JPH06162786A - Information processor using flash memory - Google Patents

Information processor using flash memory

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Publication number
JPH06162786A
JPH06162786A JP30847192A JP30847192A JPH06162786A JP H06162786 A JPH06162786 A JP H06162786A JP 30847192 A JP30847192 A JP 30847192A JP 30847192 A JP30847192 A JP 30847192A JP H06162786 A JPH06162786 A JP H06162786A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
flash memory
write
data
word
contents
Prior art date
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Pending
Application number
JP30847192A
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Japanese (ja)
Inventor
Mariko Hara
真理子 原
Kenichi Saito
賢一 斎藤
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Hitachi Ltd
Original Assignee
Hitachi Ltd
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Filing date
Publication date
Application filed by Hitachi Ltd filed Critical Hitachi Ltd
Priority to JP30847192A priority Critical patent/JPH06162786A/en
Publication of JPH06162786A publication Critical patent/JPH06162786A/en
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Abstract

PURPOSE:To increase the write speed of a flash memory where data is written after block erasing and to extend the life by writing data after erasing held data of the 'flash memory only in the case of noncoincidence between held data of the flash memory and input data. CONSTITUTION:When write data held in a write back cache 4 will be written in a flash memory 5 in block units, a flash memory control part 2 first reads out contents of the write back cache 4 and those of the flash memory 5 into a comparator 6 with one word as the unit. The comparator 6 compares contents of the write back cache 4 and contents of the flash memory 5 corresponding to the write address; and if they do not coincide with each other, the comparator 6 outputs an erase signal 53 to erase contents of the flash memory 5 in a minimum erasable unit including this one-word data. Contents of the cache 4 including one-word data are written by the control of a control part 2.

Description

【発明の詳細な説明】Detailed Description of the Invention

【0001】[0001]

【産業上の利用分野】本発明はフラッシュメモリを用い
た装置に関し、特にフラッシュメモリを用いた半導体デ
ィスク装置などにおける連続したデータの書き込み速度
と信頼性の向上に関する。
BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to a device using a flash memory, and more particularly, to improvement of continuous data writing speed and reliability in a semiconductor disk device using a flash memory.

【0002】[0002]

【従来の技術】フラッシュメモリチップは、読みだし
は、ワード単位に行えるが、書き替えは、ビットの変化
によって、可能の場合と不可能の場合がある。本発明で
は、書き替え可能なビットの方向を1から0(例えば、
FFh(11111111B)から55h(01010101B))とし、0か
ら1の書き替え(例えば、55h(01010101B)から、F
Fh(11111111B))は、不可能として説明する。
2. Description of the Related Art A flash memory chip can be read in word units, but rewriting may or may not be possible depending on changes in bits. In the present invention, the direction of rewritable bits is changed from 1 to 0 (for example,
FFh (11111111B) to 55h (01010101B)) and rewriting 0 to 1 (for example, 55h (01010101B) to F
Fh (11111111B)) is described as impossible.

【0003】フラッシュメモリへのデータ書き込みは、
まず、既にあるデータを消去(全てのビットを1にす
る)してから新規データを書き込まなければならない。
消去は、チップ単位または複数ワード単位のブロック単
位のみ可能である。
Writing data to a flash memory is
First, existing data must be erased (all bits are set to 1) and new data must be written.
Erasing can be performed only on a chip basis or a block basis of a plurality of words.

【0004】従来のフラッシュメモリ書き込み回路で
は、フラッシュメモリに既に書かれている内容と、書き
込みデータの内容が一致する場合も、既にあるデータを
消去してから書き込み処理を行っていた。
In the conventional flash memory writing circuit, even if the contents already written in the flash memory and the contents of the write data match, the existing data is erased before the writing process.

【0005】EEPROMでは、例えば、特開平03−
283093号公報に示すように、保持データと入力デ
ータをバイト単位に比較し、同一の内容をデータを書こ
うとするとき自動的に書き込みを禁止する方法と、特開
平03−049099号公報に示すように、保持データ
と入力データを比較し、消去サイクルのみあるいは、書
き込みサイクルのみを選択して実行する方法などがあ
る。
In the EEPROM, for example, Japanese Patent Laid-Open No. 03-
As shown in Japanese Patent No. 283093, a method of comparing held data with input data in byte units and automatically prohibiting writing when trying to write the same content is shown in Japanese Patent Laid-Open No. 03-049099. As described above, there is a method of comparing the held data with the input data and selecting and executing only the erase cycle or only the write cycle.

【0006】[0006]

【発明が解決しようとする課題】フラッシュメモリに既
に書かれている内容と、書き込みデータの内容が一致す
る場合も、書き込み処理を行うフラッシュメモリ書き込
み回路では、消去回数と書き込み回数が増え、書き込み
処理時間の増大、信頼性の低下、短寿命化を招いてい
た。
Even if the contents already written in the flash memory and the contents of the write data match, the flash memory write circuit that performs the write process increases the erase count and the write count, and the write process This leads to increase in time, decrease in reliability, and shortening of life.

【0007】そこで、本発明では、フラッシュメモリへ
の書き込み処理を高速化するために、書き込みデータの
内容と、書き込みアドレスに対応するフラッシュメモリ
の内容を比較する比較器を設け、消去可能最小単位ごと
に、同一の内容を書こうとするときは、自動的に消去と
書き込みを禁止する。また、ビットを1から0にする書
き込みは、消去を禁止し、書き込みのみ行い、上記課題
を解決する。
Therefore, in the present invention, in order to speed up the writing process to the flash memory, a comparator for comparing the contents of the write data and the contents of the flash memory corresponding to the write address is provided, and each minimum erasable unit is In addition, when trying to write the same contents, erasing and writing are automatically prohibited. In addition, in the writing in which the bit is changed from 1 to 0, erasing is prohibited and only the writing is performed to solve the above problem.

【0008】[0008]

【課題を解決するための手段】上記課題を解決するた
め、以下の手段が考えられる。
[Means for Solving the Problems] In order to solve the above problems, the following means can be considered.

【0009】複数ビットを1ワードとして、ワード単位
に読み出し可能で、チップ単位または複数ワード単位
に、書き込み、電気的消去可能なフラッシュメモリを搭
載し、該フラッシュメモリに連続してデータを書き込み
を行う装置において、書き込み可能最小単位ごとに、書
き込みデータの内容と書き込みアドレスに対応する該フ
ラッシュメモリの内容を比較し、不一致の場合、該フラ
ッシュメモリの内容を消去する信号をオンとして出力す
る比較器と、ビットを0から1にする書き込みがある場
合は、該フラッシュメモリの内容を消去する信号をオン
として出力する比較器を備えた手段である。
A plurality of bits are set as one word and can be read in a word unit, and a flash memory capable of writing and electrically erasing in a chip unit or a plurality of word units is mounted, and data is continuously written in the flash memory. In the device, for each minimum writable unit, the content of the write data is compared with the content of the flash memory corresponding to the write address, and if they do not match, a comparator that outputs a signal that erases the content of the flash memory is turned on. , When the bit is written from 0 to 1, it is a means equipped with a comparator for outputting a signal for erasing the contents of the flash memory as ON.

【0010】[0010]

【作用】本発明の構成例としては、例えば、フラッシュ
メモリ制御部と、ライトバックキャッシュと、複数個の
フラッシュメモリと、比較器からなる構成が考えられ、
これらは、電子デバイスにより構成できる。
As a configuration example of the present invention, for example, a configuration including a flash memory control unit, a write-back cache, a plurality of flash memories, and a comparator can be considered.
These can be configured by electronic devices.

【0011】以下、上記構成例に基づき、作用について
説明する。
The operation will be described below based on the above-mentioned configuration example.

【0012】システムからのフラッシュメモリに対して
の書き込み、読みだしを高速に行うため、書き込みデー
タを、一時、ライトバックキャッシュに保持する。通
常、システムからフラッシュメモリに対しての書き込
み、読み出しは、このライトバックキャッシュとシステ
ム間で行い、必要に応じて、ブロックごとにライトバッ
クキャッシュのデータを、フラッシュメモリにブロック
単位で書き込む。
Write data is temporarily held in the write-back cache in order to perform writing and reading from the flash memory from the system at high speed. Normally, writing and reading from the system to the flash memory are performed between the write-back cache and the system, and the data of the write-back cache is written to the flash memory on a block-by-block basis as needed.

【0013】本発明では、この書き込み処理を高速にす
る。まず、フラッシュメモリ制御部による制御で、比較
器に、ライトバックキャッシュの内容と、書き込みアド
レスに対応するフラッシュメモリ内容を読みだす。比較
器は、これらのデータを比較し、不一致でビットを0か
ら1にする書き込みがある場合は、消去信号を出力す
る。
In the present invention, this writing process is speeded up. First, under the control of the flash memory control unit, the contents of the write-back cache and the contents of the flash memory corresponding to the write address are read out to the comparator. The comparator compares these data and outputs an erase signal if there is a write that changes the bit from 0 to 1 due to a mismatch.

【0014】かかる処理により、不一致で、さらにビッ
トを0から1にする書き込みがある場合は、消去及び書
き込みを行う。
By this processing, if there is a mismatch and there is further writing to change the bit from 0 to 1, erasing and writing are performed.

【0015】不一致で、さらにビットを1から0にする
書き込みの場合は、消去を行わずに書き込み処理のみを
行う。
In the case of non-coincidence and further writing from 1 to 0, only the writing process is performed without erasing.

【0016】フラッシュメモリに既に書かれている内容
と、書き込みデータの内容が一致する場合は、書き込み
処理を行わない。
When the contents already written in the flash memory and the contents of the write data match, the writing process is not performed.

【0017】このように、書き込み回数の低減を図るこ
とが可能となり、書き込みの高速化と、長寿命化ができ
る。
As described above, the number of times of writing can be reduced, the writing speed can be increased and the life can be extended.

【0018】[0018]

【実施例】本発明の第1の実施例を図1を参照して説明
する。
DETAILED DESCRIPTION OF THE PREFERRED EMBODIMENTS A first embodiment of the present invention will be described with reference to FIG.

【0019】本実施例は、フラッシュメモリ制御部2、
ライトバックキャッシュ4、複数個のフラッシュメモリ
5、比較器6、データバス50、アドレスバス51、コ
ントロールバス52及び標準バス1を有して構成され
る。
In this embodiment, the flash memory controller 2,
It is configured to have a write-back cache 4, a plurality of flash memories 5, a comparator 6, a data bus 50, an address bus 51, a control bus 52, and a standard bus 1.

【0020】標準バス1は、本装置にパーソナルコンピ
ュータや、ワークステーションなどのシステムからのコ
マンドやデータを授受するためのバスである。
The standard bus 1 is a bus for transmitting and receiving commands and data from a system such as a personal computer or a workstation to this device.

【0021】フラッシュメモリ制御部2は、本装置の構
成要素である、ライトバックキャッシュ4、フラッシュ
メモリ5、比較器6等を制御する手段であり、例えば、
マイクロプロセッサ等により構成される。
The flash memory control unit 2 is means for controlling the write-back cache 4, the flash memory 5, the comparator 6, etc., which are the constituent elements of this device, and is, for example,
It is composed of a microprocessor and the like.

【0022】ライトバックキャッシュ4は、フラッシュ
メモリ5に対しての書き込み、読みだしを高速に行うた
め、標準バス1から転送された書き込みデータを、一
時、保持するキャッシュメモリであり、例えば、RAM
等の半導体デバイスにより構成される。通常、システム
からフラッシュメモリ5に対しての書き込み、読み出し
は、このライトバックキャッシュ4とシステム間で行
い、必要に応じて、ブロック単位でライトバックキャッ
シュ4のデータをフラッシュメモリ5に書き込む。この
ライトバックキャッシュ4は、本装置内に限らずシステ
ム側にあるデータ記憶領域の一部を用いても良い。
The write-back cache 4 is a cache memory that temporarily holds the write data transferred from the standard bus 1 in order to write and read data to and from the flash memory 5 at a high speed.
And other semiconductor devices. Normally, writing and reading from the system to the flash memory 5 are performed between the write-back cache 4 and the system, and the data of the write-back cache 4 is written to the flash memory 5 in block units as needed. The write-back cache 4 may use a part of the data storage area on the system side, not limited to this device.

【0023】比較器6は、ライトバックキャッシュの内
容をブロック単位でフラッシュメモリに書き込むとき
に、ライトバックキャッシュ4の内容と、書き込みアド
レスに対応するフラッシュメモリ5の内容を比較し、不
一致の場合、消去信号53を出力するものであり、例え
ば、各種TTL、トランジスタ、抵抗等の電子デバイス
にて構成される。
When writing the contents of the write-back cache to the flash memory in block units, the comparator 6 compares the contents of the write-back cache 4 with the contents of the flash memory 5 corresponding to the write address. It outputs the erase signal 53, and is composed of, for example, electronic devices such as various TTLs, transistors, and resistors.

【0024】本実施例では、ライトバックキャッシュ4
に保持している書き込みデータを、ブロック単位でフラ
ッシュメモリ5に書き込む場合、まず、フラッシュメモ
リ制御部2は、1ワードごとにライトバックキャッシュ
4の内容とフラッシュメモリ5の内容を比較器6に読み
だす。比較器6は、ライトバックキャッシュ4の内容
と、書き込みアドレスに対応するフラッシュメモリ5の
内容を比較し、不一致の場合、消去信号53を出力し、
フラッシュメモリ5の内容をこの1ワードデータを含む
消去可能最小単位で消去し、フラッシュメモリ制御部2
の制御で、この1ワードデータを含む消去可能最小単位
のライトバックキャッシュ4の内容の書き込みをデータ
バス50、アドレスバス51を用いて行う。
In this embodiment, the write back cache 4
When writing the write data stored in the flash memory 5 to the flash memory 5 in block units, the flash memory control unit 2 first reads the contents of the write-back cache 4 and the contents of the flash memory 5 into the comparator 6 word by word. I will The comparator 6 compares the contents of the write-back cache 4 and the contents of the flash memory 5 corresponding to the write address, and outputs the erase signal 53 if they do not match,
The contents of the flash memory 5 are erased in the minimum erasable unit including this 1-word data, and the flash memory control unit 2
Under the control of, the writing of the content of the write-back cache 4 in the minimum erasable unit including the 1-word data is performed using the data bus 50 and the address bus 51.

【0025】図2に、このフラッシュメモリ制御部2が
制御する書き込み動作の詳細をフローチャートで示す。
FIG. 2 is a flow chart showing details of the write operation controlled by the flash memory controller 2.

【0026】まず、フラッシュメモリ制御部2は、ライ
トバックキャッシュ4内にフラッシュメモリ5に書き込
むブロックがあるかを調べ(図2ステップ21)、ある
場合は、消去可能最小単位ごとに、書き込みの必要があ
るか否かを判断して、書き込みを行う。まず、書き込み
アドレスに対応するフラッシュメモリ5の内容とライト
バックキャッシュ4から、1ワードデータを読みだす
(ステップ22)(ステップ23)。比較器6は、書き
込みアドレスに対応するフラッシュメモリ5の内容とラ
イトバックキャッシュ4から読みだした1ワードデータ
が、一致しているか否かを判定する(ステップ24)。
First, the flash memory control unit 2 checks whether or not there is a block to be written in the flash memory 5 in the write-back cache 4 (step 21 in FIG. 2), and if there is a block, it is necessary to write for each minimum erasable unit. Writing is performed by determining whether or not there is. First, one word data is read from the contents of the flash memory 5 corresponding to the write address and the write-back cache 4 (step 22) (step 23). The comparator 6 determines whether the contents of the flash memory 5 corresponding to the write address and the 1-word data read from the write-back cache 4 match (step 24).

【0027】不一致の場合、比較器6は、消去信号53
を出力し、フラッシュメモリ5をこの1ワードデータを
含む消去可能最小単位で、消去し(ステップ25)、フ
ラッシュメモリ制御部2の制御で、ライトバックキャッ
シュ4内の、この1ワードデータを含むの消去可能最小
単位のライトデータを、フラッシュメモリ5に書き込む
(ステップ26)。さらに、ライトバックキャッシュ4
内の書き込みを終了した消去可能最小単位のライトデー
タを消去(ステップ27)し、(ステップ21)へ戻
る。
If they do not match, the comparator 6 outputs the erase signal 53.
Is output, and the flash memory 5 is erased in the minimum erasable unit including this 1-word data (step 25), and the 1-word data in the write-back cache 4 is included under the control of the flash memory control unit 2. The minimum erasable write data is written in the flash memory 5 (step 26). In addition, write-back cache 4
The write data of the minimum erasable unit of which writing has been completed is erased (step 27), and the process returns to (step 21).

【0028】一致している場合、フラッシュメモリ制御
部2は、消去可能最小単位ごとのデータの比較が終了し
たかを判定し(ステップ28)、終了していれば、(ス
テップ21)へ、終了していなければ、(ステップ2
2)の処理をする。
If they match, the flash memory control unit 2 determines whether the comparison of the data for each minimum erasable unit is completed (step 28). If the comparison is completed, the process proceeds to (step 21). If not, (step 2
Perform step 2).

【0029】第二の実施例として、フラッシュメモリ5
の内部にライトバックキャッシュ4、比較器6を設けた
構成を、図3に示す。
As a second embodiment, the flash memory 5
FIG. 3 shows a configuration in which the write-back cache 4 and the comparator 6 are provided inside.

【0030】この構成を用いると、図2の処理をフラッ
シュメモリ5の内部で行う。
With this configuration, the process of FIG. 2 is performed inside the flash memory 5.

【0031】また、ビットを1から0にする書き込み
は、消去せずに、ワード単位に行えることより、ビット
を0から1にする書き込みの場合のみ、フラッシュメモ
リ5の内容を消去して、書き込み処理を行う第三の実施
例を、図4に示す。
Since writing from 1 to 0 can be performed in word units without erasing, the contents of the flash memory 5 can be erased and written only when writing from 0 to 1. A third embodiment for performing the processing is shown in FIG.

【0032】第2比較器7は、ライトバックキャッシュ
4の1ワードデータと書き込みアドレスに対応するフラ
ッシュメモリ5の内容を比較し、ビットを0から1にす
る書き込みの場合(例えば、0000hにFFFFhを
書き込む場合)、消去信号53を出力するものであり、
例えば、各種TTL、トランジスタ、抵抗等の電子デバ
イスにて構成される。
The second comparator 7 compares the 1-word data of the write-back cache 4 with the contents of the flash memory 5 corresponding to the write address, and in the case of writing to change the bit from 0 to 1 (eg, 0000h to FFFFh. When writing), the erase signal 53 is output,
For example, it is composed of electronic devices such as various TTLs, transistors, and resistors.

【0033】図5に、このフラッシュメモリ制御部2が
制御する書き込み動作の詳細をフローチャートで示す。
FIG. 5 is a flowchart showing details of the write operation controlled by the flash memory control unit 2.

【0034】まず、図2と同様に、書き込みアドレスに
対応するフラッシュメモリ5の内容とライトバックキャ
ッシュ4から第2比較器7に読みだす(ステップ22)
(ステップ23)。
First, as in FIG. 2, the contents of the flash memory 5 corresponding to the write address and the write-back cache 4 are read out to the second comparator 7 (step 22).
(Step 23).

【0035】第2比較器7は、この書き込み処理がビッ
トを0から1にする書き込みであるかを判定する。(ス
テップ30)書き込み処理がビットを0から1にする書
き込みである場合は、第2比較器7は、消去信号53を
出力し、図2と同じ処理をする。これ以外の書き込み処
理の場合は、(ステップ28)に戻り、消去可能最小単
位ごとのデータの比較が終了していれば、この消去可能
最小単位でライトデータの書き込みを行う(ステップ2
6)。
The second comparator 7 determines whether this write processing is a write for changing the bit from 0 to 1. (Step 30) If the write process is a write for changing the bit from 0 to 1, the second comparator 7 outputs the erase signal 53 and performs the same process as in FIG. In the case of other write processing, the process returns to (step 28), and if the comparison of the data for each minimum erasable unit is completed, the write data is written in this minimum erasable unit (step 2).
6).

【0036】第四の実施例として、フラッシュメモリ5
の内部にライトバックキャッシュ4、第2比較器7を設
けた構成を、図6に示す。
As a fourth embodiment, the flash memory 5
FIG. 6 shows a configuration in which the write-back cache 4 and the second comparator 7 are provided inside.

【0037】この構成を用いると、図5の処理をフラッ
シュメモリ5の内部で行う。
With this configuration, the process of FIG. 5 is performed inside the flash memory 5.

【0038】さらに、第一の実施例と第三の実施例の両
方を用い第5の実施例を図7に示す。本実施例では、書
き込みアドレスに対応するフラッシュメモリ5の内容と
ライトバックキャッシュ4から読みだした1ワードデー
タが、不一致で、かつ、ビットを0から1にする書き込
みがある場合のみ、AND手段8により、消去信号53
が出力し、消去を行う。
Furthermore, a fifth embodiment is shown in FIG. 7 using both the first embodiment and the third embodiment. In the present embodiment, the AND means 8 is used only when the contents of the flash memory 5 corresponding to the write address and the 1-word data read from the write-back cache 4 do not match and there is a write to change the bit from 0 to 1. Erase signal 53
Output and erases.

【0039】図8に、このフラッシュメモリ制御部2が
制御する書き込み動作の詳細をフローチャートで示す。
FIG. 8 is a flowchart showing details of the write operation controlled by the flash memory control unit 2.

【0040】まず、図2と同様に、書き込みアドレスに
対応するフラッシュメモリ5の内容とライトバックキャ
ッシュ4から比較器6と第2比較器7に読みだす(ステ
ップ22)(ステップ23)。
First, as in FIG. 2, the contents of the flash memory 5 corresponding to the write address and the write-back cache 4 are read out to the comparator 6 and the second comparator 7 (step 22) (step 23).

【0041】書き込みアドレスに対応するフラッシュメ
モリ5の内容とライトバックキャッシュ4から読みだし
た1ワードデータが、不一致でかつビットを0から1に
する書き込みであるかを判定する。(ステップ24)
(ステップ30)この場合(例えば、AAAAhをFF
FFhに書き替える)は、図2と同様に、消去して書き
込む。
It is determined whether or not the contents of the flash memory 5 corresponding to the write address and the 1-word data read from the write-back cache 4 do not match and the bit is written from 0 to 1. (Step 24)
(Step 30) In this case (eg, AAAAh is FF
(Rewrite to FFh) is erased and written as in FIG.

【0042】不一致でかつビットを1から0にする書き
込み処理の場合(例えば、FFFFhをAAAAhに書
き替える)は、消去せずに、書き込む。
In the case of a write process in which the bits do not match and the bit is changed from 1 to 0 (for example, FFFFh is rewritten to AAAAh), writing is performed without erasing.

【0043】一致した場合は、図2と同様に、書き込み
を行わない。
If they match, writing is not performed, as in FIG.

【0044】この動作例を、表1にまとめて示す。An example of this operation is summarized in Table 1.

【0045】[0045]

【表1】 [Table 1]

【0046】第六の実施例として、フラッシュメモリ5
の内部にライトバックキャッシュ4、比較器6、第2比
較器7を設けた構成を、図9に示す。
As a sixth embodiment, the flash memory 5
FIG. 9 shows a configuration in which the write-back cache 4, the comparator 6, and the second comparator 7 are provided inside the memory.

【0047】この構成では、図8の処理をフラッシュメ
モリ5の内部で行う。
In this configuration, the process of FIG. 8 is performed inside the flash memory 5.

【0048】[0048]

【発明の効果】以上説明したように本発明は、フラッシ
ュメモリの保持データと入力データとの比較器により、
不一致の場合のみ、フラッシュメモリの保持データを消
去して、書き込みを行うことにより、書き込み回数及び
消去回数を最小限にすることができる。従って、ブロッ
ク消去してから書き込みを行うフラッシュメモリの書き
込みの高速化と、長寿命化ができる効果がある。
As described above, according to the present invention, by the comparator of the data held in the flash memory and the input data,
Only when they do not match, the data held in the flash memory is erased and the data is written, whereby the number of times of writing and the number of times of erasing can be minimized. Therefore, there is an effect that the writing speed of the flash memory in which writing is performed after the block is erased is increased and the life is extended.

【図面の簡単な説明】[Brief description of drawings]

【図1】本発明の動作を行う第一の実施例を示すブロッ
ク図である。
FIG. 1 is a block diagram showing a first embodiment for performing the operation of the present invention.

【図2】第一の実施例における書き込み動作を示すフロ
ーチャートである。
FIG. 2 is a flow chart showing a write operation in the first embodiment.

【図3】本発明の動作を行う第二の実施例を示すブロッ
ク図である。
FIG. 3 is a block diagram showing a second embodiment for performing the operation of the present invention.

【図4】本発明の動作を行う第三の実施例を示すブロッ
ク図である。
FIG. 4 is a block diagram showing a third embodiment for performing the operation of the present invention.

【図5】第三の実施例における書き込み動作を示すフロ
ーチャートである。
FIG. 5 is a flowchart showing a write operation in the third embodiment.

【図6】本発明の動作を行う第四の実施例を示すブロッ
ク図である。
FIG. 6 is a block diagram showing a fourth embodiment for performing the operation of the present invention.

【図7】本発明の動作を行う第五の実施例を示すブロッ
ク図である。
FIG. 7 is a block diagram showing a fifth embodiment for performing the operation of the present invention.

【図8】第五の実施例における書き込み動作を示すフロ
ーチャートである。
FIG. 8 is a flowchart showing a write operation in a fifth embodiment.

【図9】本発明の動作を行う第六の実施例を示すブロッ
ク図である。
FIG. 9 is a block diagram showing a sixth embodiment for performing the operation of the present invention.

【符号の説明】[Explanation of symbols]

1…標準バス、 2…フラッシュメモリ制御部、 4…ライトバックキャッシュ、 5…フラッシュメモリ、 6…比較器、 7…第2比較器、 8…AND手段、 9…チップ、 50…データバス、 51…アドレスバス、 52…コントロールバス、 53…消去信号。 DESCRIPTION OF SYMBOLS 1 ... Standard bus, 2 ... Flash memory control part, 4 ... Write-back cache, 5 ... Flash memory, 6 ... Comparator, 7 ... Second comparator, 8 ... AND means, 9 ... Chip, 50 ... Data bus, 51 ... address bus, 52 ... control bus, 53 ... erase signal.

Claims (6)

【特許請求の範囲】[Claims] 【請求項1】複数ビットを1ワードとして、ワード単位
に読み出し可能で、チップ単位または複数ワード単位に
電気的消去可能なフラッシュメモリを搭載し、該フラッ
シュメモリに連続してデータを書き込みを行う装置にお
いて、 消去可能最小単位ごとに、書き込みデータの内容と書き
込みアドレスに対応する該フラッシュメモリの内容を比
較する手段を持ち、 不一致の場合のみ、該フラッシュメモリの内容を消去
し、書き込むことを特徴としたフラッシュメモリを用い
た情報処理装置。
1. An apparatus for mounting a flash memory, which can be read in a word unit with a plurality of bits as one word, and which can be electrically erased in a chip unit or a plurality of word units, and continuously write data to the flash memory. In the above, the method has a means for comparing the content of the write data with the content of the flash memory corresponding to the write address for each minimum erasable unit, and erases and writes the content of the flash memory only when they do not match. Processing device using the flash memory.
【請求項2】消去可能最小単位ごとに、書き込みデータ
の内容と書き込みアドレスに対応する該フラッシュメモ
リの内容を比較する手段を持ち、 不一致の場合のみ、該フラッシュメモリの内容を消去
し、書き込むことを特徴としたフラッシュメモリ。
2. A means for comparing the content of write data with the content of the flash memory corresponding to the write address for each minimum erasable unit, and erasing and writing the content of the flash memory only when they do not match. Flash memory featuring.
【請求項3】複数ビットを1ワードとして、ワード単位
に読み出し可能で、チップ単位または複数ワード単位に
電気的消去可能なフラッシュメモリを搭載し、該フラッ
シュメモリに連続してデータを書き込みを行う装置にお
いて、 消去可能最小単位ごとに、消去が必要であるか否かを判
定する手段を設けたことを特徴としたフラッシュメモリ
を用いた情報処理装置。
3. An apparatus for mounting a flash memory which can be read in a word unit with a plurality of bits as one word and which can be electrically erased in a chip unit or a plurality of word units, and continuously write data to the flash memory. 2. An information processing apparatus using a flash memory, characterized in that means for determining whether or not erasure is necessary is provided for each minimum erasable unit.
【請求項4】複数ビットを1ワードとして、ワード単位
に読み出し可能で、チップ単位または複数ワード単位に
電気的消去可能なフラッシュメモリを搭載し、該フラッ
シュメモリに連続してデータを書き込みを行う装置にお
いて、 書き込みデータが書き替え可能である場合には、消去し
ないで書き込みを行うことを特徴としたフラッシュメモ
リを用いた情報処理装置。
4. An apparatus for mounting a flash memory, which can be read in word units with a plurality of bits as one word, and which can be electrically erased in chip units or in units of a plurality of words, and which continuously writes data to the flash memory. 2. An information processing device using a flash memory, which is characterized in that, when write data is rewritable, writing is performed without erasing.
【請求項5】消去可能最小単位ごとに、消去が必要であ
るか否かを判定する手段を設けたことを特徴としたフラ
ッシュメモリ。
5. A flash memory comprising means for determining whether or not erasing is necessary for each erasable minimum unit.
【請求項6】書き込みデータが書き替え可能である場合
には、消去しないで書き込みをすることを特徴としたフ
ラッシュメモリ。
6. A flash memory, wherein when the write data is rewritable, the data is written without being erased.
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