JPH03241879A - カオス光発生自励発振レーザ装置 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 以下の順序で本発明を説明する。

Ａ　産業上の利用分野 Ｂ　発明の概要 Ｃ従来の技術 発明が解決しようとする課題 課題を解決するための手段 作用 実施例 発明の効果 Ａ　産業上の利用分野 本発明は、自動発振の波形がカオス的である広帯域自動
発振をなすカオス光発生自励発振レーザ装置に係わる。

Ｂ　発明の概要 １の本発明は、直流駆動半導体レーザと、この半導体レ
ーザダイオードの発光の少くとも一部を受光し、電気信
号に変換し、かつ増幅して或いは微分及び増幅して直流
からＩ　ＧＨｚ以上の広帯域で半導体レーザに帰還して
この半導体レーザによってカオス光を発生させる自動発
振を行わしめる。

他の本発明は、直流駆動半導体レーザと、この半導体レ
ーザの発光の少くとも一部を受光するアバランシェフォ
トダイオードとを共通のパンケージ内に封入し、アバラ
ンシェフォトダイオードの出力を結合コンデンサを介し
て半導体レーザに入力してこの半導体レーザにカオス光
を発生させる自動発振−を行わしめる。

更に他の本発明は、共通の化合物半導体基体上に半導体
レーザと、これに隣り合うように積層もしくは並置して
ヘテロ接合バイポーラトランジスタＨＢＴを設け、この
ＨＢＴのベースに、半導体レーザの発光の少くとも一部
の光を導入してこのレーザ光をヘテロ接合バイポーラト
ランジスタＨＢＴによって電気信号に変換し、かつ増幅
してその出力をレーザダイオードに人力してこのレーザ
ダイオードにカオス光を発生させる自動発振を行わしめ
る。

Ｃ従来の技術 例えばアプライド・フィジックス・レター（＾ｐｐ１．
Ｐｈｙｓ、　Ｌｅｔｔ、　Ｖｏｌ、　４５．　Ｎｏ、２
＋　１５．　Ｊｕｌｙ１９８４、　Ｐ１２４〜１２６）
に記載されているように、半導体レーザからの光をフォ
トダイオードによって電気信号に変換し、これを増幅し
て半導体レーザにフィードバンクすることによってパル
ス光を自動発振させるようにした半導体レーザを始めと
して幾種の自動発振型半導体レーザは従来から知られて
いるところである。しかしながら、これらは、いずれも
その発振周波数が可成り狭い範囲に限定されているもの
であり、しかもこの方法以外では一般に光学的撮動に敏
感である。

また、例えばジアバニーズ・ジャーナル・オブ・アプラ
イド・フィジックス（ＪＡＰＡＮＥＳＥ　ＪＯＵＲＮＡ
ＬＯＦ　ＡＰＰＬＩＥＤ　ＰＨＹＳＩＣ３，ＶＯＬ　２
０．　Ｎｏ、９．　ＳＥＰＴＥＭＢＥＲ。

１９８１、　ｐｐ、　Ｌ６４６〜Ｌ６４８）には、半導
体レーザと、これよりの光と共に外部からの光を受光し
て電気信号（電流）に変換して半導体レーザーにフィー
ドバックして双安定状態を得るようにした双安定光学素
子の提案がなされている。この種の素子は、光メモリ、
光リミッタそのほかへの適用が多く考えられる。

更にまた、例えば社団法人通信学会、信学技報Ｖｏ１．
８４　Ｎｏ、３１７．電子通信学会技術研究報告、　１
９８５年３月１８日ＯＱＥ　８４−１３０には、半導体
レーザよりの光を例えばファプリペロー干渉計によって
周波数弁別してフォトダイオードによる光検出をなし、
これを半導体レーザの注入電流に負帰還比例制御を施す
ことにより半導体レーザの発振線幅の狭帯化を行うとい
うものの提案がある。

一方、例えばニー・ティー・アール・ジャーナル（ＡＴ
ＲＪＯＵＲＮＡＬ、　Ａｄｖａｎｃｅｄ　Ｔｅｌｅｃｏ
ｍｍｕｎｉｃａｔｉｏｎｓＲｅｓｅａｒｃｈ　Ｉｎ５ｔ
ｉｔｕｔｅ　Ｉｎｔｅｒｎａｔｉｏｎａ１発行、　１９
８９秋Ｎｏ、６．　Ｐ１６〜１Ｂ）等にもその報告があ
るように、カオス光による大容量の信号処理、情報処理
、メモリ等が注目されるに至っている。

Ｄ　発明が解決しようとする課題 本発明は例えば光メモリ、光ディスク、レーザデイスプ
レィ、光ニューラル等への適用が可能なＥ　課題を解決
するための手段 本発明は、直流駆動半導体レーザに対し、光電的に正の
フィードバックループを形成する。

１の本発明は、第１図にその構成図を示すように、直流
駆動半導体レーザダイオードＬＤと、この半導体レーザ
ＬＤの発光の少くとも一部を受光し、電気信号に変換し
、かつ増幅して或いは微分及び増幅して、直流から　Ｉ
　ＧＨｚ以上の広帯域で上記レーザダイオードＬＤに帰
還する帰還ループ（１）を有し、これによりこのレーザ
ダイオード（ＬＤ）にカオス光の発生の自動発振を行わ
しめる。

第２図にその一部を切欠いて見せた側面図を示すように
、他の本発明は、直流駆動半導体レーザＬＤと、この半
導体レーザＬＤの発光の少くとも一部を受光するアバラ
ンシェフォトダイオードＡＰＤを共通のパッケージ（２
）内に封入し、アバランシェフォトダイオードＡＰＤの
出力を結合コンデンサ（３）を介して半導体レーザＬＤ
に入力してこの半導体レーザにカオス光の自動発振を行
わしめる。

更に他の本発明は第４図にその一例の平面図を示し、第
５図にその断面図を示すように、共通の化合物半導体基
体（４）上に、半導体レーザＬＤと、ヘテロ接合バイポ
ーラトランジスタＨＢＴとを、隣り合うよう積層もしく
は並置して形成し、半導体レーザＬＤの少くとも一部の
光をヘテロ接合バイポーラトランジスタＨＢＴのヘース
に導入し、これをこのヘテロ接合バイポーラトランジス
タＨＢＴによって電気信号に変換し、かつ増幅してその
出力をレーザダイオードＬＤに帰還させて入力してこの
半導体レーザＬＤにカオス光の自励発振を行わしめる。

Ｆ　作用 上述したように、各本発明によれば、いずれも直流駆動
半導体レーザＬＤよりの光を受けて電気的信号（電流）
に変換し、これを増幅してレーザＬＤに帰還する、つま
り光電的に正の帰還ループを設けるものであるが、この
場合振幅がほぼ一定で波形が変化し、平均周波数が広帯
域（２ｋＨｚ〜２　ＧＨｚ）の自動発振カオス光を得る
ことができた。

また、第２図に示したように共通のパッケージ（２）内
にレーザＬＤと、これよりの光りを受光し、これを光電
気変換すると共にアバランシェ効果によって増幅する作
用を有するアバランシェフォトダイオードＡＰＤと共に
収容した構成を採る本発明による自動発振半導体レーザ
装置では、第３図にその電気的回路図を示すように、光
電的正帰還ループを形成するが、この場合ＡＰＤ、すな
わち高速性にすぐれかつ広帯域に高い感度と増幅性を有
する素子を組合せ用いたことによりカオス光の発生の自
動発振が確実に行われる。また同一パッケージ（２）内
にこれらＬＤ及びＡＰＤが組込まれることによって構成
の簡潔化がはかられる。

また、第４図及び第５図の構成においても、その回路図
を第６図に示すようにＬＤに対し充電的に正の帰還ルー
プが形成されるようにしたものであり、特にＨＢＴは、
良く知られているように（例えばアイ・イー・イー・イ
ー・トランスアクションズ・オン・エレクトロン・デバ
イセズ（ＩＥＥＥＴＲＡＮＳＡＣＴＩＯＮＳ　ＯＮ　Ｅ
ＬＥＣＴＲＯＮ　ＤＥＶＩＣＥＳ）　ＶＯＬ、ＨＤ−２
８゜ＮＯ，４，ＡＰＲＩＬ　１９８１．　Ｐ４０４〜４
０７．　　及びアプライド・フィシ・ンクス・レター（
八ｐｐｌ、　Ｐｈｙｓ、　Ｌｅｔｔ）４２（１）ＩＪａ
ｎｎａｒｙ　１９８３．　Ｐ９３〜９５参照）広帯域に
対しその光電変換効率が高く、かつ増幅効果を有するこ
とからカオス光の発生の自励発振を行うことができるよ
うにし、更にこの場合、ＬＤとＨＢＴとを共通の化合物
半導体基体（４）上に集積回路化して形成したので、Ｌ
ＤとＨＢＴとの相互の位置関係、すなわち、ＬＤからの
光を確実にＨＢＴのベースに導入することかできるよう
に設定することができ、更にこれにより組立装置の簡易
化をはかることができ量産性の向上をはかることができ
るものである。

Ｇ　実施例 本発明は、例えば第１図に示すように、直流電源（１１
）によって、駆動レーザＬＤを駆動する。これによって
発振したレーザＬＤからの光を受光素子（１２）、特に
周波数特性にすぐれた光電変換素子例えば、アバランシ
ェフォトダイオードＡＰＤによって受光させ、この光を
電気信号（を流）に変換する。そして、これを直流から
少くともＩ　Ｇｌ（ｚ以上の広帯域のプリアンプ（１３
）に、結合コンデンサ（Ｉ４）を介して入力し、その出
力信号を直流電源（１１）からの直流電圧にのせるため
の結合器（１５）に導入する帰還ループ（１）によって
、レーザＬＤを駆動する。このようにすると、レーザＬ
Ｄはカオス光を発生する自動発振動作がなされる。

これは、第１図に示した基本構成において、半導体レー
ザＬＤが直流電源（１１）によってこれが駆動発振され
るが、このとき、その発振にゆらぎが生しるとこれが正
の帰還ループ（１ンによってレーザＬＤへの駆動電流に
変動を生じさせ、これによってカオス光の発振に至るも
のと思われる。

第７図は、ＡＰＤバイアス１３０■としたときの半導体
レーザＬＤのカオス光の平均自動発振発餐周波数の電流
源（１１）のＤＣ駆動電流に対する依存性を測定した結
果を示すもので、これによって明らかなように、ＤＣ駆
動電流に対し、その発振周波数は強い正の相関性を示す
。

また、第８図はその発光スペクトルのオシロ波形図を示
すもので、この場合、ＡＰＤのバイアス電圧を１３０ｖ
とし、ＤＣ駆動電流を４７．１２ｍＡ（２０’Ｃで）と
した場合である。この場合のカオス光の平均周波数ｆは
約１．４９７Ｋ）（ｚとなった。そしてこの波形ｘ　（
ｔ）の微分波形交（ｔ）は第１２図に示すようになり、
Ｘに対するｉの変化をオシログラフでみると第１３図に
示すようにカオス光であることが分る。また第１１図を
みて明らかなように、その波形は不規則性を示すが振幅
は広い周波数帯域に亘って殆ど一定で振幅の注入電流依
存性はレーザの光出力の注入電流依存性に比し、はるか
に小さい。

第１４図Ａ及びＢは同様のカオス光の波形を示すオシロ
グラフ図である。

因みに、半導体レーザに対しその発光端から距離りに鏡
面を配して成る共振器長りの外部共振器を連結して戻り
光を導入させる場合の自動発振周波数ｆ、□、は、 で与えられ、例えばその光出力のスペクトルは第１５図
で示すようにその振幅が変換している。

また、本発明においては、例えば第２図に示すように、
複数、同図においては３本の端子ピン（２１Ａ）〜（２
ＩＣ）を有する基台（２２）上に、半導体レーザＬＤと
、アバランシェフォトダイオードＡＰＤとをそれぞれ取
着するヘッダー（２３）及び（２４）とを設ける。半導
体レーザＬＤは、例えばダブルヘテロ接合型のストライ
ブ状共振器を有する半導体レーザ構造を採り、このスト
ライブ状共振器の一端面ａから導出するレーザ光Ｌ＋を
ＡＰＤに受光せせるようにする。このようにしてこれら
ＬＤ及びＡＰＤをパッケージ（２）内に収容するように
基台（２２）上に被冠する。そして、パッケージ（２）
の導光窓（２５）から、半導体レーザＬＤの他方の端面
すからのレーザ光Ｌ２を外部に導出する。

このような構成によるレーザ装置の回路構成は第３図に
示す通りで、この場合においても半導体レーザＬＤから
のレーザ光り、によるアバランシェダイオードＡＰＤの
出力によるレーザＬＤへの結合コンデンサ（３）を介し
ての正帰還によってカオス光の発生が生じる。

また本発明においては、半導体レーザＬＤと、これより
の発光を、受光し電気信号とし、かつ増幅してとり出す
ヘテロ接合バイポーラトランジスタＨＢＴとの集積回路
化によってカオス光発生自励発振レーザ装置を構成する
。この場合においては、例えば第４図及び第５図に示す
ように、例えばｎ型のＧａＡｓによるＩ［Ｉ−Ｖ族化合
物半導体基体（４）を用意し、これの上に順次必要に応
じて同様に例えばｎ型のＧａＡｓバッファ層（４１）を
介して、他の導電型のＰ型のセパレート層（４２）をエ
ピタキシャル成長する。そしてこれの上に最終的に得る
半導体レーザＬＤのｎ型層となりかつ同様に最終的に得
るヘテロ接合バイポーラトランジスタＨＢＴのコレクタ
層となる６型のＧａＡｓより成るｎ型共通層（４３）を
エピタキシャル成長する。そして、この共通層（４３）
上の一部に比較的低濃度のｎ型のＧａＡｓよりなるコレ
クタ＠　（４４）と、例えば直性のＧａＡｓより戒る低
濃度ベース層（４５）と、ｎ型のＡＺＧａＡｓより戒る
エミツタ層（４６）とを１頌次エピタキシャル威長する
。そしてエミツタ層（４６）の一部を囲んで、例えばｐ
型の不純物Ｚｎを選択的にベース層（４５）に至る深さ
に拡散してｐ型のベース領域（４７）を形成する。

その後、ベース領域（４７）とこれによって囲まれたエ
ミッタ電極（４６）を残して外周部をエツチングして共
通層（４３）を外部に露出する。そしてこの外部に露出
した共通層（４３）の一部にこれを横切ってセパレータ
層（４２）に至る深さにＺｎ等のｐ型の不純物を拡散し
て低比抵抗のセパレート電極とり出し領域（４８）を形
成する。一方、例えばＳｉＮ等の絶縁層（４９）を全面
的にＣＶＤ　（化学的気相成長）法等によって形成し、
その後、ベース領域（４７）との対向部に、ＳｉＮによ
る絶縁層をＣＶＤマスクとして、共通層（４３）上にｎ
型のＧａＡｌＡｓより成る下層クラッド層（５０）と、
ＧａＡｓ活性層（５１）と、上層のＧａＡｌＡｓより成
るｐ型の上層クラッド層（５２）とｐ型のＧａＡｓより
成るキャップ層（５３）とを順次エピタキシャル成長す
る。そしてキャップ層（５３）上より、中央にストライ
ブ部（５４）を残してその両側にプロトンの打ち込みに
よる高抵抗領域或いはｎ型の不純物を打ち込んでなるｎ
型領域等より威る電流阻止領域（５５）を設ける。この
ようにしてコレクタ層（４４）、部ベース層（４５）及
びベース領域（４７）、エミツタ層（４６）より成るヘ
テロ接合バイポーラトランジスタＨＢＴを形成すると共
に、クラッド層（５０）及び（５２）間に活性層（５１
）が挟み込まれたダブルヘテロ接合型の半導体レーザＬ
Ｄを形成し、ＨＢＴのコレクタと、ＬＤのｎ層側が互い
に共通Ｊｉｉ　（４３）によって連結された構造とする
。そして、ＨＢＴとＬＤとの間には、エツチングによっ
て溝（５６）を掘込み、かつこの溝（５６）によってＨ
ＢＴのベース領域（４７）と、活性層（５１）のストラ
イプ部（５４）すなわちレーザー発振がなされる共振器
の、一方の光出射端面ａが対向するようにし、光出射端
面ａから出射されるレーザ光り、が効率よ＜　ＨＢＴの
ベースに入射できるようにする。またレーザＬＤの他方
の光出射率すからのレーザ光Ｌ２を外部に導出するよう
にする。そして、エミツタ層（４６〉、ベース領域（４
７）、セパレート電極とり出し領ＪｊＪ　（４８）、角
及び共通ｊｉ！　（４３）上には、それぞれオーＱ７り
にエミッタ電極（５７）、ベース電極（５８）、サブス
トレイト電極（５９）、及びコレクタ電極蓋一方のレー
ザ電極（６０）を被着する。またエミッタ電極（５７〉
から延長してこの延長部において分布抵抗Ｒを形成する
ようにレーザＬＤのキャップ層（５３）上にオーミック
被着された他方のレーザ電極（６１〉を設ける。

尚上述の各層（４１）　（４２）　（４３）　（４４）
　（４５）　（４６）　（４７）（５０）　（５１）　
（５２）　（５３）はＭＯＣＶＤ（Ｍｅｔａｌ　Ｏｒｇ
ａｎｉｃ　ＣｈｅｍｉｃａｌＶａｐｏｒ　Ｄｅｐｏｓｉ
ｔｉｏｎ：有機金属化学的気相成長法）によって形成で
きる。

上述第４図及び第５図の構成によるレーザ装置の回路構
成は、第６図に示すような構成となる。

この場合、半導体レーザＬＤの画電極（６１）及び（６
０）間、したがってＨＢＴのエミッタ間に所要の直流電
源を接続すればＬＤが動作し、そのレーザ光Ｌ１がＨＢ
Ｔのベースにとり入れられ、電気信号に変換して増幅さ
れＬＤに帰還されることによってカオス光としてレーザ
ー光り、（Ｌ、）がとり出される。

尚、この例では、セパレート層（４２）を設けた場合で
あるが、化合物半導体層（４）がｐ型である場合、この
セパレート層（４２）を設ける必要はないものである。

また、上述した方法、手順及び材料に限定されるもので
はない。

また、第４図及び第５図に示した例では、ＨＢＴとＬＤ
とが共通の化合物半導体基体（４）上に並置して形成し
た場合であるが、ＬＤを垂直方向からレーザ光をとり出
すようにした垂直型半導体レーザ（面発光型半導体レー
ザ）構成として、ＨＢＴとＬＤとを積層した構造とする
こともできる。この場合の一例を第８図の断面図を参照
して説明する。第８図において第４図及び第５図と対応
する部分には同一符号を付して示すが、この例では半導
体レーザＬＤが、下層及び上層クラッド層（５０）及び
（５２）の下層及び上層にそれぞれＭＱＷ（多重量子井
戸）構造の反射層（８Ｉ）及び（８２）が設けられ両者
間に垂直方向に共振器が構成されてレーザー光が得られ
るようにした場合である。

そして、この場合、半絶縁性のＧａＡｓが化合物半導体
基体（４）として用いられ、これの上に、ＧａＡｓバッ
ファ層（４１）、ｎ型のＧａＡｓコレクタ層（４４）、
ｐ型のＧａＡｓより成るベースｊｉｉ　（４５）と、ｎ
型のＡｌＧａＡｓより成るエミツタ層（４６）と、続い
てこれの上に、ＡｔＧａＡｓとＧａＡｓの繰返し多層積
層の超格子構造によるＭＱＷ反射層（８１）と、ｎ型の
ＡＺＧａＡｓより成る下層クランド層（５０）と、Ｇａ
Ａｓより成る活性層（５１）と、ｐ型のＡＺＧａＡｓよ
り威る上層クランド層（５２）と、上述したと同様のＭ
ＱＷ反射層（８２）と、ｐ型のＧａＡｓより成るキャン
プ層（５３）とを順次例えばＭＯＣＶＤによって連続エ
ピタキシーする。

また、この例では、レーザ電極（６１）を透明電極によ
って全面的に形成した場合であるが、光透過性電極を用
いてレーザ光Ｌ２の導出を行う窓あけを行うこともでき
る。また、この例では）ｆＢＴにおいてベース電極を省
略して外部から電圧を与えないようにした場合であるが
、ベース電極を設ける構造とすることもできる。

また、上述した例では、半導体レーザＬＩ）がＭＱＷ反
射層を有する構造とした場合であるが、第９図にその断
面図を示すように、ＭＱＷ反射層に代えて例えば上層の
クラッド層（５２）に２次干渉格子（９０）を形成した
分布帰還型すなわちＤＦＢ型レーザ（Ｄｉｓｔｒｉｂｕ
ｔｅｄ　Ｆｅｅｄｂａｃｋ　Ｌａ５ｅｒ）構造とするこ
ともできる。第９図において第２図と対応する部分には
同一符号を付して重複説明を省略する。

また、上述した例ではＧａＡｓ系構造とした場合である
が、第１０図に示すようにＩｎＰ系とするときは、ＬＤ
が短波長化されることによって上下両面からカオスレー
ザ光の導出を行うことができる。

第１０図において第４図、第５図及び第９図と対応する
部分には同一符号を付して重複説明を省略するが、図示
の例ではバッファ層が省略されている場合であり、更に
ＨＢＴのエミッタがＬＤ構成とした場合である。この場
合半絶縁性１ｎＰ基体（４）が用いられ、これの上に高
濃度のｎ型のＩｎＰコレクタＮ（４４＾）と、低濃度１
ｎＰコレクタ層（４４）と、Ｐ型のＧａ１ｎＡｓより成
るベース層（４５）と、Ｇａ１ｎＡｓとｒｎＰの超格子
構造によるＭＱＷ反射層（８１）　（８２）と、ｎ型の
ＩｎＰより成る下層クラッド層（５０）と、ＧａＩｎＡ
ｓＰより成る活性層（５１）と、Ｐ型１ｎＰよりキャッ
プ層（５３）とを順次連続ＭＯＣＶＤによってエピタキ
シーすることによって構成し得る。

尚、本発明の各図示の例において、各部の導電型を逆の
導電型とすることもできるし、上述の各側に限られるこ
となく種々の構成材料・構造を採り得る。

Ｈ発明の効果 上述したように、各本発明によれば、いずれも直流駆動
半導体レーザＬＤに、これよりの光を受けて電気的信号
（電流）に変換しかつ増幅して帰還する、つまり光電的
に正の帰還ループを設けることによって振幅がほぼ一定
で波形が変化し、平均周波数が広帯域（２ｋＨｚ〜２　
ＧＨｚ）を有し、かつ直流電流によって平均周波数を確
実に制御できるカオス光を得ることができるので、光メ
モリ。

光ディスク、その外多くの用途が期待される。

また、第２図に示したように共通のパッケージ（２）内
にレーザＬＤと、これよりの光りを受光し、これを光電
気変換すると共にアバランシェ効果によって増幅する作
用を有するアバランシェフォトダイオードＡＰＤと共に
収容したｔｉｔを採る本発明による自励発振半導体レー
ザ装置は、第３図にその電気的回路図を示すように、光
電的正帰還ループを形成するが、この場合、ＡＰＤ、す
なわち高速性にすぐれかつ広帯域に高い感度と増幅性を
有する素子を組合せ用いたことにまりカオス光の発生の
自動発振が確実に行われる。また同一パッケージ（２）
内にこれらＬＤ及びＡＰＤが組込まれることによって構
成の簡潔化がはかられる。

更に、ＬＤとＨＢＴとを共通の化合物半導体基体（４）
上に集積回路化する構成によるレーザ装置では、ＬＤと
ＨＢＴとの相互の位置関係、すなわち、ＬＤからの光を
確実にＨＢＴのベースに導入することかできるように設
定することができ、更により組立装置の簡易化をはかる
ことができ量産性の向上をはかることができるものであ
る。

また本発明レーザ装置は、カオス光の発振であるが故に
戻り光による影響の問題が生じないとか、時間的コヒー
レンズが小さいのでスペックルを生しにくいとか、様々
な波形列を簡単に発生制御できることから情報処理、例
えばニューラルネットとしての応用に好適などの利益が
ある。

【図面の簡単な説明】

第１図は本発明によるカオス光発生自動発振しいた側面
図、第３図はその回路図、第４図及び第５図はそれぞれ
本発明装置の一例の路線的平面図及び断面図、第６図は
その回路図、第７図は半導体レーザにおける自励発振周
波数の直流駆動電流に対する依存性を示す図、蘂４場も
第８図〜第１０図はそれぞれ本発明装置の各側の路線的
断面図、第１１図〜第１５図はオシログラフ図である。 ＬＤ：よ直流駆動型半導体レーザ、ＡＰＤはアバランシ
ェフォトダイオード、ＨＢＴはヘテロ接合バイポーラト
ランジスタである。

Claims (1)

1. 【特許請求の範囲】 １、直流駆動半導体レーザと、 この半導体レーザの発光の少くとも一部を受光し、電気
   信号に変換し、かつ増幅して或いは微分及び増幅して直
   流から１ＧＨｚ以上の広帯域で上記半導体レーザに帰還
   して上記半導体レーザからカオス光を発生させるように
   した ことを特徴とするカオス光発生自励発振レーザ装置。 ２、直流駆動半導体レーザと、この半導体レーザの発光
   の少くとも一部を受光するアバランシェフォトダイオー
   ドとを共通のパッケージ内に封入し、 上記アバランシェフォトダイオードの出力を結合コンデ
   ンサを介して上記レーザダイオードに入力して上記半導
   体レーザからカオス光を発生させるようにした ことを特徴とするカオス光発生自励発振レーザ装置。 ３、共通の化合物半導体基体上に、 直流駆動半導体レーザと、ヘテロ接合バイポーラトラン
   ジスタとを、積層もしくは並置して隣り合うように配置
   し、上記半導体レーザよりの光の少くとも一部の光を上
   記ヘテロ接合バイポーラトランジスタのベースに導入す
   るようにし、 このヘテロ接合バイポーラトランジスタによって上記レ
   ーザダイオードよりの光を電気信号に変換し且つ増幅し
   てその出力を上記半導体レーザダイオードに入力してこ
   の半導体レーザからカオス光を発生させるようにした ことを特徴とするカオス光発生自励発振レーザ。