JPH0515055B2 - - Google Patents

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JPH0515055B2
JPH0515055B2 JP60211138A JP21113885A JPH0515055B2 JP H0515055 B2 JPH0515055 B2 JP H0515055B2 JP 60211138 A JP60211138 A JP 60211138A JP 21113885 A JP21113885 A JP 21113885A JP H0515055 B2 JPH0515055 B2 JP H0515055B2
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
alignment
wafer
mask
printing apparatus
shot
Prior art date
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Application number
JP60211138A
Other languages
Japanese (ja)
Other versions
JPS6272125A (en
Inventor
Yoichi Kuroki
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Canon Inc
Original Assignee
Canon Inc
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Publication date
Application filed by Canon Inc filed Critical Canon Inc
Priority to JP60211138A priority Critical patent/JPS6272125A/en
Publication of JPS6272125A publication Critical patent/JPS6272125A/en
Publication of JPH0515055B2 publication Critical patent/JPH0515055B2/ja
Granted legal-status Critical Current

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  • Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)
  • Exposure And Positioning Against Photoresist Photosensitive Materials (AREA)

Description

【発明の詳細な説明】 [発明の属する分野] 本発明は、マスク(またはレチクル)上に描か
れた回路パターンをウエハ上にステツプアンドリ
ピートによつて焼付ける半導体焼付装置に関し、
詳しくは、露光に先立ち行なわれるマスクとウエ
ハとの位置合せにおいて何らかの異常を検知した
場合に、それらを目視で確認できる半導体焼付装
置に関する。
DETAILED DESCRIPTION OF THE INVENTION [Field of the Invention] The present invention relates to a semiconductor printing apparatus that prints a circuit pattern drawn on a mask (or reticle) onto a wafer by step-and-repeat.
More specifically, the present invention relates to a semiconductor printing apparatus that can visually confirm any abnormality detected in the alignment between a mask and a wafer prior to exposure.

[従来技術の説明] 従来のこの種の半導体焼付装置においては、マ
スクとウエハのアライメントマーク上をレーザビ
ーム等で走査(スキヤン)し、これらの散乱光を
光電変換して電気的パルスに変え、このパルス位
置をカウンタ等で計測して位置合せをすることが
広く行なわれている。
[Description of Prior Art] In this type of conventional semiconductor printing apparatus, alignment marks on a mask and a wafer are scanned with a laser beam, etc., and the scattered light is photoelectrically converted into electrical pulses. It is widely practiced to measure this pulse position with a counter or the like for alignment.

例えば、第2図aに示すようなアライメントマ
ークMをマスクに、bに示すようなマークWをウ
エハに描いて、第4図に示すような構成の装置に
より、マスク1とウエハ2のアライメントマーク
M、W上をレーザビームで走査してマスク1とウ
エハ2との相対位置すなわち、ずれ量を検出し、
このずれ量に応じてマスク1およびウエハ2の少
なくとも一方を駆動することにより、第2図cに
示すように、マスク1とウエハ2の相対的な位置
合せが行なわれる。
For example, an alignment mark M as shown in FIG. 2a is used as a mask, a mark W as shown in b is drawn on the wafer, and an apparatus having the configuration as shown in FIG. Scanning M and W with a laser beam to detect the relative position, that is, the amount of deviation, between the mask 1 and the wafer 2;
By driving at least one of the mask 1 and the wafer 2 according to this amount of deviation, the mask 1 and the wafer 2 are aligned relative to each other, as shown in FIG. 2c.

このアライメントマークMは、マスクの左右す
なわちマスクの回路パターンの外側に各々1つず
つ形成し、アライメントマークWはウエハ上の対
応した各シヨツトの両側に形成する。
The alignment marks M are formed one each on the left and right sides of the mask, that is, on the outside of the circuit pattern of the mask, and the alignment marks W are formed on both sides of each corresponding shot on the wafer.

第3図は、ウエハ上の各シヨツトの領域とアラ
イメントマークの一部分を示す平面図である。同
図において、S(およびSn)はそれぞれ1回のス
テツプで回路パターンが露光される領域(1シヨ
ツト)を示している。W1およびW2は各露光領
域の左右に配置されるアライメントマークであ
る。特に、W1nおよびW2nは露光領域Snに
おけるアライメントマークである。これらのマー
クは隣り合うマーク同士が重ならないように、Y
方向に対してずれた位置に配置されている。マス
クの左右にアライメントマークM1およびM2が
配置されているとすると、露光シヨツトがSnで
あつた場合は、マスクのマークM1とW1nとを
位置合せし、M2とW2nとを位置合せすること
となる。
FIG. 3 is a plan view showing a portion of each shot area and alignment mark on the wafer. In the figure, S (and Sn) each indicate an area (one shot) in which a circuit pattern is exposed in one step. W1 and W2 are alignment marks placed on the left and right sides of each exposure area. In particular, W1n and W2n are alignment marks in the exposure area Sn. These marks are arranged in a Y-shape so that adjacent marks do not overlap.
It is placed at a position offset from the direction. Assuming that alignment marks M1 and M2 are arranged on the left and right sides of the mask, if the exposure shot is Sn, the marks M1 and W1n on the mask are aligned, and the marks M2 and W2n are aligned. .

第4図は、従来例であり本発明の適用対象例で
もある半導体焼付装置の構成を示す。同図の半導
体焼付装置は、マスク上の回路パターンをステツ
プアンドリピートによつてステージ上に置かれた
ウエハに縮小投影して焼付けるものである。
FIG. 4 shows the configuration of a semiconductor printing apparatus which is a conventional example and is also an example to which the present invention is applied. The semiconductor printing apparatus shown in FIG. 1 uses a step-and-repeat method to reduce and project a circuit pattern on a mask onto a wafer placed on a stage and print the pattern.

同図において、1は回路パターンの描かれたマ
スク、2は被露光体であるウエハ、3はウエハス
テージである。4は位置合せ用のレーザ光を発生
するレーザチユーブ、5はポリゴンミラー、6は
モータ、7はプリズム、8はビームスプリツタ、
9は対物レンズ、10はミラーである。また、1
1は投影レンズ、12は光電検出器、13は制御
回路、14は2値化回路、15は計測回路、16
はステージ駆動回路、17はモータである。18
は入出力ターミナル、19はそのターミナルのデ
イスプレイであり、デイスプレイ19にはウエハ
2のシヨツトレイアウト20がグラフイツク表示
される。21はウエハ2の各露光(シヨツト)領
域を示す表示であり、各ステツプの露光終了毎に
ある特定の色(例えば緑)に塗り潰されていく。
In the figure, 1 is a mask on which a circuit pattern is drawn, 2 is a wafer which is an object to be exposed, and 3 is a wafer stage. 4 is a laser tube that generates a laser beam for alignment, 5 is a polygon mirror, 6 is a motor, 7 is a prism, 8 is a beam splitter,
9 is an objective lens, and 10 is a mirror. Also, 1
1 is a projection lens, 12 is a photoelectric detector, 13 is a control circuit, 14 is a binarization circuit, 15 is a measurement circuit, 16
1 is a stage drive circuit, and 17 is a motor. 18
1 is an input/output terminal, 19 is a display of the terminal, and a shot layout 20 of the wafer 2 is graphically displayed on the display 19. Reference numeral 21 is a display showing each exposure (shot) area of the wafer 2, which is filled in with a specific color (for example, green) each time the exposure of each step is completed.

マスク1にはアライメントマークM1とM2が
配置されている。また、ウエハ2には各露光領域
毎にアライメントマークW1とW2が配置されて
いる。なお、説明の便宜のため、M1およびW1
のマークの組を検出する系は左視野系、M2およ
びW2のマークの組を検出する系は右視野系と呼
ぶこととする。
Alignment marks M1 and M2 are arranged on the mask 1. Further, alignment marks W1 and W2 are arranged on the wafer 2 for each exposure area. For convenience of explanation, M1 and W1
The system for detecting the set of marks M2 and W2 will be called the left visual field system, and the system for detecting the set of marks M2 and W2 will be called the right visual field system.

同図の装置において、レーザチユーブ4から出
たレーザ光は、モータ6によつて回転されるポリ
ゴンミラー5を経て、プリズム7によつて左視野
系と右視野系に分割される。分割されたレーザ光
は、ビームスプリツタ8、対物レンズ9、ミラー
10を経て、それぞれマスク上のアライメントマ
ークM1,M2およびウエハ上のアライメントマ
ークW1,W2上をスキヤンする。各マークから
の散乱光はミラー10、対物レンズ9、ビームス
プリツタ8を通り光電検出器12に入る。光電検
出器12は、この入射光を光電変換し電気信号と
して出力する。この出力は、制御回路13内の2
値化回路14により2値化される。さらに、計測
回路15によりこの2値化出力から各マークの相
対位置(M1とW1のずれ量およびM2とW2の
ずれ量)を算出する。制御回路13は、このずれ
量に基づいてステージ3の移動量を計算し、マス
ク1とウエハ2とを正しい位置関係に配置すべく
ステージ駆動回路16にステージ3の移動を指示
する。ステージ3には、その移動方向(X,Y)
の移動量を計るためのレーザ干渉計(不図示)が
装備されており、制御回路13は、このレーザ干
渉計からの移動量データを監視しながら正しい移
動量だけステージが移動するようモータ17を駆
動制御する。
In the apparatus shown in the figure, a laser beam emitted from a laser tube 4 passes through a polygon mirror 5 rotated by a motor 6, and is divided by a prism 7 into a left viewing system and a right viewing system. The divided laser beams pass through a beam splitter 8, an objective lens 9, and a mirror 10, and scan alignment marks M1, M2 on the mask and alignment marks W1, W2 on the wafer, respectively. Scattered light from each mark passes through a mirror 10, an objective lens 9, and a beam splitter 8 and enters a photoelectric detector 12. The photoelectric detector 12 photoelectrically converts this incident light and outputs it as an electrical signal. This output is 2 in the control circuit 13.
The data is binarized by the digitization circuit 14. Further, the measuring circuit 15 calculates the relative position of each mark (the amount of deviation between M1 and W1 and the amount of deviation between M2 and W2) from this binary output. The control circuit 13 calculates the amount of movement of the stage 3 based on this amount of deviation, and instructs the stage drive circuit 16 to move the stage 3 in order to arrange the mask 1 and wafer 2 in the correct positional relationship. Stage 3 has its movement direction (X, Y)
The control circuit 13 controls the motor 17 to move the stage by the correct amount while monitoring the amount of movement data from the laser interferometer. Drive control.

位置合せが終了すると、露光を行ない、その
後、ターミナル18のデイスプレイ19に表示さ
れたウエハ2のシヨツトレイアウト20のうち、
露光を行なつたシヨツト位置に対応する部分21
を特定の色に塗り潰す。さらに、次の露光シヨツ
トへステージ3を移動する。
When the alignment is completed, exposure is performed, and then, among the shot layouts 20 of the wafer 2 displayed on the display 19 of the terminal 18,
Portion 21 corresponding to the shot position where exposure was performed
Fill it with a specific color. Furthermore, the stage 3 is moved to the next exposure shot.

ここで、位置合せのため駆動するステージの
XY方向の駆動量(マスクとウエハとのずれ量)
は、アライメントマークM1とW1とのずれ量お
よびM2とW2とのずれ量の平均値を算出するこ
とにより求めている。また、回転方向について
は、W1とM1とのY方向のずれ量およびW2と
M2とのY方向のずれ量からその差をとり、回転
方向のずれ量を求めている。この回転方向のずれ
に対しては、不図示の回転機構によつてマスクま
たはウエハを回転し、位置合せを行なつている。
Here, the stage to be driven for positioning is
Drive amount in XY direction (amount of misalignment between mask and wafer)
is obtained by calculating the average value of the amount of deviation between the alignment marks M1 and W1 and the amount of deviation between M2 and W2. Furthermore, regarding the rotational direction, the difference in the amount of deviation in the Y direction between W1 and M1 and the amount of deviation in the Y direction between W2 and M2 is taken to determine the amount of deviation in the rotational direction. To compensate for this deviation in the rotational direction, the mask or wafer is rotated and aligned using a rotation mechanism (not shown).

ところで、実際のウエハでは、工程中のエツチ
ングの失敗、ゴミ、その他の影響によりウエハ上
のマークW1,W2が正しく形成されない場合が
ある。第5図aは、正しく形成されたアライメン
トマークの断面図であり、このようなマークから
は同図bのような錯乱信号が得られる。また、同
図cは、エツチング等の失敗により正しく形成さ
れなかつたアライメントマークの一例(断面図)
であり、同図dはこのマークからの信号を示す。
ここでいうマークから得られる信号というのは、
レーザビーム等によりマークをスキヤンし、その
反射または錯乱光を光電素子等により検出して得
られる電気信号のことである。
By the way, in actual wafers, marks W1 and W2 on the wafer may not be formed correctly due to etching failure, dust, and other influences during the process. FIG. 5a is a cross-sectional view of a properly formed alignment mark, and such a mark produces a confusion signal as shown in FIG. 5b. In addition, figure c is an example (cross-sectional view) of an alignment mark that was not formed correctly due to a failure such as etching.
d in the figure shows the signal from this mark.
The signal obtained from the mark here is
It is an electrical signal obtained by scanning a mark with a laser beam or the like and detecting its reflected or scattered light with a photoelectric element or the like.

このように、アライメントマークW1またはW
2のどちらか一方が正しく形成されていないマー
クである場合、従来の装置ではそのマークからの
信号が計測できなかつたりその計測値が異常であ
るため、そのシヨツトについては位置合せができ
ないという問題点があつた。また、信号が得られ
た場合でもマークのエツジが正しく形成されてい
ないための信号歪等により、計測したマークのず
れ量と真のずれ量との誤差が大きくなることがあ
つた。前記したように、マスクとウエハとのずれ
量は左のマークの組におけるずれ量と右のマーク
の組におけるずれ量との平均として求められる。
従つて、例えば、左のマークは正しく計測できて
いたとしても、右のマークにより計測したずれ量
の誤差が大きい場合には、その平均値を用いた位
置合せの誤差は大きくなるという問題点があつ
た。
In this way, the alignment mark W1 or W
If one of the two marks is not formed correctly, the conventional device cannot measure the signal from that mark or the measured value is abnormal, so the shot cannot be aligned. It was hot. Further, even when a signal is obtained, the error between the measured mark deviation amount and the true deviation amount may become large due to signal distortion caused by the edges of the mark not being formed correctly. As described above, the amount of deviation between the mask and the wafer is determined as the average of the amount of deviation in the left mark set and the deviation amount in the right mark set.
Therefore, for example, even if the left mark is measured correctly, if the error in the amount of deviation measured by the right mark is large, the error in alignment using the average value will be large. It was hot.

そこで、本発明者等は上記の問題点を解決すべ
く次のような位置合せ装置を発明し、先に特許出
願した。第6図のフローチヤートを参照して、こ
の先願の装置における位置合せの動作を説明す
る。
Therefore, in order to solve the above problems, the present inventors invented the following alignment device and previously filed a patent application. The alignment operation in the apparatus of this prior application will be described with reference to the flowchart of FIG.

位置合せおよび露光シーケンスでは、まず信号
検出系のアンプのゲイン調整を行なう(ステツプ
S101)。次に、アライメントマークを検出し
てマスクとウエハとのずれ量を計測する(ステツ
プS102)。次に、上記のステツプS102の
計測で左右のマークどちらについても計測ができ
たかどうかを判別し(ステツプS103)、でき
ていればステツプS104へ、どちらか一方でも
計測できていないときはステツプS108へ分岐
する。
In the alignment and exposure sequence, first the gain of the amplifier of the signal detection system is adjusted (step S101). Next, the alignment mark is detected and the amount of deviation between the mask and the wafer is measured (step S102). Next, it is determined whether or not both the left and right marks have been measured in the measurement at step S102 described above (step S103), and if the measurement has been completed, the process proceeds to step S104; if either one has not been measured, the process proceeds to step S108. Branch out.

ステツプS104では、ステツプS102で計
測したずれ量が所定の上限値よりも大きくないか
どうかについて、左視野系の計測値および右視野
系の計測値をそれぞれ独立にチエツクする。この
ずれ量の上限値は予め入出力ターミナル18によ
り入力しておき、制御回路13中のメモリ(不図
示)に記憶しておく。この上限値はXY方向のず
れ量の上限値および回転方向のずれ量の上限値よ
り成る。
In step S104, the measured value of the left visual field system and the measured value of the right visual field system are each independently checked to determine whether the amount of deviation measured in step S102 is larger than a predetermined upper limit value. The upper limit value of this deviation amount is input in advance through the input/output terminal 18 and stored in a memory (not shown) in the control circuit 13. This upper limit value consists of the upper limit value of the amount of deviation in the XY direction and the upper limit value of the amount of deviation in the rotational direction.

ステツプS104のチエツクにおいて、もし左
右の両視野系ともこの計測値が上限値をオーバし
ている場合はエラーとする。また、両視野系とも
計測値が上限値以内である場合は、ずれ量がトレ
ランス内かどうか判別し(ステツプS105)、
そうでなければステージの駆動量を計算し(ステ
ツプS106)、駆動を行なう(ステツプS10
7)。その後、ステツプS102に戻る。
In the check at step S104, if this measured value exceeds the upper limit value for both the left and right visual field systems, an error is determined. Furthermore, if the measured values are within the upper limit for both viewing systems, it is determined whether the amount of deviation is within the tolerance (step S105),
If not, the amount of drive of the stage is calculated (step S106), and the stage is driven (step S10).
7). Thereafter, the process returns to step S102.

一方、上述のステツプS103で、左右のマー
クのどちらか一方でも計測できなかつた場合は、
さらに、左右の両視野系とも計測できなかつたの
か、それとも片方のみ計測できなかつたのかを判
別する(ステツプS108)。ここで、左右とも
計測エラーのときはエラーとし、片方のみ計測エ
ラーのときにはステツプS110に分岐する。ま
た、ステツプS104において、片視野系のみ上
限値オーバであつた場合もステツプS110に分
岐する。すなわち、ステツプS110へは左右の
どちらか一方の片視野のみ上限値内で計測ができ
たときに分岐する。
On the other hand, if it is not possible to measure either the left or right mark in step S103,
Furthermore, it is determined whether it was not possible to measure both the left and right visual field systems, or whether only one of them could not be measured (step S108). Here, if there is a measurement error in both the left and right sides, it is determined as an error, and if only one side has a measurement error, the process branches to step S110. Further, if in step S104 only the single-field system exceeds the upper limit value, the process branches to step S110. That is, the process branches to step S110 when only one of the left and right visual fields can be measured within the upper limit value.

ステツプS110においては、ずれ量の上限値
オーバまたは計測でエラーのあつた一方の視野系
に対応する計測実行フラグがクリアされる。すな
わち、計測値が正常である視野系に対応する計測
実行フラグはオンのままで、もう一方の計測実行
フラグがクリアされることとなる。以後、駆動量
計算(ステツプS106)は上記計測実行フラグ
がクリアされた視野系の計測データは用いずに、
フラグがオンされている片視野系のみの計測デー
タにより行なう。その後、ステージを駆動し(ス
テツプS107)、再度位置合せを行なうためス
テツプS102に戻り計測を行なうが、この場合
の計測もフラグがオンされている片視野系のみで
行なう。
In step S110, the measurement execution flag corresponding to one of the visual field systems in which the upper limit value of the deviation amount has been exceeded or in which an error has occurred in measurement is cleared. That is, the measurement execution flag corresponding to the visual field system for which the measurement value is normal remains on, and the other measurement execution flag is cleared. Thereafter, the driving amount calculation (step S106) is performed without using the measurement data of the visual field system for which the measurement execution flag has been cleared.
This is performed using measurement data only from the single-view system with the flag turned on. Thereafter, the stage is driven (step S107), and the process returns to step S102 to perform positioning again, and measurement is performed, but in this case, measurement is also performed only with the single-field system with the flag turned on.

ステツプS105においてずれ量がトレランス
内のとき位置合せを終了する。その後は、露光を
行ない(ステツプS111)、そのシヨツトの露
光終了を示すために露光の終了と同時にターミナ
ルに特定の色でグラフイツク表示する(ステツプ
S113)。例えば、そのシヨツトに対応する部
分を緑色で塗り潰す。さらに、次シヨツトへステ
ージを移動し(ステツプS114)、再び始めか
ら位置合せおよび露光を行なう。
In step S105, when the amount of deviation is within the tolerance, the alignment is finished. Thereafter, exposure is performed (step S111), and a graphic is displayed in a specific color on the terminal at the same time as the exposure is completed to indicate the completion of exposure for that shot (step S113). For example, fill in the part corresponding to that shot with green. Furthermore, the stage is moved to the next shot (step S114), and alignment and exposure are performed again from the beginning.

ところで、各シヨツトの位置合せ中にもし前記
のような片視野系のみの位置合せが行なわれたと
しても、ステツプアンドリピートの終了時にはタ
ーミナル上のグラフイツク表示はすべて同一色で
塗り潰されてしまう。従つて、どこのシヨツトで
どのくらい位置合せマークに異常があつたかはわ
からなかつた。すなわち、位置合せマークの異常
はレジストの塗布やエツチングプロセスによる影
響によることが多くこのシヨツトを知ることが重
要であるのに反し、異常があつたシヨツトを知る
ことができないという欠点があつた。
By the way, even if only one field of view system is aligned as described above during the alignment of each shot, all the graphic displays on the terminal will be filled with the same color at the end of step-and-repeat. Therefore, it was not known in what shot and to what extent the alignment mark was abnormal. That is, although abnormalities in alignment marks are often caused by the effects of resist coating or etching processes, and it is important to know the shots, there is a drawback that it is not possible to know the shot where the abnormality occurs.

[発明の目的] 本発明は、上述のような問題点に鑑み、マスク
またはレチクル上の回路パターンをウエハ上にス
テツプアンドリピートによつて焼付ける半導体焼
付装置において、ウエハのステツプアンドリピー
ト終了時にそのシヨツトの位置合せ状態をターミ
ナル等により一目で確認できるようにすることを
目的とする。
[Object of the Invention] In view of the above-mentioned problems, the present invention provides a semiconductor printing apparatus that prints a circuit pattern on a mask or reticle onto a wafer by step-and-repeat. The purpose is to make it possible to check the alignment status of shots at a glance using a terminal, etc.

[実施例の説明] 次に、第1図のフローチヤートを参照して、本
発明の一実施例に係る半導体焼付装置の動作を説
明する。この実施例は、本発明を第4図に示す構
成の半導体焼付装置に適用したものである。
[Description of Embodiment] Next, the operation of a semiconductor printing apparatus according to an embodiment of the present invention will be described with reference to the flowchart of FIG. In this embodiment, the present invention is applied to a semiconductor printing apparatus having the configuration shown in FIG.

ここで、第1図のステツプS1,S2,…は第
6図の従来例のステツプS101,S102,…
にそれぞれ対応しており、各ステツプの動作は第
6図と同様である。また、第1図のフローチヤー
トと第6図のフローチヤートとの違いはステツプ
S9およびS12が新たに付け加わつたことであ
る。
Here, steps S1, S2, . . . in FIG. 1 are replaced by steps S101, S102, . . . in the conventional example in FIG.
The operation of each step is the same as that shown in FIG. Furthermore, the difference between the flowchart of FIG. 1 and the flowchart of FIG. 6 is that steps S9 and S12 are newly added.

第1図において、ステツプS8で左右の両視野
系のうち片方のみ計測エラーのとき、またはステ
ツプS4で片視野系のみ上限値オーバであつたと
きはステツプS9へ分岐する。ステツプS9にお
いて、第4図制御回路13中のCPU(不図示)は
制御回路13中のメモリ(不図示)内に、どのエ
ラーが発生したか、その種別を示すフラグをセツ
トする。そして、位置合せが終了したならば、露
光完了後(ステツプS11)、ステツプS12に
おいて、前記メモリ中のフラグを調べこの露光に
先立つた位置合せが正常に行なわれたのか、また
は何らかの異常があつたのかをチエツクする。も
し、位置合せが正しく行なわれていれば、ターミ
ナル上のグラフイツク表示の該シヨツトを正規の
緑色で塗り潰し、もし何らかの異常があればその
シヨツトは例えば黄緑色で塗り潰す。このような
手段を用いることによりステツプアンドリピート
終了時にターミナル上のデイスプレイを見れば、
位置合せがどのように行なわれたかを一目で知る
ことができる。そして記録として残したい場合
は、該ターミナルのグラフイツク表示をグラフイ
ツクプリンタ等によつて記録しておけばよい。
In FIG. 1, if there is a measurement error in only one of the left and right visual field systems in step S8, or if only one visual field system exceeds the upper limit value in step S4, the process branches to step S9. In step S9, the CPU (not shown) in the control circuit 13 in FIG. 4 sets a flag in the memory (not shown) in the control circuit 13 to indicate which error has occurred and its type. When the alignment is completed, after the exposure is completed (step S11), the flag in the memory is checked in step S12 to determine whether the alignment prior to this exposure was performed normally or if there was any abnormality. Check what's going on. If the alignment is correct, the shot on the graphic display on the terminal is filled in with normal green color, and if there is any abnormality, the shot is filled in, for example, with yellow-green color. By using this method, if you look at the display on the terminal at the end of the step-and-repeat,
You can see at a glance how the alignment was performed. If you wish to keep it as a record, you can record the graphic display of the terminal using a graphic printer or the like.

なお、上記実施例ではグラフイツク表示の色は
位置合せの正常と異常とで2色のみであつたが、
さらに他の色をふやして異常の内容をより細かく
表示することも可能である。この場合は、ステツ
プアンドリピート終了時に位置合せに異常があつ
たシヨツトの異常内容についてさらに詳しい情報
を得ることができる。例えば、表示の色を4色用
いて、正常なシヨツトは第1色、右視野系にエラ
ーがあつたときは第2色、左視野系にエラーがあ
つたときは第3色、両視野系にエラーがあつたと
きは第4色とすれば、どの視野系でエラーがあつ
たかを知ることができる。
In the above embodiment, the graphic display had only two colors for normal and abnormal alignment, but
It is also possible to display the details of the abnormality in more detail by adding other colors. In this case, more detailed information can be obtained regarding the content of the abnormality in the shot in which the positioning was abnormal at the end of the step-and-repeat. For example, using four display colors, the first color is used for normal shots, the second color is used when there is an error in the right visual system, the third color is used when there is an error in the left visual system, and the third color is used for both visual systems. If an error occurs in the 4th color, it is possible to know in which viewing system the error occurred.

また、カラーでなくモノクローム式のモニタ
(ターミナル)を使用した場合でも、シヨツトの
塗り潰しをメツシユ等で行ない、かつその輝点ま
たは黒点のメツシユを正常なシヨツトと位置合せ
に異常があつたシヨツトについて変えることによ
り同様の効果がある。
Also, even if you use a monochrome monitor (terminal) instead of a color one, fill in the shots with a mesh, etc., and change the mesh of the bright spots or black spots for the shots that are out of alignment with the normal shots. A similar effect can be achieved by

さらに、ステツプアンドリピートによる位置合
せ−露光動作に先立つて位置計測のみをステツプ
アンドリピートし、かつグラフイツク表示を行な
えば、ウエハ露光の際の位置情報を露光を行なう
前に知ることができる。
Further, by step-and-repeat only the position measurement prior to the alignment-exposure operation by step-and-repeat, and by displaying a graphic display, the position information for wafer exposure can be known before exposure.

[発明の効果] 以上説明したように、本発明によれば、マスク
またはレチクル上に描かれた回路パターンをウエ
ハ上にステツプアンドリピートによつて焼付ける
半導体焼付装置において、マスクまたはレチクル
とウエハとの相対位置合せの際に異常が検知され
たシヨツトについては、正常な位置合せが行なわ
れたシヨツトと比べ区別できるようにターミナル
等でグラフイツク表示しているので、ウエハのス
テツプアンドリピート終了時にそのシヨツトの位
置合せ状態を一目で確認することができる。
[Effects of the Invention] As explained above, according to the present invention, in a semiconductor printing apparatus that prints a circuit pattern drawn on a mask or reticle onto a wafer by step-and-repeat, the mask or reticle and the wafer are connected. Shots for which an abnormality was detected during relative positioning are displayed graphically on a terminal, etc. so that they can be distinguished from shots for which normal positioning was performed. You can check the alignment status at a glance.

【図面の簡単な説明】[Brief explanation of the drawing]

第1図は、本発明の一実施例に係る半導体焼付
装置の動作を説明するためのフローチヤート、第
2図は、マスクおよびウエハに付与されるアライ
メントマークを示す図、第3図は、ウエハ上の露
光領域とアライメントマークの一部分を示す平面
図、第4図は、従来例であり本発明の適用対象例
でもある半導体焼付装置の構成図、第5図は、ア
ライメントマークの断面図およびそれらのマーク
から得られる信号を示す図、第6図は、従来の半
導体焼付装置の動作を説明するためのフローチヤ
ートである。 1:マスク、2:ウエハ、3:ウエハステー
ジ、12:光電検出器、13:制御回路、14:
2値化回路、15:計測回路、16:ステージ駆
動回路、17:モータ、18:入出力ターミナ
ル、19:デイスプレイ、20:シヨツトレイア
ウト、21:各シヨツトを示す表示、M(M1,
M2,…):マスク上アライメントマーク、W(W
1,W2,…):ウエハ上アライメントマーク。
FIG. 1 is a flowchart for explaining the operation of a semiconductor printing apparatus according to an embodiment of the present invention, FIG. 2 is a diagram showing alignment marks applied to a mask and a wafer, and FIG. 3 is a diagram showing alignment marks applied to a wafer. FIG. 4 is a plan view showing a part of the exposure area and alignment mark above, FIG. 4 is a configuration diagram of a semiconductor printing apparatus which is a conventional example and an example to which the present invention is applied, and FIG. 5 is a cross-sectional view of the alignment mark and its FIG. 6 is a flowchart for explaining the operation of a conventional semiconductor printing apparatus. 1: Mask, 2: Wafer, 3: Wafer stage, 12: Photoelectric detector, 13: Control circuit, 14:
Binarization circuit, 15: Measurement circuit, 16: Stage drive circuit, 17: Motor, 18: Input/output terminal, 19: Display, 20: Shot layout, 21: Display showing each shot, M (M1,
M2,...): Alignment mark on mask, W (W
1, W2,...): Alignment mark on the wafer.

Claims (1)

【特許請求の範囲】 1 マスクまたはレチクル上に描かれた回路パタ
ーンをウエハ上にステツプアンドリピートによつ
て焼付ける半導体焼付装置であつて、 各ステツプで、露光に先立つてマスクまたはレ
チクルとウエハとを相対的に位置合せする手段
と、 上記位置合せ時に発生した異常を検知する手段
と、 各露光毎に現在どのシヨツトを露光しているか
をグラフイツク表示する手段と、 上記検知手段により異常が検知されたシヨツト
と正常な位置合せが行なわれたシヨツトとを上記
グラフイツク表示手段にそれぞれ区別して表示さ
せる表示制御手段と を有することを特徴とする半導体焼付装置。 2 前記グラフイツク表示手段がカラー式グラフ
イツク表示手段であり、前記表示制御手段は、異
常が検知されたシヨツトと正常な位置合せが行な
われたシヨツトとを色を変えて表示させるもので
ある特許請求の範囲第1項記載の半導体焼付装
置。 3 前記グラフイツク表示手段がモノクローム式
グラフイツク表示手段であり、前記表示制御手段
は、異常が検知されたシヨツトと正常な位置合せ
が行なわれたシヨツトとを輝点または黒点のメツ
シユを変えて表示させるものである特許請求の範
囲第1項記載の半導体焼付装置。 4 前記位置合せ手段は、マスクまたはレチクル
とウエハ上に各々設けられた2組以上の位置合せ
用の各マークを検出し相対的に位置合せすること
によつてマスクまたはレチクルとウエハとの位置
合せを行なうとともに検出不能のマークがあると
きはそのマークの組を除くマークに基づき位置合
せを行なうものであり、 前記検知手段は、少なくとも1つのマークが検
出不能であるときを異常として検知するものであ
る特許請求の範囲第1,2または3項記載の半導
体焼付装置。 5 前記位置合せ手段は、前記2組以上設けたマ
ークについて、マスクまたはレチクル上に設けた
マークとウエハ上に設けたマークとの相対的ずれ
量の計測値を各組毎に所定の上限値と比較し、該
上限値を越えない計測値のみに基づき位置合せを
行なうものであり、 前記検知手段は、上記計測値のうち少なくとも
1つが上記上限値を越えたときも異常として検知
するものである特許請求の範囲第4項記載の半導
体焼付装置。 6 前記ステツプアンドリピートによる位置合せ
−露光動作に先立つて位置計測のみをステツプア
ンドリピートし、かつグラフイツク表示するもの
である特許請求の範囲第5項記載の半導体焼付装
置。
[Scope of Claims] 1. A semiconductor printing apparatus that prints a circuit pattern drawn on a mask or reticle onto a wafer by step-and-repeat, and in each step, prior to exposure, the mask or reticle and the wafer are printed. means for relatively aligning the images, means for detecting an abnormality that occurs during the above alignment, means for graphically displaying which shot is currently being exposed for each exposure, and a means for detecting an abnormality by the above detection means. 1. A semiconductor printing apparatus comprising: display control means for causing the graphic display means to separately display shots that have been properly aligned and shots that have been properly aligned. 2. The graphic display means is a color type graphic display means, and the display control means displays a shot in which an abnormality has been detected and a shot in which normal alignment has been performed in different colors. A semiconductor printing apparatus according to scope 1. 3. The graphic display means is a monochrome graphic display means, and the display control means displays a shot in which an abnormality has been detected and a shot in which normal alignment has been performed by changing the mesh of bright dots or black dots. A semiconductor printing apparatus according to claim 1. 4. The alignment means aligns the mask or reticle and the wafer by detecting and relatively aligning two or more sets of alignment marks provided on the mask or reticle and the wafer, respectively. At the same time, when there is an undetectable mark, alignment is performed based on the marks excluding the set of marks, and the detection means detects as an abnormality when at least one mark is undetectable. A semiconductor printing apparatus according to claim 1, 2 or 3. 5. The alignment means sets a measured value of the relative deviation amount between the mark provided on the mask or reticle and the mark provided on the wafer to a predetermined upper limit value for each set of the two or more sets of marks. The alignment is performed based only on the measured values that do not exceed the upper limit, and the detection means also detects as an abnormality when at least one of the measured values exceeds the upper limit. A semiconductor printing apparatus according to claim 4. 6. The semiconductor printing apparatus according to claim 5, wherein the step-and-repeat position alignment--prior to the exposure operation, only the position measurement is step-and-repeat and graphically displayed.
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