JPH0369112A - Hot plate oven - Google Patents
Hot plate ovenInfo
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- JPH0369112A JPH0369112A JP20646989A JP20646989A JPH0369112A JP H0369112 A JPH0369112 A JP H0369112A JP 20646989 A JP20646989 A JP 20646989A JP 20646989 A JP20646989 A JP 20646989A JP H0369112 A JPH0369112 A JP H0369112A
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- Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)
Abstract
Description
【発明の詳細な説明】
〔概 要〕
ウェーハを非接触状態で保持するウェーハチャックを具
備するホットプレートオーブンに関し、ウェーハのレジ
スト膜形成面を下向きにした状態で、ウェーハを非接触
で保持することが可能なウェーハチャックを具備するホ
ントプレートオーブンの提供を目的とし、
ウェーハをホットプレートによって加熱するホットプレ
ートオーブンであって、エア供給口とエア吸入口とを備
え、前記ウェーハを非接触状態でベルヌーイ吸着面に保
持するウェーハチャックと、前記ウェーハに接近して前
記ウェーハを加熱するホントプレートとを具備するよう
構成する。[Detailed Description of the Invention] [Summary] Regarding a hot plate oven equipped with a wafer chuck that holds a wafer in a non-contact manner, the wafer is held in a non-contact manner with the resist film forming surface of the wafer facing downward. The present invention aims to provide a hot plate oven equipped with a wafer chuck capable of heating wafers using a hot plate, the hot plate oven being equipped with an air supply port and an air suction port, and capable of handling the wafers in a non-contact manner using a Bernoulli The wafer chuck is configured to include a wafer chuck that is held on a suction surface, and a real plate that approaches the wafer and heats the wafer.
本発明は、ウェーハを非接触状態で保持するウェーハチ
ャックを具備するホットプレートオーブンに関するもの
である。The present invention relates to a hot plate oven equipped with a wafer chuck that holds a wafer in a non-contact manner.
近年の半導体装置の製造工程においては、ウェーハを加
熱するホットプレートオーブンに対しては、ウェーハ面
内の均一な温度分布を得ることができる加熱と塵埃が付
着しないことが要求されている。In recent semiconductor device manufacturing processes, hot plate ovens that heat wafers are required to be able to heat the wafers to achieve a uniform temperature distribution within the wafer surface and to be free from dust.
以上のような状況からウェーハに塵埃を付着させず、ウ
ェーハ面内の均一な温度分布を得ることが可能なホット
プレートオーブンが要望されている。Under the above circumstances, there is a need for a hot plate oven that can obtain a uniform temperature distribution within the wafer surface without causing dust to adhere to the wafer.
従来のホットプレートオーブンを、半導体ウェーへの表
面にレジストを塗布し、このレジストをベーキングする
場合について第２図により詳細に説明する。A case in which a conventional hot plate oven is used to apply a resist to the surface of a semiconductor wafer and to bake the resist will be explained in detail with reference to FIG.
第２図（ａ）に示すホットプレートオーブンは直接加熱
型ホットプレートオーブンであり、第２回出）はプロキ
シミティ型ホットプレートオーブンである。The hot plate oven shown in FIG. 2(a) is a direct heating type hot plate oven, and the hot plate oven shown in the second example is a proximity type hot plate oven.
第２図（ａ）に示す直接加熱型のホットプレートオーブ
ンにおいては、ヒータ１２ａを内蔵して加熱されている
ホットプレート１２の上部の平坦面１２ｂの上にレジス
ト膜を形成した面を上にしてウェーハ３を搭載し、ウェ
ーハ３と平坦面１２ｂとを密着させて伝導にまりウェー
ハ３を加熱している。In the direct heating type hot plate oven shown in FIG. 2(a), the resist film is formed on the upper flat surface 12b of the hot plate 12 which is heated with a built-in heater 12a. The wafer 3 is mounted, the wafer 3 and the flat surface 12b are brought into close contact with each other, and the wafer 3 is heated by conduction.
第２図（ｂ）に示すプロキシξティ型ホットプレートオ
ーブンにおいては、ヒータ２２ａを内蔵して加熱されて
いるホットプレート２２の上部の平坦面２２ｂに長さ０
．１〜０．９ ｍｓの支持ピン２２ｃを設け、この支持
ビン２２ｃの先端にレジスト膜面Ｉ ４を形成した面を
上にしてウェーハ３を搭載し、ホットプレート２２の平
坦面２２ｂとウェーハ３との間に０．１〜０ 、９ 璽
＊の間隔を設けて輻射によりウェーハ３を加熱している
。In the proxy ξT type hot plate oven shown in FIG. 2(b), a length of 0
．． A support pin 22c of 1 to 0.9 ms is provided, and the wafer 3 is mounted on the tip of the support pin 22c with the side on which the resist film surface I4 is formed facing upward, and the flat surface 22b of the hot plate 22 and the wafer 3 are connected. The wafer 3 is heated by radiation with an interval of 0.1 to 0.9 cm between the two.
このようなホットプレートオーブンにおいては、何れの
場合においてもレジスト膜を形成した面を上にしてウェ
ーハ３を搭載して加熱している。In any case, in such a hot plate oven, the wafer 3 is mounted and heated with the side on which the resist film is formed facing upward.
以上説明した従来のホットプレートオーブンにおいては
、何れの場合においてもレジスト膜形成面を上にしてウ
ェーハをホットプレート上に搭載して加熱しているため
、レジスト膜面に異物が付着するという問題点があり、
更に直接加熱型ホットプレートオーブンにおいては、ウ
ェーハがホットプレートの表面の平坦面に密着している
ため、ホットプレート面上にあった異物がウェーハに付
着するという問題点があった。In the conventional hot plate oven described above, in any case, the wafer is mounted on the hot plate with the resist film forming side facing up and heated, so there is a problem that foreign matter adheres to the resist film surface. There is,
Furthermore, in the direct heating type hot plate oven, since the wafer is in close contact with the flat surface of the hot plate, there is a problem in that foreign matter on the hot plate surface adheres to the wafer.
本発明は以上のような状況から、ウェーハのレジスト膜
形成面を下向きにした状態で、ウェーハを非接触で保持
することが可能なウェーハチャックを具備するホットプ
レートオーブンの提供を目的としたものである。In view of the above-mentioned circumstances, the present invention aims to provide a hot plate oven equipped with a wafer chuck that can hold a wafer in a non-contact manner with the resist film forming surface of the wafer facing downward. be.
本発明のホットプレートオーブンは、ウェーハをホット
プレートによって加熱するホットプレートオーブンであ
って、エア供給口とエア吸入口とを備え、このウェーハ
を非接触状態でベルヌーイ吸着面に保持するウェーハチ
ャックと、このウェーハに接近してこのウェーハを加熱
するホットプレートとを具備するよう構成する。The hot plate oven of the present invention is a hot plate oven that heats a wafer with a hot plate, and includes a wafer chuck that has an air supply port and an air suction port and holds the wafer on a Bernoulli suction surface in a non-contact state. The hot plate is configured to be provided with a hot plate that approaches the wafer and heats the wafer.
即ち本発明においてはウェーハチャックのエア供給口及
びエア吸入口を設けた面を下向きにし、エア供給口から
空気を供給し、エア吸入口から空気を吸入するので、ウ
ェーハチャ・ノクのベルヌーイ吸着面の下を空気が流れ
るため、この部分の気圧が低下する。したがってこのベ
ルヌーイ吸着面の下にレジスト膜形成面を下にしてウエ
ーノ＼を接近させると、ウェーハの下部の気圧と、ウェ
ーハとウェーハチャックとの間の気圧との差圧により非
接触状態でウェーハをウェーハチャックに保持すること
が可能となる。That is, in the present invention, the surface of the wafer chuck with the air supply port and the air suction port faces downward, and air is supplied from the air supply port and air is sucked from the air suction port, so that the Bernoulli suction surface of the wafer chuck is As air flows under the area, the air pressure in this area decreases. Therefore, when a wafer is brought close to the Bernoulli suction surface with the resist film forming side facing down, the wafer is held in a non-contact state due to the pressure difference between the pressure below the wafer and the pressure between the wafer and the wafer chuck. It becomes possible to hold the wafer in a chuck.
このようにしてウェーハチャックに保持したウェーハを
ホットプレートに接近させると、ウェーハに形成したレ
ジスト膜に異物を付着させないでウェーハを加熱するこ
とが可能となる。When the wafer held on the wafer chuck is brought close to the hot plate in this manner, it becomes possible to heat the wafer without causing foreign matter to adhere to the resist film formed on the wafer.
以下第１図により本発明の一実施例を半導体ウェーへの
表面にレジストを塗布し、このレジストをベーキングす
る場合について説明する。An embodiment of the present invention will be described below with reference to FIG. 1, in which a resist is applied to the surface of a semiconductor wafer and the resist is baked.
第１図は本発明による一実施例を示す側断面図であり、
図示するようにウェーハチャック１には図示しないエア
フィルタにて濾過された清浄な空気を供給するエア供給
口１ａ及びエア吸入口１ｂにつながる空気の流路が設け
られており、空気は矢印の方向に流れている。FIG. 1 is a side sectional view showing an embodiment according to the present invention,
As shown in the figure, the wafer chuck 1 is provided with an air flow path connected to an air supply port 1a and an air suction port 1b that supply clean air filtered by an air filter (not shown), and the air flows in the direction of the arrow. It is flowing to.
ウェーハ３に近接するベルヌーイ吸着面１ｃ上でのエア
の供給口とエアの吸入口との距離は２〜３１鵬である。The distance between the air supply port and the air suction port on the Bernoulli suction surface 1c close to the wafer 3 is 2 to 31 mm.
レジスト膜４の形成面の反対面でウェーハ３を真空によ
って吸着する搬送チャック５を、ウェーハチャック１の
下面の図示の位置に移動させて、ウェーハ３のレジスト
膜４の形成面の反対面をウェーハチャック１のベルヌー
イ吸着面１ｃに接近すせると、ウェーハ３の上面とベル
ヌーイ吸着面１ｃとの間を空気が流れるので、この部分
の気圧が低下する。The transfer chuck 5, which vacuum-chucks the wafer 3 on the surface opposite to the surface on which the resist film 4 is formed, is moved to the position shown on the bottom surface of the wafer chuck 1, and the surface of the wafer 3 opposite to the surface on which the resist film 4 is formed is moved to the position shown in the figure. When approaching the Bernoulli suction surface 1c of the chuck 1, air flows between the upper surface of the wafer 3 and the Bernoulli suction surface 1c, so that the air pressure in this area decreases.
この部分の気圧とウェーハ３の下部の空気の気圧との差
が大きくなると、ウェーハ３を上方向に押し上げる力が
生じ、ウェーハ３をウェーハチャック１のベルヌーイ吸
着面１ｃの近傍に保持することが可能となる。このとき
のウェーハ３とベルヌーイ吸着面１ｃとの間隔は０ 、
３ ＋ｕ以下である。When the difference between the air pressure in this area and the air pressure below the wafer 3 increases, a force is generated that pushes the wafer 3 upward, making it possible to hold the wafer 3 near the Bernoulli suction surface 1c of the wafer chuck 1. becomes. At this time, the distance between the wafer 3 and the Bernoulli adsorption surface 1c is 0,
3+u or less.
このようにして保持したウェーハ３を、ヒータ２ａを内
蔵して加熱されているホントプレート２との間隔がＩＮ
以下になるように接近させると、ウェーハ３の表面に形
成したレジスト膜４が加熱され、レジスト膜４に異物を
付着させないでレジスト膜４のベーキングを行うことが
可能となる。The distance between the wafer 3 held in this way and the real plate 2 which is heated with a built-in heater 2a is IN.
When the resist film 4 is brought close to the wafer 3 as follows, the resist film 4 formed on the surface of the wafer 3 is heated, and it becomes possible to bake the resist film 4 without attaching foreign matter to the resist film 4.
以上の説明から明らかなように本発明によれば、ウェー
ハチャックの構造を変更することにより、ベルヌーイの
法則によって、ウェーハのレジスト膜形成面を下面にし
てウェーハを非接触状態で保持することが可能となり、
レジスト膜及びウェーハに異物が付着するのを防止する
ことが可能となり、半導体チップの歩留まりを向上させ
ることが可能となる等の利点があり、著しい経済的及び
、信頼性向上の効果が期待できるホットプレートオーブ
ンの提供が可能である。As is clear from the above description, according to the present invention, by changing the structure of the wafer chuck, it is possible to hold the wafer in a non-contact state with the resist film forming surface of the wafer facing downward, according to Bernoulli's law. Then,
It is possible to prevent foreign matter from adhering to the resist film and wafer, and it has advantages such as improving the yield of semiconductor chips, and is expected to have a significant economical and reliability improvement effect. A plate oven can be provided.
第１図は本発明による一実施例を示す側断面図、第２図
は従来のホントプレートオーブンを示す側断面図、
である。
図において、
ｌはウェーハチャック、
１ａはエア供給口、
ｌｂはエア吸入口、
１ｃはベルヌーイ吸着面、
２はホットプレート、
２ａはヒータ、
３はウェーハ、
４はレジスト膜、
５は搬送チャック、
を示す。
会
本発明による一実施例を示す側断面図
第 １９
５３−FIG. 1 is a side sectional view showing an embodiment of the present invention, and FIG. 2 is a side sectional view showing a conventional real plate oven. In the figure, l is a wafer chuck, 1a is an air supply port, lb is an air intake port, 1c is a Bernoulli suction surface, 2 is a hot plate, 2a is a heater, 3 is a wafer, 4 is a resist film, 5 is a transport chuck, show. Sectional side view showing one embodiment of the present invention No. 19 53-
Claims (1)
るホットプレートオーブンであって、 エア供給口（１ａ）とエア吸入口（１ｂ）とを備え、前
記ウェーハ（３）を非接触状態でベルヌーイ吸着面（１
ｃ）に保持するウェーハチャック（１）と、前記ウェー
ハ（３）に接近して前記ウェーハ（３）を加熱するホッ
トプレート（２）と、 を具備することを特徴とするホットプレートオーブン。[Claims] A hot plate oven for heating a wafer (3) with a hot plate (2), comprising an air supply port (1a) and an air suction port (1b), and for heating the wafer (3) in a non-operating manner. Bernoulli suction surface (1
c) a wafer chuck (1) for holding the wafer (1); and a hot plate (2) for approaching the wafer (3) and heating the wafer (3).
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP20646989A JPH0369112A (en) | 1989-08-08 | 1989-08-08 | Hot plate oven |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP20646989A JPH0369112A (en) | 1989-08-08 | 1989-08-08 | Hot plate oven |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0369112A true JPH0369112A (en) | 1991-03-25 |
Family
ID=16523892
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP20646989A Pending JPH0369112A (en) | 1989-08-08 | 1989-08-08 | Hot plate oven |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0369112A (en) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6774445B2 (en) | 2000-10-25 | 2004-08-10 | The Nippon Signal Co., Ltd. | Actuator |
| US7384811B2 (en) * | 2003-10-06 | 2008-06-10 | Nitto Denko Corporation | Method of separating semiconductor wafer, and separating apparatus using the same |
-
1989
- 1989-08-08 JP JP20646989A patent/JPH0369112A/en active Pending
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6774445B2 (en) | 2000-10-25 | 2004-08-10 | The Nippon Signal Co., Ltd. | Actuator |
| US7384811B2 (en) * | 2003-10-06 | 2008-06-10 | Nitto Denko Corporation | Method of separating semiconductor wafer, and separating apparatus using the same |
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