JP7398606B2 - Hybrid methods of forming microstructure array molds, methods of making microstructure arrays, and methods of use - Google Patents

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Description

関連出願への相互参照
本願は、参照することによってその全体として本明細書に組み込まれる、2018年6月25日に出願された、米国仮出願第62/689,640号の利益を主張する。
CROSS-REFERENCE TO RELATED APPLICATIONS This application claims the benefit of U.S. Provisional Application No. 62/689,640, filed June 25, 2018, which is incorporated herein by reference in its entirety.

技術分野
本開示は、概して、微小構造アレイを作製するための成形型を作製または製作するための方法、微小構造アレイを作製するための成形型を使用する方法、およびその関連する特徴に関する。
TECHNICAL FIELD This disclosure generally relates to methods for making or fabricating molds for making microstructure arrays, methods of using molds to make microstructure arrays, and related features thereof.

背景
微小針のアレイが、例えば、期限切れの米国特許第3,964,482号において、1970年代に、皮膚を通して薬物を投与する方法として提案された。微小針、微小突起、または微小構造アレイは、通常の経真皮的投与が不適正である状況において、ヒトの皮膚および他の生物学的膜を通して、もしくはその中に、薬物の通過を促進することができる。微小構造アレイはまた、間質液等の生物学的膜の近傍に見出される流体をサンプリングし、次いで、バイオマーカの存在に関して試験されるためにも使用されることができる。
Background Arrays of microneedles were proposed as a method of administering drugs through the skin in the 1970s, for example in expired US Pat. No. 3,964,482. Microneedles, microprotrusions, or microstructure arrays may facilitate the passage of drugs through or into human skin and other biological membranes in situations where conventional transdermal administration is inappropriate. I can do it. Microstructure arrays can also be used to sample fluids found in the vicinity of biological membranes, such as interstitial fluid, which are then tested for the presence of biomarkers.

近年、その普及使用を財政的に実行可能にする方法で微小構造アレイを製造することがより実行可能となりつつある。米国特許第6,451,240号は、微小針アレイを製造するいくつかの方法を開示している。アレイが、十分に安価である場合、例えば、使い捨て可能デバイスとして市販されてもよい。使い捨て可能デバイスは、デバイスの完全性が前の使用によって損なわれている可能性を回避し、各使用後、デバイスを滅菌し、それを制御された貯蔵状態に維持する潜在性必要性を回避するために、再利用可能なものであることが好ましくあり得る。 In recent years, it has become more viable to produce microstructure arrays in a manner that makes their widespread use financially viable. US Pat. No. 6,451,240 discloses several methods of manufacturing microneedle arrays. If the array is sufficiently inexpensive, it may be commercially available, for example, as a disposable device. Disposable devices avoid the possibility that the integrity of the device has been compromised by previous use, and avoid the potential need to sterilize the device and maintain it in controlled storage after each use. Therefore, it may be preferable to be reusable.

シリコンまたは金属内に微小針アレイを製作する多くの初期研究にもかかわらず、ポリマーアレイに有意な利点がある。米国特許第6,451,240号は、ポリマー微小針アレイを製造するいくつかの方法を開示している。主に、生体分解性ポリマーから作製されるアレイもまた、いくつかの利点を有する。米国特許第6,945,952および米国特許出願公開第2002/0082543号ならびに同第2005/0197308号は、生体分解性ポリマーから作製される微小針アレイのいくつかの議論を有する。ポリグリコール酸から作製される微小針アレイの製作のさらなる説明が、Jung-Hwan Park et al.の「Biodegradable polymer microneedles: Fabrication, mechanics, and transdermal drug delivery」、J. of Controlled Release, 104:51-66(2005)に見出される。 Despite much initial work fabricating microneedle arrays in silicon or metal, there are significant advantages to polymer arrays. US Pat. No. 6,451,240 discloses several methods of manufacturing polymeric microneedle arrays. Arrays made primarily of biodegradable polymers also have several advantages. US Pat. No. 6,945,952 and US Pat. A further description of the fabrication of microneedle arrays made from polyglycolic acid is provided by Jung-Hwan Park et al. "Biodegradable polymer microneedles: Fabrication, mechanics, and transdermal drug delivery", J. of Controlled Release, 104:51-66 (2005).

従来の微小成型技法が、微小突出部アレイを形成するための成形型を製作するために使用されている(Park et al., Biomed Microdevicess, 2007, 9(2):223-234)。フォトリソグラフィおよびソフトリソグラフィ技法を使用して微小針を製作するための方法が、米国特許第7,763,203号に説明されている。しかしながら、従来の微小成型およびリソグラフィ技法は、複雑な微小構造の構造ならびに形状を生産するとき、限界を有する。 Conventional micromolding techniques have been used to fabricate molds for forming microprotrusion arrays (Park et al., Biomed Microdevices, 2007, 9(2):223-234). A method for fabricating microneedles using photolithographic and soft lithographic techniques is described in US Pat. No. 7,763,203. However, conventional micromolding and lithography techniques have limitations when producing complex microstructure structures and shapes.

溶媒流延方法を使用して微小突出部アレイを形成する方法が、米国特許出願公開第2008/0269685号(参照することによってその全体として本明細書に組み込まれる)に説明されている。これらのアレイは、微小突出部アレイのための材料が成形型上に流延される、セラミック、金属、またはポリマー成形型を使用して形成される。 A method of forming microprotrusion arrays using a solvent casting method is described in US Patent Application Publication No. 2008/0269685, incorporated herein by reference in its entirety. These arrays are formed using ceramic, metal, or polymer molds in which the material for the microprotrusion array is cast onto the mold.

これらの努力にもかかわらず、依然として、ポリマー送達システムの製造のためのより単純かつ優れた方法を見出す必要性が存在する。本成形型の1つの問題は、微小突出部のための所望の形状を有する成形型を調製することが困難であることである。1つの特定の必要性は、微小構造アレイ成形型を形成するための単純な方法の製造である。さらなる必要性は、成形型において形成されるアレイの大規模な機械加工の必要性を低減または排除する、成形型の製造および使用である。 Despite these efforts, there remains a need to find simpler and better methods for manufacturing polymeric delivery systems. One problem with the present mold is that it is difficult to prepare a mold with the desired shape for the microprotrusions. One particular need is the production of a simple method for forming microstructure array molds. A further need is the manufacture and use of molds that reduce or eliminate the need for extensive machining of arrays formed in molds.

関連技術およびそれと関連する制限の前述の例は、例証的であり、排他的ではないことを意図している。関連技術の他の制限が、明細書の熟読および図面の精査に応じて当業者に明白となるであろう。 The foregoing examples of related art and limitations associated therewith are intended to be illustrative and not exclusive. Other limitations of the related art will become apparent to those skilled in the art upon reading the specification and examining the drawings.

米国特許第3,964,482号明細書U.S. Patent No. 3,964,482 米国特許第6,451,240号明細書US Patent No. 6,451,240 米国特許第6,451,240号明細書US Patent No. 6,451,240 米国特許第6,945,952号明細書US Patent No. 6,945,952 米国特許出願公開第2002/0082543号明細書US Patent Application Publication No. 2002/0082543 米国特許出願公開第2005/0197308号明細書US Patent Application Publication No. 2005/0197308 米国特許第7,763,203号明細書US Patent No. 7,763,203 米国特許出願公開第2008/0269685号明細書US Patent Application Publication No. 2008/0269685

Jung-Hwan Park et al.の「Biodegradable polymer microneedles: Fabrication, mechanics, and transdermal drug delivery」、J. of Controlled Release, 104:51-66(2005)Jung-Hwan Park et al. "Biodegradable polymer microneedles: Fabrication, mechanics, and transdermal drug delivery", J. of Controlled Release, 104:51-66 (2005) Park et al., Biomed Microdevicess, 2007, 9(2):223-234Park et al. , Biomed Microdevices, 2007, 9(2):223-234

簡単な要旨
下記に説明および図示される以下の側面ならびにその実施形態は、範囲を限定するものではなく、例示的かつ例証的であることを意図する。
BRIEF SUMMARY The following aspects and embodiments thereof described and illustrated below are intended to be exemplary and illustrative rather than limiting in scope.

1つの側面では、マスタ成形型を形成する方法が、提供される。いくつかの実施形態では、微小構造アレイを調製するステップまたは形成するステップにおける使用のためのマスタ成形型が、提供される。いくつかの実施形態では、本方法は、a)第1の微小機械加工プロセスによって、第1の材料から形成される基板内に、それぞれがシャフト部分と、遠位先端区分とを備える、複数の微小構造を形成するステップと、b)成形型が、複数の微小構造部分のネガティブ部を含むように、a)において形成された、複数の微小構造部分の成形型を調製するステップであって、成形型は、第2の材料から形成される、ステップと、c)成形型上に金属を電気鍍着し、成形型内の空洞を充填し、基部層を作成するステップと、e)第2の微小機械加工プロセスを使用して、基部層内の微小構造のそれぞれのために近位区分を形成するステップと、f)金属から第2の材料を除去し、マスタ成形型を形成するステップとを含む。実施形態では、第2の微小機械加工プロセスは、機械的微小機械加工プロセスである。いくつかの実施形態では、第1の微小機械加工プロセスは、フォトリソグラフィプロセスを含む。いくつかの実施形態では、第1の材料は、シリコンおよびポジティブフォトレジスト材料から選択される。いくつかの実施形態では、第2の材料は、ポリマー材料である。いくつかの実施形態では、ポリマー材料は、ポリジメチルシロキサン(PDMS)、ポリカーボネート、ポリエーテルイミド、ポリエチレンテレフタラート、またはそれらの混合物から成る群から選択される。 In one aspect, a method of forming a master mold is provided. In some embodiments, a master mold is provided for use in preparing or forming a microstructure array. In some embodiments, the method includes: a) forming a plurality of micromachined parts into a substrate formed from a first material by a first micromachining process, each comprising a shaft portion and a distal tip section; forming a microstructure; and b) preparing a mold for the plurality of microstructures formed in a), such that the mold includes a negative portion of the plurality of microstructures; the mold is formed from a second material; c) electroplating metal onto the mold to fill cavities in the mold and create a base layer; e) a second material. f) forming a proximal section for each of the microstructures in the base layer using a micromachining process of; f) removing a second material from the metal to form a master mold; including. In embodiments, the second micromachining process is a mechanical micromachining process. In some embodiments, the first micromachining process includes a photolithography process. In some embodiments, the first material is selected from silicon and a positive photoresist material. In some embodiments, the second material is a polymeric material. In some embodiments, the polymeric material is selected from the group consisting of polydimethylsiloxane (PDMS), polycarbonate, polyetherimide, polyethylene terephthalate, or mixtures thereof.

いくつかの実施形態では、電気鍍着金属は、銅、ニッケル、クロム、および/または金から選択される。 In some embodiments, the electroplated metal is selected from copper, nickel, chromium, and/or gold.

いくつかの実施形態では、フォトリソグラフィ方法は、1)第1の材料上にフォトレジストの層を塗布するステップと、2)フォトレジスト層上にマスキング材料を塗布するステップであって、マスキング材料は、フォトレジスト層の少なくとも一部を被覆する、ステップと、3)マスキング材料によって被覆されていないフォトレジスト層の部分を硬化させるステップと、4)基板を等方性エッチングし、遠位先端区分を作成するステップと、5)基板をエッチングし、シャフト部分を作成するステップと、6)微小構造を湿式熱酸化させるステップと、7)微小構造を等方性湿式エッチングするステップとを含む。実施形態では、第1の材料は、シリコンである。いくつかの実施形態では、フォトリソグラフィ方法は、ステップ1に先立って、熱酸化プロセスを使用して、シリコン基板上に二酸化ケイ素の層を形成するステップを含む。いくつかの実施形態では、ステップ1における熱酸化プロセスは、湿式熱酸化プロセスである。いくつかの実施形態では、フォトレジスト材料は、エポキシ系ネガティブフォトレジストである。いくつかの実施形態では、フォトレジスト材料は、SU8である。いくつかの実施形態では、マスキング材料は、複数の開口を備え、開口によって暴露されるフォトレジスト層は、ステップ3において硬化される。 In some embodiments, a photolithographic method includes the steps of: 1) applying a layer of photoresist on a first material; and 2) applying a masking material on the photoresist layer, the masking material comprising: 3) curing portions of the photoresist layer not covered by the masking material; and 4) isotropically etching the substrate to define the distal tip section. 5) etching the substrate to create a shaft portion; 6) wet thermally oxidizing the microstructure; and 7) isotropically wet etching the microstructure. In embodiments, the first material is silicon. In some embodiments, the photolithography method includes, prior to step 1, forming a layer of silicon dioxide on the silicon substrate using a thermal oxidation process. In some embodiments, the thermal oxidation process in step 1 is a wet thermal oxidation process. In some embodiments, the photoresist material is an epoxy-based negative photoresist. In some embodiments, the photoresist material is SU8. In some embodiments, the masking material comprises a plurality of apertures and the photoresist layer exposed by the apertures is cured in step 3.

いくつかの実施形態では、フォトリソグラフィ方法はさらに、ステップ3の後、例えば、マスキング材料によって被覆されていないフォトレジスト層の部分を硬化させた後に、マスキング材料およびいかなる未硬化フォトレジスト材料も除去するステップを含む。いくつかの実施形態では、マスキング材料および未硬化フォトレジストは、溶媒を使用して除去される。いくつかの実施形態では、エッチングは、異方性エッチング、深掘り反応性イオンエッチング、および/またはプラズマエッチングである。いくつかの実施形態では、プラズマエッチングは、SF、四塩化炭素、酸素、およびCHFのうちの少なくとも1つから選択される、プラズマガスを含む。 In some embodiments, the photolithographic method further includes removing the masking material and any uncured photoresist material after step 3, e.g., after curing the portions of the photoresist layer not covered by the masking material. Contains steps. In some embodiments, the masking material and uncured photoresist are removed using a solvent. In some embodiments, the etch is an anisotropic etch, a deep reactive ion etch, and/or a plasma etch. In some embodiments, the plasma etch includes a plasma gas selected from at least one of SF 6 , carbon tetrachloride, oxygen, and CHF 3 .

別の側面では、流延成形型(casting mold)を形成する方法が、提供される。実施形態では、マスタ成形型のネガティブ成形型が、調製される。 In another aspect, a method of forming a casting mold is provided. In embodiments, a negative mold of the master mold is prepared.

別の側面では、微小構造アレイを調製する方法が、提供される。いくつかの実施形態では、本方法は、流延成形型上に、少なくとも1つの療法薬を含む、ポリマーマトリクス溶液または懸濁液を分注するステップと、ポリマーマトリクス溶液を乾燥させるステップと、流延成形型上に、ポリマーマトリクス裏材溶液を分注するステップと、ポリマーマトリクス裏材溶液を乾燥させ、微小構造アレイを形成するステップと、結果として生じる微小構造アレイを離型させるステップとを含む。 In another aspect, a method of preparing a microstructure array is provided. In some embodiments, the method includes the steps of: dispensing a polymer matrix solution or suspension containing at least one therapeutic agent onto a casting mold; drying the polymer matrix solution; dispensing a polymer matrix backing solution onto a rolling mold; drying the polymer matrix backing solution to form a microstructure array; and demolding the resulting microstructure array. .

本成形型、微小構造、アレイ、方法、装置、デバイス、および同等物の付加的実施形態は、以下の説明、図面、実施例、ならびに請求項から明白となるであろう。前述および以下の説明から理解され得るように、本明細書に説明されるありとあらゆる特徴ならびにそのような特徴の2つまたはそれを上回るありとあらゆる組み合わせが、そのような組み合わせにおいて含まれる特徴が相互に矛盾しないことを前提として、本開示の範囲内に含まれる。加えて、任意の特徴または特徴の組み合わせが、本発明の任意の実施形態から具体的に除外されてもよい。本発明の付加的側面および利点は、特に、付随の実施例ならびに図面と併せて検討されるとき、以下の説明および請求項に記載される。
本発明は、例えば、以下を提供する。
(項目1)
マスタ成形型を形成する方法であって、
a)第1の微小機械加工プロセスによって、第1の材料から形成される基板内に複数の微小構造部分を形成するステップであって、各微小構造部分が、シャフトと、遠位先端とを備える、ステップと、
b)前記複数の微小構造部分のネガティブ成形型を調製するステップであって、前記成形型は、第2の材料から形成され、前記複数の微小構造部分内の各微小構造部分に対応する、複数の空洞を備える、ステップと、
c)前記ネガティブ成形型上に金属を電気鍍着し、前記複数の空洞内の各空洞を充填し、前記ネガティブ成形型から延在する、基部層を形成するステップと、
d)第2の微小機械加工プロセスを使用して、前記基部層内の前記微小構造のそれぞれのために近位区分を形成するステップと、
e)前記ステップd)の前または後に、前記金属から前記ネガティブ成形型を除去し、マスタ成形型を形成するステップと
を含む方法。
(項目2)
前記第2の微小機械加工プロセスは、機械的微小機械加工プロセスである、項目1に記載の方法。
(項目3)
前記第1の材料は、シリコンおよびポジティブフォトレジスト材料から選択される、項目1または項目2に記載の方法。
(項目4)
前記第1の微小機械加工プロセスは、フォトリソグラフィプロセスを含む、項目1~3のいずれか1項に記載の方法。
(項目5)
前記フォトリソグラフィは、
1)前記第1の材料上にフォトレジストの層を塗布するステップと、
2)前記フォトレジスト層上にマスキング材料を塗布するステップであって、前記マスキング材料は、前記フォトレジスト層の少なくとも一部を被覆する、ステップと、
3)前記マスキング材料によって被覆されていない前記フォトレジスト層の部分を硬化させるステップと、
4)前記基板を等方性エッチングし、遠位先端区分を作成するステップと、
5)前記基板をエッチングし、シャフト部分を作成するステップと、
6)前記微小構造を湿式熱酸化させるステップと、
7)前記微小構造を等方性湿式エッチングするステップと
を含む、項目4に記載の方法。
(項目6)
前記第1の材料は、シリコンであり、前記方法はさらに、ステップ1に先立って、熱酸化プロセスを使用して、シリコン基板上に二酸化ケイ素の層を形成するステップを含む、項目5に記載の方法。
(項目7)
ステップ1における前記熱酸化プロセスは、湿式熱酸化プロセスである、項目5に記載の方法。
(項目8)
前記フォトレジスト材料は、エポキシ系ネガティブフォトレジストである、項目5に記載の方法。
(項目9)
前記フォトレジスト材料は、SU8である、項目8に記載の方法。
(項目10)
前記マスキング材料は、複数の開口を備え、前記開口によって暴露される前記フォトレジスト層は、ステップ3において硬化される、項目5に記載の方法。
(項目11)
ステップ3の後に、前記マスキング材料およびいかなる未硬化フォトレジスト材料も除去するステップをさらに含む、項目5に記載の方法。
(項目12)
前記マスキング材料および未硬化フォトレジストは、溶媒を使用して除去される、項目11に記載の方法。
(項目13)
ステップ5の前記エッチングは、異方性エッチングを含む、項目5に記載の方法。
(項目14)
ステップ5は、深掘り反応性イオンエッチングを含む、項目5に記載の方法。
(項目15)
ステップ1に先立って、ポリマー材料を洗浄するステップをさらに含む、項目5に記載の方法。
(項目16)
前記洗浄は、化学洗浄を含む、項目15に記載の方法。
(項目17)
前記化学洗浄は、RCA洗浄プロセスを含む、項目16に記載の方法。
(項目18)
ステップ4および/またはステップ5は、プラズマエッチングを含む、項目5に記載の方法。
(項目19)
前記プラズマエッチングは、SF 、四塩化炭素、酸素、およびCHF から選択される、プラズマガスを含む、項目18に記載の方法。
(項目20)
ステップ5の後に、前記第1の材料からいかなる残りのフォトレジストも除去するステップをさらに含む、項目5に記載の方法。
(項目21)
前記第2の材料は、ポリマー材料である、前記項目のいずれかに記載の方法。
(項目22)
前記第2の材料は、シリコーン材料である、前記項目のいずれかに記載の方法。
(項目23)
前記第2のポリマー材料は、ポリジメチルシロキサン(PDMS)、ポリカーボネート、ポリエーテルイミド、およびポリエチレンテレフタラートから成る群から選択される、項目21に記載の方法。
(項目24)
前記電気鍍着金属は、銅、ニッケル、クロム、および金から選択される、前記項目のいずれかに記載の方法。
(項目25)
前記近位区分は、漏斗または角錐形形状を有するように微小機械加工される、前記項目のいずれかに記載の方法。
(項目26)
流延成形型を形成する方法であって、
項目1~25のいずれか1項において形成される、前記マスタ成形型のネガティブ成形型を調製するステップを含む、方法。
(項目27)
微小構造アレイを調製する方法であって、
項目26に記載の流延成形型上に、少なくとも1つの療法薬を含む、ポリマーマトリクス溶液または懸濁液を分注するステップと、
前記ポリマーマトリクス溶液を乾燥させるステップと、
前記流延成形型上に、ポリマーマトリクス裏材溶液を分注するステップと、
前記ポリマーマトリクス裏材溶液を乾燥させ、前記微小構造アレイを形成するステップと、
前記微小構造アレイを離型させるステップと
を含む、方法。
Additional embodiments of the present molds, microstructures, arrays, methods, apparatus, devices, and the like will be apparent from the following description, drawings, examples, and claims. As can be understood from the foregoing and following description, any and all features described herein, as well as any and all combinations of two or more of such features, are intended only to the extent that the features included in such combinations are not mutually exclusive. provided that it is within the scope of this disclosure. Additionally, any feature or combination of features may be specifically excluded from any embodiment of the invention. Additional aspects and advantages of the invention are set forth in the following description and claims, particularly when considered in conjunction with the accompanying examples and drawings.
The present invention provides, for example, the following.
(Item 1)
A method of forming a master mold, the method comprising:
a) forming a plurality of microstructured portions in a substrate formed from a first material by a first micromachining process, each microstructured portion comprising a shaft and a distal tip; , step and
b) preparing a negative mold for the plurality of microstructured portions, the mold being formed from a second material and comprising a plurality of negative molds corresponding to each microstructured portion within the plurality of microstructured portions; a step comprising a cavity;
c) electroplating metal onto the negative mold to form a base layer that fills each cavity in the plurality of cavities and extends from the negative mold;
d) forming a proximal section for each of the microstructures in the base layer using a second micromachining process;
e) before or after step d), removing the negative mold from the metal to form a master mold;
method including.
(Item 2)
2. The method of item 1, wherein the second micromachining process is a mechanical micromachining process.
(Item 3)
3. A method according to item 1 or item 2, wherein the first material is selected from silicon and a positive photoresist material.
(Item 4)
The method according to any one of items 1 to 3, wherein the first micromachining process comprises a photolithography process.
(Item 5)
The photolithography includes:
1) applying a layer of photoresist on the first material;
2) applying a masking material onto the photoresist layer, the masking material covering at least a portion of the photoresist layer;
3) curing portions of the photoresist layer not covered by the masking material;
4) isotropically etching the substrate to create a distal tip section;
5) etching the substrate to create a shaft portion;
6) Wet thermal oxidation of the microstructure;
7) isotropically wet etching the microstructure;
The method according to item 4, comprising:
(Item 6)
6. The method of claim 5, wherein the first material is silicon, and the method further comprises forming a layer of silicon dioxide on the silicon substrate using a thermal oxidation process prior to step 1. Method.
(Item 7)
6. The method according to item 5, wherein the thermal oxidation process in step 1 is a wet thermal oxidation process.
(Item 8)
6. The method of item 5, wherein the photoresist material is an epoxy-based negative photoresist.
(Item 9)
9. The method of item 8, wherein the photoresist material is SU8.
(Item 10)
6. The method of item 5, wherein the masking material comprises a plurality of apertures and the photoresist layer exposed by the apertures is cured in step 3.
(Item 11)
6. The method of item 5, further comprising removing the masking material and any uncured photoresist material after step 3.
(Item 12)
12. The method of item 11, wherein the masking material and uncured photoresist are removed using a solvent.
(Item 13)
6. The method of item 5, wherein the etching in step 5 comprises anisotropic etching.
(Item 14)
The method of item 5, wherein step 5 comprises deep reactive ion etching.
(Item 15)
6. The method of item 5, further comprising washing the polymeric material prior to step 1.
(Item 16)
16. The method of item 15, wherein the cleaning includes chemical cleaning.
(Item 17)
17. The method of item 16, wherein the chemical cleaning comprises an RCA cleaning process.
(Item 18)
6. The method of item 5, wherein step 4 and/or step 5 comprises plasma etching.
(Item 19)
19. The method of item 18, wherein the plasma etching comprises a plasma gas selected from SF6 , carbon tetrachloride, oxygen, and CHF3 .
(Item 20)
6. The method of item 5, further comprising removing any remaining photoresist from the first material after step 5.
(Item 21)
A method according to any of the preceding items, wherein the second material is a polymeric material.
(Item 22)
A method according to any of the preceding items, wherein the second material is a silicone material.
(Item 23)
22. The method of item 21, wherein the second polymeric material is selected from the group consisting of polydimethylsiloxane (PDMS), polycarbonate, polyetherimide, and polyethylene terephthalate.
(Item 24)
A method according to any of the preceding items, wherein the electroplated metal is selected from copper, nickel, chromium, and gold.
(Item 25)
A method according to any of the preceding items, wherein the proximal section is micromachined to have a funnel or pyramidal shape.
(Item 26)
A method of forming a casting mold, the method comprising:
A method comprising preparing a negative mold of the master mold formed in any one of items 1-25.
(Item 27)
1. A method of preparing a microstructure array, the method comprising:
dispensing a polymer matrix solution or suspension containing at least one therapeutic agent onto the casting mold of item 26;
drying the polymer matrix solution;
dispensing a polymer matrix backing solution onto the casting mold;
drying the polymer matrix backing solution to form the microstructure array;
demolding the microstructure array;
including methods.

図1A-1Kは、微小構造アレイを製造するために有用である、成形型を形成する方法のある実施形態の図である。1A-1K are illustrations of certain embodiments of methods of forming molds that are useful for manufacturing microstructure arrays.

図2は、微小構造アレイを製造するために有用である、成形型を形成する方法のある実施形態の図である。FIG. 2 is an illustration of an embodiment of a method of forming a mold that is useful for manufacturing microstructure arrays.

図3A-3Dは、いくつかの実施形態による、微小構造形状の図である。3A-3D are illustrations of microstructure shapes, according to some embodiments.

図4は、一実施形態による、本明細書に説明される成形型を使用して微小構造アレイを形成する方法の図である。FIG. 4 is an illustration of a method of forming a microstructure array using a mold described herein, according to one embodiment.

図5は、一実施形態による、成形型から微小アレイ成形型および微小突出部アレイを調製するための方法のフローチャートである。FIG. 5 is a flowchart of a method for preparing a microarray mold and microprotrusion array from a mold, according to one embodiment.

種々の微小構造の厚さおよび形状が、本デバイスの理解を促進するために、図中で誇張されていることを理解されたい。図面は、必ずしも、「正確な縮尺」ではない。 It should be appreciated that the thickness and shape of various microstructures are exaggerated in the figures to facilitate understanding of the device. Drawings are not necessarily "to scale."

ここで、種々の側面が、以降により完全に説明されるであろう。しかしながら、そのような側面は、多くの異なる形態で具現化されてもよく、本明細書に記載される実施形態に対する限定として解釈されるべきではなく、むしろ、これらの実施形態は、本開示が、網羅的かつ完全であって、その範囲を当業者に完全に伝達するであろうように提供される。 Various aspects will now be described more fully below. However, such aspects may be embodied in many different forms and should not be construed as limitations on the embodiments described herein; rather, these embodiments may be embodied in many different forms. , is provided to be exhaustive and complete, and to fully convey its scope to those skilled in the art.

詳細な説明
本開示の実践は、別様に示されない限り、技術分野の範囲内において、化学、生化学、および薬学の従来の方法を採用するであろう。そのような技法は、文献において完全に解説されている。例えば、A.L. Lehninger, Biochemistry(Worth Publishers, Inc.(現行版))、Morrison and Boyd, Organic Chemistry(Allyn and Bacon, Inc.(現行版))、J. March, Advanced Organic Chemistry(McGraw Hill(現行版))、Remington:The Science and Practice of Pharmacy, A. Gennaro(第20版)、Goodman & Gilman The Pharmacological Basis of Therapeutics, J. Griffith Hardman, L. L. Limbird, A. Gilman(第10版)を参照されたい。
DETAILED DESCRIPTION The practice of the present disclosure will employ, unless otherwise indicated, conventional methods of chemistry, biochemistry, and pharmacy, within the skill of the art. Such techniques are fully explained in the literature. For example, A. L. Lehninger, Biochemistry (Worth Publishers, Inc. (current edition)), Morrison and Boyd, Organic Chemistry (Allyn and Bacon, Inc. (current edition)), J. March, Advanced Organic Chemistry (McGraw Hill (current edition)), Remington: The Science and Practice of Pharmacy, A. Gennaro (20th ed.), Goodman & Gilman The Pharmacological Basis of Therapeutics, J. Griffith Hardman, L. L. Limbird, A. See Gilman (10th ed.).

値のある範囲が、提供される場合、その範囲の上限と下限との間の各介在値およびその記載の範囲内の任意の他の記載または介在値が、本開示内に包含されることが意図される。例えば、1μm~8μmの範囲が記載される場合、2μm、3μm、4μm、5μm、6μm、および7μmもまた、1μmを上回るまたはそれに等しい値の範囲ならびに8μm未満またはそれに等しい値の範囲と同様に、明示的に開示されることが意図される。 When a range of values is provided, each intervening value between the upper and lower limits of that range and any other stated or intervening value within that stated range is intended to be encompassed within this disclosure. intended. For example, if a range from 1 μm to 8 μm is mentioned, 2 μm, 3 μm, 4 μm, 5 μm, 6 μm, and 7 μm are also included, as well as a range of values greater than or equal to 1 μm and a range of values less than or equal to 8 μm. expressly intended to be disclosed.

本明細書で使用されるように、単数形「a」、「an」、および「the」は、文脈が明確に別様に指示しない限り、複数の指示物も含む。したがって、例えば、「ポリマー」の言及は、単一のポリマーならびに同一または異なるポリマーの2つまたはそれを上回るものを含み、「賦形剤」の言及は、単一の賦形剤ならびに同一もしくは異なる賦形剤の2つまたはそれを上回るものを含む等となる。 As used herein, the singular forms "a," "an," and "the" include plural referents unless the context clearly dictates otherwise. Thus, for example, reference to a "polymer" includes a single polymer as well as two or more of the same or different polymers; reference to an "excipient" includes a single excipient as well as two or more of the same or different polymers; including two or more of the excipients, etc.

本発明の説明および請求項では、以下の専門用語が、以下に説明される定義に従って使用されるであろう。 In describing and claiming the present invention, the following terminology will be used in accordance with the definitions set forth below.

用語「約」は、数値の直前にあるとき、本開示の文脈が明確に別様に示していない、またはそのような解釈と矛盾していない限り、その値の±10%の範囲を意味し、例えば、「約50」は、45~55を意味し、「約25,000」は、22,500~27,500を意味する等となる。例えば、「約49、約50、約55」等の数値の列挙において、「約50」は、直前の値と後続の値との間の間隔の半分未満まで及ぶ範囲、例えば、49.5超~52.5未満を意味する。さらに、語句「約(値)を下回る」または「約(値)を上回る」は、本明細書に提供される用語「約」の定義に照らして理解されるべきである。 The term "about" when immediately preceding a numerical value means a range of ±10% of that value, unless the context of this disclosure clearly indicates otherwise or is inconsistent with such interpretation. For example, "about 50" means 45 to 55, "about 25,000" means 22,500 to 27,500, and so on. For example, in a numerical enumeration such as "about 49, about 50, about 55," "about 50" means a range extending less than half the interval between the immediately preceding value and the subsequent value, e.g., greater than 49.5. - means less than 52.5. Additionally, the phrases "less than about" or "greater than about" are to be understood in light of the definition of the term "about" provided herein.

用語「微小突出部」、「微小突起」、「微小構造」、および「微小針」は、本明細書では同義的に使用され、角質層または他の生物学的膜の少なくとも一部を穿通もしくは穿刺するように適合された要素を指す。例えば、例証的微小構造は、本明細書に提供されるものに加えて、米国特許第6,219,574号に説明されるような微小ブレード、米国特許第6,652,478号に説明されるような縁付き微小針、および米国特許公開第2008/0269685号に説明されるような微小突出部を含んでもよい。 The terms "microprotrusion," "microprotrusion," "microstructure," and "microneedle" are used interchangeably herein to penetrate or penetrate at least a portion of the stratum corneum or other biological membrane. Refers to an element adapted to puncture. For example, exemplary microstructures, in addition to those provided herein, include microblades as described in U.S. Patent No. 6,219,574, microblades as described in U.S. Patent No. 6,652,478, and and microprotrusions as described in US Patent Publication No. 2008/0269685.

本明細書の目的のための用語「微小構造アレイ」は、微小構造、微小突出部、微小突起、または微小針の2次元もしくは3次元配列を示すことを意図する。配列は、繰り返される幾何学形状パターンに従って規則的であってもよい、またはこれは、不規則的であってもよい。典型的な「微小構造アレイ」、「微小突起アレイ」、または「微小針アレイ」は、特定の厚さの基部もしくは基板から突出する、微小構造、微小突起、または微小針を含み、これは、任意の形状、例えば、正方形、長方形、三角形、楕円形、円形、または不規則的であってもよい。アレイは、典型的には、複数の微小構造、微小突起、または微小針を備える。微小構造、微小突起、または微小針は、それら自体で、種々の形状を有し得る。アレイは、手で皮膚の中に押圧され得るが、これが適用されている際にアレイを保持するため、および/または1つの方法もしくは別のものでの、皮膚または他の生物学的膜へのアレイの適用のプロセスを促進するために、種々のデバイスが、使用されてもよい。そのようなデバイスは、広義には、「アプリケータ」と称され得る。アプリケータは、例えば、アレイが手によって皮膚の中に押圧されるときに生じる、力、速度、および皮膚張力の変動を低減させ得る。力、速度、および皮膚張力の変動は、透過性の向上の変動をもたらし得る。 The term "microstructure array" for purposes herein is intended to refer to a two-dimensional or three-dimensional array of microstructures, microprotrusions, microprotrusions, or microneedles. The arrangement may be regular according to a repeating geometric pattern, or it may be irregular. A typical "microstructure array," "microprotrusion array," or "microneedle array" includes microstructures, microprotrusions, or microneedles protruding from a base or substrate of a specified thickness, which include: It may be of any shape, for example square, rectangular, triangular, oval, circular, or irregular. An array typically comprises a plurality of microstructures, microprotrusions, or microneedles. Microstructures, microprotrusions, or microneedles may themselves have a variety of shapes. The array may be pressed into the skin by hand to hold the array as it is applied, and/or to the skin or other biological membrane in one way or another. Various devices may be used to facilitate the process of applying the array. Such devices may be broadly referred to as "applicators." The applicator can reduce force, velocity, and skin tension variations that occur, for example, when the array is pressed into the skin by hand. Variations in force, speed, and skin tension can result in variations in permeability enhancement.

本明細書に説明されるアプリケータおよびアレイを論じる際、用語「下向きに」は、時として、微小構造が皮膚の中に圧入される方向を説明するために使用され、「上向きに」は、反対方向を説明するために使用される。しかしながら、当業者は、アプリケータが、微小構造が地球の重力の方向に、またはさらに地球の重力のものに対して逆の方向に、ある角度で皮膚の中に圧入される場所でも使用され得ることを理解するであろう。多くのアプリケータでは、微小構造を圧入するためのエネルギーは、主に、エネルギー貯蔵部材によって提供され、そのため、効率は、地球の重力に対する皮膚の配向によって殆ど影響されない。 When discussing the applicators and arrays described herein, the term "downward" is sometimes used to describe the direction in which microstructures are pressed into the skin, and "upward" is used to describe the direction in which the microstructures are pressed into the skin. Used to describe opposite directions. However, the person skilled in the art will appreciate that the applicator can also be used where the microstructures are pressed into the skin at an angle, in the direction of the Earth's gravity, or even in a direction opposite to that of the Earth's gravity. You will understand that. In many applicators, the energy for injecting microstructures is primarily provided by the energy storage member, so efficiency is largely unaffected by the orientation of the skin relative to Earth's gravity.

「生体分解性」は、酵素的、非酵素的、または両方で分解し、通常の代謝経路によって排除され得る、生体適合性ならびに/もしくは毒性学的に安全な副産物を産生する、天然または合成材料を指す。用語「生体分解性」は、浸食、溶解、崩壊、および分解のプロセスを含む、かつ多くの場合、生体侵食性である、または生体分解性であると称される、それらの物質を含むことを意図する。 "Biodegradable" means a natural or synthetic material that breaks down enzymatically, non-enzymatically, or both, producing biocompatible and/or toxicologically safe by-products that can be eliminated by normal metabolic pathways. refers to The term "biodegradable" is intended to include those materials that involve the processes of erosion, dissolution, disintegration, and degradation, and are often referred to as bioerodible or biodegradable. intend.

「非生体分解性」は、微小構造アレイの使用と関連付けられるある時間周期にわたって皮膚、粘膜、または他の生物学的膜の中に挿入される、ならびに/もしくはそれらと接触されるときに感知できるほどには分解しない、天然または合成材料を指す。いくつかの実施形態では、「非生体分解性」は、少なくとも約5分、約10分、約15分、約20分、約30分、約1時間、またはそれを上回る時間の周期にわたって皮膚、粘膜、もしくは別の生物学的膜の中に挿入される、および/またはそれらと接触されるときに感知できるほどには分解しない材料を指す。用語「非生体分解」はまた、浸食、溶解、および崩壊のプロセスを含むことを意図する。 "Non-biodegradable" is perceivable when inserted into and/or contacted with skin, mucous membranes, or other biological membranes over a period of time associated with the use of microstructure arrays. Refers to natural or synthetic materials that do not degrade to a high degree. In some embodiments, "non-biodegradable" refers to skin, for a period of at least about 5 minutes, about 10 minutes, about 15 minutes, about 20 minutes, about 30 minutes, about 1 hour, or more. Refers to a material that does not appreciably degrade when inserted into and/or contacted with mucous membranes or other biological membranes. The term "non-biodegradable" is also intended to include the processes of erosion, dissolution, and disintegration.

「随意の」または「随意に」は、説明が、状況が生じる事例とそうではない事例とを含むように、続いて説明される状況が生じる場合とそうではない場合があることを意味する。 "Optional" or "at will" means that the subsequently described situation may or may not occur, such that the explanation includes instances where the situation occurs and instances where it does not.

本願では、多くの場合、便宜上、微小構造が穿通する生物学的膜として、「皮膚」を参照する。殆どまたは全ての事例において、本発明の同一原理が、例えば、口の内部を覆うものもしくは外科手術の間に暴露される生物学的膜等、他の生物学的膜を穿通するための微小構造の使用にも適用されることが、当業者によって理解されるであろう。 In this application, for convenience, we often refer to "skin" as the biological membrane penetrated by microstructures. In most or all cases, the same principles of the invention may be applied to microstructures for penetrating other biological membranes, such as those lining the inside of the mouth or those exposed during surgical procedures. It will be understood by those skilled in the art that it also applies to the use of

「実質的に」または「本質的に」は、ほぼ全体的もしくは完全に、例えば、ある所与の量の90~95%またはそれを上回ることを意味する。 "Substantially" or "essentially" means almost entirely or completely, eg, 90-95% or more of a given amount.

「経皮的」は、局所的および/または全身性療法のための、皮膚の中へのならびに/もしくはそれを通した薬品の送達を指す。口、胃腸管、血液脳関門の内部を覆うもの、あるいは外科手術の間あるいは腹腔鏡検査または内視鏡検査等の手技の間に、暴露される、もしくはアクセス可能である、他の身体組織または器官もしくは生物学的膜等の他の生物学的膜を通した投与もまた、本明細書に説明される微小構造が使用を見出す表面として考えられる。 "Transdermal" refers to the delivery of drugs into and/or through the skin for local and/or systemic therapy. or other body tissues that line the mouth, gastrointestinal tract, blood-brain barrier, or that are exposed or accessible during surgery or procedures such as laparoscopy or endoscopy. Administration through other biological membranes, such as organs or biological membranes, is also contemplated as a surface on which the microstructures described herein will find use.

「水溶性」である材料は、材料が、性質上、実質的に、水性である、皮膚または他の膜の中、その内部、もしくはその下方に溶解するように、水性溶媒中において可溶性または実質的に可溶性な材料を意図する。 A material that is "water-soluble" is one that is soluble or substantially soluble in an aqueous medium such that the material dissolves in, within, or under skin or other membranes that are substantially aqueous in nature. Intended for materials that are soluble.

本開示の組成は、開示される成分を含む、それから本質的に成る、またはそれから成ることができる。
I. 微小構造アレイ成形型を作製する方法
Compositions of the present disclosure can include, consist essentially of, or consist of the disclosed components.
I. How to make microstructure array molds

製造方法を詳細に説明する前に、本方法が、具体的溶媒、材料、またはデバイス構造に限定されず、したがって、変動し得ることを理解されたい。また、本明細書で使用される専門用語が、特定の実施形態を説明する目的のためのものにすぎず、限定するものとして意図されないことを理解されたい。 Before describing the manufacturing method in detail, it is to be understood that the method is not limited to specific solvents, materials, or device structures, which may vary accordingly. Additionally, it is to be understood that the terminology used herein is for the purpose of describing particular embodiments only and is not intended to be limiting.

一般に、微小構造のアレイまたはその一部が、半導体微小加工技法を使用して、シリコンもしくはフォトレジスト等の材料で形成される。微小構造アレイ(部分)のネガティブ成形型は、シリコーンまたは他の好適な材料から形成されてもよい。微小加工された部分は、除去され、電鋳技法が、使用され、好適な金属で空洞を充填する。金属の付加的区分が、電鋳され、微小構造の近位部分を調製するための基部を作成する。付加的区分が、微小機械加工され、微小構造の近位部分のための所望の形状を作成する。本ポジティブ成形型は、1つまたはそれを上回るネガティブ成形型を作成するステップにおける使用に好適なマスタ成形型として使用され得る。これらのネガティブ成形型は、次いで、使用のための微小構造アレイを流延するステップにおいて使用され得る。 Generally, arrays of microstructures, or portions thereof, are formed of materials such as silicon or photoresist using semiconductor microfabrication techniques. The negative mold of the microstructure array (section) may be formed from silicone or other suitable material. The micromachined portion is removed and electroforming techniques are used to fill the cavity with a suitable metal. Additional sections of metal are electroformed to create a base for preparing the proximal portion of the microstructure. Additional sections are micromachined to create the desired shape for the proximal portion of the microstructure. The present positive mold may be used as a master mold suitable for use in creating one or more negative molds. These negative molds can then be used in the step of casting the microstructure array for use.

本明細書のアレイを形成するために使用される成形型は、種々の方法および材料を使用して作製されることができる。1つの一般的方法では、微小構造アレイを作製するステップにおける使用のためのマスタ成形型が、調製される。マスタ成形型は、ポジティブマスタ成形型を作成することによって形成され得、これは、次いで、ネガティブ成形型を形成するために使用される。マスタ成形型は、使用のための微小構造アレイを調製するための、流延成形型を調製するために使用され得る。ある実施形態では、本方法は、(i)微小構造の構造の少なくとも一部のポジティブ成形型を形成するステップと、(ii)(i)のポジティブ成形型からネガティブ成形型を形成するステップと、(iii)微小構造の構造を含む、第2のポジティブ成形型を調製するステップと、(iv)第2のポジティブ成形型を微小機械加工し、所望の形状を有する微小構造を伴うマスタ成形型を形成するステップとを含む、ハイブリッド方法を含む。一実施形態では、(i)の微小構造の構造の少なくとも一部のポジティブ成形型を形成するステップによって識別される、ステップは、微小構造の遠位先端およびシャフト部分のポジティブ成形型を形成するステップを含む。一実施形態では、(iii)の微小構造の構造を含む第2のポジティブ成形型を調製するステップによって識別される、ステップは、ネガティブ成形型を電鋳し、ポジティブ成形型の空洞を充填し、ネガティブ成形型から延在する基部層を作成するステップを含む。一実施形態では、(iv)の第2のポジティブ成形型を微小機械加工するステップによって識別される、ステップは、ネガティブ成形型から延在する基部層を、各微小構造の基部部分の所望の形状に対応する、漏斗形状または他の形状に微小機械加工するステップを含む。 The molds used to form the arrays herein can be made using a variety of methods and materials. In one common method, a master mold is prepared for use in creating the microstructure array. A master mold may be formed by creating a positive master mold, which is then used to form a negative mold. The master mold can be used to prepare a casting mold to prepare the microstructure array for use. In certain embodiments, the method includes the steps of: (i) forming a positive mold of at least a portion of the structure of the microstructure; (ii) forming a negative mold from the positive mold of (i); (iii) preparing a second positive mold comprising structures of microstructures; and (iv) micromachining the second positive mold to form a master mold with microstructures having a desired shape. and forming a hybrid method. In one embodiment, the step is identified by (i) forming a positive mold of at least a portion of the structure of the microstructure, the step of forming a positive mold of the distal tip and shaft portion of the microstructure. including. In one embodiment, electroforming the negative mold, filling the cavities of the positive mold, identified by (iii) preparing a second positive mold comprising the microstructured structure; creating a base layer extending from a negative mold; In one embodiment, the step of micromachining the second positive mold comprises micromachining the base layer extending from the negative mold into the desired shape of the base portion of each microstructure, identified by (iv) micromachining the second positive mold. micromachining into a funnel shape or other shape corresponding to.

一般に、成形型を製作する方法は、マスタ成形型、流延成形型、および/または微小構造アレイを形成するための、微小機械加工、リソグラフィ、ならびに成形型流延を伴うハイブリッド方法である。一般に、半導体微小加工方法等の微小加工方法が、微小構造成形型の少なくとも遠位部分を形成するために使用される。半導体微小加工は、微小構造の少なくとも遠位部分または鋭的先端を形成するために使用される。1つのそのような微小加工方法が、概して、図1A-1Kに示される。一般に、半導体微小加工方法は、フォトリソグラフィおよびエッチングの組み合わせを使用し、所望の形状を作成する。限定ではないが、半導体加工を含む、微小電子機器の加工において公知である、および/または使用されるような他の方法ならびに/もしくは材料が、下記に説明される方法において使用される、またはそれに組み込まれ得ることを理解されたい。 Generally, the method of fabricating molds is a hybrid method involving micromachining, lithography, and mold casting to form a master mold, a cast mold, and/or a microstructure array. Generally, microfabrication methods, such as semiconductor microfabrication methods, are used to form at least the distal portion of the microstructure mold. Semiconductor micromachining is used to form at least the distal portion or sharp tip of the microstructure. One such microfabrication method is illustrated generally in FIGS. 1A-1K. Generally, semiconductor microfabrication methods use a combination of photolithography and etching to create the desired shape. Other methods and/or materials, such as those known and/or used in microelectronic processing, including, but not limited to, semiconductor processing, may be used in or associated with the methods described below. It should be understood that it may be incorporated.

図1A-1Kを参照すると、微小構造のマスタ成形型の遠位部分または遠位先端を調製するための、例示的半導体微小機械加工プロセスが、示されている。他のステップまたは異なる順序でのステップも、微小構造の遠位部分もしくは先端を作成するために使用され得ることを理解されたい。 Referring to FIGS. 1A-1K, an exemplary semiconductor micromachining process for preparing a distal portion or tip of a microstructured master mold is shown. It should be appreciated that other steps or steps in a different order may also be used to create the distal portion or tip of the microstructure.

好適な材料から形成される、基板10が、提供される。基板は、フォトリソグラフィ技法との併用に好適な任意の材料から形成されてもよい。非限定的実施形態では、基板は、シリコンまたはポジティブフォトレジスト材料から形成される。いくつかの実施形態では、基板は、限定ではないが、PYREX(登録商標)(Corning)等の硼珪酸ガラスまたはサファイアガラスを含む、ガラスから形成される。一実施形態では、ポジティブフォトレジスト材料は、光または光の特定の波長に暴露されると、フォトレジスト剥離剤もしくは現像剤に対して可溶性になる。初期のステップとして、基板は、当技術分野において公知の任意の方法を使用して洗浄され得る。基板を洗浄する方法が、基板の組成に依存し得ることを理解されたい。基板がシリコンから形成される一実施形態では、基板は、当技術分野において公知であるようなRCA洗浄方法によって洗浄されてもよい。実施形態では、基板は、1つまたはそれを上回る材料で処理もしくはコーティングされてもよい。例えば、基板は、フォトリソグラフィまたはエッチングプロセスを調節もしくは補助する材料でコーティングされてもよい。一実施形態では、基板は、反射防止コーティング、または後続のステップにおいて使用される光の角度を調節もしくは改良するコーティングでコーティングされる。別の実施形態では、基板が、シリコン基板である場合、二酸化ケイ素等の酸化物の層が、フォトレジストコーティングに先立って、好適なプロセスによって基板10上に形成されてもよい。1つの例示的プロセスは、湿式熱酸化等の熱酸化プロシージャである。 A substrate 10 is provided, formed from a suitable material. The substrate may be formed from any material suitable for use with photolithographic techniques. In non-limiting embodiments, the substrate is formed from silicon or a positive photoresist material. In some embodiments, the substrate is formed from glass, including, but not limited to, borosilicate glass or sapphire glass, such as PYREX® (Corning). In one embodiment, the positive photoresist material becomes soluble to a photoresist stripper or developer upon exposure to light or certain wavelengths of light. As an initial step, the substrate may be cleaned using any method known in the art. It should be appreciated that the method of cleaning a substrate may depend on the composition of the substrate. In one embodiment where the substrate is formed from silicon, the substrate may be cleaned by RCA cleaning methods as known in the art. In embodiments, the substrate may be treated or coated with one or more materials. For example, the substrate may be coated with a material that modulates or assists in photolithography or etching processes. In one embodiment, the substrate is coated with an anti-reflection coating or a coating that adjusts or improves the angle of light used in subsequent steps. In another embodiment, if the substrate is a silicon substrate, a layer of an oxide, such as silicon dioxide, may be formed on the substrate 10 by a suitable process prior to photoresist coating. One exemplary process is a thermal oxidation procedure, such as wet thermal oxidation.

微小構造先端は、当技術分野において公知であるような任意の好適なフォトリソグラフィ技法を使用して形成され得る。一実施形態では、ネガティブフォトレジスト12の層が、基板10の上側または暴露表面に追加される(ステップ(a))。1つの好適なフォトレジストは、SU-8(Microchem)等のエポキシ系フォトレジストである。フォトレジストとして、SU-8は、30ミクロンまたはそれを上回るフィルム厚(例えば、単一のコーティングにおいて約0.5μm~>200μmの厚さ)を生産し得る。当技術分野において公知であるような他の材料もまた、フォトレジストとして使用され得ることを理解されたい。さらに、他のフォトレジスト材料、またはそうでなければ光ならびに/もしくは放射線感受性材料が、基板上に約30ミクロンを下回る、またはそれを上回るフォトレジストの厚さを作成するために使用され得る。フォトレジストは、スピンコーティングによって塗布され得る、または基板にわたって所望の厚さに別様に塗布される、もしくは広げられてもよい。実施形態では、フォトレジストは、約1ミクロン~約300ミクロン、または約5ミクロン~約500ミクロン、または約10ミクロン~約275ミクロンの範囲に及ぶ厚さに堆積または塗布されてもよい。 The microstructured tip may be formed using any suitable photolithographic technique as known in the art. In one embodiment, a layer of negative photoresist 12 is added to the top or exposed surface of substrate 10 (step (a)). One suitable photoresist is an epoxy-based photoresist such as SU-8 (Microchem). As a photoresist, SU-8 can produce film thicknesses of 30 microns or more (eg, from about 0.5 μm to >200 μm thick in a single coating). It should be understood that other materials as known in the art may also be used as photoresists. Additionally, other photoresist materials or otherwise light- and/or radiation-sensitive materials may be used to create a photoresist thickness of less than or greater than about 30 microns on the substrate. The photoresist can be applied by spin coating or otherwise applied or spread to the desired thickness across the substrate. In embodiments, the photoresist may be deposited or applied to a thickness ranging from about 1 micron to about 300 microns, or about 5 microns to about 500 microns, or about 10 microns to about 275 microns.

マスキング材料14が、フォトレジスト材料の少なくとも一部にわたって設置される(ステップ(b))。当技術分野において公知であるような任意の好適なマスキング材料が、使用されてもよい。実施形態では、マスキング材料は、フォトリソグラフィ技法を使用してパターン化されている、フォトレジストであってもよい。他の実施形態では、マスキング材料は、インプリントされた所望のパターンを伴う、コーティングされたガラスまたは石英プレートであってもよい。他の実施形態では、マスキング材料は、限定ではないが、二酸化ケイ素またはSiを含む、当技術分野において公知であるようなコーティングであってもよい。マスキング材料は、微小構造形状の少なくとも一部を作成するために使用される、1つまたはそれを上回る開口、開口部、パターン、もしくは特徴を含んでもよい。図1Bに示される実施例では、マスキング材料は、基板内に形成されるべき微小構造の直径に実質的に対応する、複数の開口部または開口16を含む。いくつかの実施形態では、マスキング材料は、ステンシル、すなわち、所望の形状およびパターンがエッチングされ、シートから除去されている、材料の平面状シートである。マスキング材料内の開口または開口部が、任意の所望の形状であり得るが、概して、形成される微小構造の外縁もしくは断面の形状に対応するであろうことを理解されたい。例えば、多角形の開口または開口部(例えば、正方形もしくは長方形)を有するマスクは、例えば、正方形、長方形、または菱形の形状もしくは断面を有する微小構造をもたらし得る。フォトレジストは、下方に存在し、開口または開口部20によって暴露されるフォトレジストが硬化されるように、硬化される(18)(ステップ(c))。フォトレジストは、当技術分野において公知であるような任意の好適な方法または複数の方法によって硬化されてもよい。限定ではないが、フォトレジストを硬化させる例示的方法は、限定ではないが、UVまたは近UV照射、深UV照射、電子ビーム照射、またはX線照射を含む、照射への暴露を含む。SU-8フォトレジストが、使用される場合、フォトレジストは、フォトレジストを近UVスペクトル(例えば、350~400nm)の光に暴露することによって硬化され得る。 A masking material 14 is placed over at least a portion of the photoresist material (step (b)). Any suitable masking material as known in the art may be used. In embodiments, the masking material may be a photoresist that is patterned using photolithographic techniques. In other embodiments, the masking material may be a coated glass or quartz plate with the desired pattern imprinted on it. In other embodiments, the masking material may be a coating as known in the art, including, but not limited to, silicon dioxide or Si 3 N 4 . The masking material may include one or more apertures, openings, patterns, or features used to create at least a portion of the microstructure features. In the embodiment shown in FIG. 1B, the masking material includes a plurality of apertures or openings 16 that substantially correspond to the diameter of the microstructures to be formed in the substrate. In some embodiments, the masking material is a stencil, ie, a planar sheet of material into which the desired shapes and patterns have been etched and removed from the sheet. It is to be understood that the apertures or openings in the masking material can be of any desired shape, but will generally correspond to the shape of the outer edge or cross-section of the microstructure being formed. For example, a mask with polygonal apertures or openings (eg, square or rectangular) may result in microstructures having, for example, square, rectangular, or diamond-shaped shapes or cross-sections. The photoresist is cured (18) (step (c)) such that the underlying photoresist exposed by the opening or openings 20 is cured. The photoresist may be cured by any suitable method or methods as known in the art. Exemplary methods of curing photoresists include, but are not limited to, exposure to radiation, including, but not limited to, UV or near UV radiation, deep UV radiation, electron beam radiation, or X-ray radiation. If SU-8 photoresist is used, the photoresist can be cured by exposing the photoresist to light in the near UV spectrum (eg, 350-400 nm).

マスキング材料および未硬化フォトレジスト材料は、当技術分野において公知である手段22によって除去され、基板10ならびに硬化されたフォトレジスト12を残す(ステップ(d))。実施形態では、当技術分野において公知であるような現像剤、剥離剤、および/または他の溶媒が、未硬化フォトレジストを除去するために使用される。いくつかの例示的実施形態では、現像剤は、MicroChemから入手可能なSU-8現像剤等のフォトレジストに対して特異的である。他の実施形態では、現像剤は、限定ではないが、乳酸エチルまたはジアセトンアルコールを含む、溶媒ベースの現像剤であってもよい。溶媒は、未硬化フォトレジストの融解まで塗布される。溶媒は、任意の好適な手段によって塗布されてもよい。いくつかの非限定的実施形態では、溶媒は、基板を槽浸漬するステップ、基板をスプレーコーティングするステップ、および/または基板の上面にわたる溶媒の直接分注のうちの少なくとも1つによって塗布される。概して、基板は、ある時間周期にわたって溶媒でインキュベートされ、フォトレジスト材料の選択的溶解を可能にする。他の実施形態では、フォトレジストは、酸素プラズマエッチングプロセスによって除去されてもよい。 The masking material and uncured photoresist material are removed by means 22 known in the art, leaving the substrate 10 and hardened photoresist 12 (step (d)). In embodiments, developers, strippers, and/or other solvents as known in the art are used to remove the uncured photoresist. In some exemplary embodiments, the developer is specific for photoresists, such as SU-8 developer available from MicroChem. In other embodiments, the developer may be a solvent-based developer, including, but not limited to, ethyl lactate or diacetone alcohol. The solvent is applied until the uncured photoresist melts. The solvent may be applied by any suitable means. In some non-limiting embodiments, the solvent is applied by at least one of bath-immersing the substrate, spray coating the substrate, and/or dispensing the solvent directly over the top surface of the substrate. Generally, the substrate is incubated with a solvent for a period of time to allow selective dissolution of the photoresist material. In other embodiments, the photoresist may be removed by an oxygen plasma etch process.

基板は、1つまたはそれを上回るエッチングステップを使用してエッチングされる。実施形態では、等方性エッチング液24が、微小構造の遠位端および/または遠位先端の内向き部分26を生産するために初期的に使用される(ステップ(e))。一般に、等方性エッチング液は、硬化されたフォトレジストの真下に位置付けられる基板の一部が、側方ならびに垂直方向の両方にエッチングされ、除去されるように、全ての方向に均一にエッチングする。エッチング液に関するエッチングの速度を把握するために、当業者は、所望の形状を達成するためにエッチング液の塗布の適切な時間を公式化することができる。等方性エッチングは、(例えば、液体エッチング液中での浸漬を介した)湿式エッチングおよび/または当技術分野において公知であるような乾式(プラズマ)エッチングであってもよい。一実施形態では、等方性湿式エッチングは、例えば、SF、四塩化炭素、酸素、または、CHFもしくはこれらのガスのうちのいずれかの混合物を使用する、等方性プラズマエッチングが後に続く。 The substrate is etched using one or more etching steps. In embodiments, an isotropic etchant 24 is initially used to produce the distal end of the microstructure and/or the inwardly directed portion 26 of the distal tip (step (e)). Generally, an isotropic etchant etches uniformly in all directions such that the portion of the substrate located directly beneath the hardened photoresist is etched and removed both laterally as well as vertically. . In order to know the rate of etching with respect to the etchant, one skilled in the art can formulate the appropriate time of application of the etchant to achieve the desired shape. The isotropic etch may be a wet etch (eg, via immersion in a liquid etchant) and/or a dry (plasma) etch as known in the art. In one embodiment, the isotropic wet etch is followed by an isotropic plasma etch using, for example, SF 6 , carbon tetrachloride, oxygen, or CHF 3 or a mixture of any of these gases. .

実施形態では、基板はさらに、異方性エッチング液を使用するエッチングを受ける(ステップ(f))。一実施形態では、基板は、深掘り反応性イオンエッチング(DRIE)を受ける。異方性エッチングは、方向依存性である。したがって、基板の表面に対するエッチング液源の角度または配向が、エッチングの角度を判定する。例えば、図1Fに示されるように、DRIEエッチング液28が、基板の表面に対して約90°の角度で塗布される。結果として生じるエッチングは、基板内に、基板の底部表面に対して約90°である壁を有する構造を作成する。エッチング液の塗布の角度が、所望の構成および構造を伴う微小構造を作成するために調節され得ることを理解されたい。硬化されたフォトレジスト材料は、当技術分野において公知であるような好適な溶媒または剥離剤(液)、好適な溶媒もしくは剥離剤との基板の任意の浸漬および/または含浸によって除去される(ステップ(g))。溶媒または剥離剤が、好ましくは、基板内に形成される微小構造の形状に有意に影響を及ぼすものではないことを理解されたい。いくつかの実施形態では、硬化されたフォトレジストは、プラズマ処理を介した「乾燥」方法によって除去されてもよい。 In embodiments, the substrate is further subjected to etching using an anisotropic etchant (step (f)). In one embodiment, the substrate is subjected to deep reactive ion etching (DRIE). Anisotropic etching is direction dependent. Therefore, the angle or orientation of the etchant source relative to the surface of the substrate determines the angle of etching. For example, as shown in FIG. 1F, DRIE etchant 28 is applied at an approximately 90° angle to the surface of the substrate. The resulting etch creates a structure in the substrate with walls that are approximately 90 degrees to the bottom surface of the substrate. It should be appreciated that the angle of application of the etchant can be adjusted to create microstructures with desired configurations and structures. The cured photoresist material is removed by optional immersion and/or impregnation of the substrate with a suitable solvent or stripping agent (liquid), a suitable solvent or stripping agent, as known in the art. (g)). It is to be understood that the solvent or release agent preferably does not significantly affect the shape of the microstructures formed within the substrate. In some embodiments, the hardened photoresist may be removed by a "drying" method via plasma treatment.

微小構造は、当技術分野において公知であるような好適な手段を使用して仕上げられる。仕上げのステップは、成形型のための微小構造ならびにそこから形成されるアレイの所望の形状を精緻化し、画定する役割を果たす。仕上げのステップは、微小構造のための角度を調節するステップ、および/または微小構造の少なくとも一部の表面を仕上げるステップを含む、微小構造形状の精緻化を含んでもよい。仕上げのためのいくつかの例示的エッチングステップが、図1H-1Jのステップ(h)-(j)に示されている。1つまたはそれを上回る付加的な仕上げのステップが、使用され得ることを理解されたい。さらに、図1H-1Jに描写される仕上げのステップの全てが、使用される必要はないことを理解されたい。一実施形態では、プラズマエッチング、湿式熱酸化ステップ、および/または等方性湿式エッチングのうちの1つまたはそれを上回るものが、微細構造の表面を仕上げるために使用されてもよい(ステップ(h)-(j))。ステップ(h)において、プラズマエッチングが、限定ではないが、SFを含む、好適なガスまたはガスの混合物を使用して、上記に説明されるように実施される。本プラズマエッチングは、表面を仕上げる、ならびに/もしくは微細構造の遠位先端のための角度を補正するために使用される。異方性エッチングを使用するとき、プラズマの流動が、30および32によって描写されるように、所望の角度ならびに/もしくは形状を作成するように調節され得ることを理解されたい。ステップ(i)-(j)において分かるように、湿式熱酸化は、微小構造および/または鋭的先端のために平滑な表面を作成するための、等方性エッチングが後に続く。湿式熱酸化は、シリコン基板の外面内に二酸化ケイ素の層34を形成する。本層は、容易に除去され、平滑な表面を残し得る。二酸化ケイ素層を除去する1つの例示的方法は、ステップ(j)に示されるような、等方性湿式エッチング36である。当技術分野において公知であるような任意の好適な湿式エッチングプロセスが、使用されてもよい。湿式エッチングは、典型的には、化学エッチング液との材料の接触を伴う。ある実施形態では、化学エッチング液は、限定ではないが、フッ化水素酸またはリン酸を含む、酸である。 The microstructures are finished using suitable means as known in the art. The finishing step serves to refine and define the desired shape of the microstructure for the mold as well as the array formed therefrom. The finishing step may include refining the microstructure shape, including adjusting an angle for the microstructure and/or finishing a surface of at least a portion of the microstructure. Some exemplary etching steps for finishing are shown in steps (h)-(j) of FIGS. 1H-1J. It should be understood that one or more additional finishing steps may be used. Furthermore, it should be understood that not all of the finishing steps depicted in FIGS. 1H-1J need be used. In one embodiment, one or more of a plasma etch, a wet thermal oxidation step, and/or an isotropic wet etch may be used to finish the surface of the microstructure (step (h )-(j)). In step (h), plasma etching is performed as described above using a suitable gas or mixture of gases, including but not limited to SF6 . This plasma etch is used to finish the surface and/or correct the angle for the distal tip of the microstructure. It should be appreciated that when using anisotropic etching, the plasma flow can be adjusted to create the desired angle and/or shape, as depicted by 30 and 32. As can be seen in steps (i)-(j), wet thermal oxidation is followed by isotropic etching to create a smooth surface for microstructures and/or sharp edges. Wet thermal oxidation forms a layer 34 of silicon dioxide within the outer surface of the silicon substrate. This layer can be easily removed leaving a smooth surface. One exemplary method of removing the silicon dioxide layer is an isotropic wet etch 36, as shown in step (j). Any suitable wet etching process as known in the art may be used. Wet etching typically involves contacting the material with a chemical etching solution. In some embodiments, the chemical etchant is an acid, including, but not limited to, hydrofluoric acid or phosphoric acid.

図1Kに図示されるように、結果として生じる微小構造の構造42は、シャフト40と、鋭的遠位先端38とを有する。シャフト長は、所望の深度への皮膚の穿通を可能にするために十分な長さであるべきである。 As illustrated in FIG. 1K, the resulting microstructured structure 42 has a shaft 40 and a sharp distal tip 38. The shaft length should be long enough to allow skin penetration to the desired depth.

図2に図示されるように、上記のように形成される微小構造の構造42を伴うポジティブ成形型は、次いで、ネガティブ成形型46を形成するために使用される。ネガティブ成形型は、当技術分野において公知であるような任意の好適な方法および/または材料によって形成されてもよい。一実施形態では、ネガティブ成形型は、ネガティブ成形型材料の中に微小構造の構造を挿入することによって形成される。他の実施形態では、ネガティブ成形型は、ポジティブ成形型微小構造の構造をネガティブ成形型材料でコーティングすることによって形成される。実施形態では、ネガティブ成形型材料は、ポリマーである。実施形態では、ポリマーは、可溶性ポリマーである。実施形態では、ポリマーは、シリコーンポリマーである。特定の実施形態では、ポリマーは、ポリジメチルシロキサン(PDMS)および乳酸グリコール酸共重合体(PLGA)から選択される。微小構造は、除去され、ポジティブ成形型の微小構造の構造42の形状の空洞48を伴う、ポリマーネガティブ成形型46を残す。 As illustrated in FIG. 2, the positive mold with the microstructured features 42 formed as described above is then used to form a negative mold 46. The negative mold may be formed by any suitable method and/or material as known in the art. In one embodiment, the negative mold is formed by inserting microstructured features into the negative mold material. In other embodiments, negative molds are formed by coating structures of positive mold microstructures with negative mold material. In embodiments, the negative mold material is a polymer. In embodiments, the polymer is a soluble polymer. In embodiments, the polymer is a silicone polymer. In certain embodiments, the polymer is selected from polydimethylsiloxane (PDMS) and copolylactic-glycolic acid (PLGA). The microstructures are removed, leaving a polymer negative mold 46 with cavities 48 in the shape of the microstructure structures 42 of the positive mold.

図2を継続して参照すると、ネガティブ成形型46は、次いで、金属等の耐久性材料から形成される、本明細書においてマスタ成形型とも称される、第2のポジティブ成形型を形成するために使用される。実施形態では、ネガティブ成形型46は、好適な耐久性材料50でコーティングされる。非限定的実施形態では、耐久性材料は、銅、金、ニッケル、クロム、ロジウム、白金、またはそれらの合金から選択される、金属である。金属は、限定ではないが、電気鍍着、電子ビーム堆積、およびスパッタコーティングを含む、任意の好適な方法を使用して、ネガティブ成形型上にコーティング、塗布、または鍍着されてもよい。金属の余剰部分が、52によって示されるように塗布され、微小構造の基部または近位領域を作成する。すなわち、耐久性材料は、ネガティブ成形型内の空洞を完全に充填するため、およびネガティブ成形型上にまたは基部層52を形成するために十分な量で堆積される。基部は、微小構造の近位部分を形成する必要性に応じた、任意の好適な厚さ54であり得る。金属ポジティブ成形型は、ネガティブ成形型46から除去される。この時点において、ポジティブ成形型は、厚さ54を有するスラブまたは基部層52を伴う、微小構造のシャフトと、遠位先端とを含む。基部52は、次いで、当技術分野において公知であるような好適な機械的な機械加工方法を使用して機械加工され、微小構造の近位部分56の所望の形状を作成する。好ましい実施形態では、近位部分56は、漏斗または角錐形形状を有する。ネガティブ成形型46からのいかなる残りの材料も、塩化メチレン等の好適な溶媒によって除去される。 With continued reference to FIG. 2, negative mold 46 is then used to form a second positive mold, also referred to herein as a master mold, formed from a durable material such as metal. used for. In embodiments, negative mold 46 is coated with a suitable durable material 50. In a non-limiting embodiment, the durable material is a metal selected from copper, gold, nickel, chromium, rhodium, platinum, or alloys thereof. The metal may be coated, applied, or deposited onto the negative mold using any suitable method, including, but not limited to, electroplating, e-beam deposition, and sputter coating. A surplus of metal is applied as indicated by 52 to create the base or proximal region of the microstructure. That is, the durable material is deposited in an amount sufficient to completely fill the cavity within the negative mold and to form the base layer 52 on or over the negative mold. The base can be any suitable thickness 54 depending on the needs of forming the proximal portion of the microstructure. The metal positive mold is removed from the negative mold 46. At this point, the positive mold includes a microstructured shaft with a slab or base layer 52 having a thickness 54 and a distal tip. The base 52 is then machined using any suitable mechanical machining method as known in the art to create the desired shape of the microstructure proximal portion 56. In a preferred embodiment, proximal portion 56 has a funnel or pyramid shape. Any remaining material from negative mold 46 is removed with a suitable solvent such as methylene chloride.

一例示的実施形態では、ネガティブ成形型が、ポリジメチルシロキサン等のシリコーンから形成される。ネガティブ成形型は、典型的には、ポジティブマスタアレイにわたって液体成形型材料を流延して形成される。ネガティブ成形型流延溶液材料は、乾燥し、硬化することが可能となる。硬化された材料が、正極物質から剥離され、除去されると、作成されるものは、ポジティブマスタアレイの微小構造に対応する空洞を備える、成形型である。本方法における使用のために好適な成形型が、他の方法に従って調製され得ることを理解されたい。 In one exemplary embodiment, the negative mold is formed from silicone, such as polydimethylsiloxane. Negative molds are typically formed by casting liquid mold material over a positive master array. The negative mold cast solution material is allowed to dry and harden. When the cured material is peeled and removed from the cathode material, what is created is a mold with cavities that correspond to the microstructures of the positive master array. It is to be understood that molds suitable for use in the present method may be prepared according to other methods.

1つの例示的マスタアレイ成形型は、高さ約100~500μmを有する、複数の微小構造突起を含む。一般に、マスタアレイ成形型は、高さ少なくとも約100μm、少なくとも約150μm、少なくとも約200μm、少なくとも約250μm、または少なくとも約300μmを有する、複数の微小構造を含む。一般に、また、マスタアレイ成形型の微小構造が、高さ約1mm以下、約500μm以下、約300μm以下、またはある場合には、約200μmまたは150μm以下を有することが好ましい。実施形態では、マスタアレイ成形型の微小構造は、高さ少なくとも約50~500μmを有する。他の実施形態では、マスタアレイ成形型の微小構造は、高さ少なくとも約100~500μm、100~400μm、100~300μm、100~200μm、100~150μm、150~500μm、150~400μm、150~300μm、150~200μm、200~500μm、200~400μm、200~300μm、300~500μm、300~400μm、または400~500μmを有する。アレイ内の微小構造が、ある範囲の高さを有し得ることを理解されたい。マスタアレイ成形型の微小構造は、限定ではないが、多角形または円筒形を含む、任意の好適な形状を有してもよい。特定の実施形態として、漏斗先端と円筒形基部とを有する、漏斗および円筒形形状の組み合わせ、ならびに多角形底部、例えば、六角形または斜方形形状を伴う円錐形が挙げられる。いくつかの特定の形状が、図3A-3Dに示されている。他の可能性として考えられる微小構造形状が、例えば、米国公開特許出願第2004/0087992号および米国出願第2014/0180201号に示されている。一実施例では、成形型は、オベリスクのように成形される、微小構造を形成するように作成され、微小針シャフトの遠位端は、継合し、テーパ状になり、皮膚を穿通する先端を形成する、4つの角度付けられた面を伴う角錐である。角錐を保有する針シャフトは、4つの平面状または平坦な側面を有する。 One exemplary master array mold includes a plurality of microstructure protrusions having a height of about 100-500 μm. Generally, the master array mold includes a plurality of microstructures having a height of at least about 100 μm, at least about 150 μm, at least about 200 μm, at least about 250 μm, or at least about 300 μm. Generally, it is also preferred that the microstructures of the master array mold have a height of about 1 mm or less, about 500 μm or less, about 300 μm or less, or in some cases about 200 μm or 150 μm or less. In embodiments, the microstructures of the master array mold have a height of at least about 50-500 μm. In other embodiments, the microstructures of the master array mold have a height of at least about 100-500 μm, 100-400 μm, 100-300 μm, 100-200 μm, 100-150 μm, 150-500 μm, 150-400 μm, 150-300 μm. , 150-200 μm, 200-500 μm, 200-400 μm, 200-300 μm, 300-500 μm, 300-400 μm, or 400-500 μm. It is understood that the microstructures within the array can have a range of heights. The microstructures of the master array mold may have any suitable shape, including, but not limited to, polygonal or cylindrical. Particular embodiments include a combination of funnel and cylindrical shapes, with a funnel tip and a cylindrical base, and a conical shape with a polygonal bottom, such as a hexagonal or rhombic shape. Some specific shapes are shown in Figures 3A-3D. Other possible microstructure geometries are shown, for example, in US Published Patent Application No. 2004/0087992 and US Application No. 2014/0180201. In one example, a mold is created to form a microstructure that is shaped like an obelisk, and the distal end of the microneedle shaft is joined and tapered to form a skin-piercing tip. is a pyramid with four angled faces forming a . The pyramid-bearing needle shaft has four planar or flat sides.

いくつかの特定の実施形態では、マスタアレイは、高さ約200μm、基部約70μm、および突起間間隔約200μmを有する、複数の微小構造を含む。別の例示的実施形態では、マスタアレイは、高さ約200μm、基部約70μm、および突起間間隔約400μmを有する、複数の六角形または他の多角形形状突起を含む。さらに別の実施形態では、マスタアレイは、高さ約400μm、直径約100μm、および突起間間隔約200μmを有する、複数の円筒形形状の突起を含む。円筒形形状の突起が、漏斗形状、尖頭、または鋭的遠位端を有し得ることを理解されたい。 In some particular embodiments, the master array includes a plurality of microstructures having a height of about 200 μm, a base of about 70 μm, and an interprotrusion spacing of about 200 μm. In another exemplary embodiment, the master array includes a plurality of hexagonal or other polygon-shaped protrusions having a height of about 200 μm, a base of about 70 μm, and an inter-protrusion spacing of about 400 μm. In yet another embodiment, the master array includes a plurality of cylindrical shaped protrusions having a height of about 400 μm, a diameter of about 100 μm, and an inter-protrusion spacing of about 200 μm. It is to be understood that the cylindrical shaped protrusion may have a funnel shape, a point, or a sharp distal end.

マスタ成形型の微小構造は、約0~500μm離間されてもよい。具体的であるが、非限定的な実施形態では、マスタ成形型の微小構造は、約0μm、約50μm、約100μm、約150μm、約200μm、約250μm、約300μm、約350μm、約400μm、約450μm、または約500μm離間される。微小構造間の空間は、微小構造の基部から(基部間で)または先端から(先端間で)測定されてもよい。マスタ成形型の微小構造の間隔は、規則的または不規則的であってもよい。 The microstructures of the master mold may be approximately 0-500 μm apart. In specific, non-limiting embodiments, the microstructure of the master mold is about 0 μm, about 50 μm, about 100 μm, about 150 μm, about 200 μm, about 250 μm, about 300 μm, about 350 μm, about 400 μm, about 450 μm, or about 500 μm apart. The spacing between microstructures may be measured from the base (base-to-base) or from the tip (tip-to-tip) of the microstructures. The spacing of the microstructures in the master mold may be regular or irregular.

本マスタ成形型は、次いで、任意の好適な材料の複数のネガティブ成形型を形成するために使用され得る。これらのネガティブ成形型は、各微小構造が、治療のために対象に投与されるべき療法薬を含む、微小構造アレイの製造において使用され得る。一実施形態では、ネガティブ成形型は、療法薬から成る流延溶液または懸濁液を受容するため、流延成形型と称される。流延成形型を提供するための本方法の利点は、流延成形型が、微小構造の遠位および近位部分の所望の形状を形成するために、機械加工を要求しないことである。流延成形型は、ポリマーおよびシリコンを含む、任意の好適な材料から形成され得る。一実施形態では、ポリマーは、とりわけ、生体適合性、粘弾性、高い化学的不活性、および金属に付着する能力の利点を有する、PDMSである。他の実施形態では、流延成形型は、任意の天然または合成物質ゴム(例えば、イソプレン、天然ゴム、ブチルゴム)もしくはポリウレタンから形成される。
II. 微小構造アレイを作製する方法
This master mold can then be used to form multiple negative molds of any suitable material. These negative molds can be used in the manufacture of microstructure arrays, where each microstructure contains a therapeutic agent to be administered to a subject for treatment. In one embodiment, the negative mold is referred to as a cast mold because it receives a cast solution or suspension comprising a therapeutic agent. An advantage of this method for providing a cast mold is that the cast mold does not require machining to form the desired shape of the distal and proximal portions of the microstructure. Cast molds may be formed from any suitable material, including polymers and silicone. In one embodiment, the polymer is PDMS, which has the advantages of biocompatibility, viscoelasticity, high chemical inertness, and the ability to adhere to metals, among others. In other embodiments, the casting mold is formed from any natural or synthetic rubber (eg, isoprene, natural rubber, butyl rubber) or polyurethane.
II. How to fabricate microstructure arrays

上記の節Iに説明される方法および結果として生じる成形型は、微小構造アレイを製作するステップにおいて使用され得る。例示的方法が、流延溶液または懸濁液がネガティブ流延成形型上に堆積される、米国公開第2013/0292868号および第2014/0272101号(参照することによって本明細書に組み込まれる)に説明されている。1つの例示的方法では、微小構造アレイが、ネガティブ流延成形型の上または中にポリマーマトリクス溶液(もしくは懸濁液)を流延することによって調製される。溶液は、乾燥され、裏材ポリマー溶液(または懸濁液)が、ネガティブ流延成形型の上もしくは中に流延される。裏材溶液は、乾燥される。乾燥の後、流延成形型は、除去される。乾燥されたポリマーマトリクス溶液および乾燥された裏材溶液から形成される微小構造は、特に、2つの溶液が異なる実施形態では、2層から成る微小構造のアレイをもたらす。 The method and resulting mold described in Section I above may be used in fabricating microstructure arrays. Exemplary methods are described in U.S. Publication Nos. 2013/0292868 and 2014/0272101 (incorporated herein by reference) in which a casting solution or suspension is deposited onto a negative casting mold. explained. In one exemplary method, microstructure arrays are prepared by casting a polymer matrix solution (or suspension) onto or into a negative cast mold. The solution is dried and the backing polymer solution (or suspension) is cast onto or into a negative cast mold. The backing solution is dried. After drying, the casting mold is removed. Microstructures formed from a dried polymer matrix solution and a dried backing solution result in an array of microstructures consisting of two layers, particularly in embodiments where the two solutions are different.

一実施例では、流延溶液は、対象に送達されるべき1つまたはそれを上回る療法薬、活性剤、薬物、医薬品有効成分(API)、もしくは他の物質と、1つまたはそれを上回るポリマーを溶媒中に溶解もしくは懸濁させ、ポリマーマトリクス溶液または懸濁液を形成することによって形成される。活性剤、療法薬、薬品、薬物、およびAPIという用語は、本明細書では同義的に使用され、1つに対する議論または言及は、それぞれかつ全ての用語を含み、それらに適用されるものと意図される。一実施形態では、流延溶液は、少なくとも1つの薬品および1つまたはそれを上回るポリマーを水性緩衝液もしくは溶媒中に溶解または懸濁させ、活性剤ならびにポリマーを含む溶液もしくは懸濁液を形成することによって形成される。別の実施形態では、少なくとも1つの活性剤が、溶媒中に溶解または懸濁され、活性剤溶液もしくは懸濁液を形成する。少なくとも1つのポリマーは、溶媒中に別個に溶解され、ポリマー溶液または懸濁液を形成する。懸濁液は、活性剤および/またはポリマーの性質に応じて、液体懸濁液中の液体もしくは液体懸濁液中の固体であってもよい。活性剤溶液およびポリマー溶液のために使用される溶媒は、同一である、または異なってもよい。活性剤溶液およびポリマー溶液は、混合され、ポリマーマトリクス溶液または懸濁液を形成する。さらに、溶媒混合物が、活性剤および/またはポリマーを溶解もしくは懸濁させるために使用され得ることを理解されたい。 In one example, the casting solution includes one or more therapeutic agents, active agents, drugs, active pharmaceutical ingredients (APIs), or other substances to be delivered to the subject and one or more polymers. by dissolving or suspending the polymer in a solvent to form a polymer matrix solution or suspension. The terms active agent, therapeutic agent, drug, drug, and API are used interchangeably herein and any discussion or reference to one is intended to include and apply to each and every term. be done. In one embodiment, the casting solution dissolves or suspends at least one drug and one or more polymers in an aqueous buffer or solvent to form a solution or suspension containing the active agent and the polymer. formed by In another embodiment, at least one active agent is dissolved or suspended in a solvent to form an active agent solution or suspension. At least one polymer is separately dissolved in a solvent to form a polymer solution or suspension. Suspensions may be liquid in liquid suspension or solid in liquid suspension, depending on the nature of the active agent and/or polymer. The solvents used for the activator solution and the polymer solution may be the same or different. The active agent solution and polymer solution are mixed to form a polymer matrix solution or suspension. Additionally, it is to be understood that solvent mixtures may be used to dissolve or suspend the active agent and/or polymer.

流延溶媒は、一実施形態では、好ましくは、水性溶媒である。好適な水性溶媒として、限定ではないが、水、水とアルコール(例えば、プロパノールおよびブタノール等のC1-C8アルコール)との混合物、ならびに/もしくはアルコールエステルが挙げられる。他の実施形態では、溶媒は、非水性である。好適な非水性溶媒として、限定ではないが、エステル、エーテル、ケトン、亜硝酸、ラクトン、アミド、炭化水素、およびその誘導体ならびにそれらの混合物が挙げられる。他の非限定的実施形態では、溶媒は、アセトニトリル(ACN)、ジメチルスルホキシド(DMSO)、水、またはエタノールから選択される。溶媒の選択肢が、活性剤および/またはポリマーの1つまたはそれを上回る性質によって判定され得ることを理解されたい。さらに、流延溶媒が、溶媒の混合物を備え得ることを理解されたい。 The casting solvent, in one embodiment, is preferably an aqueous solvent. Suitable aqueous solvents include, but are not limited to, water, mixtures of water and alcohols (eg, C1-C8 alcohols such as propanol and butanol), and/or alcohol esters. In other embodiments, the solvent is non-aqueous. Suitable non-aqueous solvents include, but are not limited to, esters, ethers, ketones, nitrites, lactones, amides, hydrocarbons, and derivatives thereof and mixtures thereof. In other non-limiting embodiments, the solvent is selected from acetonitrile (ACN), dimethyl sulfoxide (DMSO), water, or ethanol. It is to be understood that the choice of solvent may be determined by one or more properties of the active agent and/or polymer. Furthermore, it is to be understood that the casting solvent can comprise a mixture of solvents.

任意の好適な薬物、療法薬、API、または他の活性剤が、溶剤中に溶解もしくは懸濁され得る。本アレイは、多種多様な物質または薬品のために好適である。投与され得る好適な活性剤は、例証として、限定ではないが、蘇生薬;鎮痛剤;抗関節炎薬;抗腫瘍薬を含む、抗癌剤;抗コリン薬;抗痙攣薬;抗うつ薬;抗糖尿病薬;止瀉薬;抗寄生虫薬;抗ヒスタミン剤;抗高脂血症薬;降圧剤;抗生物質、抗真菌薬、抗ウイルス薬、ならびに静菌性および殺菌化合物等の抗感染症薬;抗炎症剤;抗偏頭痛薬;抗嘔吐薬;抗パーキンソン病薬;鎮痒薬;抗精神病薬;解熱剤;鎮痙薬;抗結核薬;抗潰瘍剤;抗不安薬;食欲抑制薬;注意欠陥障害および注意欠陥多動性障害薬;カルシウムチャネル阻害剤、抗狭心症薬、中枢神経系作用薬、β遮断薬、および抗不整脈薬を含む、心血管薬;腐食剤;中枢神経刺激薬;鼻づまり薬を含む、感冒薬;サイトカイン;利尿薬;遺伝物質;薬草療法;ホルモン薬;催眠薬;血糖降下薬;免疫抑制剤;角質溶解薬;ロイコトリエン阻害薬;有糸分裂阻害剤;筋弛緩剤;麻薬性拮抗薬;ニコチン;ビタミン、必須アミノ酸、および脂肪酸等の栄養剤;抗緑内障薬等の眼科用薬物;麻酔剤等の疼痛緩和剤;副交感神経遮断薬;ペプチド薬;タンパク分解酵素;覚醒剤;抗喘息薬を含む、呼吸器系治療薬;鎮静剤;黄体ホルモン物質、エストロゲン、コルチコイド、アンドロゲン、および同化剤を含む、ステロイド;禁煙剤;交感神経様作用薬;組織治癒増強薬;精神安定剤;大冠動脈、末梢動脈、および大脳動脈を含む、血管拡張剤;発疱薬;およびそれらの組み合わせ等の広範な化合物の種類を含む。 Any suitable drug, therapeutic agent, API, or other active agent can be dissolved or suspended in the solvent. The array is suitable for a wide variety of substances or drugs. Suitable active agents that may be administered include, by way of example and without limitation, resuscitation agents; analgesics; anti-arthritic agents; anti-cancer agents, including anti-tumor agents; anti-cholinergic agents; anti-convulsants; anti-depressants; anti-diabetic agents. antidiarrheals; antiparasitics; antihistamines; antihyperlipidemics; antihypertensives; antiinfectives such as antibiotics, antifungals, antivirals, and bacteriostatic and bactericidal compounds; antiinflammatories; migraine drugs; antiemetics; antiparkinsonian drugs; antipruritics; antipsychotics; antipyretics; antispasmodics; antituberculous drugs; antiulcer drugs; anxiolytics; appetite suppressants; attention deficit disorder and attention deficit hyperactivity Disorders; cardiovascular drugs, including calcium channel blockers, antianginals, central nervous system agonists, beta-blockers, and antiarrhythmics; corrosives; central nervous system stimulants; and common cold drugs, including nasal decongestants. Drugs; cytokines; diuretics; genetic material; herbal remedies; hormonal drugs; hypnotics; hypoglycemic agents; immunosuppressants; keratolytics; leukotriene inhibitors; mitotic inhibitors; muscle relaxants; narcotic antagonists; Includes nicotine; nutritional supplements such as vitamins, essential amino acids, and fatty acids; ophthalmic drugs such as anti-glaucoma drugs; pain relievers such as anesthetics; parasympathetic nerve blockers; peptide drugs; proteolytic enzymes; stimulants; and anti-asthmatic drugs. , respiratory system therapeutics; sedatives; steroids, including progestogens, estrogens, corticoids, androgens, and anabolic agents; smoking cessation agents; sympathomimetics; tissue healing enhancers; tranquilizers; large coronary arteries, peripheral including arteries, and cerebral arteries, including a wide variety of compounds such as vasodilators; vesicants; and combinations thereof.

実施形態では、活性剤は、限定ではないが、ペプチド、ポリペプチド、タンパク質、または核酸(例えば、DNAもしくはRNA)を含む、生物学的製剤である。一実施形態では、活性剤は、ヒト甲状腺ホルモン(例えば、hPTH(1-34))等のポリペプチド、ヒト成長ホルモン等のタンパク質、または抗体である。微小構造アレイと併用され得る、ペプチドおよびタンパク質の実施例として、限定ではないが、副甲状腺ホルモン(PTH)、オキシトシン、バソプレシン、副腎皮質刺激ホルモン(ACTH)、上皮成長因子(EGF)、プロラクチン、黄体形成ホルモン、卵胞刺激ホルモン、ルリベリンまたは黄体形成ホルモン放出ホルモン(LHRH)、インスリン、ソマトスタチン、グルカゴン、インターフェロン、ガストリン、テトラガストリン、ペンタガストリン,ウロガストロン,セクレチン,カルシトニン,エンケファリン,エンドルフィン、キョートルフィン、タフトシン、サイモポイエチン、サイモシン、サイモスチムリン、胸腺体液性因子、血清胸腺因子、腫瘍壊死要因、コロニー刺激因子、モチリン、ボンベシン、ダイノルフィン、ニューロテンシン、セルレイン、ブラジキニン、ウロキナーゼ、カリクレイン、サブスタンスPアナログおよびアンタゴニスト、アンジオテンシンII、神経成長因子、血液凝固因子VIIおよびIX、塩化リゾチーム、レニン、ブラジキニン、チロシジン、グラミシジン、成長ホルモン、メラニン細胞刺激ホルモン、甲状腺ホルモン放出ホルモン、甲状腺刺激ホルモン、副甲状腺ホルモン、パンクレオザイミン、コレシストキニン、ヒト胎盤性ラクトーゲン、ヒト絨毛性ゴナドトロピン、タンパク質合成刺激ペプチド、胃抑制ペプチド、血管活性腸管ペプチド、血小板由来成長因子、成長ホルモン放出因子、骨形態形成タンパク質、ならびにそれらの合成類似体および修飾体および薬理活性断片が挙げられる。ペプチジル薬としてまた、例えば、ブセレリン、デスロレリン、フェルチレリン、ゴセレリン、ヒストレリン、ロイプロリド(リュープロレリン)、ルトレリン、ナファレリン、トリプトレリン、およびその薬理活性塩等のLHRHの合成類似体が挙げられる。オリゴヌクレオチドの投与もまた、検討され、DNAおよびRNA、他の自然発生オリゴヌクレオチド、非天然オリゴヌクレオチド、ならびにその任意の組み合わせおよび/または断片が挙げられる。治療用抗体として、Orthoclone OKT3(ムロモナブCD3)、ReoPro(アブシキシマブ)、Rituxan(リツキシマブ)、Zenapax(ダクリズマブ)、Remicade(インフリキシマブ)、Simulect(バシリキシマブ)、Synagis(パリビズマブ)、Herceptin(トラスツズマブ)、Mylotarg(ゲムツズマブオゾガマイシン)、CroFab、DigiFab、Campath(アレムツズマブ)、およびZevalin(イブリツモマブチウキセタン)が挙げられる。 In embodiments, the active agent is a biological agent, including, but not limited to, a peptide, polypeptide, protein, or nucleic acid (eg, DNA or RNA). In one embodiment, the active agent is a polypeptide, such as human thyroid hormone (eg, hPTH(1-34)), a protein, such as human growth hormone, or an antibody. Examples of peptides and proteins that can be used in conjunction with microstructure arrays include, but are not limited to, parathyroid hormone (PTH), oxytocin, vasopressin, adrenocorticotropic hormone (ACTH), epidermal growth factor (EGF), prolactin, corpus luteum. Formative hormone, follicle-stimulating hormone, luliberine or luteinizing hormone-releasing hormone (LHRH), insulin, somatostatin, glucagon, interferon, gastrin, tetragastrin, pentagastrin, urogastrin, secretin, calcitonin, enkephalin, endorphin, kyotorphin, tuftsin, thymopoietin , thymosin, thymostimulin, thymic humoral factor, serum thymic factor, tumor necrosis factor, colony stimulating factor, motilin, bombesin, dynorphin, neurotensin, caerulein, bradykinin, urokinase, kallikrein, substance P analogs and antagonists, angiotensin II, nerve Growth factors, blood coagulation factors VII and IX, lysozyme chloride, renin, bradykinin, tyrocidin, gramicidin, growth hormone, melanocyte-stimulating hormone, thyroid hormone-releasing hormone, thyroid-stimulating hormone, parathyroid hormone, pancreozymine, cholecystokinin , human placental lactogen, human chorionic gonadotropin, protein synthesis-stimulating peptide, gastric inhibitory peptide, vasoactive intestinal peptide, platelet-derived growth factor, growth hormone-releasing factor, bone morphogenetic protein, and their synthetic analogs and modifications and Includes pharmacologically active fragments. Peptidyl drugs also include synthetic analogs of LHRH, such as, for example, buserelin, deslorelin, fertirelin, goserelin, histrelin, leuprolide (leuprorelin), lutrelin, nafarelin, triptorelin, and pharmacologically active salts thereof. Administration of oligonucleotides is also contemplated and includes DNA and RNA, other naturally occurring oligonucleotides, non-naturally occurring oligonucleotides, and any combinations and/or fragments thereof. As therapeutic antibodies, Orthoclone OKT3 (muromonab CD3), ReoPro (abciximab), Rituxan (rituximab), Zenapax (daclizumab), Remicade (infliximab), Simulect (basiliximab), Synagis (palivizumab), Herce ptin (trastuzumab), Mylotarg (gem tuzumab ozogamicin), CroFab, DigiFab, Campath (alemtuzumab), and Zevalin (ibritumomab tiuxetan).

他の実施形態では、遠位層の少なくとも一部は、予防用および/または療法用ワクチンとしての使用のために好適な薬品を備える。ある実施形態では、ワクチンは、担体タンパク質に結合された抗原エピトープを含む。ワクチンが、補助薬の有無を問わずに調合され得ることを理解されたい。好適なワクチンとして、限定ではないが、炭疽、ジフテリア/破傷風/百日咳、A型肝炎、B型肝炎、ヘモフィラスインルエンザb菌、ヒトパピローマウイルス、インフルエンザ、日本脳炎、麻疹/おたふく風邪/風疹、髄膜炎菌性疾患(例えば、髄膜炎菌多糖体ワクチンおよび髄膜炎菌結合型ワクチン)、肺炎球菌性疾患(例えば、髄膜炎菌多糖体ワクチンおよび髄膜炎菌結合型ワクチン)、ポリオ、狂犬病、ロタウイルス、帯状疱疹、天然痘、破傷風/ジフテリア、破傷風/ジフテリア/百日咳、腸チフス、水痘、ならびに黄熱病に対する使用のためのワクチンが挙げられる。 In other embodiments, at least a portion of the distal layer comprises a drug suitable for use as a prophylactic and/or therapeutic vaccine. In certain embodiments, the vaccine comprises an antigenic epitope conjugated to a carrier protein. It is to be understood that vaccines can be formulated with or without adjuvants. Suitable vaccines include, but are not limited to, anthrax, diphtheria/tetanus/pertussis, hepatitis A, hepatitis B, Haemophilus inruenza b, human papillomavirus, influenza, Japanese encephalitis, measles/mumps/rubella, meninges. inflammatory diseases (e.g., meningococcal polysaccharide vaccine and meningococcal conjugate vaccine), pneumococcal diseases (e.g., meningococcal polysaccharide vaccine and meningococcal conjugate vaccine), polio, Included are vaccines for use against rabies, rotavirus, shingles, smallpox, tetanus/diphtheria, tetanus/diphtheria/pertussis, typhoid, chickenpox, and yellow fever.

別の実施形態では、遠位層の少なくとも一部は、獣医的使用に好適な薬品を備える。そのような使用として、限定ではないが、療法用および診断獣医的使用が挙げられる。 In another embodiment, at least a portion of the distal layer comprises a drug suitable for veterinary use. Such uses include, but are not limited to, therapeutic and diagnostic veterinary uses.

本方法における使用のためのポリマーは、典型的には、生体適合性である。一実施形態では、ポリマーの少なくとも一部が、生体分解性である。 Polymers for use in this method are typically biocompatible. In one embodiment, at least a portion of the polymer is biodegradable.

ある実施形態では、ポリマーは、構造形成ポリマーである。ある実施形態では、ポリマーは、親水性水溶性ポリマーである。好適なポリマーは、当技術分野において公知であって、例えば、米国特許出願第2008/0269685号に説明されている。例示的生体適合性、生体分解性、または生体侵食性ポリマーとして、ポリ(乳酸)(PLA)、ポリ(グリコール酸)(PGA)、ポリ(乳酸-コ-グリコール酸)(PLGA)、ポリ無水物、ポリオルトエステル、ポリエーテルエステル、ポリカプロラクトン(PCL)、ポリエステルアミド、ポリ(酪酸)、ポリ(吉草酸)、ポリビニルピロリドン(PVP)、ポリビニルアルコール(PVA)、ポリエチレングリコール(PEG)、PEG-PLAのブロックコポリマー、PEG-PLA-PEG、PLA-PEG-PLA、PEG-PLGA、PEG-PLGA-PEG、PLGA-PEG-PLGA、PEG-PCL、PEG-PCL-PEG、PCL-PEG-PCL、エチレングリコール-プロピレングリコール-エチレングリコールのコポリマー(PEG-PPG-PEG、商標名Pluronic(登録商標)またはPoloxamer(登録商標))、ポリエチレングリコール-ポリ(乳酸-コ-グリコール酸)(PLGA-PEG)のブロックコポリマー、デキストラン、ヘタスターチ、テトラスターチ、ペンタスターチ、ヒドロキシエチルスターチ、セルロース、ヒドロキシプロピルセルロース(HPC)、カルボキシメチルセルロースナトリウム(Na CMC)、熱感受性HPMC(ヒドロキシプロピルメチルセルロース)、ポリホスファゼン、ヒドロキシエチルセルロース(HEC)、多糖類、多価アルコール、ゼラチン、アルギン酸塩、キトサン、ヒアルロン酸およびその誘導体、コラーゲンおよびその誘導体、ポリウレタン、ならびにこれらのポリマーのコポリマーおよび混成物が挙げられる。1つのヒドロキシエチルスターチは、0~0.9の範囲内の置換度を有し得る。例示的多糖類は、デキストラン70、デキストラン40、およびデキストラン10を含む、デキストランである。 In some embodiments, the polymer is a structure-forming polymer. In certain embodiments, the polymer is a hydrophilic water-soluble polymer. Suitable polymers are known in the art and are described, for example, in US Patent Application No. 2008/0269685. Exemplary biocompatible, biodegradable, or bioerodible polymers include poly(lactic acid) (PLA), poly(glycolic acid) (PGA), poly(lactic-co-glycolic acid) (PLGA), polyanhydrides. , polyorthoester, polyetherester, polycaprolactone (PCL), polyester amide, poly(butyric acid), poly(valeric acid), polyvinylpyrrolidone (PVP), polyvinyl alcohol (PVA), polyethylene glycol (PEG), PEG-PLA block copolymer of PEG-PLA-PEG, PLA-PEG-PLA, PEG-PLGA, PEG-PLGA-PEG, PLGA-PEG-PLGA, PEG-PCL, PEG-PCL-PEG, PCL-PEG-PCL, ethylene glycol - Copolymers of propylene glycol-ethylene glycol (PEG-PPG-PEG, trade name Pluronic® or Poloxamer®), block copolymers of polyethylene glycol-poly(lactic-co-glycolic acid) (PLGA-PEG) , dextran, hetastarch, tetrastarch, pentastarch, hydroxyethylstarch, cellulose, hydroxypropylcellulose (HPC), sodium carboxymethylcellulose (Na CMC), heat-sensitive HPMC (hydroxypropylmethylcellulose), polyphosphazene, hydroxyethylcellulose (HEC), Included are polysaccharides, polyhydric alcohols, gelatin, alginates, chitosan, hyaluronic acid and its derivatives, collagen and its derivatives, polyurethanes, and copolymers and hybrids of these polymers. One hydroxyethyl starch may have a degree of substitution within the range of 0 to 0.9. Exemplary polysaccharides are the dextrans, including Dextran 70, Dextran 40, and Dextran 10.

流延溶液はさらに、緩衝液または溶媒中に溶解もしくは懸濁される、1つまたはそれを上回る賦形剤を含んでもよい。好適な賦形剤として、限定ではないが、1つまたはそれを上回る安定剤、塑性剤、界面活性剤、ならびに/もしくは抗酸化剤が挙げられる。 The casting solution may further include one or more excipients dissolved or suspended in the buffer or solvent. Suitable excipients include, but are not limited to, one or more stabilizers, plasticizers, surfactants, and/or antioxidants.

一実施形態では、1つまたはそれを上回る糖類が、流延溶液に添加される。糖類は、活性成分を安定化させ、および/またはポリマーのうちの少なくとも1つを可塑化することができる。糖類はまた、ポリマーの分解に影響を及ぼす、それを加減する、または調整するために使用されてもよい。例示的糖類として、限定ではないが、ブドウ糖、果糖、ガラクトース、麦芽糖、マルツロース、イソマルツロース、マンノース、乳糖、ラクツロース、蔗糖、およびトレハロース、ならびにソルビトールが挙げられる。他の実施形態では、当技術分野において公知の糖アルコールが、流延溶液中に含まれる。例示的糖アルコールとして、限定ではないが、ラクチトール、マルチトール、ソルビトール、およびマンニトールが挙げられる。シクロデキストリンもまた、有利には、微小構造アレイ内で使用されることができ、例えば、α、β、およびγシクロデキストリンである。例示的シクロデキストリンとして、ヒドロキシプロピル-β-シクロデキストリンおよびメチル-β-シクロデキストリンが挙げられる。他の実施形態では、デキストラン、ヘタスターチ、および/またはテトラスターチが、流延溶液内のポリマーとして使用される場合、ソルビトールが、好ましくは、流延溶液中に含まれてもよい。本実施形態では、ソルビトールは、活性剤を安定化させるだけではなく、ポリマーマトリクスを可塑化することも行い得、これは、脆弱性を低減させる。微小構造アレイの生体分解性または可溶性は、糖類の含有によって促進され得る。糖類および糖アルコールはまた、可塑化様効果を呈することによって、ペプチド、タンパク質、または他の生物学的活性剤の安定化において、ならびに微小構造の機械的性質を修正する際、有用となり得る。活性剤が、限定ではないが、ペプチド、タンパク質、および抗体を含む、生物学的薬品である場合、1つまたはそれを上回る糖類もしくは糖アルコールが、安定化薬品として、流延溶液中で使用されてもよい。糖類は、(i)療法薬溶液または懸濁液、(ii)ポリマー溶液または懸濁液、あるいは(iii)いったん(i)および(ii)が混合されると、ポリマーマトリクス溶液または懸濁液に添加されてもよい。 In one embodiment, one or more sugars are added to the casting solution. The sugar can stabilize the active ingredient and/or plasticize at least one of the polymers. Sugars may also be used to affect, moderate, or modulate the degradation of the polymer. Exemplary sugars include, but are not limited to, glucose, fructose, galactose, maltose, maltulose, isomaltulose, mannose, lactose, lactulose, sucrose, and trehalose, and sorbitol. In other embodiments, sugar alcohols known in the art are included in the casting solution. Exemplary sugar alcohols include, but are not limited to, lactitol, maltitol, sorbitol, and mannitol. Cyclodextrins can also be advantageously used within the microstructure array, such as alpha, beta, and gamma cyclodextrins. Exemplary cyclodextrins include hydroxypropyl-β-cyclodextrin and methyl-β-cyclodextrin. In other embodiments, when dextran, hetastarch, and/or tetrastarch are used as polymers in the casting solution, sorbitol may preferably be included in the casting solution. In this embodiment, the sorbitol not only stabilizes the active agent, but may also plasticize the polymer matrix, which reduces brittleness. Biodegradability or solubility of microstructure arrays can be facilitated by the inclusion of saccharides. Sugars and sugar alcohols can also be useful in stabilizing peptides, proteins, or other biologically active agents and in modifying the mechanical properties of microstructures by exhibiting plasticizing-like effects. When the active agent is a biological agent, including but not limited to peptides, proteins, and antibodies, one or more sugars or sugar alcohols are used in the casting solution as a stabilizing agent. It's okay. The saccharide can be added to (i) the therapeutic solution or suspension, (ii) the polymer solution or suspension, or (iii) once (i) and (ii) are mixed, the polymer matrix solution or suspension. May be added.

1つまたはそれを上回る界面活性剤が、溶液の表面張力を変化させる、ならびに/もしくはタンパク質の疎水性相互作用を低減させるために、流延溶液に添加されてもよい。当技術分野において公知であるような任意の好適な界面活性剤が、使用されてもよい。例示的界面活性剤として、限定ではないが、Polysorbate20およびPolysorbate80等の乳化剤が挙げられる。 One or more surfactants may be added to the casting solution to change the surface tension of the solution and/or reduce hydrophobic interactions of proteins. Any suitable surfactant as known in the art may be used. Exemplary surfactants include, but are not limited to, emulsifiers such as Polysorbate 20 and Polysorbate 80.

1つまたはそれを上回る抗酸化剤が、流延溶液に添加されてもよい。当技術分野において公知であるような任意の好適な抗酸化剤が、使用されてもよい。例示的抗酸化剤として、限定ではないが、メチオニン、システイン、酢酸D-αトコフェロール、EDTA、およびビタミンEが挙げられる。 One or more antioxidants may be added to the casting solution. Any suitable antioxidant as known in the art may be used. Exemplary antioxidants include, but are not limited to, methionine, cysteine, D-alpha tocopherol acetate, EDTA, and vitamin E.

一実施形態では、随意の裏材層、基部層、または基材がさらに、成形型上に流延される。液体裏材調合物が、成形型上または空洞の中に分注される。液体裏材調合物は、典型的には、1つまたはそれを上回るポリマーを好適な溶媒中に溶解もしくは懸濁させることによって調製される。好ましい実施形態では、1つまたはそれを上回るポリマーは、生体適合性である。典型的には、常時ではないが、ポリマーは、非生体分解性である。別の実施形態では、裏材調合物は、1つまたはそれを上回る生体分解性ならびに/もしくは非生体分解性ポリマーから成ってもよい。好適な生体分解性ポリマーは、前述のものである。好適な非生体分解性ポリマーは、当技術分野において公知であって、限定ではないが、両親媒性ポリウレタン、ポリエーテルポリウレタン(PEU)、ポリエーテルエーテルケトン(PEEK)、ポリ(乳酸-コ-グリコール酸)(PLGA)、ポリ乳酸(PLA)、テレフタル酸ポリエチレン、ポリカーボネート、商標名Eudragit(登録商標)下で販売されるもの等のアクリルポリマー、ポリビニルピロリドン(PVP)、ポリアミドイミド(PAI)、および/またはそのコポリマーが挙げられる。さらに好適なポリマーは、米国特許第7,785,301号(その全体として本明細書に組み込まれる)に説明されている。別の実施形態では、裏材層は、接着剤層である。一好適な接着剤は、Dymax(登録商標)1187-MUV医療デバイス用接着剤である。任意の生体適合性接着剤が、裏材層とともに、その中において、および/またはそれとして使用するために好適であることを理解されたい。本層はまた、感圧式接着剤で両面がコーティングされた不織布または多孔性フィルムであってもよい。液体裏材調合物は、活性剤流延溶液の場合と同一または類似方法によって、空洞の中に移動されてもよい。液体裏材層調合物が、使用される場合、裏材層調合物の溶媒は、乾燥プロセスによって除去される。裏材層を乾燥させるための乾燥条件は、裏材層溶媒が、活性剤の安定性に影響を及ぼさずに、および/または(例えば、均一)裏材層を適切に形成するために、効果的に除去され得るように制御されるべきである。一実施形態では、成形型は、制御された気流下にある、圧縮された乾燥空気(CDA)ボックスの中に設置され、次いで、約5~50℃の炉内に設置される。さらなる実施形態では、成形型は、約5~50℃の温度の炉内に設置される。実施形態では、CDAおよび/または炉の温度は、約5℃、約10℃、約20℃、約30℃、約40℃、約45℃、もしくは約50℃である。実施形態では、CDAおよび/または炉の温度は、約5~45℃、5~40℃、5~30℃、5~20℃、5~15℃、5~10℃、10~50℃、10~45℃、10~40℃、10~30℃、10~20℃、10~15℃、15~50℃、15~45℃、15~40℃、15~30℃、15~20℃、20~50℃、20~45℃、20~40℃、20~30℃、30~50℃、30~45℃、30~40℃、30~45℃、40~50℃、40~45℃、もしくは45~50℃である。実施形態では、炉は、乾燥のために、対流、伝導、または放射を使用する。別の実施形態では、成形型は、CDAボックス内での先行時間を伴わずに、約5~50℃の炉内に設置される。実施形態では、成形型は、少なくとも約0~120分、約30~120分、約30~90分、約30~60分、約30~45分、約45~120分、約45~90分、約45~60分、約60~120分、約60~90分、約90~120分、またはより長い時間にわたって、CDAならびに/もしくは炉内に設置される。裏材層内の残留溶媒は、異なる乾燥条件下における溶媒除去の有効性を判定するために測定されることができる。裏材層は、微小構造先端を接続および/または支持する。 In one embodiment, an optional backing layer, base layer, or substrate is further cast onto the mold. A liquid backing formulation is dispensed onto the mold or into the cavity. Liquid backing formulations are typically prepared by dissolving or suspending one or more polymers in a suitable solvent. In preferred embodiments, the one or more polymers are biocompatible. Typically, but not always, polymers are non-biodegradable. In another embodiment, the backing formulation may consist of one or more biodegradable and/or non-biodegradable polymers. Suitable biodegradable polymers are those mentioned above. Suitable non-biodegradable polymers are known in the art and include, but are not limited to, amphiphilic polyurethane, polyether polyurethane (PEU), polyether ether ketone (PEEK), poly(lactic acid-co-glycol) (PLGA), polylactic acid (PLA), polyethylene terephthalate, polycarbonates, acrylic polymers such as those sold under the trade name Eudragit®, polyvinylpyrrolidone (PVP), polyamideimide (PAI), and/or or a copolymer thereof. Further suitable polymers are described in US Pat. No. 7,785,301, incorporated herein in its entirety. In another embodiment, the backing layer is an adhesive layer. One suitable adhesive is Dymax® 1187-MUV medical device adhesive. It is to be understood that any biocompatible adhesive is suitable for use with, in, and/or as the backing layer. This layer may also be a nonwoven or porous film coated on both sides with a pressure sensitive adhesive. The liquid backing formulation may be transferred into the cavity by the same or similar method as for the active agent casting solution. If a liquid backing layer formulation is used, the solvent of the backing layer formulation is removed by a drying process. The drying conditions for drying the backing layer are such that the backing layer solvent is effective without affecting the stability of the active agent and/or to properly form a (e.g., uniform) backing layer. It should be controlled so that it can be removed permanently. In one embodiment, the mold is placed in a compressed dry air (CDA) box under controlled airflow and then placed in an oven at about 5-50°C. In a further embodiment, the mold is placed in an oven at a temperature of about 5-50°C. In embodiments, the CDA and/or furnace temperature is about 5°C, about 10°C, about 20°C, about 30°C, about 40°C, about 45°C, or about 50°C. In embodiments, the temperature of the CDA and/or furnace is about 5-45°C, 5-40°C, 5-30°C, 5-20°C, 5-15°C, 5-10°C, 10-50°C, 10°C. ~45℃, 10~40℃, 10~30℃, 10~20℃, 10~15℃, 15~50℃, 15~45℃, 15~40℃, 15~30℃, 15~20℃, 20 ~50℃, 20-45℃, 20-40℃, 20-30℃, 30-50℃, 30-45℃, 30-40℃, 30-45℃, 40-50℃, 40-45℃, or The temperature is 45-50°C. In embodiments, the oven uses convection, conduction, or radiation for drying. In another embodiment, the mold is placed in an oven at about 5-50° C. without any lead time in a CDA box. In embodiments, the mold is heated for at least about 0 to 120 minutes, about 30 to 120 minutes, about 30 to 90 minutes, about 30 to 60 minutes, about 30 to 45 minutes, about 45 to 120 minutes, about 45 to 90 minutes. , about 45-60 minutes, about 60-120 minutes, about 60-90 minutes, about 90-120 minutes, or longer in the CDA and/or furnace. Residual solvent within the backing layer can be measured to determine the effectiveness of solvent removal under different drying conditions. The backing layer connects and/or supports the microstructure tips.

図4は、先端内薬物(DIT)と、裏材層とを有する、微小構造を形成する方法の図である。ネガティブ流延成形型が、第1節に説明される、マスタ成形型から作成される。液体DIT流延溶液が、当然ながら、微小構造のために所望される形状にある少なくとも1つの空洞を有する、ネガティブ流延成形型の中に堆積される。液体DIT溶液は、制御された条件下で乾燥され、溶媒を除去し、したがって、固体DIT層を空洞の底部または遠位端内に作成する。裏材層が、空洞内の残りの空間が充填され、随意に、裏材層調合物の層が、隣接する空洞間に延在するように、成形型上に、固体DIT層にわたって流延される。裏材層は、結果として生じるアレイが裏材層からある角度で延在する複数の微小構造を伴う裏材層を有するように乾燥される。微小構造が取り付けられた裏材層は、離型され、最終乾燥ステップを受け、微小構造アレイ(MSA)を形成する。MSAが、最終乾燥ステップを受けることに先立って離型され得ることを理解されたい。 FIG. 4 is an illustration of a method of forming a microstructure with a drug-in-tip (DIT) and a backing layer. A negative cast mold is created from the master mold, described in Section 1. A liquid DIT casting solution is deposited into a negative casting mold, which naturally has at least one cavity in the desired shape for the microstructure. The liquid DIT solution is dried under controlled conditions to remove the solvent and thus create a solid DIT layer at the bottom or distal end of the cavity. A backing layer is cast onto the mold over the solid DIT layer so that the remaining space within the cavity is filled and optionally a layer of the backing layer formulation extends between adjacent cavities. Ru. The backing layer is dried such that the resulting array has a backing layer with a plurality of microstructures extending at an angle from the backing layer. The backing layer with attached microstructures is demolded and subjected to a final drying step to form a microstructure array (MSA). It is to be understood that the MSA may be demolded prior to undergoing a final drying step.

微小構造は、基部または基板上に位置付けられ、アレイを形成してもよい。基板は、裏材層に加える、またはそれと併用されてもよい。微小構造は、任意の好適な手段によって、基板に取り付けられてもよい。1つの非限定的実施形態では、微小構造は、接着剤を使用して基板に取り付けられる。好適な接着剤として、限定ではないが、アクリル接着剤、アクリレート接着剤、感圧接着剤、両面粘着テープ、両面が接着剤でコーティングされた不織性または多孔性フィルム、およびUV硬化性接着剤が挙げられる。一例示的両面テープは、3Mから入手可能な#1513両面コーティング医療用テープである。1つの例示的であるが、非限定的なUV硬化性接着剤は、Dymaxから入手可能な1187-MUV光硬化性接着剤である。当技術分野において公知の任意の医療デバイス接着剤が、好適であろうことを理解されたい。一実施形態では、基板は、通気性不織布感圧式接着剤である。基板は、存在する場合、裏材層上に、または微小構造の近位表面上に設置される。基板は、微小構造に接着される、または取り付けられる。別の実施形態では、基板は、ポリカーボネートフィルム内のUV硬化接着剤である。UV接着剤は、裏材層の上部または微小構造の近位表面上に分注され、ポリカーボネート(PC)フィルムで被覆され、接着剤を広げ、UV融合システムを使用して硬化される。一実施形態では、UV硬化用量は、約1.6J/cmである。基板が、微小構造に取り付けられる、または接着された後、微小構造アレイは、成形型から除去される。アレイが、裏材層を含む場合、基板が、微小構造に関して上記に説明されるように、裏材層に取り付けられる、または接着されることを理解されたい。 The microstructures may be positioned on a base or substrate to form an array. A substrate may be added to or used in conjunction with the backing layer. The microstructures may be attached to the substrate by any suitable means. In one non-limiting embodiment, the microstructures are attached to the substrate using an adhesive. Suitable adhesives include, but are not limited to, acrylic adhesives, acrylate adhesives, pressure sensitive adhesives, double-sided adhesive tapes, nonwoven or porous films coated with adhesive on both sides, and UV-curable adhesives. can be mentioned. One exemplary double-sided tape is #1513 double-sided coated medical tape available from 3M. One exemplary, but non-limiting UV curable adhesive is 1187-MUV photocurable adhesive available from Dymax. It is understood that any medical device adhesive known in the art would be suitable. In one embodiment, the substrate is a breathable nonwoven pressure sensitive adhesive. The substrate, if present, is placed on the backing layer or on the proximal surface of the microstructure. The substrate is glued or attached to the microstructure. In another embodiment, the substrate is a UV cured adhesive within a polycarbonate film. The UV adhesive is dispensed onto the top of the backing layer or the proximal surface of the microstructure, covered with a polycarbonate (PC) film, and the adhesive is spread and cured using a UV fusion system. In one embodiment, the UV curing dose is about 1.6 J/ cm2 . After the substrate is attached or adhered to the microstructures, the microstructure array is removed from the mold. It should be appreciated that if the array includes a backing layer, the substrate is attached or adhered to the backing layer as described above with respect to microstructures.

流延された微小構造アレイは、任意の好適な手段によって成形型から除去される。一実施形態では、微小構造アレイは、離型ツールを使用することによって、成形型から除去される。両面接着剤が、アレイに接着するための片側と、離型ツールに接着するための他側とを用いて、微小構造アレイの裏に設置される。アレイは、アレイの裏の接着剤にわたって離型ツールを優しく転動させることによって成形型から除去される。微小構造アレイは、次いで、離型ツールから優しく剥離して除去される。アレイは、裏材層を乾燥後または最終乾燥ステップ後、離型されてもよい。 The cast microstructure array is removed from the mold by any suitable means. In one embodiment, the microstructure array is removed from the mold by using a demolding tool. A double-sided adhesive is placed on the back of the microstructure array with one side for adhering to the array and the other side for adhering to the demolding tool. The array is removed from the mold by gently rolling the release tool across the adhesive on the back of the array. The microstructure array is then removed by gentle peeling from the demolding tool. The array may be demolded after drying the backing layer or after a final drying step.

微小構造アレイが成形型から除去される前またはその後、最終乾燥ステップが、真空下で実施されてもよい。最終乾燥は、室温または高温であってもよい。実施形態では、最終乾燥は、約5~50℃である。実施形態では、最終乾燥は、約5℃、約10℃、約20℃、約25℃、約35℃、約40℃、約45℃、または約50℃である。さらに好適な温度および範囲は、裏材層の乾燥を参照して前述されている。実施形態では、最終乾燥は、約1~24時間またはより長い、約4~20時間、約6~10時間、約8~16時間、約8~12時間、約8~10時間、約10~12時間、約10~16時間、約12~16時間またはより長い。他の実施形態では、最終乾燥ステップは、一晩である。 A final drying step may be performed under vacuum before or after the microstructure array is removed from the mold. Final drying may be at room temperature or elevated temperature. In embodiments, the final drying is about 5-50°C. In embodiments, the final drying is about 5°C, about 10°C, about 20°C, about 25°C, about 35°C, about 40°C, about 45°C, or about 50°C. Further suitable temperatures and ranges are described above with reference to drying the backing layer. In embodiments, the final drying is for about 1 to 24 hours or longer, about 4 to 20 hours, about 6 to 10 hours, about 8 to 16 hours, about 8 to 12 hours, about 8 to 10 hours, about 10 to 12 hours, about 10-16 hours, about 12-16 hours or longer. In other embodiments, the final drying step is overnight.

微小構造アレイが、成形型から除去された後、適切なサイズおよび/または形状に切断されてもよい。一実施形態では、微小構造アレイは、11または16mm穿孔機を用いてダイカットされる。 After the microstructure array is removed from the mold, it may be cut to the appropriate size and/or shape. In one embodiment, the microstructure array is die cut using an 11 or 16 mm punch.

図5は、耐久性材料のマスタ成形型を調製するため、およびマスタ成形型を使用し、微小構造アレイを調製するために使用される、ネガティブ流延成形型を形成するためのステップを概説する、全体的プロセスを描写する。
III. 微小構造アレイ
Figure 5 outlines the steps for forming a negative cast mold used to prepare a master mold of durable material and use the master mold to prepare a microstructure array. , depicting the overall process.
III. microstructure array

本アレイおよび方法における使用するために好適な微小構造アレイの一般的特徴が、米国特許公開第2008/0269685号、米国特許公開第2011/0006458号、ならびに米国特許公開第2011/0276028(その内容全体は、明示的に、参照することによって本明細書に組み込まれる)に詳細に説明される。 General characteristics of microstructure arrays suitable for use in the present arrays and methods are described in U.S. Patent Publication No. 2008/0269685, U.S. Patent Publication No. 2011/0006458, and U.S. Patent Publication No. 2011/0276028 (in its entirety). (herein expressly incorporated by reference).

微小構造アレイは、好ましくは、上記に説明されるような製作プロセスの間に安定していること、および安定した貯蔵寿命を有することの両方が該当する。アレイの短期安定性は、アレイを種々の温度および/または湿度で貯蔵し、具体的時点において、それぞれ、SEC-HPLC、RP-HPLC、およびIEX-HPLCによって、モノマー含有量、組成物純度、ならびにタンパク質のアミド分解を分析することによって評価され得る。液体流延溶液または調合物は、好ましくは、製作プロセスの間、安定し、典型的には、数時間続く。好ましくは、液体流延溶液は、30分~6時間の周期にわたって安定している。非限定的実施形態では、液体流延溶液は、少なくとも30分~1時間、30分~2時間、30分~3時間、30分~4時間、30分~5時間、1~6時間、1~5時間、1~4時間、1~3時間、1~2時間、2~6時間、2~5時間、2~4時間、2~3時間、3~6時間、3~5時間、3~4時間、4~6時間、4~5時間、または5~6時間の周期にわたって安定している。具体的であるが、非限定的実施形態では、液体流延溶液は、少なくとも約30分、約45分、約1時間、約2時間、約3時間、約4時間、約5時間、約6時間、またはより長い時間にわたって安定している。微小構造アレイは、好ましくは、約室温(例えば、約25℃)で貯蔵されるとき、少なくとも約1日にわたって安定している。他の実施例では、アレイは、製作の後、少なくともある時間周期にわたって常温保存可能である。いくつかの実施形態では、アレイは、好ましくは、約5℃で貯蔵されるとき、少なくとも約1~12週間、約1~16週間、または約1~32週間にわたって安定している。他の実施形態では、アレイは、高温(例えば、約40℃)で貯蔵されるとき、少なくとも約1~12週間、約1~16週間、または約1~32週間にわたって安定している。他の実施形態では、アレイは、約5℃で貯蔵されるとき、少なくとも約1~52週間または1~156週間にわたって安定する。貯蔵寿命が、貯蔵温度に応じて、変動し得ることを理解されたい。実施形態では、アレイは、約5℃で貯蔵されるとき、少なくとも約1~156週間、約1~12週間、約1~2週間、約1~3週間、約1~4週間、約1~5週間、約2~6週間、約2~5週間、約2~4週間、約2~3週間、約3~6週間、約3~5週間、約3~4週間、約4~6週間、約4~5週間、または約5~6週間にわたって安定している。実施形態では、アレイは、約40℃で貯蔵されるとき、少なくとも約1~26週間、約1~12週間、約1~2週間、約1~3週間、約1~4週間、約1~5週間、約2~6週間、約2~5週間、約2~4週間、約2~3週間、約3~6週間、約3~5週間、約3~4週間、約4~6週間、約4~5週間、または約5~6週間にわたって安定している。他の実施形態では、アレイは、約25℃で貯蔵されるとき、少なくとも約1~14日間にわたって安定している。さらなる実施形態では、アレイは、約25℃で貯蔵されるとき、少なくとも約1~12週間、約1~16週間、約1~104週間、または約1~156週間にわたって安定している。具体的であるが、非限定的実施形態では、アレイは、約5℃で貯蔵されるとき、少なくとも約5日、少なくとも約1週間、少なくとも約2週間、少なくとも約4週間、少なくとも約5週間、少なくとも約6週間、またはより長い時間にわたって安定している。実施形態では、アレイは、約25℃で貯蔵されるとき、少なくとも約1~2日、約1~5日、約1~7日、約1~10日、約2~5日、約2~7日、約2~10日、約2~14日、約3~5日、約3~7日、約3~10日、約3~14日、約5~14日、約5~10日、約5~14日、または約10~14日間にわたって安定している。具体的であるが、非限定的実施形態では、アレイは、約25℃で貯蔵されるとき、少なくとも約12時間、少なくとも約1日、少なくとも約2日、少なくとも約3日、少なくとも約4日、少なくとも約5日、少なくとも約6日、少なくとも約1週間、またはより長い時間にわたって安定している。安定性は、典型的には、貯蔵前(時間=0)のアレイと比較して、貯蔵後のアレイ内の活性剤の純度を測定することによって監視される。実施形態では、アレイは、貯蔵後、少なくとも約80~100%、約85~100%、約90~100%、約95~100%、約80~95%、約85~95%、約90~95%約80~90%、約85~90%または約80~85%の純度を有する。非限定的実施形態では、アレイは、貯蔵後、少なくとも約80%、約85%、約90%、約92%、約93%、約95%、約96%、約97%、約98%、約99%、または約100%の純度を有する。 The microstructure array is preferably both stable during the fabrication process as described above and has a stable shelf life. The short-term stability of the arrays was determined by storing the arrays at various temperatures and/or humidity and determining monomer content, composition purity, and composition purity by SEC-HPLC, RP-HPLC, and IEX-HPLC, respectively, at specific time points. It can be assessed by analyzing protein deamidation. The liquid casting solution or formulation is preferably stable during the fabrication process, which typically lasts several hours. Preferably, the liquid casting solution is stable over a period of 30 minutes to 6 hours. In non-limiting embodiments, the liquid casting solution is applied for at least 30 minutes to 1 hour, 30 minutes to 2 hours, 30 minutes to 3 hours, 30 minutes to 4 hours, 30 minutes to 5 hours, 1 to 6 hours, 1 ~5 hours, 1-4 hours, 1-3 hours, 1-2 hours, 2-6 hours, 2-5 hours, 2-4 hours, 2-3 hours, 3-6 hours, 3-5 hours, 3 Stable over periods of ~4 hours, 4-6 hours, 4-5 hours, or 5-6 hours. In specific, non-limiting embodiments, the liquid casting solution is applied for at least about 30 minutes, about 45 minutes, about 1 hour, about 2 hours, about 3 hours, about 4 hours, about 5 hours, about 6 hours. stable over time or over longer periods of time. The microstructure array is preferably stable for at least about one day when stored at about room temperature (eg, about 25° C.). In other embodiments, the array can be stored at room temperature for at least a period of time after fabrication. In some embodiments, the array is preferably stable for at least about 1-12 weeks, about 1-16 weeks, or about 1-32 weeks when stored at about 5°C. In other embodiments, the array is stable for at least about 1-12 weeks, about 1-16 weeks, or about 1-32 weeks when stored at elevated temperatures (eg, about 40° C.). In other embodiments, the array is stable for at least about 1-52 weeks or 1-156 weeks when stored at about 5°C. It is understood that shelf life may vary depending on storage temperature. In embodiments, the array, when stored at about 5° C., is stored for at least about 1-156 weeks, about 1-12 weeks, about 1-2 weeks, about 1-3 weeks, about 1-4 weeks, about 1-156 weeks, about 1-12 weeks, about 1-2 weeks, about 1-3 weeks, about 1-4 weeks, about 1-156 weeks 5 weeks, about 2-6 weeks, about 2-5 weeks, about 2-4 weeks, about 2-3 weeks, about 3-6 weeks, about 3-5 weeks, about 3-4 weeks, about 4-6 weeks , stable for about 4-5 weeks, or about 5-6 weeks. In embodiments, the array is stored for at least about 1-26 weeks, about 1-12 weeks, about 1-2 weeks, about 1-3 weeks, about 1-4 weeks, about 1-26 weeks, about 1-2 weeks, about 1-3 weeks, about 1-4 weeks, when stored at about 40°C. 5 weeks, about 2-6 weeks, about 2-5 weeks, about 2-4 weeks, about 2-3 weeks, about 3-6 weeks, about 3-5 weeks, about 3-4 weeks, about 4-6 weeks , stable for about 4-5 weeks, or about 5-6 weeks. In other embodiments, the array is stable for at least about 1-14 days when stored at about 25°C. In further embodiments, the array is stable for at least about 1-12 weeks, about 1-16 weeks, about 1-104 weeks, or about 1-156 weeks when stored at about 25°C. In specific, non-limiting embodiments, the arrays, when stored at about 5° C., last for at least about 5 days, at least about 1 week, at least about 2 weeks, at least about 4 weeks, at least about 5 weeks, Stable for at least about 6 weeks, or longer. In embodiments, the array is stored for at least about 1-2 days, about 1-5 days, about 1-7 days, about 1-10 days, about 2-5 days, about 2-5 days when stored at about 25°C. 7 days, about 2-10 days, about 2-14 days, about 3-5 days, about 3-7 days, about 3-10 days, about 3-14 days, about 5-14 days, about 5-10 days , stable for about 5-14 days, or about 10-14 days. In specific, non-limiting embodiments, the array, when stored at about 25° C., will last for at least about 12 hours, at least about 1 day, at least about 2 days, at least about 3 days, at least about 4 days, Stable for at least about 5 days, at least about 6 days, at least about 1 week, or longer. Stability is typically monitored by measuring the purity of the active agent within the array after storage compared to the array before storage (time=0). In embodiments, the array is at least about 80-100%, about 85-100%, about 90-100%, about 95-100%, about 80-95%, about 85-95%, about 90-100% after storage. 95% has a purity of about 80-90%, about 85-90% or about 80-85%. In non-limiting embodiments, the array after storage is at least about 80%, about 85%, about 90%, about 92%, about 93%, about 95%, about 96%, about 97%, about 98%, It has a purity of about 99%, or about 100%.

活性剤が、タンパク質である場合、メチオニン酸化物(Met酸化物)は、好ましくは、約5℃~40℃で約1~6週間にわたる貯蔵後、1~20%未満またはそれに等しい。実施形態ではMet酸化物は、約1~10%、約1~5%、約1~6%、約2~3%、約2~4%、約2~5%、2~6%、約3~5%、または約3~6%未満である。具体的であるが、非限定的実施形態では、Met酸化物は、約1%、約2%、約3%、約4%、約5%、約6%、または約10%未満である。 When the active agent is a protein, methionine oxide (Met oxide) is preferably less than or equal to 1-20% after storage at about 5°C to 40°C for about 1-6 weeks. In embodiments, the Met oxide is about 1-10%, about 1-5%, about 1-6%, about 2-3%, about 2-4%, about 2-5%, 2-6%, about 3-5%, or less than about 3-6%. In specific, non-limiting embodiments, the Met oxide is less than about 1%, about 2%, about 3%, about 4%, about 5%, about 6%, or about 10%.

微小構造アレイは、少なくとも部分的に、対象の角質層または他の膜表面を穿通するために十分な機械的強度を有するべきである。異なる機械的強度が、異なる部位における適用のために要求されるであろうことを理解されたい。機械的強度を査定するための一方法は、実施例7に説明されるような皮膚穿通効率(SPE)研究である。好ましくは、アレイは、約50~100%のSPEを有する。他の実施形態では、アレイは、約50~80%、約50~85%、約50~90%、約50~95%、約60~80%、約60~85%、約60~90%、約60~95%、約60~100%、約75~80%、約75~85%、約75~90%、約75~95%、約75~100%、約80~85%、約80~90%、約80~95%、約80~100%、約90~95%、および約90~100%のSPEを有する。具体的非限定的実施形態では、アレイは、約50%、60%、70%、75%、80%、85%、90%、95%、99%、および100%のSPEを有する。 The microstructure array should have sufficient mechanical strength to at least partially penetrate the stratum corneum or other membrane surface of the subject. It is understood that different mechanical strengths may be required for applications at different sites. One method to assess mechanical strength is a skin penetration efficiency (SPE) study as described in Example 7. Preferably, the array has an SPE of about 50-100%. In other embodiments, the array is about 50-80%, about 50-85%, about 50-90%, about 50-95%, about 60-80%, about 60-85%, about 60-90% , about 60-95%, about 60-100%, about 75-80%, about 75-85%, about 75-90%, about 75-95%, about 75-100%, about 80-85%, about having an SPE of 80-90%, about 80-95%, about 80-100%, about 90-95%, and about 90-100%. In specific non-limiting embodiments, the array has an SPE of about 50%, 60%, 70%, 75%, 80%, 85%, 90%, 95%, 99%, and 100%.

好ましくは、活性剤の少なくとも約50~100%は、本明細書に説明されるMSAによって送達される。送達効率が、実施例7に説明されるように、MSAを調製し、MSAを生体内または試験管内で適用することによって判定され得る。実施形態では、MSAは、少なくとも約50~60%、約50~70%、約50~75%、約50~80%、約50~90%、約50~95%、約50~99%、約60~70%、約60~75%、約60~80%、約60~90%、約60~95%、約60~99%、約70~75%、約70~80%、約70~90%、約70~95%、約70~99%、約75~80%、約75~90%、約75~95%、約75~99%、約80~90%、約80~95%、約80~99%、約90~95%、約90~99%、または約95~99%の送達効率を有する。
IV. 使用方法
Preferably, at least about 50-100% of the active agent is delivered by the MSA described herein. Delivery efficiency can be determined by preparing MSA and applying the MSA in vivo or in vitro, as described in Example 7. In embodiments, the MSA is at least about 50-60%, about 50-70%, about 50-75%, about 50-80%, about 50-90%, about 50-95%, about 50-99%, about 60-70%, about 60-75%, about 60-80%, about 60-90%, about 60-95%, about 60-99%, about 70-75%, about 70-80%, about 70 ~90%, approximately 70-95%, approximately 70-99%, approximately 75-80%, approximately 75-90%, approximately 75-95%, approximately 75-99%, approximately 80-90%, approximately 80-95 %, about 80-99%, about 90-95%, about 90-99%, or about 95-99%.
IV. how to use

本明細書に説明される方法、キット、微小構造アレイ、および関連デバイスが、任意の症状を治療するために使用され得る。微小構造アレイが、米国特許公開第2011/0276027号に説明されるアプリケータならびに米国出願第2014/0276580号および第2014/0276580号(それぞれ、それらの全体として本明細書に組み込まれる)に説明されるものを含む、任意の適切なアプリケータと併用され得ることを理解されたい。 The methods, kits, microstructure arrays, and related devices described herein can be used to treat any condition. Microstructure arrays are described in the applicators described in U.S. Patent Publication No. 2011/0276027 and in U.S. Application Nos. 2014/0276580 and 2014/0276580, each of which is incorporated herein in its entirety. It should be understood that it may be used in conjunction with any suitable applicator, including those that

いくつかの例示的側面および実施形態が、上記に議論されているが、当業者は、ある修正、順列、追加、ならびにそれらの副次的組み合わせを認識するであろう。したがって、以下の添付の請求項および以降に導入される請求項が、それらの真の精神ならびに範囲内であるものとして、全てのそのような修正、順列、追加、および副次的組み合わせを含むと解釈されることが意図される。 While some example aspects and embodiments have been discussed above, those skilled in the art will recognize certain modifications, permutations, additions, and subcombinations thereof. It is therefore intended that the following appended claims and the claims hereafter introduced include all such modifications, permutations, additions, and subcombinations as are within their true spirit and scope. intended to be interpreted.

本明細書に述べられる全ての特許、特許出願、および公開文書は、参照することによってそれらの全体として本明細書に組み込まれる。しかしながら、明示的定義を含有する特許、特許出願、または公開文書が、参照することによって組み込まれる場合、それらの明示的定義は、それらが見出される、組み込まれる特許、特許出願、もしくは公開文書に適用されものであって、必ずしも、本願、特に、本願の請求項の文言に適用されるものではなく、その場合、本明細書に提供される定義は、優先することが意味されることを理解されたい。 All patents, patent applications, and publications mentioned herein are incorporated by reference in their entirety. However, if a patent, patent application, or publication document containing explicit definitions is incorporated by reference, those explicit definitions apply to the patent, patent application, or publication document in which they are found or incorporated. It is understood that the definitions provided herein are not necessarily applicable to the present application, and in particular to the language of the claims herein, in which case the definitions provided herein are meant to take precedence. sea bream.

Claims (26)

マスタ成形型を形成する方法であって、
a)第1の微小機械加工プロセスによって、第1の材料から形成される基板内に複数の微小構造部分を形成するステップであって、各微小構造部分は、シャフトと遠位先端とを備える、ステップと、
b)前記複数の微小構造部分のネガティブ成形型を調製するステップであって、前記ネガティブ成形型は、第2の材料から形成され、前記ネガティブ成形型は、前記複数の微小構造部分内の各微小構造部分に対応する複数の空洞を備える、ステップと、
c)前記ネガティブ成形型上に金属を電気鍍着することにより、前記複数の空洞内の各空洞を充填し、前記ネガティブ成形型から延在する基部層を形成するステップと、
d)第2の微小機械加工プロセスを使用して、前記基部層内の前記複数の微小構造部分のそれぞれのために近位区分を形成するステップと、
e)前記ステップd)の前または後に、前記金属から前記ネガティブ成形型を除去することにより、マスタ成形型を形成するステップと
を含む方法。
A method of forming a master mold, the method comprising:
a) forming a plurality of microstructured portions in a substrate formed from a first material by a first micromachining process, each microstructured portion comprising a shaft and a distal tip; step and
b) preparing a negative mold for the plurality of microstructures, the negative mold being formed from a second material, the negative mold forming a negative mold for each microstructure in the plurality of microstructures; a step comprising a plurality of cavities corresponding to the structural portion;
c) electroplating metal onto the negative mold to fill each cavity in the plurality of cavities to form a base layer extending from the negative mold;
d) forming a proximal section for each of the plurality of microstructured portions in the base layer using a second micromachining process;
e) forming a master mold by removing the negative mold from the metal before or after step d).
前記第2の微小機械加工プロセスは、機械的な微小機械加工プロセスである、請求項1に記載の方法。 2. The method of claim 1, wherein the second micromachining process is a mechanical micromachining process. 前記第1の材料は、シリコンおよびポジティブフォトレジスト材料から選択される、請求項1または請求項2に記載の方法。 3. The method of claim 1 or claim 2, wherein the first material is selected from silicon and a positive photoresist material. 前記第1の微小機械加工プロセスは、フォトリソグラフィプロセスを含む、請求項1~3のいずれか一項に記載の方法。 A method according to any one of claims 1 to 3, wherein the first micromachining process comprises a photolithography process. 前記フォトリソグラフィプロセスは、
1)前記第1の材料上にフォトレジストの層を塗布するステップと、
2)前記フォトレジストの層上にマスキング材料を塗布するステップであって、前記マスキング材料は、前記フォトレジストの層の少なくとも一部を被覆する、ステップと、
3)前記マスキング材料によって被覆されていない前記フォトレジストの層の部分を硬化させるステップと、
4)前記基板を等方性エッチングすることにより、前記遠位先端を作成するステップと、
5)前記基板をエッチングすることにより、前記シャフトを作成するステップと、
6)前記複数の微小構造部分を湿式熱酸化させるステップと、
7)前記複数の微小構造部分を等方性湿式エッチングするステップと
を含む、請求項4に記載の方法。
The photolithography process includes:
1) applying a layer of photoresist on the first material;
2) applying a masking material on the layer of photoresist, the masking material covering at least a portion of the layer of photoresist;
3) curing portions of the layer of photoresist not covered by the masking material;
4) creating the distal tip by isotropically etching the substrate;
5) creating the shaft by etching the substrate;
6) Wet thermal oxidation of the plurality of microstructure parts;
7) isotropically wet etching the plurality of microstructured portions.
前記第1の材料は、シリコンであり、前記方法は、ステップ1に先立って、熱酸化プロセスを使用して、シリコン基板上に二酸化ケイ素の層を形成するステップをさらに含む、請求項5に記載の方法。 6. The first material is silicon, and the method further comprises forming a layer of silicon dioxide on a silicon substrate using a thermal oxidation process prior to step 1. the method of. ステップ1に先立って使用される前記熱酸化プロセスは、湿式熱酸化プロセスである、請求項に記載の方法。 7. The method of claim 6 , wherein the thermal oxidation process used prior to step 1 is a wet thermal oxidation process. 前記フォトレジスト材料は、エポキシ系ネガティブフォトレジストである、請求項5に記載の方法。 6. The method of claim 5, wherein the photoresist material is an epoxy-based negative photoresist. 前記マスキング材料は、複数の開口を備え、前記複数の開口によって暴露される前記フォトレジストの層は、ステップ3において硬化される、請求項5に記載の方法。 6. The method of claim 5, wherein the masking material comprises a plurality of apertures and the layer of photoresist exposed by the plurality of apertures is cured in step 3. 前記方法は、ステップ3の後に、前記マスキング材料およびいかなる未硬化フォトレジスト材料も除去するステップをさらに含む、請求項5に記載の方法。 6. The method of claim 5, wherein the method further comprises removing the masking material and any uncured photoresist material after step 3. 前記マスキング材料および未硬化フォトレジストは、溶媒を使用して除去される、請求項10に記載の方法。 11. The method of claim 10, wherein the masking material and uncured photoresist are removed using a solvent. ステップ5の前記エッチングは、異方性エッチングを含む、請求項5に記載の方法。 6. The method of claim 5, wherein the etching of step 5 comprises anisotropic etching. ステップ5は、深掘り反応性イオンエッチングを含む、請求項5に記載の方法。 6. The method of claim 5, wherein step 5 comprises deep reactive ion etching. 前記方法は、ステップ1に先立って、ポリマー材料を洗浄するステップをさらに含む、請求項5に記載の方法。 6. The method of claim 5, wherein the method further comprises the step of cleaning the polymeric material prior to step 1. 前記洗浄は、化学洗浄を含む、請求項14に記載の方法。 15. The method of claim 14, wherein the cleaning comprises chemical cleaning. 前記化学洗浄は、RCA洗浄プロセスを含む、請求項15に記載の方法。 16. The method of claim 15, wherein the chemical cleaning comprises an RCA cleaning process. ステップ4および/またはステップ5は、プラズマエッチングを含む、請求項5に記載の方法。 6. The method of claim 5, wherein step 4 and/or step 5 comprises plasma etching. 前記プラズマエッチングは、SF、四塩化炭素、酸素、CHFから選択されるプラズマガスを含む、請求項17に記載の方法。 18. The method of claim 17, wherein the plasma etching comprises a plasma gas selected from SF6 , carbon tetrachloride, oxygen, CHF3 . 前記方法は、ステップ5の後に、前記第1の材料からいかなる残りのフォトレジストも除去するステップをさらに含む、請求項5に記載の方法。 6. The method of claim 5, wherein the method further comprises removing any remaining photoresist from the first material after step 5. 前記第2の材料は、ポリマー材料である、請求項1~19のいずれか一項に記載の方法。 A method according to any preceding claim, wherein the second material is a polymeric material. 前記第2の材料は、シリコーン材料である、請求項1~20のいずれか一項に記載の方法。 A method according to any one of claims 1 to 20, wherein the second material is a silicone material. 前記ポリマー材料は、ポリジメチルシロキサン(PDMS)、ポリカーボネート、ポリエーテルイミド、ポリエチレンテレフタラートから成る群から選択される、請求項20に記載の方法。 21. The method of claim 20, wherein the polymeric material is selected from the group consisting of polydimethylsiloxane (PDMS), polycarbonate, polyetherimide, polyethylene terephthalate. 前記金属は、銅、ニッケル、クロム、金から選択される、請求項1~22のいずれか一項に記載の方法。 23. A method according to any one of claims 1 to 22, wherein the metal is selected from copper, nickel, chromium, gold. 前記近位区分は、漏斗または角錐形形状を有するように微小機械加工される、請求項1~23のいずれか一項に記載の方法。 24. A method according to any preceding claim, wherein the proximal section is micromachined to have a funnel or pyramid shape. 前記方法は、前記マスタ成形型のネガティブ成形型を調製するステップをさらに含み、これにより、流延成形型を形成する、請求項1~24のいずれか一項に記載の方法。 25. A method according to any one of the preceding claims, wherein the method further comprises the step of preparing a negative mold of the master mold, thereby forming a casting mold. 微小構造アレイを調製する方法であって、
請求項25に記載の方法に従って流延成形型を形成するステップと、
前記流延成形型上に、少なくとも1つの療法薬を含むポリマーマトリクス溶液または懸濁液を分注するステップと、
前記ポリマーマトリクス溶液を乾燥させるステップと、
前記流延成形型上に、ポリマーマトリクス裏材溶液を分注するステップと、
前記ポリマーマトリクス裏材溶液を乾燥させることにより、前記微小構造アレイを形成するステップと、
前記微小構造アレイを離型させるステップと
を含む、方法。
1. A method of preparing a microstructure array, the method comprising:
forming a casting mold according to the method of claim 25;
dispensing a polymer matrix solution or suspension containing at least one therapeutic agent onto the casting mold;
drying the polymer matrix solution;
dispensing a polymer matrix backing solution onto the casting mold;
forming the microstructure array by drying the polymer matrix backing solution;
demolding the microstructure array.
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