JPH01272128A - Alignment method - Google Patents
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- JPH01272128A JPH01272128A JP63101050A JP10105088A JPH01272128A JP H01272128 A JPH01272128 A JP H01272128A JP 63101050 A JP63101050 A JP 63101050A JP 10105088 A JP10105088 A JP 10105088A JP H01272128 A JPH01272128 A JP H01272128A
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Landscapes
- Container, Conveyance, Adherence, Positioning, Of Wafer (AREA)
Abstract
Description
【発明の詳細な説明】 〔発明の目的〕 （産業上の利用分野） 本発明は、アライメント方法に関する。[Detailed description of the invention] [Purpose of the invention] (Industrial application field) The present invention relates to an alignment method.
（従来の技術）
半導体製造において、被アライメント板例えば半導体ウ
ェハに不純物を注入した後の再拡散工程、上記半導体ウ
ェハの結晶損傷などによる不良箇所の修理工程および注
入された上記不純物の活性化工程等のために、たとえば
レーザ光をレンズ等の光学手段により収束しビーム状に
して上記半導体ウェハ表面に照射し加熱するレーザ熱処
理装置が使用されている。(Prior Art) In semiconductor manufacturing, there is a re-diffusion process after impurities are implanted into an alignment target plate, such as a semiconductor wafer, a process for repairing defective parts of the semiconductor wafer due to crystal damage, and a process for activating the implanted impurities. For this purpose, a laser heat treatment apparatus is used, for example, which converges laser light using an optical means such as a lens, forms a beam, and irradiates the surface of the semiconductor wafer to heat it.
そして、このレーザ熱処理に際し、レーザビームが半導
体ウェハ表面を定められた通り正確に走査照射するよう
に、上記半導体ウェハを所定の位置に予めアライメント
して配置しておく必要がある。During this laser heat treatment, it is necessary to align and arrange the semiconductor wafer at a predetermined position in advance so that the laser beam scans and irradiates the semiconductor wafer surface accurately in a predetermined manner.
このアライメントの方法の一つとして、第５図に示すよ
うな方法がある。One of the methods for this alignment is the method shown in FIG.
ステージω上に半導体ウェハ■を載置し、このステージ
■を例えば横（Ｘ）方向■に移動させ光センサに）で上
記半導体ウェハ■のエツジ（周縁）■の有無を検出する
。そして、この時のステージ■の移動量により、このス
テージ■の中心０から上記エツジ■までの距離ｒ□■を
求め、 次にステージのを所定の一定角度θ（ハ）だけ
回転させ、再びステージのを横方向■に移動させ光セン
サに）で半導体ウェハ■のエツジ０を検出し、上記同様
に距離ｒ２（１０）を求める。A semiconductor wafer (2) is placed on a stage (ω), and the stage (2) is moved, for example, in the lateral (X) direction (3), and the presence or absence of an edge (periphery) (2) of the semiconductor wafer (2) is detected using an optical sensor (2). Then, from the amount of movement of stage ■ at this time, calculate the distance r□■ from the center 0 of this stage ■ to the edge ■, then rotate the stage by a predetermined constant angle θ (c), and then move the stage again. is moved in the lateral direction (2) and the edge 0 of the semiconductor wafer (2) is detected by the optical sensor (2), and the distance r2 (10) is determined in the same manner as above.
以上の動作を半導体ウェハ■の全周に渡りくり返して、
求めた距離ｒ□■〜ｒ ｎ（１１）のデータを情報処理
して半導体ウェハ■の中心位ＩＩ（１２）およびオリフ
ラ（１３）を探し出し、上記半導体ウェハ■を所定の位
置に配置する位置決め法がある。Repeat the above operation all around the semiconductor wafer■,
A positioning method in which the data of the determined distances r□■~r n (11) is processed to find the center position II (12) and orientation flat (13) of the semiconductor wafer ■, and the semiconductor wafer ■ is placed at a predetermined position. There is.
また、上記のほかに、例えば特開昭６１−８５６５０号
公報にて開示された位置決め方法もある。In addition to the above, there is also a positioning method disclosed in, for example, Japanese Patent Laid-Open No. 61-85650.
（発明が解決しようとする課題）
しかしながら、上記従来方法には次に述べるような課題
がある。(Problems to be Solved by the Invention) However, the above conventional method has the following problems.
前者において、一般に、ステージω上に載置された半導
体ウェハ■のオリフラ（１３）部分以外の部分において
は、ステージ■の中心０からエツジまでの距離、特に角
度θ（８）だけずれた隣り合せの部分の距離例えばｒ
ｎ（１１）とｒ１■、ｒ１■とｒ ２（１０）はほぼ等
しい。しかし、光センサ（へ）の機能は半導体ウェハ■
のエツジの有無を検出するだけであるため、上記各距離
ｒ、■〜ｒ’ ｎ（１１）を求めるごとに、ステージ■
を移動させなければならず、半導体ウェハ■の全周に渡
ってデータを求めるには非常に時間がかかり、アライメ
ントに要する時間が長くなる。In the former case, in general, in parts other than the orientation flat (13) of the semiconductor wafer (■) placed on the stage (ω), the distance from the center 0 of the stage (■) to the edge, particularly the distance between the adjacent edges by an angle θ (8), is For example, the distance of r
n(11) and r1■, and r1■ and r2(10) are almost equal. However, the function of the optical sensor (to) is based on the semiconductor wafer.
Since it is only necessary to detect the presence or absence of an edge, the stage ■
It takes a very long time to obtain data over the entire circumference of the semiconductor wafer (1), and the time required for alignment increases.
また後者では、所定の素子間隔のラインセンサの黒レベ
ルとなったセンサの長さを距離データとしているので、
素子間隔以下には距離検出の精度が上げられない。In the latter case, the distance data is the length of the sensor at which the black level of a line sensor with a predetermined element spacing is reached.
The accuracy of distance detection cannot be improved below the element spacing.
本発明は、上述の従来事情に対処してなされたもので、
ステージの中心から半導体ウェハ■のエツジまでの距離
を求める時間が短く、短時間で終了する精度の高いアラ
イメント方法を提供しようとするものである。The present invention has been made in response to the above-mentioned conventional circumstances, and
The present invention aims to provide a highly accurate alignment method that takes only a short time to determine the distance from the center of the stage to the edge of the semiconductor wafer (2) and can be completed in a short time.
（課題を解決するための手段）
すなわち本発明は、被アライメント板とセンサとを相対
的に移動させて上記被アライメント板の周縁を上記セン
サで検出し、上記移動中心との距離データを演算処理し
て上記被アライメント板をアライメントするに際し、
上記センサとしてのラインセンサを固定して設け、上記
被アライメント板を上記移動中心を中心として回転させ
ることを特徴とする。(Means for Solving the Problems) That is, the present invention moves the plate to be aligned and a sensor relatively, detects the periphery of the plate to be aligned with the sensor, and processes the distance data from the center of movement. When aligning the plate to be aligned, a line sensor as the sensor is fixedly provided, and the plate to be aligned is rotated about the center of movement.
（作用）
本発明アライメント方法によれば、被アライメント板の
周縁を検出するセンサを固定し上記被アライメント板を
回転させることにより上記被アライメント板の周縁情報
を得ることができるので、上記被アライメント板を周縁
検出ごとに直線移動する必要はなく、短時間で高精度の
距離データが得られる。(Function) According to the alignment method of the present invention, peripheral edge information of the alignment target plate can be obtained by fixing a sensor that detects the circumference of the alignment target plate and rotating the alignment target plate. There is no need to move in a straight line every time the edge is detected, and highly accurate distance data can be obtained in a short time.
（実施例）
以下、本発明アライメント方法の一実施例を図面を参照
して説明する。(Example) Hereinafter, an example of the alignment method of the present invention will be described with reference to the drawings.
基台（１０１）には、被アライメント板例えば半導体ウ
ェハ（１０２）を吸着保持するチャック（１０３）を備
え、このチャック（１０３）はθ回転可能で、かつ横（
Ｘ）方向、縦（Ｙ）方向に移動可能に構成されたＸＹθ
ステージ（１０４）が取着されている。The base (101) is equipped with a chuck (103) for suctioning and holding a plate to be aligned, such as a semiconductor wafer (102).
XYθ configured to be movable in the X) direction and vertical (Y) direction
A stage (104) is attached.
また、 このＸＹθステージ（１０４）の上方付近には
、チャック（１０３）に吸着保持された半導体ウェハ（
１０２）の周縁を検出可能な位置に、センサ例えば投光
器（１０５）、受光器（１０６）からなる透過型のライ
ンセンサ（１０７）が配置されている。そして、このラ
インセンサ（１０７）からの出力電気信号はアライメン
ト制御部（１０８）に入力され、所定の手順に従って情
報処理し、上記アライメント制御装置（１０８）により
ＸＹθステージ（１０４）を駆動制御可能に構成されて
いる。Also, near the top of this XYθ stage (104) is a semiconductor wafer (
A transmission type line sensor (107) consisting of a sensor, for example, a light emitter (105) and a light receiver (106), is arranged at a position where the peripheral edge of the light beam (102) can be detected. The output electrical signal from this line sensor (107) is input to an alignment control section (108), where the information is processed according to a predetermined procedure, and the alignment control device (108) can drive and control the XYθ stage (104). It is configured.
さらに、基台（１０１）上には半導体ウェハ（１０２）
を熱処理するレーザ熱処理部（１０９）が設けられてい
る。Furthermore, a semiconductor wafer (102) is placed on the base (101).
A laser heat treatment section (109) is provided for heat-treating.
このレーザ熱処理部（１０９）の処理室（１１０）は、
例えばステンレスやアルミニウム等からなる円筒状の上
蓋（１１１）と下蓋（１１２）とから構成され１例えば
エアーシリンダー等を使用した開閉機構（図示せず）に
より例えば２０１Ｔｆｉ程度相対的に開閉自在に構成さ
れている。The processing chamber (110) of this laser heat treatment section (109) is
It is composed of a cylindrical upper cover (111) and a lower cover (112) made of, for example, stainless steel or aluminum, and can be relatively opened and closed by an opening/closing mechanism (not shown) using, for example, an air cylinder. has been done.
次に、上蓋（ＩＩＩ）の土壁部および下蓋（１１２）の
下壁部には、おのおの開口部（１１３）、（１１４）が
設けられており、この開口部（１１３）、（１１４）に
は透明部材例えば石英ガラス（１１５）、 （１１６）
が取着されている。Next, openings (113) and (114) are provided in the soil wall of the upper lid (III) and the lower wall of the lower lid (112), respectively. For example, quartz glass (115), (116)
is attached.
処理室（１１０）内部の中央部付近には、半導体ウェハ
（１０２）を下面において吸着保持し上記半導体ウェハ
（１０２）を予備加熱するための例えばカーボングラフ
ァイトからなる円板状に形成されたサセプタ（１１７）
が配設されている。そして、このサセプタ（ｕ７）の外
周面には、 これと所定の間隔を保持して例えばステン
レスからなり円環状に形成され、サセプタ（１１７）等
からの放射熱を内側方向に反射する反射体（１１ｇ）が
設けられている。Near the center of the inside of the processing chamber (110), there is a susceptor (made of, for example, carbon graphite) formed into a disk shape for adsorbing and holding the semiconductor wafer (102) on its lower surface and preheating the semiconductor wafer (102). 117)
is installed. On the outer peripheral surface of the susceptor (u7), a reflector (made of, for example, stainless steel) is formed in an annular shape at a predetermined distance from the susceptor (u7) and reflects the radiant heat from the susceptor (117) inward. 11g) is provided.
上記サセプタ（１１７）と反射体（１１８）は、複数の
断熱性支持部材例えばセラミック製の支持部材（１１９
）により同心状に上１（１１１）に取着されている。The susceptor (117) and the reflector (118) are made of a plurality of heat-insulating support members, for example, ceramic support members (119).
) is concentrically attached to the upper part 1 (111).
一方、処理室（１１０）の上方には、サセプタ（１１７
）を加熱するための手段として、光熱源例えば反射板（
１２０）を備えたＩＲクランプ Ｉ ｎｆｒａｒｅｄ
Ｒａｙ Ｌａｍｐ）（１２１）が配設されており、この
ＩＲクランプ１２１）からの赤外線が石英ガラス（１１
５）を透過してサセプタ（１１７）を加熱するように構
成されている。On the other hand, above the processing chamber (110), a susceptor (117
) as a means for heating a light source such as a reflector (
IR clamp with 120)
A ray lamp (121) is installed, and the infrared rays from this IR clamp (121) are transmitted to the quartz glass (11).
5) to heat the susceptor (117).
また、処理室（１１０）下方には、 レーザ光照射機構
（図示せず）が配置されており、このレーザ光照射機構
（図示せず）によりレーザビーム（１２２）を石英ガラ
ス（１１６）を通して下方から半導体ウェハ（１０２）
表面に走査照射してレーザ熱処理例えばレーザアニール
処理を行うように構成されている。Further, a laser beam irradiation mechanism (not shown) is arranged below the processing chamber (110), and this laser beam irradiation mechanism (not shown) directs the laser beam (122) downward through the quartz glass (116). From semiconductor wafer (102)
It is configured to scan and irradiate the surface to perform laser heat treatment, for example, laser annealing treatment.
さらに、ＸＹ１１＋ステージ（１０４）と処理室（１１
０） ノウ間付近には、 ＸＹθステージ（１０４）の
チャック（１０３）に保持された半導体ウェハ（１０２
）を吸着アーム（図示せず）等により吸着保持し、上記
半導体ウェハ（１０２）を反転してサセプタ（１１７）
下面に搬送する搬送部（１２３）が基台（１０１）に取
着されている。Furthermore, the XY11+ stage (104) and the processing chamber (11
0) Near the gap, there is a semiconductor wafer (102) held by the chuck (103) of the XYθ stage (104).
) is sucked and held by a suction arm (not shown) or the like, and the semiconductor wafer (102) is inverted and placed on a susceptor (117).
A conveying section (123) for conveying to the lower surface is attached to the base (101).
次に、上記構成のレーザ熱処理装置のアライメント方法
について説明する。先ず、吸着アーム（図示せず）等に
より半導体ウェハ（１０２）を搬送しｘｙ’θステージ
（１０４）のチャック（１０３）上に種半導体ウェハ（
１０２）の中心とチャック（１０３）の中心とが一致す
る如く載置して吸着保持する。Next, an alignment method for the laser heat treatment apparatus having the above configuration will be explained. First, the semiconductor wafer (102) is transported by a suction arm (not shown) or the like, and the seed semiconductor wafer (102) is placed on the chuck (103) of the xy'θ stage (104).
The chuck (102) is placed so that the center of the chuck (103) coincides with the center of the chuck (103), and the chuck (103) is held by suction.
この時、第２図に示すように半導体ウェハ（１０２）の
中心（１２４）とチャック（１０３）の中心（１２５）
とがずれている場合には、 このずれを補正し、搬送部
（１２３）で上記半導体ウェハ（１０２）を搬送してサ
セプタ（１１７）に吸着保持したとき、半導体ウェハ（
１０２）が所定の位置にあるようにじておく必要がある
。At this time, as shown in FIG. 2, the center (124) of the semiconductor wafer (102) and the center (125) of the chuck (103)
If there is a deviation, this deviation is corrected, and when the semiconductor wafer (102) is transferred by the transfer section (123) and held by suction on the susceptor (117), the semiconductor wafer (
102) must be kept in place.
そこで、半導体ウェハ（１０２）の周縁（１２６）部分
をラインセンサ（１０７）で検出し、 このラインセン
サ（１０７）のアナログ出力信号をアライメント制御部
（１０８）で次に説明するように演算処理してデジタル
距離データに変換する。Therefore, the peripheral edge (126) of the semiconductor wafer (102) is detected by a line sensor (107), and the analog output signal of this line sensor (107) is processed by the alignment control unit (108) as described below. and convert it to digital distance data.
第３図に示すように、 ラインセンサ（１０７）として
例えば、検出可能な幅がｉｎｎで、出力が遮光部分に比
例して出力信号がＯ〜５（ｖ）と連続して変化するライ
ンセンサを使用する。そして上記Ｏ〜５（ｖ）のアナロ
グ出力電気信号を例えば８ビツトのアナログ／デジタル
（Ａ／Ｄ）変換を行い、０〜２５５段階のレベルのデジ
タル距離データにデジタル変換する。したがって、この
デジタル変換後のルベルの距離は１ （ｗｍ）／ ２５
５ ＝０．００３９２１− （ａｍ）押３．９（４）に
対応する。As shown in Fig. 3, the line sensor (107) is, for example, a line sensor whose detectable width is inn and whose output signal changes continuously from 0 to 5 (v) in proportion to the shaded area. use. Then, the analog output electrical signal of O to 5(v) is subjected to, for example, 8-bit analog/digital (A/D) conversion to digitally convert it into digital distance data of levels 0 to 255. Therefore, the Lebel distance after this digital conversion is 1 (wm)/25
5 = 0.003921- (am) corresponds to push 3.9 (4).
すなわち、第２図において、今測定しようとするチャッ
ク（１０３）の中心（１２５）から半導体ウェハ（１０
２）の周縁（１２６）までの距離ｒ、（１２７）は次式
で表わされる。That is, in FIG. 2, the semiconductor wafer (10
The distance r to the periphery (126) (127) in 2) is expressed by the following equation.
ｒ ｘ （１２７） ＝ｒ ６ ＋ ｒ ｇ・・・（１
２８）、但し、ｒ（、はチャック（１０３）の原点位置
における中心（１２４）からラインセンサ（１０７）の
検出可能な幅の左端までの距離ｓ ｒ３は半導体ウェ
ハ（１０２）によるラインセンサ（１０７）の遮光部分
の距離。r x (127) = r 6 + r g...(1
28), where r(, is the distance s from the center (124) at the origin position of the chuck (103) to the left edge of the detectable width of the line sensor (107); ) distance of the shaded part.
ここで、式（１２８）のｒ９は、デジタル変換後のレベ
ルをＳとすれば、ｒ、＝３．９・Ｓに対応するので、ｆ
’ｔ（１２７）の距離を算出できる。Here, r9 in equation (128) corresponds to r, = 3.9·S, where S is the level after digital conversion, so f
't(127) distance can be calculated.
次に、 アライメント制御部（ｉｏａ）によりＸＹθス
テージ（１０４）を駆動して、所定の角度θだけチャッ
ク（１０３）を回転させて、上記同様の手順にて距離ｒ
、 （１２９）を算出する。Next, the alignment control unit (ioa) drives the XYθ stage (104) to rotate the chuck (103) by a predetermined angle θ, and the distance r is
, (129) is calculated.
以後、 チャック（１０３）を角度θだけ回転させてそ
の都度上記距離を算出し、角度と距離をプリアライメン
ト制御部（１０８）で記憶する。Thereafter, the chuck (103) is rotated by the angle θ, the distance is calculated each time, and the angle and distance are stored in the pre-alignment control unit (108).
上記距離を測定する際、チャック（１０３）の中心（１
２５）と半導体ウェハ（１０２）の中心（１２４）のず
れにより１周縁（１２６）部分がラインセンサ（１０７
）の検出可能な幅の両端部に近くなり、そのまま測定動
作を続けると全部遮光したり全部遮光せずに測定不能に
なる可能性がある。When measuring the above distance, the center (1
25) and the center (124) of the semiconductor wafer (102), one periphery (126) of the line sensor (107)
), and if the measurement operation is continued, there is a possibility that the light will be completely blocked or the light will not be completely blocked, making it impossible to measure.
そこで、遮光の度合に関して１例えばラインセンサ（１
０７）の出力信号レベルが２４０のときをＯＮレベル、
１５をＯＦＦレベルに設定し、測定中にこのレベルにな
ると、チャック（１０３）を移動させる。Therefore, regarding the degree of light shielding, for example, a line sensor (1
07) when the output signal level is 240 is the ON level,
15 is set to the OFF level, and when this level is reached during measurement, the chuck (103) is moved.
すなわち第４図に示すように、距離の１データを取り込
む場合に、 ラインセンサ（１０７）で読み取ったデー
タがＯＮレベルを越えたときは例えばＸＹθステージ（
１０４）を−Ｘ方向に４００パルスに相当する距離０．
４ｍｏ＋だけ移動し、ラインセンサ（１０７）の遮光部
が検査可能な幅の概中央付近になるように設定する。な
お、ＸＹθステージ（１０４）は、パルスモータ等を使
用し１例えば１０００パルス入力で１ｍａ＋移動つまり
１パルスで０．００１ｍｍ移動するように構成しておく
。In other words, as shown in Fig. 4, when taking in one piece of distance data, if the data read by the line sensor (107) exceeds the ON level, for example, the XYθ stage (
104) in the -X direction at a distance of 0.
The line sensor (107) is moved by 4 mo+ and set so that the light shielding part of the line sensor (107) is approximately in the vicinity of the center of the width that can be inspected. The XYθ stage (104) is configured to move by 1 ma+, that is, by 0.001 mm with one pulse, when a pulse motor or the like is input, for example, 1000 pulses.
一方、 ラインセンサ（１０７）で読み取ったデータが
ＯＦＦレベル未満になったときにはＸＹθステージ（１
０４）を子方向に４００パルスに相当する距離０．４ｍ
だけ移動する。On the other hand, when the data read by the line sensor (107) falls below the OFF level, the XYθ stage (107)
04) in the child direction at a distance of 0.4m corresponding to 400 pulses.
move only.
そして、上記ＸＹθステージ（１０４）の現在位置とラ
インセンサ（１０７）からのデジタル距離データから距
離を算出しデータ出力する。Then, the distance is calculated from the current position of the XYθ stage (104) and the digital distance data from the line sensor (107), and the data is output.
上記説明から理解されるように、ラインセンサ（１０７
）の検出可能な幅の範囲内に遮光部分がある間はＸＹθ
ステージ（１０４）を測定するごとに移動させる必要は
なく１回転動作だけで距離データを取り込むことができ
る。As understood from the above description, the line sensor (107
) while there is a light-blocking part within the detectable width range of XYθ
There is no need to move the stage (104) every time a measurement is made, and distance data can be captured with just one rotation.
以上の動作を半導体ウェハ（１０２）の全周に渡ってく
り返し、記憶した角度と距離データを演算処理してＸＹ
θステージ（１０４）を駆動制御して、半導体ウェハ（
１０２）を所定の位置にアライメントする。The above operations are repeated around the entire circumference of the semiconductor wafer (102), and the memorized angle and distance data are processed and
The θ stage (104) is driven and controlled to move the semiconductor wafer (
102) in a predetermined position.
次に、開閉機構（図示せず）により上蓋（１１１）と下
蓋（１１２）を開いて２０ｍｍ程度の間隔を設け、搬送
部（１２３）により半導体ウェハ（１０２）をチャック
（１０３）から搬出して処理室（１１０）内に搬入し、
上記半導体ウェハ（１０２）の処理面を下向にした状態
でサセプタ（１１７）に吸着保持する。Next, the upper lid (111) and the lower lid (112) are opened by an opening/closing mechanism (not shown) to provide a gap of about 20 mm, and the semiconductor wafer (102) is transported from the chuck (103) by the transport section (123). and carried into the processing room (110),
The semiconductor wafer (102) is adsorbed and held on a susceptor (117) with its processing surface facing downward.
そして、上蓋（１１１）と下蓋（１１２）を密着させ、
ＩＲクランプ１２１）でサセプタ（１）７）を所定の温
度となるように加熱することにより、このサセプタ（１
１７）の下面に吸着保持している半導体ウェハ（１０２
）を加熱し、下方からレーザビーム（１２２）を半導体
ウェハ（１０２）の表面に走査照射しアニール処理を行
う。Then, the upper lid (111) and the lower lid (112) are brought into close contact,
By heating the susceptor (1) 7) to a predetermined temperature with the IR clamp 121), the susceptor (1)
A semiconductor wafer (102) is held by suction on the bottom surface of 17).
) is heated, and a laser beam (122) is scanned and irradiated onto the surface of the semiconductor wafer (102) from below to perform an annealing process.
なお上記実施例では、 ラインセンサ（１０７）として
透過型を使用したものについて説明したが、本発明は上
記実施例に限定されるものではなくラインセンサ（１０
７）は例えば反射型のもの等遮光の距離に比例した出力
信号を発生するものであれば使用できる。In addition, in the above embodiment, a transmissive type was used as the line sensor (107), but the present invention is not limited to the above embodiment.
7) can be used as long as it generates an output signal proportional to the distance of light shielding, such as a reflective type.
また、Ａ／Ｄ変換についても上記説明の８ビツトに限ら
ず、例えば１６ビツトにてＡ／Ｄ変換してもよいのは言
うまでもなく、併せてＡ／Ｄ変換のビット数を変更する
ことにより距離検出の精度を容易に変更できる。さらに
被アライメント板は、上記説明の半導体ウェハのような
円板状のものに限らず、他の形状例えば方形状のものも
本発明が適用できる。Furthermore, the A/D conversion is not limited to the 8 bits explained above, and it goes without saying that A/D conversion may be performed at 16 bits, for example. Detection accuracy can be easily changed. Further, the alignment target plate is not limited to a disc-shaped plate like the semiconductor wafer described above, but the present invention can be applied to other shapes such as a rectangular plate.
上述したように、本発明アライメント方法によれば、短
時間で被アライメント板のアライメントを行うことがで
きる。As described above, according to the alignment method of the present invention, the alignment target plate can be aligned in a short time.
第１図は本発明アライメント方法を説明するための構成
図、第２図、第３図および第４図は第１図の主要部の動
作説明図、第５図は従来例を示す図である。
１０２・・・半導体ウェハ １０３・・・チャック１０
４・・・ＸＹθステージ １０７・・・ラインセンサ１
０８・・・アライメント制御部FIG. 1 is a block diagram for explaining the alignment method of the present invention, FIGS. 2, 3, and 4 are operation explanatory diagrams of the main parts of FIG. 1, and FIG. 5 is a diagram showing a conventional example. . 102... Semiconductor wafer 103... Chuck 10
4...XYθ stage 107...Line sensor 1
08... Alignment control section
Claims (3)
せて上記被アライメント板の周縁を上記センサで検出し
、上記移動中心との距離データを演算処理して上記被ア
ライメント板をアライメントするに際し、 上記センサとしてのラインセンサを固定して設け、上記
被アライメント板を上記移動中心を中心として回転させ
ることを特徴とするアライメント方法。(1) When relatively moving the plate to be aligned and the sensor, detecting the periphery of the plate to be aligned with the sensor, and calculating the distance data from the center of movement to align the plate to be aligned, An alignment method characterized in that a line sensor as the sensor is fixedly provided, and the plate to be aligned is rotated about the center of movement.
むことを特徴とする特許請求の範囲第１項記載のアライ
メント方法。(2) The alignment method according to claim 1, wherein the peripheral edge information of the line sensor output is continuously captured.
することを特徴とする特許請求の範囲第１項記載のアラ
イメント方法。(3) The alignment method according to claim 1, wherein the line sensor output signal is digitized and processed.
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP63101050A JP2681651B2 (en) | 1988-04-22 | 1988-04-22 | Alignment method |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP63101050A JP2681651B2 (en) | 1988-04-22 | 1988-04-22 | Alignment method |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH01272128A true JPH01272128A (en) | 1989-10-31 |
| JP2681651B2 JP2681651B2 (en) | 1997-11-26 |
Family
ID=14290293
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP63101050A Expired - Fee Related JP2681651B2 (en) | 1988-04-22 | 1988-04-22 | Alignment method |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2681651B2 (en) |
Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS6185650A (en) * | 1984-10-01 | 1986-05-01 | Hitachi Denshi Syst Service Kk | Automatic positioning device of ic wafer |
| JPS62211934A (en) * | 1986-03-13 | 1987-09-17 | Canon Inc | Apparatus for positioning wafer |
-
1988
- 1988-04-22 JP JP63101050A patent/JP2681651B2/en not_active Expired - Fee Related
Patent Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS6185650A (en) * | 1984-10-01 | 1986-05-01 | Hitachi Denshi Syst Service Kk | Automatic positioning device of ic wafer |
| JPS62211934A (en) * | 1986-03-13 | 1987-09-17 | Canon Inc | Apparatus for positioning wafer |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JP2681651B2 (en) | 1997-11-26 |
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