JPH03287140A - レーザー光波長変換装置 - Google Patents

レーザー光波長変換装置

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JPH03287140A
JPH03287140A JP2087781A JP8778190A JPH03287140A JP H03287140 A JPH03287140 A JP H03287140A JP 2087781 A JP2087781 A JP 2087781A JP 8778190 A JP8778190 A JP 8778190A JP H03287140 A JPH03287140 A JP H03287140A
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JP
Japan
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wavelength
laser light
fundamental wave
wavelength conversion
laser
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JP2087781A
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Inventor
Tetsuo Endo
哲郎 遠藤
Kiichiro Shinokura
毅一郎 篠倉
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Pioneer Corp
Original Assignee
Pioneer Electronic Corp
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Publication date
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Priority to EP91105164A priority patent/EP0450557B1/en
Publication of JPH03287140A publication Critical patent/JPH03287140A/ja
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    • GPHYSICS
    • G02OPTICS
    • G02FOPTICAL DEVICES OR ARRANGEMENTS FOR THE CONTROL OF LIGHT BY MODIFICATION OF THE OPTICAL PROPERTIES OF THE MEDIA OF THE ELEMENTS INVOLVED THEREIN; NON-LINEAR OPTICS; FREQUENCY-CHANGING OF LIGHT; OPTICAL LOGIC ELEMENTS; OPTICAL ANALOGUE/DIGITAL CONVERTERS
    • G02F1/00Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics
    • G02F1/35Non-linear optics
    • G02F1/37Non-linear optics for second-harmonic generation
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01SDEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
    • H01S5/00Semiconductor lasers
    • H01S5/06Arrangements for controlling the laser output parameters, e.g. by operating on the active medium
    • H01S5/065Mode locking; Mode suppression; Mode selection ; Self pulsating
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01SDEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
    • H01S5/00Semiconductor lasers
    • H01S5/10Construction or shape of the optical resonator, e.g. extended or external cavity, coupled cavities, bent-guide, varying width, thickness or composition of the active region
    • H01S5/14External cavity lasers
    • H01S5/146External cavity lasers using a fiber as external cavity

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 技術分野 本発明は、レーザー光波長変換装置に関し、特に半導体
レーザーから発せられるレーザー光をより短い波長のレ
ーザー光に変換するレーザー光波長変換装置に関する。
背景技術 レーザー光を用いた多くの応用装置には、装置のコンパ
クト化の要求からレーザー光源として半導体レーザーが
使われている。そして、その殆どの応用装置において、
性能向上のためにレーザー光の短波長化が望まれている
例えば、光ディスク、レーザープリンター、レーザース
キャナー等における情報の書込み/続出しにおいては、
記録媒体の限られた記録領域になるべく多くの情報を記
録できることが大きな付加価値となっており、そのため
には、レーザー光をより小さな径のスポットとして集光
する必要がある。集光可能なスポット径φは、レーザー
光の波長をλ、集光角度をθとすると、 φ=2λ/πtanθ なる式で表わされ、レーザー光の波長λに逆比例してい
る。したがって、レーザー光の集光性を改善するために
は、より短い波長のレーザー光が必要となる。
短波長のレーザー光源としては、He−Cdレザー、エ
キシマ−(EXCIMER)レーザー、Arレーザー等
があるが、いずれも大型なため上述した如き応用装置に
は組み込めないという問題があった。
一方、半導体レーザーはコンパクトな光源であり、上述
した如き応用装置への組み込が容易であるものの、半導
体の性能を構築する結晶プロセス技術の面でまだ見通し
がたっていないため、短波長のレーザー光を得るにはま
だ時間を要するのが現状である。そこで、S HG (
Second HarmoniesGenerator
)技術により、現在の半導体レーザーによるレーザー光
の波長を半分に変換するレーザ光波長変換装置が種々開
発されている。かかるレーザー光波長変換装置の従来例
を以下に説明する。
先ず、第3図に示した従来例では、高効率な波長変換を
可能とするには単一モードの基本波が必要なことから、
単一モード半導体レーザー媒質31を基本波の光源とし
て用いており、この半導体レーザー31から発せられた
レーザー光を集光レンズ32によってチェレンコフ型位
相整合を用いた非線形光学結晶からなる5H033の入
射端に集光せしめ、この5HG3Bによってレーザー光
の波長を半分に変換する構成となっている。
かかる従来装置においては、構成そのものは単純である
ものの、数百mW以上の高出力でかつ単一波長という条
件を満足する単一モード半導体レザーがないため、最終
的には変換効率も低く、大きな出力の波長変換光(以下
、倍波と称する)が得られなく、さらにはチェレンコフ
型位相整合の倍波が円錐状に広がるため、これを集光す
るには特殊な光学系が必要となるという欠点があった。
また、第4図に示した従来例では、高出力な多モード半
導体レーザー41を励起源として用い、この多モード半
導体レーザー41から発せられたレーザー光をコリメー
トレンズ42及びダイクロイックミラー43によっての
固体レーザー媒質44に導いてこの固体レーザー媒質4
4を励起し、ダイクロイックミラー43、固体レーザー
媒質44、レンズ45.47及びダイクロイックミラー
48より構成され、SHG結晶46上に集光するような
ビームプロファイルを有する固体レーザー共振器を発振
させ、SHG結晶46で半波長化された変換光のみをレ
ンズ47及びダイクロイックミラー48を介して導出す
る構成となっている。
かかる従来装置においては、波長の変換が2段階で行な
われているため構成が複雑で、しかも結果的に数mW程
度の大出力の倍波が得られているものの、波長は500
nm以上と長く、半導体レーザーからの変換効率も1%
程度と低く、大電力でかつ高出力な半導体レーザーを必
要とする欠点があった。
発明の概要 [発明の目的] そこで、本発明は、よりコンパクトでかつ単純な構成に
て、高効率で、しかも大出力の倍波(波長変換光)を得
ることが可能なレーザー光波良度換装置を提供すること
を目的とする。
[発明の構成] 本発明によるレーザー光波長変換装置は、半導体レーザ
ー媒質と、この半導体レーザー媒質をモトロック発振せ
しめる共振器と、この共振器によるモードロック発振レ
ーザー光の波長を変換する波長変換素子とからなる構成
となっている。
[発明の作用] 本発明によるレーザー光波長変換装置においては、半導
体レーザー媒質をモードロックレーザー発振せしめ、こ
のモードロック発振されたレーザー光を基本波としてそ
の波長変換をなす。
実施例 以下、本発明の一実施例を図に基づいて詳細に説明する
第1図は、本発明によるレーザー光波長変換装置の光学
系の構成図である。図において、1は基本波となるレー
ザー光を発する半導体レーザー媒質素子であり、その出
射端面には基本波に対する無反射コートが施されている
。この半導体レーザ媒質素子1とカップリングレンズ2
及び光ファイバー3によりモードロックレーザー共振器
4が構成されている。このモードロック発振に際し、半
導体レーザー媒質素子1には共振器4の長さをレーザー
光が往復する時間に同期した周波数の駆動電流が入力さ
れる。
モードロック発振された基本波は、カップリングレンズ
5によって非線形光学結晶からなる5HG6に導かれ、
この5HG6によって波長が半分に変換されて図の矢印
方向に出射される。5HG6は基本波の波長に対して9
0°で位相整合するような高非線形光学定数を有する結
晶であり、その整合方位に導波路を形成する。5HG6
の出射側の端面には基本波に対する反射コートが施され
ており、波長変換されなかった基本波はこの反射コート
によって跳ね返され、倍波だけが出力される。
かかる構成によれば、基本波は10mWの平均出力で2
00mW以上の高ピーク出力、500Mpps以上の高
繰返しのパルス列として得られる。
以上はエクストラキャビティー型SHG波長変換装置の
構成例であるが、もちろん、第1図の1゜2、3.5.
6全体をモードロックレーザー共振器4として、イント
ラキャビティー型SHG波長変換装置としても同様であ
る。500Mpps以上の高繰返しは、通常の記録信号
の周波数(20MHz以下)に干渉しない十分に高い周
波数である。5HG6の変換効率は県木波のパワーに比
例するので、高ピーク出力は高変換効率に寄与する。
すなわち、モードロック発振は5HG6の高変換効率化
にとって有用な方法となる。
また、5HG6の結晶の性質を十分に活かし、90°位
相整合を採ったことにより、さらに5HG6の高変換効
率化及び安定化が達成される。以下に、5HG6の高効
率安定発振について説明する。
基本波から倍波への変換効率ηは、以下の式で近似でき
る。なお、変換による基本波の減衰は考慮していない。
(Δにρ/2)2S ココニ、Δにはに2w−2kw (kW k2wは各々
基本波と倍波との波数ベクトル)、Kは定数(非線形定
数の2乗に比例)、Pwは基本波のパワSはビームの断
面積、Dはコヒーレント長である。
最も効率の良い位相整合条件は、5in2(Δl(、Q
 /2) / (Δに、l! /2) 2=1 (Δに
→0)であるから、 η−に112Pw/S ここで、コヒーレント長pが重要になる。すなわち、Δ
に−0により基本波と倍波の位相面が同一方向に進んで
も、実際に光の進む方向、すなわちポインティングベク
トルの方向がずれてしまい(ウオークオフ)、基本波と
倍波の干渉できる距離ρが短くなり変換効率が悪くなる
。よって、位相整合条件に加えてポインティングベクト
ルの方向を一致させる必要が生じるが、整合角θ■を9
0°にとることが出来れば、位相波とポインティングベ
クトルの方向が同一となるのでウオークオフはおきず、
上式よりρはいくらでも大きくとれる。すなわち、変換
による基本波の減衰を考えなければ、結晶が十分長い場
合、基本波は100%倍波に変換されることになる。
実際には、変換により基本波のパワーが減衰し、変換効
率が低下するため、基本波と倍波の割合は一定の値に収
束するが、やはりそれに近い値を実現するためには十分
に長いコヒーレント長を必要とするので、高効率な変換
を得るには90″の位相整合が肝要である。
位相の不整合が生じた場合、Δkが0でないから、変換
効率ηは 5in2(Δに、Q /2) / (Δに、l)/2)
2(=αとする) に比例する。
倍波の波数ベクトルと2軸とのなす角をθとすると、 2    C02(n0w) であるが、この式より、整合のずれθ−θmがあ0 ったとしても、0mか90°の場合5in(2θm)=
0なので、Δkit/2→0となり、αの値は最大値1
をキープする。このため、90°位相整合では、光軸の
ずれ等の角度変化に依存する変換効率の変化を最小に抑
えることが出来、安定したSHGを得ることが出来る。
次に、本発明によるレーザー光波長変換装置の具体的な
構造について、第2図の概略斜視図を参照しつつ説明す
る。
ベース7は、数cm角(例えば、3emX3cm)、数
+nm厚(例えば、2.5mm)の例えばアルミナセラ
ミックスからなり、放熱作用もなす。このベス7上には
、その−辺に沿って半導体レーザー1及び5HG6が配
列され、これらは光ファイバー3によって結合されてい
る。5HG6はパルス間隔調整用のペルチェ素子8を介
してベース7上に載置されている。なお、9は半導体レ
ーサー1の電源である。
かかる構成において、例えば、500Mppsでモード
ロック発振させるには、光路長で30cm1 の共振器が必要となる。これをコンパクトに構成するた
めに光ファイバー3が用いられているのであり、この光
ファイバー3としては、ファイバ長が短いことと、90
°位相整合であることから、シングルモードファイバー
が用いられる。屈折率1.4のファイバーを使えば81
..5cmの長さになるが、数Qmの径で椹いてベース
7に固定しておけば、より安定でコンパクトな共振器が
得られる。
さらに高い繰返しでの共振が必要な場合は、さらに短い
ファイバーで済むことになる。
発明の詳細 な説明したように、本発明によるレーサー光波長変換装
置においては、半導体レーザー光をモトロック発振せし
め、このモードロック発振されたレーザー光を基本波と
してその波長変換をなず構成となっているので、よりコ
ンパクトでかっ単純な構成にて高効率な波長変換が可能
で、しかも高出力でかつ高繰返しの変換波が得られ、多
くのレーザ一応用機器の発展に寄与できることになる。
また、かかるレーザー光波長変換装置は、得2 られるパルスの幅が数10psecと短いため、時間分
解分光用の光源としての価値も高い。
【図面の簡単な説明】
第1図は本発明によるレーサー光波長変換装置の光学系
の構成図、第2図は本発明によるレーサー光波長変換装
置の概略斜視図、第3図及び第4図は従来例の光学系を
示す構成図である。 主要部分の符号の説明

Claims (3)

    【特許請求の範囲】
  1. (1)半導体レーザー媒質と、 前記半導体レーザー媒質をモードロック発振せしめる共
    振器と、 前記共振器によるモードロック発振レーザー光の波長を
    変換する波長変換素子とからなることを特徴とするレー
    ザー光波長変換装置。
  2. (2)前記波長変換素子は、90゜位相整合方位に導波
    路を形成する非線形光学結晶からなることを特徴とする
    請求項1記載のレーザー光波長変換装置。
  3. (3)前記共振器は、モードロック発振用の光路を形成
    する光ファイバーを含むことを特徴とする請求項1記載
    のレーザー光波長変換装置。
JP2087781A 1990-04-02 1990-04-02 レーザー光波長変換装置 Pending JPH03287140A (ja)

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US07/676,591 US5285309A (en) 1990-04-02 1991-03-28 Laser light wavelength shifter
DE69124128T DE69124128T2 (de) 1990-04-02 1991-04-02 Wellenlängenwandler für Laserlicht
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