JPH05250254A - 記憶回路 - Google Patents

記憶回路

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JPH05250254A
JPH05250254A JP4046484A JP4648492A JPH05250254A JP H05250254 A JPH05250254 A JP H05250254A JP 4046484 A JP4046484 A JP 4046484A JP 4648492 A JP4648492 A JP 4648492A JP H05250254 A JPH05250254 A JP H05250254A
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memory
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Tei Shibuya
禎 渋谷
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NEC Corp
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    • G06COMPUTING; CALCULATING OR COUNTING
    • G06FELECTRIC DIGITAL DATA PROCESSING
    • G06F9/00Arrangements for program control, e.g. control units
    • G06F9/06Arrangements for program control, e.g. control units using stored programs, i.e. using an internal store of processing equipment to receive or retain programs
    • G06F9/46Multiprogramming arrangements
    • G06F9/52Program synchronisation; Mutual exclusion, e.g. by means of semaphores
    • GPHYSICS
    • G09EDUCATION; CRYPTOGRAPHY; DISPLAY; ADVERTISING; SEALS
    • G09GARRANGEMENTS OR CIRCUITS FOR CONTROL OF INDICATING DEVICES USING STATIC MEANS TO PRESENT VARIABLE INFORMATION
    • G09G5/00Control arrangements or circuits for visual indicators common to cathode-ray tube indicators and other visual indicators
    • G09G5/36Control arrangements or circuits for visual indicators common to cathode-ray tube indicators and other visual indicators characterised by the display of a graphic pattern, e.g. using an all-points-addressable [APA] memory
    • G09G5/39Control of the bit-mapped memory
    • G09G5/393Arrangements for updating the contents of the bit-mapped memory
    • GPHYSICS
    • G11INFORMATION STORAGE
    • G11CSTATIC STORES
    • G11C7/00Arrangements for writing information into, or reading information out from, a digital store
    • G11C7/10Input/output [I/O] data interface arrangements, e.g. I/O data control circuits, I/O data buffers
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Abstract

(57)【要約】 【目的】高速にビット操作を行なえるとともに、CPU
の性能をそのまま発揮させることのできる記憶回路を提
供することにある。 【構成】記憶回路108は、メモリセル部109および
このメモリセル部に対してビット単位の書き込みを制御
するビット操作部110とを備え且つ少なくとも2つの
装置から異なるタイミングでデータの読み出しまたはデ
ータの書き込みを行うことのできるランダムアクセスメ
モリ102と、メモリセル部109に対する書き込みの
ビット単位にビット操作部110の動作を制御するレジ
スタ105とを有する。しかも、このレジスタ105に
より書き込みを許可されたビットについてはビット操作
部110を介してメモリセル部109の内容を書き換え
るが、書き込みを禁止されたビットについてはメモリセ
ル部109の内容を保持するように構成される。

Description

【発明の詳細な説明】
【0001】
【産業上の利用分野】本発明は情報処理分野などで用い
る記憶回路に関し、特に一つのメモリを共通に使用する
ためのビット操作回路に関する。
【0002】
【従来の技術】一般に、メモリを共用するマイクロコン
ピュータ(以下、マイコンと称す)のシステムは、中央
演算装置(CPU)とタイマや割り込みコントローラな
どの周辺機能部とから1個のメモリをタイミングを変え
て読み出したり、書き込んだり(以下、アクセスと称
す)する方法(以下、タイムシェアリングと称す)が用
いられる。このタイムシェアリング方法においては、一
方からアクセスしていない場合に他方からアクセスする
ことができる。かかるタイムシェアリング方式の共通メ
モリ(以下、コモンメモリと称す)において、通常CP
Uや周辺機能部は8ビット単位でメモリ上のデータへア
クセスを行なっている。しかし、メモリをフラグなどに
使用する場合は、8ビットデータを1ビット単位で使用
すること(以下、ビット操作と称す)がある。このビッ
ト操作を行なう場合は初めにビット操作を行なうデータ
をメモリから読み出し(以下、リードと称す)、次にビ
ット操作のためにリードした8ビットデータをANDゲ
ートやORゲートに入力して8ビットデータの中の対象
ビットをセットもしくはリセットしてから演算処理を行
なう。そして、演算処理を行なった8ビットデータをリ
ードしたメモリ上の同じ番地(以下、アドレスと称す)
へ書き込む(以下、ライトと称す)。このように、上述
した一連の動作はリードモディファイライトと呼ぶ。従
って、ビット操作を行なっている機能部はデータをリー
ドしている時および演算処理を行なったデータをメモリ
へライトする時にメモリに対してアクセスしているが、
リードしたデータに対して演算処理を行なっている間は
メモリをアクセスしてはいない。
【0003】例えば、CPUがメモリのデータへビット
操作を行なう場合で、しかもメモリからリードしたデー
タにCPUが演算処理を行なっている場合に、周辺機能
部によってCPUがリードしたメモリ上のデータが書き
換えられることを防止するために、メモリへのアクセス
期間だけではなく、ビット操作期間中も周辺機能部から
のメモリに対するアクセスを禁止するフラグビット(以
下、セマフォビットと称す)が用いられている。
【0004】図8は従来の一例を説明するためのコモン
メモリを有するマイコンのブロック図である。図8に示
すように、かかるマイコン100は演算処理を実行する
CPU101と、CPU101の演算処理などを実行す
る命令を記憶しているROM104と、タイマや割り込
みコントローラなどの周辺機能部103と、CPU10
1や周辺機能部103で用いるデータを記憶しているR
AM802と、CPU101が周辺機能部103からR
AM802に対するアクセスを禁止するためのセマフォ
ビットC.S.B809と、周辺機能部103がCPU
101からRAM802に対するアクセスを禁止するた
めのセマフォビットP.S.B808とを備えている。
また、マイコン100はこれらの他に内部バス106と
専用バス107を有している。
【0005】このマイコン100において、信号CRD
はCPU101がRAM802に対してリードを行なう
ためにCPU101から出力される信号であり、信号C
WRはCPU101がRAM802に対してライトを行
なうためにCPU101から出力される信号である。ま
た、信号CACはCPU101がRAM802に対して
アクセスをしていることを示す信号であり、信号PRD
は周辺機能部103がRAM802に対してリードを行
なうために出力される信号であり、信号PWRは周辺機
能部103がRAM802に対してライトを行なうため
に出力される信号である。尚、内部バス106はCPU
101やROM104,RAM802および周辺機能部
103が共通にデータのやりとりを行なうためのバスで
あり、専用バス107は周辺機能部103とRAM80
2との間でデータのリードやライトを行うバスである。
更に、C.S.B809はCPU101が“1”に設定
することにより、周辺機能部103からRAM802に
対するアクセスを禁止することができ、同様にP.S.
B808は周辺機能部103が“1”に設定することに
より、CPU101からRAM802に対するアクセス
を禁止することができる。
【0006】図9は図8におけるこのマイコンのビット
操作を説明するための各信号のタイミング図である。図
9に示すように、ここではマイコン100がRAM80
2の中のビット(A)805に対してビット操作を行な
う動作を表わしている。まず、CPU101がRAM8
02中のビット(A)805に対してビット操作を行な
う場合、CPU101はP.S.B808の値を読み、
現在CPU101のRAM802に対するアクセスが禁
止されていないことを確認する。このP.S.B808
が“0”であれば、CPU101はC.S.B809を
“1”にして周辺機能部103からRAM802に対す
るアクスセを禁止する一方、ビット操作を行なうために
ビット(A)805を含むデータに対してリードモディ
ファイライトを行なう。かかるビット操作が完了する
と、CPU101はC.S.B809を“0”にする。
【0007】次に、周辺機能部103がRAM802中
のビット(A)805に対してビット操作を行う場合、
周辺機能部103はC.S.B809が“0”であるこ
とを確認する。このC.S.B809が“0”であれ
ば、周辺機能部103はP.S.B808を“1”にセ
ットしてCPU101からRAM802に対するアクセ
スを禁止する一方、ビット操作を行なうためにビット
(A)805を含むデータに対してリードモティファイ
ライトを行なう。今、周辺機能部103がリードモディ
ファイライトを実行中に、CPU101がビット(A)
805に対してビット操作を行なおうとしても、P.
S.B808が“1”にセットされている期間は、CP
U101からRAM802に対するアクセスが禁止され
ているので、ビット操作を行なうことができない。しか
る後、P.S.B808が“0”になったら、CPU1
01はC.S.B809を“1”にしてビット(A)8
05に対するビット操作を行なう。
【0008】
【発明が解決しようとする課題】上述した従来のCPU
以外の周辺機能部からタイムシェアリングにアクセスす
る記憶回路としてのRAMは、RAMのデータへビット
操作を行なう場合、ビット操作を行なっている機能がデ
ータの演算処理を行なっている間にリードしたデータに
対して他方よりアクセスを禁止するようにセマフォビッ
トを用いてリードモディファイライトを行なっている。
このため、1度のビット操作を行なうのに非常に時間が
かかってしまい、またそのセマフォビットを確認してか
らでないと、他方よりのRAMに対するアクセスが行な
えないので、CPUの性能がおちてしまうという欠点が
ある。
【0009】本発明の目的は、かかる1度のビット操作
を高速にするとともに、CPUの性能をそのまま発揮さ
せることのできる記憶回路を提供することにある。
【0010】
【課題を解決するための手段】本発明の記憶回路は、メ
モリセル部および前記メモリセル部に対してビット単位
の書き込みを制御するビット操作部とを備え且つ少なく
とも2つの装置から異なるタイミングでデータの読み出
しまたはデータの書き込みを行うことのできるランダム
アクセスメモリと、前記メモリセル部に対する書き込み
のビット単位に前記ビット操作部の動作を制御するレジ
スタとを有し、前記レジスタにより書き込みを許可され
たビットについては前記ビット操作部を介して前記メモ
リセル部の内容を書き換えるが、書き込みを禁止された
ビットについては前記メモリセル部の内容を保持するよ
うに構成される。
【0011】
【実施例】次に、本発明の実施例について図面を参照し
て説明する。図1は本発明の第1の実施例を説明するた
めの記憶回路含むマイコンのブロック図である。なお、
前述した図8に示す従来のマイコンと同一の部分につい
ての説明は省略し、異なる部分だけの説明を行なう。図
1に示すように、かかるマイコン100はCPU10
1,周辺機能部103,ROM104を有する他に、メ
モリセル部109およびビット操作部110を備えたR
AM102と、マスクレジスタ105とを含む記憶回路
108を有している。この記憶回路108におけるマス
クレジスタ105は、CPU101からの制御により内
部バス106およびRAM102との間でデータ転送を
行う。CPU101からの信号MRDはCPU101が
マスクレジスタ105のデータをリードするための信号
であり、信号MWRはCPU101がマスクレジスタ1
05へデータをライトするための信号である。また、ビ
ット操作部110の詳細な構成及び動作については、以
下の図2および図3で説明する。
【0012】図2は図1に示す記憶回路の構成図であ
る。図2に示すように、記憶回路108を構成するRA
M102はメモリセル部109およびビット操作部11
0の他に、メモリセル部109のアドレスを決めるマル
チプレクサ206と、アドレス入力バッファ205と、
ビット操作部110に対するマルチプレクサ201およ
び202とを有する。また、ビット操作部110はメモ
リセル部109との間でデータのやり取りを行うライト
バッファ203およびリードバッファ204と、マスク
レジスタ105からのデータをライトバッファ203に
送出するマルチプレクサ200とを備えている。すなわ
ち、メモリセル部109はDT0(7:0)やDT1
(7:0)のデータに対してリードやライト制御を行な
う。尚、メモリセル部109の207,208はそれぞ
れビットセル群A,Bを表わす。
【0013】かかるRAM102において、データをリ
ードする場合を説明する。まず、信号CACが“0”の
場合、アドレスデータAD0(7:0)が出力され、C
ACが“1”の場合はアドレスデータAD1(7:0)
が出力される。マルチプレクサ206はこのアドレスデ
ータによりAD(7:0)をアドレス入力バッファ20
5へ出力する。これにより、アドレスバッファ205に
示すアドレスに書かれているデータがメモリセル部10
9よりリードバッファ204へ出力される。一方、信号
CACが“0”の場合はPRDを、また“1”の場合は
CRDが出力されるマルチプレクサ202によって出力
する信号RDでリードバッファ204をONさせ、リー
ドデータRDT(7:1)をマルチプレクサ201へ出
力する。その時に信号CACが“0”の場合はデータD
T0(7:0)に、また“1”の場合はデータDT1
(7:0)にマルチプレクサ201によりリードデータ
を出力する。
【0014】次に、RAM102へデータをライトする
場合、ライト時に信号CACが“0”のときはデータD
T0(7:0)を入力し、また“1”の場合はDT1
(7:0)のデータを入力するマルチプレクサ201に
よって入力されたライトデータWDT(7:0)をライ
トバッファ203へ送出する。メモリセル部109への
書き込みはマスクレジスタ105のマスク信号MK
(7:0)と信号CAC,CWR,PWRとをマルチプ
レクスするマルチプレクス200より行われる。すなわ
ち、マルチプレクサ200の出力はデータWR(7:
0)によってONされるライトバッファ203へ入力さ
れる。そして、前述した信号CACによってマルチプレ
クスされたアドレスデータを入力するアドレスバッファ
205が示すアドレスへ入力したライトデータWDT
(7:0)をライトする。
【0015】図3は図2におけるビットセル群とビット
操作部の回路図である。図3に示すように、ここではR
AM102中のメモリセル部109における3ビット目
のビットセル群208および4ビット目のビットセル群
207と、ライトバッファ203およびマルチプレクサ
200の中にある3ビット目と4ビット目に割当てられ
ている箇所、すなわち、ビット操作部110a,110
bとを表わしている。かかるRAM102のビットセル
はビットセル群208のような構成となっており、ビッ
トセル群207もビットセル群208と同じ構成となっ
ている。
【0016】まず、一般的なRAMのビットセルについ
て、ビットセルBを用いて説明する。RAM102の1
ビットであるビットセルBは、インバータ315,31
6がお互いの出力を入力し合い、ビットセルBを含む8
ビットデータのアドレスを示す信号ADDが“1”とな
ると、ビットセル群208のデータを示すQと、その反
転データを示すQの反転と、それぞれにインバータ31
5,316の出力を導通されるnチャネル型MOSトラ
ンジスタ317および318を備えている。
【0017】初めに、ビットセルBに対してリードした
場合は、ビットセルBを構成しているインバータ315
の出力が“1”であったとすると、その出力を入力して
いるインバータ316の出力は“0”となり、インバー
タ315の出力も変化しないので、同じ出力を保ちつづ
けることになる。従って、このビットセルBはデータQ
が“1”であることを記憶していることになる。また、
ビットセル群208のQ,Qの反転ラインはPCG信号
が“1”のときインバータ324の出力が“0”とな
り、Pチャネル型MOSトランジスタ322と323が
電源319と導通することになる。この時、ADDが
“1”とはならないので、ビットセルBのデータが変化
することはない。一方、PCGが“0”である時にビッ
トセルBに対してリード動作が行なわれ、まずADDが
“1”になると、nチャネル型のMOSトランジスタ3
17と318がそれぞれQ,Qの反転ラインと導通す
る。このため、インバータ315の出力によりQの反転
ラインは“1”となり、インバータ316の出力によっ
てQの反転ラインは“0”となる。また、この時Qの反
転ラインが“0”であるので、Pチャネル型MOSトラ
ンジスタ321が電源319とQラインを導通するの
で、ビットセル群208のQラインが“1”となり、イ
ンバータ316の出力によってQラインが“0”である
ことが明らかとなる。この時、ビットセルBのデータは
“1”の時、RDが“1”であると、ONされるリード
バッファ325によってビットセル群208のビットデ
ータRDT(3)が出力される。ここで、ビットセルB
が“0”であるとしても、Pチャネル型MOSトランジ
スタ320が電源319とQの反転ラインを導通するの
で、同様にビットセルBのデータは“0”としてリード
バッファ204へ出力されることは明白である。かかる
リード動作が終了すると、ADDが“0”となり、出力
したデータが記憶される。
【0018】次に、ビットセルBに対してライトする場
合について説明する。今、ビットセルBの記憶している
データQが“1”であったとする。リード時と同様に、
PCGが“0”である時にビットセルBに対してライト
動作が行なわれ、ADDが“1”となると、nチャネル
型のMOSトランジスタ317と318がQ,Qの反転
ラインと導通する。この時、ライトデータWDT(3)
が“0”で、ライトバッファ307と308をONとす
るWR(3)が“1”であったとすると、インバータ3
05の出力が“1”となるので、ライトバッファ307
は“0”を、またライトバッファ308は’1”をそれ
ぞれQ,Qの反転ラインへ出力する。このQラインが
“1”となると、インバータ315の出力は“1”から
“0”へ変わる。ビットセルBに対してライト動作が終
了するとADDが“0”となり、nチャネルMOSトラ
ンジスタ317と318が遮断される。インバータ31
5の出力は“0”であるので、インバータ316の出力
は“1”のままとなり、インバータ315も変化しない
ので、ビットセルBはデータQが“0”であることを記
憶するように変更され、書き換えられたことになる。つ
まり、ライトされたことになる。
【0019】次に、上述したRAM102のメモリセル
部109に対してのビット操作について説明する。図3
において、ビット操作を行なう回路は、CPU101が
アクセスしていることを示すCACを入力するインバー
タ306と、その出力と周辺機能部103がライトする
時に“1”となるPWRを入力するANDゲート310
と、ビットセル群208に対するマスクビット313の
出力MK(3)を入力とするインバータ312と、その
インバータ312およびCACとCPUがライトする時
に“1”となるPWRを入力するANDゲート311
と、そのANDゲート311およびANDゲート310
の出力を入力とするORゲート309とで構成されてい
る。また図3において、ビット操作部110aは上述し
たビット操作部110bと同様である。
【0020】図4は図3に示すビット操作部の動作を説
明するための各信号のタイミング図である。図4に示す
ように、かかるビット操作部110a,110bの中の
ビットセルAとビットセルBに対してビット操作を行な
う場合、RAM102のメモリセル部109におけるビ
ットセルAとBが“0”で、ビットセル群207に対す
るマスクレジスタ105のビット314のMK(4)が
“0”であったとすると、ビット操作部110bと同様
な構成の回路110a中のインバータ312の出力は
“0”となる。従って、ビットセルAに対してビット操
作を行なう場合は、通常のライト動作と同様に、CAC
が“1”である時にWDT(4)を“1”とし且つCW
Rを“1”とすると、ANDゲート311の出力は
“1”となるので、ORゲート309が“1”となり、
ライトバッファ307,308をONする。従って、前
述したライト動作と同様にビットセルAは“1”とな
る。
【0021】次に、ビットセルBに対してマスクレジス
タ105のビット313のMK(3)が“0”の場合に
ついての動作は上述したビットセルAに対する動作と同
様であるので省略し、MK(3)が“1”であるとイン
バータ312の出力は“0”となり、ビット操作を行な
うために通常のライト動作と同様にCACが“0”ある
時にCWRが“1”となったとしても、ANDゲート3
11は“0”のままであるので、ORゲート309は
“0”となり、ライトバッファ307と308はONし
ない。従って、ビットセルBに対して、前述したリード
動作と同様に、ADDが“0”となるだけで、今まで記
憶されていたデータを保持する。すなわち、ビット操作
は行なわれないことになる。また、CACが“0”であ
った場合はCPU101がRAM102に対してアクセ
スしていないことを示しているので、インバータ306
の出力が“1”で、しかも周辺機能部103がビットセ
ルA,Bを含む8ビットデータに対しPWRを“1”と
することによりANDゲート310を“1”にし、OR
ゲート309を“1”にする。従って、ライトバッファ
307,308をONすることにより、WDT(7:
0)をライトすることができるのは明白である。要する
に、ビットセルA,Bを含む8ビットデータに対して、
その8ビットのマスクレジスタ105によって通常のラ
イト動作のみでビットセルに対するビット操作を行なう
ことができる。
【0022】図5は本発明の第2の実施例を説明するた
めの記憶回路を含むマイコンのブロック図である。また
図6は図5に示す記憶回路の構成図であり、図7は図6
におけるビットセル群とビット操作部の回路図である。
図5乃至図7に示すように、本実施例は前述した第1の
実施例と比較して周辺機能部503よりマスク信号PM
K(7:0)がバス508を介してRAM102へ出力
されている点が異っている。このPMK(7:0)によ
る制御以外は前述した第1の実施例と全く同一の制御で
あるので、同一番号を付けて回路の動作説明を省略す
る。また、図7と前述した図3との相違点は、周辺機能
部503よりマスク信号PMK(7:0)が出力されて
いることと、それが図6におけるマルチプレクサ600
へ入力されること、および図7において対応するビット
のビット操作部110bのインバータ726へ入力され
ることにある。
【0023】まず、本実施例の動作は、図5乃至図7に
示すように、周辺機能部503より出力されるPMK
(3)が“0”の場合、インバータ726の出力が
“1”となり、またCACが“0”のときはインバータ
306の出力が“1”で且つPWRを“1”とすること
によりANDゲート310の出力が“1”となるので、
ORゲート309の出力は“1”となる。従って、かか
る場合は前述した第1の本実施例で述べたのと同様のラ
イト動作を行なうことができる。
【0024】次に、周辺機能部503より出力されるP
MK(3)が“1”の場合は、インバータ726の出力
が“0”となり、CACが“0”のときのインバータ3
06の出力が“1”で且つPWRを“1”としても、A
NDゲート310の出力は“0”であるので、ORゲー
ト309の出力は“0”となり、ライトバッファ30
7,308はONせず、このためビットセルBは変化し
ない。従って、周辺機能部503より出力されるPMK
(7:0)によって周辺機能部503から通常のライト
動作のみでビットセルに対するビット操作を行なうこと
ができる。
【0025】
【発明の効果】以上説明したように、本発明の記憶回路
は、CPU以外の周辺機能部がタイムシェアリングにア
クセスしてビット操作を行なう場合、記憶データをビッ
ト単位でライト信号をマスクすることにより、通常のラ
イトと同様の動作でビット操作を行うことができるの
で、1度のビット操作を高速に行なうことができ、しか
もセマフォビットを用いないので、CPUの性能をその
まま発揮させることができるという効果がある。
【図面の簡単な説明】
【図1】本発明の第1の実施例を説明するための記憶回
路を含むマイコンのブロック図である。
【図2】図1に示す記憶回路の構成図である。
【図3】図2におけるビットセル群とビット操作部の回
路図である。
【図4】図3に示すビット操作部の動作を説明するため
の各信号のタイミング図である。
【図5】本発明の第2の実施例を説明するための記憶回
路を含むマイコンのブロック図である。
【図6】図5に示す記憶回路の構成図である。
【図7】図6におけるビットセル群とビット操作部の回
路図である。
【図8】従来の一例を説明するためのコモンメモリを有
するマイコンのブロック図である。
【図9】図8におけるマイコンのビット操作を説明する
ための各信号のタイミング図である。
【符号の説明】
100 マイコン 101 CPU 102 RAM 103,503 周辺機能部 104 ROM 105 マスクレジスタ 106 内部バス 107 専用バス 108 記憶回路 109 メモリセル部 110,110a,110b ビット操作部 200〜202,206,600 マルチプレクサ 203 ライトバッファ 204 リードバッファ 205 アドレス入力バッファ 207,208 ビットセル群 313,314 マスクビット

Claims (3)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項1】 メモリセル部および前記メモリセル部に
    対してビット単位の書き込みを制御するビット操作部と
    を備え且つ少なくとも2つの装置から異なるタイミング
    でデータの読み出しまたはデータの書き込みを行うこと
    のできるランダムアクセスメモリと、前記メモリセル部
    に対する書き込みのビット単位に前記ビット操作部の動
    作を制御するレジスタとを有し、前記レジスタにより書
    き込みを許可されたビットについては前記ビット操作部
    を介して前記メモリセル部の内容を書き換えるが、書き
    込みを禁止されたビットについては前記メモリセル部の
    内容を保持することを特徴とする記憶回路。
  2. 【請求項2】 前記ランダムアクセスメモリの前記ビッ
    ト操作部は、前記レジスタに接続されるマルチプレクサ
    と、前記メモリセル部に接続されるリードバッファおよ
    びライトバッファとで構成される請求項1記載の記憶回
    路。
  3. 【請求項3】 前記レジスタは、マスクレジスタを用い
    る請求項1記載の記憶回路。
JP4046484A 1992-03-04 1992-03-04 記憶回路 Pending JPH05250254A (ja)

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