JPH04167431A

JPH04167431A - 半導体装置の製造方法

Info

Publication number: JPH04167431A
Application number: JP29398190A
Authority: JP
Inventors: Kazuo Maeda; 和夫前田; Toku Tokumasu; 徳徳増; Hiroko Nishimoto; 西本　裕子
Original assignee: Semiconductor Process Laboratory Co Ltd
Current assignee: Semiconductor Process Laboratory Co Ltd
Priority date: 1990-10-31
Filing date: 1990-10-31
Publication date: 1992-06-15

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】〔目次〕・産業上の利用分野・従来の技術・発明が解決しようとする課題・課題を解決するための手段・作用・実施例（第１図〜第７図） ■本発明の第１の実施例（イ）本発明の実施例に用いられるＣＶＤ装置（ロ）本
発明の実施例に用いられるプラズマ処理装置（ハ）本発明の第１の実施例の層間絶縁膜の形成方法 ■本発明の第２の実施例・発明の効果〔産業上の利用分野〕本発明は、半導体装置の製造方法に関し、更に詳しく言
えば、低温ＣＶＤ法により形成された絶縁膜の改質方法
を含む半導体装置の製造方法に関する。

〔従来の技術〕

近年、ＣＶ　Ｄ　（Ｃｈｅｍｉｃａｌ　Ｖａｐｏｒ　Ｄ
ｅｐｏｓｉｔｉｏｎ　）法による絶縁膜の形成方法には
多くの方式があるが、主として熱的ＣＶＤ法５プラズマ
ＣＶＤ法が用いられている。ところで、Ｖ　Ｌ　Ｓ　Ｉ
　　（Ｖｅｒｙ　Ｌａｒｇｅ　５ｃａｌｅ　Ｉｎｔｅｇ
ｒａｔｅｄ　Ｃ１ｒｃｕｉｔ　）　、特にＤＲＡＭにお
いては一層の微細化及び高密度化が要望されている。従
って、絶縁膜をプラズマＣＶＤ法により形成するのは、
ステップカバレージが劣り、また形成された絶縁膜中に
カーボン（Ｃ）等不純物を含むため好ましくない、この
ため、微細化及び高密度化されるＤＲＡＭの作成にはス
テップカバレージの優れた熱的ＣＶＤ法、特に熱的に他
に影響を及ぼさないように低温で膜形成の可能な熱的Ｃ
ＶＤ法の適用が注目されているが、更に膜質の改良が望
まれている。

従来、低温で膜形成の可能な熱的ＣＶＤ法として次のよ
うな条件、 ■反応ガス：モノシラン（ＳＩＨ４）／酸素（Ｏ□）混
合ガス、温度：３５０〜４５０”Ｃ■反応ガス：有機シ
ラン（ＴＥＯＳ）／オゾン（Ｏ，）混合ガス、温度：３
５０〜４５０℃で行う方法がある。これらはいずれも形
成温度が低温であるため、熱歪みを抑制でき、周辺へ及
ぼす影響が小さいので、Ａ！配線層上のパシベーション
膜の形成等に用いられることが多い。

〔発明が解決しようとする諜［３しかし、デバイスのデザインルールが１μｍ以下の場合
、層間絶縁膜などのＭ賞の善し悪しがデバイス特性に大
きな影響を及ぼし、□熱的ＣＶＤ法により作成された層
間絶縁膜にも新たに次のような問題が生じてきている。

即ち、 ■形成された絶縁膜の密度が小さい ■形成された絶縁膜中に水分（Ｌｏ）や５ｉ−ＯＮのよ
うな結合゛を含んでいる ■５ｔ−Ｈ等のような結合を含んでいる場合があるため
に、 ■絶縁耐圧の低下　　　　“ ■リーク電流の増大 ■Ａ１．Ｍ等のコロ−ジョン等ζこよる信転性にかかわる問題を引き起こすことがあ
る。

この問題を解決するためには、 ■できるだけ高温下で膜形成を行う ■できるだけ成長速度を小さくして膜形成を行う ■ＴＥＯ３を用いた方法ではＯｓ’ｆｔ度をできるたけ
高める ■成膜後、できるかぎり高温で膜をアニールする等が行われる必要があるが、それぞれ限界がある。

例えば、下部ＡＩ！配線層を被覆する眉間絶縁膜を形成
する場合には５４基板へのＡｐの拡散やヒロックの発注
などの観点から温度を４５０℃以上にすることは望まし
くない。また、量産性を確保するため成長速度を余り小
さくできな０゜本発明はＪかかる従来の問題点に鑑みてなされたもので
、低温の熱的ＣＶＤ法により形成された絶縁膜の膜質の
改良を行うことができる半導体装夏の製造方法を提供す
ることを目的とするものである。

［課題を解決するための手段］上記課題は、第１に、化学気相成長法により被形成体上
に絶縁膜を形成した後、該被形成体の温度を上げてプラ
ズマガスに曝し、該絶縁膜の膜質を改善することを特徴
とする半導体装置の製造方法によって達成され、第２に、前記プラズマガスに曝している間、前記被形成
体の温度が３５０〜４５０℃の範囲にあることを特徴と
する請求項１記載の半導体装置の製造方法によって達成
され、第３に、前記絶縁膜が形成される化学気相成長法は、次
のような２つの条件、即ち、 ■反応ガス：シラン（Ｓ　ｉ　Ｈａ　）　／＃Ｉ素（Ｏ
□）混合ガス、温度：３５０〜４５０°Ｃ ■反応ガス：有機シラン（ＴＥＯＳ）／オゾン（Ｏ，）
混合ガス、温度＝３５０〜４５０°Ｃのうちいずれか一
方の条件により行われるものであることを特徴とする第
１の発明に記載の半導体装置の製造方法によって達成さ
れ、第４に、前記化学気相成長法により形成された絶縁膜が
ＰＳＧ膜、Ｂ５Ｇ１１ＩＩ或いはＢＰＳＧ膜のいずれか
であることを特徴とする第１の発明に記載の半導体装置
の製造方法によって達成され、第５に、前記化学気相成
長法は常圧下、或いは減圧下で行われるものことを特徴
とする第１．第２或いは第３の発明のいずれかに記載の
半導体装置の製造方法によって達成され、　　−第６に
、前記プラズマガスが窒素その他の不活性ガス、酸素ガ
スをプラズマ化したものであることを特徴とする第１．
第２或いは第３の発明のいずれかに記載の半導体装置の
製造方法によって達成され、第７に、第１の発明に記載の製造方法を２回以上繰り返
し行うことにより被形成体上に絶縁膜を形成することを
特徴とする半導体装置の製造方法によって達成される。

〔作用〕

本発明の作用について本願発明者の行った実験に基づい
て説明する。

第４図（ａ）、　　（ｂ）、第５図（ａ）、　　（ｂ）
及び第６図（ａ）は、本願発明者の行った実験結果及び
プラズマ処理装置の構成等を示す図である。

また、この実験に用いた試料は、第３図（ａ）。

（ｂ）に示すようにして作成した。即ち、第７図に示す
ようなＣＶ　Ｄ！ＩＦにより、 ■反応ガス：有機シラン（ＴＥＯＳ）／オゾン（Ｏ，）
混合ガス（○、濃度：１％　１ｎｏｚ）■ウェハ温度：
４００℃ ■形成速度７１０００人／分のような条件で、膜厚８０００人＜７）　ＣＶ　ＤＳｉ
Ｏｚ膜１１を、Ｓｉ基板（ウェハ）９上の、熱酸化によ
り形成された５１０２Ｍ１０の上に形成する（第３図（
ａ））。

次いで、このウェハ９を、例えば第６図（ａ）に示すよ
うな平行平板型のプラズマ処理装置のチャンバ１２内の
ウェハ載置台１６に載置した後、ヒータで加熱し、ウェ
ハ温度を一定温度に保持し、続いて、酸素ガスをガス導
入口１３からチャンバ１２内に導入した後、ＲＦｔ源１
８により周波数１３．５６　Ｍ　Ｈｚの電圧を印加して
酸素粒子を活性化・プラズマ化し、所定の時間保持する
。ここで、ウェハ温度及びプラズマ処理時間については
以下に示すように種々の条件で行った。

■ウェハ温度：　３５０　、３７５　、４００　、４５
０℃■プラズマ処理時間：５，３０．６０分なお、この
ようなプラズマ処理によりＣＶＤ５ｉＯ□膜１１ａはエ
ツチングされないことも判明した。

次に、このようにして処理されたＣＶＤ５ｉＯ□膜１１
ａについて、 ■ＨＦ水溶液を用いたエツチングレートによる膜の緻密
性の調査 ■赤外吸収スペクトルによる膜の組成の調査を行った。

なお、比較のため、プラズマ処理を行わないＣＶＤ５ｉ
Ｏ□膜や熱酸化により形成された熱酸化膜についても同
様に調査を行った。

調査結果を第４図（ａ）、（ｂ）及び第５図（ａ）、　
　（ｂ）に示す。

第４図（ａ）、　　（ｂ）はエツチングレートによる膜
の緻密性の調査結果で、同図（ａ）はウェハ温度３５０
℃一定の条件で、プラズマ処理時間をパラメータとして
エツチング膜厚に対するエツチングレートの変化を調査
したものであり、同図（ｂ）はプラズマ処理時間５分一
定の条件で、ウェハ温度をパラメータとしてエツチング
膜厚に対するエツチングレートの変化を調査したもので
ある。その結果、プラズマ処理時間が長くなるに従い、
又はウェハ温度が高くなるに従い、エツチングレートが
小さくなり、かつ表面から深いところまでその影響が及
び、次第に熱酸化膜のエツチングレートに近づき、ＣＶ
　ＤＳｉＯ，膜１１ａがより緻密になってきていること
を示している。

また、第５図（ａ）、（ｂ）は赤外吸収スペクトルによ
る膜の組成の調査結果で、同図（ａ）は５ｉ−ＯＲのよ
うな結合の存在を、ウェハ温度３５０℃一定の条件で、
プラズマ処理時間をパラメータとして処理した試料につ
いて調査したものであり、同図（ｂ）はＨ２Ｏの存在を
同し試料について調査したものである。その結果、プラ
ズマ処理時間が長くなるに従い、Ｈ２Ｏや５ｉ−ＯＨの
ような結合を示すピークが次第に小さくなって消失して
いる。

以上の２＃１の異なる調査結果によれば、プラズマ処理
時間が長くなるに従い、又はウェハ温度が高くなるに従
い、Ｈ２Ｏや５ｉ−ＯＲのような結合が消失してきて、
ＣＶＤ５ｉＯ□膜１１ａがより緻密になってくるヵこれ
は、プラズマ中の活性ラジカル粒子がＣＶ　ＤＳｉＯ□
膜１１の膜面１衝突することにより：また放電によって
発生する紫外光によりＣＶ　ＤＳｉＯｚＭ１１表面及び
内部が照射を受けることにより：８２０や５ｉ−ＯＨ等
がＣＶ　Ｄ　Ｓｉｎｇ膜１１の外に排出されるためと考
えられる。

以上のように、本発明のプラズマ処理によれば、水分（
Ｈ，０）や５ｉ−ＯＲ等のような結合を消失させて低温
で形成されたＣＶＤ５ｉＯ□膜１１ａの緻密性を増して
いるので、ＣＶ　Ｄｓ；ｏｚ［ｔｔ　ａの内部から水分
の生成の原因になる要因を取り除くとともに、ＣＶＤ５
ｉＯ□ｌ１ｌｌａの外部からの水分等の浸入を防止する
ことができる。

〔実施例〕

以下、図面を参照しながら本発明の実施例について説明
する。

■本発明の製造方法の第１の実施例第１図（ａ）〜（ｄ）は本発明の第１の実施例の眉間絶
縁膜の形成方法を説明する断面図である。

また、第７図及び第６図（ａ）又は（ｂ）は、本発明の
第１の実施例の層間絶縁膜の形成方法に用いられるＣＶ
Ｄ装置及びプラズマ処理装置の構成図である。

まず、このようなＣＶＤ装置及びプラズマ処理装置につ
いて説明する。

（イン実施例に用いられるＣＶＤ装置第７図はＴＥＯ３１０ｊ混合ガスを用いた熱的ＣＶＤ法
によりＳｉＯ□膜を形成するＣＶＤ装置である。

同図において、２６はチャンバ、２７は反応ガス導入口
、２８はガス排出口、３ｏは被形成体としてのウェハ１
が載置され、ウェハ１を加熱するヒータとなっているウ
ェハ載置台、３］は反応ガスをウェハ１上に降り注せる
ガスシャワーである。

また、３２ａは反応ガスをチャンバ２６に送るガス配管
で、オゾンガスやＴＥＯ３ｉ液を含む窒素ガスその他を
流すガス配管３２ｂ、３２ｃ、３２ｅ、３２ｇが接続さ
れている。３２ｂは酸素ガス、又はオゾン発生装置３３
により形成されたオゾンガスを流すガス配管、３２ｃは
ＴＥＯ３ｆ４液を含む窒素ガスを流すガス配管、３２ｅ
はＴＭ　Ｐ　Ｏ（Ｔｒｉ　Ｍｅｔｙｌ　Ｐｈｏｓｐｈａ
ｔｅ　）溶液を含む窒素ガスを流すガス配管、３２ｇは
ＴＥＢ　（Ｔｒｉ　Ｅｔｙｌ　Ｂｏｒａｔｅ　）溶液を
含む窒素ガスを流すガス配管で、それぞれのガス配管３
２ｂ、３２ｃ、３２ｅ、３２ｇに、通流／停止を調整す
るパルプ３５ａ〜３５ｃ、３５ｅ、３５ｇが設けられて
いる。

また、３２ｄ、３２ｆ及び３２ｈはそれぞれ窒素ガスを
ＴＥＯ５溶液、ＴＭＰＯ溶液及びＴＥＢ溶液に送るガス
配管で、それぞれのガス配管３２ｄ、３２ｆ。

３２ｈに、通流／停止を調整するパルプ３５ｄ、３５ｆ
。

３５ｈが設けられている。

更に、３３はガス配管３２ｂと接続されているオゾン発
生装置、３４ａ〜３４ｃはそれぞれＴＥＯ３溶液、ＴＭ
ＰＯ溶液及びＴＥＢ溶液を加熱・保温するヒータ、３６
ａ〜３６ｄは酸素（Ｏ□）ガスやキャリアガスとしての
窒素（Ｎ２）ガスの流量を調整するマスフローコントロ
ーラである。

なお、ＴＭＰＯ溶液はＰＳＧ　（リンガラス）膜を形成
する際に用いられ、ＴＥＢ溶液はＢＳ、Ｇ（ボロンガラ
ス）Ｍを形成する際に用いられ、更にＢＰＳＧ　（ボロ
ン−リンガラス）Ｍを形成する際にはこれらの溶液が両
方用いられる。

（ロ）実施例に用いられるプラズマ処理装置また、第６
図（ａ）は平行平板型のプラズマ処理装置で、図中符号
１２はチャンバ、１３はガス導入口、１４はガスを排出
するガス排出口、１６はウェハ１を加熱するヒータの設
けられたウェハ載置台、１７はガスをプラズマ化するた
めの一方の電極で、この電極１７に接続されているＲＦ
電源１８により、この電極１７と、アースされているウ
ェハ！１１台１６との間に交流の電圧を印加し、チャン
バ１９内に導入された不活性ガスなどをプラズマ化する
。

更に、第６図（ｂ）はバッチ処理が可能なホットウォー
ル型の他のプラズマ処理装置で、図中符号１９は石英管
からなるチャンバ、２０はガス導入口、２１はガスを排
出するガス排出口、２３はガスをプラズマ化するための
一対の放電用電極で、一方の電極に接続されているＲＦ
電源２４により、一方の電極と、アースされている他方
の電極との間に交流の電圧を印加し、チャンバ１９内に
導入された不活性ガスなどをプラズマ化する。

（ハ）本発明の第１の実施例の眉間絶縁膜の形成方法次に、第７図のＣＶＤ装置と第６図（ａ）のプラズマ処
理装置とを用いて、半導体基板上に層間絶縁膜を形成す
る本発明の実施例について第１図（ａ）〜（ｄ）を参照
しながら説明する。

まず、第１図（ａ）に示すように、Ｓｉ基板（ウエハ二
半導体基板）１上に熱酸化により５ｉＯｚ膜２を形成し
た後、５ｉＯｚ膜２上にＡ１．配線３ａ〜３ｃを形成す
る。

次いで、第７図のＣＶＤ装置のチャンバ２６内のウェハ
載置台３０にウェハ１を載置した後、ウェハ１をヒータ
により加熱し、温度約４００°Ｃに保持するとともに、
バルブ３５ａ、３５ｂを開放して酸素ガスをオゾン発生
器３３に通流させ、マスフローコントローラ３６ａを調
整しながら、酸素ガス中のオゾンガス濃度が約１％にな
るようにしてガス配管３２に導く、また、このとき同時
にバルブ３５ｃ、３５ｄを開放し、マスフローコントロ
ーラ３６ｂを調整しながら、ＴＥＯ３熔液を含む所定の
流量の窒素ガスをガス配管３２に導く、更に、このよう
にしてガス配管３２に導かれたＴ　Ｅ　ＯＳ　／　０２
の混合ガスはチャンバ２６のガス導入口２７を通過して
チャンバ２６内に導入される。その結果、ウェハ１上で
反応が起こり、ＣＶ　ＤＳｉＯ□膜４が形成され始める
。この状態を所定時間保持し、ウェハ１上のＡｆｆｉ配
［３ａ〜３Ｃを被覆して膜厚約８０００人のＣＶ　ＤＳ
ｉＯｚ膜４を形成する（第１図（ｂ））。

次に、ウェハ１をＣＶＤ装置のチャンバ２６内から取出
し、ＣＶ　ＤＳｉＯ，膜４を改質するため、第６図（ａ
）に示す平行平板型のプラズマ処理装置のチャンバ１２
内のウェハ載置台１６に載置する。

その後、ヒータによりウェハ温度を約３５０°Ｃに保持
するとともに、ガス排出口１４からチャンバ１２内を排
気しながら、ガス導入口１３から酸素ガスを導入し、チ
ャンバ１２内を所定の圧力に保持する。次いで、ＲＦ電
源１８により、電極１７とウェハ載置台１６間に周波数
１３．５６　Ｍ　Ｈｚの高周波電圧を印加し、酸素ガス
をプラズマ化する。そして、この状態で６０分間保持す
ると、ＣＶＤ５ｉＯｚ＃４の改質が終了する（第１図（
ｃ）　、（ｄ））　。

以上のような本発明の第１の実施例の眉間絶縁膜の形成
方法によれば、低温でＣＶ　ＤＳｉＯｚ１！　４の形成
を行っているので、Ａｌ配線３ａ〜３ｃのヒロック等の
発生を防止することができる。また、プラズマ処理を行
っているので、第４図及び第５図に示すように、低温形
成であるために形成時に多くの水分や５ｉ−ＯＲ、５ｉ
−１１等のような結合を含んでいるＣＶＤ５ｉＯっ膜４
ａからこれらが除去され、ＣＶ　ＤＳｉＯｉ膜４ａｆ）
＜緻密化する。従ッテ、ＣＶＤＳｉｎｇ膜４ａの内部か
ら水分の生成の原因になる要因を取り除くとともに、Ｃ
ＶＤ５ｉＯ□膜４ａの外部からの水分等の浸入を防止す
ることができる。

これにより、ＣＶ　ＤＳｉＯｚｌ！！４　ａ自体の絶縁
耐圧の低下、後にＣＶ　Ｄ　５ｉ（ｈ膜４ａ上に形成さ
れる上部のＡｆ配線と下部のＡ１配線３ａ〜３ｃとの間
のリーク電流の増大、／ｌ配線３ａ〜３０等のコロ−ジ
ョン等による信頼性の低下を防止することができる。

なお、第１の実施例テハ、ＣＶ　Ｄ　５ｉＯＪｌ！　４
　トシてＴＥ０１−Ｏｆｆ混合ガス、温度：　４００″
Ｃの条件で形成されたものを用いているが、温度条件と
して３５０〜４５０℃の範囲で形成することができる。

また、反応ガスニジラフ　（ＳｉＨｎ）　／酸素（ｏ２
）混合ガス、温度：３５０〜４５０℃の条件で形成され
たものを用いることもできる。

更に、プラズマ化されるガスとして酸素ガスを用いてい
るが、窒素ガス等の不活性ガスを用いてもよい。

■本発明の製造方法の第２の実施例第２図（ａ）〜（ｄ）は、本発明の製造方法の第２の実
施例の層間絶縁膜の形成方法を説明する断面図である。

第１の実施例と異なるところは、−度に所定の膜厚８０
００人を形成するのではなくて、膜厚２０００人毎に本
発明の製造方法を適用して最終的に所定の膜厚８０００
人を形成するようにしたものである。

まず、第２図（ａ）に示すように、５４基板（ウェハ：
半導体基板）１上に熱酸化によりＳｉＯ□膜２を形成し
た後、Ａ！配ｍ３ａ〜３ｃを形成する。

次いで、第７図のＣＶＤ装置を用い、ＴＥＯ３１０、の
混合ガスにより、第１の実施例と同様にして膜厚約２０
００人の第１　ノＣＶ　ＤＩＩＩＳｉＯＪ　５を形成す
る。次いで、第６図（ａ）のプラズマ処理装置を用いて
第１のＣＶＤＷｉＳｉＯ□ＷＪ、５をウユハ温度約４０
０℃の条件で、約３０分間プラズマ化された酸素ガスに
曝す、このとき、第４図（ａ）に示すように、第１のＣ
ＶＤ１ｌｌＳｉＯ□膜５は膜厚が充分に薄いので、全層
厚にわたり膜質が改良される。

次に、第２図（ａ）に示す工程と同様にして膜厚約２０
００人の第２のＣＶ　ＤＳｉＯ□膜６を形成し、プラズ
マ化された酸素ガスによりプラズマ処理する（第２図（
ｂ））、このとき、第４図（ａ）に示すように、第２の
ＣＶＤ１ｌＳｉＯ□膜６も膜厚が充分に薄いので、全層
厚にわたり膜質が改良される。

次いで、上記と同様にして膜厚約２０００人の第３のＣ
Ｖ　ＤＳｒＯｔＷｌ　７を形成し、プラズマ処理する〔
第２図（ｃ））、次いで、第４のＣＶ　ＤＳｉＯ，膜８
を形成し、プラズマ処理する（第２図（ｄ））。

このとき、第４図（ａ）に示すように、第３及び第４の
ＣＶＤ１ｌＳｉＯ□膜７，８もそれぞれ膜厚が充分に薄
いので、それぞれの全層厚にわたり膜質が改良される。

以上のように、第２の実施例によれば、充分に薄い膜厚
２０００人毎に本発明の製造方法を適用して最終的に所
定の膜厚８０００人を形成しているので、第１の実施例
に比較して、全体としてのＣＶＤ５ｉＯ□１１１！５〜
８の膜質を一層改良することができる。

〔発明の効果〕

以上のように、本発明の半導体装！の製造方法によれば
、低温で形成されたＣ　Ｖ　ＤＳｉＯ□膜をプラズマ処
理することにより、ＣＶ　ＤＳｉＯ□膜の形成後に膜中
に含まれていたＨ、Ｏや５ｉ−ＯＨ，５ｉ４）１等のよ
うな結合を消失させ、ＣＶ　ＤＳｉＯ□膜をより緻密に
することができる。

これにより、ＣＶＤ５ｉＯ□膜４自体の絶縁耐圧の低下
、後にＣＶ　ＤＳｉＯ□膜４上に形成される上部の／ｌ
配線と下部のＡｎ配線との間のリークを流の増大、Ａｆ
ｆｉ配線のコロ−ジョン等による信頼性の低下を防止す
ることができる。

【図面の簡単な説明】

第１図は、本発明の第１の実施例の製造方法について説
明する断面図、第２図は、本発明の第２の実施例の製造方法について説
明する断面図、第３図は、本発明の製造方法の実験用試料断面図、第４図は、本発明の製造方法によるＣ　Ｖ　ＤＳｉ０２
膜のエツチングレート調査説明図、第５図は、本発明の製造方法によるＣ　Ｖ　ＤＳｉＯ□
膜の赤外吸収スペクトル調査説明図、第６図は、本発明の実施例に係るプラズマ処理装置の概
略説明図、第７図は、本発明の実施例に係るＣＶＤ膜形成装置の概
略説明図である。〔符号の説明〕１．９・・・Ｓｉ基板（ウェハ：半導体基板）２．１０
・・・Ｓｉ０ｇ膜、３ａ〜３ｃｍＡｌ！配線、４、　４　ａ、　　１　］、　ｌｌａ・ＣＶＤ５ｉＯｚ
Ｉｌｌ、５・・・第１のＣＶ　Ｄ　５ｔ（ｈ膜、６・・
・第２のＣＶ　ＤＳｉＯ□膜、７・・・第３のＣＶＤ５ｉＯ□膜、８・・・第４のＣＶＤ５ｉＯ□膜、１２．１９．２６・・・チャンバ、１３．２０．２７・・・ガス導入口、１４．２１．２８・・・ガス排出口、１６．３０・・・ウェハ載置台（ヒータ）、１７．２３
・・・電極、１８．２４・・・ＲＦｔ源、２５．３４ａ〜３４ｃ・・・ヒータ、３１・・・ガスシャワー、３２ａ〜３２ｈ・・・ガス配管、３３・・・オゾン発生器、３５ａ〜３５ｈ・・・バルブ、３６ａ〜３６ｄ・・・マスフローコントローラ。（表面）　　　　　　　　エツチング層厚（人）本発明
の製造方法によるＣ　ＶＤ　Ｓ　Ｉｏ　２膜のエツチン
グレート調査説明図第４図４■０　　　　３６００　　　　３２００　　　　　２
８００（ｎｍ″）本発明の製造方法によるＣＶＤ　ＳｉＯ□膜の赤外吸収
ス４クトル調査説明図本発明の実施例に係るノラズマ処
理装置の概略構成図第６図

Claims

【特許請求の範囲】（１）化学気相成長法により被形成体上に絶縁膜を形成
した後、該被形成体の温度を上げてプラズマガスに曝し
、該絶縁膜の膜質を改善することを特徴とする半導体装
置の製造方法。（２）前記プラズマガスに曝している間、前記被形成体
の温度が３５０〜４５０℃の範囲にあることを特徴とす
る請求項１記載の半導体装置の製造方法。（３）前記絶縁膜が形成される化学気相成長法は次のよ
うな２つの条件、即ち、（１）反応ガス：モノシラン（ＳｉＨ＿４）／酸素（Ｏ
＿２）混合ガス、温度：３５０〜４５０℃（２）反応ガ
ス：有機シラン（ＴＥＯＳ）／オゾン（Ｏ＿３）混合ガ
ス、温度：３５０〜４５０℃のうちいずれか一方の条件
により行われるものであることを特徴とする請求項１記
載の半導体装置の製造方法。（４）前記化学気相成長法により形成された絶縁膜がＰ
ＳＧ膜、ＢＳＧ膜或いはＢＰＳＧ膜のいずれかであるこ
とを特徴とする請求項１記載の半導体装置の製造方法。（５）前記化学気相成長法は常圧下、或いは減圧下で行
われるものであることを特徴とする請求項１、請求項２
或いは請求項３のいずれかに記載の半導体装置の製造方
法。（６）前記プラズマガスが窒素その他の不活性ガス、又
は酸素ガスをプラズマ化したものであることを特徴とす
る請求項１、請求項２、請求項３或いは請求項４のいず
れかに記載の半導体装置の製造方法。（７）請求項１記載の製造方法を２回以上繰り返し行う
ことにより被形成体上に絶縁膜を形成することを特徴と
する半導体装置の製造方法。