JPH0230384B2 - SUPATSUTAHOHOOYOBISOCHI - Google Patents
SUPATSUTAHOHOOYOBISOCHIInfo
- Publication number
- JPH0230384B2 JPH0230384B2 JP7095485A JP7095485A JPH0230384B2 JP H0230384 B2 JPH0230384 B2 JP H0230384B2 JP 7095485 A JP7095485 A JP 7095485A JP 7095485 A JP7095485 A JP 7095485A JP H0230384 B2 JPH0230384 B2 JP H0230384B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- sample
- inflow current
- current
- anode
- inflow
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired - Lifetime
Links
- 238000004544 sputter deposition Methods 0.000 claims description 20
- 238000001514 detection method Methods 0.000 claims description 13
- 239000010408 film Substances 0.000 description 8
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 4
- 230000006837 decompression Effects 0.000 description 3
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 3
- 239000011810 insulating material Substances 0.000 description 3
- 238000000034 method Methods 0.000 description 3
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 2
- 238000009434 installation Methods 0.000 description 2
- 239000002245 particle Substances 0.000 description 2
- 239000002131 composite material Substances 0.000 description 1
- 238000000151 deposition Methods 0.000 description 1
- 230000008021 deposition Effects 0.000 description 1
- 238000001755 magnetron sputter deposition Methods 0.000 description 1
- 239000012528 membrane Substances 0.000 description 1
- 230000005405 multipole Effects 0.000 description 1
- 239000010409 thin film Substances 0.000 description 1
Landscapes
- Physical Vapour Deposition (AREA)
Description
【発明の詳細な説明】
〔発明の利用分野〕
本発明は、スパツタ方法及び装置に関するもの
である。DETAILED DESCRIPTION OF THE INVENTION [Field of Application of the Invention] The present invention relates to a sputtering method and apparatus.
〔発明の背景〕
カソードであるターゲツトの近傍に設けたアノ
ードに、試料へのスパツタ成膜中に該スパツタ成
膜の効率を考慮して直流バイアス電圧を印加する
技術が、例えば、John L.Vossen他、「薄膜プロ
セス（Thin Film Processes）」、Acadenic
Press発行、1978年、P.116〜120に記載されてい
る。[Background of the Invention] A technique of applying a DC bias voltage to an anode provided near a target, which is a cathode, during sputtering film formation on a sample, taking into account the efficiency of sputtering film formation, is known, for example, by John L. Vossen. Others, "Thin Film Processes", Academic
Press, 1978, pages 116-120.
しかし、この技術では、アノードバイアス電圧
を制御することで、スパツタ成膜される試料への
流入電流を制御するといつた認識を有していな
い。 However, this technique does not recognize that by controlling the anode bias voltage, the current flowing into the sample to be deposited by sputtering can be controlled.
本発明の目的は、スパツタ成膜される試料への
流入電流をアノードバイアス電圧によりダメージ
を最も小さく抑制できる流入電流に制御すること
で、ダメージの少ないスパツタ成膜を行うことが
できるスパツタ方法及び装置を提供することにあ
る。
An object of the present invention is to provide a sputtering method and apparatus capable of performing sputtering deposition with less damage by controlling the inflowing current to a sample to be sputtered to a value that minimizes damage by using an anode bias voltage. Our goal is to provide the following.
本発明は、スパツタ方法を、スパツタ成膜され
る試料への流入電流を検出する工程と、前記試料
への流入電流を設定する工程と、前記検出された
流入電流と前記設定された流入電流との偏差に応
じてアノードに印加されるバイアス電圧を変化さ
せ前記試料への流入電流を前記設定された流入電
流に制御する工程とを有するものとし、スパツタ
装置を、減圧排気されガスが供給される真空室
と、該真空室内のターゲツトが接続されるスパツ
タ電源と、前記ターゲツトの近傍に設けられたア
ノードが接続されるアノードバイアス電源と、前
記真空室内の試料ホルダが接続される電流検出手
段と、前記試料ホルダに設置されスパツタ成膜さ
れる試料への流入電流を設定する流入電流設定手
段と、前記電流検出手段での検出値と前記流入電
流設定手段での設定値とが入力され該設定値と前
記検出値との関係により制御信号を前記アノード
バイアス電源に出力する制御手段とを具備したも
のとし、スパツタ成膜される試料への流入電流を
アノードバイアス電圧によりダメージを最も小さ
く抑制できる流入電流に制御しようとしたもので
ある。
The present invention provides a sputtering method including a step of detecting an inflow current to a sample to be sputtered, a step of setting the inflow current to the sample, and a step of detecting the inflow current to the sample, and comparing the detected inflow current and the set inflow current. and controlling the inflow current to the sample to the set inflow current by changing the bias voltage applied to the anode according to the deviation of a vacuum chamber, a sputter power supply to which a target in the vacuum chamber is connected, an anode bias power supply to which an anode provided near the target is connected, and a current detection means to which a sample holder in the vacuum chamber is connected; an inflow current setting means for setting an inflow current to the sample placed in the sample holder and to be sputter-formed; a detected value by the current detection means and a set value by the inflow current setting means are inputted, and the set value is inputted; and a control means for outputting a control signal to the anode bias power supply according to the relationship between the detected value and the detected value, and the inflow current to the sample to be sputtered is controlled to minimize damage by the anode bias voltage. It was an attempt to control the
スパツタ成膜される試料への流入電流には、イ
オン電流と電子電流とがあり、試料への実際の流
入電流は、イオン電流と電子電流との合成電流で
ある。この流入電流の大きさによつては試料がダ
メージを受けるようになる。この流入電流は、ス
パツタガス圧やスパツタ電流等のスパツタ成膜条
件の変化により変化すると共に、例えば、第１図
に示すように、アノードバイアス電圧の変化によ
つても変化する。つまり、第１図で、アノードバ
イアス電圧が低い場合は、電子電流が過大とな
り、逆にアノードバイアス電圧が高い場合は、イ
オン電流が過大となり、この間に、流入電流を０
にできるアノードバイアス電圧が存在する。つま
り、上記したように、試料への流入電流は、スパ
ツタ成膜条件によつて変化する訳であるが、この
変化する流入電流をアノードバイアス電圧制御に
よりスパツタ成膜条件によらず独立に制御するこ
とができる。
The current flowing into the sample to be sputter-formed includes an ionic current and an electron current, and the actual current flowing into the sample is a composite current of the ionic current and the electron current. Depending on the magnitude of this inflow current, the sample may be damaged. This inflow current changes due to changes in sputter film forming conditions such as sputter gas pressure and sputter current, and also changes due to changes in anode bias voltage, as shown in FIG. 1, for example. In other words, in Figure 1, when the anode bias voltage is low, the electron current becomes excessive, and conversely, when the anode bias voltage is high, the ion current becomes excessive.
There is an anode bias voltage that can be In other words, as mentioned above, the current flowing into the sample changes depending on the sputter deposition conditions, but this changing inflow current can be controlled independently regardless of the sputter deposition conditions by controlling the anode bias voltage. be able to.
以下、本発明の一実施例を第２図により説明す
る。 An embodiment of the present invention will be described below with reference to FIG.
第２図で、減圧排気系（図示省略）とガス供給
系（図示省略）とが連結された真空室１０の、こ
の場合、底壁の一部をなして、例えば、マグネト
ロン電極２０が設けられている。真空室１０とマ
グネトロン電極２０とは、絶縁材３０により電気
的に絶縁されている。マグネトロン電極２０は、
カソードであるターゲツト２１とマグネトロン放
電用の磁石２２とアノード２３とで構成されてい
る。ターゲツト２１は、真空室１０内でその頂壁
に対向して配置されている。磁石２２は、真空室
１０内と反対側の位置でターゲツト２１の下部に
設けられている。アノード２３は、ターゲツト２
１の周囲で絶縁材３０に設けられている。真空室
１０外には、スパツタ電源４０とアノードバイア
ス電源４１とが設置されている。ターゲツト２１
は、負電圧印加可能にスパツタ電源４０に接続さ
れている。スパツタ電源４０の正電位側は接地さ
れている。アノード２３は、正電圧印加可能に導
入端子５０を介してアノードバイアス電源４１に
接続されている。アノードバイアス電源４１の負
電位側は接地されている。真空室１０の頂壁に
は、真空室１０内で試料設置面をターゲツト２１
に対向させて試料ホルダ６０が設けられている。
真空室１０と試料ホルダ６０とは、絶縁材３１に
より電気的に絶縁されている。流入電流検出手段
７０は、例えば、流入電流を検出すると共に検出
された流入電流を該電流当りの電圧に変換して該
電圧を検出値として出力する機能を有している。
流入電流検出手段７０は、真空室１０外に設置さ
れている。試料ホルダ６０は、流入電流検出手段
７０に接続されている。流入電流設定手段８０
は、この場合、ダメージの少ないスパツタ成膜を
行うのに必要な流入電流を該電流当りの電圧とし
該電圧を設定値として出力する機能を有してい
る。流入電流設定手段８０は、真空室１０外に設
置されている。制御手段９０は、真空室１０外に
設置されている。制御手段９０には、流入電流検
出手段７０と流入電流設定手段８０とが接続さ
れ、アノードバイアス電源４１が接続されてい
る。制御手段９０は、この場合、流入電流検出手
段７０での検出値と流入電流設定手段８０での設
定値との関係、つまり、偏差を演算し該演算結果
により流入電流検出手段７０で検出される流入電
流が、流入電流設定手段８０で設定された流入電
流つまりダメージの少ないスパツタ成膜を行うの
に必要な流入電流に制御されるようにアノードバ
イアス電源４１からアノード２３に印加されるア
ノードバイアス電圧を変化させる制御信号を出力
する機能を有している。なお、真空室１０は、接
地されている。 In FIG. 2, for example, a magnetron electrode 20 is provided on a part of the bottom wall of a vacuum chamber 10 in which a decompression exhaust system (not shown) and a gas supply system (not shown) are connected. ing. The vacuum chamber 10 and the magnetron electrode 20 are electrically insulated by an insulating material 30. The magnetron electrode 20 is
It consists of a target 21 which is a cathode, a magnet 22 for magnetron discharge, and an anode 23. A target 21 is placed within the vacuum chamber 10 opposite its top wall. The magnet 22 is provided below the target 21 at a position opposite to the inside of the vacuum chamber 10. The anode 23 is connected to the target 2
The insulating material 30 is provided around the 1. A sputter power supply 40 and an anode bias power supply 41 are installed outside the vacuum chamber 10. target 21
is connected to the sputter power supply 40 so that a negative voltage can be applied. The positive potential side of the sputter power supply 40 is grounded. The anode 23 is connected to an anode bias power supply 41 via an introduction terminal 50 so that a positive voltage can be applied thereto. The negative potential side of the anode bias power supply 41 is grounded. A target 21 is provided on the top wall of the vacuum chamber 10 to set the sample installation surface within the vacuum chamber 10.
A sample holder 60 is provided opposite to the sample holder 60 .
The vacuum chamber 10 and the sample holder 60 are electrically insulated by an insulating material 31. The inflow current detection means 70 has, for example, a function of detecting an inflow current, converting the detected inflow current into a voltage per current, and outputting the voltage as a detected value.
The inflow current detection means 70 is installed outside the vacuum chamber 10. The sample holder 60 is connected to an inflow current detection means 70. Inflow current setting means 80
In this case, it has a function of converting the inflow current necessary for sputtering film formation with less damage into a voltage per current, and outputting the voltage as a set value. The inflow current setting means 80 is installed outside the vacuum chamber 10. The control means 90 is installed outside the vacuum chamber 10. The control means 90 is connected to the inflow current detection means 70 and the inflow current setting means 80, and is also connected to the anode bias power supply 41. In this case, the control means 90 calculates the relationship between the detected value by the inflow current detection means 70 and the set value by the inflow current setting means 80, that is, the deviation, and the inflow current detection means 70 detects the result of the calculation. An anode bias voltage is applied to the anode 23 from the anode bias power supply 41 so that the inflow current is controlled to the inflow current set by the inflow current setting means 80, that is, the inflow current necessary to perform sputtering film formation with little damage. It has the function of outputting a control signal that changes the Note that the vacuum chamber 10 is grounded.
第２図で、試料１００が真空室１０内に搬入さ
れる。この試料１００は、試料ホルダ６０の試料
設置面に設置される。これにより、試料１００の
膜形成面は、ターゲツト２１と対向した状態にな
る。一方、真空室１０内は、減圧排気系により所
定圧力まで減圧排気される。その後、真空室１０
内には、ガス供給系よりAr等のガスが供給され、
これと共に、減圧排気系の作動により真空室１０
内は所定のスパツタガス圧に調整されて保持され
る。次いで、スパツタ電源４０よりターゲツト２
１に所定のスパツタ電圧が印加される。このスパ
ツタ電圧の印加と磁石２２の作動によりターゲツ
ト２１の表面にはマグネトロン放電が発生する。
この放電によりガスはイオン化される。このイオ
ンは、ターゲツト２１に衝突し、ターゲツト２１
からはスパツタ粒子が放出される。このスパツタ
粒子は、試料１００の膜形成面に到達し、これに
より試料１００の膜形成面には、スパツタ成膜さ
れる。この際、試料１００には、電流が流入す
る。この試料１００への流入電流と該流入電流に
よるダメージとの間には、試料１００に応じて
種々の関係が存在する。即ち、流入電流を０とす
ることでダメージを最も小さく抑制できる場合
も、また、そうでない場合もある。したがつて、
流入電流設定手段８０では、ダメージを最も小さ
く抑制できる流入電流が設定され、この流入電流
に対応する電圧は設定値として制御手段９０に出
力される。一方、試料１００への流入電流は試料
ホルダ６０を介して流入電流検出手段７０で検出
され、この流入電流に対応する電圧は検出値とし
て制御手段９０に出力される。このようにして制
御手段９０に入力された検出値と設定値とは、制
御手段９０でその偏差を演算された該演算結果に
よつて上記の制御信号がアノードバイアス電源４
１に出力される。例えば、第１図において、ダメ
ージを最も小さく抑制できる流入電流を0Aとし、
流入電流検出手段７０で検出された試料１００へ
の流入電流をI1Aとし、この場合のアノードバイ
アス電圧をE1Vとすると、流入電流設定手段８０
では、流入電流として0Aが設定され、0Aに対応
する電圧が設定値として制御手段９０に出力され
る。一方、試料１００への流入電流I1Aに対応す
る電圧が検出値として制御手段９０に出力され
る。この場合の検出値は設定値よりも小さくな
り、したがつて、アノードバイアス電圧は、アノ
ードバイアス電圧E1Vよりも大きくなる方向つま
り試料１００への流入電流をI1Aから0Aに制御す
るために、この0Aに対応するアノードバイアス
電圧E2Vに変化させられる。 In FIG. 2, a sample 100 is introduced into a vacuum chamber 10. This sample 100 is placed on the sample installation surface of the sample holder 60. As a result, the film-forming surface of the sample 100 faces the target 21. On the other hand, the inside of the vacuum chamber 10 is evacuated to a predetermined pressure by a decompression exhaust system. After that, vacuum chamber 10
Inside, gas such as Ar is supplied from the gas supply system,
At the same time, the vacuum chamber 10 is operated by the decompression exhaust system.
The inside is adjusted to and maintained at a predetermined sputtering gas pressure. Next, the target 2 is connected to the sputter power source 40.
A predetermined sputter voltage is applied to 1. By applying this sputter voltage and operating the magnet 22, a magnetron discharge is generated on the surface of the target 21.
This discharge ionizes the gas. This ion collides with the target 21, and the target 21
Spatter particles are emitted from the These sputter particles reach the film forming surface of the sample 100, and thereby a film is formed on the film forming surface of the sample 100 by sputtering. At this time, a current flows into the sample 100. There are various relationships between the current flowing into the sample 100 and the damage caused by the current flowing, depending on the sample 100. That is, there are cases where damage can be minimized by setting the inflow current to 0, and cases where this is not possible. Therefore,
Inflow current setting means 80 sets an inflow current that can minimize damage, and outputs a voltage corresponding to this inflow current to control means 90 as a set value. On the other hand, the inflow current into the sample 100 is detected by the inflow current detection means 70 via the sample holder 60, and the voltage corresponding to this inflow current is outputted to the control means 90 as a detected value. The detected value and the set value input to the control means 90 in this way have a deviation calculated by the control means 90. Based on the calculation result, the above control signal is applied to the anode bias power supply 4.
1 is output. For example, in Figure 1, the inflow current that can minimize damage is set to 0A,
If the inflow current into the sample 100 detected by the inflow current detection means 70 is I 1 A, and the anode bias voltage in this case is E 1 V, then the inflow current setting means 80
Here, 0A is set as the inflow current, and the voltage corresponding to 0A is output to the control means 90 as a set value. On the other hand, a voltage corresponding to the current I 1 A flowing into the sample 100 is outputted to the control means 90 as a detected value. In this case, the detected value will be smaller than the set value, and therefore the anode bias voltage will be controlled in the direction of becoming larger than the anode bias voltage E 1 V, that is, to control the current flowing into the sample 100 from I 1 A to 0 A. Then, the anode bias voltage E 2 V corresponding to this 0A is changed.
本実施例では、スパツタ成膜される試料への流
入電流をスパツタ成膜条件によらずアノードバイ
アス電圧を変化させることで、ダメージを最も小
さく抑制できる流入電流に制御できるため、ダメ
ージの少ないスパツタ成膜を行うことができる。 In this example, by changing the anode bias voltage to change the inflow current to the sample to be sputter-deposited, regardless of the sputter deposition conditions, it is possible to control the inflow current to the one that minimizes damage. membrane can be done.
なお、本実施例では、マグネトロンスパツタ技
術を例にとり説明したが、この他に、直流多極ス
パツタ技術等の他のスパツタ技術であつても本発
明を実施する上での障害はない。また、検出され
た流入電流を検出値とし、設定された流入電流を
設定値として制御手段に入力し、試料への流入電
流をダメージを最も小さく抑制できる流入電流に
アノードバイアス電圧により制御するようにして
も勿論良い。 Although this embodiment has been described using magnetron sputtering technology as an example, there is no problem in implementing the present invention even if other sputtering technologies such as DC multipole sputtering technology are used. Further, the detected inflow current is used as a detection value, the set inflow current is inputted as a set value into the control means, and the inflow current to the sample is controlled by an anode bias voltage to the inflow current that can minimize damage. Of course it's fine.
本発明は、以上説明したように、スパツタ成膜
される試料への流入電流をアノードバイアス電圧
によりダメージを最も小さく抑制できる流入電流
に制御できるので、ダメージの少ないスパツタ成
膜を行うことができるという効果がある。
As explained above, the present invention is capable of controlling the inflow current to the sample to be sputter-deposited using an anode bias voltage to the inflow current that minimizes damage, thereby making it possible to perform sputter deposition with less damage. effective.
第１図は、本発明者が得た試料への流入電流と
アノードバイアス電圧との関係の一例を示す模式
図、第２図は、本発明を実施したスパツタ装置の
一例を示す構成図である。
１０……真空室、２１……ターゲツト、２３…
…アノード、４０……スパツタ電源、４１……ア
ノードバイアス電源、６０……試料ホルダ、７０
……流入電流検出手段、８０……流入電流設定手
段、９０……制御手段。
FIG. 1 is a schematic diagram showing an example of the relationship between current flowing into a sample and anode bias voltage obtained by the present inventor, and FIG. 2 is a configuration diagram showing an example of a sputtering apparatus in which the present invention is implemented. . 10...Vacuum chamber, 21...Target, 23...
... Anode, 40 ... Sputter power supply, 41 ... Anode bias power supply, 60 ... Sample holder, 70
... Inflow current detection means, 80 ... Inflow current setting means, 90 ... Control means.
Claims (1)
する工程と、前記試料への流入電流を設定する工
程と、前記検出された流入電流と前記設定された
流入電流との偏差に応じてアノードに印加される
バイアス電圧を変化させ前記試料への流入電流を
前記設定された流入電流に制御する工程とを有す
ることを特徴とするスパツタ方法。 ２ 減圧排気されガスが供給される真空室と、該
真空室内のターゲツトが接続されるスパツタ電源
と、前記ターゲツトの近傍に設けられたアノード
が接続されるアノードバイアス電源と、前記真空
室内の試料ホルダが接続される電流検出手段と、
前記試料ホルダに設置されスパツタ成膜される試
料への流入電流を設定する流入電流設定手段と、
前記電流検出手段での検出値と前記流入電流設定
手段での設定値とが入力され該設定値と前記検出
値との関係により制御信号を前記アノードバイア
ス電源に出力する制御手段とを具備したことを特
徴とするスパつタ装置。[Claims] 1. A step of detecting an inflow current to a sample to be sputter-formed, a step of setting an inflow current to the sample, and a step of combining the detected inflow current and the set inflow current. A sputtering method comprising the step of controlling the current flowing into the sample to the set current flowing into the sample by changing the bias voltage applied to the anode according to the deviation. 2. A vacuum chamber to which depressurized air is evacuated and gas is supplied, a sputter power source to which a target in the vacuum chamber is connected, an anode bias power source to which an anode provided near the target is connected, and a sample holder in the vacuum chamber. a current detection means to which is connected;
an inflow current setting means for setting an inflow current to a sample installed in the sample holder and subjected to sputter deposition;
A control means for receiving a detected value by the current detecting means and a set value by the inflow current setting means and outputting a control signal to the anode bias power supply according to the relationship between the set value and the detected value. A spatter device featuring:
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP7095485A JPH0230384B2 (en) | 1985-04-05 | 1985-04-05 | SUPATSUTAHOHOOYOBISOCHI |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP7095485A JPH0230384B2 (en) | 1985-04-05 | 1985-04-05 | SUPATSUTAHOHOOYOBISOCHI |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS61231172A JPS61231172A (en) | 1986-10-15 |
| JPH0230384B2 true JPH0230384B2 (en) | 1990-07-05 |
Family
ID=13446413
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP7095485A Expired - Lifetime JPH0230384B2 (en) | 1985-04-05 | 1985-04-05 | SUPATSUTAHOHOOYOBISOCHI |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0230384B2 (en) |
Families Citing this family (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5316645A (en) * | 1990-08-07 | 1994-05-31 | Canon Kabushiki Kaisha | Plasma processing apparatus |
| JP2859721B2 (en) * | 1990-08-07 | 1999-02-24 | キヤノン株式会社 | Plasma processing equipment |
| DE19754821A1 (en) * | 1997-04-14 | 1998-10-15 | Cemecon Ceramic Metal Coatings | Method and device for a PVD coating |
| JP3944341B2 (en) * | 2000-03-28 | 2007-07-11 | 株式会社東芝 | Manufacturing method of oxide epitaxial strained lattice film |
| WO2009044473A1 (en) | 2007-10-04 | 2009-04-09 | Canon Anelva Corporation | High frequency sputtering device |
-
1985
- 1985-04-05 JP JP7095485A patent/JPH0230384B2/en not_active Expired - Lifetime
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS61231172A (en) | 1986-10-15 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| JP2695362B2 (en) | Method and apparatus for coating a substrate | |
| KR850008361A (en) | Apparatus and method for controlling magnetron sputtering | |
| JPH0230384B2 (en) | SUPATSUTAHOHOOYOBISOCHI | |
| JPH1161401A (en) | Sputtering and device therefor | |
| US6346176B1 (en) | Method of depositing thin films | |
| JPS5825742B2 (en) | Plasma etching processing method and processing equipment | |
| JPS61202438A (en) | Glow discharge stabilizing method | |
| JP2836072B2 (en) | Sputtering equipment | |
| JP2002020865A (en) | Sputtering system, sputtering backup unit, and method for controlling sputtering | |
| JPS63109164A (en) | Magnetron sputtering device | |
| JPS6070174A (en) | Sputtering device | |
| JPS61210190A (en) | Thin film forming device | |
| JP2675688B2 (en) | Gas introduction system for ion milling equipment | |
| JP3937272B2 (en) | Sputtering apparatus and sputtering method | |
| JPS62108440A (en) | Fine machining device | |
| JP2976382B2 (en) | Sputtering method and sputtering apparatus | |
| JPS6353263A (en) | Dc magnetron sputtering device | |
| JPH0250958A (en) | Film-forming equipment by sputtering method | |
| JPS5845379A (en) | High speed sputtering device | |
| JPH09316634A (en) | Magnetron sputtering system | |
| JPS58185768A (en) | Control device for evaporation rate | |
| JPS6041147B2 (en) | sputtering device | |
| JPH0426781A (en) | Plasma treatment and device thereof | |
| JPH01100923A (en) | Ion treating apparatus | |
| JPH0428867A (en) | Method and device for bias sputtering |