JP6905608B2 - Post wall waveguide and filter module - Google Patents

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Description

本発明は、ポスト壁導波路及びフィルタモジュールに関する。 The present invention relates to post-wall waveguides and filter modules.

バンドパスフィルタに代表されるフィルタ機能を有するポスト壁導波路は、誘電体製の基板と、上記基板の一対の主面の各々にそれぞれ形成された第1広壁及び第2広壁と、上記基板の内部に形成されたポスト壁と、を備えている。 The post-wall waveguide having a filter function represented by a bandpass filter includes a dielectric substrate, a first wide wall and a second wide wall formed on each of the pair of main surfaces of the substrate, and the above. It has a post wall formed inside the substrate.

上記第1広壁、上記第2広壁、及び上記ポスト壁は、複数の共振領域と、該複数の共振領域を挟み込む第1励振領域及び第2励振領域とを構成する。 The first wide wall, the second wide wall, and the post wall constitute a plurality of resonance regions, and a first excitation region and a second excitation region sandwiching the plurality of resonance regions.

ポスト壁導波路は、無線通信用の集積回路(IC,Integrated Circuit)が処理する高周波信号をフィルタリング処理する場合に、集積回路内部に作り込んだフィルタ回路よりも良好なフィルタ特性を示す。これは、ポスト壁導波路のほうがフィルタ回路よりも無負荷Qが高いためである。よって、ポスト壁導波路とICとを接続したいという要求が高まっている。 Post-wall waveguides exhibit better filter characteristics than filter circuits built into integrated circuits when filtering high frequency signals processed by integrated circuits (ICs) for wireless communication. This is because the post-wall waveguide has a higher no-load Q than the filter circuit. Therefore, there is an increasing demand for connecting the post wall waveguide and the IC.

非特許文献1に記載のポスト壁導波路の第1励振領域及び第2励振領域の各々には、それぞれ、上記第1励振領域を励振する第1励振ピン及び上記第2励振領域を励振する第2励振ピンが設けられている。また、非特許文献1に記載のポスト壁導波路は、6段の共振領域を前半部分(1段目〜3段目)及び後半部分(4段目〜6段目)に分けた上で、前半部分と後半部分とを逆方向に延伸することによって、第1励振ピンと第2励振ピンとの距離を短くしている。 In each of the first excitation region and the second excitation region of the post-wall waveguide described in Non-Patent Document 1, the first excitation pin for exciting the first excitation region and the second excitation region for exciting the second excitation region are excited, respectively. 2 Excitation pins are provided. Further, in the post-wall waveguide described in Non-Patent Document 1, the resonance region of 6 stages is divided into a first half portion (1st stage to 3rd stage) and a latter half portion (4th stage to 6th stage). By extending the first half portion and the second half portion in opposite directions, the distance between the first excitation pin and the second excitation pin is shortened.

しかしながら、多くの場合、第1励振ピンと第2励振ピンとの距離は、ICの出力端子と入力端子との距離よりも長い。このような場合には、ポスト壁導波路にICを実装するために、第1励振ピンと出力端子とを接続する第1線路及び第2励振ピンと入力端子とを接続する第2線路を別途設けることになる。上記第1線路及び第2線路としては、例えば、二導体線路の一例であるマイクロストリップ線路が挙げられる。 However, in many cases, the distance between the first excitation pin and the second excitation pin is longer than the distance between the output terminal and the input terminal of the IC. In such a case, in order to mount the IC on the post wall waveguide, a first line connecting the first excitation pin and the output terminal and a second line connecting the second excitation pin and the input terminal are separately provided. become. Examples of the first line and the second line include a microstrip line, which is an example of a two-conductor line.

二導体線路における伝送損失は、ポスト壁導波路における伝送損失よりも高い場合が多い。 The transmission loss in a two-conductor line is often higher than the transmission loss in a post-wall waveguide.

Yusuke Uemichi, et. al, A 60-GHZ SIX-POLE QUASI-ELLIPTIC BANDPASS FILTER WITH NOVEL FEEDING MECHANISMS BASED ON SILICA-BASED POST-WALL WAVEGUIDE, IEEE MTT-S IMS, June 2017.Yusuke Uemichi, et. Al, A 60-GHZ SIX-POLE QUASI-ELLIPTIC BANDPASS FILTER WITH NOVEL FEEDING MECHANISMS BASED ON SILICA-BASED POST-WALL WAVEGUIDE, IEEE MTT-S IMS, June 2017.

非特許文献1に記載のポスト壁導波路は第1励振ピンと第2励振ピンとの距離が比較的短いため、第1線路及び第2線路の長さが短くすみ、伝送損失が抑制される。 In the post-wall waveguide described in Non-Patent Document 1, since the distance between the first excitation pin and the second excitation pin is relatively short, the lengths of the first line and the second line can be shortened, and the transmission loss can be suppressed.

一方、第1励振ピンと第2励振ピンとの距離に関しては、この距離を短くしたいとの要望に加えて、この距離の設計変更を容易にしたいという要望もある。これは、ポスト壁導波路の表面上に実装されるICの種類が様々であることに起因して、出力端子と入力端子との距離が様々であるためである。 On the other hand, regarding the distance between the first excitation pin and the second excitation pin, in addition to the request for shortening this distance, there is also a request for facilitating the design change of this distance. This is because the distance between the output terminal and the input terminal varies due to the variety of types of ICs mounted on the surface of the post-wall waveguide.

非特許文献1に記載のポスト壁導波路は、各共振領域の位置を変更するための自由度が低いため、各共振領域の位置を設計変更することが難しく、結果として、第1励振ピンと第2励振ピンとの距離を設計変更することが難しい。 In the post-wall waveguide described in Non-Patent Document 1, since the degree of freedom for changing the position of each resonance region is low, it is difficult to change the design of the position of each resonance region. As a result, the first excitation pin and the first excitation pin and the first excitation pin are used. 2 It is difficult to change the design of the distance to the excitation pin.

本発明の一態様は、上述した課題に鑑みなされたものであり、その目的は、複数の共振領域とこれらを挟み込む2つの励振領域とを含むポスト壁導波路において、各励振領域にそれぞれ設けられた第1励振部と第2励振部との距離を従来よりも長くすることなく、且つ、この距離を容易に設計変更可能なポスト壁導波路を提供することである。 One aspect of the present invention has been made in view of the above-mentioned problems, and an object thereof is provided in each excitation region in a post-wall waveguide including a plurality of resonance regions and two excitation regions sandwiching them. It is an object of the present invention to provide a post-wall waveguide in which the distance between the first excitation unit and the second excitation unit is not longer than before, and the distance can be easily redesigned.

上記の課題を解決するために、本発明の第1の態様に係るポスト壁導波路は、誘電体製の基板と、上記基板の一対の主面の各々にそれぞれ形成された第1広壁及び第2広壁と、上記基板の内部に形成されたポスト壁と、を備えており、上記第1広壁、上記第2広壁、及び上記ポスト壁は、直列に接続された複数の共振領域と、最初段の共振領域に隣接する第1励振領域及び最後段の共振領域に隣接する第2励振領域とを構成している。本ポスト壁導波路を平面視した場合に、上記複数の共振領域の各々は、円形状であり、上記複数の共振領域のうち互いに隣接している2つの共振領域の各々は、これら2つの共振領域の各々の半径をr及びrとし、これら2つの共振領域の中心間距離をD12とした場合に、D12<r+rとなるように配置されており、上記第1励振領域に設けられた第1励振部と上記第2励振領域に設けられた第2励振部との距離である励振部間距離は、上記最初段の共振領域と上記最後段の共振領域との中心間距離以下である。 In order to solve the above problems, the post-wall waveguide according to the first aspect of the present invention includes a dielectric substrate, a first wide wall formed on each of the pair of main surfaces of the substrate, and the like. A second wide wall and a post wall formed inside the substrate are provided, and the first wide wall, the second wide wall, and the post wall are connected in series to a plurality of resonance regions. And a first excitation region adjacent to the resonance region of the first stage and a second excitation region adjacent to the resonance region of the last stage. When the post-wall waveguide is viewed in a plan view, each of the plurality of resonance regions has a circular shape, and each of the two resonance regions adjacent to each other among the plurality of resonance regions has these two resonances. When the respective radii of the regions are r 1 and r 2, and the distance between the centers of these two resonance regions is D 12 , they are arranged so that D 12 <r 1 + r 2 and the first excitation is described above. The distance between the excitation units, which is the distance between the first excitation unit provided in the region and the second excitation unit provided in the second excitation region, is the center of the resonance region of the first stage and the resonance region of the last stage. It is less than or equal to the distance.

複数の共振領域を有する本ポスト壁導波路は、バンドパスフィルタとして機能する。上記の構成によれば、非特許文献1に記載のポスト壁導波路と同程度又はそれ以下に励振部間距離を短くすることができる。そのうえで、上記の構成によれば、平面視した場合に、各共振領域の形状が円形状であるため、励振部間距離を設計変更した場合であっても、設計変形後の励振部間距離に応じて、各共振領域の位置を容易に最適化することができる。したがって、本ポスト壁導波路は、励振部間距離を従来よりも長くすることなく、且つ、励振部間距離を容易に設計変更することができる。 This post wall waveguide having a plurality of resonance regions functions as a bandpass filter. According to the above configuration, the distance between the excitation portions can be shortened to the same level as or less than that of the post-wall waveguide described in Non-Patent Document 1. On top of that, according to the above configuration, since the shape of each resonance region is circular when viewed in a plan view, even if the design of the distance between the excitation parts is changed, the distance between the excitation parts after the design deformation is obtained. Therefore, the position of each resonance region can be easily optimized. Therefore, in this post wall waveguide, the distance between the excitation portions can be easily changed without increasing the distance between the excitation portions as compared with the conventional one.

また、本発明の第2の態様に係るポスト壁導波路は、上述した第1の態様において、上記第1励振部及び上記第2励振部の少なくとも何れかは、最初段の共振領域と最後段の共振領域との間に位置する、ように構成されている。 Further, in the post-wall waveguide according to the second aspect of the present invention, in the first aspect described above, at least one of the first excitation section and the second excitation section is the resonance region of the first stage and the last stage. It is configured to be located between the resonance region of the.

上記の構成によれば、励振部間距離を更に短くすることができる。 According to the above configuration, the distance between the excitation units can be further shortened.

また、本発明の第3の態様に係るポスト壁導波路は、上述した第1の態様又は第2の態様において、上記第1広壁の上記第1励振領域に対応する部分には第1アンチパッドが形成されており、上記第1励振部は、上記第1アンチパッドに囲まれた第1導体パッドから上記第1励振領域の内部に至る第1励振ピンであり、上記第1広壁の上記第2励振領域に対応する部分には第2アンチパッドが形成されており、上記第2励振部は、上記第2アンチパッドに囲まれた第2導体パッドから上記第2励振領域の内部に至る第2励振ピンである、ように構成されている。 Further, in the post-wall waveguide according to the third aspect of the present invention, in the first aspect or the second aspect described above, the portion of the first wide wall corresponding to the first excitation region has a first anti. A pad is formed, and the first excitation portion is a first excitation pin extending from the first conductor pad surrounded by the first anti-pad to the inside of the first excitation region, and is a first excitation pin of the first wide wall. A second anti-pad is formed in a portion corresponding to the second excitation region, and the second excitation portion is located inside the second excitation region from the second conductor pad surrounded by the second anti-pad. It is configured to be the second excitation pin to reach.

上記の構成によれば、第1励振部の一態様である第1励振ピン及び第2励振部の一態様である第2励振ピンの各々が、それぞれ、第1励振領域及び第2励振領域を励振することができる。したがって、電磁波を第1励振部と第2励振部との間で伝送する場合に生じ得る伝送損失を抑制することができる。 According to the above configuration, the first excitation pin, which is an aspect of the first excitation unit, and the second excitation pin, which is an aspect of the second excitation unit, each have a first excitation region and a second excitation region, respectively. Can be excited. Therefore, it is possible to suppress the transmission loss that may occur when the electromagnetic wave is transmitted between the first excitation unit and the second excitation unit.

また、本発明の第4の態様に係るポスト壁導波路は、上述した第3の態様において、一方の端部が上記第1導体パッドに導通し、且つ、上記第1広壁とともに二導体線路を構成する第1帯状導体と、一方の端部が上記第2導体パッドに導通し、且つ、上記第1広壁とともに二導体線路を構成する第2帯状導体と、を更に備えている。 Further, in the post-wall waveguide according to the fourth aspect of the present invention, in the third aspect described above, one end of the post-wall waveguide is conductive to the first conductor pad, and the post-wall waveguide is a two-conductor line together with the first wide wall. A first strip-shaped conductor constituting the above, and a second strip-shaped conductor having one end conducting to the second conductor pad and forming a two-conductor line together with the first wide wall are further provided.

上記の構成によれば、第1帯状導体及び第2帯状導体の配線パターンを適宜設計することにより、例えば、第1帯状導体の他方の端部に集積回路の出力端子を接続し、第2帯状導体の他方の端部に集積回路の入力端子を接続することが容易にできる。また、上述したように、本ポスト壁導波路においては励振部間距離が従来よりも短いため、第1帯状導体及び第2帯状導体の長さを従来よりも短くすることができる。二導体線路における伝送損失は、ポスト壁導波路における伝送損失よりも高い場合が多いので、本ポスト壁導波路は、集積回路を実装した場合の伝送損失を抑制することができる。 According to the above configuration, by appropriately designing the wiring patterns of the first band-shaped conductor and the second band-shaped conductor, for example, the output terminal of the integrated circuit is connected to the other end of the first band-shaped conductor, and the second band-shaped conductor is formed. The input terminal of the integrated circuit can be easily connected to the other end of the conductor. Further, as described above, since the distance between the excitation portions is shorter than in the conventional post wall waveguide, the lengths of the first band-shaped conductor and the second band-shaped conductor can be shortened as compared with the conventional one. Since the transmission loss in the two-conductor line is often higher than the transmission loss in the post-wall waveguide, the post-wall waveguide can suppress the transmission loss when an integrated circuit is mounted.

また、本発明の第5の態様に係るポスト壁導波路は、上述した第1の態様又は第2の態様において、上記第1広壁の上記第1励振領域に対応する部分には第1開口が形成されており、上記第1広壁の上記第2励振領域に対応する部分には第2開口が形成されており、上記第1広壁とは離間して設けられた第1帯状導体であって、平面視した場合に、一部が上記第1開口の少なくとも一部と重畳している第1帯状導体と、上記第1広壁とは離間して設けられた第2帯状導体であって、平面視した場合に、一部が上記第2開口の少なくとも一部と重畳している第2帯状導体と、を更に備え、上記第1励振部は、上記第1帯状導体のうち上記第1開口と重畳している部分であり、上記第2励振部は、上記第2帯状導体のうち上記第2開口と重畳している部分である、ように構成されている。 Further, in the first aspect or the second aspect described above, the post-wall waveguide according to the fifth aspect of the present invention has a first opening in a portion of the first wide wall corresponding to the first excitation region. Is formed, and a second opening is formed in a portion of the first wide wall corresponding to the second excitation region, and a first strip-shaped conductor provided apart from the first wide wall. Therefore, when viewed in a plan view, the first band-shaped conductor in which a part thereof overlaps with at least a part of the first opening and the second band-shaped conductor provided apart from the first wide wall. Further, when viewed in a plan view, a second strip-shaped conductor in which a part thereof overlaps with at least a part of the second opening is further provided, and the first exciting portion is the first of the first strip-shaped conductors. It is a portion that overlaps with one opening, and the second excitation portion is configured to be a portion of the second strip-shaped conductor that overlaps with the second opening.

上記の構成によれば、第1励振部の一態様である、第1帯状導体のうち第1開口と重畳している部分、及び、第2励振部の一態様である、第2帯状導体のうち第2開口と重畳している部分の各々が、それぞれ、第1励振領域及び第2励振領域を励振することができる。したがって、電磁波を第1励振部と第2励振部との間で伝送する場合に生じ得る伝送損失を抑制することができる。また、上記の構成によれば、第1の励振部及び第2の励振部の各々が、励振ピンを用いることなく、第1励振領域及び第2励振領域の各々を励振することができる。したがって、第1帯状導体及び第2帯状導体の各々が、それぞれ、第1励振領域及び第2励振領域に対して励振ピンを介して固定されていないため、環境温度の変化に起因する伝送不良を生じにくい。 According to the above configuration, the portion of the first strip-shaped conductor that overlaps with the first opening, which is one aspect of the first excitation portion, and the second strip-shaped conductor, which is one aspect of the second excitation portion. Each of the portions overlapping the second opening can excite the first excitation region and the second excitation region, respectively. Therefore, it is possible to suppress the transmission loss that may occur when the electromagnetic wave is transmitted between the first excitation unit and the second excitation unit. Further, according to the above configuration, each of the first excitation unit and the second excitation unit can excite each of the first excitation region and the second excitation region without using the excitation pin. Therefore, since each of the first strip-shaped conductor and the second strip-shaped conductor is not fixed to the first excitation region and the second excitation region via the excitation pins, transmission defects due to changes in the environmental temperature are caused. It is unlikely to occur.

また、本発明の第6の態様に係るポスト壁導波路は、上述した態様5において、上記第1帯状導体は、上記第1広壁とともに二導体線路を構成し、上記第2帯状導体は、上記第1広壁とともに二導体線路を構成する。 Further, in the post-wall waveguide according to the sixth aspect of the present invention, in the above-described fifth aspect, the first band-shaped conductor constitutes a two-conductor line together with the first wide wall, and the second band-shaped conductor is A two-conductor line is formed together with the first wide wall.

上記の構成によれば、第1帯状導体及び第2帯状導体の配線パターンを適宜設計することにより、例えば、第1帯状導体の一方の端部に集積回路の出力端子を接続し、第2帯状導体の一方の端部に集積回路の入力端子を接続することが容易にできる。また、上述したように、本ポスト壁導波路においては励振部間距離が従来よりも短いため、第1帯状導体及び第2帯状導体の長さを従来よりも短くすることができる。二導体線路における伝送損失は、ポスト壁導波路における伝送損失よりも高い場合が多いので、本ポスト壁導波路は、集積回路を実装した場合の伝送損失を抑制することができる。 According to the above configuration, by appropriately designing the wiring patterns of the first band-shaped conductor and the second band-shaped conductor, for example, the output terminal of the integrated circuit is connected to one end of the first band-shaped conductor, and the second band-shaped conductor is formed. The input terminal of the integrated circuit can be easily connected to one end of the conductor. Further, as described above, since the distance between the excitation portions is shorter than in the conventional post wall waveguide, the lengths of the first band-shaped conductor and the second band-shaped conductor can be shortened as compared with the conventional one. Since the transmission loss in the two-conductor line is often higher than the transmission loss in the post-wall waveguide, the post-wall waveguide can suppress the transmission loss when an integrated circuit is mounted.

また、本発明の第7の態様に係るポスト壁導波路は、上述した態様5又は6において、平面視した場合に、上記第1励振領域を構成する一対の狭壁同士は、平行であり、且つ、上記第1励振領域の幅を二等分する点の集合である直線と、上記第1帯状導体の中心軸とは、ずれており、上記第2励振領域を構成する一対の狭壁同士は、平行であり、且つ、上記第2励振領域の幅を二等分する点の集合である直線と、上記第2帯状導体の中心軸とは、ずれている、構成を採用している。 Further, in the post-wall waveguide according to the seventh aspect of the present invention, when viewed in a plan view in the above-described aspect 5 or 6, the pair of narrow walls constituting the first excitation region are parallel to each other. Moreover, the straight line, which is a set of points that bisect the width of the first excitation region, and the central axis of the first strip-shaped conductor are deviated from each other, and the pair of narrow walls forming the second excitation region are separated from each other. Is parallel and adopts a configuration in which a straight line, which is a set of points that bisect the width of the second excitation region, and the central axis of the second strip-shaped conductor are deviated from each other.

上記の構成によれば、第1帯状導体の中心軸を第1励振領域の幅を二等分する点の集合である直線からずらして設けることができる。また、第2帯状導体の中心軸を第2励振領域の幅を二等分する点の集合である直線からずらして設けることができる。したがって、本ポスト壁導波路は、第1帯状導体及び第2帯状導体を配置する場合の自由度を高めることができる。 According to the above configuration, the central axis of the first strip-shaped conductor can be provided so as to be offset from a straight line which is a set of points that bisect the width of the first excitation region. Further, the central axis of the second strip-shaped conductor can be provided so as to be offset from a straight line which is a set of points that bisect the width of the second excitation region. Therefore, this post wall waveguide can increase the degree of freedom when arranging the first band-shaped conductor and the second band-shaped conductor.

また、本発明の第8の態様に係るポスト壁導波路は、上述した態様7において、平面視した場合に、上記第1開口及び上記第2開口の各々は、台形状であり、上記第1開口は、上記台形状を形成する一対の底が上記第1励振領域を構成する上記一対の狭壁の各々と平行になるように、且つ、上記第1帯状導体の上記中心軸から、上記第1開口の上記一対の底のうち長さが短い底までの距離が、上記第1帯状導体の上記中心軸から、上記第1開口の上記一対の底のうち長さが長い底までの距離を上回る、ように配置されており、上記第2開口は、上記台形状を形成する一対の底が上記第2励振領域を構成する上記一対の狭壁の各々と平行になるように、且つ、上記第2帯状導体の上記中心軸から、上記第2開口の上記一対の底のうち長さが短い底までの距離が、上記第2帯状導体の上記中心軸から、上記第2開口の上記一対の底のうち長さが長い底までの距離を上回る、ように配置されている、構成を採用している。 Further, in the post-wall waveguide according to the eighth aspect of the present invention, when viewed in a plan view in the above-described seventh aspect, each of the first opening and the second opening is trapezoidal, and the first opening is trapezoidal. The opening is such that the pair of bottoms forming the trapezoidal shape are parallel to each of the pair of narrow walls forming the first excitation region, and from the central axis of the first band-shaped conductor, the first The distance to the short-length bottom of the pair of bottoms of one opening is the distance from the central axis of the first strip-shaped conductor to the long-length bottom of the pair of bottoms of the first opening. The second opening is arranged so that the pair of bottoms forming the trapezoidal shape is parallel to each of the pair of narrow walls forming the second excitation region, and the above. The distance from the central axis of the second band-shaped conductor to the shorter bottom of the pair of bottoms of the second opening is from the central axis of the second band-shaped conductor to the pair of the second opening. It adopts a configuration that is arranged so that the length of the bottom exceeds the distance to the long bottom.

上記の構成によれば、第1帯状導体の中心軸を第1励振領域の幅を二等分する点の集合である直線からずらして設けた場合に生じ得る反射特性及び透過特性の低下を抑制することができる。また、第2帯状導体の中心軸を第2励振領域の幅を二等分する点の集合である直線からずらして設けた場合に生じ得る反射特性及び透過特性の低下を抑制することができる。すなわち、本ポスト壁導波路は、第1帯状導体及び第2帯状導体を配置する場合の自由度を高めつつ、反射特性及び透過特性の低下を抑制することができる。 According to the above configuration, deterioration of reflection characteristics and transmission characteristics that may occur when the central axis of the first strip-shaped conductor is provided so as to be offset from a straight line which is a set of points that bisect the width of the first excitation region is suppressed. can do. Further, it is possible to suppress the deterioration of the reflection characteristic and the transmission characteristic that may occur when the central axis of the second strip-shaped conductor is provided so as to be offset from the straight line which is a set of points that bisect the width of the second excitation region. That is, this post-wall waveguide can suppress deterioration of reflection characteristics and transmission characteristics while increasing the degree of freedom when arranging the first band-shaped conductor and the second band-shaped conductor.

また、本発明の第9の態様に係るポスト壁導波路は、上述した第4の態様〜第8の態様の何れかにおいて、平面視した場合に、上記第1帯状導体と該第1帯状導体と交わる第1励振領域を構成するポスト壁とのなす角、及び、上記第2帯状導体と該第2帯状導体と交わる第2励振領域を構成するポスト壁とのなす角の少なくとも何れかは、45°未満である、ように構成されている。 Further, the post-wall waveguide according to the ninth aspect of the present invention is the first band-shaped conductor and the first band-shaped conductor when viewed in a plan view in any of the fourth to eighth aspects described above. At least one of the angle formed by the post wall forming the first excitation region intersecting with the second excitation region and the angle formed by the second strip-shaped conductor and the post wall forming the second excitation region intersecting the second strip-shaped conductor. It is configured to be less than 45 °.

上記の課題を解決するために、本発明の第10の態様に係るフィルタモジュールは、上述した第1の態様〜第9の態様の何れかに係るポスト壁導波路と、上記第1広壁の上に実装された集積回路であって、出力端子が上記第1励振部に接続され、入力端子が上記第2励振部に接続されている集積回路と、を備えている。 In order to solve the above problems, the filter module according to the tenth aspect of the present invention includes the post-wall waveguide according to any one of the first to ninth aspects described above and the first wide wall. The integrated circuit mounted above includes an integrated circuit in which an output terminal is connected to the first excitation unit and an input terminal is connected to the second excitation unit.

複数の共振領域を電磁気的に結合することによりフィルタ機能を実現したポスト壁導波路は、集積回路内部に作り込んだフィルタ回路よりも無負荷Qが高いため、良好なフィルタ特性を示す。上記の構成によれば、集積回路において処理する高周波信号をフィルタリング処理することが求められている場合に、フィルタ回路ではなくフィルタ機能を有するポスト壁導波路を用いることができる。そのため、フィルタ回路を用いたフィルタモジュールと比較して、本フィルタモジュールは、良好な高周波信号を得ることができる。 The post-wall waveguide, which realizes the filter function by electromagnetically coupling a plurality of resonance regions, exhibits good filter characteristics because the no-load Q is higher than that of the filter circuit built in the integrated circuit. According to the above configuration, when it is required to filter the high frequency signal to be processed in the integrated circuit, a post-wall waveguide having a filter function can be used instead of the filter circuit. Therefore, as compared with the filter module using the filter circuit, this filter module can obtain a good high frequency signal.

また、本発明の第11の態様に係るフィルタモジュールは、上述した第10の態様において、平面視した場合に、上記集積回路は、少なくとも一部が上記複数の共振領域、上記第1励振領域、及び上記第2励振領域の少なくとも一部に重なるように、上記第1広壁の上に実装されている。 Further, when the filter module according to the eleventh aspect of the present invention is viewed in a plan view in the tenth aspect described above, the integrated circuit has at least a part of the plurality of resonance regions and the first excitation region. And it is mounted on the first wide wall so as to overlap at least a part of the second excitation region.

上記の構成によれば、フィルタモジュールを小型化することができる。 According to the above configuration, the filter module can be miniaturized.

本発明の一態様によれば、励振部同士の距離を従来よりも長くすることなく、且つ、この距離を容易に設計変更可能なポスト壁導波路を提供することができる。 According to one aspect of the present invention, it is possible to provide a post-wall waveguide whose design can be easily changed without increasing the distance between the excitation portions as compared with the conventional case.

本発明の第1の実施形態に係るポスト壁導波路の斜視図である。It is a perspective view of the post wall waveguide which concerns on 1st Embodiment of this invention. (a)及び(b)の各々は、それぞれ、図1に示したポスト壁導波路の平面図及び模式図である。Each of (a) and (b) is a plan view and a schematic view of the post-wall waveguide shown in FIG. 1, respectively. 図1に示したポスト壁導波路の拡大断面図であって、該ポスト壁導波路が備えている励振ピン及び帯状導体の拡大断面図である。It is an enlarged cross-sectional view of the post-wall waveguide shown in FIG. 1, and is an enlarged cross-sectional view of an excitation pin and a strip-shaped conductor provided in the post-wall waveguide. (a)及び(b)の各々は、それぞれ、図1に示したポスト壁導波路の第1の変形例の模式図及び第2の変形例の模式図である。Each of (a) and (b) is a schematic view of the first modification and the second modification of the post-wall waveguide shown in FIG. 1, respectively. 図1に示したポスト壁導波路の第3の変形例の拡大平面図であって、第3の変形例が備えている開口及び帯状導体の拡大平面図である。It is an enlarged plan view of the 3rd modification of the post-wall waveguide shown in FIG. 1, and is the enlarged plan view of the opening and the strip-shaped conductor provided in the 3rd modification. 図5に示したポスト壁導波路の拡大断面図であって、該ポスト壁導波路が備えている開口及び帯状導体の拡大断面図である。FIG. 5 is an enlarged cross-sectional view of the post-wall waveguide shown in FIG. 5, which is an enlarged cross-sectional view of an opening and a strip-shaped conductor provided in the post-wall waveguide. 図1に示したポスト壁導波路の第4の変形例の拡大平面図であって、第4の変形例が備えている開口及び帯状導体の拡大平面図である。It is an enlarged plan view of the 4th modification of the post-wall waveguide shown in FIG. 1, and is the enlarged plan view of the opening and the strip-shaped conductor provided in the 4th modification. 本発明の第1の実施例群であるポスト壁導波路の反射特性を示すグラフである。It is a graph which shows the reflection characteristic of the post-wall waveguide which is the 1st Example group of this invention. 本発明の第1の実施例群であるポスト壁導波路の透過特性を示すグラフである。It is a graph which shows the transmission characteristic of the post-wall waveguide which is the 1st Example group of this invention. 図1に示したポスト壁導波路の第5の変形例の拡大平面図であって、第5の変形例が備えている開口及び帯状導体の拡大平面図である。FIG. 5 is an enlarged plan view of a fifth modification of the post-wall waveguide shown in FIG. 1, and is an enlarged plan view of an opening and a strip-shaped conductor provided in the fifth modification. 本発明の第2の実施例群であるポスト壁導波路の反射特性を示すグラフである。It is a graph which shows the reflection characteristic of the post-wall waveguide which is the 2nd Example group of this invention. 本発明の第2の実施例群であるポスト壁導波路の透過特性を示すグラフである。It is a graph which shows the transmission characteristic of the post-wall waveguide which is the 2nd Example group of this invention. 本発明の第3の実施例群であるポスト壁導波路の反射特性を示すグラフである。It is a graph which shows the reflection characteristic of the post-wall waveguide which is the 3rd Example group of this invention. 本発明の第3の実施例群であるポスト壁導波路の透過特性を示すグラフである。It is a graph which shows the transmission characteristic of the post-wall waveguide which is the 3rd Example group of this invention. 本発明の第2の実施形態に係るフィルタモジュールの拡大平面図であって、第2の実施形態に係るフィルタモジュールを構成するポスト壁導波路が備えている開口及び帯状導体の拡大平面図である。It is an enlarged plan view of the filter module which concerns on 2nd Embodiment of this invention, and is the enlarged plan view of the opening and the strip-shaped conductor provided in the post-wall waveguide which constitutes the filter module which concerns on 2nd Embodiment. ..

〔第1の実施形態〕
(ポスト壁導波路1の構成)
本発明の第1の実施形態に係るポスト壁導波路1の構成について、図1〜図3を参照して説明する。図1は、ポスト壁導波路1の斜視図である。図2の(a)及び(b)の各々は、それぞれ、ポスト壁導波路1の平面図及び模式図である。図3は、ポスト壁導波路1の拡大断面図であって、ポスト壁導波路1が備えている励振ピン6及び帯状導体8の拡大断面図である。なお、本発明の各実施形態に係るポスト壁導波路及びフィルタモジュールは、何れも、28GHz帯(例えば27GHz以上29.5GHz以下の帯域)を動作帯域として想定している。ただし、本発明の一態様に係るポスト壁導波路及びフィルタモジュールにおいて、その動作帯域は、28GHz帯に限定されるものではなく適宜定めることができる。28GHz帯以外の動作帯域の例としては、Eバンドと呼ばれる71GHz以上86GHz以下の帯域が挙げられる。
[First Embodiment]
(Structure of post wall waveguide 1)
The configuration of the post-wall waveguide 1 according to the first embodiment of the present invention will be described with reference to FIGS. 1 to 3. FIG. 1 is a perspective view of the post wall waveguide 1. Each of (a) and (b) of FIG. 2 is a plan view and a schematic view of the post wall waveguide 1. FIG. 3 is an enlarged cross-sectional view of the post-wall waveguide 1, which is an enlarged cross-sectional view of the excitation pin 6 and the strip-shaped conductor 8 included in the post-wall waveguide 1. The post-wall waveguide and filter module according to each embodiment of the present invention assume a 28 GHz band (for example, a band of 27 GHz or more and 29.5 GHz or less) as an operating band. However, in the post-wall waveguide and filter module according to one aspect of the present invention, the operating band is not limited to the 28 GHz band and can be appropriately determined. Examples of the operating band other than the 28 GHz band include a band called the E band, which is 71 GHz or more and 86 GHz or less.

図1に示すように、ポスト壁導波路1は、誘電体製の基板2と、基板2の一対の主面の各々にそれぞれ形成された導体層3,4と、基板2の内部に形成されたポスト壁5と、励振ピン6,7と、を備えている。導体層3は、第1広壁の一例であり、導体層4は、第2広壁の一例であり、励振ピン6は、第1励振部の一例であり、励振ピン7は、第2励振部の一例である。 As shown in FIG. 1, the post-wall waveguide 1 is formed inside a dielectric substrate 2, conductor layers 3 and 4 formed on each of the pair of main surfaces of the substrate 2, and the substrate 2. It is provided with a post wall 5 and excitation pins 6 and 7. The conductor layer 3 is an example of the first wide wall, the conductor layer 4 is an example of the second wide wall, the excitation pin 6 is an example of the first excitation unit, and the excitation pin 7 is the second excitation. This is an example of the department.

また、ポスト壁導波路1は、図2及び図3に示すように、導体層3の表面に形成された誘電体層10と、誘電体層10の表面に形成された帯状導体8,9と、を更に備えている。なお、図1には帯状導体8,9の図示を省略している。帯状導体8,9については、帯状導体8を例に、図3を参照して説明する。なお、帯状導体8は、導体層3とともに二導体線路の一例であるマイクロストリップ線路MSを構成し、帯状導体9は、導体層3とともに二導体線路の一例であるマイクロストリップ線路MSを構成する。 Further, as shown in FIGS. 2 and 3, the post-wall waveguide 1 includes a dielectric layer 10 formed on the surface of the conductor layer 3 and strip-shaped conductors 8 and 9 formed on the surface of the dielectric layer 10. , Is further equipped. Note that the strip-shaped conductors 8 and 9 are not shown in FIG. The strip-shaped conductors 8 and 9 will be described with reference to FIG. 3 by taking the strip-shaped conductor 8 as an example. The band-shaped conductor 8 and the conductor layer 3 form a microstrip line MS 1 which is an example of a two-conductor line, and the band-shaped conductor 9 and the conductor layer 3 form a microstrip line MS 2 which is an example of a two-conductor line. do.

なお、図1においては、ポスト壁導波路1が備えているポスト壁5及び励振ピン6,7の形状及び配置を分かりやすくするために、ポスト壁5及び励振ピン6,7を実線で示し、基板2、導体層3,4、及び誘電体層10を仮想線(二点鎖線)にて示している。 In FIG. 1, the post wall 5 and the excitation pins 6 and 7 are shown by solid lines in order to make the shapes and arrangements of the post wall 5 and the excitation pins 6 and 7 provided in the post wall waveguide 1 easy to understand. The substrate 2, the conductor layers 3 and 4, and the dielectric layer 10 are shown by virtual lines (dashed-dotted lines).

導体層3,4及びポスト壁5は、直列に、かつ、電磁気的に結合された複数(n個、nは2以上の任意の整数、本実施形態においてはn=5)の共振領域R〜Rと、最初段の共振領域Rに隣接する励振領域RE1と、最後段の共振領域R(本実施形態においては共振領域R)に隣接する励振領域RE2と、を構成する。励振領域RE1は、第1励振領域の一例であり、励振領域RE2は、第2共振領域の一例である。 Conductor layers 3, 4 and the post wall 5, in series, and the resonance region R 1 of the electromagnetically coupled plurality of (n, n represents an integer equal to or larger than 2, in this embodiment n = 5) configuration and to R n, and the excitation region R E1 adjacent to the resonance region R 1 of the first stage, and the excitation region R E2 adjacent to the (resonance region R 5 in this embodiment) resonance region R n of the last stage do. The excitation region RE1 is an example of a first excitation region, and the excitation region RE2 is an example of a second resonance region.

このように構成されたポスト壁導波路1は、5段のバンドパスフィルタとして機能する。バンドパスフィルタとして機能するポスト壁導波路1の通過帯域の中心周波数及び帯域幅は、ポスト壁導波路1の設計パラメータを適宜設計することによって、所望の値に近づける、又は、所望の値にすることができる。すなわち、バンドパスフィルタとして機能するポスト壁導波路1の通過帯域の中心周波数及び帯域幅は、限定されるものではなく、用途に応じて適宜設定することができる。設計パラメータの例としては、共振領域R〜Rの個数nや、共振領域R〜Rの各々の半径r〜rや、隣接する共振領域の中心間距離などが上げられる。半径r〜r及び隣接する共振領域の中心間距離については、図2の(a)を参照して後述する。 The post-wall waveguide 1 configured in this way functions as a five-stage bandpass filter. The center frequency and bandwidth of the pass band of the post-wall waveguide 1 that functions as a bandpass filter can be brought close to or set to a desired value by appropriately designing the design parameters of the post-wall waveguide 1. be able to. That is, the center frequency and bandwidth of the pass band of the post-wall waveguide 1 that functions as a bandpass filter are not limited, and can be appropriately set according to the application. Examples of design parameters, and the number n of the resonance region R 1 to R n, each and radius r 1 ~r n of the resonance region R 1 to R n, such as the distance between the centers of adjacent resonance regions is raised. The radius r 1 ~r n and the distance between the centers of adjacent resonance regions will be described later with reference to FIG. 2 (a).

なお、ポスト壁導波路1において、共振領域R〜Rは、この順番で直列に結合されている。しかし、ポスト壁導波路1において、共振領域R〜Rは、この順番で直列に結合されたうえで、且つ、共振領域Rと共振領域Rとが、結合窓AP及び結合窓APとは別の結合窓を介して、直接結合されていてもよい。この結合窓は、共振領域Rと共振領域Rとを電磁気的に隔てているポスト壁5を構成する一部の導体ポスト5iを省略することによって設けることができる。この場合、励振領域RE1から励振領域RE2までの経路において、共振領域Rと共振領域Rとは、直接且つ直列に結合されており、更に、共振領域R〜Rの各々がこの順番で共振領域R,Rに対して並列に結合されている、ともいえる。このように、本発明の一態様において、複数の共振領域R〜Rは、そのうちの一部分の共振領域が直列に結合されており、残りの部分の共振領域が直列に結合された一部分の共振領域に対して並列に結合されていてもよい。 Note that in the post-wall waveguide 1, the resonance region R 1 to R 5, are coupled in series in this order. However, in the post-wall waveguide 1, the resonance regions R 1 to R 5 are coupled in series in this order, and the resonance region R 1 and the resonance region R 5 are connected to the coupling window AP 2 and the coupling window. It may be directly coupled to the AP 5 through a separate coupling window. The coupling window can be provided by omitting a part of the conductor posts 5i constituting the post walls 5 that separates electromagnetically the the resonance region R 1 and the resonance region R 5. In this case, in the path from the excitation region R E1 to the excitation region R E2, and the resonance region R 1 and the resonance region R 5, it is directly and coupled in series, further each of the resonance region R 2 to R 4 the order in which is coupled in parallel to the resonance region R 1, R 5, and can be said. As described above, in one aspect of the present invention, the plurality of resonance regions R 1 to R n are those in which a part of the resonance regions is coupled in series and the remaining resonance regions are coupled in series. It may be coupled in parallel with respect to the resonance region.

基板2は、誘電体製の板状部材である。本実施形態においては、基板2を構成する誘電体として、石英ガラスを用いている。この場合、基板2の厚みは、適宜選択することができるが、例えば、860μmである。 The substrate 2 is a plate-shaped member made of a dielectric material. In this embodiment, quartz glass is used as the dielectric material constituting the substrate 2. In this case, the thickness of the substrate 2 can be appropriately selected, and is, for example, 860 μm.

導体層3及び導体層4の各々は、導体材料により構成された層状(又は膜状)部材であり、それぞれ、ポスト壁導波路1の第1広壁及び第2広壁として機能する。本実施形態においては、導体層3及び導体層4を構成する導体材料として、銅を用いている。 Each of the conductor layer 3 and the conductor layer 4 is a layered (or film-shaped) member made of a conductor material, and functions as a first wide wall and a second wide wall of the post-wall waveguide 1, respectively. In this embodiment, copper is used as the conductor material constituting the conductor layer 3 and the conductor layer 4.

ポスト壁5は、導体層3と導体層4とを短絡する、柵状に並んだ導体ポストの集合であり、ポスト壁導波路1の狭壁として機能する。以下においては、ポスト壁5を構成するN本の導体ポストを導体ポスト5i(Nは2以上の任意の整数であり、iは、1≦i≦Nの整数)と一般化して記載する。 The post wall 5 is a set of conductor posts arranged in a fence shape that short-circuits the conductor layer 3 and the conductor layer 4, and functions as a narrow wall of the post wall waveguide 1. In the following, the N conductor posts constituting the post wall 5 will be generally described as conductor posts 5i (N is an arbitrary integer of 2 or more, and i is an integer of 1 ≦ i ≦ N).

ポスト壁5は、互いに対向する一対の狭壁と、一対のショート壁とにより構成されている。一対のショート壁は、電磁波が伝送される方向に沿ってポスト壁導波路1をみた場合に、ポスト壁導波路1の両端面に対応する位置(励振ピン6,7の近傍)に設けられている。図1及び図2に示すように、励振領域RE1及び励振領域RE2の各々において、一対の狭壁同士は、平行である。 The post wall 5 is composed of a pair of narrow walls facing each other and a pair of short walls. The pair of short walls are provided at positions (near the excitation pins 6 and 7) corresponding to both end faces of the post wall waveguide 1 when the post wall waveguide 1 is viewed along the direction in which electromagnetic waves are transmitted. There is. As shown in FIGS. 1 and 2, the pair of narrow walls are parallel to each other in each of the excitation region R E1 and the excitation region R E2.

隣接する導体ポスト5iと導体ポスト5i+1との中心軸同士の間隔は、ポスト壁導波路1の通過帯域の中心周波数を有する電磁波の波長と比べて十分に短い。その結果、ポスト壁5は、この電磁波に対して仮想的な導体壁として機能する。 The distance between the central axes of the adjacent conductor posts 5i and the conductor posts 5i + 1 is sufficiently shorter than the wavelength of the electromagnetic wave having the center frequency of the pass band of the post wall waveguide 1. As a result, the post wall 5 functions as a virtual conductor wall for this electromagnetic wave.

導体ポスト5iの直径は、例えば、100μmであり、導体ポストの中心軸同士の間隔は、例えば、150μmや200μmなどである。導体ポスト5iの直径及び隣接する導体ポスト5iと導体ポスト5i+1との中心軸同士の間隔の各々は、ポスト壁導波路1の通過帯域の中心周波数を有する電磁波の波長に応じて適宜選択することができる。 The diameter of the conductor post 5i is, for example, 100 μm, and the distance between the central axes of the conductor posts is, for example, 150 μm or 200 μm. The diameter of the conductor post 5i and the distance between the central axes of the adjacent conductor post 5i and the conductor post 5i + 1 can be appropriately selected according to the wavelength of the electromagnetic wave having the center frequency of the pass band of the post wall waveguide 1. can.

各導体ポスト5iは、基板2を貫通する貫通孔の内壁に導体層を形成する、或いは、この貫通孔に導体を充填することによって実現されているスルービアである。ポスト壁5の配置パターンは、導体層3、導体層4、及びポスト壁5により囲まれた領域が、電磁気的に結合した複数の共振領域R〜Rと、励振領域RE1,RE2とを構成するように定められている。 Each conductor post 5i is a through via that is realized by forming a conductor layer on the inner wall of a through hole penetrating the substrate 2 or filling the through hole with a conductor. The arrangement pattern of the post wall 5, the conductor layer 3, a region surrounded by the conductor layer 4, and the post wall 5, a plurality of resonance regions R 1 to R 5 which is electromagnetically coupled, the excitation region R E1, R E2 It is stipulated to constitute.

なお、本実施形態においては、基板2を構成する誘電体として、石英ガラスを用いているが、本発明は、これに限定されない。ポスト壁導波路1の基板2を構成する誘電体は、石英以外の誘電体、例えば、サファイアや、アルミナなどでもよい。 In the present embodiment, quartz glass is used as the dielectric material constituting the substrate 2, but the present invention is not limited to this. The dielectric constituting the substrate 2 of the post-wall waveguide 1 may be a dielectric other than quartz, for example, sapphire or alumina.

また、本実施形態においては、導体層3及び導体層4を構成する導体として、銅を用いているが、本発明は、これに限定されない。導体層3及び導体層4を構成する導体は、銅以外の導体、例えば、アルミニウムや、複数の金属元素により構成された合金などでもよい。 Further, in the present embodiment, copper is used as the conductor constituting the conductor layer 3 and the conductor layer 4, but the present invention is not limited thereto. The conductor constituting the conductor layer 3 and the conductor layer 4 may be a conductor other than copper, for example, aluminum or an alloy composed of a plurality of metal elements.

また、本実施形態においては、平面視した場合に、共振領域R〜Rの各々は、円形状である。 Further, in the present embodiment , each of the resonance regions R 1 to R 5 has a circular shape when viewed in a plan view.

また、本実施形態においては、共振領域R〜Rの個数nを5個としているが、本発明は、これに限定されない。すなわち、個数nは、2個以上の任意の個数から適宜選択することができる。本実施形態において、個数nは、奇数であるが、偶数であってもよい。 Further, in the present embodiment, the number n of the resonance regions R 1 to R n is set to 5, but the present invention is not limited to this. That is, the number n can be appropriately selected from any number of two or more. In the present embodiment, the number n is an odd number, but may be an even number.

(導体ポスト5iの配置パターン)
ポスト壁導波路1におけるポスト壁5を構成する導体ポスト5iの配置パターンについて、図2の(a)及び(b)を参照して説明する。なお、図2の(b)には、基板2、導体層3,4、及び誘電体層10の図示を省略している。
(Arrangement pattern of conductor post 5i)
The arrangement pattern of the conductor posts 5i constituting the post wall 5 in the post wall waveguide 1 will be described with reference to FIGS. 2A and 2B. In addition, in FIG. 2B, the substrate 2, the conductor layers 3 and 4, and the dielectric layer 10 are not shown.

図2の(a)においては、ポスト壁5を構成する導体ポスト5iの配置パターンを示す。図2の(b)においては、ポスト壁5を仮想的な導体壁として実線で図示している。仮想的な導体壁は、各導体ポスト5iの中心を、円弧又は直線で繋ぐことによって得られる。また、図2の模式図においては、帯状導体8,9も模式的に図示している。 In FIG. 2A, the arrangement pattern of the conductor posts 5i constituting the post wall 5 is shown. In FIG. 2B, the post wall 5 is illustrated by a solid line as a virtual conductor wall. The virtual conductor wall is obtained by connecting the centers of each conductor post 5i with an arc or a straight line. Further, in the schematic diagram of FIG. 2, the band-shaped conductors 8 and 9 are also schematically shown.

導体ポスト5iの配置パターンは、導体層3、導体層4、及びポスト壁5により囲まれた領域が、以下の構成を含むように決められる。 The arrangement pattern of the conductor post 5i is determined so that the region surrounded by the conductor layer 3, the conductor layer 4, and the post wall 5 includes the following configuration.

・励振領域RE1
・結合窓APを介して励振領域RE1と電磁気的に結合された共振領域R
・結合窓APを介して共振領域Rと電磁気的に結合された共振領域R
・結合窓APを介して共振領域Rと電磁気的に結合された共振領域R
・結合窓APを介して共振領域Rと電磁気的に結合された共振領域R
・結合窓APを介して共振領域Rと電磁気的に結合された共振領域R
・結合窓APを介して共振領域Rと電磁気的に結合された励振領域RE2
・ Excitation area RE1 ,
· Coupling window through the AP 1 excitation region R E1 and electromagnetically coupled resonance region R 1,
- via the coupling window AP 2 resonance region R 1 and the electromagnetically coupled resonant region R 2,
· Coupling window AP 3 via the resonance region R 2 and electromagnetically coupled resonant region R 3,
· Coupling window AP 4 through the resonance region R 3 and electromagnetically coupled resonant region R 4,
· Coupling window AP 5 through the resonance region R 4 and electromagnetically coupled resonant region R 5,
-Excitation region R E2 that is electromagnetically coupled to the resonance region R 5 via the coupling window AP 6 .

共振領域R及び共振領域Rの各々は、それぞれ、最初段の共振領域及び最後段の共振領域の一例である。 Each of the resonance region R 1 and the resonance region R 5 is an example of the resonance region of the first stage and the resonance region of the last stage, respectively.

共振領域R〜Rは、平面視した場合に円形状であり、互いに隣接する2つの共振領域(例えば、共振領域Rと共振領域R)の中心間距離は、これら2つの共振領域の半径の和よりも小さくなるように構成されている。互いに隣接する2つの共振領域R,Rを例にすれば、中心Cと中心Cとの距離である中心間距離D12は、D12<r+rを満たす。同様に、図示は省略しているものの、中心間距離D23は、D23<r+rを満たし、中心間距離D34は、D34<r+rを満たし、中心間距離D45は、D45<r+rを満たす。 The resonance regions R 1 to R 5 have a circular shape when viewed in a plan view, and the distance between the centers of two resonance regions (for example, the resonance region R 2 and the resonance region R 3) adjacent to each other is the two resonance regions. It is configured to be smaller than the sum of the radii of. If two resonance regions R 1, R 2 adjacent to each other as an example, center distance D 12 is the distance between the center C 1 and the center C 2 satisfies D 12 <r 1 + r 2 . Similarly, although not shown, the center-to-center distance D 23 satisfies D 23 <r 2 + r 3 , the center-to-center distance D 34 satisfies D 34 <r 3 + r 4 , and the center-to-center distance D 45. Satisfies D 45 <r 4 + r 5 .

このため、互いに隣接する2つの共振領域が結合窓を介して電磁気的に結合する。例えば、互いに隣接する2つの共振領域R,Rが結合窓APを介して電磁気的に結合する。また、共振領域R〜Rは、中心C〜Cを結んだ結果得られる近似曲線が弧を描くように配置されている。 Therefore, the two resonance regions adjacent to each other are electromagnetically coupled via the coupling window. For example, two resonance regions R 2 and R 3 adjacent to each other are electromagnetically coupled via the coupling window AP 3. Further, the resonance regions R 1 to R 5 are arranged so that the approximate curve obtained as a result of connecting the centers C 1 to C 5 draws an arc.

なお、平面視した場合に、励振領域RE1及び励振領域RE2は、本実施形態において直方体状である。 When viewed in a plan view, the excitation region RE1 and the excitation region RE2 have a rectangular parallelepiped shape in the present embodiment.

(励振ピン6,7及びマイクロストリップ線路MS,MS
励振ピン6,7及びマイクロストリップ線路MS1,MS2について、図1〜図3を参照して説明する。上述したように、図1は、ポスト壁導波路1の斜視図であり、図2は、ポスト壁導波路1の平面図及び模式図である。図3は、ポスト壁導波路1の拡大断面図であって、励振ピン6及びマイクロストリップ線路MSの拡大断面図である。図3の拡大断面図は、図2の平面図に示したAA’線に沿った断面であるAA’断面における拡大断面図である。
(Excitation pins 6 and 7 and microstrip lines MS 1 , MS 2 )
Excitation pins 6 and 7 and microstrip lines MS1 and MS2 will be described with reference to FIGS. 1 to 3. As described above, FIG. 1 is a perspective view of the post-wall waveguide 1, and FIG. 2 is a plan view and a schematic view of the post-wall waveguide 1. FIG. 3 is an enlarged cross-sectional view of the post wall waveguide 1, which is an enlarged cross-sectional view of the excitation pin 6 and the microstrip line MS 1 . The enlarged cross-sectional view of FIG. 3 is an enlarged cross-sectional view of the AA'cross section which is a cross section along the AA' line shown in the plan view of FIG.

図3に示すように、第1励振ピンである励振ピン6は、励振領域RE1に含まれる基板2の内部に形成された導体製のブラインドビアであり、上述したように第1励振部の一例である。励振ピン6の一方の端部(z軸正方向側の端部)には、帯状導体8が電気的に接続されている。 As shown in FIG. 3, Drive Pin 6 is a first excitation pin, excitation is formed inside the conductor made of the blind via of the substrate 2 included in the region R E1, the first excitation portion, as described above This is an example. A strip-shaped conductor 8 is electrically connected to one end of the excitation pin 6 (the end on the positive side of the z-axis).

帯状導体8は、導体製の細長い帯状の導体パターンであり、第1帯状導体の一例である。帯状導体8は、マイクロストリップ線路MSの信号線として機能する。x軸正方向側の端部を端部8aと称し、帯状の部分を本体8bと称し、x軸負方向側の端部を端部8cと称する。帯状導体8は、端部8a,8cの各々の幅が本体8bの幅を上回るようにパターニングされている。端部8cは、信号線として機能する帯状導体8に電磁波を給電するための端子として機能する。端部8cには、例えば、上述したようなICの出力端子をバンプなどの導電性接続部材を用いて接続することができる。 The strip-shaped conductor 8 is an elongated strip-shaped conductor pattern made of a conductor, and is an example of a first strip-shaped conductor. The strip conductor 8 functions as a signal line of the microstrip line MS 1. The end on the positive side of the x-axis is referred to as the end 8a, the strip-shaped portion is referred to as the main body 8b, and the end on the negative direction of the x-axis is referred to as the end 8c. The strip-shaped conductor 8 is patterned so that the widths of the ends 8a and 8c each exceed the width of the main body 8b. The end portion 8c functions as a terminal for supplying electromagnetic waves to the band-shaped conductor 8 that functions as a signal line. For example, the output terminal of the IC as described above can be connected to the end portion 8c by using a conductive connecting member such as a bump.

励振ピン6は、基板2の一方の主面であって、導体層3が形成された側(z軸正方向側)の主面から、基板2の内部に至る非貫通孔に導体層を形成する、或いは、この非貫通孔に導体を充填することによって実現されているブラインドビアである。したがって、励振ピン6の他方の端部(z軸負方向側の端部)は、導体層4から離間している。 The excitation pin 6 is one main surface of the substrate 2, and forms a conductor layer in a non-through hole extending from the main surface on the side where the conductor layer 3 is formed (the side in the positive direction of the z-axis) to the inside of the substrate 2. It is a blind via that is realized by filling the non-through hole with a conductor. Therefore, the other end of the excitation pin 6 (the end on the negative side of the z-axis) is separated from the conductor layer 4.

励振領域RE1に対応する導体層3のうち、平面視において励振ピン6を包含する領域には、導体膜を円環状に除去したアンチパッド3c(第1アンチパッドの一例)が形成されている。その結果、導体層3の励振ピン6を包含する領域には、開口3aと、開口3aの内側に残された円形の導体パッド3bとが設けられている。帯状導体8の端部8aは、導体パッド3bを介して励振ピン6と導通している。 Of the conductor layer 3 corresponding to the excitation region RE1 , an anti-pad 3c (an example of the first anti-pad) in which the conductor film is removed in an annular shape is formed in the region including the excitation pin 6 in a plan view. .. As a result, in the region including the excitation pin 6 of the conductor layer 3, an opening 3a and a circular conductor pad 3b left inside the opening 3a are provided. The end portion 8a of the strip-shaped conductor 8 is conducting with the excitation pin 6 via the conductor pad 3b.

このように構成された励振ピン6は、励振領域RE1を励振する。なお、端部8aを起点にして、本体8bを何れの方向に延伸するかは限定されないが、本実施形態においては、励振領域RE1のショート壁と交わるようにx軸負方向に延伸されている。また、本体8bの長さは、端部8cの位置に応じて適宜定めることができる。本実施形態においては、平面視において励振領域RE1の外側に端部8cを設けている。 Thus constituted Drive Pin 6 excites the excitation region R E1. The direction in which the main body 8b is stretched starting from the end portion 8a is not limited, but in the present embodiment, the main body 8b is stretched in the negative direction on the x-axis so as to intersect the short wall of the excitation region RE1. There is. Further, the length of the main body 8b can be appropriately determined according to the position of the end portion 8c. In the present embodiment, it is provided with an end portion 8c outside the excitation region R E1 in a plan view.

図3においては省略しているものの、第2励振ピンの一例である励振ピン7は、励振領域RE2に含まれる基板2の内部に形成された導体製のブラインドビアであり、上述したように第2励振部の一例である。また、帯状導体9は、導体製の細長い帯状の導体パターンであり、第2帯状導体の一例である。帯状導体9は、マイクロストリップ線路MSの信号線として機能する。帯状導体9は、x軸正方向側の端部9aと、本体9bと、x軸負方向側の端部9cとにより構成されている。励振領域RE2に対応する導体層3のうち、平面視において励振ピン7を包含する領域には、導体膜を円環状に除去したアンチパッド(第2アンチパッドの一例)が形成されている。帯状導体9の端部9aは、上述したアンチパッドの内側に残された導体パターンを介して励振ピン7と導通している。 Although omitted in FIG. 3, the excitation pin 7 which is an example of the second excitation pin is a blind via made of a conductor formed inside the substrate 2 included in the excitation region RE2, as described above. This is an example of the second excitation unit. Further, the strip-shaped conductor 9 is an elongated strip-shaped conductor pattern made of a conductor, and is an example of a second strip-shaped conductor. The strip-shaped conductor 9 functions as a signal line of the microstrip line MS 2. The strip-shaped conductor 9 is composed of an end portion 9a on the positive direction side of the x-axis, a main body 9b, and an end portion 9c on the negative direction side of the x-axis. Of the conductor layer 3 corresponding to the excitation region RE2 , an antipad (an example of a second antipad) in which the conductor film is removed in an annular shape is formed in a region including the excitation pin 7 in a plan view. The end portion 9a of the strip-shaped conductor 9 is conducting with the excitation pin 7 via the conductor pattern left inside the anti-pad described above.

励振ピン7及び帯状導体9の各々は、励振領域RE2に形成されている点を除いて、励振ピン6及び帯状導体8の各々と同一に構成されている。したがって、ここでは、励振ピン7及び帯状導体9の説明を省略する。なお、端部9cには、無線通信用のICの入力端子をバンプなどの導電性接続部材を用いて接続することができる。 Each of the excitation pin 7 and the strip-shaped conductor 9 is configured in the same manner as each of the excitation pin 6 and the strip-shaped conductor 8 except that they are formed in the excitation region RE2. Therefore, the description of the excitation pin 7 and the strip-shaped conductor 9 will be omitted here. The input terminal of the IC for wireless communication can be connected to the end portion 9c by using a conductive connecting member such as a bump.

ポスト壁導波路1においては、励振ピン6及び励振ピン7の各々が、それぞれ、励振領域RE1及び励振領域RE2を励振することができる。したがって、マイクロストリップ線路MSと励振領域RE1との間、及び、マイクロストリップ線路MSと励振領域RE2との間で伝送する場合に生じ得る伝送損失を抑制することができる。 In post-wall waveguide 1, each of the excitation pins 6 and Drive Pin 7 may each, exciting the excitation region R E1 and the excitation region R E2. Therefore, it is possible to suppress the transmission loss that may occur when transmitting between the microstrip line MS 1 and the excitation region RE 1 and between the microstrip line MS 2 and the excitation region RE 2.

また、ポスト壁導波路1においては、帯状導体8,9の配線パターンを適宜設計することにより、例えば、端部8cにICの出力端子を接続し、端部9cにICの入力端子を接続することが容易にできる。 Further, in the post wall waveguide 1, by appropriately designing the wiring patterns of the band-shaped conductors 8 and 9, for example, the output terminal of the IC is connected to the end 8c and the input terminal of the IC is connected to the end 9c. Can be done easily.

なお、端部8c,9cを用いてICをポスト壁導波路1に実装する態様については、ポスト壁導波路1の変形例であるポスト壁導波路1A,1Bを用いて後述する(図4参照)。 A mode of mounting the IC on the post-wall waveguide 1 using the ends 8c and 9c will be described later using the post-wall waveguides 1A and 1B, which are modifications of the post-wall waveguide 1 (see FIG. 4). ).

(距離D及び距離D
図2の平面図に示すように、ポスト壁導波路1は、距離Dが距離Dより短くなるように構成されている。距離Dは、励振ピン6の中心Cと、励振ピン7の中心Cとの距離である励振部間距離の一例であり、距離Dは、最初段の共振領域である共振領域Rと、最後段の共振領域である共振領域Rとの中心間距離(すなわち中心Cと中心Cとの距離)の一例である。ただし、本発明の一態様において、距離Dは、距離D以下であればよい。
(Distance DE and Distance D W )
As shown in the plan view of FIG. 2, the post-wall waveguide 1 is configured such that the distance DE is shorter than the distance D W. The distance DE is an example of the distance between the excitation portions, which is the distance between the center C 6 of the excitation pin 6 and the center C 7 of the excitation pin 7, and the distance D W is the resonance region R, which is the resonance region of the first stage. This is an example of the distance between the centers (that is, the distance between the center C 1 and the center C 5 ) between 1 and the resonance region R 5 which is the last resonance region. However, in one aspect of the present invention, the distance DE may be the distance D W or less.

距離D及び距離DがD≦Dという条件を満たすということは、言い換えれば、図2の模式図に示した線分Cをx軸負方向側に延長した半直線Cと、図2の模式図に示した線分Cをx軸負方向側に延長した半直線Cとは、平行であるか、又は、交点を有する。したがって、ポスト壁導波路1においては、非特許文献1に記載のポスト壁導波路と同程度又はそれ以下に距離Dを短くすることができる。 The condition that the distance DE and the distance D W satisfy the condition DE ≤ D W means that the line segment C 1 C 6 shown in the schematic diagram of FIG. 2 is extended in the negative direction of the x-axis. 1 C 6 and the half straight line C 5 C 7 which extends the line segment C 5 C 7 shown in the schematic diagram of FIG. 2 in the negative direction of the x-axis are parallel or have an intersection. Therefore, in the post-wall waveguide 1, the distance DE can be shortened to the same level as or less than that of the post-wall waveguide described in Non-Patent Document 1.

(距離Dの設計変更)
〔発明が解決しようとする課題〕の欄にも記載したように、無線通信用のICの種類が様々であるため、ポスト壁導波路1に様々なICを実装するためには、距離DをICの出力端子と入力端子との距離に応じて設計変更することが求められる。
(Design change of distance DE)
As described in the column of [Problems to be solved by the invention], since there are various types of ICs for wireless communication, in order to mount various ICs on the post-wall waveguide 1, the distance DE It is required to change the design according to the distance between the output terminal and the input terminal of the IC.

上述したように、ポスト壁導波路1において、共振領域R〜Rは、平面視した場合に円形状であり、互いに隣接する2つの共振領域(例えば、共振領域Rと共振領域R)の中心間距離は、これら2つの共振領域の半径の和よりも小さくなるように構成されている。互いに隣接する2つの共振領域R,Rを例にすれば、中心Cと中心Cとの距離である中心間距離D12は、D12<r+rを満たす。同様に、図示は省略しているものの、中心間距離D23は、D23<r+rを満たし、中心間距離D34は、D34<r+rを満たし、中心間距離D45は、D45<r+rを満たす。 As described above, in the post-wall waveguide 1, the resonance regions R 1 to R 5 have a circular shape when viewed in a plan view, and two resonance regions adjacent to each other (for example, the resonance region R 2 and the resonance region R 3). ) Is configured to be smaller than the sum of the radii of these two resonance regions. If two resonance regions R 1, R 2 adjacent to each other as an example, center distance D 12 is the distance between the center C 1 and the center C 2 satisfies D 12 <r 1 + r 2 . Similarly, although not shown, the center-to-center distance D 23 satisfies D 23 <r 2 + r 3 , the center-to-center distance D 34 satisfies D 34 <r 3 + r 4 , and the center-to-center distance D 45. Satisfies D 45 <r 4 + r 5 .

ポスト壁導波路1においては、共振領域R〜Rが平面視した場合に円形状であるため、共振領域R〜Rの各々が互いに重ならないように、かつ、上述した各条件を満たしていれば、共振領域R〜Rの配置を設計及び設計変更する場合に、各中心C〜Cにおける、隣接する共振領域の各々の中心を、又は、隣接する励振ピンと共振領域の各々の中心を結ぶ線とのなす角である角度θ,θ,θ,θ,θを任意に変更することができる。したがって、ポスト壁導波路1においては、距離Dを設計変更した場合であっても、設計変形後の距離Dに応じて、共振領域R〜Rの位置、及び、励振領域RE1,RE2の位置を容易に最適化することができる。 In the post-wall waveguide 1, since the resonance regions R 1 to R 5 have a circular shape when viewed in a plan view, the resonance regions R 1 to R 5 should not overlap each other, and the above-mentioned conditions should be met. If it is satisfied, when the arrangement of the resonance regions R 1 to R 5 is designed and redesigned, the center of each of the adjacent resonance regions in each center C 1 to C 5 or the resonance region with the adjacent excitation pin is satisfied. The angles θ 1 , θ 2 , θ 3 , θ 4 , and θ 5 that form with the line connecting the centers of each of the above can be changed arbitrarily. Therefore, in the post-wall waveguide 1, the distance even when the design change D E, according to the distance D E after design modification, the position of the resonance region R 1 to R 5, and, the excitation region R E1 , it is possible to easily optimize the position of R E2.

(ポスト壁導波路1の主たる効果)
以上のように、ポスト壁導波路1は、非特許文献1に記載のポスト壁導波路と同程度又はそれ以下に距離Dを短くすることができる。そのうえで、ポスト壁導波路1は、距離Dを容易に設計変更することができる。したがって、ポスト壁導波路1は、距離Dを従来よりも長くすることなく、且つ、距離Dを容易に設計変更することができる。
(Main effect of post wall waveguide 1)
As described above, post-wall waveguide 1, it is possible to shorten the post-wall waveguide and equal to or less than a distance D E described in Non-Patent Document 1. Sonouede, post-wall waveguide 1, the distance D E can easily change the design. Therefore, in the post-wall waveguide 1, the distance DE can be easily redesigned without making the distance DE longer than before.

〔第1の変形例及び第2の変形例〕
図4の(a)及び(b)の各々は、それぞれ、ポスト壁導波路1Aの模式図及びポスト壁導波路1Bの模式図である。ポスト壁導波路1Aは、ポスト壁導波路1の第1の変形例であり、ポスト壁導波路1Bは、ポスト壁導波路1の第2の変形例である。なお、図4においては、励振ピン6,7が点で示されている。そのため、図4には、励振ピンを示す符号「6」及び「7」を図示せず、中心を示す符号「C」及び「C」のみを図示している。また、図4の(a)及び(b)においては、帯状導体8の端部8a及び端部8c、並びに、帯状導体9の端部9a及び端部9cの符号の図示を省略している。また、図4の(a)及び(b)においては、ポスト壁5の形状及び配置を分かりやすくするために、IC11を仮想線(二点鎖線)にて示している。
[First modification and second modification]
Each of (a) and (b) of FIG. 4 is a schematic view of a post-wall waveguide 1A and a schematic view of a post-wall waveguide 1B, respectively. The post-wall waveguide 1A is a first modification of the post-wall waveguide 1, and the post-wall waveguide 1B is a second modification of the post-wall waveguide 1. In FIG. 4, the excitation pins 6 and 7 are indicated by dots. Therefore, in FIG. 4, the reference numerals “6” and “7” indicating the excitation pins are not shown, and only the reference numerals “C 6 ” and “C 7 ” indicating the center are shown. Further, in FIGS. 4A and 4B, the reference numerals of the end portion 8a and the end portion 8c of the strip-shaped conductor 8 and the end portions 9a and the end portion 9c of the strip-shaped conductor 9 are omitted. Further, in FIGS. 4A and 4B, the IC 11 is shown by a virtual line (dashed line) in order to make the shape and arrangement of the post wall 5 easy to understand.

ポスト壁導波路1Aは、ポスト壁導波路1と比較して、距離Dが広げられている。そのうえで、最初段の共振領域である共振領域Rと最後段の共振領域である共振領域Rとの間に励振領域RE2が配置されている。したがって、励振ピン7も共振領域Rと共振領域Rとの間に位置する。 The distance D W of the post-wall waveguide 1A is wider than that of the post-wall waveguide 1. On top of that, the excitation region R E2 is arranged between the resonance region R 1 which is the resonance region of the first stage and the resonance region R 5 which is the resonance region of the last stage. Accordingly, the excitation pins 7 are also positioned between the resonance region R 1 and the resonance region R 5.

ポスト壁導波路1Aによれば、ポスト壁導波路1及び非特許文献1に記載のポスト壁導波路と比較して、距離Dを更に短くすることができる。 According to the post-wall waveguide 1A, the distance DE can be further shortened as compared with the post-wall waveguide 1 and the post-wall waveguide described in Non-Patent Document 1.

なお、ポスト壁導波路1Aにおいては、励振ピン7を含む励振領域RE2のみを共振領域Rと共振領域Rとの間に配置している。しかし、本発明の一態様においては、励振ピン6を含む励振領域RE1及び励振領域RE2の両方を共振領域Rと共振領域Rとの間に配置してもよい。この構成によれば、距離Dをより一層短くすることができる。 In the post-wall waveguide 1A, it is disposed between the only excitation region R E2 comprising an excitation pin 7 and the resonance region R 1 and the resonance region R 5. However, in one aspect of the present invention, both the excitation region R E1 and the excitation region R E2 including an excitation pin 6 may be disposed between the resonance region R 1 and the resonance region R 5. According to this configuration, the distance DE can be further shortened.

また、図4に示した態様においては、ポスト壁導波路1Aの表面に(誘電体層10の表面の上に)IC11を実装している。具体的には、IC11の出力端子11aを端部8cに電気的に接続し、IC11の入力端子11bを端部9cに電気的に接続している。これらの電気的な接続には、例えばバンプや半田などの導電性接続部材を利用することができる。 Further, in the embodiment shown in FIG. 4, the IC 11 is mounted on the surface of the post wall waveguide 1A (on the surface of the dielectric layer 10). Specifically, the output terminal 11a of the IC 11 is electrically connected to the end 8c, and the input terminal 11b of the IC 11 is electrically connected to the end 9c. Conductive connecting members such as bumps and solders can be used for these electrical connections.

上述したように、ポスト壁導波路1Aによれば、励振ピン7が共振領域Rと共振領域Rとの間に位置するため、励振ピン7が共振領域Rと共振領域Rとの間に位置しない場合と比較して、距離Dを短くでき、結果として、帯状導体8を含むマイクロストリップ線路MS及び帯状導体9を含むマイクロストリップ線路MSの長さを短くすることができる。 As described above, according to the post-wall waveguide 1A, since the excitation pin 7 is located between the resonance region R 1 and the resonance region R 5 , the excitation pin 7 is located between the resonance region R 1 and the resonance region R 5 . The distance DE can be shortened as compared with the case where it is not located in between, and as a result, the lengths of the microstrip line MS 1 including the band conductor 8 and the microstrip line MS 2 including the band conductor 9 can be shortened. ..

マイクロストリップ線路MS,MSを含む二導体線路における伝送損失は、ポスト壁導波路における伝送損失よりも高い場合が多い。したがって、ポスト壁導波路1Aは、IC11を実装した場合の伝送損失を抑制することができる。 The transmission loss in a two-conductor line including the microstrip lines MS 1 and MS 2 is often higher than the transmission loss in a post-wall waveguide. Therefore, the post wall waveguide 1A can suppress the transmission loss when the IC 11 is mounted.

また、複数の共振領域R〜Rを電磁気的に結合することによりフィルタ機能を実現したポスト壁導波路は、集積回路内部に作り込んだフィルタ回路よりも無負荷Qが高いため、良好なフィルタ特性を示す。ICを実装したポスト壁導波路1Aによれば、IC11において処理する高周波信号をフィルタリング処理することが求められている場合に、フィルタ回路ではなくフィルタ機能を有するポスト壁導波路1Aを用いることができる。そのため、フィルタ回路を用いたフィルタモジュールと比較して、良好な高周波信号を得ることができる。 Further, the post-wall waveguide that realizes the filter function by electromagnetically coupling a plurality of resonance regions R 1 to R n is good because the no-load Q is higher than that of the filter circuit built in the integrated circuit. Shows the filter characteristics. According to the post-wall waveguide 1A on which the IC is mounted, when the high-frequency signal to be processed in the IC 11 is required to be filtered, the post-wall waveguide 1A having a filter function can be used instead of the filter circuit. .. Therefore, a good high frequency signal can be obtained as compared with a filter module using a filter circuit.

なお、ポスト壁導波路1Aと、IC11とを備えたフィルタモジュールも本発明の範疇に含まれる。 A filter module including a post-wall waveguide 1A and an IC 11 is also included in the scope of the present invention.

また、平面視した場合に、IC11は、その一部が励振領域RE1、共振領域R、共振領域R、及び共振領域Rに重なっている。このように、本発明の一態様において、平面視した場合に、IC11は、少なくとも一部が共振領域R〜R、及び励振領域RE1,RE2の少なくとも一部に重なるように、導体層3及び誘電体層10の上に実装されていることが好ましい。 Further, when viewed in a plan view, a part of the IC 11 overlaps the excitation region R E1 , the resonance region R 1 , the resonance region R 2 , and the resonance region R 3. In this way, an aspect of the present invention, when viewed in plan, IC 11, as at least partially overlap at least a portion of the resonance region R 1 to R 5, and the excitation region R E1, R E2, conductor It is preferably mounted on the layer 3 and the dielectric layer 10.

この構成によれば、ポスト壁導波路1Aと、IC11とを備えたフィルタモジュールを小型化することができる。 According to this configuration, the filter module including the post wall waveguide 1A and the IC 11 can be miniaturized.

また、ポスト壁導波路1Aにおいては、帯状導体8を直線状ではなく、屈曲させることによって、帯状状態8と励振領域RE1のショート壁との成す角度θを45度未満に設定している。このように、帯状導体8の形状を変更することによって、角度θを任意に設計変更することができる。角度θは、45度未満であることが好ましい。 In the post-wall waveguide 1A, rather than a straight strip-shaped conductor 8, by bending, and sets the angle theta 8 formed of a strip state 8 the short wall of the excitation region R E1 below 45 degrees .. By changing the shape of the strip-shaped conductor 8 in this way, the design of the angle θ 8 can be arbitrarily changed. The angle θ 8 is preferably less than 45 degrees.

また、ポスト壁導波路1Aにおいては、帯状状態8と励振領域RE1のショート壁との成す角度θを45度未満に設定しているが、帯状状態9と励振領域RE2のショート壁との成す角度を45度未満に設定してもよいし、角度θ及び帯状状態9と励振領域RE2のショート壁との成す角度の両方を45度未満に設定してもよい。 Further, in the post-wall waveguide 1A, the angle θ 8 formed by the band-shaped state 8 and the short wall of the excitation region R E1 is set to less than 45 degrees, but the band-shaped state 9 and the short wall of the excitation region R E2 are set to be less than 45 degrees. The angle formed by the two may be set to less than 45 degrees, or both the angle θ 8 and the angle formed by the band-shaped state 9 and the short wall of the excitation region RE2 may be set to less than 45 degrees.

また、ポスト壁導波路1及びポスト壁導波路1Aは、何れも5個の共振領域R〜Rを備えているが、複数の共振領域R〜Rの個数nは、任意に設計することができる。例えば、ポスト壁導波路1Bのように個数nは、n=3であってもよいし、偶数であってもよい。 Furthermore, post-wall waveguide 1 and post-wall waveguide 1A are invariably includes five resonance regions R 1 to R 5, the number n of the plurality of resonance regions R 1 to R n are optionally designed can do. For example, as in the post wall waveguide 1B, the number n may be n = 3 or may be an even number.

〔第3の変形例〕
図5は、ポスト壁導波路1の第3の変形例であるポスト壁導波路1Cの拡大平面図であって、ポスト壁導波路1Cが備えている開口3d及び帯状導体8の拡大平面図である。図6は、ポスト壁導波路1Cの拡大断面図であって、開口3d及び帯状導体8の拡大断面図である。図6の拡大断面図は、図5の平面図に示したBB’線に沿った断面であるBB’断面における拡大断面図である。
[Third variant]
FIG. 5 is an enlarged plan view of the post wall waveguide 1C, which is a third modification of the post wall waveguide 1, and is an enlarged plan view of the opening 3d and the strip conductor 8 provided in the post wall waveguide 1C. be. FIG. 6 is an enlarged cross-sectional view of the post wall waveguide 1C, which is an enlarged cross-sectional view of the opening 3d and the strip-shaped conductor 8. The enlarged cross-sectional view of FIG. 6 is an enlarged cross-sectional view of the BB'cross section which is a cross section along the BB' line shown in the plan view of FIG.

ポスト壁導波路1Cは、図1、図2、及び図3に示したポスト壁導波路1をベースにして、ポスト壁導波路1が備えていた励振ピン6及び帯状導体8を、図5及び図6に示した開口3d及び帯状導体8に置き換えるとともに、ポスト壁導波路1が備えていた励振ピン7及び帯状導体9を、図5及び図6に示した開口3d及び帯状導体8と同一の構成に置き換えることによって得られる。したがって、本変形例では、図5及び図6を参照して、ポスト壁導波路1Cにおける第1励振部の一例について説明し、該第1の励振部と同一に構成されている第2励振部の一例については、その説明を省略する。 The post-wall waveguide 1C is based on the post-wall waveguide 1 shown in FIGS. 1, 2, and 3, and includes the excitation pin 6 and the strip-shaped conductor 8 provided in the post-wall waveguide 1 in FIGS. 5 and 5. While replacing the opening 3d and the strip conductor 8 shown in FIG. 6, the excitation pin 7 and the strip conductor 9 provided in the post wall waveguide 1 are the same as the opening 3d and the strip conductor 8 shown in FIGS. 5 and 6. Obtained by replacing with a configuration. Therefore, in this modification, an example of the first excitation unit in the post-wall waveguide 1C will be described with reference to FIGS. 5 and 6, and the second excitation unit configured in the same manner as the first excitation unit will be described. The description of one example will be omitted.

図5に示すように、ポスト壁導波路1Cは、ポスト壁導波路1と同様に、基板2と、導体層3,4と、ポスト壁5と、帯状導体8とを備えており、更に、一方の主面に帯状導体8が形成された誘電体製の基板15と、基板15の他方の主面に形成された導体層17と、導体層3と導体層17とを短絡するとともに接合する半田18とを備えている。なお、ポスト壁導波路1Cは、ポスト壁導波路1が備えている誘電体層10を備えていない。 As shown in FIG. 5, the post-wall waveguide 1C includes a substrate 2, conductor layers 3 and 4, a post wall 5, and a strip-shaped conductor 8 in the same manner as the post-wall waveguide 1. A dielectric substrate 15 having a strip-shaped conductor 8 formed on one main surface, a conductor layer 17 formed on the other main surface of the substrate 15, and a conductor layer 3 and a conductor layer 17 are short-circuited and joined. It includes a solder 18. The post-wall waveguide 1C does not include the dielectric layer 10 provided in the post-wall waveguide 1.

基板15を構成する誘電体は、例えば、バンドパスフィルタとして機能するポスト壁導波路1Cの通過帯域の中心周波数などに応じて、マイクロストリップ線路の基板として採用した場合に伝送損失を抑制することが可能な誘電体から適宜選択することができる。 The dielectric constituting the substrate 15 can suppress transmission loss when used as a substrate for a microstrip line, for example, depending on the center frequency of the pass band of the post-wall waveguide 1C functioning as a bandpass filter. It can be appropriately selected from possible dielectrics.

また、市販されている実装基板(例えば、Megtron6(登録商標)やRogers RT/duroid(登録商標)5880など)の基板部分を基板15として利用することもできる。この場合、実装基板の互いに対向する一対の主面のうち、一方の主面である導体層をパターニングすることによって後述する帯状導体8を形成し、実装基板の他方の主面である導体層をパターニングすることによって後述する導体層17を形成することができる。 Further, a substrate portion of a commercially available mounting substrate (for example, Megatron 6 (registered trademark) or Rogers RT / duroid (registered trademark) 5880) can be used as the substrate 15. In this case, of the pair of main surfaces of the mounting substrate facing each other, the conductor layer which is one of the main surfaces is patterned to form the strip-shaped conductor 8 described later, and the conductor layer which is the other main surface of the mounting substrate is formed. By patterning, the conductor layer 17 described later can be formed.

ポスト壁導波路1Cにおいては、導体層3のうち、励振領域RE1に対応する部分に、第1開口の一例である開口3dが形成されている。開口3dは、平面視において長方形状であり、その長辺がポスト壁5のショート壁に対して平行又は略平行となるように形成されている。開口3dにおける長辺及び短辺の長さ、及び、上記ショート壁と開口3dとの間隔は、限定されるものではなく、適宜設計することができる。 In post-wall waveguide 1C, of the conductor layer 3, a portion corresponding to the excitation region R E1, opening 3d is formed as an example of the first opening. The opening 3d has a rectangular shape in a plan view, and is formed so that its long side is parallel to or substantially parallel to the short wall of the post wall 5. The lengths of the long and short sides of the opening 3d and the distance between the short wall and the opening 3d are not limited and can be appropriately designed.

第1帯状導体の一例である帯状導体8は、基板15の一方の主面(図5においては、導体層3から遠い側の主面でありz軸正方向側の主面)に形成された長方形状の導体パターンであり、導体層3とは離間して設けられている。帯状導体8は、平面視において、本体8bの延伸されている方向(長辺に沿った方向)が上記ショート壁と交わるように(本変形例においては直交するように)、且つ、一部が開口3dの一部と重畳するように、基板15の一方の主面に形成されている。本変形例においては、帯状導体8のうち開口3dの一部と重畳する領域を領域8aと称する。領域8aは、第1励振部の一例である。 The band-shaped conductor 8 which is an example of the first band-shaped conductor is formed on one main surface of the substrate 15 (in FIG. 5, the main surface on the side far from the conductor layer 3 and the main surface on the z-axis positive direction side). It is a rectangular conductor pattern, and is provided apart from the conductor layer 3. In the plan view, the strip-shaped conductor 8 is provided so that the extending direction (direction along the long side) of the main body 8b intersects the short wall (so that it is orthogonal to the short wall in this modification) and a part thereof. It is formed on one main surface of the substrate 15 so as to overlap a part of the opening 3d. In this modification, the region of the strip-shaped conductor 8 that overlaps with a part of the opening 3d is referred to as a region 8a. Region 8a is an example of the first excitation unit.

帯状導体8は、導体層17及び導体層3とともに、マイクロストリップ線路MSを構成し、マイクロストリップ線路MSの信号線として機能する。帯状導体8の幅及び長さは、限定されるものではなく、適宜設計することができる。 The band-shaped conductor 8 constitutes the microstrip line MS 1 together with the conductor layer 17 and the conductor layer 3, and functions as a signal line of the microstrip line MS 1. The width and length of the strip conductor 8 are not limited, and can be appropriately designed.

図5に示したように、本変形例において、帯状導体8は、長方形状である。ただし、帯状導体8は、少なくとも開口3dと平面視において領域8aの近傍が帯状であればよく、開口3dから遠い側の端部8cの近傍は、如何なる形状にパターニングされていてもよい。3dから遠い側の端部には、ポスト壁導波路1の場合と同様に、ICの出力端子をバンプなどの導電性接続部材を用いて接続することができる。 As shown in FIG. 5, in this modified example, the strip-shaped conductor 8 has a rectangular shape. However, the strip-shaped conductor 8 may have at least a strip-shaped vicinity of the opening 3d and the region 8a in a plan view, and the vicinity of the end portion 8c on the side far from the opening 3d may be patterned in any shape. As in the case of the post wall waveguide 1, the output terminal of the IC can be connected to the end on the side far from 3d by using a conductive connecting member such as a bump.

なお、上述したように、第2励振部は、第1励振部と同一に構成されている。すなわち、導体層3の励振領域RE2に対応する部分には、開口3dと同一な第2開口が形成されている。帯状導体8と同一に構成された第2帯状導体は、導体層3とは離間して設けられており、平面視した場合に、その一部が上記第2開口の一部と重畳している。上記第2帯状導体のうち上記第2開口と重畳している部分は、第2励振部の一例である。また、第2帯状導体は、導体層17及び導体層3とともに、マイクロストリップ線路MSを構成し、マイクロストリップ線路MSの信号線として機能する。 As described above, the second excitation unit has the same configuration as the first excitation unit. That is, the portion corresponding to the excitation region R E2 of the conductor layer 3, an opening 3d and identical second opening is formed. The second strip-shaped conductor, which is configured to be the same as the strip-shaped conductor 8, is provided apart from the conductor layer 3, and when viewed in a plan view, a part thereof overlaps with a part of the second opening. .. The portion of the second strip-shaped conductor that overlaps with the second opening is an example of the second excitation portion. Further, the second band-shaped conductor constitutes the microstrip line MS 2 together with the conductor layer 17 and the conductor layer 3, and functions as a signal line of the microstrip line MS 2.

ポスト壁導波路1Cによれば、第1帯状導体(本変形例では帯状導体8)及び第2帯状導体の各々が、それぞれ、励振ピン6,7を用いることなく、基板2の励振領域RE1,RE2を励振することができる。したがって、第1帯状導体及び第2帯状導体の各々が、それぞれ、励振領域RE1,RE2に対して励振ピン6,7を介して固定されていないため、環境温度の変化に起因する伝送不良を生じにくい。 According to the post-wall waveguide 1C, (in the present modification strip conductor 8) first strip conductor each and the second strip conductor, respectively, without using the excitation pins 6 and 7, the excitation of the substrate 2 region R E1 , RE2 can be excited. Therefore, transmission failure each of the first strip conductor and the second strip conductor are each for excitation region R E1, R E2 is not fixed through the excitation pins 6 and 7 with respect, due to changes in environmental temperature Is unlikely to occur.

<第4の変形例>
図7は、ポスト壁導波路1の第4の変形例であるポスト壁導波路1Dの拡大平面図であって、ポスト壁導波路1Dが備えている開口3d及び帯状導体8Dの拡大平面図である。ポスト壁導波路1Dは、ポスト壁導波路1Cの変形例でもある。第4の変形例においては、ポスト壁導波路1Dにおけるポスト壁導波路1Cからの変更点について説明する。
<Fourth modification>
FIG. 7 is an enlarged plan view of the post wall waveguide 1D, which is a fourth modification of the post wall waveguide 1, and is an enlarged plan view of the opening 3d and the strip conductor 8D provided in the post wall waveguide 1D. be. The post-wall waveguide 1D is also a modification of the post-wall waveguide 1C. In the fourth modification, the changes from the post-wall waveguide 1C in the post-wall waveguide 1D will be described.

なお、第4の変形例においては、図7に示すように、ポスト壁5を構成する一対の狭壁の各々を、それぞれ、狭壁5a及び狭壁5bと称し、ポスト壁5を構成するショート壁をショート壁5cと称する。図7に示すように、励振領域RE1において、狭壁5aと狭壁5bとは、平行である。また、図示は省略するが、励振領域RE2においても、一対の狭壁同士は、平行である。 In the fourth modification, as shown in FIG. 7, each of the pair of narrow walls constituting the post wall 5 is referred to as a narrow wall 5a and a narrow wall 5b, respectively, and a short circuit constituting the post wall 5 is formed. The wall is referred to as a short wall 5c. As shown in FIG. 7, in the excitation region R E1, the Semakabe 5a and Semakabe 5b, parallel. Further, although not shown, the pair of narrow walls are parallel to each other even in the excitation region RE2.

ポスト壁導波路1Dは、ポスト壁導波路1Cをベースにして、帯状導体8を帯状導体8Dに置き換えるとともに、帯状導体9に対応する帯状導体であって、帯状導体8と同一に構成された帯状導体を、帯状導体8Dに対応する構成に置き換えることによって得られる。ポスト壁導波路1Dにおける帯状導体9に対応する帯状導体であって帯状導体8Dに対応する構成は、狭壁5bを構成する各導体ポスト5iの中心軸を含む平面を対称面として、帯状導体8Dと鏡映対称になるように構成されている。なお、第4の変形例においては、励振領域RE1を励振する帯状導体8Dを用いてポスト壁導波路1Dについて説明する。 The post-wall waveguide 1D is based on the post-wall waveguide 1C, replaces the strip-shaped conductor 8 with the strip-shaped conductor 8D, and is a strip-shaped conductor corresponding to the strip-shaped conductor 9, which is configured in the same manner as the strip-shaped conductor 8. It is obtained by replacing the conductor with a configuration corresponding to the strip conductor 8D. The strip-shaped conductor corresponding to the strip-shaped conductor 9 in the post-wall waveguide 1D and the configuration corresponding to the strip-shaped conductor 8D has the strip-shaped conductor 8D with the plane including the central axis of each conductor post 5i constituting the narrow wall 5b as a plane of symmetry. It is configured to be mirror-symmetrical. In the fourth modified example will be described post-wall waveguide 1D using strip conductor 8D exciting the excitation region R E1.

帯状導体8Dは、帯状導体8と同様に形成された長方形状の導体パターンである。帯状導体8Dの端部8Da,8Dcは、帯状導体8の端部8a,8cに対応し、帯状導体8Dの本体8Dbは、帯状導体8の本体8bに対応する。帯状導体8Dは、帯状導体8と比較して、基板2の一方の主面上における位置が異なっている。具体的には、基板2の一方の主面を平面視した場合に、帯状導体8は、ポスト壁導波路1Dにおける励振領域RE1の長手方向(電磁波が伝送される方向)に平行な直線であって、ポスト壁導波路1Dにおける励振領域RE1の幅W1を二等分する点の集合である直線であるB−B’線にその中心軸が一致するように配置されている。一方、帯状導体8Dは、基板2の一方の主面を平面視した場合に、B−B’線からギャップΔGだけ平行にずれて配置されている。図7においては、帯状導体8Dの中心軸と一致する直線をC−C’線で示している。 The strip-shaped conductor 8D is a rectangular conductor pattern formed in the same manner as the strip-shaped conductor 8. The end portions 8Da and 8Dc of the strip-shaped conductor 8D correspond to the ends 8a and 8c of the strip-shaped conductor 8, and the main body 8Db of the strip-shaped conductor 8D corresponds to the main body 8b of the strip-shaped conductor 8. The strip-shaped conductor 8D is different in position on one main surface of the substrate 2 as compared with the strip-shaped conductor 8. Specifically, in plan view of the one main surface of the substrate 2, the strip conductor 8, a straight line parallel to the longitudinal direction (direction in which electromagnetic waves are transmitted) in the excitation region R E1 in the post-wall waveguide 1D there are, are arranged such post-wall waveguide 1D its central axis line B-B 'of the width W1 is linear, which is a set of bisecting points of the excitation region R E1 in match. On the other hand, the strip-shaped conductor 8D is arranged so as to be displaced in parallel by the gap ΔG from the BB'line when one main surface of the substrate 2 is viewed in a plan view. In FIG. 7, a straight line that coincides with the central axis of the strip-shaped conductor 8D is shown by the CC'line.

このように、帯状導体8Dの中心軸をB−B’線からずらして設けることができることによって、ポスト壁導波路1Dは、帯状導体8Dを配置する場合の自由度を高めることができる。 As described above, since the central axis of the band-shaped conductor 8D can be provided so as to be offset from the BB'line, the post-wall waveguide 1D can increase the degree of freedom when arranging the band-shaped conductor 8D.

<第1の実施例群>
本発明の第1の実施例群であり、図7に示したポスト壁導波路1Dの実施例群について、図8及び図9を参照して説明する。図8は、第1の実施例群の各ポスト壁導波路1DのSパラメータS(1,1)の周波数依存性(以下において、反射特性と称する)を示すグラフである。図9は、第1の実施例群の各ポスト壁導波路1DのSパラメータS(2,1)の周波数依存性(以下において、透過特性と称する)を示すグラフである。なお、第1の実施例群においては、帯状導体8Dの端部8Dcを第1ポートとし、励振領域RE1のx軸正方向側の端部を第2ポートとして、SパラメータS(1,1)及びSパラメータS(2,1)をシミュレーションした。
<First Example Group>
The first embodiment group of the present invention, and the example group of the post-wall waveguide 1D shown in FIG. 7, will be described with reference to FIGS. 8 and 9. FIG. 8 is a graph showing the frequency dependence (hereinafter, referred to as reflection characteristic) of the S parameter S (1,1) of each post-wall waveguide 1D of the first embodiment group. FIG. 9 is a graph showing the frequency dependence (hereinafter, referred to as transmission characteristic) of the S parameter S (2, 1) of each post-wall waveguide 1D of the first embodiment group. In the first embodiment group, the end 8Dc strip conductor 8D as a first port, the ends of the x-axis positive direction side of the excitation region R E1 as a second port, S parameter S (1, 1 ) And S-parameters S (2, 1) were simulated.

第1の実施例群のポスト壁導波路1Dは、図7に示したポスト壁導波路1Dにおいて、28GHz帯を含む動作帯域を実現することを目指し、以下の設計パラメータを採用した。第1の実施例群のポスト壁導波路1Dの各々は、ギャップΔGを0μm以上900μm以下の範囲内で変化させることによって得られる。 In the post-wall waveguide 1D of the first embodiment group, the following design parameters were adopted with the aim of realizing an operating band including the 28 GHz band in the post-wall waveguide 1D shown in FIG. 7. Each of the post-wall waveguides 1D of the first example group is obtained by changing the gap ΔG within a range of 0 μm or more and 900 μm or less.

(設計パラメータ)
・基板2:石英製(T11=0.86mm)
・W1=4mm
・基板15:Megtron6(登録商標)(T15=100μm)
・導体層3,4:銅製(厚さ10μm)
・導体層17:銅製(厚さ18μm)
・開口3d:長辺の長さ=3.2mm、短辺の長さ=400μm、ショート壁5cとの間隔=100μm
・帯状導体8D:銅製(厚さ18μm)、幅=200μm、ΔG=0,100,200,300,400,500,600,700,800,900μm
・半田18:厚さ=30μm
図8を参照すれば、第1の実施例群のポスト壁導波路1Dにおいて、(1)ギャップΔGが0μm以上500μm以下である場合、27GHz以上29.5GHz以下の動作帯域においてSパラメータS(1,1)が−20dBを下回り、(2)ギャップΔGが600μmである場合、上記動作帯域の一部においてSパラメータS(1,1)が−20dBを上回り、(3)ギャップΔGが700μm以上900μm以下である場合、上記動作帯域においてSパラメータS(1,1)が−20dBを上回ることが分かった。
(Design parameters)
-Substrate 2: Made of quartz (T11 = 0.86 mm)
・ W1 = 4mm
Substrate 15: Megatron6 (registered trademark) (T15 = 100 μm)
-Conductor layers 3 and 4: Made of copper (thickness 10 μm)
-Conductor layer 17: Made of copper (thickness 18 μm)
Aperture 3d: length of long side = 3.2 mm, length of short side = 400 μm, distance from short wall 5c = 100 μm
-Strip conductor 8D: Copper (thickness 18 μm), width = 200 μm, ΔG = 0,100,200,300,400,500,600,700,800,900 μm
-Solder 18: Thickness = 30 μm
Referring to FIG. 8, in the post-wall waveguide 1D of the first embodiment group, (1) when the gap ΔG is 0 μm or more and 500 μm or less, the S parameter S (1) in the operating band of 27 GHz or more and 29.5 GHz or less. , 1) is below -20 dB, (2) when the gap ΔG is 600 μm, the S parameter S (1,1) exceeds -20 dB in a part of the above operating band, and (3) the gap ΔG is 700 μm or more and 900 μm. In the following cases, it was found that the S parameter S (1,1) exceeds -20 dB in the above operating band.

また、図9を参照すれば、第1の実施例群のポスト壁導波路1Dにおいて、(4)ギャップΔGが0μm以上800μm以下である場合、上記動作帯域においてSパラメータS(2,1)が−0.5dBを上回り、(5)ギャップΔGが900μmである場合、上記動作帯域においてSパラメータS(2,1)が−0.5dBを下回ることが分かった。 Further, referring to FIG. 9, in the post-wall waveguide 1D of the first embodiment group, (4) when the gap ΔG is 0 μm or more and 800 μm or less, the S parameter S (2, 1) is set in the above operating band. It was found that when the value exceeds −0.5 dB and (5) the gap ΔG is 900 μm, the S parameter S (2,1) is less than −0.5 dB in the above operating band.

以上の結果から、第1の実施例群のポスト壁導波路1Dは、上記動作帯域において良好な性能を示すために、ギャップΔGとして0μm以上500μm以下の範囲内に含まれる値を採用することが好ましいことが分かった。 From the above results, the post-wall waveguide 1D of the first embodiment group may adopt a value included in the range of 0 μm or more and 500 μm or less as the gap ΔG in order to show good performance in the above operating band. It turned out to be preferable.

<第5の変形例>
図10は、ポスト壁導波路1の第5の変形例であるポスト壁導波路1Eの拡大平面図であって、ポスト壁導波路1Eが備えている開口3dE及び帯状導体8Eの拡大平面図である。ポスト壁導波路1Eは、ポスト壁導波路1Dの変形例でもある。第5の変形例においては、ポスト壁導波路1Eにおけるポスト壁導波路1Dからの変更点について説明する。
<Fifth variant>
FIG. 10 is an enlarged plan view of the post wall waveguide 1E, which is a fifth modification of the post wall waveguide 1, and is an enlarged plan view of the opening 3dE and the strip conductor 8E provided in the post wall waveguide 1E. be. The post-wall waveguide 1E is also a modification of the post-wall waveguide 1D. In the fifth modification, the changes from the post-wall waveguide 1D in the post-wall waveguide 1E will be described.

ポスト壁導波路1Eは、ポスト壁導波路1Dをベースにして、開口3dを開口3dEに置換することによって得られる。なお、ポスト壁導波路1Eが備えている帯状導体8Eは、ポスト壁導波路1Dが備えている帯状導体8Dと同一に構成されている。帯状導体8Eの端部8Ea,8Ecは、帯状導体8Dの端部8Da,8Dcに対応し、帯状導体8Eの本体8Ebは、帯状導体8Dの本体8Dbに対応する。 The post-wall waveguide 1E is obtained by replacing the opening 3d with an opening 3dE based on the post-wall waveguide 1D. The strip-shaped conductor 8E included in the post-wall waveguide 1E is configured to be the same as the strip-shaped conductor 8D included in the post-wall waveguide 1D. The ends 8Ea and 8Ec of the strip conductor 8E correspond to the ends 8Da and 8Dc of the strip conductor 8D, and the main body 8Eb of the strip conductor 8E corresponds to the main body 8Db of the strip conductor 8D.

開口3dEは、開口3dと同様にポスト壁導波路1Eの一方の広壁を構成する導体層3に設けられた開口であるが、その形状が開口3dとは異なる。具体的には、基板2の一方の主面を平面視した場合に、開口3dの形状は、長辺がショート壁5cに平行であり、短辺が狭壁5a,5bに平行である長方形状である(図7参照)。一方、開口3dEの形状は、開口3dにおける一対の短辺の各々に対応する部分を一対の底(上底及び下底)とする等脚台形状である。なお、開口3dEの形状は、少なくとも台形状であればよく、等脚台形であることが好ましい。 The opening 3dE is an opening provided in the conductor layer 3 forming one wide wall of the post wall waveguide 1E like the opening 3d, but its shape is different from that of the opening 3d. Specifically, when one main surface of the substrate 2 is viewed in a plan view, the shape of the opening 3d is a rectangular shape in which the long side is parallel to the short wall 5c and the short side is parallel to the narrow walls 5a and 5b. (See FIG. 7). On the other hand, the shape of the opening 3dE is an isosceles trapezoidal shape in which the portion corresponding to each of the pair of short sides in the opening 3d is a pair of bases (upper base and lower base). The shape of the opening 3dE may be at least trapezoidal, and is preferably an isosceles trapezoidal shape.

以下において、開口3dEの幅(短辺に沿った長さ)の最小値(すなわち図10に示した配置における上底の長さ)を幅Waと呼び、開口3dEの幅の最大値(すなわち図10に示した配置における下底の長さ)を幅Wbと呼ぶ。 In the following, the minimum value of the width (length along the short side) of the opening 3dE (that is, the length of the upper base in the arrangement shown in FIG. 10) is referred to as the width Wa, and the maximum value of the width of the opening 3dE (that is, the figure). The length of the lower base in the arrangement shown in 10) is called the width Wb.

ポスト壁導波路1Eの幅W1を二等分する点の集合であるB−B’線を境界として、2つに分けられるポスト壁導波路1Eの領域のうち、(1)帯状導体8Eの中心軸(C−C’線ともいえる)が配置されている側の領域(図10に示した配置における下側の領域)を第1の領域と称し、(2)帯状導体8Eの中心軸が配置されていない側の領域(図10に示した配置における上側の領域)を第2の領域と称する。開口3dEは、一対の底のうち、長い方の底が上記第1の領域に位置し、短い方の底が上記第2の領域に位置するように、導体層3に形成されている。別の言い方をすれば、帯状導体8Eの中心軸から上底までの距離が、該中心軸から下底までの距離を上回る。なお、図10に示した配置において、上底は、一対の底のうち長さが短い底であり、下底は、一対の底のうち長さが長い底である。 (1) The center of the strip-shaped conductor 8E in the region of the post-wall conductor 1E divided into two with the BB'line, which is a set of points that bisect the width W1 of the post-wall waveguide 1E, as a boundary. The area on the side where the axis (which can be said to be the CC'line) is arranged (the lower area in the arrangement shown in FIG. 10) is referred to as the first area, and (2) the central axis of the strip conductor 8E is arranged. The area on the non-existing side (the upper area in the arrangement shown in FIG. 10) is referred to as a second area. The opening 3dE is formed in the conductor layer 3 so that the longer bottom of the pair of bottoms is located in the first region and the shorter bottom is located in the second region. In other words, the distance from the central axis of the strip conductor 8E to the upper base exceeds the distance from the central axis to the lower base. In the arrangement shown in FIG. 10, the upper bottom is the shortest of the pair of bottoms, and the lower bottom is the longest of the pair of bottoms.

幅Wa及び幅Wbの各々は、動作帯域やギャップΔG等に応じて適宜定めることができるが、第5の変形例においては、幅Wa,Wbの各々として、Wa=100μm及びWb=400μmを採用している。 Each of the width Wa and the width Wb can be appropriately determined according to the operating band, the gap ΔG, etc., but in the fifth modification, Wa = 100 μm and Wb = 400 μm are adopted as the widths Wa and Wb, respectively. is doing.

図7に示したポスト壁導波路1Dのように、帯状導体8Eの中心軸をB−B’線からずらして設けた場合、該中心軸がB−B’線に一致している場合と比較して、反射特性及び透過特性が低下する場合がある。ポスト壁導波路1Eにおいては、帯状導体8Eの中心軸をB−B’線からずらして設けたうえで、等脚台形状の開口3dEを採用している。したがって、帯状導体8Eの中心軸をB−B’線からずらして設けた場合に生じ得る反射特性及び透過特性の低下を抑制することができる。すなわち、ポスト壁導波路1Eは、帯状導体8Eを配置する場合の自由度を高めつつ、反射特性及び透過特性の低下を抑制することができる。 When the central axis of the strip conductor 8E is offset from the BB'line as in the post-wall waveguide 1D shown in FIG. 7, it is compared with the case where the central axis coincides with the BB'line. As a result, the reflection characteristics and transmission characteristics may deteriorate. In the post wall waveguide 1E, the central axis of the strip-shaped conductor 8E is provided so as to be offset from the BB'line, and an isosceles trapezoidal opening 3dE is adopted. Therefore, it is possible to suppress the deterioration of the reflection characteristic and the transmission characteristic that may occur when the central axis of the strip-shaped conductor 8E is provided so as to be offset from the BB'line. That is, the post-wall waveguide 1E can suppress deterioration of the reflection characteristic and the transmission characteristic while increasing the degree of freedom when arranging the strip-shaped conductor 8E.

<第2の実施例群>
本発明の第2の実施例群であり、図10に示したポスト壁導波路1Eの実施例群について、図11及び図12を参照して説明する。図11は、第2の実施例群の各ポスト壁導波路1Eの反射特性を示すグラフである。図12は、第2の実施例群の各ポスト壁導波路1Eの透過特性を示すグラフである。なお、第2の実施例群においては、帯状導体8Eの端部8Ecを第1ポートとし、励振領域RE1のx軸正方向側の端部を第2ポートとして、SパラメータS(1,1)及びSパラメータS(2,1)をシミュレーションした。
<Second Example Group>
The second embodiment group of the present invention, and the example group of the post-wall waveguide 1E shown in FIG. 10, will be described with reference to FIGS. 11 and 12. FIG. 11 is a graph showing the reflection characteristics of each post wall waveguide 1E of the second embodiment group. FIG. 12 is a graph showing the transmission characteristics of each post wall waveguide 1E of the second example group. In the second group of embodiments, the end 8Ec strip conductor 8E as a first port, the ends of the x-axis positive direction side of the excitation region R E1 as a second port, S parameter S (1, 1 ) And S-parameters S (2, 1) were simulated.

第2の実施例群のポスト壁導波路1Eは、図10に示したポスト壁導波路1Eにおいて、28GHz帯を含む動作帯域を実現することを目指し、第1の実施例群であるポスト壁導波路1Dのうち、ΔG=600μmであるポスト壁導波路1Dをベースにした。そのうえで、幅Wbを400μmに固定し、幅Waを50μm以上400μm以下の範囲内で変化させることによって得られる。なお、図11及び図12に示したプロットのうち、Wa=400μmであるプロットは、ΔG=600μmであるポスト壁導波路1Dに対応する。 The post-wall waveguide 1E of the second embodiment group aims to realize an operating band including the 28 GHz band in the post-wall waveguide 1E shown in FIG. 10, and is a post-wall guide of the first embodiment group. Of the waveguide 1D, the post-wall waveguide 1D with ΔG = 600 μm was used as the base. Then, it is obtained by fixing the width Wb to 400 μm and changing the width Wa within the range of 50 μm or more and 400 μm or less. Of the plots shown in FIGS. 11 and 12, the plot with Wa = 400 μm corresponds to the post-wall waveguide 1D with ΔG = 600 μm.

図11を参照すれば、本実施例群のポスト壁導波路1Eにおいて、幅Waを400μmから50μmまで縮小することにともなって、反射特性が改善されることが分かった。より具体的には、本実施例群のポスト壁導波路1Eにおいて、(1)幅Waが50μm以上300μm以下である場合、27GHz以上29.5GHz以下の動作帯域においてSパラメータS(1,1)が−20dBを下回り、(2)幅Waが350μm以上400μm以下である場合、上記動作帯域の一部においてSパラメータS(1,1)が−20dBを上回ることが分かった。 With reference to FIG. 11, it was found that in the post-wall waveguide 1E of the present example group, the reflection characteristics were improved by reducing the width Wa from 400 μm to 50 μm. More specifically, in the post-wall waveguide 1E of the present example group, (1) when the width Wa is 50 μm or more and 300 μm or less, the S parameter S (1,1) is performed in the operating band of 27 GHz or more and 29.5 GHz or less. Is less than -20 dB, and (2) when the width Wa is 350 μm or more and 400 μm or less, it was found that the S parameter S (1,1) exceeds -20 dB in a part of the above operating band.

また、図12を参照すれば、本実施例群のポスト壁導波路1Eにおいて、幅Waを400μmから50μmまで縮小することにともなって、透過特性が改善されることが分かった。なお、本実施例群のポスト壁導波路1Eにおいて、幅Waが50μm以上400μm以下である場合、上記動作帯域においてSパラメータS(2,1)は、−0.5dBを上回った。 Further, referring to FIG. 12, it was found that in the post-wall waveguide 1E of the present example group, the transmission characteristic was improved by reducing the width Wa from 400 μm to 50 μm. In the post-wall waveguide 1E of the present example group, when the width Wa was 50 μm or more and 400 μm or less, the S parameter S (2,1) exceeded −0.5 dB in the above operating band.

以上の結果から、本実施例群のポスト壁導波路1Eは、上記動作帯域において良好な性能を示すために、幅Waとして50μm以上300μm以下の範囲内に含まれる値を採用することが好ましいことが分かった。 From the above results, it is preferable that the post-wall waveguide 1E of the present example group adopts a value included in the range of 50 μm or more and 300 μm or less as the width Wa in order to show good performance in the above operating band. I found out.

<第3の実施例群>
本発明の第3の実施例群であり、図10に示したポスト壁導波路1Eの実施例について、図13及び図14を参照して説明する。図13は、第3の実施例群のポスト壁導波路1Eの反射特性を示すグラフである。図14は、第3の実施例群のポスト壁導波路1Eの透過特性を示すグラフである。
<Third Example Group>
Examples of the post-wall waveguide 1E shown in FIG. 10, which is a third embodiment group of the present invention, will be described with reference to FIGS. 13 and 14. FIG. 13 is a graph showing the reflection characteristics of the post-wall waveguide 1E of the third embodiment group. FIG. 14 is a graph showing the transmission characteristics of the post-wall waveguide 1E of the third embodiment group.

第3の実施例群のポスト壁導波路1Eは、図10に示したポスト壁導波路1Eにおいて、28GHz帯を含む動作帯域を実現することを目指し、第1の実施例群であるポスト壁導波路1Dのうち、ΔG=700μmであるポスト壁導波路1Dをベースにした。そのうえで、幅Wbを400μmに固定し、幅Waとして50μm及び400μmを採用することによって得られる。なお、図13及び図14に示したプロットのうち、Wa=400μmであるプロットは、ΔG=700μmであるポスト壁導波路1Dに対応する。 The post-wall waveguide 1E of the third embodiment group aims to realize an operating band including the 28 GHz band in the post-wall waveguide 1E shown in FIG. 10, and is a post-wall guide of the first embodiment group. Of the waveguide 1D, the post-wall waveguide 1D with ΔG = 700 μm was used as the base. Then, the width Wb is fixed to 400 μm, and the widths Wa are 50 μm and 400 μm. Of the plots shown in FIGS. 13 and 14, the plot with Wa = 400 μm corresponds to the post-wall waveguide 1D with ΔG = 700 μm.

図13を参照すれば、第3の実施例群のポスト壁導波路1Eにおいて、Wa=50μmを採用することによって、Wa=400μmを採用する場合と比較して、反射特性が改善されることが分かった。より具体的には、本実施例群のポスト壁導波路1Eにおいて、(1)幅Waが50μmである場合、27GHz以上29.5GHz以下の動作帯域においてSパラメータS(1,1)が−20dBを下回り、(2)幅Waが400μmである場合、上記動作帯域の一部においてSパラメータS(1,1)が−20dBを上回ることが分かった。 Referring to FIG. 13, in the post-wall waveguide 1E of the third embodiment group, by adopting Wa = 50 μm, the reflection characteristics can be improved as compared with the case where Wa = 400 μm is adopted. Do you get it. More specifically, in the post-wall waveguide 1E of the present example group, (1) when the width Wa is 50 μm, the S parameter S (1,1) is -20 dB in the operating band of 27 GHz or more and 29.5 GHz or less. It was found that the S parameter S (1,1) exceeds -20 dB in a part of the above operating band when (2) the width Wa is 400 μm.

また、図14を参照すれば、第3の実施例群のポスト壁導波路1Eにおいて、Wa=50μmを採用することによって、Wa=400μmを採用する場合と比較して、透過特性が改善されることが分かった。なお、本実施例群のポスト壁導波路1Eにおいて、幅Waが50μm以上400μm以下である場合、上記動作帯域においてSパラメータS(2,1)は、−0.5dBを上回った。 Further, referring to FIG. 14, in the post-wall waveguide 1E of the third embodiment group, by adopting Wa = 50 μm, the transmission characteristics are improved as compared with the case where Wa = 400 μm is adopted. It turned out. In the post-wall waveguide 1E of the present example group, when the width Wa was 50 μm or more and 400 μm or less, the S parameter S (2,1) exceeded −0.5 dB in the above operating band.

以上の結果から、第3の実施例群のポスト壁導波路1Eは、上記動作帯域において良好な性能を示すために、幅Waとして50μm以上400μm未満の範囲内に含まれる値を採用することが好ましいことが分かった。 From the above results, for the post-wall waveguide 1E of the third embodiment group, in order to show good performance in the above operating band, it is possible to adopt a value included in the width Wa of 50 μm or more and less than 400 μm. It turned out to be preferable.

〔第2の実施形態〕
本発明の第2の実施形態に係るフィルタモジュールFMについて、図15を参照して説明する。図15は、フィルタモジュールFMの拡大平面図であって、第2の実施形態に係るフィルタモジュールFMを構成するポスト壁導波路1Eが備えている開口3dEa,3dEb及び帯状導体8E,9Eの拡大平面図である。
[Second Embodiment]
The filter module FM according to the second embodiment of the present invention will be described with reference to FIG. FIG. 15 is an enlarged plan view of the filter module FM, and is an enlarged plan view of the openings 3dEa, 3dEb and the strip conductors 8E, 9E provided in the post wall waveguide 1E constituting the filter module FM according to the second embodiment. It is a figure.

図15に示すように、フィルタモジュールFMは、ポスト壁導波路1Eと、RFIC21Fと、を備えている。RFIC21Fは、ポスト壁導波路1Eのマイクロストリップ線路MS,MSを構成する基板2の一方の主面(帯状導体8E,9Eが設けられている側の主面)に実装されている。 As shown in FIG. 15, the filter module FM includes a post wall waveguide 1E and an RFIC 21F. The RFIC 21F is mounted on one main surface of the substrate 2 (the main surface on the side where the strip conductors 8E and 9E are provided) constituting the microstrip lines MS 1 and MS 2 of the post wall waveguide 1E.

RFIC21Fは、出力ポートと入力ポートとを備えている。出力ポートは、信号端子E1aと、信号端子E1aを挟み込むように配置されたグランド端子E2a,E3aとにより構成されている。入力ポートは、信号端子E1bと、信号端子E1bを挟み込むように配置されたグランド端子E2b,E3bとにより構成されている。すなわち、出力ポート及び入力ポートの各々は、グランド用−信号用−グランド用の順番で端子が配列されたGSG配置のポートである。 The RFIC21F includes an output port and an input port. The output port is composed of a signal terminal E1a and ground terminals E2a and E3a arranged so as to sandwich the signal terminal E1a. The input port is composed of a signal terminal E1b and ground terminals E2b and E3b arranged so as to sandwich the signal terminal E1b. That is, each of the output port and the input port is a GSG-arranged port in which terminals are arranged in the order of ground-signal-ground.

<ポスト壁導波路1Eの構成>
ポスト壁導波路1Eは、図10に示したポスト壁導波路1Eと同様に構成されている。そのため、第2の実施形態においては、ポスト壁導波路1Eについて簡単な説明に留める。
<Structure of post wall waveguide 1E>
The post-wall waveguide 1E is configured in the same manner as the post-wall waveguide 1E shown in FIG. Therefore, in the second embodiment, the post-wall waveguide 1E will be briefly described.

図15に示すように、ポスト壁導波路1Eは、励振領域RE1,RE2と、マイクロストリップ線路MS,MSと、を備えている。 As shown in FIG. 15, post-wall waveguide. 1E, the excitation region R E1, R E2, comprises a microstrip line MS 1, MS 2, a.

(励振領域RE1,RE2
励振領域RE1と、励振領域RE2とは、各々の延伸方向が平行且つ近接して配置されている。
(Excitation region R E1 , R E2 )
The excitation region RE1 and the excitation region RE2 are arranged in parallel and close to each other in the stretching direction.

励振領域RE1は、ポスト壁導波路1Eを構成する一対のショート壁のうち一方のショート壁であるショート壁5caを含む。励振領域RE2は、ポスト壁導波路1Eを構成する一対のショート壁のうち他方のショート壁であるショート壁5cbを含む。ポスト壁導波路1Eにおいて、一方の広壁を構成する導体層3のうちショート壁5caの近傍には開口3dEa(第1の開口の一例)が設けられている。ポスト壁導波路1Eにおいて、一方の広壁を構成する導体層3のうちショート壁5cbの近傍には開口3dEb(第2の開口の一例)が設けられている。 Excitation region R E1 includes short wall 5ca is one short wall of a pair of short walls constituting the post-wall waveguide 1E. Excitation region R E2 includes short wall 5cb is the other short wall of the pair of short walls constituting the post-wall waveguide 1E. In the post wall waveguide 1E, an opening 3dEa (an example of the first opening) is provided in the vicinity of the short wall 5ca among the conductor layers 3 constituting one of the wide walls. In the post wall waveguide 1E, an opening 3dEb (an example of a second opening) is provided in the vicinity of the short wall 5cc of the conductor layer 3 constituting one of the wide walls.

開口3dEaは、図10を参照して説明したように等脚台形状である。また、開口3dEbは、開口3dEaと同様に等脚台形状である。ただし、開口3dEa及び開口3dEbは、ポスト壁5を構成する狭壁5bに関して線対称となるように配置されているため、上下方向における向きが反転している。なお、開口3dEa,3dEbは、台形状であってもよい。ポスト壁導波路1Eを平面視した場合に、開口3dEaは、等脚台形状を形成する一対の底がポスト壁5を構成する狭壁5a(図15に示した状態のポスト壁導波路1Eにおける上側の狭壁5a)及び狭壁5bの各々と平行になるように、且つ、帯状導体8Eの中心軸(図15に示したC−C’線)から開口3dEaの一対の底のうち長さが短い底までの距離が、帯状導体8Eの中心軸から開口3dEaの一対の底のうち長さが長い底までの距離を上回る、ように配置されている。また、ポスト壁導波路1Eを平面視した場合に、開口3dEbは、等脚台形状を形成する一対の底が狭壁5a(図15に示した状態のポスト壁導波路1Eにおける下側の狭壁5a)及び狭壁5bの各々と平行になるように、且つ、後述する帯状導体9Eの中心軸(図15に示したE−E’線)から開口3dEbの一対の底のうち長さが短い底までの距離が、帯状導体9Eの中心軸から開口3dEbの一対の底のうち長さが長い底までの距離を上回る、ように配置されている。また、開口3dEaの一対の底のうち長さが長い底は、狭壁5b側にあり、開口3dEbの一対の底のうち長さが長い底は、狭壁5b側にある。 The opening 3dEa has an isosceles trapezoidal shape as described with reference to FIG. Further, the opening 3dEb has an isosceles trapezoidal shape like the opening 3dEa. However, since the openings 3dEa and the openings 3dEb are arranged so as to be line-symmetrical with respect to the narrow wall 5b constituting the post wall 5, the directions in the vertical direction are reversed. The openings 3dEa and 3dEb may be trapezoidal. When the post-wall waveguide 1E is viewed in a plan view, the opening 3dEa is a narrow wall 5a (in the post-wall waveguide 1E in the state shown in FIG. 15) in which a pair of bottoms forming an equilateral trapezoidal shape constitutes the post wall 5. The length of the pair of bottoms of the opening 3dEa so as to be parallel to each of the upper narrow wall 5a) and the narrow wall 5b and from the central axis of the strip conductor 8E (the CC'line shown in FIG. 15). Is arranged so that the distance to the short bottom exceeds the distance from the central axis of the strip conductor 8E to the long bottom of the pair of bottoms of the opening 3dEa. Further, when the post-wall waveguide 1E is viewed in a plan view, the opening 3dEb has a pair of narrow bottom walls 5a (the lower narrowness in the post-wall waveguide 1E in the state shown in FIG. 15) forming an isosceles trapezoidal shape. The length of the pair of bottoms of the opening 3dEb from the central axis (E-E'line shown in FIG. 15) of the strip-shaped conductor 9E described later is parallel to each of the wall 5a) and the narrow wall 5b. The distance to the short bottom is arranged so as to exceed the distance from the central axis of the strip conductor 9E to the long bottom of the pair of bottoms of the opening 3dEb. Further, the long bottom of the pair of openings 3dEa is on the narrow wall 5b side, and the long bottom of the pair of openings 3dEb is on the narrow wall 5b side.

導体層3と、マイクロストリップ線路MS,MSとは、図15に図示していない半田を用いて接合されている。この半田は、導体層3と導体層17Fとを短絡するとともに接合する接合部材の一例であり、ポスト壁導波路1Cが備えている半田18に対応する。 The conductor layer 3 and the microstrip lines MS 1 and MS 2 are joined by using solder (not shown in FIG. 15). This solder is an example of a joining member that short-circuits and joins the conductor layer 3 and the conductor layer 17F, and corresponds to the solder 18 provided in the post wall waveguide 1C.

ポスト壁導波路1Eは、ポスト壁導波路1と同様に5段のバンドパスフィルタとして機能する。したがって、フィルタモジュールFMは、(1)RFIC21Fの出力ポートからマイクロストリップ線路MSを介して励振領域RE1に供給された電磁波に対して所定のフィルタリング処理を施したうえで、(2)フィルタリング処理を施された電磁波を励振領域RE2からマイクロストリップ線路MSを介してRFIC21Fの入力ポートに供給することができる。 The post-wall waveguide 1E functions as a five-stage bandpass filter like the post-wall waveguide 1. Thus, the filter module FM may, after performing a predetermined filtering process with respect to the electromagnetic waves supplied to the excitation region R E1 through the microstrip line MS 1 from (1) RFIC21F output port, (2) filtering it can be supplied to RFIC21F input port via a microstrip line MS 2 an electromagnetic wave that has been subjected to the excitation region R E2.

フィルタモジュールFMにおいて、励振領域RE1,RE2の各々は、それぞれの延伸されている方向が平行になるように、且つ、それぞれの間隔ができるだけ狭くなるように配置されている。そのため、励振領域RE1,RE2の各々は、ポスト壁5を構成する狭壁のうち励振領域RE1,RE2を隔てる狭壁5bを共有している。励振領域RE1を構成する狭壁5a(上述した上側の狭壁5a)と狭壁5bとは、互いに平行である。また、励振領域RE2を構成する狭壁5a(上述した下側の狭壁5a)と狭壁5bとは、互いに平行である。 In the filter module FM, the excitation regions RE1 and RE2 are arranged so that their extending directions are parallel to each other and their intervals are as narrow as possible. Therefore, each of the excitation region R E1, R E2 share a narrow wall 5b separating the excitation region R E1, R E2 of Semakabe constituting the post-wall 5. Semakabe 5a constituting the excitation region R E1 and the Semakabe 5b (Semakabe 5a of the upper described above), are parallel to each other. Also, the a Semakabe 5b (Semakabe 5a of the above-mentioned lower) Semakabe 5a constituting the excitation region R E2, are parallel to each other.

(マイクロストリップ線路MS,MS
マイクロストリップ線路MS,MSは、基板15Fと、導体層17Fとを備えている。基板15F及び導体層17Fは、マイクロストリップ線路MS,MSにおいて共通の部材である。マイクロストリップ線路MS,MSの各々は、それぞれ、帯状導体8E,9Eを備えている。基板15Fは、ポスト壁導波路1Cの基板15に対応し、導体層17Fは、ポスト壁導波路1Cの導体層17に対応し、帯状導体8E,9Eは、ポスト壁導波路1Cの帯状導体8に対応する。また、帯状導体8E,9Eの各々は、それぞれ、第3の帯状導体及び第4の帯状導体の一例である。
(Microstrip line MS 1 , MS 2 )
The microstrip lines MS 1 and MS 2 include a substrate 15F and a conductor layer 17F. The substrate 15F and the conductor layer 17F are common members in the microstrip lines MS 1 and MS 2. Each of the microstrip lines MS 1 and MS 2 includes strip conductors 8E and 9E, respectively. The substrate 15F corresponds to the substrate 15 of the post wall waveguide 1C, the conductor layer 17F corresponds to the conductor layer 17 of the post wall waveguide 1C, and the strip conductors 8E and 9E correspond to the strip conductor 8 of the post wall waveguide 1C. Corresponds to. Further, each of the band-shaped conductors 8E and 9E is an example of a third band-shaped conductor and a fourth band-shaped conductor, respectively.

ポスト壁導波路1Eにおいて、マイクロストリップ線路MSにおけるモードと、励振領域RE1におけるモードとは、帯状導体8Eの一部と、開口3dEaの一部とが平面視において重畳している領域を介して結合される。同様に、ポスト壁導波路1Eにおいて、マイクロストリップ線路MSにおけるモードと、励振領域RE2におけるモードとは、帯状導体9Eの一部と、開口3dEbの一部とが平面視において重畳している領域を介して結合される。すなわち、ポスト壁導波路1Eは、励振ピンを用いることなく、帯状導体8E,9Eとは直接接触しない開口3dEa,3dEbを介して、これらのモードを変換することができる。 In post-wall waveguide 1E, a mode in the microstrip line MS 1, mode A in the excitation region R E1, through an area where a portion of the strip conductor 8E, a part of the opening 3dEa are overlapped in plan view Is combined. Similarly, in the post-wall waveguide 1E, a mode in the microstrip line MS 2, mode A in the excitation region R E2, and a portion of the strip conductor 9E, a portion of the opening 3dEb are overlapped in plan view Combined through regions. That is, the post-wall waveguide 1E can convert these modes through openings 3dEa, 3dEb that do not come into direct contact with the strip conductors 8E, 9E without the use of excitation pins.

フィルタモジュールFMにおいて、ポスト壁導波路1Eは、狭壁5bを構成する各導体ポスト5iの中心軸を含む平面を対称面として、鏡映対称になるように構成されている。 In the filter module FM, the post wall waveguide 1E is configured to be mirror-symmetrical with the plane including the central axis of each conductor post 5i constituting the narrow wall 5b as a plane of symmetry.

図15に示したB−B’線は、図10に示したB−B’線と同じく、ポスト壁導波路1Eを構成する励振領域RE1の幅を二等分する点の集合である直線であり、図15に示したC−C’線は、図10に示したC−C’線と同じく、帯状導体8Eの中心軸と一致する直線である。図15に示したD−D’線は、ポスト壁導波路1Eを構成する励振領域RE2の幅を二等分する点の集合である直線であり、図15に示したE−E’線は、帯状導体9Eの中心軸と一致する直線である。 FIG indicated line B-B 'is, B-B shown in FIG. 10' to 15 similarly to the line, a set of the width bisecting point of the excitation region R E1 constituting the post-wall waveguide 1E linear The CC'line shown in FIG. 15 is a straight line that coincides with the central axis of the strip-shaped conductor 8E, like the CC'line shown in FIG. D-D shown in FIG. 15 'line is a straight line width of the excitation region R E2 is a set of bisecting points constituting post-wall waveguide 1E, E-E shown in FIG. 15 along line Is a straight line that coincides with the central axis of the strip conductor 9E.

図15に示すように、帯状導体8E,9Eの各々は、それぞれ、B−B’線の位置及びD−D’線の位置を基準として、それぞれの中心軸同士の間隔が近づく方向に、ギャップΔGa,ΔGbだけ平行にずれて配置されている。すなわち、ポスト壁導波路1Eを平面視した場合に、帯状導体8Eの中心軸及び帯状導体9Eの中心軸は、何れも、B−B’線とD−D’線との間に位置する。なお、フィルタモジュールFMにおいて、ΔGa=ΔGbである。そこで、以下においては、ギャップΔGa,ΔGbのことを単にギャップΔGとも記載する。 As shown in FIG. 15, each of the strip conductors 8E and 9E has a gap in the direction in which the distance between the central axes approaches each other with reference to the position of the BB'line and the position of the DD'line, respectively. Only ΔGa and ΔGb are arranged so as to be offset in parallel. That is, when the post-wall waveguide 1E is viewed in a plan view, the central axis of the band-shaped conductor 8E and the central axis of the band-shaped conductor 9E are both located between the BB'line and the DD' line. In the filter module FM, ΔGa = ΔGb. Therefore, in the following, the gaps ΔGa and ΔGb are also simply referred to as gaps ΔG.

<RFIC21Fを実装するための構成>
帯状導体8Eの一対の先端部のうち、開口3dEaに近く且つ開口3dEaから突出している先端部を一方の先端部とし、開口3dEaから遠い側の先端部を他方の先端部と称する。帯状導体8Eの他方の先端部は、RFIC21Fの信号端子E1aと接続するための信号用導体パッドとして機能する。帯状導体8Eの他方の先端部の両脇には、該他方の先端部を挟み込むように、RFIC21Fのグランド端子E2a,E3aの各々と接続するためのグランド用導体パッドG2a,G3aが形成されている。グランド用導体パッドG2a,G3aの各々は、導体層3と短絡されている。このように、帯状導体8Eの他方の先端部及び近傍には、RFIC21Fの出力ポートを接続するための端子であって、グランド用−信号用−グランド用の順番で導体パッドが配列されたGSG配置の端子が形成されている。
<Configuration for mounting RFIC21F>
Of the pair of tip portions of the strip-shaped conductor 8E, the tip portion that is close to the opening 3dEa and protrudes from the opening 3dEa is referred to as one tip portion, and the tip portion on the side far from the opening 3dEa is referred to as the other tip portion. The other tip of the strip conductor 8E functions as a signal conductor pad for connecting to the signal terminal E1a of the RFIC 21F. Ground conductor pads G2a and G3a for connecting to each of the ground terminals E2a and E3a of the RFIC21F are formed on both sides of the other tip of the strip conductor 8E so as to sandwich the other tip. .. Each of the ground conductor pads G2a and G3a is short-circuited with the conductor layer 3. In this way, the GSG arrangement is a terminal for connecting the output port of the RFIC21F to the other tip and the vicinity of the band-shaped conductor 8E, and the conductor pads are arranged in the order of ground-signal-ground. Terminals are formed.

帯状導体8Eの他方の先端部には、バンプB1aを用いて信号端子E1aが接続され、グランド用導体パッドG2a,G3aの各々には、それぞれ、バンプB2a,B3aを用いてグランド端子E2a,E3aの各々が接続されている。 A signal terminal E1a is connected to the other tip of the strip conductor 8E using a bump B1a, and bumps B2a and B3a are used to connect the ground terminals E2a and E3a to each of the ground conductor pads G2a and G3a, respectively. Each is connected.

同様に、帯状導体9Eの一対の先端部のうち、開口3dEbに近く且つ開口3dEbから突出している先端部を一方の先端部とし、開口3dEbから遠い側の先端部を他方の先端部と称する。帯状導体9Eの他方の先端部及び近傍には、RFIC21Fの入力ポートを接続するための端子であって、GSG配置の端子が形成されている。このGSG配置の端子は、帯状導体9Eの他方の先端部と、該他方の先端部を挟み込むように配置されたグランド用導体パッドG2b,G3bとにより構成されている。帯状導体9Eの他方の先端部には、バンプB1bを用いて信号端子E1bが接続され、グランド用導体パッドG2b,G3bの各々には、それぞれ、バンプB2b,B3bを用いてグランド端子E2b,E3bの各々が接続されている。 Similarly, of the pair of tip portions of the strip-shaped conductor 9E, the tip portion close to the opening 3dEb and protruding from the opening 3dEb is referred to as one tip portion, and the tip portion on the side far from the opening 3dEb is referred to as the other tip portion. Terminals for connecting the input port of the RFIC 21F, which are GSG-arranged terminals, are formed at the other tip of the strip conductor 9E and in the vicinity thereof. The terminal of the GSG arrangement is composed of the other tip portion of the strip-shaped conductor 9E and the ground conductor pads G2b and G3b arranged so as to sandwich the other tip portion. A signal terminal E1b is connected to the other tip of the strip conductor 9E using a bump B1b, and bumps B2b and B3b are used to connect the ground terminals E2b and E3b to each of the ground conductor pads G2b and G3b, respectively. Each is connected.

フィルタモジュールFMによれば、帯状導体8Eの中心軸がB−B’線に一致するように帯状導体8Eが設けられ、且つ、帯状導体9Eの中心軸がD−D’線に一致するように帯状導体9Eが設けられている場合と比較して、帯状導体8E,9Eの各々の中心軸同士の間隔を2ΔGだけ狭めることができる。したがって、出力ポートを構成する信号端子E1aと、入力ポートを構成する信号端子E1bとの間隔が、B−B’線とD−D’線との間隔(すなわち、励振領域RE1,RE2の幅)よりも狭いRFIC21Fを、マイクロストリップ線路MS,MSに実装する場合であっても、容易に実装することができる。 According to the filter module FM, the strip conductor 8E is provided so that the central axis of the strip conductor 8E coincides with the BB'line, and the central axis of the strip conductor 9E coincides with the DD'line. Compared with the case where the band-shaped conductor 9E is provided, the distance between the central axes of the band-shaped conductors 8E and 9E can be narrowed by 2ΔG. Therefore, the distance between the signal terminal E1a constituting the output port and the signal terminal E1b forming the input port is the distance between the BB'line and the DD' line (that is, in the excitation regions R E1 and R E2 ). Even when the RFIC 21F narrower than the width) is mounted on the microstrip lines MS 1 and MS 2 , it can be easily mounted.

〔付記事項〕
本発明は上述した実施形態に限定されるものではなく、請求項に示した範囲で種々の変更が可能であり、上述した技術的手段を適宜組み合わせて得られる実施形態についても本発明の技術的範囲に含まれる。
[Additional notes]
The present invention is not limited to the above-described embodiment, and various modifications can be made within the scope of the claims, and the technical means of the present invention can also be obtained by appropriately combining the above-mentioned technical means. Included in the range.

1,1A,1B,1C,1D,1E ポスト壁導波路
E1,RE2 励振領域(第1励振領域,第2励振領域)
2 基板
3,4 導体層(第1広壁、第2広壁)
3a 開口
3b 導体パッド(第1導体パッド)
3c アンチパッド(第1アンチパッド)
3d,3dE,3dEa 開口(第1開口)
3dEb 開口(第2開口)
5 ポスト壁(狭壁)
5i 導体ポスト
6,7 励振ピン(第1励振部,第2励振部)
8,8D,8E 帯状導体(第1帯状導体)
9,9E 帯状導体(第2帯状導体)
8a 領域(第1励振部)
10 誘電体層
1, 1A, 1B, 1C, 1D, 1E post-wall waveguide R E1, R E2 excitation region (the first excitation region, the second excitation region)
2 Substrate 3,4 Conductor layer (1st wide wall, 2nd wide wall)
3a opening 3b conductor pad (first conductor pad)
3c anti-pad (first anti-pad)
3d, 3dE, 3dEa opening (first opening)
3dEb opening (second opening)
5 Post wall (narrow wall)
5i Conductor post 6,7 Excitation pin (1st excitation part, 2nd excitation part)
8,8D, 8E strip-shaped conductor (first strip-shaped conductor)
9,9E strip-shaped conductor (second strip-shaped conductor)
Area 8a (1st excitation section)
10 Dielectric layer

Claims (11)

誘電体製の基板と、上記基板の一対の主面の各々にそれぞれ形成された第1広壁及び第2広壁と、上記基板の内部に形成されたポスト壁と、を備えており、
上記第1広壁、上記第2広壁、及び上記ポスト壁は、直列に接続された複数の共振領域と、最初段の共振領域に隣接する第1励振領域及び最後段の共振領域に隣接する第2励振領域とを構成し、
上記第1励振領域と上記第2励振領域とは、上記複数の共振領域のみを介して接続されており、
平面視した場合に、
上記複数の共振領域の各々は、円形状であり、
上記複数の共振領域のうち互いに隣接している2つの共振領域の各々は、これら2つの共振領域の各々の半径をr及びrとし、これら2つの共振領域の中心間距離をD12とした場合に、D12<r+rとなるように配置されており、
上記第1励振領域に設けられた第1励振部と上記第2励振領域に設けられた第2励振部との距離である励振部間距離は、上記最初段の共振領域と上記最後段の共振領域との中心間距離未満である、
ことを特徴とするポスト壁導波路。
It includes a dielectric substrate, a first wide wall and a second wide wall formed on each of the pair of main surfaces of the substrate, and a post wall formed inside the substrate.
The first wide wall, the second wide wall, and the post wall are adjacent to a plurality of resonance regions connected in series, a first excitation region adjacent to the resonance region of the first stage, and a resonance region of the last stage. Consists of the second excitation area,
The first excitation region and the second excitation region are connected only via the plurality of resonance regions.
When viewed in a plane
Each of the plurality of resonance regions has a circular shape.
For each of the two resonance regions adjacent to each other among the plurality of resonance regions, the radii of the two resonance regions are r 1 and r 2, and the distance between the centers of these two resonance regions is D 12 . When this is done, it is arranged so that D 12 <r 1 + r 2
The distance between the excitation units, which is the distance between the first excitation unit provided in the first excitation region and the second excitation unit provided in the second excitation region, is the resonance between the first stage resonance region and the last stage resonance. Less than the center-to-center distance to the area,
A post-wall waveguide characterized by that.
誘電体製の基板と、上記基板の一対の主面の各々にそれぞれ形成された第1広壁及び第2広壁と、上記基板の内部に形成されたポスト壁と、を備えており、
上記第1広壁、上記第2広壁、及び上記ポスト壁は、直列に接続された複数の共振領域と、最初段の共振領域に隣接する第1励振領域及び最後段の共振領域に隣接する第2励振領域とを構成し、
上記第1励振領域と上記第2励振領域とは、上記複数の共振領域のみを介して接続されており、
平面視した場合に、
上記複数の共振領域の各々は、円形状であり、
上記複数の共振領域のうち互いに隣接している2つの共振領域の各々は、これら2つの共振領域の各々の半径をr 及びr とし、これら2つの共振領域の中心間距離をD 12 とした場合に、D 12 <r +r となるように配置されており、
上記第1励振領域に設けられた第1励振部と上記第2励振領域に設けられた第2励振部との距離である励振部間距離は、上記最初段の共振領域と上記最後段の共振領域との中心間距離以下であり、
上記第1励振部及び上記第2励振部の少なくとも何れかは、最初段の共振領域と最後段の共振領域との間に位置する、
ことを特徴とするポスト壁導波路。
It includes a dielectric substrate, a first wide wall and a second wide wall formed on each of the pair of main surfaces of the substrate, and a post wall formed inside the substrate.
The first wide wall, the second wide wall, and the post wall are adjacent to a plurality of resonance regions connected in series, a first excitation region adjacent to the resonance region of the first stage, and a resonance region of the last stage. Consists of the second excitation area,
The first excitation region and the second excitation region are connected only via the plurality of resonance regions.
When viewed in a plane
Each of the plurality of resonance regions has a circular shape.
For each of the two resonance regions adjacent to each other among the plurality of resonance regions, the radii of the two resonance regions are r 1 and r 2, and the distance between the centers of these two resonance regions is D 12 . When this is done, it is arranged so that D 12 <r 1 + r 2
The distance between the excitation units, which is the distance between the first excitation unit provided in the first excitation region and the second excitation unit provided in the second excitation region, is the resonance between the first stage resonance region and the last stage resonance. Less than or equal to the center-to-center distance to the area
At least one of the first excitation unit and the second excitation unit is located between the resonance region of the first stage and the resonance region of the last stage.
Features and be Repos strike wall waveguide that.
上記第1広壁の上記第1励振領域に対応する部分には第1アンチパッドが形成されており、
上記第1励振部は、上記第1アンチパッドに囲まれた第1導体パッドから上記第1励振領域の内部に至る第1励振ピンであり、
上記第1広壁の上記第2励振領域に対応する部分には第2アンチパッドが形成されており、
上記第2励振部は、上記第2アンチパッドに囲まれた第2導体パッドから上記第2励振領域の内部に至る第2励振ピンである、
ことを特徴とする請求項2に記載のポスト壁導波路。
A first anti-pad is formed in a portion of the first wide wall corresponding to the first excitation region.
The first excitation unit is a first excitation pin extending from the first conductor pad surrounded by the first anti-pad to the inside of the first excitation region.
A second anti-pad is formed in a portion of the first wide wall corresponding to the second excitation region.
The second excitation unit is a second excitation pin extending from the second conductor pad surrounded by the second anti-pad to the inside of the second excitation region.
The post-wall waveguide according to claim 2.
一方の端部が上記第1導体パッドに導通し、且つ、上記第1広壁とともに二導体線路を構成する第1帯状導体と、
一方の端部が上記第2導体パッドに導通し、且つ、上記第1広壁とともに二導体線路を構成する第2帯状導体と、を更に備えている、
ことを特徴とする請求項3に記載のポスト壁導波路。
A first band-shaped conductor having one end conducting to the first conductor pad and forming a two-conductor line together with the first wide wall.
One end is electrically connected to the second conductor pad, and further includes a second strip-shaped conductor forming a two-conductor line together with the first wide wall.
The post-wall waveguide according to claim 3.
上記第1広壁の上記第1励振領域に対応する部分には第1開口が形成されており、
上記第1広壁の上記第2励振領域に対応する部分には第2開口が形成されており、
上記第1広壁とは離間して設けられた第1帯状導体であって、平面視した場合に、一部が上記第1開口の少なくとも一部と重畳している第1帯状導体と、
上記第1広壁とは離間して設けられた第2帯状導体であって、平面視した場合に、一部が上記第2開口の少なくとも一部と重畳している第2帯状導体と、を更に備え、
上記第1励振部は、上記第1帯状導体のうち上記第1開口と重畳している部分であり、
上記第2励振部は、上記第2帯状導体のうち上記第2開口と重畳している部分である、ことを特徴とする請求項2に記載のポスト壁導波路。
A first opening is formed in a portion of the first wide wall corresponding to the first excitation region.
A second opening is formed in a portion of the first wide wall corresponding to the second excitation region.
A first strip-shaped conductor provided apart from the first wide wall, and a first strip-shaped conductor in which a part of the conductor overlaps with at least a part of the first opening when viewed in a plan view.
A second strip-shaped conductor provided apart from the first wide wall, and a second strip-shaped conductor in which a part of the conductor overlaps with at least a part of the second opening when viewed in a plan view. Further prepare
The first excitation portion is a portion of the first strip-shaped conductor that overlaps with the first opening.
The post-wall waveguide according to claim 2 , wherein the second exciting portion is a portion of the second strip-shaped conductor that overlaps with the second opening.
上記第1帯状導体は、上記第1広壁とともに二導体線路を構成し、
上記第2帯状導体は、上記第1広壁とともに二導体線路を構成する、
ことを特徴とする請求項5に記載のポスト壁導波路。
The first strip-shaped conductor constitutes a two-conductor line together with the first wide wall.
The second strip-shaped conductor constitutes a two-conductor line together with the first wide wall.
The post-wall waveguide according to claim 5.
平面視した場合に、
上記第1励振領域を構成する一対の狭壁同士は、平行であり、且つ、上記第1励振領域の幅を二等分する点の集合である直線と、上記第1帯状導体の中心軸とは、ずれており、
上記第2励振領域を構成する一対の狭壁同士は、平行であり、且つ、上記第2励振領域の幅を二等分する点の集合である直線と、上記第2帯状導体の中心軸とは、ずれている、ことを特徴とする請求項5又は6に記載のポスト壁導波路。
When viewed in a plane
The pair of narrow walls forming the first excitation region are parallel to each other, and a straight line that is a set of points that bisect the width of the first excitation region and the central axis of the first strip conductor. Is out of alignment
The pair of narrow walls forming the second excitation region are parallel to each other, and a straight line that is a set of points that bisect the width of the second excitation region and the central axis of the second strip conductor. The post-wall waveguide according to claim 5 or 6, wherein is offset.
平面視した場合に、
上記第1開口及び上記第2開口の各々は、台形状であり、
上記第1開口は、上記台形状を形成する一対の底が上記第1励振領域を構成する上記一対の狭壁の各々と平行になるように、且つ、上記第1帯状導体の上記中心軸から、上記第1開口の上記一対の底のうち長さが短い底までの距離が、上記第1帯状導体の上記中心軸から、上記第1開口の上記一対の底のうち長さが長い底までの距離を上回る、ように配置されており、
上記第2開口は、上記台形状を形成する一対の底が上記第2励振領域を構成する上記一対の狭壁の各々と平行になるように、且つ、上記第2帯状導体の上記中心軸から、上記第2開口の上記一対の底のうち長さが短い底までの距離が、上記第2帯状導体の上記中心軸から、上記第2開口の上記一対の底のうち長さが長い底までの距離を上回る、ように配置されている、
ことを特徴とする請求項7に記載のポスト壁導波路。
When viewed in a plane
Each of the first opening and the second opening is trapezoidal and has a trapezoidal shape.
The first opening is arranged so that the pair of bottoms forming the trapezoidal shape are parallel to each of the pair of narrow walls forming the first excitation region, and from the central axis of the first strip conductor. The distance from the central axis of the first strip conductor to the long bottom of the pair of bottoms of the first opening is from the central axis of the pair of bottoms of the first opening to the long bottom of the pair of bottoms of the first opening. Are arranged to exceed the distance of
The second opening is arranged so that the pair of bottoms forming the trapezoidal shape are parallel to each of the pair of narrow walls forming the second excitation region, and from the central axis of the second strip conductor. The distance from the central axis of the second strip conductor to the long bottom of the pair of bottoms of the second opening is from the central axis of the second opening to the long bottom of the pair of bottoms of the second opening. Are arranged to exceed the distance of
The post-wall waveguide according to claim 7.
誘電体製の基板と、上記基板の一対の主面の各々にそれぞれ形成された第1広壁及び第2広壁と、上記基板の内部に形成されたポスト壁と、を備えており、
上記第1広壁、上記第2広壁、及び上記ポスト壁は、直列に接続された複数の共振領域と、最初段の共振領域に隣接する第1励振領域及び最後段の共振領域に隣接する第2励振領域とを構成し、
上記第1励振領域と上記第2励振領域とは、上記複数の共振領域のみを介して接続されており、
平面視した場合に、
上記複数の共振領域の各々は、円形状であり、
上記複数の共振領域のうち互いに隣接している2つの共振領域の各々は、これら2つの共振領域の各々の半径をr 及びr とし、これら2つの共振領域の中心間距離をD 12 とした場合に、D 12 <r +r となるように配置されており、
上記第1励振領域に設けられた第1励振部と上記第2励振領域に設けられた第2励振部との距離である励振部間距離は、上記最初段の共振領域と上記最後段の共振領域との中心間距離以下であり、
上記第1広壁の上記第1励振領域に対応する部分には第1アンチパッドが形成されており、
上記第1励振部は、上記第1アンチパッドに囲まれた第1導体パッドから上記第1励振領域の内部に至る第1励振ピンであり、
上記第1広壁の上記第2励振領域に対応する部分には第2アンチパッドが形成されており、
上記第2励振部は、上記第2アンチパッドに囲まれた第2導体パッドから上記第2励振領域の内部に至る第2励振ピンであり、
一方の端部が上記第1導体パッドに導通し、且つ、上記第1広壁とともに二導体線路を構成する第1帯状導体と、
一方の端部が上記第2導体パッドに導通し、且つ、上記第1広壁とともに二導体線路を構成する第2帯状導体と、を更に備えており、
平面視した場合に、上記第1帯状導体と、該第1帯状導体と交わる第1励振領域を構成するポスト壁とのなす角、及び、上記第2帯状導体と、該第2帯状導体と交わる第2励振領域を構成するポスト壁とのなす角の少なくとも何れかは、45°未満である、
ことを特徴とするポスト壁導波路。
It includes a dielectric substrate, a first wide wall and a second wide wall formed on each of the pair of main surfaces of the substrate, and a post wall formed inside the substrate.
The first wide wall, the second wide wall, and the post wall are adjacent to a plurality of resonance regions connected in series, a first excitation region adjacent to the resonance region of the first stage, and a resonance region of the last stage. Consists of the second excitation area,
The first excitation region and the second excitation region are connected only via the plurality of resonance regions.
When viewed in a plane
Each of the plurality of resonance regions has a circular shape.
For each of the two resonance regions adjacent to each other among the plurality of resonance regions, the radii of the two resonance regions are r 1 and r 2, and the distance between the centers of these two resonance regions is D 12 . When this is done, it is arranged so that D 12 <r 1 + r 2
The distance between the excitation units, which is the distance between the first excitation unit provided in the first excitation region and the second excitation unit provided in the second excitation region, is the resonance between the first stage resonance region and the last stage resonance. Less than or equal to the center-to-center distance to the area
A first anti-pad is formed in a portion of the first wide wall corresponding to the first excitation region.
The first excitation unit is a first excitation pin extending from the first conductor pad surrounded by the first anti-pad to the inside of the first excitation region.
A second anti-pad is formed in a portion of the first wide wall corresponding to the second excitation region.
The second excitation unit is a second excitation pin extending from the second conductor pad surrounded by the second anti-pad to the inside of the second excitation region.
A first band-shaped conductor having one end conducting to the first conductor pad and forming a two-conductor line together with the first wide wall.
A second strip-shaped conductor, one end of which is conductive to the second conductor pad and which constitutes a two-conductor line together with the first wide wall, is further provided.
When viewed in a plan view, the angle formed by the first band-shaped conductor and the post wall forming the first excitation region intersecting with the first band-shaped conductor, and the second band-shaped conductor intersecting with the second band-shaped conductor. At least one of the angles formed by the post wall constituting the second excitation region is less than 45 °.
Features and be Repos strike wall waveguide that.
請求項1〜9の何れか1項に記載のポスト壁導波路と、
上記第1広壁の上に実装された集積回路であって、出力端子が上記第1励振部に接続され、入力端子が上記第2励振部に接続されている集積回路と、を備えている、
ことを特徴とするフィルタモジュール。
The post-wall waveguide according to any one of claims 1 to 9.
An integrated circuit mounted on the first wide wall, the integrated circuit having an output terminal connected to the first excitation unit and an input terminal connected to the second excitation unit. ,
A filter module that features that.
平面視した場合に、上記集積回路は、少なくとも一部が上記複数の共振領域、上記第1励振領域、及び上記第2励振領域の少なくとも一部に重なるように、上記第1広壁の上に実装されている、
ことを特徴とする請求項10に記載のフィルタモジュール。
When viewed in a plan view, the integrated circuit is placed on the first wide wall so that at least a part of the integrated circuit overlaps at least a part of the plurality of resonance regions, the first excitation region, and the second excitation region. Implemented,
The filter module according to claim 10.
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