JPH06124873A - 液浸式投影露光装置 - Google Patents
液浸式投影露光装置Info
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- JPH06124873A JPH06124873A JP4296518A JP29651892A JPH06124873A JP H06124873 A JPH06124873 A JP H06124873A JP 4296518 A JP4296518 A JP 4296518A JP 29651892 A JP29651892 A JP 29651892A JP H06124873 A JPH06124873 A JP H06124873A
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- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
- G03F7/70—Microphotolithographic exposure; Apparatus therefor
- G03F7/708—Construction of apparatus, e.g. environment aspects, hygiene aspects or materials
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
- G03F7/70—Microphotolithographic exposure; Apparatus therefor
- G03F7/70216—Mask projection systems
- G03F7/70341—Details of immersion lithography aspects, e.g. exposure media or control of immersion liquid supply
Abstract
(57)【要約】
【目的】 従来のプロセス技術を生かせる液浸式露光装
置を提供する。 【構成】 レチクルを照明する照明手段、これによって
照明されたレチクル上のパターンをウエハ上に投影する
投影光学手段、ウエハを所定位置に位置決めする位置決
め手段を備えた投影露光装置において、投影光学手段は
ウエハの露光面に対向し、平面もしくはウエハ側へ凸ん
だ凸面を有する光学素子、およびこの光学素子の平面も
しくは凸面とウエハの露光面との間を少なくとも満たす
液体を保持するための液槽を具備する。
置を提供する。 【構成】 レチクルを照明する照明手段、これによって
照明されたレチクル上のパターンをウエハ上に投影する
投影光学手段、ウエハを所定位置に位置決めする位置決
め手段を備えた投影露光装置において、投影光学手段は
ウエハの露光面に対向し、平面もしくはウエハ側へ凸ん
だ凸面を有する光学素子、およびこの光学素子の平面も
しくは凸面とウエハの露光面との間を少なくとも満たす
液体を保持するための液槽を具備する。
Description
【発明の詳細な説明】
【0001】
【産業上の利用分野】本発明は、半導体製造工程におい
てウエハ上に微細な回路パターンを露光する為の液浸式
投影露光装置に関する。
てウエハ上に微細な回路パターンを露光する為の液浸式
投影露光装置に関する。
【0002】
【従来の技術】半導体素子の微細化が進み、従来、露光
光源としては、高圧水銀灯のg線からより波長の短いi
線へと移行してきた。そしてより高解像力を必要とする
為、投影レンズのNA(開口数)を大きくしなければな
らず、その為、焦点深度はますます浅くなる傾向にあ
る。これらの関係は一般に良く知られている様に、次式
で表すことができる。 (解像力)=k1 (λ/NA) (焦点深度)=±k2 λ/NA2 ここに、λは露光に使用する光源の波長、NAは投影レ
ンズのNA(開口数)、k1 ,k2 はプロセスに関係す
る係数である。
光源としては、高圧水銀灯のg線からより波長の短いi
線へと移行してきた。そしてより高解像力を必要とする
為、投影レンズのNA(開口数)を大きくしなければな
らず、その為、焦点深度はますます浅くなる傾向にあ
る。これらの関係は一般に良く知られている様に、次式
で表すことができる。 (解像力)=k1 (λ/NA) (焦点深度)=±k2 λ/NA2 ここに、λは露光に使用する光源の波長、NAは投影レ
ンズのNA(開口数)、k1 ,k2 はプロセスに関係す
る係数である。
【0003】近年では、従来の高圧水銀灯のg線、i線
から、より波長の短いエキシマレーザと呼ばれる(Kr
F,ArF)、更には、X線の使用も検討されている。
また一方では、位相シフトマスク、或は変形照明等によ
る高解像力、高深度化の検討もなされ、実用され始めて
いる。しかし、エキシマレーザと呼ばれる(KrF,A
rF)やX線を利用する方法は、装置コストが高くな
り、位相シフトマスク、或は変形照明等は、回路パター
ンによって効果が期待できない場合もある等の問題を抱
えている。
から、より波長の短いエキシマレーザと呼ばれる(Kr
F,ArF)、更には、X線の使用も検討されている。
また一方では、位相シフトマスク、或は変形照明等によ
る高解像力、高深度化の検討もなされ、実用され始めて
いる。しかし、エキシマレーザと呼ばれる(KrF,A
rF)やX線を利用する方法は、装置コストが高くな
り、位相シフトマスク、或は変形照明等は、回路パター
ンによって効果が期待できない場合もある等の問題を抱
えている。
【0004】そこで、液浸方を適用する試みがなされて
いる。例えば、特公昭63−49893号公報には、露
光装置において、縮小レンズの先端を取り囲んで液体流
入口を有するノズルを設け、これを介して液体を供給
し、縮小レンズとウエハとの間に液体を保持するように
したものが記載されている。
いる。例えば、特公昭63−49893号公報には、露
光装置において、縮小レンズの先端を取り囲んで液体流
入口を有するノズルを設け、これを介して液体を供給
し、縮小レンズとウエハとの間に液体を保持するように
したものが記載されている。
【0005】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、この従
来技術においては、ただ単に液体を供給するようにした
のみであり、実際の製造工程で使用するには、従来のプ
ロセス技術が生かせない等、種々の問題を有している。
来技術においては、ただ単に液体を供給するようにした
のみであり、実際の製造工程で使用するには、従来のプ
ロセス技術が生かせない等、種々の問題を有している。
【0006】本発明の目的は、上述従来技術の問題点に
鑑み、g線、i線、或はエキシマレーザ等の使用する露
光光源の波長に拘らず、どの波長でも、それぞれの波長
に応じた効果を期待できるコストの安い液浸式露光装置
を提供し、更には、従来のプロセス技術を生かせる液浸
式露光装置を提供することを目的とする。
鑑み、g線、i線、或はエキシマレーザ等の使用する露
光光源の波長に拘らず、どの波長でも、それぞれの波長
に応じた効果を期待できるコストの安い液浸式露光装置
を提供し、更には、従来のプロセス技術を生かせる液浸
式露光装置を提供することを目的とする。
【0007】
【課題を解決するための手段】この目的を達成するため
本発明では、レチクルを照明する照明手段、これによっ
て照明されたレチクル上のパターンをウエハ上に投影す
る投影光学手段、ウエハを所定位置に位置決めする位置
決め手段を備えた投影露光装置において、投影光学手段
はウエハの露光面に対向し、平面もしくはウエハ側へ凸
んだ凸面を有する光学素子、およびこの光学素子の平面
もしくは凸面とウエハの露光面との間を少なくとも満た
す液体を保持するための液槽を具備する。
本発明では、レチクルを照明する照明手段、これによっ
て照明されたレチクル上のパターンをウエハ上に投影す
る投影光学手段、ウエハを所定位置に位置決めする位置
決め手段を備えた投影露光装置において、投影光学手段
はウエハの露光面に対向し、平面もしくはウエハ側へ凸
んだ凸面を有する光学素子、およびこの光学素子の平面
もしくは凸面とウエハの露光面との間を少なくとも満た
す液体を保持するための液槽を具備する。
【0008】位置決め手段は、通常、ウエハ位置を検出
するアライメント計測手段と、投影光学手段のフォーカ
ス位置に対するウエハ露光面の位置を検出するフォーカ
ス位置検出手段と、ウエハをその露光面に平行なXおよ
びY方向、これらに垂直な軸の回りのθ方向、Z方向、
ならびにウエハを任意の方向に傾ける方向にウエハを保
持して駆動するウエハ駆動手段と、ウエハ駆動手段の保
持位置上にウエハを搬入しおよび搬出するウエハ搬送手
段とを備える。
するアライメント計測手段と、投影光学手段のフォーカ
ス位置に対するウエハ露光面の位置を検出するフォーカ
ス位置検出手段と、ウエハをその露光面に平行なXおよ
びY方向、これらに垂直な軸の回りのθ方向、Z方向、
ならびにウエハを任意の方向に傾ける方向にウエハを保
持して駆動するウエハ駆動手段と、ウエハ駆動手段の保
持位置上にウエハを搬入しおよび搬出するウエハ搬送手
段とを備える。
【0009】液槽は閉空間を構成し、液槽内の液体の加
圧手段等を有する場合もある。液槽はまた、光学手段に
対して位置的に固定され、あるいはXYステージに位置
的に固定されている場合もある。液槽が光学手段に対し
て位置的に固定されている場合は、例えば、微動ステー
ジが液槽内に配置され、液槽は透磁率の高い材料で構成
され、そして液槽を介して微動ステージとXYステージ
が磁気結合される。
圧手段等を有する場合もある。液槽はまた、光学手段に
対して位置的に固定され、あるいはXYステージに位置
的に固定されている場合もある。液槽が光学手段に対し
て位置的に固定されている場合は、例えば、微動ステー
ジが液槽内に配置され、液槽は透磁率の高い材料で構成
され、そして液槽を介して微動ステージとXYステージ
が磁気結合される。
【0010】
【作用】光学式顕微鏡の解像力をあげる方法としては、
従来から、対物レンズと試料の間を高屈折率の液体で満
たす、所謂、液浸法が知られている(例えば、D.W.
Pohl,W.Denk & M.Lanz,App
l.Phys.Lett.44652(1984))。
この効果を半導体素子の微細回路パターンの転写に応用
した例としては、『H.Kawata,J.M.Car
ter,A.Yen,H.I.Smith,Micro
electronic Engineering 9
(1989)』、或は、『T.R.Corle,G.
S.kino,USP 5,121,256(Jun.
9,1992)』がある。前論文は、露光における液浸
の効果を検討したもので、実用的な半導体露光装置とし
ての構成を論じておらず、後者のパテントは、液浸レン
ズをウエハの表面近くに置く方法を開示しているに過ぎ
ない。
従来から、対物レンズと試料の間を高屈折率の液体で満
たす、所謂、液浸法が知られている(例えば、D.W.
Pohl,W.Denk & M.Lanz,App
l.Phys.Lett.44652(1984))。
この効果を半導体素子の微細回路パターンの転写に応用
した例としては、『H.Kawata,J.M.Car
ter,A.Yen,H.I.Smith,Micro
electronic Engineering 9
(1989)』、或は、『T.R.Corle,G.
S.kino,USP 5,121,256(Jun.
9,1992)』がある。前論文は、露光における液浸
の効果を検討したもので、実用的な半導体露光装置とし
ての構成を論じておらず、後者のパテントは、液浸レン
ズをウエハの表面近くに置く方法を開示しているに過ぎ
ない。
【0011】本発明は、従来から知られている顕微鏡の
対物レンズと試料の間を高屈折率の液体で満たすという
方法を、生産設備としての投影露光装置で実現する為の
具体的方法に関するものであり、本発明によれば、液浸
の効果を利用した露光装置を提供することが可能とな
る。
対物レンズと試料の間を高屈折率の液体で満たすという
方法を、生産設備としての投影露光装置で実現する為の
具体的方法に関するものであり、本発明によれば、液浸
の効果を利用した露光装置を提供することが可能とな
る。
【0012】この「液浸の効果」とは、λ0 を露光光の
空気中での波長とし、また、図10に示すように、nを
液浸に使用する液体の空気に対する屈折率、αを光線の
収束半角とし、NA0 =sinαとすると、液浸した場
合、前述の解像力および焦点深度は、次式のようにな
る。(解像力)=k1 (λ0 /n)/NA0 (焦点深度)=±k2 (λ0 /n)/(NA0 )2 すなわち、液浸の効果は波長が1/nの露光波長を使用
するのと等価である。言い換えれば、同じNAの投影光
学系を設計した場合、液浸により、焦点深度をn倍にす
ることができる。これは、あらゆるパタ−ンの形状に対
しても有効であり、更に、現在検討されている位相シフ
ト法、変形照明法等と組み合わせることも可能である。
この効果を生かすためには、液体の純度、均一性、温度
等の精密な管理が必要であり、ステップ・アンド・リピ
−ト動作でウエハ上に逐次露光して行く露光装置では、
動作中に発生する液体の流動や振動を極力少なくするこ
と、ウエハを液体内に搬入する際のウエハ表面に残留す
る気泡をいかにして除去するか等が問題になる。本発明
では、実施例で説明するように、これらの諸問題を解決
するための装置の構成を提案し、液浸の効果を十分生か
せるようにしている。従来、256Mbit〜1Gbi
tのDRAMの生産では、i線、エキシマレーザを光源
とする従来のステッパから、X線、或は電子ビーム(E
B)の露光装置が必要と考えられていたが、本発明によ
って、i線、或はエキシマレーザを光源とする従来のス
テッパで従来の製造プロセスを流用出来、技術的に確立
された製造プロセスでコスト的にも有利な生産が可能と
なる。
空気中での波長とし、また、図10に示すように、nを
液浸に使用する液体の空気に対する屈折率、αを光線の
収束半角とし、NA0 =sinαとすると、液浸した場
合、前述の解像力および焦点深度は、次式のようにな
る。(解像力)=k1 (λ0 /n)/NA0 (焦点深度)=±k2 (λ0 /n)/(NA0 )2 すなわち、液浸の効果は波長が1/nの露光波長を使用
するのと等価である。言い換えれば、同じNAの投影光
学系を設計した場合、液浸により、焦点深度をn倍にす
ることができる。これは、あらゆるパタ−ンの形状に対
しても有効であり、更に、現在検討されている位相シフ
ト法、変形照明法等と組み合わせることも可能である。
この効果を生かすためには、液体の純度、均一性、温度
等の精密な管理が必要であり、ステップ・アンド・リピ
−ト動作でウエハ上に逐次露光して行く露光装置では、
動作中に発生する液体の流動や振動を極力少なくするこ
と、ウエハを液体内に搬入する際のウエハ表面に残留す
る気泡をいかにして除去するか等が問題になる。本発明
では、実施例で説明するように、これらの諸問題を解決
するための装置の構成を提案し、液浸の効果を十分生か
せるようにしている。従来、256Mbit〜1Gbi
tのDRAMの生産では、i線、エキシマレーザを光源
とする従来のステッパから、X線、或は電子ビーム(E
B)の露光装置が必要と考えられていたが、本発明によ
って、i線、或はエキシマレーザを光源とする従来のス
テッパで従来の製造プロセスを流用出来、技術的に確立
された製造プロセスでコスト的にも有利な生産が可能と
なる。
【0013】以下に、実施例を通じてより詳細に説明す
る。
る。
【0014】
【実施例】実施例1 図1は、本発明の第1の実施例に係る液浸式投影露光装
置の構成図である。図中、1はレチクル、2は感光剤が
塗布され、レチクル1上の回路パターンが露光・転写さ
れるウエハ、3はウエハ2上にレチクル1上の回路パタ
ーンを投影するためのシャッタ及び調光装置等を備えた
照明光学系、4はウエハ2上にレチクル1上の回路パタ
ーンを投影する投影光学系、5はレチクル1を保持し、
所定の位置に位置決めするためのレチクルステージ、6
はレチクル1を位置決めするため、及びレチクル像をウ
エハ2上に既に転写されている回路パターンに合致させ
るためのアライメント光学系である。
置の構成図である。図中、1はレチクル、2は感光剤が
塗布され、レチクル1上の回路パターンが露光・転写さ
れるウエハ、3はウエハ2上にレチクル1上の回路パタ
ーンを投影するためのシャッタ及び調光装置等を備えた
照明光学系、4はウエハ2上にレチクル1上の回路パタ
ーンを投影する投影光学系、5はレチクル1を保持し、
所定の位置に位置決めするためのレチクルステージ、6
はレチクル1を位置決めするため、及びレチクル像をウ
エハ2上に既に転写されている回路パターンに合致させ
るためのアライメント光学系である。
【0015】投影光学系4のウエハ2表面に対向するレ
ンズを第2の光学素子7と呼ぶことにすると、この第2
の光学素子7のウエハ2表面に対向する面は、図2およ
び図3に示すように、平面あるいはウエハ2表面に向か
って凸となる様に構成されている。これは、液浸する際
に、第2の光学素子7表面に空気層や気泡が残らない様
にするためである。また、液浸される光学素子7の表面
およびウエハ2上の感光剤の表面は、液浸に使用する液
体30と浸和性のあるコーチングを施すことが望まし
い。第2の光学素子7と投影光学系4の鏡筒との間に
は、液体30の鏡筒への侵入を防ぐためのシール8があ
る。このシールは、第2の光学素子7の厚さを、図4に
示すように厚く取り、液体30を浸す高さを管理する機
能を付加するように構成にすれば不要である。
ンズを第2の光学素子7と呼ぶことにすると、この第2
の光学素子7のウエハ2表面に対向する面は、図2およ
び図3に示すように、平面あるいはウエハ2表面に向か
って凸となる様に構成されている。これは、液浸する際
に、第2の光学素子7表面に空気層や気泡が残らない様
にするためである。また、液浸される光学素子7の表面
およびウエハ2上の感光剤の表面は、液浸に使用する液
体30と浸和性のあるコーチングを施すことが望まし
い。第2の光学素子7と投影光学系4の鏡筒との間に
は、液体30の鏡筒への侵入を防ぐためのシール8があ
る。このシールは、第2の光学素子7の厚さを、図4に
示すように厚く取り、液体30を浸す高さを管理する機
能を付加するように構成にすれば不要である。
【0016】9は液体30を満たすための液槽(チャン
バ)、10はウエハカセット、12はウエハ2を保持す
るためのウエハチャック、11−1〜11−4はウエハ
の粗位置決め装置、13はウエハ2を所定の位置に位置
決めするためのXYステージ、14はXYステージ上に
配置され、ウエハ2のθ方向位置の補正機能、ウエハ2
のZ位置の調整機能、およびウエハ2の傾きを補正する
ためのチルト機能を有する微動ステージである。チャン
バ9の中に、ウエハカセット10からウエハを搬入しウ
エハチャック12上にセットするためのウエハ搬送装
置、粗位置決め装置11−1〜11−4の一部もしくは
全体、ウエハチャック12、XYステージ13、および
微動ステージ14がある。
バ)、10はウエハカセット、12はウエハ2を保持す
るためのウエハチャック、11−1〜11−4はウエハ
の粗位置決め装置、13はウエハ2を所定の位置に位置
決めするためのXYステージ、14はXYステージ上に
配置され、ウエハ2のθ方向位置の補正機能、ウエハ2
のZ位置の調整機能、およびウエハ2の傾きを補正する
ためのチルト機能を有する微動ステージである。チャン
バ9の中に、ウエハカセット10からウエハを搬入しウ
エハチャック12上にセットするためのウエハ搬送装
置、粗位置決め装置11−1〜11−4の一部もしくは
全体、ウエハチャック12、XYステージ13、および
微動ステージ14がある。
【0017】15はレーザ干渉計、16は微動ステージ
14上にXおよびY方向(Y方向は不図示)に取り付け
られ、微動ステージ14の位置を計測するためにレーザ
干渉計15の光を反射する参照ミラー、17はレーザ干
渉計15の光を通過させるためチャンバ9に設けられた
窓、18はチャンバ9の外側に設けられ、外部との熱的
遮断を保つ断熱材である。チャンバ9自体を断熱効果の
ある材料、例えばエンジニリアリングセラミックで構成
すれば、断熱材18は不要である。更に、チャンバ9の
材質を低熱膨張材、例えばゼロジュール(商品名)を使
用し、図5に示すように、レーザ干渉計15をその側面
に直接取り付け、レーザ干渉計15の計測精度が空気の
インデックスの影響を受けないようにすることも可能で
ある。
14上にXおよびY方向(Y方向は不図示)に取り付け
られ、微動ステージ14の位置を計測するためにレーザ
干渉計15の光を反射する参照ミラー、17はレーザ干
渉計15の光を通過させるためチャンバ9に設けられた
窓、18はチャンバ9の外側に設けられ、外部との熱的
遮断を保つ断熱材である。チャンバ9自体を断熱効果の
ある材料、例えばエンジニリアリングセラミックで構成
すれば、断熱材18は不要である。更に、チャンバ9の
材質を低熱膨張材、例えばゼロジュール(商品名)を使
用し、図5に示すように、レーザ干渉計15をその側面
に直接取り付け、レーザ干渉計15の計測精度が空気の
インデックスの影響を受けないようにすることも可能で
ある。
【0018】チャンバ9にはまた、液体30の高さを測
定するための液面ゲージ19、液体30の温度を測定す
る温度計20、および温度コントローラ21が設けられ
ている。チャンバ9には、さらに、液体30の高さを制
御するためのポンプ22が設けられている。ポンプ22
は温度制御された液体30を循環させる機能も備え、液
体30中の不純物をろ過するためのフィルタ23もセッ
トされている。24は液体30の屈折率を測定するため
の測定器、25は液体30を均質にするため、およびウ
エハ2表面や第2の光学素子7表面に気泡が付着するの
を防ぐ目的で設置された超音波加振装置、26は露光装
置の防振架台である。
定するための液面ゲージ19、液体30の温度を測定す
る温度計20、および温度コントローラ21が設けられ
ている。チャンバ9には、さらに、液体30の高さを制
御するためのポンプ22が設けられている。ポンプ22
は温度制御された液体30を循環させる機能も備え、液
体30中の不純物をろ過するためのフィルタ23もセッ
トされている。24は液体30の屈折率を測定するため
の測定器、25は液体30を均質にするため、およびウ
エハ2表面や第2の光学素子7表面に気泡が付着するの
を防ぐ目的で設置された超音波加振装置、26は露光装
置の防振架台である。
【0019】次に、上記構成の装置の実際の動作、作
用、および効果等を説明する。露光をする際には、ま
ず、あらかじめ感光剤を塗布してあるウエハ2をウエハ
搬送装置11−1で、ウエハカセット10より取り出
し、ウエハ位置粗検出機構11ー2(通常、プリアライ
メント機構と呼んでいる)に載せ、粗位置決めした後
に、ウエハ送り込みハンド11−3でウエハ2をハンド
リングし、チャンバ9内に設置されたウエハチャック1
2上にウエハ2をセットする。ウエハチャック12上に
載せられたウエハ2は、バキューム吸着によって固定さ
れ、平面矯正される。これと同時に、温度制御装置21
で一定温度に制御された液浸用の液体30が輸送ポンプ
22によって、フィルタ23を介して、チャンバ9内に
送り込まれる。液体30が所定の量になると、液面ゲ−
ジ19がこれを検知して、ポンプ22を停止する。
用、および効果等を説明する。露光をする際には、ま
ず、あらかじめ感光剤を塗布してあるウエハ2をウエハ
搬送装置11−1で、ウエハカセット10より取り出
し、ウエハ位置粗検出機構11ー2(通常、プリアライ
メント機構と呼んでいる)に載せ、粗位置決めした後
に、ウエハ送り込みハンド11−3でウエハ2をハンド
リングし、チャンバ9内に設置されたウエハチャック1
2上にウエハ2をセットする。ウエハチャック12上に
載せられたウエハ2は、バキューム吸着によって固定さ
れ、平面矯正される。これと同時に、温度制御装置21
で一定温度に制御された液浸用の液体30が輸送ポンプ
22によって、フィルタ23を介して、チャンバ9内に
送り込まれる。液体30が所定の量になると、液面ゲ−
ジ19がこれを検知して、ポンプ22を停止する。
【0020】液体30の温度は、温度センサ20により
常時監視しており、所定の温度からずれた場合は、再度
輸送ポンプ22を作動させ、一定温度の液体30を循環
させるようになっている。その際、液体30の循環によ
る、液体30の流動が起こり、液体30の均一性が崩れ
るが、屈折率測定装置24で、均一性の測定も行われ
る。また、液体30中の気泡、ウエハ2表面に付着した
気泡、第2の光学素子7表面に付着した気泡は、超音波
加振装置25を作動させて除去する。この超音波加振
は、液体30自体を均一にする効果も有しており、振動
の振幅が小さく、周波数が高いために、ウエハ2の位置
決めや露光には影響しない。
常時監視しており、所定の温度からずれた場合は、再度
輸送ポンプ22を作動させ、一定温度の液体30を循環
させるようになっている。その際、液体30の循環によ
る、液体30の流動が起こり、液体30の均一性が崩れ
るが、屈折率測定装置24で、均一性の測定も行われ
る。また、液体30中の気泡、ウエハ2表面に付着した
気泡、第2の光学素子7表面に付着した気泡は、超音波
加振装置25を作動させて除去する。この超音波加振
は、液体30自体を均一にする効果も有しており、振動
の振幅が小さく、周波数が高いために、ウエハ2の位置
決めや露光には影響しない。
【0021】屈折率測定装置24で液体30の均一性が
確認されると、通常の露光装置と同様に、ウエハ2の精
密位置決め(アライメント、フォ−カス等)と露光が行
われる。このとき、ステップ・アンド・リピ−ト動作に
より、液体30の流動が発生するが、第2の光学素子7
とウエハ2表面との間隔が数mmから数十mm程度であ
り、液体30が粘性を有する事から、比較的短時間で、
この部分の液体30の流動はなくなる。従って、各ショ
ット毎にステップ後に遅延時間を取るか、屈折率測定装
置24で、この部分の液体30の流動状態を測定し、流
動が停止した時点でシ−ケンスを継続させれば良い。ま
た、チャンバ9の外周は、断熱材18で覆ってあるた
め、通常、1枚のウエハを処理する時間程度は、輸送ポ
ンプ22を作動させ、一定温度の液体30を循環させる
必要はない。
確認されると、通常の露光装置と同様に、ウエハ2の精
密位置決め(アライメント、フォ−カス等)と露光が行
われる。このとき、ステップ・アンド・リピ−ト動作に
より、液体30の流動が発生するが、第2の光学素子7
とウエハ2表面との間隔が数mmから数十mm程度であ
り、液体30が粘性を有する事から、比較的短時間で、
この部分の液体30の流動はなくなる。従って、各ショ
ット毎にステップ後に遅延時間を取るか、屈折率測定装
置24で、この部分の液体30の流動状態を測定し、流
動が停止した時点でシ−ケンスを継続させれば良い。ま
た、チャンバ9の外周は、断熱材18で覆ってあるた
め、通常、1枚のウエハを処理する時間程度は、輸送ポ
ンプ22を作動させ、一定温度の液体30を循環させる
必要はない。
【0022】ウエハ2の全面の露光が完了すると、これ
と同時に輸送ポンプ22が再び作動し、チャンバ9内の
液体30を排出し始める。この時、液面ゲ−ジ19が常
時液体30の高さを検知しており、液体30の高さがウ
エハチャック12面より僅かに低くなった時点で、輸送
ポンプを停止させる。従って、排出する液体30の量
は、僅かである。この後、ウエハチャック12のバキュ
−ムを切り、搬出ハンド11−4で、ウエハチャック1
2上のウエハ2をハンドリングして、ウエハカセット1
0に収納する。この時、収納直前に、ウエハ2の両面を
クリ−ンなエアでブロ−して、液体30をウエハ2表面
から除去するようにしてもよい。
と同時に輸送ポンプ22が再び作動し、チャンバ9内の
液体30を排出し始める。この時、液面ゲ−ジ19が常
時液体30の高さを検知しており、液体30の高さがウ
エハチャック12面より僅かに低くなった時点で、輸送
ポンプを停止させる。従って、排出する液体30の量
は、僅かである。この後、ウエハチャック12のバキュ
−ムを切り、搬出ハンド11−4で、ウエハチャック1
2上のウエハ2をハンドリングして、ウエハカセット1
0に収納する。この時、収納直前に、ウエハ2の両面を
クリ−ンなエアでブロ−して、液体30をウエハ2表面
から除去するようにしてもよい。
【0023】実施例2 図11は本発明の第2の実施例に係る液浸式投影露光装
置の構成図、図12は図11におけるウエハチャック1
2の断面図、そして図14は図11におけるステージ部
分の変形例を示す模式図である。これらの図において、
31はウエハ2をチャンバ9内に搬入および搬出するた
めの搬送口、32は微動ステージ14を水平方向に移動
可能にするための流体ベアリングガイド、33はチャン
バ9の内部を負圧にして、液体30中の気泡を除去する
ための真空ポンプ、34は真空ポンプ33に接続された
バルブ、35は液体30を除去するためにクリーンなエ
アをウエハ2表面に吹き付けるためのノズルを有するブ
ロア、36はチャンバ9の内圧を測定するための圧力
計、37はウエハチャックに内蔵されたシャッタ機構で
ある。他の構成は図1の場合と同様であるが、シール8
はチャンバ9の機密を保たせる機能をも有する。また、
ポンプ22は、液体30を循環させる機能に加え、液体
30の圧力をコントロールする機能をも備える。
置の構成図、図12は図11におけるウエハチャック1
2の断面図、そして図14は図11におけるステージ部
分の変形例を示す模式図である。これらの図において、
31はウエハ2をチャンバ9内に搬入および搬出するた
めの搬送口、32は微動ステージ14を水平方向に移動
可能にするための流体ベアリングガイド、33はチャン
バ9の内部を負圧にして、液体30中の気泡を除去する
ための真空ポンプ、34は真空ポンプ33に接続された
バルブ、35は液体30を除去するためにクリーンなエ
アをウエハ2表面に吹き付けるためのノズルを有するブ
ロア、36はチャンバ9の内圧を測定するための圧力
計、37はウエハチャックに内蔵されたシャッタ機構で
ある。他の構成は図1の場合と同様であるが、シール8
はチャンバ9の機密を保たせる機能をも有する。また、
ポンプ22は、液体30を循環させる機能に加え、液体
30の圧力をコントロールする機能をも備える。
【0024】この構成においては、実施例1の場合と動
作が異なる点として、チャンバ9内へウエハ2を搬送し
および搬出するそれぞれの場合において、搬送口31の
開閉が行われる。またウエハ2をウエハチャック12上
にセットし、液体30を所定量満たしてポンプ22を停
止した後、さらに、バキュームチャンバ9に接続してい
る真空ポンプ33が作動され、液体30中の気泡が除去
される。このとき同時に、超音波加振装置25を作動さ
せて、液体30中の気泡、ウエハ2表面に付着した気
泡、第2の光学素子7表面に付着した気泡も除去する。
気泡を除去し終ると、真空ポンプ33は停止し、同時
に、これに接続されているバルブ34も閉じられ、ポン
プ22が作動して、液体30を加圧し始める。そしてチ
ャンバ9の内圧を測定している圧力計36の圧力が所定
の値を示した時点で、実施例1の場合と同様に、温度セ
ンサ20による液体30の温度の常時監視を行う。ま
た、ウエハカセット10への収納直前には、ブラ35に
よりウエハ2の両面がクリ−ンなエアでブロ−され、液
体30がウエハ表面から除去される。他の動作は実施例
1の場合と同様である。
作が異なる点として、チャンバ9内へウエハ2を搬送し
および搬出するそれぞれの場合において、搬送口31の
開閉が行われる。またウエハ2をウエハチャック12上
にセットし、液体30を所定量満たしてポンプ22を停
止した後、さらに、バキュームチャンバ9に接続してい
る真空ポンプ33が作動され、液体30中の気泡が除去
される。このとき同時に、超音波加振装置25を作動さ
せて、液体30中の気泡、ウエハ2表面に付着した気
泡、第2の光学素子7表面に付着した気泡も除去する。
気泡を除去し終ると、真空ポンプ33は停止し、同時
に、これに接続されているバルブ34も閉じられ、ポン
プ22が作動して、液体30を加圧し始める。そしてチ
ャンバ9の内圧を測定している圧力計36の圧力が所定
の値を示した時点で、実施例1の場合と同様に、温度セ
ンサ20による液体30の温度の常時監視を行う。ま
た、ウエハカセット10への収納直前には、ブラ35に
よりウエハ2の両面がクリ−ンなエアでブロ−され、液
体30がウエハ表面から除去される。他の動作は実施例
1の場合と同様である。
【0025】これによれば、液体30が加圧されている
ため、ステップ・アンド・リピート動作による液体30
の流動は、より短時間で消失する。また、加圧された液
体30の圧力によって、ウエハチャック12上のウエハ
2の平面矯正能力も増加させることが可能である。
ため、ステップ・アンド・リピート動作による液体30
の流動は、より短時間で消失する。また、加圧された液
体30の圧力によって、ウエハチャック12上のウエハ
2の平面矯正能力も増加させることが可能である。
【0026】実施例3 図12は本発明の第3の実施例に係る液浸式露光装置の
ウエハチャック部分の断面図である。上述においては、
ウエハ毎に液体を流入し排出するようにしているが、こ
こでは、図12に示すように、ウエハチャック12にシ
ャッタ機構37を付加し、ウエハ2がウエハチャック1
2上にある場合のみシャッタを開いてバキュ−ム吸着す
るようにして、液体30を満たしたままでも処理できる
ようにしている。これにより、スル−プットの向上が図
られる。この場合、搬送されるウエハ2は、ウエハ送り
込みハンド11−3によって、液体30に対して斜め或
は垂直に気泡が残らないように液体30中に挿入され、
液体30中で水平にされてウエハチャック12上にセッ
トされる。
ウエハチャック部分の断面図である。上述においては、
ウエハ毎に液体を流入し排出するようにしているが、こ
こでは、図12に示すように、ウエハチャック12にシ
ャッタ機構37を付加し、ウエハ2がウエハチャック1
2上にある場合のみシャッタを開いてバキュ−ム吸着す
るようにして、液体30を満たしたままでも処理できる
ようにしている。これにより、スル−プットの向上が図
られる。この場合、搬送されるウエハ2は、ウエハ送り
込みハンド11−3によって、液体30に対して斜め或
は垂直に気泡が残らないように液体30中に挿入され、
液体30中で水平にされてウエハチャック12上にセッ
トされる。
【0027】実施例4 図6は、本発明の第4の実施例に係る液浸式露光装置の
ステージ部分を示す断面図である。これは、実施例1の
構成において、液体30中に不純物が混入するのを防ぐ
ために、XYステ−ジ13の駆動系を、チャンバ9の外
部に置くように構成したものである。この場合、同図に
示すように、XYステ−ジ13全体がチャンバ9の外に
配置され、XYステ−ジ13上にチャンバ9を載せてチ
ャンバ9ごと位置決めされる。この場合、液体30全体
をステップ・アンド・リピ−ト動作させるために、チャ
ンバ9内部の液体30が移動時の加速度によって流動す
るので、図7に示すような、板材をメッシュ状に組み合
わせたスタビライザ29をステップ時に液体30中に挿
入して、液体30の流動や波立ちを押さえられる構造に
なっている。なお、実施例2の構成に対しても、同様の
ステージ構成を適用することができる。また、スタビラ
イザ29を、図13に示すように、中心に投影レンズ4
を通すための穴を設けた形状にしてもよい。
ステージ部分を示す断面図である。これは、実施例1の
構成において、液体30中に不純物が混入するのを防ぐ
ために、XYステ−ジ13の駆動系を、チャンバ9の外
部に置くように構成したものである。この場合、同図に
示すように、XYステ−ジ13全体がチャンバ9の外に
配置され、XYステ−ジ13上にチャンバ9を載せてチ
ャンバ9ごと位置決めされる。この場合、液体30全体
をステップ・アンド・リピ−ト動作させるために、チャ
ンバ9内部の液体30が移動時の加速度によって流動す
るので、図7に示すような、板材をメッシュ状に組み合
わせたスタビライザ29をステップ時に液体30中に挿
入して、液体30の流動や波立ちを押さえられる構造に
なっている。なお、実施例2の構成に対しても、同様の
ステージ構成を適用することができる。また、スタビラ
イザ29を、図13に示すように、中心に投影レンズ4
を通すための穴を設けた形状にしてもよい。
【0028】実施例5 図8は、本発明の第5の実施例に係る液浸式露光装置の
ステージ部分を示す断面図である。これは、実施例1の
構成において、液体30中に不純物が混入するのを防ぐ
ために、XYステ−ジ13の駆動系を、実施例4の場合
と同様に、チャンバ9の外部に置くように構成したもの
である。ただしこの場合は、同図に示すように、微動ス
テ−ジ14の底面に磁石27を配し、チャンバ9の底面
を透磁性の材料で構成して、チャンバ9の下部にあるX
Yステ−ジ13上の磁石28と磁気的に結合させ、チャ
ンバ9の底面を微動ステ−ジ14のガイドとして、XY
ステ−ジ13を移動させることにより、チャンバ9内の
微動ステ−ジ14を間接的に駆動させるように構成す
る。
ステージ部分を示す断面図である。これは、実施例1の
構成において、液体30中に不純物が混入するのを防ぐ
ために、XYステ−ジ13の駆動系を、実施例4の場合
と同様に、チャンバ9の外部に置くように構成したもの
である。ただしこの場合は、同図に示すように、微動ス
テ−ジ14の底面に磁石27を配し、チャンバ9の底面
を透磁性の材料で構成して、チャンバ9の下部にあるX
Yステ−ジ13上の磁石28と磁気的に結合させ、チャ
ンバ9の底面を微動ステ−ジ14のガイドとして、XY
ステ−ジ13を移動させることにより、チャンバ9内の
微動ステ−ジ14を間接的に駆動させるように構成す
る。
【0029】実施例6 図14は、本発明の第6の実施例に係る液浸式露光装置
のステージ部分を示す断面図である。これは、実施例2
の構成において、液体30中に不純物が混入するのを防
ぐために、XYステ−ジ13の駆動系を、実施例5の場
合と同様に、チャンバ9の外部に置き、微動ステ−ジ1
4の底面に磁石27を配し、チャンバ9の底面を透磁性
の材料で構成して、チャンバ9の下部にあるXYステ−
ジ13上の磁石28と磁気的に結合させ、チャンバ9の
底面を微動ステ−ジ14のガイドとして、XYステ−ジ
13を移動させることにより、チャンバ9内の微動ステ
−ジ14を間接的に駆動させるように構成したものであ
る。またさらに、微動ステージ14下面に液体を吹き出
すノズルを設け、液浸に使用している液体30をそこか
ら噴出させるようにして、流体ベアリングガイド32を
構成している。これにより、ステップ・アンド・リピー
ト動作時の可動部分の質量を軽くすることができるた
め、スループットをさらに向上させることができる。
のステージ部分を示す断面図である。これは、実施例2
の構成において、液体30中に不純物が混入するのを防
ぐために、XYステ−ジ13の駆動系を、実施例5の場
合と同様に、チャンバ9の外部に置き、微動ステ−ジ1
4の底面に磁石27を配し、チャンバ9の底面を透磁性
の材料で構成して、チャンバ9の下部にあるXYステ−
ジ13上の磁石28と磁気的に結合させ、チャンバ9の
底面を微動ステ−ジ14のガイドとして、XYステ−ジ
13を移動させることにより、チャンバ9内の微動ステ
−ジ14を間接的に駆動させるように構成したものであ
る。またさらに、微動ステージ14下面に液体を吹き出
すノズルを設け、液浸に使用している液体30をそこか
ら噴出させるようにして、流体ベアリングガイド32を
構成している。これにより、ステップ・アンド・リピー
ト動作時の可動部分の質量を軽くすることができるた
め、スループットをさらに向上させることができる。
【0030】実施例7 図9は、本発明の第7の実施例に係る液浸式露光装置の
ステージ部分を示す断面図である。これは、ウエハチャ
ック12を含む部分のみをチャンバ9内に配置しあるい
はチャンバ9の底面にウエハチャック12を直接構成
し、微動ステージ14上にチャンバ9を配置したもので
ある。この場合、チャンバ9の底面とこれに隣接する2
面とがそれぞれ直角になるようにこれらを低熱膨張材料
で構成し、この2面をレ−ザ干渉計15の計測用の参照
面とすることも可能である。
ステージ部分を示す断面図である。これは、ウエハチャ
ック12を含む部分のみをチャンバ9内に配置しあるい
はチャンバ9の底面にウエハチャック12を直接構成
し、微動ステージ14上にチャンバ9を配置したもので
ある。この場合、チャンバ9の底面とこれに隣接する2
面とがそれぞれ直角になるようにこれらを低熱膨張材料
で構成し、この2面をレ−ザ干渉計15の計測用の参照
面とすることも可能である。
【0031】なお、上述各実施例において、ウエハをウ
エハチャック12上に搬入しあるいはチャック12上か
らウエハを搬出するための搬送装置は、チャンバ9の中
に構成することもチャンバ9の外に構成することも可能
である。
エハチャック12上に搬入しあるいはチャック12上か
らウエハを搬出するための搬送装置は、チャンバ9の中
に構成することもチャンバ9の外に構成することも可能
である。
【0032】
【発明の効果】以上説明したように本発明によれば、解
像度や焦点深度を高める液浸法を、実際の製造工程で十
部に使用できる態様で、露光装置に適用することができ
るようになる。したがって、g線、i線、或はエキシマ
レーザ等の、露光光源の波長に拘らず、どの波長でも、
それぞれの波長に応じた効果を期待できるコストの安い
液浸式露光装置を提供し、更には、従来のプロセス技術
を生かせる液浸式露光装置を提供することができる。
像度や焦点深度を高める液浸法を、実際の製造工程で十
部に使用できる態様で、露光装置に適用することができ
るようになる。したがって、g線、i線、或はエキシマ
レーザ等の、露光光源の波長に拘らず、どの波長でも、
それぞれの波長に応じた効果を期待できるコストの安い
液浸式露光装置を提供し、更には、従来のプロセス技術
を生かせる液浸式露光装置を提供することができる。
【図1】 本発明の第1の実施例に係る液浸式投影露光
装置の構成を示す構成図である。
装置の構成を示す構成図である。
【図2】 図1の装置に適用される光学素子の断面図で
ある。
ある。
【図3】 図1の装置に適用される他の光学素子の断面
図である。
図である。
【図4】 図1の装置に適用されるさらに他の光学素子
の断面図である。
の断面図である。
【図5】 図1の装置において、チャンバの側面にレー
ザ干渉計を直接取り付けた場合を示すの断面図である。
ザ干渉計を直接取り付けた場合を示すの断面図である。
【図6】 本発明の第4の実施例に係る液浸式露光装置
のステージ部分を示す断面図である。
のステージ部分を示す断面図である。
【図7】 図6の装置に適用されるスタビライザの斜視
図である。
図である。
【図8】 本発明の第5の実施例に係る液浸式露光装置
のステージ部分を示す断面図である。
のステージ部分を示す断面図である。
【図9】 本発明の第7の実施例に係る液浸式露光装置
のステージ部分を示す断面図である。
のステージ部分を示す断面図である。
【図10】 液浸の効果を説明するための断面図であ
る。
る。
【図11】 本発明の第2の実施例に係る液浸式投影露
光装置の構成図である。
光装置の構成図である。
【図12】 図11におけるウエハチャックの断面図で
ある。
ある。
【図13】 図14の装置に適用できるスタビライザの
斜視図である。
斜視図である。
【図14】 図11におけるステージ部分の変形例を示
す模式図である。
す模式図である。
1:レチクル、2:ウエハ、3:照明光学系、4:投影
光学系、5:レチクルステージ、6:アライメント光学
系、7:光学素子、8:シール、9:液槽、10:ウエ
ハカセット、12:ウエハチャック、11−1〜11−
4:粗位置決め装置、13:XYステージ、14:微動
ステージ、15:レーザ干渉計、16:参照ミラー、1
7:窓、18:断熱材、19:液面ゲージ、20:温度
計、21:温度コントローラ、22:ポンプ、23:フ
ィルタ、24:測定器、25:超音波加振装置、26:
防振架台、27,28:磁石、29:スタビライザ、:
30:液体、31:搬送口、32:流体ベアリングガイ
ド、33:真空ポンプ、34:バルブ、35:ブロア、
36:圧力計、37:シャッタ機構。
光学系、5:レチクルステージ、6:アライメント光学
系、7:光学素子、8:シール、9:液槽、10:ウエ
ハカセット、12:ウエハチャック、11−1〜11−
4:粗位置決め装置、13:XYステージ、14:微動
ステージ、15:レーザ干渉計、16:参照ミラー、1
7:窓、18:断熱材、19:液面ゲージ、20:温度
計、21:温度コントローラ、22:ポンプ、23:フ
ィルタ、24:測定器、25:超音波加振装置、26:
防振架台、27,28:磁石、29:スタビライザ、:
30:液体、31:搬送口、32:流体ベアリングガイ
ド、33:真空ポンプ、34:バルブ、35:ブロア、
36:圧力計、37:シャッタ機構。
Claims (40)
- 【請求項1】 レチクルを照明する照明手段、これによ
って照明されたレチクル上のパターンをウエハ上に投影
する投影光学手段、ウエハを所定位置に位置決めする位
置決め手段を備えた投影露光装置において、投影光学手
段はウエハの露光面に対向し、平面もしくはウエハ側へ
凸んだ凸面を有する光学素子、およびこの光学素子の平
面もしくは凸面とウエハの露光面との間を少なくとも満
たす液体を保持するための液槽を具備することを特徴と
する液浸式投影露光装置。 - 【請求項2】 位置決め手段は、ウエハ位置を検出する
アライメント計測手段と、投影光学手段のフォーカス位
置に対するウエハ露光面の位置を検出するフォーカス位
置検出手段と、ウエハをその露光面に平行なXおよびY
方向、これらに垂直な軸の回りのθ方向、Z方向、なら
びにウエハを任意の方向に傾ける方向にウエハを保持し
て駆動するウエハ駆動手段と、ウエハ駆動手段の保持位
置上にウエハを搬入しおよび搬出するウエハ搬送手段と
を備えることを特徴とする請求項1記載の液浸式投影露
光装置。 - 【請求項3】 ウエハに対向する光学素子は平行平面ガ
ラスである請求項2記載の液浸式投影露光装置。 - 【請求項4】 投影光学手段は鏡筒を有し、ウエハに対
向する光学素子はその鏡筒の下端に取り付けられてお
り、その光学素子と鏡筒との間にはシール部材が設けて
あることを特徴とする請求項2記載の液浸式投影露光装
置。 - 【請求項5】 ウエハに対向する光学素子はその光軸方
向に移動させ、任意の位置に位置決め可能であることを
特徴とする請求項2記載の液浸式投影露光装置。 - 【請求項6】 ウエハに対向する光学素子の平面もしく
はウエハ側へ凸んだ凸面およびウエハの露光面の少なく
とも一方には、これら両面間を満たすために使用する液
体と浸和性のあるコーティング剤が塗布してあることを
特徴とする請求項2記載の液浸式投影露光装置。 - 【請求項7】 液槽の上面は解放されていることを特徴
とする請求項2記載の液浸式投影露光装置。 - 【請求項8】 液槽は閉空間を構成していることを特徴
とする請求項2記載の液浸式投影露光装置。 - 【請求項9】 液槽は開閉可能なウエハ搬送用の窓を有
することを特徴とする請求項8記載の液浸式投影露光装
置。 - 【請求項10】 液槽はバキュームチャンバを構成して
いる請求項8記載の液浸式投影露光装置。 - 【請求項11】 液槽内の圧力を検出するための圧力計
を有する請求項8記載の液浸式投影露光装置。 - 【請求項12】 液槽内に供給する液体の加圧装置、減
圧装置のうち少なくとも一方を有する請求項8記載の液
浸式投影露光装置。 - 【請求項13】 液槽内の液体の加圧手段を有する請求
項8記載の液浸式投影露光装置。 - 【請求項14】 液槽は光学手段に対して位置的に固定
されていることを特徴とする請求項7または8記載の液
浸式投影露光装置。 - 【請求項15】 ウエハ駆動手段は、ウエハをその露光
面に平行なXおよびY方向に移動させるためのXYステ
ージおよびその駆動手段を有し、液槽はXYステージに
位置的に固定されていることを特徴とする請求項7また
は8記載の液浸式投影露光装置。 - 【請求項16】 ウエハ駆動手段は、ウエハをその露光
面に平行なXおよびY方向に移動させるためのXYステ
ージおよびその駆動手段を有し、XYステージの駆動部
は液槽の外部に位置することを特徴とする請求項14ま
たは15記載の液浸式投影露光装置。 - 【請求項17】 ウエハ駆動手段はXおよびY方向にウ
エハを移動させるためのXYステージおよびウエハを任
意の方向に傾ける微動ステージを有し、液槽はXYステ
ージ上に配置されていることを特徴とする請求項7また
は8記載の液浸式投影露光装置。 - 【請求項18】 微動ステージは液槽内に配置され、液
槽は透磁率の高い材料で構成されており、液槽を介して
微動ステージとXYステージが磁気結合されていること
を特徴とする請求項17記載の液浸式投影露光装置。 - 【請求項19】 液槽は低熱膨張材料で構成されている
ことを特徴とする請求項14または15記載の液浸式投
影露光装置。 - 【請求項20】 位置決め手段はレーザ干渉計によりウ
エハ位置を検出する手段を有し、液槽はこのレーザ干渉
計のための窓を有することを特徴とする請求項14また
は15記載の液浸式投影露光装置。 - 【請求項21】 位置決め手段はレーザ干渉計によりウ
エハ位置を検出する手段を有し、このレーザ干渉計は液
槽に固定されていることを特徴とする請求項14または
15記載の液浸式投影露光装置。 - 【請求項22】 液槽に液体を供給しそのレベルおよび
量を制御する液体供給制御手段を備えることを特徴とす
る請求項14または15記載の液浸式投影露光装置。 - 【請求項23】 液体供給制御手段は供給する液体をろ
過する手段を有することを特徴とする請求項22記載の
液浸式投影露光装置。 - 【請求項24】 液槽に満たされた液体を加振する手段
を備える請求項14または15記載の液浸式投影露光装
置。 - 【請求項25】 ウエハを加振する手段を有する請求項
14または15記載の液浸式投影露光装置。 - 【請求項26】 ウエハに対向する光学素子を加振する
手段を有する請求項14または15記載の液浸式投影露
光装置。 - 【請求項27】 加振手段は超音波加振装置である請求
項25または26記載の液浸式投影露光装置。 - 【請求項28】 液槽内に供給された液体の温度を計測
し制御する温度制御手段を備える請求項14または15
記載の液浸式投影露光装置。 - 【請求項29】 液槽内に供給された液体の屈折率を測
定する屈折率測定手段を備える請求項14または15記
載の液浸式投影露光装置。 - 【請求項30】 液槽内に供給された液体の流動を阻止
するスタビライザを備える請求項14または15記載の
液浸式投影露光装置。 - 【請求項31】 液槽の外壁は、断熱部材で覆われてい
る請求項14または15記載の液浸式投影露光装置。 - 【請求項32】 ウエハ駆動手段は、ウエハを吸着して
保持するウエハチャックを備え、このウエハチャックは
ウエハを真空吸引して吸着するための経路、およびこの
経路内に液体が流入するのを防止するシャッタを有する
ことを特徴とする請求項14または15記載の液浸式投
影露光装置。 - 【請求項33】 ウエハ駆動手段はウエハを液槽内の露
光位置に搬入しおよび搬出するウエハ搬送手段を備え、
このウエハの搬送手段は、少なくとも一部が液槽内に配
置されていることを特徴とする請求項14または15記
載の液浸式投影露光装置。 - 【請求項34】 搬送手段は、液槽内に保持された液体
にウエハを垂直もしくは斜めに搬入し、液体中でウエハ
を水平にする手段を有する請求項33記載の液浸式投影
露光装置。 - 【請求項35】 搬送手段が液槽内に保持された液体中
からウエハを搬出する際に、ウエハの少なくとも片面を
エアーブローする手段を有する請求項33記載の液浸式
投影露光装置。 - 【請求項36】 液体を液槽内に供給しおよび排出させ
るポンプを有することを特徴とする請求項14または1
5記載の液浸式投影露光装置。がある。 - 【請求項37】 ウエハ駆動手段はXおよびY方向に移
動するXYステージおよびこれによってXおよびY方向
に移動されかつウエハを任意の方向に傾ける微動ステー
ジを有し、液槽は微動ステージ上に固定されていること
を特徴とする請求項7または8記載の液浸式投影露光装
置。 - 【請求項38】 液槽の底面がウエハを保持するウエハ
チャックを構成していることを特徴とする請求項37記
載の液浸式投影露光装置。 - 【請求項39】 液槽の少なくとも2側面が直交した平
面で構成され、これらの平面がレーザ光の反斜面を構成
していることを特徴とする請求項37記載の液浸式投影
露光装置。 - 【請求項40】 液槽の底面部材と微動ステージ底面と
が流体ベアリングの平面ガイドを構成していることを特
徴とする請求項18記載の液浸式投影露光装置。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP4296518A JPH06124873A (ja) | 1992-10-09 | 1992-10-09 | 液浸式投影露光装置 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP4296518A JPH06124873A (ja) | 1992-10-09 | 1992-10-09 | 液浸式投影露光装置 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPH06124873A true JPH06124873A (ja) | 1994-05-06 |
Family
ID=17834578
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP4296518A Pending JPH06124873A (ja) | 1992-10-09 | 1992-10-09 | 液浸式投影露光装置 |
Country Status (1)
Country | Link |
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