an internal circuit included in a semiconductor circuit of a semiconductor integrated circuit device through an output line, and the internal circuit is stably held in a reset state.

【0017】[0017]

【実施例】以下本発明の実施例を図面を参照して詳細に
説明する。実施例1;図1は、本発明の請求項1,2,
3,5に対応する一実施例による半導体集積回路装置の
要部の回路図であり、図2は、図1における半導体集積
回路装置が備える異常電圧検出回路の構造例を示す断面
図である。図1,図2において、図4,〜図7に示した
従来例の半導体集積回路装置と同一部分には同じ符号を
付し、その説明を省略する。
Embodiments of the present invention will now be described in detail with reference to the drawings. Embodiment 1; FIG.
3 is a circuit diagram of a main part of a semiconductor integrated circuit device according to an embodiment corresponding to Nos. 3 and 5, and FIG. 2 is a cross-sectional view showing a structural example of an abnormal voltage detection circuit included in the semiconductor integrated circuit device in FIG. 1. 1 and 2, the same parts as those of the conventional semiconductor integrated circuit device shown in FIGS. 4 to 7 are designated by the same reference numerals, and the description thereof will be omitted.

【0018】図1,図2において、10は、LCDコン
トローラ・ドライバとして使用される半導体集積回路装
置であり、LCDコントローラ・ドライバ10は、複数
有る出力信号51(51a〜51n)の単一の出力信号
毎に対応した変換処理を行う複数の半導体回路としての
個別ドライバ11(11a,〜11n)を備えており、
それぞれの個別ドライバ11は、電源端子81側ライン
と第1のダイオード65のカソードとの間に異常電圧検
出回路20を備えている。
1 and 2, reference numeral 10 denotes a semiconductor integrated circuit device used as an LCD controller driver, and the LCD controller driver 10 has a single output signal 51 (51a to 51n). An individual driver 11 (11a, 11n) as a plurality of semiconductor circuits that performs conversion processing corresponding to each signal is provided,
Each individual driver 11 includes the abnormal voltage detection circuit 20 between the line on the power supply terminal 81 side and the cathode of the first diode 65.

【0019】異常電圧検出回路20は、そのカソードが
電源端子81側ラインに接続されたダイオード21と、
ダイオード21のアノードと第1のダイオード65のカ
ソードとの間に接続された抵抗素子22との直列接続体
として構成されている。23は、異常電圧検出回路20
の有する抵抗素子22と、第1のダイオード65のカソ
ードとの接続点24に一方の端部が接続され、内部回路
63の入力端子63a(63aa,〜63an)に他方
の端部が接続された出力線である。25は、接続点24
と、アース端子82との間に接続されたコンデンサ素子
であり、接続点24、従って出力線23に発生する電圧
を平滑化するものである。
The abnormal voltage detection circuit 20 includes a diode 21 whose cathode is connected to the power supply terminal 81 side line,
It is configured as a series connection body of the resistance element 22 connected between the anode of the diode 21 and the cathode of the first diode 65. 23 is the abnormal voltage detection circuit 20.
Has one end connected to the connection point 24 between the resistance element 22 of the internal circuit 63 and the cathode of the first diode 65, and the other end connected to the input terminal 63a (63aa, to 63an) of the internal circuit 63. It is an output line. 25 is a connection point 24
And a grounding terminal 82, which is a capacitor element that smoothes the voltage generated at the connection point 24, and hence the output line 23.

【0020】図2は、前述した異常電圧検出回路20お
よびその周辺の回路を、N形CMOSプロセスを適用し
て、シリコン基板に形成する場合の実施例を示したもの
である。図2において、第1のダイオード65は、N−
基板1の、P−well2でアイソレーションされた領
域に、低濃度N−拡散層3と、高濃度P+拡散層4とで
形成され、ダイオード21は、N−基板1領域に高濃度
P+拡散層5で形成され、また、抵抗素子22は、前記
の諸回路素子が形成されたN−基板1上に形成された図
示しない絶縁膜の上に、蒸着等の方法で設けられたポリ
シリコンを用いて形成され、さらにまた、コンデンサ素
子25は、N−基板1に形成された図示しないMOSF
ETのゲートの接合容量等で形成される。なお、6は、
N−基板1領域に低濃度N−拡散層3と、高濃度N+拡
散層7とで形成されたリング状の電源コンタクトであ
り、8は、N−基板1領域とP−well2とに跨がっ
た低濃度P−拡散層9と、高濃度P+拡散層5とで形成
されたリング状のグランドコンタクトである。
FIG. 2 shows an embodiment in which the above-mentioned abnormal voltage detection circuit 20 and its peripheral circuits are formed on a silicon substrate by applying an N-type CMOS process. In FIG. 2, the first diode 65 has an N-
A low concentration N-diffusion layer 3 and a high concentration P + diffusion layer 4 are formed in a region of the substrate 1 which is isolated by the P-well 2, and the diode 21 has a high concentration P + diffusion layer in the N- substrate 1 region. 5, the resistance element 22 is made of polysilicon provided by a method such as vapor deposition on an insulating film (not shown) formed on the N- substrate 1 on which the various circuit elements are formed. Further, the capacitor element 25 is a MOSF (not shown) formed on the N- substrate 1.
It is formed by the junction capacitance of the ET gate and the like. In addition, 6 is
Reference numeral 8 denotes a ring-shaped power contact formed by the low-concentration N-diffusion layer 3 and the high-concentration N + diffusion layer 7 in the N-substrate 1 region, and 8 extends across the N-substrate 1 region and the P-well 2. This is a ring-shaped ground contact formed by the low-concentration P− diffusion layer 9 and the high-concentration P + diffusion layer 5.

【0021】図2で示した通り、前述した異常電圧検出
回路20およびその周辺の回路は、半導体素子の製造に
際して一般に採用されているCMOSプロセスを用いる
ことで、製造が可能なものである。本発明では前述の構
成としたので、LCD用コントローラ・ドライバ10の
電源は遮断されているが、マスタCPU50の電源が投
入されており、しかもマスタCPU50から出力された
出力信号51が「H」出力である場合に、この出力信号
51の「H」出力を電源として、信号入力端子83→抵
抗素子67→第1のダイオード65→接続点24→抵抗
素子22→ダイオード21→LCD用コントローラ・ド
ライバ10の電源ライン→内部回路63→アースライン
の経路で電流が流れて、LCD用コントローラ・ドライ
バ10の電源ラインに従来例と同様の1〜3〔V〕の電
圧が発生する。
As shown in FIG. 2, the above-mentioned abnormal voltage detection circuit 20 and its peripheral circuits can be manufactured by using the CMOS process which is generally adopted for manufacturing semiconductor elements. Since the present invention has the above-described configuration, the power supply of the LCD controller driver 10 is cut off, but the power supply of the master CPU 50 is turned on, and the output signal 51 output from the master CPU 50 is "H" output. In this case, the “H” output of the output signal 51 is used as a power source, and the signal input terminal 83 → resistive element 67 → first diode 65 → connection point 24 → resistive element 22 → diode 21 → LCD controller / driver 10 A current flows through the path of the power supply line → internal circuit 63 → ground line, and a voltage of 1 to 3 [V] similar to the conventional example is generated in the power supply line of the LCD controller driver 10.

【0022】この電圧値がリセット回路68の設定値
(Vo)を越える場合には内部回路63は動作状態にな
りえるところであるが、しかしながら、接続点24に
は、〔出力信号51の「H」出力電圧−(抵抗素子67
中の電圧降下+第1のダイオード65の順方向電圧降
下)〕によるLCD用コントローラ・ドライバ10の電
源ラインの電圧よりも高い値の電圧が発生し、この電圧
が出力線23を通して内部回路63のリセット出力(V
r)69を受取る入力端子63aに与えられていること
で、この出力線23からの電圧の値は設定値(Vo)よ
りも高いのであるから、内部回路63にとっては「H」
出力のリセット出力(Vr)69を受取った場合と全く
同一となり、内部回路63は確実にリセット状態にさ
れ、内部回路63は動作状態にはならず、従って、内部
回路63の出力端子から駆動用データ信号64(64
a,〜64n)は出力されない。ここで、抵抗素子22
は、LCD用コントローラ・ドライバ10の電源ライン
に発生する電圧値と、出力線23に発生する電圧値との
差を、所望の値に設定するために設けたものである。
When this voltage value exceeds the set value (Vo) of the reset circuit 68, the internal circuit 63 can be in the operating state. However, at the connection point 24, [the output signal 51 is "H"]. Output voltage- (resistive element 67
(Voltage drop inside + forward voltage drop of the first diode 65)], a voltage having a value higher than the voltage of the power supply line of the LCD controller driver 10 is generated, and this voltage is generated through the output line 23 to the internal circuit 63. Reset output (V
Since the value of the voltage from the output line 23 is higher than the set value (Vo) by being applied to the input terminal 63a for receiving the r) 69, it is "H" for the internal circuit 63.
The output is exactly the same as when the reset output (Vr) 69 is received, the internal circuit 63 is surely reset, and the internal circuit 63 does not enter the operating state. Therefore, the output terminal of the internal circuit 63 is used for driving. Data signal 64 (64
a, .about.64n) are not output. Here, the resistance element 22
Is provided for setting the difference between the voltage value generated in the power supply line of the LCD controller driver 10 and the voltage value generated in the output line 23 to a desired value.

【0023】また、マスタCPU50から出力された出
力信号51は、マスタCPU50の動作により、「H」
出力である場合も「L」出力である場合も有り、しかも
頻繁にこれらを繰り返すことがある。この場合には、出
力線23からの電圧の値が変動し、内部回路63の動作
がリセット状態と通常動作状態を繰り返すことになるの
で、コンデンサ素子25により、出力線23からの電圧
の値を平滑化し、内部回路63の動作を安定してリセッ
ト状態に保持するようにしている。
The output signal 51 output from the master CPU 50 is "H" by the operation of the master CPU 50.
It may be an output or an "L" output, and these may be repeated frequently. In this case, the value of the voltage from the output line 23 fluctuates, and the operation of the internal circuit 63 repeats the reset state and the normal operation state. Therefore, the value of the voltage from the output line 23 is changed by the capacitor element 25. Smoothing is performed so that the operation of the internal circuit 63 is stably held in the reset state.

【0024】なお、遮断されていたLCD用コントロー
ラ・ドライバ10の電源が投入された場合には、電源端
子81と信号入力端子83の間にはほぼ同一値の電圧が
印加されることとなり、これにより第1のダイオード6
5は不導通状態となるので、接続点24に電圧が発生す
ることがなくなる。これにより、内部回路63は、リセ
ット回路68からのリセット出力69に従い、リセット
状態もしくは通常動作状態となる正規の動作状態に入
る。
When the power of the LCD controller / driver 10 which has been cut off is turned on, a voltage having substantially the same value is applied between the power supply terminal 81 and the signal input terminal 83. The first diode 6
Since 5 is in a non-conducting state, no voltage is generated at the connection point 24. As a result, the internal circuit 63 enters a reset operation state or a normal operation state that is a normal operation state according to the reset output 69 from the reset circuit 68.

【0025】また、LCD用コントローラ・ドライバ1
0の電源が遮断されていて、マスタCPU50の電源が
投入されており、しかも、マスタCPU50から出力さ
れた出力信号51が連続して、「L」出力である場合に
おいては、LCD用コントローラ・ドライバ10の電源
ラインに、設定値(Vo)を越える電圧は発生しないの
で、内部回路63は不動作状態となる。
The LCD controller / driver 1
When the power of 0 is cut off, the power of the master CPU 50 is turned on, and the output signal 51 output from the master CPU 50 is continuously “L” output, the LCD controller / driver No voltage exceeding the set value (Vo) is generated in the power supply line 10 so that the internal circuit 63 becomes inoperative.

【0026】また、LCD用コントローラ・ドライバ1
0ならびにマスタCPU50の電源が投入されており、
しかも、マスタCPU50から出力される出力信号51
が「L」出力である場合においては、LCD用コントロ
ーラ・ドライバ10の電源ラインの電圧は、LCD用コ
ントローラ・ドライバ10の信号入力端子83に接続さ
れているラインの電圧よりも高くなるが、電源ラインか
らの電流はダイオード21により阻止されるので、この
場合においても、LCD用コントローラ・ドライバ10
は、所期の動作を支障なく実行することができる。
The LCD controller / driver 1
0 and the power of the master CPU 50 are turned on,
Moreover, the output signal 51 output from the master CPU 50
Is an “L” output, the voltage of the power supply line of the LCD controller / driver 10 becomes higher than the voltage of the line connected to the signal input terminal 83 of the LCD controller / driver 10, Since the current from the line is blocked by the diode 21, even in this case, the LCD controller driver 10
Can perform the intended operation without any hindrance.

【0027】さらにまた、人間等の外部の荷電体がLC
Dコントローラ・ドライバ60の諸端子81,82,8
3に接触した際の、静電気障害からのLCDコントロー
ラ・ドライバ60の保護に関しては、端子82と端子8
3の間は従来例と変わりは無く、また、端子83と端子
81の間についても、従来例に対してダイオード21と
抵抗素子22が追加されただけであるので、従来例と同
等レベルの保護を行うことができるものである。
Furthermore, an external charged body such as human being is LC
Various terminals 81, 82, 8 of the D controller driver 60
Regarding the protection of the LCD controller / driver 60 from the electrostatic damage when it contacts the terminal 3, the terminals 82 and 8
3 is the same as the conventional example, and since the diode 21 and the resistance element 22 are only added to the conventional example between the terminals 83 and 81, the same level of protection as the conventional example is provided. Is what you can do.

【0028】今までの説明では、異常電圧検出回路20
は抵抗素子22を備えるとしたが、これに限定されるも
のではなく、抵抗素子22を備えなくてもよいものであ
る。また、今までの説明では、接続点24と、アース端
子82との間にコンデンサ素子25を挿入するとした
が、これに限定されるものではなく、コンデンサ素子2
5を設置しなくても、LCD用コントローラ・ドライバ
10の電源は遮断されているが、マスタCPU50の電
源が投入されており、しかもマスタCPU50から出力
された出力信号51が、「H」出力と「L」出力との間
を変動するものであっても、出力信号51が「H」出力
である場合に、内部回路63が安定してリセット状態に
されるのであれば、コンデンサ素子25を設けなくとも
よいものである。
In the above description, the abnormal voltage detection circuit 20
Is provided with the resistance element 22, but the present invention is not limited to this, and the resistance element 22 may not be provided. Further, although the capacitor element 25 is inserted between the connection point 24 and the ground terminal 82 in the above description, the invention is not limited to this, and the capacitor element 2 is not limited thereto.
Even without installing 5, the power supply of the LCD controller driver 10 is cut off, but the power supply of the master CPU 50 is still on, and the output signal 51 output from the master CPU 50 is “H” output. The capacitor element 25 is provided if the internal circuit 63 can be stably reset when the output signal 51 is the “H” output even if it varies between the “L” output. It is not necessary.

【0029】実施例2;図3は、本発明の請求項1,
2,3,4,5に対応する一実施例による半導体集積回
路装置の要部の回路図であり、図3において、図1に示
した本発明の請求項1,2,3,5に対応する一実施例
による半導体集積回路装置、および、図4,〜図7に示
した従来例の半導体集積回路装置と同一部分には同じ符
号を付し、その説明を省略する。
Embodiment 2; FIG. 3 shows claims 1 and 2 of the present invention.
FIG. 4 is a circuit diagram of a main part of a semiconductor integrated circuit device according to an embodiment corresponding to 2, 3, 4, 5 and corresponds to claims 1, 2, 3, 5 of the present invention shown in FIG. 1 in FIG. 3. The same parts as those of the semiconductor integrated circuit device according to the embodiment and the semiconductor integrated circuit device of the conventional example shown in FIGS. 4 to 7 are designated by the same reference numerals, and the description thereof will be omitted.

【0030】図3において、30は、LCDコントロー
ラ・ドライバとして使用される半導体集積回路装置であ
り、LCDコントローラ・ドライバ30は、複数有る出
力信号51(51a〜51n)の単一の出力信号毎に対
応した変換処理を行う複数の半導体回路としての個別ド
ライバ31(31a,〜31n)を備えており、それぞ
れの個別ドライバ31は、出力信号51をバッファ用増
幅回路であるCMOSインバータ62によりバッファし
たうえで内部回路33に入力し、内部回路33において
LCD70を駆動するのに適合したデータに変換処理
し、駆動用データ信号64(64a,〜64n)として
その出力端子63b(63ba,〜63bn)から出力
する。また、内部回路33は、後記する反転リセット出
力(Vr’)41を受取るための入力端子33a(33
aa,〜33an)を備えている。また、個別ドライバ
31においては、接続点24(異常電圧検出回路20と
第1のダイオード65のカソードとの)にその一方の端
部が接続された出力線23の他方の端部は、後記する半
導体スイッチ42のゲート42aに接続される。
In FIG. 3, reference numeral 30 denotes a semiconductor integrated circuit device used as an LCD controller / driver, and the LCD controller / driver 30 has a plurality of output signals 51 (51a to 51n) for each single output signal. A plurality of individual drivers 31 (31a, 31n) as semiconductor circuits for performing corresponding conversion processing are provided, and each individual driver 31 buffers an output signal 51 by a CMOS inverter 62 that is a buffer amplifier circuit. Is input to the internal circuit 33, converted into data suitable for driving the LCD 70 in the internal circuit 33, and output from the output terminal 63b (63ba, 63bn) as a driving data signal 64 (64a, 64n). To do. Further, the internal circuit 33 has an input terminal 33a (33) for receiving an inversion reset output (Vr ') 41 described later.
aa, ~ 33an). Further, in the individual driver 31, the other end of the output line 23 whose one end is connected to the connection point 24 (the abnormal voltage detection circuit 20 and the cathode of the first diode 65) will be described later. It is connected to the gate 42a of the semiconductor switch 42.

【0031】内部回路33は、「L」出力の反転リセッ
ト出力(Vr’)41を受取ると、リセット状態となり
LCD70に対して何らの出力も発しない。また、
「H」出力の反転リセット出力(Vr’)41を受取る
と、所期の動作を行う通常動作状態となり、マスタCP
U50からの出力信号51に応じた駆動用データ信号6
4(64a,〜64n)をLCD70に対して出力す
る。これら反転リセット出力(Vr’)41に対応する
動作以外は、実施例1および従来例における内部回路6
3と同一の動作を行うものである。
When the internal circuit 33 receives the inverted reset output (Vr ') 41 of "L" output, it enters the reset state and does not output any output to the LCD 70. Also,
When the inverted reset output (Vr ') 41 of "H" output is received, the normal operation state in which the intended operation is performed is performed, and the master CP
Drive data signal 6 according to the output signal 51 from U50
4 (64a, to 64n) is output to the LCD 70. The internal circuit 6 in the first embodiment and the conventional example is the same except for the operation corresponding to the inverted reset output (Vr ′) 41.
The same operation as 3 is performed.

【0032】40は、リセット回路68からのリセット
出力(Vr)69をその入力端子40cから入力し、リ
セット出力(Vr)69に対して反転された反転リセッ
ト出力(Vr’)41を出力端子40dから全ての内部
回路33の入力端子33aに向けて同時に出力するイン
バータ回路であり、CMOSインバータとして回路構成
されており、電源端子81側に接続されたP−MOSF
ET40aと、アース端子82側に接続されたN−MO
SFET40bを備え、MOSFET40a,40bの
ゲートは互いに接続されてインバータ回路40の入力端
子40cをなし、P−MOSFET40aのドレインと
N−MOSFET40bのドレインは互いに接続されて
インバータ回路40の出力端子40dをなしている。
The input 40 receives the reset output (Vr) 69 from the reset circuit 68 from its input terminal 40c, and outputs an inverted reset output (Vr ') 41 inverted with respect to the reset output (Vr) 69 to the output terminal 40d. Is an inverter circuit that simultaneously outputs all the input signals to the input terminals 33a of the internal circuits 33, is configured as a CMOS inverter, and is connected to the power supply terminal 81 side.
ET40a and N-MO connected to the ground terminal 82 side
The SFET 40b is provided, the gates of the MOSFETs 40a and 40b are connected to each other to form the input terminal 40c of the inverter circuit 40, and the drain of the P-MOSFET 40a and the drain of the N-MOSFET 40b are connected to each other to form the output terminal 40d of the inverter circuit 40. There is.

【0033】ここで、インバータ回路40の出力端子4
0dから出力される反転リセット出力(Vr’)41
は、電源電圧値(Vs)が閾値(Vth)を越える場合
においては、リセット出力(Vr)69が「H」出力時
に「L」出力となり、リセット出力(Vr)69が
「L」出力時に「H」出力となる。なお、電源電圧値
(Vs)が閾値(Vth)以下の場合においては、反転
リセット出力(Vr’)41は、リセット出力(Vr)
69が「H」出力であるか「L」出力であるかにかかわ
らず、「L」出力となる。
Here, the output terminal 4 of the inverter circuit 40
Inversion reset output (Vr ') 41 output from 0d
When the power supply voltage value (Vs) exceeds the threshold value (Vth), the reset output (Vr) 69 is “L” when the output is “H”, and the reset output (Vr) 69 is “L” when the output is “L”. "H" output. When the power supply voltage value (Vs) is less than or equal to the threshold value (Vth), the inversion reset output (Vr ′) 41 is the reset output (Vr).
Regardless of whether 69 is an "H" output or an "L" output, it becomes an "L" output.

【0034】42は、インバータ回路の出力端子40d
と、アース端子82との間に接続され、そのゲート42
aに出力線23の他方の端部が接続されるN−MOSF
ETで構成された半導体スイッチ回路であり、N−MO
SFETのドレイン42bはインバータ回路40から出
力される反転リセット出力(Vr’)41に接続され、
N−MOSFETのソース42cはアース端子82に接
続されている。
42 is an output terminal 40d of the inverter circuit.
Connected to the ground terminal 82 and its gate 42
N-MOSF in which the other end of the output line 23 is connected to a
A semiconductor switch circuit composed of ET, N-MO
The drain 42b of the SFET is connected to the inverting reset output (Vr ') 41 output from the inverter circuit 40,
The source 42c of the N-MOSFET is connected to the ground terminal 82.

【0035】本発明では前述の構成としたので、LCD
用コントローラ・ドライバ30の電源は遮断されている
が、マスタCPU50の電源が投入されており、しかも
マスタCPU50から出力された出力信号51が「H」
出力である場合に、実施例1におけるLCD用コントロ
ーラ・ドライバ10の場合と同様に、第1のダイオード
65のカソードと異常電圧検出回路20との接続点24
には、LCD用コントローラ・ドライバ30の電源ライ
ンの電圧よりも高い値の電圧が発生する。この電圧が出
力線23を通して半導体スイッチ回路42のゲート42
aに与えられ、半導体スイッチ回路42はオンされるこ
とにより、内部回路33の入力端子33aに入力される
電圧は、反転リセット出力(Vr’)41が、従って、
リセット出力(Vr)69が、「H」出力であるか
「L」出力であるかにかかわらず、Lowレベルにされ
る。このLowレベルの信号を受取った内部回路33は、
リセット状態となりLCD70に対して何らの出力も発
しない。
Since the present invention has the above-mentioned configuration, the LCD is
The power supply of the controller controller driver 30 is cut off, but the power supply of the master CPU 50 is still on, and the output signal 51 output from the master CPU 50 is "H".
In the case of an output, as in the case of the LCD controller driver 10 in the first embodiment, the connection point 24 between the cathode of the first diode 65 and the abnormal voltage detection circuit 20.
, A voltage higher than the voltage of the power supply line of the LCD controller driver 30 is generated. This voltage is applied to the gate 42 of the semiconductor switch circuit 42 through the output line 23.
When the semiconductor switch circuit 42 is turned on by being applied to a, the voltage input to the input terminal 33a of the internal circuit 33 is the inverted reset output (Vr ′) 41,
The reset output (Vr) 69 is set to the Low level regardless of whether it is the “H” output or the “L” output. The internal circuit 33 which has received this Low level signal,
In the reset state, no output is issued to the LCD 70.

【0036】なお、遮断されていたLCD用コントロー
ラ・ドライバ30の電源が投入された場合には、接続点
24に電圧が発生することがなくなり、これにより、半
導体スイッチ回路42はオフされることから、内部回路
33は反転リセット出力(Vr’)41を受取ることが
できるようになり、リセット回路68からのリセット出
力69に対応して、リセット状態もしくは通常動作状態
となる正規の動作状態に入ることは、前述の実施例1の
場合のLCD用コントローラ・ドライバ10と同様であ
る。
When the LCD controller / driver 30 which has been cut off is turned on, no voltage is generated at the connection point 24, whereby the semiconductor switch circuit 42 is turned off. , The internal circuit 33 becomes capable of receiving the inverted reset output (Vr ′) 41, and in response to the reset output 69 from the reset circuit 68, enters the reset state or the normal operating state which is the normal operating state. Is the same as the LCD controller / driver 10 in the first embodiment.

【0037】[0037]

【発明の効果】本発明においては、半導体集積回路装置
が備える半導体回路の電源端子と第1のダイオードのカ
ソードとの間に接続される、例えば、そのカソードが電
源端子側に接続されたダイオードであるとか、あるいは
そのカソードが電源端子側に接続されたダイオードと抵
抗素子との直列接続体である異常電圧検出回路と、この
異常電圧検出回路と第1のダイオードのカソードとの接
続点から引き出されて、内部回路の入力端子と接続され
る出力線とを備える構成とすることにより、電源系統が
分離された複数の半導体集積回路装置により構成される
システムにおいて、或る半導体集積回路装置(例えばL
CD用コントローラ・ドライバ)の電源は遮断されてい
るが、他の半導体集積回路装置(例えばマスタCPU)
の電源は投入されており、しかも他の半導体集積回路装
置から出力された出力信号が「H」出力である場合に、
このH出力が信号入力端子から或る半導体集積回路装置
に入力されると、この電圧が、或る半導体集積回路装置
に備えられた前記異常電圧検出回路の第1のダイオード
に接続される側のみに印加され、この異常電圧検出回路
と第1のダイードとの接続点にはHigh レベルである電
圧が生じる。このHigh レベルである接続点に生じた電
圧が、出力線を通して内部回路の入力端子に供給される
ことで、あたかもリセット回路のリセット出力(Vr)
が「H」出力である場合と同一の働きをなし、或る半導
体集積回路装置の半導体回路が備える内部回路をリセッ
ト状態にすることにより、或る半導体集積回路装置にお
ける異常状態の発生が確実に防止される。
According to the present invention, the semiconductor integrated circuit device is connected between the power supply terminal of the semiconductor circuit and the cathode of the first diode, for example, the diode whose cathode is connected to the power supply terminal side. Or an abnormal voltage detection circuit whose cathode is connected in series with a diode and a resistance element connected to the power supply terminal side, and a connection point between this abnormal voltage detection circuit and the cathode of the first diode. And an output line connected to the input terminal of the internal circuit, a semiconductor integrated circuit device (for example, L
The power of the CD controller / driver is cut off, but other semiconductor integrated circuit devices (for example, master CPU)
Is turned on, and when the output signal output from another semiconductor integrated circuit device is “H” output,
When this H output is input from a signal input terminal to a certain semiconductor integrated circuit device, this voltage is only connected to the first diode of the abnormal voltage detection circuit provided in the certain semiconductor integrated circuit device. A high level voltage is generated at the connection point between the abnormal voltage detection circuit and the first diode. The voltage generated at the connection point at the high level is supplied to the input terminal of the internal circuit through the output line, so that it is as if the reset output (Vr) of the reset circuit.
Has the same function as the output of "H" and resets the internal circuit included in the semiconductor circuit of a certain semiconductor integrated circuit device, thereby reliably generating an abnormal state in the certain semiconductor integrated circuit device. To be prevented.

【0038】また、前述の半導体集積回路装置におい
て、半導体集積回路装置の内部回路は、その入力端子に
半導体集積回路装置のリセット回路からのリセット出力
が入力され、このリセット出力を反転してその出力端子
から出力するインバータ回路と、インバータ回路の出力
端子とアース端子との間に接続され、前記半導体集積回
路装置の半導体回路が備える異常電圧検出回路の出力線
をそのゲートに接続する半導体スイッチを設ける構成と
することにより、異常電圧検出回路と第1のダイードと
の接続点に得られる電圧は、半導体スイッチによりバッ
ファされたうえで内部回路に供給されるので、前述の作
用・効果を信頼度高く実施することができる。
In the above-described semiconductor integrated circuit device, the internal circuit of the semiconductor integrated circuit device receives the reset output from the reset circuit of the semiconductor integrated circuit device at its input terminal, inverts the reset output, and outputs the inverted output. Provided is an inverter circuit that outputs from a terminal, and a semiconductor switch that is connected between the output terminal of the inverter circuit and the ground terminal and that connects the output line of the abnormal voltage detection circuit included in the semiconductor circuit of the semiconductor integrated circuit device to its gate. With the configuration, the voltage obtained at the connection point between the abnormal voltage detection circuit and the first diode is supplied to the internal circuit after being buffered by the semiconductor switch, so that the above-described operation / effect can be achieved with high reliability. It can be carried out.

【0039】さらにまた、前述の半導体集積回路装置に
おいて、半導体集積回路装置は、その異常電圧検出回路
の出力線が引き出される接続点とアース端子の間に、コ
ンデンサ素子を接続する構成とすることにより、他の半
導体集積回路装置から出力される出力信号が「H」出力
と「L」出力とを頻繁に繰り返す場合であっても、異常
電圧検出回路と第1のダイードとの接続点に発生する電
圧を、コンデンサ素子により平滑化することで、安定な
電圧を或る半導体集積回路装置の半導体回路が備える内
部回路に供給し、この内部回路を安定にリセット状態に
保持し、或る半導体集積回路装置における異常状態の発
生が一層確実に防止されるとの効果を奏する。
Furthermore, in the above-described semiconductor integrated circuit device, the semiconductor integrated circuit device is configured such that a capacitor element is connected between a connection point from which the output line of the abnormal voltage detection circuit is drawn out and a ground terminal. , Even when the output signal output from another semiconductor integrated circuit device frequently repeats “H” output and “L” output, it occurs at the connection point between the abnormal voltage detection circuit and the first diode. By smoothing the voltage with a capacitor element, a stable voltage is supplied to an internal circuit included in a semiconductor circuit of a certain semiconductor integrated circuit device, and the internal circuit is stably held in a reset state. It is possible to more reliably prevent the occurrence of an abnormal state in the device.

【図面の簡単な説明】[Brief description of drawings]

【図1】本発明の請求項1,2,3,5に対応する一実
施例による半導体集積回路装置の要部の回路図
FIG. 1 is a circuit diagram of a main part of a semiconductor integrated circuit device according to an embodiment corresponding to claims 1, 2, 3, and 5 of the present invention.

【図2】図1における半導体集積回路装置が備える異常
電圧検出回路の構造例を示す断面図
FIG. 2 is a cross-sectional view showing a structural example of an abnormal voltage detection circuit included in the semiconductor integrated circuit device in FIG.

【図3】本発明の請求項1,2,3,4,5に対応する
一実施例による半導体集積回路装置の要部の回路図
FIG. 3 is a circuit diagram of a main part of a semiconductor integrated circuit device according to an embodiment corresponding to claims 1, 2, 3, 4, and 5 of the present invention.

【図4】従来例の半導体集積回路装置をLCDコントロ
ーラ・ドライバに用いたLCD装置のブロック回路図
FIG. 4 is a block circuit diagram of an LCD device using a conventional semiconductor integrated circuit device as an LCD controller driver.

【図5】図4中に示した半導体集積回路装置の1個の入
力に対応する半導体回路の要部の回路図
5 is a circuit diagram of a main part of a semiconductor circuit corresponding to one input of the semiconductor integrated circuit device shown in FIG.

【図6】図4中に示した半導体集積回路装置の要部の回
路図
6 is a circuit diagram of a main part of the semiconductor integrated circuit device shown in FIG.

【図7】図6に示した半導体集積回路装置が備えるリセ
ット回路が出力するリセット出力の電源電圧値との関係
の、(a)は電源電圧の変化状況を、(b)はリセット
出力のレベルを示す説明図である。
7A and 7B show the relationship between the power supply voltage value of the reset output output by the reset circuit included in the semiconductor integrated circuit device shown in FIG. 6, FIG. 7B is the power supply voltage change state, and FIG. FIG.

【符号の説明】[Explanation of symbols]

10 半導体集積回路装置(LCDコントローラ・ド
ライバ) 11 半導体回路(個別ドライバ) 20 異常電圧検出回路 21 ダイオード 22 抵抗素子 23 出力線 24 接続点 25 コンデンサ素子 30 半導体集積回路装置(LCDコントローラ・ド
ライバ) 31 半導体回路(個別ドライバ) 33 内部回路 33a 入力端子 40 インバータ回路 40c 入力端子 40d 出力端子 41 反転リセット出力(Vr’) 42 半導体スイッチ 42a ゲート 63 内部回路 63a 入力端子 63b 出力端子 65 第1のダイオード 66 第2のダイオード 68 リセット回路 68a 電源電圧値判別回路 69 リセット出力(Vr) 81 電源端子 82 アース端子 83 信号入力端子 Vo 設定値
10 Semiconductor Integrated Circuit Device (LCD Controller / Driver) 11 Semiconductor Circuit (Individual Driver) 20 Abnormal Voltage Detection Circuit 21 Diode 22 Resistive Element 23 Output Line 24 Connection Point 25 Capacitor Element 30 Semiconductor Integrated Circuit Device (LCD Controller / Driver) 31 Semiconductor Circuit (individual driver) 33 Internal circuit 33a Input terminal 40 Inverter circuit 40c Input terminal 40d Output terminal 41 Inversion reset output (Vr ') 42 Semiconductor switch 42a Gate 63 Internal circuit 63a Input terminal 63b Output terminal 65 First diode 66 Second Diode 68 Reset circuit 68a Power supply voltage value determination circuit 69 Reset output (Vr) 81 Power supply terminal 82 Earth terminal 83 Signal input terminal Vo Set value

─────────────────────────────────────────────────────
─────────────────────────────────────────────────── ───

【手続補正書】[Procedure amendment]

【提出日】平成5年12月2日[Submission date] December 2, 1993

【手続補正1】[Procedure Amendment 1]

【補正対象書類名】図面[Document name to be corrected] Drawing

【補正対象項目名】図7[Name of item to be corrected] Figure 7

【補正方法】変更[Correction method] Change

【補正内容】[Correction content]

【図7】 [Figure 7]

Claims (5)

【特許請求の範囲】[Claims] 【請求項1】リセット回路と、半導体回路とを備え、 前記リセット回路は、電源電圧を受取る電源端子と、ア
ース端子と、前記電源端子と前記アース端子間に接続さ
れた電源電圧値判別回路を備え、この電源電圧値判別回
路は、電源電圧の値を検出し、前記電源電圧があらかじ
め設定されている設定値を下回る場合に前記半導体回路
をリセット状態にするリセット出力を前記半導体回路に
出力するものであり、 前記半導体回路は、電源電圧を受取る電源端子と、信号
入力電圧を受取る信号入力端子と、前記電源電圧ならび
に前記信号入力電圧のそれぞれに対するアース端子と、
前記電源端子と前記信号入力端子の間に挿入されそのカ
ソードが前記電源端子側に接続された第1のダイオード
と、前記信号入力端子と前記アース端子の間に挿入され
そのカソードが前記信号入力端子に接続された第2のダ
イオードと、これらのダイオードにより静電気障害から
保護されしかも前記リセット回路からのリセット出力を
受取る入力端子を有する内部回路を備え、前記リセット
回路からリセット出力を受取った場合には前記内部回路
はリセット状態となり、前記リセット回路から前記内部
回路をリセット状態とすべきリセット出力を受取らない
場合には前記信号入力電圧に従う通常動作を行うもので
ある、 半導体集積回路装置において、 半導体回路は、異常電圧検出回路と、その出力線を備
え、 前記異常電圧検出回路は、電源端子と第1のダイオード
のカソードとの間に挿入され、電源端子と信号入力端子
の間の電圧差を検出するものであり、 前記出力線は、前記異常電圧検出回路と前記内部回路の
入力端子間を接続し、前記異常電圧検出回路からの出力
をリセット回路からのリセット出力と共に内部回路に供
給するようにしたものである、 ことを特徴とする半導体集積回路装置。
1. A reset circuit and a semiconductor circuit, wherein the reset circuit includes a power supply terminal for receiving a power supply voltage, a ground terminal, and a power supply voltage value determination circuit connected between the power supply terminal and the ground terminal. The power supply voltage value determination circuit detects the value of the power supply voltage, and outputs a reset output to the semiconductor circuit, which resets the semiconductor circuit when the power supply voltage falls below a preset value. The semiconductor circuit is a power supply terminal for receiving a power supply voltage, a signal input terminal for receiving a signal input voltage, a ground terminal for each of the power supply voltage and the signal input voltage,
A first diode inserted between the power supply terminal and the signal input terminal and having a cathode connected to the power supply terminal side; and a cathode inserted between the signal input terminal and the ground terminal, the cathode being the signal input terminal An internal circuit having a second diode connected to, and an input terminal that is protected from electrostatic damage by these diodes and that receives a reset output from the reset circuit. When a reset output is received from the reset circuit, In the semiconductor integrated circuit device, the internal circuit is in a reset state, and when the reset output that should bring the internal circuit into the reset state is not received from the reset circuit, normal operation is performed according to the signal input voltage. Includes an abnormal voltage detection circuit and an output line thereof, wherein the abnormal voltage detection circuit is a power supply. Is inserted between the child and the cathode of the first diode and detects a voltage difference between a power supply terminal and a signal input terminal, and the output line is an input terminal of the abnormal voltage detection circuit and the internal circuit. The semiconductor integrated circuit device is characterized in that an output from the abnormal voltage detection circuit is supplied to an internal circuit together with a reset output from a reset circuit.
【請求項2】請求項1記載の半導体集積回路装置におい
て、 半導体回路が備える異常電圧検出回路は、そのカソード
が電源端子側に接続されたダイオードであり、 その出力線は、第1のダイオードのカソードと、前記電
源端子側に接続されたダイオードのアノードとの接続点
から引き出されるものである、 ことを特徴とする半導体集積回路装置。
2. The semiconductor integrated circuit device according to claim 1, wherein the abnormal voltage detection circuit included in the semiconductor circuit is a diode whose cathode is connected to the power supply terminal side, and the output line of which is the first diode. A semiconductor integrated circuit device, which is drawn out from a connection point between a cathode and an anode of a diode connected to the power supply terminal side.
【請求項3】請求項1記載の半導体集積回路装置におい
て、 半導体回路が備える異常電圧検出回路は、そのカソード
が電源端子側に接続されたダイオードと、このダイオー
ドのアノードに接続された抵抗素子との直列接続体であ
り、 その出力線は、第1のダイオードのカソードと、前記ダ
イオードと抵抗素子との直列接続体の有する抵抗素子と
の接続点から引き出されるものである、 ことを特徴とする半導体集積回路装置。
3. The semiconductor integrated circuit device according to claim 1, wherein the abnormal voltage detection circuit included in the semiconductor circuit includes a diode whose cathode is connected to the power supply terminal side, and a resistance element connected to the anode of this diode. Is a serial connection body of the first diode, the output line is drawn from the connection point of the cathode of the first diode and the resistance element of the series connection body of the diode and the resistance element, Semiconductor integrated circuit device.
【請求項4】請求項1ないし3記載の半導体集積回路装
置において、 前記半導体集積回路装置は、インバータ回路と、半導体
スイッチを備え、 前記インバータ回路は、その入力端子に前記半導体集積
回路装置のリセット回路からのリセット出力が入力さ
れ、このリセット出力に対して反転された出力をその出
力端子から前記半導体集積回路装置の内部回路が有する
リセット出力を受取る入力端子に向けて出力するもので
あり、 前記半導体スイッチは、前記インバータ回路の前記出力
端子とアース端子との間に接続され、前記半導体集積回
路装置の半導体回路が備える異常電圧検出回路の出力線
をそのゲートに接続するものである、 ことを特徴とする半導体集積回路装置。
4. The semiconductor integrated circuit device according to claim 1, wherein the semiconductor integrated circuit device includes an inverter circuit and a semiconductor switch, and the inverter circuit has an input terminal for resetting the semiconductor integrated circuit device. A reset output from the circuit is input, and an output inverted from the reset output is output from the output terminal to an input terminal that receives the reset output included in the internal circuit of the semiconductor integrated circuit device. The semiconductor switch is connected between the output terminal of the inverter circuit and the ground terminal, and connects the output line of the abnormal voltage detection circuit included in the semiconductor circuit of the semiconductor integrated circuit device to its gate. A characteristic semiconductor integrated circuit device.
【請求項5】請求項1ないし4記載の半導体集積回路装
置において、 半導体回路は、コンデンサ素子を備え、 前記コンデンサ素子は、異常電圧検出回路の出力線が引
き出される接続点と、アース端子の間に接続されたもの
である、 ことを特徴とする半導体集積回路装置。
5. The semiconductor integrated circuit device according to claim 1, wherein the semiconductor circuit includes a capacitor element, and the capacitor element is provided between a connection point from which an output line of the abnormal voltage detection circuit is drawn out and a ground terminal. A semiconductor integrated circuit device characterized by being connected to a semiconductor integrated circuit device.
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Cited By (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US5821787A (en) * 1994-10-05 1998-10-13 Altera Corporation Power-on reset circuit with well-defined reassertion voltage
JP2003530698A (en) * 2000-04-10 2003-10-14 モトローラ・インコーポレイテッド Electrostatic discharge (ESD) protection circuit
KR100587027B1 (en) * 1999-02-03 2006-06-07 주식회사 하이닉스반도체 Error prevention circuit for dram merged logic circuit
JP2016081992A (en) * 2014-10-14 2016-05-16 富士電機株式会社 Semiconductor device

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