JPH05315268A - Plasma cvd apparatus - Google Patents
Plasma cvd apparatusInfo
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- JPH05315268A JPH05315268A JP4120396A JP12039692A JPH05315268A JP H05315268 A JPH05315268 A JP H05315268A JP 4120396 A JP4120396 A JP 4120396A JP 12039692 A JP12039692 A JP 12039692A JP H05315268 A JPH05315268 A JP H05315268A
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- substrate
- reaction chamber
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Abstract
Description
【０００１】[0001]
【産業上の利用分野】本発明は、半導体工業等における
薄膜形成工程に利用されるプラズマＣＶＤ装置に関する
ものである。BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to a plasma CVD apparatus used in a thin film forming process in the semiconductor industry and the like.
【０００２】[0002]
【従来の技術】プラズマＣＶＤ装置は、ＳｉＮ（窒化珪
素）、ＳｉＯ2 （酸化珪素）及びＳｉＯＮ（オキシ窒化
珪素）のような物質を堆積することができ、半導体にお
いては層間絶縁膜や保護膜等の形成に利用されている。2. Description of the Related Art A plasma CVD apparatus can deposit materials such as SiN (silicon nitride), SiO 2 (silicon oxide) and SiON (silicon oxynitride). In semiconductors, an interlayer insulating film, a protective film, etc. Is used to form.
【０００３】以下、図２を参照しながら上述したプラズ
マＣＶＤ装置の一例によってＳｉＮ膜を堆積する場合に
ついて説明する。Hereinafter, a case of depositing a SiN film by an example of the plasma CVD apparatus described above will be described with reference to FIG.
【０００４】図２において、反応室１は真空排気口２を
有しかつ接地されている。３は電極で、高周波発振器か
らの電力がマッチングチューナ、高周波電力供給部４を
通って供給される。電極３は反応ガス導入管５から供給
された反応ガスを反応室１内に分散させて供給するため
のガス流出孔６を有する。７は反応室１と電極３を絶縁
するための絶縁リングである。８は反応ガス導入管５と
電極３とを絶縁するための絶縁管である。９は基板１０
を載置するための基板台であり、接地されている。電極
３と基板台９の間の距離は２０mm程度に設定されてい
る。１１は基板台９及び基板１０を加熱するためのヒー
ターブロックであり、ヒーター及び熱電対（図示せず）
が埋め込まれている。１２はヒーターブロック１１と反
応室１との間の熱移動を少なくするための絶縁リングで
ある。電極３、絶縁リング７、ヒーターブロック１１、
絶縁リング１２にはＯリングシール（図示せず）が用い
られ、反応室１内の真空を保っている。１３はＯリング
が２００°Ｃ以上に加熱されないように冷却水を流すた
めの水冷溝である。In FIG. 2, the reaction chamber 1 has a vacuum exhaust port 2 and is grounded. An electrode 3 is supplied with electric power from a high frequency oscillator through a matching tuner and a high frequency power supply unit 4. The electrode 3 has a gas outflow hole 6 for dispersing and supplying the reaction gas supplied from the reaction gas introduction pipe 5 into the reaction chamber 1. Reference numeral 7 is an insulating ring for insulating the reaction chamber 1 and the electrode 3 from each other. Reference numeral 8 is an insulating tube for insulating the reaction gas introducing tube 5 and the electrode 3 from each other. 9 is a substrate 10
It is a substrate stand for mounting the and is grounded. The distance between the electrode 3 and the substrate table 9 is set to about 20 mm. Reference numeral 11 is a heater block for heating the substrate table 9 and the substrate 10, and a heater and a thermocouple (not shown).
Is embedded. Reference numeral 12 is an insulating ring for reducing heat transfer between the heater block 11 and the reaction chamber 1. Electrode 3, insulating ring 7, heater block 11,
An O-ring seal (not shown) is used for the insulating ring 12 to maintain the vacuum inside the reaction chamber 1. Reference numeral 13 is a water cooling groove for flowing cooling water so that the O-ring is not heated to 200 ° C. or higher.
【０００５】以上のように構成されたプラズマＣＶＤ装
置の動作を以下説明する。基板台９上の基板１０をヒー
ターブロック１１で約３００°Ｃに加熱し、反応室１に
はガス流出孔６からＳｉＨ4 （モノシラン）ガスを２０
ｓｃｃｍ、Ｎ2 （窒素）ガスを１００ｓｃｃｍ、ＮＨ3
（アンモニア）ガスを６０ｓｃｃｍ流した状態で、反応
室１を約２ｔｏｒｒに真空保持する。電極３には１３．
５６ＭＨｚの高周波電力が４００Ｗ印加され、電極３と
基板台９間でプラズマ放電を起こす。反応室１中の反応
ガスとしてのＳｉＨ4 ガス、Ｎ2 ガス、ＮＨ3 ガスはプ
ラズマのエネルギーにより分解され、基板１０上にＳｉ
Ｎ（シリコンナイトライド）膜を堆積する。The operation of the plasma CVD apparatus configured as described above will be described below. The substrate 10 on the substrate table 9 is heated to about 300 ° C. by the heater block 11, and SiH 4 (monosilane) gas is supplied to the reaction chamber 1 through the gas outflow holes 6 to 20 ° C.
sccm, N 2 (nitrogen) gas at 100 sccm, NH 3
The reaction chamber 1 is vacuum-held at about 2 torr with a flow of (ammonia) gas of 60 sccm. The electrode 3 has 13.
400 W of high frequency power of 56 MHz is applied to cause plasma discharge between the electrode 3 and the substrate table 9. SiH 4 gas, N 2 gas, and NH 3 gas as reaction gases in the reaction chamber 1 are decomposed by the energy of plasma, and Si on the substrate 10
Deposit an N (silicon nitride) film.
【０００６】[0006]
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、上記の
ような構成では膜堆積速度が約３０００オングストロー
ム／分と遅く、かつ放電によって励起・解離されたガス
が電極３、ヒータブロック１１あるいは反応室１の側壁
に到達して膜堆積が起こり、１回堆積する毎にエッチン
グ除去する必要があり、生産性が悪いという問題点を有
していた。However, in the above structure, the film deposition rate is as slow as about 3000 angstrom / min, and the gas excited / dissociated by the discharge causes the gas in the electrode 3, the heater block 11 or the reaction chamber 1 to flow. There is a problem that film deposition occurs when it reaches the side wall, and it needs to be removed by etching each time it is deposited, resulting in poor productivity.
【０００７】本発明は上記従来の問題点に鑑み、反応室
側壁等への膜堆積を少なくし、膜堆積速度を速くし、か
つ膜堆積速度を速くすると生じる膜応力をコントロール
することができるプラズマＣＶＤ装置を提供することを
目的とする。In view of the above-mentioned conventional problems, the present invention reduces the film deposition on the side wall of the reaction chamber, increases the film deposition rate, and controls the film stress generated when the film deposition rate is increased. An object is to provide a CVD device.
【０００８】[0008]
【課題を解決するための手段】本発明のプラズマＣＶＤ
装置は、反応ガス導入口と真空排気口を有する反応室
と、反応室内で基板を載置する基板台と、基板台を加熱
するヒーターブロックと、基板台に低周波電力を供給す
る手段と、基板台側面に間隙を設けて配設されかつ接地
された下部側面シールド板と、基板台に対して４〜１０
mmの間隔を設けて対向配置されかつ高周波電力が供給さ
れる高周波電極と、高周波電極の側面に間隙を設けて配
設されかつ接地された上部側面シールド板とから成るこ
とを特徴とする。Means for Solving the Problems Plasma CVD of the present invention
The apparatus is a reaction chamber having a reaction gas inlet and a vacuum exhaust port, a substrate table on which a substrate is placed in the reaction chamber, a heater block for heating the substrate table, and means for supplying low frequency power to the substrate table, The lower side shield plate, which is arranged on the side surface of the substrate base with a gap and is grounded, and 4 to 10 relative to the substrate base.
It is characterized by comprising high-frequency electrodes which are arranged opposite to each other with a space of mm and which is supplied with high-frequency power, and an upper side shield plate which is arranged with a gap on the side surface of the high-frequency electrode and is grounded.
【０００９】好適には、基板台と下部側面シールド板の
間隙及び高周波電極と上部側面シールド板の間隙は約１
〜２mmに設定される。Preferably, the gap between the substrate table and the lower side shield plate and the gap between the high frequency electrode and the upper side shield plate are about 1.
It is set to ~ 2mm.
【００１０】[0010]
【作用】本発明の上記した構成によると、電極と基板台
共に側面にシールド板を設けたことにより反応室側壁と
の放電が起こらず、かつ電極と基板台の間隔を通常の２
０mmに対して４〜１０mmと狭く設定したことにより、プ
ラズマが電極と基板台間で閉じ込められてプラズマ密度
が増加し、そのためプラズマ放電によって生じた電子の
エネルギーによって励起・解離される反応ガスの分子が
増加して基板上への膜堆積速度が増加する。一方、膜堆
積速度が増加すると、堆積された膜の膜密度が低くなっ
て膜応力（引張応力）が増大するが、基板に低周波電力
を供給することにより高周波では追従できなかったイオ
ンも追従できて膜へのイオン衝撃が起こり、このイオン
衝撃を受けながら膜が堆積することにより膜密度が増加
するとともに膜の応力が引張応力から圧縮応力へと変化
する。かくして、膜堆積速度を速くできて生産性が向上
するとともに、膜密度が増大してクラックの原因となる
膜応力もコントロールすることができ、また反応室側壁
への堆積が少なくなりエッチング工程を少なくできる。According to the above-mentioned structure of the present invention, since the shield plate is provided on the side surface of both the electrode and the substrate table, no discharge occurs between the side wall of the reaction chamber and the distance between the electrode and the substrate table is set to a normal value.
By setting the width as narrow as 4 to 10 mm with respect to 0 mm, the plasma is confined between the electrode and the substrate table, and the plasma density increases, so that the molecules of the reaction gas that are excited and dissociated by the energy of the electrons generated by the plasma discharge. Increases the film deposition rate on the substrate. On the other hand, when the film deposition rate increases, the film density of the deposited film decreases and the film stress (tensile stress) increases. However, by supplying low-frequency power to the substrate, ions that could not be tracked at high frequencies are tracked. As a result, ion bombardment of the film occurs, and the film density increases due to the film deposition while receiving the ion bombardment, and the film stress changes from tensile stress to compressive stress. Thus, the film deposition rate can be increased to improve productivity, the film density can be increased and the film stress that causes cracks can be controlled, and the deposition on the side wall of the reaction chamber can be reduced to reduce the etching process. it can.
【００１１】[0011]
【実施例】以下、本発明の一実施例のプラズマＣＶＤ装
置について図１を参照しながら説明する。DETAILED DESCRIPTION OF THE PREFERRED EMBODIMENTS A plasma CVD apparatus according to an embodiment of the present invention will be described below with reference to FIG.
【００１２】図１において、反応室１４は真空排気口１
５を有し、アースに接地されている。１６はプラズマ放
電用の電極である。高周波発振器（周波数１３．５６Ｍ
Ｈｚ）からの電力が、マッチングチューナ、フィルタ、
高周波電力供給部１７を通ってこの電極１６に供給され
る。電極１６は、反応ガス導入管１８から供給された反
応ガスを反応室１４内にシャワー状に分散させて供給す
るためのガス流出孔１９を有する。２０は反応室１４と
電極１６とを絶縁するためのアルミナからなる絶縁リン
グである。２１は反応ガス導入管１８と電極１６を絶縁
するためのアルミナからなる絶縁管である。In FIG. 1, the reaction chamber 14 has a vacuum exhaust port 1
5 and is grounded to earth. Reference numeral 16 is an electrode for plasma discharge. High frequency oscillator (frequency 13.56M
Power from the (Hz) matching tuner, filter,
It is supplied to the electrode 16 through the high frequency power supply unit 17. The electrode 16 has a gas outflow hole 19 for dispersing and supplying the reaction gas supplied from the reaction gas introduction pipe 18 into the reaction chamber 14 in a shower shape. Reference numeral 20 is an insulating ring made of alumina for insulating the reaction chamber 14 and the electrode 16 from each other. Reference numeral 21 is an insulating tube made of alumina for insulating the reaction gas introducing tube 18 and the electrode 16.
【００１３】２２は基板２３を載置するための基板台で
ある。２４は基板台２２及び基板２３を加熱するための
ヒーターブロックであり、ヒーター及び熱電対（図示せ
ず）が埋め込まれている。２５はヒーターブロック２４
と反応室１４の間の熱移動を少なくするための絶縁物
（例えばアルミナ）からなる絶縁リングである。基板台
２２には低周波発振器（４００ＫＨｚ）からの電力がマ
ッチングチューナ、フィルタ、低周波電力供給部２６を
通って供給される。２７はアルミナからなる絶縁リング
で、Ｏリングを用いて反応室１４を真空に保っている。
電極１６、絶縁リング２０、ヒーターブロック２５にも
Ｏリングシール（図示せず）が用いられ、反応室１４内
の真空を保っている。２８はＯリングが２００°Ｃ以上
に加熱されないように冷却水を流すための水冷溝であ
る。Reference numeral 22 is a substrate table on which a substrate 23 is placed. Reference numeral 24 is a heater block for heating the substrate table 22 and the substrate 23, in which a heater and a thermocouple (not shown) are embedded. 25 is a heater block 24
The insulating ring is made of an insulating material (eg, alumina) for reducing heat transfer between the reaction chamber 14 and the reaction chamber 14. Electric power from a low frequency oscillator (400 KHz) is supplied to the substrate table 22 through a matching tuner, a filter, and a low frequency power supply unit 26. Reference numeral 27 is an insulating ring made of alumina, and an O ring is used to keep the reaction chamber 14 in a vacuum.
O-ring seals (not shown) are also used for the electrodes 16, the insulating ring 20, and the heater block 25 to maintain the vacuum inside the reaction chamber 14. Reference numeral 28 is a water cooling groove for flowing cooling water so that the O-ring is not heated above 200 ° C.
【００１４】２９は電極１６と反応室１４側壁との放電
が生じないように電極１６から約１〜２mmの間隙を保つ
ように設けられた上部側面シールド板であり、接地され
ている。３０は基板台２２と反応室１４側壁との放電が
生じないように基板台２２から約１〜２mmの間隙を保つ
ように設けられた下部側面シールド板であり、接地され
ている。Reference numeral 29 is an upper side shield plate which is provided so as to maintain a gap of about 1 to 2 mm from the electrode 16 so as to prevent discharge between the electrode 16 and the side wall of the reaction chamber 14, and is grounded. Reference numeral 30 denotes a lower side shield plate which is provided so as to maintain a gap of about 1 to 2 mm from the substrate table 22 so as to prevent discharge between the substrate table 22 and the side wall of the reaction chamber 14, and is grounded.
【００１５】以上のように構成されたプラズマＣＶＤ装
置によりＳｉＮ膜を堆積する動作を次に説明する。The operation of depositing the SiN film by the plasma CVD apparatus configured as described above will be described below.
【００１６】基板２３をヒーターブロック２４にて約３
００°Ｃに加熱し、反応室１４にガス流出孔１９からＳ
ｉＨ4 （モノシラン）ガスを２０ｓｃｃｍ、Ｎ2 （窒
素）ガスを１００ｓｃｃｍ、ＮＨ3 （アンモニア）ガス
を６０ｓｃｃｍ流した状態で、反応室１４内を約２ｔｏ
ｒｒに真空保持する。電極１６には１３．５６ＭＨｚの
高周波電力を高周波電力供給部１７を通して４００Ｗ印
加し、電極１６と基板台２２間でプラズマ放電を起こ
す。また基板台２２には４００ＫＨｚの低周波電力を２
００Ｗ印加する。反応室１４中の反応ガスとしてのＳｉ
Ｈ4 ガス、Ｎ2 ガス、ＮＨ3 ガスはプラズマ中の電子に
よって励起・解離され、基板２３上にＳｉＮ（シリコン
ナイトライド）膜を堆積する。The substrate 23 is heated to about 3 by the heater block 24.
After heating to 00 ° C, the reaction chamber 14 is supplied with S from the gas outlet hole 19
In the reaction chamber 14, an iH 4 (monosilane) gas of 20 sccm, an N 2 (nitrogen) gas of 100 sccm, and an NH 3 (ammonia) gas of 60 sccm were flowed to about 2 tons.
Hold vacuum at rr. A high frequency power of 13.56 MHz is applied to the electrode 16 through the high frequency power supply unit 400 at 400 W to cause plasma discharge between the electrode 16 and the substrate table 22. In addition, a low frequency power of 400 KHz is applied to the substrate table 22.
Apply 00W. Si as a reaction gas in the reaction chamber 14
The H 4 gas, N 2 gas, and NH 3 gas are excited and dissociated by the electrons in the plasma, and deposit a SiN (silicon nitride) film on the substrate 23.
【００１７】この成膜時に電極１６と基板２３間の距離
を３〜１５mmに連続的に変化してそれぞれの距離で膜堆
積を行った結果、１１mm以上ではプラズマ自体電極１
６、基板２３間だけでなく、それらを包み込むように広
がったプラズマとなった。また、１０mm以下では、電極
１６と基板２３間にプラズマが閉じ込められたように放
電し、３mm以下では放電しなかった。During the film formation, the distance between the electrode 16 and the substrate 23 was continuously changed to 3 to 15 mm, and the film was deposited at each distance.
6 and the plasma spread not only between the substrates 23 but also around them. Further, when the thickness was 10 mm or less, the discharge occurred as if plasma was confined between the electrode 16 and the substrate 23, and when the thickness was 3 mm or less, the discharge did not occur.
【００１８】また、低周波電力を０Ｗとして実際の膜堆
積速度を測定すると、１０mm以下では６０００オングス
トローム／分の膜堆積速度であるのに対し、１１mm以上
では約４０００オングストローム／分以下の膜堆積速度
となった。このときの距離を変えて堆積した膜の応力を
測定すると、引張応力となり、電極１６、基板２３間距
離が１１mm以上では約１．５×１０9 dynes/cm2 である
のに対し、１０mm以下では約２倍の３×１０9 dynes/cm
2 となった。When the actual film deposition rate is measured with low frequency power of 0 W, the film deposition rate is 6000 Å / min when the thickness is 10 mm or less, whereas the film deposition rate is approximately 4000 Å / min or less when the thickness is 11 mm or more. Became. When the stress of the deposited film is measured while changing the distance at this time, it becomes a tensile stress, which is about 1.5 × 10 9 dynes / cm 2 when the distance between the electrode 16 and the substrate 23 is 11 mm or more, whereas it is 10 mm or less. Then doubled 3 × 10 9 dynes / cm
Became 2 .
【００１９】これに対し、１０mm以下の場合でも基板台
２２に低周波電力４００ＫＨｚを０〜３００Ｗに変化さ
せてそれぞれ膜堆積すると、低周波電力が０〜１５０Ｗ
までは引張応力であるのに対して１５０Ｗを越えると圧
縮応力に変化した。これは、低周波ではプラズマ中のイ
オンと電子ともに電場に追従できるため、イオンの基板
２２中へのイオン衝撃が加わり緻密な膜が形成されるた
めである。このように低周波電力を印加することによ
り、応力のコントロールをすることができる。すなわ
ち、電極１６と基板２３間の距離を１０mm以下と狭く
し、膜堆積速度を増加しても、低周波電力を印加するこ
とにより応力の小さな膜を得ることができる。On the other hand, even when the thickness is 10 mm or less, when low frequency power 400 KHz is changed to 0 to 300 W and films are deposited on the substrate table 22, the low frequency power is 0 to 150 W.
Up to 150 W, it changed to compressive stress. This is because both ions and electrons in the plasma can follow the electric field at a low frequency, so that ions are bombarded into the substrate 22 to form a dense film. By applying the low frequency power in this way, the stress can be controlled. That is, even if the distance between the electrode 16 and the substrate 23 is narrowed to 10 mm or less and the film deposition rate is increased, a low stress film can be obtained by applying low frequency power.
【００２０】また、低周波電力の周波数を５０ＫＨｚ〜
１０００ＫＨｚで変化させて応力を測定した場合、８０
０ＫＨｚ以下で顕著な効果が見られた。Further, the frequency of the low frequency power is from 50 KHz to
When changing the stress at 1000 KHz and measuring the stress, 80
A remarkable effect was observed at 0 KHz or less.
【００２１】以上のように、本実施例によれば電極１６
と基板台２２にそれぞれ１〜２mmの間隙を設けて接地さ
れたシールド板２９、３０を設け、電極１６に高周波電
力（１３．５６ＭＨｚ）、基板台２２に低周波電力（４
００ＫＨｚ）を印加し、電極１６と基板台２２間の距離
を４〜１０mmとすることにより、プラズマが電極１６と
基板台２２の間で閉じ込められて膜堆積速度が増加し、
さらに膜堆積速度が増加してもストレスの小さな良質の
ＳｉＮ膜を堆積することができる。また、電極１６と基
板２３間の距離が１１mm以上の場合に比べて１０mm以下
の場合、反応室１４の側壁への膜堆積量が減少する。そ
のため、反応室１４の膜堆積物を除去する回数を減らす
ことができ、生産性を向上することができる。As described above, according to this embodiment, the electrode 16
The shield plates 29 and 30 are provided on the substrate base 22 and the substrate base 22 with a gap of 1 to 2 mm, respectively, and high-frequency power (13.56 MHz) is applied to the electrode 16 and low-frequency power (4.
(00 KHz) and the distance between the electrode 16 and the substrate table 22 is set to 4 to 10 mm, plasma is confined between the electrode 16 and the substrate table 22, and the film deposition rate increases,
Further, it is possible to deposit a good quality SiN film with a small stress even if the film deposition rate is increased. Further, when the distance between the electrode 16 and the substrate 23 is 10 mm or less as compared with the case where the distance is 11 mm or more, the film deposition amount on the side wall of the reaction chamber 14 decreases. Therefore, the number of times the film deposit in the reaction chamber 14 is removed can be reduced, and the productivity can be improved.
【００２２】なお、上記実施例においてＳｉＮ膜を堆積
する場合について説明したが、本発明は他のプラズマＣ
ＶＤ膜、例えばＳｉＯ2 膜等の形成にも応用できる。Although the case where the SiN film is deposited has been described in the above embodiment, the present invention is not limited to the plasma C.
It can also be applied to the formation of a VD film such as a SiO 2 film.
【００２３】また上記実施例において高周波電力は１
３．５６ＭＨｚとしたが、高周波であれば特にこの周波
数に限定されるものではない。In the above embodiment, the high frequency power is 1
The frequency is 3.56 MHz, but the frequency is not particularly limited as long as it is a high frequency.
【００２４】また上記実施例において、低周波電力は４
００ＫＨｚとしたが１００ＫＨｚ〜２ＭＨｚの範囲で同
様の効果があり、特に４００ＫＨｚ〜８００ＫＨｚの範
囲では膜応力低減の効果が大きい。In the above embodiment, the low frequency power is 4
Although the frequency is set to 00 KHz, the same effect is obtained in the range of 100 KHz to 2 MHz, and particularly the effect of reducing the film stress is large in the range of 400 KHz to 800 KHz.
【００２５】[0025]
【発明の効果】本発明によれば、以上のように電極と基
板台共に側面にシールド板を設けたことにより反応室側
壁との放電が起こらず、かつ電極と基板台の間隔を通常
の２０mmに対して４〜１０mmと狭く設定したことによ
り、プラズマが電極と基板台間で閉じ込められてプラズ
マ密度が増加して基板上への膜堆積速度が増加し、しか
も一般に膜堆積速度が増加すると膜密度が低くなって膜
応力（引張応力）が増大するが、本発明では基板に低周
波電力を供給することによって高周波では追従できなか
ったイオンも追従できて膜へのイオン衝撃が起こり、こ
のイオン衝撃を受けながら膜が堆積することにより膜密
度が増加するとともに膜の応力が引張応力から圧縮応力
へと変化する。従って、膜堆積速度を速くできるととも
に反応室側壁への堆積が少なくなってその除去作業を少
なくできて生産性が向上し、しかも膜密度を増大させて
クラックの原因となる膜応力をコントロールすることが
でき、クラックを生じる恐れのない良質の膜を得ること
ができる。As described above, according to the present invention, since the shield plates are provided on the side surfaces of both the electrode and the substrate stand, no discharge is generated between the side wall of the reaction chamber and the distance between the electrode and the substrate stand is usually 20 mm. By setting the width as narrow as 4 to 10 mm, the plasma is confined between the electrode and the substrate table, the plasma density is increased, and the film deposition rate on the substrate is increased. Although the density becomes low and the film stress (tensile stress) increases, in the present invention, by supplying low frequency power to the substrate, ions that could not follow at high frequency can also follow up and ion bombardment to the film occurs, and this ion As the film is deposited while receiving an impact, the film density increases and the film stress changes from tensile stress to compressive stress. Therefore, the film deposition rate can be increased and the deposition on the side wall of the reaction chamber can be reduced to reduce the removal work to improve the productivity, and also to increase the film density to control the film stress that causes cracks. It is possible to obtain a high-quality film that is free from cracks.
【図１】本発明の一実施例におけるプラズマＣＶＤ装置
の断面図である。FIG. 1 is a sectional view of a plasma CVD apparatus according to an embodiment of the present invention.
【図２】従来例のプラズマＣＶＤ装置の断面図である。FIG. 2 is a cross-sectional view of a conventional plasma CVD apparatus.
１４ 反応室 １５ 真空排気口 １６ 電極 １７ 高周波電力供給部 １８ 反応ガス導入管 ２２ 基板台 ２３ 基板 ２４ ヒータブロック ２６ 低周波電力供給部 ２９ 上部側面シールド板 ３０ 下部側面シールド板 14 Reaction Chamber 15 Vacuum Evacuation Port 16 Electrode 17 High Frequency Power Supply Section 18 Reactive Gas Introducing Tube 22 Substrate Stand 23 Substrate 24 Heater Block 26 Low Frequency Power Supply Section 29 Upper Side Shield Plate 30 Lower Side Shield Plate
フロントページの続き (72)発明者 山田 雄一郎 大阪府門真市大字門真1006番地 松下電器 産業株式会社内Front page continuation (72) Inventor Yuichiro Yamada 1006 Kadoma, Kadoma City, Osaka Prefecture Matsushita Electric Industrial Co., Ltd.
Claims (2)
応室と、反応室内で基板を載置する基板台と、基板台を
加熱するヒーターブロックと、基板台に低周波電力を供
給する手段と、基板台側面に間隙を設けて配設されかつ
接地された下部側面シールド板と、基板台に対して４〜
１０mmの間隔を設けて対向配置されかつ高周波電力が供
給される高周波電極と、高周波電極の側面に間隙を設け
て配設されかつ接地された上部側面シールド板とから成
ることを特徴とするプラズマＣＶＤ装置。1. A reaction chamber having a reaction gas introduction port and a vacuum exhaust port, a substrate stage on which a substrate is placed, a heater block for heating the substrate stage, and means for supplying low-frequency power to the substrate stage. And a lower side shield plate which is disposed on the side surface of the substrate table with a gap and is grounded, and 4 to the substrate table.
Plasma CVD characterized by comprising high-frequency electrodes which are opposed to each other with a space of 10 mm and to which high-frequency power is supplied, and an upper side shield plate which is arranged with a gap on the side surface of the high-frequency electrode and is grounded. apparatus.
高周波電極と上部側面シールド板の間隙が約１〜２mmで
あることを特徴とする請求項１記載のプラズマＣＶＤ装
置。2. The plasma CVD apparatus according to claim 1, wherein a gap between the substrate table and the lower side shield plate and a gap between the high frequency electrode and the upper side shield plate are about 1 to 2 mm.
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP4120396A JPH05315268A (en) | 1992-05-13 | 1992-05-13 | Plasma cvd apparatus |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP4120396A JPH05315268A (en) | 1992-05-13 | 1992-05-13 | Plasma cvd apparatus |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH05315268A true JPH05315268A (en) | 1993-11-26 |
Family
ID=14785176
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP4120396A Pending JPH05315268A (en) | 1992-05-13 | 1992-05-13 | Plasma cvd apparatus |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH05315268A (en) |
Cited By (12)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
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- 1992-05-13 JP JP4120396A patent/JPH05315268A/en active Pending
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