JPH02220492A - Printed circuit board - Google Patents

Printed circuit board

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JPH02220492A
JPH02220492A JP1040560A JP4056089A JPH02220492A JP H02220492 A JPH02220492 A JP H02220492A JP 1040560 A JP1040560 A JP 1040560A JP 4056089 A JP4056089 A JP 4056089A JP H02220492 A JPH02220492 A JP H02220492A
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JP
Japan
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formula
printed circuit
circuit board
insulating substrate
glass fiber
Prior art date
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Pending
Application number
JP1040560A
Other languages
Japanese (ja)
Inventor
Shigeru Murakami
滋 村上
Shigeru Matsuo
茂 松尾
Chikafumi Kayano
茅野 慎史
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Idemitsu Kosan Co Ltd
Original Assignee
Idemitsu Kosan Co Ltd
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Publication date
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Priority to EP89123066A priority patent/EP0373633B1/en
Priority to US07/449,192 priority patent/US5115077A/en
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Priority to CA002005563A priority patent/CA2005563C/en
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Abstract

PURPOSE:To enhance a heat-resistance and a mechanical property by a method wherein an insulating board is formed of a composite of a specific resin composition component and a glass fiber component. CONSTITUTION:An insulating board is formed of an armoatic polyether copolymer whose content ratio I:II of a repetition unit expressed by Formula I and a repetition unit expressed by Formula II is 15 to 35:65 to 85 (molecular ratio). Alternatively, it is formed of a composite composed of the following: 15 to 85wt.% of a resin composition component composed of 10 to 99wt.% of a copolymer and 1 to 99wt.% of a thermoplastic resin; 85 to 15wt.% of a glass fiber component. Thereby, it is possible to increase a thermal deformation temperature and to sufficiently hold a mechanical strength even at a high temperature; even when an electronic device is bonded by using a solder, it is possible to prevent the insulating board from being deformed.

Description

【発明の詳細な説明】 [産業上の利用分野] 本発明は、プリント回路基板に関し、さらに詳しくは、
電子、電気機器に使用される耐熱性および機械的性質に
優れたプリント回路基板に関する。
DETAILED DESCRIPTION OF THE INVENTION [Industrial Application Field] The present invention relates to printed circuit boards, and more particularly,
This invention relates to printed circuit boards with excellent heat resistance and mechanical properties used in electronic and electrical equipment.

[従来の技術] 従来のプリント回路基板は、エポキシ樹脂やフェノール
樹脂などの熱硬化性樹脂を含浸した紙やガラス繊維等の
平板状基材からなる複合体シートの表面に銅箔などの金
属層を設けて形成されていた。
[Conventional technology] Conventional printed circuit boards are made by coating a metal layer such as copper foil on the surface of a composite sheet made of a flat base material such as paper or glass fiber impregnated with thermosetting resin such as epoxy resin or phenol resin. It was formed by providing

しかし、このような熱硬化性樹脂の複合体シートをプリ
ント回路基板として使用する場合には、その樹脂を堆り
扱うときに溶媒等を併用するために作業環境を悪化させ
たり、また、8硬化性樹脂を硬化させるのに長時間を要
するので、工業的には作業性が悪くて、好ましくなかっ
た。
However, when such a composite sheet of thermosetting resin is used as a printed circuit board, the working environment may be deteriorated due to the use of solvents etc. when handling the resin, and the Since it takes a long time to cure the plastic resin, it is industrially difficult to work with and is not preferred.

それ故、上記熱硬化性樹脂の問題点を解消するために、
樹脂成分として架橋ポリエチレンやポリフェニレンサル
ファイド(以下単にPPSと略記する。)などの熱可塑
性樹脂を用いたプリント回路基板が提案されている。
Therefore, in order to solve the above problems of thermosetting resin,
Printed circuit boards using thermoplastic resins such as crosslinked polyethylene and polyphenylene sulfide (hereinafter simply abbreviated as PPS) as resin components have been proposed.

[発明が解決しようとする課N] しかし、これら架橋ポリエチレン樹脂やPPS樹脂の熱
変形温度はそれぞれ135℃、260℃でハンダの溶融
温度260℃附近以下の温度であることから、電子デバ
イスをプリント回路基板にハンダにより接合させること
も容易なことではなかったー また、前記エポキシ樹脂あるいはフェノール樹脂等の熱
硬化性樹脂とガラス繊維などの平板状基材からなる複合
体シートの表面に銅箔などの金属層を設けたプリント回
路基板では、ハンダづけなどの高温環境下での作業が困
難であることから。
[Problem N that the invention seeks to solve] However, the heat distortion temperatures of these crosslinked polyethylene resins and PPS resins are 135°C and 260°C, respectively, which are below the melting temperature of solder at 260°C, so it is difficult to print electronic devices. It was not easy to bond it to a circuit board by soldering.Also, it was not easy to bond it to a circuit board by soldering.Also, copper foil etc. This is because printed circuit boards with metal layers are difficult to work with in high-temperature environments, such as when soldering.

その用途が著るしく限定されてしまった。Its use has been severely limited.

[前記課題を解決するための手段] 本発明者らは前記課題奢解決するために鋭意研究を、f
fiねた結果、特定の芳香族ポリエーテル共重合体また
はこの共重合体を含む樹脂組成物とガラス繊維とを特定
の割合で配合することにより複合化させてなる基板は、
耐熱性および機械的性質に優れたプリント回路基板にな
ることを見出して、本発明を完成するに至ったものであ
る。
[Means for solving the above-mentioned problems] In order to solve the above-mentioned problems, the present inventors have conducted intensive research, f.
As a result, a substrate formed by combining a specific aromatic polyether copolymer or a resin composition containing this copolymer with glass fibers in a specific ratio is
The present invention was completed based on the discovery that a printed circuit board with excellent heat resistance and mechanical properties can be obtained.

すなわち1本発明は、絶縁性基板の表面に導電層を形成
してなるプリント回路基板において、前記絶縁性基板が
、 式(A) で表わされる繰り返し単位と、 式 で表される繰り返し単位とを有し、前記式[I]で表さ
れる繰り返し単位と前記式[■]で表わされる繰り返し
単位との含有割合([I]  :  [11)が15〜
35 : 65〜85(モル比)である芳香族ポリエー
テル共重合体または前記共重合体10〜99重量%と熱
可塑性樹脂1〜90重量%とからなる樹脂組成物成分1
5〜B5重量%と、(B)ガラス繊維成分85〜15重
量%との複合体であることを特徴とするプリント回路基
板である。
That is, one aspect of the present invention is a printed circuit board formed by forming a conductive layer on the surface of an insulating substrate, in which the insulating substrate has a repeating unit represented by the formula (A) and a repeating unit represented by the formula and the content ratio ([I] : [11) of the repeating unit represented by the formula [I] and the repeating unit represented by the formula [■] is 15 to
35: Resin composition component 1 consisting of an aromatic polyether copolymer having a molar ratio of 65 to 85 or 10 to 99% by weight of the copolymer and 1 to 90% by weight of a thermoplastic resin.
The printed circuit board is a composite of 5 to 5% by weight of B and 85 to 15% by weight of (B) a glass fiber component.

属層とから基本的に構成されている。It basically consists of a genus layer.

(芳香族ポリエーテル共 合体成 ) 前記芳香族ポリエーテル共重合体としては、たとえばジ
ハロゲノベンゾニトリルと4.4°−ジヒドロキシビフ
ェニルとを反応させて得られる式で表わされる繰り返し
単位と、たとえばジハロゲノベンゾフェノンと4,4−
ジヒドロキシビフェニルとを反応させて得られる式 次に本発明を具体的に詳述する。
(Aromatic polyether copolymer composition) The aromatic polyether copolymer may include a repeating unit represented by the formula obtained by reacting dihalogenobenzonitrile with 4.4°-dihydroxybiphenyl, and Halogenobenzophenone and 4,4-
The present invention will be specifically described in detail below.

(1)絶縁基板 本発明のプリント回路基板は、芳香族ポリエーテル共重
合体またはこの共重合体を含む樹脂組成物成分とガラス
繊維成分との複合体で形成された絶縁基板と、この絶縁
基板の表面に設けられた金で表わされる繰り返し単位と
を有する構造を持つ芳香族ポリエーテル共重合体である
(1) Insulating substrate The printed circuit board of the present invention comprises an insulating substrate formed of a composite of an aromatic polyether copolymer or a resin composition component containing this copolymer and a glass fiber component, and this insulating substrate. It is an aromatic polyether copolymer with a structure having a repeating unit represented by gold provided on the surface of.

この発明ではこの芳香族ポリエーテル共重合体中の式[
IIおよび式[11]の繰り返し単位の含有割合([I
I:[■])が15〜35 : 65〜85(モル比)
、好ましくは20〜30 : 70〜80(モル比)の
範囲内であることが重要である。
In this invention, the formula [
II and the content ratio of repeating units of formula [11] ([I
I: [■]) is 15-35: 65-85 (molar ratio)
It is important that the molar ratio is preferably within the range of 20-30:70-80 (molar ratio).

前記芳香族ポリエーテル共重合体は、高いガラス転移温
度を有していて耐熱性に優れ、またガラス転移温度が高
いにも拘らず結晶融点が低くて成形加工し易く、しかも
機械的強度、電気的性質、耐腐食性等に優れるものであ
る。
The aromatic polyether copolymer has a high glass transition temperature and excellent heat resistance.Also, despite the high glass transition temperature, it has a low crystal melting point and is easy to be molded. It has excellent physical properties, corrosion resistance, etc.

具体的には、この発明における芳香族ポリエーテル共重
合体は、通常165〜190℃のガラス転移温度を有し
、しかも340〜385℃の低い結晶融点を有する。
Specifically, the aromatic polyether copolymer in the present invention usually has a glass transition temperature of 165 to 190°C and a low crystal melting point of 340 to 385°C.

前記芳香族ポリエーテル系共重合体において、前記[I
I式で表わされる繰り返し単位の含有量が15モル%未
満になるとガラス転移点が低下し耐熱性および成形加工
性が悪くなる。一方、35モル%を超えると結晶性が失
われて耐熱性および耐溶剤性が低下する。
In the aromatic polyether copolymer, the [I
When the content of the repeating unit represented by formula I is less than 15 mol %, the glass transition point decreases and heat resistance and moldability deteriorate. On the other hand, if it exceeds 35 mol %, crystallinity is lost and heat resistance and solvent resistance decrease.

前記芳香族ポリエーテル共重合体は、ランダム共重合体
、ブロック共重合体、交互共重合体のいずれであっても
よいし、あるいは、これらの混合物であってもよい、も
っとも、製造方法等を考慮すると、ランダム共重合体で
あることが好ましい。
The aromatic polyether copolymer may be a random copolymer, a block copolymer, an alternating copolymer, or a mixture thereof; however, depending on the manufacturing method, etc. Considering this, a random copolymer is preferable.

(芳香族ポリエーテル共重合体の製造)前記芳香族ポリ
エーテル共重合体は、たとえば、4.4’−ジハロベン
ゾフェノンと、ジハロゲノベンゾニトリルと、4.4’
−ジヒドロキシビフェニルとを、アルカリ金属化合物の
存在下に、中性極性溶媒中で反応させることにより製造
することができる。
(Production of aromatic polyether copolymer) The aromatic polyether copolymer may contain, for example, 4,4'-dihalobenzophenone, dihalogenobenzonitrile, 4,4'
-dihydroxybiphenyl in the presence of an alkali metal compound in a neutral polar solvent.

一−4.4’−ジハロベンゾフェノンーー前記4.4′
−ジハロベンゾフェノンとして、たとえば4.4゛−ジ
フルオロベンゾフェノン。
-4.4'-dihalobenzophenone - the above 4.4'
-Dihalobenzophenone, for example 4.4'-difluorobenzophenone.

4.4′−ジクロロベンゾフェノン、4−クロロ−4゛
−フルオロベンゾフェノンなどが挙げられる。なお、4
.4’−ジハロベンゾフェノンにおいては、ベンゼン核
に異種のハロゲン原子が置換していても良い。
Examples include 4.4'-dichlorobenzophenone and 4-chloro-4'-fluorobenzophenone. In addition, 4
.. In 4'-dihalobenzophenone, the benzene nucleus may be substituted with a different type of halogen atom.

これらの中でも、4.4’−ジフルオロベンゾフェノン
、4.4’−ジクロロベンゾフェノンが好ましい。
Among these, 4,4'-difluorobenzophenone and 4,4'-dichlorobenzophenone are preferred.

なお、これらの4,4゛−ジハロベンゾフェノンは、一
種単独で使用してもよいし、あるいは。
Incidentally, these 4,4'-dihalobenzophenones may be used alone or alternatively.

二種以上を併用してもよい。Two or more types may be used in combination.

m−ジハロゲノベンゾニトリルーー 前記ジハロゲノベンゾニトリルとしては、たとえば、2
.4−ジフルオロベンゾニトリル、2゜6−ジフルオロ
ベンゾニトリル、2.4−ジクロロベンゾニトリル、2
.6−ジクロロベンゾニトリル、2.4−ジブロモベン
ゾニトリル、2゜6−ジブロモベンゾニトリルなどが挙
げられる。
m-Dihalogenobenzonitrile - The dihalogenobenzonitrile is, for example, 2
.. 4-difluorobenzonitrile, 2゜6-difluorobenzonitrile, 2,4-dichlorobenzonitrile, 2
.. Examples thereof include 6-dichlorobenzonitrile, 2,4-dibromobenzonitrile, and 2°6-dibromobenzonitrile.

なお、ジハロゲノベンゾニトリルにおいテハ、ベンゼン
核に異種のハロゲン原子が置換していても良い。
In addition, in the dihalogenobenzonitrile, a different type of halogen atom may be substituted for the benzene nucleus.

これらの中でも、2.4−ジクロロベンゾこトリル、2
.6−ジクロロベンゾニトリルが好ましい なお、これらのジハロゲノベンゾニトリルは一種単独で
使用しても良いし、あるいは二種以上を併用しても良い
Among these, 2,4-dichlorobenzotolyl, 2
.. 6-dichlorobenzonitrile is preferred. These dihalogenobenzonitrile may be used alone or in combination of two or more.

一−4,4°−ジヒドロキシビフェニルーー前記4,4
°−ジヒドロキシビフェニルはそのまま七ツマ−として
使用することができるが、所望により、予めアルカリ金
属塩にするなどして。
-4,4°-dihydroxybiphenyl-4,4
°-Dihydroxybiphenyl can be used as it is as a salt, but if desired, it can be converted into an alkali metal salt in advance.

4.4°−ジヒドロキシビフェニルのアルカリ金属塩と
して使用し、モノマー成分と、アルカリ金属化合物成分
とを兼ねることもできる。なお、前記アリカリ金属塩の
中でも、ナトリウム塩、カリウム塩が好ましい。
It can also be used as an alkali metal salt of 4.4°-dihydroxybiphenyl and serve as both a monomer component and an alkali metal compound component. Note that among the alkali metal salts, sodium salts and potassium salts are preferred.

これら各種のアルカリ金属塩は、一種単独で用いること
もできるし、二種以上を混合物等として併用することも
できるし、あるいは、4.4゜ジヒドロキシビフェニル
(ジヒドロキシ体)との任意の割合の混合物などとして
使用することもできる。
These various alkali metal salts can be used alone, two or more can be used together as a mixture, or a mixture with 4.4゜dihydroxybiphenyl (dihydroxy form) in any proportion. It can also be used as.

一一量 比−一 前記4.4′−ジハロベンゾフェノンと、前記4.4°
−ジヒドロキシビフェニルと、前記ジハロゲノベンゾニ
トリルとの使用割合は、前記4.4′−ジハロベンゾフ
ェノン65〜85モル%、好ましくは70〜80モル%
に対して前記ジハロゲノベンゾニトリルが35〜15モ
ル%、好ましくは30〜20モル%の範囲内であり、前
記4.4゛−ジヒドロキシビフェニルは前記4゜4′−
ジハロベンゾフェノンとジハロゲノベンゾニトリルとの
合計量と同じモル数で用いられる。
1 Quantity Ratio - 1 the above 4.4'-dihalobenzophenone and the above 4.4°
The ratio of the dihydroxybiphenyl and the dihalogenobenzonitrile used is 65 to 85 mol%, preferably 70 to 80 mol% of the 4,4'-dihalobenzophenone.
The dihalogenobenzonitrile is in the range of 35 to 15 mol%, preferably 30 to 20 mol%, and the 4.4'-dihydroxybiphenyl is in the range of 4.4'-
It is used in the same number of moles as the total amount of dihalobenzophenone and dihalogenobenzonitrile.

−一アルカリ金属化合物−一 前記アルカリ金属化合物としては、前記4゜4°−ジヒ
ドロキシビフェニルを、アルカリ金属塩にすることがで
きるものを使用することができるが、通常、アルカリ金
属炭酸塩および/またはアルカリ金属重炭酸塩を使用す
る。
- Alkali metal compound - As the alkali metal compound, those capable of converting the 4°4°-dihydroxybiphenyl into an alkali metal salt can be used, but usually an alkali metal carbonate and/or Using alkali metal bicarbonates.

ただし、前記4,4°−ジヒドロキシビフェニルのアル
カリ金属塩を七ツマ−もしくはコモノマーとして用いる
場合には、これらを前記アルカリ金属化合物と併用する
こともできる。
However, when the alkali metal salt of 4,4°-dihydroxybiphenyl is used as a monomer or comonomer, these can also be used in combination with the alkali metal compound.

前記アルカリ金属炭m塩としては、たとえば、炭酸リチ
ウム、炭酸ナトリウム、炭酸カリウム炭酸ルビジウムお
よび炭酸セシウムなどが挙げられ、これらの中でも、炭
酸ナトリウムおよび炭酸カリウムが好ましい。
Examples of the alkali metal carbon salt include lithium carbonate, sodium carbonate, potassium carbonate, rubidium carbonate, and cesium carbonate. Among these, sodium carbonate and potassium carbonate are preferred.

前記アルカリ金属重炭酸塩としては、たとえば、炭素水
素リチウム、炭酸水素ナトリウム、炭酸水素カリウム、
炭酸水素ルビジウムおよび炭酸水素セシウムなどが挙げ
られる。
Examples of the alkali metal bicarbonate include lithium carbon hydrogen, sodium hydrogen carbonate, potassium hydrogen carbonate,
Examples include rubidium hydrogen carbonate and cesium hydrogen carbonate.

これらの中でも、炭酸水素ナトリウムおよび炭酸水素カ
リウムが好ましい。
Among these, sodium hydrogen carbonate and potassium hydrogen carbonate are preferred.

前記アルカリ金属炭酸塩およびアルカリ金属重炭酸塩は
1通常、無水物として使用されるが、所望により、水和
物、漬厚水溶液などのように水分を含有するものとして
使用することもできる。
The alkali metal carbonates and alkali metal bicarbonates are usually used in the form of anhydrous substances, but if desired, they can also be used in the form of water-containing substances such as hydrates and thick aqueous solutions.

なお、反応系に添加される水分および反応により生成す
る水は、反応(縮合反応)中もしくは前記反応に先がけ
て反応系から適宜に除去することが望ましい。
It is desirable that the water added to the reaction system and the water produced by the reaction be appropriately removed from the reaction system during or prior to the reaction (condensation reaction).

前記アルカリ金属塩は、一種単独で使用してもよいし、
任意の二種以上のものを任意の割合で混合物等として併
用してもよい。
The alkali metal salts may be used alone or
Any two or more types may be used together in any ratio as a mixture.

前記アルカリ金属塩の使用量は、前記4.4゜−ジヒド
ロキシビフェニルの1/2モル当たり、通常、1.00
〜3.0θグラム当量の範囲内であり、好ましくは1.
05〜2.00グラム当量の範囲内である。
The amount of the alkali metal salt used is usually 1.00 per 1/2 mole of the 4.4°-dihydroxybiphenyl.
~3.0θ gram equivalent, preferably 1.
It is within the range of 0.05 to 2.00 gram equivalents.

一一中性極性溶媒一一 前記中性極性溶媒としては、公知のものを使用すること
ができる。具体的には、たとえば、ジメチルホルムアミ
ド、ジエチルホルムアミド、ジメチルアセトアミド、ジ
エチルアセトアミド、N−メチルピロリドン、ジメチル
スルホキシド、ジエチルスルホキシド、スルホラン、ジ
メチルイミダゾリジノン、ジエチルイミダゾリジノン、
ビフェニルスルホンなどが挙げられる。
(11) Neutral Polar Solvent (11) As the neutral polar solvent, known ones can be used. Specifically, for example, dimethylformamide, diethylformamide, dimethylacetamide, diethylacetamide, N-methylpyrrolidone, dimethylsulfoxide, diethylsulfoxide, sulfolane, dimethylimidazolidinone, diethylimidazolidinone,
Examples include biphenyl sulfone.

これらの中でも、N−メチルピロリドン、スルホランが
好ましく、特にN−メチルピロリドンが好ましい。
Among these, N-methylpyrrolidone and sulfolane are preferred, and N-methylpyrrolidone is particularly preferred.

なお、これらの中性極性溶媒は、一種単独で使用しても
よいし、二種以上を混合溶媒等として併用してもよい、
さらにまた、他の不活性溶媒、特に反応系から水分を共
沸除去することができるベンゼン、トルエン、キシレン
等の芳香族系溶媒と共に混合溶媒として使用することも
できる。
In addition, these neutral polar solvents may be used alone, or two or more may be used in combination as a mixed solvent, etc.
Furthermore, it can also be used as a mixed solvent with other inert solvents, especially aromatic solvents such as benzene, toluene, and xylene that can azeotropically remove water from the reaction system.

−一反応条件一一 前記ジハロゲノベンゾニトリルと、前記4゜4°−ジハ
ロベンゾフェノンと、a記4.4’ジヒドロキシビフエ
ニルとを、前記アルカリ金属化合物の存在下に、前記中
性極性溶媒中で反応(縮合反応)させて前記芳香族ポリ
エーテル共重合体を製造する場合の反応温度は1通常1
50〜380℃の範囲であり、好ましくは180〜33
0℃の範囲である。
-1 Reaction Conditions 11 The dihalogenobenzonitrile, the 4°4°-dihalobenzophenone, and the 4.4' dihydroxybiphenyl described in a above are mixed in the neutral polar solvent in the presence of the alkali metal compound. When producing the aromatic polyether copolymer by reacting (condensation reaction) in
The temperature is in the range of 50 to 380°C, preferably 180 to 33°C.
It is in the range of 0°C.

また、モノマー濃度は、モノマー合計量(モル)/溶媒
量(文)で0.1〜4モル/交が適当である。
Moreover, the monomer concentration is suitably 0.1 to 4 mol/crossing (total monomer amount (mol)/solvent amount (text)).

反応時間は、使用する七ツマ−やアルカリ金属化合物の
種類、使用割合、反応温度などにより異なるので一様に
規定することができないが、通常0.1〜10時間の範
囲であり、好ましくは1〜3時間の範囲である。
The reaction time cannot be specified uniformly because it varies depending on the type of sulfuric acid or alkali metal compound used, the proportion used, the reaction temperature, etc., but it is usually in the range of 0.1 to 10 hours, preferably 1 hour. ~3 hours.

反応圧力については特に制限はなく、減圧下、通常圧下
あるいは加圧下のいずれも可能であるが1通常は常圧付
近で行うのが好ましい。
There is no particular restriction on the reaction pressure, and the reaction may be carried out under reduced pressure, normal pressure, or increased pressure, but it is usually preferable to carry out the reaction near normal pressure.

反応雰囲気は1通常、窒素、アルゴン、ヘリウム等の不
活性気流下、あるいは減圧排気下などの不活性雰囲気下
とするのが好ましい。
The reaction atmosphere is usually preferably under an inert atmosphere such as under an inert gas flow of nitrogen, argon, helium, etc. or under reduced pressure exhaust.

また、このようにして得られる芳香族ポリエーテル共重
合体は、400℃における溶融粘度が3.000ボイズ
以上であるものが好ましく6、これ未満のものでは耐熱
性や機械的強度が十分ではない。
In addition, the aromatic polyether copolymer thus obtained preferably has a melt viscosity of 3.000 voids or more at 400°C6, and if it is less than this, the heat resistance and mechanical strength are insufficient. .

(ガラス繊維成分) 前記絶縁基板を構成するもう一方のガラス繊維成分とし
ては、石英ガラス、ソーダガラスなどの各種ガラスの繊
維を使用することができ、これらガラス繊維の種類およ
びその製造法に特別な制限はなく、たとえば、直接溶融
法により製造されたものであってもよいし、マーブル法
により製造されたものであってもよい。
(Glass fiber component) As the other glass fiber component constituting the insulating substrate, fibers of various types of glass such as quartz glass and soda glass can be used. There are no limitations, and for example, it may be manufactured by a direct melting method or by a marble method.

具体的に述べれば、ガラス繊維は基本的にガラスを溶融
状態から引き伸ばして成形するが、主として白金のノズ
ルから連続的に成形した長繊維と、溶融ガラスを遠心力
で細孔から飛び出させたり、燃焼ガスや水蒸気を吹き付
けたりしてマット状の繊維の集合体とした、いわゆるガ
ラスウールと呼ばれる短繊維などがあり、前記長繊維と
してはEガラス(SiOz4jL 20z・CaO・N
gO・B2O3系ガラス)が代表的で、他にZrO2を
含有した耐アルカリ性ガラスや、耐酸性ガラスCガラス
(SiOz・A fL203 ・CaO・MgO・Zn
O・B 203 ・Na 20−K 20系)などがあ
る。
Specifically, glass fiber is basically formed by stretching glass from a molten state, but mainly long fibers are formed continuously from a platinum nozzle, molten glass is ejected from pores using centrifugal force, There are short fibers called glass wool, which are made into mat-like fiber aggregates by blowing combustion gas or water vapor, and the long fibers include E glass (SiOz4jL 20z・CaO・N
Typical examples include alkali-resistant glass containing ZrO2 and acid-resistant glass C glass (SiOz・A fL203 ・CaO・MgO・Zn).
O, B 203 , Na 20-K 20 series), etc.

また、これらガラス繊維に予じめ表面処理を施すと、ガ
ラス繊維の表面に官能基等が導入されることがあり、こ
の官能基によりマトリクスである芳香族ポリエーテル共
重合体との濡れ性が向上し、結果として得られる絶縁性
基板の機械的強度等の向上を図ることができる。
In addition, if these glass fibers are subjected to surface treatment in advance, functional groups may be introduced onto the surface of the glass fibers, and these functional groups improve the wettability with the aromatic polyether copolymer that is the matrix. As a result, it is possible to improve the mechanical strength, etc. of the resulting insulating substrate.

かかる表面処理としては、たとえば、薬液酸化法、電解
酸化法、気相酸化法、ならびに有機化合物および/また
は無機化合物を使用するコーティング法等を挙げること
ができ、これらの内のいずれかにより、あるいは、これ
らを組合わせて表面処理を行なうことができる。好まし
い表面処理としては、例えばシラン系カップリング剤を
使用する処理法を挙げることができる。
Such surface treatments include, for example, chemical oxidation methods, electrolytic oxidation methods, gas phase oxidation methods, and coating methods using organic and/or inorganic compounds. , these can be combined for surface treatment. A preferred surface treatment includes, for example, a treatment method using a silane coupling agent.

さらに、上記短繊維には5iO2−AfL203・Na
20−CaO・MgO・B2O3系ガラスなどがある。
Furthermore, the short fibers include 5iO2-AfL203・Na
Examples include 20-CaO/MgO/B2O3 glass.

これらガラス繊維は、一般に径が5〜20ルm、好まし
くは7〜15ルm、長さが0.1〜30mm程度のもの
を使用する。
These glass fibers generally have a diameter of 5 to 20 mm, preferably 7 to 15 mm, and a length of about 0.1 to 30 mm.

このガラス繊維は織布状に、あるいは不織布状に形成し
たもの、あるいは短繊維状のものにして使用される。
This glass fiber is used in the form of a woven fabric, a non-woven fabric, or a short fiber.

(添加剤成分) 絶縁基板を形成するに当り、前記芳香族ポリエーテル共
重合体成分あるいはガラス繊維成分を長期間安定に保っ
たり、その性能を向上させるために、酸化防止剤、熱安
定剤、結晶核剤、などを配合することができる。
(Additive components) When forming an insulating substrate, antioxidants, thermal stabilizers, A crystal nucleating agent, etc. can be added.

前記酸化防止剤としては、2.6−ジ−ターシャリ−ブ
チル−パラクレゾール等のフェノール系、フェニル−β
−ナフチルアミン等のアミン系、ラウリルステアリルチ
オジプロピオネート等の硫黄系、トリデシルホスファイ
ト等の燐系、N−サリシロイルーN°−アルデヒドヒド
ラジン等のヒドラジン系、N、N’−ビフェニルオキサ
イド等のアミド系等を使用することができる。
The antioxidants include phenolics such as 2,6-di-tert-butyl-para-cresol, phenyl-β
- Amine type such as naphthylamine, sulfur type such as lauryl stearyl thiodipropionate, phosphorus type such as tridecyl phosphite, hydrazine type such as N-salicyloyl N°-aldehyde hydrazine, amide such as N,N'-biphenyl oxide system etc. can be used.

前記熱安定剤としては、鉛塩安定剤、金属石鹸、金属塩
液状安定剤、有機錫安定剤、アンチモン系安定剤、非金
属安定剤等を使用することができる。
As the heat stabilizer, a lead salt stabilizer, a metal soap, a metal salt liquid stabilizer, an organic tin stabilizer, an antimony stabilizer, a nonmetallic stabilizer, etc. can be used.

前記結晶性核剤としては、酸化チタ、ンやタルクなどを
使用することができる。
As the crystalline nucleating agent, titanium oxide, talc, etc. can be used.

の 絶縁基板は、(イ)前記芳香族ポリエーテル共重合体成
分と前記短繊維状のガラス繊維成分とを混合し、圧縮成
形することにより、(a)長繊維状のガラス繊維をマッ
ト状に形成したものあるいは織吻状に形成したガラス繊
維成分に、ペレットあるいは粉末状の芳香族ポリエーテ
ル共重合体成分を散布し、その後に加熱圧縮成形するこ
とにより、あるいは(ハ)芳香族ポリエーテル共重合体
成分をシート状に形成し、このシートを長繊維状のマッ
トや織布状に形成したガラス繊維成分上に積層した後、
加熱圧縮成形することにより、ガラス繊維と芳香族ポリ
エーテル共重合体とを複合一体化して形成することがで
きる。
The insulating substrate of (a) is made by mixing the aromatic polyether copolymer component and the short fiber glass fiber component and compression molding the mixture to form (a) the long fiber glass fiber into a mat shape. By scattering pellets or powdered aromatic polyether copolymer component onto the formed glass fiber component or into a woven proboscis shape, and then heating and compression molding the aromatic polyether copolymer component, or (c) aromatic polyether copolymer component. After forming a polymer component into a sheet and laminating this sheet onto a glass fiber component formed into a long fiber mat or woven fabric,
By heating and compression molding, the glass fiber and the aromatic polyether copolymer can be integrally formed.

このようにして複合化された絶縁基板は高温においても
ガラス繊維により形状を保持することができるので1曲
げ強度や、引張強度などの機械的性質が向上すると共に
、熱変形温度が著しく高くなる。
Since the insulating substrate composited in this manner can maintain its shape by the glass fibers even at high temperatures, its mechanical properties such as bending strength and tensile strength are improved, and its thermal deformation temperature is significantly increased.

(2)導電層 前記絶縁基板の表面に設けられる導電層は。(2) Conductive layer A conductive layer provided on the surface of the insulating substrate.

銅、アルミニウム、ニッケルおよび銀より選ばれた金属
の電解金属箔あるいは圧延によって得られた金属箔など
で形成することができる。
It can be formed from an electrolytic metal foil of a metal selected from copper, aluminum, nickel, and silver, or a metal foil obtained by rolling.

このような導電層は通常5〜500 、wm、好ましく
は10〜100、特に圧延銅箔の場合は15〜50gm
、電解銅箔の場合は10〜50μm程度の厚さである。
Such a conductive layer usually has a thickness of 5 to 500 gm, preferably 10 to 100 gm, especially 15 to 50 gm in the case of rolled copper foil.
In the case of electrolytic copper foil, the thickness is about 10 to 50 μm.

前記金属箔の導電層を絶縁基板に形成するには、絶縁基
板表面に接着剤を塗布したり、接着層フィルムを挾んだ
後に、一般に50〜200℃。
In order to form the conductive layer of the metal foil on the insulating substrate, the temperature is generally 50 to 200°C after applying an adhesive to the surface of the insulating substrate or sandwiching the adhesive layer film.

好ましくはZoo−150℃の温度で、一般に0 、1
〜l Okg/cm2.好ましくは1〜5 kg/cm
2の圧力で圧縮して成形する。
Preferably at a temperature of Zoo-150°C, generally 0,1
~l Okg/cm2. Preferably 1-5 kg/cm
Compress and mold using pressure 2.

また、導電層は、非電解析出法、蒸着法、気化法、スパ
ッタリング法等により導MIRを絶縁基板の表面に形成
することができる。
Further, the conductive layer can be formed on the surface of the insulating substrate by a non-electrolytic deposition method, a vapor deposition method, a vaporization method, a sputtering method, or the like.

なお、前記導電層は絶縁基板の片面だけでなく両面に形
成することもできる。
Note that the conductive layer can be formed not only on one side but also on both sides of the insulating substrate.

(3)プリント回路 板 このようにして得られたプリント回路基板は、その後サ
ブトラクティブ法(フォトエツチング法)又はアデティ
ブ法によって導体パターンを形成した後、ドリルにより
スルーホールを形成して、電子デバイスはハンダにより
溶着させることによって、電子計算機、電子交換器、O
A機器、素線通信機器、無線通信機器、電子応用機器、
電気計測器などの産業用電子機器や、テレビ、ラジオ、
テープレコーダー、音響機器、ビデオテープレコーダー
などの民生用電子機器のプリント回路基板として使用す
ることができる。
(3) Printed circuit board The printed circuit board thus obtained is then subjected to a conductor pattern formed by a subtractive method (photoetching method) or an additive method, and then through holes are formed by a drill to form an electronic device. By welding with solder, electronic computers, electronic exchangers, O
A equipment, wire communication equipment, wireless communication equipment, electronic application equipment,
Industrial electronic equipment such as electrical measuring instruments, televisions, radios,
It can be used as a printed circuit board for consumer electronic equipment such as tape recorders, audio equipment, video tape recorders, etc.

[実施例] 本発明のプリント回路基板についてより具体的に説明す
るため、以下にその実施例を挙げるが、本発明はこれに
よって限定されるものではない。
[Examples] In order to more specifically explain the printed circuit board of the present invention, Examples are given below, but the present invention is not limited thereto.

(実施例1) l)芳香族ポリエーテル共重合体の製造攪拌装置、トル
エンを満たしたディーンスタルクトラップおよびアルゴ
ン吹き込み管を備えた内容積5交の反応塁内に、2.6
−シクロロベンゾニトリル32.34g (0,188
モル)、4.4’−ジヒドロキシビフェニル139.6
G、 (0,75モル)、*酸カリウム124.39g
 (0,9モル)およびN−メチルピロリドン!、!l
を入れ、アルゴンガスを吹き込みながら1時間かけて室
温より 195℃まで昇温した・昇温終了後、少量のト
ルエンを加えて生成する水を共沸により除去した。
(Example 1) l) Production of aromatic polyether copolymer In a reaction chamber with an inner volume of 5×, equipped with a stirring device, a Dean-Starck trap filled with toluene, and an argon blowing tube, 2.6
-cyclobenzonitrile 32.34g (0,188
mole), 4.4'-dihydroxybiphenyl 139.6
G, (0.75 mol), * potassium acid 124.39 g
(0,9 mol) and N-methylpyrrolidone! ,! l
was added, and the temperature was raised from room temperature to 195°C over 1 hour while blowing argon gas. After the temperature was raised, a small amount of toluene was added and the produced water was removed by azeotropy.

そして、195℃の温度にて30分間反応を行なった0
次いで4.4′−ジフルオロベンゾフェノン122.8
5g (0,511℃3モル)をN−メチルピロリドン
1.5J1に溶解した溶液を加えて、さらに1時間反応
を行なった6反応終了後、生成物をブレンダー(ワーニ
ング社製)で粉砕し、木で十分に洗浄を行なってから乾
燥させて、白色粉末状の芳香族ポリエーテル共重合体2
58g (収率lOO%)を得た。
Then, the reaction was carried out at a temperature of 195°C for 30 minutes.
Then 4,4'-difluorobenzophenone 122.8
A solution of 5 g (3 moles at 0,511°C) dissolved in 1.5 J1 of N-methylpyrrolidone was added and the reaction was further carried out for 1 hour. 6 After the reaction was completed, the product was pulverized with a blender (manufactured by Warning). Thoroughly wash with wood and dry to obtain aromatic polyether copolymer 2 in the form of white powder.
58 g (yield lOO%) was obtained.

この芳香族ポリエーテル共重合体の熱的性質に関して測
定したところ、ガラス転移温度(Tg)が182℃、融
点は379℃、熱分解開始温度(Td)が562℃(空
気中、5%重量減)があった。
When measuring the thermal properties of this aromatic polyether copolymer, the glass transition temperature (Tg) was 182°C, the melting point was 379°C, and the thermal decomposition onset temperature (Td) was 562°C (5% weight loss in air). )was there.

2)プリント回路基板の製造 上記芳香族ポリエーテル共重合体のペレットを押出成形
して、絶縁基板中の芳香族ポリエーテル共重合体の含有
量が第1表に示す値になるように設定された肉厚0.5
mmのシー) (50mmX50mm)を2枚製造した
2) Production of printed circuit board The pellets of the aromatic polyether copolymer described above are extruded and the content of the aromatic polyether copolymer in the insulating board is set to the value shown in Table 1. wall thickness 0.5
Two sheets (50 mm x 50 mm) were manufactured.

次に、上述芳香族ポリエーテル共重合体のシート2枚の
間に、絶縁基板中のガラス繊維の含有量が示す値となる
ように設定されたガラス連続長繊維マット(旭ファイバ
ーグラス社製: GSM、M2SO4)1枚を挟んで3
層構造の積層体を得た。
Next, a continuous glass fiber mat (manufactured by Asahi Fiberglass Co., Ltd.: GSM, M2SO4) 3 with one sheet in between
A laminate having a layered structure was obtained.

そして、この蹟層体全体を400℃に加熱した50m 
m X 50m m c7)平板金型に供給し、6 k
g/cm2ノ圧力で5分間加熱圧縮した。その後250
℃に設定した冷却プレスに移して30kg/c麿2の加
圧下で5分間冷却を行なった結果、肉厚1.1mmの複
合体シートからなる絶縁基板を得た。
Then, this entire layer was heated to 400°C for 50m.
m x 50m m c7) Supply to flat plate mold, 6k
It was heated and compressed for 5 minutes at a pressure of g/cm2. then 250
The mixture was transferred to a cooling press set at .degree. C. and cooled for 5 minutes under a pressure of 30 kg/cm2 to obtain an insulating substrate made of a composite sheet with a thickness of 1.1 mm.

この複合体シートからなる絶縁基板を絶縁基板とし、こ
の絶縁基板に電解銅箔をエポキシ樹脂系接着剤で接着し
た後、120℃の温度で5 kg/c*2の圧力で加熱
・加圧処理を施し、銅箔と絶縁基板とが一体となったプ
リント回路基板を得た。
An insulating substrate made of this composite sheet is used as an insulating substrate, and after bonding an electrolytic copper foil to this insulating substrate with an epoxy resin adhesive, heat and pressure treatment is performed at a temperature of 120°C and a pressure of 5 kg/c*2. A printed circuit board in which the copper foil and the insulating board were integrated was obtained.

このプリント回路基板に関して各種物性を次の測定方法
に準拠して測定を行なった。
Various physical properties of this printed circuit board were measured according to the following measurement method.

熱変形温度(ASTM−0648) 曲げ強度(ASTM−0790) 銅箔の剥離強度(JIS −CG481)誘電率参誘電
正接(A!97M−0150)その結果を第1表に示す
Heat distortion temperature (ASTM-0648) Bending strength (ASTM-0790) Peel strength of copper foil (JIS-CG481) Dielectric constant dielectric loss tangent (A!97M-0150) The results are shown in Table 1.

(実施例2) 第1表に示す樹脂含有量およびガラス繊維含有量に変更
した以外は実施例1と同様に行なってプリント回路基板
を製造した。
(Example 2) A printed circuit board was manufactured in the same manner as in Example 1 except that the resin content and glass fiber content were changed to those shown in Table 1.

その結果を第1表に示す。The results are shown in Table 1.

(実施例3) 前記実施例1の(1)でっせいぞうした芳香族ポリエー
テル共重合体80重量部に対して、ポリエーテルエーテ
ルケトンを20重量部配合し、溶融混練して得た樹脂組
成物を用いて前記実施@1の(2)と同様にしてプリン
ト回路基板を製造した。
(Example 3) A resin obtained by blending 20 parts by weight of polyether ether ketone with 80 parts by weight of the aromatic polyether copolymer prepared in (1) of Example 1 and melt-kneading the mixture. A printed circuit board was manufactured using the composition in the same manner as in Example 1 (2) above.

その結果を第1表に示す。The results are shown in Table 1.

(比較例1) 樹脂成分として熱可塑性樹脂である英国IC1社製のポ
リエーテルエーテルケトン(以下単にPEEKと略記す
る)を用いた以外は、実施例1と同様の方法でプリント
回路基板を製造し、実施例1と同様の物性の測定を行な
った。
(Comparative Example 1) A printed circuit board was manufactured in the same manner as in Example 1, except that a thermoplastic resin, polyether ether ketone (hereinafter simply abbreviated as PEEK) manufactured by IC1, UK, was used as the resin component. The physical properties were measured in the same manner as in Example 1.

その結果を第1表に示す。The results are shown in Table 1.

(以下、余白) [発明の効果] このようにして得られた本発明のプリント回路基板は、
熱変形温度が高く、高い温度においても十分に高い機械
的強度を保持することができることから、電子デバイス
をハンダにより溶着する際にも、絶縁基板が変形するこ
とが無い。
(Hereinafter, blank space) [Effects of the invention] The printed circuit board of the present invention thus obtained has the following:
Since the thermal deformation temperature is high and the insulating substrate can maintain sufficiently high mechanical strength even at high temperatures, the insulating substrate will not be deformed even when electronic devices are welded with solder.

本発明のプリント回路基板の熱変形温度は335℃程度
であることから、ハンダの溶融温度260℃程度の温度
では変形することがなく、各種電子デバイスを容易に溶
着させることができるので、工業的に極めて有用なもの
である。
Since the thermal deformation temperature of the printed circuit board of the present invention is about 335°C, it will not deform at a temperature of about 260°C, which is the melting temperature of solder, and various electronic devices can be easily welded. It is extremely useful.

Claims (1)

【特許請求の範囲】[Claims] (1)絶縁性基板の表面に導電層を形成してなるプリン
ト回路基板において、前記絶縁性基板が、式(A) ▲数式、化学式、表等があります▼[ I ] で表わされる繰り返し単位と、 式 ▲数式、化学式、表等があります▼[II] で表される繰り返し単位とを有し,前記式[ I ]で表
される繰り返し単位と前記式[II]で表わされる繰り返
し単位との含有割合([ I ]:[II])が15〜35
:65〜85(モル比)である芳香族ポリエーテル共重
合体または前記共重合体10〜99重量%と熱可塑性樹
脂1〜99重量%とからなる樹脂組成物成分15〜85
重量%と、(B)ガラス繊維成分85〜15重量%との
複合体であることを特徴とするプリント回路基板。
(1) In a printed circuit board formed by forming a conductive layer on the surface of an insulating substrate, the insulating substrate has a repeating unit represented by the formula (A) ▲Mathematical formula, chemical formula, table, etc.▼[I] , formula▲There are mathematical formulas, chemical formulas, tables, etc.▼ [II] It has a repeating unit represented by the formula [I] and the repeating unit represented by the formula [II]. Content ratio ([I]:[II]) is 15 to 35
: 65-85 (molar ratio), or a resin composition component consisting of 10-99% by weight of the copolymer and 1-99% by weight of a thermoplastic resin 15-85
% by weight and (B) a glass fiber component of 85 to 15% by weight.
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EP89123066A EP0373633B1 (en) 1988-12-14 1989-12-13 Polyetheric copolymers, process for preparing the same, compositions containing the same, their molded products, and their use
US07/449,192 US5115077A (en) 1988-12-14 1989-12-13 Polyetheric copolymers, process for preparing the same compositions containing the same, their molded products, and their use
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Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2010524265A (en) * 2007-04-11 2010-07-15 ワールド プラパティーズ、 インコーポレイテッド Circuit material, multilayer circuit, and method for manufacturing the same

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