JP7325578B2 - memory cards and terminals - Google Patents

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Description

本出願は、2018年2月1日に中国国家知識財産権局に出願された「MEMORY CARD AND TERMINAL」と題する中国特許出願第201810103746．3号の優先権を主張するものであり、同出願の内容全体が参照により本願明細書に援用される。 This application claims priority from Chinese Patent Application No. 201810103746.3 entitled "MEMORY CARD AND TERMINAL" filed with the State Intellectual Property Office of China on February 1, 2018, which The entire contents are incorporated herein by reference.

本出願は、通信技術に関し、詳細には、メモリカードおよび端末に関する。 The present application relates to communication technology, in particular to memory cards and terminals.

端末技術の発展に伴い、端末は人々の生活および仕事において重要な通信ツールになった。現在、端末には加入者識別モジュール（subscriber identity module、SIM）カードおよびセキュアデジタルメモリ（secure digital memory、SD）カードが配置されている。さらに、端末はSIMカードを使用することにより通信を行うことができ、端末はSDカードにデータを格納できる。 With the development of terminal technology, terminal has become an important communication tool in people's life and work. Currently, terminals are populated with a subscriber identity module (SIM) card and a secure digital memory (SD) card. In addition, the terminal can communicate by using a SIM card, and the terminal can store data on the SD card.

従来技術では、デュアルNano－SIMカードが端末上に構成される。具体的には、端末が2つのNano－SIMカードホルダを提供し、2つのNano－SIMカードがNano－SIMカードホルダに別々に挿入され得、それにより端末はデュアルNano－SIMカードを使用することにより通信を実施する。 In the prior art, dual Nano-SIM cards are configured on the terminal. Specifically, the terminal provides two Nano-SIM card holders, and the two Nano-SIM cards can be separately inserted into the Nano-SIM card holders, so that the terminal can use dual Nano-SIM cards. Communication is carried out by

しかしながら、ユーザが端末を使用する場合、ユーザは、通常、端末に1つのNano－SIMカードのみを構成し、その1つのNano－SIMカードのみを使用する。したがって、端末の他方のカードホルダにはNano－SIMカードが挿入されず、端末のスペースを無駄にしている。加えて、従来技術で提供されるSDカードはMicro－SDカードであり、既存のMicro－SDカードとNano－SIMカードとは形状およびインターフェース定義の互換性が全くない。したがって、既存のMicro－SDカードと互換性のあるMicro－SDカードホルダが端末にさらに配置される。端末の設計はますますコンパクトになるため、設計スペースの最適化は業界では困難な問題になる。 However, when a user uses a terminal, the user usually configures only one Nano-SIM card in the terminal and uses only that one Nano-SIM card. Therefore, the Nano-SIM card is not inserted into the other card holder of the terminal, wasting space in the terminal. In addition, the SD card provided in the prior art is a Micro-SD card, and the existing Micro-SD card and Nano-SIM card are completely incompatible in shape and interface definition. Therefore, a Micro-SD card holder compatible with existing Micro-SD cards is additionally arranged in the terminal. As terminal designs become more and more compact, design space optimization becomes a difficult problem in the industry.

本出願は、2つのNano－SIMカードホルダを提供する端末上の1つのnano Nano－SIMカードホルダが使用されないために端末のスペースが無駄になるという問題と、既存のMicro－SDカードがNano－SIMカードと全く互換性がないという問題とを解決するためのメモリカードおよび端末を提供する。 The present application addresses the problem of wasting space in the terminal because one nano Nano-SIM card holder on the terminal that provides two Nano-SIM card holders is not used, and the problem that existing Micro-SD cards are not Nano-SIM card holders. To provide a memory card and a terminal for solving the problem of being completely incompatible with a SIM card.

第1の態様によれば、本出願は、記憶ユニットと、制御ユニットと、メモリカードインターフェースとを備えるメモリカードを提供し、記憶ユニットおよび制御ユニットがメモリカードのカード本体の内側に配置され、メモリカードインターフェースがメモリカードのカード本体上に配置され、制御ユニットが記憶ユニットおよびメモリカードインターフェースに別個に電気的に接続され、メモリカードの形状がNano－加入者識別モジュールSIMカードの形状と同じであり、メモリカードのサイズがNano－SIMカードのサイズと同じであり、
メモリカードインターフェースが、少なくとも、メモリカードの第1の金属接点と、メモリカードの第2の金属接点と、メモリカードの第3の金属接点と、メモリカードの第4の金属接点と、メモリカードの第5の金属接点とを備え、メモリカードの第1の金属接点が電源信号を送信するように構成され、メモリカードの第2の金属接点がデータを送信するように構成され、メモリカードの第3の金属接点が制御信号を送信するように構成され、メモリカードの第4の金属接点がクロック信号を送信するように構成され、メモリカードの第5の金属接点が接地信号を送信するように構成される。 According to a first aspect, the present application provides a memory card comprising a storage unit, a control unit and a memory card interface, wherein the storage unit and the control unit are arranged inside a card body of the memory card and the memory The card interface is placed on the card body of the memory card, the control unit is electrically connected to the storage unit and the memory card interface separately, and the shape of the memory card is the same as that of the Nano-Subscriber Identity Module SIM card. , the size of the memory card is the same as the size of the Nano-SIM card,
The memory card interface includes at least a first metal contact of the memory card, a second metal contact of the memory card, a third metal contact of the memory card, a fourth metal contact of the memory card, and a memory card. a fifth metal contact of the memory card, wherein the first metal contact of the memory card is configured to transmit a power signal; the second metal contact of the memory card is configured to transmit data; 3 metal contacts are configured to transmit control signals, a fourth metal contact on the memory card is configured to transmit clock signals, and a fifth metal contact on the memory card is configured to transmit ground signals. Configured.

第1の態様に関連して、第1の態様の第1の実装形態では、メモリカードの第1の金属接点、メモリカードの第2の金属接点、メモリカードの第3の金属接点、メモリカードの第4の金属接点、およびメモリカードの第5の金属接点はすべて、メモリカードのカード本体の同じ側の表面上に配置される。 Relating to the first aspect, in a first implementation of the first aspect, the memory card first metal contact, the memory card second metal contact, the memory card third metal contact, the memory card and the fifth metal contact of the memory card are all located on the same side surface of the card body of the memory card.

第1の態様または第1の態様の第1の実装形態に関連して、第1の態様の第2の実装形態では、Nano－SIMカードの第1の金属接点、Nano－SIMカードの第2の金属接点、Nano－SIMカードの第3の金属接点、Nano－SIMカードの第4の金属接点、Nano－SIMカードの第5の金属接点、およびNano－SIMカードの第6の金属接点が、Nano－SIMカードのカード本体上に配置され、
メモリカードインターフェースが、メモリカードの第6の金属接点と、メモリカードの第7の金属接点と、メモリカードの第8の金属接点とをさらに備え、メモリカードの第6の金属接点がデータを送信するように構成され、メモリカードの第7の金属接点がデータを送信するように構成され、メモリカードの第8の金属接点がデータを送信するように構成され、
メモリカードのカード本体上の、メモリカードの第4の金属接点が配置される領域が、Nano－SIMカードのカード本体上の、Nano－SIMカードの第1の金属接点が配置される領域に対応し、
メモリカードのカード本体上の、メモリカードの第2の金属接点が配置される領域が、Nano－SIMカードのカード本体上の、Nano－SIMカードの第2の金属接点が配置される領域に対応し、 With reference to the first aspect or the first implementation of the first aspect, in a second implementation of the first aspect, the first metal contact of the Nano-SIM card, the second a third metal contact of the Nano-SIM card, a fourth metal contact of the Nano-SIM card, a fifth metal contact of the Nano-SIM card, and a sixth metal contact of the Nano-SIM card, Placed on the card body of the Nano-SIM card,
The memory card interface further comprises a memory card sixth metal contact, a memory card seventh metal contact, and a memory card eighth metal contact, wherein the memory card sixth metal contact transmits data. a seventh metal contact of the memory card configured to transmit data; an eighth metal contact of the memory card configured to transmit data;
The area on the card body of the memory card where the fourth metal contact of the memory card is arranged corresponds to the area on the card body of the Nano-SIM card where the first metal contact of the Nano-SIM card is arranged. death,
The area on the card body of the memory card where the second metal contact of the memory card is arranged corresponds to the area on the card body of the Nano-SIM card where the second metal contact of the Nano-SIM card is arranged death,

メモリカードの第7の金属接点が、メモリカードの第1の金属接点に隣接し、それから隔離され、メモリカードのカード本体上の、メモリカードの第7の金属接点およびメモリカードの第1の金属接点が配置される領域が、Nano－SIMカードのカード本体上の、Nano－SIMカードの第3の金属接点が配置される領域に対応し、メモリカードの第7の金属接点がメモリカードの第2の金属接点に隣接し、
メモリカードのカード本体上の、メモリカードの第6の金属接点が配置される領域が、Nano－SIMカードのカード本体上の、Nano－SIMカードの第4の金属接点が配置される領域に対応し、
メモリカードのカード本体上の、メモリカードの第3の金属接点が配置される領域が、Nano－SIMカードのカード本体上の、Nano－SIMカードの第5の金属接点が配置される領域に対応し、
メモリカードの第8の金属接点が、メモリカードの第5の金属接点に隣接し、それから隔離され、メモリカードのカード本体上の、メモリカードの第8の金属接点およびメモリカードの第5の金属接点が配置される領域が、Nano－SIMカードのカード本体上の、Nano－SIMカードの第6の金属接点が配置される領域に対応し、メモリカードの第8の金属接点がメモリカードの第3の金属接点に隣接する。 A seventh metal contact of the memory card is adjacent to and isolated from the first metal contact of the memory card and the seventh metal contact of the memory card and the first metal of the memory card on the card body of the memory card. The area where the contacts are arranged corresponds to the area on the card body of the Nano-SIM card where the third metal contact of the Nano-SIM card is arranged, and the seventh metal contact of the memory card is the third metal contact of the memory card. adjacent to 2 metal contacts,
The area on the card body of the memory card where the sixth metal contact of the memory card is arranged corresponds to the area on the card body of the Nano-SIM card where the fourth metal contact of the Nano-SIM card is arranged death,
The area on the card body of the memory card where the third metal contact of the memory card is arranged corresponds to the area on the card body of the Nano-SIM card where the fifth metal contact of the Nano-SIM card is arranged death,
The memory card eighth metal contact is adjacent to and isolated from the memory card fifth metal contact, and the memory card eighth metal contact and the memory card fifth metal contact on the card body of the memory card. The area where the contacts are arranged corresponds to the area on the card body of the Nano-SIM card where the 6th metal contact of the Nano-SIM card is arranged, and the 8th metal contact of the memory card corresponds to the 8th metal contact of the memory card. Adjacent to 3 metal contacts.

第1の態様または第1の態様の第1の実装形態に関連して、第1の態様の第3の実装形態では、Nano－SIMカードの第1の金属接点、Nano－SIMカードの第2の金属接点、Nano－SIMカードの第3の金属接点、Nano－SIMカードの第4の金属接点、Nano－SIMカードの第5の金属接点、およびNano－SIMカードの第6の金属接点が、Nano－SIMカードのカード本体上に配置され、
メモリカードインターフェースが、メモリカードの第6の金属接点と、メモリカードの第7の金属接点と、メモリカードの第8の金属接点とをさらに備え、メモリカードの第6の金属接点がデータを送信するように構成され、メモリカードの第7の金属接点がデータを送信するように構成され、メモリカードの第8の金属接点がデータを送信するように構成され、
メモリカードの第7の金属接点が、メモリカードの第4の金属接点に隣接し、それから隔離され、メモリカードのカード本体上の、メモリカードの第7の金属接点およびメモリカードの第4の金属接点が配置される領域が、Nano－SIMカードのカード本体上の、Nano－SIMカードの第1の金属接点が配置される領域に対応し、
メモリカードのカード本体上の、メモリカードの第2の金属接点が配置される領域が、Nano－SIMカードのカード本体上の、Nano－SIMカードの第2の金属接点が配置される領域に対応し、メモリカードの第4の金属接点がメモリカードの第2の金属接点に隣接し、
メモリカードのカード本体上の、メモリカードの第1の金属接点が配置される領域が、Nano－SIMカードのカード本体上の、Nano－SIMカードの第3の金属接点が配置される領域に対応し、
メモリカードの第8の金属接点が、メモリカードの第6の金属接点に隣接し、それから隔離され、メモリカードのカード本体上の、メモリカードの第8の金属接点およびメモリカードの第6の金属接点が配置される領域が、Nano－SIMカードのカード本体上の、Nano－SIMカードの第4の金属接点が配置される領域に対応し、
メモリカードのカード本体上の、メモリカードの第3の金属接点が配置される領域が、Nano－SIMカードのカード本体上の、Nano－SIMカードの第5の金属接点が配置される領域に対応し、メモリカードの第6の金属接点がメモリカードの第3の金属接点に隣接し、
メモリカードのカード本体上の、メモリカードの第5の金属接点が配置される領域が、Nano－SIMカードのカード本体上の、Nano－SIMカードの第6の金属接点が配置される領域に対応する。 With reference to the first aspect or the first implementation of the first aspect, in a third implementation of the first aspect, the first metal contact of the Nano-SIM card, the second metal contact of the Nano-SIM card a third metal contact of the Nano-SIM card, a fourth metal contact of the Nano-SIM card, a fifth metal contact of the Nano-SIM card, and a sixth metal contact of the Nano-SIM card, Placed on the card body of the Nano-SIM card,
The memory card interface further comprises a memory card sixth metal contact, a memory card seventh metal contact, and a memory card eighth metal contact, wherein the memory card sixth metal contact transmits data. a seventh metal contact of the memory card configured to transmit data; an eighth metal contact of the memory card configured to transmit data;
The memory card seventh metal contact is adjacent to and isolated from the memory card fourth metal contact and the memory card seventh metal contact and the memory card fourth metal contact on the card body of the memory card. the area where the contact is arranged corresponds to the area on the card body of the Nano-SIM card where the first metal contact of the Nano-SIM card is arranged;
The area on the card body of the memory card where the second metal contact of the memory card is arranged corresponds to the area on the card body of the Nano-SIM card where the second metal contact of the Nano-SIM card is arranged and the fourth metal contact of the memory card is adjacent to the second metal contact of the memory card;
The area on the card body of the memory card where the first metal contact of the memory card is arranged corresponds to the area on the card body of the Nano-SIM card where the third metal contact of the Nano-SIM card is arranged. death,
The memory card eighth metal contact is adjacent to and isolated from the memory card sixth metal contact, and the memory card eighth metal contact and the memory card sixth metal contact on the card body of the memory card. the area where the contact is arranged corresponds to the area on the card body of the Nano-SIM card where the fourth metal contact of the Nano-SIM card is arranged;
The area on the card body of the memory card where the third metal contact of the memory card is arranged corresponds to the area on the card body of the Nano-SIM card where the fifth metal contact of the Nano-SIM card is arranged. and the sixth metal contact of the memory card is adjacent to the third metal contact of the memory card,
The area on the card body of the memory card where the fifth metal contact of the memory card is arranged corresponds to the area on the card body of the Nano-SIM card where the sixth metal contact of the Nano-SIM card is arranged. do.

第1の態様または第1の態様の第1の実装形態に関連して、第1の態様の第4の実装形態では、Nano－SIMカードの第1の金属接点、Nano－SIMカードの第2の金属接点、Nano－SIMカードの第3の金属接点、Nano－SIMカードの第4の金属接点、Nano－SIMカードの第5の金属接点、およびNano－SIMカードの第6の金属接点が、Nano－SIMカードのカード本体上に配置され、
メモリカードインターフェースが、メモリカードの第6の金属接点と、メモリカードの第7の金属接点と、メモリカードの第8の金属接点とをさらに備え、メモリカードの第6の金属接点がデータを送信するように構成され、メモリカードの第7の金属接点がデータを送信するように構成され、メモリカードの第8の金属接点がデータを送信するように構成され、
メモリカードのカード本体上の、メモリカードの第4の金属接点が配置される領域が、Nano－SIMカードのカード本体上の、Nano－SIMカードの第1の金属接点が配置される領域に対応し、
メモリカードの第2の金属接点が、メモリカードの第7の金属接点に隣接し、それから隔離され、メモリカードのカード本体上の、メモリカードの第2の金属接点およびメモリカードの第7の金属接点が配置される領域が、Nano－SIMカードのカード本体上の、Nano－SIMカードの第2の金属接点が配置される領域に対応し、メモリカードの第2の金属接点がメモリカードの第4の金属接点に隣接し、
メモリカードのカード本体上の、メモリカードの第1の金属接点が配置される領域が、Nano－SIMカードのカード本体上の、Nano－SIMカードの第3の金属接点が配置される領域に対応し、メモリカードの第7の金属接点がメモリカードの第1の金属接点に隣接し、
メモリカードのカード本体上の、メモリカードの第6の金属接点が配置される領域が、Nano－SIMカードのカード本体上の、Nano－SIMカードの第4の金属接点が配置される領域に対応し、
メモリカードの第3の金属接点が、メモリカードの第8の金属接点に隣接し、それから隔離され、メモリカードのカード本体上の、メモリカードの第3の金属接点およびメモリカードの第8の金属接点が配置される領域が、Nano－SIMカードのカード本体上の、Nano－SIMカードの第5の金属接点が配置される領域に対応し、メモリカードの第3の金属接点がメモリカードの第6の金属接点に隣接し、
メモリカードのカード本体上の、メモリカードの第5の金属接点が配置される領域が、Nano－SIMカードのカード本体上の、Nano－SIMカードの第6の金属接点が配置される領域に対応し、メモリカードの第8の金属接点がメモリカードの第5の金属接点に隣接する。 Relating to the first aspect or the first implementation of the first aspect, in a fourth implementation of the first aspect, the first metal contact of the Nano-SIM card, the second metal contact of the Nano-SIM card a third metal contact of the Nano-SIM card, a fourth metal contact of the Nano-SIM card, a fifth metal contact of the Nano-SIM card, and a sixth metal contact of the Nano-SIM card, Placed on the card body of the Nano-SIM card,
The memory card interface further comprises a memory card sixth metal contact, a memory card seventh metal contact, and a memory card eighth metal contact, wherein the memory card sixth metal contact transmits data. a seventh metal contact of the memory card configured to transmit data; an eighth metal contact of the memory card configured to transmit data;
The area on the card body of the memory card where the fourth metal contact of the memory card is arranged corresponds to the area on the card body of the Nano-SIM card where the first metal contact of the Nano-SIM card is arranged. death,
A second metal contact of the memory card is adjacent to and isolated from the seventh metal contact of the memory card and the second metal contact of the memory card and the seventh metal contact of the memory card on the card body of the memory card. The area where the contact is arranged corresponds to the area on the card body of the Nano-SIM card where the second metal contact of the Nano-SIM card is arranged, and the second metal contact of the memory card is the second metal contact of the memory card. Adjacent to 4 metal contacts,
The area on the card body of the memory card where the first metal contact of the memory card is arranged corresponds to the area on the card body of the Nano-SIM card where the third metal contact of the Nano-SIM card is arranged. and the seventh metal contact of the memory card is adjacent to the first metal contact of the memory card;
The area on the card body of the memory card where the sixth metal contact of the memory card is arranged corresponds to the area on the card body of the Nano-SIM card where the fourth metal contact of the Nano-SIM card is arranged death,
The memory card third metal contact is adjacent to and isolated from the memory card eighth metal contact, and the memory card third metal contact and the memory card eighth metal contact on the card body of the memory card. The area where the contacts are placed corresponds to the area on the card body of the Nano-SIM card where the fifth metal contact of the Nano-SIM card is placed, and the third metal contact of the memory card is the third metal contact of the memory card. Adjacent to 6 metal contacts,
The area on the card body of the memory card where the fifth metal contact of the memory card is arranged corresponds to the area on the card body of the Nano-SIM card where the sixth metal contact of the Nano-SIM card is arranged. and the eighth metal contact of the memory card is adjacent to the fifth metal contact of the memory card.

第1の態様または第1の態様の第1の実装形態に関連して、第1の態様の第5の実装形態では、Nano－SIMカードの第1の金属接点、Nano－SIMカードの第2の金属接点、Nano－SIMカードの第3の金属接点、Nano－SIMカードの第4の金属接点、Nano－SIMカードの第5の金属接点、およびNano－SIMカードの第6の金属接点が、Nano－SIMカードのカード本体上に配置され、
メモリカードインターフェースが、メモリカードの第6の金属接点と、メモリカードの第7の金属接点と、メモリカードの第8の金属接点とをさらに備え、メモリカードの第6の金属接点がデータを送信するように構成され、メモリカードの第7の金属接点がデータを送信するように構成され、メモリカードの第8の金属接点がデータを送信するように構成され、
メモリカードのカード本体上の、メモリカードの第4の金属接点が配置される領域が、Nano－SIMカードのカード本体上の、Nano－SIMカードの第1の金属接点が配置される領域に対応し、
メモリカードのカード本体上の、メモリカードの第2の金属接点が配置される領域が、Nano－SIMカードのカード本体上の、Nano－SIMカードの第2の金属接点が配置される領域に対応し、
メモリカードの第7の金属接点が、メモリカードの第1の金属接点に隣接し、それから隔離され、メモリカードのカード本体上の、メモリカードの第7の金属接点およびメモリカードの第1の金属接点が配置される領域が、Nano－SIMカードのカード本体上の、Nano－SIMカードの第3の金属接点が配置される領域に対応し、メモリカードの第1の金属接点がメモリカードの第2の金属接点に隣接し、メモリカードの第1の金属接点の面積がメモリカードの第7の金属接点の面積より大きく、
メモリカードのカード本体上の、メモリカードの第6の金属接点が配置される領域が、Nano－SIMカードのカード本体上の、Nano－SIMカードの第4の金属接点が配置される領域に対応し、
メモリカードのカード本体上の、メモリカードの第3の金属接点が配置される領域が、Nano－SIMカードのカード本体上の、Nano－SIMカードの第5の金属接点が配置される領域に対応し、
メモリカードの第8の金属接点が、メモリカードの第5の金属接点に隣接し、それから隔離され、メモリカードのカード本体上の、メモリカードの第8の金属接点およびメモリカードの第5の金属接点が配置される領域が、Nano－SIMカードのカード本体上の、Nano－SIMカードの第6の金属接点が配置される領域に対応し、メモリカードの第5の金属接点がメモリカードの第3の金属接点に隣接し、メモリカードの第5の金属接点の面積がメモリカードの第8の金属接点の面積より大きい。 Relating to the first aspect or the first implementation of the first aspect, in a fifth implementation of the first aspect, the first metal contact of the Nano-SIM card, the second metal contact of the Nano-SIM card a third metal contact of the Nano-SIM card, a fourth metal contact of the Nano-SIM card, a fifth metal contact of the Nano-SIM card, and a sixth metal contact of the Nano-SIM card, Placed on the card body of the Nano-SIM card,
The memory card interface further comprises a memory card sixth metal contact, a memory card seventh metal contact, and a memory card eighth metal contact, wherein the memory card sixth metal contact transmits data. a seventh metal contact of the memory card configured to transmit data; an eighth metal contact of the memory card configured to transmit data;
The area on the card body of the memory card where the fourth metal contact of the memory card is arranged corresponds to the area on the card body of the Nano-SIM card where the first metal contact of the Nano-SIM card is arranged. death,
The area on the card body of the memory card where the second metal contact of the memory card is arranged corresponds to the area on the card body of the Nano-SIM card where the second metal contact of the Nano-SIM card is arranged death,
A seventh metal contact of the memory card is adjacent to and isolated from the first metal contact of the memory card and the seventh metal contact of the memory card and the first metal of the memory card on the card body of the memory card. The area where the contacts are placed corresponds to the area on the card body of the Nano-SIM card where the third metal contact of the Nano-SIM card is placed, and the first metal contact of the memory card is the first metal contact of the memory card. adjacent to the second metal contact, the area of the first metal contact of the memory card is greater than the area of the seventh metal contact of the memory card;
The area on the card body of the memory card where the sixth metal contact of the memory card is arranged corresponds to the area on the card body of the Nano-SIM card where the fourth metal contact of the Nano-SIM card is arranged death,
The area on the card body of the memory card where the third metal contact of the memory card is arranged corresponds to the area on the card body of the Nano-SIM card where the fifth metal contact of the Nano-SIM card is arranged death,
The memory card eighth metal contact is adjacent to and isolated from the memory card fifth metal contact, and the memory card eighth metal contact and the memory card fifth metal contact on the card body of the memory card. The area where the contacts are arranged corresponds to the area on the card body of the Nano-SIM card where the 6th metal contact of the Nano-SIM card is arranged, and the 5th metal contact of the memory card corresponds to the 1st of the memory card. adjacent to the three metal contacts, the area of the fifth metal contact of the memory card is greater than the area of the eighth metal contact of the memory card.

第1の態様または第1の態様の第1の実装形態に関連して、第1の態様の第6の実装形態では、Nano－SIMカードの第1の金属接点、Nano－SIMカードの第2の金属接点、Nano－SIMカードの第3の金属接点、Nano－SIMカードの第4の金属接点、Nano－SIMカードの第5の金属接点、およびNano－SIMカードの第6の金属接点が、Nano－SIMカードのカード本体上に配置され、
メモリカードインターフェースが、メモリカードの第6の金属接点と、メモリカードの第7の金属接点と、メモリカードの第8の金属接点とをさらに備え、メモリカードの第6の金属接点がデータを送信するように構成され、メモリカードの第7の金属接点がデータを送信するように構成され、メモリカードの第8の金属接点がデータを送信するように構成され、
メモリカードのカード本体上の、メモリカードの第4の金属接点が配置される領域が、Nano－SIMカードのカード本体上の、Nano－SIMカードの第1の金属接点が配置される領域に対応し、
メモリカードのカード本体上の、メモリカードの第2の金属接点が配置される領域が、Nano－SIMカードのカード本体上の、Nano－SIMカードの第2の金属接点が配置される領域に対応し、
メモリカードのカード本体上の、メモリカードの第1の金属接点が配置される領域が、Nano－SIMカードのカード本体上の、Nano－SIMカードの第3の金属接点が配置される領域に対応し、
メモリカードのカード本体上の、メモリカードの第6の金属接点が配置される領域が、Nano－SIMカードのカード本体上の、Nano－SIMカードの第4の金属接点が配置される領域に対応し、
メモリカードのカード本体上の、メモリカードの第3の金属接点が配置される領域が、Nano－SIMカードのカード本体上の、Nano－SIMカードの第5の金属接点が配置される領域に対応し、
メモリカードのカード本体上の、メモリカードの第5の金属接点が配置される領域が、Nano－SIMカードのカード本体上の、Nano－SIMカードの第6の金属接点が配置される領域に対応し、
メモリカードの第7の金属接点が、メモリカードの第4の金属接点とメモリカードの第6の金属接点との間に配置され、メモリカードの第7の金属接点が、メモリカードの第4の金属接点およびメモリカードの第6の金属接点から隔離され、メモリカードの第7の金属接点の中心点が、メモリカードの第4の金属接点の中心点とメモリカードの第6の金属接点の中心点との間の接続線に配置され、
メモリカードの第8の金属接点が、メモリカードの第1の金属接点とメモリカードの第5の金属接点との間に配置され、メモリカードの第8の金属接点が、メモリカードの第1の金属接点およびメモリカードの第5の金属接点から隔離され、メモリカードの第8の金属接点の中心点が、メモリカードの第1の金属接点の中心点とメモリカードの第5の金属接点の中心点との間の接続線に配置される。 Relating to the first aspect or the first implementation of the first aspect, in a sixth implementation of the first aspect, the first metal contact of the Nano-SIM card, the second metal contact of the Nano-SIM card a third metal contact of the Nano-SIM card, a fourth metal contact of the Nano-SIM card, a fifth metal contact of the Nano-SIM card, and a sixth metal contact of the Nano-SIM card, Placed on the card body of the Nano-SIM card,
The memory card interface further comprises a memory card sixth metal contact, a memory card seventh metal contact, and a memory card eighth metal contact, wherein the memory card sixth metal contact transmits data. a seventh metal contact of the memory card configured to transmit data; an eighth metal contact of the memory card configured to transmit data;
The area on the card body of the memory card where the fourth metal contact of the memory card is arranged corresponds to the area on the card body of the Nano-SIM card where the first metal contact of the Nano-SIM card is arranged. death,
The area on the card body of the memory card where the second metal contact of the memory card is arranged corresponds to the area on the card body of the Nano-SIM card where the second metal contact of the Nano-SIM card is arranged death,
The area on the card body of the memory card where the first metal contact of the memory card is arranged corresponds to the area on the card body of the Nano-SIM card where the third metal contact of the Nano-SIM card is arranged. death,
The area on the card body of the memory card where the sixth metal contact of the memory card is arranged corresponds to the area on the card body of the Nano-SIM card where the fourth metal contact of the Nano-SIM card is arranged death,
The area on the card body of the memory card where the third metal contact of the memory card is arranged corresponds to the area on the card body of the Nano-SIM card where the fifth metal contact of the Nano-SIM card is arranged death,
The area on the card body of the memory card where the fifth metal contact of the memory card is arranged corresponds to the area on the card body of the Nano-SIM card where the sixth metal contact of the Nano-SIM card is arranged. death,
A seventh metal contact of the memory card is disposed between a fourth metal contact of the memory card and a sixth metal contact of the memory card, and the seventh metal contact of the memory card is positioned between the fourth metal contact of the memory card. Isolated from the metal contact and the sixth metal contact of the memory card, the center point of the seventh metal contact of the memory card is aligned with the center point of the fourth metal contact of the memory card and the center of the sixth metal contact of the memory card placed on the connecting line between the points,
The eighth metal contact of the memory card is positioned between the first metal contact of the memory card and the fifth metal contact of the memory card, and the eighth metal contact of the memory card is located between the first metal contact of the memory card. Isolated from the metal contact and the fifth metal contact of the memory card, the center point of the eighth metal contact of the memory card is aligned with the center point of the first metal contact of the memory card and the center of the fifth metal contact of the memory card Placed on the connecting line between the points.

第1の態様または第1の態様の第1の実装形態に関連して、第1の態様の第7の実装形態では、Nano－SIMカードの第1の金属接点、Nano－SIMカードの第2の金属接点、Nano－SIMカードの第3の金属接点、Nano－SIMカードの第4の金属接点、Nano－SIMカードの第5の金属接点、およびNano－SIMカードの第6の金属接点が、Nano－SIMカードのカード本体上に配置され、
メモリカードインターフェースが、メモリカードの第6の金属接点と、メモリカードの第7の金属接点と、メモリカードの第8の金属接点とをさらに備え、メモリカードの第6の金属接点がデータを送信するように構成され、メモリカードの第7の金属接点がデータを送信するように構成され、メモリカードの第8の金属接点がデータを送信するように構成され、
メモリカードのカード本体上の、メモリカードの第6の金属接点が配置される領域が、Nano－SIMカードのカード本体上の、Nano－SIMカードの第1の金属接点が配置される領域に対応し、
メモリカードのカード本体上の、メモリカードの第3の金属接点が配置される領域が、Nano－SIMカードのカード本体上の、Nano－SIMカードの第2の金属接点が配置される領域に対応し、
メモリカードの第7の金属接点が、メモリカードの第1の金属接点に隣接し、それから隔離され、メモリカードのカード本体上の、メモリカードの第7の金属接点およびメモリカードの第1の金属接点が配置される領域が、Nano－SIMカードのカード本体上の、Nano－SIMカードの第3の金属接点が配置される領域に対応し、メモリカードの第7の金属接点がメモリカードの第3の金属接点に隣接し、
メモリカードのカード本体上の、メモリカードの第4の金属接点が配置される領域が、Nano－SIMカードのカード本体上の、Nano－SIMカードの第4の金属接点が配置される領域に対応し、
メモリカードのカード本体上の、メモリカードの第2の金属接点が配置される領域が、Nano－SIMカードのカード本体上の、Nano－SIMカードの第5の金属接点が配置される領域に対応し、
メモリカードの第8の金属接点が、メモリカードの第5の金属接点に隣接し、それから隔離され、メモリカードのカード本体上の、メモリカードの第8の金属接点およびメモリカードの第5の金属接点が配置される領域が、Nano－SIMカードのカード本体上の、Nano－SIMカードの第6の金属接点が配置される領域に対応し、メモリカードの第8の金属接点がメモリカードの第2の金属接点に隣接する。 Relating to the first aspect or the first implementation of the first aspect, in a seventh implementation of the first aspect, the first metal contact of the Nano-SIM card, the second metal contact of the Nano-SIM card a third metal contact of the Nano-SIM card, a fourth metal contact of the Nano-SIM card, a fifth metal contact of the Nano-SIM card, and a sixth metal contact of the Nano-SIM card, Placed on the card body of the Nano-SIM card,
The memory card interface further comprises a memory card sixth metal contact, a memory card seventh metal contact, and a memory card eighth metal contact, wherein the memory card sixth metal contact transmits data. a seventh metal contact of the memory card configured to transmit data; an eighth metal contact of the memory card configured to transmit data;
The area on the card body of the memory card where the sixth metal contact of the memory card is arranged corresponds to the area on the card body of the Nano-SIM card where the first metal contact of the Nano-SIM card is arranged. death,
The area on the card body of the memory card where the third metal contact of the memory card is arranged corresponds to the area on the card body of the Nano-SIM card where the second metal contact of the Nano-SIM card is arranged death,
A seventh metal contact of the memory card is adjacent to and isolated from the first metal contact of the memory card and the seventh metal contact of the memory card and the first metal of the memory card on the card body of the memory card. The area where the contacts are arranged corresponds to the area on the card body of the Nano-SIM card where the third metal contact of the Nano-SIM card is arranged, and the seventh metal contact of the memory card is the third metal contact of the memory card. Adjacent to 3 metal contacts,
The area on the card body of the memory card where the fourth metal contact of the memory card is arranged corresponds to the area on the card body of the Nano-SIM card where the fourth metal contact of the Nano-SIM card is arranged death,
The area on the card body of the memory card where the second metal contact of the memory card is arranged corresponds to the area on the card body of the Nano-SIM card where the fifth metal contact of the Nano-SIM card is arranged. death,
The memory card eighth metal contact is adjacent to and isolated from the memory card fifth metal contact, and the memory card eighth metal contact and the memory card fifth metal contact on the card body of the memory card. The area where the contacts are arranged corresponds to the area on the card body of the Nano-SIM card where the 6th metal contact of the Nano-SIM card is arranged, and the 8th metal contact of the memory card corresponds to the 8th metal contact of the memory card. Adjacent to 2 metal contacts.

第1の態様または第1の態様の第1の実装形態に関連して、第1の態様の第8の実装形態では、Nano－SIMカードの第1の金属接点、Nano－SIMカードの第2の金属接点、Nano－SIMカードの第3の金属接点、Nano－SIMカードの第4の金属接点、Nano－SIMカードの第5の金属接点、およびNano－SIMカードの第6の金属接点が、Nano－SIMカードのカード本体上に配置され、
メモリカードインターフェースが、メモリカードの第6の金属接点と、メモリカードの第7の金属接点と、メモリカードの第8の金属接点とをさらに備え、メモリカードの第6の金属接点がデータを送信するように構成され、メモリカードの第7の金属接点がデータを送信するように構成され、メモリカードの第8の金属接点がデータを送信するように構成され、
メモリカードの第7の金属接点が、メモリカードの第4の金属接点に隣接し、それから隔離され、メモリカードのカード本体上の、メモリカードの第7の金属接点およびメモリカードの第4の金属接点が配置される領域が、Nano－SIMカードのカード本体上の、Nano－SIMカードの第1の金属接点が配置される領域に対応し、
メモリカードのカード本体上の、メモリカードの第3の金属接点が配置される領域が、Nano－SIMカードのカード本体上の、Nano－SIMカードの第2の金属接点が配置される領域に対応し、メモリカードのクロック信号がメモリカードの第3の金属接点に隣接し、
メモリカードのカード本体上の、メモリカードの第5の金属接点が配置される領域が、Nano－SIMカードのカード本体上の、Nano－SIMカードの第3の金属接点が配置される領域に対応し、
メモリカードの第8の金属接点が、メモリカードの第6の金属接点に隣接し、それから隔離され、メモリカードのカード本体上の、メモリカードの第8の金属接点およびメモリカードの第6の金属接点が配置される領域が、Nano－SIMカードのカード本体上の、Nano－SIMカードの第4の金属接点が配置される領域に対応し、
メモリカードのカード本体上の、メモリカードの第2の金属接点が配置される領域が、Nano－SIMカードのカード本体上の、Nano－SIMカードの第5の金属接点が配置される領域に対応し、メモリカードの第6の金属接点がメモリカードの第2の金属接点に隣接し、
メモリカードのカード本体上の、メモリカードの第1の金属接点が配置される領域が、Nano－SIMカードのカード本体上の、Nano－SIMカードの第6の金属接点が配置される領域に対応する。 Relating to the first aspect or the first implementation of the first aspect, in the eighth implementation of the first aspect, the first metal contact of the Nano-SIM card, the second metal contact of the Nano-SIM card a third metal contact of the Nano-SIM card, a fourth metal contact of the Nano-SIM card, a fifth metal contact of the Nano-SIM card, and a sixth metal contact of the Nano-SIM card, Placed on the card body of the Nano-SIM card,
The memory card interface further comprises a memory card sixth metal contact, a memory card seventh metal contact, and a memory card eighth metal contact, wherein the memory card sixth metal contact transmits data. a seventh metal contact of the memory card configured to transmit data; an eighth metal contact of the memory card configured to transmit data;
The memory card seventh metal contact is adjacent to and isolated from the memory card fourth metal contact and the memory card seventh metal contact and the memory card fourth metal contact on the card body of the memory card. the area where the contact is arranged corresponds to the area on the card body of the Nano-SIM card where the first metal contact of the Nano-SIM card is arranged;
The area on the card body of the memory card where the third metal contact of the memory card is arranged corresponds to the area on the card body of the Nano-SIM card where the second metal contact of the Nano-SIM card is arranged and the memory card clock signal is adjacent to the third metal contact of the memory card,
The area on the card body of the memory card where the fifth metal contact of the memory card is arranged corresponds to the area on the card body of the Nano-SIM card where the third metal contact of the Nano-SIM card is arranged. death,
The memory card eighth metal contact is adjacent to and isolated from the memory card sixth metal contact, and the memory card eighth metal contact and the memory card sixth metal contact on the card body of the memory card. the area where the contact is arranged corresponds to the area on the card body of the Nano-SIM card where the fourth metal contact of the Nano-SIM card is arranged;
The area on the card body of the memory card where the second metal contact of the memory card is arranged corresponds to the area on the card body of the Nano-SIM card where the fifth metal contact of the Nano-SIM card is arranged. and the sixth metal contact of the memory card is adjacent to the second metal contact of the memory card;
The area on the card body of the memory card where the first metal contact of the memory card is arranged corresponds to the area on the card body of the Nano-SIM card where the sixth metal contact of the Nano-SIM card is arranged. do.

第2の態様によれば、本出願は端末を提供する。第1の態様または第1の態様の実装形態のいずれか1つに記載のメモリカードは、端末に配置される。 According to a second aspect, the application provides a terminal. A memory card according to any one of the first aspect or an implementation of the first aspect is arranged in a terminal.

以上の態様では、記憶ユニットと、制御ユニットと、メモリカードインターフェースとを備えるメモリカードが提供される。記憶ユニットおよび制御ユニットは、メモリカードのカード本体の内側に配置される。メモリカードインターフェースは、メモリカードのカード本体上に配置される。制御ユニットは、記憶ユニットおよびメモリカードインターフェースに別個に電気的に接続される。メモリカードの形状がNano－加入者識別モジュールSIMカードの形状と同じであり、メモリカードのサイズがNano－SIMカードのサイズと同じであるため、Nano－SDカードが提供され、それにより実施形態で提供されるメモリカードは、Nano－SIMカードホルダに挿入され得る。さらに、メモリカードとNano－SIMカードとは同じNano－SIMカードホルダを共有し得る。 In the above aspect, a memory card is provided comprising a storage unit, a control unit and a memory card interface. The storage unit and control unit are arranged inside the card body of the memory card. The memory card interface is arranged on the card body of the memory card. The control unit is electrically connected separately to the storage unit and the memory card interface. A Nano-SD card is provided because the shape of the memory card is the same as the shape of the Nano-Subscriber Identity Module SIM card and the size of the memory card is the same as the size of the Nano-SIM card, whereby the embodiment The provided memory card can be inserted into the Nano-SIM card holder. Moreover, the memory card and the Nano-SIM card can share the same Nano-SIM card holder.

本出願の一実施形態によるメモリカードの概略構成図である。1 is a schematic configuration diagram of a memory card according to an embodiment of the present application; FIG. 従来技術のNano－SIMカードの概略構成図である。1 is a schematic configuration diagram of a conventional Nano-SIM card; FIG. 本出願の一実施形態による別のメモリカードの概略構成図1である。1 is a schematic configuration diagram 1 of another memory card according to an embodiment of the present application; FIG. 本出願の一実施形態による別のメモリカードの概略構成図2である。FIG. 2 is a schematic configuration diagram 2 of another memory card according to an embodiment of the present application; 本出願の一実施形態による別のメモリカードの概略構成図3である。FIG. 3 is a schematic configuration diagram 3 of another memory card according to an embodiment of the present application; 本出願の一実施形態による別のメモリカードの概略構成図4である。FIG. 4 is a schematic configuration diagram 4 of another memory card according to an embodiment of the present application; 本出願の一実施形態によるさらに別のメモリカードの概略構成図1である。1 is a schematic configuration diagram 1 of yet another memory card according to an embodiment of the present application; FIG. 本出願の一実施形態によるさらに別のメモリカードの概略構成図2である。FIG. 2 is a schematic configuration diagram 2 of yet another memory card according to an embodiment of the present application; 本出願の一実施形態によるまた別のメモリカードの概略構成図である。FIG. 4 is a schematic configuration diagram of yet another memory card according to an embodiment of the present application; 本出願の一実施形態によるさらにまた別のメモリカードの概略構成図である。FIG. 4 is a schematic configuration diagram of yet another memory card according to an embodiment of the present application; 本出願の一実施形態によるさらなるメモリカードの概略構成図である。Fig. 2 is a schematic block diagram of a further memory card according to an embodiment of the present application; 本出願の一実施形態によるまたさらなるメモリカードの概略構成図である。FIG. 11 is a schematic configuration diagram of yet a further memory card according to one embodiment of the present application; 本出願の一実施形態によるまたさらなるメモリカードの概略構成図である。FIG. 11 is a schematic configuration diagram of yet a further memory card according to one embodiment of the present application; 本出願の一実施形態によるまたさらなるメモリカードの概略構成図である。FIG. 11 is a schematic configuration diagram of yet a further memory card according to one embodiment of the present application; 本出願の一実施形態によるさらにまた別のメモリカードの概略構成図である。FIG. 4 is a schematic configuration diagram of yet another memory card according to an embodiment of the present application; 本出願の一実施形態によるさらにまた別のメモリカードの概略構成図である。FIG. 4 is a schematic configuration diagram of yet another memory card according to an embodiment of the present application; 本出願の一実施形態によるさらにまた別のメモリカードの概略構成図である。FIG. 4 is a schematic configuration diagram of yet another memory card according to an embodiment of the present application; 本出願の一実施形態によるさらにまた別のメモリカードの概略構成図である。FIG. 4 is a schematic configuration diagram of yet another memory card according to an embodiment of the present application; 本出願の一実施形態によるさらにまた別のメモリカードの概略構成図である。FIG. 4 is a schematic configuration diagram of yet another memory card according to an embodiment of the present application; 本出願の一実施形態によるさらにまた別のメモリカードの概略構成図である。FIG. 4 is a schematic configuration diagram of yet another memory card according to an embodiment of the present application; 本出願の一実施形態によるさらにまた別のメモリカードの概略構成図である。FIG. 4 is a schematic configuration diagram of yet another memory card according to an embodiment of the present application; 本出願の一実施形態によるさらにまた別のメモリカードの概略構成図である。FIG. 4 is a schematic configuration diagram of yet another memory card according to an embodiment of the present application; 本出願の一実施形態によるさらにまた別のメモリカードの概略構成図である。FIG. 4 is a schematic configuration diagram of yet another memory card according to an embodiment of the present application; 本出願の一実施形態によるさらにまた別のメモリカードの概略構成図である。FIG. 4 is a schematic configuration diagram of yet another memory card according to an embodiment of the present application; 本出願の一実施形態によるさらにまた別のメモリカードの概略構成図である。FIG. 4 is a schematic configuration diagram of yet another memory card according to an embodiment of the present application; 本出願の一実施形態によるさらにまた別のメモリカードの概略構成図である。FIG. 4 is a schematic configuration diagram of yet another memory card according to an embodiment of the present application; 本出願の一実施形態によるさらにまた別のメモリカードの概略構成図である。FIG. 4 is a schematic configuration diagram of yet another memory card according to an embodiment of the present application; 本出願の一実施形態によるさらにまた別のメモリカードの概略構成図である。FIG. 4 is a schematic configuration diagram of yet another memory card according to an embodiment of the present application; 本出願の一実施形態によるさらにまた別のメモリカードの概略構成図である。FIG. 4 is a schematic configuration diagram of yet another memory card according to an embodiment of the present application; 本出願の一実施形態による端末の回路図である。1 is a circuit diagram of a terminal according to an embodiment of the present application; FIG. 本出願の一実施形態によるさらにまた別のメモリカードの概略構成図1である。1 is a schematic configuration diagram 1 of yet another memory card according to an embodiment of the present application; FIG. 本出願の一実施形態によるさらにまた別のメモリカードの概略構成図2である。FIG. 2 is a schematic configuration diagram 2 of yet another memory card according to an embodiment of the present application; 本出願の一実施形態によるさらにまた別のメモリカードの概略構成図3である。FIG. 3 is a schematic configuration diagram 3 of yet another memory card according to an embodiment of the present application; 本出願の一実施形態によるさらにまた別のメモリカードの概略構成図4である。FIG. 4 is a schematic configuration diagram 4 of yet another memory card according to an embodiment of the present application; 本出願の一実施形態によるさらにまた別のメモリカードの概略構成図5である。FIG. 5 is a schematic configuration diagram 5 of yet another memory card according to an embodiment of the present application; 本出願の一実施形態によるさらにまた別のメモリカードの概略構成図6である。FIG. 6 is a schematic configuration diagram 6 of yet another memory card according to an embodiment of the present application; 本出願の一実施形態によるさらにまた別のメモリカードの概略構成図7である。FIG. 7 is a schematic configuration diagram 7 of yet another memory card according to an embodiment of the present application; 本出願の一実施の形態によるメモリカードの挿抜を検出する検出回路図である。1 is a detection circuit diagram for detecting insertion/removal of a memory card according to an embodiment of the present application; FIG.

本出願の実施形態は通信装置に適用される。以下は、当業者による理解を容易にするために、本出願におけるいくつかの用語を説明および記載する。本出願の実施形態における解決策が現在の通信装置または将来生じ得る通信装置に適用される場合、メモリカードおよび端末の名称および端末の名称が変わる場合があるが、本出願の実施形態における解決策の実施には影響しないことに留意されたい。 Embodiments of the present application apply to communication devices. The following explains and describes some terms in this application to facilitate understanding by those skilled in the art. When the solutions in the embodiments of the present application are applied to current communication devices or possible future communication devices, the names of the memory card and the terminal and the names of the terminals may change, but the solutions in the embodiments of the present application Note that this does not affect the implementation of

まず、本出願で言及される技術用語が説明される。 First, the technical terms referred to in this application will be explained.

（1）ユニバーサルシリアルバス（universal serial bus、USB）：ユニバーサルシリアルバスは、コンピュータシステムと外部デバイスとの間の接続のためのシリアルポートバス規格であり、入出力インターフェースの技術仕様でもあり、パーソナルコンピュータおよびモバイルデバイスなどの情報通信製品に広く適用されている。 (1) universal serial bus (USB): The universal serial bus is a serial port bus standard for connections between computer systems and external devices, and is also a technical specification for input/output interfaces, personal computers and widely applied to information communication products such as mobile devices.

（2）米国電気電子学会（institute of electrical and electronics engineers、IEEE）1394規格：IEEE 1394規格はシリアル規格である。 (2) Institute of Electrical and Electronics Engineers (IEEE) 1394 Standard: The IEEE 1394 standard is a serial standard.

（3）端末：端末は、通信機能を備えた様々なハンドヘルドデバイス、車載デバイス、ウェアラブルデバイス、スマートホームデバイス、ワイヤレスモデムに接続されたコンピューティングデバイスまたは別の処理デバイス、ならびに様々な形式の端末、例えば、移動局（mobile station、MS）、端末（terminal）、ユーザ機器（user equipment、UE）、および水道メータ、電力計、センサーなどのソフト端末を含み得る。 (3) Terminals: Terminals include various handheld devices, in-vehicle devices, wearable devices, smart home devices, wireless modem-connected computing devices or other processing devices with communication capabilities, as well as various forms of terminals, For example, it may include mobile stations (MS), terminals, user equipment (UE), and soft terminals such as water meters, power meters, sensors, and the like.

本出願の実施形態で言及される名詞または用語については、相互に参照することができ、詳細は繰り返し説明されないことに留意されたい。 It should be noted that the nouns or terms referred to in the embodiments of this application may be referenced to each other and the details will not be repeated.

本出願の実施形態において、記憶機能を実現するためにNano－SIMカードと同じ形状およびサイズのメモリカードが用いられる場合、メモリカードの種類は上述の例のSDカードに限定されないことに留意されたい。本出願の実施形態では、メモリカードは、代替的に、ユニバーサルシリアルバス（universal serial bus、USB）、ペリフェラルコンポーネントインターコネクトエクスプレス（peripheral component interconnect express、PCIE）、ユニバーサルフラッシュストレージ（universal flash storage、UFS）、マルチメディアカード（multimedia card、MMC）、または埋め込み型マルチメディアカード（embedded multimedia card、EMMC）などのインターフェースプロトコルに基づくメモリカードであってもよい。 It should be noted that the type of memory card is not limited to the SD card in the above example when a memory card of the same shape and size as the Nano-SIM card is used to realize the storage function in the embodiments of the present application. . In embodiments of the present application, the memory card may alternatively be a universal serial bus (USB), peripheral component interconnect express (PCIE), universal flash storage (UFS), It may be a multimedia card (MMC) or a memory card based on an interface protocol such as an embedded multimedia card (EMMC).

以下は、一例の技術的解決策を、その例における添付の図面を参照しながら説明する。従来技術では、Micro－SDカードまたはNano－SIMカードは、現在の端末上に構成され得る。Micro－SDカードのサイズは11ミリメートル（mm）×15ミリメートルである。Nano－SIMカードのサイズは8．8ミリメートル×12．3ミリメートルである。Micro－SDカードのサイズは、Nano－SIMカードのサイズより56mm2大きい。したがって、Micro－SDカードホルダのサイズは、Nano－SIMカードホルダのサイズより130mm2大きい。Micro－SDカードはNano－SIMカードホルダに挿入され得ないことが分かる。しかしながら、端末が2つのNano－SIMカードホルダを提供する場合、ユーザは通常、端末に1つのNano－SIMカードのみを構成し、その1つのNano－SIMカードのみを使用する。したがって、端末の他方のNano－SIMカードホルダにはNano－SIMカードが挿入されず、端末のスペースを無駄にしている。加えて、Micro－SDカードはNano－SIMカードホルダに挿入され得ないため、デュアルNano－SIMカードホルダを構成された端末はデータを格納できない。 An example technical solution is described below with reference to the accompanying drawings in the example. In the prior art, Micro-SD cards or Nano-SIM cards can be configured on current terminals. The size of the Micro-SD card is 11 millimeters (mm) x 15 millimeters. The size of the Nano-SIM card is 8.8mm x 12.3mm. The size of the Micro-SD card is 56mm 2 larger than the size of the Nano-SIM card. Therefore, the size of the Micro-SD card holder is 130 mm 2 larger than the size of the Nano-SIM card holder. It turns out that the Micro-SD card cannot be inserted into the Nano-SIM card holder. However, if the terminal provides two Nano-SIM card holders, the user usually configures only one Nano-SIM card in the terminal and uses only that one Nano-SIM card. Therefore, no Nano-SIM card is inserted into the other Nano-SIM card holder of the terminal, wasting space in the terminal. In addition, since the Micro-SD card cannot be inserted into the Nano-SIM card holder, the terminal configured with the dual Nano-SIM card holder cannot store data.

本出願の実施形態におけるピンは、金属接点である。具体的には、ピンは、接触面積および導電機能を備えた接点であり得る。本出願の実施形態におけるピンは、接続端子と呼ばれる場合もある。ピンの具体的な名称は特に限定されない。 The pins in embodiments of the present application are metal contacts. Specifically, a pin can be a contact with contact area and conductive function. The pins in the embodiments of the present application are sometimes called connection terminals. A specific name of the pin is not particularly limited.

本出願の実施形態では、AとBとが「対応している」とはまた、AとBとの間にマッピングがあるとも言われ得る。これは、AとBとがNano－SIMカードホルダの同じばねに対応する／マッピングされることを示す。例えば、メモリカードのカード本体上の、メモリカードのクロック信号ピンが配置される領域は、Nano－SIMカードのカード本体上の、Nano－SIMカードのクロック信号ピンが配置される領域に対応する。本明細書では、「対応する」はまた、メモリカードのクロック信号ピンがNano－SIMカードのクロック信号ピンにマッピングされるとも言われ得る。具体的には、メモリカードのクロック信号ピンとNano－SIMカードのクロック信号ピンとは、Nano－SIMカードホルダの同じばねに対応する／マッピングされる。 In embodiments of the present application, that A and B "correspond" may also be said that there is a mapping between A and B. This indicates that A and B correspond/map to the same spring of the Nano-SIM card holder. For example, the area on the card body of the memory card where the clock signal pins of the memory card are arranged corresponds to the area on the card body of the Nano-SIM card where the clock signal pins of the Nano-SIM card are arranged. As used herein, "corresponding" may also be said to map the clock signal pins of the memory card to the clock signal pins of the Nano-SIM card. Specifically, the clock signal pin of the memory card and the clock signal pin of the Nano-SIM card correspond/map to the same spring of the Nano-SIM card holder.

本出願の実施形態では、メモリカードの「電源ピン」は「メモリカードの第1の金属接点」であり、メモリカードの「データ伝送ピン」は「メモリカードの第2の金属接点」であり、メモリカードの「制御信号ピン」は「メモリカードの第3の金属接点」であり、メモリカードの「クロック信号ピン」は「メモリカードの第4の金属接点」であり、メモリカードの「接地信号ピン」は「メモリカードの第5の金属接点」であり、メモリカードの「第1のデータ伝送ピン」は「第2の金属接点」であり、メモリカードの「第2のデータ伝送ピン」は「第6の金属接点」であり、メモリカードの「第3のデータ伝送ピン」は「第7の金属接点」であり、メモリカードの「第4のデータ伝送ピン」は「第8の金属接点」である。 In the embodiments of the present application, the "power pin" of the memory card is the "first metal contact of the memory card", the "data transmission pin" of the memory card is the "second metal contact of the memory card", The "control signal pin" of the memory card is the "third metal contact of the memory card", the "clock signal pin" of the memory card is the "fourth metal contact of the memory card", and the "ground signal pin" of the memory card pin" is the "fifth metal contact of the memory card", the "first data transmission pin" of the memory card is the "second metal contact", and the "second data transmission pin" of the memory card is The "sixth metal contact" is the "third data transmission pin" of the memory card is the "seventh metal contact", and the "fourth data transmission pin" of the memory card is the "eighth metal contact". ”.

本出願の実施形態では、Nano－SIMカードの「クロック信号ピン」は「Nano－SIMカードの第1の金属接点」であり、Nano－SIMカードの「リセット信号ピン」は「Nano－SIMカードの第2の金属接点」であり、Nano－SIMカードの「電源ピン」は「Nano－SIMカードの第3の金属接点」であり、Nano－SIMカードの「データ伝送ピン」は「Nano－SIMの第4の金属接点」であり、Nano－SIMカードの「プログラミング電圧／入力信号ピン」は「Nano－SIMカードの第5の金属接点」であり、Nano－SIMカードの「接地信号ピン」は「Nano－SIMカードの第6の金属接点」である。 In the embodiments of the present application, the "clock signal pin" of the Nano-SIM card is the "first metal contact of the Nano-SIM card", and the "reset signal pin" of the Nano-SIM card is the " The ``power pin'' of the Nano-SIM card is the ``third metal contact of the Nano-SIM card'', and the ``data transmission pin'' of the Nano-SIM card is the ``Nano-SIM The 'programming voltage/input signal pin' of the Nano-SIM card is the 'fifth metal contact of the Nano-SIM card', and the 'ground signal pin' of the Nano-SIM card is the `` The 6th Metal Contact for Nano-SIM Cards”.

図1は、本出願の一実施形態によるメモリカードの概略構成図である。図1に示されるように、メモリカードは、記憶ユニットと、制御ユニットと、メモリカードインターフェースとを備える。記憶ユニットおよび制御ユニットは、メモリカードのカード本体の内側に配置される。メモリカードインターフェースは、メモリカードのカード本体上に配置される。制御ユニットは、記憶ユニットおよびメモリカードインターフェースに別個に電気的に接続される。メモリカードの形状はNano－SIMカードと同じであり、メモリカードのサイズはNano－SIMカードと同じである。 FIG. 1 is a schematic configuration diagram of a memory card according to one embodiment of the present application. As shown in FIG. 1, the memory card comprises a storage unit, a control unit and a memory card interface. The storage unit and control unit are arranged inside the card body of the memory card. The memory card interface is arranged on the card body of the memory card. The control unit is electrically connected separately to the storage unit and the memory card interface. The shape of the memory card is the same as the Nano-SIM card, and the size of the memory card is the same as the Nano-SIM card.

メモリカードインターフェースは、少なくとも、電源ピンと、データ伝送ピンと、制御信号ピンと、クロック信号ピンと、接地信号ピンとを備える。 The memory card interface comprises at least a power supply pin, a data transmission pin, a control signal pin, a clock signal pin and a ground signal pin.

任意の実装形態では、電源ピン、データ伝送ピン、制御信号ピン、クロック信号ピン、および接地信号ピンはすべて、メモリカードのカード本体の同じ側の表面上に配置される。 In any implementation, the power pins, data transmission pins, control signal pins, clock signal pins, and ground signal pins are all located on the same side surface of the card body of the memory card.

本実施形態では、具体的には、メモリカードは、記憶ユニットと、制御ユニットと、メモリカードインターフェースとを備える。加えて、メモリカードは、インターフェース駆動回路をさらに備える。記憶ユニット、制御ユニット、およびインターフェース駆動回路は、メモリカードのカード本体の内側に配置され、メモリカードインターフェースは、メモリカードのカード本体の表面上に配置される。 Specifically, in this embodiment, the memory card comprises a storage unit, a control unit, and a memory card interface. Additionally, the memory card further comprises an interface driver circuit. The storage unit, control unit and interface driving circuit are arranged inside the card body of the memory card, and the memory card interface is arranged on the surface of the card body of the memory card.

加えて、制御ユニットは、記憶ユニットおよびメモリカードインターフェースに別個に電気的に接続される。具体的には、インターフェース駆動回路は、メモリカードインターフェースおよび制御ユニットに電気的に接続される。さらに、インターフェース駆動回路は、メモリカードインターフェースと制御ユニットとを電気的に接続し、制御ユニットと記憶ユニットとを電気的に接続する。 In addition, the control unit is electrically connected separately to the storage unit and the memory card interface. Specifically, the interface driving circuit is electrically connected to the memory card interface and the control unit. Further, the interface drive circuit electrically connects the memory card interface and the control unit, and electrically connects the control unit and the storage unit.

メモリカードインターフェースは、少なくとも、1つの電源ピンと、4つのデータ伝送ピンと、1つの制御信号ピンと、1つのクロック信号ピンと、1つの接地信号ピンとを備える。電源ピン、データ伝送ピン、制御信号ピン、クロック信号ピン、および接地信号ピンはすべて、メモリカードのカード本体の同じ表面上に配置される。図1に示されるように、上述のピンのそれぞれが、図1の符号11である。場合により、メモリカードの電源ピン、メモリカードのデータ伝送ピン、メモリカードの制御信号ピン、メモリカードのクロック信号ピン、およびメモリカードの接地信号ピンは、メモリカードのカード本体の表面に取り付けられた平坦な接点である。 The memory card interface has at least one power supply pin, four data transmission pins, one control signal pin, one clock signal pin and one ground signal pin. Power pins, data transmission pins, control signal pins, clock signal pins, and ground signal pins are all located on the same surface of the card body of the memory card. As shown in FIG. 1, each of the aforementioned pins is labeled 11 in FIG. In some cases, memory card power pins, memory card data transmission pins, memory card control signal pins, memory card clock signal pins, and memory card ground signal pins are mounted on the surface of the card body of the memory card. Flat contacts.

任意の実装形態では、少なくとも1本のワイヤがメモリカードのカード本体上に配置される。少なくとも1本のワイヤは、メモリカードインターフェースのピン間に配置される。少なくとも1本のワイヤは、記憶ユニットと制御ユニットとを接続するように構成される。少なくとも1本のワイヤは、制御ユニットとメモリカードインターフェースとを接続するようにさらに構成される。 In any implementation, at least one wire is positioned on the card body of the memory card. At least one wire is placed between the pins of the memory card interface. At least one wire is configured to connect the storage unit and the control unit. The at least one wire is further configured to connect the control unit and the memory card interface.

メモリカードのカード本体上における、メモリカードインターフェースのピンの位置は限定されない。メモリカードインターフェースのピンの長さの値および高さの値は限定されない。本実施形態で言及されるピン（または接点、または接続端子）の形状は、整った長方形であってもよいし、不規則な形状であってもよい。ピン（または接点、または接続端子）の形状は、本実施形態では限定されない。メモリカードインターフェースのピンの縁部とメモリカードの側縁部との間の距離の値は限定されない。メモリカードの具体的な高さの値および長さの値は限定されない。 The position of the pins of the memory card interface on the card body of the memory card is not limited. The length value and height value of the pins of the memory card interface are not limited. The shape of the pins (or contacts, or connecting terminals) referred to in this embodiment may be regular rectangles or irregular shapes. The shape of the pins (or contacts, or connection terminals) is not limited in this embodiment. The value of the distance between the pin edge of the memory card interface and the side edge of the memory card is not limited. The specific height and length values of the memory card are not limited.

例えば、図1の角度から見ると、メモリカードの長さ方向は左から右であり、メモリカードの幅方向は下から上である。メモリカードの長さは12．30ミリメートルであり、公差は0．10ミリメートルである。メモリカードの幅は8．80ミリメートルであり、公差は0．10ミリメートルである。 For example, when viewed from the angle of FIG. 1, the length direction of the memory card is from left to right, and the width direction of the memory card is from bottom to top. The memory card length is 12.30mm with a tolerance of 0.10mm. The width of the memory card is 8.80mm and the tolerance is 0.10mm.

本出願の本実施形態で提供されるメモリカードの形状は、Nano－SIMカードの形状と同じである。例えば、Nano－SIMカードの形状は長方形であり、長方形の4つの角は丸角であり、位置決めノッチが長方形の4つの角のうちの1つに設けられる。さらに、本出願の本実施形態で提供されるメモリカードの形状も長方形であり、長方形の4つの角が丸角であり、長方形の4つの角のうちの1つに面取り部が設けられ、さらに、その角に位置決めノッチ12が設けられる。加えて、本出願の本実施形態で提供されるメモリカードのサイズは、Nano－SIMカードのサイズと同じである。具体的には、メモリカードの長さはNano－SIMカードの長さと同じであり、メモリカードの幅はNano－SIMカードの幅と同じであり、メモリカードの位置決めノッチのサイズもNano－SIMカードの位置決めノッチのサイズと同じである。したがって、本出願の本実施形態で提供されるメモリカードは、Nano－SIMカードホルダに挿入され得る。さらに、メモリカードとNano－SIMカードとは同じNano－SIMカードホルダを共有し得る。 The shape of the memory card provided in this embodiment of the present application is the same as the shape of the Nano-SIM card. For example, the shape of a Nano-SIM card is rectangular, the four corners of the rectangle are rounded, and a positioning notch is provided in one of the four corners of the rectangle. Furthermore, the shape of the memory card provided in this embodiment of the present application is also rectangular, four corners of the rectangle are rounded, one of the four corners of the rectangle is chamfered, and , is provided with a positioning notch 12 at its corner. In addition, the size of the memory card provided in this embodiment of the application is the same as the size of the Nano-SIM card. Specifically, the length of the memory card is the same as the length of the Nano-SIM card, the width of the memory card is the same as the width of the Nano-SIM card, and the size of the memory card positioning notch is also the size of the Nano-SIM card. is the same size as the locating notch of Therefore, the memory card provided in this embodiment of the present application can be inserted into the Nano-SIM card holder. Moreover, the memory card and the Nano-SIM card can share the same Nano-SIM card holder.

本出願の本実施形態で提供されるメモリカードは、切断されてもよく、カード切断の場合および非カード切断の場合に基本的に適合し得る。例えば、図1の角度から見ると、メモリカードのX方向は上から下であり、メモリカードのY方向は左から右である。表1は、Nano－SIMカードと端末のNano－SIMカードホルダとの嵌合、および本実施形態のメモリカードと端末のNano－SIMカードホルダとの嵌合を示している。 The memory card provided in this embodiment of the present application may be cut and is basically suitable for card cut and non-card cut cases. For example, when viewed from the angle of FIG. 1, the X direction of the memory card is from top to bottom and the Y direction of the memory card is from left to right. Table 1 shows the fitting between the Nano-SIM card and the Nano-SIM card holder of the terminal, and the fitting between the memory card of this embodiment and the Nano-SIM card holder of the terminal.

Figure 0007325578000001
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表1から、本実施形態のメモリカードと端末のNano－SIMカードホルダとの間の嵌合時に発生する公差は、Nano－SIMカードと端末のNano－SIMカードホルダとの間の嵌合時に発生する公差と同じであることが分かる。したがって、本実施形態のメモリカードは、Nano－SIMカードホルダにうまく嵌合することができる。 From Table 1, the tolerance that occurs when the memory card of this embodiment is mated with the Nano-SIM card holder of the terminal occurs when the Nano-SIM card is mated with the Nano-SIM card holder of the terminal. It can be seen that it is the same as the tolerance for Therefore, the memory card of this embodiment can be successfully fitted into the Nano-SIM card holder.

本実施形態では、記憶ユニットと、制御ユニットと、メモリカードインターフェースとを備えるメモリカードが提供される。記憶ユニットおよび制御ユニットは、メモリカードのカード本体の内側に配置される。メモリカードインターフェースは、メモリカードのカード本体上に配置される。制御ユニットは、記憶ユニットおよびメモリカードインターフェースに別個に電気的に接続される。メモリカードの形状がNano－加入者識別モジュールSIMカードの形状と同じであり、メモリカードのサイズがNano－SIMカードのサイズと同じであるため、Nano－SDカードが提供される。図1に示されるように、位置決めノッチ12がNano－SDカードに設けられる。したがって、本実施形態で提供されるメモリカードは、Nano－SIMカードホルダに挿入され得る。さらに、メモリカードとNano－SIMカードとは同じNano－SIMカードホルダを共有し得る。 In this embodiment, a memory card is provided comprising a storage unit, a control unit and a memory card interface. The storage unit and control unit are arranged inside the card body of the memory card. The memory card interface is arranged on the card body of the memory card. The control unit is electrically connected separately to the storage unit and the memory card interface. A Nano-SD card is provided because the shape of the memory card is the same as the shape of the Nano-Subscriber Identity Module SIM card and the size of the memory card is the same as the size of the Nano-SIM card. As shown in FIG. 1, a positioning notch 12 is provided on the Nano-SD card. Therefore, the memory card provided in this embodiment can be inserted into the Nano-SIM card holder. Moreover, the memory card and the Nano-SIM card can share the same Nano-SIM card holder.

図2は、従来技術のNano－SIMカードの概略構成図である。図2に示されるように、クロック信号ピン31、リセット信号ピン32、電源ピン33、データ伝送ピン34、プログラミング電圧／入力信号ピン35、および接地信号ピン36がNano－SIMカードのカード本体上に配置される。以下の実施形態では、ピン分割時に、分割により得られるピンの形状およびサイズは限定されず、別のピンの形状およびサイズも限定されない。例えば、メモリカードのピンの縁部に面取り部があってもよいし、面取り部がなくてもよい。以下の実施形態では、ピンが分割される場合、メモリカードの形状およびサイズも限定されない。例えば、位置決めノッチがメモリカードの角に設けられてもよい。 FIG. 2 is a schematic configuration diagram of a conventional Nano-SIM card. As shown in Figure 2, a clock signal pin 31, a reset signal pin 32, a power pin 33, a data transmission pin 34, a programming voltage/input signal pin 35, and a ground signal pin 36 are located on the card body of the Nano-SIM card. placed. In the following embodiments, when the pins are split, the shape and size of the pins obtained by splitting are not limited, and neither are the shapes and sizes of other pins. For example, the edge of the memory card pin may or may not have a chamfer. In the embodiments below, when the pins are split, the shape and size of the memory card are also not limited. For example, locating notches may be provided in the corners of the memory card.

図3は、本出願の一実施形態による別のメモリカードの概略構成図1である。図3に示されるように、図1に示される実施形態で提供されるメモリカードに基づいて、メモリカードは4つのデータ伝送ピンを備える。4つのデータ伝送ピンは、第1のデータ伝送ピン25、第2のデータ伝送ピン26、第3のデータ伝送ピン27、および第4のデータ伝送ピン28である。 FIG. 3 is a schematic configuration diagram 1 of another memory card according to one embodiment of the present application. As shown in FIG. 3, based on the memory card provided in the embodiment shown in FIG. 1, the memory card has four data transmission pins. The four data transmission pins are a first data transmission pin 25, a second data transmission pin 26, a third data transmission pin 27 and a fourth data transmission pin .

メモリカードのカード本体上の、メモリカードのクロック信号ピン21が配置される領域は、Nano－SIMカードのカード本体上の、Nano－SIMカードのクロック信号ピン31が配置される領域に対応する。 The area on the card body of the memory card where the clock signal pin 21 of the memory card is arranged corresponds to the area on the card body of the Nano-SIM card where the clock signal pin 31 of the Nano-SIM card is arranged.

メモリカードのカード本体上の、メモリカードの第1のデータ伝送ピン25が配置される領域は、Nano－SIMカードのカード本体上の、Nano－SIMカードのリセット信号ピン32が配置される領域に対応する。 The area on the card body of the memory card where the first data transmission pin 25 of the memory card is arranged corresponds to the area on the card body of the Nano-SIM card where the reset signal pin 32 of the Nano-SIM card is arranged. handle.

メモリカードの第3のデータ伝送ピン27は、メモリカードの電源ピン22に隣接し、それから隔離される。メモリカードのカード本体上の、メモリカードの第3のデータ伝送ピン27および電源ピン22が配置される領域は、Nano－SIMカードのカード本体上の、Nano－SIMカードの電源ピン33が配置される領域に対応する。第3のデータ伝送ピン27は、メモリカードの第1のデータ伝送ピン25に隣接する。 A third data transmission pin 27 of the memory card is adjacent to and isolated from the power pin 22 of the memory card. The area on the card body of the memory card where the third data transmission pin 27 and the power pin 22 of the memory card are arranged is the area where the power pin 33 of the Nano-SIM card on the card body of the Nano-SIM card is arranged. corresponds to the area where A third data transmission pin 27 is adjacent to the first data transmission pin 25 of the memory card.

メモリカードのカード本体上の、メモリカードの第2のデータ伝送ピン26が配置される領域は、Nano－SIMカードのカード本体上の、Nano－SIMカードのデータ伝送ピン34が配置される領域に対応する。 The area on the card body of the memory card where the second data transmission pin 26 of the memory card is arranged corresponds to the area on the card body of the Nano-SIM card where the data transmission pin 34 of the Nano-SIM card is arranged. handle.

メモリカードのカード本体上の、メモリカードの制御信号ピン23が配置される領域は、Nano－SIMカードのカード本体上の、Nano－SIMカードのプログラミング電圧／入力信号ピン35が配置される領域に対応する。 The area on the card body of the memory card where the control signal pins 23 of the memory card are arranged corresponds to the area on the card body of the Nano-SIM card where the programming voltage/input signal pins 35 of the Nano-SIM card are arranged. handle.

メモリカードの第4のデータ伝送ピン28は、メモリカードの接地信号ピン24に隣接し、それから隔離される。メモリカードのカード本体上の、メモリカードの第4のデータ伝送ピン28および接地信号ピン24が配置される領域は、Nano－SIMカードのカード本体上の、Nano－SIMカードの接地信号ピン36が配置される領域に対応する。第4のデータ伝送ピン28は、メモリカードの制御信号ピン23に隣接する。 A fourth data transmission pin 28 of the memory card is adjacent to and isolated from the ground signal pin 24 of the memory card. The area on the card body of the memory card where the fourth data transmission pin 28 and the ground signal pin 24 of the memory card are arranged is the area where the ground signal pin 36 of the Nano-SIM card on the card body of the Nano-SIM card is located. Corresponds to the area to be placed. A fourth data transmission pin 28 is adjacent to the control signal pin 23 of the memory card.

本実施形態では、具体的には、図2に示されるように、1つのクロック信号（clock signal、CLK）ピン31、1つのリセット信号（reset signal、RST）ピン32、1つの電源（power supply、VCC）ピン33、1つのデータ線（data line、DAT）ピン34、1つのプログラミング電圧／入力信号（programming voltage／input signal、VPP）ピン35、および1つの接地信号（power supply ground、GND）ピン36が、既存のNano－SIMカードのカード本体上に配置される。例えば、CLKピン31、RSTピン32、およびVCCピン33の中心点は同じ直線上にあり、DATピン34、VPPピン35、およびGNDピン36の中心点は同じ直線上にあり、2本の線は平行である。 In this embodiment, specifically, as shown in FIG. 2, one clock signal (CLK) pin 31, one reset signal (RST) pin 32, one power supply , VCC) pin 33, one data line (DAT) pin 34, one programming voltage/input signal (VPP) pin 35, and one ground signal (power supply ground, GND) A pin 36 is placed on the card body of an existing Nano-SIM card. For example, the center points of CLK pin 31, RST pin 32, and VCC pin 33 are on the same straight line, and the center points of DAT pin 34, VPP pin 35, and GND pin 36 are on the same straight line, and two lines are parallel.

図3に示されるように、本出願の本実施形態で提供されるメモリカードのメモリカードインターフェースは、少なくとも、クロック信号ピン21、電源ピン22、制御信号（command／response、CMD）ピン23、接地信号ピン24、第1のデータ伝送ピン25、第2のデータ伝送ピン26、第3のデータ伝送ピン27、および第4のデータ伝送ピン28を備える。 As shown in FIG. 3, the memory card interface of the memory card provided in this embodiment of the present application includes at least a clock signal pin 21, a power pin 22, a control signal (command/response, CMD) pin 23, a ground A signal pin 24 , a first data transmission pin 25 , a second data transmission pin 26 , a third data transmission pin 27 and a fourth data transmission pin 28 are provided.

図3に示されるように、本実施形態では、メモリカードのカード本体上の、メモリカードのクロック信号ピン21が配置される領域は、Nano－SIMカードのカード本体上の、Nano－SIMカードのクロック信号ピン31が配置される領域に対応する。本明細書では、「対応する」はまた、メモリカードのクロック信号ピン21がNano－SIMカードのクロック信号ピン31にマッピングされるとも言われ得る。具体的には、メモリカードのクロック信号ピン21とNano－SIMカードのクロック信号ピン31とは、Nano－SIMカードホルダの同じばねに対応する／マッピングされる。メモリカードのカード本体上の、メモリカードの第1のデータ伝送ピン25が配置される領域は、Nano－SIMカードのカード本体上の、Nano－SIMカードのリセット信号ピン32が配置される領域に対応する。本明細書では、「対応する」はまた、メモリカードの第1のデータ伝送ピン25がNano－SIMカードのリセット信号ピン32にマッピングされるとも言われ得る。具体的には、メモリカードの第1のデータ伝送ピン25とNano－SIMカードのリセット信号ピン32とは、Nano－SIMカードホルダの同じばねに対応する／マッピングされる。さらに、メモリカードのクロック信号ピン21は、メモリカードの第1のデータ伝送ピン25に隣接し、それから隔離される。加えて、メモリカードの第3のデータ伝送ピン27は、メモリカードの電源ピン22に隣接し、それから隔離される。メモリカードのカード本体上の、メモリカードの第3のデータ伝送ピン27および電源ピン22が配置される領域は、Nano－SIMカードのカード本体上の、Nano－SIMカードの電源ピン33が配置される領域に対応する。第3のデータ伝送ピン27は、メモリカードの第1のデータ伝送ピン25に隣接し、それから隔離される。本明細書では、「対応する」はまた、メモリカードの第3のデータ伝送ピン27および電源ピン22がNano－SIMカードの電源ピン33にマッピングされるとも言われ得る。具体的には、この2つのピン、すなわちメモリカードの第3のデータ伝送ピン27および電源ピン22と、Nano－SIMカードの電源ピン33とは、Nano－SIMカードホルダの同じばねに対応する／マッピングされる。さらに、メモリカードのカード本体上の、4つのピン、すなわち、メモリカードのクロック信号ピン21、メモリカードの第1のデータ伝送ピン25、メモリカードの第3のデータ伝送ピン27、およびメモリカードの電源ピン22が配置される領域は、Nano－SIMカードのカード本体上の、Nano－SIMカードのクロック信号ピン31、リセット信号ピン32、および電源ピン33が配置される領域に対応し、それにより、本実施形態で提供されるメモリカードとNano－SIMカードとが同じNano－SIMカードホルダを共有し得ることを確保する。メモリカードの第3のデータ伝送ピン27およびメモリカードの電源ピン22は、Nano－SIMカードの電源ピン33の領域を2つのピンに分割することにより得られることが分かる。メモリカードの第3のデータ伝送ピン27およびメモリカードの電源ピン22の形状およびサイズは限定されない。加えて、メモリカードのクロック信号ピン21およびメモリカードの第1のデータ伝送ピン25の形状およびサイズは限定されない。 As shown in FIG. 3, in the present embodiment, the area on the card body of the memory card where the clock signal pin 21 of the memory card is arranged is the area of the Nano-SIM card on the card body of the Nano-SIM card. It corresponds to the area where the clock signal pin 31 is arranged. As used herein, "corresponding" can also be said to map the clock signal pin 21 of the memory card to the clock signal pin 31 of the Nano-SIM card. Specifically, the memory card clock signal pin 21 and the Nano-SIM card clock signal pin 31 correspond/map to the same spring of the Nano-SIM card holder. The area on the card body of the memory card where the first data transmission pin 25 of the memory card is arranged corresponds to the area on the card body of the Nano-SIM card where the reset signal pin 32 of the Nano-SIM card is arranged. handle. As used herein, "corresponding" can also be said to map the first data transmission pin 25 of the memory card to the reset signal pin 32 of the Nano-SIM card. Specifically, the first data transmission pin 25 of the memory card and the reset signal pin 32 of the Nano-SIM card correspond/map to the same spring of the Nano-SIM card holder. In addition, the memory card's clock signal pin 21 is adjacent to and isolated from the memory card's first data transmission pin 25 . In addition, a third data transmission pin 27 of the memory card is adjacent to and isolated from the power pin 22 of the memory card. The area on the card body of the memory card where the third data transmission pin 27 and the power pin 22 of the memory card are arranged is the area where the power pin 33 of the Nano-SIM card on the card body of the Nano-SIM card is arranged. corresponds to the area where A third data transmission pin 27 is adjacent to and isolated from the first data transmission pin 25 of the memory card. As used herein, "corresponding" can also be said to map the third data transmission pin 27 and power pin 22 of the memory card to the power pin 33 of the Nano-SIM card. Specifically, these two pins, namely the third data transmission pin 27 and power pin 22 of the memory card and the power pin 33 of the Nano-SIM card, correspond to the same spring of the Nano-SIM card holder/ mapped. In addition, there are four pins on the card body of the memory card: the memory card's clock signal pin 21, the memory card's first data transmission pin 25, the memory card's third data transmission pin 27, and the memory card's The area where the power pin 22 is arranged corresponds to the area where the clock signal pin 31, the reset signal pin 32 and the power pin 33 of the Nano-SIM card are arranged on the card body of the Nano-SIM card, thereby , ensure that the memory card and the Nano-SIM card provided in this embodiment can share the same Nano-SIM card holder. It can be seen that the third data transmission pin 27 of the memory card and the power pin 22 of the memory card are obtained by dividing the area of the power pin 33 of the Nano-SIM card into two pins. The shape and size of the third data transmission pin 27 of the memory card and the power pin 22 of the memory card are not limited. In addition, the shape and size of the memory card clock signal pin 21 and the memory card first data transmission pin 25 are not limited.

メモリカードのカード本体上の、メモリカードの第2のデータ伝送ピン26が配置される領域は、Nano－SIMカードのカード本体上の、Nano－SIMカードのデータ伝送ピン34が配置される領域に対応する。メモリカードのカード本体上の、メモリカードの制御信号ピン23が配置される領域は、Nano－SIMカードのカード本体上の、Nano－SIMカードのプログラミング電圧／入力信号ピン35が配置される領域に対応する。さらに、メモリカードの第2のデータ伝送ピン26は、メモリカードの制御信号ピン23に隣接し、それから隔離される。加えて、メモリカードの第4のデータ伝送ピン28は、メモリカードの接地信号ピン24に隣接し、それから隔離される。メモリカードのカード本体上の、メモリカードの第4のデータ伝送ピン28および接地信号ピン24が配置される領域は、Nano－SIMカードのカード本体上の、Nano－SIMカードの接地信号ピン36が配置される領域に対応する。第4のデータ伝送ピン28は、メモリカードの制御信号ピン23に隣接し、それから隔離される。さらに、メモリカードのカード本体上の、4つのピン、すなわち、メモリカードの第2のデータ伝送ピン26、メモリカードの制御信号ピン23、メモリカードの第4のデータ伝送ピン28、およびメモリカードの接地信号ピン24が配置される領域は、Nano－SIMカードのカード本体上の、Nano－SIMカードのデータ伝送ピン34、プログラミング電圧／入力信号ピン35、および接地信号ピン36が配置される領域に対応し、それにより、本実施形態で提供されるメモリカードとNano－SIMカードとが同じNano－SIMカードホルダを共有し得ることを確保する。メモリカードの第4のデータ伝送ピン28およびメモリカードの接地信号ピン24は、Nano－SIMカードの接地信号ピン36の領域を2つのピンに分割することにより得られることが分かる。メモリカードの第4のデータ伝送ピン28およびメモリカードの接地信号ピン24の形状およびサイズは限定されない。加えて、メモリカードの第2のデータ伝送ピン26およびメモリカードの制御信号ピン23の形状およびサイズは限定されない。 The area on the card body of the memory card where the second data transmission pin 26 of the memory card is arranged corresponds to the area on the card body of the Nano-SIM card where the data transmission pin 34 of the Nano-SIM card is arranged. handle. The area on the card body of the memory card where the control signal pins 23 of the memory card are arranged corresponds to the area on the card body of the Nano-SIM card where the programming voltage/input signal pins 35 of the Nano-SIM card are arranged. handle. In addition, a second data transmission pin 26 of the memory card is adjacent to and isolated from the control signal pin 23 of the memory card. In addition, a fourth data transmission pin 28 of the memory card is adjacent to and isolated from the ground signal pin 24 of the memory card. The area on the card body of the memory card where the fourth data transmission pin 28 and the ground signal pin 24 of the memory card are arranged is the area where the ground signal pin 36 of the Nano-SIM card on the card body of the Nano-SIM card is located. Corresponds to the area to be placed. A fourth data transmission pin 28 is adjacent to and isolated from the control signal pin 23 of the memory card. In addition, there are four pins on the card body of the memory card: the second data transmission pin 26 of the memory card, the control signal pin 23 of the memory card, the fourth data transmission pin 28 of the memory card, and the The area where the ground signal pin 24 is arranged is the area on the card body of the Nano-SIM card where the data transmission pin 34, the programming voltage/input signal pin 35, and the ground signal pin 36 of the Nano-SIM card are arranged. Corresponding, thereby ensuring that the memory card and Nano-SIM card provided in this embodiment can share the same Nano-SIM card holder. It can be seen that the fourth data transmission pin 28 of the memory card and the ground signal pin 24 of the memory card are obtained by dividing the area of the ground signal pin 36 of the Nano-SIM card into two pins. The shape and size of the memory card fourth data transmission pin 28 and the memory card ground signal pin 24 are not limited. In addition, the shape and size of the second data transmission pin 26 of the memory card and the control signal pin 23 of the memory card are not limited.

加えて、図3aは、本出願の一実施形態による別のメモリカードの概略構成図2である。図3aに示されるように、メモリカードのピン（または接点、または接続端子）の形状は限定されない。ピン（または接点、または接続端子）は、不規則な形状であってもよい。図3aから、メモリカードのピン（または接点、または接続端子）の間に間隔がないことが分かる。さらに、メモリカードのワイヤがメモリカードのカード本体の内側にあってもよい。ワイヤは、記憶ユニットと制御ユニットとを接続するように構成される。ワイヤは、制御ユニットとメモリカードインターフェースとを接続するようにさらに構成される。図3bは、本出願の一実施形態による別のメモリカードの概略構成図3である。図3bに示されるように、メモリカードのピン（または接点、または接続端子）間に間隔があってもよく、また、メモリカードのピン（または接点、または接続端子）と縁部との間に間隔があってもよい。メモリカードのピンがメモリカードのカード本体の表面を完全に覆っていないことが分かる。これらの間隔はすべて、メモリカードのカード本体の表面上の領域である。さらに、これらの領域は、ワイヤを配置するように構成され得る。具体的には、ピン（または接点、または接続端子）間の間隔およびメモリカードのピン（または接点、または接続端子）と縁部との間の間隔にワイヤが配線される。加えて、ワイヤは、記憶ユニットと制御ユニットとを接続するように構成される。ワイヤは、制御ユニットとメモリカードインターフェースとを接続するようにさらに構成される。 In addition, FIG. 3a is a schematic configuration diagram 2 of another memory card according to an embodiment of the present application. As shown in Figure 3a, the shape of the pins (or contacts or connection terminals) of the memory card is not limited. The pins (or contacts, or connecting terminals) may be irregularly shaped. From Figure 3a it can be seen that there is no spacing between the pins (or contacts or connection terminals) of the memory card. Additionally, the wires of the memory card may be inside the card body of the memory card. A wire is configured to connect the storage unit and the control unit. The wire is further configured to connect the control unit and the memory card interface. FIG. 3b is a schematic configuration diagram 3 of another memory card according to an embodiment of the present application. As shown in Figure 3b, there may be spacing between the pins (or contacts, or connection terminals) of the memory card, and between the pins (or contacts, or connection terminals) of the memory card and the edge. There may be intervals. It can be seen that the pins of the memory card do not completely cover the surface of the card body of the memory card. All of these spaces are areas on the surface of the card body of the memory card. Additionally, these areas may be configured to place wires. Specifically, wires are routed in the spaces between the pins (or contacts, or connecting terminals) and between the pins (or contacts, or connecting terminals) and the edge of the memory card. Additionally, the wires are configured to connect the storage unit and the control unit. The wire is further configured to connect the control unit and the memory card interface.

加えて、図3cは、本出願の一実施形態による別のメモリカードの概略構成図4である。図3cに示されるように、図3aの場合、メモリカードの接地信号ピン24は、図3aに示される形状である。図3cの斜線で塗りつぶされた領域を参照されたい。図3cの斜線で塗りつぶされた領域は、メモリカードの接地信号ピン24を示す。 In addition, FIG. 3c is a schematic configuration diagram 4 of another memory card according to an embodiment of the present application. As shown in FIG. 3c, in the case of FIG. 3a, the ground signal pin 24 of the memory card is shaped as shown in FIG. 3a. See the shaded area in Figure 3c. The hatched area in FIG. 3c indicates the ground signal pin 24 of the memory card.

以下の実施形態におけるピン（または接点、または接続端子）の形状および間隔については、本実施形態におけるピン（または接点、または接続端子）の形状および間隔の説明を参照されたい。 For the shape and spacing of pins (or contacts or connection terminals) in the following embodiments, see the description of the shape and spacing of pins (or contacts or connection terminals) in this embodiment.

以下の実施形態の添付の図面では、メモリカードのクロック信号ピン21はCLKとして示され、メモリカードの電源ピン22はVCCとして示され、メモリカードの制御信号ピン23はCMDとして示され、メモリカードの接地信号ピン24はGNDとして示され、メモリカードの第1のデータ伝送ピン25はD0として示され、メモリカードの第2のデータ伝送ピン26はD1として示され、メモリカードの第3のデータ伝送ピン27はD2として示され、メモリカードの第4のデータ伝送ピン28はD3として示される。 In the accompanying drawings of the following embodiments, the memory card clock signal pin 21 is indicated as CLK, the memory card power pin 22 is indicated as VCC, the memory card control signal pin 23 is indicated as CMD, and the memory card The ground signal pin 24 of the memory card is shown as GND, the first data transmission pin 25 of the memory card is shown as D0, the second data transmission pin 26 of the memory card is shown as D1, and the third data transmission pin 26 of the memory card is shown as D1. The transmission pin 27 is indicated as D2 and the fourth data transmission pin 28 of the memory card is indicated as D3.

図4は、本出願の一実施形態によるさらに別のメモリカードの概略構成図1である。図4に示されるように、図1に示される実施形態で提供されるメモリカードに基づいて、メモリカードは4つのデータ伝送ピンを備える。4つのデータ伝送ピンは、第1のデータ伝送ピン25、第2のデータ伝送ピン26、第3のデータ伝送ピン27、および第4のデータ伝送ピン28である。 FIG. 4 is a schematic configuration diagram 1 of yet another memory card according to an embodiment of the present application. As shown in FIG. 4, based on the memory card provided in the embodiment shown in FIG. 1, the memory card has four data transmission pins. The four data transmission pins are a first data transmission pin 25, a second data transmission pin 26, a third data transmission pin 27 and a fourth data transmission pin .

メモリカードの第3のデータ伝送ピン27は、メモリカードのクロック信号ピン21に隣接し、それから隔離される。メモリカードのカード本体上の、メモリカードの第3のデータ伝送ピン27およびクロック信号ピン21が配置される領域は、Nano－SIMカードのカード本体上の、Nano－SIMカードのクロック信号ピン31が配置される領域に対応する。 A third data transmission pin 27 of the memory card is adjacent to and isolated from the clock signal pin 21 of the memory card. The area on the card body of the memory card where the third data transmission pin 27 and the clock signal pin 21 of the memory card are arranged is the area where the clock signal pin 31 of the Nano-SIM card on the card body of the Nano-SIM card is located. Corresponds to the area to be placed.

メモリカードのカード本体上の、メモリカードの第1のデータ伝送ピン25が配置される領域は、Nano－SIMカードのカード本体上の、Nano－SIMカードのリセット信号ピン32が配置される領域に対応する。メモリカードのクロック信号ピン21は、第1のデータ伝送ピン25に隣接する。 The area on the card body of the memory card where the first data transmission pin 25 of the memory card is arranged corresponds to the area on the card body of the Nano-SIM card where the reset signal pin 32 of the Nano-SIM card is arranged. handle. A clock signal pin 21 of the memory card is adjacent to the first data transmission pin 25 .

メモリカードのカード本体上の、メモリカードの電源ピン22が配置される領域は、Nano－SIMカードのカード本体上の、Nano－SIMカードの電源ピン33が配置される領域に対応する。 The area on the card body of the memory card where the power pins 22 of the memory card are arranged corresponds to the area on the card body of the Nano-SIM card where the power pins 33 of the Nano-SIM card are arranged.

メモリカードの第4のデータ伝送ピン28は、メモリカードの第2のデータ伝送ピン26に隣接し、それから隔離される。メモリカードのカード本体上の、第4のデータ伝送ピン28および第2のデータ伝送ピン26が配置される領域は、Nano－SIMカードのカード本体上の、Nano－SIMカードのデータ伝送ピン34が配置される領域に対応する。 A fourth data transmission pin 28 of the memory card is adjacent to and isolated from the second data transmission pin 26 of the memory card. The area where the fourth data transmission pin 28 and the second data transmission pin 26 on the card body of the memory card are arranged is the area where the data transmission pin 34 of the Nano-SIM card on the card body of the Nano-SIM card is located. Corresponds to the area to be placed.

メモリカードのカード本体上の、メモリカードの制御信号ピン23が配置される領域は、Nano－SIMカードのカード本体上の、Nano－SIMカードのプログラミング電圧／入力信号ピン35が配置される領域に対応する。第2のデータ伝送ピン26は、メモリカードの制御信号ピン23に隣接する。 The area on the card body of the memory card where the control signal pins 23 of the memory card are arranged corresponds to the area on the card body of the Nano-SIM card where the programming voltage/input signal pins 35 of the Nano-SIM card are arranged. handle. A second data transmission pin 26 is adjacent to the control signal pin 23 of the memory card.

メモリカードのカード本体上の、メモリカードの接地信号ピン24が配置される領域は、Nano－SIMカードのカード本体上の、Nano－SIMカードの接地信号ピン36が配置される領域に対応する。 The area on the card body of the memory card where the ground signal pin 24 of the memory card is arranged corresponds to the area on the card body of the Nano-SIM card where the ground signal pin 36 of the Nano-SIM card is arranged.

本実施形態では、具体的には、上記のピン配置から、メモリカードのカード本体上の、4つのピン、すなわち、メモリカードの第3のデータ伝送ピン27、メモリカードのクロック信号ピン21、メモリカードの第1のデータ伝送ピン25、およびメモリカードの電源ピン22が配置される領域は、Nano－SIMカードのカード本体上の、Nano－SIMカードのクロック信号ピン31、リセット信号ピン32、および電源ピン33が配置される領域に対応することが分かる。メモリカードの第3のデータ伝送ピン27およびメモリカードのクロック信号ピン21は、Nano－SIMカードのクロック信号ピン31の領域を2つのピンに分割することにより得られることが分かる。メモリカードの第3のデータ伝送ピン27およびメモリカードのクロック信号ピン21の形状およびサイズは限定されない。加えて、メモリカードの第1のデータ伝送ピン25およびメモリカードの電源ピン22の形状およびサイズは限定されない。 Specifically, in this embodiment, from the above pin arrangement, four pins on the card body of the memory card, namely, the third data transmission pin 27 of the memory card, the clock signal pin 21 of the memory card, the memory The area where the first data transmission pin 25 of the card and the power supply pin 22 of the memory card are arranged is the Nano-SIM card clock signal pin 31, reset signal pin 32, and It can be seen that it corresponds to the area where the power supply pin 33 is arranged. It can be seen that the third data transmission pin 27 of the memory card and the clock signal pin 21 of the memory card are obtained by dividing the area of the clock signal pin 31 of the Nano-SIM card into two pins. The shape and size of the third data transmission pin 27 of the memory card and the clock signal pin 21 of the memory card are not limited. In addition, the shape and size of the first data transmission pin 25 of the memory card and the power pin 22 of the memory card are not limited.

メモリカードのカード本体上の、4つのピン、すなわち、メモリカードの第4のデータ伝送ピン28、メモリカードの第2のデータ伝送ピン26、メモリカードの制御信号ピン23、およびメモリカードの接地信号ピン24が配置される領域は、Nano－SIMカードのカード本体上の、Nano－SIMカードのデータ伝送ピン34、プログラミング電圧／入力信号ピン35、および接地信号ピン36が配置される領域に対応し、それにより、本実施形態で提供されるメモリカードとNano－SIMカードとが同じNano－SIMカードホルダを共有し得ることを確保する。例えば、メモリカードのカード本体上の、上述の4つのピンが配置される領域は、Nano－SIMカードのカード本体上の、Nano－SIMカードのデータ伝送ピン34、プログラミング電圧／入力信号ピン35、および接地信号ピン36が配置される領域と同じである。メモリカードの第4のデータ伝送ピン28およびメモリカードの第2のデータ伝送ピン26は、Nano－SIMカードのデータ伝送ピン34の領域を2つのピンに分割することにより得られることが分かる。メモリカードの第4のデータ伝送ピン28およびメモリカードの第2のデータ伝送ピン26の形状およびサイズは限定されない。加えて、加えて、メモリカードの制御信号ピン23およびメモリカードの接地信号ピン24の形状およびサイズは限定されない。 Four pins on the card body of the memory card: the fourth data transmission pin 28 of the memory card, the second data transmission pin 26 of the memory card, the control signal pin 23 of the memory card, and the ground signal of the memory card. The area where the pins 24 are arranged corresponds to the area on the card body of the Nano-SIM card where the data transmission pins 34, programming voltage/input signal pins 35, and ground signal pins 36 of the Nano-SIM card are arranged. , thereby ensuring that the memory card and the Nano-SIM card provided in this embodiment can share the same Nano-SIM card holder. For example, the area on the card body of the memory card where the above four pins are arranged is the data transmission pin 34 of the Nano-SIM card, the programming voltage/input signal pin 35 on the card body of the Nano-SIM card. and the area where the ground signal pin 36 is arranged. It can be seen that the fourth data transmission pin 28 of the memory card and the second data transmission pin 26 of the memory card are obtained by dividing the area of the data transmission pin 34 of the Nano-SIM card into two pins. The shape and size of the memory card fourth data transmission pin 28 and the memory card second data transmission pin 26 are not limited. In addition, the shape and size of memory card control signal pin 23 and memory card ground signal pin 24 are not limited.

加えて、図4aは、本出願の一実施形態によるさらに別のメモリカードの概略構成図2である。図4aに示されるように、メモリカードのピン（または接点、または接続端子）の形状は限定されない。ピン（または接点、または接続端子）は、不規則な形状であってもよい。加えて、本実施形態では、メモリカードのピン（または接点、または接続端子）間に間隔があってもよく、したがって、メモリカードのワイヤがこれらの間隔の表面上に配置されてもよい、または間隔がなくてもよく、したがって、メモリカードのワイヤがメモリカードのカード本体の内側にあってもよい。 In addition, FIG. 4a is a schematic configuration diagram 2 of yet another memory card according to an embodiment of the present application. As shown in Fig. 4a, the shape of the pins (or contacts or connection terminals) of the memory card is not limited. The pins (or contacts, or connecting terminals) may be irregularly shaped. Additionally, in this embodiment, there may be spacing between the pins (or contacts, or connection terminals) of the memory card, so that the wires of the memory card may be placed on these spacing surfaces, or There may be no spacing and therefore the wires of the memory card may be inside the card body of the memory card.

本実施形態では、「対応する」は、マッピング関係とも呼ばれ得る。例えば、メモリカードのカード本体上の、メモリカードの第1のデータ伝送ピン25が配置される領域が、Nano－SIMカードのカード本体上の、Nano－SIMカードのリセット信号ピン32が配置される領域に対応することは、メモリカードの第1のデータ伝送ピン25がNano－SIMカードのリセット信号ピン32にマッピングされることを意味する。具体的には、メモリカードの第1のデータ伝送ピン25とNano－SIMカードのリセット信号ピン32とは、Nano－SIMカードホルダの同じばねに対応する／マッピングされる。 In this embodiment, "corresponding" may also be referred to as a mapping relationship. For example, the area on the card body of the memory card where the first data transmission pin 25 of the memory card is arranged is the area where the reset signal pin 32 of the Nano-SIM card is arranged on the card body of the Nano-SIM card. Corresponding to a region means that the first data transmission pin 25 of the memory card is mapped to the reset signal pin 32 of the Nano-SIM card. Specifically, the first data transmission pin 25 of the memory card and the reset signal pin 32 of the Nano-SIM card correspond/map to the same spring of the Nano-SIM card holder.

図5は、本出願の一実施形態によるまた別のメモリカードの概略構成図である。図5に示されるように、図1に示される実施形態で提供されるメモリカードに基づいて、メモリカードは4つのデータ伝送ピンを備える。4つのデータ伝送ピンは、第1のデータ伝送ピン25、第2のデータ伝送ピン26、第3のデータ伝送ピン27、および第4のデータ伝送ピン28である。 FIG. 5 is a schematic configuration diagram of yet another memory card according to one embodiment of the present application. As shown in FIG. 5, based on the memory card provided in the embodiment shown in FIG. 1, the memory card has four data transmission pins. The four data transmission pins are a first data transmission pin 25, a second data transmission pin 26, a third data transmission pin 27 and a fourth data transmission pin .

メモリカードのカード本体上の、メモリカードのクロック信号ピン21が配置される領域は、Nano－SIMカードのカード本体上の、Nano－SIMカードのクロック信号ピン31が配置される領域に対応する。 The area on the card body of the memory card where the clock signal pin 21 of the memory card is arranged corresponds to the area on the card body of the Nano-SIM card where the clock signal pin 31 of the Nano-SIM card is arranged.

メモリカードの第1のデータ伝送ピン25は、メモリカードの第3のデータ伝送ピン27に隣接し、それから隔離される。メモリカードのカード本体上の、第1のデータ伝送ピン25および第3のデータ伝送ピン27が配置される領域は、Nano－SIMカードのカード本体上の、Nano－SIMカードのリセット信号ピン32が配置される領域に対応する。第1のデータ伝送ピン25は、メモリカードのクロック信号ピン21に隣接する。 A first data transmission pin 25 of the memory card is adjacent to and isolated from a third data transmission pin 27 of the memory card. The area where the first data transmission pin 25 and the third data transmission pin 27 on the card body of the memory card are arranged is the area where the reset signal pin 32 of the Nano-SIM card on the card body of the Nano-SIM card is located. Corresponds to the area to be placed. A first data transmission pin 25 is adjacent to the clock signal pin 21 of the memory card.

メモリカードのカード本体上の、メモリカードの電源ピン22が配置される領域は、Nano－SIMカードのカード本体上の、Nano－SIMカードの電源ピン33が配置される領域に対応する。第3のデータ伝送ピン27は、メモリカードの電源ピン22に隣接する。 The area on the card body of the memory card where the power pins 22 of the memory card are arranged corresponds to the area on the card body of the Nano-SIM card where the power pins 33 of the Nano-SIM card are arranged. A third data transmission pin 27 is adjacent to the power pin 22 of the memory card.

メモリカードのカード本体上の、メモリカードの第2のデータ伝送ピン26が配置される領域は、Nano－SIMカードのカード本体上の、Nano－SIMカードのデータ伝送ピン34が配置される領域に対応する。 The area on the card body of the memory card where the second data transmission pin 26 of the memory card is arranged corresponds to the area on the card body of the Nano-SIM card where the data transmission pin 34 of the Nano-SIM card is arranged. handle.

メモリカードの制御信号ピン23は、メモリカードの第4のデータ伝送ピン28に隣接し、それから隔離される。メモリカードのカード本体上の、メモリカードの制御信号ピン23および第4のデータ伝送ピン28が配置される領域は、Nano－SIMカードのカード本体上の、Nano－SIMカードのプログラミング電圧／入力信号ピン35が配置される領域に対応する。メモリカードの制御信号ピン23は、メモリカードの第2のデータ伝送ピン26に隣接する。 A control signal pin 23 of the memory card is adjacent to and isolated from a fourth data transmission pin 28 of the memory card. The area on the card body of the memory card where the control signal pin 23 and the fourth data transmission pin 28 of the memory card are arranged is the programming voltage/input signal of the Nano-SIM card on the card body of the Nano-SIM card. It corresponds to the area where the pin 35 is arranged. A control signal pin 23 of the memory card is adjacent to a second data transmission pin 26 of the memory card.

メモリカードのカード本体上の、メモリカードの接地信号ピン24が配置される領域は、Nano－SIMカードのカード本体上の、Nano－SIMカードの接地信号ピン36が配置される領域に対応する。第4のデータ伝送ピン28は、メモリカードの接地信号ピン24に隣接する。 The area on the card body of the memory card where the ground signal pin 24 of the memory card is arranged corresponds to the area on the card body of the Nano-SIM card where the ground signal pin 36 of the Nano-SIM card is arranged. A fourth data transmission pin 28 is adjacent to the ground signal pin 24 of the memory card.

本実施形態では、具体的には、上記のピン配置から、メモリカードのカード本体上の、4つのピン、すなわち、メモリカードのクロック信号ピン21、メモリカードの第1のデータ伝送ピン25、メモリカードの第3のデータ伝送ピン27、およびメモリカードの電源ピン22が配置される領域は、Nano－SIMカードのカード本体上の、Nano－SIMカードのクロック信号ピン31、リセット信号ピン32、および電源ピン33が配置される領域に対応することが分かる。メモリカードの第1のデータ伝送ピン25およびメモリカードの第3のデータ伝送ピン27は、Nano－SIMカードのリセット信号ピン32の領域を2つのピンに分割することにより得られることが分かる。メモリカードの第1のデータ伝送ピン25およびメモリカードの第3のデータ伝送ピン27の形状およびサイズは限定されない。加えて、メモリカードのクロック信号ピン21およびメモリカードの電源ピン22の形状およびサイズは限定されない。 Specifically, in the present embodiment, from the above pin arrangement, four pins on the card body of the memory card, that is, the clock signal pin 21 of the memory card, the first data transmission pin 25 of the memory card, the memory The area where the third data transmission pin 27 of the card and the power supply pin 22 of the memory card are arranged is the Nano-SIM card clock signal pin 31, reset signal pin 32, and It can be seen that it corresponds to the area where the power supply pin 33 is arranged. It can be seen that the first data transmission pin 25 of the memory card and the third data transmission pin 27 of the memory card are obtained by dividing the area of the reset signal pin 32 of the Nano-SIM card into two pins. The shape and size of the first data transmission pin 25 of the memory card and the third data transmission pin 27 of the memory card are not limited. In addition, the shape and size of the memory card clock signal pin 21 and the memory card power pin 22 are not limited.

メモリカードのカード本体上の、4つのピン、すなわち、メモリカードの第2のデータ伝送ピン26、メモリカードの制御信号ピン23、メモリカードの第4のデータ伝送ピン28、およびメモリカードの接地信号ピン24が配置される領域は、Nano－SIMカードのカード本体上の、Nano－SIMカードのデータ伝送ピン34、プログラミング電圧／入力信号ピン35、および接地信号ピン36が配置される領域に対応する。メモリカードの制御信号ピン23およびメモリカードの第4のデータ伝送ピン28は、Nano－SIMカードのプログラミング電圧／入力信号ピン35の領域を2つのピンに分割することにより得られることが分かる。メモリカードの制御信号ピン23およびメモリカードの第4のデータ伝送ピン28の形状およびサイズは限定されない。加えて、メモリカードの第2のデータ伝送ピン26およびメモリカードの接地信号ピン24の形状およびサイズは限定されない。 Four pins on the card body of the memory card: the second data transmission pin 26 of the memory card, the control signal pin 23 of the memory card, the fourth data transmission pin 28 of the memory card, and the ground signal of the memory card. The area where the pins 24 are arranged corresponds to the area on the card body of the Nano-SIM card where the data transmission pins 34, the programming voltage/input signal pins 35 and the ground signal pins 36 of the Nano-SIM card are arranged. . It can be seen that the control signal pin 23 of the memory card and the fourth data transmission pin 28 of the memory card are obtained by dividing the area of the programming voltage/input signal pin 35 of the Nano-SIM card into two pins. The shape and size of the memory card control signal pin 23 and the memory card fourth data transmission pin 28 are not limited. In addition, the shape and size of the second data transmission pin 26 of the memory card and the ground signal pin 24 of the memory card are not limited.

加えて、本実施形態では、メモリカードのピン（または接点、または接続端子）間に間隔があってもよく、したがって、メモリカードのワイヤがこれらの間隔の表面上に配置されてもよい、または間隔がなくてもよく、したがって、メモリカードのワイヤがメモリカードのカード本体の内側にあってもよい。 Additionally, in this embodiment, there may be spacing between the pins (or contacts, or connection terminals) of the memory card, so that the wires of the memory card may be placed on these spacing surfaces, or There may be no spacing and therefore the wires of the memory card may be inside the card body of the memory card.

本実施形態では、「対応する」は、マッピング関係とも呼ばれ得る。例えば、メモリカードのカード本体上の、メモリカードのクロック信号ピン21が配置される領域が、Nano－SIMカードのカード本体上の、Nano－SIMカードのクロック信号ピン31が配置される領域に対応することは、メモリカードのクロック信号ピン21がNano－SIMカードのクロック信号ピン31にマッピングされることを意味する。具体的には、メモリカードのクロック信号ピン21とNano－SIMカードのクロック信号ピン31とは、Nano－SIMカードホルダの同じばねに対応する／マッピングされる。 In this embodiment, "corresponding" may also be referred to as a mapping relationship. For example, the area on the card body of the memory card where the clock signal pin 21 of the memory card is arranged corresponds to the area on the card body of the Nano-SIM card where the clock signal pin 31 of the Nano-SIM card is arranged. Doing means that the clock signal pin 21 of the memory card is mapped to the clock signal pin 31 of the Nano-SIM card. Specifically, the memory card clock signal pin 21 and the Nano-SIM card clock signal pin 31 correspond/map to the same spring of the Nano-SIM card holder.

図6は、本出願の一実施形態によるさらにまた別のメモリカードの概略構成図である。図6に示されるように、図1に示される実施形態で提供されるメモリカードに基づいて、メモリカードは4つのデータ伝送ピンを備える。4つのデータ伝送ピンは、第1のデータ伝送ピン25、第2のデータ伝送ピン26、第3のデータ伝送ピン27、および第4のデータ伝送ピン28である。 FIG. 6 is a schematic configuration diagram of yet another memory card according to one embodiment of the present application. As shown in FIG. 6, based on the memory card provided in the embodiment shown in FIG. 1, the memory card has four data transmission pins. The four data transmission pins are a first data transmission pin 25, a second data transmission pin 26, a third data transmission pin 27 and a fourth data transmission pin .

メモリカードのカード本体上の、メモリカードのクロック信号ピン21が配置される領域は、Nano－SIMカードのカード本体上の、Nano－SIMカードのクロック信号ピン31が配置される領域に対応する。 The area on the card body of the memory card where the clock signal pin 21 of the memory card is arranged corresponds to the area on the card body of the Nano-SIM card where the clock signal pin 31 of the Nano-SIM card is arranged.

メモリカードのカード本体上の、メモリカードの第1のデータ伝送ピン25が配置される領域は、Nano－SIMカードのカード本体上の、Nano－SIMカードのリセット信号ピン32が配置される領域に対応する。 The area on the card body of the memory card where the first data transmission pin 25 of the memory card is arranged corresponds to the area on the card body of the Nano-SIM card where the reset signal pin 32 of the Nano-SIM card is arranged. handle.

メモリカードの第3のデータ伝送ピン27は、メモリカードの電源ピン22に隣接し、それから隔離される。メモリカードのカード本体上の、メモリカードの第3のデータ伝送ピン27および電源ピン22が配置される領域は、Nano－SIMカードのカード本体上の、Nano－SIMカードの電源ピン33が配置される領域に対応する。メモリカードの電源ピン22は、メモリカードの第1のデータ伝送ピン25に隣接する。メモリカードの電源ピン22の面積は、メモリカードの第3のデータ伝送ピン27の面積より大きい。 A third data transmission pin 27 of the memory card is adjacent to and isolated from the power pin 22 of the memory card. The area on the card body of the memory card where the third data transmission pin 27 and the power pin 22 of the memory card are arranged is the area where the power pin 33 of the Nano-SIM card on the card body of the Nano-SIM card is arranged. corresponds to the area where A power pin 22 of the memory card is adjacent to a first data transmission pin 25 of the memory card. The area of the power supply pin 22 of the memory card is larger than the area of the third data transmission pin 27 of the memory card.

メモリカードのカード本体上の、メモリカードの第2のデータ伝送ピン26が配置される領域は、Nano－SIMカードのカード本体上の、Nano－SIMカードのデータ伝送ピン34が配置される領域に対応する。 The area on the card body of the memory card where the second data transmission pin 26 of the memory card is arranged corresponds to the area on the card body of the Nano-SIM card where the data transmission pin 34 of the Nano-SIM card is arranged. handle.

メモリカードのカード本体上の、メモリカードの制御信号ピン23が配置される領域は、Nano－SIMカードのカード本体上の、Nano－SIMカードのプログラミング電圧／入力信号ピン35が配置される領域に対応する。 The area on the card body of the memory card where the control signal pins 23 of the memory card are arranged corresponds to the area on the card body of the Nano-SIM card where the programming voltage/input signal pins 35 of the Nano-SIM card are arranged. handle.

メモリカードの第4のデータ伝送ピン28は、メモリカードの接地信号ピン24に隣接し、それから隔離される。メモリカードのカード本体上の、メモリカードの第4のデータ伝送ピン28および接地信号ピン24が配置される領域は、Nano－SIMカードのカード本体上の、Nano－SIMカードの接地信号ピン36が配置される領域に対応する。メモリカードの接地信号ピン24は、メモリカードの制御信号ピン23に隣接する。メモリカードの接地信号ピン24の面積は、メモリカードの第4のデータ伝送ピン28の面積より大きい。 A fourth data transmission pin 28 of the memory card is adjacent to and isolated from the ground signal pin 24 of the memory card. The area on the card body of the memory card where the fourth data transmission pin 28 and the ground signal pin 24 of the memory card are arranged is the area where the ground signal pin 36 of the Nano-SIM card on the card body of the Nano-SIM card is located. Corresponds to the area to be placed. The ground signal pin 24 of the memory card is adjacent to the control signal pin 23 of the memory card. The area of the ground signal pin 24 of the memory card is larger than the area of the fourth data transmission pin 28 of the memory card.

本実施形態では、具体的には、上記のピン配置から、メモリカードのカード本体上の、4つのピン、すなわち、メモリカードのクロック信号ピン21、メモリカードの第1のデータ伝送ピン25、メモリカードの電源ピン22、およびメモリカードの第3のデータ伝送ピン27が配置される領域は、Nano－SIMカードのカード本体上の、Nano－SIMカードのクロック信号ピン31、リセット信号ピン32、および電源ピン33が配置される領域に対応することが分かる。メモリカードの電源ピン22およびメモリカードの第3のデータ伝送ピン27は、Nano－SIMカードの電源ピン33の領域を2つのピンに分割することにより得られることが分かる。メモリカードの電源ピン22は、メモリカードの第1のデータ伝送ピン25に隣接する。メモリカードの電源ピン22およびメモリカードの第3のデータ伝送ピン27の形状およびサイズは限定されない。加えて、メモリカードのクロック信号ピン21およびメモリカードの第1のデータ伝送ピン25の形状およびサイズは限定されない。 Specifically, in the present embodiment, from the above pin arrangement, four pins on the card body of the memory card, that is, the clock signal pin 21 of the memory card, the first data transmission pin 25 of the memory card, the memory The area where the card's power supply pin 22 and the memory card's third data transmission pin 27 are arranged is the Nano-SIM card's clock signal pin 31, the reset signal pin 32, and the Nano-SIM card's clock signal pin 31, and It can be seen that it corresponds to the area where the power supply pin 33 is arranged. It can be seen that the power pin 22 of the memory card and the third data transmission pin 27 of the memory card are obtained by dividing the area of the power pin 33 of the Nano-SIM card into two pins. A power pin 22 of the memory card is adjacent to a first data transmission pin 25 of the memory card. The shape and size of the power supply pin 22 of the memory card and the third data transmission pin 27 of the memory card are not limited. In addition, the shape and size of the memory card clock signal pin 21 and the memory card first data transmission pin 25 are not limited.

メモリカードのカード本体上の、4つのピン、すなわち、メモリカードの第2のデータ伝送ピン26、メモリカードの制御信号ピン23、メモリカードの接地信号ピン24、およびメモリカードの第4のデータ伝送ピン28が配置される領域は、Nano－SIMカードのカード本体上の、Nano－SIMカードのデータ伝送ピン34、プログラミング電圧／入力信号ピン35、および接地信号ピン36が配置される領域に対応する。メモリカードの接地信号ピン24およびメモリカードの第4のデータ伝送ピン28は、Nano－SIMカードの接地信号ピン36の領域を2つのピンに分割することにより得られることが分かる。本実施形態では、メモリカードの接地信号ピン24は、メモリカードの制御信号ピン23に隣接する。メモリカードの接地信号ピン24およびメモリカードの第4のデータ伝送ピン28の形状およびサイズは限定されない。加えて、メモリカードの第2のデータ伝送ピン26およびメモリカードの制御信号ピン23の形状およびサイズは限定されない。 Four pins on the card body of the memory card: the second data transmission pin 26 of the memory card, the control signal pin 23 of the memory card, the ground signal pin 24 of the memory card, and the fourth data transmission of the memory card. The area where the pins 28 are arranged corresponds to the area on the card body of the Nano-SIM card where the data transmission pins 34, the programming voltage/input signal pins 35 and the ground signal pins 36 of the Nano-SIM card are arranged. . It can be seen that the ground signal pin 24 of the memory card and the fourth data transmission pin 28 of the memory card are obtained by dividing the area of the ground signal pin 36 of the Nano-SIM card into two pins. In this embodiment, the ground signal pin 24 of the memory card is adjacent to the control signal pin 23 of the memory card. The shape and size of the memory card ground signal pin 24 and the memory card fourth data transmission pin 28 are not limited. In addition, the shape and size of the second data transmission pin 26 of the memory card and the control signal pin 23 of the memory card are not limited.

さらに、メモリカードの電源ピン22の面積は、メモリカードの第3のデータ伝送ピン27の面積より大きく、メモリカードの接地信号ピン24の面積は、メモリカードの第4のデータ伝送ピン28の面積より大きい。したがって、新たに追加されるメモリカードの第3のデータ伝送ピン27およびメモリカードの第4のデータ伝送ピン28は、可能な限りカードの外側に配置される。加えて、メモリカードのカード本体上の、メモリカードの電源ピン22の中心点の位置は、Nano－SIMカードのカード本体上の、Nano－SIMカードの電源ピン33の位置に可能な限り対応し、メモリカードのカード本体上の、メモリカードの接地信号ピン24の中心点の位置は、Nano－SIMカードのカード本体上の、Nano－SIMカードの接地信号ピン36の位置に可能な限り対応する。したがって、Nano－SDカードの許容マージンが拡大され得る。 In addition, the area of the power supply pin 22 of the memory card is greater than the area of the third data transmission pin 27 of the memory card, and the area of the ground signal pin 24 of the memory card is greater than the area of the fourth data transmission pin 28 of the memory card. greater than Therefore, the third data transmission pin 27 of the newly added memory card and the fourth data transmission pin 28 of the memory card are arranged outside the card as much as possible. In addition, the position of the center point of the power pin 22 of the memory card on the card body of the memory card corresponds to the position of the power pin 33 of the Nano-SIM card on the card body of the Nano-SIM card as much as possible. , the position of the center point of the ground signal pin 24 of the memory card on the card body of the memory card corresponds as far as possible to the position of the ground signal pin 36 of the Nano-SIM card on the card body of the Nano-SIM card. . Therefore, the allowable margin of the Nano-SD card can be expanded.

例えば、図6の角度から見ると、右から左に、メモリカードの第3のデータ伝送ピン27は、第1の縁部および第2の縁部を有し、メモリカードは、第1の側縁部および第2の側縁部を有する。メモリカードの第3のデータ伝送ピン27の第1の縁部からメモリカードの第1の側縁部までの距離の長さは1ミリメートルであり、公差は0．1ミリメートルである。メモリカードの第3のデータ伝送ピン27の第2の縁部からメモリカードの第1の側縁部までの距離の長さは4．9ミリメートルであり、公差は0．1ミリメートルである。メモリカードの第3のデータ伝送ピン27の第1の縁部からメモリカードの第2の側縁部までの距離の長さは11．3ミリメートルであり、公差は0．1ミリメートルである。メモリカードの第3のデータ伝送ピン27の第2の縁部からメモリカードの第2の側縁部までの距離の長さは7．55ミリメートルであり、公差は0．1ミリメートルである。 For example, viewed from the angle of FIG. 6, from right to left, the third data transmission pin 27 of the memory card has a first edge and a second edge, and the memory card has a first side. It has an edge and a second side edge. The length of the distance from the first edge of the third data transmission pin 27 of the memory card to the first side edge of the memory card is 1 millimeter with a tolerance of 0.1 millimeter. The length of the distance from the second edge of the third data transmission pin 27 of the memory card to the first side edge of the memory card is 4.9 mm with a tolerance of 0.1 mm. The length of the distance from the first edge of the third data transmission pin 27 of the memory card to the second side edge of the memory card is 11.3 mm with a tolerance of 0.1 mm. The length of the distance from the second edge of the third data transmission pin 27 of the memory card to the second side edge of the memory card is 7.55 mm with a tolerance of 0.1 mm.

図6の角度から見ると、右から左に、メモリカードの第4のデータ伝送ピン28は、第1の縁部および第2の縁部を有する。メモリカードの第4のデータ伝送ピン28の第1の縁部からメモリカードの第1の側縁部までの距離の長さは7．55ミリメートルであり、公差は0．1ミリメートルである。メモリカードの第4のデータ伝送ピン28の第2の縁部からメモリカードの第1の側縁部までの距離の長さは11．3ミリメートルであり、公差は0．1ミリメートルである。メモリカードの第4のデータ伝送ピン28の第1の縁部からメモリカードの第2の側縁部までの距離の長さは4．9ミリメートルであり、公差は0．1ミリメートルである。メモリカードの第4のデータ伝送ピン28の第2の縁部からメモリカードの第2の側縁部までの距離の長さは1ミリメートルであり、公差は0．1ミリメートルである。図6の別のピンの第1の縁部および第2の縁部からメモリカードの第1の側縁部およびメモリカードの第2の側縁部までの距離の長さについては、上述のデータを参照されたい。 Viewed from the angle of FIG. 6, from right to left, the fourth data transmission pin 28 of the memory card has a first edge and a second edge. The length of the distance from the first edge of the fourth data transmission pin 28 of the memory card to the first side edge of the memory card is 7.55 millimeters with a tolerance of 0.1 millimeters. The length of the distance from the second edge of the fourth data transmission pin 28 of the memory card to the first side edge of the memory card is 11.3 millimeters with a tolerance of 0.1 millimeters. The length of the distance from the first edge of the fourth data transmission pin 28 of the memory card to the second side edge of the memory card is 4.9 millimeters with a tolerance of 0.1 millimeters. The length of the distance from the second edge of the fourth data transmission pin 28 of the memory card to the second side edge of the memory card is 1 millimeter with a tolerance of 0.1 millimeter. For the length of the distance from the first edge and second edge of another pin in FIG. See

図6の角度から見ると、上から下に、メモリカードは第3の側縁部および第4の側縁部を有し、メモリカードの第4のデータ伝送ピン28は第3の縁部および第4の縁部を有し、メモリカードの接地信号ピン24は第3の縁部および第4の縁部を有し、メモリカードの制御信号ピン23は第3の縁部および第4の縁部を有し、メモリカードの第2のデータ伝送ピン26は第3の縁部および第4の縁部を有する。メモリカードの第4のデータ伝送ピン28の第3の縁部からメモリカードの第3の側縁部までの距離の最大長は0．2ミリメートルであり、メモリカードの第4のデータ伝送ピン28の第4の縁部からメモリカードの第3の側縁部までの距離の最大長は1．05ミリメートルである。メモリカードの接地信号ピン24の第3の縁部からメモリカードの第3の側縁部までの距離の最大長は1．4ミリメートルであり、メモリカードの接地信号ピン24の第4の縁部からメモリカードの第3の側縁部までの距離の最大長は2．6ミリメートルであり、公差は0．1ミリメートルである。メモリカードの制御信号ピン23の第3の縁部からメモリカードの第3の側縁部までの距離の最大長は3．35ミリメートルであり公差は0．1ミリメートルであり、メモリカードの制御信号ピン23の第4の縁部からメモリカードの第3の側縁部までの距離の最大長は5．25ミリメートルであり、公差は0．1ミリメートルである。メモリカードの第2のデータ伝送ピン26の第3の縁部からメモリカードの第3の側縁部までの距離の最大長は6．05ミリメートルであり公差は0．1ミリメートルであり、メモリカードの第2のデータ伝送ピン26の第4の縁部からメモリカードの第3の側縁部までの距離の最大長は7．95ミリメートルであり、公差は0．1ミリメートルである。メモリカードの第3の側縁部とメモリカードの第4の側縁部との間の距離は8．8ミリメートルであり、公差は0．1ミリメートルである。 Viewed from the angle of FIG. 6, from top to bottom, the memory card has a third side edge and a fourth side edge, and the fourth data transmission pin 28 of the memory card has a third edge and a fourth side edge. It has a fourth edge, the memory card ground signal pin 24 has a third edge and a fourth edge, and the memory card control signal pin 23 has a third edge and a fourth edge. and the second data transmission pin 26 of the memory card has a third edge and a fourth edge. The maximum length of the distance from the third edge of the memory card fourth data transmission pin 28 to the memory card third side edge is 0.2 millimeters, and the memory card fourth data transmission pin 28 The maximum length of the distance from the fourth edge of the memory card to the third side edge of the memory card is 1.05 millimeters. The maximum length of the distance from the third edge of the ground signal pin 24 of the memory card to the third side edge of the memory card is 1.4 millimeters, and the fourth edge of the ground signal pin 24 of the memory card is 1.4 millimeters. to the third side edge of the memory card is 2.6 mm with a tolerance of 0.1 mm. The maximum length of the distance from the third edge of the memory card control signal pin 23 to the third side edge of the memory card is 3.35 mm and the tolerance is 0.1 mm, and the memory card control signal The maximum distance from the fourth edge of pin 23 to the third side edge of the memory card is 5.25 millimeters with a tolerance of 0.1 millimeters. The maximum length of the distance from the third edge of the second data transmission pin 26 of the memory card to the third side edge of the memory card is 6.05 mm with a tolerance of 0.1 mm, and the memory card The maximum length of the distance from the fourth edge of the second data transmission pin 26 to the third side edge of the memory card is 7.95 millimeters with a tolerance of 0.1 millimeters. The distance between the third side edge of the memory card and the fourth side edge of the memory card is 8.8 millimeters with a tolerance of 0.1 millimeters.

加えて、本実施形態では、メモリカードのピン（または接点、または接続端子）間に間隔があってもよく、したがって、メモリカードのワイヤがこれらの間隔の表面上に配置されてもよい、または間隔がなくてもよく、したがって、メモリカードのワイヤがメモリカードのカード本体の内側にあってもよい。 Additionally, in this embodiment, there may be spacing between the pins (or contacts, or connection terminals) of the memory card, so that the wires of the memory card may be placed on these spacing surfaces, or There may be no spacing and therefore the wires of the memory card may be inside the card body of the memory card.

本実施形態では、「対応する」は、マッピング関係とも呼ばれ得る。例えば、メモリカードのカード本体上の、メモリカードの第1のデータ伝送ピン25が配置される領域が、Nano－SIMカードのカード本体上の、Nano－SIMカードのリセット信号ピン32が配置される領域に対応することは、メモリカードの第1のデータ伝送ピン25がNano－SIMカードのリセット信号ピン32にマッピングされることを意味する。具体的には、メモリカードの第1のデータ伝送ピン25とNano－SIMカードのリセット信号ピン32とは、Nano－SIMカードホルダの同じばねに対応する／マッピングされる。 In this embodiment, "corresponding" may also be referred to as a mapping relationship. For example, the area on the card body of the memory card where the first data transmission pin 25 of the memory card is arranged is the area where the reset signal pin 32 of the Nano-SIM card is arranged on the card body of the Nano-SIM card. Corresponding to a region means that the first data transmission pin 25 of the memory card is mapped to the reset signal pin 32 of the Nano-SIM card. Specifically, the first data transmission pin 25 of the memory card and the reset signal pin 32 of the Nano-SIM card correspond/map to the same spring of the Nano-SIM card holder.

図7は、本出願の一実施形態によるさらなるメモリカードの概略構成図である。図7に示されるように、図1に示される実施形態で提供されるメモリカードに基づいて、メモリカードは4つのデータ伝送ピンを備える。4つのデータ伝送ピンは、第1のデータ伝送ピン25、第2のデータ伝送ピン26、第3のデータ伝送ピン27、および第4のデータ伝送ピン28である。 FIG. 7 is a schematic block diagram of a further memory card according to one embodiment of the present application. As shown in FIG. 7, based on the memory card provided in the embodiment shown in FIG. 1, the memory card has four data transmission pins. The four data transmission pins are a first data transmission pin 25, a second data transmission pin 26, a third data transmission pin 27 and a fourth data transmission pin .

メモリカードのカード本体上の、メモリカードのクロック信号ピン21が配置される領域は、Nano－SIMカードのカード本体上の、Nano－SIMカードのクロック信号ピン31が配置される領域に対応する。 The area on the card body of the memory card where the clock signal pin 21 of the memory card is arranged corresponds to the area on the card body of the Nano-SIM card where the clock signal pin 31 of the Nano-SIM card is arranged.

メモリカードのカード本体上の、メモリカードの第1のデータ伝送ピン25が配置される領域は、Nano－SIMカードのカード本体上の、Nano－SIMカードのリセット信号ピン32が配置される領域に対応する。 The area on the card body of the memory card where the first data transmission pin 25 of the memory card is arranged corresponds to the area on the card body of the Nano-SIM card where the reset signal pin 32 of the Nano-SIM card is arranged. handle.

メモリカードのカード本体上の、メモリカードの電源ピン22が配置される領域は、Nano－SIMカードのカード本体上の、Nano－SIMカードの電源ピン33が配置される領域に対応する。 The area on the card body of the memory card where the power pins 22 of the memory card are arranged corresponds to the area on the card body of the Nano-SIM card where the power pins 33 of the Nano-SIM card are arranged.

メモリカードのカード本体上の、メモリカードの第2のデータ伝送ピン26が配置される領域は、Nano－SIMカードのカード本体上の、Nano－SIMカードのデータ伝送ピン34が配置される領域に対応する。 The area on the card body of the memory card where the second data transmission pin 26 of the memory card is arranged corresponds to the area on the card body of the Nano-SIM card where the data transmission pin 34 of the Nano-SIM card is arranged. handle.

メモリカードのカード本体上の、メモリカードの制御信号ピン23が配置される領域は、Nano－SIMカードのカード本体上の、Nano－SIMカードのプログラミング電圧／入力信号ピン35が配置される領域に対応する。 The area on the card body of the memory card where the control signal pins 23 of the memory card are arranged corresponds to the area on the card body of the Nano-SIM card where the programming voltage/input signal pins 35 of the Nano-SIM card are arranged. handle.

メモリカードのカード本体上の、メモリカードの接地信号ピン24が配置される領域は、Nano－SIMカードのカード本体上の、Nano－SIMカードの接地信号ピン36が配置される領域に対応する。 The area on the card body of the memory card where the ground signal pin 24 of the memory card is arranged corresponds to the area on the card body of the Nano-SIM card where the ground signal pin 36 of the Nano-SIM card is arranged.

メモリカードの第3のデータ伝送ピン27は、メモリカードのクロック信号ピン21とメモリカードの第2のデータ伝送ピン26との間に配置される。第3のデータ伝送ピン27は、メモリカードのクロック信号ピン21およびメモリカードの第2のデータ伝送ピン26から隔離される。第3のデータ伝送ピン27の中心点は、メモリカードのクロック信号ピン21の中心点と第2のデータ伝送ピン26の中心点との間の接続線に配置される。 A third data transmission pin 27 of the memory card is arranged between the clock signal pin 21 of the memory card and the second data transmission pin 26 of the memory card. The third data transmission pin 27 is isolated from the memory card clock signal pin 21 and the second data transmission pin 26 of the memory card. The center point of the third data transmission pin 27 is arranged on the connecting line between the center point of the clock signal pin 21 and the center point of the second data transmission pin 26 of the memory card.

メモリカードの第4のデータ伝送ピン28は、メモリカードの電源ピン22とメモリカードの接地信号ピン24との間に配置される。第4のデータ伝送ピン28は、メモリカードの電源ピン22およびメモリカードの接地信号ピン24から隔離される。第4のデータ伝送ピン28の中心点は、メモリカードの電源ピン22の中心点とメモリカードの接地信号ピン24の中心点との間の接続線に配置される。 A fourth data transmission pin 28 of the memory card is arranged between the power pin 22 of the memory card and the ground signal pin 24 of the memory card. A fourth data transmission pin 28 is isolated from the memory card power pin 22 and the memory card ground signal pin 24 . The center point of the fourth data transmission pin 28 is located on the connection line between the center point of the memory card's power supply pin 22 and the center point of the memory card's ground signal pin 24 .

本実施形態では、具体的には、上記のピン配置から、メモリカードのカード本体上の、3つのピン、すなわち、メモリカードのクロック信号ピン21、メモリカードの第1のデータ伝送ピン25、およびメモリカードの電源ピン22が配置される領域は、Nano－SIMカードのカード本体上の、Nano－SIMカードのクロック信号ピン31、リセット信号ピン32、および電源ピン33が配置される領域に対応することが分かる。 Specifically, in this embodiment, from the above pin arrangement, there are three pins on the card body of the memory card: the clock signal pin 21 of the memory card, the first data transmission pin 25 of the memory card, and the The area where the power supply pin 22 of the memory card is arranged corresponds to the area on the card body of the Nano-SIM card where the clock signal pin 31, the reset signal pin 32, and the power supply pin 33 of the Nano-SIM card are arranged. I understand.

メモリカードのカード本体上の、3つのピン、すなわち、メモリカードの第2のデータ伝送ピン26、メモリカードの制御信号ピン23、およびメモリカードの接地信号ピン24が配置される領域は、Nano－SIMカードのカード本体上の、Nano－SIMカードのデータ伝送ピン34、プログラミング電圧／入力信号ピン35、および接地信号ピン36が配置される領域に対応する。 The area on the card body of the memory card where three pins, namely the second data transmission pin 26 of the memory card, the control signal pin 23 of the memory card, and the ground signal pin 24 of the memory card are arranged, is called Nano- It corresponds to the area on the card body of the SIM card where the data transmission pin 34, the programming voltage/input signal pin 35 and the ground signal pin 36 of the Nano-SIM card are arranged.

メモリカードの第3のデータ伝送ピン27は、メモリカードのクロック信号ピン21とメモリカードの第2のデータ伝送ピン26との間に配置される。場合により、メモリカードの第3のデータ伝送ピン27の中心点は、メモリカードのクロック信号ピン21の中心点とメモリカードの第2のデータ伝送ピン26の中心点との間の接続線に配置される。メモリカードの第4のデータ伝送ピン28は、メモリカードの電源ピン22とメモリカードの接地信号ピン24との間に配置される。場合により、メモリカードの第4のデータ伝送ピン28の中心点は、メモリカードの電源ピン22の中心点とメモリカードの接地信号ピン24の中心点との間の接続線に配置される。 A third data transmission pin 27 of the memory card is arranged between the clock signal pin 21 of the memory card and the second data transmission pin 26 of the memory card. Optionally, the center point of the third data transmission pin 27 of the memory card is arranged on the connecting line between the center point of the clock signal pin 21 of the memory card and the center point of the second data transmission pin 26 of the memory card. be done. A fourth data transmission pin 28 of the memory card is arranged between the power pin 22 of the memory card and the ground signal pin 24 of the memory card. Optionally, the center point of the fourth data transmission pin 28 of the memory card is located on the connecting line between the center point of the power pin 22 of the memory card and the center point of the ground signal pin 24 of the memory card.

例えば、図7の角度から見ると、左から右へ、メモリカードのクロック信号ピン21は、第1の縁部および第2の縁部を有し、メモリカードは、第1の側縁部および第2の側縁部を有し、メモリカードの第3のデータ伝送ピン27は第1の縁部および第2の縁部を有し、メモリカードの第2のデータ伝送ピン26は第1の縁部および第2の縁部を有する。メモリカードのクロック信号ピン21の第1の縁部からメモリカードの第1の側縁部までの距離の最大長は1．00ミリメートルであり、メモリカードのクロック信号ピン21の第2の縁部からメモリカードの第1の側縁部までの距離の最小長は3．00ミリメートルである。メモリカードの第3のデータ伝送ピン27の第1の縁部からメモリカードの第1の側縁部までの距離の最大長は4．81ミリメートルであり、メモリカードの第3のデータ伝送ピン27の第2の縁部からメモリカードの第1の側縁部までの距離の最小長は6．81ミリメートルである。メモリカードの第2のデータ伝送ピン26の第1の縁部からメモリカードの第1の側縁部までの距離の最大長は8．62ミリメートルであり、メモリカードの第2のデータ伝送ピン26の第2の縁部からメモリカードの第1の側縁部までの距離の最小長は10．02ミリメートルである。メモリカードの第1の側縁部とメモリカードの第2の側縁部との間の距離の値は12．30ミリメートルであり、公差は0．1ミリメートルである。メモリカードの第2のデータ伝送ピン26からメモリカードの第2の側縁部までの距離の長さは1．65ミリメートルであり、公差は0．1ミリメートルである。メモリカードの位置決めノッチの角度は45度である。図7の別のピンの第1の縁部および第2の縁部からそれぞれメモリカードの第1の側縁部およびメモリカードの第2の側縁部までの距離の長さについては、上述のデータを参照されたい。 For example, viewed from the angle of FIG. 7, from left to right, the memory card's clock signal pin 21 has a first edge and a second edge, and the memory card has a first side edge and a second edge. It has a second side edge, the memory card third data transmission pin 27 has a first edge and a second edge, and the memory card second data transmission pin 26 has a first edge. It has an edge and a second edge. The maximum length of the distance from the first edge of the memory card clock signal pin 21 to the first side edge of the memory card is 1.00 millimeters, and the second edge of the memory card clock signal pin 21 is 1.00 millimeters. to the first side edge of the memory card is 3.00 millimeters. The maximum length of the distance from the first edge of the memory card third data transmission pin 27 to the memory card first side edge is 4.81 millimeters, and the memory card third data transmission pin 27 The minimum length of the distance from the second edge of the memory card to the first side edge of the memory card is 6.81 millimeters. The maximum length of the distance from the first edge of the second data transmission pin 26 of the memory card to the first side edge of the memory card is 8.62 millimeters, and the second data transmission pin 26 of the memory card The minimum length of the distance from the second edge of the memory card to the first side edge of the memory card is 10.02 millimeters. The value of the distance between the first side edge of the memory card and the second side edge of the memory card is 12.30 millimeters with a tolerance of 0.1 millimeters. The length of the distance from the second data transmission pin 26 of the memory card to the second side edge of the memory card is 1.65 millimeters with a tolerance of 0.1 millimeters. The angle of the memory card positioning notch is 45 degrees. The length of the distance from the first edge and second edge of another pin in FIG. Please refer to the data.

図7の角度から見ると、上から下に、メモリカードは第3の側縁部および第4の側縁部を有し、メモリカードの第2のデータ伝送ピン26は第3の縁部および第4の縁部を有し、メモリカードの制御信号ピン23は第3の縁部および第4の縁部を有し、メモリカードの接地信号ピン24は第3の縁部および第4の縁部を有し、メモリカードの第4のデータ伝送ピン28は第3の縁部および第4の縁部を有し、メモリカードの第3のデータ伝送ピン27は第3の縁部および第4の縁部を有する。メモリカードの第4のデータ伝送ピン28の第3の縁部からメモリカードの第3の側縁部までの距離の最大長は0．81ミリメートルであり、メモリカードの第4のデータ伝送ピン28の第4の縁部からメモリカードの第3の側縁部までの距離の最小長は2．51ミリメートルである。メモリカードの第3のデータ伝送ピン27の第3の縁部からメモリカードの第3の側縁部までの距離の最大長は6．29ミリメートルであり、メモリカードの第3のデータ伝送ピン27の第4の縁部からメモリカードの第3の側縁部までの距離の最小長は7．99ミリメートルである。メモリカードの接地信号ピン24の第3の縁部からメモリカードの第3の側縁部までの距離の最大長は1．01ミリメートルであり、メモリカードの接地信号ピン24の第4の縁部からメモリカードの第3の側縁部までの距離の最小長は2．71ミリメートルである。メモリカードの制御信号ピン23の第3の縁部からメモリカードの第3の側縁部までの距離の最大長は3．55ミリメートルであり、メモリカードの制御信号ピン23の第4の縁部からメモリカードの第3の側縁部までの距離の最小長は5．25ミリメートルである。メモリカードの第2のデータ伝送ピン26の第3の縁部からメモリカードの第3の側縁部までの距離の最大長は6．09ミリメートルであり、メモリカードの第2のデータ伝送ピン26の第4の縁部からメモリカードの第3の側縁部までの距離の最小長は7．79ミリメートルである。メモリカードの第3の側縁部とメモリカードの第4の側縁部との間の距離の値は8．80ミリメートルであり、公差は0．1ミリメートルである。 Viewed from the angle of FIG. 7, from top to bottom, the memory card has a third side edge and a fourth side edge, and the second data transmission pins 26 of the memory card are located at the third edge and the fourth side edge. It has a fourth edge, the memory card control signal pin 23 has a third edge and a fourth edge, and the memory card ground signal pin 24 has a third edge and a fourth edge. a fourth data transmission pin 28 of the memory card has a third edge and a fourth edge; a third data transmission pin 27 of the memory card has a third edge and a fourth edge; edges. The maximum length of the distance from the third edge of the memory card fourth data transmission pin 28 to the memory card third side edge is 0.81 millimeters, and the memory card fourth data transmission pin 28 The minimum length of the distance from the fourth edge of the memory card to the third side edge of the memory card is 2.51 millimeters. The maximum length of the distance from the third edge of the third data transmission pin 27 of the memory card to the third side edge of the memory card is 6.29 millimeters, and the third data transmission pin 27 of the memory card The minimum length of the distance from the fourth edge of the memory card to the third side edge of the memory card is 7.99 millimeters. The maximum length of the distance from the third edge of the ground signal pin 24 of the memory card to the third side edge of the memory card is 1.01 millimeters, and the fourth edge of the ground signal pin 24 of the memory card is to the third side edge of the memory card is 2.71 millimeters. The maximum length of the distance from the third edge of the memory card control signal pin 23 to the third side edge of the memory card is 3.55 millimeters, and the fourth edge of the memory card control signal pin 23 to the third side edge of the memory card is 5.25 millimeters. The maximum length of the distance from the third edge of the second data transmission pin 26 of the memory card to the third side edge of the memory card is 6.09 millimeters, and the second data transmission pin 26 of the memory card The minimum length of the distance from the fourth edge of the memory card to the third side edge of the memory card is 7.79 millimeters. The value of the distance between the third side edge of the memory card and the fourth side edge of the memory card is 8.80 millimeters with a tolerance of 0.1 millimeters.

加えて、本実施形態では、メモリカードのピン（または接点、または接続端子）間に間隔があってもよく、したがって、メモリカードのワイヤがこれらの間隔の表面上に配置されてもよい、または間隔がなくてもよく、したがって、メモリカードのワイヤがメモリカードのカード本体の内側にあってもよい。 Additionally, in this embodiment, there may be spacing between the pins (or contacts, or connection terminals) of the memory card, so that the wires of the memory card may be placed on these spacing surfaces, or There may be no spacing and therefore the wires of the memory card may be inside the card body of the memory card.

本実施形態では、「対応する」は、マッピング関係とも呼ばれ得る。例えば、メモリカードのカード本体上の、メモリカードの電源ピン22が配置される領域が、Nano－SIMカードのカード本体上の、Nano－SIMカードの電源ピン33が配置される領域に対応することは、メモリカードの電源ピン22がNano－SIMカードの電源ピン33にマッピングされることを意味する。具体的には、メモリカードの電源ピン22とNano－SIMカードの電源ピン33とは、Nano－SIMカードホルダの同じばねに対応する／マッピングされる。 In this embodiment, "corresponding" may also be referred to as a mapping relationship. For example, the area on the card body of the memory card where the power pins 22 of the memory card are arranged corresponds to the area on the card body of the Nano-SIM card where the power pins 33 of the Nano-SIM card are arranged. means that the power pin 22 of the memory card is mapped to the power pin 33 of the Nano-SIM card. Specifically, the power pin 22 of the memory card and the power pin 33 of the Nano-SIM card correspond/map to the same spring of the Nano-SIM card holder.

図8は、本出願の一実施形態によるまたさらなるメモリカードの概略構成図である。図8に示されるように、図1に示される実施形態で提供されるメモリカードに基づいて、メモリカードは4つのデータ伝送ピンを備える。4つのデータ伝送ピンは、第1のデータ伝送ピン25、第2のデータ伝送ピン26、第3のデータ伝送ピン27、および第4のデータ伝送ピン28である。 FIG. 8 is a schematic configuration diagram of yet another memory card according to one embodiment of the present application. As shown in FIG. 8, based on the memory card provided in the embodiment shown in FIG. 1, the memory card has four data transmission pins. The four data transmission pins are a first data transmission pin 25, a second data transmission pin 26, a third data transmission pin 27 and a fourth data transmission pin .

メモリカードのカード本体上の、メモリカードの第2のデータ伝送ピン26が配置される領域は、Nano－SIMカードのカード本体上の、Nano－SIMカードのクロック信号ピン31が配置される領域に対応する。 The area on the card body of the memory card where the second data transmission pin 26 of the memory card is arranged corresponds to the area on the card body of the Nano-SIM card where the clock signal pin 31 of the Nano-SIM card is arranged. handle.

メモリカードのカード本体上の、メモリカードの制御信号ピン23が配置される領域は、Nano－SIMカードのカード本体上の、Nano－SIMカードのリセット信号ピン32が配置される領域に対応する。 The area on the card body of the memory card where the control signal pin 23 of the memory card is arranged corresponds to the area on the card body of the Nano-SIM card where the reset signal pin 32 of the Nano-SIM card is arranged.

メモリカードの第3のデータ伝送ピン27は、メモリカードの電源ピン22に隣接し、それから隔離される。メモリカードのカード本体上の、メモリカードの第3のデータ伝送ピン27および電源ピン22が配置される領域は、Nano－SIMカードのカード本体上の、Nano－SIMカードの電源ピン33が配置される領域に対応する。第3のデータ伝送ピン27は、メモリカードの制御信号ピン23に隣接する。 A third data transmission pin 27 of the memory card is adjacent to and isolated from the power pin 22 of the memory card. The area on the card body of the memory card where the third data transmission pin 27 and the power pin 22 of the memory card are arranged is the area where the power pin 33 of the Nano-SIM card on the card body of the Nano-SIM card is arranged. corresponds to the area where A third data transmission pin 27 is adjacent to the control signal pin 23 of the memory card.

メモリカードのカード本体上の、メモリカードのクロック信号ピン21が配置される領域は、Nano－SIMカードのカード本体上の、Nano－SIMカードのデータ伝送ピン34が配置される領域に対応する。 The area on the card body of the memory card where the clock signal pin 21 of the memory card is arranged corresponds to the area on the card body of the Nano-SIM card where the data transmission pin 34 of the Nano-SIM card is arranged.

メモリカードのカード本体上の、メモリカードの第1のデータ伝送ピン25が配置される領域は、Nano－SIMカードのカード本体上の、Nano－SIMカードのプログラミング電圧／入力信号ピン35が配置される領域に対応する。 The area on the card body of the memory card where the first data transmission pin 25 of the memory card is arranged is the area where the programming voltage/input signal pin 35 of the Nano-SIM card on the card body of the Nano-SIM card is arranged. corresponds to the area where

メモリカードの第4のデータ伝送ピン28は、メモリカードの接地信号ピン24に隣接し、それから隔離される。メモリカードのカード本体上の、メモリカードの第4のデータ伝送ピン28および接地信号ピン24が配置される領域は、Nano－SIMカードのカード本体上の、Nano－SIMカードの接地信号ピン36が配置される領域に対応する。第4のデータ伝送ピン28は、メモリカードの第1のデータ伝送ピン25に隣接する。 A fourth data transmission pin 28 of the memory card is adjacent to and isolated from the ground signal pin 24 of the memory card. The area on the card body of the memory card where the fourth data transmission pin 28 and the ground signal pin 24 of the memory card are arranged is the area where the ground signal pin 36 of the Nano-SIM card on the card body of the Nano-SIM card is located. Corresponds to the area to be placed. A fourth data transmission pin 28 is adjacent to the first data transmission pin 25 of the memory card.

本実施形態では、具体的には、メモリカードのカード本体上の、4つのピン、すなわち、メモリカードの第2のデータ伝送ピン26、メモリカードの制御信号ピン23、メモリカードの第3のデータ伝送ピン27、およびメモリカードの電源ピン22が配置される領域は、Nano－SIMカードのカード本体上の、Nano－SIMカードのクロック信号ピン31、リセット信号ピン32、および電源ピン33が配置される領域に対応する。メモリカードの第3のデータ伝送ピン27およびメモリカードの電源ピン22は、Nano－SIMカードの電源ピン33の領域を2つのピンに分割することにより得られることが分かる。メモリカードの第3のデータ伝送ピン27およびメモリカードの電源ピン22の形状およびサイズは限定されない。加えて、メモリカードの第2のデータ伝送ピン26およびメモリカードの制御信号ピン23の形状およびサイズは限定されない。 In this embodiment, specifically, four pins on the card body of the memory card, namely, the second data transmission pin 26 of the memory card, the control signal pin 23 of the memory card, and the third data transmission pin 23 of the memory card. The area where the transmission pin 27 and the power supply pin 22 of the memory card are arranged is the area where the clock signal pin 31, the reset signal pin 32, and the power supply pin 33 of the Nano-SIM card on the card body of the Nano-SIM card are arranged. corresponds to the area where It can be seen that the third data transmission pin 27 of the memory card and the power pin 22 of the memory card are obtained by dividing the area of the power pin 33 of the Nano-SIM card into two pins. The shape and size of the third data transmission pin 27 of the memory card and the power pin 22 of the memory card are not limited. In addition, the shape and size of the second data transmission pin 26 of the memory card and the control signal pin 23 of the memory card are not limited.

さらに、メモリカードのカード本体上の、4つのピン、すなわち、メモリカードのクロック信号ピン21、メモリカードの第1のデータ伝送ピン25、メモリカードの第4のデータ伝送ピン28、およびメモリカードの接地信号ピン24が配置される領域は、Nano－SIMカードのカード本体上の、Nano－SIMカードのデータ伝送ピン34、プログラミング電圧／入力信号ピン35、および接地信号ピン36が配置される領域に対応する。メモリカードの第4のデータ伝送ピン28およびメモリカードの接地信号ピン24は、Nano－SIMカードの接地信号ピン36の領域を2つのピンに分割することにより得られることが分かる。メモリカードの第4のデータ伝送ピン28およびメモリカードの接地信号ピン24の形状およびサイズは限定されない。加えて、メモリカードのクロック信号ピン21およびメモリカードの第1のデータ伝送ピン25の形状およびサイズは限定されない。 In addition, there are four pins on the card body of the memory card: the memory card's clock signal pin 21, the memory card's first data transmission pin 25, the memory card's fourth data transmission pin 28, and the memory card's The area where the ground signal pin 24 is arranged is the area on the card body of the Nano-SIM card where the data transmission pin 34, the programming voltage/input signal pin 35, and the ground signal pin 36 of the Nano-SIM card are arranged. handle. It can be seen that the fourth data transmission pin 28 of the memory card and the ground signal pin 24 of the memory card are obtained by dividing the area of the ground signal pin 36 of the Nano-SIM card into two pins. The shape and size of the memory card fourth data transmission pin 28 and the memory card ground signal pin 24 are not limited. In addition, the shape and size of the memory card clock signal pin 21 and the memory card first data transmission pin 25 are not limited.

加えて、本実施形態では、メモリカードのピン（または接点、または接続端子）間に間隔があってもよく、したがって、メモリカードのワイヤがこれらの間隔の表面上に配置されてもよい、または間隔がなくてもよく、したがって、メモリカードのワイヤがメモリカードのカード本体の内側にあってもよい。 Additionally, in this embodiment, there may be spacing between the pins (or contacts, or connection terminals) of the memory card, so that the wires of the memory card may be placed on these spacing surfaces, or There may be no spacing and therefore the wires of the memory card may be inside the card body of the memory card.

本実施形態では、「対応する」は、マッピング関係とも呼ばれ得る。例えば、メモリカードのカード本体上の、メモリカードの第2のデータ伝送ピン26が配置される領域が、Nano－SIMカードのカード本体上の、Nano－SIMカードのクロック信号ピン31が配置される領域に対応することは、メモリカードの第2のデータ伝送ピン26がNano－SIMカードのクロック信号ピン31にマッピングされることを意味する。具体的には、メモリカードの第2のデータ伝送ピン26とNano－SIMカードのクロック信号ピン31とは、Nano－SIMカードホルダの同じばねに対応する／マッピングされる。 In this embodiment, "corresponding" may also be referred to as a mapping relationship. For example, the area on the card body of the memory card where the second data transmission pin 26 of the memory card is arranged is the area on the card body of the Nano-SIM card where the clock signal pin 31 of the Nano-SIM card is arranged. Corresponding to the region means that the second data transmission pin 26 of the memory card is mapped to the clock signal pin 31 of the Nano-SIM card. Specifically, the second data transmission pin 26 of the memory card and the clock signal pin 31 of the Nano-SIM card correspond/map to the same spring of the Nano-SIM card holder.

図9は、本出願の一実施形態によるまたさらなるメモリカードの概略構成図である。図9に示されるように、図1に示される実施形態で提供されるメモリカードに基づいて、メモリカードは4つのデータ伝送ピンを備える。4つのデータ伝送ピンは、第1のデータ伝送ピン25、第2のデータ伝送ピン26、第3のデータ伝送ピン27、および第4のデータ伝送ピン28である。 FIG. 9 is a schematic configuration diagram of yet another memory card according to one embodiment of the present application. As shown in FIG. 9, based on the memory card provided in the embodiment shown in FIG. 1, the memory card has four data transmission pins. The four data transmission pins are a first data transmission pin 25, a second data transmission pin 26, a third data transmission pin 27 and a fourth data transmission pin .

メモリカードの第3のデータ伝送ピン27は、メモリカードのクロック信号ピン21に隣接し、それから隔離される。メモリカードのカード本体上の、メモリカードの第3のデータ伝送ピン27およびクロック信号ピン21が配置される領域は、Nano－SIMカードのカード本体上の、Nano－SIMカードのクロック信号ピン31が配置される領域に対応する。 A third data transmission pin 27 of the memory card is adjacent to and isolated from the clock signal pin 21 of the memory card. The area on the card body of the memory card where the third data transmission pin 27 and the clock signal pin 21 of the memory card are arranged is the area where the clock signal pin 31 of the Nano-SIM card on the card body of the Nano-SIM card is located. Corresponds to the area to be placed.

メモリカードのカード本体上の、メモリカードの制御信号ピン23が配置される領域は、Nano－SIMカードのカード本体上の、Nano－SIMカードのリセット信号ピン32が配置される領域に対応する。メモリカードのクロック信号ピンは、メモリカードの制御信号ピン23に隣接する。 The area on the card body of the memory card where the control signal pin 23 of the memory card is arranged corresponds to the area on the card body of the Nano-SIM card where the reset signal pin 32 of the Nano-SIM card is arranged. The clock signal pin of the memory card is adjacent to the control signal pin 23 of the memory card.

メモリカードのカード本体上の、メモリカードの接地信号ピン24が配置される領域は、Nano－SIMカードのカード本体上の、Nano－SIMカードの電源ピン33が配置される領域に対応する。 The area on the card body of the memory card where the ground signal pin 24 of the memory card is arranged corresponds to the area on the card body of the Nano-SIM card where the power supply pin 33 of the Nano-SIM card is arranged.

メモリカードの第4のデータ伝送ピン28は、メモリカードの第2のデータ伝送ピン26に隣接し、それから隔離される。メモリカードのカード本体上の、第4のデータ伝送ピン28および第2のデータ伝送ピン26が配置される領域は、Nano－SIMカードのカード本体上の、Nano－SIMカードのデータ伝送ピン34が配置される領域に対応する。 A fourth data transmission pin 28 of the memory card is adjacent to and isolated from the second data transmission pin 26 of the memory card. The area where the fourth data transmission pin 28 and the second data transmission pin 26 on the card body of the memory card are arranged is the area where the data transmission pin 34 of the Nano-SIM card on the card body of the Nano-SIM card is located. Corresponds to the area to be placed.

メモリカードのカード本体上の、メモリカードの第1のデータ伝送ピン25が配置される領域は、Nano－SIMカードのカード本体上の、Nano－SIMカードのプログラミング電圧／入力信号ピン35が配置される領域に対応する。第2のデータ伝送ピン26は、第1のデータ伝送ピン25に隣接する。 The area on the card body of the memory card where the first data transmission pin 25 of the memory card is arranged is the area where the programming voltage/input signal pin 35 of the Nano-SIM card on the card body of the Nano-SIM card is arranged. corresponds to the area where A second data transmission pin 26 is adjacent to the first data transmission pin 25 .

メモリカードのカード本体上の、メモリカードの電源ピン22が配置される領域は、Nano－SIMカードのカード本体上の、Nano－SIMカードの接地信号ピン36が配置される領域に対応する。 The area on the card body of the memory card where the power supply pin 22 of the memory card is arranged corresponds to the area on the card body of the Nano-SIM card where the ground signal pin 36 of the Nano-SIM card is arranged.

本実施形態では、具体的には、上記のピン配置から、メモリカードのカード本体上の、4つのピン、すなわち、メモリカードの第3のデータ伝送ピン27、メモリカードのクロック信号ピン21、メモリカードの制御信号ピン23、およびメモリカードの接地信号ピン24が配置される領域は、Nano－SIMカードのカード本体上の、Nano－SIMカードのクロック信号ピン31、リセット信号ピン32、および電源ピン33が配置される領域に対応することが分かる。メモリカードの第3のデータ伝送ピン27およびメモリカードのクロック信号ピン21は、Nano－SIMカードのクロック信号ピン31の領域を2つのピンに分割することにより得られることが分かる。メモリカードの第3のデータ伝送ピン27およびメモリカードのクロック信号ピン21の形状およびサイズは限定されない。加えて、加えて、メモリカードの制御信号ピン23およびメモリカードの接地信号ピン24の形状およびサイズは限定されない。 Specifically, in this embodiment, from the above pin arrangement, four pins on the card body of the memory card, namely, the third data transmission pin 27 of the memory card, the clock signal pin 21 of the memory card, the memory The area where the control signal pin 23 of the card and the ground signal pin 24 of the memory card are arranged is the clock signal pin 31 of the Nano-SIM card, the reset signal pin 32, and the power pin on the card body of the Nano-SIM card. It can be seen that it corresponds to the area where 33 is placed. It can be seen that the third data transmission pin 27 of the memory card and the clock signal pin 21 of the memory card are obtained by dividing the area of the clock signal pin 31 of the Nano-SIM card into two pins. The shape and size of the third data transmission pin 27 of the memory card and the clock signal pin 21 of the memory card are not limited. In addition, the shape and size of memory card control signal pin 23 and memory card ground signal pin 24 are not limited.

メモリカードのカード本体上の、4つのピン、すなわち、メモリカードの第4のデータ伝送ピン28、メモリカードの第2のデータ伝送ピン26、メモリカードの第1のデータ伝送ピン25、およびメモリカードの電源ピン22が配置される領域は、Nano－SIMカードのカード本体上の、Nano－SIMカードのデータ伝送ピン34、プログラミング電圧／入力信号ピン35、および接地信号ピン36が配置される領域に対応する。メモリカードの第4のデータ伝送ピン28およびメモリカードの第2のデータ伝送ピン26は、Nano－SIMカードのデータ伝送ピン34の領域を2つのピンに分割することにより得られることが分かる。メモリカードの第4のデータ伝送ピン28およびメモリカードの第2のデータ伝送ピン26の形状およびサイズは限定されない。加えて、メモリカードの第1のデータ伝送ピン25およびメモリカードの電源ピン22の形状およびサイズは限定されない。 Four pins on the card body of the memory card: the fourth data transmission pin 28 of the memory card, the second data transmission pin 26 of the memory card, the first data transmission pin 25 of the memory card, and the memory card. The area where the power supply pin 22 is arranged is the area where the data transmission pin 34, the programming voltage/input signal pin 35, and the ground signal pin 36 of the Nano-SIM card are arranged on the card body of the Nano-SIM card. handle. It can be seen that the fourth data transmission pin 28 of the memory card and the second data transmission pin 26 of the memory card are obtained by dividing the area of the data transmission pin 34 of the Nano-SIM card into two pins. The shape and size of the memory card fourth data transmission pin 28 and the memory card second data transmission pin 26 are not limited. In addition, the shape and size of the first data transmission pin 25 of the memory card and the power pin 22 of the memory card are not limited.

加えて、本実施形態では、メモリカードのピン（または接点、または接続端子）間に間隔があってもよく、したがって、メモリカードのワイヤがこれらの間隔の表面上に配置されてもよい、または間隔がなくてもよく、したがって、メモリカードのワイヤがメモリカードのカード本体の内側にあってもよい。 Additionally, in this embodiment, there may be spacing between the pins (or contacts, or connection terminals) of the memory card, so that the wires of the memory card may be placed on these spacing surfaces, or There may be no spacing and therefore the wires of the memory card may be inside the card body of the memory card.

本実施形態では、「対応する」は、マッピング関係とも呼ばれ得る。例えば、メモリカードのカード本体上の、メモリカードの接地信号ピン24が配置される領域が、Nano－SIMカードのカード本体上の、Nano－SIMカードの電源ピン33が配置される領域に対応することは、メモリカードの接地信号ピン24がNano－SIMカードの電源ピン33にマッピングされることを意味する。具体的には、メモリカードの接地信号ピン24とNano－SIMカードの電源ピン3とは、Nano－SIMカードホルダの同じばねに対応する／マッピングされる。 In this embodiment, "corresponding" may also be referred to as a mapping relationship. For example, the area on the card body of the memory card where the ground signal pin 24 of the memory card is arranged corresponds to the area on the card body of the Nano-SIM card where the power supply pin 33 of the Nano-SIM card is arranged. That means that the ground signal pin 24 of the memory card is mapped to the power pin 33 of the Nano-SIM card. Specifically, the ground signal pin 24 of the memory card and the power pin 3 of the Nano-SIM card correspond/map to the same spring of the Nano-SIM card holder.

図10は、本出願の一実施形態によるまたさらなるメモリカードの概略構成図である。図10に示されるように、図1に示される実施形態で提供されるメモリカードに基づいて、メモリカードは4つのデータ伝送ピンを備える。4つのデータ伝送ピンは、第1のデータ伝送ピン25、第2のデータ伝送ピン26、第3のデータ伝送ピン27、および第4のデータ伝送ピン28である。 FIG. 10 is a schematic configuration diagram of yet another memory card according to one embodiment of the present application. As shown in FIG. 10, based on the memory card provided in the embodiment shown in FIG. 1, the memory card has four data transmission pins. The four data transmission pins are a first data transmission pin 25, a second data transmission pin 26, a third data transmission pin 27 and a fourth data transmission pin .

メモリカードのカード本体上の、メモリカードの第2のデータ伝送ピン26が配置される領域は、Nano－SIMカードのカード本体上の、Nano－SIMカードのクロック信号ピン31が配置される領域に対応する。 The area on the card body of the memory card where the second data transmission pin 26 of the memory card is arranged corresponds to the area on the card body of the Nano-SIM card where the clock signal pin 31 of the Nano-SIM card is arranged. handle.

メモリカードの第1のデータ伝送ピン25は、メモリカードの第3のデータ伝送ピン27に隣接し、それから隔離される。メモリカードのカード本体上の、第1のデータ伝送ピン25および第3のデータ伝送ピン27が配置される領域は、Nano－SIMカードのカード本体上の、Nano－SIMカードのリセット信号ピン32が配置される領域に対応する。第1のデータ伝送ピン25は、メモリカードの第2のデータ伝送ピン26に隣接する。 A first data transmission pin 25 of the memory card is adjacent to and isolated from a third data transmission pin 27 of the memory card. The area where the first data transmission pin 25 and the third data transmission pin 27 on the card body of the memory card are arranged is the area where the reset signal pin 32 of the Nano-SIM card on the card body of the Nano-SIM card is located. Corresponds to the area to be placed. A first data transmission pin 25 is adjacent to a second data transmission pin 26 of the memory card.

メモリカードのカード本体上の、メモリカードの接地信号ピン24が配置される領域は、Nano－SIMカードのカード本体上の、Nano－SIMカードの電源ピン33が配置される領域に対応する。 The area on the card body of the memory card where the ground signal pin 24 of the memory card is arranged corresponds to the area on the card body of the Nano-SIM card where the power supply pin 33 of the Nano-SIM card is arranged.

メモリカードのカード本体上の、メモリカードのクロック信号ピン21が配置される領域は、Nano－SIMカードのカード本体上の、Nano－SIMカードのデータ伝送ピン34が配置される領域に対応する。 The area on the card body of the memory card where the clock signal pin 21 of the memory card is arranged corresponds to the area on the card body of the Nano-SIM card where the data transmission pin 34 of the Nano-SIM card is arranged.

メモリカードの制御信号ピン23は、メモリカードの第4のデータ伝送ピン28に隣接し、それから隔離される。メモリカードのカード本体上の、メモリカードの制御信号ピン23および第4のデータ伝送ピン28が配置される領域は、Nano－SIMカードのカード本体上の、Nano－SIMカードのプログラミング電圧／入力信号ピン35が配置される領域に対応する。メモリカードの制御信号ピン23は、メモリカードのクロック信号ピン21に隣接する。 A control signal pin 23 of the memory card is adjacent to and isolated from a fourth data transmission pin 28 of the memory card. The area on the card body of the memory card where the control signal pin 23 and the fourth data transmission pin 28 of the memory card are arranged is the programming voltage/input signal of the Nano-SIM card on the card body of the Nano-SIM card. It corresponds to the area where the pin 35 is arranged. The control signal pin 23 of the memory card is adjacent to the clock signal pin 21 of the memory card.

メモリカードのカード本体上の、メモリカードの電源ピン22が配置される領域は、Nano－SIMカードのカード本体上の、Nano－SIMカードの接地信号ピン36が配置される領域に対応する。 The area on the card body of the memory card where the power supply pin 22 of the memory card is arranged corresponds to the area on the card body of the Nano-SIM card where the ground signal pin 36 of the Nano-SIM card is arranged.

本実施形態では、具体的には、上記のピン配置から、メモリカードのカード本体上の、4つのピン、すなわち、メモリカードの第2のデータ伝送ピン26、メモリカードの第1のデータ伝送ピン25、メモリカードの第3のデータ伝送ピン27、およびメモリカードの接地信号ピン24が配置される領域は、Nano－SIMカードのカード本体上の、Nano－SIMカードのクロック信号ピン31、リセット信号ピン32、および電源ピン33が配置される領域に対応することが分かる。メモリカードの第1のデータ伝送ピン25およびメモリカードの第3のデータ伝送ピン27は、Nano－SIMカードのリセット信号ピン32の領域を2つのピンに分割することにより得られることが分かる。メモリカードの第1のデータ伝送ピン25およびメモリカードの第3のデータ伝送ピン27の形状およびサイズは限定されない。加えて、メモリカードの第2のデータ伝送ピン26およびメモリカードの接地信号ピン24の形状およびサイズは限定されない。 Specifically, in the present embodiment, from the above pin arrangement, four pins on the card body of the memory card, that is, the second data transmission pin 26 of the memory card and the first data transmission pin of the memory card 25, the area where the third data transmission pin 27 of the memory card and the ground signal pin 24 of the memory card are arranged, the Nano-SIM card clock signal pin 31, the reset signal on the card body of the Nano-SIM card It can be seen that it corresponds to the area where pins 32 and power supply pins 33 are arranged. It can be seen that the first data transmission pin 25 of the memory card and the third data transmission pin 27 of the memory card are obtained by dividing the area of the reset signal pin 32 of the Nano-SIM card into two pins. The shape and size of the first data transmission pin 25 of the memory card and the third data transmission pin 27 of the memory card are not limited. In addition, the shape and size of the second data transmission pin 26 of the memory card and the ground signal pin 24 of the memory card are not limited.

メモリカードのカード本体上の、4つのピン、すなわち、メモリカードのクロック信号ピン21、メモリカードの制御信号ピン23、メモリカードの第4のデータ伝送ピン28、およびメモリカードの電源ピン22が配置される領域は、Nano－SIMカードのカード本体上の、Nano－SIMカードのデータ伝送ピン34、プログラミング電圧／入力信号ピン35、および接地信号ピン36が配置される領域に対応する。メモリカードの制御信号ピン23およびメモリカードの第4のデータ伝送ピン28は、Nano－SIMカードのプログラミング電圧／入力信号ピン35の領域を2つのピンに分割することにより得られることが分かる。メモリカードの制御信号ピン23およびメモリカードの第4のデータ伝送ピン28の形状およびサイズは限定されない。加えて、メモリカードのクロック信号ピン21およびメモリカードの電源ピン22の形状およびサイズは限定されない。 There are four pins on the card body of the memory card: the memory card clock signal pin 21, the memory card control signal pin 23, the memory card fourth data transmission pin 28, and the memory card power supply pin 22. The area covered corresponds to the area on the card body of the Nano-SIM card where the data transmission pin 34, the programming voltage/input signal pin 35 and the ground signal pin 36 of the Nano-SIM card are arranged. It can be seen that the control signal pin 23 of the memory card and the fourth data transmission pin 28 of the memory card are obtained by dividing the area of the programming voltage/input signal pin 35 of the Nano-SIM card into two pins. The shape and size of the memory card control signal pin 23 and the memory card fourth data transmission pin 28 are not limited. In addition, the shape and size of the memory card clock signal pin 21 and the memory card power pin 22 are not limited.

加えて、本実施形態では、メモリカードのピン（または接点、または接続端子）間に間隔があってもよく、したがって、メモリカードのワイヤがこれらの間隔の表面上に配置されてもよい、または間隔がなくてもよく、したがって、メモリカードのワイヤがメモリカードのカード本体の内側にあってもよい。本実施形態では、「対応する」は、マッピング関係とも呼ばれ得る。上述の実施形態の説明を参照されたい。 Additionally, in this embodiment, there may be spacing between the pins (or contacts, or connection terminals) of the memory card, so that the wires of the memory card may be placed on these spacing surfaces, or There may be no spacing and therefore the wires of the memory card may be inside the card body of the memory card. In this embodiment, "corresponding" may also be referred to as a mapping relationship. See the description of the embodiments above.

図11は、本出願の一実施形態によるさらにまた別のメモリカードの概略構成図である。図11に示されるように、図1に示される実施形態で提供されるメモリカードに基づいて、メモリカードは4つのデータ伝送ピンを備える。4つのデータ伝送ピンは、第1のデータ伝送ピン25、第2のデータ伝送ピン26、第3のデータ伝送ピン27、および第4のデータ伝送ピン28である。 FIG. 11 is a schematic configuration diagram of yet another memory card according to one embodiment of the present application. As shown in FIG. 11, based on the memory card provided in the embodiment shown in FIG. 1, the memory card has four data transmission pins. The four data transmission pins are a first data transmission pin 25, a second data transmission pin 26, a third data transmission pin 27 and a fourth data transmission pin .

メモリカードのカード本体上の、メモリカードの第2のデータ伝送ピン26が配置される領域は、Nano－SIMカードのカード本体上の、Nano－SIMカードのクロック信号ピン31が配置される領域に対応する。 The area on the card body of the memory card where the second data transmission pin 26 of the memory card is arranged corresponds to the area on the card body of the Nano-SIM card where the clock signal pin 31 of the Nano-SIM card is arranged. handle.

メモリカードのカード本体上の、メモリカードの制御信号ピン23が配置される領域は、Nano－SIMカードのカード本体上の、Nano－SIMカードのリセット信号ピン32が配置される領域に対応する。 The area on the card body of the memory card where the control signal pin 23 of the memory card is arranged corresponds to the area on the card body of the Nano-SIM card where the reset signal pin 32 of the Nano-SIM card is arranged.

メモリカードの第3のデータ伝送ピン27は、メモリカードの電源ピン22に隣接し、それから隔離される。メモリカードのカード本体上の、メモリカードの第3のデータ伝送ピン27および電源ピン22が配置される領域は、Nano－SIMカードのカード本体上の、Nano－SIMカードの電源ピン33が配置される領域に対応する。メモリカードの電源ピン22は、メモリカードの制御信号ピン23に隣接する。メモリカードの電源ピン22の面積は、メモリカードの第3のデータ伝送ピン27の面積より大きい。 A third data transmission pin 27 of the memory card is adjacent to and isolated from the power pin 22 of the memory card. The area on the card body of the memory card where the third data transmission pin 27 and the power pin 22 of the memory card are arranged is the area where the power pin 33 of the Nano-SIM card on the card body of the Nano-SIM card is arranged. corresponds to the area where The power pin 22 of the memory card is adjacent to the control signal pin 23 of the memory card. The area of the power supply pin 22 of the memory card is larger than the area of the third data transmission pin 27 of the memory card.

メモリカードのカード本体上の、メモリカードのクロック信号ピン21が配置される領域は、Nano－SIMカードのカード本体上の、Nano－SIMカードのデータ伝送ピン34が配置される領域に対応する。 The area on the card body of the memory card where the clock signal pin 21 of the memory card is arranged corresponds to the area on the card body of the Nano-SIM card where the data transmission pin 34 of the Nano-SIM card is arranged.

メモリカードのカード本体上の、メモリカードの第1のデータ伝送ピンが配置される領域は、Nano－SIMカードのカード本体上の、Nano－SIMカードのプログラミング電圧／入力信号ピン35が配置される領域に対応する。 The area on the card body of the memory card where the first data transmission pin of the memory card is arranged is where the programming voltage/input signal pin 35 of the Nano-SIM card on the card body of the Nano-SIM card is arranged. correspond to the area.

メモリカードの第4のデータ伝送ピン28は、メモリカードの接地信号ピン24に隣接し、それから隔離される。メモリカードのカード本体上の、メモリカードの第4のデータ伝送ピン28および接地信号ピン24が配置される領域は、Nano－SIMカードのカード本体上の、Nano－SIMカードの接地信号ピン36が配置される領域に対応する。メモリカードの接地信号ピン24は、メモリカードの第1のデータ伝送ピンに隣接する。メモリカードの接地信号ピン24の面積は、メモリカードの第4のデータ伝送ピン28の面積より大きい。 A fourth data transmission pin 28 of the memory card is adjacent to and isolated from the ground signal pin 24 of the memory card. The area on the card body of the memory card where the fourth data transmission pin 28 and the ground signal pin 24 of the memory card are arranged is the area where the ground signal pin 36 of the Nano-SIM card on the card body of the Nano-SIM card is located. Corresponds to the area to be placed. A ground signal pin 24 of the memory card is adjacent to the first data transmission pin of the memory card. The area of the ground signal pin 24 of the memory card is larger than the area of the fourth data transmission pin 28 of the memory card.

本実施形態では、具体的には、上記のピン配置から、メモリカードのカード本体上の、4つのピン、すなわち、メモリカードの第2のデータ伝送ピン26、メモリカードの制御信号ピン23、メモリカードの電源ピン22、およびメモリカードの第3のデータ伝送ピン27が配置される領域は、Nano－SIMカードのカード本体上の、Nano－SIMカードのクロック信号ピン31、リセット信号ピン32、および電源ピン33が配置される領域に対応することが分かる。メモリカードの電源ピン22およびメモリカードの第3のデータ伝送ピン27は、Nano－SIMカードの電源ピン33の領域を2つのピンに分割することにより得られることが分かる。メモリカードの電源ピン22は、メモリカードの制御信号ピン23に隣接する。メモリカードの電源ピン22およびメモリカードの第3のデータ伝送ピン27の形状およびサイズは限定されない。加えて、メモリカードの第2のデータ伝送ピン26およびメモリカードの制御信号ピン23の形状およびサイズは限定されない。 Specifically, in the present embodiment, from the above pin arrangement, four pins on the card body of the memory card, that is, the second data transmission pin 26 of the memory card, the control signal pin 23 of the memory card, the memory The area where the card's power supply pin 22 and the memory card's third data transmission pin 27 are arranged is the Nano-SIM card's clock signal pin 31, the reset signal pin 32, and the Nano-SIM card's clock signal pin 31, and It can be seen that it corresponds to the area where the power supply pin 33 is arranged. It can be seen that the power pin 22 of the memory card and the third data transmission pin 27 of the memory card are obtained by dividing the area of the power pin 33 of the Nano-SIM card into two pins. The power pin 22 of the memory card is adjacent to the control signal pin 23 of the memory card. The shape and size of the power supply pin 22 of the memory card and the third data transmission pin 27 of the memory card are not limited. In addition, the shape and size of the second data transmission pin 26 of the memory card and the control signal pin 23 of the memory card are not limited.

メモリカードのカード本体上の、4つのピン、すなわち、メモリカードのクロック信号ピン21、メモリカードの第1のデータ伝送ピン25、メモリカードの接地信号ピン24、およびメモリカードの第4のデータ伝送ピン28が配置される領域は、Nano－SIMカードのカード本体上の、Nano－SIMカードのデータ伝送ピン34、プログラミング電圧／入力信号ピン35、および接地信号ピン36が配置される領域に対応する。メモリカードの接地信号ピン24およびメモリカードの第4のデータ伝送ピン28は、Nano－SIMカードの接地信号ピン36の領域を2つのピンに分割することにより得られることが分かる。本実施形態では、メモリカードの接地信号ピン24は、メモリカードの第1のデータ伝送ピン25に隣接する。メモリカードの接地信号ピン24およびメモリカードの第4のデータ伝送ピン28の形状およびサイズは限定されない。加えて、メモリカードのクロック信号ピン21およびメモリカードの第1のデータ伝送ピン25の形状およびサイズは限定されない。 Four pins on the card body of the memory card: memory card clock signal pin 21, memory card first data transmission pin 25, memory card ground signal pin 24, and memory card fourth data transmission pin. The area where the pins 28 are arranged corresponds to the area on the card body of the Nano-SIM card where the data transmission pins 34, the programming voltage/input signal pins 35 and the ground signal pins 36 of the Nano-SIM card are arranged. . It can be seen that the ground signal pin 24 of the memory card and the fourth data transmission pin 28 of the memory card are obtained by dividing the area of the ground signal pin 36 of the Nano-SIM card into two pins. In this embodiment, the ground signal pin 24 of the memory card is adjacent to the first data transmission pin 25 of the memory card. The shape and size of the memory card ground signal pin 24 and the memory card fourth data transmission pin 28 are not limited. In addition, the shape and size of the memory card clock signal pin 21 and the memory card first data transmission pin 25 are not limited.

さらに、メモリカードの電源ピン22の面積は、メモリカードの第3のデータ伝送ピン27の面積より大きく、メモリカードの接地信号ピン24の面積は、メモリカードの第4のデータ伝送ピン28の面積より大きい。したがって、新たに追加されるメモリカードの第3のデータ伝送ピン27およびメモリカードの第4のデータ伝送ピン28は、可能な限りカードの外側に配置される。加えて、メモリカードのカード本体上の、メモリカードの電源ピン22の中心点の位置は、Nano－SIMカードのカード本体上の、Nano－SIMカードの電源ピン33の位置に可能な限り対応し、メモリカードのカード本体上の、メモリカードの接地信号ピン24の中心点の位置は、Nano－SIMカードのカード本体上の、Nano－SIMカードの接地信号ピン36の位置に可能な限り対応する。したがって、Nano－SDカードの許容マージンが拡大され得る。 In addition, the area of the power supply pin 22 of the memory card is greater than the area of the third data transmission pin 27 of the memory card, and the area of the ground signal pin 24 of the memory card is greater than the area of the fourth data transmission pin 28 of the memory card. greater than Therefore, the third data transmission pin 27 of the newly added memory card and the fourth data transmission pin 28 of the memory card are arranged outside the card as much as possible. In addition, the position of the center point of the power pin 22 of the memory card on the card body of the memory card corresponds to the position of the power pin 33 of the Nano-SIM card on the card body of the Nano-SIM card as much as possible. , the position of the center point of the ground signal pin 24 of the memory card on the card body of the memory card corresponds as far as possible to the position of the ground signal pin 36 of the Nano-SIM card on the card body of the Nano-SIM card. . Therefore, the allowable margin of the Nano-SD card can be expanded.

加えて、本実施形態では、メモリカードのピン（または接点、または接続端子）間に間隔があってもよく、したがって、メモリカードのワイヤがこれらの間隔の表面上に配置されてもよい、または間隔がなくてもよく、したがって、メモリカードのワイヤがメモリカードのカード本体の内側にあってもよい。本実施形態では、「対応する」は、マッピング関係とも呼ばれ得る。上述の実施形態の説明を参照されたい。 Additionally, in this embodiment, there may be spacing between the pins (or contacts, or connection terminals) of the memory card, so that the wires of the memory card may be placed on these spacing surfaces, or There may be no spacing and therefore the wires of the memory card may be inside the card body of the memory card. In this embodiment, "corresponding" may also be referred to as a mapping relationship. See the description of the embodiments above.

図12は、本出願の一実施形態によるさらにまた別のメモリカードの概略構成図である。図12に示されるように、図1に示される実施形態で提供されるメモリカードに基づいて、メモリカードは4つのデータ伝送ピンを備える。4つのデータ伝送ピンは、第1のデータ伝送ピン25、第2のデータ伝送ピン26、第3のデータ伝送ピン27、および第4のデータ伝送ピン28である。 FIG. 12 is a schematic configuration diagram of yet another memory card according to one embodiment of the present application. As shown in FIG. 12, based on the memory card provided in the embodiment shown in FIG. 1, the memory card has four data transmission pins. The four data transmission pins are a first data transmission pin 25, a second data transmission pin 26, a third data transmission pin 27 and a fourth data transmission pin .

メモリカードのカード本体上の、メモリカードのクロック信号ピン21が配置される領域は、Nano－SIMカードのカード本体上の、Nano－SIMカードのクロック信号ピン31が配置される領域に対応する。 The area on the card body of the memory card where the clock signal pin 21 of the memory card is arranged corresponds to the area on the card body of the Nano-SIM card where the clock signal pin 31 of the Nano-SIM card is arranged.

メモリカードのカード本体上の、メモリカードの第1のデータ伝送ピン25が配置される領域は、Nano－SIMカードのカード本体上の、Nano－SIMカードのリセット信号ピン32が配置される領域に対応する。 The area on the card body of the memory card where the first data transmission pin 25 of the memory card is arranged corresponds to the area on the card body of the Nano-SIM card where the reset signal pin 32 of the Nano-SIM card is arranged. handle.

メモリカードのカード本体上の、メモリカードの電源ピン22が配置される領域は、Nano－SIMカードのカード本体上の、Nano－SIMカードの電源ピン33が配置される領域に対応する。 The area on the card body of the memory card where the power pins 22 of the memory card are arranged corresponds to the area on the card body of the Nano-SIM card where the power pins 33 of the Nano-SIM card are arranged.

メモリカードのカード本体上の、メモリカードの第2のデータ伝送ピン26が配置される領域は、Nano－SIMカードのカード本体上の、Nano－SIMカードのデータ伝送ピン34が配置される領域に対応する。 The area on the card body of the memory card where the second data transmission pin 26 of the memory card is arranged corresponds to the area on the card body of the Nano-SIM card where the data transmission pin 34 of the Nano-SIM card is arranged. handle.

メモリカードのカード本体上の、メモリカードの制御信号ピン23が配置される領域は、Nano－SIMカードのカード本体上の、Nano－SIMカードのプログラミング電圧／入力信号ピン35が配置される領域に対応する。 The area on the card body of the memory card where the control signal pins 23 of the memory card are arranged corresponds to the area on the card body of the Nano-SIM card where the programming voltage/input signal pins 35 of the Nano-SIM card are arranged. handle.

メモリカードのカード本体上の、メモリカードの接地信号ピン24が配置される領域は、Nano－SIMカードのカード本体上の、Nano－SIMカードの接地信号ピン36が配置される領域に対応する。 The area on the card body of the memory card where the ground signal pin 24 of the memory card is arranged corresponds to the area on the card body of the Nano-SIM card where the ground signal pin 36 of the Nano-SIM card is arranged.

メモリカードの第4のデータ伝送ピン28は、メモリカードのクロック信号ピン21とメモリカードの第2のデータ伝送ピン26との間に配置される。第4のデータ伝送ピン28は、メモリカードのクロック信号ピン21およびメモリカードの第2のデータ伝送ピン26から隔離される。第4のデータ伝送ピン28の中心点は、メモリカードのクロック信号ピン21の中心点と第2のデータ伝送ピン26の中心点との間の接続線に配置される。 A fourth data transmission pin 28 of the memory card is arranged between the clock signal pin 21 of the memory card and the second data transmission pin 26 of the memory card. A fourth data transmission pin 28 is isolated from the memory card clock signal pin 21 and the second data transmission pin 26 of the memory card. The center point of the fourth data transmission pin 28 is located on the connecting line between the center point of the clock signal pin 21 and the center point of the second data transmission pin 26 of the memory card.

メモリカードの第3のデータ伝送ピン27は、メモリカードの電源ピン22とメモリカードの接地信号ピン24との間に配置される。第3のデータ伝送ピン27は、メモリカードの電源ピン22およびメモリカードの接地信号ピン24から隔離される。第3のデータ伝送ピン27の中心点は、メモリカードの電源ピン22の中心点とメモリカードの接地信号ピン24の中心点との間の接続線に配置される。 A third data transmission pin 27 of the memory card is arranged between the power pin 22 of the memory card and the ground signal pin 24 of the memory card. A third data transmission pin 27 is isolated from the memory card power pin 22 and the memory card ground signal pin 24 . The center point of the third data transmission pin 27 is located on the connection line between the center point of the power supply pin 22 of the memory card and the center point of the ground signal pin 24 of the memory card.

本実施形態では、具体的には、上記のピン配置から、メモリカードのカード本体上の、3つのピン、すなわち、メモリカードのクロック信号ピン21、メモリカードの第1のデータ伝送ピン25、およびメモリカードの電源ピン22が配置される領域は、Nano－SIMカードのカード本体上の、Nano－SIMカードのクロック信号ピン31、リセット信号ピン32、および電源ピン33が配置される領域に対応することが分かる。 Specifically, in this embodiment, from the above pin arrangement, there are three pins on the card body of the memory card: the clock signal pin 21 of the memory card, the first data transmission pin 25 of the memory card, and the The area where the power supply pin 22 of the memory card is arranged corresponds to the area on the card body of the Nano-SIM card where the clock signal pin 31, the reset signal pin 32, and the power supply pin 33 of the Nano-SIM card are arranged. I understand.

メモリカードのカード本体上の、3つのピン、すなわち、メモリカードの第2のデータ伝送ピン26、メモリカードの制御信号ピン23、およびメモリカードの接地信号ピン24が配置される領域は、Nano－SIMカードのカード本体上の、Nano－SIMカードのデータ伝送ピン34、プログラミング電圧／入力信号ピン35、および接地信号ピン36が配置される領域に対応する。 The area on the card body of the memory card where three pins, namely the second data transmission pin 26 of the memory card, the control signal pin 23 of the memory card, and the ground signal pin 24 of the memory card are arranged, is called Nano- It corresponds to the area on the card body of the SIM card where the data transmission pin 34, the programming voltage/input signal pin 35 and the ground signal pin 36 of the Nano-SIM card are arranged.

メモリカードの第4のデータ伝送ピン28は、メモリカードのクロック信号ピン21とメモリカードの第2のデータ伝送ピン26との間に配置される。場合により、メモリカードの第4のデータ伝送ピン28の中心点は、メモリカードのクロック信号ピン21の中心点とメモリカードの第2のデータ伝送ピン26の中心点との間の接続線に配置される。メモリカードの第3のデータ伝送ピン27は、メモリカードの電源ピン22とメモリカードの接地信号ピン24との間に配置される。場合により、メモリカードの第3のデータ伝送ピン27の中心点は、メモリカードの電源ピン22の中心点とメモリカードの接地信号ピン24の中心点との間の接続線に配置される。 A fourth data transmission pin 28 of the memory card is arranged between the clock signal pin 21 of the memory card and the second data transmission pin 26 of the memory card. Optionally, the center point of the fourth data transmission pin 28 of the memory card is located on the connecting line between the center point of the clock signal pin 21 of the memory card and the center point of the second data transmission pin 26 of the memory card. be done. A third data transmission pin 27 of the memory card is arranged between the power pin 22 of the memory card and the ground signal pin 24 of the memory card. Optionally, the center point of the third data transmission pin 27 of the memory card is located on the connecting line between the center point of the power supply pin 22 of the memory card and the center point of the ground signal pin 24 of the memory card.

加えて、本実施形態では、メモリカードのピン（または接点、または接続端子）間に間隔があってもよく、したがって、メモリカードのワイヤがこれらの間隔の表面上に配置されてもよい、または間隔がなくてもよく、したがって、メモリカードのワイヤがメモリカードのカード本体の内側にあってもよい。本実施形態では、「対応する」は、マッピング関係とも呼ばれ得る。上述の実施形態の説明を参照されたい。 Additionally, in this embodiment, there may be spacing between the pins (or contacts, or connection terminals) of the memory card, so that the wires of the memory card may be placed on these spacing surfaces, or There may be no spacing and therefore the wires of the memory card may be inside the card body of the memory card. In this embodiment, "corresponding" may also be referred to as a mapping relationship. See the description of the embodiments above.

図13は、本出願の一実施形態によるさらにまた別のメモリカードの概略構成図である。図13に示されるように、図1に示される実施形態で提供されるメモリカードに基づいて、メモリカードは4つのデータ伝送ピンを備える。4つのデータ伝送ピンは、第1のデータ伝送ピン25、第2のデータ伝送ピン26、第3のデータ伝送ピン27、および第4のデータ伝送ピン28である。 FIG. 13 is a schematic configuration diagram of yet another memory card according to one embodiment of the present application. As shown in FIG. 13, based on the memory card provided in the embodiment shown in FIG. 1, the memory card has four data transmission pins. The four data transmission pins are a first data transmission pin 25, a second data transmission pin 26, a third data transmission pin 27 and a fourth data transmission pin .

メモリカードのカード本体上の、メモリカードの第1のデータ伝送ピン25が配置される領域は、Nano－SIMカードのカード本体上の、Nano－SIMカードのクロック信号ピン31が配置される領域に対応する。 The area on the card body of the memory card where the first data transmission pin 25 of the memory card is arranged corresponds to the area on the card body of the Nano-SIM card where the clock signal pin 31 of the Nano-SIM card is arranged. handle.

メモリカードのカード本体上の、メモリカードのクロック信号ピン21が配置される領域は、Nano－SIMカードのカード本体上の、Nano－SIMカードのリセット信号ピン32が配置される領域に対応する。 The area on the card body of the memory card where the clock signal pin 21 of the memory card is arranged corresponds to the area on the card body of the Nano-SIM card where the reset signal pin 32 of the Nano-SIM card is arranged.

メモリカードの第3のデータ伝送ピン27は、メモリカードの電源ピン22に隣接し、それから隔離される。メモリカードのカード本体上の、メモリカードの第3のデータ伝送ピン27および電源ピン22が配置される領域は、Nano－SIMカードのカード本体上の、Nano－SIMカードの電源ピン33が配置される領域に対応する。第3のデータ伝送ピン27は、メモリカードのクロック信号ピン21に隣接する。 A third data transmission pin 27 of the memory card is adjacent to and isolated from the power pin 22 of the memory card. The area on the card body of the memory card where the third data transmission pin 27 and the power pin 22 of the memory card are arranged is the area where the power pin 33 of the Nano-SIM card on the card body of the Nano-SIM card is arranged. corresponds to the area where A third data transmission pin 27 is adjacent to the clock signal pin 21 of the memory card.

メモリカードのカード本体上の、メモリカードの制御信号ピン23が配置される領域は、Nano－SIMカードのカード本体上の、Nano－SIMカードのデータ伝送ピン34が配置される領域に対応する。 The area on the card body of the memory card where the control signal pins 23 of the memory card are arranged corresponds to the area on the card body of the Nano-SIM card where the data transmission pins 34 of the Nano-SIM card are arranged.

メモリカードのカード本体上の、メモリカードの第2のデータ伝送ピン26が配置される領域は、Nano－SIMカードのカード本体上の、Nano－SIMカードのプログラミング電圧／入力信号ピン35が配置される領域に対応する。 The area on the card body of the memory card where the second data transmission pins 26 of the memory card are arranged is the area where the programming voltage/input signal pins 35 of the Nano-SIM card on the card body of the Nano-SIM card are arranged. corresponds to the area where

メモリカードの第4のデータ伝送ピン28は、メモリカードの接地信号ピン24に隣接し、それから隔離される。メモリカードのカード本体上の、メモリカードの第4のデータ伝送ピン28および接地信号ピン24が配置される領域は、Nano－SIMカードのカード本体上の、Nano－SIMカードの接地信号ピン36が配置される領域に対応する。第4のデータ伝送ピン28は、メモリカードの第2のデータ伝送ピン26に隣接する。 A fourth data transmission pin 28 of the memory card is adjacent to and isolated from the ground signal pin 24 of the memory card. The area on the card body of the memory card where the fourth data transmission pin 28 and the ground signal pin 24 of the memory card are arranged is the area where the ground signal pin 36 of the Nano-SIM card on the card body of the Nano-SIM card is located. Corresponds to the area to be placed. A fourth data transmission pin 28 is adjacent to the second data transmission pin 26 of the memory card.

本実施形態では、具体的には、上記のピン配置から、メモリカードのカード本体上の、4つのピン、すなわち、メモリカードの第1のデータ伝送ピン25、メモリカードのクロック信号ピン21、メモリカードの第3のデータ伝送ピン27、およびメモリカードの電源ピン22が配置される領域は、Nano－SIMカードのカード本体上の、Nano－SIMカードのクロック信号ピン31、リセット信号ピン32、および電源ピン33が配置される領域に対応することが分かる。メモリカードの第3のデータ伝送ピン27およびメモリカードの電源ピン22は、Nano－SIMカードの電源ピン33の領域を2つのピンに分割することにより得られることが分かる。メモリカードの第3のデータ伝送ピン27およびメモリカードの電源ピン22の形状およびサイズは限定されない。加えて、メモリカードの第1のデータ伝送ピン25およびメモリカードのクロック信号ピン21の形状およびサイズは限定されない。 Specifically, in this embodiment, from the above pin arrangement, four pins on the card body of the memory card, namely, the first data transmission pin 25 of the memory card, the clock signal pin 21 of the memory card, the memory The area where the third data transmission pin 27 of the card and the power supply pin 22 of the memory card are arranged is the Nano-SIM card clock signal pin 31, reset signal pin 32, and It can be seen that it corresponds to the area where the power supply pin 33 is arranged. It can be seen that the third data transmission pin 27 of the memory card and the power pin 22 of the memory card are obtained by dividing the area of the power pin 33 of the Nano-SIM card into two pins. The shape and size of the third data transmission pin 27 of the memory card and the power pin 22 of the memory card are not limited. In addition, the shape and size of the first data transmission pin 25 of the memory card and the clock signal pin 21 of the memory card are not limited.

メモリカードのカード本体上の、4つのピン、すなわち、メモリカードの制御信号ピン23、メモリカードの第2のデータ伝送ピン26、メモリカードの第4のデータ伝送ピン28、およびメモリカードの接地信号ピン24が配置される領域は、Nano－SIMカードのカード本体上の、Nano－SIMカードのデータ伝送ピン34、プログラミング電圧／入力信号ピン35、および接地信号ピン36が配置される領域に対応する。メモリカードの第4のデータ伝送ピン28およびメモリカードの接地信号ピン24は、Nano－SIMカードの接地信号ピン36の領域を2つのピンに分割することにより得られることが分かる。メモリカードの第4のデータ伝送ピン28およびメモリカードの接地信号ピン24の形状およびサイズは限定されない。加えて、メモリカードの制御信号ピン23およびメモリカードの第2のデータ伝送ピン26の形状およびサイズは限定されない。 Four pins on the card body of the memory card: the memory card control signal pin 23, the memory card second data transmission pin 26, the memory card fourth data transmission pin 28, and the memory card ground signal. The area where the pins 24 are arranged corresponds to the area on the card body of the Nano-SIM card where the data transmission pins 34, the programming voltage/input signal pins 35 and the ground signal pins 36 of the Nano-SIM card are arranged. . It can be seen that the fourth data transmission pin 28 of the memory card and the ground signal pin 24 of the memory card are obtained by dividing the area of the ground signal pin 36 of the Nano-SIM card into two pins. The shape and size of the memory card fourth data transmission pin 28 and the memory card ground signal pin 24 are not limited. In addition, the shape and size of the memory card control signal pin 23 and the memory card second data transmission pin 26 are not limited.

加えて、本実施形態では、メモリカードのピン（または接点、または接続端子）間に間隔があってもよく、したがって、メモリカードのワイヤがこれらの間隔の表面上に配置されてもよい、または間隔がなくてもよく、したがって、メモリカードのワイヤがメモリカードのカード本体の内側にあってもよい。本実施形態では、「対応する」は、マッピング関係とも呼ばれ得る。上述の実施形態の説明を参照されたい。 Additionally, in this embodiment, there may be spacing between the pins (or contacts, or connection terminals) of the memory card, so that the wires of the memory card may be placed on these spacing surfaces, or There may be no spacing and therefore the wires of the memory card may be inside the card body of the memory card. In this embodiment, "corresponding" may also be referred to as a mapping relationship. See the description of the embodiments above.

図14は、本出願の一実施形態によるさらにまた別のメモリカードの概略構成図である。図14に示されるように、図1に示される実施形態で提供されるメモリカードに基づいて、メモリカードは4つのデータ伝送ピンを備える。4つのデータ伝送ピンは、第1のデータ伝送ピン25、第2のデータ伝送ピン26、第3のデータ伝送ピン27、および第4のデータ伝送ピン28である。 FIG. 14 is a schematic configuration diagram of yet another memory card according to one embodiment of the present application. As shown in FIG. 14, based on the memory card provided in the embodiment shown in FIG. 1, the memory card has four data transmission pins. The four data transmission pins are a first data transmission pin 25, a second data transmission pin 26, a third data transmission pin 27 and a fourth data transmission pin .

メモリカードのカード本体上の、メモリカードの第1のデータ伝送ピン25が配置される領域は、Nano－SIMカードのカード本体上の、Nano－SIMカードのクロック信号ピン31が配置される領域に対応する。 The area on the card body of the memory card where the first data transmission pin 25 of the memory card is arranged corresponds to the area on the card body of the Nano-SIM card where the clock signal pin 31 of the Nano-SIM card is arranged. handle.

メモリカードのカード本体上の、メモリカードのクロック信号ピン21が配置される領域は、Nano－SIMカードのカード本体上の、Nano－SIMカードのリセット信号ピン32が配置される領域に対応する。 The area on the card body of the memory card where the clock signal pin 21 of the memory card is arranged corresponds to the area on the card body of the Nano-SIM card where the reset signal pin 32 of the Nano-SIM card is arranged.

メモリカードの第3のデータ伝送ピン27は、メモリカードの電源ピン22に隣接し、それから隔離される。メモリカードのカード本体上の、メモリカードの第3のデータ伝送ピン27および電源ピン22が配置される領域は、Nano－SIMカードのカード本体上の、Nano－SIMカードの電源ピン33が配置される領域に対応する。メモリカードの電源ピン22は、メモリカードのクロック信号ピン21に隣接する。メモリカードの電源ピン22の面積は、メモリカードの第3のデータ伝送ピン27の面積より大きい。 A third data transmission pin 27 of the memory card is adjacent to and isolated from the power pin 22 of the memory card. The area on the card body of the memory card where the third data transmission pin 27 and the power pin 22 of the memory card are arranged is the area where the power pin 33 of the Nano-SIM card on the card body of the Nano-SIM card is arranged. corresponds to the area where The power pin 22 of the memory card is adjacent to the clock signal pin 21 of the memory card. The area of the power supply pin 22 of the memory card is larger than the area of the third data transmission pin 27 of the memory card.

メモリカードのカード本体上の、メモリカードの制御信号ピン23が配置される領域は、Nano－SIMカードのカード本体上の、Nano－SIMカードのデータ伝送ピン34が配置される領域に対応する。 The area on the card body of the memory card where the control signal pins 23 of the memory card are arranged corresponds to the area on the card body of the Nano-SIM card where the data transmission pins 34 of the Nano-SIM card are arranged.

メモリカードのカード本体上の、メモリカードの第2のデータ伝送ピン26が配置される領域は、Nano－SIMカードのカード本体上の、Nano－SIMカードのプログラミング電圧／入力信号ピン35が配置される領域に対応する。 The area on the card body of the memory card where the second data transmission pins 26 of the memory card are arranged is the area where the programming voltage/input signal pins 35 of the Nano-SIM card on the card body of the Nano-SIM card are arranged. corresponds to the area where

メモリカードの第4のデータ伝送ピン28は、メモリカードの接地信号ピン24に隣接し、それから隔離される。メモリカードのカード本体上の、メモリカードの第4のデータ伝送ピン28および接地信号ピン24が配置される領域は、Nano－SIMカードのカード本体上の、Nano－SIMカードの接地信号ピン36が配置される領域に対応する。メモリカードの接地信号ピン24は、メモリカードの第2のデータ伝送ピン26に隣接する。メモリカードの接地信号ピン24の面積は、メモリカードの第4のデータ伝送ピン28の面積より大きい。 A fourth data transmission pin 28 of the memory card is adjacent to and isolated from the ground signal pin 24 of the memory card. The area on the card body of the memory card where the fourth data transmission pin 28 and the ground signal pin 24 of the memory card are arranged is the area where the ground signal pin 36 of the Nano-SIM card on the card body of the Nano-SIM card is located. Corresponds to the area to be placed. A ground signal pin 24 of the memory card is adjacent to a second data transmission pin 26 of the memory card. The area of the ground signal pin 24 of the memory card is larger than the area of the fourth data transmission pin 28 of the memory card.

本実施形態では、具体的には、上記のピン配置から、メモリカードのカード本体上の、4つのピン、すなわち、メモリカードの第1のデータ伝送ピン25、メモリカードのクロック信号ピン21、メモリカードの電源ピン22、およびメモリカードの第3のデータ伝送ピン27が配置される領域は、Nano－SIMカードのカード本体上の、Nano－SIMカードのクロック信号ピン31、リセット信号ピン32、および電源ピン33が配置される領域に対応することが分かる。メモリカードの電源ピン22およびメモリカードの第3のデータ伝送ピン27は、Nano－SIMカードの電源ピン33の領域を2つのピンに分割することにより得られることが分かる。メモリカードの電源ピン22は、メモリカードのクロック信号ピン21に隣接する。メモリカードの電源ピン22およびメモリカードの第3のデータ伝送ピン27の形状およびサイズは限定されない。加えて、メモリカードの第1のデータ伝送ピン25およびメモリカードのクロック信号ピン21の形状およびサイズは限定されない。 Specifically, in this embodiment, from the above pin arrangement, four pins on the card body of the memory card, namely, the first data transmission pin 25 of the memory card, the clock signal pin 21 of the memory card, the memory The area where the card's power supply pin 22 and the memory card's third data transmission pin 27 are arranged is the Nano-SIM card's clock signal pin 31, the reset signal pin 32, and the Nano-SIM card's clock signal pin 31, and It can be seen that it corresponds to the area where the power supply pin 33 is arranged. It can be seen that the power pin 22 of the memory card and the third data transmission pin 27 of the memory card are obtained by dividing the area of the power pin 33 of the Nano-SIM card into two pins. The power pin 22 of the memory card is adjacent to the clock signal pin 21 of the memory card. The shape and size of the power supply pin 22 of the memory card and the third data transmission pin 27 of the memory card are not limited. In addition, the shape and size of the first data transmission pin 25 of the memory card and the clock signal pin 21 of the memory card are not limited.

メモリカードのカード本体上の、4つのピン、すなわち、メモリカードの制御信号ピン23、メモリカードの第2のデータ伝送ピン26、メモリカードの接地信号ピン24、およびメモリカードの第4のデータ伝送ピン28が配置される領域は、Nano－SIMカードのカード本体上の、Nano－SIMカードのデータ伝送ピン34、プログラミング電圧／入力信号ピン35、および接地信号ピン36が配置される領域に対応する。メモリカードの接地信号ピン24およびメモリカードの第4のデータ伝送ピン28は、Nano－SIMカードの接地信号ピン36の領域を2つのピンに分割することにより得られることが分かる。本実施形態では、メモリカードの接地信号ピン24は、メモリカードの第2のデータ伝送ピン26に隣接する。メモリカードの接地信号ピン24およびメモリカードの第4のデータ伝送ピン28の形状およびサイズは限定されない。加えて、メモリカードの制御信号ピン23およびメモリカードの第2のデータ伝送ピン26の形状およびサイズは限定されない。 Four pins on the card body of the memory card: memory card control signal pin 23, memory card second data transmission pin 26, memory card ground signal pin 24, and memory card fourth data transmission. The area where the pins 28 are arranged corresponds to the area on the card body of the Nano-SIM card where the data transmission pins 34, the programming voltage/input signal pins 35 and the ground signal pins 36 of the Nano-SIM card are arranged. . It can be seen that the ground signal pin 24 of the memory card and the fourth data transmission pin 28 of the memory card are obtained by dividing the area of the ground signal pin 36 of the Nano-SIM card into two pins. In this embodiment, the ground signal pin 24 of the memory card is adjacent to the second data transmission pin 26 of the memory card. The shape and size of the memory card ground signal pin 24 and the memory card fourth data transmission pin 28 are not limited. In addition, the shape and size of the memory card control signal pin 23 and the memory card second data transmission pin 26 are not limited.

さらに、メモリカードの電源ピン22の面積は、メモリカードの第3のデータ伝送ピン27の面積より大きく、メモリカードの接地信号ピン24の面積は、メモリカードの第4のデータ伝送ピン28の面積より大きい。したがって、新たに追加されるメモリカードの第3のデータ伝送ピン27およびメモリカードの第4のデータ伝送ピン28は、可能な限りカードの外側に配置される。加えて、メモリカードのカード本体上の、メモリカードの電源ピン22の中心点の位置は、Nano－SIMカードのカード本体上の、Nano－SIMカードの電源ピン33の位置に可能な限り対応し、メモリカードのカード本体上の、メモリカードの接地信号ピン24の中心点の位置は、Nano－SIMカードのカード本体上の、Nano－SIMカードの接地信号ピン36の位置に可能な限り対応する。したがって、Nano－SDカードの許容マージンが拡大され得る。 In addition, the area of the power supply pin 22 of the memory card is greater than the area of the third data transmission pin 27 of the memory card, and the area of the ground signal pin 24 of the memory card is greater than the area of the fourth data transmission pin 28 of the memory card. greater than Therefore, the third data transmission pin 27 of the newly added memory card and the fourth data transmission pin 28 of the memory card are arranged outside the card as much as possible. In addition, the position of the center point of the power pin 22 of the memory card on the card body of the memory card corresponds to the position of the power pin 33 of the Nano-SIM card on the card body of the Nano-SIM card as much as possible. , the position of the center point of the ground signal pin 24 of the memory card on the card body of the memory card corresponds as far as possible to the position of the ground signal pin 36 of the Nano-SIM card on the card body of the Nano-SIM card. . Therefore, the allowable margin of the Nano-SD card can be expanded.

加えて、本実施形態では、メモリカードのピン（または接点、または接続端子）間に間隔があってもよく、したがって、メモリカードのワイヤがこれらの間隔の表面上に配置されてもよい、または間隔がなくてもよく、したがって、メモリカードのワイヤがメモリカードのカード本体の内側にあってもよい。本実施形態では、「対応する」は、マッピング関係とも呼ばれ得る。上述の実施形態の説明を参照されたい。 Additionally, in this embodiment, there may be spacing between the pins (or contacts, or connection terminals) of the memory card, so that the wires of the memory card may be placed on these spacing surfaces, or There may be no spacing and therefore the wires of the memory card may be inside the card body of the memory card. In this embodiment, "corresponding" may also be referred to as a mapping relationship. See the description of the embodiments above.

図15は、本出願の一実施形態によるさらにまた別のメモリカードの概略構成図である。図15に示されるように、図1に示される実施形態で提供されるメモリカードに基づいて、メモリカードは4つのデータ伝送ピンを備える。4つのデータ伝送ピンは、第1のデータ伝送ピン25、第2のデータ伝送ピン26、第3のデータ伝送ピン27、および第4のデータ伝送ピン28である。 FIG. 15 is a schematic configuration diagram of yet another memory card according to one embodiment of the present application. As shown in FIG. 15, based on the memory card provided in the embodiment shown in FIG. 1, the memory card has four data transmission pins. The four data transmission pins are a first data transmission pin 25, a second data transmission pin 26, a third data transmission pin 27 and a fourth data transmission pin .

メモリカードの第3のデータ伝送ピン27は、メモリカードのクロック信号ピン21に隣接し、それから隔離される。メモリカードのカード本体上の、メモリカードの第3のデータ伝送ピン27およびクロック信号ピン21が配置される領域は、Nano－SIMカードのカード本体上の、Nano－SIMカードのクロック信号ピン31が配置される領域に対応する。 A third data transmission pin 27 of the memory card is adjacent to and isolated from the clock signal pin 21 of the memory card. The area on the card body of the memory card where the third data transmission pin 27 and the clock signal pin 21 of the memory card are arranged is the area where the clock signal pin 31 of the Nano-SIM card on the card body of the Nano-SIM card is located. Corresponds to the area to be placed.

メモリカードのカード本体上の、メモリカードの第1のデータ伝送ピン25が配置される領域は、Nano－SIMカードのカード本体上の、Nano－SIMカードのリセット信号ピン32が配置される領域に対応する。メモリカードの第3のデータ伝送ピン27は、第1のデータ伝送ピン25に隣接する。 The area on the card body of the memory card where the first data transmission pin 25 of the memory card is arranged corresponds to the area on the card body of the Nano-SIM card where the reset signal pin 32 of the Nano-SIM card is arranged. handle. A third data transmission pin 27 of the memory card is adjacent to the first data transmission pin 25 .

メモリカードのカード本体上の、メモリカードの電源ピン22が配置される領域は、Nano－SIMカードのカード本体上の、Nano－SIMカードの電源ピン33が配置される領域に対応する。 The area on the card body of the memory card where the power pins 22 of the memory card are arranged corresponds to the area on the card body of the Nano-SIM card where the power pins 33 of the Nano-SIM card are arranged.

メモリカードの第4のデータ伝送ピン28は、メモリカードの第2のデータ伝送ピン26に隣接し、それから隔離される。メモリカードのカード本体上の、第4のデータ伝送ピン28および第2のデータ伝送ピン26が配置される領域は、Nano－SIMカードのカード本体上の、Nano－SIMカードのデータ伝送ピン34が配置される領域に対応する。 A fourth data transmission pin 28 of the memory card is adjacent to and isolated from the second data transmission pin 26 of the memory card. The area where the fourth data transmission pin 28 and the second data transmission pin 26 on the card body of the memory card are arranged is the area where the data transmission pin 34 of the Nano-SIM card on the card body of the Nano-SIM card is located. Corresponds to the area to be placed.

メモリカードのカード本体上の、メモリカードの制御信号ピン23が配置される領域は、Nano－SIMカードのカード本体上の、Nano－SIMカードのプログラミング電圧／入力信号ピン35が配置される領域に対応する。メモリカードの第4のデータ伝送ピン28は、メモリカードの制御信号ピン23に隣接する。 The area on the card body of the memory card where the control signal pins 23 of the memory card are arranged corresponds to the area on the card body of the Nano-SIM card where the programming voltage/input signal pins 35 of the Nano-SIM card are arranged. handle. A fourth data transmission pin 28 of the memory card is adjacent to the control signal pin 23 of the memory card.

メモリカードのカード本体上の、メモリカードの接地信号ピン24が配置される領域は、Nano－SIMカードのカード本体上の、Nano－SIMカードの接地信号ピン36が配置される領域に対応する。 The area on the card body of the memory card where the ground signal pin 24 of the memory card is arranged corresponds to the area on the card body of the Nano-SIM card where the ground signal pin 36 of the Nano-SIM card is arranged.

本実施形態では、具体的には、上記のピン配置から、メモリカードのカード本体上の、4つのピン、すなわち、メモリカードのクロック信号ピン21、メモリカードの第3のデータ伝送ピン27、メモリカードの第1のデータ伝送ピン25、およびメモリカードの電源ピン22が配置される領域は、Nano－SIMカードのカード本体上の、Nano－SIMカードのクロック信号ピン31、リセット信号ピン32、および電源ピン33が配置される領域に対応することが分かる。メモリカードの第3のデータ伝送ピン27およびメモリカードのクロック信号ピン21は、Nano－SIMカードのクロック信号ピン31の領域を2つのピンに分割することにより得られることが分かる。メモリカードの第3のデータ伝送ピン27およびメモリカードのクロック信号ピン21の形状およびサイズは限定されない。加えて、メモリカードの第1のデータ伝送ピン25およびメモリカードの電源ピン22の形状およびサイズは限定されない。 Specifically, in this embodiment, from the above pin arrangement, there are four pins on the card body of the memory card: the clock signal pin 21 of the memory card, the third data transmission pin 27 of the memory card, and the memory card. The area where the first data transmission pin 25 of the card and the power supply pin 22 of the memory card are arranged is the Nano-SIM card clock signal pin 31, reset signal pin 32, and It can be seen that it corresponds to the area where the power supply pin 33 is arranged. It can be seen that the third data transmission pin 27 of the memory card and the clock signal pin 21 of the memory card are obtained by dividing the area of the clock signal pin 31 of the Nano-SIM card into two pins. The shape and size of the third data transmission pin 27 of the memory card and the clock signal pin 21 of the memory card are not limited. In addition, the shape and size of the first data transmission pin 25 of the memory card and the power pin 22 of the memory card are not limited.

メモリカードのカード本体上の、4つのピン、すなわち、メモリカードの第2のデータ伝送ピン26、メモリカードの第4のデータ伝送ピン28、メモリカードの制御信号ピン23、およびメモリカードの接地信号ピン24が配置される領域は、Nano－SIMカードのカード本体上の、Nano－SIMカードのデータ伝送ピン34、プログラミング電圧／入力信号ピン35、および接地信号ピン36が配置される領域に対応する。メモリカードの第4のデータ伝送ピン28およびメモリカードの第2のデータ伝送ピン26は、Nano－SIMカードのデータ伝送ピン34の領域を2つのピンに分割することにより得られることが分かる。メモリカードの第4のデータ伝送ピン28およびメモリカードの第2のデータ伝送ピン26の形状およびサイズは限定されない。加えて、加えて、メモリカードの制御信号ピン23およびメモリカードの接地信号ピン24の形状およびサイズは限定されない。 Four pins on the card body of the memory card: the second data transmission pin 26 of the memory card, the fourth data transmission pin 28 of the memory card, the control signal pin 23 of the memory card, and the ground signal of the memory card. The area where the pins 24 are arranged corresponds to the area on the card body of the Nano-SIM card where the data transmission pins 34, the programming voltage/input signal pins 35 and the ground signal pins 36 of the Nano-SIM card are arranged. . It can be seen that the fourth data transmission pin 28 of the memory card and the second data transmission pin 26 of the memory card are obtained by dividing the area of the data transmission pin 34 of the Nano-SIM card into two pins. The shape and size of the memory card fourth data transmission pin 28 and the memory card second data transmission pin 26 are not limited. In addition, the shape and size of memory card control signal pin 23 and memory card ground signal pin 24 are not limited.

加えて、本実施形態では、メモリカードのピン（または接点、または接続端子）間に間隔があってもよく、したがって、メモリカードのワイヤがこれらの間隔の表面上に配置されてもよい、または間隔がなくてもよく、したがって、メモリカードのワイヤがメモリカードのカード本体の内側にあってもよい。本実施形態では、「対応する」は、マッピング関係とも呼ばれ得る。上述の実施形態の説明を参照されたい。 Additionally, in this embodiment, there may be spacing between the pins (or contacts, or connection terminals) of the memory card, so that the wires of the memory card may be placed on these spacing surfaces, or There may be no spacing and therefore the wires of the memory card may be inside the card body of the memory card. In this embodiment, "corresponding" may also be referred to as a mapping relationship. See the description of the embodiments above.

図16は、本出願の一実施形態によるさらにまた別のメモリカードの概略構成図である。図16に示されるように、図1に示される実施形態で提供されるメモリカードに基づいて、メモリカードは4つのデータ伝送ピンを備える。4つのデータ伝送ピンは、第1のデータ伝送ピン25、第2のデータ伝送ピン26、第3のデータ伝送ピン27、および第4のデータ伝送ピン28である。 FIG. 16 is a schematic configuration diagram of yet another memory card according to one embodiment of the present application. As shown in FIG. 16, based on the memory card provided in the embodiment shown in FIG. 1, the memory card has four data transmission pins. The four data transmission pins are a first data transmission pin 25, a second data transmission pin 26, a third data transmission pin 27 and a fourth data transmission pin .

メモリカードの第3のデータ伝送ピン27は、メモリカードのクロック信号ピン21に隣接し、それから隔離される。メモリカードのカード本体上の、メモリカードの第3のデータ伝送ピン27およびクロック信号ピン21が配置される領域は、Nano－SIMカードのカード本体上の、Nano－SIMカードのクロック信号ピン31が配置される領域に対応する。 A third data transmission pin 27 of the memory card is adjacent to and isolated from the clock signal pin 21 of the memory card. The area on the card body of the memory card where the third data transmission pin 27 and the clock signal pin 21 of the memory card are arranged is the area where the clock signal pin 31 of the Nano-SIM card on the card body of the Nano-SIM card is located. Corresponds to the area to be placed.

メモリカードのカード本体上の、メモリカードの制御信号ピン23が配置される領域は、Nano－SIMカードのカード本体上の、Nano－SIMカードのリセット信号ピン32が配置される領域に対応する。メモリカードの第3のデータ伝送ピン27は、メモリカードの制御信号ピン23に隣接する。 The area on the card body of the memory card where the control signal pin 23 of the memory card is arranged corresponds to the area on the card body of the Nano-SIM card where the reset signal pin 32 of the Nano-SIM card is arranged. A third data transmission pin 27 of the memory card is adjacent to the control signal pin 23 of the memory card.

メモリカードのカード本体上の、メモリカードの接地信号ピン24が配置される領域は、Nano－SIMカードのカード本体上の、Nano－SIMカードの電源ピン33が配置される領域に対応する。 The area on the card body of the memory card where the ground signal pin 24 of the memory card is arranged corresponds to the area on the card body of the Nano-SIM card where the power supply pin 33 of the Nano-SIM card is arranged.

メモリカードの第4のデータ伝送ピン28は、メモリカードの第2のデータ伝送ピン26に隣接し、それから隔離される。メモリカードのカード本体上の、第4のデータ伝送ピン28および第2のデータ伝送ピン26が配置される領域は、Nano－SIMカードのカード本体上の、Nano－SIMカードのデータ伝送ピン34が配置される領域に対応する。 A fourth data transmission pin 28 of the memory card is adjacent to and isolated from the second data transmission pin 26 of the memory card. The area where the fourth data transmission pin 28 and the second data transmission pin 26 on the card body of the memory card are arranged is the area where the data transmission pin 34 of the Nano-SIM card on the card body of the Nano-SIM card is located. Corresponds to the area to be placed.

メモリカードのカード本体上の、メモリカードの第1のデータ伝送ピン25が配置される領域は、Nano－SIMカードのカード本体上の、Nano－SIMカードのプログラミング電圧／入力信号ピン35が配置される領域に対応する。メモリカードの第4のデータ伝送ピン28は、第1のデータ伝送ピン25に隣接する。 The area on the card body of the memory card where the first data transmission pin 25 of the memory card is arranged is the area where the programming voltage/input signal pin 35 of the Nano-SIM card on the card body of the Nano-SIM card is arranged. corresponds to the area where A fourth data transmission pin 28 of the memory card is adjacent to the first data transmission pin 25 .

メモリカードのカード本体上の、メモリカードの電源ピン22が配置される領域は、Nano－SIMカードのカード本体上の、Nano－SIMカードの接地信号ピン36が配置される領域に対応する。 The area on the card body of the memory card where the power supply pin 22 of the memory card is arranged corresponds to the area on the card body of the Nano-SIM card where the ground signal pin 36 of the Nano-SIM card is arranged.

本実施形態では、具体的には、上記のピン配置から、メモリカードのカード本体上の、4つのピン、すなわち、メモリカードのクロック信号ピン21、メモリカードの第3のデータ伝送ピン27、メモリカードの制御信号ピン23、およびメモリカードの接地信号ピン24が配置される領域は、Nano－SIMカードのカード本体上の、Nano－SIMカードのクロック信号ピン31、リセット信号ピン32、および電源ピン33が配置される領域に対応することが分かる。メモリカードの第3のデータ伝送ピン27およびメモリカードのクロック信号ピン21は、Nano－SIMカードのクロック信号ピン31の領域を2つのピンに分割することにより得られることが分かる。メモリカードの第3のデータ伝送ピン27およびメモリカードのクロック信号ピン21の形状およびサイズは限定されない。加えて、加えて、メモリカードの制御信号ピン23およびメモリカードの接地信号ピン24の形状およびサイズは限定されない。 Specifically, in this embodiment, from the above pin arrangement, there are four pins on the card body of the memory card: the clock signal pin 21 of the memory card, the third data transmission pin 27 of the memory card, and the memory card. The area where the control signal pin 23 of the card and the ground signal pin 24 of the memory card are arranged is the clock signal pin 31 of the Nano-SIM card, the reset signal pin 32, and the power pin on the card body of the Nano-SIM card. It can be seen that it corresponds to the area where 33 is placed. It can be seen that the third data transmission pin 27 of the memory card and the clock signal pin 21 of the memory card are obtained by dividing the area of the clock signal pin 31 of the Nano-SIM card into two pins. The shape and size of the third data transmission pin 27 of the memory card and the clock signal pin 21 of the memory card are not limited. In addition, the shape and size of memory card control signal pin 23 and memory card ground signal pin 24 are not limited.

メモリカードのカード本体上の、4つのピン、すなわち、メモリカードの第2のデータ伝送ピン26、メモリカードの第4のデータ伝送ピン28、メモリカードの第1のデータ伝送ピン25、およびメモリカードの電源ピン22が配置される領域は、Nano－SIMカードのカード本体上の、Nano－SIMカードのデータ伝送ピン34、プログラミング電圧／入力信号ピン35、および接地信号ピン36が配置される領域に対応する。メモリカードの第4のデータ伝送ピン28およびメモリカードの第2のデータ伝送ピン26は、Nano－SIMカードのデータ伝送ピン34の領域を2つのピンに分割することにより得られることが分かる。メモリカードの第4のデータ伝送ピン28およびメモリカードの第2のデータ伝送ピン26の形状およびサイズは限定されない。加えて、メモリカードの第1のデータ伝送ピン25およびメモリカードの電源ピン22の形状およびサイズは限定されない。 Four pins on the card body of the memory card: the second data transmission pin 26 of the memory card, the fourth data transmission pin 28 of the memory card, the first data transmission pin 25 of the memory card, and the memory card. The area where the power supply pin 22 is arranged is the area where the data transmission pin 34, the programming voltage/input signal pin 35, and the ground signal pin 36 of the Nano-SIM card are arranged on the card body of the Nano-SIM card. handle. It can be seen that the fourth data transmission pin 28 of the memory card and the second data transmission pin 26 of the memory card are obtained by dividing the area of the data transmission pin 34 of the Nano-SIM card into two pins. The shape and size of the memory card fourth data transmission pin 28 and the memory card second data transmission pin 26 are not limited. In addition, the shape and size of the first data transmission pin 25 of the memory card and the power pin 22 of the memory card are not limited.

加えて、本実施形態では、メモリカードのピン（または接点、または接続端子）間に間隔があってもよく、したがって、メモリカードのワイヤがこれらの間隔の表面上に配置されてもよい、または間隔がなくてもよく、したがって、メモリカードのワイヤがメモリカードのカード本体の内側にあってもよい。本実施形態では、「対応する」は、マッピング関係とも呼ばれ得る。上述の実施形態の説明を参照されたい。 Additionally, in this embodiment, there may be spacing between the pins (or contacts, or connection terminals) of the memory card, so that the wires of the memory card may be placed on these spacing surfaces, or There may be no spacing and therefore the wires of the memory card may be inside the card body of the memory card. In this embodiment, "corresponding" may also be referred to as a mapping relationship. See the description of the embodiments above.

図17は、本出願の一実施形態によるさらにまた別のメモリカードの概略構成図である。図17に示されるように、図1に示される実施形態で提供されるメモリカードに基づいて、メモリカードは4つのデータ伝送ピンを備える。4つのデータ伝送ピンは、第1のデータ伝送ピン25、第2のデータ伝送ピン26、第3のデータ伝送ピン27、および第4のデータ伝送ピン28である。 FIG. 17 is a schematic configuration diagram of yet another memory card according to one embodiment of the present application. As shown in FIG. 17, based on the memory card provided in the embodiment shown in FIG. 1, the memory card has four data transmission pins. The four data transmission pins are a first data transmission pin 25, a second data transmission pin 26, a third data transmission pin 27 and a fourth data transmission pin .

メモリカードの第3のデータ伝送ピン27は、メモリカードのクロック信号ピン21に隣接し、それから隔離される。メモリカードのカード本体上の、メモリカードの第3のデータ伝送ピン27およびクロック信号ピン21が配置される領域は、Nano－SIMカードのカード本体上の、Nano－SIMカードのクロック信号ピン31が配置される領域に対応する。 A third data transmission pin 27 of the memory card is adjacent to and isolated from the clock signal pin 21 of the memory card. The area on the card body of the memory card where the third data transmission pin 27 and the clock signal pin 21 of the memory card are arranged is the area where the clock signal pin 31 of the Nano-SIM card on the card body of the Nano-SIM card is located. Corresponds to the area to be placed.

メモリカードのカード本体上の、メモリカードの制御信号ピン23が配置される領域は、Nano－SIMカードのカード本体上の、Nano－SIMカードのリセット信号ピン32が配置される領域に対応する。メモリカードの第3のデータ伝送ピン27は、メモリカードの制御信号ピン23に隣接する。 The area on the card body of the memory card where the control signal pin 23 of the memory card is arranged corresponds to the area on the card body of the Nano-SIM card where the reset signal pin 32 of the Nano-SIM card is arranged. A third data transmission pin 27 of the memory card is adjacent to the control signal pin 23 of the memory card.

メモリカードのカード本体上の、メモリカードの接地信号ピン24が配置される領域は、Nano－SIMカードのカード本体上の、Nano－SIMカードの電源ピン33が配置される領域に対応する。 The area on the card body of the memory card where the ground signal pin 24 of the memory card is arranged corresponds to the area on the card body of the Nano-SIM card where the power supply pin 33 of the Nano-SIM card is arranged.

メモリカードの第4のデータ伝送ピン28は、メモリカードの第2のデータ伝送ピン26に隣接し、それから隔離される。メモリカードのカード本体上の、第4のデータ伝送ピン28および第2のデータ伝送ピン26が配置される領域は、Nano－SIMカードのカード本体上の、Nano－SIMカードのデータ伝送ピン34が配置される領域に対応する。 A fourth data transmission pin 28 of the memory card is adjacent to and isolated from the second data transmission pin 26 of the memory card. The area where the fourth data transmission pin 28 and the second data transmission pin 26 on the card body of the memory card are arranged is the area where the data transmission pin 34 of the Nano-SIM card on the card body of the Nano-SIM card is located. Corresponds to the area to be placed.

メモリカードのカード本体上の、メモリカードの第1のデータ伝送ピン25が配置される領域は、Nano－SIMカードのカード本体上の、Nano－SIMカードのプログラミング電圧／入力信号ピン35が配置される領域に対応する。メモリカードの第2のデータ伝送ピン26は、第1のデータ伝送ピン25に隣接する。 The area on the card body of the memory card where the first data transmission pin 25 of the memory card is arranged is the area where the programming voltage/input signal pin 35 of the Nano-SIM card on the card body of the Nano-SIM card is arranged. corresponds to the area where A second data transmission pin 26 of the memory card is adjacent to the first data transmission pin 25 .

メモリカードのカード本体上の、メモリカードの電源ピン22が配置される領域は、Nano－SIMカードのカード本体上の、Nano－SIMカードの接地信号ピン36が配置される領域に対応する。 The area on the card body of the memory card where the power supply pin 22 of the memory card is arranged corresponds to the area on the card body of the Nano-SIM card where the ground signal pin 36 of the Nano-SIM card is arranged.

本実施形態では、具体的には、上記のピン配置から、メモリカードのカード本体上の、4つのピン、すなわち、メモリカードのクロック信号ピン21、メモリカードの第3のデータ伝送ピン27、メモリカードの制御信号ピン23、およびメモリカードの接地信号ピン24が配置される領域は、Nano－SIMカードのカード本体上の、Nano－SIMカードのクロック信号ピン31、リセット信号ピン32、および電源ピン33が配置される領域に対応することが分かる。メモリカードの第3のデータ伝送ピン27およびメモリカードのクロック信号ピン21は、Nano－SIMカードのクロック信号ピン31の領域を2つのピンに分割することにより得られることが分かる。メモリカードの第3のデータ伝送ピン27およびメモリカードのクロック信号ピン21の形状およびサイズは限定されない。加えて、加えて、メモリカードの制御信号ピン23およびメモリカードの接地信号ピン24の形状およびサイズは限定されない。 Specifically, in this embodiment, from the above pin arrangement, there are four pins on the card body of the memory card: the clock signal pin 21 of the memory card, the third data transmission pin 27 of the memory card, and the memory card. The area where the control signal pin 23 of the card and the ground signal pin 24 of the memory card are arranged is the clock signal pin 31 of the Nano-SIM card, the reset signal pin 32, and the power pin on the card body of the Nano-SIM card. It can be seen that it corresponds to the area where 33 is placed. It can be seen that the third data transmission pin 27 of the memory card and the clock signal pin 21 of the memory card are obtained by dividing the area of the clock signal pin 31 of the Nano-SIM card into two pins. The shape and size of the third data transmission pin 27 of the memory card and the clock signal pin 21 of the memory card are not limited. In addition, the shape and size of memory card control signal pin 23 and memory card ground signal pin 24 are not limited.

メモリカードのカード本体上の、4つのピン、すなわち、メモリカードの第4のデータ伝送ピン28、メモリカードの第2のデータ伝送ピン26、メモリカードの第1のデータ伝送ピン25、およびメモリカードの電源ピン22が配置される領域は、Nano－SIMカードのカード本体上の、Nano－SIMカードのデータ伝送ピン34、プログラミング電圧／入力信号ピン35、および接地信号ピン36が配置される領域に対応する。メモリカードの第4のデータ伝送ピン28およびメモリカードの第2のデータ伝送ピン26は、Nano－SIMカードのデータ伝送ピン34の領域を2つのピンに分割することにより得られることが分かる。メモリカードの第4のデータ伝送ピン28およびメモリカードの第2のデータ伝送ピン26の形状およびサイズは限定されない。加えて、メモリカードの第1のデータ伝送ピン25およびメモリカードの電源ピン22の形状およびサイズは限定されない。 Four pins on the card body of the memory card: the fourth data transmission pin 28 of the memory card, the second data transmission pin 26 of the memory card, the first data transmission pin 25 of the memory card, and the memory card. The area where the power supply pin 22 is arranged is the area where the data transmission pin 34, the programming voltage/input signal pin 35, and the ground signal pin 36 of the Nano-SIM card are arranged on the card body of the Nano-SIM card. handle. It can be seen that the fourth data transmission pin 28 of the memory card and the second data transmission pin 26 of the memory card are obtained by dividing the area of the data transmission pin 34 of the Nano-SIM card into two pins. The shape and size of the memory card fourth data transmission pin 28 and the memory card second data transmission pin 26 are not limited. In addition, the shape and size of the first data transmission pin 25 of the memory card and the power pin 22 of the memory card are not limited.

加えて、本実施形態では、メモリカードのピン（または接点、または接続端子）間に間隔があってもよく、したがって、メモリカードのワイヤがこれらの間隔の表面上に配置されてもよい、または間隔がなくてもよく、したがって、メモリカードのワイヤがメモリカードのカード本体の内側にあってもよい。本実施形態では、「対応する」は、マッピング関係とも呼ばれ得る。上述の実施形態の説明を参照されたい。 Additionally, in this embodiment, there may be spacing between the pins (or contacts, or connection terminals) of the memory card, so that the wires of the memory card may be placed on these spacing surfaces, or There may be no spacing and therefore the wires of the memory card may be inside the card body of the memory card. In this embodiment, "corresponding" may also be referred to as a mapping relationship. See the description of the embodiments above.

図18は、本出願の一実施形態によるさらにまた別のメモリカードの概略構成図である。図18に示されるように、図1に示される実施形態で提供されるメモリカードに基づいて、メモリカードは4つのデータ伝送ピンを備える。4つのデータ伝送ピンは、第1のデータ伝送ピン25、第2のデータ伝送ピン26、第3のデータ伝送ピン27、および第4のデータ伝送ピン28である。 FIG. 18 is a schematic configuration diagram of yet another memory card according to one embodiment of the present application. As shown in FIG. 18, based on the memory card provided in the embodiment shown in FIG. 1, the memory card has four data transmission pins. The four data transmission pins are a first data transmission pin 25, a second data transmission pin 26, a third data transmission pin 27 and a fourth data transmission pin .

メモリカードの第3のデータ伝送ピン27は、メモリカードのクロック信号ピン21に隣接し、それから隔離される。メモリカードのカード本体上の、メモリカードの第3のデータ伝送ピン27およびクロック信号ピン21が配置される領域は、Nano－SIMカードのカード本体上の、Nano－SIMカードのクロック信号ピン31が配置される領域に対応する。 A third data transmission pin 27 of the memory card is adjacent to and isolated from the clock signal pin 21 of the memory card. The area on the card body of the memory card where the third data transmission pin 27 and the clock signal pin 21 of the memory card are arranged is the area where the clock signal pin 31 of the Nano-SIM card on the card body of the Nano-SIM card is located. Corresponds to the area to be placed.

メモリカードのカード本体上の、メモリカードの制御信号ピン23が配置される領域は、Nano－SIMカードのカード本体上の、Nano－SIMカードのリセット信号ピン32が配置される領域に対応する。メモリカードのクロック信号ピン21は、メモリカードの制御信号ピン23に隣接する。 The area on the card body of the memory card where the control signal pin 23 of the memory card is arranged corresponds to the area on the card body of the Nano-SIM card where the reset signal pin 32 of the Nano-SIM card is arranged. A memory card clock signal pin 21 is adjacent to a memory card control signal pin 23 .

メモリカードのカード本体上の、メモリカードの接地信号ピン24が配置される領域は、Nano－SIMカードのカード本体上の、Nano－SIMカードの電源ピン33が配置される領域に対応する。 The area on the card body of the memory card where the ground signal pin 24 of the memory card is arranged corresponds to the area on the card body of the Nano-SIM card where the power supply pin 33 of the Nano-SIM card is arranged.

メモリカードの第4のデータ伝送ピン28は、メモリカードの第2のデータ伝送ピン26に隣接し、それから隔離される。メモリカードのカード本体上の、第4のデータ伝送ピン28および第2のデータ伝送ピン26が配置される領域は、Nano－SIMカードのカード本体上の、Nano－SIMカードのデータ伝送ピン34が配置される領域に対応する。 A fourth data transmission pin 28 of the memory card is adjacent to and isolated from the second data transmission pin 26 of the memory card. The area where the fourth data transmission pin 28 and the second data transmission pin 26 on the card body of the memory card are arranged is the area where the data transmission pin 34 of the Nano-SIM card on the card body of the Nano-SIM card is located. Corresponds to the area to be placed.

メモリカードのカード本体上の、メモリカードの第1のデータ伝送ピン25が配置される領域は、Nano－SIMカードのカード本体上の、Nano－SIMカードのプログラミング電圧／入力信号ピン35が配置される領域に対応する。メモリカードの第4のデータ伝送ピン28は、第1のデータ伝送ピン25に隣接する。 The area on the card body of the memory card where the first data transmission pin 25 of the memory card is arranged is the area where the programming voltage/input signal pin 35 of the Nano-SIM card on the card body of the Nano-SIM card is arranged. corresponds to the area where A fourth data transmission pin 28 of the memory card is adjacent to the first data transmission pin 25 .

メモリカードのカード本体上の、メモリカードの電源ピン22が配置される領域は、Nano－SIMカードのカード本体上の、Nano－SIMカードの接地信号ピン36が配置される領域に対応する。 The area on the card body of the memory card where the power supply pin 22 of the memory card is arranged corresponds to the area on the card body of the Nano-SIM card where the ground signal pin 36 of the Nano-SIM card is arranged.

本実施形態では、具体的には、上記のピン配置から、メモリカードのカード本体上の、4つのピン、すなわち、メモリカードの第3のデータ伝送ピン27、メモリカードのクロック信号ピン21、メモリカードの制御信号ピン23、およびメモリカードの接地信号ピン24が配置される領域は、Nano－SIMカードのカード本体上の、Nano－SIMカードのクロック信号ピン31、リセット信号ピン32、および電源ピン33が配置される領域に対応することが分かる。メモリカードの第3のデータ伝送ピン27およびメモリカードのクロック信号ピン21は、Nano－SIMカードのクロック信号ピン31の領域を2つのピンに分割することにより得られることが分かる。メモリカードの第3のデータ伝送ピン27およびメモリカードのクロック信号ピン21の形状およびサイズは限定されない。加えて、加えて、メモリカードの制御信号ピン23およびメモリカードの接地信号ピン24の形状およびサイズは限定されない。 Specifically, in this embodiment, from the above pin arrangement, four pins on the card body of the memory card, namely, the third data transmission pin 27 of the memory card, the clock signal pin 21 of the memory card, the memory The area where the control signal pin 23 of the card and the ground signal pin 24 of the memory card are arranged is the clock signal pin 31 of the Nano-SIM card, the reset signal pin 32, and the power pin on the card body of the Nano-SIM card. It can be seen that it corresponds to the area where 33 is placed. It can be seen that the third data transmission pin 27 of the memory card and the clock signal pin 21 of the memory card are obtained by dividing the area of the clock signal pin 31 of the Nano-SIM card into two pins. The shape and size of the third data transmission pin 27 of the memory card and the clock signal pin 21 of the memory card are not limited. In addition, the shape and size of memory card control signal pin 23 and memory card ground signal pin 24 are not limited.

メモリカードのカード本体上の、4つのピン、すなわち、メモリカードの第2のデータ伝送ピン26、メモリカードの第4のデータ伝送ピン28、メモリカードの第1のデータ伝送ピン25、およびメモリカードの電源ピン22が配置される領域は、Nano－SIMカードのカード本体上の、Nano－SIMカードのデータ伝送ピン34、プログラミング電圧／入力信号ピン35、および接地信号ピン36が配置される領域に対応する。メモリカードの第4のデータ伝送ピン28およびメモリカードの第2のデータ伝送ピン26は、Nano－SIMカードのデータ伝送ピン34の領域を2つのピンに分割することにより得られることが分かる。メモリカードの第4のデータ伝送ピン28およびメモリカードの第2のデータ伝送ピン26の形状およびサイズは限定されない。加えて、メモリカードの第1のデータ伝送ピン25およびメモリカードの電源ピン22の形状およびサイズは限定されない。 Four pins on the card body of the memory card: the second data transmission pin 26 of the memory card, the fourth data transmission pin 28 of the memory card, the first data transmission pin 25 of the memory card, and the memory card. The area where the power supply pin 22 is arranged is the area where the data transmission pin 34, the programming voltage/input signal pin 35, and the ground signal pin 36 of the Nano-SIM card are arranged on the card body of the Nano-SIM card. handle. It can be seen that the fourth data transmission pin 28 of the memory card and the second data transmission pin 26 of the memory card are obtained by dividing the area of the data transmission pin 34 of the Nano-SIM card into two pins. The shape and size of the memory card fourth data transmission pin 28 and the memory card second data transmission pin 26 are not limited. In addition, the shape and size of the first data transmission pin 25 of the memory card and the power pin 22 of the memory card are not limited.

加えて、本実施形態では、メモリカードのピン（または接点、または接続端子）間に間隔があってもよく、したがって、メモリカードのワイヤがこれらの間隔の表面上に配置されてもよい、または間隔がなくてもよく、したがって、メモリカードのワイヤがメモリカードのカード本体の内側にあってもよい。本実施形態では、「対応する」は、マッピング関係とも呼ばれ得る。上述の実施形態の説明を参照されたい。 Additionally, in this embodiment, there may be spacing between the pins (or contacts, or connection terminals) of the memory card, so that the wires of the memory card may be placed on these spacing surfaces, or There may be no spacing and therefore the wires of the memory card may be inside the card body of the memory card. In this embodiment, "corresponding" may also be referred to as a mapping relationship. See the description of the embodiments above.

図19は、本出願の一実施形態によるさらにまた別のメモリカードの概略構成図である。図19に示されるように、図1に示される実施形態で提供されるメモリカードに基づいて、メモリカードは4つのデータ伝送ピンを備える。4つのデータ伝送ピンは、第1のデータ伝送ピン25、第2のデータ伝送ピン26、第3のデータ伝送ピン27、および第4のデータ伝送ピン28である。 FIG. 19 is a schematic configuration diagram of yet another memory card according to one embodiment of the present application. As shown in FIG. 19, based on the memory card provided in the embodiment shown in FIG. 1, the memory card has four data transmission pins. The four data transmission pins are a first data transmission pin 25, a second data transmission pin 26, a third data transmission pin 27 and a fourth data transmission pin .

メモリカードのカード本体上の、メモリカードのクロック信号ピン21が配置される領域は、Nano－SIMカードのカード本体上の、Nano－SIMカードのクロック信号ピン31が配置される領域に対応する。 The area on the card body of the memory card where the clock signal pin 21 of the memory card is arranged corresponds to the area on the card body of the Nano-SIM card where the clock signal pin 31 of the Nano-SIM card is arranged.

メモリカードの第1のデータ伝送ピン25は、メモリカードの第3のデータ伝送ピン27に隣接し、それから隔離される。メモリカードのカード本体上の、第1のデータ伝送ピン25および第3のデータ伝送ピン27が配置される領域は、Nano－SIMカードのカード本体上の、Nano－SIMカードのリセット信号ピン32が配置される領域に対応する。メモリカードの第3のデータ伝送ピン27は、メモリカードのクロック信号ピン21に隣接する。 A first data transmission pin 25 of the memory card is adjacent to and isolated from a third data transmission pin 27 of the memory card. The area where the first data transmission pin 25 and the third data transmission pin 27 on the card body of the memory card are arranged is the area where the reset signal pin 32 of the Nano-SIM card on the card body of the Nano-SIM card is located. Corresponds to the area to be placed. A third data transmission pin 27 of the memory card is adjacent to the clock signal pin 21 of the memory card.

メモリカードのカード本体上の、メモリカードの電源ピン22が配置される領域は、Nano－SIMカードのカード本体上の、Nano－SIMカードの電源ピン33が配置される領域に対応する。 The area on the card body of the memory card where the power pins 22 of the memory card are arranged corresponds to the area on the card body of the Nano-SIM card where the power pins 33 of the Nano-SIM card are arranged.

メモリカードのカード本体上の、メモリカードの第2のデータ伝送ピン26が配置される領域は、Nano－SIMカードのカード本体上の、Nano－SIMカードのデータ伝送ピン34が配置される領域に対応する。 The area on the card body of the memory card where the second data transmission pin 26 of the memory card is arranged corresponds to the area on the card body of the Nano-SIM card where the data transmission pin 34 of the Nano-SIM card is arranged. handle.

メモリカードの制御信号ピン23は、メモリカードの第4のデータ伝送ピン28に隣接し、それから隔離される。メモリカードのカード本体上の、メモリカードの制御信号ピン23および第4のデータ伝送ピン28が配置される領域は、Nano－SIMカードのカード本体上の、Nano－SIMカードのプログラミング電圧／入力信号ピン35が配置される領域に対応する。メモリカードの第4のデータ伝送ピン28は、メモリカードの第2のデータ伝送ピン26に隣接する。 A control signal pin 23 of the memory card is adjacent to and isolated from a fourth data transmission pin 28 of the memory card. The area on the card body of the memory card where the control signal pin 23 and the fourth data transmission pin 28 of the memory card are arranged is the programming voltage/input signal of the Nano-SIM card on the card body of the Nano-SIM card. It corresponds to the area where the pin 35 is arranged. A fourth data transmission pin 28 of the memory card is adjacent to a second data transmission pin 26 of the memory card.

メモリカードのカード本体上の、メモリカードの接地信号ピン24が配置される領域は、Nano－SIMカードのカード本体上の、Nano－SIMカードの接地信号ピン36が配置される領域に対応する。 The area on the card body of the memory card where the ground signal pin 24 of the memory card is arranged corresponds to the area on the card body of the Nano-SIM card where the ground signal pin 36 of the Nano-SIM card is arranged.

本実施形態では、具体的には、上記のピン配置から、メモリカードのカード本体上の、4つのピン、すなわち、メモリカードのクロック信号ピン21、メモリカードの第3のデータ伝送ピン27、メモリカードの第1のデータ伝送ピン25、およびメモリカードの電源ピン22が配置される領域は、Nano－SIMカードのカード本体上の、Nano－SIMカードのクロック信号ピン31、リセット信号ピン32、および電源ピン33が配置される領域に対応することが分かる。メモリカードの第1のデータ伝送ピン25およびメモリカードの第3のデータ伝送ピン27は、Nano－SIMカードのリセット信号ピン32の領域を2つのピンに分割することにより得られることが分かる。メモリカードの第1のデータ伝送ピン25およびメモリカードの第3のデータ伝送ピン27の形状およびサイズは限定されない。加えて、メモリカードのクロック信号ピン21およびメモリカードの電源ピン22の形状およびサイズは限定されない。 Specifically, in this embodiment, from the above pin arrangement, there are four pins on the card body of the memory card: the clock signal pin 21 of the memory card, the third data transmission pin 27 of the memory card, and the memory card. The area where the first data transmission pin 25 of the card and the power supply pin 22 of the memory card are arranged is the Nano-SIM card clock signal pin 31, reset signal pin 32, and It can be seen that it corresponds to the area where the power supply pin 33 is arranged. It can be seen that the first data transmission pin 25 of the memory card and the third data transmission pin 27 of the memory card are obtained by dividing the area of the reset signal pin 32 of the Nano-SIM card into two pins. The shape and size of the first data transmission pin 25 of the memory card and the third data transmission pin 27 of the memory card are not limited. In addition, the shape and size of the memory card clock signal pin 21 and the memory card power pin 22 are not limited.

メモリカードのカード本体上の、4つのピン、すなわち、メモリカードの第2のデータ伝送ピン26、メモリカードの第4のデータ伝送ピン28、メモリカードの制御信号ピン23、およびメモリカードの接地信号ピン24が配置される領域は、Nano－SIMカードのカード本体上の、Nano－SIMカードのデータ伝送ピン34、プログラミング電圧／入力信号ピン35、および接地信号ピン36が配置される領域に対応する。メモリカードの制御信号ピン23およびメモリカードの第4のデータ伝送ピン28は、Nano－SIMカードのプログラミング電圧／入力信号ピン35の領域を2つのピンに分割することにより得られることが分かる。メモリカードの制御信号ピン23およびメモリカードの第4のデータ伝送ピン28の形状およびサイズは限定されない。加えて、メモリカードの第2のデータ伝送ピン26およびメモリカードの接地信号ピン24の形状およびサイズは限定されない。 Four pins on the card body of the memory card: the second data transmission pin 26 of the memory card, the fourth data transmission pin 28 of the memory card, the control signal pin 23 of the memory card, and the ground signal of the memory card. The area where the pins 24 are arranged corresponds to the area on the card body of the Nano-SIM card where the data transmission pins 34, the programming voltage/input signal pins 35 and the ground signal pins 36 of the Nano-SIM card are arranged. . It can be seen that the control signal pin 23 of the memory card and the fourth data transmission pin 28 of the memory card are obtained by dividing the area of the programming voltage/input signal pin 35 of the Nano-SIM card into two pins. The shape and size of the memory card control signal pin 23 and the memory card fourth data transmission pin 28 are not limited. In addition, the shape and size of the second data transmission pin 26 of the memory card and the ground signal pin 24 of the memory card are not limited.

加えて、本実施形態では、メモリカードのピン（または接点、または接続端子）間に間隔があってもよく、したがって、メモリカードのワイヤがこれらの間隔の表面上に配置されてもよい、または間隔がなくてもよく、したがって、メモリカードのワイヤがメモリカードのカード本体の内側にあってもよい。本実施形態では、「対応する」は、マッピング関係とも呼ばれ得る。上述の実施形態の説明を参照されたい。 Additionally, in this embodiment, there may be spacing between the pins (or contacts, or connection terminals) of the memory card, so that the wires of the memory card may be placed on these spacing surfaces, or There may be no spacing and therefore the wires of the memory card may be inside the card body of the memory card. In this embodiment, "corresponding" may also be referred to as a mapping relationship. See the description of the embodiments above.

図20は、本出願の一実施形態によるさらにまた別のメモリカードの概略構成図である。図20に示されるように、図1に示される実施形態で提供されるメモリカードに基づいて、メモリカードは4つのデータ伝送ピンを備える。4つのデータ伝送ピンは、第1のデータ伝送ピン25、第2のデータ伝送ピン26、第3のデータ伝送ピン27、および第4のデータ伝送ピン28である。 FIG. 20 is a schematic configuration diagram of yet another memory card according to one embodiment of the present application. As shown in FIG. 20, based on the memory card provided in the embodiment shown in FIG. 1, the memory card has four data transmission pins. The four data transmission pins are a first data transmission pin 25, a second data transmission pin 26, a third data transmission pin 27 and a fourth data transmission pin .

メモリカードのカード本体上の、メモリカードの第2のデータ伝送ピン26が配置される領域は、Nano－SIMカードのカード本体上の、Nano－SIMカードのクロック信号ピン31が配置される領域に対応する。 The area on the card body of the memory card where the second data transmission pin 26 of the memory card is arranged corresponds to the area on the card body of the Nano-SIM card where the clock signal pin 31 of the Nano-SIM card is arranged. handle.

メモリカードの第1のデータ伝送ピン25は、メモリカードの第3のデータ伝送ピン27に隣接し、それから隔離される。メモリカードのカード本体上の、第1のデータ伝送ピン25および第3のデータ伝送ピン27が配置される領域は、Nano－SIMカードのカード本体上の、Nano－SIMカードのリセット信号ピン32が配置される領域に対応する。メモリカードの第3のデータ伝送ピン27は、メモリカードの第2のデータ伝送ピン26に隣接する。 A first data transmission pin 25 of the memory card is adjacent to and isolated from a third data transmission pin 27 of the memory card. The area where the first data transmission pin 25 and the third data transmission pin 27 on the card body of the memory card are arranged is the area where the reset signal pin 32 of the Nano-SIM card on the card body of the Nano-SIM card is located. Corresponds to the area to be placed. A third data transmission pin 27 of the memory card is adjacent to a second data transmission pin 26 of the memory card.

メモリカードのカード本体上の、メモリカードの接地信号ピン24が配置される領域は、Nano－SIMカードのカード本体上の、Nano－SIMカードの電源ピン33が配置される領域に対応する。 The area on the card body of the memory card where the ground signal pin 24 of the memory card is arranged corresponds to the area on the card body of the Nano-SIM card where the power supply pin 33 of the Nano-SIM card is arranged.

メモリカードのカード本体上の、メモリカードのクロック信号ピン21が配置される領域は、Nano－SIMカードのカード本体上の、Nano－SIMカードのデータ伝送ピン34が配置される領域に対応する。 The area on the card body of the memory card where the clock signal pin 21 of the memory card is arranged corresponds to the area on the card body of the Nano-SIM card where the data transmission pin 34 of the Nano-SIM card is arranged.

メモリカードの制御信号ピン23は、メモリカードの第4のデータ伝送ピン28に隣接し、それから隔離される。メモリカードのカード本体上の、メモリカードの制御信号ピン23および第4のデータ伝送ピン28が配置される領域は、Nano－SIMカードのカード本体上の、Nano－SIMカードのプログラミング電圧／入力信号ピン35が配置される領域に対応する。メモリカードの第4のデータ伝送ピン28は、メモリカードのクロック信号ピン21に隣接する。 A control signal pin 23 of the memory card is adjacent to and isolated from a fourth data transmission pin 28 of the memory card. The area on the card body of the memory card where the control signal pin 23 and the fourth data transmission pin 28 of the memory card are arranged is the programming voltage/input signal of the Nano-SIM card on the card body of the Nano-SIM card. It corresponds to the area where the pin 35 is arranged. A fourth data transmission pin 28 of the memory card is adjacent to the clock signal pin 21 of the memory card.

メモリカードのカード本体上の、メモリカードの電源ピン22が配置される領域は、Nano－SIMカードのカード本体上の、Nano－SIMカードの接地信号ピン36が配置される領域に対応する。 The area on the card body of the memory card where the power supply pin 22 of the memory card is arranged corresponds to the area on the card body of the Nano-SIM card where the ground signal pin 36 of the Nano-SIM card is arranged.

本実施形態では、具体的には、上記のピン配置から、メモリカードのカード本体上の、4つのピン、すなわち、メモリカードの第2のデータ伝送ピン26、メモリカードの第3のデータ伝送ピン27、メモリカードの第1のデータ伝送ピン25、およびメモリカードの接地信号ピン24が配置される領域は、Nano－SIMカードのカード本体上の、Nano－SIMカードのクロック信号ピン31、リセット信号ピン32、および電源ピン33が配置される領域に対応することが分かる。メモリカードの第1のデータ伝送ピン25およびメモリカードの第3のデータ伝送ピン27は、Nano－SIMカードのリセット信号ピン32の領域を2つのピンに分割することにより得られることが分かる。メモリカードの第1のデータ伝送ピン25およびメモリカードの第3のデータ伝送ピン27の形状およびサイズは限定されない。加えて、メモリカードの第2のデータ伝送ピン26およびメモリカードの接地信号ピン24の形状およびサイズは限定されない。 Specifically, in the present embodiment, from the above pin arrangement, four pins on the card body of the memory card, that is, the second data transmission pin 26 of the memory card and the third data transmission pin of the memory card 27, the area where the first data transmission pin 25 of the memory card and the ground signal pin 24 of the memory card are arranged is the Nano-SIM card clock signal pin 31, the reset signal on the card body of the Nano-SIM card It can be seen that it corresponds to the area where pins 32 and power supply pins 33 are arranged. It can be seen that the first data transmission pin 25 of the memory card and the third data transmission pin 27 of the memory card are obtained by dividing the area of the reset signal pin 32 of the Nano-SIM card into two pins. The shape and size of the first data transmission pin 25 of the memory card and the third data transmission pin 27 of the memory card are not limited. In addition, the shape and size of the second data transmission pin 26 of the memory card and the ground signal pin 24 of the memory card are not limited.

メモリカードのカード本体上の、4つのピン、すなわち、メモリカードのクロック信号ピン21、メモリカードの第4のデータ伝送ピン28、メモリカードの制御信号ピン23、およびメモリカードの電源ピン22が配置される領域は、Nano－SIMカードのカード本体上の、Nano－SIMカードのデータ伝送ピン34、プログラミング電圧／入力信号ピン35、および接地信号ピン36が配置される領域に対応する。メモリカードの制御信号ピン23およびメモリカードの第4のデータ伝送ピン28は、Nano－SIMカードのプログラミング電圧／入力信号ピン35の領域を2つのピンに分割することにより得られることが分かる。メモリカードの制御信号ピン23およびメモリカードの第4のデータ伝送ピン28の形状およびサイズは限定されない。加えて、メモリカードのクロック信号ピン21およびメモリカードの電源ピン22の形状およびサイズは限定されない。 There are four pins on the card body of the memory card: the memory card clock signal pin 21, the memory card fourth data transmission pin 28, the memory card control signal pin 23, and the memory card power supply pin 22. The area covered corresponds to the area on the card body of the Nano-SIM card where the data transmission pin 34, the programming voltage/input signal pin 35 and the ground signal pin 36 of the Nano-SIM card are arranged. It can be seen that the control signal pin 23 of the memory card and the fourth data transmission pin 28 of the memory card are obtained by dividing the area of the programming voltage/input signal pin 35 of the Nano-SIM card into two pins. The shape and size of the memory card control signal pin 23 and the memory card fourth data transmission pin 28 are not limited. In addition, the shape and size of the memory card clock signal pin 21 and the memory card power pin 22 are not limited.

加えて、本実施形態では、メモリカードのピン（または接点、または接続端子）間に間隔があってもよく、したがって、メモリカードのワイヤがこれらの間隔の表面上に配置されてもよい、または間隔がなくてもよく、したがって、メモリカードのワイヤがメモリカードのカード本体の内側にあってもよい。本実施形態では、「対応する」は、マッピング関係とも呼ばれ得る。上述の実施形態の説明を参照されたい。 Additionally, in this embodiment, there may be spacing between the pins (or contacts, or connection terminals) of the memory card, so that the wires of the memory card may be placed on these spacing surfaces, or There may be no spacing and therefore the wires of the memory card may be inside the card body of the memory card. In this embodiment, "corresponding" may also be referred to as a mapping relationship. See the description of the embodiments above.

図21は、本出願の一実施形態によるさらにまた別のメモリカードの概略構成図である。図21に示されるように、図1に示される実施形態で提供されるメモリカードに基づいて、メモリカードは4つのデータ伝送ピンを備える。4つのデータ伝送ピンは、第1のデータ伝送ピン25、第2のデータ伝送ピン26、第3のデータ伝送ピン27、および第4のデータ伝送ピン28である。 FIG. 21 is a schematic configuration diagram of yet another memory card according to one embodiment of the present application. As shown in FIG. 21, based on the memory card provided in the embodiment shown in FIG. 1, the memory card has four data transmission pins. The four data transmission pins are a first data transmission pin 25, a second data transmission pin 26, a third data transmission pin 27 and a fourth data transmission pin .

メモリカードのカード本体上の、メモリカードの第2のデータ伝送ピン26が配置される領域は、Nano－SIMカードのカード本体上の、Nano－SIMカードのクロック信号ピン31が配置される領域に対応する。 The area on the card body of the memory card where the second data transmission pin 26 of the memory card is arranged corresponds to the area on the card body of the Nano-SIM card where the clock signal pin 31 of the Nano-SIM card is arranged. handle.

メモリカードの第1のデータ伝送ピン25は、メモリカードの第3のデータ伝送ピン27に隣接し、それから隔離される。メモリカードのカード本体上の、第1のデータ伝送ピン25および第3のデータ伝送ピン27が配置される領域は、Nano－SIMカードのカード本体上の、Nano－SIMカードのリセット信号ピン32が配置される領域に対応する。第1のデータ伝送ピン25は、メモリカードの第2のデータ伝送ピン26に隣接する。 A first data transmission pin 25 of the memory card is adjacent to and isolated from a third data transmission pin 27 of the memory card. The area where the first data transmission pin 25 and the third data transmission pin 27 on the card body of the memory card are arranged is the area where the reset signal pin 32 of the Nano-SIM card on the card body of the Nano-SIM card is located. Corresponds to the area to be placed. A first data transmission pin 25 is adjacent to a second data transmission pin 26 of the memory card.

メモリカードのカード本体上の、メモリカードの接地信号ピン24が配置される領域は、Nano－SIMカードのカード本体上の、Nano－SIMカードの電源ピン33が配置される領域に対応する。メモリカードの第3のデータ伝送ピン27は、メモリカードの接地信号ピン24に隣接する。 The area on the card body of the memory card where the ground signal pin 24 of the memory card is arranged corresponds to the area on the card body of the Nano-SIM card where the power supply pin 33 of the Nano-SIM card is arranged. A third data transmission pin 27 of the memory card is adjacent to the ground signal pin 24 of the memory card.

メモリカードのカード本体上の、メモリカードのクロック信号ピン21が配置される領域は、Nano－SIMカードのカード本体上の、Nano－SIMカードのデータ伝送ピン34が配置される領域に対応する。 The area on the card body of the memory card where the clock signal pin 21 of the memory card is arranged corresponds to the area on the card body of the Nano-SIM card where the data transmission pin 34 of the Nano-SIM card is arranged.

メモリカードの制御信号ピン23は、メモリカードの第4のデータ伝送ピン28に隣接し、それから隔離される。メモリカードのカード本体上の、メモリカードの制御信号ピン23および第4のデータ伝送ピン28が配置される領域は、Nano－SIMカードのカード本体上の、Nano－SIMカードのプログラミング電圧／入力信号ピン35が配置される領域に対応する。メモリカードの第4のデータ伝送ピン28は、メモリカードのクロック信号ピン21に隣接する。 A control signal pin 23 of the memory card is adjacent to and isolated from a fourth data transmission pin 28 of the memory card. The area on the card body of the memory card where the control signal pin 23 and the fourth data transmission pin 28 of the memory card are arranged is the programming voltage/input signal of the Nano-SIM card on the card body of the Nano-SIM card. It corresponds to the area where the pin 35 is arranged. A fourth data transmission pin 28 of the memory card is adjacent to the clock signal pin 21 of the memory card.

メモリカードのカード本体上の、メモリカードの電源ピン22が配置される領域は、Nano－SIMカードのカード本体上の、Nano－SIMカードの接地信号ピン36が配置される領域に対応する。メモリカードの制御信号ピン23は、メモリカードの電源ピン22に接続される。 The area on the card body of the memory card where the power supply pin 22 of the memory card is arranged corresponds to the area on the card body of the Nano-SIM card where the ground signal pin 36 of the Nano-SIM card is arranged. The control signal pin 23 of the memory card is connected to the power pin 22 of the memory card.

本実施形態では、具体的には、上記のピン配置から、メモリカードのカード本体上の、4つのピン、すなわち、メモリカードの第2のデータ伝送ピン26、メモリカードの第1のデータ伝送ピン25、メモリカードの第3のデータ伝送ピン27、およびメモリカードの接地信号ピン24が配置される領域は、Nano－SIMカードのカード本体上の、Nano－SIMカードのクロック信号ピン31、リセット信号ピン32、および電源ピン33が配置される領域に対応することが分かる。メモリカードの第1のデータ伝送ピン25およびメモリカードの第3のデータ伝送ピン27は、Nano－SIMカードのリセット信号ピン32の領域を2つのピンに分割することにより得られることが分かる。メモリカードの第1のデータ伝送ピン25およびメモリカードの第3のデータ伝送ピン27の形状およびサイズは限定されない。加えて、メモリカードの第2のデータ伝送ピン26およびメモリカードの接地信号ピン24の形状およびサイズは限定されない。 Specifically, in the present embodiment, from the above pin arrangement, four pins on the card body of the memory card, that is, the second data transmission pin 26 of the memory card and the first data transmission pin of the memory card 25, the area where the third data transmission pin 27 of the memory card and the ground signal pin 24 of the memory card are arranged, the Nano-SIM card clock signal pin 31, the reset signal on the card body of the Nano-SIM card It can be seen that it corresponds to the area where pins 32 and power supply pins 33 are arranged. It can be seen that the first data transmission pin 25 of the memory card and the third data transmission pin 27 of the memory card are obtained by dividing the area of the reset signal pin 32 of the Nano-SIM card into two pins. The shape and size of the first data transmission pin 25 of the memory card and the third data transmission pin 27 of the memory card are not limited. In addition, the shape and size of the second data transmission pin 26 of the memory card and the ground signal pin 24 of the memory card are not limited.

メモリカードのカード本体上の、4つのピン、すなわち、メモリカードのクロック信号ピン21、メモリカードの第4のデータ伝送ピン28、メモリカードの制御信号ピン23、およびメモリカードの電源ピン22が配置される領域は、Nano－SIMカードのカード本体上の、Nano－SIMカードのデータ伝送ピン34、プログラミング電圧／入力信号ピン35、および接地信号ピン36が配置される領域に対応する。メモリカードの制御信号ピン23およびメモリカードの第4のデータ伝送ピン28は、Nano－SIMカードのプログラミング電圧／入力信号ピン35の領域を2つのピンに分割することにより得られることが分かる。メモリカードの制御信号ピン23およびメモリカードの第4のデータ伝送ピン28の形状およびサイズは限定されない。加えて、メモリカードのクロック信号ピン21およびメモリカードの電源ピン22の形状およびサイズは限定されない。 There are four pins on the card body of the memory card: the memory card clock signal pin 21, the memory card fourth data transmission pin 28, the memory card control signal pin 23, and the memory card power supply pin 22. The area covered corresponds to the area on the card body of the Nano-SIM card where the data transmission pin 34, the programming voltage/input signal pin 35 and the ground signal pin 36 of the Nano-SIM card are arranged. It can be seen that the control signal pin 23 of the memory card and the fourth data transmission pin 28 of the memory card are obtained by dividing the area of the programming voltage/input signal pin 35 of the Nano-SIM card into two pins. The shape and size of the memory card control signal pin 23 and the memory card fourth data transmission pin 28 are not limited. In addition, the shape and size of the memory card clock signal pin 21 and the memory card power pin 22 are not limited.

加えて、本実施形態では、メモリカードのピン（または接点、または接続端子）間に間隔があってもよく、したがって、メモリカードのワイヤがこれらの間隔の表面上に配置されてもよい、または間隔がなくてもよく、したがって、メモリカードのワイヤがメモリカードのカード本体の内側にあってもよい。本実施形態では、「対応する」は、マッピング関係とも呼ばれ得る。上述の実施形態の説明を参照されたい。 Additionally, in this embodiment, there may be spacing between the pins (or contacts, or connection terminals) of the memory card, so that the wires of the memory card may be placed on these spacing surfaces, or There may be no spacing and therefore the wires of the memory card may be inside the card body of the memory card. In this embodiment, "corresponding" may also be referred to as a mapping relationship. See the description of the embodiments above.

図22は、本出願の一実施形態によるさらにまた別のメモリカードの概略構成図である。図22に示されるように、図1に示される実施形態で提供されるメモリカードに基づいて、メモリカードは4つのデータ伝送ピンを備える。4つのデータ伝送ピンは、第1のデータ伝送ピン25、第2のデータ伝送ピン26、第3のデータ伝送ピン27、および第4のデータ伝送ピン28である。 FIG. 22 is a schematic configuration diagram of yet another memory card according to one embodiment of the present application. As shown in FIG. 22, based on the memory card provided in the embodiment shown in FIG. 1, the memory card has four data transmission pins. The four data transmission pins are a first data transmission pin 25, a second data transmission pin 26, a third data transmission pin 27 and a fourth data transmission pin .

メモリカードのカード本体上の、メモリカードの第2のデータ伝送ピン26が配置される領域は、Nano－SIMカードのカード本体上の、Nano－SIMカードのクロック信号ピン31が配置される領域に対応する。 The area on the card body of the memory card where the second data transmission pin 26 of the memory card is arranged corresponds to the area on the card body of the Nano-SIM card where the clock signal pin 31 of the Nano-SIM card is arranged. handle.

メモリカードの第1のデータ伝送ピン25は、メモリカードの第3のデータ伝送ピン27に隣接し、それから隔離される。メモリカードのカード本体上の、第1のデータ伝送ピン25および第3のデータ伝送ピン27が配置される領域は、Nano－SIMカードのカード本体上の、Nano－SIMカードのリセット信号ピン32が配置される領域に対応する。メモリカードの第3のデータ伝送ピン27は、メモリカードの第2のデータ伝送ピン26に隣接する。 A first data transmission pin 25 of the memory card is adjacent to and isolated from a third data transmission pin 27 of the memory card. The area where the first data transmission pin 25 and the third data transmission pin 27 on the card body of the memory card are arranged is the area where the reset signal pin 32 of the Nano-SIM card on the card body of the Nano-SIM card is located. Corresponds to the area to be placed. A third data transmission pin 27 of the memory card is adjacent to a second data transmission pin 26 of the memory card.

メモリカードのカード本体上の、メモリカードの接地信号ピン24が配置される領域は、Nano－SIMカードのカード本体上の、Nano－SIMカードの電源ピン33が配置される領域に対応する。メモリカードの第1のデータ伝送ピン25は、メモリカードの接地信号ピン24に隣接する。 The area on the card body of the memory card where the ground signal pin 24 of the memory card is arranged corresponds to the area on the card body of the Nano-SIM card where the power supply pin 33 of the Nano-SIM card is arranged. A first data transmission pin 25 of the memory card is adjacent to a ground signal pin 24 of the memory card.

メモリカードのカード本体上の、メモリカードのクロック信号ピン21が配置される領域は、Nano－SIMカードのカード本体上の、Nano－SIMカードのデータ伝送ピン34が配置される領域に対応する。 The area on the card body of the memory card where the clock signal pin 21 of the memory card is arranged corresponds to the area on the card body of the Nano-SIM card where the data transmission pin 34 of the Nano-SIM card is arranged.

メモリカードの制御信号ピン23は、メモリカードの第4のデータ伝送ピン28に隣接し、それから隔離される。メモリカードのカード本体上の、メモリカードの制御信号ピン23および第4のデータ伝送ピン28が配置される領域は、Nano－SIMカードのカード本体上の、Nano－SIMカードのプログラミング電圧／入力信号ピン35が配置される領域に対応する。メモリカードの制御信号ピン23は、メモリカードのクロック信号ピン21に隣接する。 A control signal pin 23 of the memory card is adjacent to and isolated from a fourth data transmission pin 28 of the memory card. The area on the card body of the memory card where the control signal pin 23 and the fourth data transmission pin 28 of the memory card are arranged is the programming voltage/input signal of the Nano-SIM card on the card body of the Nano-SIM card. It corresponds to the area where the pin 35 is arranged. The control signal pin 23 of the memory card is adjacent to the clock signal pin 21 of the memory card.

メモリカードのカード本体上の、メモリカードの電源ピン22が配置される領域は、Nano－SIMカードのカード本体上の、Nano－SIMカードの接地信号ピン36が配置される領域に対応する。メモリカードの第4のデータ伝送ピン28は、メモリカードの電源ピン22に隣接する。 The area on the card body of the memory card where the power supply pin 22 of the memory card is arranged corresponds to the area on the card body of the Nano-SIM card where the ground signal pin 36 of the Nano-SIM card is arranged. A fourth data transmission pin 28 of the memory card is adjacent to the power pin 22 of the memory card.

本実施形態では、具体的には、上記のピン配置から、メモリカードのカード本体上の、4つのピン、すなわち、メモリカードの第2のデータ伝送ピン26、メモリカードの第3のデータ伝送ピン27、メモリカードの第1のデータ伝送ピン25、およびメモリカードの接地信号ピン24が配置される領域は、Nano－SIMカードのカード本体上の、Nano－SIMカードのクロック信号ピン31、リセット信号ピン32、および電源ピン33が配置される領域に対応することが分かる。メモリカードの第1のデータ伝送ピン25およびメモリカードの第3のデータ伝送ピン27は、Nano－SIMカードのリセット信号ピン32の領域を2つのピンに分割することにより得られることが分かる。メモリカードの第1のデータ伝送ピン25およびメモリカードの第3のデータ伝送ピン27の形状およびサイズは限定されない。加えて、メモリカードの第2のデータ伝送ピン26およびメモリカードの接地信号ピン24の形状およびサイズは限定されない。 Specifically, in the present embodiment, from the above pin arrangement, four pins on the card body of the memory card, that is, the second data transmission pin 26 of the memory card and the third data transmission pin of the memory card 27, the area where the first data transmission pin 25 of the memory card and the ground signal pin 24 of the memory card are arranged is the Nano-SIM card clock signal pin 31, the reset signal on the card body of the Nano-SIM card It can be seen that it corresponds to the area where pins 32 and power supply pins 33 are arranged. It can be seen that the first data transmission pin 25 of the memory card and the third data transmission pin 27 of the memory card are obtained by dividing the area of the reset signal pin 32 of the Nano-SIM card into two pins. The shape and size of the first data transmission pin 25 of the memory card and the third data transmission pin 27 of the memory card are not limited. In addition, the shape and size of the second data transmission pin 26 of the memory card and the ground signal pin 24 of the memory card are not limited.

メモリカードのカード本体上の、4つのピン、すなわち、メモリカードのクロック信号ピン21、メモリカードの制御信号ピン23、メモリカードの第4のデータ伝送ピン28、およびメモリカードの電源ピン22が配置される領域は、Nano－SIMカードのカード本体上の、Nano－SIMカードのデータ伝送ピン34、プログラミング電圧／入力信号ピン35、および接地信号ピン36が配置される領域に対応する。メモリカードの制御信号ピン23およびメモリカードの第4のデータ伝送ピン28は、Nano－SIMカードのプログラミング電圧／入力信号ピン35の領域を2つのピンに分割することにより得られることが分かる。メモリカードの制御信号ピン23およびメモリカードの第4のデータ伝送ピン28の形状およびサイズは限定されない。加えて、メモリカードのクロック信号ピン21およびメモリカードの電源ピン22の形状およびサイズは限定されない。 There are four pins on the card body of the memory card: the memory card clock signal pin 21, the memory card control signal pin 23, the memory card fourth data transmission pin 28, and the memory card power supply pin 22. The area covered corresponds to the area on the card body of the Nano-SIM card where the data transmission pin 34, the programming voltage/input signal pin 35 and the ground signal pin 36 of the Nano-SIM card are arranged. It can be seen that the control signal pin 23 of the memory card and the fourth data transmission pin 28 of the memory card are obtained by dividing the area of the programming voltage/input signal pin 35 of the Nano-SIM card into two pins. The shape and size of the memory card control signal pin 23 and the memory card fourth data transmission pin 28 are not limited. In addition, the shape and size of the memory card clock signal pin 21 and the memory card power pin 22 are not limited.

加えて、本実施形態では、メモリカードのピン（または接点、または接続端子）間に間隔があってもよく、したがって、メモリカードのワイヤがこれらの間隔の表面上に配置されてもよい、または間隔がなくてもよく、したがって、メモリカードのワイヤがメモリカードのカード本体の内側にあってもよい。本実施形態では、「対応する」は、マッピング関係とも呼ばれ得る。上述の実施形態の説明を参照されたい。 Additionally, in this embodiment, there may be spacing between the pins (or contacts, or connection terminals) of the memory card, so that the wires of the memory card may be placed on these spacing surfaces, or There may be no spacing and therefore the wires of the memory card may be inside the card body of the memory card. In this embodiment, "corresponding" may also be referred to as a mapping relationship. See the description of the embodiments above.

図23は、本出願の一実施形態によるさらにまた別のメモリカードの概略構成図である。図23に示されるように、図1に示される実施形態で提供されるメモリカードに基づいて、メモリカードは4つのデータ伝送ピンを備える。4つのデータ伝送ピンは、第1のデータ伝送ピン25、第2のデータ伝送ピン26、第3のデータ伝送ピン27、および第4のデータ伝送ピン28である。 FIG. 23 is a schematic configuration diagram of yet another memory card according to one embodiment of the present application. As shown in FIG. 23, based on the memory card provided in the embodiment shown in FIG. 1, the memory card has four data transmission pins. The four data transmission pins are a first data transmission pin 25, a second data transmission pin 26, a third data transmission pin 27 and a fourth data transmission pin .

メモリカードのカード本体上の、メモリカードの電源ピン22が配置される領域は、Nano－SIMカードのカード本体上の、Nano－SIMカードのクロック信号ピン31が配置される領域に対応する。 The area on the card body of the memory card where the power supply pin 22 of the memory card is arranged corresponds to the area on the card body of the Nano-SIM card where the clock signal pin 31 of the Nano-SIM card is arranged.

メモリカードのカード本体上の、メモリカードの第1のデータ伝送ピン25が配置される領域は、Nano－SIMカードのカード本体上の、Nano－SIMカードのリセット信号ピン32が配置される領域に対応する。 The area on the card body of the memory card where the first data transmission pin 25 of the memory card is arranged corresponds to the area on the card body of the Nano-SIM card where the reset signal pin 32 of the Nano-SIM card is arranged. handle.

メモリカードのカード本体上の、メモリカードのクロック信号ピン21が配置される領域は、Nano－SIMカードのカード本体上の、Nano－SIMカードの電源ピン33が配置される領域に対応する。 The area on the card body of the memory card where the clock signal pin 21 of the memory card is arranged corresponds to the area on the card body of the Nano-SIM card where the power supply pin 33 of the Nano-SIM card is arranged.

メモリカードのカード本体上の、メモリカードの第2のデータ伝送ピン26が配置される領域は、Nano－SIMカードのカード本体上の、Nano－SIMカードのデータ伝送ピン34が配置される領域に対応する。 The area on the card body of the memory card where the second data transmission pin 26 of the memory card is arranged corresponds to the area on the card body of the Nano-SIM card where the data transmission pin 34 of the Nano-SIM card is arranged. handle.

メモリカードのカード本体上の、メモリカードの制御信号ピン23が配置される領域は、Nano－SIMカードのカード本体上の、Nano－SIMカードのプログラミング電圧／入力信号ピン35が配置される領域に対応する。 The area on the card body of the memory card where the control signal pins 23 of the memory card are arranged corresponds to the area on the card body of the Nano-SIM card where the programming voltage/input signal pins 35 of the Nano-SIM card are arranged. handle.

メモリカードのカード本体上の、メモリカードの接地信号ピン24が配置される領域は、Nano－SIMカードのカード本体上の、Nano－SIMカードの接地信号ピン36が配置される領域に対応する。 The area on the card body of the memory card where the ground signal pin 24 of the memory card is arranged corresponds to the area on the card body of the Nano-SIM card where the ground signal pin 36 of the Nano-SIM card is arranged.

メモリカードの第3のデータ伝送ピン27は、メモリカードの電源ピン22とメモリカードの第2のデータ伝送ピン26との間に配置される。第3のデータ伝送ピン27は、メモリカードの電源ピン22およびメモリカードの第2のデータ伝送ピン26から隔離される。第3のデータ伝送ピン27の中心点は、メモリカードの電源ピン22の中心点と第2のデータ伝送ピン26の中心点との間の接続線に配置される。 A third data transmission pin 27 of the memory card is arranged between the power supply pin 22 of the memory card and the second data transmission pin 26 of the memory card. The third data transmission pin 27 is isolated from the power pin 22 of the memory card and the second data transmission pin 26 of the memory card. The center point of the third data transmission pin 27 is located on the connecting line between the center point of the power supply pin 22 and the center point of the second data transmission pin 26 of the memory card.

メモリカードの第4のデータ伝送ピン28は、メモリカードのクロック信号ピン21とメモリカードの接地信号ピン24との間に配置される。第4のデータ伝送ピン28は、メモリカードのクロック信号ピン21およびメモリカードの接地信号ピン24から隔離される。第4のデータ伝送ピン28の中心点は、メモリカードのクロック信号ピン21の中心点とメモリカードの接地信号ピン24の中心点との間の接続線に配置される。 A fourth data transmission pin 28 of the memory card is arranged between the clock signal pin 21 of the memory card and the ground signal pin 24 of the memory card. A fourth data transmission pin 28 is isolated from the memory card clock signal pin 21 and the memory card ground signal pin 24 . The center point of the fourth data transmission pin 28 is located on the connection line between the center point of the clock signal pin 21 of the memory card and the center point of the ground signal pin 24 of the memory card.

本実施形態では、具体的には、上記のピン配置から、メモリカードのカード本体上の、3つのピン、すなわち、メモリカードの電源ピン22、メモリカードの第1のデータ伝送ピン25、およびメモリカードのクロック信号ピン21が配置される領域は、Nano－SIMカードのカード本体上の、Nano－SIMカードのクロック信号ピン31、リセット信号ピン32、および電源ピン33が配置される領域に対応することが分かる。 Specifically, in this embodiment, from the above pin arrangement, there are three pins on the card body of the memory card: the power supply pin 22 of the memory card, the first data transmission pin 25 of the memory card, and the memory card. The area where the clock signal pin 21 of the card is arranged corresponds to the area where the clock signal pin 31, the reset signal pin 32, and the power pin 33 of the Nano-SIM card are arranged on the card body of the Nano-SIM card. I understand.

メモリカードのカード本体上の、3つのピン、すなわち、メモリカードの第2のデータ伝送ピン26、メモリカードの制御信号ピン23、およびメモリカードの接地信号ピン24が配置される領域は、Nano－SIMカードのカード本体上の、Nano－SIMカードのデータ伝送ピン34、プログラミング電圧／入力信号ピン35、および接地信号ピン36が配置される領域に対応する。 The area on the card body of the memory card where three pins, namely the second data transmission pin 26 of the memory card, the control signal pin 23 of the memory card, and the ground signal pin 24 of the memory card are arranged, is called Nano- It corresponds to the area on the card body of the SIM card where the data transmission pin 34, the programming voltage/input signal pin 35 and the ground signal pin 36 of the Nano-SIM card are arranged.

メモリカードの第3のデータ伝送ピン27は、メモリカードの電源ピン22とメモリカードの第2のデータ伝送ピン26との間に配置される。場合により、メモリカードの第3のデータ伝送ピン27の中心点は、メモリカードの電源ピン22の中心点とメモリカードの第2のデータ伝送ピン26の中心点との間の接続線に配置される。メモリカードの第4のデータ伝送ピン28は、メモリカードのクロック信号ピン21とメモリカードの接地信号ピン24との間に配置される。場合により、メモリカードの第4のデータ伝送ピン28の中心点は、メモリカードのクロック信号ピン21の中心点とメモリカードの接地信号ピン24の中心点との間の接続線に配置される。 A third data transmission pin 27 of the memory card is arranged between the power supply pin 22 of the memory card and the second data transmission pin 26 of the memory card. Optionally, the center point of the third data transmission pin 27 of the memory card is arranged on the connecting line between the center point of the power supply pin 22 of the memory card and the center point of the second data transmission pin 26 of the memory card. be. A fourth data transmission pin 28 of the memory card is arranged between the clock signal pin 21 of the memory card and the ground signal pin 24 of the memory card. Optionally, the center point of the fourth data transmission pin 28 of the memory card is arranged on the connecting line between the center point of the clock signal pin 21 of the memory card and the center point of the ground signal pin 24 of the memory card.

加えて、本実施形態では、メモリカードのピン（または接点、または接続端子）間に間隔があってもよく、したがって、メモリカードのワイヤがこれらの間隔の表面上に配置されてもよい、または間隔がなくてもよく、したがって、メモリカードのワイヤがメモリカードのカード本体の内側にあってもよい。本実施形態では、「対応する」は、マッピング関係とも呼ばれ得る。上述の実施形態の説明を参照されたい。 Additionally, in this embodiment, there may be spacing between the pins (or contacts, or connection terminals) of the memory card, so that the wires of the memory card may be placed on these spacing surfaces, or There may be no spacing and therefore the wires of the memory card may be inside the card body of the memory card. In this embodiment, "corresponding" may also be referred to as a mapping relationship. See the description of the embodiments above.

図24は、本出願の一実施形態によるさらにまた別のメモリカードの概略構成図である。図24に示されるように、図1に示される実施形態で提供されるメモリカードに基づいて、メモリカードは4つのデータ伝送ピンを備える。4つのデータ伝送ピンは、第1のデータ伝送ピン25、第2のデータ伝送ピン26、第3のデータ伝送ピン27、および第4のデータ伝送ピン28である。 FIG. 24 is a schematic configuration diagram of yet another memory card according to one embodiment of the present application. As shown in FIG. 24, based on the memory card provided in the embodiment shown in FIG. 1, the memory card has four data transmission pins. The four data transmission pins are a first data transmission pin 25, a second data transmission pin 26, a third data transmission pin 27 and a fourth data transmission pin .

メモリカードのカード本体上の、メモリカードのクロック信号ピン21が配置される領域は、Nano－SIMカードのカード本体上の、Nano－SIMカードのクロック信号ピン31が配置される領域に対応する。 The area on the card body of the memory card where the clock signal pin 21 of the memory card is arranged corresponds to the area on the card body of the Nano-SIM card where the clock signal pin 31 of the Nano-SIM card is arranged.

メモリカードのカード本体上の、メモリカードの第1のデータ伝送ピン25が配置される領域は、Nano－SIMカードのカード本体上の、Nano－SIMカードのリセット信号ピン32が配置される領域に対応する。 The area on the card body of the memory card where the first data transmission pin 25 of the memory card is arranged corresponds to the area on the card body of the Nano-SIM card where the reset signal pin 32 of the Nano-SIM card is arranged. handle.

メモリカードのカード本体上の、メモリカードの電源ピン22が配置される領域は、Nano－SIMカードのカード本体上の、Nano－SIMカードの電源ピン33が配置される領域に対応する。 The area on the card body of the memory card where the power pins 22 of the memory card are arranged corresponds to the area on the card body of the Nano-SIM card where the power pins 33 of the Nano-SIM card are arranged.

メモリカードのカード本体上の、メモリカードの接地信号ピン24が配置される領域は、Nano－SIMカードのカード本体上の、Nano－SIMカードのデータ伝送ピン34が配置される領域に対応する。 The area on the card body of the memory card where the ground signal pin 24 of the memory card is arranged corresponds to the area on the card body of the Nano-SIM card where the data transmission pin 34 of the Nano-SIM card is arranged.

メモリカードのカード本体上の、メモリカードの制御信号ピン23が配置される領域は、Nano－SIMカードのカード本体上の、Nano－SIMカードのプログラミング電圧／入力信号ピン35が配置される領域に対応する。 The area on the card body of the memory card where the control signal pins 23 of the memory card are arranged corresponds to the area on the card body of the Nano-SIM card where the programming voltage/input signal pins 35 of the Nano-SIM card are arranged. handle.

メモリカードのカード本体上の、メモリカードの第2のデータ伝送ピン26が配置される領域は、Nano－SIMカードのカード本体上の、Nano－SIMカードの接地信号ピン36が配置される領域に対応する。 The area on the card body of the memory card where the second data transmission pin 26 of the memory card is arranged corresponds to the area on the card body of the Nano-SIM card where the ground signal pin 36 of the Nano-SIM card is arranged. handle.

メモリカードの第3のデータ伝送ピン27は、メモリカードのクロック信号ピン21とメモリカードの接地信号ピン24との間に配置される。第3のデータ伝送ピン27は、メモリカードのクロック信号ピン21およびメモリカードの接地信号ピン24から隔離される。第3のデータ伝送ピン27の中心点は、メモリカードのクロック信号ピン21の中心点とメモリカードの接地信号ピン24の中心点との間の接続線に配置される。 A third data transmission pin 27 of the memory card is arranged between the clock signal pin 21 of the memory card and the ground signal pin 24 of the memory card. A third data transmission pin 27 is isolated from the memory card clock signal pin 21 and the memory card ground signal pin 24 . The center point of the third data transmission pin 27 is located on the connection line between the center point of the clock signal pin 21 of the memory card and the center point of the ground signal pin 24 of the memory card.

メモリカードの第4のデータ伝送ピン28は、メモリカードの電源ピン22とメモリカードの第2のデータ伝送ピン26との間に配置される。第4のデータ伝送ピン28は、メモリカードの電源ピン22およびメモリカードの第2のデータ伝送ピン26から隔離される。第4のデータ伝送ピン28の中心点は、メモリカードの電源ピン22の中心点と第2のデータ伝送ピン26の中心点との間の接続線に配置される。 A fourth data transmission pin 28 of the memory card is arranged between the power supply pin 22 of the memory card and the second data transmission pin 26 of the memory card. A fourth data transmission pin 28 is isolated from the memory card power pin 22 and the second data transmission pin 26 of the memory card. The center point of the fourth data transmission pin 28 is located on the connecting line between the center point of the power supply pin 22 and the center point of the second data transmission pin 26 of the memory card.

本実施形態では、具体的には、上記のピン配置から、メモリカードのカード本体上の、3つのピン、すなわち、メモリカードのクロック信号ピン21、メモリカードの第1のデータ伝送ピン25、およびメモリカードの電源ピン22が配置される領域は、Nano－SIMカードのカード本体上の、Nano－SIMカードのクロック信号ピン31、リセット信号ピン32、および電源ピン33が配置される領域に対応することが分かる。 Specifically, in this embodiment, from the above pin arrangement, there are three pins on the card body of the memory card: the clock signal pin 21 of the memory card, the first data transmission pin 25 of the memory card, and the The area where the power supply pin 22 of the memory card is arranged corresponds to the area on the card body of the Nano-SIM card where the clock signal pin 31, the reset signal pin 32, and the power supply pin 33 of the Nano-SIM card are arranged. I understand.

メモリカードのカード本体上の、3つのピン、すなわち、メモリカードの接地信号ピン24、メモリカードの制御信号ピン23、およびメモリカードの第2のデータ伝送ピン26が配置される領域は、Nano－SIMカードのカード本体上の、Nano－SIMカードのデータ伝送ピン34、プログラミング電圧／入力信号ピン35、および接地信号ピン36が配置される領域に対応する。 The area on the card body of the memory card where three pins, namely the ground signal pin 24 of the memory card, the control signal pin 23 of the memory card, and the second data transmission pin 26 of the memory card are arranged, is called Nano- It corresponds to the area on the card body of the SIM card where the data transmission pin 34, the programming voltage/input signal pin 35 and the ground signal pin 36 of the Nano-SIM card are arranged.

メモリカードの第3のデータ伝送ピン27は、メモリカードのクロック信号ピン21とメモリカードの接地信号ピン24との間に配置される。場合により、メモリカードの第3のデータ伝送ピン27の中心点は、メモリカードのクロック信号ピン21の中心点とメモリカードの接地信号ピン24の中心点との間の接続線に配置される。メモリカードの第4のデータ伝送ピン28は、メモリカードの電源ピン22とメモリカードの第2のデータ伝送ピン26との間に配置される。場合により、メモリカードの第4のデータ伝送ピン28の中心点は、メモリカードの電源ピン22の中心点とメモリカードの第2のデータ伝送ピン26の中心点との間の接続線に配置される。 A third data transmission pin 27 of the memory card is arranged between the clock signal pin 21 of the memory card and the ground signal pin 24 of the memory card. Optionally, the center point of the third data transmission pin 27 of the memory card is arranged on the connecting line between the center point of the clock signal pin 21 of the memory card and the center point of the ground signal pin 24 of the memory card. A fourth data transmission pin 28 of the memory card is arranged between the power supply pin 22 of the memory card and the second data transmission pin 26 of the memory card. Optionally, the center point of the fourth data transmission pin 28 of the memory card is arranged on the connecting line between the center point of the power supply pin 22 of the memory card and the center point of the second data transmission pin 26 of the memory card. be.

加えて、本実施形態では、メモリカードのピン（または接点、または接続端子）間に間隔があってもよく、したがって、メモリカードのワイヤがこれらの間隔の表面上に配置されてもよい、または間隔がなくてもよく、したがって、メモリカードのワイヤがメモリカードのカード本体の内側にあってもよい。本実施形態では、「対応する」は、マッピング関係とも呼ばれ得る。上述の実施形態の説明を参照されたい。 Additionally, in this embodiment, there may be spacing between the pins (or contacts, or connection terminals) of the memory card, so that the wires of the memory card may be placed on these spacing surfaces, or There may be no spacing and therefore the wires of the memory card may be inside the card body of the memory card. In this embodiment, "corresponding" may also be referred to as a mapping relationship. See the description of the embodiments above.

図25は、本出願の一実施形態によるさらにまた別のメモリカードの概略構成図である。図25に示されるように、図1に示される実施形態で提供されるメモリカードに基づいて、メモリカードは4つのデータ伝送ピンを備える。4つのデータ伝送ピンは、第1のデータ伝送ピン25、第2のデータ伝送ピン26、第3のデータ伝送ピン27、および第4のデータ伝送ピン28である。 FIG. 25 is a schematic configuration diagram of yet another memory card according to one embodiment of the present application. As shown in FIG. 25, based on the memory card provided in the embodiment shown in FIG. 1, the memory card has four data transmission pins. The four data transmission pins are a first data transmission pin 25, a second data transmission pin 26, a third data transmission pin 27 and a fourth data transmission pin .

メモリカードのカード本体上の、メモリカードのクロック信号ピン21が配置される領域は、Nano－SIMカードのカード本体上の、Nano－SIMカードのクロック信号ピン31が配置される領域に対応する。 The area on the card body of the memory card where the clock signal pin 21 of the memory card is arranged corresponds to the area on the card body of the Nano-SIM card where the clock signal pin 31 of the Nano-SIM card is arranged.

メモリカードのカード本体上の、メモリカードの第1のデータ伝送ピン25が配置される領域は、Nano－SIMカードのカード本体上の、Nano－SIMカードのリセット信号ピン32が配置される領域に対応する。 The area on the card body of the memory card where the first data transmission pin 25 of the memory card is arranged corresponds to the area on the card body of the Nano-SIM card where the reset signal pin 32 of the Nano-SIM card is arranged. handle.

メモリカードのカード本体上の、メモリカードの第3のデータ伝送ピン27および電源ピン22が配置される領域は、Nano－SIMカードのカード本体上の、Nano－SIMカードの電源ピン33が配置される領域に対応する。メモリカードの電源ピン22は、メモリカードの第3のデータ伝送ピン27の領域の一部を占める。メモリカードの電源ピン22は、メモリカードの第3のデータ伝送ピン27から隔離される。メモリカードの電源ピン22は、メモリカードの第1のデータ伝送ピン25に隣接する。 The area on the card body of the memory card where the third data transmission pin 27 and the power pin 22 of the memory card are arranged is the area where the power pin 33 of the Nano-SIM card on the card body of the Nano-SIM card is arranged. corresponds to the area where The power pin 22 of the memory card occupies part of the area of the third data transmission pin 27 of the memory card. The power pin 22 of the memory card is isolated from the third data transmission pin 27 of the memory card. A power pin 22 of the memory card is adjacent to a first data transmission pin 25 of the memory card.

メモリカードのカード本体上の、メモリカードの第2のデータ伝送ピン26が配置される領域は、Nano－SIMカードのカード本体上の、Nano－SIMカードのデータ伝送ピン34が配置される領域に対応する。 The area on the card body of the memory card where the second data transmission pin 26 of the memory card is arranged corresponds to the area on the card body of the Nano-SIM card where the data transmission pin 34 of the Nano-SIM card is arranged. handle.

メモリカードのカード本体上の、メモリカードの制御信号ピン23が配置される領域は、Nano－SIMカードのカード本体上の、Nano－SIMカードのプログラミング電圧／入力信号ピン35が配置される領域に対応する。 The area on the card body of the memory card where the control signal pins 23 of the memory card are arranged corresponds to the area on the card body of the Nano-SIM card where the programming voltage/input signal pins 35 of the Nano-SIM card are arranged. handle.

メモリカードのカード本体上の、メモリカードの第4のデータ伝送ピン28および接地信号ピン24が配置される領域は、Nano－SIMカードのカード本体上の、Nano－SIMカードの接地信号ピン36が配置される領域に対応する。メモリカードの接地信号ピン24は、メモリカードの第4のデータ伝送ピン28の領域の一部を占める。メモリカードの接地信号ピン24は、メモリカードの第4のデータ伝送ピン28から隔離される。メモリカードの接地信号ピン24は、メモリカードの制御信号ピン23に隣接する。 The area on the card body of the memory card where the fourth data transmission pin 28 and the ground signal pin 24 of the memory card are arranged is the area where the ground signal pin 36 of the Nano-SIM card on the card body of the Nano-SIM card is located. Corresponds to the area to be placed. The ground signal pin 24 of the memory card occupies part of the area of the fourth data transmission pin 28 of the memory card. A ground signal pin 24 of the memory card is isolated from a fourth data transmission pin 28 of the memory card. The ground signal pin 24 of the memory card is adjacent to the control signal pin 23 of the memory card.

本実施形態では、具体的には、さらに、メモリカードのカード本体上の、4つのピン、すなわち、メモリカードのクロック信号ピン21、メモリカードの第1のデータ伝送ピン25、メモリカードの電源ピン22、およびメモリカードの第3のデータ伝送ピン27が配置される領域は、Nano－SIMカードのカード本体上の、Nano－SIMカードのクロック信号ピン31、リセット信号ピン32、および電源ピン33が配置される領域に対応する。メモリカードの第3のデータ伝送ピン27およびメモリカードの電源ピン22は、Nano－SIMカードの電源ピン33の領域を2つのピンに分割することにより得られることが分かる。加えて、メモリカードの電源ピン22は、メモリカードの第3のデータ伝送ピン27の領域の一部を占める。図25から、メモリカードの電源ピン22が、メモリカードの第3のデータ伝送ピン27の角を占めることが分かる。メモリカードの第3のデータ伝送ピン27およびメモリカードの電源ピン22の形状およびサイズは限定されない。加えて、メモリカードのクロック信号ピン21およびメモリカードの第1のデータ伝送ピン25の形状およびサイズは限定されない。 Specifically, in this embodiment, furthermore, four pins on the card body of the memory card, that is, the clock signal pin 21 of the memory card, the first data transmission pin 25 of the memory card, and the power supply pin of the memory card 22, and the third data transmission pin 27 of the memory card are arranged, the area where the clock signal pin 31, the reset signal pin 32, and the power pin 33 of the Nano-SIM card are located on the card body of the Nano-SIM card. Corresponds to the area to be placed. It can be seen that the third data transmission pin 27 of the memory card and the power pin 22 of the memory card are obtained by dividing the area of the power pin 33 of the Nano-SIM card into two pins. In addition, the power pin 22 of the memory card occupies part of the area of the third data transmission pin 27 of the memory card. From FIG. 25 it can be seen that the power pin 22 of the memory card occupies the corner of the third data transmission pin 27 of the memory card. The shape and size of the third data transmission pin 27 of the memory card and the power pin 22 of the memory card are not limited. In addition, the shape and size of the memory card clock signal pin 21 and the memory card first data transmission pin 25 are not limited.

メモリカードのカード本体上の、4つのピン、すなわち、メモリカードの第2のデータ伝送ピン26、メモリカードの制御信号ピン23、メモリカードの接地信号ピン24、およびメモリカードの第4のデータ伝送ピン28が配置される領域は、Nano－SIMカードのカード本体上の、Nano－SIMカードのデータ伝送ピン34、プログラミング電圧／入力信号ピン35、および接地信号ピン36が配置される領域に対応する。メモリカードの第4のデータ伝送ピン28およびメモリカードの接地信号ピン24は、Nano－SIMカードの接地信号ピン36の領域を2つのピンに分割することにより得られることが分かる。加えて、メモリカードの接地信号ピン24は、メモリカードの第4のデータ伝送ピン28の領域の一部を占める。図25から、メモリカードの接地信号ピン24は、メモリカードの第4のデータ伝送ピン28の角を占めることが分かる。メモリカードの第4のデータ伝送ピン28およびメモリカードの接地信号ピン24の形状およびサイズは限定されない。加えて、メモリカードの第2のデータ伝送ピン26およびメモリカードの制御信号ピン23の形状およびサイズは限定されない。 Four pins on the card body of the memory card: the second data transmission pin 26 of the memory card, the control signal pin 23 of the memory card, the ground signal pin 24 of the memory card, and the fourth data transmission of the memory card. The area where the pins 28 are arranged corresponds to the area on the card body of the Nano-SIM card where the data transmission pins 34, the programming voltage/input signal pins 35 and the ground signal pins 36 of the Nano-SIM card are arranged. . It can be seen that the fourth data transmission pin 28 of the memory card and the ground signal pin 24 of the memory card are obtained by dividing the area of the ground signal pin 36 of the Nano-SIM card into two pins. In addition, the ground signal pin 24 of the memory card occupies part of the area of the fourth data transmission pin 28 of the memory card. From FIG. 25 it can be seen that the ground signal pin 24 of the memory card occupies the corner of the fourth data transmission pin 28 of the memory card. The shape and size of the memory card fourth data transmission pin 28 and the memory card ground signal pin 24 are not limited. In addition, the shape and size of the second data transmission pin 26 of the memory card and the control signal pin 23 of the memory card are not limited.

加えて、本実施形態では、メモリカードのピン（または接点、または接続端子）間に間隔があってもよく、したがって、メモリカードのワイヤがこれらの間隔の表面上に配置されてもよい、または間隔がなくてもよく、したがって、メモリカードのワイヤがメモリカードのカード本体の内側にあってもよい。本実施形態では、「対応する」は、マッピング関係とも呼ばれ得る。上述の実施形態の説明を参照されたい。 Additionally, in this embodiment, there may be spacing between the pins (or contacts, or connection terminals) of the memory card, so that the wires of the memory card may be placed on these spacing surfaces, or There may be no spacing and therefore the wires of the memory card may be inside the card body of the memory card. In this embodiment, "corresponding" may also be referred to as a mapping relationship. See the description of the embodiments above.

本実施形態におけるNano－SIMカードはマイクロSIMカードであり、第4のフォームファクタの集積回路基板とも呼ばれ、NanoSIMカード、Nano SIMカード、Nano－Simカード、NanoSimカード、Nano Simカード、nano－SIMカード、nanoSIMカード、nano SIMカード、nano－Simカード、nanoSimカード、nano－Simカード、nanoSimカード、nano Simカード、nano－simカード、nanosimカード、またはnano simカードとも呼ばれる。 The Nano-SIM card in this embodiment is a micro SIM card, also called a fourth form factor integrated circuit board, Nano SIM card, Nano SIM card, Nano-Sim card, Nano Sim card, Nano Sim card, nano-SIM Also called card, nanoSIM card, nano SIM card, nano-Sim card, nanoSim card, nano-Sim card, nanoSim card, nano Sim card, nano-sim card, nanosim card, or nano sim card.

本実施形態のメモリカードは、本発明の本実施形態のNano－SIMカードと基本的に同じ形状および基本的に同じサイズのメモリカードである。 The memory card of this embodiment has basically the same shape and size as the Nano-SIM card of this embodiment of the present invention.

以下の実施形態におけるピンは、金属接点であり得る。具体的には、ピンは、接触面積および導電機能を備えた接点であり得る。本出願の実施形態におけるピンは、接続端子と呼ばれる場合もある。ピンの具体的な名称は特に限定されない。 The pins in the following embodiments can be metal contacts. Specifically, a pin can be a contact with contact area and conductive function. The pins in the embodiments of the present application are sometimes called connection terminals. A specific name of the pin is not particularly limited.

図27は、本出願の一実施形態によるさらにまた別のメモリカードの概略構成図1である。図28は、本出願の一実施形態によるさらにまた別のメモリカードの概略構成図2である。図27および図28に示されるように、図27はメモリカードの構造を示しており、図28はメモリカードに8本のピンが配置されていることを示している。各ピンにはピン表記が付いている。ピンの表記は、1、2、3、4、5、6、7、および8である。図28の角度から見ると、ピン4はピン3の下に配置され、ピン4は「L」字形であり、ピン5はピン6の下に配置され、ピン5は「L」字形である。 FIG. 27 is a schematic configuration diagram 1 of yet another memory card according to one embodiment of the present application. FIG. 28 is a schematic configuration diagram 2 of yet another memory card according to one embodiment of the present application. As shown in FIGS. 27 and 28, FIG. 27 shows the structure of the memory card, and FIG. 28 shows that the memory card has eight pins arranged. Each pin has a pin notation. The pin designations are 1, 2, 3, 4, 5, 6, 7, and 8. From the angle of FIG. 28, pin 4 is located below pin 3, pin 4 is "L" shaped, pin 5 is located below pin 6, and pin 5 is "L" shaped.

Figure 0007325578000002
Figure 0007325578000002

表2に示されるように、メモリカードは、メモリカードモードおよびSPIモードの2つの動作モードになり得る。 As shown in Table 2, the memory card can be in two modes of operation: memory card mode and SPI mode.

表2に示されるように、メモリカードがメモリカードモードの場合、メモリカードのピンは次のようになる、すなわち、ピンの表記が1のピンはDAT1であり、このピンはデータ線［ビット1］Data Line［Bit 1］に対応し、ピンDAT1はデータを送信するように構成され、DATはデータピン（data pin）である。ピンの表記が2のピンはCMD（command pin、コマンドピン）であり、このピンはコマンド／応答（command／response）ピンであり、ピンCMDは制御コマンド信号を送信するように構成される。ピンの表記が3のピンはGNDであり、このピンは接地（ground）ピンであり、ピンGNDは基準接地信号を送信するように構成される。ピンの表記が4のピンはCD／DAT3であり、このピンはカード検出／データ線［ビット3］（card detect／data line［Bit 3］）に対応し、ピンCDはカード検出信号を送信するように構成され、ピンDAT3はデータを送信するように構成される。ピンの表記が5のピンはDAT2であり、このピンはデータ線［ビット2］（data line［Bit 2］）に対応し、ピンDAT2はデータを送信するように構成される。ピンの表記が6のピンはVDDであり、このピンは電源信号ピンであり、ピンVDDは電源信号を送信するように構成される。ピンの表記が7のピンはDAT0であり、このピンはデータ線［ビット0］（data line［Bit 0］）に対応し、ピンDAT0はデータを送信するように構成される。ピンの表記が8のピンはCLK（clock input pin、クロック入力ピン）であり、このピンはクロック（clock）に対応し、ピンCLKはクロック信号を送信するように構成される。 As shown in Table 2, when the memory card is in memory card mode, the pins of the memory card are as follows: the pin with pin notation 1 is DAT1, and this pin is the data line [bit 1 ] Data Line [Bit 1], pin DAT1 is configured to transmit data, and DAT is the data pin. The pin with a pin designation of 2 is the CMD (command pin), this pin is the command/response pin, and the pin CMD is configured to send control command signals. The pin with the pin designation 3 is GND, this pin is the ground pin, and pin GND is configured to carry a reference ground signal. The pin with pin notation 4 is CD/DAT3, this pin corresponds to card detect/data line [Bit 3], pin CD carries the card detect signal and pin DAT3 is configured to transmit data. The pin with the pin notation 5 is DAT2, which corresponds to data line [Bit 2], and pin DAT2 is configured to transmit data. The pin with the pin designation 6 is VDD, this pin is the power signal pin, and the pin VDD is configured to transmit the power signal. The pin with a pin designation of 7 is DAT0, which corresponds to data line [Bit 0], and pin DAT0 is configured to transmit data. The pin with the pin notation 8 is the CLK (clock input pin), this pin corresponds to the clock, and the pin CLK is configured to transmit the clock signal.

表2に示されるように、メモリカードがSPIモードの場合、メモリカードのピンは次のようになる、すなわち、ピンの表記が1のピンはRSVであり、このピンは予約済み（reserved）項目である。ピンの表記が2のピンはDIであり、このピンはデータ入力（data input）に対応し、ピンDIはデータ入力信号を送信するように構成される。ピンの表記が3のピンはGNDであり、このピンは接地（ground）ピンであり、ピンGNDは基準接地信号を送信するように構成される。ピンの表記が4のピンはCSであり、このピンはチップセレクトに対応し、ピンCSはチップセレクト信号を送信するように構成される。ピンの表記が5のピンはRSVであり、このピンは予約済み（reserved）項目である。ピンの表記が6のピンはVDDであり、このピンは電源信号ピンであり、ピンVDDは電源信号を送信するように構成される。ピンの表記が7のピンはDOであり、このピンはデータ出力（data output）に対応し、ピンDOはデータ出力信号を送信するように構成される。ピンの表記が8のピンはCLKであり、このピンはクロック（clock）に対応し、ピンCLKはクロック信号を送信するように構成される。 As shown in Table 2, when the memory card is in SPI mode, the pins of the memory card are as follows: the pin with a pin designation of 1 is RSV, and this pin is a reserved item. is. A pin with a pin designation of 2 is DI, which corresponds to a data input, and pin DI is configured to transmit a data input signal. The pin with the pin designation 3 is GND, this pin is the ground pin, and pin GND is configured to carry a reference ground signal. The pin with the pin designation 4 is CS, which corresponds to chip select, and pin CS is configured to transmit the chip select signal. The pin with pin notation 5 is RSV and this pin is a reserved item. The pin with the pin designation 6 is VDD, this pin is the power signal pin, and the pin VDD is configured to transmit the power signal. The pin with a pin designation of 7 is DO, which corresponds to data output, and pin DO is configured to transmit a data output signal. The pin with the pin notation 8 is CLK, this pin corresponds to the clock, and the pin CLK is configured to transmit the clock signal.

加えて、図29は、本出願の一実施形態によるさらにまた別のメモリカードの概略構成図3である。図29に示されるように、メモリカードのピン間に特定の距離がある。図30は、本出願の一実施形態によるさらにまた別のメモリカードの概略構成図4である。図30は、メモリカードの側面構造を示しており、メモリカードは特定の厚みを有する。 In addition, FIG. 29 is a schematic configuration diagram 3 of yet another memory card according to one embodiment of the present application. As shown in Figure 29, there is a certain distance between the pins of the memory card. FIG. 30 is a schematic configuration diagram 4 of yet another memory card according to one embodiment of the present application. FIG. 30 shows the side structure of the memory card, and the memory card has a certain thickness.

図27に示されるように、メモリカードの少なくとも1つのベベルに丸角が設けられ得る。例えば、図27に示されるように、メモリカードの左上角に丸角R1が設けられ得、メモリカードの右上角に丸角R2が設けられ得、メモリカードの左下角に丸角R3およびR4が別個に設けられ得、メモリカードの右下角に丸角R5が設けられ得る。メモリカードは幅Aおよび高さBを有する。幅Aおよび高さBの値については、表3を参照されたい。 As shown in FIG. 27, at least one bevel of the memory card may be provided with rounded corners. For example, as shown in FIG. 27, the upper left corner of the memory card may be provided with rounded corner R1, the upper right corner of the memory card may be provided with rounded corner R2, and the lower left corner of the memory card may be provided with rounded corners R3 and R4. It may be provided separately and a rounded corner R5 may be provided in the lower right corner of the memory card. The memory card has width A and height B. See Table 3 for width A and height B values.

図29に示されるように、図29の角度から見ると、右から左に、メモリカードは、第1の側縁部および第2の側縁部を有し、右から左に、メモリカードのピン8は第1の縁部および第2の縁部を有し、右から左に、メモリカードのピン1は第1の縁部および第2の縁部を有する。ピン8の第1の縁部からメモリカードの第2の側縁部までの距離の長さはA1である。ピン8の第2の縁部からメモリカードの第2の側縁部までの距離の長さはA2である。ピン1の第1の縁部からメモリカードの第2の側縁部までの距離の長さはA3である。ピン1の第2の縁部からメモリカードの第2の側縁部までの距離の長さはA4である。加えて、右から左に、メモリカードのピン7は第1の縁部および第2の縁部を有し、右から左に、メモリカードのピン2は第1の縁部および第2の縁部を有する。 As shown in FIG. 29, when viewed from the angle of FIG. 29, from right to left, the memory card has a first side edge and a second side edge, and from right to left, the memory card has a first side edge and a second side edge. Pin 8 has a first edge and a second edge, and from right to left, pin 1 of the memory card has a first edge and a second edge. The length of the distance from the first edge of pin 8 to the second side edge of the memory card is A1. The length of the distance from the second edge of pin 8 to the second side edge of the memory card is A2. The length of the distance from the first edge of pin 1 to the second side edge of the memory card is A3. The length of the distance from the second edge of pin 1 to the second side edge of the memory card is A4. In addition, from right to left, pin 7 of the memory card has a first edge and a second edge, and from right to left, pin 2 of the memory card has a first edge and a second edge. have a part.

図29に示されるように、図29の角度から見ると、右から左に、「L」字形のピン5の上部に第1の縁部および第2の縁部があり、ピン5の左側に第3の縁部があり、右から左に、メモリカードのピン6は第1の縁部および第2の縁部を有し、右から左に、メモリカードのピン3は第1の縁部および第2の縁部を有し、右から左に、「L」字型のピン4の右側に第1の縁部があり、右から左に、ピン4の上部に第2の縁部および第3の縁部がある。メモリカードの第1の側縁部からピン5の第1の縁部までの距離の長さはA11である。ピン5の第1の縁部からピン5の第2の縁部までの距離の長さはA12である。ピン5の第2の縁部からピン6の第1の縁部までの距離の長さはA9である。ピン6の第1の縁部からピン5の第3の縁部までの距離の長さはA10である。ピン4の第1の縁部からピン3の第2の縁部までの距離の長さはA8である。ピン3の第2の縁部からピン4の第2の縁部までの距離の長さはA7である。ピン4の第2の縁部からピン4の第3の縁部までの距離の長さはA6である。ピン4の第3の縁部からメモリカードの第2の側縁部までの距離の長さはA5である。 As shown in FIG. 29, when viewed from the angle of FIG. There is a third edge, from right to left, pin 6 of the memory card has the first edge and the second edge, from right to left, pin 3 of the memory card has the first edge and a second edge, from right to left, the first edge to the right of pin 4 in the shape of an "L", and from right to left, the second edge to the top of pin 4 and There is a third edge. The length of the distance from the first side edge of the memory card to the first edge of pin 5 is A11. The length of the distance from the first edge of pin 5 to the second edge of pin 5 is A12. The length of the distance from the second edge of pin 5 to the first edge of pin 6 is A9. The length of the distance from the first edge of pin 6 to the third edge of pin 5 is A10. The length of the distance from the first edge of pin 4 to the second edge of pin 3 is A8. The length of the distance from the second edge of pin 3 to the second edge of pin 4 is A7. The length of the distance from the second edge of pin 4 to the third edge of pin 4 is A6. The length of the distance from the third edge of pin 4 to the second side edge of the memory card is A5.

図29に示されるように、図29の角度から見ると、上から下に、メモリカードは第3の側縁部および第4の側縁部を有し、上から下に、メモリカードのピン8は第3の縁部および第4の縁部を有し、上から下に、メモリカードのピン7は第3の縁部および第4の縁部を有し、上から下に、メモリカードのピン6は第3の縁部および第4の縁部を有し、上から下に、「L」字形のピン5の上部に第4の縁部があり、上から下に、ピン5の下部に第5の縁部および第6の縁部がある。同様に、上から下に、メモリカードのピン1は第3の縁部および第4の縁部を有し、上から下に、メモリカードのピン2は第3の縁部および第4の縁部を有し、上から下に、メモリカードのピン3は第3の縁部および第4の縁部を有し、上から下に、「L」字形のピン4の上部に第4の縁部があり、上から下に、ピン4の下部に第5の縁部および第6の縁部がある。メモリカードの第3の側縁部からピン8の第1の縁部までの距離の長さはB10である。ピン8の第3の縁部からメモリカードの第4の側縁部までの距離の長さはB1である。ピン8の第4の縁部からメモリカードの第4の側縁部までの距離の長さはB2である。ピン7の第3の縁部からメモリカードの第4の側縁部までの距離の長さはB3である。ピン7の第4の縁部からメモリカードの第4の側縁部までの距離の長さはB4である。ピン6の第3の縁部からピン6の第4の縁部までの距離の長さはB5である。ピン6の第4の縁部からメモリカードの第4の側縁部までの距離の長さはB6である。ピン5の第5の縁部からピン5の第6の縁部までの距離の長さはB7である。ピン5の第6の縁部からメモリカードの第4の側縁部までの距離の長さはB8である。ピン3の第3の縁部からメモリカードの第4の側縁部までの距離の長さはB9である。 As shown in FIG. 29, viewed from the angle of FIG. 29, from top to bottom, the memory card has a third side edge and a fourth side edge, and from top to bottom, the memory card pins 8 has a third edge and a fourth edge, from top to bottom, memory card pin 7 has a third edge and a fourth edge, from top to bottom, memory card The pin 6 of has a third edge and a fourth edge, from top to bottom, the "L" shaped pin 5 has a fourth edge at the top, and from top to bottom, the pin 5 has a third edge and a fourth edge. There are fifth and sixth edges at the bottom. Similarly, from top to bottom, pin 1 of the memory card has a third edge and a fourth edge, and from top to bottom, pin 2 of the memory card has a third edge and a fourth edge. From top to bottom, the memory card pin 3 has a third edge and a fourth edge, From top to bottom, the top of the "L" shaped pin 4 has a fourth edge , and from top to bottom, the bottom of pin 4 has a fifth edge and a sixth edge. The length of the distance from the third side edge of the memory card to the first edge of pin 8 is B10. The length of the distance from the third edge of pin 8 to the fourth side edge of the memory card is B1. The length of the distance from the fourth edge of pin 8 to the fourth side edge of the memory card is B2. The length of the distance from the third edge of pin 7 to the fourth side edge of the memory card is B3. The length of the distance from the fourth edge of pin 7 to the fourth side edge of the memory card is B4. The length of the distance from the third edge of pin 6 to the fourth edge of pin 6 is B5. The length of the distance from the fourth edge of pin 6 to the fourth side edge of the memory card is B6. The length of the distance from the fifth edge of pin 5 to the sixth edge of pin 5 is B7. The length of the distance from the sixth edge of pin 5 to the fourth side edge of the memory card is B8. The length of the distance from the third edge of pin 3 to the fourth side edge of the memory card is B9.

図29の角度から見ると、メモリカードの右上角に丸角R6があり、ピン1の左上角に丸角R7があり、ピン3の左下角に丸角R8があり、「L」字形のピン4の屈曲部に丸角R9があり、ピン4の左下角に丸角R10がある。 Viewed from the angle in Figure 29, the memory card has a rounded corner R6 on the upper right corner, a rounded corner R7 on the upper left corner of pin 1, a rounded corner R8 on the lower left corner of pin 3, and an "L" shaped pin. There is a rounded corner R9 at the bend of 4 and a rounded corner R10 at the bottom left corner of pin 4.

図30に示されるように、メモリカードの厚さはCである。 The thickness of the memory card is C, as shown in FIG.

上記の長さおよび厚さについては、表3を参照されたい。表3に示される数値は、ミリメートル（mm）の単位である。 See Table 3 for the above lengths and thicknesses. The numbers shown in Table 3 are in units of millimeters (mm).

Figure 0007325578000003
Figure 0007325578000003

場合により、図31は、本出願の一実施形態によるさらにまた別のメモリカードの概略構成図5である。図31に示されるように、カードの信頼性を向上させるために、内側に延びる禁止領域（Keep Out Area）がメモリカードの縁部に沿って設けられる。禁止領域は、伝送線路の配置が禁止される領域である。伝送線路は、信号線、電力線、制御線などを含み得る。例えば、図31に示されるように、メモリカードは4つの縁部を有し、その4つの縁部に禁止領域が設けられる。4つの禁止領域は、符号D1、符号D2、符号D3、および符号D4によって示され、符号D1、D2、D3、およびD4は、4つの禁止領域がメモリカードの縁部に沿いに内側に伸びる距離も特定できる。 Optionally, FIG. 31 is a schematic configuration diagram 5 of yet another memory card according to an embodiment of the present application. As shown in FIG. 31, an inwardly extending Keep Out Area is provided along the edge of the memory card to improve the reliability of the card. The prohibited area is an area where the placement of transmission lines is prohibited. Transmission lines may include signal lines, power lines, control lines, and the like. For example, as shown in FIG. 31, a memory card has four edges with keep out areas on the four edges. The four keep out areas are denoted by D1, D2, D3 and D4, where D1, D2, D3 and D4 are the distances the four keep out areas extend inward along the edge of the memory card. can also be identified.

メモリカードの禁止領域D1、禁止領域D2、禁止領域D3、および禁止領域D4のそれぞれの幅の最小サイズは、0．15ミリメートル（mm）であり得る。 The minimum size of the width of each of the forbidden area D1, forbidden area D2, forbidden area D3, and forbidden area D4 of the memory card may be 0.15 millimeters (mm).

本発明の本実施形態におけるメモリカードの長さは、約12．3ミリメートルであり得、長さサイズのばらつきは、約0．1ミリメートルであり得る。換言すれば、本発明の本実施形態におけるメモリカードの長さは、12．2ミリメートルから12．4ミリメートルの範囲であり得る。 The length of the memory card in this embodiment of the invention may be about 12.3 millimeters, and the variation in length size may be about 0.1 millimeters. In other words, the length of the memory card in this embodiment of the invention can range from 12.2 millimeters to 12.4 millimeters.

本発明の本実施形態におけるメモリカードの幅は、約8．8ミリメートルであり得、幅サイズのばらつきは、約0．1ミリメートルであり得る。換言すれば、本発明の本実施形態におけるメモリカードの幅は、8．7ミリメートルから8．9ミリメートルの範囲であり得る。 The width of the memory card in this embodiment of the invention may be approximately 8.8 millimeters, and the width size variation may be approximately 0.1 millimeters. In other words, the width of the memory card in this embodiment of the invention can range from 8.7 millimeters to 8.9 millimeters.

本発明の本実施形態におけるメモリカードの厚さは約0．7ミリメートルであり得、厚さサイズの正のばらつきは0．14ミリメートルであり得、厚さサイズの負のばらつきは約0．1ミリメートルであり得る。換言すれば、メモリカードの厚さは、0．6ミリメートルから0．84ミリメートルの範囲であり得る。 The thickness of the memory card in this embodiment of the invention may be about 0.7 millimeters, the positive variation in thickness size may be 0.14 millimeters, and the negative variation in thickness size may be about 0.1. can be in millimeters. In other words, the thickness of the memory card can range from 0.6 millimeters to 0.84 millimeters.

図32は、本出願の一実施形態によるさらにまた別のメモリカードの概略構成図6である。図32に示されるように、ピンは、図32に示される影領域に配置される。導電性材料は、影領域に配置されてもよく、それにより、導電性材料がメモリカードのピンを構成する。非導電性材料は、非導電性領域を構成するために、図31に示される非影領域に配置される。 FIG. 32 is a schematic configuration diagram 6 of yet another memory card according to one embodiment of the present application. As shown in FIG. 32, the pins are placed in the shaded area shown in FIG. A conductive material may be placed in the shaded area, whereby the conductive material constitutes the pins of the memory card. A non-conductive material is placed in the non-shaded areas shown in FIG. 31 to form non-conductive areas.

図33は、本出願の一実施形態によるさらにまた別のメモリカードの概略構成図7である。図33に示されるように、ピンは、図33に示される非影領域に配置される。導電性材料は、非影領域に配置されてもよく、それにより、導電性材料がメモリカードのピンを構成する。非導電性材料は、非導電性領域を構成するために、図33に示される影領域に配置される。 FIG. 33 is a schematic configuration diagram 7 of yet another memory card according to one embodiment of the present application. As shown in FIG. 33, the pins are placed in the non-shaded areas shown in FIG. A conductive material may be placed in the non-shaded areas, whereby the conductive material constitutes the pins of the memory card. A non-conductive material is placed in the shaded areas shown in FIG. 33 to constitute non-conductive regions.

各ピンを構成するために、1つまたは複数のタイプの導電性材料が使用され得る。例えば、導電性材料は金または銅であり得る。加えて、導電性材料が吊り下げられておらず、導電性材料が配置された領域のメモリカードの高さは非導電性材料が配置された領域のメモリカードの高さ以下である。導電性材料はメモリカードの縁部からはみ出さない。換言すれば、導電性材料は、メモリカードの側縁部には配置されない。導電性材料が配置された領域のメモリカードの幅は非導電性材料が配置された領域のメモリカードの幅以下である。導電性材料が配置された領域のメモリカードの長さは非導電性材料が配置された領域のメモリカードの幅以下である。 One or more types of conductive material may be used to construct each pin. For example, the conductive material can be gold or copper. In addition, the conductive material is not suspended, and the height of the memory card in the area where the conductive material is placed is less than or equal to the height of the memory card in the area where the non-conductive material is placed. The conductive material does not protrude beyond the edges of the memory card. In other words, no conductive material is placed on the side edges of the memory card. The width of the memory card in the areas where the conductive material is placed is less than or equal to the width of the memory card in the areas where the non-conductive material is placed. The length of the memory card in the area where the conductive material is located is less than or equal to the width of the memory card in the area where the non-conductive material is located.

場合により、メモリカードの禁止領域内にビアが設けられ得る。ピンの位置にはビアは設けられない。 Optionally, vias may be provided in prohibited areas of the memory card. No vias are provided at the pin locations.

本実施形態で提供されるメモリカードは、端末のNano－SIMカードホルダに挿入され得る。Nano－SIMカードホルダはまた、カードコネクタまたはメモリカードコネクタとも呼ばれ得る。Nano－SIMカードホルダにはばねが配置される。上述したように、ばねはメモリカードのピンに対応する。 The memory card provided in this embodiment can be inserted into the Nano-SIM card holder of the terminal. A Nano-SIM card holder can also be called a card connector or a memory card connector. A spring is placed in the Nano-SIM card holder. As mentioned above, the springs correspond to the pins of the memory card.

メモリカードがNano－SIMカードホルダに挿入されたとき、またはメモリカードがNano－SIMカードホルダから取り出されたときに、ピンがばねで引っかかれる。例えば、図28に示されるメモリカードがNano－SIMカードホルダに水平に挿入されると、メモリカードの片側の4つのピンがNano－SIMカードホルダに最初に入り、したがって4つのピンがNano－SIMカードホルダの最も外側のばねによって2回連続して引っかかれる。例えば、ピン1、2、3、および4はNano－SIMカードホルダに最初に入り、ピン1、2、3、および4はNano－SIMカードホルダの最も外側のばねによって2回連続して引っかかれる。例えば、図28に示されるメモリカードがNano－SIMカードホルダに垂直に挿入されると、Nano－SIMカードホルダに最初に入る2つのピンが、Nano－SIMカードホルダの最も外側のばねによって連続的に引っかかれる。例えば、ピン1および8がNano－SIMカードホルダに最初に入り、ピン1および8がNano－SIMカードホルダの最も外側のばねによって4回連続して引っかかれ、ピン2および7がNano－SIMカードホルダの最も外側のばねによって3回連続して引っかかれ、ピン3および6がNano－SIMカードホルダの最も外側のばねによって2回連続して引っかかれる。したがって、比較的長いメモリカード寿命を確保するために、メモリカードの耐久性を確保する必要がある。 When the memory card is inserted into the Nano-SIM card holder or when the memory card is removed from the Nano-SIM card holder, the pin is spring caught. For example, when the memory card shown in Figure 28 is inserted horizontally into the Nano-SIM card holder, the four pins on one side of the memory card enter the Nano-SIM card holder first, thus the four pins are the Nano-SIM card holder. Scraped twice in succession by the outermost spring of the card holder. For example, pins 1, 2, 3, and 4 enter the Nano-SIM card holder first, and pins 1, 2, 3, and 4 are scratched twice in succession by the outermost spring of the Nano-SIM card holder. . For example, when the memory card shown in Figure 28 is inserted vertically into the Nano-SIM card holder, the two pins that first enter the Nano-SIM card holder are continuously pushed by the outermost springs of the Nano-SIM card holder. caught in. For example, pins 1 and 8 enter the Nano-SIM card holder first, pins 1 and 8 are scratched by the outermost spring of the Nano-SIM card holder four times in succession, pins 2 and 7 Pins 3 and 6 are scratched 2 times in succession by the outermost spring of the Nano-SIM card holder, with pins 3 and 6 being scratched 3 times in succession by the outermost spring of the holder. Therefore, in order to ensure a relatively long memory card life, it is necessary to ensure durability of the memory card.

加えて、メモリカードが過熱しないことを確保する必要がある。メモリカードは、複数の動作モード、例えば、高速モードおよび超高速（ultra high speed－I、UHS－I）モードを有する。高速モードでは、メモリカードの動作電圧は3．3ボルト（V）である。UHS－Iモードでは、メモリカードの動作電圧は1．8ボルト（V）である。上記の異なる動作モードでは、メモリカードの電力消費が変化し、したがって、メモリカードによって発生される熱が変化する。メモリカードの正常な動作を確保するために、メモリカードの動作モードに関係なく、メモリカードの消費電力が0．72ワット（W）以内であることを確保する必要がある。 In addition, it is necessary to ensure that the memory card does not overheat. Memory cards have multiple modes of operation, such as a high speed mode and an ultra high speed (UHS-I) mode. In high speed mode, the operating voltage of the memory card is 3.3 volts (V). In UHS-I mode, the operating voltage of the memory card is 1.8 volts (V). In the different operating modes mentioned above, the power consumption of the memory card changes and thus the heat generated by the memory card changes. In order to ensure normal operation of the memory card, it is necessary to ensure that the power consumption of the memory card is within 0.72 watts (W) regardless of the operating mode of the memory card.

まず、メモリカードが、Nano－SIMカードホルダに挿入されているのか、Nano－SIMカードホルダから取り出されているのかが検出される必要がある。本出願は、メモリカードが挿入されているか取り外されているかを検出する2つの検出方式を提供する。 First, it is necessary to detect whether the memory card is inserted into the Nano-SIM card holder or removed from the Nano-SIM card holder. The present application provides two detection schemes to detect whether the memory card is inserted or removed.

第1の検出方式は次のように説明される、すなわち、カード検出スイッチ（card detection switch）が端末のNano－SIMカードホルダに配置される。この場合、カード検出スイッチは、表4に示されるように、常開タイプのカード検出スイッチである。メモリカードが取り出されるとカード検出スイッチが開く、またはメモリカードが挿入されるとカード検出スイッチが閉じる。具体的には、図34は、本出願の一実施の形態によるメモリカードの挿抜を検出する検出回路図である。図34に示されるように、ホストコントローラ（host controller）01、検出電源（VDD）02、およびカード検出スイッチ03が設けられる。ホストコントローラ01および検出電源02は端末に配置され、カード検出スイッチ03は端末のNano－SIMカードホルダに配置される。カード検出スイッチ03の一端はホストコントローラ01に接続され、カード検出スイッチ03の他端は接地される。検出電源02の出力端は、ホストコントローラ01とカード検出スイッチ03との間に接続される。メモリカードが挿入されると、カード検出スイッチ03が閉じられ、ホストコントローラ01はローレベル信号を検出し、ホストコントローラ01はメモリカードに電気エネルギーを供給する電源を有効にする、またはメモリカードが取り出されると、カード検出スイッチ03は開かれ、ホストコントローラ01はハイレベル信号を検出し、ホストコントローラ01はメモリカードに電気エネルギーを供給する電源を無効にする。 A first detection scheme is described as follows: a card detection switch is placed in the Nano-SIM card holder of the terminal. In this case, the card detection switch is a normally open type card detection switch, as shown in Table 4. The card detection switch opens when the memory card is removed, or closes when the memory card is inserted. Specifically, FIG. 34 is a detection circuit diagram for detecting insertion/removal of a memory card according to one embodiment of the present application. As shown in Figure 34, a host controller 01, a detection power supply (VDD) 02, and a card detection switch 03 are provided. A host controller 01 and a detection power supply 02 are placed in the terminal, and a card detection switch 03 is placed in the Nano-SIM card holder of the terminal. One end of the card detection switch 03 is connected to the host controller 01, and the other end of the card detection switch 03 is grounded. The output terminal of the detection power supply 02 is connected between the host controller 01 and the card detection switch 03 . When the memory card is inserted, the card detection switch 03 is closed, the host controller 01 detects a low level signal, the host controller 01 activates the power supply that supplies electrical energy to the memory card, or the memory card is ejected. When the card detection switch 03 is opened, the host controller 01 detects a high level signal, and the host controller 01 disables the power supply that supplies electrical energy to the memory card.

第2の検出方式は次のように説明される、すなわち、同様に、カード検出スイッチが端末のNano－SIMカードホルダに配置される。この場合、カード検出スイッチは、表4に示されるように常閉タイプのカード検出スイッチである。メモリカードが取り出されると、カード検出スイッチが閉じる、またはメモリカードが挿入されると、カード検出スイッチが開く。具体的には、図34に示されるように、メモリカードが挿入されると、カード検出スイッチ03が開かれ、ホストコントローラ01がハイレベル信号を検出し、ホストコントローラ01がメモリカードに電気エネルギーを供給する電源を有効にする、またはメモリカードが取り出されると、カード検出スイッチ03が閉じられ、ホストコントローラ01がローレベル信号を検出し、ホストコントローラ01は、メモリカードに電気エネルギーを供給する電源を無効にする。 A second detection scheme is described as follows: similarly, a card detection switch is placed in the Nano-SIM card holder of the terminal. In this case, the card detection switch is a normally closed type card detection switch as shown in Table 4. The card detection switch closes when the memory card is removed, or opens when the memory card is inserted. Specifically, as shown in FIG. 34, when the memory card is inserted, the card detection switch 03 is opened, the host controller 01 detects a high level signal, and the host controller 01 applies electrical energy to the memory card. When the power supply is enabled or the memory card is taken out, the card detection switch 03 is closed, the host controller 01 detects the low level signal, the host controller 01 activates the power supply to supply electrical energy to the memory card. To disable.

したがって、メモリカードが挿入されているか取り外されているかが検出され得る。メモリカードが取り出されたことが検出されると、メモリカードに電気エネルギーを供給する電源が無効にされ、電気エネルギーが節約され、低消費電力が実現される。 Therefore, it can be detected whether a memory card is inserted or removed. When the removal of the memory card is detected, the power supply supplying electrical energy to the memory card is disabled to save electrical energy and achieve low power consumption.

Figure 0007325578000004
Figure 0007325578000004

上記「メモリカードの挿入」は、メモリカードのすべてのピンが対応するばねに接触している場合に、メモリカードが挿入されたと判定されることを意味する。上記「メモリカードの取り出し」とは、メモリカードのピンのいずれか1つまたは複数が対応するばねに接触しなくなった場合に、メモリカードが取り出されたと判定されることを意味する。 The above "insertion of memory card" means that it is determined that the memory card has been inserted when all the pins of the memory card are in contact with the corresponding springs. The above "removal of memory card" means that it is determined that the memory card has been removed when any one or more of the pins of the memory card are no longer in contact with the corresponding springs.

本出願で提供されるメモリカードの機能は、従来技術のメモリカードの機能と互換性がある。しかしながら、本出願で提供されるメモリカードは、端末のNano－SIMカードホルダに挿入され得るため、本出願で提供されるメモリカードのサイズは、従来技術のメモリカードのサイズよりも小さい。 The functionality of the memory card provided in this application is compatible with that of prior art memory cards. However, since the memory card provided in the present application can be inserted into the Nano-SIM card holder of the terminal, the size of the memory card provided in the present application is smaller than that of prior art memory cards.

本出願で提供されるメモリカードはマイクロメモリカードであり、NanoSDメモリカード、Nano SDメモリカード、nano SDメモリカード、Nano－SDメモリカード、nano－SDメモリカード、またはnanoSDメモリカードとも呼ばれ得る。 The memory card provided in this application is a micro memory card, which can also be called a NanoSD memory card, Nano SD memory card, nano SD memory card, Nano-SD memory card, nano-SD memory card, or nanoSD memory card.

本出願で提供されるメモリカードの形状は、Nano－SIMカードの形状と基本的に同じである。加えて、本出願で提供されるメモリカードのサイズは、Nano－SIMカードのサイズと基本的に同じである。 The shape of the memory card provided in this application is basically the same as the shape of the Nano-SIM card. In addition, the size of the memory card provided in this application is basically the same as the size of the Nano-SIM card.

本出願は、上述のメモリカードを備える端末をさらに提供する。通常、メモリカードは、デジタルデータを格納するために、様々な製品（例えば、端末）と一緒に使用されるアプリケーションによって使用される。普通、メモリカードは端末から取り出され得るため、メモリカードに格納されたデジタルデータが持ち運び可能である。本出願によるメモリカードは、比較的小さな形状ファクタを有することができ、端末のためのデジタルデータを格納するように構成され得る。例えば、端末は、カメラ、ハンドヘルドもしくはノートブックコンピュータ、ネットワークアプリケーション装置、セットトップボックス、ハンドヘルドもしくは別のコンパクトオーディオプレーヤ／レコーダ、または医療用モニタである。 The application further provides a terminal comprising a memory card as described above. Memory cards are typically used by applications that are used with various products (eg, terminals) to store digital data. Since the memory card can usually be removed from the terminal, the digital data stored on the memory card is portable. A memory card according to the present application can have a relatively small form factor and can be configured to store digital data for a terminal. For example, a terminal is a camera, a handheld or notebook computer, a network application device, a set-top box, a handheld or another compact audio player/recorder, or a medical monitor.

図26は、本出願の一実施形態による端末の回路図である。図26に示されるように、メモリカードは、端末のNano－SIMカードホルダに挿入され得る。メモリカードのクロック信号ピン21に対応する第1の接続ポイント41、メモリカードの電源ピン22に対応する第2の接続ポイント42、メモリカードの制御信号ピン23に対応する第2の接続ポイント43、メモリカードの接地信号ピン24に対応する第2の接続ポイント44、メモリカードの第1のデータ伝送ピン25に対応する第2の接続ポイント45、メモリカードの第2のデータ伝送ピン26に対応する第2の接続ポイント46、メモリカードの第3のデータ伝送ピン27に対応する第2の接続ポイント47、およびメモリカードの第4のデータ伝送ピン28に対応する第2の接続ポイント48は、Nano－SIMカードホルダに配置される。メモリカードがNano－SIMカードホルダに挿入された後、メモリカードのピンが対応する接続ポイントに接触する。第1の接続ポイント41に接続された第1のピン51、第2の接続ポイント42に接続された第2のピン52、第2の接続ポイント43に接続された第3のピン53、第2の接続ポイント44に接続された第4のピン54、第2の接続ポイント45に接続された第5のピン55、第2の接続ポイント46に接続された第6のピン56、第2の接続ポイント47に接続された第7のピン57、および第2の接続ポイント48に接続された第8のピン58は、端末の制御チップ上に配置される。第2のピン52は制御チップの電源ピンであり得、第4のピン54は制御チップの接地信号ピンであり得る。 FIG. 26 is a circuit diagram of a terminal according to one embodiment of the present application; As shown in FIG. 26, the memory card can be inserted into the Nano-SIM card holder of the terminal. a first connection point 41 corresponding to the clock signal pin 21 of the memory card; a second connection point 42 corresponding to the power pin 22 of the memory card; a second connection point 43 corresponding to the control signal pin 23 of the memory card; A second connection point 44 corresponding to the ground signal pin 24 of the memory card, a second connection point 45 corresponding to the first data transmission pin 25 of the memory card, and a second data transmission pin 26 of the memory card. A second connection point 46, a second connection point 47 corresponding to the third data transmission pin 27 of the memory card, and a second connection point 48 corresponding to the fourth data transmission pin 28 of the memory card are Nano - Placed in the SIM card holder. After the memory card is inserted into the Nano-SIM card holder, the pins of the memory card contact the corresponding connection points. A first pin 51 connected to the first connection point 41, a second pin 52 connected to the second connection point 42, a third pin 53 connected to the second connection point 43, a second A fourth pin 54 connected to the connection point 44 of, a fifth pin 55 connected to the second connection point 45, a sixth pin 56 connected to the second connection point 46, a second connection A seventh pin 57 connected to the point 47 and an eighth pin 58 connected to the second connection point 48 are located on the control chip of the terminal. The second pin 52 can be the power pin of the control chip and the fourth pin 54 can be the ground signal pin of the control chip.

加えて、端末にはSDインターフェースおよびSIMインターフェースが設けられる。SDインターフェースには6つのピン、すなわち、第1のSDピン、第2のSDピン、第3のSDピン、第4のSDピン、第5のSDピン、および第6のSDピンが配置される。SIMインターフェースには3つのピン、すなわち、第1のSIMピン、第2のSIMピン、および第3のSIMピンが配置される。 In addition, the terminal is provided with an SD interface and a SIM interface. The SD interface has six pins: 1st SD pin, 2nd SD pin, 3rd SD pin, 4th SD pin, 5th SD pin, and 6th SD pin . Three pins are arranged on the SIM interface: a first SIM pin, a second SIM pin and a third SIM pin.

制御チップには、3つのスイッチ61が設けられる。3つのスイッチ61のそれぞれの一端は、第1のピン51、第3のピン53、第5のピン55、第6のピン56、第7のピン57、および第8のピン58のうちのいずれか3つのそれぞれに1対1で対応して接続される。第1のピン51、第3のピン53、第5のピン55、第6のピン56、第7のピン57、および第8のピン58のうち、スイッチ61に接続されていない他のピンは、SDインターフェースにおける3つのピンに1対1で対応して接続される。 Three switches 61 are provided in the control chip. One end of each of the three switches 61 is connected to any one of the first pin 51, the third pin 53, the fifth pin 55, the sixth pin 56, the seventh pin 57 and the eighth pin 58. or connected to each of the three in one-to-one correspondence. Other pins of first pin 51, third pin 53, fifth pin 55, sixth pin 56, seventh pin 57, and eighth pin 58 that are not connected to switch 61 are , are connected to the three pins in the SD interface in one-to-one correspondence.

制御チップのピンに接続されていない、SDインターフェースにおける残りの3つのピンのそれぞれは、3つのスイッチ61のそれぞれの他端と1対1で対応する。SIMインターフェースにおける3つのピンのそれぞれは、3つのスイッチ61のそれぞれの他端と1対1に対応する。 Each of the remaining three pins in the SD interface, which are not connected to pins of the control chip, correspond one-to-one with the other end of each of the three switches 61 . Each of the three pins in the SIM interface corresponds to the other end of each of the three switches 61 one-to-one.

制御チップは、メモリカードでの検出に基づいて、3つのスイッチ61のそれぞれの他端と、制御チップのピンに接続されていない、SDインターフェースにおける残りの3つのピンのそれぞれとの間の1対1の接続を制御する。さらに、メモリカードはストレージ機能を現在実装している。あるいは、制御チップは、メモリカードでの検出に基づいて、3つのスイッチ61のそれぞれの他端と、SIMインターフェースにおける3つのピンのそれぞれとの間の1対1の接続を制御する。さらに、メモリカードは通信機能を実装するためにSIMカードに変わる。 The control chip connects a pair between the other end of each of the three switches 61 and each of the remaining three pins on the SD interface that are not connected to the pins of the control chip, based on detection by the memory card. 1 connection control. In addition, memory cards currently implement storage functions. Alternatively, the control chip controls the one-to-one connection between the other end of each of the three switches 61 and each of the three pins on the SIM interface based on detection by the memory card. Furthermore, the memory card turns into a SIM card to implement communication functions.

場合により、近距離無線通信（near field communication、NFC）構造71が設けられる。NFC構造71の出力端は、別のスイッチの一端に対応する。加えて、第7のピン57は、別のスイッチの一端に対応する。別のスイッチの他端は、第2の接続ポイント47に接続される。したがって、NFC構造71の出力端が別のスイッチの一端に接続される、または第7のピン57が別のスイッチの一端に接続される。 Optionally, a near field communication (NFC) structure 71 is provided. The output end of NFC structure 71 corresponds to one end of another switch. Additionally, the seventh pin 57 corresponds to one end of another switch. The other end of another switch is connected to a second connection point 47 . Accordingly, the output of the NFC structure 71 is connected to one end of another switch, or the seventh pin 57 is connected to one end of another switch.

上述の実施形態は、メモリカードおよび端末を特に説明している。上述の説明は、メモリカードの例示的な実施形態を示すことが意図されているが、本出願に対する限定を構成するものではない。本出願に開示された技術は、メモリカードをコンピューティング装置に適用するためにさらに使用されてもよく、コンピューティング装置は、メモリカードを制御または操作する。端末に加えて、メモリカード上に実装できるアプリケーションの例は、無線通信装置、全地球測位システム（global positioning system、GPS）装置、セルラ装置、ネットワークインターフェース、モデム、磁気ディスクストレージシステムなどを含む。 The above embodiments specifically describe memory cards and terminals. The above description is intended to illustrate exemplary embodiments of memory cards, but does not constitute a limitation on the present application. The technology disclosed in this application may also be used to apply the memory card to a computing device, and the computing device controls or manipulates the memory card. In addition to terminals, examples of applications that can be implemented on a memory card include wireless communication devices, global positioning system (GPS) devices, cellular devices, network interfaces, modems, magnetic disk storage systems, and the like.

本出願の複数の特徴および利点が、本文書に記載された説明から把握され得る。したがって、特許請求の範囲は、本出願のこれらの特徴および利点すべてを包含することが意図されている。加えて、当業者は複数の調整および変更を容易に行うことができるため、本出願は、説明された正確な構造および動作に限定されない。したがって、使用され得るすべての適切な調整および変更は、本出願の範囲内に含まれる。 Several features and advantages of the present application can be gleaned from the description provided in this document. Accordingly, the claims are intended to cover all these features and advantages of this application. Additionally, the present application is not limited to the precise structure and operation described, as numerous adjustments and modifications may readily be made by those skilled in the art. Accordingly, all suitable adjustments and modifications that may be used are included within the scope of the present application.

01 ホストコントローラ
02 検出電源
03 カード検出スイッチ
1、2、3、4、5、6、7、8、11 ピン
12 位置決めノッチ
21、CLK クロック信号ピン
22、VCC 電源ピン
23、CMD 制御信号ピン
24、GND 接地信号ピン
25、D0 第1のデータ伝送ピン
26、D1 第2のデータ伝送ピン
27、D2 第3のデータ伝送ピン
28、D3 第4のデータ伝送ピン
31 クロック信号ピン
32 リセット信号ピン
33 電源ピン
34 データ伝送ピン
35 プログラミング電圧／入力信号ピン
36 接地信号ピン
41 第1の接続ポイント
42、43、44、45、46、47、48 第2の接続ポイント
51 第1のピン
52 第2のピン
53 第3のピン
54 第4のピン
55 第5のピン
56 第6のピン
57 第7のピン
58 第8のピン
61 3つのスイッチ
71 NFC構造
A 幅
A1～A12 長さ
B 高さ
B1～B10 長さ
C 厚さ
D1、D2、D3、D4 4つの禁止領域
R1～R10 丸角 01 Host controller
02 Detection power supply
03 Card detection switch
1, 2, 3, 4, 5, 6, 7, 8, 11 pins
12 Locating notches
21, CLK clock signal pin
22, VCC power pin
23, CMD control signal pin
24, GND ground signal pin
25, D0 First data transmission pin
26, D1 Second data transmission pin
27, D2 Third data transmission pin
28, D3 Fourth data transmission pin
31 Clock signal pin
32 Reset signal pin
33 power pins
34 data transmission pins
35 programming voltage/input signal pin
36 ground signal pin
41 First connection point
42, 43, 44, 45, 46, 47, 48 Second connection point
51 First pin
52 Second pin
53 third pin
54 fourth pin
55 Fifth pin
56 Sixth pin
57 Seventh pin
58 8th pin
61 three switches
71 NFC structure
A width
A1 to A12 Length
B-height
B1 to B10 length
C-thickness
D1, D2, D3, D4 4 keep out areas
R1~R10 round corner

Claims (45)

メモリカードインターフェースを具備するメモリカードであって、前記メモリカードインターフェースが、前記メモリカードのカード本体の第１の表面に配置されている、前記メモリカードにおいて、A memory card comprising a memory card interface, wherein the memory card interface is arranged on a first surface of a card body of the memory card,
前記メモリカードインターフェースが、８つの金属接点を備えており、前記８つの金属接点が、メモリカードの第１の金属接点と、前記メモリカードの第２の金属接点と、前記メモリカードの第３の金属接点と、前記メモリカードの第４の金属接点と、前記メモリカードの第５の金属接点と、前記メモリカードの第６の金属接点と、前記メモリカードの第７の金属接点と、前記メモリカードの第８の金属接点とから成り、The memory card interface comprises eight metal contacts, the eight metal contacts being a first metal contact of the memory card, a second metal contact of the memory card and a third metal contact of the memory card. a metal contact; a fourth metal contact of the memory card; a fifth metal contact of the memory card; a sixth metal contact of the memory card; a seventh metal contact of the memory card; an eighth metal contact of the card;
前記メモリカードの前記第１の金属接点が、電源信号を送信するように構成されており、wherein the first metal contact of the memory card is configured to transmit a power signal;
前記メモリカードの前記第２の金属接点が、第１のデータ信号を送信するように構成されており、the second metal contact of the memory card is configured to transmit a first data signal;
前記メモリカードの前記第３の金属接点が、制御信号を送信するように構成されており、the third metal contact of the memory card is configured to transmit a control signal;
前記メモリカードの前記第４の金属接点が、クロック信号を送信するように構成されており、the fourth metal contact of the memory card is configured to transmit a clock signal;
前記メモリカードの前記第５の金属接点が、接地するように構成されており、wherein the fifth metal contact of the memory card is configured to ground;
前記メモリカードの前記第６の金属接点が、第２のデータ信号を送信するように構成されており、the sixth metal contact of the memory card is configured to transmit a second data signal;
前記メモリカードの前記第７の金属接点が、第３のデータ信号を送信するように構成されており、the seventh metal contact of the memory card is configured to transmit a third data signal;
前記メモリカードの前記第８の金属接点が、第４のデータ信号を送信するように構成されており、the eighth metal contact of the memory card is configured to transmit a fourth data signal;
前記メモリカードの前記第１の金属接点と前記メモリカードの前記第７の金属接点とが配置されている、前記メモリカードの前記カード本体の領域が、nano－加入者識別モジュール（SIM）カードの電源接点が配置されている、前記nano－SIMカードのカード本体の領域に対応しており、an area of the card body of the memory card, where the first metal contact of the memory card and the seventh metal contact of the memory card are located, of a nano-Subscriber Identity Module (SIM) card; Corresponding to the area of the card body of the nano-SIM card where the power contacts are arranged,
前記メモリカードの前記第５の金属接点と前記メモリカードの前記第８の金属接点とが配置されている、前記メモリカードの前記カード本体の領域が、前記nano－SIMカードの接地接点が配置されている、前記nano－SIMカードの前記カード本体の領域に対応していることを特徴とするメモリカード。The area of the card body of the memory card where the fifth metal contact of the memory card and the eighth metal contact of the memory card are arranged is the ground contact of the nano-SIM card. a memory card corresponding to the area of the card body of the nano-SIM card. 前記メモリカードの前記第１の金属接点が、前記メモリカードがコネクタの内部に配置された場合に前記コネクタの第１のバネに電気的に接続され、said first metal contact of said memory card being electrically connected to a first spring of said connector when said memory card is placed inside said connector;
前記メモリカードの前記第５の金属接点が、前記メモリカードが前記コネクタの内部に配置された場合に前記コネクタの第２のバネに電気的に接続され、said fifth metal contact of said memory card being electrically connected to a second spring of said connector when said memory card is placed inside said connector;
前記メモリカードの前記第７の金属接点が、前記メモリカードが前記コネクタの内部に配置された場合に前記コネクタの第３のバネに電気的に接続され、said seventh metal contact of said memory card being electrically connected to a third spring of said connector when said memory card is placed inside said connector;
前記メモリカードの前記第８の金属接点が、前記メモリカードが前記コネクタの内部に配置された場合に前記コネクタの第４のバネに電気的に接続され、said eighth metal contact of said memory card being electrically connected to a fourth spring of said connector when said memory card is placed inside said connector;
前記nano－SIMカードが前記コネクタの内部に配置された場合に、前記nano－SIMカードの前記電源接点が、前記第１のバネと前記第３のバネとに電気的に接続され、前記nano－SIMカードの前記接地接点が、前記第２のバネと前記第４のバネとに電気的に接続されることを特徴とする請求項１に記載のメモリカード。When the nano-SIM card is placed inside the connector, the power contacts of the nano-SIM card are electrically connected to the first spring and the third spring, and the nano-SIM card is electrically connected to the first spring and the third spring. 2. The memory card of claim 1, wherein the ground contact of the SIM card is electrically connected to the second spring and the fourth spring. 前記メモリカードが、記憶ユニットと制御ユニットとを備えており、the memory card comprises a storage unit and a control unit;
前記記憶ユニットと前記制御ユニットとが、前記メモリカードの前記カード本体の内側に配置されており、the storage unit and the control unit are arranged inside the card body of the memory card,
前記制御ユニットが、前記記憶ユニットに電気的に接続されており、the control unit is electrically connected to the storage unit;
前記制御ユニットが、前記メモリカードインターフェースに電気的に接続されていることを特徴とする請求項１に記載のメモリカード。2. The memory card of claim 1, wherein the control unit is electrically connected to the memory card interface. 前記メモリカードの前記第２の金属接点が配置されている、前記メモリカードの前記カード本体の領域が、前記nano－SIMカードのリセット接点が配置されている、前記nano－SIMカードの前記カード本体の領域に対応しており、The card body of the nano-SIM card, wherein the area of the card body of the memory card where the second metal contact of the memory card is located is the reset contact of the nano-SIM card. corresponds to the area of
前記メモリカードの前記第３の金属接点が配置されている、前記メモリカードの前記カード本体の領域が、前記nano－SIMカードのプログラミング電圧／入力信号接点が配置されている、前記nano－SIMカードの前記カード本体の領域に対応しており、The nano-SIM card, wherein the area of the card body of the memory card where the third metal contacts of the memory card are located is where programming voltage/input signal contacts of the nano-SIM card are located. corresponds to the area of the card body of
前記メモリカードの前記第４の金属接点が配置されている、前記メモリカードの前記カード本体の領域が、前記nano－SIMカードのクロック接点が配置されている、前記nano－SIMカードの前記カード本体の領域に対応しており、The card body of the nano-SIM card, wherein the area of the card body of the memory card where the fourth metal contacts of the memory card are arranged is where the clock contacts of the nano-SIM card are arranged. corresponds to the area of
前記メモリカードの前記第６の金属接点が配置されている、前記メモリカードの前記カード本体の領域が、前記nano－SIMカードのデータ接点が配置されている、前記nano－SIMカードの前記カード本体の領域に対応していることを特徴とする請求項１～３のいずれか一項に記載のメモリカード。The card body of the nano-SIM card, wherein the area of the card body of the memory card where the sixth metal contacts of the memory card are arranged is where the data contacts of the nano-SIM card are arranged. 4. The memory card according to any one of claims 1 to 3, which corresponds to an area of . 前記第２の金属接点が、前記メモリカードがコネクタの内部に配置された場合に前記コネクタの第５のバネに結合するように構成されており、the second metal contact is configured to couple to a fifth spring of the connector when the memory card is placed inside the connector;
前記nano－SIMカードのリセット接点が、前記nano－SIMカードが前記コネクタの内部に配置された場合に前記コネクタの前記第５のバネに結合するように構成されており、a reset contact of the nano-SIM card is configured to couple to the fifth spring of the connector when the nano-SIM card is placed inside the connector;
前記第３の金属接点が、前記メモリカードが前記コネクタの内部に配置された場合に前記コネクタの第６のバネに結合するように構成されており、the third metal contact is configured to couple to a sixth spring of the connector when the memory card is placed inside the connector;
前記nano－SIMカードのプログラミング電圧／入力信号接点が、前記nano－SIMカードが前記コネクタの内部に配置された場合に前記コネクタの前記第６のバネに結合するように構成されており、programming voltage/input signal contacts of the nano-SIM card are configured to couple to the sixth spring of the connector when the nano-SIM card is placed inside the connector;
前記第４の金属接点が、前記メモリカードが前記コネクタの内部に配置された場合に前記コネクタの第７のバネに結合するように構成されており、the fourth metal contact is configured to couple to a seventh spring of the connector when the memory card is placed inside the connector;
前記nano－SIMカードのクロック接点が、前記nano－SIMカードが前記コネクタの内部に配置された場合に前記コネクタの前記第７のバネに結合するように構成されており、a clock contact of the nano-SIM card is configured to couple to the seventh spring of the connector when the nano-SIM card is placed inside the connector;
前記第６の金属接点が、前記メモリカードが前記コネクタの内部に配置された場合に前記コネクタの第８のバネに結合するように構成されており、the sixth metal contact is configured to couple to an eighth spring of the connector when the memory card is placed inside the connector;
前記nano－SIMカードのデータ接点が、前記nano－SIMカードが前記コネクタの内部に配置された場合に前記コネクタの前記第８のバネに結合するように構成されていることを特徴とする請求項１～４のいずれか一項に記載のメモリカード。4. A data contact of said nano-SIM card is configured to couple to said eighth spring of said connector when said nano-SIM card is placed inside said connector. 5. The memory card according to any one of 1 to 4. 前記メモリカードの長さが、１２．３０ミリメートルであり、the length of the memory card is 12.30 millimeters;
前記メモリカードの幅が、８．８０ミリメートルであることを特徴とする請求項１～５のいずれか一項に記載のメモリカード。A memory card according to any one of claims 1 to 5, characterized in that the width of the memory card is 8.80 millimeters. 前記メモリカードの一の角が、面取り部を有しており、前記メモリカードが、第１の縁部、第２の縁部、第３の縁部、及び第４の縁部を備えており、One corner of the memory card has a chamfer, and the memory card has a first edge, a second edge, a third edge, and a fourth edge. ,
前記面取り部が、前記第２の縁部と前記第４の縁部との間に配置されており、the chamfer is positioned between the second edge and the fourth edge;
前記第１の縁部が、前記第２の縁部に対して平行であり、the first edge is parallel to the second edge;
前記第３の縁部が、前記第４の縁部に対して平行であり、the third edge is parallel to the fourth edge;
前記第３の縁部と前記第４の縁部との距離が、１２．３０ミリメートルであり、前記第１の縁部と前記第２の縁部との距離が、８．８０ミリメートルであることを特徴とする請求項１～６のいずれか一項に記載のメモリカード。the distance between the third edge and the fourth edge is 12.30 millimeters and the distance between the first edge and the second edge is 8.80 millimeters The memory card according to any one of claims 1 to 6, characterized by: 前記第６の金属接点と前記第３の金属接点と前記第５の金属接点と前記第８の金属接点とが、前記第４の縁部に沿って配置されており、said sixth metal contact, said third metal contact, said fifth metal contact and said eighth metal contact are arranged along said fourth edge;
前記第４の金属接点と前記第２の金属接点と前記第１の金属接点と前記第７の金属接点とが、前記第３の縁部に沿って配置されていることを特徴とする請求項７に記載のメモリカード。4. The fourth metal contact, the second metal contact, the first metal contact and the seventh metal contact are arranged along the third edge. 7. The memory card according to 7. 前記第７の金属接点と前記第８の金属接点とが、前記第１の縁部に隣接しており、the seventh metal contact and the eighth metal contact are adjacent to the first edge;
前記第４の金属接点と前記第６の金属接点とが、前記第２の縁部に隣接していることを特徴とする請求項７又は８に記載のメモリカード。9. The memory card of claim 7 or 8, wherein said fourth metal contact and said sixth metal contact are adjacent said second edge. 丸角が、前記メモリカードの少なくとも１つのベベルに設けられていることを特徴とする請求項１～９のいずれか一項に記載のメモリカード。A memory card according to any one of the preceding claims, characterized in that rounded corners are provided on at least one bevel of the memory card. 前記８つの金属接点のうち少なくとも１つの金属接点が、少なくとも１つの丸角を備えていることを特徴とする請求項１～１０のいずれか一項に記載のメモリカード。A memory card according to any preceding claim, wherein at least one metal contact of said eight metal contacts has at least one rounded corner. 前記カード本体の前記第１の表面に露出した前記第１の金属接点の面積が、前記カード本体の前記第１の表面に露出した前記第７の金属接点の面積より大きく、an area of the first metal contact exposed on the first surface of the card body is larger than an area of the seventh metal contact exposed on the first surface of the card body;
前記カード本体の前記第１の表面に露出した前記第５の金属接点の面積が、前記カード本体の前記第１の表面に露出した前記第８の金属接点の面積より大きいことを特徴とする請求項１～１１のいずれか一項に記載のメモリカード。The area of the fifth metal contact exposed on the first surface of the card body is larger than the area of the eighth metal contact exposed on the first surface of the card body. 12. The memory card according to any one of items 1 to 11. 前記第７の金属接点と第１の縁部との距離が、第１の距離であり、前記第４の金属接点と第２の縁部との距離が、第２の距離であり、前記第１の距離が、前記第２の距離より短く、A distance between the seventh metal contact and the first edge is a first distance, a distance between the fourth metal contact and the second edge is a second distance, and a distance between the fourth metal contact and the second edge is a second distance. 1 distance is shorter than the second distance,
前記第８の金属接点と前記第１の縁部との距離が、第３の距離であり、前記第６の金属接点と前記第２の縁部との距離が、第４の距離であり、前記第３の距離が、前記第４の距離より短いことを特徴とする請求項７～１２のいずれか一項に記載のメモリカード。the distance between the eighth metal contact and the first edge is a third distance, the distance between the sixth metal contact and the second edge is a fourth distance, and 13. The memory card according to any one of claims 7 to 12, wherein said third distance is shorter than said fourth distance. 前記第７の金属接点の形状が、Ｌ字状とされ、The shape of the seventh metal contact is L-shaped,
前記第８の金属接点の形状が、Ｌ字状とされることを特徴とする請求項１～１３のいずれか一項に記載のメモリカード。14. The memory card according to any one of claims 1 to 13, wherein the eighth metal contact is L-shaped. 前記メモリカードのインターフェースプロトコルが、セキュアデジタル（SD）メモリ、ユニバーサルシリアルバス（USB）、ペリフェラルコンポーネントインターコネクトエクスプレス（PCIE）、ユニバーサルフラッシュストレージ（UFS）、マルチメディアカード（MMC）、及び埋め込み型マルチメディアカード（EMMC）のうち少なくとも１つを備えていることを特徴とする請求項１～１４のいずれか一項に記載のメモリカード。The interface protocol of the memory card is Secure Digital (SD) memory, Universal Serial Bus (USB), Peripheral Component Interconnect Express (PCIE), Universal Flash Storage (UFS), MultiMediaCard (MMC), and Embedded MultiMediaCard. 15. The memory card according to claim 1, comprising at least one of (EMMC). 前記メモリカードの前記カード本体の寸法が、前記nano-SIMカードのカード本体の寸法と同一であることを特徴とする請求項１～１５のいずれか一項に記載のメモリカード。16. The memory card according to any one of claims 1 to 15, wherein the dimensions of the card body of the memory card are the same as the dimensions of the card body of the nano-SIM card. コネクタを具備する端末であって、前記コネクタが、メモリカードを配置させるように構成されており、前記メモリカードが、メモリカードインターフェースを備えており、前記メモリカードインターフェースが、前記メモリカードのカード本体の第１の表面に配置されている、前記端末において、A terminal comprising a connector, wherein the connector is configured to receive a memory card, the memory card comprises a memory card interface, and the memory card interface connects to a card body of the memory card. at the terminal disposed on a first surface of
前記メモリカードインターフェースが、８つの金属接点を備えており、前記８つの金属接点が、前記メモリカードの第１の金属接点と、前記メモリカードの第２の金属接点と、前記メモリカードの第３の金属接点と、前記メモリカードの第４の金属接点と、前記メモリカードの第５の金属接点と、前記メモリカードの第６の金属接点と、前記メモリカードの第７の金属接点と、前記メモリカードの第８の金属接点とから成り、The memory card interface comprises eight metal contacts, the eight metal contacts being a first metal contact of the memory card, a second metal contact of the memory card and a third metal contact of the memory card. a fourth metal contact of the memory card; a fifth metal contact of the memory card; a sixth metal contact of the memory card; a seventh metal contact of the memory card; an eighth metal contact of the memory card;
前記メモリカードの前記第１の金属接点が、電源信号を送信するように構成されており、前記メモリカードの前記第１の金属接点が、前記メモリカードが前記コネクタの内部に配置された場合に前記コネクタの第１のバネに電気的に接続され、The first metal contact of the memory card is configured to transmit a power signal, and the first metal contact of the memory card is configured to transmit a power signal when the memory card is placed inside the connector. electrically connected to the first spring of the connector;
前記メモリカードの前記第２の金属接点が、第１のデータ信号を送信するように構成されており、the second metal contact of the memory card is configured to transmit a first data signal;
前記メモリカードの前記第３の金属接点が、制御信号を送信するように構成されており、the third metal contact of the memory card is configured to transmit a control signal;
前記メモリカードの前記第４の金属接点が、クロック信号を送信するように構成されており、the fourth metal contact of the memory card is configured to transmit a clock signal;
前記メモリカードの前記第５の金属接点が、接地するように構成されており、前記メモリカードの前記第５の金属接点が、前記メモリカードが前記コネクタの内部に配置された場合に前記コネクタの第２のバネに電気的に接続され、The fifth metal contact of the memory card is configured to be grounded, and the fifth metal contact of the memory card is adapted to ground the connector when the memory card is placed inside the connector. electrically connected to the second spring;
前記メモリカードの前記第６の金属接点が、第２のデータ信号を送信するように構成されており、the sixth metal contact of the memory card is configured to transmit a second data signal;
前記メモリカードの前記第７の金属接点が、第３のデータ信号を送信するように構成されており、前記メモリカードの前記第７の金属接点が、前記メモリカードが前記コネクタの内部に配置された場合に前記コネクタの第３のバネに電気的に接続され、The seventh metal contact of the memory card is configured to transmit a third data signal, the seventh metal contact of the memory card being positioned inside the connector. electrically connected to the third spring of the connector when the
前記メモリカードの前記第８の金属接点が、第４のデータ信号を送信するように構成されており、前記メモリカードの前記第８の金属接点が、前記メモリカードが前記コネクタの内部に配置された場合に前記コネクタの第４のバネに電気的に接続され、The eighth metal contact of the memory card is configured to transmit a fourth data signal, the eighth metal contact of the memory card being positioned inside the connector. electrically connected to the fourth spring of the connector when the
前記メモリカードの前記第１の金属接点と前記メモリカードの前記第７の金属接点とが配置されている、前記メモリカードの前記カード本体の領域が、nano－加入者識別モジュール（SIM）カードの電源接点が配置されている、前記nano－SIMカードのカード本体の領域に対応しており、an area of the card body of the memory card, where the first metal contact of the memory card and the seventh metal contact of the memory card are located, of a nano-Subscriber Identity Module (SIM) card; Corresponding to the area of the card body of the nano-SIM card where the power contacts are arranged,
前記メモリカードの前記第５の金属接点と前記メモリカードの前記第８の金属接点とが配置されている、前記メモリカードの前記カード本体の領域が、前記nano－SIMカードの接地接点が配置されている、前記nano－SIMカードの前記カード本体の領域に対応していることを特徴とする端末。The area of the card body of the memory card where the fifth metal contact of the memory card and the eighth metal contact of the memory card are arranged is the ground contact of the nano-SIM card. a terminal corresponding to the area of the card body of the nano-SIM card. 前記コネクタが、前記nano-SIMカードを配置させるように構成されており、the connector is configured to accommodate the nano-SIM card;
前記nano－加入者識別モジュール（SIM）カードが前記コネクタの内部に配置された場合に、前記nano－SIMカードの前記電源接点が、前記第１のバネと前記第３のバネとに電気的に接続され、前記nano－SIMカードの前記接地接点が、前記第２のバネと前記第４のバネとに電気的に接続されることを特徴とする請求項１７に記載の端末。The power contacts of the nano-SIM card are electrically connected to the first spring and the third spring when the nano-Subscriber Identity Module (SIM) card is placed inside the connector. 18. A terminal according to claim 17, characterized in that it is connected and the ground contact of the nano-SIM card is electrically connected to the second spring and the fourth spring. 前記メモリカードの前記第２の金属接点が配置されている、前記メモリカードの前記カード本体の領域が、前記nano－SIMカードのリセット接点が配置されている、前記nano－SIMカードの前記カード本体の領域に対応しており、The card body of the nano-SIM card, wherein the area of the card body of the memory card where the second metal contact of the memory card is located is the reset contact of the nano-SIM card. corresponds to the area of
前記メモリカードの前記第３の金属接点が配置されている、前記メモリカードの前記カード本体の領域が、前記nano－SIMカードのプログラミング電圧／入力信号接点が配置されている、前記nano－SIMカードの前記カード本体の領域に対応しており、The nano-SIM card, wherein the area of the card body of the memory card where the third metal contacts of the memory card are located is where programming voltage/input signal contacts of the nano-SIM card are located. corresponds to the area of the card body of
前記メモリカードの前記第４の金属接点が配置されている、前記メモリカードの前記カード本体の領域が、前記nano－SIMカードのクロック接点が配置されている、前記nano－SIMカードの前記カード本体の領域に対応しており、The card body of the nano-SIM card, wherein the area of the card body of the memory card where the fourth metal contacts of the memory card are arranged is where the clock contacts of the nano-SIM card are arranged. corresponds to the area of
前記メモリカードの第６の金属接点が配置されている、前記メモリカードの前記カード本体の領域が、前記nano－SIMカードのデータ接点が配置されている、前記nano－SIMカードの前記カード本体の領域に対応していることを特徴とする請求項１７又は１８に記載の端末。The area of the card body of the memory card where the sixth metal contacts of the memory card are located is the area of the card body of the nano-SIM card where the data contacts of the nano-SIM card are located. 19. Terminal according to claim 17 or 18, characterized in that it corresponds to a region. 前記第２の金属接点が、前記メモリカードが前記コネクタの内部に配置された場合に前記コネクタの第５のバネに結合するように構成されており、the second metal contact is configured to couple to a fifth spring of the connector when the memory card is placed inside the connector;
前記第３の金属接点が、前記メモリカードが前記コネクタの内部に配置された場合に前記コネクタの第６のバネに結合するように構成されており、the third metal contact is configured to couple to a sixth spring of the connector when the memory card is placed inside the connector;
前記第４の金属接点が、前記メモリカードが前記コネクタの内部に配置された場合に前記コネクタの第７のバネに結合するように構成されており、the fourth metal contact is configured to couple to a seventh spring of the connector when the memory card is placed inside the connector;
前記第６の金属接点が、前記メモリカードが前記コネクタの内部に配置された場合に前記コネクタの第８のバネに結合するように構成されており、the sixth metal contact is configured to couple to an eighth spring of the connector when the memory card is placed inside the connector;
前記コネクタが、前記nano-SIMカードを配置させるように構成されており、the connector is configured to accommodate the nano-SIM card;
前記nano－加入者識別モジュール（SIM）カードが前記コネクタの内部に配置された場合に、When the nano-Subscriber Identity Module (SIM) card is placed inside the connector,
前記nano－SIMカードのリセット接点が、前記コネクタの前記第５のバネに結合するように構成されており、a reset contact of the nano-SIM card is configured to couple to the fifth spring of the connector;
前記nano－SIMカードのプログラミング電圧／入力信号接点が、前記コネクタの前記第６のバネに結合するように構成されており、a programming voltage/input signal contact of the nano-SIM card is configured to couple to the sixth spring of the connector;
前記nano－SIMカードのクロック接点が、前記コネクタの前記第７のバネに結合するように構成されており、且つ、a clock contact of the nano-SIM card is configured to couple to the seventh spring of the connector; and
前記nano－SIMカードのデータ接点が、前記コネクタの前記第８のバネに結合するように構成されていることを特徴とする請求項１７～１９のいずれか一項に記載の端末。A terminal as claimed in any one of claims 17 to 19, characterized in that the data contacts of the nano-SIM card are arranged to couple with the eighth spring of the connector. 前記メモリカードの長さが、１２．３０ミリメートルであり、the length of the memory card is 12.30 millimeters;
前記メモリカードの幅が、８．８０ミリメートルであることを特徴とする請求項１７～２０のいずれか一項に記載の端末。A terminal as claimed in any one of claims 17 to 20, characterized in that the width of the memory card is 8.80 millimeters. 前記メモリカードが、記憶ユニットと制御ユニットとを備えており、the memory card comprises a storage unit and a control unit;
前記記憶ユニットと前記制御ユニットとが、前記メモリカードの前記カード本体の内側に配置されており、the storage unit and the control unit are arranged inside the card body of the memory card,
前記制御ユニットが、前記記憶ユニットに電気的に接続されており、the control unit is electrically connected to the storage unit;
前記制御ユニットが、前記メモリカードインターフェースに電気的に接続されていることを特徴とする請求項１７～２１のいずれか一項に記載の端末。A terminal according to any one of claims 17 to 21, characterized in that said control unit is electrically connected to said memory card interface. 前記メモリカードの一の角が、面取り部を有しており、前記メモリカードが、第１の縁部、第２の縁部、第３の縁部、及び第４の縁部を備えており、One corner of the memory card has a chamfer, and the memory card has a first edge, a second edge, a third edge, and a fourth edge. ,
前記面取り部が、前記第２の縁部と前記第４の縁部との間に配置されており、the chamfer is positioned between the second edge and the fourth edge;
前記第１の縁部が、前記第２の縁部に対して平行であり、the first edge is parallel to the second edge;
前記第３の縁部が、前記第４の縁部に対して平行であり、the third edge is parallel to the fourth edge;
前記第３の縁部と前記第４の縁部との距離が、１２．３０ミリメートルであり、前記第１の縁部と前記第２の縁部との距離が、８．８０ミリメートルであることを特徴とする請求項１７～２２のいずれか一項に記載の端末。the distance between the third edge and the fourth edge is 12.30 millimeters and the distance between the first edge and the second edge is 8.80 millimeters The terminal according to any one of claims 17 to 22, characterized in that 前記第６の金属接点と前記第３の金属接点と前記第５の金属接点と前記第８の金属接点とが、前記第４の縁部に沿って配置されており、said sixth metal contact, said third metal contact, said fifth metal contact and said eighth metal contact are arranged along said fourth edge;
前記第４の金属接点と前記第２の金属接点と前記第１の金属接点と前記第７の金属接点とが、前記第３の縁部に沿って配置されていることを特徴とする請求項２３に記載の端末。4. The fourth metal contact, the second metal contact, the first metal contact and the seventh metal contact are arranged along the third edge. 24. The terminal according to 23. 前記第７の金属接点と前記第８の金属接点とが、前記第１の縁部に隣接しており、the seventh metal contact and the eighth metal contact are adjacent to the first edge;
前記第４の金属接点と前記第６の金属接点とが、前記第２の縁部に隣接していることを特徴とする請求項２３又は２４に記載の端末。25. A terminal according to claim 23 or 24, wherein said fourth metal contact and said sixth metal contact are adjacent said second edge. 前記メモリカードのインターフェースプロトコルが、セキュアデジタル（SD）メモリ、ユニバーサルシリアルバス（USB）、ペリフェラルコンポーネントインターコネクトエクスプレス（PCIE）、ユニバーサルフラッシュストレージ（UFS）、マルチメディアカード（MMC）、及び埋め込み型マルチメディアカード（EMMC）のうち少なくとも１つを備えていることを特徴とする請求項１７～２５のいずれか一項に記載の端末。The interface protocol of the memory card is Secure Digital (SD) memory, Universal Serial Bus (USB), Peripheral Component Interconnect Express (PCIE), Universal Flash Storage (UFS), MultiMediaCard (MMC), and Embedded MultiMediaCard. A terminal according to any one of claims 17 to 25, characterized in that it comprises at least one of (EMMC). 電子デバイス及びメモリカードを具備するシステムにおいて、In a system comprising an electronic device and a memory card,
前記電子デバイスが、前記メモリカードを配置させるように構成されているコネクタを備えており、wherein the electronic device comprises a connector configured to receive the memory card;
前記メモリカードが、第１の縁部、第２の縁部、第３の縁部、第４の縁部、及びメモリカードインターフェースを備えており、前記メモリカードインターフェースが、８つの金属接点を備えており、前記８つの金属接点が、２列で配置されており、The memory card comprises a first edge, a second edge, a third edge, a fourth edge and a memory card interface, the memory card interface comprising eight metal contacts. and the eight metal contacts are arranged in two rows,
前記８つの金属接点が、The eight metal contacts are
電源信号を送信するように構成されている第１の金属接点と、a first metal contact configured to transmit a power signal;
第１のデータ信号を送信するように構成されている第２の金属接点と、a second metal contact configured to transmit a first data signal;
制御信号を送信するように構成されている第３の金属接点と、a third metal contact configured to transmit a control signal;
クロック信号を送信するように構成されている第４の金属接点と、a fourth metal contact configured to transmit a clock signal;
接地するように結合されている第５の金属接点と、a fifth metal contact coupled to ground;
第２のデータ信号を送信するように構成されている第６の金属接点と、a sixth metal contact configured to transmit a second data signal;
第３のデータ信号を送信するように構成されている第７の金属接点と、a seventh metal contact configured to transmit a third data signal;
第４のデータ信号を送信するように構成されている第８の金属接点と、an eighth metal contact configured to transmit a fourth data signal;
から成り、consists of
前記メモリカードの一の角が、面取り部を有しており、one corner of the memory card has a chamfered portion,
前記面取り部が、前記第２の縁部と前記第４の縁部との間に配置されており、the chamfer is positioned between the second edge and the fourth edge;
前記第１の縁部が、前記第２の縁部に対して平行であり、the first edge is parallel to the second edge;
前記第３の縁部が、前記第４の縁部に対して平行であり、the third edge is parallel to the fourth edge;
前記第３の縁部と前記第４の縁部との距離が、前記第１の縁部と前記第２の縁部との距離より長く、the distance between the third edge and the fourth edge is longer than the distance between the first edge and the second edge;
前記第６の金属接点と前記第３の金属接点と前記第５の金属接点と前記第８の金属接点が、第１の列に配置されており、且つ、前記第４の縁部に沿って配置されており、the sixth metal contact, the third metal contact, the fifth metal contact and the eighth metal contact are arranged in a first row and along the fourth edge; is placed,
前記第６の金属接点が、前記面取り部に隣接しており、the sixth metal contact is adjacent to the chamfer;
前記第４の金属接点と前記第２の金属接点と前記第１の金属接点と前記第７の金属接点とが、第２の列に配置されており、且つ、前記第３の縁部に沿って配置されており、The fourth metal contact, the second metal contact, the first metal contact and the seventh metal contact are arranged in a second row and along the third edge. are placed in the
前記第４の金属接点と前記第６の金属接点とが、前記第２の縁部に隣接しており、the fourth metal contact and the sixth metal contact are adjacent to the second edge;
前記第７の金属接点と前記第８の金属接点とが、前記第１の縁部に隣接しており、the seventh metal contact and the eighth metal contact are adjacent to the first edge;
前記メモリカードが前記コネクタの内部に配置された場合に、前記第１の金属接点が、前記コネクタの第１のバネに結合するように構成されており、前記第５の金属接点が、前記コネクタの第２のバネに結合するように構成されており、前記第７の金属接点が、前記コネクタの第３のバネに結合するように構成されており、且つ、前記第８の金属接点が、前記コネクタの第４のバネに結合するように構成されていることを特徴とするシステム。The first metal contact is configured to couple to a first spring of the connector when the memory card is placed inside the connector, and the fifth metal contact is configured to engage the connector. wherein the seventh metal contact is configured to couple to a third spring of the connector; and the eighth metal contact is configured to: A system configured to couple to a fourth spring of said connector. 前記メモリカードの前記第１の金属接点と前記メモリカードの前記第７の金属接点とが配置されている、前記メモリカードのカード本体の領域が、nano－加入者識別モジュール（SIM）カードの電源接点が配置されている、前記nano－SIMカードのカード本体の領域に対応しており、The area of the card body of the memory card, where the first metal contact of the memory card and the seventh metal contact of the memory card are located, is a nano-Subscriber Identity Module (SIM) card power supply. It corresponds to the area of the card body of the nano-SIM card where the contacts are arranged,
前記メモリカードの前記第５の金属接点と前記メモリカードの前記第８の金属接点とが配置されている、前記メモリカードの前記カード本体の領域が、前記nano－SIMカードの接地接点が配置されている、前記nano－SIMカードの前記カード本体の領域に対応していることを特徴とする請求項２７に記載のシステム。The area of the card body of the memory card where the fifth metal contact of the memory card and the eighth metal contact of the memory card are arranged is the ground contact of the nano-SIM card. 28. The system of claim 27, wherein the area of the card body of the nano-SIM card corresponds to a region of the nano-SIM card. 前記コネクタが、nano－加入者識別モジュール（SIM）カードを配置させるように構成されており、the connector configured to receive a nano-Subscriber Identity Module (SIM) card;
前記nano－SIMカードが前記コネクタの内部に配置された場合に、前記nano－SIMカードの電源接点が、前記コネクタの前記第１のバネと前記第３のバネとに電気的に接続され、前記nano－SIMカードの接地接点が、前記コネクタの前記第２のバネと前記第４のバネとに電気的に接続されることを特徴とする請求項２７又は２８に記載のシステム。When the nano-SIM card is placed inside the connector, the power contacts of the nano-SIM card are electrically connected to the first spring and the third spring of the connector, and 29. System according to claim 27 or 28, characterized in that a ground contact of a nano-SIM card is electrically connected to the second spring and the fourth spring of the connector. 前記メモリカードの前記第２の金属接点が配置されている、前記メモリカードのカード本体の領域が、前記nano－SIMカードのリセット接点が配置されている、前記nano－SIMカードのカード本体の領域に対応しており、The area of the card body of the memory card where the second metal contact of the memory card is arranged is the area of the card body of the nano-SIM card where the reset contact of the nano-SIM card is arranged. is compatible with
前記メモリカードの前記第３の金属接点が配置されている、前記メモリカードの前記カード本体の領域が、前記nano－SIMカードのプログラミング電圧／入力信号接点が配置されている、前記nano－SIMカードの前記カード本体の領域に対応しており、The nano-SIM card, wherein the area of the card body of the memory card where the third metal contacts of the memory card are located is where programming voltage/input signal contacts of the nano-SIM card are located. corresponds to the area of the card body of
前記メモリカードの前記第４の金属接点が配置されている、前記メモリカードの前記カード本体の領域が、前記nano－SIMカードのクロック接点が配置されている、前記nano－SIMカードの前記カード本体の領域に対応しており、The card body of the nano-SIM card, wherein the area of the card body of the memory card where the fourth metal contacts of the memory card are arranged is where the clock contacts of the nano-SIM card are arranged. corresponds to the area of
前記メモリカードの第６の金属接点が配置されている、前記メモリカードの前記カード本体の領域が、前記nano－SIMカードのデータ接点が配置されている、前記nano－SIMカードの前記カード本体の領域に対応していることを特徴とする請求項２７～２９のいずれか一項に記載のシステム。The area of the card body of the memory card where the sixth metal contacts of the memory card are located is the area of the card body of the nano-SIM card where the data contacts of the nano-SIM card are located. A system according to any one of claims 27 to 29, characterized in that it corresponds to regions. 前記第２の金属接点が、前記メモリカードが前記コネクタの内部に配置された場合に前記コネクタの第５のバネに結合するように構成されており、the second metal contact is configured to couple to a fifth spring of the connector when the memory card is placed inside the connector;
前記第３の金属接点が、前記メモリカードが前記コネクタの内部に配置された場合に前記コネクタの第６のバネに結合するように構成されており、the third metal contact is configured to couple to a sixth spring of the connector when the memory card is placed inside the connector;
前記第４の金属接点が、前記メモリカードが前記コネクタの内部に配置された場合に前記コネクタの第７のバネに結合するように構成されており、the fourth metal contact is configured to couple to a seventh spring of the connector when the memory card is placed inside the connector;
前記第６の金属接点が、前記メモリカードが前記コネクタの内部に配置された場合に前記コネクタの第８のバネに結合するように構成されており、the sixth metal contact is configured to couple to an eighth spring of the connector when the memory card is placed inside the connector;
前記コネクタが、前記nano-SIMカードを配置させるように構成されており、the connector is configured to accommodate the nano-SIM card;
nano－加入者識別モジュール（SIM）カードが前記コネクタの内部に配置された場合に、When a nano-Subscriber Identity Module (SIM) card is placed inside said connector,
前記nano－SIMカードのリセット接点が、前記コネクタの前記第５のバネに結合するように構成されており、a reset contact of the nano-SIM card is configured to couple to the fifth spring of the connector;
前記nano－SIMカードのプログラミング電圧／入力信号接点が、前記コネクタの前記第６のバネに結合するように構成されており、a programming voltage/input signal contact of the nano-SIM card is configured to couple to the sixth spring of the connector;
前記nano－SIMカードのクロック接点が、前記コネクタの前記第７のバネに結合するように構成されており、且つ、a clock contact of the nano-SIM card is configured to couple to the seventh spring of the connector; and
前記nano－SIMカードのデータ接点が、前記コネクタの前記第８のバネに結合するように構成されていることを特徴とする請求項２７～３０のいずれか一項に記載のシステム。31. The system of any one of claims 27-30, wherein data contacts of the nano-SIM card are configured to couple to the eighth spring of the connector. 前記第３の縁部と前記第４の縁部との距離が、１２．３０ミリメートル（mm）であり、the distance between the third edge and the fourth edge is 12.30 millimeters (mm);
前記第１の縁部と前記第２の縁部との距離が、８．８０mmであることを特徴とする請求項２７～３１のいずれか一項に記載のシステム。A system according to any one of claims 27 to 31, wherein the distance between said first edge and said second edge is 8.80mm. 前記メモリカードのカード本体の寸法が、nano－加入者識別モジュール（SIM）カードのカード本体の寸法と同一であることを特徴とする請求項２７～３２のいずれか一項に記載のシステム。The system according to any one of claims 27 to 32, wherein the dimensions of the card body of the memory card are the same as the dimensions of the card body of the nano-Subscriber Identity Module (SIM) card. 第１の距離が、前記第７の金属接点と前記第１の縁部との距離であり、第２の距離が、前記第４の金属接点と前記第２の縁部との距離であり、前記第１の距離が、前記第２の距離より短く、a first distance is the distance between the seventh metal contact and the first edge, a second distance is the distance between the fourth metal contact and the second edge; the first distance is shorter than the second distance,
第３の距離が、前記第８の金属接点と前記第１の縁部との距離であり、第４の距離が、前記第６の金属接点と前記第２の縁部との距離であり、前記第３の距離が、前記第４の距離より短いことを特徴とする請求項２７～３３のいずれか一項に記載のシステム。a third distance is the distance between the eighth metal contact and the first edge; a fourth distance is the distance between the sixth metal contact and the second edge; A system according to any one of claims 27 to 33, wherein said third distance is less than said fourth distance. 前記第７の金属接点の形状が、Ｌ字状とされ、The shape of the seventh metal contact is L-shaped,
前記第８の金属接点の形状が、Ｌ字状とされることを特徴とする請求項２７～３４のいずれか一項に記載のシステム。The system of any one of claims 27-34, wherein the eighth metal contact is L-shaped. 前記メモリカードのインターフェースプロトコルが、セキュアデジタル（SD）メモリ、ユニバーサルシリアルバス（USB）、ペリフェラルコンポーネントインターコネクトエクスプレス（PCIE）、ユニバーサルフラッシュストレージ（UFS）、マルチメディアカード（MMC）、及び埋め込み型マルチメディアカード（EMMC）のうち少なくとも１つを備えていることを特徴とする請求項２７～３５のいずれか一項に記載のシステム。The interface protocol of the memory card is Secure Digital (SD) memory, Universal Serial Bus (USB), Peripheral Component Interconnect Express (PCIE), Universal Flash Storage (UFS), MultiMediaCard (MMC), and Embedded MultiMediaCard. A system according to any one of claims 27 to 35, characterized in that it comprises at least one of (EMMC). 前記メモリカードが、the memory card
カード本体と、the card itself,
前記カード本体の内側に配置されている記憶装置と、a storage device arranged inside the card body;
前記カード本体の内側に配置されているコントローラであって、前記記憶装置及び前記メモリカードインターフェースに電気的に結合されている前記コントローラと、a controller located inside the card body, the controller being electrically coupled to the storage device and the memory card interface;
を備えていることを特徴とする請求項２７～３６のいずれか一項に記載のシステム。A system according to any one of claims 27 to 36, characterized in that it comprises a 第１の縁部、第２の縁部、第３の縁部、第４の縁部、及びメモリカードインターフェースを備えているメモリカードであって、前記メモリカードインターフェースが、８つの金属接点を備えており、前記８つの金属接点が、２列で配置されており、A memory card comprising a first edge, a second edge, a third edge, a fourth edge and a memory card interface, said memory card interface comprising eight metal contacts. and the eight metal contacts are arranged in two rows,
前記８つの金属接点が、The eight metal contacts are
電源信号を送信するように構成されている第１の金属接点と、a first metal contact configured to transmit a power signal;
第１のデータ信号を送信するように構成されている第２の金属接点と、a second metal contact configured to transmit a first data signal;
制御信号を送信するように構成されている第３の金属接点と、a third metal contact configured to transmit a control signal;
クロック信号を送信するように構成されている第４の金属接点と、a fourth metal contact configured to transmit a clock signal;
接地するように結合されている第５の金属接点と、a fifth metal contact coupled to ground;
第２のデータ信号を送信するように構成されている第６の金属接点と、a sixth metal contact configured to transmit a second data signal;
第３のデータ信号を送信するように構成されている第７の金属接点と、a seventh metal contact configured to transmit a third data signal;
第４のデータ信号を送信するように構成されている第８の金属接点と、an eighth metal contact configured to transmit a fourth data signal;
から成り、consists of
前記メモリカードの一の角が、面取り部を有しており、one corner of the memory card has a chamfered portion,
前記面取り部が、前記第２の縁部と前記第４の縁部との間に配置されており、the chamfer is positioned between the second edge and the fourth edge;
前記第１の縁部が、前記第２の縁部に対して平行であり、the first edge is parallel to the second edge;
前記第３の縁部が、前記第４の縁部に対して平行であり、the third edge is parallel to the fourth edge;
前記第３の縁部と前記第４の縁部との距離が、前記第１の縁部と前記第２の縁部との距離より長く、the distance between the third edge and the fourth edge is longer than the distance between the first edge and the second edge;
前記第６の金属接点と前記第３の金属接点と前記第５の金属接点と前記第８の金属接点が、第１の列に配置されており、且つ、前記第４の縁部に沿って配置されており、the sixth metal contact, the third metal contact, the fifth metal contact and the eighth metal contact are arranged in a first row and along the fourth edge; is placed,
前記第６の金属接点が、前記面取り部に隣接しており、the sixth metal contact is adjacent to the chamfer;
前記第４の金属接点と前記第２の金属接点と前記第１の金属接点と前記第７の金属接点とが、第２の列に配置されており、且つ、前記第３の縁部に沿って配置されており、the fourth metal contact, the second metal contact, the first metal contact and the seventh metal contact are arranged in a second row and along the third edge; are placed in the
前記第４の金属接点と前記第６の金属接点とが、前記第２の縁部に隣接しており、the fourth metal contact and the sixth metal contact are adjacent to the second edge;
前記第７の金属接点と前記第８の金属接点とが、前記第１の縁部に隣接していることを特徴とするメモリカード。The memory card of claim 1, wherein said seventh metal contact and said eighth metal contact are adjacent said first edge. 前記メモリカードのカード本体の寸法が、nano－加入者識別モジュール（SIM）カードのカード本体の寸法と同一であることを特徴とする請求項３８に記載のメモリカード。39. The memory card of claim 38, wherein the dimensions of the card body of the memory card are the same as the dimensions of the card body of a nano-Subscriber Identity Module (SIM) card. 前記第３の縁部と前記第４の縁部との距離が、１２．３０ミリメートル（mm）であり、the distance between the third edge and the fourth edge is 12.30 millimeters (mm);
前記第１の縁部と前記第２の縁部との距離が、８．８０mmであることを特徴とする請求項３８又は３９に記載のメモリカード。40. A memory card according to claim 38 or 39, wherein the distance between said first edge and said second edge is 8.80 mm. 第１の距離が、前記第７の金属接点と前記第１の縁部との距離であり、第２の距離が、前記第４の金属接点と前記第２の縁部との距離であり、前記第１の距離が、前記第２の距離より短く、a first distance is the distance between the seventh metal contact and the first edge, a second distance is the distance between the fourth metal contact and the second edge; the first distance is shorter than the second distance,
第３の距離が、前記第８の金属接点と前記第１の縁部との距離であり、第４の距離が、前記第６の金属接点と前記第２の縁部との距離であり、前記第３の距離が、前記第４の距離より短いことを特徴とする請求項３８～４０のいずれか一項に記載のメモリカード。a third distance is the distance between the eighth metal contact and the first edge; a fourth distance is the distance between the sixth metal contact and the second edge; A memory card according to any one of claims 38 to 40, wherein said third distance is shorter than said fourth distance. 前記第７の金属接点の形状が、Ｌ字状とされ、The shape of the seventh metal contact is L-shaped,
前記第８の金属接点の形状が、Ｌ字状とされることを特徴とする請求項３８～４１のいずれか一項に記載のメモリカード。42. The memory card according to any one of claims 38 to 41, wherein the shape of said eighth metal contact is L-shaped. 前記メモリカードが、the memory card
カード本体と、the card itself,
前記カード本体の内側に配置されている記憶装置と、a storage device arranged inside the card body;
前記メモリカードの内側に配置されているコントローラであって、記憶装置及び前記メモリカードインターフェースに電気的に結合されている前記コントローラと、a controller located inside the memory card, the controller electrically coupled to a storage device and the memory card interface;
を備えていることを特徴とする請求項３８～４２のいずれか一項に記載のメモリカード。43. The memory card according to any one of claims 38 to 42, comprising: 前記メモリカードのインターフェースプロトコルが、セキュアデジタル（SD）メモリ、ユニバーサルシリアルバス（USB）、ペリフェラルコンポーネントインターコネクトエクスプレス（PCIE）、ユニバーサルフラッシュストレージ（UFS）、マルチメディアカード（MMC）、及び埋め込み型マルチメディアカード（EMMC）のうち少なくとも１つを備えていることを特徴とする請求項３８～４３のいずれか一項に記載のメモリカード。The interface protocol of the memory card is Secure Digital (SD) memory, Universal Serial Bus (USB), Peripheral Component Interconnect Express (PCIE), Universal Flash Storage (UFS), MultiMediaCard (MMC), and Embedded MultiMediaCard. 44. The memory card according to any one of claims 38 to 43, comprising at least one of (EMMC). 前記８つの金属接点が、互いから隔離されていることを特徴とする請求項３８～４４のいずれか一項に記載のメモリカード。45. The memory card of any one of claims 38-44, wherein the eight metal contacts are isolated from each other.
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