JP7247906B2

JP7247906B2 - 昇圧装置

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Publication number: JP7247906B2
Application number: JP2020009838A
Authority: JP
Inventors: 邦彦松田
Original assignee: Denso Corp
Current assignee: Denso Corp
Priority date: 2020-01-24
Filing date: 2020-01-24
Publication date: 2023-03-29
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Description

本発明は、昇圧装置に関する。

従来、アイドルストップ車両に搭載され、バッテリから供給された入力電圧を昇圧し、車載機器に出力する昇圧装置が知られている。

例えば特許文献１に開示された昇圧装置の制御部は、アイドルストップ後の再起動時であってエンジンのクランキング動作前に、昇圧回路の出力電圧を再起動前の値より高い値に切り替え、再起動時に生じる電圧低下の程度を低減する。これにより、電圧低下による車載機器のリセットを回避することができる。

特許第５５６１６１０号公報

特許文献１の昇圧回路は、リアクトル、スイッチング素子及びダイオードを含むチョッパ式の昇圧回路である。ここで、ＭＯＳ等のスイッチング素子がオープン故障すると昇圧回路が正常に動作できないため、クランキング等による電圧低下時に車載機器がリセットされ、商品性の低下につながる。そのため、起動後のイニシャルチェックにおいてスイッチング素子のオープン故障を検出することが求められる。故障検出部は、正常時の出力電圧より低い値に設定された故障検出閾値を用い、出力電圧が故障検出閾値未満のとき、スイッチング素子のオープン故障を検出可能である。

ところで、バッテリＳＯＣの変動等によって昇圧回路の入力電圧が上昇すると、スイッチング素子のオープン故障時の出力電圧が高くなり、正常時の出力電圧との判別が困難になる場合がある。スイッチング素子のオープン故障を検出できないまま通常制御を実施すると、アイドルストップ後のクランキング等による電圧低下時に、昇圧回路の失陥により車載機器がリセットされるおそれがある。

本発明は上述の点に鑑みて創作されたものであり、その目的は、昇圧回路の入力電圧が高い場合にもスイッチング素子のオープン故障を正しく検出可能な昇圧装置を提供することにある。

本発明の昇圧装置は、アイドルストップ車両に搭載され、バッテリ（１５）から供給された入力電圧（ＶＬ）を昇圧し、車載機器（４０）に出力する装置である。この昇圧装置は、チョッパ式の昇圧回路（２０）と、出力電圧センサ（３４）と、昇圧回路制御部（３１）と、故障検出部（３２）と、を備える。

昇圧回路は、一端がバッテリ側に接続されたリアクトル（２１）、及び、リアクトルの他端とグランドとの間に接続されたスイッチング素子（２２）を含む。出力電圧センサは、昇圧回路の出力電圧（ＶＨ）を検出する。昇圧回路制御部は、昇圧回路の出力電圧が目標電圧となるように、スイッチング素子の動作を制御する。故障検出部は、当該昇圧装置のイニシャルチェックにおいて出力電圧が所定の故障検出閾値未満のとき、スイッチング素子のオープン故障と判定する。

少なくとも入力電圧が所定の臨界値（ＶＬｃ）より高い領域で、イニシャルチェック時の目標電圧（ＶＨ^*＿ｈ）は、イニシャルチェック時以外の動作時である通常制御時の目標電圧（ＶＨ^*＿ｎ）よりも高い値に設定されている。

通常制御時の目標電圧は、昇圧回路等の素子の耐圧や発熱の観点からなるべく低く設定されることが好ましい。本発明では、イニシャルチェック時の目標電圧が通常制御時の目標電圧よりも高い値に設定されることで、スイッチング素子のオープン故障時と正常時との出力電圧を判別可能な入力電圧の領域が、より高電圧の領域まで広がる。したがって、通常制御時における素子の耐圧保護や発熱低減を実現しつつ、故障検出部がスイッチング素子のオープン故障を正しく検出できる機会が増加する。

第１実施形態による昇圧装置の構成図。第１実施形態による（ａ）正常時、（ｂ）ＭＯＳオープン故障時の動作イメージを示すタイムチャート。第１実施形態による入力電圧と目標電圧との関係を示す図。第１実施形態によるイニシャルチェックのフローチャート。第２実施形態による昇圧装置の構成図。第２実施形態による入力電圧と目標電圧との関係を示す図。比較例による（ａ）正常時、（ｂ）ＭＯＳオープン故障時の動作イメージを示すタイムチャート。比較例による入力電圧と目標電圧との関係を示す図。

以下、本発明による昇圧装置の複数の実施形態を図面に基づいて説明する。複数の実施形態で、実質的に同一の構成には同一の符号を付して説明を省略する。本実施形態の昇圧装置は、アイドルストップ車両に搭載され、バッテリから供給された入力電圧を昇圧し、車載機器に出力する。車載機器として、例えば電動パワーステアリング装置を想定する。その他、車載機器は、ブレーキ、ブロワ、パワーウインドウ、ワイパ等、バッテリの電力で動作するどのような機器であってもよい。

（第１実施形態）
図１に、第１実施形態の全体構成を示す。昇圧装置３０１は、昇圧回路２０、コンデンサ２４、出力電圧センサ３４、昇圧回路制御部３１及び故障検出部３２を含む。昇圧回路２０は、リアクトル２１、「スイッチング素子」としてのＭＯＳ２２、及び、ダイオード２３を含む、チョッパ式の昇圧回路である。なお、本明細書ではＭＯＳＦＥＴを省略し、単に「ＭＯＳ」と記す。また、「ＭＯＳ２２のオープン故障」を「ＭＯＳオープン故障」と記す。

リアクトル２１は、一端がバッテリ１５側に接続されている。なお、バッテリ１５とリアクトル２１との間に、ダイオード等の素子が接続されてもよい。ＭＯＳ２２はリアクトル２１の他端とグランドとの間に接続されている。詳しくは、ｎチャネル型ＭＯＳ２２のドレイン端子がリアクトル２１に接続され、ソース端子が接地されている。ダイオード２３は、アノードがリアクトル２１とＭＯＳ２２との接続点Ｎに接続され、カソードが車載機器４０に接続されている。ダイオード２３の電圧降下をＶｆと記す。

図１の構成の昇圧回路２０は、専らバッテリ１５の電力を昇圧して車載機器４０に供給する回路として機能し、車載機器４０側からの電力を降圧してバッテリ１５に回生する使い方を想定していない。したがって、昇圧回路２０の「入力」は、バッテリ１５側からの入力を意味し、昇圧回路２０の「出力」は、車載機器４０への出力を意味する。昇圧回路２０は、ＭＯＳ２２のスイッチング動作により、リアクトル２１が誘導エネルギーの蓄積と放出とを繰り返すことで入力電圧ＶＬを昇圧し、出力電圧ＶＨを出力する。

車載機器４０が電動パワーステアリング装置の場合、例えば出力電圧ＶＨは、電源ＩＣを介してマイコン動作電源（一般に５Ｖ電源）の生成に用いられる。また、バッテリ１５の電圧は、昇圧回路２０とは別の経路を通り、アシストモータに電力供給するインバータのパワー電源電圧、すなわち、いわゆるＰＩＧ電圧として用いられる。そのため、以下の入力電圧ＶＬをＰＩＧ電圧と解釈してもよい。

なお、入力電圧ＶＬは必ずしもバッテリ電圧と一致しない。例えば、バッテリ１５とリアクトル２１との間にダイオード等の素子が接続されている場合、入力電圧ＶＬは、バッテリ電圧からダイオード等の電圧降下分を差し引いた電圧となる。

コンデンサ２４は昇圧回路２０の出力側に設けられ、出力電圧ＶＨにより充電される。出力電圧センサ３４は、出力電圧ＶＨを検出し、昇圧回路制御部３１にフィードバックする。昇圧回路制御部３１は、昇圧回路２０の出力電圧ＶＨが目標電圧となるように、典型的にはＰＷＭ制御によりＭＯＳ２２の動作を制御する。

特許文献１（特許第５５６１６１０号公報）に開示された構成と同様、昇圧回路制御部３１には、アイドルストップシステム（図中「ＩＳＳ」）５０やスタータ５５からスタータ起動信号が入力される。ただし、破線で示すように、スタータ起動信号が昇圧回路制御部３１へ直接通信されるとは限らず、例えばＣＡＮや他の制御部を経由して通信されてもよい。

昇圧装置３０１の起動後、イニシャルチェックが実施される。例えば昇圧装置３０１を構成する出力電圧センサ３４等もイニシャルチェックの対象となり得るが、本実施形態では、特にＭＯＳオープン故障に着目する。なお、オープン故障の検出前に、ＭＯＳ２２がショート故障していないことが判明している前提とする。このイニシャルチェックにおいて、故障検出部３２は、出力電圧ＶＨが所定の故障検出閾値未満のとき、ＭＯＳオープン故障と判定する。故障検出部３２によりＭＯＳ２２が正常と判定されると通常制御に移行する。以下、イニシャルチェック時以外の動作時を通常制御時という。

通常制御では、特許文献１の従来技術と同様に、アイドルストップ後の再起動時にスタータ５５のクランキングによるマイコン動作電源等の電圧低下及びリセットを防ぐため、昇圧回路制御部３１が昇圧回路２０を駆動する。具体的には最小４Ｖ程度の電圧の確保が要求される。仮に、ＭＯＳ２２がオープン故障しており昇圧回路２０が動作不能な状態で通常制御を行うと、いざ再起動時のクランキング等で入力電圧ＶＬが低下したとき、車載機器４０のリセットが発生し、商品性の低下につながるおそれがある。

そこで、イニシャルチェックにおいてＭＯＳオープン故障を検出し、電圧低下によるリセットを未然に防ぐことが求められる。故障検出部３２は、正常時の出力電圧ＶＨより低い値に設定された故障検出閾値を用い、出力電圧ＶＨが故障検出閾値未満のとき、ＭＯＳオープン故障を検出可能である。この作用について、詳しくは後述する。

故障検出部３２は、ＭＯＳオープン故障を検出すると、短破線で示すように故障信号を各部へ送信する。例えば、故障検出部３２は、昇圧回路制御部３１に対し昇圧回路２０の動作を停止させる。昇圧回路制御部３１を経由して故障信号を受信したアイドルストップシステム５０は、アイドルストップを禁止して再起動のクランキングを回避してもよい。また、故障信号を受信した車載機器４０は、例えばアシストモータの出力をＰＩＧ電圧の昇圧が不要な程度に制限してもよい。或いは、故障信号を受信した警告ランプ等６０は、運転者に警報を出力してもよい。

次に、第１実施形態によるＭＯＳオープン故障の検出構成について、比較例と対比して説明する。まず、比較例について図７、図８を参照する。図７（ａ）、（ｂ）に、正常時及びＭＯＳオープン故障時における動作イメージを示す。時刻ｔｏに昇圧装置３０１が起動されると、太い一点鎖線で示す一定の入力電圧ＶＬが昇圧回路２０に入力される。故障検出閾値ＶＨｔｈは、入力電圧ＶＬと目標電圧ＶＨ^*_ｎとの間の値に設定されている。

図７（ａ）に示すように、正常時、出力電圧ＶＨは目標電圧ＶＨ^*_ｎに昇圧され、以後、時刻ｔｓから時刻ｔｅまでのイニシャルチェックの期間を通じて一定に維持される。この時、出力電圧ＶＨは故障検出閾値ＶＨｔｈ以上であり、ＭＯＳ２２が正常と判定される。図７（ｂ）に示すように、ＭＯＳオープン故障時、太実線で示す出力電圧ＶＨは、入力電圧ＶＬからダイオード２３の電圧降下Ｖｆ分を差し引いた電圧となる。この時、出力電圧ＶＨは故障検出閾値ＶＨｔｈ未満であり、ＭＯＳ２２がオープン故障していると判定される。

このように、入力電圧ＶＬが目標電圧ＶＨ^*_ｎよりも低い場合、ＭＯＳオープン故障は正しく検出される。しかし、バッテリＳＯＣの変動等によって、入力電圧ＶＬは、細い一点鎖線で示す最高値ＶＬｍａｘまで上昇する可能性がある。すると、細実線で示すように出力電圧ＶＨが故障検出閾値ＶＨｔｈ以上となる場合、ＭＯＳ２２がオープン故障しているにもかかわらず、正常と誤判定されることとなる。

図８の横軸に、入力電圧の最高値ＶＬｍａｘ、及び、実用上使用可能な下限値として最低値ＶＬｍｉｎを示す。車両用１６Ｖバッテリでは最高値ＶＬｍａｘは約１８Ｖであり、最低値ＶＬｍｉｎは約４Ｖである。また、図８の縦軸に、横軸と同スケールで出力電圧ＶＨを示す。二点鎖線は、昇圧回路２０が無い場合の出力電圧ＶＨ（＝ＶＬ）に相当する。ＭＯＳオープン故障時の出力電圧ＶＨは、二点鎖線の下側に電圧降下Ｖｆ分オフセットした一点鎖線で示される。目標電圧ＶＨ^*_ｎは、入力電圧ＶＬが比較的高い領域を除き、入力電圧ＶＬより高い値に設定される。入力電圧ＶＬが目標電圧ＶＨ^*_ｎを上回る領域では昇圧が行われない。そのため、正常時の出力電圧ＶＨとＭＯＳオープン故障時の出力電圧ＶＨとが同じ値になり、判別することができない。

例えば目標電圧ＶＨ^*_ｎが約１４Ｖであり、故障検出閾値ＶＨｔｈが約１２Ｖである場合、（Ｘ）印で示すように、イニシャルチェック時の入力電圧ＶＬが約１２Ｖを上回る領域ではＭＯＳオープン故障の検出ができない。それならば、目標電圧ＶＨ^*_ｎを入力電圧ＶＬの最高値ＶＬｍａｘより高く設定すればよいとも考えられる。しかし、通常制御時の出力電圧ＶＨを高くし過ぎると、昇圧回路２０等の素子の耐圧や発熱の観点から好ましくない。

また、大電力を消費可能な他の負荷がバッテリ１５に接続されている構成では、イニシャルチェック時にバッテリ１５を強制放電させて入力電圧ＶＬを低下させる、という案も考えられる。しかし現実には、それほどの大電力を消費可能な負荷は存在せず、仮に存在したとしても電力を無駄に消費することのデメリットが大きい。そこで、通常制御時における素子の耐圧保護や発熱低減と、イニシャルチェック時におけるＭＯＳオープン故障の確実な検出とを両立させる解決手段が求められる。

続いて図２、図３を参照し、上記課題を解決するための第１実施形態の検出構成について説明する。図２、図３は、比較例の図７、図８に対応する。図２（ａ）に示すように、第１実施形態では、通常制御時とイニシャルチェック時とで二段階の目標電圧が設定されている。イニシャルチェック時の目標電圧ＶＨ^*＿ｈは、通常制御時の目標電圧ＶＨ^*＿ｎよりも高い値に設定されている。時刻ｔｏの起動後、イニシャルチェック時以外は目標電圧ＶＨ^*＿ｎが適用され、時刻ｔｓから時刻ｔｅまでのイニシャルチェックの期間のみ目標電圧ＶＨ^*＿ｈが適用される。

ここで、通常制御時の目標電圧ＶＨ^*＿ｎは入力電圧の最高値ＶＬｍａｘよりも低いのに対し、イニシャルチェック時の目標電圧ＶＨ^*＿ｈは、入力電圧の最高値ＶＬｍａｘよりも高い値に設定されている。また、故障検出閾値ＶＨｔｈは、入力電圧の最高値ＶＬｍａｘとイニシャルチェック時の目標電圧ＶＨ^*_ｈとの間の値に設定されている。

イニシャルチェックでの正常時、出力電圧ＶＨは通常制御時の目標電圧ＶＨ^*_ｎからイニシャルチェック時の目標電圧ＶＨ^*＿ｈにさらに昇圧される。この時、出力電圧ＶＨは故障検出閾値ＶＨｔｈ以上であり、ＭＯＳ２２が正常と判定される。図２（ｂ）に示すように、ＭＯＳオープン故障時、入力電圧の最高値ＶＬｍａｘにおいても出力電圧ＶＨは故障検出閾値ＶＨｔｈ未満であり、ＭＯＳ２２がオープン故障していると判定される。

図３に示すように第１実施形態では、イニシャルチェック時の目標電圧ＶＨ^*＿ｈは、入力電圧ＶＬの値に関わらず、入力電圧の最低値ＶＬｍｉｎから最高値ＶＬｍａｘまでの全範囲で、入力電圧の最高値ＶＬｍａｘよりも高い値に設定されている。また、故障検出閾値ＶＨｔｈは、入力電圧ＶＬの値に関わらず一定値に設定されている。この点は、後述の第２実施形態と相違する。

図４のフローチャートを参照し、第１実施形態によるイニシャルチェックの処理について説明する。フローチャートの説明で記号「Ｓ」はステップを意味する。Ｓ１では、昇圧装置３０１の起動時にイニシャルチェックが開始される。Ｓ２では、イニシャルチェック時の目標電圧ＶＨ^*＿ｈが通常制御時の目標電圧ＶＨ^*＿ｎよりも高い値に設定される。そして昇圧回路制御部３１は、昇圧回路２０の出力電圧ＶＨが目標電圧ＶＨ^*＿ｈとなるように、ＭＯＳ２２の動作を制御する。

Ｓ３で故障検出部３２は、出力電圧センサ３４が検出した出力電圧ＶＨを取得する。Ｓ４で故障検出部３２は、取得した出力電圧ＶＨが故障検圧閾値ＶＨｔｈ以上であるか判断する。Ｓ４でＹＥＳの場合、Ｓ５でＭＯＳ２２が正常と判定される。Ｓ６でイニシャルチェックが終了すると、イニシャルチェック時の目標電圧ＶＨ^*＿ｈから通常制御時の目標電圧ＶＨ^*＿ｎに変更される。そして、他の項目のイニシャルチェックでも異常が無ければ、通常制御に移行する。

一方、出力電圧ＶＨが故障検圧閾値ＶＨｔｈ未満であり、Ｓ４でＮＯの場合、Ｓ７で、故障検出部３２はＭＯＳオープン故障と判定する。Ｓ８で、故障検出部３２は各部へ故障信号を送信し、昇圧回路制御部３１により昇圧回路２０の動作を停止させたり、警告ランプ等６０により運転者への警報を発生させたりする。

以上のように第１実施形態の昇圧装置３０１では、通常制御時の目標電圧ＶＨ^*＿ｎがなるべく低く設定されるとともに、イニシャルチェック時の目標電圧ＶＨ^*＿ｈが通常制御時の目標電圧ＶＨ^*＿ｎよりも高い値に設定される。これにより、ＭＯＳオープン故障時と正常時との出力電圧を判別可能な入力電圧の領域が、より高電圧の領域まで広がる。したがって、通常制御時における素子の耐圧保護や発熱低減を実現しつつ、故障検出部３２がＭＯＳオープン故障を正しく検出できる機会が増加する。

イニシャルチェックでＭＯＳオープン故障を正しく検出し、必要な処置を講じることで、アイドルストップ後のクランキング等による電圧低下時に、昇圧回路２０の失陥により車載機器４０がリセットされることが未然に防止される。よって、アイドルストップ車の商品性の低下を回避することができる。

特に、イニシャルチェック時の目標電圧ＶＨ^*＿ｈは入力電圧の最高値ＶＬｍａｘより高い値に設定されており、且つ、故障検出閾値ＶＨｔｈは、入力電圧の最高値ＶＬｍａｘとイニシャルチェック時の目標電圧ＶＨ^*_ｈとの間の値に設定されている。これにより、入力電圧ＶＬの全領域において、故障検出部３２はＭＯＳオープン故障を正しく検出することができる。さらに、入力電圧センサを備えない第１実施形態では、入力電圧ＶＬの値に関わらず、イニシャルチェック時の目標電圧ＶＨ^*＿ｈ及び故障検出閾値ＶＨｔｈを設定する。入力電圧センサが不要であるため、装置構成が簡易となる。

（第２実施形態）
次に図５、図６を参照し、第２実施形態について説明する。図５に示すように、第２実施形態の昇圧装置３０２は、第１実施形態の昇圧装置３０１の構成に加え、入力電圧ＶＬを検出する入力電圧センサ３３をさらに備える。入力電圧ＶＬの検出値は、昇圧回路制御部３１に入力される。

図６に示すように、イニシャルチェック時の目標電圧ＶＨ^*＿ｈは、入力電圧ＶＬに応じて、入力電圧ＶＬよりも高い可変値に設定される。例えば、入力電圧ＶＬに所定電圧差ΔＶＨを加算した値（ＶＬ＋ΔＶＨ）が通常制御時の目標電圧ＶＨ^*＿ｎより高いとき、イニシャルチェック時の目標電圧ＶＨ^*＿ｈは、「ＶＬ＋ΔＶＨ」、つまり通常制御時の目標電圧ＶＨ^*＿ｎよりも高い値に設定される。一方、入力電圧ＶＬに所定電圧差ΔＶＨを加算した値（ＶＬ＋ΔＶＨ）が通常制御時の目標電圧ＶＨ^*＿ｎ以下のとき、イニシャルチェック時の目標電圧ＶＨ^*＿ｈは、通常制御時の目標電圧ＶＨ^*＿ｎと同じ値に設定される。

ここで、「ＶＬ＋ΔＶＨ＝ＶＨ^*＿ｎ」となる入力電圧を臨界値ＶＬｃと表す。第２実施形態では、入力電圧ＶＬが臨界値ＶＬｃより高い領域で、イニシャルチェック時の目標電圧ＶＨ^*＿ｈは、通常制御時の目標電圧ＶＨ^*＿ｎよりも高い可変値に設定される。したがって、第１、第２実施形態を包括すると、「少なくとも入力電圧ＶＬが臨界値ＶＬｃより高い領域で、イニシャルチェック時の目標電圧ＶＨ^*＿ｈは、通常制御時の目標電圧ＶＨ^*＿ｎよりも高い値に設定されている。」と言うことができる。

故障検出部３２は、昇圧回路制御部３１が設定したイニシャルチェック時の目標電圧ＶＨ^*＿ｈを取得する。故障検出閾値ＶＨｔｈは、入力電圧ＶＬとイニシャルチェック時の目標電圧ＶＨ^*＿ｈとの間の可変値に設定される。例えば、入力電圧ＶＬに所定の電圧差ΔＶｔｈ（＜ΔＶＨ）を加算した値（ＶＬ＋ΔＶｔｈ）が故障検出閾値ＶＨｔｈとして設定される。

これにより第２実施形態では、イニシャルチェック時における実際の入力電圧ＶＬに応じて、ＭＯＳオープン故障時と正常時との出力電圧を判別可能な最低限の目標電圧ＶＨ^*＿ｈが設定される。したがって、イニシャルチェックにおける昇圧を最低限に抑えられるため、素子の耐圧保護や発熱低減の観点から、より好適である。

なお、入力電圧ＶＬと目標電圧ＶＨ^*＿ｈ及び故障検出閾値ＶＨｔｈとの関係は、図６に例示する直線状の特性の他、例えば、入力電圧ＶＬの区間毎に目標電圧ＶＨ^*＿ｈ及び故障検出閾値ＶＨｔｈがステップ状に変化する特性としてもよい。目標電圧ＶＨ^*＿ｈや故障検出閾値ＶＨｔｈが取り得る値を有限個に制限することで、昇圧回路制御部３１及び故障検出部３２の演算負荷を低減することができる。

（その他の実施形態）
（ａ）上記実施形態の昇圧回路２０において、リアクトル２１とＭＯＳ２２との接続点Ｎの出力側に接続されたダイオード２３に代えて、第２のＭＯＳを設け、車載機器４０側からの電力を降圧して回生可能な「昇降圧回路」が用いられてもよい。その構成においても、本実施形態では昇圧回路としての機能にのみ着目する。

（ｂ）スイッチング素子はＭＯＳＦＥＴに限らず、他種類のトランジスタ等で構成されてもよい。

（ｃ）上記実施形態の図１、図５では、説明の都合上、昇圧回路制御部３１と故障検出部３２とを別ブロックで示しているが、昇圧回路制御部３１及び故障検出部３２の機能が一体に構成されてもよい。その場合、故障検出部３２から昇圧回路制御部３１への故障信号の送信や第２実施形態における目標電圧ＶＨ^*＿ｈの取得は、一ブロックの内部で処理される。

以上、本発明はこのような実施形態に限定されるものではなく、その趣旨を逸脱しない範囲において、種々の形態で実施することができる。

本開示に記載の制御部及びその手法は、コンピュータプログラムにより具体化された一つ乃至は複数の機能を実行するようにプログラムされたプロセッサ及びメモリを構成することによって提供された専用コンピュータにより、実現されてもよい。あるいは、本開示に記載の制御部及びその手法は、一つ以上の専用ハードウェア論理回路によってプロセッサを構成することによって提供された専用コンピュータにより、実現されてもよい。もしくは、本開示に記載の制御部及びその手法は、一つ乃至は複数の機能を実行するようにプログラムされたプロセッサ及びメモリと一つ以上のハードウェア論理回路によって構成されたプロセッサとの組み合わせにより構成された一つ以上の専用コンピュータにより、実現されてもよい。また、コンピュータプログラムは、コンピュータにより実行されるインストラクションとして、コンピュータ読み取り可能な非遷移有形記録媒体に記憶されていてもよい。

１５・・・バッテリ、
２０・・・昇圧回路、２１・・・リアクトル、
２２・・・ＭＯＳ（スイッチング素子）、
３０・・・昇圧装置、３１・・・昇圧回路制御部、３２・・・故障検出部、
４０・・・車載機器。

Claims

アイドルストップ車両に搭載され、バッテリ（１５）から供給された入力電圧（ＶＬ）を昇圧し、車載機器（４０）に出力する昇圧装置であって、
一端が前記バッテリ側に接続されたリアクトル（２１）、及び、前記リアクトルの他端とグランドとの間に接続されたスイッチング素子（２２）を含むチョッパ式の昇圧回路（２０）と、
前記昇圧回路の出力電圧（ＶＨ）を検出する出力電圧センサ（３４）と、
前記昇圧回路の出力電圧が目標電圧となるように、前記スイッチング素子の動作を制御する昇圧回路制御部（３１）と、
当該昇圧装置のイニシャルチェックにおいて前記出力電圧が所定の故障検出閾値（ＶＨｔｈ）未満のとき、前記スイッチング素子のオープン故障と判定する故障検出部（３２）と、
を備え、
少なくとも前記入力電圧が所定の臨界値（ＶＬｃ）より高い領域で、イニシャルチェック時の前記目標電圧（ＶＨ^*＿ｈ）は、イニシャルチェック時以外の動作時である通常制御時の前記目標電圧（ＶＨ^*＿ｎ）よりも高い値に設定されている昇圧装置。
イニシャルチェック時の前記目標電圧は、前記入力電圧の値に関わらず前記入力電圧の最高値（ＶＬｍａｘ）よりも高い値に設定されており、
前記故障検出閾値は、前記入力電圧の最高値とイニシャルチェック時の前記目標電圧との間の一定値に設定されている請求項１に記載の昇圧装置。
前記入力電圧を検出する入力電圧センサ（３３）をさらに備え、
イニシャルチェック時の前記目標電圧は、前記入力電圧に応じて、前記入力電圧よりも高い可変値に設定され、
前記故障検出閾値は、前記入力電圧とイニシャルチェック時の前記目標電圧との間の可変値に設定される請求項１に記載の昇圧装置。