JP6945318B2 - Substrate cleaning method, substrate cleaning equipment and program recording medium - Google Patents

Substrate cleaning method, substrate cleaning equipment and program recording medium Download PDF

Info

Publication number
JP6945318B2
JP6945318B2 JP2017061402A JP2017061402A JP6945318B2 JP 6945318 B2 JP6945318 B2 JP 6945318B2 JP 2017061402 A JP2017061402 A JP 2017061402A JP 2017061402 A JP2017061402 A JP 2017061402A JP 6945318 B2 JP6945318 B2 JP 6945318B2
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
brush
substrate
water content
cleaning
substrate cleaning
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Active
Application number
JP2017061402A
Other languages
Japanese (ja)
Other versions
JP2018164037A (en
Inventor
航 矢野
航 矢野
田中　克典
克典 田中
加藤　洋
洋 加藤
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Screen Holdings Co Ltd
Original Assignee
Screen Holdings Co Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Screen Holdings Co Ltd filed Critical Screen Holdings Co Ltd
Priority to JP2017061402A priority Critical patent/JP6945318B2/en
Publication of JP2018164037A publication Critical patent/JP2018164037A/en
Application granted granted Critical
Publication of JP6945318B2 publication Critical patent/JP6945318B2/en
Active legal-status Critical Current
Anticipated expiration legal-status Critical

Links

Images

Description

この発明は、処理対象の基板に対して処理液を用いた処理を施すための方法および装置に関する。処理対象の基板には、半導体ウエハ、液晶表示装置用ガラス基板、プラズマディスプレイ用ガラス基板、フォトマスク用基板、光ディスク用基板、磁気ディスク用基板、光磁気ディスク用基板などの各種の基板が含まれる。これら基板を以下、「基板」と総称する。 The present invention relates to a method and an apparatus for performing a treatment using a treatment liquid on a substrate to be treated. The substrate to be processed includes various substrates such as semiconductor wafers, glass substrates for liquid crystal displays, glass substrates for plasma displays, photomask substrates, optical disc substrates, magnetic disk substrates, and magneto-optical disk substrates. .. Hereinafter, these boards are collectively referred to as "boards".

半導体装置や液晶表示装置などの製造工程では、半導体ウエハや液晶表示装置用ガラス基板などの基板にブラシを擦りつけて当該基板を洗浄するスクラブ洗浄が行われる場合がある。
半導体装置の製造工程において、半導体ウエハの周縁部の汚染が、半導体ウエハの処理品質に対して無視できない影響を与える場合がある。具体的には、いわゆるバッチ処理工程では、複数枚の半導体ウエハが鉛直姿勢で処理液中に浸漬されるため、半導体ウエハの周縁部に汚染物質が付着していると、その汚染物質が、処理液中に拡散し、半導体ウエハの表面のデバイス形成領域に再付着するおそれがある。そのため、最近では、半導体ウエハなどの基板の周縁部の洗浄に対する要求が高まっている。基板の周縁部の洗浄に関する先行技術として、たとえば、特許文献１で提案されている構成を挙げることができる。
特許文献１では、円筒状のブラシを設けて、基板を回転させつつ、その基板の周端面にブラシの外周面を当接させることにより、基板の周端面の汚染を除去する構成が提案されている。基板の周端面の汚染を除去するためのブラシとしては、特許文献１に示される形状のほか、特許文献２に示される円錐形状など多様な形状が考えられる。 In the manufacturing process of a semiconductor device, a liquid crystal display device, or the like, scrub cleaning may be performed to clean the substrate by rubbing a brush against a substrate such as a semiconductor wafer or a glass substrate for a liquid crystal display device.
In the manufacturing process of a semiconductor device, contamination of the peripheral edge of the semiconductor wafer may have a non-negligible effect on the processing quality of the semiconductor wafer. Specifically, in the so-called batch processing process, a plurality of semiconductor wafers are immersed in the processing liquid in a vertical position. Therefore, if a contaminant adheres to the peripheral edge of the semiconductor wafer, the contaminant is treated. It may diffuse into the liquid and reattach to the device forming region on the surface of the semiconductor wafer. Therefore, recently, there is an increasing demand for cleaning the peripheral edge of a substrate such as a semiconductor wafer. As a prior art for cleaning the peripheral edge of the substrate, for example, the configuration proposed in Patent Document 1 can be mentioned.
Patent Document 1 proposes a configuration in which a cylindrical brush is provided, the substrate is rotated, and the outer peripheral surface of the brush is brought into contact with the peripheral surface of the substrate to remove contamination on the peripheral surface of the substrate. There is. As the brush for removing the contamination on the peripheral end surface of the substrate, various shapes such as the shape shown in Patent Document 1 and the conical shape shown in Patent Document 2 can be considered.

基板の周端面の汚染をブラシで除去する作業において、ブラシに含まれる水分が周囲に飛び散り、その一部が基板の一部に付着する場合がある。ブラシからの飛まつが直接的には基板に付着せずとも、飛まつが基板処理装置の一部に付着する場合がある。
こうした飛まつや、飛まつに含まれるパーティクルが基板に付着することによって、基板の処理の悪影響が出たり、基板上に形成されたパターン等の誤動作につながる場合がある。従って、基板の周端面のブラシ洗浄においては、不要な飛まつの発生を極力抑えることが望ましい。 In the work of removing the contamination on the peripheral end surface of the substrate with a brush, the water contained in the brush may be scattered around and a part of the moisture may adhere to a part of the substrate. Even if the droplets from the brush do not directly adhere to the substrate, the droplets may adhere to a part of the substrate processing device.
Such flying or particles contained in the flying may adhere to the substrate, which may adversely affect the processing of the substrate or lead to a malfunction of a pattern formed on the substrate. Therefore, in brush cleaning of the peripheral end surface of the substrate, it is desirable to suppress the occurrence of unnecessary flying as much as possible.

その一方で、ブラシが全く水分を含まない状態において、ブラシを基板の周端面に接触させると、ブラシと基板の周端面との間に大きな抵抗が生じ、条件によっては、ブラシの欠損、基板の割れなどが発生する。 On the other hand, if the brush is brought into contact with the peripheral end surface of the substrate while the brush does not contain any water, a large resistance is generated between the brush and the peripheral end surface of the substrate, and depending on the conditions, the brush may be chipped or the substrate may be damaged. Cracks occur.

従って、ブラシにはある程度の水分を供給することが望ましい。また、ブラシ含有水分の大小によって、ブラシが基板に与える抵抗力は変化するため、ブラシ含有水分は、洗浄の内容・目的に応じて適切な水分量とすることが望ましい。 Therefore, it is desirable to supply a certain amount of water to the brush. Further, since the resistance force given to the substrate by the brush changes depending on the magnitude of the water content of the brush, it is desirable that the water content of the brush is an appropriate amount according to the content and purpose of cleaning.

特開２００３−１９７５９２号公報Japanese Unexamined Patent Publication No. 2003-197592 特開２０１１−２１１２４６号公報Japanese Unexamined Patent Publication No. 2011-21246

しかしながら、従来のブラシ洗浄においては、ブラシ含有水分量が適切に管理されておらず、このためブラシが過度に水分を含むことにより飛まつが大量に発生したり、ブラシ含有水分量が適切に設定されていないためブラシが基板に与える抵抗力が適切なものとなっておらず洗浄が適切に行われないといった問題点があった。 However, in the conventional brush cleaning, the water content of the brush is not properly controlled, and therefore, a large amount of flying is generated due to the brush containing excessive water, or the water content of the brush is set appropriately. There is a problem that the resistance given by the brush to the substrate is not appropriate and the cleaning is not performed properly.

そこで、本発明の目的の一つは、ブラシ含有水分量を調整または管理することにより、飛まつ発生抑止や基板洗浄の適正化を図る方法および装置を提供することである。 Therefore, one of the objects of the present invention is to provide a method and an apparatus for suppressing the occurrence of flying and optimizing the cleaning of the substrate by adjusting or controlling the water content of the brush.

上記の目的を達成するための請求項１記載の発明は、基板をブラシ（５）で洗浄する基板洗浄方法であって、前記ブラシを洗浄するブラシ洗浄工程と、前記ブラシ洗浄工程の後に、レシピ情報に基づき前記ブラシが所定の含有水分量となるように前記ブラシを乾燥するブラシ含有水分量調整工程と、基板を水平に保持し、前記基板の中心を通る回転軸の周りに前記基板を回転させる基板保持回転工程と、前記ブラシを基板に当接し基板を洗浄する基板洗浄工程とを備えていることを特徴とする。 The invention according to claim 1 for achieving the above object is a substrate cleaning method for cleaning a substrate with a brush (5), which is a brush cleaning step for cleaning the brush and a recipe after the brush cleaning step. A brush-containing moisture content adjusting step of drying the brush so that the brush has a predetermined moisture content based on the information, and holding the substrate horizontally and rotating the substrate around a rotation axis passing through the center of the substrate. It is characterized by including a substrate holding rotation step for causing the brush to be brought into contact with the substrate and a substrate cleaning step for cleaning the substrate by contacting the brush with the substrate.

なお、括弧内の英数字は、後述の実施形態における対応構成要素等を表す。以下、この項において同じ。 The alphanumeric characters in parentheses represent the corresponding components and the like in the embodiments described later. The same shall apply hereinafter in this section.

請求項１に記載の発明によれば、ブラシの含有水分量を、基板の洗浄に適したものとすることができるため、ブラシと基板との接触に伴う飛まつ発生抑止や、基板洗浄の適正化を図ることが可能となる。 According to the invention of claim 1, since the water content of the brush can be made suitable for cleaning the substrate, it is possible to suppress the occurrence of flying due to the contact between the brush and the substrate and to properly clean the substrate. It becomes possible to achieve the conversion.

上記の目的を達成するための請求項２記載の発明は、請求項１に記載の基板洗浄方法であって、前記ブラシ含有水分量調整工程が、前記ブラシを収容可能なブラシポッドにおいて行われ、前記ブラシポッドが、前記ブラシにガスを吹き付けるためのガス供給口、または前記ブラシ表面に押圧力を付与することにより前記ブラシの含有水分量を調節するための押し付けバーを有していることを特徴とする。 The invention according to claim 2 for achieving the above object is the substrate cleaning method according to claim 1, wherein the brush-containing water content adjusting step is performed in a brush pod capable of accommodating the brush. The brush pod is characterized by having a gas supply port for blowing gas onto the brush or a pressing bar for adjusting the water content of the brush by applying a pressing force to the surface of the brush. And.

上記の目的を達成するための請求項３記載の発明は、請求項２に記載の基板洗浄方法であって、前記ブラシ含有水分量調整工程において、前記ガス供給口からブラシに吹き付けるガスの供給時間、ガスの供給流量、または前記ブラシに付与される押圧力と、前記所定の含有水分量との関係が予め求められており、当該関係に基づき前記供給時間、前記供給流量、または前記押圧力が規定されることを特徴とする。 The invention according to claim 3 for achieving the above object is the substrate cleaning method according to claim 2, and the supply time of gas to be blown from the gas supply port to the brush in the brush-containing water content adjusting step. , The gas supply flow rate or the pressing force applied to the brush and the predetermined water content are obtained in advance, and the supply time, the supply flow rate, or the pressing force is determined based on the relationship. It is characterized by being specified.

上記の目的を達成するための請求項４記載の発明は、請求項１〜３のいずれか一項に記載の基板洗浄方法であって、前記ブラシ含有水分量調整工程の後に、前記ブラシの含有水分量を測定する測定工程をさらに備えることを特徴とする。 The invention according to claim 4 for achieving the above object is the substrate cleaning method according to any one of claims 1 to 3, wherein the brush is contained after the brush-containing water content adjusting step. It is characterized by further including a measuring step for measuring the amount of water.

上記の目的を達成するための請求項５記載の発明は、請求項４に記載の基板洗浄方法であって、前記測定工程において、前記ブラシの含有水分量の値が所定の範囲に収まっているか否かを判別する判別工程をさらに備えることを特徴とする。 The invention according to claim 5 for achieving the above object is the substrate cleaning method according to claim 4, and whether the value of the water content of the brush is within a predetermined range in the measurement step. It is characterized in that it further includes a discriminating step for discriminating whether or not it is present.

上記の目的を達成するための請求項６記載の発明は、請求項５に記載の基板洗浄方法であって、前記判別工程において、前記ブラシの含有水分量の値が所定の範囲に収まっていないと判別された場合に、警告信号を発生する警告信号発生工程をさらに備えることを特徴とする。 The invention according to claim 6 for achieving the above object is the substrate cleaning method according to claim 5, and the value of the water content of the brush is not within a predetermined range in the determination step. It is characterized by further including a warning signal generation step of generating a warning signal when it is determined to be.

上記の目的を達成するための請求項７記載の発明は、請求項５または６に記載の基板洗浄方法であって、前記判別工程において、前記ブラシの含有水分量の値が所定の範囲に収まっていないと判別された場合に、前記ブラシ含有水分量調整工程を再度実行することを特徴とする。 The invention according to claim 7 for achieving the above object is the substrate cleaning method according to claim 5 or 6, wherein the value of the water content of the brush is within a predetermined range in the determination step. When it is determined that the brush content has not been adjusted, the brush-containing water content adjusting step is executed again.

上記の目的を達成するための請求項８記載の発明は、請求項１〜７のいずれか一項に記載の基板洗浄方法であって、前記基板洗浄工程の後に、前記ブラシが第２の所定の含有水分量となるように前記ブラシを乾燥する第２のブラシ含有水分量調整工程をさらに備えており、前記ブラシ含有水分量調整工程における前記所定の含有水分量と、前記第２のブラシ含有水分量調整工程における前記第２の所定の含有水分量とが異なることを特徴とする。 The invention of claim 8, wherein in order to achieve the above object, there is provided a substrate cleaning method according to any one of claims 1 to 7, after the substrate cleaning step, the brush second predetermined A second brush-containing moisture content adjusting step of drying the brush so as to have the moisture content of the brush is further provided, and the predetermined moisture content in the brush-containing moisture content adjusting step and the second brush-containing moisture content are contained. It is characterized in that it is different from the second predetermined water content in the water content adjusting step.

上記の目的を達成するための請求項９記載の発明は、請求項８に記載の基板洗浄方法であって、前記第２のブラシ含有水分量調整工程の後に、前記ブラシを前記基板に当接させる第２のブラシ当接工程とを備えていることを特徴とする。 The invention according to claim 9 for achieving the above object is the substrate cleaning method according to claim 8, wherein the brush is brought into contact with the substrate after the second brush-containing water content adjusting step. It is characterized by including a second brush contact step for causing the brush to come into contact with the brush.

上記の目的を達成するための請求項１０記載の発明は、請求項９に記載の基板洗浄方法であって、前記基板はデバイス面と非デバイス面を有しており、前記ブラシ当接工程は、前記デバイス面のエッジに前記ブラシを当接する工程であり、前記第２のブラシ当接工程は、前記非デバイス面のエッジに前記ブラシを当接する工程であり、前記含有水分量は、前記第２の含有水分量よりも小さな値であることを特徴とする。 The invention according to claim 10 for achieving the above object is the substrate cleaning method according to claim 9, wherein the substrate has a device surface and a non-device surface, and the brush contact step is performed. The second brush contact step is a step of bringing the brush into contact with the edge of the non-device surface, and the water content is the first step. It is characterized in that the value is smaller than the water content of 2.

上記の目的を達成するための請求項１１記載の発明は、基板をブラシで洗浄する基板洗浄装置であって、前記ブラシをその内部に収容可能である、ブラシポッドと、前記ブラシポッドと前記基板との間でブラシを移動させるためのブラシ移動機構と、基板を水平に保持し、前記基板の中心を通る回転軸の周りに前記基板を回転させる基板保持回転機構と、
レシピ情報を含む各種データを記憶する記憶部と、制御部とを備えており、前記制御部は、前記ブラシを洗浄するブラシ洗浄工程と、前記ブラシ洗浄工程の後に、前記記憶部から読み出した前記レシピ情報に基づき前記ブラシが所定の含有水分量となるように前記ブラシを乾燥するブラシ乾燥工程とを前記ブラシポッド内において実行するように構成されていることを特徴とする。 The invention of claim 11, wherein for achieving the above object, there is provided a substrate cleaning apparatus for cleaning a substrate with a brush, Ru can accommodate der the brush therein, the brush pod, the said brush pod A brush moving mechanism for moving the brush to and from the substrate, a substrate holding rotation mechanism for holding the substrate horizontally and rotating the substrate around a rotation axis passing through the center of the substrate, and a substrate holding rotation mechanism.
A storage unit for storing various data including recipe information and a control unit are provided, and the control unit includes a brush cleaning step for cleaning the brush and the reading from the storage unit after the brush cleaning step. It is characterized in that a brush drying step of drying the brush so that the brush has a predetermined water content based on the recipe information is executed in the brush pod.

上記の目的を達成するための請求項１２記載の発明は、請求項１１に記載の基板洗浄装置であって、前記ブラシ洗浄工程および前記ブラシ乾燥工程が、前記ブラシを収容可能なブラシポッドにおいて行われ、前記ブラシポッドが、前記ブラシにガスを吹き付けるためのガス供給口、または前記ブラシの表面に押圧力を付与することにより前記ブラシの含有水分量を調節するための押し付けバーを有していることを特徴とする。 The invention according to claim 12 for achieving the above object is the substrate cleaning apparatus according to claim 11, wherein the brush cleaning step and the brush drying step are performed in a brush pod capable of accommodating the brush. The brush pod has a gas supply port for blowing gas onto the brush, or a pressing bar for adjusting the water content of the brush by applying pressing pressure to the surface of the brush. It is characterized by that.

上記の目的を達成するための請求項１３記載の発明は、請求項１２に記載の基板洗浄装置であって、前記記憶部が、前記ガス供給口から前記ブラシに吹き付けるガスの供給時間、ガスの供給流量、または前記ブラシに付与される押圧力と、前記所定の含有水分量との関係が予め求められており、当該関係に基づき前記供給時間、前記供給流量、または前記押圧力が規定されたテーブルを有することを特徴とする。 The invention of claim 13, wherein for achieving the above object, there is provided a substrate cleaning apparatus according to claim 12, wherein the storage unit is, the supply time of the gas blown into the brush from the gas supply port, the gas The relationship between the supply flow rate or the pressing force applied to the brush and the predetermined water content is determined in advance, and the supply time, the supply flow rate, or the pressing force is defined based on the relationship. It is characterized by having a table.

上記の目的を達成するための請求項１４記載の発明は、請求項１２または１３に記載の基板洗浄装置であって、前記ブラシポッドに収容された前記ブラシに対して前記押し付けバーを押し付けるためのブラシポッド移動機構をさらに備えることを特徴とする。 The invention of claim 14, wherein for achieving the above object, there is provided a substrate cleaning apparatus according to claim 12 or 13, for pressing the pressing bars relative to the brush housed in the brush pod and further comprising a blanking Rashipoddo moving mechanism.

上記の目的を達成するための請求項１５記載の発明は、請求項１２〜１４のいずれか一項に記載の基板洗浄装置であって、 前記ブラシポッドの内壁から前記ブラシポッドの中央部に向けて前記押し付けバーを略平行方向に移動させるための押し付けバー移動機構をさらに備えることを特徴とする。 The invention according to claim 15 for achieving the above object is the substrate cleaning apparatus according to any one of claims 12 to 14, from the inner wall of the brush pod toward the central portion of the brush pod. Further, the pressing bar moving mechanism for moving the pressing bar in a substantially parallel direction is further provided.

上記の目的を達成するための請求項１６記載の発明は、請求項１２〜１４のいずれか一項に記載の基板洗浄装置であって、前記押し付けバーにおいて、前記ブラシと当接する当接部が前記ブラシの形状に対応した形状となっていることを特徴とする。 The invention according to claim 16 for achieving the above object is the substrate cleaning device according to any one of claims 12 to 14, wherein a contact portion that comes into contact with the brush is formed in the pressing bar. It is characterized in that it has a shape corresponding to the shape of the brush.

上記の目的を達成するための請求項１７記載の発明は、請求項１１〜１６のいずれか一項に記載の基板洗浄装置であって、前記ブラシの含有水分量を測定するための測定機構をさらに備えることを特徴とする。 The invention according to claim 17 for achieving the above object is the substrate cleaning apparatus according to any one of claims 11 to 16, wherein a measuring mechanism for measuring the water content of the brush is provided. It is characterized by further preparation.

上記の目的を達成するための請求項１８記載の発明は、請求項１７に記載の基板洗浄装置であって、前記測定機構は、前記ブラシの重量を測定することを特徴とする。 The invention according to claim 18 for achieving the above object is the substrate cleaning apparatus according to claim 17, wherein the measuring mechanism measures the weight of the brush.

上記の目的を達成するための請求項１９記載の発明は、請求項１７に記載の基板洗浄装置であって、前記記憶部は、規定の許容水分量範囲を格納しており、前記ブラシの含有水分量が前記許容水分量範囲に収まっているか否かを判別する判別機構をさらに備えていることを特徴とする。 The invention according to claim 19 for achieving the above object is the substrate cleaning apparatus according to claim 17, wherein the storage unit stores a specified allowable water content range, and contains the brush. It is further provided with a discriminating mechanism for discriminating whether or not the water content is within the permissible water content range.

上記の目的を達成するための請求項２０記載の発明は、請求項１９に記載の基板洗浄装置であって、表示機構をさらに備え、前記判別機構が前記ブラシの含有水分量が規定の水分量に収まっていないと判別した場合に、前記表示機構は警告画面を表示することを特徴とする。 The invention according to claim 20 for achieving the above object is the substrate cleaning apparatus according to claim 19 , further comprising a display mechanism, and the discrimination mechanism has a specified moisture content of the brush. The display mechanism is characterized in that a warning screen is displayed when it is determined that the image is not contained in the above.

上記の目的を達成するための請求項２１記載の発明は、基板をブラシで洗浄する基板洗浄方法を実行するプログラムを記録したプログラム記録媒体であって、前記基板洗浄方法が、前記ブラシを洗浄するブラシ洗浄工程と、前記ブラシ洗浄工程の後に、レシピ情報に基づき前記ブラシが所定の含有水分量となるように前記ブラシを乾燥するブラシ含有水分量調整工程と、基板を水平に保持し、前記基板の中心を通る回転軸の周りに前記基板を回転させる基板保持回転工程と、前記ブラシを基板に当接し基板を洗浄する基板洗浄工程とを備えていることを特徴とする。 The invention according to claim 21 for achieving the above object is a program recording medium in which a program for executing a substrate cleaning method for cleaning a substrate with a brush is recorded, and the substrate cleaning method cleans the brush. After the brush cleaning step and the brush cleaning step, a brush-containing moisture content adjusting step of drying the brush so that the brush has a predetermined moisture content based on recipe information, and a brush-containing moisture content adjusting step of holding the substrate horizontally and holding the substrate horizontally are performed. It is characterized by including a substrate holding rotation step of rotating the substrate around a rotation axis passing through the center of the surface, and a substrate cleaning step of contacting the brush with the substrate to clean the substrate.

上記の目的を達成するための請求項２２記載の発明は、請求項２１に記載のプログラム記録媒体であって、前記ブラシ含有水分量調整工程が、前記ブラシを収容可能なブラシポッドにおいて行われ、前記ブラシポッドが、前記ブラシにガスを吹き付けるためのガス供給口、または前記ブラシ表面に押圧力を付与することにより前記ブラシの含有水分量を調節するための押し付けバーを有していることを特徴とする。 The invention according to claim 22 for achieving the above object is the program recording medium according to claim 21, wherein the brush-containing water content adjusting step is performed in a brush pod capable of accommodating the brush. The brush pod is characterized by having a gas supply port for blowing gas onto the brush or a pressing bar for adjusting the water content of the brush by applying a pressing force to the surface of the brush. And.

上記の目的を達成するための請求項２３記載の発明は、請求項２２に記載のプログラム記録媒体であって、前記ブラシ含有水分量調整工程において、前記ガス供給口から前記ブラシに吹き付けるガスの供給時間、ガスの供給流量、または前記ブラシに付与される押圧力と、前記所定の含有水分量との関係が予め求められており、当該関係に基づき前記供給時間、前記供給流量、または前記押圧力が規定されることを特徴とする。 The invention of claim 23, wherein for achieving the above object, there is provided a program recording medium according to claim 22, in the brush water content adjustment step, the supply of the gas blown into the brush from the gas supply port The relationship between the time, the gas supply flow rate, or the pressing force applied to the brush and the predetermined water content is determined in advance, and based on the relationship, the supply time, the supply flow rate, or the pressing force is obtained. Is specified.

上記の目的を達成するための請求項２４記載の発明は、請求項２１〜２３のいずれか一項に記載のプログラム記録媒体であって、前記基板洗浄方法は、前記ブラシ含有水分量調整工程の後に、前記ブラシの含有水分量を測定する測定工程をさらに備えることを特徴とする。 The invention according to claim 24 for achieving the above object is the program recording medium according to any one of claims 21 to 23, and the substrate cleaning method is the brush-containing water content adjusting step. Later, it is characterized by further including a measuring step of measuring the water content of the brush.

上記の目的を達成するための請求項２５記載の発明は、請求項２４に記載のプログラム記録媒体であって、前記基板洗浄方法は、前記測定工程において、前記ブラシの含有水分量の値が所定の範囲に収まっているか否かを判別する判別工程をさらに備えることを特徴とする。 The invention according to claim 25 for achieving the above object is the program recording medium according to claim 24, and in the substrate cleaning method, the value of the water content of the brush is predetermined in the measurement step. It is characterized by further including a discriminating step of discriminating whether or not it falls within the range of.

上記の目的を達成するための請求項２６記載の発明は、請求項２５に記載のプログラム記録媒体であって、前記基板洗浄方法は、前記判別工程において、前記ブラシの含有水分量の値が前記所定の範囲に収まっていないと判別された場合に、警告信号を発生する警告信号発生工程をさらに備えることを特徴とする。 The invention of claim 26, wherein for achieving the above object, there is provided a program recording medium according to claim 25, wherein the substrate cleaning method, in the determination step, the value of the water content of said brush said It is characterized by further including a warning signal generation step of generating a warning signal when it is determined that the value does not fall within a predetermined range.

上記の目的を達成するための請求項２７記載の発明は、請求項２５または２６に記載のプログラム記録媒体であって、前記基板洗浄方法は、前記判別工程において、前記ブラシの含有水分量の値が前記所定の範囲に収まっていないと判別された場合に、前記ブラシ含有水分量調整工程を再度実行することを特徴とする。 The invention according to claim 27 for achieving the above object is the program recording medium according to claim 25 or 26, and the substrate cleaning method is a value of the water content of the brush in the determination step. When it is determined that is not within the predetermined range, the brush- containing water content adjusting step is re-executed.

上記の目的を達成するための請求項２８記載の発明は、請求項２１〜２７のいずれか一項に記載のプログラム記録媒体であって、前記基板洗浄方法は、前記基板洗浄工程の後に、前記ブラシが第２の所定の含有水分量となるように前記ブラシを乾燥する第２のブラシ含有水分量調整工程をさらに備えており、前記ブラシ含有水分量調整工程における前記所定の含有水分量と、前記第２のブラシ含有水分量調整工程における前記第２の所定の含有水分量とが異なることを特徴とする。 The invention according to claim 28 for achieving the above object is the program recording medium according to any one of claims 21 to 27 , wherein the substrate cleaning method is performed after the substrate cleaning step. A second brush-containing water content adjusting step of drying the brush so that the brush has a second predetermined water content is further provided, and the predetermined water content adjusted in the brush-containing water content adjusting step and the predetermined water content. It is characterized in that it is different from the second predetermined water content in the second brush content water content adjusting step.

上記の目的を達成するための請求項２９記載の発明は、請求項２８に記載のプログラム記録媒体であって、前記基板洗浄方法は、前記第２のブラシ含有水分量調整工程の後に、前記ブラシを前記基板に当接させる第２のブラシ当接工程を備えていることを特徴とする。 The invention according to claim 29 for achieving the above object is the program recording medium according to claim 28, and the substrate cleaning method is the brush after the second brush-containing water content adjusting step. the characterized in that it comprises as the second brush contact Engineering for contact with the substrate.

上記の目的を達成するための請求項３０記載の発明は、請求項２９に記載のプログラム記録媒体であって、前記基板はデバイス面と非デバイス面を有しており、前記ブラシ当接工程は、前記デバイス面のエッジに前記ブラシを当接する工程であり、前記第２のブラシ当接工程は、前記非デバイス面のエッジに前記ブラシを当接する工程であり、前記所定の含有水分量は、前記第２の所定の含有水分量よりも小さな値であることを特徴とする。 The invention according to claim 30 for achieving the above object is the program recording medium according to claim 29, wherein the substrate has a device surface and a non-device surface, and the brush contact step is performed. The second brush contact step is a step of contacting the brush with the edge of the non-device surface, and the predetermined water content is a step of contacting the brush with the edge of the device surface. It is characterized in that the value is smaller than the second predetermined water content.

図１は、本発明の一実施形態に係る基板処理装置の概略構成を示す側面図である。FIG. 1 is a side view showing a schematic configuration of a substrate processing apparatus according to an embodiment of the present invention. 図２は、本発明の一実施形態に係る基板処理装置の概略構成を示す平面図である。FIG. 2 is a plan view showing a schematic configuration of a substrate processing apparatus according to an embodiment of the present invention. 図３Ａは、本発明の一実施形態に係るブラシ洗浄機構の概略構成を示す平面図であり、ブラシと押し付け機構が離間している状態を示す。FIG. 3A is a plan view showing a schematic configuration of a brush cleaning mechanism according to an embodiment of the present invention, showing a state in which the brush and the pressing mechanism are separated from each other. 図３Ｂは、本発明の一実施形態に係るブラシ洗浄機構の概略構成を示す平面図であり、ブラシと押し付け機構が接近している状態を示す。FIG. 3B is a plan view showing a schematic configuration of a brush cleaning mechanism according to an embodiment of the present invention, showing a state in which the brush and the pressing mechanism are close to each other. 図３Ｃは、本発明の別の実施形態に係るブラシ洗浄機構の概略構成を示す平面図である。FIG. 3C is a plan view showing a schematic configuration of a brush cleaning mechanism according to another embodiment of the present invention. 図４Ａは、図３Ａに示す矢印ＡＡの方向に見た切断線に沿う断面を示す断面図である。FIG. 4A is a cross-sectional view showing a cross section along a cutting line seen in the direction of arrow AA shown in FIG. 3A. 図４Ｂは、図４Ａの構成に押し付け駆動機構８１が加えられた変形例を説明するための断面図である。FIG. 4B is a cross-sectional view for explaining a modified example in which the pressing drive mechanism 81 is added to the configuration of FIG. 4A. 図５は、本発明の一実施形態に係る基板処理装置の動作例を説明するためのフローチャートである。FIG. 5 is a flowchart for explaining an operation example of the substrate processing apparatus according to the embodiment of the present invention. 図６は、本発明の一実施形態に係る基板処理装置における、ブラシ洗浄工程の実施態様１を説明するためのフローチャートである。FIG. 6 is a flowchart for explaining the first embodiment of the brush cleaning step in the substrate processing apparatus according to the embodiment of the present invention. 図７は、本発明の一実施形態に係る基板処理装置における、ブラシ洗浄工程の実施態様２を説明するためのフローチャートである。FIG. 7 is a flowchart for explaining the second embodiment of the brush cleaning step in the substrate processing apparatus according to the embodiment of the present invention. 図８は、本発明の一実施形態に係る基板処理装置における、ブラシ洗浄工程の実施態様３を説明するためのフローチャートである。FIG. 8 is a flowchart for explaining the third embodiment of the brush cleaning step in the substrate processing apparatus according to the embodiment of the present invention.

以下、基板処理装置１の構成及び動作を順次説明する。 Hereinafter, the configuration and operation of the substrate processing apparatus 1 will be sequentially described.

以下、本発明の実施形態を図面に基づいて説明する。図面では同様な構成および機能を有する部分に同じ符号が付され、下記説明では重複説明が省略される。 Hereinafter, embodiments of the present invention will be described with reference to the drawings. In the drawings, parts having the same structure and function are designated by the same reference numerals, and duplicate description is omitted in the following description.

＜基板処理装置１の構成＞
図１は、実施形態に係る基板処理装置１の構成の一例を表す模式図である。
まず、基板処理装置１を構成する各種部材や機構について説明する。 <Configuration of substrate processing device 1>
FIG. 1 is a schematic view showing an example of the configuration of the substrate processing device 1 according to the embodiment.
First, various members and mechanisms constituting the substrate processing apparatus 1 will be described.

基板処理装置１は、隔壁で区画された処理室２と、処理室２内で基板Ｗを水平に保持して回転させるスピンチャック３と、基板Ｗに処理液を供給するための処理液供給機構４と、基板Ｗの表面または裏面を洗浄ブラシ５で洗浄する基板洗浄機構６と、洗浄ブラシ５を洗浄するためのブラシ洗浄機構７とを備えている。 The substrate processing apparatus 1 includes a processing chamber 2 partitioned by a partition wall, a spin chuck 3 that horizontally holds and rotates the substrate W in the processing chamber 2, and a processing liquid supply mechanism for supplying the processing liquid to the substrate W. 4. A substrate cleaning mechanism 6 for cleaning the front surface or the back surface of the substrate W with a cleaning brush 5, and a brush cleaning mechanism 7 for cleaning the cleaning brush 5 are provided.

＜スピンチャック３＞
スピンチャック３は、真空吸着式のチャックである。スピンチャック３は、基板Ｗを水平な姿勢で保持する吸着ベース１０と、吸着ベース１０から下方に延びる筒状の回転軸１１と、吸着ベース１０および回転軸１１を回転させる第１回転駆動機構１２とを備えている。 <Spin chuck 3>
The spin chuck 3 is a vacuum suction type chuck. The spin chuck 3 includes a suction base 10 that holds the substrate W in a horizontal position, a cylindrical rotation shaft 11 that extends downward from the suction base 10, and a first rotation drive mechanism 12 that rotates the suction base 10 and the rotation shaft 11. And have.

回転軸１１は、第１回転駆動機構１２から鉛直方向に延びており、第１回転駆動機構１２に結合されている。回転軸１１の鉛直方向の上端には、基板Ｗの下面側から基板Ｗを吸着保持する吸着ベース１０が取り付けられている。基板Ｗは、吸着ベース１０によって基板Ｗの表面または裏面を上方に向けて略水平に保持されている。
第１回転駆動機構１２は、たとえば、電動モータである。回転軸１１は、第１回転駆動機構１２の駆動力を吸着ベース１０に伝達する。これにより、基板Ｗは、基板Ｗの中心を通る鉛直な回転軸線１４まわりに吸着ベース１０と共に一体的に回転させられる。なお、この実施形態では、吸着式のスピンチャック３を例示しているが、スピンチャック３は、複数の基板挟持部材で基板Ｗを挟持する挟持式のチャックであってもよい。 The rotary shaft 11 extends vertically from the first rotary drive mechanism 12 and is coupled to the first rotary drive mechanism 12. A suction base 10 that sucks and holds the substrate W from the lower surface side of the substrate W is attached to the upper end of the rotating shaft 11 in the vertical direction. The substrate W is held substantially horizontally with the front surface or the back surface of the substrate W facing upward by the suction base 10.
The first rotation drive mechanism 12 is, for example, an electric motor. The rotary shaft 11 transmits the driving force of the first rotary drive mechanism 12 to the suction base 10. As a result, the substrate W is integrally rotated together with the suction base 10 around the vertical rotation axis 14 passing through the center of the substrate W. Although the suction type spin chuck 3 is illustrated in this embodiment, the spin chuck 3 may be a holding type chuck in which the substrate W is sandwiched by a plurality of substrate sandwiching members.

＜基板洗浄機構６＞
基板洗浄機構６は、基板Ｗをスクラブ洗浄するための洗浄ブラシ５と、スピンチャック３による基板Ｗの保持位置よりも上方で略水平に延びる揺動アーム１７と、洗浄ブラシ５を回転させるためのブラシ回転機構１８と、揺動アーム１７と一体的に洗浄ブラシ５を移動させるためのブラシ移動機構２２とを備えている。
ブラシ回転機構１８は、揺動アーム１７内に配置された第２回転駆動機構１９と、第２回転駆動機構１９と結合されたシャフト２０とを含む。第２回転駆動機構１９は、たとえば、電動モータである。シャフト２０は、鉛直方向に延びている。シャフト２０の鉛直方向の上端は第２回転駆動機構１９に結合されている。また、シャフト２０の鉛直方向の下端は、揺動アーム１７から下方に突出している。シャフト２０は、第２回転駆動機構１９によってシャフト２０の中心軸線２１まわりに回転駆動される。 <Substrate cleaning mechanism 6>
The substrate cleaning mechanism 6 rotates the cleaning brush 5 for scrubbing the substrate W, the swing arm 17 extending substantially horizontally above the holding position of the substrate W by the spin chuck 3, and the cleaning brush 5. A brush rotating mechanism 18 and a brush moving mechanism 22 for moving the cleaning brush 5 integrally with the swing arm 17 are provided.
The brush rotation mechanism 18 includes a second rotation drive mechanism 19 arranged in the swing arm 17 and a shaft 20 coupled to the second rotation drive mechanism 19. The second rotation drive mechanism 19 is, for example, an electric motor. The shaft 20 extends in the vertical direction. The upper end of the shaft 20 in the vertical direction is coupled to the second rotation drive mechanism 19. Further, the lower end of the shaft 20 in the vertical direction projects downward from the swing arm 17. The shaft 20 is rotationally driven around the central axis 21 of the shaft 20 by the second rotation drive mechanism 19.

ブラシ回転機構１８は、さらに、第２回転駆動機構１９とシャフト２０との間に設置された押圧センサ機構１００を含む。押圧センサ１００は洗浄ブラシ５にかかる圧力を計測するためのセンサであり、計測に伴う出力信号は制御装置４７に送られる。押圧センサ１００は、洗浄ブラシ５の通常状態（ブラシに外部から圧力が加えられていない状態）における中心軸線２１に対するシャフト２０の水平方向への圧力変化を測定する。押圧センサとしては多様な市販センサを採用することが可能であるが、微小な圧力変化を検知する目的のためには、いわゆるロードセルを用いることが望ましい。この場合、シャフト２０に、水平方向に延伸する補助バーを設置し、この補助バーがロードセルの検知面に接触するようにロードセルを押圧センサ機構１００内に配置することで、シャフト２０の水平方向にかかる微小な圧力変化を検知することが可能となる。
The brush rotation mechanism 18 further includes a pressing sensor mechanism 100 installed between the second rotation drive mechanism 19 and the shaft 20. The pressing sensor 100 is a sensor for measuring the pressure applied to the cleaning brush 5, and the output signal accompanying the measurement is sent to the control device 47. Pressing sensor 100 measures the pressure changes in the horizontal direction of the shaft 20 relative to the normal state Keru you (the state where no pressure is applied from the outside to the brush) center axis 21 of the cleaning brush 5. Although various commercially available sensors can be used as the pressure sensor, it is desirable to use a so-called load cell for the purpose of detecting a minute pressure change. In this case, an auxiliary bar extending in the horizontal direction is installed on the shaft 20, and the load cell is arranged in the pressing sensor mechanism 100 so that the auxiliary bar comes into contact with the detection surface of the load cell, so that the shaft 20 is in the horizontal direction. It is possible to detect such a minute pressure change.

また、押圧センサ機構１００は、シャフト２０の上下方向への圧力変化を測定することによって、洗浄ブラシ５の重量の変化を検知できるように構成することも可能である。たとえば、シャフト２０または洗浄ブラシ５と接続した補助バーを、圧力を検知するロードセルの検知面に接触するように配置し、検知された圧力の差分を測定し、洗浄ブラシ５の通常状態における重量からその差分を差し引くことにより、洗浄ブラシ５の重量を検知することが可能となる。このほか、洗浄ブラシ５の重量を測定する小型の重量計を揺動アーム１７に組み込む構成としても良い。 Further, the pressure sensor mechanism 100 can be configured so that the change in the weight of the cleaning brush 5 can be detected by measuring the change in the pressure of the shaft 20 in the vertical direction. For example, an auxiliary bar connected to the shaft 20 or the cleaning brush 5 is arranged so as to be in contact with the detection surface of the load cell that detects the pressure, the difference in the detected pressure is measured, and the weight of the cleaning brush 5 in the normal state is measured. By subtracting the difference, the weight of the cleaning brush 5 can be detected. In addition, a small weighing scale for measuring the weight of the cleaning brush 5 may be incorporated in the swing arm 17.

＜洗浄ブラシ５＞
洗浄ブラシ５は、ホルダ取付部２４およびブラシホルダ２５を介してシャフト２０の下端に連結されている。ブラシホルダ２５は、洗浄ブラシ５の一部を下方に突出させた状態で洗浄ブラシ５を保持している。第２回転駆動機構１９の駆動力は、シャフト２０を介して洗浄ブラシ５に伝達される。これにより、洗浄ブラシ５は、ブラシ回転機構１８によってシャフト２０の中心軸線２１まわりに回転駆動される。つまり、洗浄ブラシ５の中心軸線は、シャフト２０の中心軸線２１と同一である。 <Washing brush 5>
The cleaning brush 5 is connected to the lower end of the shaft 20 via a holder mounting portion 24 and a brush holder 25. The brush holder 25 holds the cleaning brush 5 in a state where a part of the cleaning brush 5 is projected downward. The driving force of the second rotation driving mechanism 19 is transmitted to the cleaning brush 5 via the shaft 20. As a result, the cleaning brush 5 is rotationally driven around the central axis 21 of the shaft 20 by the brush rotation mechanism 18. That is, the central axis of the cleaning brush 5 is the same as the central axis 21 of the shaft 20.

洗浄ブラシ５は、たとえば、ブラシ素材の一例としてのＰＶＡ（ポリビニルアルコール）などのスポンジ材によって形成され弾性変形可能な洗浄面ＣＳを含む。基板Ｗの周端面の洗浄は、洗浄ブラシ５の洗浄面ＣＳが基板Ｗの周端面に当接することで行われる。
図１の基板処理装置１の例においては、洗浄面ＣＳは洗浄ブラシ５の側面に形成されている。洗浄面ＣＳの形状は、基板Ｗの周端部への当接時に洗浄面ＣＳと当該周端部が好適に接触するように、基板Ｗの周端部の形状に略対応する形状とすることが好ましい。具体的には、洗浄面ＣＳの断面形状と、基板Ｗの周端部の形状が略対応する形状となるように洗浄ブラシ５が形成される。 The cleaning brush 5 includes, for example, an elastically deformable cleaning surface CS formed of a sponge material such as PVA (polyvinyl alcohol) as an example of a brush material. Cleaning of the peripheral end surface of the substrate W is performed by the cleaning surface CS of the cleaning brush 5 coming into contact with the peripheral end surface of the substrate W.
In the example of the substrate processing apparatus 1 of FIG. 1, the cleaning surface CS is formed on the side surface of the cleaning brush 5. The shape of the cleaning surface CS shall be a shape substantially corresponding to the shape of the peripheral end of the substrate W so that the cleaning surface CS and the peripheral end of the substrate W are in suitable contact with each other when the substrate W comes into contact with the peripheral end of the substrate W. Is preferable. Specifically, the cleaning brush 5 is formed so that the cross-sectional shape of the cleaning surface CS and the shape of the peripheral end portion of the substrate W substantially correspond to each other.

＜ブラシ移動機構２２＞
ブラシ移動機構２２は、揺動アーム１７を支持する鉛直方向に延びるアーム支持軸３０と、アーム支持軸３０に結合された昇降駆動機構３１および揺動駆動機構３２とを備えている。 <Brush movement mechanism 22>
The brush moving mechanism 22 includes an arm support shaft 30 extending in the vertical direction for supporting the swing arm 17, an elevating drive mechanism 31 coupled to the arm support shaft 30, and a swing drive mechanism 32.

＜揺動駆動機構３２＞
揺動駆動機構３２は、揺動アーム１７を水平面に沿って揺動可能に構成されている。揺動駆動機構３２の駆動力をアーム支持軸３０に入力することにより、揺動アーム１７と洗浄ブラシ５とを一体的に揺動させることができる。より具体的には、洗浄ブラシ５は、アーム支持軸３０に沿って上下方向に延びる揺動軸線３３まわりに揺動アーム１７と一体的に揺動させられる。図２では、洗浄ブラシ５が、基板Ｗの回転範囲外に設定された洗浄ブラシ５の待機位置の上方（二点鎖線の位置）から基板Ｗの上面中央部の上方を通る略円弧状の軌跡Ｔに沿って揺動させられる例を示している。昇降駆動機構３１は、揺動アーム１７を昇降可能に構成されている。昇降駆動機構３１の駆動力をアーム支持軸３０に入力することにより、揺動アーム１７と洗浄ブラシ５とを一体的に昇降させることができる。 <Swing drive mechanism 32>
The swing drive mechanism 32 is configured so that the swing arm 17 can swing along a horizontal plane. By inputting the driving force of the swing drive mechanism 32 to the arm support shaft 30, the swing arm 17 and the cleaning brush 5 can be integrally swung. More specifically, the cleaning brush 5 is integrally swung with the swing arm 17 around a swing axis 33 extending in the vertical direction along the arm support shaft 30. In FIG. 2, a substantially arc-shaped locus of the cleaning brush 5 passing from above the standby position (position of the alternate long and short dash line) of the cleaning brush 5 set outside the rotation range of the substrate W to above the center of the upper surface of the substrate W. An example of swinging along T is shown. The elevating drive mechanism 31 is configured to be able to elevate and elevate the swing arm 17. By inputting the driving force of the elevating drive mechanism 31 to the arm support shaft 30, the swing arm 17 and the cleaning brush 5 can be moved up and down integrally.

＜処理液供給機構４＞
処理液供給機構４は、基板Ｗの上面に向けて処理液（たとえば純水（ｄｅｉｏｎｉｚｅｄ ｗａｔｅｒ：脱イオン水））を吐出する処理液ノズル３６を含む。処理液供給源（図示せず）からの処理液は、処理液供給管３７を介して処理液ノズル３６に供給される。処理液供給管３７の途中には、処理液バルブ３８が介装されている。処理液バルブ３８を開閉することにより、処理液ノズル３６からの処理液の吐出／停止を切り換えることができる。処理液ノズル３６は、処理液供給管３７を通して供給される処理液を、スピンチャック３により回転される基板Ｗの上面に向けて吐出する。処理液ノズル３６から吐出された処理液は、基板Ｗの上面における回転中心を含む範囲に着液される。 <Treatment liquid supply mechanism 4>
The treatment liquid supply mechanism 4 includes a treatment liquid nozzle 36 that discharges a treatment liquid (for example, pure water (deionized water)) toward the upper surface of the substrate W. The treatment liquid from the treatment liquid supply source (not shown) is supplied to the treatment liquid nozzle 36 via the treatment liquid supply pipe 37. A treatment liquid valve 38 is interposed in the middle of the treatment liquid supply pipe 37. By opening and closing the processing liquid valve 38, it is possible to switch the discharge / stop of the processing liquid from the processing liquid nozzle 36. The processing liquid nozzle 36 discharges the processing liquid supplied through the processing liquid supply pipe 37 toward the upper surface of the substrate W rotated by the spin chuck 3. The treatment liquid discharged from the treatment liquid nozzle 36 is landed in a range including the rotation center on the upper surface of the substrate W.

＜ブラシ洗浄機構７＞
ブラシ洗浄機構７は、洗浄ブラシ５の待機位置に配置された筒状の待機ポッド４１と、待機ポッド４１内に取り付けられた洗浄バー４２と、洗浄ブラシ５に洗浄液（たとえば炭酸水または純水）を供給するための洗浄液供給機構４３とを備えている。待機ポッド４１は、上端および下端が開いた上下方向に延びる筒状である。洗浄液供給機構４３から待機ポッド４１内に供給された洗浄液は、待機ポッド４１の下方に配置された受け部４４によって捕獲される。受け部４４によって捕獲された洗浄液は、ドレイン配管４５によって排出される。なお、洗浄ブラシ５が待機ポッド４１内に収納される位置が、洗浄ブラシ５の待機位置である。 <Brush cleaning mechanism 7>
The brush cleaning mechanism 7 has a tubular standby pod 41 arranged at the standby position of the cleaning brush 5, a cleaning bar 42 mounted in the standby pod 41, and a cleaning liquid (for example, carbonated water or pure water) on the cleaning brush 5. It is provided with a cleaning liquid supply mechanism 43 for supplying the water. The standby pod 41 has a cylindrical shape with open upper and lower ends extending in the vertical direction. The cleaning liquid supplied from the cleaning liquid supply mechanism 43 into the standby pod 41 is captured by the receiving portion 44 arranged below the standby pod 41. The cleaning liquid captured by the receiving portion 44 is discharged by the drain pipe 45. The position where the cleaning brush 5 is stored in the standby pod 41 is the standby position of the cleaning brush 5.

＜制御装置４７＞
基板処理装置１は、その各部の制御のために制御装置４７を備えている。制御装置４７は、第１回転駆動機構１２、第２回転駆動機構１９、揺動駆動機構３２、昇降駆動機構３１、処理液バルブ３８、ブラシ洗浄機構７などを制御するように構成されている。この実施形態では、第２回転駆動機構１９、揺動駆動機構３２および昇降駆動機構３１が洗浄ブラシ５を移動させるための相対移動手段として機能する。 <Control device 47>
The substrate processing device 1 includes a control device 47 for controlling each part thereof. The control device 47 is configured to control the first rotation drive mechanism 12, the second rotation drive mechanism 19, the swing drive mechanism 32, the elevating drive mechanism 31, the processing liquid valve 38, the brush cleaning mechanism 7, and the like. In this embodiment, the second rotation drive mechanism 19, the swing drive mechanism 32, and the elevating drive mechanism 31 function as relative moving means for moving the cleaning brush 5.

次に、図３Ａ、図３Ｂ、図３Ｃ、図４Ａ、図４Ｂを参照して、ブラシ洗浄機構７の構成についてより具体的に説明する。
＜ブラシ洗浄機構７＞
図３Ａは、ブラシ洗浄機構７の概略構成を示す平面図であり、ブラシと押し付け機構が離間している状態を示す。図３Ｂは、ブラシ洗浄機構の概略構成を示す平面図であり、ブラシと押し付け機構が接近している状態を示す。図３Ｃは、ブラシ洗浄機構の概略構成を示す平面図である。図４Ａは、図３Ａに示す矢印ＡＡの方向に見た切断線に沿う断面を示す断面図である。図４Ｂは、図４Ａの構成に押し付け駆動機構８１が加えられた変形例を説明するための断面図である。 Next, the configuration of the brush cleaning mechanism 7 will be described more specifically with reference to FIGS. 3A, 3B, 3C, 4A, and 4B.
<Brush cleaning mechanism 7>
FIG. 3A is a plan view showing a schematic configuration of the brush cleaning mechanism 7, and shows a state in which the brush and the pressing mechanism are separated from each other. FIG. 3B is a plan view showing a schematic configuration of the brush cleaning mechanism, and shows a state in which the brush and the pressing mechanism are close to each other. FIG. 3C is a plan view showing a schematic configuration of the brush cleaning mechanism. FIG. 4A is a cross-sectional view showing a cross section along a cutting line seen in the direction of arrow AA shown in FIG. 3A. FIG. 4B is a cross-sectional view for explaining a modified example in which the pressing drive mechanism 81 is added to the configuration of FIG. 4A.

ブラシ洗浄機構７は、図３Ａに示すように、円筒状の待機ポッド４１と、待機ポッド４１内に取り付けられた押し付け機構８０と、待機ポッド４１に取り付けられた洗浄液供給機構４３と、待機ポッド４１に取り付けられたガス供給機構６３とを備えている。
待機ポッド４１は、図４Ａに示すように、洗浄ブラシ５が挿入されるための上側開口４１ａと、洗浄液供給機構４３から供給された洗浄液を排液管９０を通じて図示しない排液回収タンクへ排出するための下側開口４１ｂとを含む。待機ポッド４１の上側開口４１ａは、ホルダ取付部２４の外径よりも大きい内径を有している。これにより、ブラシホルダ２５および洗浄ブラシ５の全体は待機ポッド４１内に収納される。 As shown in FIG. 3A, the brush cleaning mechanism 7 includes a cylindrical standby pod 41, a pressing mechanism 80 mounted in the standby pod 41, a cleaning liquid supply mechanism 43 mounted in the standby pod 41, and a standby pod 41. It is provided with a gas supply mechanism 63 attached to the.
As shown in FIG. 4A, the standby pod 41 discharges the cleaning liquid supplied from the cleaning liquid supply mechanism 43 and the upper opening 41a for inserting the cleaning brush 5 into a drainage collection tank (not shown) through the drainage pipe 90. Includes a lower opening 41b for the purpose. The upper opening 41a of the standby pod 41 has an inner diameter larger than the outer diameter of the holder mounting portion 24. As a result, the entire brush holder 25 and the cleaning brush 5 are housed in the standby pod 41.

洗浄液供給機構４３は、待機ポッド４１内の洗浄ブラシ５に向けて洗浄液を吐出する洗浄液ノズル５６と、洗浄液ノズル５６に洗浄液を供給する洗浄液配管５１とを含む。洗浄液ノズル５６は、待機ポッド４１に取り付けられている。より具体的には、洗浄液ノズル５６は、この実施形態では、待機ポッド４１の略中央部に取り付けられた押し付け貴校０と略同じ高さの位置で待機ポッド４１に取り付けられている。洗浄液供給源（図示せず）からの洗浄液は、洗浄液配管５１を介して洗浄液ノズル５６に供給される。洗浄液配管５１の途中には、洗浄液バルブ５７が介装されている。洗浄液バルブ５７を開閉することにより、洗浄液ノズル５６からの洗浄液の吐出／停止を切り換えることができる。洗浄液ノズル５６から吐出された洗浄液は、待機ポッド４１の下側開口４１ｂから排液管９０を通じて図示しない排液回収タンクまたは排液設備へと回収／廃棄される。 The cleaning liquid supply mechanism 43 includes a cleaning liquid nozzle 56 that discharges the cleaning liquid toward the cleaning brush 5 in the standby pod 41, and a cleaning liquid pipe 51 that supplies the cleaning liquid to the cleaning liquid nozzle 56. The cleaning liquid nozzle 56 is attached to the standby pod 41. More specifically, in this embodiment, the cleaning liquid nozzle 56 is attached to the standby pod 41 at a position substantially the same height as the pressing school 0 attached to the substantially central portion of the standby pod 41. The cleaning liquid from the cleaning liquid supply source (not shown) is supplied to the cleaning liquid nozzle 56 via the cleaning liquid pipe 51. A cleaning liquid valve 57 is interposed in the middle of the cleaning liquid pipe 51. By opening and closing the cleaning liquid valve 57, it is possible to switch the discharge / stop of the cleaning liquid from the cleaning liquid nozzle 56. The cleaning liquid discharged from the cleaning liquid nozzle 56 is collected / discarded from the lower opening 41b of the standby pod 41 through the drain pipe 90 into a drainage recovery tank or a drainage facility (not shown).

ガス供給機構６３は、待機ポッド４１内の洗浄ブラシ５に向けて窒素ガスなどのガスを吐出するガスノズル７６と、ガスノズル７６にガスを供給するガス配管７１とを含む。
ガスノズル７６は、待機ポッド４１に取り付けられている。ガスノズル７６によるガス供給は、主として洗浄液ノズル５６から供給した洗浄液により洗浄ブラシ５を洗浄した後に洗浄ブラシ５を乾燥するために用いられる。このため、ガスノズル７６は、この実施形態では、待機ポッド４１において、洗浄液ノズル５６より上方かつ上側開口４１aよりも下方に取り付けられている。
窒素ガスなどのガス供給源（図示せず）からのガスは、ガス配管７１を介してガスノズル７６に供給される。 The gas supply mechanism 63 includes a gas nozzle 76 that discharges a gas such as nitrogen gas toward the cleaning brush 5 in the standby pod 41, and a gas pipe 71 that supplies gas to the gas nozzle 76.
The gas nozzle 76 is attached to the standby pod 41. The gas supply by the gas nozzle 76 is mainly used for cleaning the cleaning brush 5 with the cleaning liquid supplied from the cleaning liquid nozzle 56 and then drying the cleaning brush 5. Therefore, in this embodiment, the gas nozzle 76 is attached above the cleaning liquid nozzle 56 and below the upper opening 41a in the standby pod 41.
Gas from a gas supply source (not shown) such as nitrogen gas is supplied to the gas nozzle 76 via the gas pipe 71.

ガス７１の途中には、ガスバルブ７７が介装されている。ガスバルブ７７を開閉することにより、ガスノズル７６からの洗浄液の吐出／停止を切り換えることができる。ガスノズル７６から吐出されたガスは、主として待機ポッド４１の上側開口４１ａを通って待機ポッド４１の外部に排出される。 A gas valve 77 is interposed in the middle of the gas 71. By opening and closing the gas valve 77, it is possible to switch the discharge / stop of the cleaning liquid from the gas nozzle 76. The gas discharged from the gas nozzle 76 is mainly discharged to the outside of the standby pod 41 through the upper opening 41a of the standby pod 41.

洗浄ブラシ５をブラシ洗浄機構７で洗浄する際には、洗浄ブラシ５は図１の揺動制御機構３２により揺動アーム１７を揺動させることにより平面視で待機ポッド４１の略中央部に移動される。次に、洗浄ブラシ５は、図１の昇降制御機構３１により揺動アーム１７を下降させることにより、洗浄ブラシ５の洗浄面ＣＳがブラシ洗浄機構７内の押し付け機構８０と洗浄液ノズル５６に略対向される。これら移動が完了した後、洗浄液供給源（図示せず）からの洗浄液は、洗浄液配管５１を介して洗浄液ノズル５６に供給される。洗浄液バルブ５７を開閉することにより、洗浄液ノズル５６からの洗浄液の吐出／停止を切り換えることができる。洗浄液吐出口４９は、洗浄液を洗浄ブラシ５の洗浄面ＣＳに向けて吐出する。 When the cleaning brush 5 is cleaned by the brush cleaning mechanism 7, the cleaning brush 5 moves to the substantially central portion of the standby pod 41 in a plan view by swinging the swing arm 17 by the swing control mechanism 32 of FIG. Will be done. Next, in the cleaning brush 5, the swing arm 17 is lowered by the elevating control mechanism 31 of FIG. 1, so that the cleaning surface CS of the cleaning brush 5 faces the pressing mechanism 80 in the brush cleaning mechanism 7 and the cleaning liquid nozzle 56 substantially. Will be done. After these movements are completed, the cleaning liquid from the cleaning liquid supply source (not shown) is supplied to the cleaning liquid nozzle 56 via the cleaning liquid pipe 51. By opening and closing the cleaning liquid valve 57, it is possible to switch the discharge / stop of the cleaning liquid from the cleaning liquid nozzle 56. The cleaning liquid discharge port 49 discharges the cleaning liquid toward the cleaning surface CS of the cleaning brush 5.

洗浄ブラシ５をブラシ洗浄機構７で乾燥する際には、洗浄ブラシ５は、図１の昇降制御機構３１により揺動アーム１７を上昇させることにより、洗浄ブラシ５の洗浄面ＣＳがブラシ洗浄機構７内のガスノズル７６と同一高さまたは若干下方位置へと移動される。この移動が完了した後、ガス供給源（図示せず）からのガスは、ガス配管７１を介してガスノズル７６に供給される。ガスバルブ７７を開閉することにより、ガスノズル７６からの洗浄液の吐出／停止を切り換えることができる。 When the cleaning brush 5 is dried by the brush cleaning mechanism 7, the cleaning brush 5 raises the swing arm 17 by the elevating control mechanism 31 of FIG. 1, so that the cleaning surface CS of the cleaning brush 5 becomes the brush cleaning mechanism 7. It is moved to the same height as or slightly lower than the gas nozzle 76 inside. After this movement is completed, the gas from the gas supply source (not shown) is supplied to the gas nozzle 76 via the gas pipe 71. By opening and closing the gas valve 77, it is possible to switch the discharge / stop of the cleaning liquid from the gas nozzle 76.

次に、図１の昇降移動機構３１により揺動アーム１７を上昇させることにより、洗浄ブラシ５は待機ポッド４１から離脱する。当該上昇の間もガス供給は継続し、洗浄ブラシ５が待機ポッド４１から離脱した後にガス供給は停止される。 Next, the cleaning brush 5 is separated from the standby pod 41 by raising the swing arm 17 by the elevating movement mechanism 31 of FIG. The gas supply continues during the rise, and the gas supply is stopped after the cleaning brush 5 is separated from the standby pod 41.

押し付け機構８０は、図４に示すように、断面形状が基板Ｗの周縁部と対応する凹型形状の当接面を有する。待機ポッド７内で洗浄ブラシ５をブラシ洗浄機構７で洗浄した後、図１の揺動制御機構３２により洗浄ブラシ５が待機ポッド７内で押し付け機構８０に押し付けられる。図３Ａに洗浄ブラシ５が押し付け機構８０と離間した状態、図３Ｂに洗浄ブラシ５が押し付け機構８０に押し付けられた状態を示す。 As shown in FIG. 4, the pressing mechanism 80 has a concave contact surface whose cross-sectional shape corresponds to the peripheral edge of the substrate W. After cleaning the cleaning brush 5 in the standby pod 7 with the brush cleaning mechanism 7, the cleaning brush 5 is pressed against the pressing mechanism 80 in the standby pod 7 by the swing control mechanism 32 of FIG. FIG. 3A shows a state in which the cleaning brush 5 is separated from the pressing mechanism 80, and FIG. 3B shows a state in which the cleaning brush 5 is pressed against the pressing mechanism 80.

洗浄ブラシ５を押し付け機構８０に押し付けることにより、洗浄ブラシ５の洗浄面ＣＳから水分が搾り出される。押し付けにより洗浄ブラシ５にかかる圧力は、洗浄ブラシ５の上方に設置されている押圧センサ機構１００により検知され、その情報は制御装置４７に送られる。 By pressing the cleaning brush 5 against the pressing mechanism 80, water is squeezed out from the cleaning surface CS of the cleaning brush 5. The pressure applied to the cleaning brush 5 by pressing is detected by the pressing sensor mechanism 100 installed above the cleaning brush 5, and the information is sent to the control device 47.

なお、洗浄ブラシ５を押し付け機構８０に押し付ける動作を実現するために、図３Ｃに示すような、押し付け機構８０を水平方向に前後移動させるための押し付け駆動機構８１を待機ポッド４１の側面に設置しても良い。この場合、待機ポッド４１に対して洗浄ブラシ５が静止した状態であっても、図１に示すポッド制御機構４４から制御信号を受けることにより押し付け機構８０を洗浄ブラシ５に向かって当接／離間させることができる。 In order to realize the operation of pressing the cleaning brush 5 against the pressing mechanism 80, a pressing drive mechanism 81 for moving the pressing mechanism 80 horizontally back and forth as shown in FIG. 3C is installed on the side surface of the standby pod 41. You may. In this case, even if the cleaning brush 5 is stationary with respect to the standby pod 41, the pressing mechanism 80 is brought into contact with / separated from the cleaning brush 5 by receiving a control signal from the pod control mechanism 44 shown in FIG. Can be made to.

押し付け動作の圧力、持続時間、回数、押し付け動作時における押し付け寄港０と洗浄ブラシ５の高さ関係などは、予めレシピに規定されている。
また、後に説明するように、押し付け動作による洗浄ブラシ５の含有水分量の変化を把握し、この把握結果に応じて押し付け動作における押し付け動作の圧力、持続時間、回数、押し付け動作時における押し付け機構８０と洗浄ブラシ５の高さ関係などを、押し付け動作の最中に変化させても良い。 The pressure, duration, number of times of pressing operation, height relationship between pressing port 0 and cleaning brush 5 during pressing operation are specified in advance in the recipe.
Further, as will be described later, the change in the water content of the cleaning brush 5 due to the pressing operation is grasped, and the pressure, duration, number of times, and pressing mechanism 80 of the pressing operation in the pressing operation are determined according to the grasping result. The height relationship between the cleaning brush 5 and the cleaning brush 5 may be changed during the pressing operation.

押し付け機構８０の材料としては、フッ素樹脂（たとえば、ＰＦＡ），シリコンを含む材料（たとえば、シリコン、酸化シリコン等），石英等を挙げることができる。洗浄バー４２は、不純物が比較的少なく、かつ洗浄ブラシ５に付着した異物が転写し易い石英からなることが好ましい。 Examples of the material of the pressing mechanism 80 include a fluororesin (for example, PFA), a material containing silicon (for example, silicon, silicon oxide, etc.), quartz, and the like. The cleaning bar 42 is preferably made of quartz, which has relatively few impurities and is easy to transfer foreign matter adhering to the cleaning brush 5.

次に、図５を参照して、ブラシ洗浄機構７による水分量調整工程について説明する。図面番号は、適宜図１のものを使用する。 Next, the water content adjusting step by the brush cleaning mechanism 7 will be described with reference to FIG. As the drawing number, the one shown in FIG. 1 is used as appropriate.

＜水分量調整工程＞
図５は、ブラシ洗浄機構７の動作例を説明するためのフローチャートである。
＜Ｓ１ 待機ポッドへのブラシ進入＞
ブラシ洗浄は、基板処理装置１の立ち上げ時、基板Ｗの処理が終了した後など、洗浄ブラシ５が待機ポッド７に収納されているときに行われる。基板Ｗが待機ポッド７に長時間格納される場合には、洗浄ブラシ５に含まれる水分量（含有水分量）が大きく変化するので、待機ポッド７から洗浄ブラシ５が退出する直前に水分量調整工程が終了するように、再度水分量調整工程を実行する。 <Moisture content adjustment process>
FIG. 5 is a flowchart for explaining an operation example of the brush cleaning mechanism 7.
<Brush entry into S1 standby pod>
The brush cleaning is performed when the cleaning brush 5 is housed in the standby pod 7, such as when the substrate processing apparatus 1 is started up or after the processing of the substrate W is completed. When the substrate W is stored in the standby pod 7 for a long time, the water content (moisture content) contained in the cleaning brush 5 changes significantly. Therefore, the water content is adjusted immediately before the cleaning brush 5 exits from the standby pod 7. The water content adjusting step is executed again so that the step is completed.

待機ポッド７への洗浄ブラシ５の進入は以下の手順で行われる。
洗浄ブラシ５は図１の揺動制御機構３２により揺動アーム１７を揺動させることにより平面視で待機ポッド４１の略中央部に移動される。次に、洗浄ブラシ５は、図１の昇降制御機構３１により揺動アーム１７を下降させることにより、洗浄ブラシ５の洗浄面ＣＳがブラシ洗浄機構７内の押し付け機構８０と洗浄液ノズル５６に略対向される。 The cleaning brush 5 enters the standby pod 7 according to the following procedure.
The cleaning brush 5 is moved to a substantially central portion of the standby pod 41 in a plan view by swinging the swing arm 17 by the swing control mechanism 32 of FIG. Next, in the cleaning brush 5, the swing arm 17 is lowered by the elevating control mechanism 31 of FIG. 1, so that the cleaning surface CS of the cleaning brush 5 faces the pressing mechanism 80 in the brush cleaning mechanism 7 and the cleaning liquid nozzle 56 substantially. Will be done.

＜Ｓ２ ブラシ洗浄＞
これら移動が完了した後、洗浄液供給源（図示せず）からの洗浄液は、洗浄液配管５１を介して洗浄液ノズル５６に供給される。洗浄液バルブ５７を開閉することにより、洗浄液ノズル５６からの洗浄液の吐出／停止を切り換えることができる。洗浄液吐出口４９は、洗浄液を洗浄ブラシ５の洗浄面ＣＳに向けて吐出する。
洗浄液の供給と並行して、洗浄ブラシ５の上方に配置されている回転手段１９により、洗浄ブラシ５が回転軸１４を中心に自転する。自転する洗浄ブラシ５に洗浄液が供給されることにより、洗浄ブラシ５が洗浄される。 <S2 brush cleaning>
After these movements are completed, the cleaning liquid from the cleaning liquid supply source (not shown) is supplied to the cleaning liquid nozzle 56 via the cleaning liquid pipe 51. By opening and closing the cleaning liquid valve 57, it is possible to switch the discharge / stop of the cleaning liquid from the cleaning liquid nozzle 56. The cleaning liquid discharge port 49 discharges the cleaning liquid toward the cleaning surface CS of the cleaning brush 5.
In parallel with the supply of the cleaning liquid, the cleaning brush 5 rotates about the rotation shaft 14 by the rotating means 19 arranged above the cleaning brush 5. The cleaning brush 5 is cleaned by supplying the cleaning liquid to the rotating cleaning brush 5.

＜含有水分量の調整について＞
洗浄ブラシ５が洗浄された直後は、洗浄ブラシ５の含有水分量は非常に高い状態となっている。これを、水分量調整工程に後に控えている基板処理などの工程に適した含有水分量とする必要がある。 <Adjustment of water content>
Immediately after the cleaning brush 5 is washed, the water content of the cleaning brush 5 is very high. It is necessary to set this to a water content suitable for a process such as substrate treatment, which is reserved after the water content adjusting step.

水分量調整工程終了後に処理する基板Ｗの種類、基板処理の内容、処理工程の違いなどにより、適切な含有水分量は異なる。そこで、水分量調整工程においては、目標とする含有水分量が図示しない記憶部２００に格納されたルックアップテーブルＬＴから読み出される。記憶部２００には、目標とする含有水分量ごとに、推定含有水分量と目標含有水分量の差を小さくするために必要な処理手順と処理に必要なパラメータ（例： 押し付け機構８０の押し付け秒数など）が格納されている。
推定含有水分量と目標含有水分量との差を小さくする手順の一つとして、フィードバック制御を実行しても良い。例えば、推定含有水分量が目標含有水分量を上回る場合、予め定めておいた処理（例：所定秒数の間、ガスを洗浄ブラシ５に吹き付ける）を実行する。当該フィードバック制御を行った結果、推定含有水分量が目標含有水分量を下回った場合には、洗浄液ノズル５６から洗浄ブラシ５へと所定の流量の処理液を供給する。推定含有水分量と目標含有水分量との差の大きさと、上記の処理（ガス噴きつけなど）における処理秒数とが比例するように制御しても良い。 The appropriate water content varies depending on the type of substrate W to be processed after the completion of the water content adjusting step, the content of the substrate treatment, the difference in the treatment process, and the like. Therefore, in the water content adjusting step, the target water content is read from the look-up table LT stored in the storage unit 200 (not shown). In the storage unit 200, for each target water content, the processing procedure required to reduce the difference between the estimated water content and the target water content and the parameters required for the processing (eg, the pressing seconds of the pressing mechanism 80). Number etc.) is stored.
Feedback control may be performed as one of the procedures for reducing the difference between the estimated water content and the target water content. For example, when the estimated water content exceeds the target water content, a predetermined treatment (eg, spraying gas onto the cleaning brush 5 for a predetermined number of seconds) is performed. When the estimated water content falls below the target water content as a result of performing the feedback control, a treatment liquid having a predetermined flow rate is supplied from the cleaning liquid nozzle 56 to the cleaning brush 5. The size of the difference between the estimated water content and the target water content may be controlled to be proportional to the number of treatment seconds in the above treatment (gas spraying, etc.).

さらに、推定含有水分量と目標水分量との差が規定の値を上回っている場合には、含有水分量調整がうまく作動していない可能性が高いため、含有水分量調整の工程をリセットしてやり直すこととしても良い。制御装置４７は、含有水分量調整の結果、規定の異常値（推定含有水分量と目標水分量との差）を上回っているか否かを判別する。判別の結果、含有水分量調整の結果、規定の異常値を上回っているならば「異常」と判定する。
「異常」判定された場合の応答については、制御装置４７から読み出し可能なサブルーティン処理に基づき以降の工程が実行される。
たとえば、「異常」判定された場合、洗浄ブラシ５全体を濡らした上で改めて含有水分量調整をやり直すことで当該リセットは実行される。
または、「異常」判定された場合、警告信号を図示しない表示機構に表示させても良い。 Furthermore, if the difference between the estimated water content and the target water content exceeds the specified value, it is highly possible that the water content adjustment is not working properly, so the process for adjusting the water content is reset. You can try again. As a result of adjusting the water content, the control device 47 determines whether or not the specified abnormal value (difference between the estimated water content and the target water content) is exceeded. As a result of the determination, as a result of adjusting the water content, if it exceeds the specified abnormal value, it is determined as "abnormal".
Regarding the response when the "abnormality" is determined, the subsequent steps are executed based on the subsystem processing that can be read from the control device 47.
For example, when an "abnormality" is determined, the reset is executed by wetting the entire cleaning brush 5 and then re-adjusting the water content.
Alternatively, when an "abnormality" is determined, a warning signal may be displayed on a display mechanism (not shown).

含有水分量調整の工程に用いる上述の値は予め実験などを通じて求められている。ルックアップテーブルＬＴから読み出した処理手順を、読み出したパラメータに従って実行することにより、洗浄ブラシ５の含有水分量を、基板処理などに適した所望の水分量に近づけることができる。基板の種類、用いられるプロセスの種類などによって、洗浄ブラシ５に求められる適切な含有水分量はことなるため、上述の値は、基板の種類、用いられるプロセスの種類毎に異なるテーブルとして管理格納されていることが望ましい。 The above-mentioned values used in the step of adjusting the water content have been obtained in advance through experiments and the like. By executing the processing procedure read from the look-up table LT according to the read parameters, the water content of the cleaning brush 5 can be brought close to a desired water content suitable for substrate treatment and the like. Since the appropriate water content required for the cleaning brush 5 differs depending on the type of substrate, the type of process used, and the like, the above values are managed and stored as a table different for each type of substrate and the type of process used. It is desirable to have.

洗浄ブラシ５の含有水分量は、既に説明したように揺動アーム１７に組み込んだ押圧センサ１００により洗浄ブラシ５の重量変化を検知することにより推定し、推定含有水分量を求めることが可能である。この測定工程（Ｓ６）は、Ｓ３〜Ｓ５と同時並行的に実行する。一方で、洗浄ブラシ５の洗浄直後は含有水分量はほぼ最大値となっているから、Ｓ３〜Ｓ５の含有水分量調整工程の手順に必要な動作を予め実験的に確定しておくことにより、洗浄ブラシ５の含有水分量を測定しなくても、含有水分量を目標値に近づけることは可能である。この場合には、後述する測定工程（Ｓ６）の実行を省略することとしても良い。 The water content of the cleaning brush 5 can be estimated by detecting the weight change of the cleaning brush 5 with the pressing sensor 100 incorporated in the swing arm 17 as described above, and the estimated water content can be obtained. .. This measurement step (S6) is executed in parallel with S3 to S5. On the other hand, since the water content of the cleaning brush 5 is almost the maximum value immediately after cleaning, the operation required for the procedure of the water content adjusting step of S3 to S5 is experimentally determined in advance. It is possible to bring the water content close to the target value without measuring the water content of the cleaning brush 5. In this case, the execution of the measurement step (S6) described later may be omitted.

洗浄ブラシ５の含有水分量の調整は、洗浄ブラシ５を自転させること、洗浄ブラシ５を押し付け機構８０に押し付けること、洗浄ブラシ５へとガスノズル７０からガスを吹き付けることのいずれか、またはこれらの組み合わせにより行うことが可能である。 The water content of the cleaning brush 5 is adjusted by rotating the cleaning brush 5, pressing the cleaning brush 5 against the pressing mechanism 80, blowing gas from the gas nozzle 70 onto the cleaning brush 5, or a combination thereof. It is possible to do this.

＜Ｓ３ 含有水分量調整（回転）＞
Ｓ３の含有水分量調整（回転）においては、揺動アーム１７に設置されたブラシ回転機構１８により洗浄ブラシ５を回転軸１１の周りに自転させることにより実行する。自転の回転数を、Ｓ２のブラシ洗浄時よりも高い回転数とすることで、洗浄ブラシ５の表面に付着した水分の大半を振り切ることが可能である。洗浄ブラシ５の自転回転数や回転持続時間を調整することにより、洗浄ブラシ５に残存する含有水分量を所望の値とすることが可能である。 <Adjusting the amount of water contained in S3 (rotation)>
The water content adjustment (rotation) of S3 is performed by rotating the cleaning brush 5 around the rotation shaft 11 by the brush rotation mechanism 18 installed on the swing arm 17. By setting the rotation speed of rotation to a higher rotation speed than that at the time of brush cleaning of S2, it is possible to shake off most of the water adhering to the surface of the cleaning brush 5. By adjusting the rotation speed and the rotation duration of the cleaning brush 5, the amount of water contained in the cleaning brush 5 can be set to a desired value.

＜Ｓ４ 含有水分量調整（押し付け）＞
洗浄ブラシ５の自転および洗浄液の供給がなされた後、揺動制御機構３２により揺動アーム１７が微小に揺動する。これにより、待機ポッド４１の内部で洗浄ブラシ５が揺動し、洗浄ブラシ５の洗浄面ＣＳが押し付け機構８０の側面に押し付けられる。
押し付け動作の圧力、持続時間、回数、押し付け動作時における押し付け機構８０と洗浄ブラシ５の高さ関係などは、予めレシピに規定されている。 <Adjusting the amount of water contained in S4 (pressing)>
After the cleaning brush 5 is rotated and the cleaning liquid is supplied, the swing control mechanism 32 swings the swing arm 17 minutely. As a result, the cleaning brush 5 swings inside the standby pod 41, and the cleaning surface CS of the cleaning brush 5 is pressed against the side surface of the pressing mechanism 80.
The pressure, duration, number of times, and the height relationship between the pressing mechanism 80 and the cleaning brush 5 during the pressing operation are defined in advance in the recipe.

＜Ｓ５ 含有水分量調整（ガス噴射）＞
Ｓ５の含有水分量調整工程は、Ｓ３、Ｓ４の後に行われる。Ｓ５において洗浄ブラシ５は、図１の昇降制御機構３１により揺動アーム１７を上昇させることにより、洗浄ブラシ５の洗浄面ＣＳがブラシ洗浄機構７内のガスノズル７６と同一高さまたは若干下方位置へと移動される。この移動が完了した後、ガス供給源（図示せず）からのガスは、ガス配管７１を介してガスノズル７６に供給される。ガスバルブ７７を開閉することにより、ガスノズル７６からの洗浄液の吐出／停止を切り換えることができる。次に、図１の昇降移動機構３１により揺動アーム１７を上昇させることにより、洗浄ブラシ５は待機ポッド４１から離脱する。当該上昇の間もガス供給は継続し、洗浄ブラシ５が待機ポッド４１から離脱した後にガス供給は停止される。 <Adjustment of water content in S5 (gas injection)>
The water content adjusting step of S5 is performed after S3 and S4. In S5, the cleaning brush 5 raises the swing arm 17 by the elevating control mechanism 31 of FIG. 1, so that the cleaning surface CS of the cleaning brush 5 moves to the same height as or slightly lower than the gas nozzle 76 in the brush cleaning mechanism 7. Is moved. After this movement is completed, the gas from the gas supply source (not shown) is supplied to the gas nozzle 76 via the gas pipe 71. By opening and closing the gas valve 77, it is possible to switch the discharge / stop of the cleaning liquid from the gas nozzle 76. Next, the cleaning brush 5 is separated from the standby pod 41 by raising the swing arm 17 by the elevating movement mechanism 31 of FIG. The gas supply continues during the rise, and the gas supply is stopped after the cleaning brush 5 is separated from the standby pod 41.

＜Ｓ６ 含有水分量測定＞
押し付け動作による洗浄ブラシ５の含有水分量の変化を把握し、この把握結果に応じて押し付け動作における押し付け動作の圧力、持続時間、回数、押し付け動作時における押し付け機構８０と洗浄ブラシ５の高さ関係などを、押し付け動作の最中に変化させても良い。この場合、洗浄ブラシ５の含有水分量の測定と、上記の含有水分量調整（Ｓ３〜Ｓ５）は並行して行われる。 <Measurement of water content in S6>
The change in the water content of the cleaning brush 5 due to the pressing operation is grasped, and the pressure, duration, number of times of the pressing operation in the pressing operation, and the height relationship between the pressing mechanism 80 and the cleaning brush 5 in the pressing operation are grasped according to the grasping result. Etc. may be changed during the pressing operation. In this case, the measurement of the water content of the cleaning brush 5 and the above-mentioned water content adjustment (S3 to S5) are performed in parallel.

含有水分量測定値は、揺動アーム１７内部に設置された押圧センサ機構１００により洗浄ブラシ５の重量変化を検知することにより推定して求める。このほか、Ｓ２の水分量調整工程の後、待機ポッド４１の下方の下側開口４１ｂに接続する排液管９０の中途に図示しない流量測定器を配置し、Ｓ３〜Ｓ５の含有水分量調整工程の間に排液管９０を通過する水量を測定することにより、洗浄ブラシ５の含有水分量を推定することとしても良い。 The measured value of the water content is estimated and obtained by detecting the weight change of the cleaning brush 5 by the pressing sensor mechanism 100 installed inside the swing arm 17. In addition, after the water content adjusting step of S2, a flow rate measuring device (not shown) is arranged in the middle of the drainage pipe 90 connected to the lower opening 41b below the standby pod 41, and the water content adjusting step of S3 to S5. The water content of the cleaning brush 5 may be estimated by measuring the amount of water passing through the drainage pipe 90 during the period.

＜Ｓ７ 待機ポッドからブラシ退出＞
Ｓ１〜Ｓ６までの工程終了後、Ｓ７工程が実行される。
Ｓ７において洗浄ブラシ５は、図１の昇降制御機構３１により揺動アーム１７を上昇させることにより、洗浄ブラシ５が待機ポッド４１から退出する。
洗浄ブラシ５の退出は、通常、基板Ｗをブラシ洗浄する直前に行われる。
基板Ｗをブラシ洗浄する際には、待機ポッド４１から退出した洗浄ブラシ５が、揺動制御機構３２により揺動アーム１７を揺動させることにより、吸着ベース１０に吸着保持された基板Ｗの周縁部に当接する。 <Brush exit from S7 standby pod>
After the steps S1 to S6 are completed, the step S7 is executed.
In S7, the cleaning brush 5 retracts from the standby pod 41 by raising the swing arm 17 by the elevating control mechanism 31 of FIG.
The exit of the cleaning brush 5 is usually performed immediately before the substrate W is brush-cleaned.
When cleaning the substrate W with a brush, the cleaning brush 5 that has exited from the standby pod 41 swings the swing arm 17 by the swing control mechanism 32, so that the peripheral edge of the board W that is suction-held by the suction base 10 is held. Contact the part.

以上、ブラシ洗浄機構７による水分量調整工程において、洗浄ブラシ７の含有水分量を所望の値に調節するための基本的な動作について説明した。
基板Ｗのブラシ洗浄処理において、どの工程で水分量調整工程を行うかは処理の目的などで異なる。また、各工程において洗浄ブラシ５の含有水分量をどのような値にするかも処理により異なる。したがって、基板Ｗのブラシ洗浄工程における水分量調整工程の実施態様には色々な変形例が考えうる。 The basic operation for adjusting the water content of the cleaning brush 7 to a desired value in the water content adjusting step by the brush cleaning mechanism 7 has been described above.
In the brush cleaning process of the substrate W, the process for adjusting the water content differs depending on the purpose of the process and the like. Further, the value of the water content of the cleaning brush 5 in each step also differs depending on the treatment. Therefore, various modifications can be considered in the embodiment of the water content adjusting step in the brush cleaning step of the substrate W.

以下に、ブラシ洗浄工程の実施態様について説明する。
＜ブラシ洗浄工程の実施態様１＞
図６はブラシ洗浄工程の実施態様１についてのフローチャートである。
図６のＳ１（水分量調整工程）においては、既に説明した図６のフローチャートのＳ１〜Ｓ７に示す水分量調整工程が実施される。Ｓ１（水分量調整工程）の実施にあたっては、次のＳ２（基板のブラシ洗浄）に要求される含有水分量に応じて、洗浄ブラシ５の含有水分量が調整される。 An embodiment of the brush cleaning step will be described below.
<Embodiment 1 of brush cleaning step>
FIG. 6 is a flowchart of the first embodiment of the brush cleaning step.
In S1 (moisture content adjusting step) of FIG. 6, the water content adjusting steps shown in S1 to S7 of the flowchart of FIG. 6 already described are carried out. In carrying out S1 (moisture content adjusting step), the moisture content of the cleaning brush 5 is adjusted according to the moisture content required for the next S2 (brush cleaning of the substrate).

次に図６のＳ２（基板のブラシ洗浄）にて、吸着ベース１０に吸着保持された基板Ｗの周縁部へと洗浄ブラシ５が当接されることにより、基板Ｗの周縁部のブラシ洗浄が行われる。ブラシ洗浄と並行して、処理液ノズル３６から処理液が基板Ｗの上面の周縁部近傍に向けて供給される。処理液としては主に純水が用いられるが、ブラシ洗浄の目的によっては、弱炭酸水、ＳＣ１、ＳＣ２、ＦＯＭなどの洗浄処理液を用いても良い。 Next, in S2 (brush cleaning of the substrate) of FIG. 6, the cleaning brush 5 is brought into contact with the peripheral edge of the substrate W which is suction-held by the suction base 10, so that the brush cleaning of the peripheral edge of the substrate W is performed. Will be done. In parallel with the brush cleaning, the processing liquid is supplied from the processing liquid nozzle 36 toward the vicinity of the peripheral edge of the upper surface of the substrate W. Pure water is mainly used as the treatment liquid, but depending on the purpose of brush cleaning, a cleaning treatment liquid such as weak carbonated water, SC1, SC2, or FOM may be used.

Ｓ２（基板のブラシ洗浄）の開始時において、洗浄ブラシ５の含有水分量が適切な水分量に調整されているため、洗浄ブラシが乾燥しすぎていることによる基板の破損や、洗浄ブラシが濡れすぎていることによる飛まつの発生が抑制される。 At the start of S2 (brush cleaning of the substrate), the moisture content of the cleaning brush 5 is adjusted to an appropriate moisture content, so that the substrate is damaged due to the cleaning brush being too dry and the cleaning brush gets wet. The occurrence of flying due to too much is suppressed.

次に図６のＳ３（基板のリンス処理）にて、基板Ｗの周縁部から洗浄ブラシ５が離間し、処理液ノズル３６から処理液が基板Ｗの上面の周縁部近傍に向けて供給される。
次に図６のＳ４（待機ポッドにてブラシ洗浄）においては、洗浄ブラシ５が待機ポッド４１内に収納される。洗浄ブラシ５は待機中に、図５のＳ２（ブラシ洗浄）で説明した洗浄処理がなされる。 Next, in S3 (rinsing treatment of the substrate) of FIG. 6, the cleaning brush 5 is separated from the peripheral edge portion of the substrate W, and the processing liquid is supplied from the processing liquid nozzle 36 toward the vicinity of the peripheral edge portion of the upper surface of the substrate W. ..
Next, in S4 (brush cleaning with the standby pod) of FIG. 6, the cleaning brush 5 is housed in the standby pod 41. While the cleaning brush 5 is on standby, the cleaning process described in S2 (brush cleaning) of FIG. 5 is performed.

＜ブラシ洗浄工程の実施態様２＞
図７はブラシ洗浄工程の実施態様２についてのフローチャートである。
図７のＳ１（水分量調整工程）においては、既に説明した図６のフローチャートのＳ１〜Ｓ７に示す水分量調整工程が実施される。Ｓ１（水分量調整工程）の実施にあたっては、次のＳ２（基板のブラシ洗浄）に要求される含有水分量に応じて、洗浄ブラシ５の含有水分量が調整される。 <Brush cleaning step embodiment 2>
FIG. 7 is a flowchart of the second embodiment of the brush cleaning step.
In S1 (moisture content adjusting step) of FIG. 7, the water content adjusting steps shown in S1 to S7 of the flowchart of FIG. 6 already described are carried out. In carrying out S1 (moisture content adjusting step), the moisture content of the cleaning brush 5 is adjusted according to the moisture content required for the next S2 (brush cleaning of the substrate).

ここで、洗浄ブラシ５の洗浄面ＣＬは、基板Ｗの上面の周縁部に当接しこれを洗浄するための洗浄面上部ＣＳＵと、基板Ｗの下面の周縁部に当接しこれを洗浄するための洗浄面下部ＣＳＤとを含む。図７のＳ１工程とＳ２工程では、洗浄面上部ＣＳＵと洗浄面下部ＣＳＤがそれぞれ別の含有水分量となるように水分量調整工程が実行される。
たとえば基板Ｗの上面がデバイス面、下面が非デバイス面であり、ブラシ洗浄において上面への飛まつを極力抑止したい場合には、洗浄ブラシ５の洗浄面上部ＣＳＵの含有水分量を低く、洗浄ブラシ５の洗浄面下部ＣＳＤの含有水分量を高くする。
ブラシの含有水分量が低い場合、基板に与える抵抗が大きくなるため、基板にダメージを与えないようにブラシの適用圧力を低く抑えるなどの配慮が必要となる。このため、含有水分量を低くすることにより処理効率が低下する場合がありうるが、その反面、ブラシ洗浄における飛まつがデバイス面に付着するリスクを低下させることができる。一方で洗浄面下部ＣＳＤについては、非デバイス面である基板Ｗの下面に当接するため、飛まつを気にせずに、ブラシの含有水分量が高い状態で基板Ｗをブラシ洗浄させることができる。 Here, the cleaning surface CL of the cleaning brush 5 abuts on the peripheral edge of the upper surface of the substrate W to clean the upper surface CSU, and the cleaning surface CL of the cleaning brush 5 abuts on the peripheral edge of the lower surface of the substrate W to clean it. Includes CSD at the bottom of the cleaning surface. In the steps S1 and S2 of FIG. 7, the water content adjusting step is executed so that the CSU above the cleaning surface and the CSD below the cleaning surface have different water contents.
For example, when the upper surface of the substrate W is the device surface and the lower surface is the non-device surface and it is desired to suppress flying to the upper surface as much as possible in brush cleaning, the water content of the CSU above the cleaning surface of the cleaning brush 5 is low, and the cleaning brush The water content of the CSD below the cleaning surface of No. 5 is increased.
When the water content of the brush is low, the resistance given to the substrate increases, so it is necessary to take measures such as keeping the applied pressure of the brush low so as not to damage the substrate. Therefore, the treatment efficiency may be lowered by lowering the water content, but on the other hand, the risk of splashes adhering to the device surface in brush cleaning can be reduced. On the other hand, since the lower CSD on the cleaning surface comes into contact with the lower surface of the substrate W, which is a non-device surface, the substrate W can be brush-cleaned in a state where the water content of the brush is high without worrying about flying.

洗浄ブラシ５の洗浄面上部ＣＳＵと下部ＣＳＤとで異なる含有水分量とするには、たとえば、洗浄ブラシ５の洗浄面ＣＬに対する押し付け機構８０の押し付け高さ位置を変えて、押し付け機構８０が洗浄面上部ＣＳＵ、洗浄面下部ＣＳＤのいずれかに当たるようにした上で、押し付け時間や押し付け回数を制御すれば良い。また、含有水分量調整において、ガスノズル７６から噴射するガスが洗浄面上部ＣＳＵ、洗浄面下部ＣＳＤのいずれかに当たるようにした上で、ガス流量、ガス供給時間などを制御しても良い。 In order to make the water content different between the upper CSU and the lower CSD of the cleaning surface of the cleaning brush 5, for example, the pressing height position of the pressing mechanism 80 against the cleaning surface CL of the cleaning brush 5 is changed so that the pressing mechanism 80 moves the cleaning surface. The pressing time and the number of pressings may be controlled after hitting either the upper CSU or the lower CSD of the cleaning surface. Further, in adjusting the water content, the gas flow rate, the gas supply time, and the like may be controlled after the gas injected from the gas nozzle 76 hits either the CSU above the cleaning surface or the CSD below the cleaning surface.

図７のＳ１、Ｓ２において水分量調整した後、基板Ｗの上面、下面それぞれに洗浄ブラシ５の洗浄面上部ＣＳＵ、洗浄面下部ＣＳＤが当接されることで各々の面の周縁部についてブラシ洗浄が実行される（図７のＳ３，Ｓ４）。
次に図７のＳ５において基板のリンス処理が実行され、その後、洗浄ブラシ５は待機ポッド内部へと退避し、ブラシ洗浄が実行される（図７のＳ６）。 After adjusting the water content in S1 and S2 of FIG. 7, the upper surface CSU and the lower surface CSD of the cleaning brush 5 are brought into contact with the upper surface and the lower surface of the substrate W, respectively, so that the peripheral edges of the respective surfaces are brush-cleaned. Is executed (S3 and S4 in FIG. 7).
Next, the substrate is rinsed in S5 of FIG. 7, after which the cleaning brush 5 is retracted into the standby pod and brush cleaning is executed (S6 of FIG. 7).

＜ブラシ洗浄工程の実施態様３＞
図８はブラシ洗浄工程の実施態様３についてのフローチャートである。
この実施態様においては、同じ基板Ｗに対してブラシ洗浄が２段階に分けて行われる。
この実施態様は、たとえば、基板Ｗの周縁部に付着した汚れ、レジスト残渣などが容易に除去できない場合などにおいて、第一段階で荒洗浄、第二段階で仕上げ洗浄を行う場合に用いられる。 <Embodiment 3 of brush cleaning step>
FIG. 8 is a flowchart of the third embodiment of the brush cleaning step.
In this embodiment, brush cleaning is performed on the same substrate W in two stages.
This embodiment is used, for example, in the case where dirt adhering to the peripheral edge of the substrate W, resist residue, and the like cannot be easily removed, and rough cleaning is performed in the first stage and finish cleaning is performed in the second stage.

図８のＳ１（水分量調整工程（１回目））においては、洗浄ブラシ５の含有水分量は低めに抑えられる。このことにより、図８のＳ２において、洗浄ブラシ５が基板Ｗの周縁部に与える抵抗は比較的高くなり、高い洗浄効果が期待できる。図８のＳ２終了後、洗浄ブラシ５は待機ポッド４１へと退避し、待機ポッド４１内において洗浄ブラシ５の洗浄が行われる。 In S1 (moisture content adjusting step (first time)) of FIG. 8, the moisture content of the cleaning brush 5 is suppressed to a low level. As a result, in S2 of FIG. 8, the resistance given by the cleaning brush 5 to the peripheral edge of the substrate W becomes relatively high, and a high cleaning effect can be expected. After the end of S2 in FIG. 8, the cleaning brush 5 is retracted to the standby pod 41, and the cleaning brush 5 is cleaned in the standby pod 41.

図８のＳ４（水分量調整工程（２回目）においては、洗浄ブラシ５の含有水分量はＳ１におけるときよりも高めに調整される。このことにより、次のＳ５（基板のブラシ船女王（２回目））において、洗浄ブラシ５が基板Ｗの周縁部に与える抵抗は比較的低くなる。この状態で基板Ｗの周縁部の仕上げ洗浄が実施される。
基板Ｗの周縁部の２回目洗浄が終了した後は、洗浄ブラシ５が待機ポッド４１に退避し、待機ポッド４１内にて洗浄ブラシ５の洗浄が行われる（図８のＳ６（待機ポッドにてブラシ洗浄））。 In S4 (moisture content adjusting step (second time)) of FIG. 8, the moisture content of the cleaning brush 5 is adjusted to be higher than that in S1. As a result, the next S5 (brush ship queen of the substrate (2) In the second)), the resistance given by the cleaning brush 5 to the peripheral edge of the substrate W is relatively low. In this state, the finish cleaning of the peripheral edge of the substrate W is performed.
After the second cleaning of the peripheral portion of the substrate W is completed, the cleaning brush 5 is retracted to the standby pod 41, and the cleaning brush 5 is cleaned in the standby pod 41 (S6 (standby pod) in FIG. 8). Brush cleaning)).

以上、本発明の実施形態について説明してきたが、本発明の実施態様は、特許請求の範囲に記載された事項の範囲で種々の設計変更を施すことが可能である。 Although the embodiments of the present invention have been described above, the embodiments of the present invention can be modified in various ways within the scope of the matters described in the claims.

１ 基板処理装置
３ スピンチャック
５ 洗浄ブラシ
６ 基板洗浄機構
７ ブラシ洗浄機構
８０ 押し付け機構
８１ 押し付け駆動機構
１４ 回転軸線
１７ 揺動アーム
１８ ブラシ回転機構
２１ 中心軸線
２２ ブラシ移動機構
ＣＳ 洗浄面
ＣＳＵ 洗浄面上部
ＣＳＤ 洗浄面下部
３１ 昇降駆動機構
３２ 揺動駆動機構
４４ ポッド制御機構
４１ 待機ポッド
４１ａ 上側開口
４１ｂ 下側開口
４３ 洗浄液供給機構
４７ 制御装置
５１ 洗浄液配管
７１ ガス配管
Ｗ 基板 1 Substrate processing device 3 Spin chuck 5 Cleaning brush 6 Substrate cleaning mechanism 7 Brush cleaning mechanism 80 Pushing mechanism 81 Pushing drive mechanism 14 Rotating axis 17 Swing arm 18 Brush rotating mechanism 21 Center axis 22 Brush moving mechanism CS cleaning surface CSU Cleaning surface upper part CSD Cleaning surface lower part 31 Lifting drive mechanism 32 Swing drive mechanism 44 Pod control mechanism 41 Standby pod 41a Upper opening 41b Lower opening 43 Cleaning liquid supply mechanism 47 Control device 51 Cleaning liquid piping 71 Gas piping W board

Claims (30)

基板をブラシで洗浄する基板洗浄方法であって、
前記ブラシを洗浄するブラシ洗浄工程と、
前記ブラシ洗浄工程の後に、レシピ情報に基づき前記ブラシが所定の含有水分量となるように前記ブラシを乾燥するブラシ含有水分量調整工程と、
基板を水平に保持し、前記基板の中心を通る回転軸の周りに前記基板を回転させる基板保持回転工程と、
前記ブラシを基板に当接し基板を洗浄する基板洗浄工程とを備えていることを特徴とする基板洗浄方法。 It is a substrate cleaning method that cleans the substrate with a brush.
The brush cleaning process for cleaning the brush and
After the brush cleaning step, a brush content moisture content adjusting step of drying the brush so that the brush has a predetermined moisture content based on the recipe information,
A substrate holding rotation step of holding the substrate horizontally and rotating the substrate around a rotation axis passing through the center of the substrate.
A substrate cleaning method comprising a substrate cleaning step of contacting the brush with a substrate to clean the substrate. 請求項１に記載の基板洗浄方法であって、
前記ブラシ含有水分量調整工程が、前記ブラシを収容可能なブラシポッドにおいて行われ、
前記ブラシポッドが、前記ブラシにガスを吹き付けるためのガス供給口、または前記ブラシ表面に押圧力を付与することにより前記ブラシの含有水分量を調節するための押し付けバーを有していることを特徴とする、基板洗浄方法。 The substrate cleaning method according to claim 1.
The brush-containing water content adjusting step is performed in a brush pod capable of accommodating the brush.
The brush pod is characterized by having a gas supply port for blowing gas onto the brush or a pressing bar for adjusting the water content of the brush by applying a pressing force to the surface of the brush. The substrate cleaning method. 請求項２に記載の基板洗浄方法であって、
前記ブラシ含有水分量調整工程において、
前記ガス供給口からブラシに吹き付けるガスの供給時間、ガスの供給流量、または前記ブラシに付与される押圧力と、前記所定の含有水分量との関係が予め求められており、当該関係に基づき前記供給時間、前記供給流量、または前記押圧力が規定されることを特徴とする、基板洗浄方法。 The substrate cleaning method according to claim 2.
In the brush-containing water content adjusting step,
The relationship between the supply time of the gas to be blown from the gas supply port to the brush, the supply flow rate of the gas, or the pressing force applied to the brush and the predetermined water content is determined in advance, and the relationship is determined based on the relationship. A method of cleaning a substrate, characterized in that a supply time, a supply flow rate, or a pressing force is specified. 請求項１〜３のいずれか一項に記載の基板洗浄方法であって、
前記ブラシ含有水分量調整工程の後に、前記ブラシの含有水分量を測定する測定工程をさらに備えることを特徴とする、基板洗浄方法。 The substrate cleaning method according to any one of claims 1 to 3.
A substrate cleaning method, further comprising a measuring step of measuring the water content of the brush after the brush-containing water content adjusting step. 請求項４に記載の基板洗浄方法であって、
前記測定工程において、前記ブラシの含有水分量の値が所定の範囲に収まっているか否かを判別する判別工程をさらに備えることを特徴とする、基板洗浄方法。 The substrate cleaning method according to claim 4.
A substrate cleaning method, further comprising a determination step of determining whether or not the value of the water content of the brush is within a predetermined range in the measurement step. 請求項５に記載の基板洗浄方法であって、
前記判別工程において、前記ブラシの含有水分量の値が所定の範囲に収まっていないと判別された場合に、警告信号を発生する警告信号発生工程をさらに備えることを特徴とする、基板洗浄方法。 The substrate cleaning method according to claim 5.
A substrate cleaning method further comprising a warning signal generation step of generating a warning signal when it is determined in the determination step that the value of the water content of the brush is not within a predetermined range. 請求項５または６に記載の基板洗浄方法であって、
前記判別工程において、前記ブラシの含有水分量の値が所定の範囲に収まっていないと判別された場合に、前記ブラシ含有水分量調整工程を再度実行することを特徴とする、基板洗浄方法。 The substrate cleaning method according to claim 5 or 6.
A substrate cleaning method, characterized in that, when it is determined in the determination step that the value of the water content of the brush is not within a predetermined range, the brush content moisture content adjusting step is executed again. 請求項１〜７のいずれか一項に記載の基板洗浄方法であって、
前記基板洗浄工程の後に、前記ブラシが第２の所定の含有水分量となるように前記ブラシを乾燥する第２のブラシ含有水分量調整工程をさらに備えており、
前記ブラシ含有水分量調整工程における前記所定の含有水分量と、前記第２のブラシ含有水分量調整工程における前記第２の所定の含有水分量とが異なることを特徴とする、基板洗浄方法。 The substrate cleaning method according to any one of claims 1 to 7.
After the substrate cleaning process further comprises a second brush water content adjustment step of drying the brush so that the brush is a second predetermined water content,
A substrate cleaning method, characterized in that the predetermined water content in the brush-containing water content adjusting step is different from the second predetermined water content in the second brush-containing water content adjusting step. 請求項８に記載の基板洗浄方法であって、
前記第２のブラシ含有水分量調整工程の後に、前記ブラシを前記基板に当接させる第２のブラシ当接工程とを備えていることを特徴とする基板洗浄方法。 The substrate cleaning method according to claim 8.
A substrate cleaning method comprising a second brush contact step of bringing the brush into contact with the substrate after the second brush-containing water content adjusting step. 請求項９に記載の基板洗浄方法であって、
前記基板はデバイス面と非デバイス面を有しており、
前記ブラシ当接工程は、前記デバイス面のエッジに前記ブラシを当接する工程であり、
前記第２のブラシ当接工程は、前記非デバイス面のエッジに前記ブラシを当接する工程であり、前記含有水分量は、前記第２の含有水分量よりも小さな値であることを特徴とする、基板洗浄方法。 The substrate cleaning method according to claim 9.
The substrate has a device surface and a non-device surface.
The brush contact step is a step of contacting the brush with the edge of the device surface.
The second brush contact step is a step of contacting the brush with the edge of the non-device surface, and the water content is smaller than the second water content. , Substrate cleaning method. 基板をブラシで洗浄する基板洗浄装置であって、
前記ブラシをその内部に収容可能である、ブラシポッドと、
前記ブラシポッドと前記基板との間でブラシを移動させるためのブラシ移動機構と、
基板を水平に保持し、前記基板の中心を通る回転軸の周りに前記基板を回転させる基板保持回転機構と、
レシピ情報を含む各種データを記憶する記憶部と、
制御部とを備えており、
前記制御部は、前記ブラシを洗浄するブラシ洗浄工程と、前記ブラシ洗浄工程の後に、前記記憶部から読み出した前記レシピ情報に基づき前記ブラシが所定の含有水分量となるように前記ブラシを乾燥するブラシ乾燥工程とを前記ブラシポッド内において実行するように構成されていることを特徴とする、基板洗浄装置。 A board cleaning device that cleans the board with a brush.
Ru can accommodate der the brush therein, the brush pod,
A brush moving mechanism for moving the brush between the brush pod and the substrate,
A substrate holding rotation mechanism that holds the substrate horizontally and rotates the substrate around a rotation axis that passes through the center of the substrate.
A storage unit that stores various data including recipe information,
Equipped with a control unit
Wherein the control unit includes a brush cleaning step of cleaning the brushes, after the brush cleaning step, the brush on the basis of the recipe information read from the storage unit to dry the brush to a predetermined moisture content A substrate cleaning apparatus characterized in that a brush drying step is performed in the brush pod. 請求項１１に記載の基板洗浄装置であって、
前記ブラシ洗浄工程および前記ブラシ乾燥工程が、前記ブラシを収容可能なブラシポッドにおいて行われ、
前記ブラシポッドが、前記ブラシにガスを吹き付けるためのガス供給口、または前記ブラシの表面に押圧力を付与することにより前記ブラシの含有水分量を調節するための押し付けバーを有していることを特徴とする、基板洗浄装置。 The substrate cleaning device according to claim 11.
The brush cleaning step and the brush drying step are performed in a brush pod capable of accommodating the brush.
The brush pod has a gas supply port for blowing gas onto the brush, or a pressing bar for adjusting the water content of the brush by applying a pressing force to the surface of the brush. A featured substrate cleaning device. 請求項１２に記載の基板洗浄装置であって、
前記記憶部が、
前記ガス供給口から前記ブラシに吹き付けるガスの供給時間、ガスの供給流量、または前記ブラシに付与される押圧力と、前記所定の含有水分量との関係が予め求められており、当該関係に基づき前記供給時間、前記供給流量、または前記押圧力が規定されたテーブルを有することを特徴とする、基板洗浄装置。 The substrate cleaning device according to claim 12.
The storage unit
The blown from the gas supply port to the brush supplying time of the gas, the pressing force applied to the supply flow rate or the brush, of gas, is obtained in advance the relationship between the predetermined water content, based on the relationship A substrate cleaning apparatus comprising a table in which the supply time, the supply flow rate, or the pressing force is defined. 請求項１２または１３に記載の基板洗浄装置であって、
前記ブラシポッドに収容された前記ブラシに対して前記押し付けバーを押し付けるためのブラシポッド移動機構をさらに備えることを特徴とする、基板洗浄装置。 The substrate cleaning apparatus according to claim 12 or 13.
And further comprising a blanking Rashipoddo moving mechanism for pressing the pressing bars relative to the brush housed in the brush pod, a substrate cleaning apparatus. 請求項１２〜１４のいずれか一項に記載の基板洗浄装置であって、
前記ブラシポッドの内壁から前記ブラシポッドの中央部に向けて前記押し付けバーを略平行方向に移動させるための押し付けバー移動機構をさらに備えることを特徴とする、基板洗浄装置。 The substrate cleaning apparatus according to any one of claims 12 to 14.
A substrate cleaning device further comprising a pressing bar moving mechanism for moving the pressing bar in a substantially parallel direction from an inner wall of the brush pod toward a central portion of the brush pod. 請求項１２〜１４のいずれか一項に記載の基板洗浄装置であって、
前記押し付けバーにおいて、前記ブラシと当接する当接部が前記ブラシの形状に対応した形状となっていることを特徴とする、基板洗浄装置。 The substrate cleaning apparatus according to any one of claims 12 to 14.
In the pressing bar, characterized in that the brush abutment portion abutting have a shape corresponding to the shape of the brush, the substrate cleaning apparatus. 請求項１１〜１６のいずれか一項に記載の基板洗浄装置であって、
前記ブラシの含有水分量を測定するための測定機構をさらに備えることを特徴とする、基板洗浄装置。 The substrate cleaning apparatus according to any one of claims 11 to 16.
A substrate cleaning apparatus further comprising a measuring mechanism for measuring the water content of the brush. 請求項１７に記載の基板洗浄装置であって、
前記測定機構は、前記ブラシの重量を測定することを特徴とする、基板洗浄装置。 The substrate cleaning device according to claim 17.
The measuring mechanism is a substrate cleaning device, which measures the weight of the brush. 請求項１７に記載の基板洗浄装置であって、
前記記憶部は、規定の許容水分量範囲を格納しており、
前記ブラシの含有水分量が前記許容水分量範囲に収まっているか否かを判別する判別機構をさらに備えていることを特徴とする、基板洗浄装置。 The substrate cleaning device according to claim 17.
The storage unit stores a specified allowable water content range.
A substrate cleaning apparatus further comprising a discriminating mechanism for discriminating whether or not the water content of the brush is within the permissible water content range. 請求項１９に記載の基板洗浄装置であって、
表示機構をさらに備え、
前記判別機構が前記ブラシの含有水分量が規定の水分量に収まっていないと判別した場合に、前記表示機構は警告画面を表示することを特徴とする、基板洗浄装置。 The substrate cleaning apparatus according to claim 19.
With a display mechanism
A substrate cleaning device, characterized in that, when the discriminating mechanism determines that the water content of the brush is not within the specified water content, the display mechanism displays a warning screen. 基板をブラシで洗浄する基板洗浄方法を実行するプログラムを記録したプログラム記録媒体であって、
前記基板洗浄方法が、
前記ブラシを洗浄するブラシ洗浄工程と、
前記ブラシ洗浄工程の後に、レシピ情報に基づき前記ブラシが所定の含有水分量となるように前記ブラシを乾燥するブラシ含有水分量調整工程と、
基板を水平に保持し、前記基板の中心を通る回転軸の周りに前記基板を回転させる基板保持回転工程と、
前記ブラシを基板に当接し基板を洗浄する基板洗浄工程とを備えている、
ことを特徴とするプログラム記録媒体。 A program recording medium that records a program that executes a substrate cleaning method for cleaning a substrate with a brush.
The substrate cleaning method
The brush cleaning process for cleaning the brush and
After the brush cleaning step, a brush content moisture content adjusting step of drying the brush so that the brush has a predetermined moisture content based on the recipe information,
A substrate holding rotation step of holding the substrate horizontally and rotating the substrate around a rotation axis passing through the center of the substrate.
It is provided with a substrate cleaning step of contacting the brush with the substrate to clean the substrate .
A program recording medium characterized by the fact that. 請求項２１に記載のプログラム記録媒体であって、
前記ブラシ含有水分量調整工程が、前記ブラシを収容可能なブラシポッドにおいて行われ、
前記ブラシポッドが、前記ブラシにガスを吹き付けるためのガス供給口、または前記ブラシ表面に押圧力を付与することにより前記ブラシの含有水分量を調節するための押し付けバーを有していることを特徴とする、プログラム記録媒体。 The program recording medium according to claim 21.
The brush-containing water content adjusting step is performed in a brush pod capable of accommodating the brush.
The brush pod is characterized by having a gas supply port for blowing gas onto the brush or a pressing bar for adjusting the water content of the brush by applying a pressing force to the surface of the brush. Program recording medium. 請求項２２に記載のプログラム記録媒体であって、
前記ブラシ含有水分量調整工程において、
前記ガス供給口から前記ブラシに吹き付けるガスの供給時間、ガスの供給流量、または前記ブラシに付与される押圧力と、前記所定の含有水分量との関係が予め求められており、当該関係に基づき前記供給時間、前記供給流量、または前記押圧力が規定されることを特徴とする、プログラム記録媒体。 The program recording medium according to claim 22.
In the brush-containing water content adjusting step,
The blown from the gas supply port to the brush supplying time of the gas, the pressing force applied to the supply flow rate or the brush, of gas, is obtained in advance the relationship between the predetermined water content, based on the relationship A program recording medium, characterized in that the supply time, the supply flow rate, or the pressing force is specified. 請求項２１〜２３のいずれか一項に記載のプログラム記録媒体であって、
前記基板洗浄方法は、前記ブラシ含有水分量調整工程の後に、前記ブラシの含有水分量を測定する測定工程をさらに備えることを特徴とする、プログラム記録媒体。 The program recording medium according to any one of claims 21 to 23.
The substrate cleaning method is a program recording medium, further comprising a measuring step of measuring the water content of the brush after the brush-containing water content adjusting step. 請求項２４に記載のプログラム記録媒体であって、
前記基板洗浄方法は、前記測定工程において、前記ブラシの含有水分量の値が所定の範囲に収まっているか否かを判別する判別工程をさらに備えることを特徴とする、プログラム記録媒体。 The program recording medium according to claim 24.
The substrate cleaning method is a program recording medium further comprising a determination step of determining whether or not the value of the water content of the brush is within a predetermined range in the measurement step. 請求項２５に記載のプログラム記録媒体であって、
前記基板洗浄方法は、前記判別工程において、前記ブラシの含有水分量の値が前記所定の範囲に収まっていないと判別された場合に、警告信号を発生する警告信号発生工程をさらに備えることを特徴とする、プログラム記録媒体。 The program recording medium according to claim 25.
The substrate cleaning method characterized in that in said determination step, when the value of the water content of the brushes is determined to not fall to said predetermined range, further comprising a warning signal generation step of generating a warning signal Program recording medium. 請求項２５または２６に記載のプログラム記録媒体であって、
前記基板洗浄方法は、前記判別工程において、前記ブラシの含有水分量の値が前記所定の範囲に収まっていないと判別された場合に、前記ブラシ含有水分量調整工程を再度実行することを特徴とする、プログラム記録媒体。 The program recording medium according to claim 25 or 26.
The substrate cleaning method, in the determination step, when the value of the water content of the brushes is determined to not fall to said predetermined range, and wherein performing said brush water content adjustment step again Program recording medium. 請求項２１〜２７のいずれか一項に記載のプログラム記録媒体であって、
前記基板洗浄方法は、前記基板洗浄工程の後に、前記ブラシが第２の所定の含有水分量となるように前記ブラシを乾燥する第２のブラシ含有水分量調整工程をさらに備えており、
前記ブラシ含有水分量調整工程における前記所定の含有水分量と、前記第２のブラシ含有水分量調整工程における前記第２の所定の含有水分量とが異なることを特徴とする、プログラム記録媒体。 The program recording medium according to any one of claims 21 to 27.
The substrate cleaning method further includes, after the substrate cleaning step, a second brush-containing moisture content adjusting step of drying the brush so that the brush has a second predetermined moisture content.
A program recording medium, characterized in that the predetermined water content in the brush-containing water content adjusting step is different from the second predetermined water content in the second brush-containing water content adjusting step. 請求項２８に記載のプログラム記録媒体であって、
前記基板洗浄方法は、前記第２のブラシ含有水分量調整工程の後に、前記ブラシを前記基板に当接させる第２のブラシ当接工程を備えていることを特徴とするプログラム記録媒体。 The program recording medium according to claim 28.
The substrate cleaning method, after said second brush water content adjustment step, a program recording medium characterized in that it comprises as the second brush contact Engineering for abutting the brush to the substrate. 請求項２９に記載のプログラム記録媒体であって、
前記基板はデバイス面と非デバイス面を有しており、
前記ブラシ当接工程は、前記デバイス面のエッジに前記ブラシを当接する工程であり、
前記第２のブラシ当接工程は、前記非デバイス面のエッジに前記ブラシを当接する工程であり、前記所定の含有水分量は、前記第２の所定の含有水分量よりも小さな値であることを特徴とする、プログラム記録媒体。 The program recording medium according to claim 29.
The substrate has a device surface and a non-device surface.
The brush contact step is a step of contacting the brush with the edge of the device surface.
The second brush contact step is a step of contacting the brush with the edge of the non-device surface, and the predetermined water content is smaller than the second predetermined water content. A program recording medium characterized by.
JP2017061402A 2017-03-27 2017-03-27 Substrate cleaning method, substrate cleaning equipment and program recording medium Active JP6945318B2 (en)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2017061402A JP6945318B2 (en) 2017-03-27 2017-03-27 Substrate cleaning method, substrate cleaning equipment and program recording medium

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2017061402A JP6945318B2 (en) 2017-03-27 2017-03-27 Substrate cleaning method, substrate cleaning equipment and program recording medium

Publications (2)

Publication Number Publication Date
JP2018164037A JP2018164037A (en) 2018-10-18
JP6945318B2 true JP6945318B2 (en) 2021-10-06

Family

ID=63860265

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP2017061402A Active JP6945318B2 (en) 2017-03-27 2017-03-27 Substrate cleaning method, substrate cleaning equipment and program recording medium

Country Status (1)

Country Link
JP (1) JP6945318B2 (en)

Families Citing this family (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN110620069A (en) * 2019-10-21 2019-12-27 深圳市思坦科技有限公司 System and method for wet processing of wafers

Family Cites Families (7)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US6550091B1 (en) * 2000-10-04 2003-04-22 Lam Research Corporation Double-sided wafer edge scrubbing apparatus and method for using the same
JP2006278392A (en) * 2005-03-28 2006-10-12 Dainippon Screen Mfg Co Ltd Substrate cleaning method and substrate cleaning device
JP2009123951A (en) * 2007-11-15 2009-06-04 Dainippon Screen Mfg Co Ltd Substrate processing apparatus and method of processing substrate
JP5385537B2 (en) * 2008-02-26 2014-01-08 大日本スクリーン製造株式会社 Substrate processing equipment
JP2009206358A (en) * 2008-02-28 2009-09-10 Dainippon Screen Mfg Co Ltd Substrate processing device
JP5897959B2 (en) * 2012-03-30 2016-04-06 Hoya株式会社 Manufacturing method of glass substrate for information recording medium
JP6143589B2 (en) * 2013-07-12 2017-06-07 株式会社Ｓｃｒｅｅｎホールディングス Substrate processing equipment

Also Published As

Publication number Publication date
JP2018164037A (en) 2018-10-18

Similar Documents

Publication Publication Date Title
US8308870B2 (en) Cleaning apparatus, cleaning method and recording medium
JP6672207B2 (en) Apparatus and method for polishing a surface of a substrate
US8608858B2 (en) Substrate cleaning apparatus and method for determining timing of replacement of cleaning member
TWI646615B (en) Substrate cleaning apparatus and method executed thereby
JP2010279932A (en) Film forming apparatus and method
CN107086190B (en) Substrate cleaning apparatus and substrate processing apparatus
KR101761444B1 (en) Substrate cleaning apparatus and substrate cleaning unit
KR102074269B1 (en) Apparatus and method for polishing a surface of a substrate
JP6945318B2 (en) Substrate cleaning method, substrate cleaning equipment and program recording medium
CN110651356B (en) Cleaning apparatus, substrate processing apparatus, maintenance method for cleaning apparatus, and computer-readable recording medium
TWI663490B (en) Substrate processing device and substrate processing method
JP2001212531A (en) Cleaning device
JPH11354480A (en) Wafer washing method and wafer washing device
TW201740451A (en) Single wafer cleaning device and wafer cleaning method
JP6956578B2 (en) Break-in device and break-in system
TWI654036B (en) Substrate processing method, substrate processing apparatus, and recording medium
JP6895565B2 (en) Substrate Cleaning Equipment and Methods Performed on Substrate Cleaning Equipment
JP3415435B2 (en) Processing device and processing method
JP7291068B2 (en) SUBSTRATE CLEANING APPARATUS AND SUBSTRATE CLEANING METHOD
JP2007294490A (en) Cleaning equipment of substrate, and cleaning method of substrate employing it
JPH10189512A (en) Substrate cleaning device
CN111540669A (en) Substrate cleaning method, substrate cleaning apparatus, and storage medium
JP2020004996A (en) Liquid processing method, substrate processing apparatus, and storage medium
JP2005085804A (en) Cleaning evaluation method of substrate
JP2010016157A (en) Substrate cleaning device

Legal Events

Date Code Title Description
A621 Written request for application examination

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621

Effective date: 20191223

A977 Report on retrieval

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007

Effective date: 20201110

A131 Notification of reasons for refusal

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131

Effective date: 20201217

A521 Written amendment

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523

Effective date: 20210210

TRDD Decision of grant or rejection written
A01 Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01

Effective date: 20210819

A61 First payment of annual fees (during grant procedure)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61

Effective date: 20210914

R150 Certificate of patent or registration of utility model

Ref document number: 6945318

Country of ref document: JP

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150