JPH0311955Y2 - - Google Patents

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JPH0311955Y2
JPH0311955Y2 JP1982121631U JP12163182U JPH0311955Y2 JP H0311955 Y2 JPH0311955 Y2 JP H0311955Y2 JP 1982121631 U JP1982121631 U JP 1982121631U JP 12163182 U JP12163182 U JP 12163182U JP H0311955 Y2 JPH0311955 Y2 JP H0311955Y2
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high frequency
signal
frequency signal
variable capacitance
vtr
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Description

【考案の詳細な説明】 本考案は例えばアンテナで受信した高周波信号
を、テレビ受像機(以下TVと略記する)および
ビデオテープレコーダ(以下VTRと略記する)
に分配し、且つ、このVTRの出力信号およびア
ンテナで受信中の高周波信号が互いに干渉するこ
とを阻止し得る高周波スイツチに関する。
[Detailed description of the invention] The present invention transmits high frequency signals received by an antenna to a television receiver (hereinafter abbreviated as TV) and a video tape recorder (hereinafter abbreviated as VTR).
The present invention relates to a high frequency switch that can distribute the output signal of the VTR and the high frequency signal being received by the antenna from interfering with each other.

第1図はこの種の高周波スイツチの概略機能を
説明するための図で、アンテナ1で受信された高
周波信号は高周波スイツチ2に取込まれ、次い
で、この高周波信号の一部がVTR3に、その残
りの信号がTV4にそれぞれ分配される。また、
VTR3の出力信号(高周波信号)は高周波スイ
ツチ2を介してTV4に加えられる。このとき高
周波スイツチ2はVTR3の出力信号がアンテナ
1に伝送され、不要副射を生じないように、かつ
アンテナ1で受信した信号がTV4に送り込まれ
ないようにしなければならない。
FIG. 1 is a diagram for explaining the general function of this type of high-frequency switch. A high-frequency signal received by an antenna 1 is taken into a high-frequency switch 2, and then a part of this high-frequency signal is sent to a VTR 3. The remaining signals are distributed to each TV4. Also,
The output signal (high frequency signal) of the VTR 3 is applied to the TV 4 via the high frequency switch 2. At this time, the high frequency switch 2 must ensure that the output signal of the VTR 3 is transmitted to the antenna 1 so that unnecessary side radiation does not occur, and that the signal received by the antenna 1 is not sent to the TV 4.

なお、ここでは高周波スイツチ2とVTR3と
をそれぞれ別個のブロツクで示しているが、この
高周波スイツチ2は本来VTR3の内部に組込ま
れるもので、ここに言うVTR3に取込まれる信
号とはチユーナに取込まれる信号で、VTR3の
出力信号とはコンバータより出力される信号であ
る。
Although the high frequency switch 2 and the VTR 3 are shown as separate blocks here, the high frequency switch 2 is originally built into the VTR 3, and the signals taken into the VTR 3 referred to here are the signals taken into the tuner. The output signal of the VTR 3 is the signal output from the converter.

第2図は係る機能を備えている従来の高周波ス
イツチ2の構成を示す基本的な回路図であつて、
第1の高周波信号発生源に係るアンテナ1が接続
される入力端子11は落雷対策用の高域フイルタ
21およびFM混信妨害を軽減するための、一般
にはFMトラツプと呼ばれる帯域消去フイルタ2
2を介して高周波トランス23の一次巻線に接続
されている。この高周波トランス23の二次巻線
の一端の端子aおよび他端の端子bは抵抗によつ
て接続され、また一次巻線の中間部および二次巻
線の中間部は共通接続されるとともにコンデンサ
24を介して接地されている。しかして、アンテ
ナより送り込まれた信号が高周波トランスの一次
巻線に加えられると、接地位置に応じたレベルの
信号が端子aおよびbに現れる。ここで、端子a
は第1の機器系統としてのVTR3の図示しない
入力端子に信号を供給するための出力端子12に
接続され、もう一つの端子bは直列接続されてな
る4個のコイル25,26,27,28を介して
第2の機器系統としてのTV4の図示しない入力
端子に信号を供給するための出力端子13に接続
されている。また、これらのコイル25〜28の
相互接続点にはそれぞれ陰極が接地されたダイオ
ード29,30,31の陽極が、出力端子13に
はダイオード32の陰極がそれぞれ接続されてお
り、さらにこのダイオード32の陽極および第2
の高周波信号発生源としてのVTR3の信号を受
ける入力端子14間には直流分を阻止するための
コンデンサ33が、該ダイオード32の陽極およ
びVTR3の制御信号を受ける制御端子15間に
は交流分を阻止するためのコイル34がそれぞれ
接続されている。
FIG. 2 is a basic circuit diagram showing the configuration of a conventional high frequency switch 2 equipped with such a function.
The input terminal 11 to which the antenna 1 related to the first high frequency signal generation source is connected is connected to a high frequency filter 21 for lightning protection and a band elimination filter 2 generally called an FM trap for reducing FM interference.
2 to the primary winding of a high frequency transformer 23. Terminal a at one end and terminal b at the other end of the secondary winding of this high frequency transformer 23 are connected through a resistor, and an intermediate portion of the primary winding and an intermediate portion of the secondary winding are commonly connected and capacitor It is grounded via 24. When a signal sent from the antenna is applied to the primary winding of the high frequency transformer, a signal with a level corresponding to the grounding position appears at terminals a and b. Here, terminal a
is connected to an output terminal 12 for supplying a signal to an input terminal (not shown) of the VTR 3 as a first equipment system, and the other terminal b is connected to four coils 25, 26, 27, 28 connected in series. is connected to an output terminal 13 for supplying a signal to an input terminal (not shown) of a TV 4 as a second equipment system. Furthermore, the anodes of diodes 29, 30, and 31 whose cathodes are grounded are connected to the interconnection points of these coils 25 to 28, respectively, and the cathodes of a diode 32 are connected to the output terminal 13. anode and second
A capacitor 33 is connected between the input terminal 14 which receives the signal of the VTR 3 as a high frequency signal generation source for blocking the DC component, and a capacitor 33 is connected between the anode of the diode 32 and the control terminal 15 which receives the control signal of the VTR 3 to block the AC component. A coil 34 for blocking is connected to each.

しかして、第1図に示されたVTR3が何等操
作されない場合、若しくは、記録操作のみが行な
われる場合には、制御端子15は略接地電位に保
たれることになり、ダイオード29〜32は全て
オフ状態にある。よつて、入力端子11に取込ま
れた高周波信号はVTR3とTV4とに分配され
る。
Therefore, when the VTR 3 shown in FIG. 1 is not operated in any way, or when only a recording operation is performed, the control terminal 15 is kept at approximately ground potential, and the diodes 29 to 32 are all connected. It is in the off state. Therefore, the high frequency signal taken into the input terminal 11 is distributed to the VTR 3 and TV 4.

次に、前記VTR3が再出操作された場合には、
制御端子15に直流電圧が印加され、ダイオード
29〜32は全てオン状態になる。これにより、
高周波トランス23の二次巻線の一端bに誘起さ
れた信号はダイオード29,30,31を通して
接地点側に流れ込んで、出力端子13には到達し
得ず、これに代わつて、入力端子14に加えられ
るVTR3の信号がコンデンサ33およびダイオ
ード32を介して出力端子13に到達する。
Next, when the VTR 3 is operated again,
A DC voltage is applied to the control terminal 15, and the diodes 29 to 32 are all turned on. This results in
The signal induced at one end b of the secondary winding of the high frequency transformer 23 flows into the grounding point side through the diodes 29, 30, 31, and cannot reach the output terminal 13. Instead, the signal is sent to the input terminal 14. The applied signal from the VTR 3 reaches the output terminal 13 via the capacitor 33 and the diode 32.

すなわち、第2図に示した高周波スイツチは、
アンテナで受信した高周波信号をVTR3および
TV4に分配する機能と、VTR3の出力信号を
TV4に供給するとき、アンテナで受信中の高周
波信号がTV4に到達することを阻止する機能と
を備えている。
That is, the high frequency switch shown in Fig. 2 is
The high frequency signal received by the antenna is transmitted to the VTR3 and
Function to distribute to TV4 and output signal of VTR3
It has a function of preventing the high frequency signal being received by the antenna from reaching the TV 4 when being supplied to the TV 4.

かかる、従来の高周波スイツチにあつては、オ
ン状態にあるダイオード29〜31が高周波トラ
ンスの二次巻線に誘起された信号を接地点側に逃
がしているけれども、コンデンサ33およびダイ
オード32を介して送り込まれるVTR3の出力
信号をも減衰させるため、その損失がかなり大き
くなるという欠点があつた。
In such a conventional high frequency switch, the diodes 29 to 31 in the on state release the signal induced in the secondary winding of the high frequency transformer to the ground side, but the signal is transmitted via the capacitor 33 and the diode 32. It also attenuated the output signal of the VTR 3, which had the disadvantage that the loss was quite large.

一方、ダイオード29〜31がオフ状態にある
とき、高周波トランスの二次巻線の一端bに誘起
される信号中に、若干レベルの大きい成分が含ま
れていると、このレベルの大きい信号成分によつ
てダイオード29〜31が導通する惧れがあり、
二次巻線の一端bに誘起された信号を確実にTV
4に導き得ないという欠点があつた。
On the other hand, when the diodes 29 to 31 are in the OFF state, if the signal induced at one end b of the secondary winding of the high-frequency transformer contains a slightly high-level component, this high-level signal component Therefore, there is a risk that the diodes 29 to 31 may become conductive.
The signal induced at one end b of the secondary winding is
The drawback was that it could not lead to 4.

また、ダイオードに流れる電流Iは初期の電流
をI0とし、静電容量を、その両端電圧をV、時間
をTとすれば、I=I0(e-qV/kT)で表わされるか
ら大入力信号に対しては上式はテーラー展開した
場合にその2次以降の項が生じて信号以上の入力
に対してそのビート信号を生じインターモジユレ
ーシヨンを生じるという欠点があつた。
Furthermore, the current I flowing through the diode is expressed as I=I 0 (e -qV/kT ), where the initial current is I 0 , the voltage across the capacitance is V, and the time is T, so it is very large. For an input signal, the above equation has a drawback in that when it is expanded by Taylor, terms of the second order and higher order are generated, and a beat signal is generated for an input larger than the signal, resulting in intermodulation.

本考案は上記の事情を考慮してなされたもの
で、第1の高周波信号を二つの系統に分配し、且
つ、第2の信号を他に優先して一つの系統に送り
込む場合の電力損失を極めて低く抑さえ得る高周
波スイツチの提供を目的とする。
The present invention was developed in consideration of the above circumstances, and it reduces power loss when the first high-frequency signal is distributed to two systems and the second signal is sent to one system with priority over the other. The purpose of this invention is to provide a high frequency switch that can suppress extremely low frequencies.

以下、添付図面を参照して本考案の一実施例に
ついて説明する。
Hereinafter, one embodiment of the present invention will be described with reference to the accompanying drawings.

第3図は本考案に係る高周波スイツチの構成を
示す回路図で、第2図と同一の符号を付したもの
はそれぞれ同一の要素を示している。そして、第
2図中のダイオード29〜32の代わりに第1の
スイツチング素子を構成するトランジスタ41〜
43及び第2のスイツチング素子を構成するトラ
ンジスタ44が用いられたこと、および整流特性
を有し、且つ端子間に印加される逆バイアス電圧
に応じて静電容量が変化する可変容量ダイオード
45,46の陰極を突き合せ接続してなる可変容
量回路がコイル28と直列にして設けられた点が
第2図と大きく異つている。
FIG. 3 is a circuit diagram showing the configuration of the high frequency switch according to the present invention, and the same reference numerals as in FIG. 2 indicate the same elements. In place of the diodes 29 to 32 in FIG. 2, transistors 41 to 41 constituting the first switching elements are used.
43 and a transistor 44 constituting the second switching element, and variable capacitance diodes 45 and 46 having rectifying characteristics and whose capacitance changes depending on the reverse bias voltage applied between the terminals. The difference from FIG. 2 is that a variable capacitance circuit formed by butt-connecting the cathodes of the coil 28 is provided in series with the coil 28.

なお、トランジスタ41〜44はNPN形のも
のが用いられ、このうちトランジスタ41〜43
のエミツタは接地され、かつこれらのトランジス
タのコレクタは上記コイル25〜28の相互接続
点に接続されており、さらにこれらのトランジス
タのベースはそれぞれ抵抗47〜49を介して制
御端子15に接続されている。また、トランジス
タ44のエミツタは抵抗52を介して接地される
とともに、コンデンサ54を介して入力端子に接
続され、そのベースは抵抗51を介して制御端子
15に接続され、さらにそのコレクタは可変容量
ダイオード46の陽極に接続されている。
Note that transistors 41 to 44 are of NPN type, among which transistors 41 to 43 are
The emitters of these transistors are grounded, and the collectors of these transistors are connected to the interconnection points of the coils 25 to 28, and the bases of these transistors are connected to the control terminal 15 via resistors 47 to 49, respectively. There is. Further, the emitter of the transistor 44 is grounded via a resistor 52 and connected to the input terminal via a capacitor 54, its base is connected to the control terminal 15 via a resistor 51, and its collector is connected to a variable capacitance diode. 46 anodes.

また、前記可変容量ダイオード45の陽極はコ
イル28に、可変容量ダイオード46の陽極は高
域フイルタ55を介して出力端子13に、相互に
突き合わされるこれらの可変容量ダイオードの陰
極はコイル53と抵抗50との直列回路を介して
制御端子15にそれぞれ接続されている。
Further, the anode of the variable capacitance diode 45 is connected to the coil 28, the anode of the variable capacitance diode 46 is connected to the output terminal 13 via the high-pass filter 55, and the cathodes of these variable capacitance diodes that are butted against each other are connected to the coil 53 and the resistor. 50 and are respectively connected to the control terminal 15 via a series circuit.

上記の如く構成された本考案の高周波スイツチ
の作用を以下に説明する。
The operation of the high frequency switch of the present invention constructed as described above will be explained below.

先ず、VTR3が何等操作されない場合、若し
くは記録操作のみが行なわれている場合、制御端
子は略接地電位に保たれているため、トランジス
タ41〜44は全てオフ状態であり、また可変容
量ダイオード45,46の相互接続点cにも何等
電圧が加わらない。よつて、前記可変容量ダイオ
ード45および46の静電容量が大きいことから
そのインピーダンスは低くなる。したがつて、前
記高周波トランス23の二次巻線に誘起された信
号はその端子bからコイル25〜28、可変容量
ダイオード45,46および高域フイルタ55を
通つて出力端子13に到達する。
First, when the VTR 3 is not operated in any way or when only a recording operation is performed, the control terminal is kept at approximately ground potential, so the transistors 41 to 44 are all off, and the variable capacitance diodes 45, No voltage is applied to the interconnection point c of 46 either. Therefore, since the electrostatic capacitance of the variable capacitance diodes 45 and 46 is large, their impedance becomes low. Therefore, the signal induced in the secondary winding of the high-frequency transformer 23 reaches the output terminal 13 from its terminal b through the coils 25 to 28, the variable capacitance diodes 45 and 46, and the high-pass filter 55.

なお、コイル25〜28のインピーダンスは比
較的小さく、逆に可変容量ダイオード45,46
の陰極に接続されたコイル53のインピーダンス
は極めて大きくなるように、それぞれの値が適切
に選定されている。
Note that the impedance of the coils 25 to 28 is relatively small, and conversely, the impedance of the variable capacitance diodes 45 and 46 is
The respective values are appropriately selected so that the impedance of the coil 53 connected to the cathode of the coil 53 is extremely large.

ここで、トランジスタは原理的にはダイオード
として利用しているため2個のダイオードの逆接
続と考えられ、大入力信号に対してオンすること
がなく、インターモジユレーシヨンも生じにく
い、又同様に逆接続されたバリスタについても同
様の効果が有る。
Here, since the transistor is used as a diode in principle, it can be thought of as two diodes connected in reverse, so it will not turn on in response to a large input signal, and intermodulation will not occur easily. A similar effect is obtained for a varistor that is reversely connected to the varistor.

次に、前記VTR3が再生操作された場合には
制御端子15に直流電圧が印加され、トランジス
タ41〜44にベース電流が供給されることか
ら、これらのトランジスタは全てオン状態とな
り、また、可変容量ダイオード45,46の陰極
には制御端子15の電圧がそのまま印加され、こ
れらのダイオードの静電容量も著しく小さくな
る。このことは、高周波トランス23の二次巻線
の端子bと接地点とのインピーダンスが極めて小
さくなり、しかも可変容量ダイオード45および
46のインピーダンスが格段に大きくなる。よつ
て、高周波トランス23の二次巻線に誘起された
信号はその端子bからトランジスタ41〜43を
通して設置点側に逃がされ、同時に可変容量ダイ
オード45および46がその信号の通過を阻止し
ている。
Next, when the VTR 3 is operated for reproduction, a DC voltage is applied to the control terminal 15 and base current is supplied to the transistors 41 to 44, so that all of these transistors are turned on, and the variable capacitance is The voltage at the control terminal 15 is directly applied to the cathodes of the diodes 45 and 46, and the capacitance of these diodes is also significantly reduced. This means that the impedance between the terminal b of the secondary winding of the high-frequency transformer 23 and the ground point becomes extremely small, and the impedance of the variable capacitance diodes 45 and 46 becomes significantly large. Therefore, the signal induced in the secondary winding of the high-frequency transformer 23 is allowed to escape from its terminal b through the transistors 41 to 43 to the installation point, and at the same time, the variable capacitance diodes 45 and 46 prevent the signal from passing through. There is.

一方、入力端子14に加えられるVTR3の信
号はコンデンサ56、トランジスタ44および高
域フイルタ55を通つて出力端子13に現れる。
この場合、可変容量ダイオード45,46のイン
ピーダンスが極めて高いことから、このVTR3
の信号がトランジスタ41〜43に漏れることを
阻止している。
On the other hand, the signal from the VTR 3 applied to the input terminal 14 passes through the capacitor 56, the transistor 44 and the high-pass filter 55, and appears at the output terminal 13.
In this case, since the impedance of variable capacitance diodes 45 and 46 is extremely high, this VTR 3
This prevents the signals from leaking to the transistors 41-43.

なお、トランジスタ44のエミツタと接地点間
に設けられる抵抗52はトランジスタのベース電
流を供給するだけでよいため、抵抗値の大きいも
のが用いられている。したがつて、この抵抗52
より漏れ出す信号は無視できる程度である。
Note that the resistor 52 provided between the emitter of the transistor 44 and the ground point only needs to supply the base current of the transistor, so a resistor 52 having a large resistance value is used. Therefore, this resistance 52
The signal leaking further is negligible.

かくして、VTR3が何等操作されない場合、
若しくは記録操作のみの場合、前記高周波トラン
ス23の二次巻線に誘起された信号の損失が極め
て少なくなり、またVTR3が再生された場合、
この信号を確実に接地点側に逃がすと共に、
VTR3の信号の損失分を格段に小さくすること
ができる。
Thus, if the VTR3 is not operated in any way,
Or, in the case of only recording operation, the signal loss induced in the secondary winding of the high frequency transformer 23 is extremely small, and when the VTR 3 is played back,
While ensuring that this signal escapes to the grounding point side,
The signal loss of the VTR 3 can be significantly reduced.

なお、上記実施例ではアンテナで受信した高周
波信号をTVおよびVTRに分配し、且つVTRの
信号をそのままTVに加える場合について説明し
たが、本考案の高周波スイツチは係る用途に限定
されるものではなく、第1の信号を二つの系統に
分配し、第2の信号を他に優先して一つの系統に
送り込む必要がある場合に全て適用できるもの
で、この第1および第2の信号としてビデオ信号
などを含まない比較的周波数の低いものを取扱う
場合には第3図中のコイル25〜28およびトラ
ンジスタ42,43を除去し、かつ高周波トラン
スの二次巻線の一端bと接地点とをトランジスタ
41のみによつてオン・オフ制御しても上述した
と同様な作用が行なわれることは明らかである。
Although the above embodiment describes a case where the high frequency signal received by the antenna is distributed to the TV and VTR, and the VTR signal is directly added to the TV, the high frequency switch of the present invention is not limited to such applications. , can be applied when it is necessary to distribute the first signal into two systems and send the second signal to one system with priority over the other, and the video signal is used as the first and second signals. When dealing with relatively low frequencies that do not include It is clear that even if ON/OFF control is performed only by 41, the same effect as described above will be achieved.

また、上記実施例では可変容量ダイオード4
5,46の陰極を相互に接続し、この相互接続点
に正電圧を印加しているが、制御信号として負電
圧を用いる場合にはこれらの可変容量ダイオード
の陽極を相互に接続し、トランジスタをNPNよ
りPNPにすればよい。。
Further, in the above embodiment, the variable capacitance diode 4
The cathodes of 5 and 46 are connected together and a positive voltage is applied to this interconnection point. However, when using a negative voltage as a control signal, the anodes of these variable capacitance diodes are connected together and the transistor is It is better to use PNP rather than NPN. .

以上の説明によつて明らかな如く、本考案の高
周波スイツチによれば、第1の高周波信号を二つ
の系統に分配し、且つ、第2の信号を他に優先し
て一つの系統に送り込む場合の電力損失を著しく
低く抑さえることができる。
As is clear from the above explanation, according to the high frequency switch of the present invention, when the first high frequency signal is distributed to two systems and the second signal is sent to one system with priority over the other, power loss can be kept extremely low.

【図面の簡単な説明】[Brief explanation of the drawing]

第1図は一般的な高周波スイツチの概略機能を
説明するためのブロツク図、第2図は従来の高周
波スイツチの構成を示す回路図、第3図は本考案
に係る高周波スイツチの一実施例の構成を示すブ
ロツク図である。 1:アンテナ、2:高周波スイツチ、3:ビデ
オテープレコーダ、4:テレビ受像機、11:入
力端子(第1の高周波信号発生源に係る)、1
4:入力端子(第2の高周波信号発生源に接続さ
れる)、12:出力端子(第1の機器系統の入力
端子に接続される)、13:出力端子(第2の機
器系統の入力端子に接続される)、21,22,
55:高域フイルタ、23:高周波トランス、2
5〜28,34,53:コイル、29〜32:ダ
イオード、33,54:コンデンサ、41〜4
4:トランジスタ、45,46:可変容量ダイオ
ード、47〜52:抵抗。
Fig. 1 is a block diagram for explaining the general functions of a general high frequency switch, Fig. 2 is a circuit diagram showing the configuration of a conventional high frequency switch, and Fig. 3 is an embodiment of the high frequency switch according to the present invention. FIG. 2 is a block diagram showing the configuration. 1: Antenna, 2: High frequency switch, 3: Video tape recorder, 4: Television receiver, 11: Input terminal (related to the first high frequency signal generation source), 1
4: Input terminal (connected to the second high-frequency signal generation source), 12: Output terminal (connected to the input terminal of the first equipment system), 13: Output terminal (input terminal of the second equipment system) ), 21, 22,
55: High-pass filter, 23: High-frequency transformer, 2
5-28, 34, 53: Coil, 29-32: Diode, 33, 54: Capacitor, 41-4
4: Transistor, 45, 46: Variable capacitance diode, 47-52: Resistor.

Claims (1)

【実用新案登録請求の範囲】 (1) 第1の高周波信号を二つの系統に分配し、且
つ前記分配された第1の高周波信号と第2の高
周波信号とを切換えて一つの分配出力系統に送
り込む高周波スイツチにおいて、一次巻線が第
1の高周波信号発生源に接続され、且つ、二次
巻線の一端が第1の機器系統の入力端子に接続
される高周波トランスと、端子間電圧に応じて
静電容量が変化する一対の可変容量ダイオード
が互いに逆向きに直列接続され、前記高周波ト
ランスの二次巻線の他端および第2の機器系統
の入力端子間に設けられる可変容量回路と、前
記高周波トランスの二次巻線の他端および接地
点間に設けられる第1のスイツチング素子と、
第2の高周波信号発生源および前記第2の機器
系統の入力端子間に設けられる第2のスイツチ
ング素子とを具備したことを特徴とする高周波
スイツチ。 (2) 前記第1および第2のスイツチング素子とし
てトランジスタを用いることを特徴とする実用
新案登録請求の範囲第1項記載の高周波スイツ
チ。 (3) 前記第1および第2のスイツチング素子のオ
ン・オフ制御、ならびに、前記可変容量ダイオ
ードの静電容量制御を前記第2の高周波信号発
生源の直流電源によつて行うことを特徴とする
実用新案登録請求の範囲第1項または第2項記
載の高周波スイツチ。
[Claims for Utility Model Registration] (1) A first high-frequency signal is distributed to two systems, and the distributed first high-frequency signal and second high-frequency signal are switched to one distributed output system. The high-frequency switch to which the high-frequency signal is sent includes a high-frequency transformer whose primary winding is connected to the first high-frequency signal generation source, and one end of the secondary winding is connected to the input terminal of the first equipment system; a variable capacitance circuit in which a pair of variable capacitance diodes whose capacitance changes are connected in series in opposite directions to each other, and is provided between the other end of the secondary winding of the high frequency transformer and the input terminal of the second equipment system; a first switching element provided between the other end of the secondary winding of the high frequency transformer and a ground point;
A high frequency switch comprising a second high frequency signal generation source and a second switching element provided between input terminals of the second equipment system. (2) The high frequency switch according to claim 1, wherein transistors are used as the first and second switching elements. (3) On/off control of the first and second switching elements and capacitance control of the variable capacitance diode are performed by a DC power source of the second high frequency signal generation source. A high frequency switch according to claim 1 or 2 of the utility model registration claim.
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