JPH025349A - Device for detecting abnormality in disk current - Google Patents
Device for detecting abnormality in disk currentInfo
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Abstract
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
この発明は、イオン注入ｍＷにおけるディスク電流の異
常検知装置に関するものである。DETAILED DESCRIPTION OF THE INVENTION [Field of Industrial Application] The present invention relates to an abnormality detection device for disk current in mW ion implantation.
イオン注入装置は、ウェハー等のイオン注入対象が搭載
されたディスクを回転並進制御回路により回転並進させ
、イオンビームを照射してイオン注入を行う。この場合
、チャージアンプの防止のため、エレクトロン・シャワ
ーを利用するのが一般的にとなっている。エレクトロン
・シャワーはフィラメントを加熱し、それにより発生す
る熱電子をあるエネルギーで引出し、それを対向面に衝
突させ、その際に発生する２次電子をウェハー面に照射
するものである。The ion implantation apparatus rotates and translates a disk on which an ion implantation target such as a wafer is mounted using a rotation and translation control circuit, and performs ion implantation by irradiating the disc with an ion beam. In this case, it is common to use an electron shower to prevent charge amplification. Electron shower heats a filament, extracts the thermal electrons generated by the filament with a certain energy, causes them to collide with the opposing surface, and irradiates the wafer surface with secondary electrons generated at this time.
ところが、ウェハーに照射される２次電子の量が不足す
ると（＋）のチャージアップが生じ、多すぎると（−）
のチャージアンプが生ずる。そこでウェハーに照射する
２次電子の量を制御し、ディスクには常に一定の電流が
流れるようにする必要がある。However, if the amount of secondary electrons irradiated to the wafer is insufficient, a (+) charge-up will occur, and if there is too much, a (-)
A charge amplifier is generated. Therefore, it is necessary to control the amount of secondary electrons irradiated to the wafer so that a constant current always flows through the disk.
しかしながら、エレクトロン・シャワーの制御回路のな
んらかの異常によりディスク電流が設定値から大きく外
れた場合でも、オペレータはそれに気付かずにイオン注
入してしまう場合が生ずる。However, even if the disk current deviates significantly from the set value due to some abnormality in the electron shower control circuit, ions may be implanted without the operator noticing it.
したがって、この発明の目的は、ディスク電流が設定範
囲からずれたときこれを検出できるようにしたディスク
電流の異常検知装置を提供することである。SUMMARY OF THE INVENTION Therefore, an object of the present invention is to provide a disk current abnormality detection device that can detect when the disk current deviates from a set range.
この発明のディスク電流の異常検知装置は、イオン注入
対象が配設されたディスクに接続されてイオン注入時に
前記ディスクに流れるディスク電流を検出するディスク
電流検出部と、このディスク電流検出部の検出値を上限
値および下限値と比較して前記検出値が前記上限値と前
記下限値の間にない場合に検出信号を出力する比較部と
を備えたＪ）のである。The disk current abnormality detection device of the present invention includes a disk current detection section that is connected to a disk on which an ion implantation target is arranged and detects a disk current flowing through the disk during ion implantation, and a detected value of the disk current detection section. and a comparison section that compares the detected value with an upper limit value and a lower limit value and outputs a detection signal when the detected value is not between the upper limit value and the lower limit value.
この発明の構成によれば、ディスクＴ１’ｌＡ＋食出部
で検出した検出値が比較部の第１の基準値と第２の基準
値との間にない場合、比較部より検出信号が出力される
。このため、ディスク電流が設定範囲からずれたときこ
れを検出できる。したがって、たとえば前記検出信号に
よりオペレータにイオン注入を中断させるためのインク
ーロンク信号を発生することができる。According to the configuration of the present invention, when the detection value detected at the disk T1'lA+protrusion portion is not between the first reference value and the second reference value of the comparison section, the detection signal is output from the comparison section. Ru. Therefore, it is possible to detect when the disk current deviates from the set range. Therefore, for example, the detection signal can generate an ink flow signal for causing an operator to interrupt ion implantation.
この発明の一実施例を第１図ないし第２図に基づいて説
明する。すなわち、このディスク電流の異常検知装置は
、ディスク電流検出部１と、比較部２からなる。An embodiment of the present invention will be described based on FIGS. 1 and 2. That is, this disk current abnormality detection device consists of a disk current detection section 1 and a comparison section 2.
ディスク電流検出部１は、ウェハ等のイオン注入対象が
配設されたディスク３に接続されてイオン注入時にディ
スク３に流れるディスク電流を検出するもので、抵抗を
実施例としてビーム中継ボックス１５に設けられ、ディ
スク電流を電圧に変換している。このディスク電流検出
部１はビーム電流を計測しイオン注入装置の制御部に信
号を送信するカレントインテグレータ（図示せず）に直
列に接続されている。The disk current detection section 1 is connected to a disk 3 on which an ion implantation target such as a wafer is arranged, and detects the disk current flowing through the disk 3 during ion implantation. is used to convert disk current into voltage. This disk current detection section 1 is connected in series to a current integrator (not shown) that measures the beam current and sends a signal to the control section of the ion implantation apparatus.
ディスク３の近傍には、ファラデーカップ４が設けられ
るとともに、チャージアップの防止のため中性化用の熱
電子ｅを放出する電子放出部５を設けている。６は中性
化電源であり、電子放出部５の電ａ！８および熱電子引
出用型ｔＡ９を有するとともに、ディスク電流に応じて
電源８を制御するディスク電流制御回路を含むコントロ
ール部７を存する。なお、ディスク電流はイオンビーム
ＩＢの照射によるビーム電流Ｉ８と電子放出部５より発
生する熱電子の流入による２次電子電流１ｅからなる。A Faraday cup 4 is provided near the disk 3, and an electron emitting section 5 is provided to emit thermoelectrons e for neutralization in order to prevent charge-up. 6 is a neutralization power source, and the electron a! 8 and a thermionic extraction type tA9, and a control section 7 including a disk current control circuit that controls the power source 8 according to the disk current. Note that the disk current consists of a beam current I8 caused by irradiation with the ion beam IB and a secondary electron current 1e caused by the inflow of thermoelectrons generated from the electron emission section 5.
比較部２はディスク電流検出部１の検出値を上限値およ
び下限値と比較して前記検出値が前記上限値と前記下限
値の間にない場合に検出信号を出力するものである。比
較部２は実施例ではコントロール部７に設けられる。す
なわち、ディスク電流検出部１の検出値である電圧信号
はディスク電流計測部１０に入力されて他のレベルの電
圧に変換され、比較部２に入力されるとともに、ディス
ク電流制御回路（図示せず）に入力される。The comparator 2 compares the detected value of the disk current detector 1 with an upper limit value and a lower limit value, and outputs a detection signal when the detected value is not between the upper limit value and the lower limit value. The comparison section 2 is provided in the control section 7 in the embodiment. That is, a voltage signal that is a detected value of the disk current detection section 1 is input to the disk current measurement section 10, converted to a voltage at another level, and inputted to the comparison section 2, and is also input to the disk current control circuit (not shown). ) is input.
比較部２はウィンドウ型のコンパレータを実施例とし、
上限値と比較するための上限用比較器１１と、下限値と
比較するための下限用比較器１２と、ハイ電圧ｖＨが印
加されて上限用比較器１１の＋側入力端子に接続された
上限値設定用の可変抵抗器１３およびロウ電圧ｖＬが印
加されて下限用比較２Ｓ１２の一例入力端子に接続され
た下限値設定用の可変抵抗器１４からなる。ディスク電
流計測部１０の出力端子は上限用比較器１１の一例入力
端子および下限用比較器１２の＋側入力端子に接続され
る。また上限用比較器１１および下限用比較器１２の出
力端子は電圧＋■が印加されるとともに、検出信号発生
部１６に接続される。検出信号発生部１６はトランジス
タ１７とリレー２０とが直列に接続されてトランジスタ
１７のエミッタ側がアースされリレー側に電圧−■が印
加され、トランジスタ１７のベースに上限用比較器１１
および下限用比較器１２の出力端子が接続される。Comparison unit 2 uses a window type comparator as an example,
An upper limit comparator 11 for comparing with the upper limit value, a lower limit comparator 12 for comparing with the lower limit value, and an upper limit comparator 11 to which the high voltage vH is applied and connected to the + side input terminal of the upper limit comparator 11. It consists of a variable resistor 13 for setting a value and a variable resistor 14 for setting a lower limit value to which the low voltage vL is applied and connected to an example input terminal of the lower limit comparison 2S12. The output terminal of the disk current measuring section 10 is connected to an example input terminal of the upper limit comparator 11 and the + side input terminal of the lower limit comparator 12. Further, the output terminals of the upper limit comparator 11 and the lower limit comparator 12 are applied with a voltage +■ and are connected to the detection signal generator 16. In the detection signal generating section 16, a transistor 17 and a relay 20 are connected in series, the emitter side of the transistor 17 is grounded, a voltage -■ is applied to the relay side, and an upper limit comparator 11 is connected to the base of the transistor 17.
and the output terminal of the lower limit comparator 12 are connected.
１８．１９は抵抗、２１はリレー２０の動作によりオン
となる接点２１であり、検出信号が発生することとなる
。18 and 19 are resistors, and 21 is a contact 21 that is turned on by the operation of the relay 20, and a detection signal is generated.
この実施例は、イオンビームＩＢおよび２次電子電流１
ｅ−をディスク３に照射してイオン注入を行うとき、デ
ィスク３にディスク電流が流れ、ディスク電流検出部１
で検出値が電圧信号となってコントロール部７のディス
ク電流計測部１０に入力されである電圧信号に変換され
、比較部２に入力される。比較部２に入力した電圧信号
が上限値および下限値の間にあるときは上限用比較器１
１および下限用比較器１２ともに出力端は十となるため
、トランジスタ１７は導通せず、リレー２０は動作しな
い。比較部２に入力した電圧信号が上限値を越えた場合
には上限用比較器１１の出力端がマイナスとなり、下限
値よりも小さくなった場合には下限用比較器１２の出力
端がマイナスとなり、いずれの場合もトランジスタ１７
のヘース電流が流れるのでリレー２０が動作し、接点２
１がオンとり検出信号が発生する。この検出信号が警報
用のインターロック信号の場合、オペレータは警報によ
りイオン注入を中断することができる。This example uses an ion beam IB and a secondary electron current 1
When e- is irradiated onto the disk 3 to perform ion implantation, a disk current flows through the disk 3 and the disk current detection unit 1
The detected value becomes a voltage signal and is input to the disk current measuring section 10 of the control section 7, where it is converted into a voltage signal and input to the comparison section 2. When the voltage signal input to the comparator 2 is between the upper limit value and the lower limit value, the upper limit comparator 1
1 and the lower limit comparator 12 both have output terminals of 10, so the transistor 17 is not conductive and the relay 20 is not operated. When the voltage signal input to the comparator 2 exceeds the upper limit value, the output terminal of the upper limit comparator 11 becomes negative, and when it becomes smaller than the lower limit value, the output terminal of the lower limit comparator 12 becomes negative. , in both cases the transistor 17
Since the Heath current flows, the relay 20 operates and the contact 2
1 is turned on and a detection signal is generated. If this detection signal is an alarm interlock signal, the operator can interrupt ion implantation with the alarm.
この発明のディスク電流の異常検知装置によれば、ディ
スク電流検出部で検出した検出値が比較部の第１の基準
値と第２の基準値との間にない場合、比較部より検出信
号が出力される。このため、ディスク電流が設定範囲か
らずれたときこれを検出できる。したがって、たとえば
前記検出信号によりオペレータにイオン注入を中断させ
るためのインターロック信号を発生することができると
いう効果がある。According to the disk current abnormality detection device of the present invention, when the detection value detected by the disk current detection section is not between the first reference value and the second reference value of the comparison section, the detection signal is output from the comparison section. Output. Therefore, it is possible to detect when the disk current deviates from the set range. Therefore, for example, there is an effect that an interlock signal for causing an operator to interrupt ion implantation can be generated based on the detection signal.
第１図はこの発明の一実施例の説明図、第２図は比較部
の回路図である。
１・・・ディスク電流検出部、２・・・比較部２ ｔ
′Ｖ
ＮFIG. 1 is an explanatory diagram of an embodiment of the present invention, and FIG. 2 is a circuit diagram of a comparing section. 1... Disk current detection section, 2... Comparison section 2 t
'V N
Claims (1)
ン注入時に前記ディスクに流れるディスク電流を検出す
るディスク電流検出部と、このディスク電流検出部の検
出値を上限値および下限値と比較して前記検出値が前記
上限値と前記下限値の間にない場合に検出信号を出力す
る比較部とを備えたディスク電流の異常検知装置。A disk current detection unit is connected to a disk on which an ion implantation target is disposed and detects a disk current flowing through the disk during ion implantation, and a detected value of this disk current detection unit is compared with an upper limit value and a lower limit value to detect the A disc current abnormality detection device comprising: a comparison section that outputs a detection signal when a detected value is not between the upper limit value and the lower limit value.
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP14871788A JPH025349A (en) | 1988-06-15 | 1988-06-15 | Device for detecting abnormality in disk current |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP14871788A JPH025349A (en) | 1988-06-15 | 1988-06-15 | Device for detecting abnormality in disk current |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH025349A true JPH025349A (en) | 1990-01-10 |
Family
ID=15459022
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP14871788A Pending JPH025349A (en) | 1988-06-15 | 1988-06-15 | Device for detecting abnormality in disk current |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH025349A (en) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6918566B2 (en) | 2001-11-16 | 2005-07-19 | Murakami Corporation | Accessory holder in cabin |
-
1988
- 1988-06-15 JP JP14871788A patent/JPH025349A/en active Pending
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6918566B2 (en) | 2001-11-16 | 2005-07-19 | Murakami Corporation | Accessory holder in cabin |
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