JPH03139863A - Semiconductor integrated circuit - Google Patents

Semiconductor integrated circuit

Info

Publication number
JPH03139863A
JPH03139863A JP1278272A JP27827289A JPH03139863A JP H03139863 A JPH03139863 A JP H03139863A JP 1278272 A JP1278272 A JP 1278272A JP 27827289 A JP27827289 A JP 27827289A JP H03139863 A JPH03139863 A JP H03139863A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
logic circuit
logic
programmable logic
semiconductor integrated
circuit
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Pending
Application number
JP1278272A
Other languages
Japanese (ja)
Inventor
Kenichi Kuroda
謙一 黒田
Yasuyuki Saito
斉藤 康幸
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Hitachi Ltd
Original Assignee
Hitachi Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Hitachi Ltd filed Critical Hitachi Ltd
Priority to JP1278272A priority Critical patent/JPH03139863A/en
Publication of JPH03139863A publication Critical patent/JPH03139863A/en
Pending legal-status Critical Current

Links

Landscapes

  • Logic Circuits (AREA)
  • Design And Manufacture Of Integrated Circuits (AREA)

Abstract

PURPOSE:To realize the determination or the change of logic at a high gate using rate with a chip occupying rate being suppressed low by adopting programmable logic circuit blocks, holding data for determining logic states in electrically writable built-in nonvolatile memories, and constituting a semiconductor integrated circuit in this way. CONSTITUTION:Input/output circuit blocks IOB are arranged around logic circuit blocks LCBs which are arranged in a matrix pattern. The logic states are determined or changed based on data stored in volatile storage elements. Connecting logic blocks MS are arranged so that the blocks are positioned at the intersection of wiring groups NL, and the interconnecting state of the wiring groups NL is determined. The determination or the change of the interconnecting state is performed with an individually contained volatile storage element. A nonvolatile ROM is constituted of an electrically writable EPROM or an electrically writable/erasable EEPROM and provided with various kinds of peripheral circuits.

Description

【発明の詳細な説明】 〔産業上の利用分野〕 本発明は論理回路ブロックを備えた半導体集積回路にお
ける当該論理回路ブロックの論理状態を制御するための
技術に関するものであり、例えば少量多品種のカスタム
又はセミカスタム半導体集積回路に適用して有効な技術
に関するものである。
[Detailed Description of the Invention] [Industrial Application Field] The present invention relates to a technology for controlling the logic state of a logic circuit block in a semiconductor integrated circuit equipped with a logic circuit block. The present invention relates to techniques that are effective when applied to custom or semi-custom semiconductor integrated circuits.

〔従来技術〕[Prior art]

カスタム又はセミカスタム半導体集積回路のような少量
多品種のLSIを速やかに製造する技術として従来から
マスタースライス技術やゲートアレイ技術が提供されて
いるが、更にこれに代る技術としてPLD (Prog
rammableLogic  Device)技術や
LCA (L。
Master slicing technology and gate array technology have traditionally been provided as technologies for quickly manufacturing low-volume, high-mix LSIs such as custom or semi-custom semiconductor integrated circuits, but PLD (Prog.
rammable Logic Device) technology and LCA (L.

gic  Ce1l  Array)技術が知られてい
る。例えば前者については特開昭58−85638号に
記載され、また、後者については日経マグロウヒル社発
行の日経エレクトロニクスNQ403号(1986年9
月8日号)第245頁から第265頁、アイ・イー・イ
ー・イー 1988カスタム・インチグレイテッド・サ
ーキッッ・コンファレンス 第15.3.1頁から第1
5.3゜7頁(IEEE  1988  Custom
  Integrated  C1rcuits  C
onference  pp15.3.1−15.3.
7)、そしてUSP (アメリカ合衆国特許)4642
487に記載されている。これらの技術によれば、予め
汎用性のある論理回路ブロックを備えた半導体集積回路
を製造しおき、その論理回路ブロックを後からプログラ
ムすることにより所望の論理を構成する。この結果、標
準品として大量生産した半導体集積回路であっても少量
多品種のカスタム又はセミカスタム半導体集積回路とし
て利用可能になる。
gic Cell Array) technology is known. For example, the former is described in Japanese Patent Application Laid-Open No. 58-85638, and the latter is described in Nikkei Electronics No. NQ403 published by Nikkei McGraw-Hill (September 1986).
August 8th issue) pages 245 to 265, I.E.E. 1988 Custom Ingrated Circuit Conference, pages 15.3.1 to 1
5.3゜7 pages (IEEE 1988 Custom
Integrated C1rcuits C
onference pp15.3.1-15.3.
7), and USP (United States Patent) 4642
487. According to these techniques, a semiconductor integrated circuit equipped with a general-purpose logic circuit block is manufactured in advance, and a desired logic is configured by programming the logic circuit block later. As a result, even semiconductor integrated circuits that are mass-produced as standard products can be used as custom or semi-custom semiconductor integrated circuits produced in a wide variety of small quantities.

〔発明が解決しようとする課題〕[Problem to be solved by the invention]

しかしながら従来のPLDやLCAでは次のような問題
点があることが本発明者によって明らかにされた。
However, the inventors have discovered that conventional PLDs and LCAs have the following problems.

(1)PLOによって大きな論理を構成するには、積項
数を大きくする必要がある。しかしながら、積項数を大
きくすると、一般にゲートの使用率が低下し、特に、互
いに独立性の高い複数の論理を構成する場合に顕著にな
る。したがって、所望の論理をPLDのみで構成するこ
とはゲートの使用効率の点から望ましくないということ
が明らかにされた。また、ゲート使用率を向上させるた
めに比較的規模の小さなPLDを多数形成した場合には
、PLDを構成する不揮発性記憶素子をプログラムする
ための周辺回路をPLD毎に形成しなければならなくな
り、逆にそのような周辺回路によるチップ占有面積が著
しく増大してしまう。
(1) In order to construct a large logic using PLO, it is necessary to increase the number of product terms. However, when the number of product terms is increased, the gate usage rate generally decreases, which is particularly noticeable when configuring a plurality of logics that are highly independent of each other. Therefore, it has been revealed that it is not desirable to configure the desired logic only with PLDs from the viewpoint of gate usage efficiency. Furthermore, when a large number of relatively small-scale PLDs are formed in order to improve gate utilization, a peripheral circuit for programming the nonvolatile memory elements that constitute the PLD must be formed for each PLD. On the contrary, the chip area occupied by such peripheral circuits increases significantly.

(2)ゲートの使用率という観点においてLCAはPL
Dに比べて効率良く論理回路を構成することができる。
(2) LCA is PL in terms of gate usage rate
A logic circuit can be configured more efficiently than D.

これは、プログラム可能な論理ブロックが規則的に配列
され、ブロック間の配線領域に配置された配線の交点を
プログラムにより接続させる構造になっており、その構
造がゲートアレイに類似しているためである。しかしな
がら、LCAの論理回路ブロックや配線の交点に対する
プログラムは、LCAの外部にある不揮発性のEPRO
M又はEEPROMなどのメモリから、内蔵されている
揮発性のスタティックRAMのセルにプログラムデータ
を転送することによって行われる。このために、電源を
投入する毎に、或いはスタティックRAMのデータが失
われる度に外部からプログラムデータを転送してやらな
ければならず、・また、LCAと外部メモリという2つ
の半導体集積回路が常に必要になって、その取扱いや操
作が不便になるという問題点があった。さらに、外部か
らのデータ転送には必ず外部のバスマスタを利用しなけ
ればならず、そのようなプログラム動作による外部バス
の専有期間も無視することができないという問題点があ
った。
This is because programmable logic blocks are arranged regularly, and the intersections of wiring placed in the wiring area between blocks are connected by a program, and its structure is similar to a gate array. be. However, programs for LCA logic circuit blocks and wiring intersections are stored in non-volatile EPRO external to LCA.
This is done by transferring program data from a memory such as M or EEPROM to the cells of a built-in volatile static RAM. For this reason, program data must be transferred from the outside each time the power is turned on or data in static RAM is lost, and two semiconductor integrated circuits, LCA and external memory, are always required. This poses a problem in that it becomes inconvenient to handle and operate. Furthermore, there is a problem in that an external bus master must be used for data transfer from the outside, and the exclusive period of the external bus due to such program operations cannot be ignored.

本発明の目的は、TAT(Turn  Around 
 Time)の短縮、そしてLSI製造後における論理
の決定あるいは変更を、PLDを用いる技術に比べてゲ
ート使用率が高く且つチップ専有率を低く抑えて実現す
ることができると共に、LCAを用いる技術に比べてシ
ステム上取扱い容易に実現することができる半導体集積
回路装置を提供することにある。
The purpose of the present invention is to perform TAT (Turn Around
It is possible to reduce the time required (time) and to determine or change the logic after LSI manufacturing with a higher gate utilization rate and lower chip occupation rate than with PLD technology, and with a lower chip occupancy rate than with LCA technology. An object of the present invention is to provide a semiconductor integrated circuit device that can be easily handled and implemented in a system.

本発明の前記ならびにその他の目的と新規な特徴は本明
細書の記述及び添付図面から明らかになるであろう。
The above and other objects and novel features of the present invention will become apparent from the description of this specification and the accompanying drawings.

〔課題を解決するための手段〕[Means to solve the problem]

本願において開示される発明のうち代表的なものの概要
を簡単に説明すれば下記の通りである。
A brief overview of typical inventions disclosed in this application is as follows.

すなわち、揮発性記憶素子の記憶情報に従って論理状態
が可変に設定されるプログラマブル論理回路ブロックを
採用すると共に、当該論理回路ブロックの論理状態を決
定するための情報を電気的に書込み可能な内蔵不揮発性
メモリに保持させるようにして半導体集積回路を構成す
るものである。
That is, it employs a programmable logic circuit block whose logic state is variably set according to the information stored in the volatile memory element, and a built-in non-volatile logic circuit block in which information for determining the logic state of the logic circuit block can be electrically written. A semiconductor integrated circuit is constructed by holding the information in a memory.

ここで、ゲートアレイに匹敵するようにプログラマブル
論理回路ブロックに設定可能な論理の柔軟性もしくは融
通性を高めるには、比較的規模の小さな前記プログラマ
ブル論理回路ブロックを複数個配置すると共に、それら
プログラマブル論理回路ブロックをブロック間接続用の
配線で結合し、前記配線相互の接続状態を、一部のプロ
グラマブル論理回路ブロックにて決定するように構成す
るとよい。
Here, in order to increase the flexibility or versatility of the logic that can be set in a programmable logic circuit block to be comparable to a gate array, it is necessary to arrange a plurality of relatively small-scale programmable logic circuit blocks and to It is preferable that the circuit blocks are connected by wiring for connection between blocks, and the connection state between the wirings is determined by some of the programmable logic circuit blocks.

そして、不揮発性メモリに格納された論理決定用情報を
プログラマブル論理回路ブロックの揮発性記憶素子にロ
ードする処理を半導体集積回路臼からが行えるようにす
るには、専用もしくは他の処理に兼用されるアクセス制
御手段を内蔵させることが望ましい。
In order to enable the semiconductor integrated circuit mill to load the logic decision information stored in the non-volatile memory into the volatile memory element of the programmable logic circuit block, it is necessary to It is desirable to incorporate access control means.

また、論理決定用情報を揮発性記憶素子に転送するため
の信号配線数を少なくするには、揮発性記憶素子をシリ
アルイン・パラレルアウト形式のシフトレジスタによっ
て構成するとよい。このとき前記アクセス制御手段が当
該シフトレジスタに対する選択制御並びに情報のシリア
ル転送制御を行う。
Furthermore, in order to reduce the number of signal lines for transferring logic determination information to the volatile memory element, the volatile memory element may be configured with a serial-in/parallel-out type shift register. At this time, the access control means performs selection control for the shift register and serial transfer control of information.

さらに、本発明の半導体集積回路をマイクロコンピュー
タに適用する場合には、前記プログラマブル論理回路ブ
ロックを利用して論理制御動作を行うセントラル・プロ
セッシング・ユニットを含めておく。したがって、その
プログラマブル論理回路ブロックは、セントラル・プロ
セッシング・ユニットの周辺機能を実現するために利用
され、さらにはプログラマブルであるが故に周辺機能に
対する冗長としても利用可能になる。
Further, when the semiconductor integrated circuit of the present invention is applied to a microcomputer, a central processing unit that performs logic control operations using the programmable logic circuit block is included. Therefore, the programmable logic circuit block is used to implement the peripheral functions of the central processing unit, and since it is programmable, it can also be used as redundancy for the peripheral functions.

〔作 用〕[For production]

上記した手段によれば、プログラマブル論理回路ブロッ
クの論理状態を決定するための揮発性記憶素子は不揮発
性記憶素子のプログラムに必要とされるような各種周辺
回路を必要としない。このことは、入出力数や積項数と
いった観点などからプログラマブル論理回路ブロックの
内部構成さらには複数個のプログラマブル論理回路ブロ
ック相互間の配置に自由度をもたせてゲート使用効率を
上げても、それによるチップ専有率の著しい増大を抑え
るように作用する。そして、プログラマブル論理回路ブ
ロックの論理状態を決定するために揮発性記憶素子に記
憶させる情報を保持する内蔵不揮発性メモリは、従来電
源投入毎に必要とされていた外部からのプログラムデー
タの転送を不要とするように作用し、プログラマブル論
理回路ブロックを内蔵する半導体集積回路の取扱いを容
易にする。
According to the above-described means, the volatile memory element for determining the logic state of the programmable logic circuit block does not require various peripheral circuits such as are required for programming a non-volatile memory element. This means that even if you increase the efficiency of gate usage by giving a degree of freedom to the internal configuration of a programmable logic circuit block and the arrangement between multiple programmable logic circuit blocks in terms of the number of inputs and outputs and the number of product terms, etc. This works to suppress a significant increase in the chip occupation rate due to The built-in non-volatile memory, which holds the information to be stored in the volatile memory element to determine the logic state of the programmable logic circuit block, eliminates the need to transfer program data from the outside, which was conventionally required every time the power is turned on. This facilitates the handling of semiconductor integrated circuits incorporating programmable logic circuit blocks.

〔実 施 例〕〔Example〕

第1図には本発明の一実施例に係る半導体集積回路が示
されている。この半導体集積回路は、シリコンのような
1個の半導体基板に形成されており、TATの短縮、そ
してLSI製造後において論理を決定可能とするプログ
ラマブル論理LSIとして位置づけられる。
FIG. 1 shows a semiconductor integrated circuit according to an embodiment of the present invention. This semiconductor integrated circuit is formed on a single semiconductor substrate such as silicon, and is positioned as a programmable logic LSI that shortens TAT and allows logic to be determined after the LSI is manufactured.

本実施例の半導体集積回路は、揮発性記憶素子の記憶情
報に従って論理状態が可変に設定されるプログラマブル
論理回路ブロックとして、多数の論理回路ブロックLC
B、人出カ回路ブロックIOB、及び接続論理ブロック
MSを含む。そして、そ九らプログラマブル論理回路ブ
ロックLCB。
The semiconductor integrated circuit of this embodiment includes a large number of logic circuit blocks LC as programmable logic circuit blocks whose logic states are variably set according to information stored in a volatile memory element.
B, a turnout circuit block IOB, and a connection logic block MS. And then there is the programmable logic circuit block LCB.

IOB、MSの論理状態を決定するための専用回路ブロ
ックとして、電気的に書込み可能なEPROMやE E
 P ROMのような不揮発性メモリROM、この不揮
発性メモリROMに外部からプログラマブル論理回路ブ
ロックLCB、IOB、MSの論理決定情報を供給した
りするための入出力インタフェースI10、そして前記
不揮発性メモリROMから読出した論理決定用情報をプ
ログラマブル論理回路ブロックLCB、IOB、MSの
揮発性記憶素子に書込み制御したりするアクセス制御回
路ACONTを含む。
As a dedicated circuit block for determining the logic state of IOB and MS, electrically writable EPROM and EE
A non-volatile memory ROM such as P ROM, an input/output interface I10 for supplying logic determination information of the programmable logic circuit blocks LCB, IOB, and MS to the non-volatile memory ROM from the outside, and a It includes an access control circuit ACONT that controls writing of the read logic determination information into the volatile storage elements of the programmable logic circuit blocks LCB, IOB, and MS.

前記論理回路ブロックLCBは規則的にマトリクス配置
され、その論理状態は内蔵揮発性記憶素子の記憶情報に
従って決定もしくは変更される。
The logic circuit blocks LCB are regularly arranged in a matrix, and the logic state thereof is determined or changed according to the information stored in the built-in volatile memory element.

各々の論理回路ブロックLCBは、所望の論理動作を行
うために少なくとも1個のデータ入力端子と少なくとも
1個のデータ出力端子とを備えると共に、各種制御端子
や電源端子を備えている。さらに、夫々の論理回路ブロ
ックLCBにはその論理状態の決定あるいは変更を行う
ためのプログラムデータを転送するための各種制御端子
やデータ入力端子を備えている。尚、各々の論理回路ブ
ロックLCBは相互に同一構成であってもよく、あるい
は、論理構成または入出力端子の数が異なるように構成
してもよい。
Each logic circuit block LCB includes at least one data input terminal and at least one data output terminal to perform a desired logic operation, as well as various control terminals and power supply terminals. Further, each logic circuit block LCB is provided with various control terminals and data input terminals for transferring program data for determining or changing its logic state. Note that the respective logic circuit blocks LCB may have the same configuration, or may have different logic configurations or numbers of input/output terminals.

入出力回路ブロックIOBは、マトリクス配置された前
記論理回路ブロックLCBの周辺に配置されており、そ
の論理状態は、夫々に含まれる揮発性記憶素子の記憶情
報に従って決定または変更される。夫々の工○Bは論理
回路ブロックLCBと同様に、所定の論理動作即ちこの
場合には所定の入出力動作を行うためのデータ入出力端
子及び各種制御端子並びに電源端子、そしてプログラム
データを転送するための各種制御端子とデータ入力端子
を備えている。夫々の入出力回路ブロックIOBは相互
に異なる回路構成を備えていてもよい。また、入出力回
路ブロックIOBには外部端子に接続される電極パッド
が含まれている。
The input/output circuit block IOB is arranged around the logic circuit block LCB arranged in a matrix, and the logic state thereof is determined or changed according to the storage information of the volatile storage element included in each input/output circuit block IOB. Like the logic circuit block LCB, each block ○B has data input/output terminals, various control terminals, and power supply terminals for performing a predetermined logic operation, that is, in this case, a predetermined input/output operation, and transfers program data. It is equipped with various control terminals and data input terminals. The respective input/output circuit blocks IOB may have mutually different circuit configurations. Further, the input/output circuit block IOB includes electrode pads connected to external terminals.

NLは論理回路ブロックLCB相互間や論理回路ブロッ
クLCBと入出力回路ブロックIOBとの接続に使用さ
れる配線群であり、それら多数の配線群NLの交点に位
置するように前記接続論理ブロックMSが配置され、そ
れら接続論理ブロックMSによって配線群NLの相互接
続状態が決定されるようになっている。夫々の接続論理
ブロックMSによる接続状態の決定または変更は個々に
内蔵されている揮発性記憶素子で行われる。各々の接続
論理ブロックMSもデータ端子や電源端子。
NL is a group of wires used for connecting between the logic circuit blocks LCB and between the logic circuit blocks LCB and the input/output circuit block IOB, and the connection logic block MS is located at the intersection of the many wire groups NL. The connection logic blocks MS determine the interconnection state of the wiring group NL. Determination or modification of the connection state by each connection logic block MS is performed in an individually built-in volatile memory element. Each connection logic block MS also has data terminals and power supply terminals.

そしてプログラムデータを転送するための各種制御端子
並びにデータ入力端子を備えている。
It is provided with various control terminals and data input terminals for transferring program data.

第1図においてSLは前記配線群NLと同様の配線群で
あり、両者の相違は配線距離の長短或いは配線数であり
、例えば概ね論理回路ブロックLCBの2個置きに行列
方向に配置された比較的長い配線距離をもって接続論理
ブロックMSに接続されている。
In FIG. 1, SL is a wiring group similar to the wiring group NL, and the difference between the two is the length of the wiring distance or the number of wirings. It is connected to the connection logic block MS over a long wiring distance.

前記プログラマブル論理回路ブロックLCB。The programmable logic circuit block LCB.

MS、I’OBの論理状態を決定するための揮発性メモ
リは、特に制限されないが、シリアルイン・パラレルア
ウト形式のシフトレジスタSRを構成し、セレクタSE
Lと対を成して夫々の論理回路ブロックLCB、MS、
I○Bに含まれている。
The volatile memory for determining the logical state of MS and I'OB is not particularly limited, but it constitutes a serial-in/parallel-out type shift register SR, and a selector SE.
Paired with L, respective logic circuit blocks LCB, MS,
Included in I○B.

前記入出力インタフェースI10.不揮発性メモリRO
M、アクセス制御回路ACONTは、アドレスバス、デ
ータバス、コントロールバスを含むプログラムバスPB
USに共通接続されている。
The input/output interface I10. Non-volatile memory RO
M. The access control circuit ACONT is connected to a program bus PB including an address bus, a data bus, and a control bus.
Commonly connected to US.

前記不揮発性メモリROMは電気的に書込み可能なEP
ROMあるいは電気的に書込み・消去可能なE E P
 ROMによって構成され、アドレスデコーダ、センス
アンプ、書込みあるいは書込み・消去回路等の各種の周
辺回路を備えている。この不揮発性メモリROMに対す
る書込みは、例えば入出力インタフェースI10を介し
て外部のEPROMライタのような書込み装置やシステ
ム上のホストプロセッサなどによって行われる。本実施
例に従えば前記夫々のシフトレジスタSRには固有のア
ドレスが割当てられ、夫々のシフトレジスタSRに供給
されるべき論理決定用情報は個々のアドレスと対を成し
て不揮発性メモリROMに書き込まれる。
The non-volatile memory ROM is an electrically writable EP.
ROM or electrically writable/erasable E E P
It is composed of a ROM and includes various peripheral circuits such as an address decoder, a sense amplifier, and a write or write/erase circuit. Writing to this nonvolatile memory ROM is performed, for example, by an external writing device such as an EPROM writer, a host processor on the system, etc. via the input/output interface I10. According to this embodiment, each shift register SR is assigned a unique address, and the logic determining information to be supplied to each shift register SR is paired with the individual address and stored in the nonvolatile memory ROM. written.

前記アドレス制御回路ACONTは、前記論理回路ブロ
ックLCBや入出力ブロックエ○Bの論理状態の決定あ
るいは変更、そして接続論理ブロックMSの接続状態の
決定あるいは変更を行うために、不揮発性メモリROM
をリードアクセスしたり、不揮発性メモリROMから読
出した情報を所定のシフトレジスタSRにライトアクセ
スしたりするアクセス制御を行い、例えば、シフトレジ
スタSRを選択するためのアドレス情報をデコードする
と共に、これによって得られた選択信号をセレクタSE
Lに出力する。そして、論理決定情報をシフトレジスタ
SRにシリアル出力する。前記選択信号は、マトリクス
配置されたプログラマブル論理回路ブロックLCB、I
OB、MSの行選択を行うための行選択信号と、列選択
を行うための列選択信号から成り、行選択信号によって
選択される行と列選択信号によって選択される列の交点
に位置するプログラマブル論理回路ブロックのシフトレ
ジスタSRが選択される。
The address control circuit ACONT includes a non-volatile memory ROM in order to determine or change the logic states of the logic circuit block LCB and input/output block E○B, and to determine or change the connection state of the connection logic block MS.
It performs access control such as read access to the non-volatile memory ROM and write access to a predetermined shift register SR with information read from the nonvolatile memory ROM. For example, it decodes address information for selecting a shift register SR, and thereby The obtained selection signal is sent to the selector SE
Output to L. Then, the logic decision information is serially output to the shift register SR. The selection signal is applied to programmable logic circuit blocks LCB, I arranged in a matrix.
It consists of a row selection signal for selecting rows of OB and MS, and a column selection signal for selecting columns, and is located at the intersection of the row selected by the row selection signal and the column selected by the column selection signal. Shift register SR of the logic circuit block is selected.

次に、前記プログラマブル論理回路ブロックの論理状態
を決定するためのプログラム方法の一例について説明す
る。
Next, an example of a programming method for determining the logic state of the programmable logic circuit block will be described.

(1)半導体集積回路製造後最初にプログラムする場合 〔A〕、要求仕様に応じて、論理回路ブロックLCB及
び入出力回路ブロックエOBの論理状態、並びに接続論
理ブロックMSの接続状態を決定するためのプログラム
データを生成する6〔B〕、半導体集積回路の外部から
プログラムすべき最初のプログラマブル論理回路ブロッ
クLCB、IOBまたはMSを選択する。
(1) When programming for the first time after manufacturing a semiconductor integrated circuit [A], to determine the logic states of the logic circuit block LCB and input/output circuit block EOB and the connection state of the connection logic block MS according to the required specifications. 6 [B] Select the first programmable logic circuit block LCB, IOB or MS to be programmed from outside the semiconductor integrated circuit.

この選択動作には半導体集積回路に内蔵されているアク
セス制御回路ACONTを利用することもできる。
The access control circuit ACONT built in the semiconductor integrated circuit can also be used for this selection operation.

〔618次に、外部制御装置により或いはアクセス制御
回路ACONTを介して、論理決定用の情報を前記アド
レスで選択されたプログラマブル論理回路ブロックLC
B、IOBまたはMSのシフトレジスタSRに転送する
。これにより当該プログラマブル論理回路ブロックLC
B。
[618 Next, by an external control device or via the access control circuit ACONT, information for logic determination is sent to the programmable logic circuit block LC selected by the address.
B, IOB or MS shift register SR. As a result, the programmable logic circuit block LC
B.

IOBまたはMSの論理状態が決定される。The logic state of the IOB or MS is determined.

〔D〕、プログラムすべき全てのプログラマブル論理回
路ブロックLCB、IOB、MSに対して、前記のCB
)から〔C〕の処理を順次繰り返して、半導体集積回路
全体の論理を決定す机 〔E〕1次に、前記の方法によって決められた論理状態
、接続状態に問題がないかを検証する。
[D] For all programmable logic circuit blocks LCB, IOB, and MS to be programmed, the above CB
) to [C] are sequentially repeated to determine the logic of the entire semiconductor integrated circuit. (E) Next, it is verified whether there are any problems with the logic state and connection state determined by the above method.

〔F〕、もし、論理状態、接続状態に問題がなければ、
汎用EPROMライタなどの外部制御装置により、前記
一連の論理決定用情報を不揮発性メモリROMに書き込
む、この場合、不揮発性メモリROMに記憶されるデー
タには、少なくとも、論理決定用情報とこの情報によっ
て論理状態或いは接続状態が決定されるプログラマブル
論理回路ブロックLCB、IOB、MSの番地とが含ま
れる。この書込み動作に対してはベリファイが行われる
。尚、その後、プログラムされた論理状態、接続状態に
問題があることが見出された場合には1問題のあるLC
B。
[F] If there is no problem with the logical state or connection state,
The series of logic determination information is written to the nonvolatile memory ROM by an external control device such as a general-purpose EPROM writer. In this case, the data stored in the nonvolatile memory ROM includes at least the logic determination information and this information. It includes addresses of programmable logic circuit blocks LCB, IOB, and MS whose logic states or connection states are determined. Verification is performed for this write operation. If it is found that there is a problem with the programmed logic state or connection state, the LC with the problem will be
B.

IOBまたはMSに対して前記処理を行ってそのプログ
ラムデータを書換える。不揮発性メモリROMがEPR
OMの場合には紫外線によって消去した後金てのプログ
ラムデータを書換える。
The above processing is performed on the IOB or MS to rewrite its program data. Non-volatile memory ROM is EPR
In the case of OM, all program data is rewritten after erasing with ultraviolet light.

以上の操作により、半導体集積回路の論理が決定され、
所望の動作を実行させることができるようになる。
The above operations determine the logic of the semiconductor integrated circuit,
It becomes possible to execute a desired operation.

(2)プログラム後のシステム動作 不揮発性メモリROMにプログラムデータが格納された
後は外部からのプログラムデータの転送は必要とされず
、アクセス制御回路ACONTの制御により、不揮発性
メモリROMから順次プログラムデータを読出し、指定
されるアドレスのプログラマブル論理回路ブロックLC
B、JOBまたはMSに論理決定用情報を転送する。こ
の処理をプログラムすべき全てのプログラマブル論理回
路ブロックLCB、IOB。
(2) System operation after programming After the program data is stored in the non-volatile memory ROM, there is no need to transfer the program data from the outside, and the program data is sequentially transferred from the non-volatile memory ROM under the control of the access control circuit ACONT. programmable logic circuit block LC at the specified address.
Transfer logic determination information to B, JOB or MS. All programmable logic circuit blocks LCB, IOB to be programmed with this process.

MSに施す、これにより、不揮発性メモリROMの記憶
情報に従って半導体集積回路全体の論理が決定され、そ
の後半導体集積回路はその論理に従ったシステム動作を
行い得るようになる。
As a result, the logic of the entire semiconductor integrated circuit is determined according to the information stored in the nonvolatile memory ROM, and thereafter the semiconductor integrated circuit can perform system operation according to the logic.

(3)その後のプログラムデータの変更前記(1)で説
明した手法を流用する。このとき当該半導体集積回路を
システムから分離させることかできる場合にはEPRO
Mライタを用いることができる。また、単体でプログラ
ムし直した新たな半導体集積回路に交換してもよい。分
離できないような場合にはシステム上のホストプロセッ
サなどを利用して電気的に書換えるようにすることもで
きる。
(3) Subsequent modification of program data Reuse the method described in (1) above. At this time, if it is possible to separate the semiconductor integrated circuit from the system, EPRO
M writer can be used. Alternatively, the semiconductor integrated circuit may be replaced with a new reprogrammed semiconductor integrated circuit. If separation is not possible, electrical rewriting can be performed using a host processor on the system.

第2A図には論理回路ブロックLCBの一例が示されて
いる。
FIG. 2A shows an example of a logic circuit block LCB.

この論理回路ブロックLCBは、論理回路部LCと、当
該論理回路部LCの出力側を配線群NLに含まれる所望
の配線に接続するための揮発性素子からなるスイッチ回
路SWIと、論理回路部LCの入力側を配線群NLに含
まれる所望の配線に接続するための揮発性素子からなる
スイッチ回路SW2とから構成されている。本実施例で
は論理回路部LCの出力の内で所定の出力がスイッチ回
路SW2にフィードバックされている。論理回路部LC
の内部にも図示しないスイッチ回路が含まれている場合
には、これらのスイッチ回路によっても、所望の論理を
構成することができる。また論理回路部LCにそのよう
なスイッチ回路が含まれていなくても、スイッチ回路S
WI、SW2によって入力側の配線NLと出力側の配線
NLとの間の接続論理を決定することで、その論理回路
部LCの論理を決定するようにすることもできる6尚、
前記入出力回路ブロックIOBに対しても同様の構成を
採用することができる。
This logic circuit block LCB includes a logic circuit section LC, a switch circuit SWI including a volatile element for connecting the output side of the logic circuit section LC to a desired wiring included in a wiring group NL, and a logic circuit section LC. The switch circuit SW2 includes a volatile element for connecting the input side of the switch to a desired wiring included in the wiring group NL. In this embodiment, a predetermined output among the outputs of the logic circuit section LC is fed back to the switch circuit SW2. Logic circuit section LC
If switch circuits (not shown) are also included inside the circuit, a desired logic can be constructed using these switch circuits as well. Furthermore, even if the logic circuit section LC does not include such a switch circuit, the switch circuit S
By determining the connection logic between the input side wiring NL and the output side wiring NL using WI and SW2, the logic of the logic circuit section LC can also be determined6.
A similar configuration can be adopted for the input/output circuit block IOB.

論理回路部LCを構成する基本的な論理回路は、反転も
しくは否定を意味するNOT回路、少なくとも2人力か
らなるOR回路やNOR回路、少なくとも2人力からな
るAND回路やNANDAND回路て排他的OR回路や
排他的NOR回路、さらに各種のフリップ・フロップ回
路、レジスタ、ラッチ回路等である。論理回路部LCは
これらの基本的な論理回路、あるいは、これらの基本的
な論理回路を組合わせた回路、または、順序回路を含み
、さらには、抵抗や容量等の受動素子や、演算増幅器等
も含めることができる。これらの基本的な回路を組合わ
せることによって、デジタル処理はもとよりアナログ処
理も行うことができる回路を構成できる。論理回路部L
Cはこれらの回路に限定されるものではなく、最小限少
なくとも一つの入力と少なくとも一つの出力を備えた回
路であれば、どのような回路であってもよい。
The basic logic circuits that make up the logic circuit section LC include a NOT circuit that means inversion or negation, an OR circuit or NOR circuit that is made up of at least two people, an AND circuit or a NAND AND circuit that is made up of at least two people, and an exclusive OR circuit. These include exclusive NOR circuits, as well as various flip-flop circuits, registers, latch circuits, and the like. The logic circuit section LC includes these basic logic circuits, a circuit that combines these basic logic circuits, or a sequential circuit, and also passive elements such as resistors and capacitors, operational amplifiers, etc. can also be included. By combining these basic circuits, it is possible to configure a circuit that can perform not only digital processing but also analog processing. Logic circuit section L
C is not limited to these circuits, but may be any circuit as long as it has at least one input and at least one output.

第2B図には前記スイッチ回路SW2の一例が示されて
いる。配線群NLに含まれる3本の配線INLI〜IN
L3と、論理回路LCの出力端子に接続されている2本
の配線ILCI、ILC2との、合わせて5本の配線が
スイッチ回路SW2に入力され、3本の配線0LCI〜
0LC3が論理回路部LCの入力端子に接続されている
。前記出力側の配線0LCI〜0LC3と、夫々の入力
側の配線INLI〜INL3.ILCI、ILC2との
間には、相互の接続状態を決定するために、MISFE
TからなるスイッチT1〜T15が設けられている。各
々の端子はM I S FETのソースないしドレイン
に接続され、ゲート電極の電位を制御することによって
、MISFETがオンのときに導通状態、M I S 
FETがオフのときに非導通状態となり、これによって
配線相互の接続状態が決定される。
FIG. 2B shows an example of the switch circuit SW2. Three wires INLI to IN included in wire group NL
A total of five wires, L3 and two wires ILCI and ILC2 connected to the output terminal of the logic circuit LC, are input to the switch circuit SW2, and three wires 0LCI to
0LC3 is connected to the input terminal of the logic circuit section LC. The output side wirings 0LCI to 0LC3 and the input side wirings INLI to INL3. There is a MISFE between ILCI and ILC2 to determine the mutual connection status.
Switches T1 to T15 consisting of T are provided. Each terminal is connected to the source or drain of the MISFET, and by controlling the potential of the gate electrode, it becomes conductive when the MISFET is on, and the MISFET becomes conductive when the MISFET is on.
When the FET is off, it is in a non-conducting state, which determines the interconnection state of the wires.

第2C図にはMISFETからなる前記スイッチT1〜
T15のゲート電極の電位を制御するための回路例が示
されている。この例は、第1図で説明したシフトレジス
タSR及びセレクタSELの一例に相当する。シフトレ
ジスタSRは15個のスタティックラッチ5LATI〜
5LAT15を直列接続したシリアルイン・パラレルア
ウト形式をもつ。ここでそれらスタティックラッチ5L
ATL〜S LAT 15が揮発性記憶素子の一例であ
る。この例では論理決定用情報は15ビツトとされてい
るが、実際にはLCBの論理状態に応じてそれよりも多
いデータ数が必要になる。このようなときに、斯る情報
をパラレルに転送したのでは、転送のための配線数が膨
大になると共に、その制御も複雑になってしまう。本例
のようにシリアルイン・パラレルアウト形式のシフトレ
ジスタSRを使用することによって、データ線数を減ら
し、その制御を簡略化することができる。
FIG. 2C shows the switches T1 to T1 consisting of MISFETs.
An example of a circuit for controlling the potential of the gate electrode of T15 is shown. This example corresponds to an example of the shift register SR and selector SEL explained in FIG. Shift register SR consists of 15 static latches 5LATI~
It has a serial-in/parallel-out format with 5 LAT15s connected in series. Here those static latches 5L
ATL to S LAT 15 are examples of volatile memory elements. In this example, the logic determination information is 15 bits, but in reality, a larger amount of data is required depending on the logic state of the LCB. In such a case, if such information were transferred in parallel, the number of wires for transfer would be enormous and the control thereof would be complicated. By using the serial-in/parallel-out type shift register SR as in this example, the number of data lines can be reduced and the control thereof can be simplified.

このシフトレジスタSRへの論理決定情報PDATAの
入力制御はセレクタSELが行う。このセレクタSEL
は、論理決定情報の入力経路もしくは動作選択制御系に
前記行選択信号Riと列選択信号Ciとによって夫々ス
イッチ制御される図示しない選択スイッチを有すると共
に、論理決定情報をシリアル入力させるためのタイミン
グクロック信号CLK、そして論理決定情報PDATA
が前記アクセス制御回路ACONTから供給される。
The selector SEL controls the input of the logic decision information PDATA to the shift register SR. This selector SEL
has a selection switch (not shown) which is controlled by the row selection signal Ri and column selection signal Ci in the logic decision information input path or operation selection control system, and also has a timing clock for serially inputting the logic decision information. Signal CLK and logic decision information PDATA
is supplied from the access control circuit ACONT.

次に、前記アクセス制御回路ACONTを使用した場合
のシフトレジスタSRによるプログラム動作の一例につ
いて詳述する。なお、外部の制御装置を使用した場合に
ついても以下の説明と同様にプログラム動作を行うこと
ができる。プログラム動作を行うために必要な情報は、
夫々のシフトレジスタSRの番地を示すアドレス情報(
a−D)、シフトレジスタSRのシフト数もしくは段数
、すなわちプログラムすべきMISFETのようなスイ
ッチ素子の数を示すデータ、(c−D)及び実際のプロ
グラムデータ(p−D)である。
Next, an example of the program operation by the shift register SR when the access control circuit ACONT is used will be described in detail. Note that even when an external control device is used, the program operation can be performed in the same manner as described below. The information necessary to perform program operations is
Address information indicating the address of each shift register SR (
a-D), data indicating the number of shifts or stages of the shift register SR, that is, the number of switch elements such as MISFETs to be programmed; (c-D); and actual program data (p-D).

5tepl: アクセス制御回路ACONTの制御により、前記データ
(a−D) 、  (c−D) 、  (p−D)から
なる第1のデータが、例えば、不揮発性メモリROMか
ら内部レジスタに転送される。
5tepl: Under the control of the access control circuit ACONT, the first data consisting of the data (a-D), (c-D), and (p-D) is transferred from, for example, the nonvolatile memory ROM to the internal register. .

5tep2: アクセス制御回路ACONTは、アドレス情報(a−D
)により、所望のシフトレジスタSRに接続されたセレ
クタSELを選択する。これによって選択されたセレク
タSELは動作可能な状態となって、シフトレジスタS
Rへのタイミングクロック信号CLKやリセット信号等
の各種制御信号が当該シフトレジスタSRに伝達される
5tep2: The access control circuit ACONT receives address information (a-D
) selects the selector SEL connected to the desired shift register SR. As a result, the selected selector SEL becomes operable, and the shift register S
Various control signals such as a timing clock signal CLK and a reset signal to the shift register SR are transmitted to the shift register SR.

5tep3: アクセス制御回路ACONTは、不揮発性メモリROM
から読み出したデータ(P−D)を内部レジスタにロー
ドすると共に、データ(c−D)に相当するクロックパ
ルスを発生し、このクロックパルスにより、内部レジス
タからデータ(p −D)をシフトレジスタSRにシリ
アル転送制御する。
5tep3: The access control circuit ACONT is a non-volatile memory ROM
Loads the data (P-D) read from the internal register into the internal register, generates a clock pulse corresponding to the data (c-D), and uses this clock pulse to shift the data (p-D) from the internal register to the shift register SR. to control serial transfer.

5tep4: 転送されたデータ(p−D)により、MISFETから
成るスイッチのゲート電極への入力状態が決まり、この
結果、論理状態の決定あるいは変更が行われる。
5tep4: The transferred data (p-D) determines the input state to the gate electrode of the switch consisting of MISFET, and as a result, the logic state is determined or changed.

また、アクセス制御回路ACONTにはプログラムデー
タの数を記憶するレジスタが内蔵されており、全てのシ
フトレジスタSRにプログラムデータが転送され、プロ
グラムが完了したことを検出する。プログラムの完了を
検出すると、アクセス制御回路ACONTはその旨のス
テータスあるいは状態信号を前入出力インタフェースI
10を介して外部で検出可能に制御する。
Furthermore, the access control circuit ACONT has a built-in register for storing the number of program data, and detects that the program data has been transferred to all shift registers SR and that the program has been completed. Upon detecting the completion of the program, the access control circuit ACONT sends a status or status signal to that effect to the previous input/output interface I.
10 and is externally detectably controlled.

尚、MISFETで成るスイッチのゲート電極を制御す
るための方式はこれに限定されるものではない。また、
シフトレジスタSRは一つのスイッチ回路SW2のよう
な単一の回路ブロックに一つである必要はなく、一つの
スイッチ回路に二つ、あるいは、二つのスイッチ回路に
一つであってもよい。また、実際に論理状態の決定ある
いは変更を行うMISFETはドレインに入力された信
号が遅延なくソース側に伝達されるのが望ましい。
Note that the method for controlling the gate electrode of the switch made of MISFET is not limited to this. Also,
There is no need to provide one shift register SR in a single circuit block such as one switch circuit SW2, but there may be two in one switch circuit, or one in two switch circuits. Furthermore, it is desirable that a signal input to the drain of the MISFET that actually determines or changes the logic state be transmitted to the source side without delay.

従って、MISFETの構造としては入力信号の電位降
下のないデプレッション型、あるいはゲート電極を昇圧
したエンハンスメント型がよい。もちろん、これに限定
されるものではなく、通常のエンハンスメント型であっ
てもよい。
Therefore, it is preferable for the structure of the MISFET to be a depletion type in which there is no potential drop in the input signal, or an enhancement type in which the gate electrode is boosted. Of course, the present invention is not limited to this, and a normal enhancement type may be used.

第3A図〜第3E図には接続論理ブロックMSの例が示
されている。
An example of a connection logic block MS is shown in FIGS. 3A-3E.

第3A図は2本の配線間を接続する例であり、第3B図
は3本の配線間を接続する例であり、第3C図は4本の
配線間を接続する例であり、第3D図は6本の配線間を
接続する例であり、第3E図は8本の配線間を接続する
例である。これらの例において全ての配線間を接続する
場合には、第3A図の場合は1個、第3B図の場合は3
個、第3C図の場合は6個、第3D図の場合は15個、
そして、第3E図の場合は28個のスイッチMISFE
Tが必要となる。すなわち、n本の配線を接続するには
、n(n−1)/2個のスイッチMISFETが必要と
なる。
3A is an example of connecting two wires, FIG. 3B is an example of connecting three wires, FIG. 3C is an example of connecting four wires, and 3D is an example of connecting four wires. The figure shows an example in which six wires are connected, and FIG. 3E shows an example in which eight wires are connected. In these examples, when connecting all the wires, one wire is used in the case of Figure 3A, and three wires are connected in the case of Figure 3B.
6 pieces in the case of Figure 3C, 15 pieces in the case of Figure 3D,
In the case of Fig. 3E, 28 switches MISFE
T is required. That is, to connect n wires, n(n-1)/2 switch MISFETs are required.

第3D図及び第3E図に示される接続論理ブロックMS
において、同一配線群NLに含まれる配線相互間の接続
は実際はとんど行われることはない。そこで実質的に不
要なスイッチMIS−FETを減らすには、第3D図に
おける端子■と■を接続するためのMISFETと、端
子■と■とを接続するためのMISFETとを設けない
ようにすることができる。第3E図の場合には、端子■
と■、■と■、■と■、■と■の夫々を接続するための
MISF、ETを設けないようにすることができる。
Connection logic block MS shown in FIGS. 3D and 3E
In actuality, interconnects included in the same interconnect group NL are rarely connected to each other. Therefore, in order to reduce the number of practically unnecessary switch MIS-FETs, it is necessary to not provide the MISFET for connecting the terminals ■ and ■ and the MISFET for connecting the terminals ■ and ■ in Fig. 3D. Can be done. In the case of Figure 3E, the terminal ■
It is possible to avoid providing MISF and ET for connecting and ■, ■ and ■, ■ and ■, and ■ and ■, respectively.

第4A図及び第4B図には接続論理ブロックMSのその
他の例が示されている。第4A図に示される接続論理ブ
ロックMSは、縦方向と横方向の配線群の夫々にスイッ
チSWR,SWCを介して接続されると共に、横方向の
スイッチSWRを接続する配線と縦方向のスイッチSW
Cを接続する配線との夫々の交点部分に縦横方向の配線
を接続するためのスイッチSWMを配置して構成される
Other examples of connection logic blocks MS are shown in FIGS. 4A and 4B. The connection logic block MS shown in FIG. 4A is connected to the vertical and horizontal wiring groups via switches SWR and SWC, respectively, and the wiring connecting the horizontal switch SWR and the vertical switch SW.
It is configured by arranging switches SWM for connecting vertical and horizontal wiring at each intersection with the wiring connecting C.

これによれば、配線間の接続の自由度は前例に比べて減
少するが、スイッチMISFETの数を減少させること
ができる。
According to this, although the degree of freedom of connection between wirings is reduced compared to the previous example, the number of switch MISFETs can be reduced.

第4B図に示される例は、交点部分のスイッチSWMの
代わりに特定の交点、例えば、対角部分の交点を直接結
合したものである。このような構成においては配線間の
接続の自由度は一層減るが、論理回路ブロックLCBの
スイッチ回路と組み合わせることにより、全体として配
線間の接続の自由度を向上させたのと同じ結果を得るこ
とができる。
The example shown in FIG. 4B is one in which specific intersections, for example, diagonal intersections, are directly coupled instead of the switches SWM at the intersections. In such a configuration, the degree of freedom of connection between wires is further reduced, but by combining it with the switch circuit of the logic circuit block LCB, the same result as the overall degree of freedom of connection between wires can be obtained. Can be done.

上記実施例によれば、以下の作用効果を得ることができ
る。
According to the above embodiment, the following effects can be obtained.

(1)半導体集積回路の製造後に不揮発性メモリROM
をプログラムすることにより、プログラマブル論理回路
ブロックLCB、IOB、MSの論理状態の決定あるい
は変更を行うことができるので、所望の機能を持つセミ
カスタム又はカスタム半導体集積回路を速やかに得るこ
とができる。
(1) Non-volatile memory ROM after manufacturing semiconductor integrated circuit
By programming, the logic states of the programmable logic circuit blocks LCB, IOB, and MS can be determined or changed, so that a semi-custom or custom semiconductor integrated circuit with desired functions can be quickly obtained.

(2)プログラマブル論理回路ブロックLCB。(2) Programmable logic circuit block LCB.

IOB、MSの論理状態は不揮発性メモリROMの記憶
データによって決定されるから、電源遮断後にも外部か
らプログラムデータの転送を受けることなく、その論理
状態決定情報を内部に保持させることができる。したが
って従来のLCA技術に比べてシステム動作上LSIの
取扱いさらには論理決定のための処理が容易になる。す
なわち、電源を投入してシステムを立ち上げる毎にシス
テムのホストプロセッサなどを介してプログラムデータ
の転送を受ける必要がなく、比較的短い時間でシステム
動作可能になる。
Since the logical states of the IOB and MS are determined by the data stored in the non-volatile memory ROM, the logical state determining information can be retained internally even after the power is turned off without receiving program data transfer from the outside. Therefore, compared to the conventional LCA technique, handling of the LSI in terms of system operation and processing for determining logic becomes easier. That is, there is no need to transfer program data via the host processor of the system each time the system is started up by turning on the power, and the system can be operated in a relatively short time.

(3)多数のプログラマブル論理回路ブロックしCB、
IOB、MSをアレイ状に配置してゲート使用効率を上
げても、夫々の論理状態を決定する情報は一つの不揮発
性メモリROMが保持し、このROMから読み出された
情報は個別的に揮発性記憶素子がラッチするから、斯る
論理状態を保つための回路構成は従来のPLDに比べて
全体的に小さくなり、付帯周辺回路によるチップ占有率
を低く抑えることができる。
(3) A large number of programmable logic circuit blocks, CB,
Even if IOBs and MSs are arranged in an array to increase gate usage efficiency, the information that determines each logic state is held in a single nonvolatile memory ROM, and the information read from this ROM is individually volatile. Since the digital memory element latches, the overall circuit configuration for maintaining such a logic state is smaller than that of a conventional PLD, and the chip occupation rate by ancillary peripheral circuits can be kept low.

(4)プログラマブル論理回路ブロックLCB。(4) Programmable logic circuit block LCB.

IOB、MSの論理状態の決定あるいは変更のためのプ
ログラムデータをシリアルイン・パラレルアウト形式の
シフトレジスタSRにシリアル転送するので、データ線
あるいは制御線の数を減らすことができる。
Since program data for determining or changing the logical states of IOB and MS is serially transferred to the serial-in/parallel-out type shift register SR, the number of data lines or control lines can be reduced.

(5)上記作用効果(4)により、プログラマブル論理
回路ブロックに対するプログラム制御を容易にすること
ができる。
(5) With the above effect (4), program control of the programmable logic circuit block can be facilitated.

(6)プログラムデータの記憶に用いる不揮発性メモリ
ROMは電気的に書込み紫外線で消去するEPROM、
又は電気的に書込み・消去可能なEEPROMで構成し
であるので、論理状態の変更が容易である。
(6) The nonvolatile memory ROM used to store program data is an EPROM that is electrically written and erased with ultraviolet light;
Alternatively, since it is composed of an electrically writable/erasable EEPROM, the logical state can be easily changed.

(7)上記作用効果(6)により、同一の半導体集積回
路であっても、その使用目的により種々の論理を得るこ
とが容易になる。
(7) The above effect (6) makes it easy to obtain various logics depending on the purpose of use even with the same semiconductor integrated circuit.

(8)半導体集積回路は、不揮発性メモリROMをリー
ドアクセスしてプログラマブル論理回路ブロックをプロ
グラムするためのアクセス制御回路ACONTを備えて
いるので、そのプログラムを半導体集積回路自身で容易
に行える。
(8) Since the semiconductor integrated circuit includes the access control circuit ACONT for reading access to the nonvolatile memory ROM and programming the programmable logic circuit block, the semiconductor integrated circuit can easily perform the programming by itself.

次に、本発明の第2の実施例を説明する。Next, a second embodiment of the present invention will be described.

第5図は本発明に係る半導体集積回路をプログラマブル
・ロジック・デバイスに適用した場合のプログラマブル
論理回路ブロックの一例回路図である。同図において、
ANDはプログラマブル・ロジック・デバイスのAND
面を構成する論理回路ブロック、ORはプログラマブル
・ロジック・デバイスのOR面を構成する論理回路ブロ
ックである。
FIG. 5 is a circuit diagram of an example of a programmable logic circuit block when the semiconductor integrated circuit according to the present invention is applied to a programmable logic device. In the same figure,
AND is the AND of programmable logic devices
The logic circuit block forming the plane, OR, is the logic circuit block forming the OR plane of the programmable logic device.

論理回路ブロックANDはマトリックス配置された不揮
発性記憶素子例えばEPROMからなるプログラム可能
な論理関数決定素子Mと、列単位で論理関数決定素子M
のゲート電極に結合された複数のワード線W a n 
dと、行単位で論理関数決定素子Mのデータ入出力端子
に結合された複数のデータ線Dandとから構成されて
いる。また、ワード線W a n dの途中にはスイッ
チMISFETで成る分離用スイッチ5WDandが介
在され、さらにワード線W a n dの両端部が入力
端子IM1、IN2になっている。
The logic circuit block AND includes a programmable logic function determining element M made of a non-volatile memory element arranged in a matrix, for example an EPROM, and a logic function determining element M arranged in columns.
A plurality of word lines W a n coupled to the gate electrodes of W an
d, and a plurality of data lines Dand coupled to data input/output terminals of the logic function determining element M on a row-by-row basis. Furthermore, a separation switch 5WDand made of a switch MISFET is interposed in the middle of the word line W a and d, and both ends of the word line W a and are input terminals IM1 and IN2.

論理回路ブロックORはマトリックス配置された不揮発
性記憶素子例えばEPROMからなるプログラム可能な
論理関数決定素子Mと、行単位で論理関数決定素子Mの
ゲート電極に結合された複数のワード線Worと、列単
位で論理関数決定素子Mのデータ入出力端子に結合され
た複数のデータ線Dorとから構成されている。前記デ
ータ線Dorの途中には、スイッチMISFETで成る
分離用スイッチ5Worが介在され、さらにデータ線D
orの両端部が出力端子○UTI、0UT2になってい
る。そして論理回路ブロックORのワード線Worは、
論理回路ブロックANDにおける対応行のデータ線Da
ndとトランスファMISFETのようなトランスファ
スイッチSWTを介して接続されている。
The logic circuit block OR includes a programmable logic function determining element M made of a non-volatile memory element arranged in a matrix, such as an EPROM, a plurality of word lines Wor coupled to gate electrodes of the logic function determining element M in rows, and columns. Each unit is composed of a plurality of data lines Dor coupled to data input/output terminals of the logic function determining element M. A separation switch 5Wor made of a switch MISFET is interposed in the middle of the data line Dor, and the data line D
Both ends of or are output terminals ○UTI and 0UT2. The word line Wor of the logic circuit block OR is
Data line Da of the corresponding row in the logic circuit block AND
nd through a transfer switch SWT such as a transfer MISFET.

前記多数の分離スイッチSWD a n d 、 5W
Dorは、畳込みPLD (Folded  Prog
rammable   Logic   Device
)を構成するためのものである。PLAのチップサイズ
を小さくするために1通常行われる畳込みPLAは半導
体集積回路製造工程において任意の箇所でセルトランジ
スタ群をブロック化してゲート使用率を向上させるもの
であるが、本実施例では、製造工程で任意の箇所の切断
を許す代わりに、前記分離スイッチ5WDa nd、5
WDo rのスイッチ状態をシフトレジスタのような揮
発性記憶素子を介して任意にプログラム可能にする。揮
発性のスイッチ5WDa n d、5WDo rの代わ
りに、MNOSのような不発性記憶素子をスイッチ素子
として利用すると、斯る不揮発性のスイッチ素子を個別
的にプログラムするための周辺回路が複雑となり、さら
にこのために、チップサイズが大きくなって畳込みPL
Dを構成する意義が減少してしまう。
The plurality of separation switches SWD and 5W
Dor is a convolutional PLD (Folded Prog
rammable Logic Device
). Convolutional PLA, which is normally performed to reduce the PLA chip size, blocks cell transistor groups at arbitrary locations in the semiconductor integrated circuit manufacturing process to improve gate utilization. Instead of allowing disconnection at any point during the manufacturing process, the separation switch 5WDand, 5
The switch state of WDor can be arbitrarily programmed via a volatile storage element such as a shift register. If a non-volatile memory element such as MNOS is used as a switch element instead of the volatile switches 5WDan d and 5WDor, the peripheral circuitry for individually programming such a non-volatile switch element becomes complicated. Furthermore, this increases the chip size and increases the convolutional PL.
The significance of configuring D will decrease.

第6図には第5図の回路を利用したプログラマブル・ロ
ジック・デバイスの全体的なブロック図が示される。
FIG. 6 shows an overall block diagram of a programmable logic device using the circuit of FIG.

6図の例では、周辺回路の増加を防ぐために、不揮発性
記憶素子からなる論理関数決定素子Mへのプログラム回
路は、AND面全体で共通化され。
In the example shown in FIG. 6, in order to prevent an increase in the number of peripheral circuits, the programming circuit for the logic function determining element M made of a nonvolatile memory element is shared across the entire AND plane.

且つOR面全体で共通化されている。すなわち、AND
面のためにプログラム回路PWand、PDandが設
けられ、またOR面のためにプログラム回路PWor、
PDorが設けられている。
Moreover, it is common throughout the entire OR plane. That is, AND
Program circuits PWand, PDand are provided for the OR surface, and program circuits PWor, PWor, and PWor are provided for the OR surface.
PDor is provided.

尚、第6図の構成において分離スイッチ5WDand、
5WDorのスイッチ状態を決定する情報を保持する揮
発性記憶素子は図示されていないが、例えばAND面と
OR面毎にレジスタもしくはラッチ回路を持ち、さらに
それらのために第1図と同様の不揮発性メモリROMや
アクセス制御回路ACONTなどが含まれる。
In addition, in the configuration shown in FIG. 6, the separation switches 5WDand,
Although volatile memory elements that hold information that determines the switch state of 5WDor are not shown, for example, each AND plane and OR plane has a register or latch circuit, and for these, a non-volatile memory element similar to that shown in Fig. 1 is provided. It includes a memory ROM, an access control circuit ACONT, etc.

次に、第6図のプログラマブル・ロジック・デバイスに
対するプログラム方法について、説明する。
Next, a method of programming the programmable logic device shown in FIG. 6 will be explained.

5tepl: 不揮発性記憶素子からなる論理関数決定素子Mにプログ
ラムデータを転送し、論理状態を決定する。この時、分
離用スイッチ5WDand、5WDorは導通状態にし
ておく。また、トランスファスイッチSWTはAND面
とOR面を夫々別々にプログラムするために用いられ、
プログラム時にはオフ状態、論理動作時にはオン状態に
される。
5tepl: Transfer the program data to the logic function determining element M consisting of a non-volatile memory element and determine the logic state. At this time, the separation switches 5WDand and 5WDor are kept in a conductive state. Further, the transfer switch SWT is used to program the AND side and the OR side separately,
It is turned off during programming and turned on during logic operation.

5tep2: 分離用スイッチ5WDand、5WDo rのスイッチ
状態を決定するプログラムデータをROMのような図示
しない不揮発性メモリに記憶する。
5tep2: Program data for determining the switch states of the separation switches 5WD and 5WDor is stored in a non-volatile memory (not shown) such as a ROM.

5tep3: 前記不揮発性メモリに記憶したプログラムデータをレジ
スタを構成するような揮発性記憶素子に転送して1分離
用スイッチSWD a n d 、 5WDorのスイ
ッチ状態を決定して1畳込みを行う。
5tep3: The program data stored in the non-volatile memory is transferred to a volatile storage element that constitutes a register, the switch states of the 1-separation switches SWD and 5WDor are determined, and 1-convolution is performed.

特に、本実施例によれば、プログラマブル・ロジック・
デバイスのAND面のワード線、OR面のデータ線に分
離用スイッチ5WDand、5WDorを設け、これを
揮発性記憶素子並びに不揮発性メモリの記憶情報に基づ
いて任意にスイッチ制御可能にして畳込み構造を実現す
ることができるようにしたから、ゲート使用率の高いプ
ログラマブル・ロジック・デバイスを得ることができる
In particular, according to this embodiment, programmable logic
Separation switches 5WDand and 5WDor are provided on the word line on the AND side and the data line on the OR side of the device, and these can be controlled arbitrarily based on the information stored in the volatile memory element and nonvolatile memory to create a convolutional structure. By making this possible, a programmable logic device with high gate utilization can be obtained.

次に、本発明の第3実施例を第7図に基づいて説明する
Next, a third embodiment of the present invention will be described based on FIG. 7.

第7図において、MLCBは複数のLCBとMSを含ん
で成るプログラム可能な大規模論理回路ブロックである
。これに含まれるLCBやMS、そしてMLCBの外部
に配置された他のLCBやMSは、第1図に基づいて説
明したものと同様に構成される。この構成において、大
規模論理回路ブロックMLCBは他のLCBやMSとは
独立なプログラム可能な論理回路ブロックというよりも
、第1図の構成において、ある領域のLCBとMSをM
LCBとして構成したものとみなすことができる。すな
おち、機能的にまとまりのある論理回路は分散したLC
BとMSで構成するよりもMLCBで構成することで、
LCBとMSの無駄を省くことができるようになる。例
えば、8ビツトのレジスタを構成する場合、離れたLC
BとMSで構成するよりも隣接したLCBとMSで構成
することにより、配線NL、SLを効率よく使用できる
。MLCBの領域は、必要とされる論理回路毎にプログ
ラム時に決めればよい。あるいは、予め標準的な論理回
路を構成するのに必要なプログラムデータを決めておき
、このデータによりMLCBに相当する論理回路を決め
てもよい、LCB。
In FIG. 7, the MLCB is a programmable large-scale logic circuit block that includes a plurality of LCBs and MSs. The LCB and MS included in this, as well as other LCBs and MSs placed outside the MLCB, are configured in the same manner as described based on FIG. 1. In this configuration, the large-scale logic circuit block MLCB is not a programmable logic circuit block that is independent of other LCBs and MSs, but is rather a
It can be considered to be configured as an LCB. In other words, a functionally coherent logic circuit is a distributed LC.
By configuring it with MLCB rather than configuring it with B and MS,
It becomes possible to eliminate waste of LCB and MS. For example, when configuring an 8-bit register, a remote LC
By configuring the LCB and MS adjacent to each other rather than configuring the LCB and MS, the wirings NL and SL can be used more efficiently. The area of the MLCB may be determined at the time of programming for each required logic circuit. Alternatively, program data necessary to configure a standard logic circuit may be determined in advance, and a logic circuit corresponding to the MLCB may be determined using this data.

MS等の使用率とプログラムデータの開発の効率の点か
らは後者が望ましい。
The latter is preferable from the viewpoint of usage rate of MS etc. and efficiency of development of program data.

本実施例によれば、以下の作用効果がある。According to this embodiment, there are the following effects.

(1)機能的にまとまりのある論理回路を、隣接したプ
ログラム可能な論理回路と配線で構成するので、回路の
使用効率もしくはゲートの使用率が向上する。
(1) Since a functionally coherent logic circuit is constructed from adjacent programmable logic circuits and wiring, circuit usage efficiency or gate usage rate is improved.

(2)機能的にまとまりのある論理回路を構成するのに
必要なプログラムデータを予め決めておくので、全体の
プログラムデータの開発効率が向上する。
(2) Since the program data necessary to construct a functionally coherent logic circuit is determined in advance, the overall program data development efficiency is improved.

次に、本発明の第4実施例を第8図に基づいて説明する
Next, a fourth embodiment of the present invention will be described based on FIG. 8.

第8図において、NPLCはプログラムネ可能な回路ブ
ロックである。すなわち、半導体集積回路の製造工程で
機能が決定された回路ブロックである。同図において、
LCB及びMSなどの構成は第1図で説明したものと同
じである。
In FIG. 8, NPLC is a programmable circuit block. That is, it is a circuit block whose function is determined in the manufacturing process of a semiconductor integrated circuit. In the same figure,
The configurations of the LCB, MS, etc. are the same as those explained in FIG.

LCB、MS等のプログラム可能な論理回路ブロックの
みで論理回路を構成することは、半導体集積回路のゲー
ト使用率の点から、効率の悪いことがある。例えば、最
近大規模なメモリを構成した論理回路が広く使用される
ようになってきた。
Constructing a logic circuit using only programmable logic circuit blocks such as LCBs and MSs may be inefficient in terms of gate usage rate of semiconductor integrated circuits. For example, logic circuits configured as large-scale memories have recently come into widespread use.

このような場合、大規模なメモリをプログラム可能な論
理回路ブロックのみで構成することはゲート使用率が非
常に悪くなる。従って、論理回路の中で、汎用性のある
回路ブロックを予め半導体集積回路の製造段階で決定し
て回路ブロックNPLCを構成しておき、更に詳細な仕
様等はLCBやMS等に対するプログラムで決定する。
In such a case, constructing a large-scale memory only from programmable logic circuit blocks will result in a very poor gate utilization rate. Therefore, in the logic circuit, a general-purpose circuit block is determined in advance at the manufacturing stage of the semiconductor integrated circuit to configure the circuit block NPLC, and more detailed specifications are determined by the program for the LCB, MS, etc. .

本実施例によれば、汎用性のある回路ブロックに対して
はその論理構成を予め製造段階で固定化もしくは専用化
しておき、その他の回路ブロックをプログラム可能な論
理回路ブロックで構成するので、ゲート使用率を高くで
き、また、全体のプログラムデータの開発効率も向上さ
せることができる。
According to this embodiment, the logic configuration of a general-purpose circuit block is fixed or dedicated in advance at the manufacturing stage, and other circuit blocks are configured with programmable logic circuit blocks, so that the gate The utilization rate can be increased, and the overall program data development efficiency can also be improved.

次に、本発明の第5実施例を第9図に基づいて説明する
Next, a fifth embodiment of the present invention will be described based on FIG. 9.

第9図において、PLDはプログラム可能な不揮発性記
憶素子を論理関数決定素子として用いたプログラム・ロ
ジック・デバイスである。本実施例におけるPLDはフ
リップ・フロップ等の順序回路を備えている。もちろん
、第2実施例と同じ構成のPLDであってもよい。
In FIG. 9, PLD is a program logic device using a programmable non-volatile memory element as a logic function determining element. The PLD in this embodiment includes a sequential circuit such as a flip-flop. Of course, a PLD having the same configuration as the second embodiment may be used.

PLDはPLAと同様に、ANDアレイとORアレイか
ら構成されているので、基本的にはどのような組合わせ
回路も構成できる。PLDの代わりにLCB、IOB、
MS等のプログラム可能な論理回路ブロックを利用して
所望の論理回路を構成してもよいが、プログラムすべき
論理回路の構成によっては、ゲート使用率の非常に悪い
場合が発生するおそれもある。このような場合に、プロ
グラム可能な論理回路ブロックの一部をPLDにより構
成しておくと、ランダムロジックをPLDで構成したい
という要求にも答えることができる。
Like PLA, PLD is composed of an AND array and an OR array, so basically any combinational circuit can be constructed. LCB, IOB, instead of PLD
Although a desired logic circuit may be configured using a programmable logic circuit block such as an MS, depending on the configuration of the logic circuit to be programmed, there is a possibility that the gate usage rate may be extremely poor. In such a case, by configuring a part of the programmable logic circuit block using a PLD, it is possible to meet the demand for configuring random logic using a PLD.

次に、本発明の第6実施例を第10図に基づいて説明す
る。
Next, a sixth embodiment of the present invention will be described based on FIG. 10.

本実施例ではプログラム可能な論理回路ブロックLCB
を、プログラム可能な不揮発性記憶素子を用いたPLD
で構成している。このPLDとしては第2実施例で説明
したもの、或いはその他の構成のものを採用することが
できる。
In this embodiment, the programmable logic circuit block LCB
A PLD using a programmable non-volatile memory element
It consists of As this PLD, the one described in the second embodiment or one having another configuration can be adopted.

この実施例によれば半導体集積回路の全体的な規模で第
5図及び第6図で説明したような畳込みを行うことがで
きる。
According to this embodiment, convolution as explained in FIGS. 5 and 6 can be performed on the entire scale of the semiconductor integrated circuit.

次に、本発明の第7実施例を第11図に基づいて説明す
る。
Next, a seventh embodiment of the present invention will be described based on FIG. 11.

第11図の例はマイクロコンピュータに適用した実施例
である。同図に示されるマイクロコンピュータは、シリ
コンのような1個の半導体基板に形成され、セントラル
・プロセッシング・ユニット(以下単に中央処理装置と
も記す)CPU、不揮発性メモリROM、揮発性メモリ
RAM、プログラマブル論理回路PL、そして入出力イ
ンタフェースI10を含む。
The example in FIG. 11 is an embodiment applied to a microcomputer. The microcomputer shown in the figure is formed on a single semiconductor substrate such as silicon, and includes a central processing unit (hereinafter simply referred to as central processing unit) CPU, nonvolatile memory ROM, volatile memory RAM, and programmable logic. It includes a circuit PL and an input/output interface I10.

中央処理装置CPUはマイクロプロセッサとしての機能
を持ち、制御部、演算部、種々のレジスタから構成され
ている。不揮発性メモリROMは演算を実行するための
プログラムや種々のデータを記憶するものであり、例え
ばEPROMやEEPROMによって構成される。揮発
性メモリRAMは演算途中のデータなどを一時的に記憶
しておく一時記憶領域若しくはワーク領域として利用さ
れる。入出力インタフェースエ/○は外部とインタフェ
ースされる。
The central processing unit CPU has the function of a microprocessor and is composed of a control section, an arithmetic section, and various registers. The non-volatile memory ROM stores programs for executing calculations and various data, and is constituted by, for example, an EPROM or an EEPROM. The volatile memory RAM is used as a temporary storage area or a work area for temporarily storing data during calculation. Input/output interface E/○ is interfaced with the outside.

プログラマブル論理回路PLは、第1図、第5図、第6
図あるいは第10図に示されるような構成を採っている
。即ち、前記不揮発性メモリROMの情報を受は取って
論理状態を決定するための揮発性記憶素子を少なくとも
含んで構成されている。このマイクロコンピュータに含
まれる夫々の機能モジュ)Lt CU P 、 ROM
 、 RA M 、P L、Iloは、アドレス、デー
タ、制御信号をやりとすするための内部バスBUSによ
って相互に結合されている。特にプログラマブル論理回
路PLにおけるインタフェース部BPは、プログラマブ
ル論理回路PLの論理動作決定のための情報伝達に専用
的に利用される。また、他方のインタフェース部BAは
、論理状態が決定された後の論理動作を行うときに利用
される。プログラマブル論理回路PLに対するプログラ
ム動作において不揮発性メモリROMをリードアクセス
して論理決定用情報をプログラマブル論理回路PLに与
えるためのアクセス制御手段は、前記中央処理装置CP
Uの機能によって実現される。
The programmable logic circuit PL is shown in FIGS. 1, 5, and 6.
The configuration shown in the figure or FIG. 10 is adopted. That is, it is configured to include at least a volatile storage element for receiving and receiving information from the nonvolatile memory ROM and determining a logical state. Each functional module included in this microcomputer) Lt CU P, ROM
, RAM, PL, and Ilo are interconnected by an internal bus BUS for exchanging address, data, and control signals. In particular, the interface section BP in the programmable logic circuit PL is used exclusively for transmitting information for determining the logical operation of the programmable logic circuit PL. Further, the other interface section BA is used when performing a logical operation after the logical state is determined. The access control means for read accessing the nonvolatile memory ROM and providing logic determination information to the programmable logic circuit PL in a program operation for the programmable logic circuit PL is configured to control the access control means for providing logic determination information to the programmable logic circuit PL.
This is realized by the functions of U.

次に、上記マイクロコンピュータの作用を説明する。Next, the operation of the above microcomputer will be explained.

プログラマブル論理回路PLを固定論理回路として使用
する場合には、第1図に示した実施例と同様の方法によ
り、プログラマブル論理回路PLの論理状態を決定する
。例えば中央処理装置cpUが不揮発性メモリROMを
アクセスして論理決定用情報を内部バスBUSに読出し
、これをインタフエース部BPを介してプログラマブル
論理回路PLの揮発性記憶素子に転送する。これにより
、プログラマブル論理回路PLには所望の論理状態が設
定される。このようにして論理状態が決定された後は、
不揮発性メモリROMに格納されている動作プログラム
に基づいてマイクロコンピュータが論理動作を行う。し
たがって、電源投入時から電源遮断時までの動作の間、
PLの論理状態は固定され、製造工程で論理状態を決定
した場合と同じになる。尚、本実施例において不揮発性
メモリROMは通常の演算を実行するためのプログラム
や種々のデータを記憶するメモリとして機能すると共に
、プログラマブル論理回路PLのプログラムデータ゛を
記憶するデータメモリとしても機能する。
When programmable logic circuit PL is used as a fixed logic circuit, the logic state of programmable logic circuit PL is determined by a method similar to the embodiment shown in FIG. For example, the central processing unit cpU accesses the nonvolatile memory ROM, reads logic determination information onto the internal bus BUS, and transfers this to the volatile storage element of the programmable logic circuit PL via the interface section BP. As a result, a desired logic state is set in the programmable logic circuit PL. After the logical state is determined in this way,
A microcomputer performs logical operations based on an operation program stored in a nonvolatile memory ROM. Therefore, during operation from power-on to power-off,
The logic state of the PL is fixed and is the same as the logic state determined during the manufacturing process. In this embodiment, the nonvolatile memory ROM functions as a memory that stores programs and various data for executing normal operations, and also functions as a data memory that stores program data for the programmable logic circuit PL.

マイクロコンピュータの動作途上でプログラマブル論理
回路PLの論理状態を変更することもできる。この論理
状態変更のための処理は上記同様に行うことができる。
It is also possible to change the logic state of the programmable logic circuit PL during the operation of the microcomputer. The process for changing the logical state can be performed in the same manner as described above.

したがって、電源投入時から電源遮断時までの間に+’
 P Lの論理状態を変更することができるから、一つ
の論理回路PLを複数の論理回路として使用でき、見掛
上製造工程で論理状態を決定した複数の論理回路を備え
たと同じことになる。
Therefore, between the time the power is turned on and the time the power is turned off, +'
Since the logic state of PL can be changed, one logic circuit PL can be used as a plurality of logic circuits, which is apparently the same as having a plurality of logic circuits whose logic states are determined in the manufacturing process.

もちろん、前述の作用はCPUの外部の論理状態の決定
あるいは変更を行う場合であるが、cPUの内部の論理
状態の決定あるいは変更を行う場合にも適用できる。
Of course, the above-mentioned operation is for determining or changing the external logical state of the CPU, but can also be applied when determining or changing the internal logical state of the cPU.

本実施例によれば、以下の作用効果がある。According to this embodiment, there are the following effects.

(1)マイクロコンピュータに搭載したプログラマブル
論理回路PLの状態を、半導体集積回路装置の製造後に
決定あるいは変更できるので、同一のマイクロコンピュ
ータLSIから複数の仕様のマイクロコンピュータを得
ることができる。言い換えれば、プログラマブル論理回
路ブロックPLによって任意の周辺機能を実現すること
ができる。
(1) Since the state of the programmable logic circuit PL mounted on the microcomputer can be determined or changed after manufacturing the semiconductor integrated circuit device, microcomputers with a plurality of specifications can be obtained from the same microcomputer LSI. In other words, any peripheral function can be realized by the programmable logic circuit block PL.

(2)マイクロコンピュータに搭載したプログラマブル
論理回路PLの状態を、マイクロコンピュータの動作途
中で変更できるので、一つの論理回路であっても、実質
的に複数の論理回路を搭載したと同じになる。
(2) Since the state of the programmable logic circuit PL mounted on the microcomputer can be changed during the operation of the microcomputer, even a single logic circuit is essentially the same as mounting multiple logic circuits.

(3)上記(2)により、マイクロコンピュータのソフ
トウェア処理をプログラマブル論理回路PLに任意に設
定されたハードウェアによる処理に置き換えることがで
きるので高速の処理が可能となる。
(3) According to (2) above, the software processing of the microcomputer can be replaced with processing by hardware arbitrarily set in the programmable logic circuit PL, so high-speed processing becomes possible.

(4)上記(2)により、マイクロコンピュータの集積
度を向上することができる。
(4) According to (2) above, the degree of integration of the microcomputer can be improved.

(5)マイクロコンピュータに搭載したプログラマブル
論理回路PLの状態の決定あるいは変更を行うためのア
クセス制御を中央処理装置CPUにより行い、プログラ
ムデータは搭載されている不揮発性メモリROMに記憶
するので、余分な制御回路や記憶回路が不要となる。
(5) Access control for determining or changing the state of the programmable logic circuit PL installed in the microcomputer is performed by the central processing unit CPU, and program data is stored in the installed nonvolatile memory ROM, so unnecessary No control circuit or memory circuit is required.

(6)上記(5)により、制御回路と記憶回路をプログ
ラマブル論理回路PLに対するプログラムと、マイクロ
コンピュータとしての論理動作とに共用するので、マイ
クロコンピュータの集積度が向上し、また、システム構
成も簡単になる。
(6) According to (5) above, the control circuit and memory circuit are shared for the program for the programmable logic circuit PL and the logical operation of the microcomputer, so the degree of integration of the microcomputer is improved and the system configuration is also simplified. become.

次に、上記プログラマブル論理回路PLを冗長構成とし
て利用する場合の実施例をマイクロコンピュータなどに
適応して説明する。
Next, an embodiment in which the programmable logic circuit PL is used as a redundant configuration will be described by applying it to a microcomputer or the like.

第12A図〜第12C図に示される半導体集積回路は、
マイクロコンピュータ等の論理集積回路で、破線で囲ま
れた領域に含まれる論理回路ブロック61〜C8は例え
ば半導体集積回路の製造工程で夫々の論理が固定的に決
定されており、これらの論理回路ブロック01〜C8に
よって、一つの機能を備えた論理集積回路が構成される
。プログラマブル論理回路PLは前記実施例で説明した
ように半導体集積回路の製造後に論理状態を決定あるい
は変更可能な論理ブロックである。
The semiconductor integrated circuit shown in FIGS. 12A to 12C is
In a logic integrated circuit such as a microcomputer, the logic circuit blocks 61 to C8 included in the area surrounded by broken lines have their respective logics fixedly determined, for example, in the manufacturing process of semiconductor integrated circuits, and these logic circuit blocks 01 to C8 constitute a logic integrated circuit having one function. The programmable logic circuit PL is a logic block whose logic state can be determined or changed after the semiconductor integrated circuit is manufactured, as described in the previous embodiment.

第12A図に示される論理集積回路は、マイクロコンピ
ュータのように、論理回路ブロック01〜C6が内部バ
スBUSに共通接続されている場合の例である。プログ
ラマブル論理回路PLも内部バスBUSに接続されてい
る。
The logic integrated circuit shown in FIG. 12A is an example of a microcomputer in which logic circuit blocks 01 to C6 are commonly connected to an internal bus BUS. The programmable logic circuit PL is also connected to the internal bus BUS.

第12B図に示される論理集積回路は、論理回路ブロッ
クC1〜C4が直列接続されている場合の例である。夫
々の論理回路ブロック01〜C4は直列接続バスBUS
I、BUS2.BUS3により接続されている。プログ
ラマブル論理回路PLは直列接続バスBUSI、BUS
2.BUS3とは別の冗長用バスRBUSにより、論理
回路ブロック01〜C4に接続されている。
The logic integrated circuit shown in FIG. 12B is an example in which logic circuit blocks C1 to C4 are connected in series. Each logic circuit block 01 to C4 is connected to a serial connection bus BUS.
I, BUS2. Connected by BUS3. Programmable logic circuit PL is serially connected buses BUSI, BUS
2. It is connected to the logic circuit blocks 01 to C4 by a redundant bus RBUS different from BUS3.

第12C図に示される論理集積回路は、論理回路ブロッ
クC1〜C8が内部バスBUSに共通接続された部分と
直列接続バスBUS 1〜BUS4により接続された部
分とが混在している場合の例である。プログラマブル論
理回路PLは冗長用バスRBUSにより、論理回路ブロ
ック01〜C8に接続されている。この場合に、論理回
路ブロックが共通接続された内部バスBUSを部分的に
利用してもよい。
The logic integrated circuit shown in FIG. 12C is an example in which logic circuit blocks C1 to C8 have a portion commonly connected to the internal bus BUS and a portion connected by serially connected buses BUS1 to BUS4. be. The programmable logic circuit PL is connected to the logic circuit blocks 01 to C8 by a redundant bus RBUS. In this case, an internal bus BUS to which logic circuit blocks are commonly connected may be partially utilized.

次に、冗長用としてのプログラマブル論理回路PLを利
用して故障回路を救済する方法について説明する。
Next, a method for repairing a faulty circuit using the redundant programmable logic circuit PL will be described.

半導体集積回路の製造後の動作試験あるいは、その後の
動作中に論理回路ブロックが故障あるいは所望の動作を
行わなくなった場合には次のようにして、この論理回路
ブロックの救済を行う。
If a logic circuit block fails or does not perform the desired operation during an operation test after manufacturing a semiconductor integrated circuit or during subsequent operation, the logic circuit block is repaired as follows.

(1)この故障あるいは所望の動作を行わなくなった論
理回路ブロックと同じ論理機能となるように、プログラ
マブル論理回路PLの論理をプログラムする。
(1) Program the logic of the programmable logic circuit PL so that it has the same logic function as the logic circuit block that has failed or no longer performs the desired operation.

(2)前記故障あるいは所望の動作を行わなくなった論
理回路ブロックを非活性状態にする。
(2) Inactivate the logic circuit block that has failed or is no longer performing the desired operation.

(3)故障あるいは所望の動作を行わなくなった論理回
路ブロックのための入出力信号および各種の制御信号を
プログラマブル論理回路PLに接続する。例えば第12
A図の場合には、第11図の場合と同様に、共通の内部
バスBUSを介して行う。第12B図の場合には、専用
の冗長用バスRBUSを介して行う。すなわち、論理回
路ブロックC2が故障の場合にはC2を非活性状態にし
て、C1、BUS 1、C2、BUS2、C3に至る経
路を、C1、RBUS、PL、RBUS、C3の経路に
変更する。そして第12C図の場合には、第12A図と
第12B図の場合の処理を組合わせればよい。
(3) Connect input/output signals and various control signals for a logic circuit block that has failed or is no longer performing the desired operation to the programmable logic circuit PL. For example, the 12th
In the case of FIG. A, similar to the case of FIG. 11, this is done via the common internal bus BUS. In the case of FIG. 12B, this is done via a dedicated redundant bus RBUS. That is, when the logic circuit block C2 is in failure, C2 is made inactive and the route leading to C1, BUS 1, C2, BUS2, and C3 is changed to the route of C1, RBUS, PL, RBUS, and C3. In the case of FIG. 12C, the processes in FIGS. 12A and 12B may be combined.

尚、本実施例では一つの論理回路ブロックを救済する場
合について説明したが、複数の論理回路ブロックを救済
することも可能である。また、本実施例では一つの半導
体集積回路の中での救済について説明したが、複数の半
導体集積回路からなるシステムにおいても、本実施例の
方法により、故障した半導体集積回路そのものの救済が
できることは言うまでもない。
In this embodiment, the case where one logic circuit block is repaired has been described, but it is also possible to rescue a plurality of logic circuit blocks. Furthermore, although this embodiment has described the repair within a single semiconductor integrated circuit, the method of this embodiment can also be used to repair a failed semiconductor integrated circuit itself in a system consisting of a plurality of semiconductor integrated circuits. Needless to say.

本実施例によれば、以下の作用効果がある。According to this embodiment, there are the following effects.

(1)製造後にプログラム可能なプログラマブル論理回
路PLを搭載しているので、製造工程で論理状態が決定
されている論理回路が故障している場合に、そのプログ
ラマブル論理回路PLで救済できる。
(1) Since it is equipped with a programmable logic circuit PL that can be programmed after manufacturing, if a logic circuit whose logic state is determined during the manufacturing process is out of order, it can be repaired using the programmable logic circuit PL.

(2)上記より、半導体集積回路の歩留を向上させるこ
とができる。さらに少量多品種のセミカスタム半導体集
積回路を迅速に製造および提供することができる。
(2) From the above, the yield of semiconductor integrated circuits can be improved. Furthermore, it is possible to rapidly manufacture and provide a wide variety of semi-custom semiconductor integrated circuits in small quantities.

以上本発明を実施例に基づいて具体的に説明したが、本
発明はそれに限定されるものではなく、その要旨を逸脱
しない範囲において種々変更することができる。
Although the present invention has been specifically described above based on examples, the present invention is not limited thereto, and can be modified in various ways without departing from the gist thereof.

例えば不揮発性メモリの論理決定情報をプログラマブル
論理回路ブロックの揮発性記憶素子に伝達する手法はシ
リアル転送に限定されず、パラレルデータ転送であって
もよい。
For example, the method of transmitting the logic decision information of the nonvolatile memory to the volatile storage element of the programmable logic circuit block is not limited to serial transfer, but may be parallel data transfer.

〔発明の効果〕〔Effect of the invention〕

本願において開示される発明のうち代表的なものによっ
て得られる効果を簡単に説明すれば下記の通りである。
A brief explanation of the effects obtained by typical inventions disclosed in this application is as follows.

すなわち、揮発性記憶素子の記憶情報に従って論理状態
が可変に設定されるプログラマブル論理回路ブロックを
採用すると共に、当該論理回路ブロックの論理状態を決
定するための情報を電気的に書込み可能な内蔵不揮発性
メモリに保持させるようにして半導体集積回路を構成す
ることにより、入出力数や積項数といった観点からプロ
グラマブル論理回路ブロックの内部構成さらには複数個
のプログラマブル論理回路ブロック相互間の配置に自由
度をもたせてゲート使用効率を上げても、それによるチ
ップ専有率の著しい増大を抑えることができると共に、
従来電源投入毎に必要とされていた外部からのプログラ
ムデータの転送が不要になり、プログラマブル論理回路
ブロックを内蔵する半導体集積回路の取扱いを容易にす
ることができるという効果がある。
That is, it employs a programmable logic circuit block whose logic state is variably set according to the information stored in the volatile memory element, and a built-in non-volatile logic circuit block in which information for determining the logic state of the logic circuit block can be electrically written. By configuring a semiconductor integrated circuit in such a way that it is stored in memory, flexibility is gained in the internal configuration of programmable logic circuit blocks in terms of the number of inputs and outputs and the number of product terms, as well as in the arrangement between multiple programmable logic circuit blocks. Even if gate usage efficiency is increased, the resulting significant increase in chip occupation rate can be suppressed, and
This eliminates the need to transfer program data from the outside, which was conventionally required every time the power is turned on, and has the effect of facilitating the handling of a semiconductor integrated circuit incorporating a programmable logic circuit block.

そして、前記プログラマブル論理回路ブロックを複数個
配置すると共に、それらプログラマブル論理回路ブロッ
ク間接続用の配線で結合し、前記配線相互の接続状態を
、一部のプログラマブル論理回路ブロックにて決定する
ように構成することにより、プログラマブル論理回路に
設定可能な論理の柔軟性もしくは融通性をゲートアレイ
に匹敵するほどに高めることができる。
A plurality of the programmable logic circuit blocks are arranged and connected by wiring for connection between the programmable logic circuit blocks, and the connection state between the wirings is determined by some of the programmable logic circuit blocks. By doing so, the flexibility or versatility of the logic that can be set in the programmable logic circuit can be increased to a level comparable to that of a gate array.

また、専用もしくは他の処理に兼用されるアクセス制御
手段を含めて半導体集積回路を構成することにより、不
揮発性メモリに格納された論理決定用情報をプログラマ
ブル論理回路ブロックの揮発性記憶素子にロードする処
理を半導体集積回路臼からが行えるようになる。したが
って、そのような処理を電源投入毎にシステムのホスト
プロセッサなどに負担させずに済むようになる。
In addition, by configuring a semiconductor integrated circuit including an access control means that is dedicated or used for other processing, logic determination information stored in nonvolatile memory can be loaded into the volatile storage element of the programmable logic circuit block. Processing can now be performed from a semiconductor integrated circuit mill. Therefore, it is no longer necessary to burden the host processor of the system with such processing every time the power is turned on.

さらにこのとき、内蔵アクセス制御手段によるプログラ
ム動作の終了を外部に通知可能にしておくことにより、
そのプログラム動作の終了後速やかにシステム動作の開
始が可能になる。
Furthermore, at this time, by making it possible to notify the end of the program operation by the built-in access control means to the outside,
System operation can be started immediately after the program operation is completed.

また、揮発性記憶素子をシリアルイン・パラレルアウト
形式のシフトレジスタによって構成することにより、論
理決定用情報を揮発性記憶素子に転送するための信号配
線数を少なくすることができる。
Further, by configuring the volatile memory element using a serial-in/parallel-out type shift register, the number of signal wires for transferring logic determination information to the volatile memory element can be reduced.

さらに、本発明の半導体集積回路をマイクロコンピュー
タに適用するような場合に、前記プログラマブル論理回
路ブロックを利用して論理制御動作を行うセントラル・
プロセッシング・ユニットを含めておくことにより、そ
のプログラマブル論理回路ブロックを利用してセントラ
ル・プロセッシング・ユニットのための所望の周辺機能
を実現することができ、また、プログラマブルであるが
故に周辺機能に対する冗長としても利用することができ
るという効果がある。
Furthermore, when the semiconductor integrated circuit of the present invention is applied to a microcomputer, a central computer that performs logic control operations using the programmable logic circuit block may be used.
By including the processing unit, its programmable logic circuit block can be used to implement the desired peripheral functions for the central processing unit, and since it is programmable, it can also be used as a redundant function for peripheral functions. It has the advantage that it can also be used.

【図面の簡単な説明】[Brief explanation of the drawing]

第1図は本発明の一実施例に係る半導体集積回路のブロ
ック図、 第2A図はプログラマブル論理回路ブロックの一例であ
る論理回路ブロックのブロック図、第2B図は論理回路
ブロックに含まれるスイッチ回路の一例ブロック図、 第2C図は揮発性記憶素子によって構成されるシフトレ
ジスタの一例ブロック図。 第3A図から第3E図は夫々プログラマブル論理回路ブ
ロックのその他の例である接続論理ブロックの回路図、 第4A図及び第4B図は接続論理ブロックの他の例を示
す回路図。 第5図は本発明をプログラマブル・ロジック・デバイス
に適用した場合のプログラマブル論理回路ブロックの一
例回路図、 第6図は第5図に示される回路を利用したプログラマブ
ル・ロジック・デバイスの全体的なブロック図、 第7図は本発明の他の実施例ブロック図、第8図は本発
明のその他の実施例ブロック図、第9図は本発明のさら
にその他の実施例ブロック図。 第10図は本発明のさらに別の実施例ブロック図、 第11図は本発明をマイクロコンピュータに適用した実
施例ブロック図、 第12A図から第12C図は夫々本発明に係る半導体集
積回路のプログラマブル論理回路ブロックを冗長構成と
して利用する場合の実施例ブロック図である。 LCB・・・論理回路ブロック、IOB・・・入出力回
路ブロック、MS・・・接続論理ブロック、NL・・・
配線群、SR・・・シフトレジスタ、5LAT1〜5L
AT15・・・スタティックラッチ、SEL・・・セレ
クタ、ACONT・・・アクセス制御回路、ROM・・
・不揮発性メモリ、LC・・・論理回路部、SWI、S
W2・・・スイッチ回路、AND・・・論理回路ブロッ
ク、○R・・・論理回路ブロック、5WDa n d、
5WDo r・・・分離スイッチ、MLCB・・・大規
模論理回路ブロック、CPU・・・セントラル・プロセ
ッシング・ユニット、PL・・・プログラマブル論理回
路。 A 第 2B 図 第 C 図 第30図 1 第 A 図 L−1 第 B 図 第 C 図 第 4A図 Nし L 第 4B L 図 第 を 図 第 8 図 第 図 L 第 10図 第 1 図 第 12A図
FIG. 1 is a block diagram of a semiconductor integrated circuit according to an embodiment of the present invention, FIG. 2A is a block diagram of a logic circuit block that is an example of a programmable logic circuit block, and FIG. 2B is a switch circuit included in the logic circuit block. Example Block Diagram FIG. 2C is an example block diagram of a shift register configured with volatile memory elements. 3A to 3E are circuit diagrams of connection logic blocks which are other examples of programmable logic circuit blocks, and FIGS. 4A and 4B are circuit diagrams showing other examples of connection logic blocks. Figure 5 is a circuit diagram of an example of a programmable logic circuit block when the present invention is applied to a programmable logic device, and Figure 6 is an overall block diagram of a programmable logic device using the circuit shown in Figure 5. FIG. 7 is a block diagram of another embodiment of the invention, FIG. 8 is a block diagram of another embodiment of the invention, and FIG. 9 is a block diagram of still another embodiment of the invention. FIG. 10 is a block diagram of yet another embodiment of the present invention, FIG. 11 is a block diagram of an embodiment in which the present invention is applied to a microcomputer, and FIGS. 12A to 12C are programmable semiconductor integrated circuits according to the present invention. FIG. 2 is a block diagram of an embodiment in which logic circuit blocks are used as a redundant configuration. LCB...logic circuit block, IOB...input/output circuit block, MS...connection logic block, NL...
Wiring group, SR...shift register, 5LAT1~5L
AT15...Static latch, SEL...Selector, ACONT...Access control circuit, ROM...
・Non-volatile memory, LC...logic circuit section, SWI, S
W2...Switch circuit, AND...Logic circuit block, ○R...Logic circuit block, 5WDan d,
5WDor...separation switch, MLCB...large scale logic circuit block, CPU...central processing unit, PL...programmable logic circuit. A Fig. 2B Fig. C Fig. 30 Fig. 1 Fig. A Fig. L-1 Fig. B Fig. C Fig. 4A Fig. N and L Fig. 4B L Fig. 8 Fig. L Fig. 10 Fig. 1 Fig. 12A figure

Claims (1)

【特許請求の範囲】 1、情報を電気的に書込み可能な不揮発性メモリと、 前記不揮発性メモリの記憶情報に従った情報を保持する
ための揮発性記憶素子を含み、該揮発性記憶素子の記憶
情報に従って論理状態が可変に設定されるプログラマブ
ル論理回路ブロックとを、 一つの半導体基板に含んで成る半導体集積回路。 2、前記プログラマブル論理回路ブロックを複数個配置
すると共に、それらプログラマブル論理回路ブロックを
ブロック間接続用の配線で結合し、 前記配線相互の接続状態を、一部のプログラマブル論理
回路ブロックにて決定するようにされて成る 請求項1記載の半導体集積回路。 3、前記不揮発性メモリから読み出した論理決定用情報
を所要の揮発性記憶素子に書込むアクセス制御手段を含
む請求項1又は2記載の半導体集積回路。 4、前記アクセス制御手段によりプログラマブル論理回
路ブロックの論理状態が一通り決定された状態を外部に
通知するためのインタフェース手段を含む請求項3記載
の半導体集積回路。 5、前記プログラマブル論理回路ブロックの揮発性記憶
素子はシリアルイン・パラレルアウト形式のシフトレジ
スタに含まれ、 前記アクセス制御手段は、前記シフトレジスタに対する
選択制御、並びに情報のシリアル転送制御を可能にされ
て成る 請求項3記載の半導体集積回路。 6、前記プログラマブル論理回路ブロックを利用して論
理動作を行うセントラル・プロセッシング・ユニットを
含む請求項1乃至5の何れか1項に記載の半導体集積回
路。
[Claims] 1. A non-volatile memory in which information can be written electrically; and a volatile memory element for retaining information according to the information stored in the non-volatile memory; A semiconductor integrated circuit that includes a programmable logic circuit block whose logic state is variably set according to stored information on a single semiconductor substrate. 2. A plurality of the programmable logic circuit blocks are arranged, and the programmable logic circuit blocks are connected by wiring for connecting between the blocks, and the mutual connection state of the wiring is determined by some of the programmable logic circuit blocks. 2. The semiconductor integrated circuit according to claim 1, comprising: 3. The semiconductor integrated circuit according to claim 1, further comprising access control means for writing logic determination information read from the nonvolatile memory into a required volatile storage element. 4. The semiconductor integrated circuit according to claim 3, further comprising interface means for notifying the outside of a state in which the logic states of the programmable logic circuit blocks have been determined by the access control means. 5. The volatile storage element of the programmable logic circuit block is included in a serial-in/parallel-out type shift register, and the access control means is capable of controlling selection of the shift register and controlling serial transfer of information. 4. The semiconductor integrated circuit according to claim 3. 6. The semiconductor integrated circuit according to claim 1, further comprising a central processing unit that performs logical operations using the programmable logic circuit block.
JP1278272A 1989-10-25 1989-10-25 Semiconductor integrated circuit Pending JPH03139863A (en)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP1278272A JPH03139863A (en) 1989-10-25 1989-10-25 Semiconductor integrated circuit

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP1278272A JPH03139863A (en) 1989-10-25 1989-10-25 Semiconductor integrated circuit

Publications (1)

Publication Number Publication Date
JPH03139863A true JPH03139863A (en) 1991-06-14

Family

ID=17595038

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP1278272A Pending JPH03139863A (en) 1989-10-25 1989-10-25 Semiconductor integrated circuit

Country Status (1)

Country Link
JP (1) JPH03139863A (en)

Cited By (9)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US5386550A (en) * 1992-01-24 1995-01-31 Fujitsu Limited Pseudo-LSI device and debugging system incorporating same
JPH07142996A (en) * 1993-11-17 1995-06-02 Nec Corp Field programmable gate array device
JPH07159498A (en) * 1992-07-29 1995-06-23 Xilinx Inc Method for constituting constitution control system, constitution control unit and fpga and method for receiving data existing on connecting line
EP0782144A1 (en) * 1995-12-29 1997-07-02 STMicroelectronics S.r.l. Programmable device with basic modules electrically connected by flash memory cells
JP2004525439A (en) * 2000-12-19 2004-08-19 ピコチップ デザインズ リミテッド Processor architecture
JP2006020329A (en) * 2004-07-02 2006-01-19 Altera Corp Equivalent of application-specific integrated circuit of programmable logic, and relating method
JP2007013938A (en) * 2005-06-02 2007-01-18 Toshiba Corp Semiconductor integrated circuit device
JP2008278508A (en) * 1993-08-03 2008-11-13 Actel Corp Method of interconnecting integrated circuit, and programmable logic circuit
CN108028654A (en) * 2015-10-15 2018-05-11 门塔公司 System and method for test and the configuration of FPGA

Cited By (17)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US5386550A (en) * 1992-01-24 1995-01-31 Fujitsu Limited Pseudo-LSI device and debugging system incorporating same
JPH07159498A (en) * 1992-07-29 1995-06-23 Xilinx Inc Method for constituting constitution control system, constitution control unit and fpga and method for receiving data existing on connecting line
JP2008278508A (en) * 1993-08-03 2008-11-13 Actel Corp Method of interconnecting integrated circuit, and programmable logic circuit
JPH07142996A (en) * 1993-11-17 1995-06-02 Nec Corp Field programmable gate array device
US6005411A (en) * 1995-12-29 1999-12-21 Sgs-Thomson Microelectronics S.R.L. Monolithically integrated programmable device having elementary modules connected electrically by means of memory cells of the flash type
EP0782144A1 (en) * 1995-12-29 1997-07-02 STMicroelectronics S.r.l. Programmable device with basic modules electrically connected by flash memory cells
JP2004525439A (en) * 2000-12-19 2004-08-19 ピコチップ デザインズ リミテッド Processor architecture
JP2006020329A (en) * 2004-07-02 2006-01-19 Altera Corp Equivalent of application-specific integrated circuit of programmable logic, and relating method
US8291355B2 (en) 2004-07-02 2012-10-16 Altera Corporation Application-specific integrated circuit equivalents of programmable logic and associated methods
JP2012235499A (en) * 2004-07-02 2012-11-29 Altera Corp Application-specific integrated circuit equivalent of programmable logic and associated method
JP2014131365A (en) * 2004-07-02 2014-07-10 Altera Corp Application-specific integrated circuit equivalent of programmable logic and associated method
US8863061B2 (en) 2004-07-02 2014-10-14 Altera Corporation Application-specific integrated circuit equivalents of programmable logic and associated methods
JP2007013938A (en) * 2005-06-02 2007-01-18 Toshiba Corp Semiconductor integrated circuit device
CN108028654A (en) * 2015-10-15 2018-05-11 门塔公司 System and method for test and the configuration of FPGA
JP2018537871A (en) * 2015-10-15 2018-12-20 マンタ System and method for FPGA testing and configuration
JP2021145339A (en) * 2015-10-15 2021-09-24 マンタ System and method for fpga testing and configuration
CN108028654B (en) * 2015-10-15 2023-04-04 门塔公司 System and method for testing and configuration of an FPGA

Similar Documents

Publication Publication Date Title
US5809281A (en) Field programmable gate array with high speed SRAM based configurable function block configurable as high performance logic or block of SRAM
US5737766A (en) Programmable gate array configuration memory which allows sharing with user memory
US5801547A (en) Embedded memory for field programmable gate array
JP3180905B2 (en) Repairable semiconductor memory array and method of manufacturing repairable semiconductor memory array
EP0351984A2 (en) Programmable interface for computer system peripheral circuit card
US5099150A (en) Circuit block for programmable logic devices, configurable as a user-writable memory or a logic circuit
US4872137A (en) Reprogrammable control circuit
JPH01109599A (en) Writable and erasable semiconductor memory device
JPS60182151A (en) Method and device for forming electric matrix of functioningcircuit
JPS6412096B2 (en)
JP2001189094A (en) Memory space control device, semiconductor integrated circuit device, and integrated circuit system
JPH0378720B2 (en)
KR100785938B1 (en) Semiconductor integrated circuit device
US6029236A (en) Field programmable gate array with high speed SRAM based configurable function block configurable as high performance logic or block of SRAM
JPH03139863A (en) Semiconductor integrated circuit
JP2000138579A (en) Basic cell and basic cell two-dimensional array for programmable logic lsi
JPH088344A (en) Redundant circuit
US7793033B2 (en) Serial memory comprising means for protecting an extended memory array during a write operation
JPH10242433A (en) Semiconductor storage device
JP2003085994A (en) Semiconductor integrated circuit device
JPH0542079B2 (en)
JP2900944B2 (en) Semiconductor memory
US7225321B2 (en) Reprogrammable microprogram based reconfigurable multi-cell logic concurrently processing configuration and data signals
EP3460799B1 (en) Semiconductor storage device and method for controlling semiconductor storage device
JPH08124398A (en) Semiconductor memory