JPH05315515A - Semiconductor device - Google Patents

Semiconductor device

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Publication number
JPH05315515A
JPH05315515A JP14215192A JP14215192A JPH05315515A JP H05315515 A JPH05315515 A JP H05315515A JP 14215192 A JP14215192 A JP 14215192A JP 14215192 A JP14215192 A JP 14215192A JP H05315515 A JPH05315515 A JP H05315515A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
lead
semiconductor device
leads
lead frame
resin
Prior art date
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Pending
Application number
JP14215192A
Other languages
Japanese (ja)
Inventor
Kazuhiro Fukuchi
一博 福地
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
NEC Corp
Original Assignee
NEC Corp
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Filing date
Publication date
Application filed by NEC Corp filed Critical NEC Corp
Priority to JP14215192A priority Critical patent/JPH05315515A/en
Publication of JPH05315515A publication Critical patent/JPH05315515A/en
Pending legal-status Critical Current

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  • Lead Frames For Integrated Circuits (AREA)
  • Processing And Handling Of Plastics And Other Materials For Molding In General (AREA)
  • Structures Or Materials For Encapsulating Or Coating Semiconductor Devices Or Solid State Devices (AREA)
  • Encapsulation Of And Coatings For Semiconductor Or Solid State Devices (AREA)

Abstract

PURPOSE:To provide a semiconductor device in which a lead frame having no tie-bar is used. CONSTITUTION:Tie-bars are removed from the part between the inner edge 2b and the outer edge 2a of the adjacently located leads 2, and the remaining of cutting margin of the tie-bars is prevented. Besides, a part (dam barrier 1) of sealing resin is allowed to flow out to the outer edge 2a of the adjacent lead 2, and the dam barr 1 can be removed by a laser beam.

Description

【発明の詳細な説明】Detailed Description of the Invention

【0001】[0001]

【産業上の利用分野】本発明は、半導体装置に関し、特
にタイバーを無くしたリードフレームを用いた半導体装
置に関する。
BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to a semiconductor device, and more particularly to a semiconductor device using a lead frame without a tie bar.

【0002】[0002]

【従来の技術】従来の半導体装置では、図6に示すよう
にリードフレーム7のアイランドに搭載された半導体素
子が樹脂封止部8により封止しており、樹脂封止時に外
部に樹脂が流出することを防ぐために隣接するリード2
相互間に懸け渡してタイバー5が設けられた構造のリー
ドフレーム7を使用し、樹脂封止後にタイバー5と共に
タイバー5部まで流出した余分な樹脂を金型によって切
断,除去していた。
2. Description of the Related Art In a conventional semiconductor device, a semiconductor element mounted on an island of a lead frame 7 is sealed by a resin sealing portion 8 as shown in FIG. Adjacent lead 2 to prevent
The lead frame 7 having a structure in which the tie bars 5 are provided so as to be suspended from each other is used, and the excess resin that has flowed out to the tie bar 5 portion together with the tie bars 5 after resin sealing is cut and removed by a mold.

【0003】図7はタイバー切断後の半導体装置の様子
を示した図である。樹脂封止時には点線で示す位置にタ
イバー5が存在しており、タイバー5を切断した場合、
リード2の両側縁には、切断しろ6が横方向に張り出し
て残っている。
FIG. 7 is a diagram showing a state of the semiconductor device after cutting the tie bar. When the resin is sealed, the tie bar 5 exists at the position shown by the dotted line, and when the tie bar 5 is cut,
On both side edges of the lead 2, a cutting margin 6 is left overhanging in the lateral direction.

【0004】タイバー切断後、リード上にまでわずかに
流出した樹脂(以下、薄バリという)と樹脂カスの除去
をホーニングにより行い、半田メッキが施され、その
後、リード2の外端縁2aがリードフレーム7から切り
落とされ、各リードの外端縁2aが別個独立に切り離さ
れリード成形などの工程を経て、半導体装置となる。図
8はリード成形後の半導体装置のリードの様子である
が、タイバー切断しろ6がリード2の幅よりも出張る形
で残っている。
After cutting the tie bar, a resin (hereinafter, referred to as a thin burr) slightly flowing out onto the lead and a resin residue are removed by honing and solder plating is applied, and then the outer edge 2a of the lead 2 is connected to the lead. The semiconductor device is cut off from the frame 7 and the outer edge 2a of each lead is separately and independently cut off to undergo a process such as lead molding. FIG. 8 shows the state of the leads of the semiconductor device after the lead molding, but the tie bar cutting margin 6 remains in a form that travels more than the width of the lead 2.

【0005】[0005]

【発明が解決しようとする課題】この従来の半導体装置
の製造には、タイバーを切断,除去するために金型を用
いているが、近年の半導体装置の軽薄短小化の流れの中
で、リードピッチの縮小が進み、該タイバーを切断する
ための金型の製作が困難になってきている。
In the manufacturing of this conventional semiconductor device, a die is used to cut and remove the tie bar. As the pitch is reduced, it is becoming difficult to manufacture a die for cutting the tie bar.

【0006】また、金型を適用した場合、摩耗が早く保
守に多くの工数が必要になっている。さらに、タイバー
切断を行ってもダムバリの除去が確実に行われず樹脂が
不安定な状態で次工程のリード成形工程に流れ、リード
成形時に樹脂が脱落してリードに打痕を発生させる等の
不具合があった。加えて、金型によるタイバー切断で
は、パッケージ毎に金型を用意する必要があり、金型の
管理,保守に多くの工数を必要としていた。
Further, when a die is applied, it is worn quickly and requires a lot of man-hours for maintenance. Furthermore, even if the tie bar is cut, the dam burr is not reliably removed and the resin is unstable, and the resin flows to the next lead molding process, and the resin falls off during lead molding, causing dents on the leads. was there. In addition, in the case of cutting the tie bar with a mold, it is necessary to prepare a mold for each package, which requires a lot of man-hours for managing and maintaining the mold.

【0007】また、タイバー切断後も図8に示すように
タイバー切断しろ6が残るため、リード2のタイバー部
での強度が他の部分に比べて大きくなり、リード成形時
にリードの曲がり方が一定でなくなる問題があった。
Further, since the tie bar cutting margin 6 remains as shown in FIG. 8 after the tie bar cutting, the strength of the lead 2 at the tie bar portion becomes larger than that of the other portions, and the bending of the lead is constant during lead molding. There was a problem that disappeared.

【0008】本発明の目的は、タイバーがないリードフ
レームを用いた半導体装置を提供することにある。
An object of the present invention is to provide a semiconductor device using a lead frame having no tie bar.

【0009】[0009]

【課題を解決するための手段】前記目的を達成するた
め、本発明に係る半導体装置は、リードフレームのアイ
ランドに搭載された半導体素子を樹脂にて封止してなる
半導体装置であって、リードフレームは、アイランド上
の半導体素子の電極に電気的に接続される複数のリード
を有するものであり、複数のリードは、外端縁がリード
フレームと一体をなし、隣接する相互間が別個独立に切
り離された櫛歯状に形成されたものであり、櫛歯状をな
す複数のリードは、内端縁がリードフレームのアイラン
ド外縁に接近する位置まで延在したものである。
In order to achieve the above object, a semiconductor device according to the present invention is a semiconductor device in which a semiconductor element mounted on an island of a lead frame is sealed with resin. The frame has a plurality of leads that are electrically connected to the electrodes of the semiconductor element on the island. The plurality of leads have outer edges integrated with the lead frame, and adjacent leads are independent of each other. The leads are formed into a comb-tooth shape that is cut off, and the plurality of comb-tooth-shaped leads extend to positions where the inner edge approaches the outer edge of the island of the lead frame.

【0010】[0010]

【作用】隣接したリード間の内端縁から外端縁までの相
互間にタイバーをなくし、タイバー切断しろが残ること
を防止する。
The tie bar is eliminated between the inner edge and the outer edge of the adjacent leads to prevent the tie bar cutting margin from remaining.

【0011】さらに、封止樹脂の一部が隣接したリード
の外端縁まで流出するのを許容し、リード間の樹脂をレ
ーザ光により除去する。
Further, a part of the sealing resin is allowed to flow to the outer edge of the adjacent lead, and the resin between the leads is removed by laser light.

【0012】[0012]

【実施例】次に本発明についてQFPパッケージを例に
図面を参照して説明する。
DESCRIPTION OF THE PREFERRED EMBODIMENTS Next, the present invention will be described with reference to the drawings by taking a QFP package as an example.

【0013】図1は、本発明の一実施例に係るQFPパ
ッケージ型半導体装置を示す図、図2は、本発明におい
てリードフレームからリードの外端縁を切り落としリー
ドを屈曲形成してQFPパッケージ型半導体装置を完成
させた状態を示す斜視図、図3は、完成後のリード形状
を示す図である。
FIG. 1 is a diagram showing a QFP package type semiconductor device according to an embodiment of the present invention, and FIG. 2 is a QFP package type device in which the outer edges of the leads are cut off from the lead frame and the leads are bent and formed in the present invention. FIG. 3 is a perspective view showing a state where the semiconductor device is completed, and FIG. 3 is a diagram showing a lead shape after the completion.

【0014】図において、本実施例は、リードフレーム
7のアイランド上に搭載された半導体素子を樹脂封止部
8にて封止してなる半導体装置である。
In the figure, this embodiment is a semiconductor device in which a semiconductor element mounted on an island of a lead frame 7 is sealed with a resin sealing portion 8.

【0015】リードフレーム7は、アイランド上の半導
体素子の電極に電気的に接続される複数のリード2,2
…を有している。
The lead frame 7 has a plurality of leads 2 and 2 electrically connected to the electrodes of the semiconductor element on the island.
…have.

【0016】複数のリード2は、外端縁2aがリードフ
レーム7と一体をなし、隣接する相互間が別個独立に切
り離された櫛歯状に形成されている。
Outer edges 2a of the plurality of leads 2 are formed integrally with the lead frame 7 and are formed in a comb shape in which adjacent ones are separated from each other independently.

【0017】櫛歯状をなす複数のリード2は、内端縁2
bがリードフレーム7のアイランド外縁に接近する位置
まで延在している。
The plurality of leads 2 having a comb-like shape are formed on the inner end edge 2.
b extends to a position approaching the outer edge of the island of the lead frame 7.

【0018】本実施例では、タイバーが無いため樹脂封
止時に流出した樹脂1(以下、ダムバリという)が隣接
したリード2相互間を通してリード2の外端縁2aまで
達している。
In this embodiment, since there is no tie bar, the resin 1 (hereinafter referred to as dam burr) that has flown out during resin sealing reaches the outer edge 2a of the lead 2 through the space between the adjacent leads 2.

【0019】次に、図4は本発明のレーザによるダムバ
リ切断,除去の様子を示す図である。レーザビーム3を
50μm程度に絞り込み、レーザビームスキャニング速
度500mm/s程度でリード2の内端縁2bから(ま
たはリード2の外端縁2aから)ダムバリ1に沿ってリ
ード2の外端縁2a(またはリード2の内端縁2bま
で)まで、ガルバノミラー,ポリゴンミラー等(図示省
略)によって、図4の3a,3b等の走査経路で走査
し、順次ダムバリ1を焼失させていく。
Next, FIG. 4 is a diagram showing the manner of dam burr cutting and removal by the laser of the present invention. The laser beam 3 is narrowed down to about 50 μm, and the laser beam scanning speed is about 500 mm / s from the inner edge 2b of the lead 2 (or from the outer edge 2a of the lead 2) along the dam burr 1 to the outer edge 2a of the lead 2 ( Alternatively, up to the inner end edge 2b of the lead 2) is scanned by a scanning path such as 3a and 3b in FIG. 4 by a galvano mirror, a polygon mirror or the like (not shown), and the dam burr 1 is sequentially burned out.

【0020】リード端まで走査しダムバリ1を焼失させ
た後、再びリード端より前回走査し焼失させた走査範囲
にある程度重複するように次の走査を行い、リード間の
樹脂を焼失させる。これらの走査をリード毎に順次行
い、半導体装置全リード間のダムバリを取り除く。
After scanning to the lead end to burn out the dam burr 1, the next scan is performed again from the lead end so as to overlap the scanned range burned to the previous extent to some extent, and the resin between the leads is burned out. These scans are sequentially performed for each lead to remove dam burrs between all the leads of the semiconductor device.

【0021】ダムバリを取り除かれたリードフレーム
は、従来と同様にリード上にまでわずかに流出した樹脂
(以下、薄バリという)と樹脂カスの除去をホーニング
により行い、半田メッキを実施される。その後、リード
切断,リード成形などの工程を経て、図2,図3に示す
半導体装置となる。
In the lead frame from which the dam burrs have been removed, the resin (hereinafter referred to as thin burrs) slightly flowing out onto the leads and the resin residue are removed by honing as in the conventional case, and solder plating is performed. Then, the semiconductor device shown in FIGS. 2 and 3 is obtained through steps such as lead cutting and lead forming.

【0022】図5は、本発明の別の実施例のレーザによ
るダムバリ切断,除去の様子を示す図である。まず、レ
ーザビームを前述の実施例よりも大きく取り、樹脂のみ
を焼失させ、リード部には影響のでない出力に設定す
る。
FIG. 5 is a diagram showing a state of dam burr cutting and removal by a laser according to another embodiment of the present invention. First, the laser beam is set larger than in the above-described embodiment, only the resin is burned off, and the output is set so as not to affect the lead portion.

【0023】この樹脂のみを焼失させるレーザビーム3
を、前述の実施例と同様に樹脂封止したリードフレーム
に4a,4b等の走査経路でリード及びダムバリの存在
する全ての面に対して走査することによって、ダムバリ
及びリード上にまでわずかに流出した樹脂(以下、薄バ
リという)共に焼失させることができる。ダムバリ除去
後は従来同様の工程を経て半導体装置を完成させる。
Laser beam 3 for burning out only this resin
Is scanned on all surfaces on which lead and dam burrs are present on the resin-sealed lead frame in a scanning path such as 4a and 4b in the same manner as in the above-described embodiment, so that it slightly leaks onto the dam burrs and leads. The resin (hereinafter, referred to as thin burr) can be burned out. After removing the dam burr, the semiconductor device is completed through the same steps as conventional ones.

【0024】[0024]

【発明の効果】以上説明したように本発明は、タイバー
を無くしたリードフレームを用いたため、レーザによっ
てダムバリを除去することで、金型によるタイバー及び
ダムバリの切断,除去に比べ、リードピッチの狭い半導
体装置にも対応が可能となり、さらに、金型の摩耗によ
る保守の必要もなくなる。
As described above, according to the present invention, the lead frame having no tie bar is used. Therefore, by removing the dam burr by the laser, the lead pitch is narrower than the cutting and removal of the tie bar and the dam burr by the mold. It can also be applied to semiconductor devices, and also eliminates the need for maintenance due to die wear.

【0025】また、レーザの照射位置をデータによって
替えるだけで品種の切り替えに対応できるため、従来の
ように品種切り替えの度に金型を交換する必要がなく、
段取り時間が大幅に短縮できる。
Further, since it is possible to cope with the type change by simply changing the laser irradiation position according to the data, it is not necessary to replace the mold each time the type is changed, unlike the conventional case.
The setup time can be greatly reduced.

【0026】また、図5に示した走査方法を用いれば、
高速にしかも品種の切り替えに対してもより簡単に対応
できるようになる。また、リード成形工程において、タ
イバー切断しろがないために、リード全体を通して曲げ
強度が一定し成形が容易に正確に行える。
If the scanning method shown in FIG. 5 is used,
This makes it possible to handle high-speed and easy switching of product types. Further, since there is no tie bar cutting margin in the lead forming process, the bending strength is constant throughout the lead, and the forming can be performed easily and accurately.

【図面の簡単な説明】[Brief description of drawings]

【図1】本発明の一実施例を示す図である。FIG. 1 is a diagram showing an embodiment of the present invention.

【図2】本発明の一実施例に係る半導体装置を完成させ
た状態を示す斜視図である。
FIG. 2 is a perspective view showing a completed state of a semiconductor device according to an embodiment of the present invention.

【図3】完成後のリード形状を示す図である。FIG. 3 is a diagram showing a lead shape after completion.

【図4】本発明のレーザによるダムバリ切断,除去の様
子を示す図である。
FIG. 4 is a diagram showing a state of dam burr cutting and removal by the laser of the present invention.

【図5】本発明のレーザによるダムバリ切断,除去の様
子を示す図である。
FIG. 5 is a diagram showing how dam burrs are cut and removed by the laser of the present invention.

【図6】従来の半導体装置を示す図である。FIG. 6 is a diagram showing a conventional semiconductor device.

【図7】従来のタイバー切断除去状態を示す図である。FIG. 7 is a view showing a conventional tie bar cutting removal state.

【図8】従来の完成後のリード形状を示す図である。FIG. 8 is a view showing a conventional lead shape after completion.

【符号の説明】[Explanation of symbols]

1 ダムバリ 2 リード 2a リードの外端縁 2b リードの内端縁 7 リードフレーム 8 樹脂封止部 1 dam burr 2 lead 2a outer edge of lead 2b inner edge of lead 7 lead frame 8 resin sealing part

Claims (1)

【特許請求の範囲】[Claims] 【請求項1】 リードフレームのアイランドに搭載され
た半導体素子を樹脂にて封止してなる半導体装置であっ
て、 リードフレームは、アイランド上の半導体素子の電極に
電気的に接続される複数のリードを有するものであり、 複数のリードは、外端縁がリードフレームと一体をな
し、隣接する相互間が別個独立に切り離された櫛歯状に
形成されたものであり、 櫛歯状をなす複数のリードは、内端縁がリードフレーム
のアイランド外縁に接近する位置まで延在したものであ
ることを特徴とする半導体装置。
1. A semiconductor device in which a semiconductor element mounted on an island of a lead frame is sealed with resin, wherein the lead frame has a plurality of electrodes electrically connected to electrodes of the semiconductor element on the island. The plurality of leads are formed in a comb-teeth shape in which outer edges are integrated with the lead frame and adjacent ones are separated from each other independently and independently. A semiconductor device, wherein the plurality of leads extend to a position where an inner edge approaches an outer edge of an island of a lead frame.
JP14215192A 1992-05-07 1992-05-07 Semiconductor device Pending JPH05315515A (en)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP14215192A JPH05315515A (en) 1992-05-07 1992-05-07 Semiconductor device

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JP14215192A JPH05315515A (en) 1992-05-07 1992-05-07 Semiconductor device

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ID=15308551

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP14215192A Pending JPH05315515A (en) 1992-05-07 1992-05-07 Semiconductor device

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JP (1) JPH05315515A (en)

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US7199306B2 (en) 1994-12-05 2007-04-03 Freescale Semiconductor, Inc. Multi-strand substrate for ball-grid array assemblies and method

Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US7199306B2 (en) 1994-12-05 2007-04-03 Freescale Semiconductor, Inc. Multi-strand substrate for ball-grid array assemblies and method
US7397001B2 (en) 1994-12-05 2008-07-08 Freescale Semiconductor, Inc. Multi-strand substrate for ball-grid array assemblies and method

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