JPH04239221A - Semiconductor integrated circuit - Google Patents
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- 230000003071 parasitic effect Effects 0.000 description 6
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Abstract
Description
【0001】0001
【産業上の利用分野】本発明は半導体集積回路に関し、
特にドミノ回路を形成する半導体集積回路に関する。[Industrial Application Field] The present invention relates to semiconductor integrated circuits.
In particular, it relates to semiconductor integrated circuits forming domino circuits.
【0002】0002
【従来の技術】従来のドミノ回路を形成する半導体集積
回路は、図2に示されるように、PMOSトランジスタ
8と、信号入力端子57および58より入力される信号
101および102の入力に対応して動作するNMOS
トランジスタ9および10より成るNMOS回路網11
と、制御入力端子103より入力される制御信号107
を介して動作するNMOSトランジスタ12と、ダイナ
ミック・ノード202のレベルを入力とするインバータ
13とを備えて構成される。2. Description of the Related Art As shown in FIG. Working NMOS
NMOS network 11 consisting of transistors 9 and 10
and a control signal 107 input from the control input terminal 103.
The inverter 13 receives the level of the dynamic node 202 as an input.
【0003】図2において、始めに、信号入力端子57
および58と、制御入力端子59には、それぞれLOW
レベルの信号が入力されているものとする。その時、電
源端子61からは、PMOSトランジスタ8を介してH
IGHレベルの信号が供給され、ダイナミック・ノード
202に出力される。この場合、このHIGHレベルの
信号は、回路の寄生容量にチャージされる。次に、制御
信号入力端子59にHIGHレベルの信号が入力される
と、PMOSトランジスタ8がOFFとなり、電源端子
61からPMOSトランジスタ8を介して供給されてい
たHIGHレベルの信号は供給されなくなるが、寄生容
量にチャージされていた信号により、ダイナミック・ノ
ード202におけるレベルはHIGHレベルに維持され
、インバータ13を介して、信号出力端子60からは、
LOWレべルの信号が、引続き出力される。In FIG. 2, first, the signal input terminal 57
and 58 and the control input terminal 59, respectively.
It is assumed that a level signal is input. At that time, H is supplied from the power supply terminal 61 via the PMOS transistor 8.
An IGH level signal is supplied and output to dynamic node 202 . In this case, this HIGH level signal charges the parasitic capacitance of the circuit. Next, when a HIGH level signal is input to the control signal input terminal 59, the PMOS transistor 8 is turned off, and the HIGH level signal that was being supplied from the power supply terminal 61 via the PMOS transistor 8 is no longer supplied. Due to the signal charged in the parasitic capacitance, the level at the dynamic node 202 is maintained at a HIGH level, and the signal is output from the signal output terminal 60 via the inverter 13.
The LOW level signal continues to be output.
【0004】0004
【発明が解決しようとする課題】上述した従来のドミノ
回路を形成する半導体集積回路においては、クロックが
デスチャージ状態にある時には、ダイナミック・ノード
202におけるHIGHレベルの信号は、寄生容量によ
り保持されている。しかし、このままの状態が長く続く
と、寄生容量により保持されていた電荷はリーク電流と
して喪失され、HIGHレベルの状態を維持することが
困難になるという欠点がある。In the semiconductor integrated circuit forming the conventional domino circuit described above, when the clock is in the discharge state, the HIGH level signal at the dynamic node 202 is held by the parasitic capacitance. There is. However, if this state continues for a long time, the charge held by the parasitic capacitance will be lost as a leak current, making it difficult to maintain the HIGH level state.
【0005】[0005]
【課題を解決するための手段】本発明の半導体集積回路
は、ドミノ回路を形成する半導体集積回路において、ド
レインが高電位側の電源に接続され、ゲートが制御信号
入力端子に接続されるとともに、ソースが所定のNMO
S回路網に接続される第1のPMOSトランジスタと、
ゲートがそれぞれ第1および第2の信号入力端子に接続
され、相互に従属接続される第1および第2のNMOS
トランジスタを含み、全記第1のNMOSトランジスタ
のドレインが、前記第1のPMOSトランジスタのソー
スに接続されて形成されるNMOS回路網と、ゲートが
制御信号入力端子に接続され、ドレインが前記第2のN
MOSトランジスタのソースに接続されるとともに、ソ
ースが低電位側の電源に接続される第3のNMOSトラ
ンジスタと、ドレインが高電位側の電源に接続され、ソ
ースが前記第1のPMOSトランジスタのソースに接続
されるとともに、ゲートが信号出力端子に接続される第
2のPMOSトランジスタと、入力が側が前記第2のP
MOSトランジスタのソースに接続され、出力側が前記
信号出力端子に接続されるインバータと、を備えて構成
される。[Means for Solving the Problems] A semiconductor integrated circuit of the present invention forms a domino circuit, and has a drain connected to a high potential power source, a gate connected to a control signal input terminal, and a semiconductor integrated circuit forming a domino circuit. Source is a given NMO
a first PMOS transistor connected to the S network;
first and second NMOSs whose gates are respectively connected to the first and second signal input terminals and which are cascade-connected to each other;
an NMOS circuit network including a transistor, the drain of the first NMOS transistor being connected to the source of the first PMOS transistor, the gate being connected to the control signal input terminal, and the drain being connected to the second PMOS transistor; N of
a third NMOS transistor whose source is connected to the source of the MOS transistor and whose source is connected to a power supply on the low potential side; a third NMOS transistor whose drain is connected to the power supply on the high potential side and whose source is connected to the source of the first PMOS transistor; a second PMOS transistor whose gate is connected to the signal output terminal and whose input side is connected to the second PMOS transistor;
and an inverter connected to the source of the MOS transistor and whose output side is connected to the signal output terminal.
【0006】[0006]
【実施例】次に、本発明について図面を参照して説明す
る。DESCRIPTION OF THE PREFERRED EMBODIMENTS Next, the present invention will be explained with reference to the drawings.
【0007】図1は本発明のドミノ回路を形成する一実
施例を示すブロック図である。図1に示されるように、
本実施例は、信号入力端子51および52、制御信号入
力端子53、信号出力端子54、および電源端子55お
よび56に対応して、PMOSトランジスタ1と、NM
OSトラジスタ2および3を含むNMOS回路網4と、
NMOSトランジスタ5および6と、インバータ7とを
備えて構成される。FIG. 1 is a block diagram showing one embodiment of forming a domino circuit according to the present invention. As shown in Figure 1,
In this embodiment, PMOS transistors 1 and NM
NMOS circuitry 4 including OS transistors 2 and 3;
It is configured to include NMOS transistors 5 and 6 and an inverter 7.
【0008】図1において、信号入力端子51および5
2にLOWレベルの信号101および102と、制御信
号入力端子53に同じくLOWレベルの信号103が入
力されているものとする。この状態においては、NMO
S回路網4は遮断状態となっており、電源端子55より
、PMOSトランジスタ1を介して、ダイナミック・ノ
ード201には回路の寄生容量に電荷がチャージされる
。これにより、ダイナミック・ノード201には、当該
電荷によるHIGHレベルの電位が保持される。この状
態において、制御信号入力端子53にHIGHレベルの
制御信号103が入力されると、PMOSトラジスタ1
はOFFとなるが、前記寄生容量にチャージされている
電荷に対応して、ダイナミック・ノード201の電位は
保持されてはいるものの、リーク電流により、そのレベ
ルは次第に低下してゆく。しかしながら、本実施例にお
いては、ダイナミック・ノード201のレベルは、イン
バータ7を介して反転され、LOWレベルの信号がPM
OSトランジスタ6のゲートに入力されており、これに
より、電源端子56よりダイナミック・ノード201に
対して、HIGHレベルの信号が供給される。従って、
ダイナミック・ノード201は、電源端子56より供給
される電源により、そのレベルが強制的に保持され、前
記リーク電流に影響されることなく、安定にHIGHレ
ベルを維持することが可能となる。これにより、その間
においては、信号出力端子54からは、安定したLOW
レベルの出力信号104が出力される。In FIG. 1, signal input terminals 51 and 5
It is assumed that LOW level signals 101 and 102 are input to the control signal input terminal 53, and a LOW level signal 103 is input to the control signal input terminal 53. In this state, NMO
The S circuit network 4 is in a cut-off state, and the parasitic capacitance of the circuit is charged to the dynamic node 201 from the power supply terminal 55 via the PMOS transistor 1. As a result, the dynamic node 201 maintains a HIGH level potential due to the charges. In this state, when the HIGH level control signal 103 is input to the control signal input terminal 53, the PMOS transistor 1
is turned off, but although the potential of the dynamic node 201 is maintained corresponding to the charge charged in the parasitic capacitance, its level gradually decreases due to leakage current. However, in this embodiment, the level of the dynamic node 201 is inverted via the inverter 7, and the LOW level signal becomes PM
It is input to the gate of OS transistor 6, and thereby a HIGH level signal is supplied from power supply terminal 56 to dynamic node 201. Therefore,
The dynamic node 201 is forcibly held at its level by the power supplied from the power supply terminal 56, and can stably maintain the HIGH level without being affected by the leakage current. As a result, during this period, the signal output terminal 54 outputs a stable LOW signal.
A level output signal 104 is output.
【0009】[0009]
【発明の効果】以上説明したように、本発明は、ダイナ
ミック・ノードにHIGHレベルを供給するPMOSト
ランジスタを設けることにより、前記ダイナミック・ノ
ードのレベルを安定化させ、ドミノ回路の動作を安定化
することができるという効果がある。As explained above, the present invention stabilizes the level of the dynamic node by providing a PMOS transistor that supplies a HIGH level to the dynamic node, thereby stabilizing the operation of the domino circuit. It has the effect of being able to
【図1】本発明の一実施例を示すブロック図である。FIG. 1 is a block diagram showing one embodiment of the present invention.
【図2】従来例を示すブロック図である。FIG. 2 is a block diagram showing a conventional example.
1,6,8 PMOSトランジスタ2,3,5,
9,10,12 NMOSトランジスタ4,11
NMOS回路網
7,13 インバータ1, 6, 8 PMOS transistor 2, 3, 5,
9, 10, 12 NMOS transistor 4, 11
NMOS circuit network 7, 13 Inverter
Claims (1)
において、ドレインが高電位側の電源に接続され、ゲー
トが制御信号入力端子に接続されるとともに、ソースが
所定のNMOS回路網に接続される第1のPチャネルM
OSトランジスタ(以下、PMOSトランジスタと云う
)と、ゲートがそれぞれ第1および第2の信号入力端子
に接続され、相互に従属接続される第1および第2のN
チャネルMOSトランジスタ(以下、NMOSトランジ
スタと云う)を含み、前記第1のNMOSトランジスタ
のドレインが、前記第1のPMOSトランジスタのソー
スに接続されて形成されるNMOS回路網と、ゲートが
制御信号入力端子に接続され、ドレインが前記第2のN
MOSトランジスタのソースに接続されるとともに、ソ
ースが低電位側の電源に接続される第3のNMOSトラ
ンジスタと、ドレインが高電位側の電源に接続され、ソ
ースが前記第1のPMOSトランジスタのソースに接続
されるとともに、ゲートが信号出力端子に接続される第
2のPMOSトランジスタと、入力が側が前記第2のP
MOSトランジスタのソースに接続され、出力側が前記
信号出力端子に接続されるインバータと、を備えること
を特徴とする半導体集積回路。1. In a semiconductor integrated circuit forming a domino circuit, the drain is connected to a high-potential power supply, the gate is connected to a control signal input terminal, and the source is connected to a predetermined NMOS circuit network. 1 P channel M
An OS transistor (hereinafter referred to as a PMOS transistor), and first and second N transistors whose gates are respectively connected to the first and second signal input terminals and which are connected in series with each other.
An NMOS circuit network including a channel MOS transistor (hereinafter referred to as an NMOS transistor), the drain of the first NMOS transistor being connected to the source of the first PMOS transistor, and the gate thereof being a control signal input terminal. connected to the second N
a third NMOS transistor whose source is connected to the source of the MOS transistor and whose source is connected to a power supply on the low potential side; a third NMOS transistor whose drain is connected to the power supply on the high potential side and whose source is connected to the source of the first PMOS transistor; a second PMOS transistor whose gate is connected to the signal output terminal and whose input side is connected to the second PMOS transistor;
1. A semiconductor integrated circuit comprising: an inverter connected to a source of a MOS transistor and having an output side connected to the signal output terminal.
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP3001888A JPH04239221A (en) | 1991-01-11 | 1991-01-11 | Semiconductor integrated circuit |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
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JP3001888A JPH04239221A (en) | 1991-01-11 | 1991-01-11 | Semiconductor integrated circuit |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPH04239221A true JPH04239221A (en) | 1992-08-27 |
Family
ID=11514116
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP3001888A Pending JPH04239221A (en) | 1991-01-11 | 1991-01-11 | Semiconductor integrated circuit |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPH04239221A (en) |
Cited By (9)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
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-
1991
- 1991-01-11 JP JP3001888A patent/JPH04239221A/en active Pending
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