JPH05325822A - Cathode-ray tube - Google Patents

Cathode-ray tube

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Publication number
JPH05325822A
JPH05325822A JP12232892A JP12232892A JPH05325822A JP H05325822 A JPH05325822 A JP H05325822A JP 12232892 A JP12232892 A JP 12232892A JP 12232892 A JP12232892 A JP 12232892A JP H05325822 A JPH05325822 A JP H05325822A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
cathode
grid
electron
crossover
electron beam
Prior art date
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Pending
Application number
JP12232892A
Other languages
Japanese (ja)
Inventor
Kazunori Sato
和則 佐藤
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Toshiba Corp
Original Assignee
Toshiba Corp
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Filing date
Publication date
Application filed by Toshiba Corp filed Critical Toshiba Corp
Priority to JP12232892A priority Critical patent/JPH05325822A/en
Publication of JPH05325822A publication Critical patent/JPH05325822A/en
Pending legal-status Critical Current

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Abstract

PURPOSE:To improve the resolution by reducing the aberration at the time of forming a crossover, and reducing the beam spot diameter on a phosphor screen. CONSTITUTION:A cathode-ray tube is provided with an electron gun 16 having a cathode K and plural electrodes, which include a first grid G1 and a second grid G2 arranged from the cathode K to the phosphor screen so as to be adjacent in order, and forming a crossover of the cathode K and the first and the second grids G1, G2 adjacent to the cathode K in order to emit the electron beam. The first grid G1 is formed with an electron beam passing hole, of which a hole diameter becomes minimum between the cathode K side end surface and the second grid G2 side end surface.

Description

【発明の詳細な説明】Detailed Description of the Invention

【0001】[0001]

【産業上の利用分野】この発明は、カラー受像管などの
陰極線管に係り、特に電子銃の性能を向上して、蛍光体
スクリーン上に小さなビームスポットが得られるように
した陰極線管に関する。
BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to a cathode ray tube such as a color picture tube, and more particularly to a cathode ray tube which improves the performance of an electron gun so that a small beam spot can be obtained on a phosphor screen.

【0002】[0002]

【従来の技術】陰極線管の一例としてカラー受像管につ
いて説明すると、一般にカラー受像管は、パネルおよび
漏斗状のファンネルからなる外囲器を有し、そのパネル
の内面に、青,緑,赤に発光するドット状またはストラ
イプ状の3色蛍光体層からなる蛍光体スクリーンが形成
され、この蛍光体スクリーンに対向して、その内側にシ
ャドウマスクが装着されている。一方、ファンネルのネ
ック内に3電子ビームを放出する電子銃が配置されてい
る。そして、この電子銃から放出される電子ビームをフ
ァンネルの外側に装着された偏向ヨークの発生する磁界
により偏向して、蛍光体スクリーンを水平、垂直走査す
ることにより、カラー画像を表示する構造に形成されて
いる。
2. Description of the Related Art A color picture tube will be described as an example of a cathode ray tube. Generally, a color picture tube has an envelope composed of a panel and a funnel-shaped funnel, and blue, green, and red are provided on the inner surface of the panel. A phosphor screen composed of a dot-shaped or stripe-shaped three-color phosphor layer that emits light is formed, and a shadow mask is mounted inside the phosphor screen so as to face the phosphor screen. On the other hand, an electron gun that emits three electron beams is arranged in the neck of the funnel. Then, the electron beam emitted from this electron gun is deflected by the magnetic field generated by the deflection yoke mounted outside the funnel, and the phosphor screen is horizontally and vertically scanned to form a structure for displaying a color image. Has been done.

【0003】今日最も広く普及しているセルフコンバー
ゼンス方式インライン型カラー受像管では、電子銃は、
同一水平面上を通るセンタービームおよび一対のサイド
ビームからなる一列配置の3電子ビームを放出する構造
に形成され、この電子ビームを偏向する偏向ヨークは、
電子ビームを水平方向に偏向する水平偏向磁界をピンク
ッション形、垂直方向に偏向する垂直偏向磁界をバレル
形とするものとなっている。
In the most widely used self-convergence in-line type color picture tube today, the electron gun is
The deflection yoke, which is formed in a structure that emits three electron beams arranged in a row and composed of a center beam and a pair of side beams that pass on the same horizontal plane, and which deflects the electron beam
The horizontal deflection magnetic field that deflects the electron beam in the horizontal direction is a pincushion type, and the vertical deflection magnetic field that deflects the electron beam in the vertical direction is a barrel type.

【0004】このようなカラー受像管において、解像度
を良好にするためには、蛍光体スクリーン上のビームス
ポットの径をできるだけ小さくすることが必要であり、
そのためには、電子銃の性能を向上させることが必要で
ある。
In such a color picture tube, in order to improve the resolution, it is necessary to make the diameter of the beam spot on the phosphor screen as small as possible.
For that purpose, it is necessary to improve the performance of the electron gun.

【0005】一般に陰極線管の電子銃は、カソード、こ
のカソードからの電子放出を制御しかつ放出された電子
を集束して電子ビームを形成する電子ビーム形成部を構
成する電極、およびこの電子ビーム形成部から放出され
る電子ビームを蛍光体スクリーン上に集束する主電子レ
ンズ部を構成する電極など、複数の電極を有する。
Generally, an electron gun of a cathode ray tube has a cathode, an electrode which controls an electron emission from the cathode and which constitutes an electron beam forming unit for focusing the emitted electron to form an electron beam, and the electron beam forming. It has a plurality of electrodes, such as the electrodes that form the main electron lens unit that focuses the electron beam emitted from the unit onto the phosphor screen.

【0006】図4にその電子銃の一例を示す。この電子
銃は、カソードK 、このカソードK上に順次隣接して蛍
光体スクリーン1 方向に所定間隔離れて配置された第1
乃至第4グリッドG1〜G4からなる。その第1および第2
グリッドG1,G2は、比較的小さな電子ビーム通過孔の形
成された板状電極からなる。第3グリッドG3はカップ状
電極からなり、その第2グリッドG2側の端面には、第2
グリッドG2の電子ビーム通過孔よりも大きな電子ビーム
通過孔が、また第4グリッドG4側には、さらに大きな電
子ビーム通過孔が形成されている。第4グリッドG4は筒
状の電極からなり、この第4グリッドG4には、第3グリ
ッドG3の第4グリッドG4側の電子ビーム通過孔と同じ大
きさの電子ビーム通過孔が形成されている。
FIG. 4 shows an example of the electron gun. This electron gun is composed of a cathode K, a first cathode disposed on the cathode K, and a first cathode disposed at a predetermined interval in the direction of the phosphor screen 1.
To fourth grids G1 to G4. The first and second
The grids G1 and G2 are composed of plate electrodes having relatively small electron beam passage holes. The third grid G3 is composed of a cup-shaped electrode, and the second grid G2 side end surface has a second grid G2.
An electron beam passage hole larger than the electron beam passage hole of the grid G2 is formed, and a larger electron beam passage hole is formed on the fourth grid G4 side. The fourth grid G4 is composed of a cylindrical electrode, and the fourth grid G4 is formed with an electron beam passage hole having the same size as the electron beam passage hole on the fourth grid G4 side of the third grid G3.

【0007】この電子銃では、カソードK および第1、
第2、第3グリッドG1,G2,G3により電子ビーム形成部
GEA が形成され、第3、第4グリッドG3,G4により主電
子レンズ部 MLAが形成される。すなわち、カソードK お
よび第1乃至第4グリッドG1〜G4に所定の電位を与える
ことにより、カソードK から放出される電子は、カソー
ドK および第1、第2グリッドG1,G2により形成される
カソードレンズKLにより、クロスオーバCOを形成し、つ
いで第2、第3グリッドG2,G3により形成されるプリフ
オーカスレンズPLにより、わずかに集束され、仮想クロ
スオーバVCO を形成して発散しながら第3グリッドG3に
入射する。この第3グリッドG3に入射した電子ビーム2
は、第3、第4グリッドG3,G4により形成される主電子
レンズMLにより、蛍光体スクリーン1 上に集束される。
In this electron gun, the cathode K and the first,
Electron beam forming unit by the second and third grids G1, G2, G3
GEA is formed, and the main electron lens unit MLA is formed by the third and fourth grids G3 and G4. That is, by giving a predetermined potential to the cathode K and the first to fourth grids G1 to G4, the electrons emitted from the cathode K are formed by the cathode K and the first and second grids G1 and G2. The crossover CO is formed by KL, and then slightly focused by the prefocus lens PL formed by the second and third grids G2 and G3, forming a virtual crossover VCO and diverging to the third grid. It is incident on G3. Electron beam 2 incident on this third grid G3
Are focused on the phosphor screen 1 by the main electron lens ML formed by the third and fourth grids G3 and G4.

【0008】したがって解像度を良好にするためには、
上記蛍光体スクリーン1 上に集束される電子ビーム2 の
ビームスポットSPの径をできるだけ小さくすればよい
が、カソードK からの電子ビームは、カソードK および
第1、第2グリッドG1,G2により、離軸ビームが近軸ビ
ームよりも強く集束され、クロスオーバCO点で既に収差
をもつ。さらにこの収差は、プリフオーカスレンズPLや
主電子レンズMLで加算されるため、蛍光体スクリーン1
上に電子ビームを最適に集束するようにしても、蛍光体
スクリーン1 に対して近軸ビームは未集束状態となり、
一方、離軸ビームは過集束状態となる。そのため、蛍光
体スクリーン1 上のビームスポットSPの径を小さくする
ことは困難である。
Therefore, in order to improve the resolution,
The diameter of the beam spot SP of the electron beam 2 focused on the phosphor screen 1 may be made as small as possible, but the electron beam from the cathode K is separated by the cathode K and the first and second grids G1, G2. The axial beam is more strongly focused than the paraxial beam and already has aberrations at the crossover CO point. Furthermore, this aberration is added by the prefocus lens PL and the main electron lens ML, so the phosphor screen 1
Even if the electron beam is optimally focused on the top, the paraxial beam is unfocused with respect to the phosphor screen 1.
On the other hand, the off-axis beam becomes overfocused. Therefore, it is difficult to reduce the diameter of the beam spot SP on the phosphor screen 1.

【0009】従来より、この蛍光体スクリーン上のビー
ムスポット径を小さくするために、四極子レンズや楕円
レンズなどのアスティグレンズを取入れて、上記収差を
小さくするようにした電子銃がある。しかしこのような
アスティグレンズを用いると、一方向の収差を低減する
ことは可能であるが、逆に他方向の収差が増大したり、
電子レンズの倍率が悪くなるなどの問題が生ずる。
Conventionally, in order to reduce the beam spot diameter on the phosphor screen, there is an electron gun in which an Astig lens such as a quadrupole lens or an elliptical lens is incorporated to reduce the above-mentioned aberration. However, when such an Astig lens is used, it is possible to reduce the aberration in one direction, but on the contrary, the aberration in the other direction increases,
There arises a problem that the magnification of the electronic lens is deteriorated.

【0010】[0010]

【発明が解決しようとする課題】上記のように、陰極線
管の解像度を良好にするためには、蛍光体スクリーン上
のビームスポット径をできるだけ小さくすることが必要
であり、そのためには、電子銃の性能を向上させること
が必要である。しかし一般にカソードからの電子ビーム
は、カソードおよび第1、第2グリッドにより、近軸ビ
ームよりも離軸ビームの方が強く集束され、クロスオー
バ点で既に収差をもち、さらにプリフオーカスレンズや
主電子レンズでその収差が加算されるため、蛍光体スク
リーン上に電子ビームを最適に集束するようにしても、
蛍光体スクリーンに対して近軸ビームは未集束状態とな
り、一方、離軸ビームは過集束状態となり、蛍光体スク
リーン上のビームスポットの径を小さくすることは困難
である。従来よりこの蛍光体スクリーン上のビームスポ
ット径を小さくするために、四極子レンズや楕円レンズ
などのアスティグレンズを取入れて、収差を小さくする
ようにした電子銃があるが、このようなアスティグレン
ズを用いると、一方向の収差を低減することは可能であ
るが、逆に他方向の収差が増大したり、電子レンズの倍
率が悪くなるなどの問題が生じ、蛍光体スクリーン上の
ビームスポット径を小さくすることはきわめて困難であ
る。
As described above, in order to improve the resolution of the cathode ray tube, it is necessary to make the beam spot diameter on the phosphor screen as small as possible. For that purpose, the electron gun is used. It is necessary to improve the performance of. However, in general, the electron beam from the cathode is more strongly focused on the off-axis beam than on the paraxial beam due to the cathode and the first and second grids, and already has aberration at the crossover point, and also the prefocus lens and the main lens. Since the aberration is added by the electron lens, even if the electron beam is optimally focused on the phosphor screen,
The paraxial beam is unfocused with respect to the phosphor screen, while the off-axis beam is overfocused, making it difficult to reduce the diameter of the beam spot on the phosphor screen. In order to reduce the beam spot diameter on this phosphor screen, there is an electron gun that incorporates an Astig lens such as a quadrupole lens or an elliptical lens to reduce the aberration. If a lens is used, it is possible to reduce aberrations in one direction, but on the contrary, problems such as increase in aberrations in the other direction and poor magnification of the electron lens occur, and the beam spot on the phosphor screen It is extremely difficult to reduce the diameter.

【0011】この発明は、上記問題点を解決するために
なされたものであり、蛍光体スクリーン上のビームスポ
ット径を小さくして、解像度のきわめて良好な陰極線管
を構成することを目的とする。
The present invention has been made to solve the above problems, and an object of the present invention is to reduce the beam spot diameter on the phosphor screen to form a cathode ray tube having an extremely good resolution.

【0012】[0012]

【課題を解決するための手段】カソードおよびこのカソ
ード上に順次隣接して蛍光体スクリーン方向に配置され
た第1、第2グリッドを含む複数の電極を有し、カソー
ドおよびこのカソードに順次隣接する第1、第2グリッ
ドによりカソードからクロスオーバを形成して電子ビー
ムを放出する電子銃を備える陰極線管において、その第
1グリッドにカソード側の端面と第2グリッド側の端面
との間で孔径が最小となる形状の電子ビーム通過孔を形
成した。
A cathode and a plurality of electrodes including first and second grids arranged on the cathode in the phosphor screen direction so that the cathode and the cathode are successively adjacent to the cathode. In a cathode ray tube including an electron gun that emits an electron beam by forming a crossover from the cathode by the first and second grids, the first grid has a hole diameter between the end surface on the cathode side and the end surface on the second grid side. An electron beam passage hole having a minimum shape was formed.

【0013】[0013]

【作用】上記のように、カソードに隣接する第1グリッ
ドの電子ビーム通過孔をカソード側の端面と第2グリッ
ド側の端面との間で孔径が最小となる形状に形成する
と、第1グリッドの電子ビーム通過孔からカソード側に
浸透する電界の曲率を管軸付近で大きくすることがで
き、それにより近軸ビームの集束力を強め、近軸ビーム
のクロスオーバの位置を離軸ビームのクロスオーバの位
置に近づけることができる。またカソードの周辺部付近
に浸透する電界の曲率を小さくすることができ、それに
より離軸ビームの集束力を強め、近軸ビームのクロスオ
ーバの位置に離軸ビームのクロスオーバの位置を近づけ
ることができる。したがって上記2つの作用により、ク
ロスオーバにおける収差を軽減することができる。
As described above, when the electron beam passage hole of the first grid adjacent to the cathode is formed in a shape having the minimum hole diameter between the end surface on the cathode side and the end surface on the second grid side, The curvature of the electric field penetrating from the electron beam passage hole to the cathode side can be increased near the tube axis, which strengthens the focusing power of the paraxial beam, and the crossover position of the paraxial beam is changed to the crossover of the deaxial beam. Can be brought closer to the position. In addition, the curvature of the electric field penetrating near the periphery of the cathode can be reduced, thereby enhancing the focusing force of the off-axis beam and bringing the cross-over position of the off-axis beam closer to the cross-over position of the paraxial beam. You can Therefore, the above two effects can reduce the aberration at the crossover.

【0014】[0014]

【実施例】以下、図面を参照してこの発明を実施例に基
づいて説明する。
DETAILED DESCRIPTION OF THE PREFERRED EMBODIMENTS The present invention will now be described based on embodiments with reference to the drawings.

【0015】図1にその一実施例であるカラー受像管を
示す。このカラー受像管は、パネル10およびこのパネル
10に一体に接合された漏斗状のファンネル11からなる外
囲器を有し、そのパネル10の内面に、青、緑、赤に発光
する3色蛍光体層からなる蛍光体スクリーン12が形成さ
れ、この蛍光体スクリーン12に対向して、その内側に多
数の電子ビーム通過孔の形成されたシャドウマスク13が
装着されている。一方、ファンネル11のネック14内に、
3電子ビーム15を放出する電子銃16が配設されている。
FIG. 1 shows a color picture tube which is an embodiment of the present invention. This color picture tube consists of panel 10 and this panel
The panel 10 has an envelope formed of a funnel-shaped funnel 11 that is integrally joined to the panel 10. On the inner surface of the panel 10, a phosphor screen 12 formed of a three-color phosphor layer that emits blue, green, and red is formed. A shadow mask 13 having a large number of electron beam passage holes formed therein is mounted so as to face the phosphor screen 12. On the other hand, inside the neck 14 of the funnel 11,
An electron gun 16 that emits three electron beams 15 is provided.

【0016】なお、図1において、18はファンネル11の
内面に塗布形成された内面導電膜、19はファンネル11の
外側に装着された偏向ヨークである。
In FIG. 1, reference numeral 18 is an inner conductive film formed by coating on the inner surface of the funnel 11, and 19 is a deflection yoke mounted on the outer side of the funnel 11.

【0017】上記電子銃16は、3個のカソードK 、この
カソードK を各別に加熱する3個のヒータ(図示せず)
および上記カソードK 上に順次所定間隔離間して蛍光体
スクリーン12方向に配置された複数の電極を有する。図
示電子銃では、その複数の電極は、第1乃至第4グリッ
ドG1〜G4からなる。
The electron gun 16 has three cathodes K and three heaters (not shown) for heating the cathodes K respectively.
And a plurality of electrodes arranged on the cathode K in the direction of the phosphor screen 12 at predetermined intervals. In the illustrated electron gun, the plurality of electrodes are composed of first to fourth grids G1 to G4.

【0018】そして特にこの例の電子銃16は、カソード
K に隣接する第1グリッドG1が図2(a)に示す構造に
形成されている。すなわち、上記電子銃の第1グリッド
G1は、板状の電極からなり、そのカソードK 側の端面と
第2グリッドG2側の端面との間で孔径が最小となり、両
端面で最大となるテーパ側面をもつ電子ビーム通過孔20
が形成されている。しかも図2(b)に示した従来の電
子銃の板状の第1グリッドG1との比較からわかるように
板厚tが厚く形成され、かつ第2グリッドG2側の端面が
第2グリッドG2に接近している。
And, in particular, the electron gun 16 of this example has a cathode.
A first grid G1 adjacent to K is formed in the structure shown in FIG. That is, the first grid of the electron gun
G1 is composed of a plate-shaped electrode and has an electron beam passage hole 20 having a tapered side surface that has a minimum hole diameter between the end surface on the cathode K side and the end surface on the second grid G2 side and the maximum on both end surfaces.
Are formed. Moreover, as can be seen from a comparison with the plate-shaped first grid G1 of the conventional electron gun shown in FIG. 2B, the plate thickness t is formed thick, and the end face on the second grid G2 side is the second grid G2. Approaching

【0019】つぎに、上記電子銃16の第1グリッドG1お
よびその近傍の具体的寸法を示す。
Next, specific dimensions of the first grid G1 of the electron gun 16 and its vicinity will be shown.

【0020】 第1グリッドG1の電子ビーム通過孔径G1φ: 点Aでの電子ビーム通過孔径G1φA =0.70mm 点Bでの電子ビーム通過孔径G1φB =0.50mm 点Cでの電子ビーム通過孔径G1φC =0.70mm 第1グリッドG1の板厚G1t =0.28mm 点Aと点Bとの銃軸方向間隔G1A/B =0.15mm 第1グリッドG1とカソードK との間隔G1/K=0.100
mm 第2グリッドG2の電子ビーム通過孔径G2φ=0.50mm 第1グリッドG1の板厚G2t =0.20mm 第1グリッドG1と第2グリッドG2との間隔G1/G2 =0.
15mm 通常の電子銃の板状の第1グリッドの板厚は、0.10
mm程度であるので、上記電子銃の第1グリッドG1の板厚
G1t は、かなり厚いものとなっている。
Electron beam passage hole diameter G1φ of the first grid G1: Electron beam passage hole diameter G1φA at point A = 0.70 mm Electron beam passage hole diameter G1φB at point B = 0.50 mm Electron beam passage hole diameter G1φC at point C = 0.70 mm Thickness of the first grid G1 G1t = 0.28 mm Distance between the points A and B in the gun axis direction G1A / B = 0.15 mm Distance between the first grid G1 and the cathode K G1 / K = 0.100
mm Electron beam passage hole diameter of second grid G2 G2φ = 0.50 mm Thickness of first grid G1 G2t = 0.20 mm Distance between first grid G1 and second grid G2 G1 / G2 = 0.
15mm The thickness of the plate-shaped first grid of a normal electron gun is 0.10.
Since it is about mm, the plate thickness of the first grid G1 of the above electron gun
G1t is quite thick.

【0021】なお、このように板厚が厚くかつ電子ビー
ム通過孔が特殊形状の第1グリッドG1は、エッチング、
あるいは所要の開孔を形成した板を張合わせるなどの方
法により形成することができる。
The first grid G1 having such a large plate thickness and the electron beam passage hole having a special shape is etched,
Alternatively, it can be formed by a method such as laminating a plate in which required apertures are formed.

【0022】ところで、上記形状の電子ビーム通過孔20
において、そのカソードK 側の開口端縁をA、孔径の最
小位置をB、第2グリッドG2側の開口端縁をCとする
と、点B、点Cおよび辺BCにより、電子銃の銃軸(管
軸z と一致)付近の等電位線21の曲率を変えることがで
き、同(b)の従来の電子銃と対比して示したように銃
軸付近の等電位線21の曲率を大きくすることにより、カ
ソードK の中央部近傍からの近軸ビーム15n に対する集
束力を強くすることができ、近軸ビーム15n のクロスオ
ーバCOn の位置をカソードK 側に移動させることができ
る。それにより、カソードK の周辺部からの離軸ビーム
15f のクロスオーバCOf の位置に接近させ、その近軸ビ
ーム15n のクロスオーバCOn の位置と離軸ビーム15f の
クロスオーバCOf の位置との差(収差)を小さくするこ
とができる。電子軌道の計算によると、点Cを第2グリ
ッドG2に近づけるほど、銃軸付近の等電位線21の曲率を
大きくすることができる。
By the way, the electron beam passage hole 20 having the above shape is formed.
In the above, when the opening edge on the cathode K side is A, the minimum position of the hole diameter is B, and the opening edge on the second grid G2 side is C, the gun axis of the electron gun is defined by points B, C and sides BC. The curvature of the equipotential line 21 near the tube axis z can be changed, and the curvature of the equipotential line 21 near the gun axis can be increased as shown in comparison with the conventional electron gun of FIG. As a result, the focusing force for the paraxial beam 15n from the vicinity of the center of the cathode K 1 can be strengthened, and the position of the crossover COn of the paraxial beam 15n can be moved to the cathode K side. This allows the off-axis beam from the periphery of the cathode K.
It is possible to reduce the difference (aberration) between the position of the crossover COn of the paraxial beam 15n and the position of the crossover COf of the off-axis beam 15f by bringing it closer to the position of the crossover COf of 15f. According to the calculation of the electron orbit, the closer the point C is to the second grid G2, the larger the curvature of the equipotential line 21 near the gun axis can be made.

【0023】また点CだけでカソードK から第2グリッ
ドG2付近までの全等電位線21の曲率を大きくすることは
困難であるが、点Bでの孔径を点Cでの孔径より小さく
することにより、カソードK に近い領域に浸透する電界
の銃軸付近の等電位線21の曲率を大きくすることができ
る。
Although it is difficult to increase the curvature of all equipotential lines 21 from the cathode K to the vicinity of the second grid G2 only at the point C, the hole diameter at the point B should be smaller than that at the point C. This makes it possible to increase the curvature of the equipotential line 21 near the gun axis of the electric field penetrating the region near the cathode K 1.

【0024】しかし上記のように点Cを第2グリッドG2
に近づけたり、点Bでの孔径を小さくすると、第2グリ
ッドG2のカットオフ電位が上昇する。通常この第2グリ
ッドG2のカットオフ電位は、TVセットでは所定値に設
定されるため、この第2グリッドG2のカットオフ電位の
上昇は避けねばならない。この点、カソードK に近い点
Aの位置を変えることにより、第2グリッドG2のカット
オフ電位を下げることができる。
However, as described above, the point C is set to the second grid G2.
Or the hole diameter at the point B is reduced, the cutoff potential of the second grid G2 increases. Normally, the cutoff potential of the second grid G2 is set to a predetermined value in the TV set, so that the increase of the cutoff potential of the second grid G2 must be avoided. In this respect, by changing the position of the point A close to the cathode K, the cutoff potential of the second grid G2 can be lowered.

【0025】また点Aでの孔径を大きくすると、カソー
ドK の周辺部付近の等電位線21の曲率を小さくすること
ができる。このカソードK の周辺部付近に浸透する電界
は、カソードK の周辺部からの離軸ビーム15f に大きな
影響を及ぼし、離軸ビーム15f は、このカソードK の周
辺部付近の電界により大きく曲げられる。したがって上
記のようにカソードK の周辺部付近の等電位線21の曲率
を小さくすると、離軸ビーム15f に対する集束力を弱く
することができ、離軸ビーム15f のクロスオーバCOf の
位置を第2グリッドG2側に移動させ、それにより、さら
に近軸ビーム15n のクロスオーバCOn の位置と離軸ビー
ム15f のクロスオーバCOf の位置との差を小さくするこ
とができる。
If the hole diameter at the point A is increased, the curvature of the equipotential line 21 near the peripheral portion of the cathode K can be reduced. The electric field penetrating near the peripheral portion of the cathode K greatly affects the off-axis beam 15f from the peripheral portion of the cathode K, and the off-axis beam 15f is largely bent by the electric field near the peripheral portion of the cathode K 1. Therefore, if the curvature of the equipotential line 21 near the periphery of the cathode K is reduced as described above, the focusing force for the off-axis beam 15f can be weakened, and the position of the crossover COf of the off-axis beam 15f can be set to the second grid. By moving to the G2 side, it is possible to further reduce the difference between the position of the crossover COn of the paraxial beam 15n and the position of the crossover COf of the off-axis beam 15f.

【0026】つまり、板状電極からなる第1グリッドG1
にカソードK 側の端面と第2グリッドG2側の端面との間
で孔径が最小となり、両端面で最大となる電子ビーム通
過孔20を形成し、かつその板厚を厚くして第2グリッド
G2側の端面を第2グリッドG2に接近させると、銃軸付近
の電界の曲率を大きくして、近軸ビーム15n に対する集
束力を強め、近軸ビーム15n のクロスオーバCOn の位置
をカソードK 側に移動させることができ、それにより、
近軸ビーム15n のクロスオーバCOn の位置を離軸ビーム
15f のクロスオーバCOf の位置に接近させることができ
る。この場合、第2グリッドG2側の端面を第2グリッド
G2に接近させることにより、第2グリッドG2のカットオ
フ電位が上昇するが、この第2グリッドG2のカットオフ
電位の上昇は、カソードK 側の点Aでの孔径を大きくす
ることにより下がり、所定のカットオフ電位にすること
ができる。しかも、点Aでの孔径を点Bでの孔径よりも
大きくしたことにより、カソードK の周辺部付近の電界
の曲率を小さくして、離軸ビーム15f に対する集束力を
弱め、それにより、離軸ビーム15f のクロスオーバCOf
の位置を第2グリッドG2側に移動させることができる。
その結果、近軸ビーム15n のクロスオーバCOn の位置と
離軸ビーム15f のクロスオーバCOf の位置との差、すな
わちクロスオーバにおける収差を小さくすることができ
る。しかも特にカソードK の周辺部付近の電界の曲率が
小さくなることから、カソードK の周辺部からも電子放
出がおこる大電流時の収差を小さくすることできる。そ
の結果、小電流時は勿論、高電流時でも、蛍光体スクリ
ーン12上のビームスポットの径を小さくして、解像度を
向上させることができる。
That is, the first grid G1 composed of plate electrodes
The electron beam passage hole 20 having the smallest hole diameter between the end surface on the cathode K side and the end surface on the second grid G2 side and the maximum on both end surfaces is formed, and the plate thickness is increased to form the second grid.
When the end face on the G2 side is brought closer to the second grid G2, the curvature of the electric field near the gun axis is increased to enhance the focusing force for the paraxial beam 15n, and the crossover COn position of the paraxial beam 15n is set to the cathode K side. Can be moved to
The position of crossover COn of paraxial beam 15n is decentered beam
The position of the crossover COf of 15f can be approached. In this case, the end surface of the second grid G2 side is the second grid
By approaching G2, the cutoff potential of the second grid G2 rises, but this rise of the cutoff potential of the second grid G2 is reduced by increasing the hole diameter at the point A on the cathode K side, Can be set to a cutoff potential of. Moreover, by making the hole diameter at the point A larger than the hole diameter at the point B, the curvature of the electric field in the vicinity of the peripheral portion of the cathode K is made small, and the focusing force for the off-axis beam 15f is weakened. Beam 15f crossover COf
The position of can be moved to the second grid G2 side.
As a result, the difference between the position of the crossover COn of the paraxial beam 15n and the position of the crossover COf of the off-axis beam 15f, that is, the aberration at the crossover can be reduced. Moreover, since the curvature of the electric field near the peripheral portion of the cathode K becomes small, the aberration at the time of a large current in which electron emission also occurs from the peripheral portion of the cathode K can be reduced. As a result, it is possible to improve the resolution by reducing the diameter of the beam spot on the phosphor screen 12 not only when the current is small but also when the current is high.

【0027】なお、上記実施例では、第1グリッドの電
子ビーム通過孔をカソード側の端面と第2グリッド側の
端面との間で孔径が最小となり、両端面で最大となるテ
ーパ側面をもつ形状としたが、この第1グリッドの電子
ビーム通過孔の形状は、図3(a)に示すように、カソ
ード側の端面23と第2グリッド側の端面24との間に一定
幅にわたり孔径が最小となり、その最小孔径部25と両端
面23,24間がテーパ側面をもつ形状としたものでもよ
い。また同(b)に示すように、カソード側の端面23と
第2グリッド側の端面24との間に一定幅にわたり孔径が
最小となり、その最小孔径部25が平坦な突出部からなる
形状としたものでもよい。さらに同(c)に示すよう
に、カップ状に形成して、そのカソード側の端面23に内
側の孔径が最小となるテーパ側面をもつ開孔を形成した
ものでもよく、その他、各種構造のものが使用可能であ
る。
In the above embodiment, the electron beam passage hole of the first grid has a tapered side surface having a minimum hole diameter between the cathode side end surface and the second grid side end surface and a maximum of both end surfaces. However, as shown in FIG. 3A, the shape of the electron beam passage hole of the first grid has a minimum hole diameter over a certain width between the end face 23 on the cathode side and the end face 24 on the second grid side. The minimum hole diameter portion 25 and both end faces 23, 24 may have a tapered side surface. Further, as shown in (b), the hole diameter is minimized over a certain width between the end surface 23 on the cathode side and the end surface 24 on the second grid side, and the minimum hole diameter portion 25 has a flat protruding portion. It may be one. Further, as shown in (c), it may be formed in a cup shape, and an opening having a tapered side surface that minimizes the inner hole diameter may be formed in the end surface 23 on the cathode side, and other various structures. Can be used.

【0028】[0028]

【発明の効果】第1グリッドの電子ビーム通過孔をカソ
ード側の端面と第2グリッド側の端面との間で孔径が最
小となる形状に形成すると、第1グリッドの電子ビーム
通過孔からカソード側に浸透する電界の曲率を銃軸付近
で大きくすることができ、それにより近軸ビームの集束
力を強め、近軸ビームのクロスオーバの位置を離軸ビー
ムのクロスオーバの位置に近づけることができる。また
カソードの周辺部付近に浸透する電界の曲率を小さくす
ることができ、それにより離軸ビームの集束力を強め、
離軸ビームのクロスオーバの位置を近軸ビームのクロス
オーバの位置に近づけることができる。したがって上記
2つの作用により、クロスオーバにおける収差を軽減で
き、しかも第2グリッドのカットオフ電圧も調整するこ
とができ、蛍光体スクリーン上のビームスポット径を小
さくして、解像度を向上させることができる。
When the electron beam passage hole of the first grid is formed in a shape having a minimum hole diameter between the end face on the cathode side and the end face on the second grid side, the electron beam passage hole of the first grid is formed on the cathode side. It is possible to increase the curvature of the electric field penetrating into the vicinity of the gun axis, thereby enhancing the focusing power of the paraxial beam and making the crossover position of the paraxial beam closer to the crossover position of the off-axis beam. .. Also, the curvature of the electric field penetrating near the periphery of the cathode can be reduced, which enhances the focusing force of the off-axis beam,
The position of the off-axis beam crossover can be brought closer to the position of the paraxial beam crossover. Therefore, due to the above two effects, the aberration at the crossover can be reduced, the cutoff voltage of the second grid can be adjusted, the beam spot diameter on the phosphor screen can be reduced, and the resolution can be improved. ..

【図面の簡単な説明】[Brief description of drawings]

【図1】この発明の一実施例であるカラー受像管の構成
を示す図である。
FIG. 1 is a diagram showing a configuration of a color picture tube which is an embodiment of the present invention.

【図2】図2(a)はその第1グリッドの構造および作
用を説明するための図、図2(b)は比較のために示し
た従来の第1グリッドの構造および作用を示す図であ
る。
FIG. 2A is a diagram for explaining the structure and action of the first grid, and FIG. 2B is a diagram showing the structure and action of a conventional first grid shown for comparison. is there.

【図3】図3(a)ないし(c)はそれぞれ異なる第1
グリッドの構造を示す図である。
FIG. 3 (a) to FIG. 3 (c) are different from each other.
It is a figure which shows the structure of a grid.

【図4】従来の電子銃の構造および作用を説明するため
の図である。
FIG. 4 is a diagram for explaining the structure and operation of a conventional electron gun.

【符号の説明】[Explanation of symbols]

10…パネル 12…蛍光体スクリーン 15…3電子ビーム 16…電子銃 K …カソード G1…第1グリッド G2…第2グリッド 10 ... Panel 12 ... Phosphor screen 15 ... 3 Electron beam 16 ... Electron gun K ... Cathode G1 ... First grid G2 ... Second grid

Claims (1)

【特許請求の範囲】[Claims] 【請求項1】 カソードおよびこのカソード上に順次隣
接して蛍光体スクリーン方向に配置された第1、第2グ
リッドを含む複数の電極を有し、上記カソードおよびこ
のカソードに順次隣接する第1、第2グリッドにより上
記カソードからクロスオーバを形成して電子ビームを放
出する電子銃を備える陰極線管において、 上記第1グリッドに上記カソード側の端面と上記第2グ
リッド側の端面との間で孔径が最小となる形状の電子ビ
ーム通過孔が形成されていることを特徴とする陰極線
管。
1. A cathode and a plurality of electrodes including a first grid and a second grid, which are sequentially arranged on the cathode in the phosphor screen direction so as to be adjacent to each other. In a cathode ray tube including an electron gun that forms a crossover from the cathode by the second grid and emits an electron beam, the first grid has a hole diameter between the end surface on the cathode side and the end surface on the second grid side. A cathode ray tube having an electron beam passage hole having a minimum shape.
JP12232892A 1992-05-15 1992-05-15 Cathode-ray tube Pending JPH05325822A (en)

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Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR100242612B1 (en) * 1995-03-02 2000-02-01 야스나가 히데아키 Manufacturing method of electron gun and electron gun electrode for color crt

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* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR100242612B1 (en) * 1995-03-02 2000-02-01 야스나가 히데아키 Manufacturing method of electron gun and electron gun electrode for color crt

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