JPH06119252A - Information processor - Google Patents

Information processor

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Publication number
JPH06119252A
JPH06119252A JP26995792A JP26995792A JPH06119252A JP H06119252 A JPH06119252 A JP H06119252A JP 26995792 A JP26995792 A JP 26995792A JP 26995792 A JP26995792 A JP 26995792A JP H06119252 A JPH06119252 A JP H06119252A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
area
management information
data
areas
storage device
Prior art date
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Pending
Application number
JP26995792A
Other languages
Japanese (ja)
Inventor
Hirobumi Yokosuka
博文 横須賀
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Hitachi Ltd
Original Assignee
Hitachi Ltd
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Filing date
Publication date
Application filed by Hitachi Ltd filed Critical Hitachi Ltd
Priority to JP26995792A priority Critical patent/JPH06119252A/en
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  • Read Only Memory (AREA)
  • Techniques For Improving Reliability Of Storages (AREA)
  • Memory System (AREA)

Abstract

PURPOSE:To use a storage device in which the number of times of rewriting is limited also for storing data rewritten frequently by uniformizing the number of times of rewriting of a block in the storage device concerned which can be erased and written electrically by all ships or a block unit, and prolonging virtual service life of the storage device. CONSTITUTION:An area is constituted by setting one or plural blocks being an erasure unit of an electrically writable nonvolatile storage device as one unit. Erasure and write of data are executed for every area, one of the areas of the storage device is set as a management information area to store management information of storage data in the storage device, in all the areas, a storage part for showing whether it is the management information area or not is provided, and in the management information, a storage part in which the number of times of writing of all the areas is stored is provided. In such a way, the storage device in which the number of times of rewriting is limited can be used for storing data rewritten frequency, as well.

Description

【発明の詳細な説明】Detailed Description of the Invention

【0001】[0001]

【産業上の利用分野】本発明は、ワードプロセッサや、
パーソナルコンピュータ等の情報処理装置に内蔵される
半導体不揮発性記憶装置の管理装置に関する。
BACKGROUND OF THE INVENTION The present invention relates to a word processor,
The present invention relates to a management device for a semiconductor nonvolatile memory device incorporated in an information processing device such as a personal computer.

【0002】[0002]

【従来の技術】電気的に全チップあるいはブロック単位
で消去可能且つ書き込み可能な記憶装置(以下フラッシ
ュメモリとする)は不揮発性のため、記憶したデータを
保持するための電源が不要であり、プログラムやデータ
等の格納に適している。しかし、消去或いは書き込み回
数に制限があるため、頻繁に書換えをする用途には使用
できなかった。
2. Description of the Related Art A memory device (hereinafter referred to as a flash memory) that is electrically erasable and writable in all chips or blocks is non-volatile, so that a power source for holding stored data is unnecessary, and a program Suitable for storing data and data. However, since the number of times of erasing or writing is limited, it cannot be used for the purpose of rewriting frequently.

【0003】従来、一般に大容量で不揮発性の記憶装置
としては、書換え回数に規定のない固定ディスク装置が
用いられていた。
Conventionally, as a large-capacity, non-volatile storage device, a fixed disk device, which has no prescribed number of rewrites, has been used.

【0004】[0004]

【発明が解決しようとする課題】フラッシュメモリは、
固定ディスクに比べて低消費電力,軽量,耐衝撃性に優
れている等の利点を有するが、書換え回数に制限がある
という問題があった。
The flash memory is
Although it has advantages such as low power consumption, light weight, and excellent impact resistance as compared with the fixed disk, there is a problem that the number of rewriting is limited.

【0005】通常の情報処理装置では、不揮発性記憶装
置には動作プログラムや文字フォントデータ,一時保管
される各種の文書ファイルデータ等の様々なデータが混
在して記憶されている。一般には動作プログラムや文字
フォント等は一度書き込まれると書き換えられることは
少ない。また、文書ファイルデータ等は書き換えられる
ことが多い。このことから、同一の不揮発性記憶装置内
の各ブロックの書き換え回数の偏りを均一化すること
で、書き換え回数が多いブロックの書換え回数を大きく
することができる。
In a normal information processing apparatus, various data such as operation programs, character font data, and various document file data temporarily stored are mixedly stored in a non-volatile storage device. Generally, operating programs and character fonts are rarely rewritten once written. Also, document file data and the like are often rewritten. From this, it is possible to increase the number of times of rewriting of a block having a large number of times of rewriting by making the bias of the number of times of rewriting of each block in the same nonvolatile memory device uniform.

【0006】本発明の目的は、フラッシュメモリ内のブ
ロックの書換え回数を均一化し、見かけ上のフラッシュ
メモリの寿命を伸ばすことにより、書換え回数に制限の
あるフラッシュメモリを頻繁に書換えをするデータの格
納にも使用可能とすることにある。
An object of the present invention is to store data for frequent rewriting in a flash memory having a limited number of rewritings by making the number of rewritings of blocks in the flash memory uniform and extending the apparent life of the flash memory. It can also be used.

【0007】[0007]

【課題を解決するための手段】上記フラッシュメモリの
消去単位であるブロックを一つ或いは複数を一単位とし
てエリアを構成し、データの消去書き込みをエリア毎に
行う。該エリアの内の一つを管理情報エリアとし、該フ
ラッシュメモリ内の記憶データの管理情報を格納する。
また、上記全てのエリアには管理情報エリアであるかど
うかを示す記憶部(以下CDと記す)を設ける。上記管
理情報には、全てのエリアの使用状態及び格納データの
情報等のほかに、全てのエリアの書き込み回数を格納し
た記憶部(以下WCと記す)、管理情報エリアのシリア
ル番号記憶部(以下CDSNと記す)を有する。
An area is formed by using one or a plurality of blocks, which are erase units of the flash memory, as one unit, and data is erased and written for each area. One of the areas is used as a management information area, and management information of stored data in the flash memory is stored.
In addition, a storage unit (hereinafter referred to as a CD) indicating whether or not the area is a management information area is provided in all the above areas. The management information includes, in addition to information on the usage status and stored data of all areas, a storage unit (hereinafter referred to as WC) that stores the number of times of writing in all areas, a serial number storage unit of the management information area (hereinafter CDSN).

【0008】[0008]

【作用】フラッシュメモリに何も書き込まれていないこ
とを確認し、次に、各種データを上記フラッシュメモリ
の各エリアに書き込むのと同時にCDに01H(0と1
を両方含んでいるデータ消去時の値と違う値)を設定す
る。
Operation: Confirm that nothing is written in the flash memory, and then write various data in each area of the flash memory at the same time as 01H (0 and 1
(A value different from the value at the time of erasing data that includes both) is set.

【0009】次に、全てのエリアの使用状態,格納デー
タの情報等及び全エリアのWCを含む管理情報を書き込
む。このとき同時に、管理情報エリアのCDには10H
(0と1を両方含んでいるデータ消去時の値と違う値で
且つ、前記データエリアのCDとは違う値)を書き込
み、CDSNには0を書き込む。
Next, the management information including the usage status of all areas, information of stored data, etc. and WC of all areas is written. At this time, at the same time, the management information area CD has 10H
(A value different from the value at the time of erasing data and including both 0 and 1 and a value different from the CD in the data area) is written, and 0 is written to CDSN.

【0010】以上により、該フラッシュメモリの初期化
が終了する。
With the above, initialization of the flash memory is completed.

【0011】エリアの内容を消去すると同時に、該エリ
アのCDはクリアされ初期値が設定される。このため、
消去されたエリアはデータエリア及び管理情報エリアと
区別できる。
At the same time as erasing the contents of the area, the CD in the area is cleared and the initial value is set. For this reason,
The erased area can be distinguished from the data area and the management information area.

【0012】現在の半導体デバイス技術では、フラッシ
ュメモリの書換え保証回数は、10,000回から1,000,000
回の間程度である。書換え保証回数の数分に1ないし数
百分の1程度の適当な数を、エリア交換回数(以下AC
Cと記す)に決定する。上記フラッシュメモリに対して
書き込みが発生すると管理情報により、有効データの格
納されていないエリアの中で、書換え回数の最も少ない
エリアを選択して書き込みを行う。また、管理情報内の
書換えたエリアのWCと、管理情報エリアのWCをイン
クリメントし、管理情報を書換える。この管理情報書換
え時、もし、管理情報のWCが前記ACCのn倍(nは
正の整数)に達すれば、管理情報を格納するエリアを、
全ての使用可能なエリアの中で書換え回数の最も少ない
エリアに置き換える。
In the current semiconductor device technology, the guaranteed number of rewrites for flash memory is 10,000 to 1,000,000.
It is about a time. An appropriate number, such as one to several hundredths, of the guaranteed number of rewrites will be used as the number of area replacements (hereinafter AC
C)). When a write occurs in the flash memory, the management information is used to select the area having the smallest number of rewrites from the areas in which valid data is not stored. Also, the WC of the rewritten area in the management information and the WC of the management information area are incremented to rewrite the management information. At the time of rewriting the management information, if the WC of the management information reaches n times the ACC (n is a positive integer), the area for storing the management information is changed to
Replace with the area with the least number of rewrites in all available areas.

【0013】管理情報エリアは、全てのエリアに対する
書き込みが発生する毎に書換えが発生するため、最も書
換え回数が多くなるが、上記のように、一定回数の書換
えを行う毎に管理情報エリアを移動し、定まったエリア
だけが書換え回数が多くなることはない。
Since the management information area is rewritten every time writing to all areas occurs, the number of times of rewriting increases, but as described above, the management information area is moved every time a certain number of times of rewriting is performed. However, the number of rewrites does not increase only in a fixed area.

【0014】これにより、フラッシュメモリ内のブロッ
クの書換え回数を均一化し、見かけ上のフラッシュメモ
リの寿命を伸ばすことができる。
This makes it possible to make the number of times of rewriting of blocks in the flash memory uniform and extend the apparent life of the flash memory.

【0015】また、管理情報エリアの消去に失敗した場
合には、CDSNの値を更新して新しく管理情報エリア
を設定する。ここで、CDが10Hのエリアが複数出来
てしまう可能性があるが、CDSNの値の最新のものを
管理情報エリアに選択することにすれば、管理情報エリ
アが書き込み消去不能になっても正しい管理情報を選択
できる。
If the deletion of the management information area fails, the value of CDSN is updated and a new management information area is set. Here, there is a possibility that a plurality of CD 10H areas will be created, but if the latest CDSN value is selected as the management information area, it is correct even if the management information area cannot be written and erased. You can select management information.

【0016】[0016]

【実施例】以下、本発明の一実施例を各図により説明す
る。図1は、本発明に係る情報処理装置を構成した一実
施例である。
An embodiment of the present invention will be described below with reference to the drawings. FIG. 1 is an embodiment of an information processing apparatus according to the present invention.

【0017】CPU101は、中央処理装置であって、
RAM102,ROM103に存在するプログラムに従
って動作し、表示装置105により表示を行い、I/O
装置106によりデータの入力及び出力を行う。
The CPU 101 is a central processing unit,
It operates according to programs existing in the RAM 102 and the ROM 103, displays on the display device 105, and performs I / O.
The device 106 inputs and outputs data.

【0018】RAM102は、ランダムアクセス可能な
書き込み読みだし可能な記憶装置であって、CPU10
1の動作するプログラムやデータを一時的に格納する。
The RAM 102 is a randomly readable and writable storage device, and is a CPU 10
Temporarily stores the operating program and data of 1.

【0019】RAM102は揮発性であり、電源を切断
すると内容は全て消去される。
The RAM 102 is volatile, and all contents are erased when the power is turned off.

【0020】ROM103は、ランダムアクセス可能な
読みだし専用の記憶装置であって、CPU101の動作
するプログラムや各種データを格納してある。ROM1
03は不揮発性のため、電源投入時にCPU101が最
初に実行するプログラムを格納してある。
The ROM 103 is a random-accessible read-only storage device, and stores programs for operating the CPU 101 and various data. ROM1
Since 03 is non-volatile, a program that the CPU 101 first executes when the power is turned on is stored.

【0021】表示装置105は、CPU101の指令に
より表示を行う。
The display device 105 displays according to a command from the CPU 101.

【0022】I/O装置106は、キーボードやプリン
タといった入出力装置であって、本情報処理装置の入出
力を司る。
The I / O device 106 is an input / output device such as a keyboard and a printer, and controls input / output of the information processing device.

【0023】フラッシュメモリ104は、前記のように
電気的に全チップあるいはブロック単位で消去可能且つ
書き込み可能な記憶装置であり、動作プログラムや文字
フォントデータ,一時保管される各種の文書ファイルデ
ータ等の様々なデータが記憶される。本実施例では、ブ
ロック毎に連続してアクセスを行うフラッシュメモリを
使用している。
The flash memory 104 is a memory device that can be electrically erased and written in all chips or blocks as described above, and stores an operation program, character font data, various temporarily stored document file data, and the like. Various data are stored. In this embodiment, a flash memory is used, which is accessed continuously for each block.

【0024】次に、本発明に係るフラッシュメモリ10
4の制御方法について説明する。
Next, the flash memory 10 according to the present invention.
The control method of No. 4 will be described.

【0025】図2は、フラッシュメモリ104内に格納
するデータの構成を示す実施例である。フラッシュメモ
リ104内は、データエリアと管理情報エリアと未使用
エリアが存在する。データエリアの先頭にはCD=01
Hが、管理情報エリアの先頭にはCD=10Hが書き込
まれている。また、管理情報エリアには、CDSNが書
き込まれてあり、何番目の管理情報であるかという情報
が格納されている。未使用エリアはデータを消去したま
ま書き込みを行っていないエリアであり、全ビットが1
または0となっている。
FIG. 2 is an embodiment showing the structure of data stored in the flash memory 104. The flash memory 104 has a data area, a management information area, and an unused area. CD = 01 at the beginning of the data area
H, CD = 10H is written at the beginning of the management information area. Further, in the management information area, the CDSN is written, and information indicating what number management information is stored. The unused area is an area where data is erased but not written, and all bits are 1
Or it is 0.

【0026】次に、該フラッシュメモリ104に対する
アクセス方法について詳述する。
Next, a method of accessing the flash memory 104 will be described in detail.

【0027】図3は、初めてデータを書き込むときのフ
ローである。301,302で、データエリアに書き込
みを行い、次に303,304で、書き込んだデータの
管理情報を書き込む。何も書き込まれていないエリア
(未使用エリア)は全ビットが1または0となってお
り、CDの値によって区別される。
FIG. 3 is a flow when writing data for the first time. At 301 and 302, the data area is written, and at 303 and 304, the management information of the written data is written. An area where nothing is written (unused area) has all bits set to 1 or 0, and is distinguished by the value of CD.

【0028】図4は、通常使用で電源投入時の処理を示
している。フラッシュメモリ104の管理情報は頻繁に
使用するので、電源投入時にRAM102にロードして
おく処理である。管理情報エリアを選択するにあたり、
まず401で全エリアに対してCD=10Hのエリアを
探す。402,403では、以前に管理情報エリアの消
去に失敗しているとCD=10Hのエリアが複数存在す
るので、その中からCDSN値の一番大きな管理情報エ
リアを選択してRAM102にロードする。この処理に
よって、電源投入前に書き込まれていた正しい管理情報
を知ることができ、また、RAM102上にロードして
おくことによって、CPU101は迅速に管理情報を利
用することができる。
FIG. 4 shows the processing when the power is turned on in normal use. Since the management information of the flash memory 104 is frequently used, it is a process to be loaded in the RAM 102 when the power is turned on. When selecting the management information area,
First, in 401, an area of CD = 10H is searched for in all areas. In 402 and 403, if there is a failure in deleting the management information area before, there are a plurality of areas with CD = 10H, so the management information area with the largest CDSN value is selected and loaded into the RAM 102. By this processing, the correct management information written before the power is turned on can be known, and by loading it on the RAM 102, the CPU 101 can quickly use the management information.

【0029】図5は、フラッシュメモリ104からデー
タを読みだすときの処理を示している。501で管理情
報から必要なデータの存在するエリアを探索し、502
で読みだす。フラッシュメモリ104からのデータの読
みだしはシリアルに行われ、CPU101はRAM10
2へ展開する。このとき、CDの値は読みとばすことで
複数のエリアにまたがったデータをRAM102上に連
続して展開できる。フラッシュメモリからのデータを読
みだし回数には制限等はない。
FIG. 5 shows a process of reading data from the flash memory 104. In 501, an area where necessary data exists is searched from the management information, and 502
Read on. The reading of data from the flash memory 104 is performed serially, and the CPU 101 uses the RAM 10
Expand to 2. At this time, the CD value can be skipped so that data that spans a plurality of areas can be continuously expanded on the RAM 102. There is no limit to the number of times data can be read from the flash memory.

【0030】図6は、フラッシュメモリ104内のデー
タを書換えるときの処理を示している。文書ファイルデ
ータの登録といったフラッシュメモリ104への書き込
みが発生すると、601ではRAM102上の管理情報
から使用可能なエリアの中でWCの一番小さいエリアを
選択し、602でデータエリアであることを示すCD=
01Hを含めデータの書き込みを行う。603では、R
AM102上で書き込んだデータエリアの管理情報を更
新し、604で管理情報を書き込む。
FIG. 6 shows a process when rewriting the data in the flash memory 104. When writing to the flash memory 104 such as registration of document file data occurs, an area having the smallest WC is selected from management information on the RAM 102 in 601 and a data area is indicated in 602. CD =
Data is written including 01H. In 603, R
The management information of the data area written in the AM 102 is updated, and the management information is written in 604.

【0031】以上説明したようなフローでデータ及び管
理情報の書き込みを行うが、書き込み処理の際は使用済
みエリアに対する内部データの消去処理を行わなければ
ならない場合がある。
Although the data and management information are written in the flow as described above, there are cases where the internal data must be erased from the used area during the writing process.

【0032】次に、図7,図8,図9を用いて、30
2,304,602,604で行っているデータと管理
情報の書き込み処理について詳細に説明する。
Next, referring to FIG. 7, FIG. 8 and FIG.
2, 304, 602, and 604, the data and management information write processing will be described in detail.

【0033】図7は、データエリアの書き込み処理を示
している。
FIG. 7 shows a data area writing process.

【0034】701〜705では、書き込もうとするエ
リアが使用済みであった場合の消去処理を示している。
データの消去を行って失敗した場合には、再度消去処理
を行う。既定回数(Z+1)回行って消去できなかった
場合には、710のアラーム処理1に移り、711で該
当エリアは使用不能として他のエリアを探し再度データ
の書換え処理を行う。
Reference numerals 701 to 705 show the erasing process when the area to be written is already used.
If the data is erased and it fails, the erase process is performed again. If the data cannot be erased after the predetermined number of times (Z + 1), the process shifts to the alarm processing 1 of 710, the area is regarded as unusable in 711, another area is searched for, and data rewriting processing is performed again.

【0035】710のアラーム処理1は、表示装置10
5により、一つのエリアが使用不能になったことを操作
者に知らせる。このとき、フラッシュメモリ104の使
用可能容量や、使用できなくなったエリア数,使用でき
なくなったエリアの百分率等を示しても良い。アラーム
処理701は必要なければ行わなくて良い。
The alarm processing 1 of 710 corresponds to the display device 10.
5 informs the operator that one area has become unusable. At this time, the usable capacity of the flash memory 104, the number of areas that cannot be used, the percentage of areas that cannot be used, and the like may be indicated. The alarm processing 701 may be omitted if it is not necessary.

【0036】706〜709では、データの書き込み処
理を示している。書き込んだ後に書き込まれたデータが
正常かどうかを確認し、正常でなければ再度書き込みを
行う。規定回数Z回行って書き込みできなかった場合に
は、710のアラーム処理1に移り、711で該当エリ
アは使用不能として他のエリアを探し再度データの書換
え処理を行う。
Reference numerals 706 to 709 represent data write processing. After writing, check if the written data is normal, and if it is not normal, write again. If the writing cannot be performed after the specified number of Z times, the process proceeds to the alarm processing 1 of 710, and the area is regarded as unusable in 711, another area is searched for, and the data rewriting processing is performed again.

【0037】図8は、管理情報エリアの書き込み処理を
示している。701〜711の処理はデータエリアの書
き込み処理と同じであるが、801,802の処理が追
加されている。801,802では、WCの値がエリア
交換回数ACCのn倍(nは正の整数)に達したとき
に、管理情報エリアを、他のWCの小さいエリアに変更
する処理を行う。該管理情報格納エリアの変更を行う処
理を(A)として図9に示している。
FIG. 8 shows the writing process of the management information area. The processing of 701 to 711 is the same as the writing processing of the data area, but the processing of 801 and 802 is added. In 801 and 802, when the value of WC reaches n times the number of area exchanges ACC (n is a positive integer), the management information area is changed to another area with a smaller WC. A process for changing the management information storage area is shown in FIG. 9 as (A).

【0038】図9では、901で管理情報のWCが、使
用しているフラッシュメモリの書換え保証回数に達した
かどうか確認する。書換え保証回数に達した場合はアラ
ーム処理2で表示装置105により1つのエリアが書換
え保証回数に達したことを操作者に知らせる。このと
き、アラーム処理1と同様に、フラッシュメモリ104
の使用可能容量や、使用できなくなったエリア数,使用
できなくなったエリアの百分率,書換え保証回数を超え
たエリア数等を示しても良い。アラーム処理702は必要
なければ行わなくて良い。
In FIG. 9, it is confirmed at 901 whether the WC of the management information has reached the guaranteed number of rewrites of the flash memory used. When the guaranteed number of rewrites has been reached, the alarm processing 2 notifies the operator that the display device 105 has reached the guaranteed number of rewrites. At this time, as in the alarm process 1, the flash memory 104
The available capacity, the number of areas that cannot be used, the percentage of areas that cannot be used, and the number of areas that have exceeded the guaranteed number of rewrites may be indicated. The alarm processing 702 may be omitted if not necessary.

【0039】管理情報のエリアを変更する場合は、まず
903で、管理情報から全エリアの中でWCの一番小さ
いエリアを選択し、904で選択されたエリアに格納さ
れているデータをそれまでの管理情報が格納されていた
エリアに変更し、905で選択されたWCの一番小さい
エリアを、管理情報エリアとする。エリアの変更が終了
すると、(B)に続いて図7に示したデータエリアの書
き込み処理または図8に示した管理情報の書き込み処理
を行う。
When the area of the management information is changed, first, at 903, the area having the smallest WC is selected from the management information, and the data stored in the area selected at 904 is changed up to that point. The management information area is changed to the area in which the management information is stored and the area having the smallest WC selected in 905 is set as the management information area. When the area change is completed, the data area writing process shown in FIG. 7 or the management information writing process shown in FIG. 8 is performed following (B).

【0040】以上説明したように本発明によれば、管理
情報エリアは、データエリアまたは管理情報エリアへの
書き込みが起こる毎に書換えが発生するが、一定回数ご
とに格納するエリアを変更するので全てのエリアの書換
え回数を均一化できる。
As described above, according to the present invention, the management information area is rewritten each time writing to the data area or the management information area occurs. The number of rewrites in the area can be made uniform.

【0041】また、上記のようにデータの書き込みが発
生すると、そのとき必ずフラッシュメモリの管理情報を
最新のものに書換えるので、不用意に電源が切断されて
も管理情報はフラッシュメモリに格納されているので管
理情報が消えてしまうことがない。
When data is written as described above, the management information of the flash memory is always rewritten to the latest one, so that the management information is stored in the flash memory even if the power is carelessly turned off. The management information does not disappear.

【0042】また、前記のようにフラッシュメモリ内の
ブロックの書換え回数を均一化できるため、一つのエリ
アが書換え不能となった、或いは書換え保証回数に達し
たときには、全てのエリアでフラッシュメモリが使用不
能となる確率が増大していることになる。このときアラ
ーム処理を行うことにより操作者に対してフラッシュメ
モリの交換時期が近いことを知らせることができ、良好
な操作性を提供できる。
Further, since the number of times of rewriting blocks in the flash memory can be made uniform as described above, when one area becomes unrewritable or the guaranteed number of times of rewriting is reached, the flash memory is used in all areas. The probability of being disabled is increasing. At this time, alarm processing can be performed to notify the operator that the flash memory is about to be replaced, and good operability can be provided.

【0043】[0043]

【発明の効果】以上説明したように本発明によれば、フ
ラッシュメモリ内のブロックの書換え回数を均一化し見
かけ上のフラッシュメモリの寿命を伸ばすことにより、
書換え回数に制限のあるフラッシュメモリを頻繁に書換
えをするデータの格納にも使用可能とすることができ
る。
As described above, according to the present invention, by making the number of times of rewriting of blocks in the flash memory uniform and extending the apparent life of the flash memory,
The flash memory, which has a limited number of rewrites, can be used for storing data that is frequently rewritten.

【0044】また、フラッシュメモリ内のデータの管理
情報をフラッシュメモリ内に格納しているため、他に管
理情報を格納するための不揮発性記憶装置を有する必要
がない。
Further, since the management information of the data in the flash memory is stored in the flash memory, it is not necessary to have another non-volatile storage device for storing the management information.

【図面の簡単な説明】[Brief description of drawings]

【図1】本発明の一実施例情報処理装置のブロック構成
図。
FIG. 1 is a block configuration diagram of an information processing apparatus according to an embodiment of the present invention.

【図2】フラッシュメモリ内に格納するデータの構成を
示す図。
FIG. 2 is a diagram showing a configuration of data stored in a flash memory.

【図3】フラッシュメモリに初めてデータを書き込むと
きの動作フロー。
FIG. 3 is an operation flow when writing data to a flash memory for the first time.

【図4】電源投入時の管理情報読みだし処理フロー。FIG. 4 is a flow chart of management information reading processing when the power is turned on.

【図5】データ読みだし処理フロー。FIG. 5 is a data reading process flow.

【図6】データを書換えるときの処理フロー。FIG. 6 is a processing flow when rewriting data.

【図7】データエリアへの書き込み処理フロー。FIG. 7 is a flow chart of a writing process to a data area.

【図8】管理情報エリアへの書き込み処理フロー。FIG. 8 is a flow chart of a writing process to a management information area.

【図9】管理情報のエリアを変更する処理フロー。FIG. 9 is a processing flow for changing the area of management information.

【符号の説明】[Explanation of symbols]

101…中央処理装置、102…RAM、103…フラ
ッシュメモリ、104…表示装置、105…I/O装
置。
101 ... Central processing unit, 102 ... RAM, 103 ... Flash memory, 104 ... Display device, 105 ... I / O device.

Claims (5)

【特許請求の範囲】[Claims] 【請求項1】電気的に全チップあるいはブロック単位で
消去可能且つ書き込み可能な記憶装置を有し、該記憶装
置の消去単位であるブロックを一つ或いは複数を一単位
としてエリアを構成し、データの消去書き込みをエリア
毎に行う情報処理装置において、 該記憶装置のエリアの内の一つを管理情報エリアとし、
該エリア内に上記電気的書き込み可能な不揮発性記憶装
置内の記憶データの管理情報を格納し、また、全てのエ
リアには管理情報エリアであるかどうかを示す記憶部を
設けると共に、上記管理情報には全てのエリアの書き込
み回数を格納した記憶部を設けたことを特徴とする情報
処理装置。
1. An electrically erasable and writable memory device for all chips or block units, wherein an area is formed by using one or a plurality of blocks, which are the erase units of the memory device, as one unit. In an information processing device for erasing and writing data for each area, one of the areas of the storage device is a management information area,
The management information of the storage data in the electrically writable non-volatile storage device is stored in the area, and a storage unit for indicating whether or not the area is the management information area is provided in all the areas, and the management information is also provided. An information processing device, wherein a storage unit storing the number of writings in all areas is provided in the information processing device.
【請求項2】請求項1の情報処理装置において、 管理情報を格納するエリアの書き込み数がある一定数を
超える毎に、管理情報エリアを全エリアの中で書き込み
回数の一番小さいエリアに変更することを特徴とする情
報処理装置。
2. The information processing apparatus according to claim 1, wherein the management information area is changed to an area with the smallest number of writings in all areas every time the number of writings in the area for storing management information exceeds a certain number. An information processing device characterized by:
【請求項3】請求項1の情報処理装置において、 管理情報にシリアル番号を設け、管理情報が消去不能に
なったときに、シリアル番号により最新の管理情報を区
別することを特徴とする情報処理装置。
3. The information processing apparatus according to claim 1, wherein the management information is provided with a serial number, and when the management information cannot be erased, the latest management information is distinguished by the serial number. apparatus.
【請求項4】請求項1の情報処理装置において、 上記電気的書き込み可能な不揮発性記憶装置内のデータ
の消去或いは書き込みに失敗したときに警告を行うこと
を特徴とする情報処理装置。
4. The information processing apparatus according to claim 1, wherein a warning is issued when erasing or writing of data in the electrically writable nonvolatile memory device fails.
【請求項5】請求項1の情報処理装置において、 上記電気的書き込み可能な不揮発性記憶装置内のデータ
の書換え回数が、書換え保証回数を超えたときに警告を
行うことを特徴とする情報処理装置。
5. The information processing apparatus according to claim 1, wherein a warning is issued when the number of times data is rewritten in the electrically writable nonvolatile storage device exceeds the guaranteed number of times of rewriting. apparatus.
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Cited By (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH0896589A (en) * 1994-09-28 1996-04-12 Nec Corp Semiconductor storage device
US5963474A (en) * 1998-05-11 1999-10-05 Fujitsu Limited Secondary storage device using nonvolatile semiconductor memory
JP2008009636A (en) * 2006-06-28 2008-01-17 Toshiba Microelectronics Corp Storage device
US8429366B2 (en) 2007-04-25 2013-04-23 Kabushiki Kaisha Toshiba Device and method for memory control and storage device

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