JPH04243119A - Resist heating apparatus - Google Patents

Resist heating apparatus

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JPH04243119A
JPH04243119A JP365191A JP365191A JPH04243119A JP H04243119 A JPH04243119 A JP H04243119A JP 365191 A JP365191 A JP 365191A JP 365191 A JP365191 A JP 365191A JP H04243119 A JPH04243119 A JP H04243119A
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JP
Japan
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substrate
resist
rollers
heating
heating device
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Application number
JP365191A
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Japanese (ja)
Inventor
Mitsuhiro Hayami
速見 光弘
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Sharp Corp
Original Assignee
Sharp Corp
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  • Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)

Abstract

PURPOSE:To provide a resist heating apparatus which facilitates reduction of a resist heating time, reduction of a substrate conveying route owing to the reduction of the heating time and reduction of the size owing to the simplification of the construction and has improved reliability. CONSTITUTION:A shaft 14 which has rollers 15a and 15b at the positions corresponding to a substrate 17 to be conveyed is attached to side plates 13a and 13b with bearings 16a and 16b therebetween so as to rotate freely. The substrate 17 on the rollers 15a and 15b is heated from upper and lower sides by infrared radiation apparatuses 12a and 12b and, further, conveyed between the infrared radiation apparatuses 12a and 12b by the rotation of the rollers 15a and 15b, companying the rotation of the shaft 14.

Description

【発明の詳細な説明】[Detailed description of the invention]

【0001】0001

【産業上の利用分野】本発明は、基板上への電極形成な
どに用いられるレジストの加熱を行うレジスト加熱装置
に関する。
BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to a resist heating apparatus for heating a resist used for forming electrodes on a substrate.

【0002】0002

【従来の技術】図4は、従来のレジスト加熱装置1の正
面図である。側板3a,3bに、先端にころ5a,5b
を取付けたシャフト4a,4bがベアリング6a,6b
を介して回転自在に複数個設置されている。側板3a,
3b間で、ころ5a,5bは、基板7を搬送することが
できる間隔をあけて設置されている。ころ5a,5b上
に載置されている基板7は、電熱線が内臓されたホット
プレート2a,2bに図4の上下方向から挟まれている
2. Description of the Related Art FIG. 4 is a front view of a conventional resist heating apparatus 1. Rollers 5a, 5b are installed at the tips of the side plates 3a, 3b.
The shafts 4a, 4b with the bearings 6a, 6b
Multiple units are installed rotatably through the side plate 3a,
3b, the rollers 5a and 5b are installed with an interval that allows the substrate 7 to be transported. The substrate 7 placed on the rollers 5a and 5b is sandwiched between hot plates 2a and 2b having heating wires built therein from the top and bottom in FIG. 4.

【0003】基板7は、たとえば液晶表示素子のITO
(インジウム錫酸化物)の電極形成工程の途中の状態で
あり、透明な基板上にITO膜が形成されて、その上に
レジストが塗布されている。
The substrate 7 is made of, for example, ITO for a liquid crystal display element.
This is a state in the middle of the (indium tin oxide) electrode formation process, and an ITO film is formed on a transparent substrate, and a resist is applied onto it.

【0004】基板7は、シャフト4a,4bの回転に伴
うころ5a,5bの回転によってホットプレート2a,
2b間を搬送される。この際、基板7は、ホットプレー
ト2a,2bによって加熱されて基板7のレジストが硬
化する。
The substrate 7 is rotated by the hot plates 2a and 5b by the rotation of the rollers 5a and 5b in conjunction with the rotation of the shafts 4a and 4b.
2b. At this time, the substrate 7 is heated by the hot plates 2a and 2b to harden the resist on the substrate 7.

【0005】[0005]

【発明が解決しようとする課題】レジスト加熱装置1を
用いる場合、ホットプレート2a,2bと基板7とが接
触していないため、ホットプレート2a,2bは、先ず
ホットプレート2a,2bと基板7との間の空気を加熱
する。空気が加熱された後に、加熱された空気が基板7
を加熱するため基板7の温度上昇に時間がかかるという
問題がある。また、このためレジストの加熱時間が長く
なり、基板7の搬送経路が長くなり、レジスト加熱装置
1が大形化するという問題がある。
[Problems to be Solved by the Invention] When using the resist heating device 1, since the hot plates 2a, 2b and the substrate 7 are not in contact with each other, the hot plates 2a, 2b must first be connected to the hot plates 2a, 2b and the substrate 7. heats the air between the After the air is heated, the heated air is heated to the substrate 7.
There is a problem in that it takes time for the temperature of the substrate 7 to rise because of the heating. Moreover, this also causes problems in that the resist heating time becomes longer, the transport path of the substrate 7 becomes longer, and the resist heating device 1 becomes larger.

【0006】また、前述と同様な理由から、ホットプレ
ート2a,2bと基板7との間隔を5mmより広くする
と基板7の加熱が不十分となるため、ころ5a,5bを
1本のシャフトに取り付けることができない。したがっ
て、ころ5a,5bはそれぞれ別個のシャフト4a,4
bに取付けなければならない。ころ5a,5b上に基板
7が乗載すると、基板7の重みでシャフト4a,4bの
ころ5a,5bを取付けた端部が、下方に傾く。
Furthermore, for the same reason as mentioned above, if the distance between the hot plates 2a, 2b and the substrate 7 is wider than 5 mm, the substrate 7 will not be heated sufficiently, so the rollers 5a, 5b are attached to one shaft. I can't. Therefore, the rollers 5a, 5b are connected to separate shafts 4a, 4, respectively.
It must be attached to b. When the board 7 is placed on the rollers 5a, 5b, the weight of the board 7 causes the ends of the shafts 4a, 4b, to which the rollers 5a, 5b are attached, to tilt downward.

【0007】このため、シャフト4a,4bの回転を良
好に行うことができず、回転速度の低下や、シャフト4
a,4bの同期を取ることが困難であるという問題があ
る。またシャフト4a,4bとベアリング6a,6bと
に無理な力が掛かり、シャフト4a,4bおよびベアリ
ング6a,6bが破損するなど、レジスト加熱装置1の
信頼性が低い。
For this reason, the shafts 4a and 4b cannot be rotated well, resulting in a decrease in rotational speed and
There is a problem in that it is difficult to synchronize a and 4b. Further, unreasonable force is applied to the shafts 4a, 4b and the bearings 6a, 6b, and the shafts 4a, 4b and the bearings 6a, 6b are damaged, resulting in low reliability of the resist heating device 1.

【0008】他の従来例として、基板7とホットプレー
トとを接触させる加熱装置がある。この場合、ホットプ
レートが直接基板7を加熱するため、基板7の温度上昇
は速やかに行われる。しかしながら、基板7を搬送する
搬送機構がいわゆるウォーキングタイプとなるため、加
熱装置の構造が複雑になり、また大形化する。また、装
置が複雑なため装置の信頼性が低いという問題がある。 さらに、ホットプレート上への基板7の載置やホットプ
レート上からの移送といった基板7の搬送工程に時間が
かかり、装置のサイクル時間が長いという問題がある。
Another conventional example is a heating device that brings the substrate 7 into contact with a hot plate. In this case, since the hot plate directly heats the substrate 7, the temperature of the substrate 7 is quickly raised. However, since the transport mechanism for transporting the substrate 7 is of a so-called walking type, the structure of the heating device becomes complicated and large. Further, there is a problem that the reliability of the device is low because the device is complicated. Furthermore, there is a problem that the process of transporting the substrate 7, such as placing the substrate 7 on the hot plate and transferring it from the hot plate, takes time, resulting in a long cycle time of the apparatus.

【0009】本発明の目的は、加熱時間が短縮され、加
熱時間の短縮による基板の搬送経路の短縮および構成の
簡略化によって小形化を実現し、かつ信頼性が向上する
レジスト加熱装置を提供することである。
[0009] An object of the present invention is to provide a resist heating device that reduces heating time, achieves miniaturization by shortening the substrate transport path and simplifying the configuration due to the shortened heating time, and improves reliability. That's true.

【0010】0010

【課題を解決するための手段】本発明は、基板上に塗布
されたレジストの加熱を行うレジスト加熱装置において
、基板およびレジストに赤外線を照射してレジストの加
熱を行うことを特徴とするレジスト加熱装置である。
[Means for Solving the Problems] The present invention provides a resist heating device for heating a resist coated on a substrate, which heats the resist by irradiating the substrate and the resist with infrared rays. It is a device.

【0011】[0011]

【作用】本発明に従うレジスト加熱装置では、基板およ
びレジストに赤外線を照射する。基板およびレジスト上
で赤外線が熱エネルギーに変換されて基板およびレジス
トの加熱が行われ、レジストが硬化する。たとえば、基
板上に塗布されたレジストを用いて基板上に形成されて
いる導電性材料から電極を形成する際、塗布されたレジ
ストに対してレジスト加熱装置で加熱を行い、レジスト
を硬化させる。レジストは、赤外線の熱エネルギーによ
って直接加熱されるので、熱効率が向上し、加熱時間を
短縮することができる。
[Operation] In the resist heating device according to the present invention, the substrate and the resist are irradiated with infrared rays. The infrared rays are converted into thermal energy on the substrate and resist, heating the substrate and resist, and hardening the resist. For example, when forming an electrode from a conductive material formed on the substrate using a resist applied on a substrate, the applied resist is heated by a resist heating device to harden the resist. Since the resist is directly heated by infrared thermal energy, thermal efficiency is improved and heating time can be shortened.

【0012】0012

【実施例】図1は、本発明の一実施例であるレジスト加
熱装置11の正面図であり、図2は図1に示される切断
面線II−IIから見た断面図である。一対の側板13
a,13bにわたって複数のシャフト14がベアリング
16a,16bを介して回転自在に設置されている。シ
ャフト14には、一対のころ15a,15bが搬送する
基板17の幅に対応する位置に取付けられている。ころ
15a,15b上には基板17が載置され、基板17の
上下には赤外線照射装置12a,12bが設置されてい
る。基板17は、複数のシャフト14の回転に伴うころ
15a,15bの回転に伴って赤外線照射装置12a,
12b間を搬送される。
DESCRIPTION OF THE PREFERRED EMBODIMENTS FIG. 1 is a front view of a resist heating device 11 according to an embodiment of the present invention, and FIG. 2 is a sectional view taken along the section line II--II shown in FIG. A pair of side plates 13
A plurality of shafts 14 are rotatably installed through bearings 16a and 16b across a and 13b. A pair of rollers 15a and 15b are attached to the shaft 14 at positions corresponding to the width of the substrate 17 to be transported. A substrate 17 is placed on the rollers 15a, 15b, and infrared irradiation devices 12a, 12b are installed above and below the substrate 17. As the rollers 15a, 15b rotate with the rotation of the plurality of shafts 14, the infrared irradiation device 12a,
12b.

【0013】基板17は、たとえば液晶表示素子のIT
O(インジウム錫酸化物)の電極形成工程の途中の状態
であり、透明な基板上にITO膜が形成され、その上に
レジストが塗布されている。
The substrate 17 is, for example, an IT device for a liquid crystal display element.
This is a state in the middle of the process of forming an O (indium tin oxide) electrode, and an ITO film is formed on a transparent substrate, and a resist is applied thereon.

【0014】赤外線照射装置12a,12bから照射さ
れる赤外線は、基板17に衝突することによって熱エネ
ルギーに変換される。このため、従来例で説明したホッ
トプレートによる加熱に比べて、基板17の温度は速や
かに上昇する。
The infrared rays emitted from the infrared irradiation devices 12a and 12b collide with the substrate 17 and are converted into thermal energy. Therefore, the temperature of the substrate 17 rises more quickly than heating using a hot plate as described in the conventional example.

【0015】従来技術の基板7とホットプレート2a,
2bとの間隔が5mmに設定されたレジスト加熱装置1
を用いて基板17を加熱すると、100℃に達するのに
90秒要したけれども、本実施例のレジスト加熱装置1
1を用いれば、基板17と赤外線照射装置12a,12
bとの間隔が50mmであるにもかかわらず、40秒で
基板17が100℃に達した。
Conventional substrate 7 and hot plate 2a,
resist heating device 1 with a distance of 5 mm from resist heating device 2b;
When the substrate 17 was heated using the resist heating apparatus 1 of this embodiment, it took 90 seconds to reach 100°C.
1, the substrate 17 and the infrared irradiation devices 12a, 12
The temperature of the substrate 17 reached 100° C. in 40 seconds even though the distance from the substrate 17 was 50 mm.

【0016】ITO膜とレジストとの剥がれにくさを表
す密着強度は、後述する電極形成工程で形成される電極
のサイドエッチ量を測定することによって評価すること
ができる。
The adhesion strength, which indicates the resistance to peeling between the ITO film and the resist, can be evaluated by measuring the amount of side etching of the electrode formed in the electrode forming step described below.

【0017】膜厚1100ÅのITO膜を、47%HB
r(臭化水素)溶液を基板17に対する圧力が0.5k
gf/cm2となるようなシャワーを用いて45℃、1
20秒の条件でエッチングする際、ITO膜上のレジス
トに対して、従来技術のレジスト加熱装置1で3分間加
熱したものと、本実施例のレジスト加熱装置11で2分
間加熱したものとが同じ密着強度を有することが確認さ
れた。
[0017] An ITO film with a thickness of 1100 Å was made of 47% HB.
r (hydrogen bromide) solution at a pressure of 0.5 k against the substrate 17.
gf/cm2 using a shower at 45℃, 1
When etching for 20 seconds, the resist on the ITO film was heated for 3 minutes using the conventional resist heating device 1, and the resist heated for 2 minutes using the resist heating device 11 of this embodiment was the same. It was confirmed that the film had adhesion strength.

【0018】以上のように、赤外線照射装置12a,1
2bを用いれば、加熱時間を短縮することができる。ま
た、加熱時間の短縮によって基板17の搬送経路を短縮
することができるため、レジスト加熱装置11を小形化
することができる。
As described above, the infrared irradiation devices 12a, 1
2b, the heating time can be shortened. Furthermore, since the heating time can be shortened, the transport path for the substrate 17 can be shortened, so the resist heating device 11 can be downsized.

【0019】前述のように、基板17と赤外線照射装置
12a,12bとの間隔を50mmにも広くとることが
できるため、図1に示すようにシャフト14を側板13
a,13bにわたって設置することができる。このため
、ころ15a,15b上に基板17が乗載することによ
ってシャフトが傾くことがないため、回転速度の低下を
防ぐことができる。また、シャフト14を側板13a,
13bにわたって設置するため、ころ15a,15bが
同時に回転し、同期をとる必要がなく、また回転駆動手
段の数を半減することができる。
As described above, since the distance between the substrate 17 and the infrared ray irradiation devices 12a and 12b can be as wide as 50 mm, the shaft 14 can be attached to the side plate 13 as shown in FIG.
a, 13b. Therefore, the shaft will not be tilted due to the board 17 being mounted on the rollers 15a, 15b, and thus a decrease in rotational speed can be prevented. In addition, the shaft 14 is connected to the side plate 13a,
Since the rollers 15a and 15b are installed over 13b, the rollers 15a and 15b rotate simultaneously, there is no need for synchronization, and the number of rotation drive means can be halved.

【0020】図3は、液晶表示素子に用いられる電極形
成の工程を説明する工程図である。工程a1では、透明
な基板上にITO膜を形成し、工程a2ではITO膜上
にレジストが塗布される。工程a3では、前述のレジス
ト加熱装置11によってレジストが硬化され、硬化され
たレジストは、工程a4で形成する電極に応じた露光が
行われて、工程a5で現像される。工程a6でITO膜
が電極上にエッチングされ、工程a7で電極上のレジス
トが剥離され、工程a8で洗浄されて電極が完成する。
FIG. 3 is a process diagram illustrating the process of forming electrodes used in a liquid crystal display element. In step a1, an ITO film is formed on a transparent substrate, and in step a2, a resist is applied onto the ITO film. In step a3, the resist is hardened by the resist heating device 11 described above, and the hardened resist is exposed to light in accordance with the electrodes formed in step a4, and developed in step a5. In step a6, the ITO film is etched on the electrode, in step a7 the resist on the electrode is peeled off, and in step a8 is cleaned to complete the electrode.

【0021】以上のように本実施例によれば、基板17
の加熱に赤外線照射装置12a,12bを用いるため、
加熱時間を短縮することができる。また加熱時間の短縮
によって、基板17の搬送経路を短縮することができる
ため、レジスト加熱装置11を小形化することができる
。また、ころ15a,15bを1本のシャフト14上に
取付けるため、ころ15a,15bの同期をとる必要が
なく、また、シャフト14の回転駆動手段を従来例に比
べて半減させることができる。また、シャフト14を側
板13a,13bにわたって設置するため、ころ15a
,15b上に基板17を乗載してもシャフト14が傾く
ことはなく、回転速度が低下することを防止することが
できる。
As described above, according to this embodiment, the substrate 17
Since infrared irradiation devices 12a and 12b are used for heating,
Heating time can be shortened. Further, by shortening the heating time, the transport path for the substrate 17 can be shortened, so the resist heating device 11 can be downsized. Further, since the rollers 15a and 15b are mounted on one shaft 14, there is no need to synchronize the rollers 15a and 15b, and the number of rotational drive means for the shaft 14 can be reduced by half compared to the conventional example. In addition, since the shaft 14 is installed across the side plates 13a and 13b, the rollers 15a
, 15b, the shaft 14 does not tilt and the rotational speed can be prevented from decreasing.

【0022】したがって、加熱時間が短縮され、加熱時
間の短縮による基板の搬送経路の短縮、および搬送機構
の簡略化によって装置の小形化を実現することができ、
レジスト加熱装置の信頼性が向上する。
[0022] Therefore, the heating time is shortened, and by shortening the heating time, the substrate transport path is shortened, and the transport mechanism is simplified, thereby making it possible to downsize the apparatus.
The reliability of the resist heating device is improved.

【0023】[0023]

【発明の効果】本発明によれば、基板およびレジストの
加熱を赤外線を照射することによって行う。このため、
短時間で加熱を完了することができ、また赤外線の照射
位置と基板およびレジストとの間隔を広く取ることがで
きる。したがって、加熱時間を短縮することができる。
According to the present invention, the substrate and resist are heated by irradiating them with infrared rays. For this reason,
Heating can be completed in a short time, and the distance between the infrared ray irradiation position and the substrate and resist can be widened. Therefore, heating time can be shortened.

【図面の簡単な説明】[Brief explanation of the drawing]

【図1】本発明の一実施例であるレジスト加熱装置11
の正面図である。
FIG. 1: A resist heating device 11 which is an embodiment of the present invention.
FIG.

【図2】図1に示される切断面線II−IIから見た断
面図である。
FIG. 2 is a sectional view taken along section line II-II shown in FIG. 1;

【図3】液晶表示素子に用いられる電極形成の工程を説
明する工程図である。
FIG. 3 is a process diagram illustrating the process of forming electrodes used in a liquid crystal display element.

【図4】従来のレジスト加熱装置1の正面図である。FIG. 4 is a front view of a conventional resist heating device 1.

【符号の説明】[Explanation of symbols]

11  レジスト加熱装置 12a,12b  赤外線照射装置 17  基板 11 Resist heating device 12a, 12b Infrared irradiation device 17 Board

Claims (1)

【特許請求の範囲】[Claims] 【請求項1】  基板上に塗布されたレジストの加熱を
行うレジスト加熱装置において、基板およびレジストに
赤外線を照射してレジストの加熱を行うことを特徴とす
るレジスト加熱装置。
1. A resist heating device for heating a resist coated on a substrate, the resist heating device heating the resist by irradiating the substrate and the resist with infrared rays.
JP365191A 1991-01-17 1991-01-17 Resist heating apparatus Pending JPH04243119A (en)

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JP365191A JPH04243119A (en) 1991-01-17 1991-01-17 Resist heating apparatus

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Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2007158253A (en) * 2005-12-08 2007-06-21 Tokyo Electron Ltd Heat treatment equipment
US7797855B2 (en) 2005-08-31 2010-09-21 Tokyo Electron Limited Heating apparatus, and coating and developing apparatus

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Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US7797855B2 (en) 2005-08-31 2010-09-21 Tokyo Electron Limited Heating apparatus, and coating and developing apparatus
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