JPH0375373A - Method for cleaning plasma treating device - Google Patents
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Abstract
Description
【発明の詳細な説明】
〔概要〕
マイクロ波プラズマを利用して化学気相成長を行う装置
などに適用して好結果が得られるプラズマ処理装置の清
浄化方法に関し、
乾式洗浄（ドライ・クリーニング）、高速クリーニング
、各チェンバに於けるコーナ部分までの隅々までのクリ
ーニング、ダウン・タイムの短縮並びに成膜の膜質再現
性を確保することを目的とし、
真空チェンバ内に所要の反応ガス或いはＮＦ３或いはＣ
ｊ！Ｆ３を導入してマイクロ波プラズマを発生させ且つ
カスプ磁場プロファイルを制御して清浄化を行うよう構
成する。[Detailed Description of the Invention] [Summary] This invention relates to a method for cleaning plasma processing equipment that can be applied to equipment that performs chemical vapor deposition using microwave plasma and obtains good results. , high-speed cleaning, thorough cleaning down to the corners of each chamber, reduction of down time, and ensuring reproducibility of film quality during film formation. C
j! It is configured to introduce F3 to generate microwave plasma and control the cusp magnetic field profile to perform cleaning.
本発明は、マイクロ波プラズマを利用して化学気相成長
（ｃｈｅｍｉｃａｌ ｖａｐｏｒ ｄｅｐｏｓｉｔ
ｉｏｎ：ＣＶＤ）を行う装置などに適用して好結果が得
られるプラズマ処理装置の清浄化方法に関する。The present invention utilizes microwave plasma to perform chemical vapor deposition.
The present invention relates to a cleaning method for plasma processing equipment that can be applied to equipment that performs ion (CVD), etc. to obtain good results.
現在、半導体集積回路装置には更なる高集積化及び高密
度化が要求されていることから、諸素子を組み込む為に
必要とされる被膜は高い純度及び高い品質が要求される
。Currently, semiconductor integrated circuit devices are required to have even higher integration and density, and therefore, coatings required for incorporating various elements are required to have high purity and high quality.
そのような良質な被膜が得られるか否かは、気相成長装
置などプラズマ処理装置の清浄度に依存するところが大
きい。Whether such a high-quality film can be obtained largely depends on the cleanliness of the plasma processing apparatus such as the vapor phase growth apparatus.
従って、プラズマ処理装置を清浄化する為の優れた方法
を開発することが必要である。Therefore, there is a need to develop better methods for cleaning plasma processing equipment.
従来、半導体集積回路装置に於ける被膜を形成する際、
その適用技術が高温ＣＶＤプロセスであれば、気相成長
装置に於ける真空チェンバ内の清浄化は、フン酸などを
用いたウェット洗浄で行うことが多く、また、適用技術
が高周波プラズマＣｖＤプロセスであれば、エツチング
・ガスをＣＦ４＋ｏｚＮｏ［％〕）とする高周波プラズ
マ・クリーニングを行うことが多い。Conventionally, when forming a film in a semiconductor integrated circuit device,
If the applied technology is a high-temperature CVD process, cleaning the inside of the vacuum chamber in a vapor phase growth apparatus is often done by wet cleaning using hydrochloric acid, etc.; If so, high frequency plasma cleaning is often performed using CF4+ozNo[%] as the etching gas.
ところで、前記ＣＶＤ技術は、高温状態に於ける熱反応
を利用するものであるから、成膜すべき基板が高温に耐
えられるもの、そして、電極・配線材料は高温で損傷さ
れないものなどの条件があって、その適用範囲が著しく
制限される旨の欠点がある。By the way, since the CVD technology utilizes thermal reactions at high temperatures, certain conditions must be met, such as the substrate on which the film is to be formed can withstand high temperatures, and the electrode and wiring materials must not be damaged at high temperatures. However, it has the disadvantage that its scope of application is severely limited.
その欠点を解消する為、近年、マイクロ波プラズマを利
用し７１００ （”Ｃ） 〜４００ （’Ｃ） ノ低温
でＣＶＤを実施できる技術が開発されている。In order to eliminate this drawback, in recent years, a technique has been developed that uses microwave plasma to perform CVD at a low temperature of 7100 ('C) to 400 ('C).
このＣＶＤ技術は、将来、超高集積化された半導体集積
回路装置を製造する為の技術として期待されていて、更
に低温での良質な成膜を可能にする為の開発が行われて
いる。This CVD technology is expected to be a technology for manufacturing ultra-highly integrated semiconductor integrated circuit devices in the future, and is being developed to enable high-quality film formation at even lower temperatures.
この低温マイクロ波プラズマＣＶＤ装置に於ける真空チ
ェンバをクリーニングするには、通常、フッ酸を用いた
ウェット洗浄法、或いは、ＣＦ４＋０２プラズマを用い
たドライ・エツチング法が適用されている。To clean the vacuum chamber in this low-temperature microwave plasma CVD apparatus, a wet cleaning method using hydrofluoric acid or a dry etching method using CF4+02 plasma is usually applied.
前記説明した低温マイクロ波プラズマＣＶＤ装置に於け
る真空チェンバの清浄化方法に於けるウェット洗浄法を
実施する場合、装置を分解する必要があり、そして、組
み立てた場合に、僅少ではあるが、元の状態とずれを生
じ、真空系の再現性を保証することができない。また、
装置を分解するには、超高真空→大気復帰→真空チェン
バ清浄化→乾燥→超高真空復帰、なるプロセスを経るの
であるから、そのダウン・タイムは長いものとなり、生
産性の面からは大きな障害になる。他の清浄化方法、即
ち、エツチング・ガスとしてＣＦ４＋０２を用いたドラ
イ・エツチング法を実施した場合、クリーニング効果は
僅かであって、エツチング・レートや材料の選択性の面
で問題がある。When implementing the wet cleaning method in the vacuum chamber cleaning method of the low-temperature microwave plasma CVD equipment described above, it is necessary to disassemble the equipment, and when it is assembled, the original , and the reproducibility of the vacuum system cannot be guaranteed. Also,
To disassemble the device, you have to go through the following process: ultra-high vacuum → return to atmosphere → cleaning the vacuum chamber → drying → return to ultra-high vacuum, so the down time is long and there is a big impact on productivity. become an obstacle. When using other cleaning methods, ie, dry etching using CF4+02 as the etching gas, the cleaning effect is small and there are problems in terms of etching rate and material selectivity.
本発明は、プラズマ処理装置の清浄化に於いて、（ａ）
乾式洗浄（ドライ・クリーニング）であること
（ｂ） 高速クリーニング可能なこと（Ｃ） 各チ
ェンバに於けるコーナ部分の隅々までクリーニングが可
能なこと
（ｄ） ダウン・タイムを短くできることを実現させ
ようとする。In cleaning a plasma processing apparatus, the present invention provides (a)
It must be dry cleaning (b) It must be capable of high-speed cleaning (C) It must be possible to clean every corner of each chamber (d) It must be possible to shorten down time. shall be.
第１図は本発明を実施するのに用いるプラズマ処理装置
の要部説明図を表している。FIG. 1 shows an explanatory view of the main parts of a plasma processing apparatus used to carry out the present invention.
図に於いて、１は反応室、２は空洞共振器（プラズマ生
成室）、３は透光性アルミナ板、４は導波管、５はガス
導入管、６はウェハ・サセプタ、７は拡散磁場用ソレノ
イド・コイル、８はカスプ磁場用ソレノイド・コイル（
ミラー磁場用ソレノイド・コイル）をそれぞれ示してい
る。In the figure, 1 is a reaction chamber, 2 is a cavity resonator (plasma generation chamber), 3 is a transparent alumina plate, 4 is a waveguide, 5 is a gas introduction tube, 6 is a wafer susceptor, and 7 is a diffusion Solenoid coil for magnetic field, 8 is solenoid coil for cusp magnetic field (
(mirror magnetic field solenoid coil) are shown.
このプラズマ処理装置では、マイクロ波空洞共振モード
或いはＥＣＲ（ｅｌｅｃｔｒｏｎ ｃｙｃｌｏｔｒｏ
ｎ ｒｅｓｏｎａｎｃｅ）共振モードに於いて、ガス
導入管５から三フフ化窒素（ＮＦ３）或いは三フフ化塩
素（ＣｆｆｉＦｉなとのガスを空洞共振器２に導入して
プラズマ化する。このプラズマ生成時に於ける圧力は８
Ｘ１０−”［Ｔｏｒｒ）以下とする。生成されたプラズ
マ、特に、イオンの入射エネルギを適正な値に制御する
為に必要な拡散（発散）磁場用ソレノイド・コイル７（
或いは基板高周波バイアス印加機構）を配置し、プラズ
マ化したイオンやラジカルなどの活性種を用いて反応室
１内をドライ・エツチングするものである。This plasma processing apparatus uses microwave cavity resonance mode or ECR (electron cyclotron
n resonance) resonance mode, a gas such as nitrogen trifluoride (NF3) or chlorine trifluoride (CffiFi) is introduced into the cavity resonator 2 from the gas introduction pipe 5 and turned into plasma. The pressure applied is 8
X10-'' [Torr] or less.The solenoid coil 7 (
Alternatively, a substrate high-frequency bias application mechanism) is disposed, and the inside of the reaction chamber 1 is dry etched using active species such as plasma ions and radicals.
マタ、このプラズマ処理装置では、カスプ磁場用ソレノ
イド・コイル８に流す電流の如何に依って、反応室１内
に於けるプラズマのカスプ面を移動させることができる
。In this plasma processing apparatus, the cusp surface of the plasma in the reaction chamber 1 can be moved depending on the current applied to the cusp magnetic field solenoid coil 8.
第２図はカスプ面の移動を説明する為の要部説明図を表
している。FIG. 2 shows an explanatory view of the main parts for explaining the movement of the cusp surface.
図に於いて、Ｃ１，Ｃ２，Ｃ３はカスプ磁場用ソレノイ
ド・コイル８に流す電流に依って移動したカスプ面を示
している。In the figure, C1, C2, and C3 indicate cusp surfaces that are moved by the current flowing through the cusp magnetic field solenoid coil 8.
このように、カスプ面、従って、均一プラズマの領域を
移動させることで、反応室１内の隅々までドライ・エツ
チングすることができる。In this way, by moving the cusp surface and, therefore, the uniform plasma region, dry etching can be carried out to every corner within the reaction chamber 1.
第３図（Ａ）及び（Ｂ）は本発明に依るドライクリーニ
ングに於ける反応のモデル図を表している。FIGS. 3A and 3B show model diagrams of reactions in dry cleaning according to the present invention.
図に於いて、ＩＡは反応室１に於けるアルミニウム（Ａ
ｆ）からなる壁、９はＡｆフッ化物膜、１０は壁ＩＡに
被着されたＳｉ化合物、・はフッ素イオン、はラジカル
、ｅは電子をそれぞれ示している。尚、この場合、反応
室１の材料はＡｊ２であるが、フッ素とＡｌとは化合物
を形成するので、Ａｎが著しく浸食されることは少ない
。また、図示のように、加速電圧は２０〜４０（Ｖ）で
ある。 第３図（Ａ）では、フッ素イオンやラジカルな
どの活性種が反応室ｌの壁ＩＡに被着したＳｉ化合物１
０と反応して効率良く且つダメージレスにエツチングし
ているさまが表され、また、第３図（Ｂ）では、Ｓｉ化
合物１０が除去されたさまが表されている。In the figure, IA is aluminum (A) in reaction chamber 1.
9 is an Af fluoride film, 10 is a Si compound deposited on the wall IA, . is a fluorine ion, is a radical, and e is an electron, respectively. In this case, the material of the reaction chamber 1 is Aj2, but since fluorine and Al form a compound, it is unlikely that An will be significantly eroded. Further, as shown in the figure, the acceleration voltage is 20 to 40 (V). In FIG. 3(A), active species such as fluorine ions and radicals are deposited on the Si compound 1 attached to the wall IA of the reaction chamber 1.
3(B) shows that the Si compound 10 has been removed.
本発明者らの実験に依ると、Ｓｉ化合物を除去する場合
に、前記したような、良好なりリーニングを行い得るエ
ツチング・ガスとしては、ＮＦ。According to experiments conducted by the present inventors, NF is an etching gas that can perform the above-mentioned good cleaning when removing Si compounds.
或いはＣｊ２Ｆ３がある。Or there is Cj2F3.
第４図（Ａ）及び（Ｂ）はプラズマ密度とパワーとの関
係を表す線図であり、縦軸にはプラズマ密度を、横軸に
はパワーをそれぞれ採っである。FIGS. 4A and 4B are diagrams showing the relationship between plasma density and power, with the vertical axis representing the plasma density and the horizontal axis representing the power.
第４図（Ａ）は２．４５ （ＧＨｚ）のマイクロ波で励
起されたプラズマに関するデータであり、また、第４図
は１３．５６ （ＭＨｚ）の高周波で励起されたプラズ
マに関するデータである。FIG. 4(A) shows data regarding plasma excited with a microwave of 2.45 (GHz), and FIG. 4 shows data regarding plasma excited with a high frequency of 13.56 (MHz).
図からも明らかなように、マイクロ波プラズマは高周波
プラズマに比較し、プラズマ密度や電子温度が桁違いに
大きいので反応に寄与する割合が高い。As is clear from the figure, microwave plasma has an order of magnitude higher plasma density and electron temperature than high-frequency plasma, so it contributes to the reaction at a higher rate.
前記したところから、本発明に依るプラズマ処理装置の
清浄化方法に於いては、真空チェンバ内にＮＦ３或いは
Ｃｆｆ１Ｆ、などのガスを導入してプラズマを発生させ
且つカスプ磁場プロファイルを制御して清浄化を行う。As described above, in the method for cleaning a plasma processing apparatus according to the present invention, a gas such as NF3 or Cff1F is introduced into a vacuum chamber to generate plasma, and cleaning is performed by controlling the cusp magnetic field profile. I do.
前記手段を採ることに依り、マイクロ波プラズマＣＶＤ
を実施することができるプラズマ処理装置に於ける真空
チェンバ内を高速でドライ・クリニングすることが可能
となり、ＣＶＤプロセスの再現性向上及び生産性向上に
大きく寄与することができる。By taking the above means, microwave plasma CVD
It becomes possible to dry-clean the inside of a vacuum chamber in a plasma processing apparatus capable of carrying out the following at high speed, and this can greatly contribute to improving the reproducibility and productivity of the CVD process.
前記解説した第１図に見られるプラズマ処理装置を用い
て行った本発明一実施例を説明する。An embodiment of the present invention will be described using the plasma processing apparatus shown in FIG. 1 explained above.
この場合の諸条件は、
（１） マイクロ波パワー／デユーティ８００ （Ｗ
） ／ ８０ （％）
（２）バイアス用高周波（１３，５６（Ｍ胞〕）パワー
１５０（Ｗ：１
（３） エツチング・ガス
ＮＦ３
１００（ｃｃ、／分
（４）圧力
ｌＸｌ０−”（Ｔｏｒｒ〕〜８Ｘ１０−”（Ｔｏｒｒ）
であり、また、プラズマが回り込まないコーナー部分で
は、カスプ磁場用ソレノイド・コイル８に流す電流を連
続制御してプラズマ領域を移動させることでクリーニン
グを行った。尚、エツチング・ガスとしてＮＦ３の代わ
りにＣｌＦ３を用いても略同じ結果を得ることができる
。The conditions in this case are: (1) Microwave power/duty 800 (W
) / 80 (%) (2) High frequency for bias (13,56 (M cell)) Power 150 (W: 1) (3) Etching gas NF3 100 (cc, / minute) (4) Pressure lXl0-” (Torr) ~8X10-”(Torr)
In addition, in the corner portions where the plasma does not go around, cleaning was performed by continuously controlling the current flowing through the cusp magnetic field solenoid coil 8 to move the plasma region. Note that substantially the same results can be obtained by using ClF3 instead of NF3 as the etching gas.
第５図は前記実施例によって得られた圧力がｌＸｌ０−
２（Ｔｏｒｒ）のときのエツチング・レー） （Ｅ／Ｒ
）を説明する為の線図であって、縦軸にＥ／Ｒを、横軸
にマイクロ波のパワーをそれぞれ採っである。FIG. 5 shows that the pressure obtained in the above example is lXl0-
2 (Torr)) (E/R
), in which the vertical axis represents E/R and the horizontal axis represents microwave power.
図に於いて、Ａは５ｉ０２或いはＳｉ３Ｎ４などＳｉ化
合物のエツチング・レートに関する特性線、Ｂは反応室
１を構成するＡｆのエツチング・レートに関する特性線
をそれぞれ示している。In the figure, A shows a characteristic line related to the etching rate of Si compounds such as 5i02 or Si3N4, and B shows a characteristic line related to the etching rate of Af constituting the reaction chamber 1.
図に依れば、本発明に於いて、ダメージレスのクリーニ
ングを良好に実現できることが明らかである。According to the figure, it is clear that damage-free cleaning can be achieved satisfactorily in the present invention.
前記したように、プラズマが回り込まないコーナ一部分
ではカスプ磁場の連続制御によってドライ・クリーニン
グを行うことが可能であり、そして、カスプ磁場制御に
依って高速エツチングが可能であることから、前記条件
を組み合わせることでドライ・クリーニング・トータル
・プロセスが実現される。As mentioned above, it is possible to perform dry cleaning by continuously controlling the cusp magnetic field in a part of the corner where the plasma does not go around, and high-speed etching is possible by controlling the cusp magnetic field. Therefore, it is possible to combine the above conditions. This enables a total dry cleaning process.
前記実施例では、パルス状のマイクロ波を供給してプラ
ズマを発生させているが、これは連続波（ｃｏｎｔ １
ｎｕｏｕｓ ｗａｖｅ ：ＣＷ）のマイクロ波を用い
ても同様な効果が得られることは勿論である。また、前
記実施例では、エツチング・ガス、即ち、クリーニング
・ガスとしてＮＦ３或いはＣ／！Ｆ３を用いたが、除去
すべき物質や反応室の材質に対応して適宜に選択すれば
良いことは云うまでもなく、例えば０２を含有するガス
も用いることができる。In the above embodiment, plasma is generated by supplying pulsed microwaves, but this is a continuous wave (cont 1
It goes without saying that similar effects can be obtained by using CW (nuous wave) microwaves. Further, in the above embodiment, NF3 or C/! is used as the etching gas, that is, the cleaning gas. Although F3 is used, it goes without saying that it may be selected as appropriate depending on the substance to be removed and the material of the reaction chamber, and for example, a gas containing 02 may also be used.
本発明に依るプラズマ処理装置の清浄化方法にでは、真
空チェンバ内にＮ Ｆ ３或いはＣｆＦ、を導入してプ
ラズマを発生させ且つカスプ磁場プロファイルを制御し
て清浄化を行うよう構成する。In the method for cleaning a plasma processing apparatus according to the present invention, N F 3 or CfF is introduced into a vacuum chamber to generate plasma, and cleaning is performed by controlling the cusp magnetic field profile.
前記構成を採ることに依り、マイクロ波プラズマＣＶＤ
を実施することができるプラズマ処理装置に於ける真空
チェンバ内を高速でドライ・クリニングすることが可能
となり、ＣＶＤプロセスの再現性向上及び生産性向上に
大きく寄与することができる。By adopting the above configuration, microwave plasma CVD
It becomes possible to dry-clean the inside of a vacuum chamber in a plasma processing apparatus capable of carrying out the following at high speed, and this can greatly contribute to improving the reproducibility and productivity of the CVD process.
第１図は本発明を実施するのに用いるプラズマ処理装置
の要部説明図、第２図はカスプ面の移動を説明する為の
要部説明図、第３図（Ａ）並びに（Ｂ）は本発明に依る
ドライ・クリーニングに於ける反応のモデル図、第４図
（Ａ）及び（Ｂ）はプラズマ密度とパワーとの関係を表
す線図、第５図は前記実施例によって得られたエツチン
グ・レー） （Ｅ／Ｒ）を説明する為の線図をそれぞれ
表している。
図に於いて、１は反応室、２は空洞共振器、３は透光性
アルミナ板、４は導波管、５はガス導入管、６はウェハ
・サセプタ、７は拡散磁場用ソレノイド・コイル、８は
カスプ磁場用ソレノイド・コイルをそれぞれ示している
。Fig. 1 is an explanatory diagram of the main parts of the plasma processing apparatus used to carry out the present invention, Fig. 2 is an explanatory diagram of the main parts for explaining the movement of the cusp surface, and Figs. 3 (A) and (B) are A model diagram of the reaction in dry cleaning according to the present invention, Figures 4 (A) and (B) are diagrams showing the relationship between plasma density and power, and Figure 5 is the etching obtained in the above example.・Represents a diagram to explain (E/R). In the figure, 1 is a reaction chamber, 2 is a cavity resonator, 3 is a translucent alumina plate, 4 is a waveguide, 5 is a gas introduction tube, 6 is a wafer susceptor, and 7 is a solenoid coil for diffused magnetic field. , 8 indicate solenoid coils for the cusp magnetic field, respectively.
Claims (3)
プラズマを発生させ且つカスプ磁場プロファイルを制御
して清浄化を行うこと を特徴とするプラズマ処理装置の清浄化方法。(1) A method for cleaning a plasma processing apparatus, which comprises introducing a reactive gas into a vacuum chamber to generate microwave plasma, and cleaning by controlling a cusp magnetic field profile.
プラズマを発生させ且つカスプ磁場プロファイルを制御
して清浄化を行うこと を特徴とするプラズマ処理装置の清浄化方法。(2) A method for cleaning a plasma processing apparatus, characterized in that cleaning is performed by introducing NF_3 into a vacuum chamber to generate microwave plasma and controlling the cusp magnetic field profile.
波プラズマを発生させ且つカスプ磁場プロファイルを制
御して清浄化を行うこと を特徴とするプラズマ処理装置の清浄化方法。(3) A method for cleaning a plasma processing apparatus, characterized in that cleaning is performed by introducing ClF_3 into a vacuum chamber to generate microwave plasma and controlling the cusp magnetic field profile.
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP21147689A JPH0375373A (en) | 1989-08-18 | 1989-08-18 | Method for cleaning plasma treating device |
Applications Claiming Priority (1)
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|---|---|---|---|
| JP21147689A JPH0375373A (en) | 1989-08-18 | 1989-08-18 | Method for cleaning plasma treating device |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0375373A true JPH0375373A (en) | 1991-03-29 |
Family
ID=16606580
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP21147689A Pending JPH0375373A (en) | 1989-08-18 | 1989-08-18 | Method for cleaning plasma treating device |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0375373A (en) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH0391238A (en) * | 1989-09-02 | 1991-04-16 | Fuji Electric Co Ltd | Plasma device |
| JPH04131379A (en) * | 1990-09-21 | 1992-05-06 | Hitachi Ltd | Plasma treating device |
| US7754995B2 (en) | 2002-11-20 | 2010-07-13 | Tokyo Electron Limited | Plasma processing apparatus and plasma processing method |
Citations (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS6431977A (en) * | 1987-07-29 | 1989-02-02 | Fujitsu Ltd | Formation of amorphous silicon film |
| JPS6487773A (en) * | 1987-06-26 | 1989-03-31 | Applied Materials Inc | Self-cleaning method of reactor chamber |
| JPH01152274A (en) * | 1987-12-09 | 1989-06-14 | Iwatani Internatl Corp | Method for removing pollutant after chlorine fluoride cleaning in film forming operation system |
-
1989
- 1989-08-18 JP JP21147689A patent/JPH0375373A/en active Pending
Patent Citations (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS6487773A (en) * | 1987-06-26 | 1989-03-31 | Applied Materials Inc | Self-cleaning method of reactor chamber |
| JPS6431977A (en) * | 1987-07-29 | 1989-02-02 | Fujitsu Ltd | Formation of amorphous silicon film |
| JPH01152274A (en) * | 1987-12-09 | 1989-06-14 | Iwatani Internatl Corp | Method for removing pollutant after chlorine fluoride cleaning in film forming operation system |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH0391238A (en) * | 1989-09-02 | 1991-04-16 | Fuji Electric Co Ltd | Plasma device |
| JPH04131379A (en) * | 1990-09-21 | 1992-05-06 | Hitachi Ltd | Plasma treating device |
| US7754995B2 (en) | 2002-11-20 | 2010-07-13 | Tokyo Electron Limited | Plasma processing apparatus and plasma processing method |
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