JP6885533B2 - Manufacturing method of bulk elastic wave resonator - Google Patents
Manufacturing method of bulk elastic wave resonator Download PDFInfo
- Publication number
- JP6885533B2 JP6885533B2 JP2017013227A JP2017013227A JP6885533B2 JP 6885533 B2 JP6885533 B2 JP 6885533B2 JP 2017013227 A JP2017013227 A JP 2017013227A JP 2017013227 A JP2017013227 A JP 2017013227A JP 6885533 B2 JP6885533 B2 JP 6885533B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- film
- elastic wave
- resonance frequency
- wave resonator
- bulk elastic
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Active
Links
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 title claims description 18
- 238000000034 method Methods 0.000 claims description 22
- 238000005530 etching Methods 0.000 claims description 20
- 239000010408 film Substances 0.000 description 307
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N Silicium dioxide Chemical compound O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 21
- 229910052814 silicon oxide Inorganic materials 0.000 description 19
- 239000000758 substrate Substances 0.000 description 17
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 16
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 16
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 16
- 238000009826 distribution Methods 0.000 description 8
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 8
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 8
- 238000010030 laminating Methods 0.000 description 7
- 239000000463 material Substances 0.000 description 6
- BASFCYQUMIYNBI-UHFFFAOYSA-N platinum Chemical compound [Pt] BASFCYQUMIYNBI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- 239000010409 thin film Substances 0.000 description 6
- ZOKXTWBITQBERF-UHFFFAOYSA-N Molybdenum Chemical compound [Mo] ZOKXTWBITQBERF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 4
- 239000012528 membrane Substances 0.000 description 4
- 229910052750 molybdenum Inorganic materials 0.000 description 4
- 239000011733 molybdenum Substances 0.000 description 4
- 239000010936 titanium Substances 0.000 description 4
- 230000008878 coupling Effects 0.000 description 3
- 238000010168 coupling process Methods 0.000 description 3
- 238000005859 coupling reaction Methods 0.000 description 3
- 239000013078 crystal Substances 0.000 description 3
- 235000012239 silicon dioxide Nutrition 0.000 description 3
- 239000000377 silicon dioxide Substances 0.000 description 3
- -1 silicon oxide nitride Chemical class 0.000 description 3
- 238000010897 surface acoustic wave method Methods 0.000 description 3
- KJTLSVCANCCWHF-UHFFFAOYSA-N Ruthenium Chemical compound [Ru] KJTLSVCANCCWHF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- RTAQQCXQSZGOHL-UHFFFAOYSA-N Titanium Chemical compound [Ti] RTAQQCXQSZGOHL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N atomic oxygen Chemical compound [O] QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 230000008859 change Effects 0.000 description 2
- 230000007423 decrease Effects 0.000 description 2
- 238000001312 dry etching Methods 0.000 description 2
- 229910052741 iridium Inorganic materials 0.000 description 2
- GKOZUEZYRPOHIO-UHFFFAOYSA-N iridium atom Chemical compound [Ir] GKOZUEZYRPOHIO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910052451 lead zirconate titanate Inorganic materials 0.000 description 2
- 238000005259 measurement Methods 0.000 description 2
- 239000000203 mixture Substances 0.000 description 2
- 229910052760 oxygen Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000001301 oxygen Substances 0.000 description 2
- 229910052697 platinum Inorganic materials 0.000 description 2
- 229910052707 ruthenium Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000000126 substance Substances 0.000 description 2
- 229910052719 titanium Inorganic materials 0.000 description 2
- PIGFYZPCRLYGLF-UHFFFAOYSA-N Aluminum nitride Chemical compound [Al]#N PIGFYZPCRLYGLF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- XLOMVQKBTHCTTD-UHFFFAOYSA-N Zinc monoxide Chemical compound [Zn]=O XLOMVQKBTHCTTD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000008901 benefit Effects 0.000 description 1
- 238000004891 communication Methods 0.000 description 1
- PMHQVHHXPFUNSP-UHFFFAOYSA-M copper(1+);methylsulfanylmethane;bromide Chemical compound Br[Cu].CSC PMHQVHHXPFUNSP-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 1
- 230000006866 deterioration Effects 0.000 description 1
- 230000002542 deteriorative effect Effects 0.000 description 1
- 230000001747 exhibiting effect Effects 0.000 description 1
- 239000012535 impurity Substances 0.000 description 1
- 238000010884 ion-beam technique Methods 0.000 description 1
- HFGPZNIAWCZYJU-UHFFFAOYSA-N lead zirconate titanate Chemical compound [O-2].[O-2].[O-2].[O-2].[O-2].[Ti+4].[Zr+4].[Pb+2] HFGPZNIAWCZYJU-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000003801 milling Methods 0.000 description 1
- 230000002093 peripheral effect Effects 0.000 description 1
- 230000009467 reduction Effects 0.000 description 1
- 238000009751 slip forming Methods 0.000 description 1
- 238000004544 sputter deposition Methods 0.000 description 1
- 230000008719 thickening Effects 0.000 description 1
Images
Landscapes
- Piezo-Electric Or Mechanical Vibrators, Or Delay Or Filter Circuits (AREA)
Description
本発明は、温度補償型のバルク弾性波共振器の製造方法に関するものである。 The present invention relates to a method for manufacturing a temperature-compensated bulk elastic wave resonator.
近年、スマートフォンの世界的な普及や、ウェアラブルやＩｏＴ（Internet of Things）と通称されるマイクロ波を用いた無線通信サービスの留まることのない旺盛な需要の拡大に伴い、限られた資源である電波（マイクロ波）を有効に利用するため、空間にあふれるマイクロ波の中から必要な周波数の電波を選択的に抽出することが求められている。例えば、現在、２．５ＧＨｚ帯以下の周波数帯だけでなく３ＧＨｚ以上の高周波帯を利用するサービスも拡大しており、所定の周波数帯域の電波を選択的に抽出するため高周波フィルタが使用されている。この種の高周波フィルタでは、温度ドリフトがなく、急峻なスカート特性を有する等、高性能化が要求されている。 In recent years, with the worldwide spread of smartphones and the ever-increasing demand for wireless communication services using microwaves, commonly known as wearables and IoT (Internet of Things), radio waves are a limited resource. In order to make effective use of (microwaves), it is required to selectively extract radio waves of a required frequency from microwaves overflowing in space. For example, at present, services that use not only a frequency band of 2.5 GHz or less but also a high frequency band of 3 GHz or more are expanding, and a high frequency filter is used to selectively extract radio waves in a predetermined frequency band. .. High-frequency filters of this type are required to have high performance, such as having no temperature drift and having steep skirt characteristics.
また、世界各地で使用されている周波数帯域に対応できるようにするため、１台のスマートフォンに１０個を超える高周波フィルタが搭載されるようになり、小型でフィルタ特性に優れていることから、高周波フィルタとして、ＳＡＷ（表面弾性波）共振器が多用されている。 In addition, in order to support the frequency band used all over the world, more than 10 high-frequency filters are installed in one smartphone, and because of its small size and excellent filter characteristics, high-frequency waves are used. SAW (Surface Acoustic Wave) resonators are often used as filters.
一方、ＳＡＷ共振器では３ＧＨｚ以上の高周波帯域や広い通過帯域で使用するには限界があり、高性能を要求されるフィルタにはバルク弾性波（ＢＡＷ）共振器が使われるようになってきている。今後、３ＧＨｚ帯以上の高周波帯でも、使用される周波数帯域が込み合ってくるとの予測を踏まえると、バルク弾性波共振器の需要はさらに拡大することが期待される。 On the other hand, SAW resonators have a limit in being used in a high frequency band of 3 GHz or higher and a wide pass band, and bulk elastic wave (BAW) resonators are being used for filters that require high performance. .. In the future, it is expected that the demand for bulk elastic wave resonators will further increase, based on the prediction that the frequency bands used will be crowded even in the high frequency band of 3 GHz or higher.
現在、圧電膜を上部電極膜と下部電極膜で挟み、これら電極直上あるいは直下を空気層として、弾性波が上部電極膜あるいは下部電極膜の表面での弾性波の反射率を高めたバルク弾性波共振器が用いられている。 Currently, a piezoelectric film is sandwiched between an upper electrode film and a lower electrode film, and an air layer is formed directly above or below these electrodes, and the elastic wave is a bulk elastic wave in which the reflectance of the elastic wave on the surface of the upper electrode film or the lower electrode film is enhanced. Resonators are used.
ところで、バルク弾性波共振器では、圧電膜材料や電極膜材料が温度により熱膨張する効果と、弾性波の伝搬速度が温度により変化する効果が相まって、温度変化に伴い共振周波数が変化してしまう。その結果、バルク弾性波共振器で構成した高周波フィルタの通過帯域が、温度により変動してしまう。そのため、このような変動を考慮して、使用する周波数帯域を余裕を持って狭く設定せざるを得ず、有限の資源である電波を有効に活用できないという問題があった。また、所定の通過帯域を保証するような厳しいスペックを設定すると、製造歩留まりが低下するという問題がある。 By the way, in a bulk elastic wave resonator, the resonance frequency changes as the temperature changes due to the combination of the effect that the piezoelectric film material and the electrode film material thermally expand with temperature and the effect that the propagation speed of elastic waves changes with temperature. .. As a result, the pass band of the high-frequency filter composed of the bulk elastic wave resonator fluctuates depending on the temperature. Therefore, in consideration of such fluctuations, the frequency band to be used must be set narrow with a margin, and there is a problem that radio waves, which are a finite resource, cannot be effectively used. Further, if a strict specification that guarantees a predetermined pass band is set, there is a problem that the manufacturing yield is lowered.
そこで、温度補償のために圧電膜と逆符号の温度依存性を有する薄膜材料を積層したり、圧電膜と逆符号の温度依存性を有する電極膜材料を用いる等の手法が提案されている。 Therefore, methods such as laminating a thin film material having a temperature dependence of the inverse code with the piezoelectric film or using an electrode film material having a temperature dependence of the inverse code with the piezoelectric film have been proposed for temperature compensation.
図７に従来の温度補償型のバルク弾性波共振器の断面図を示す。図７に示すように、支持基板となるシリコン基板１上に下部電極膜２、圧電膜３、圧電膜３と逆符号の温度依存性を有する温度補償膜４および上部電極膜５が順に積層されている。また下部電極膜２の下には凹部６が形成され、この凹部６上の下部電極膜２、圧電膜３、温度補償膜４および上部電極膜５により共振部が形成されている。
FIG. 7 shows a cross-sectional view of a conventional temperature-compensated bulk elastic wave resonator. As shown in FIG. 7, a
ところで、薄膜バルク弾性波共振器の共振周波数は、共振部を構成する温度補償膜を含む積層膜の厚さにほぼ反比例する。そのため所望の共振周波数とするためには、それぞれの膜厚の均一性や再現性に優れた製造方法が望まれる。 By the way, the resonance frequency of the thin film bulk elastic wave resonator is substantially inversely proportional to the thickness of the laminated film including the temperature compensating film constituting the resonance portion. Therefore, in order to obtain a desired resonance frequency, a manufacturing method having excellent uniformity and reproducibility of each film thickness is desired.
しかし実際は、共振部を構成するそれぞれの膜の厚さを厳密に所望の厚さに形成することは難しく、共振周波数はばらついてしまう。そこで、所望の共振周波数となるような調整工程が必要となる。 However, in reality, it is difficult to strictly form the thickness of each film constituting the resonance portion to a desired thickness, and the resonance frequency varies. Therefore, an adjustment step for achieving a desired resonance frequency is required.
例えば特許文献１乃至３には、共振周波数の調整方法が開示されている。具体的には、図７に示すバルク弾性波共振器では、上部電極膜５表面の一部をエッチング除去することにより、共振周波数を調整できる。
For example,
しかし、上部電極膜５表面をエッチングすると上部電極膜５の電気抵抗値が高くなってしまい、このような薄膜バルク弾性波共振器によってフィルタを構成する場合には、その特性が劣化してしまうという問題があった。
However, when the surface of the
また、予め上部電極膜５を薄く形成しておき、その表面に追加の金属膜を形成することにより共振周波数を調整する方法も提案されている。しかし、電極膜を厚くすることで圧電結合係数が劣化してしまい、この場合もフィルタ特性が劣化してしまうという問題があった。
Further, a method of adjusting the resonance frequency by forming the
このような問題点は、共振周波数の異なるバルク弾性波共振器を同一基板上に形成する場合でも同様で、その解決が迫られている。 Such a problem is the same even when bulk elastic wave resonators having different resonance frequencies are formed on the same substrate, and its solution is urgently needed.
従来提案されているバルク弾性波共振器は、共振周波数を調整する際、上部電極膜をエッチングしたり、追加の金属膜を積層していたため、特性が劣化してしまうという問題があった。本発明はこれらの問題点を解消し、温度による共振周波数の変動がなく、共振周波数を調整することができるバルク弾性波共振器の製造方法を提供することを目的とする。 The conventionally proposed bulk elastic wave resonator has a problem that its characteristics are deteriorated because the upper electrode film is etched or an additional metal film is laminated when adjusting the resonance frequency. An object of the present invention is to solve these problems and to provide a method for manufacturing a bulk elastic wave resonator capable of adjusting the resonance frequency without fluctuation of the resonance frequency due to temperature.
上記目的を達成するため、本願請求項１記載の発明は、圧電膜と、該圧電膜を挟む上部電極膜および下部電極膜と、前記圧電膜と逆符号の温度係数を持つ温度補償膜とを含む多層膜とが積層したバルク弾性波共振器の製造方法において、前記下部電極膜と前記圧電膜と前記上部電極膜とを、前記バルク弾性波共振器の共振周波数の波長の１／２の整数倍の厚さとなるように形成する工程と、前記上部電極膜上に前記温度補償膜として、選択除去可能な少なくとも２種類の第１の温度補償膜と第２の温度補償膜を交互に積層し、表面を前記第１の温度補償膜とする多層構造の膜であって、前記共振周波数の波長の１／２の整数倍より厚い膜を形成する工程と、前記多層構造の温度補償膜のうち、表面に形成された前記第１の温度補償膜を選択エッチングし、前記バルク弾性波共振器の共振周波数が所定の値に達していない場合は、前記多層構造の温度補償膜の表面となった前記第２の温度補償膜を選択エッチングし、前記バルク弾性波共振器の共振周波数が前記所定の値となるまで前記第１の温度補償膜の選択エッチングと前記第２の温度補償膜の選択エッチングを繰り返すことで、前記多層構造の温度補償膜の厚さを前記バルク弾性波共振器の共振周波数の波長の１／２の整数倍とし、前記バルク弾性波共振器の共振周波数を所定の値に調整する工程と、を含むことを特徴とする。
In order to achieve the above object, the invention according to
本願請求項２記載の発明は、請求項１記載のバルク弾性波共振器の製造方法において、少なくとも２つのバルク弾性波共振器を備え、一方のバルク弾性波共振器の前記多層構造の温度補償層の表面に形成された前記第１の温度補償膜を選択エッチングし、前記一方のバルク弾性波共振器の共振周波数が所定の第１の共振周波数に達していない場合は、前記多層構造の温度補償膜の表面となった前記第２の温度補償膜を選択エッチングし、前記一方のバルク弾性波共振器の共振周波数が前記第１の共振周波数となるまで前記第１の温度補償膜の選択エッチングと前記第２の温度補償膜の選択エッチングを繰り返すことで、前記一方のバルク弾性波共振器の共振周波数を他方のバルク弾性波共振器の共振周波数とは異なる値に調整する工程を含むことを特徴とする。
The invention according to
本願請求項３記載の発明は、請求項２記載のバルク弾性波共振器の製造方法において、前記他方のバルク弾性波共振器の前記多層構造の温度補償層の表面に形成された前記第１の温度補償膜を選択エッチングし、前記他方のバルク弾性波共振器の共振周波数が所定の第２の共振周波数に達していない場合は、前記多層構造の温度補償膜の表面となった前記第２の温度補償膜を選択エッチングし、前記他方のバルク弾性波共振器の共振周波数が前記第２の共振周波数となるまで前記第１の温度補償膜の選択エッチングと前記第２の温度補償膜の選択エッチングを繰り返すことで、前記他方のバルク弾性波共振器の前記第２の共振周波数を前記一方のバルク弾性波共振器の前記第１の共振周波数とは異なる値に調整する工程を含むことを特徴とする。
The invention according to
本願請求項４記載の発明は、請求項１または２いずれか記載のバルク弾性波共振器の製造方法において、少なくとも２つのバルク弾性波共振器を備え、一方のバルク弾性波共振器の前記温度補償膜の表面をエッチング除去し、または前記表面の温度補償膜を選択的に除去し、該一方のバルク弾性波共振器の共振周波数を他方のバルク弾性波共振器の共振周波数とは異なる値に調整する工程を含むことを特徴とする。
The invention according to
本願請求項５記載の発明は、請求項３記載のバルク弾性波共振器の製造方法において、少なくとも２つのバルク弾性波共振器を備え、一方のバルク弾性波共振器の前記温度補償膜表面に別の膜を積層形成し、該一方のバルク弾性波共振器の共振周波数を他方のバルク弾性波共振器の共振周波数とは異なる値に調整する工程を含むことを特徴とする。
The invention according to
本願請求項６記載の発明は、請求項４または５いずれか記載のバルク弾性波共振器の製造方法において、前記他方のバルク弾性波共振器の前記温度補償膜の表面をエッチング除去し、または前記表面の温度補償膜を選択的に除去し、該他方のバルク弾性波共振器の共振周波数を前記一方のバルク弾性波共振器の共振周波数とは異なる値に調整する工程を含むことを特徴とする。
The invention according to
本願請求項７記載の発明は、請求項４または５いずれか記載のバルク弾性波共振器の製造方法において、前記他方のバルク弾性波共振器の前記温度補償膜表面に別の膜を積層形成し、該他方のバルク弾性波共振器の共振周波数を前記一方のバルク弾性波共振器の共振周波数とは異なる値に調整する工程を含むことを特徴とする。
The invention according to claim 7 of the present application is the method for manufacturing a bulk elastic wave resonator according to any one of
本願請求項８記載の発明は、請求項１乃至７いずれか記載のバルク弾性波共振器の製造方法において、前記共振周波数を調整する工程は、前記温度補償膜の厚さ、あるいは前記別の膜を積層形成する場合は前記温度補償膜と前記膜の積層膜との厚さをバルク弾性波共振器の共振周波数の波長の１／２の整数倍に調整する工程であることを特徴とする。
The invention according to claim 8 of the present application is the method for manufacturing a bulk elastic wave resonator according to any one of
本願請求項９記載の発明は、請求項１乃至７いずれか記載のバルク弾性波共振器の製造方法において、前記共振周波数を調整する工程は、共振周波数を高くする場合は前記温度補償膜をエッチング除去し、共振周波数を低くする場合は前記温度補償膜に別の膜を積層形成する工程であることを特徴とする。
The invention according to claim 9 of the present application is the method for manufacturing a bulk elastic wave resonator according to any one of
本発明によれば、下部電極膜、圧電膜および上部電極膜の全体の厚さを、共振周波数の波長の１／２の整数倍として、その表面に概ね共振周波数の波長の１／２の整数倍の厚さとなるように温度補償膜をエッチング除去あるいは別の膜を積層形成することで共振周波数の調整を行う構成としているので、共振特性に寄与する上部電極等の形状は変化せず、バルク弾性波共振器の特性を劣化させずに共振周波数の調整が可能となる。 According to the present invention, the total thickness of the lower electrode film, the piezoelectric film and the upper electrode film is set to an integral multiple of 1/2 of the resonance frequency wavelength, and the surface thereof is approximately 1/2 integer of the resonance frequency wavelength. Since the resonance frequency is adjusted by removing the etching of the temperature compensation film or laminating another film so that the thickness is doubled, the shape of the upper electrode, etc. that contributes to the resonance characteristics does not change, and the bulk. The resonance frequency can be adjusted without deteriorating the characteristics of the elastic wave resonator.
また、共振周波数の調整が行われた後の温度補償膜の厚さは、概ね共振周波数の波長の１／２の整数倍となるので、予め、温度補償膜の厚さが共振周波数の波長の１／２の整数場となるときに温度補償可能な膜を選択することで、共振周波数の調整と温度補償とを同時に行うことができるという利点がある。 Further, since the thickness of the temperature compensation film after the resonance frequency is adjusted is approximately an integral multiple of 1/2 of the wavelength of the resonance frequency, the thickness of the temperature compensation film is the wavelength of the resonance frequency in advance. By selecting a film capable of temperature compensation when the field becomes a 1/2 integer field, there is an advantage that the resonance frequency can be adjusted and the temperature compensation can be performed at the same time.
また本発明は、複数のバルク弾性波共振器が同一基板上に形成されている場合でも、個々のバルク弾性波共振器の共振周波数の調整が可能であり、量産性に優れた製造方法となる。 Further, according to the present invention, even when a plurality of bulk elastic wave resonators are formed on the same substrate, the resonance frequency of each bulk elastic wave resonator can be adjusted, which is a manufacturing method excellent in mass productivity. ..
本発明のバルク弾性波共振器は、下部電極膜と圧電膜と上部電極膜の全体の厚さを共振器の共振周波数の波長の１／２の整数倍とし、表面に形成した温度補償膜の厚さを調整することで、共振周波数を調整する構成としている。温度補償膜は、共振器の共振周波数の波長の概ね１／２の整数倍になったとき、所望の共振周波数となる。したがって、温度補償膜を共振器の共振周波数の波長の概ね１／２の整数倍のときに温度補償膜として機能する膜を選択すれば、温度補償と共振周波数の調整が同時に実現でき、しかも共振器としての特性維持を図ることが可能となる。以下、本発明の実施例について説明する。 In the bulk elastic wave resonator of the present invention, the total thickness of the lower electrode film, the piezoelectric film, and the upper electrode film is set to an integral multiple of 1/2 of the resonance frequency wavelength of the resonator, and the temperature compensation film formed on the surface thereof. The resonance frequency is adjusted by adjusting the thickness. The temperature compensation film has a desired resonance frequency when it is approximately an integral multiple of 1/2 the wavelength of the resonance frequency of the resonator. Therefore, if a film that functions as a temperature compensation film is selected when the temperature compensation film is approximately 1/2 of the wavelength of the resonance frequency of the resonator, temperature compensation and resonance frequency adjustment can be realized at the same time, and resonance can be achieved. It is possible to maintain the characteristics of the vessel. Hereinafter, examples of the present invention will be described.
図１は、本発明の第１の実施例のバルク弾性波共振器の断面図である。図１に示すように、支持基板となるシリコン基板１上に下部電極膜２、圧電膜３および上部電極膜５が順に積層している。この積層膜の厚さは、バルク弾性波共振器の共振周波数の波長の１／２の整数倍に設定している。
FIG. 1 is a cross-sectional view of a bulk elastic wave resonator according to a first embodiment of the present invention. As shown in FIG. 1, a
ここで、圧電膜として窒化アルミニウム（ＡｌＮ）、電極膜としてモリブデン（Ｍｏ）を用いると、それぞれ材料の温度係数は約−２５ｐｐｍ／℃、約−６０ｐｐｍ／℃であり、温度補償膜４を備えない従来構造の薄膜バルク弾性波共振器は、−４０ｐｐｍ／℃前後の負の温度係数をもち、温度上昇に伴って共振周波数が下がる傾向となる。
Here, when aluminum nitride (AlN) is used as the piezoelectric film and molybdenum (Mo) is used as the electrode film, the temperature coefficients of the materials are about -25 ppm / ° C. and about -60 ppm / ° C., respectively, and the
そこで上部電極膜５上に、シリコン酸化膜からなる温度補償膜４を積層形成する。この温度補償膜４は、バルク弾性波共振器の共振周波数の波長の１／２の整数倍よりわずかに厚く形成する。図１では、温度補償膜４ａが共振周波数の波長の１／２の整数倍に相当する部分を、温度補償膜４ｂがわずかに厚く積層した部分を表している。本実施例では、温度補償膜４ａと温度補償膜４ｂは、いずれもシリコン酸化膜とし、連続して形成する。
Therefore, a
このような構造のバルク弾性波共振器は、所望の共振周波数より低い共振周波数で共振する。そこで所望の共振周波数となるように調整するため、温度補償膜４ａの表面の温度補償膜４ｂの厚さ分だけエッチング除去し、温度補償膜の厚さを薄くする（図２）。温度補償膜の厚さを薄くする方法としては、イオンビームミリング法や反応性ドライエッチング法などドライエッチング法が簡便な方法である。共振周波数は、共振周波数の測定とエッチングを繰り返すことで、所望の値に調整することができる。この調整により、温度補償膜４ｂがエッチング除去され、温度補償膜４ａの厚さが共振周波数の波長の概ね１／２の整数倍に相当する厚さとなる。
A bulk elastic wave resonator having such a structure resonates at a resonance frequency lower than a desired resonance frequency. Therefore, in order to adjust the resonance frequency so as to be desired, the
このように形成されたバルク弾性波共振器では、下部電極膜２と圧電膜３と上部電極膜５の積層膜の厚さを共振器の共振周波数の波長の１／２の整数倍とするとともに、温度補償膜の厚さも共振器の共振周波数の波長の概ね１／２の整数倍となる。より具体的には、圧電性を有する結晶配向方向を有する場合には、下部電極膜２と圧電膜３と上部電極膜５の厚さを共振器の共振周波数の波長の概ね１／２の奇数倍となる。膜厚が概ね等しく互いに逆方向の圧電性を示す結晶配向方向を有する２層の圧電膜から構成される場合には、下部電極膜２と２層の圧電膜３と上部電極膜５の厚さを共振器の共振周波数の波長の概ね１／２の２倍となる。また、互いに逆方向の結晶配向方向を有する圧電膜３が交互に偶数層積層された多層構造からなる場合は、その厚さを共振器の共振周波数の波長の概ね１／２の層数倍となる。
In the bulk elastic wave resonator formed in this way, the thickness of the laminated film of the
簡単のため、圧電膜が単一の圧電性を示す結晶配向方向を有し、下層電極膜２と圧電膜３と上部電極膜５の積層膜の全体の厚さを共振周波数の波長の１／２とし、温度補償膜の厚さも共振周波数の概ね１／２となる一次共振の場合について説明する。なお、２以上の整数倍となる高次の共振の場合についても考え方は同様であるため、説明は省略する。
For simplicity, the piezoelectric film has a single piezoelectric crystal orientation direction, and the overall thickness of the laminated film of the
この場合、下部電極膜２の下面と上部電極膜５の上面（温度補償膜の下面と一致）および温度補償膜４ａの上面が、バルク弾性波振動における歪あるいは応力分布の節となり、全体で１波長分の弾性波が励起されて共振状態となる。この下部電極膜２と圧電膜３と上部電極膜５の積層構造における歪分布は、温度補償膜４ａのない下部電極膜２と圧電膜３と上部電極膜５からなるバルク弾性波共振器の歪分布と一致する。そのため、膜内の歪分布を決める圧電結合係数は概ね同一に保たれ、特性の劣化はない。先に説明した図７に示す従来例では、下部電極膜２、圧電膜３、温度補償膜４と上部電極膜５の積層構造で構成され、下部電極膜２の下面と上部電極膜５の上面を歪分布の節となる共振器の場合には、上部電極膜５の表面をエッチング除去して上部電極膜５の厚さが変化すると下部電極膜と２圧電膜３と上部電極膜５の歪分布が変化し、そのため圧電結合係数が劣化してしまうので、本発明の効果が大きいことがわかる。
In this case, the lower surface of the
バルク弾性波共振器の最下面である下部電極膜２の下面と最上面である上部電極膜５の上面は温度によらず常に歪分布の節となる。圧電膜３と下部電極膜２、上部電極膜５の温度特性に対して温度補償膜４ａの温度特性の符号が逆である。そのため、温度変動によって圧電膜３と各電極膜の波長が短くなると温度補償膜の波長が長くなり、互いに相殺することによって共振周波数が温度によらずほぼ一定に保たれ、あるいは共振周波数の温度による変動が緩和される。
The lower surface of the
なお、圧電膜に励起されるバルク弾性波が温度補償膜にしみ出し、温度補償膜の粘性等による弾性的損失が発生するため、Ｑ値は幾分低下するが、従来例のような圧電膜と各電極膜の間に温度補償膜を挟む構造に比べて、その低減は軽微である。 The bulk elastic wave excited by the piezoelectric film seeps into the temperature compensation film, and elastic loss occurs due to the viscosity of the temperature compensation film. Therefore, the Q value decreases somewhat, but the piezoelectric film as in the conventional example. Compared with the structure in which the temperature compensation film is sandwiched between the electrode film and each electrode film, the reduction is slight.
以上説明したように、温度補償膜４ａの上面および下面が歪分布の節になるようにすれば良いから、温度補償膜の厚さは共振周波数の波長の概ね１／２ばかりでなく、その整数倍であってもよい。
As described above, since the upper surface and the lower surface of the
温度補償膜４としては、二酸化シリコン膜の他、不純物をドーピングした二酸化シリコン酸化膜、酸素の組成を変えたシリコン酸化膜やシリコン酸化窒化膜（ＳｉＯＮ）を用いることができ、温度補償膜４としてバルク弾性波共振器の共振周波数の波長の概ね１／２の整数倍の膜厚としたときに、下部電極膜２、圧電膜３および上部電極膜５で構成される共振周波数の波長の１／２の整数倍となる負の温度係数を持つ部分の温度依存性を補償するような特性の膜を選択すればよい。
As the
次に第２の実施例について説明する。上記第１の実施例では、温度補償膜４は単一の材料で構成した場合について説明した。しかし、本発明はこれに限定されず、化学的性質の異なる多層膜としてもよい。例えば、シリコン酸化膜とシリコン膜、シリコン酸化膜と金属膜であるモリブデン（Ｍｏ）膜の積層膜構造等、選択的にエッチング除去可能な膜の組合わせとすればよい。また２種類の膜の多層構造とすることに限定されず、複数の膜の多層構造としてもよい。
Next, a second embodiment will be described. In the first embodiment described above, the case where the
一例として、シリコン酸化膜とシリコン膜の多層構造とした場合について説明する。温度補償膜は、膜厚全体を多層構造とすることは必ずしも必要はないが、少なくとも共振周波数の調整に必要な領域を多層構造とすると、簡便な共振周波数調整が可能となる。 As an example, a case where a silicon oxide film and a silicon film have a multilayer structure will be described. The temperature compensation film does not necessarily have a multi-layer structure over the entire film thickness, but if at least the region required for adjusting the resonance frequency has a multi-layer structure, simple resonance frequency adjustment becomes possible.
バルク弾性波共振器の共振周波数が所定の値より低い場合、例えば最表面のシリコン酸化膜をエッチング除去する。その際、共振周波数を調整するために除去する厚さに相当する厚さ、あるいはそれより薄くシリコン酸化膜を形成しておくと、共振周波数の調整のため、最表面シリコン酸化膜を完全に除去することになる。この除去工程では、シリコン酸化膜の下層のシリコン膜がエッチングストッパーとして機能し、確実にシリコン酸化膜だけを除去することができる。 When the resonance frequency of the bulk elastic wave resonator is lower than a predetermined value, for example, the outermost silicon oxide film is etched and removed. At that time, if a silicon oxide film having a thickness corresponding to or thinner than the thickness to be removed for adjusting the resonance frequency is formed, the outermost silicon oxide film is completely removed for adjusting the resonance frequency. Will be done. In this removal step, the silicon film underneath the silicon oxide film functions as an etching stopper, and only the silicon oxide film can be reliably removed.
シリコン酸化膜一層のエッチングだけでは所望の共振周波数に達していない場合には、最表面のシリコン膜をエッチング除去する。この場合、共振周波数を調整するために除去する厚さに相当する厚さ、あるいはそれより薄くシリコン膜を形成しておくと、共振周波数の調整のため、最表面となったシリコン膜を完全に除去することになる。シリコン膜の下層のシリコン酸化膜がストッパーとして機能し、確実にシリコン膜だけを除去することができる。以下、所望の共振周波数に達するまで、このエッチングを繰り返せばよい。所望の共振周波数に達したとき、残った温度補償膜の厚さは、バルク弾性波共振器の共振周波数の波長の概ね１／２の整数倍となる。 When the desired resonance frequency is not reached only by etching one layer of the silicon oxide film, the outermost silicon film is etched and removed. In this case, if a silicon film having a thickness corresponding to or thinner than the thickness to be removed for adjusting the resonance frequency is formed, the outermost silicon film is completely removed for adjusting the resonance frequency. It will be removed. The silicon oxide film under the silicon film functions as a stopper, and only the silicon film can be reliably removed. Hereinafter, this etching may be repeated until a desired resonance frequency is reached. When the desired resonance frequency is reached, the thickness of the remaining temperature compensation film is approximately an integral multiple of 1/2 the wavelength of the resonance frequency of the bulk elastic wave resonator.
なお、上記のように温度補償膜を化学的に性質の異なる膜の多層構造とすると、温度補償膜として機能する場合に最適な厚さとは若干ずれる可能性がある。しかし、その差はわずかであり、最適な厚さから若干ずれても十分な温度補償機能を得ることが可能である。 If the temperature compensating film has a multilayer structure of films having chemically different properties as described above, the thickness may be slightly different from the optimum thickness when functioning as the temperature compensating film. However, the difference is small, and it is possible to obtain a sufficient temperature compensation function even if the thickness deviates slightly from the optimum thickness.
次に第３の実施例について説明する。上述の第１および第２の実施例では、温度補償膜４をエッチング除去して所望の厚さにする場合について説明したが、本発明はこれに限定されない。具体的には図３および図４に示すように別の膜を付加することで、所望の厚さにしてもよい。
Next, a third embodiment will be described. In the first and second examples described above, the case where the
上記実施例同様、支持基板となるシリコン基板１上に下部電極膜２、圧電膜３および上部電極膜５が順に積層している。これらの膜の厚さは、バルク弾性波共振器の共振周波数の波長の１／２の整数倍に設定している。その後、温度補償膜４ｃを積層形成する。この温度補償膜４ｃは、バルク弾性波共振器の共振周波数の波長の１／２の整数倍よりわずかに薄い（図３）。
Similar to the above embodiment, the
このような構造のバルク弾性波共振器は、所望の共振周波数より高い共振周波数で共振する。そこで所望の共振周波数となるように調整するため、温度補償膜４ｃの表面に別の温度補償膜４ｄを追加し、温度補償膜を厚くする（図４）。別の温度補償膜４ｄとしては、シリコン酸化膜との他、温度補償膜として使用可能な不純物をドーピングした二酸化シリコン酸化膜、酸素の組成を変えたシリコン酸化膜やシリコン酸化窒化膜（ＳｉＯＮ）等の誘電体膜や金属膜を使用する。
A bulk elastic wave resonator having such a structure resonates at a resonance frequency higher than a desired resonance frequency. Therefore, in order to adjust the desired resonance frequency, another
温度補償膜の厚さを厚くする方法としては、例えばスパッタ法による所望の膜の積層形成が簡便な方法である。共振周波数は、共振周波数の測定とエッチングを繰り返すことで、所望の値に調整することができる。この調整により、温度補償膜４ｄを付加され、温度補償膜の厚さが共振周波数の波長の概ね１／２の整数倍に相当する厚さとなる。
As a method for increasing the thickness of the temperature compensating film, for example, a simple method is to form a laminate of desired films by a sputtering method. The resonance frequency can be adjusted to a desired value by repeating the measurement and etching of the resonance frequency. By this adjustment, the
本実施例においても、下部電極膜２と圧電膜３と上部電極膜５の積層膜の厚さを共振器の共振周波数の１／２の整数倍とするとともに、温度補償膜４ｃに温度補償膜４ｄを追加することで全体としての温度補償膜の厚さも共振器の共振周波数の波長の概ね１／２の整数倍となり、上記第１の実施例同様の効果が得られる。
Also in this embodiment, the thickness of the laminated film of the
なお、上記実施例では、単一のバルク弾性波共振器を例にして説明したが、通常の製造工程では、ウエハ状のシリコン基板上に複数のバルク弾性波共振器を同時に形成することになる。その場合、ウエハの周辺部と中央部等ウエハの位置によって共振周波数がばらつく。そこで、上記実施例で説明した温度補償膜のエッチング量等は、共振周波数のばらつき等を考慮し、あるいは共振周波数の変化の傾向等を考慮し、適宜設定すればよい。この場合、温度補償膜の厚さは、温度補償膜として機能する最適な厚さとは若干ずれる可能性がある。しかし、その差はわずかであり、最適な厚さから若干ずれていても十分な温度補償機能を得ることができるので、ばらつきによる生じる歩留まり等を考慮し、最適な値に設定すればよい。 In the above embodiment, a single bulk elastic wave resonator has been described as an example, but in a normal manufacturing process, a plurality of bulk elastic wave resonators are simultaneously formed on a wafer-shaped silicon substrate. .. In that case, the resonance frequency varies depending on the position of the wafer such as the peripheral portion and the central portion of the wafer. Therefore, the etching amount and the like of the temperature compensating film described in the above embodiment may be appropriately set in consideration of the variation of the resonance frequency and the like, or the tendency of the change of the resonance frequency and the like. In this case, the thickness of the temperature compensating film may deviate slightly from the optimum thickness that functions as the temperature compensating film. However, the difference is small, and a sufficient temperature compensation function can be obtained even if the thickness deviates slightly from the optimum thickness. Therefore, the optimum value may be set in consideration of the yield caused by the variation.
次に第４の実施例について説明する。バルク弾性波共振器を用いてフィルタを形成する場合、異なる共振周波数を有する複数のバルク弾性波共振器を用いる。本発明はこのように同一基板に複数のバルク弾性波共振器を形成する場合にも適用可能である。例えば、同一基板に２つのバルク弾性波共振器を形成する場合について図５に示すように、支持基板となるシリコン基板１上に２つのバルク弾性波共振器１０Ａ、１０Ｂが形成されている。図５に示すように、バルク弾性波共振器１０Ａは、シリコン基板１上に、下部電極膜２Ａ、圧電膜３および上部電極膜５Ａが順に積層している。一方バルク弾性波共振器１０Ｂは、シリコン基板１上に、下部電極膜２Ｂ、圧電膜３および上部電極膜５Ｂが順に積層している。さらにそれぞれ温度補償膜４Ａ、４Ｂが積層している。これらの温度補償膜４Ａ、４Ｂは図５に示すように厚さが異なっている。このような温度補償膜は、一方のバルク弾性波共振器の温度補償膜の表面を選択的にエッチング除去したり、他方のバルク弾性波共振器の温度補償膜上に別の膜を積層することで形成することができる。
Next, a fourth embodiment will be described. When forming a filter using a bulk elastic wave resonator, a plurality of bulk elastic wave resonators having different resonance frequencies are used. The present invention is also applicable to the case where a plurality of bulk elastic wave resonators are formed on the same substrate in this way. For example, as shown in FIG. 5 in the case of forming two bulk elastic wave resonators on the same substrate, two bulk
具体的には、上記第１の実施例を適用する場合について説明する。まず、上部電極膜５Ａ、５Ｂ上に、バルク弾性波共振器１０Ｂの共振周波数の概ね１／２の整数倍の厚さの温度補償膜を積層する。その後、バルク弾性波共振器１０Ｂ形成領域を覆い、バルク弾性波共振器１０Ａ形成領域を開口するようにレジスト膜をパターニングし、バルク弾性波共振器１０Ａの共振周波数の概ね１／２の整数倍の厚さとなるまで温度補償膜をエッチング除去する。その後、レジスト膜を除去すると図５に示すように、バルク弾性波共振器１０Ａの温度補償膜４Ａの厚さとバルク弾性波共振器１０Ｂの温度補償膜４Ｂの厚さとが異なる形状を同一基板上に形成することが可能となる。
Specifically, a case where the first embodiment is applied will be described. First, a temperature compensation film having a thickness approximately ½ of the resonance frequency of the bulk
次に第５の実施例について説明する。上記第４の実施例において、上記第３の実施例を適用する場合には、温度補償膜を化学的性質の異なる多層膜とすればよい。 Next, a fifth embodiment will be described. In the case of applying the third embodiment in the fourth embodiment, the temperature compensation film may be a multilayer film having different chemical properties.
具体的には、上記第３の実施例を適用する場合について説明する。まず、上部電極膜５Ａ、５Ｂ上に、バルク弾性波共振器１０Ａの共振周波数の１／２の整数倍の厚さの温度補償膜を積層する。その後、バルク弾性波共振器１０Ａ形成領域を覆い、バルク弾性波共振器１０Ｂ形成領域を開口するようにレジスト膜をパターニングし、バルク弾性波共振器１０Ｂの共振周波数の概ね１／２の整数倍の厚さとなるまで別の膜、例えば金属膜を積層し、リフトオフすることで、図６に示すように、温度補償膜４Ｂ上に別の膜４ｅを形成することができる。
Specifically, a case where the third embodiment is applied will be described. First, a temperature compensation film having a thickness that is an integral multiple of 1/2 the resonance frequency of the bulk
さらに別の実施例として、一方のバルク弾性波共振器の温度補償膜のみをエッチングする代わりに、両方の温度補償膜をそれぞれ所望の厚さだけエッチングすることで共振周波数を調整することも可能である。同様に、一方のバルク弾性波共振器の温度補償膜上のみに別の膜を積層する代わりに、両方のバルク弾性波共振器の温度補償膜上に別の膜をそれぞれ積層して共振周波数を調整することも可能である。さらに、温度補償膜のエッチングによる共振周波数の調整と別の膜を積層することによる共振周波数の調整を組み合わせても問題ない。 As yet another embodiment, it is possible to adjust the resonance frequency by etching both temperature compensation films to a desired thickness instead of etching only the temperature compensation film of one bulk elastic wave resonator. is there. Similarly, instead of laminating another membrane only on the temperature compensating membrane of one bulk elastic wave resonator, another membrane is laminated on the temperature compensating membrane of both bulk elastic wave resonators to obtain the resonance frequency. It is also possible to adjust. Further, there is no problem in combining the adjustment of the resonance frequency by etching the temperature compensation film and the adjustment of the resonance frequency by laminating another film.
以上本発明の実施例について説明したが、本発明は上記実施例に限定されるものでないことは言うまでもない。具体的には、圧電膜として窒化アルミニウムに限定されるものでなく、窒化スカンジウムアルミニウム（Ａｌ1-xＳｃxＮ）、酸化亜鉛（ＺｎＯ）、チタン酸ジルコン酸鉛（ＰＺＴ）も利用することが可能である。また、上部電極膜あるいは下部電極膜は、モリブデン（Ｍｏ）の代わりに、プラチナ（Ｐｔ）、チタン（Ｔｉ）、イリジウム（Ｉｒ）、ルテニウム（Ｒｕ）等の金属薄膜で形成することができる。同様に、温度補償膜として使用する金属膜についても、モリブデン（Ｍｏ）の代わりに、プラチナ（Ｐｔ）、チタン（Ｔｉ）、イリジウム（Ｉｒ）、ルテニウム（Ｒｕ）等の金属薄膜で形成することができる。 Although the examples of the present invention have been described above, it goes without saying that the present invention is not limited to the above examples. Specifically, the piezoelectric film is not limited to aluminum nitride, and scandium aluminum nitride (Al 1-x Sc x N), zinc oxide (ZnO), and lead zirconate titanate (PZT) can also be used. It is possible. Further, the upper electrode film or the lower electrode film can be formed of a metal thin film such as platinum (Pt), titanium (Ti), iridium (Ir), and ruthenium (Ru) instead of molybdenum (Mo). Similarly, the metal film used as the temperature compensation film may be formed of a metal thin film such as platinum (Pt), titanium (Ti), iridium (Ir), ruthenium (Ru) instead of molybdenum (Mo). it can.
１：シリコン基板、２：下部電極膜、３：圧電膜、４：温度補償膜、５：上部電極膜、６：凹部 1: Silicon substrate 2: Lower electrode film 3: Piezoelectric film 4: Temperature compensation film 5: Upper electrode film, 6: Recessed
Claims (1)
前記下部電極膜と前記圧電膜と前記上部電極膜とを、前記バルク弾性波共振器の共振周波数の波長の１／２の整数倍の厚さとなるように形成する工程と、
前記上部電極膜上に前記温度補償膜として、選択除去可能な少なくとも２種類の第１の温度補償膜と第２の温度補償膜を交互に積層し、表面を前記第１の温度補償膜とする多層構造の膜であって、前記共振周波数の波長の１／２の整数倍より厚い膜を形成する工程と、
前記多層構造の温度補償膜のうち、表面に形成された前記第１の温度補償膜を選択エッチングし、前記バルク弾性波共振器の共振周波数が所定の値に達していない場合は、前記多層構造の温度補償膜の表面となった前記第２の温度補償膜を選択エッチングし、前記バルク弾性波共振器の共振周波数が前記所定の値となるまで前記第１の温度補償膜の選択エッチングと前記第２の温度補償膜の選択エッチングを繰り返すことで、前記多層構造の温度補償膜の厚さを前記バルク弾性波共振器の共振周波数の波長の１／２の整数倍とし、前記バルク弾性波共振器の共振周波数を所定の値に調整する工程と、を含むことを特徴とするバルク弾性波共振器の製造方法。 In a method for manufacturing a bulk elastic wave resonator in which a piezoelectric film, an upper electrode film and a lower electrode film sandwiching the piezoelectric film, and a multilayer film including the piezoelectric film and a temperature compensation film having a temperature coefficient of the opposite sign are laminated. ,
A step of forming the lower electrode film, the piezoelectric film, and the upper electrode film so as to have a thickness that is an integral multiple of 1/2 the wavelength of the resonance frequency of the bulk elastic wave resonator.
As the temperature compensating film, at least two types of the first temperature compensating film and the second temperature compensating film that can be selectively removed are alternately laminated on the upper electrode film, and the surface thereof is used as the first temperature compensating film. A step of forming a film having a multi-layer structure, which is thicker than an integral multiple of 1/2 of the wavelength of the resonance frequency.
When the first temperature compensating film formed on the surface of the multi-layered temperature compensating film is selectively etched and the resonance frequency of the bulk elastic wave resonator does not reach a predetermined value, the multilayer structure is formed. The second temperature compensating film, which is the surface of the temperature compensating film, is selectively etched, and the first temperature compensating film is selectively etched until the resonance frequency of the bulk elastic wave resonator reaches the predetermined value. By repeating the selective etching of the second temperature compensating film, the thickness of the temperature compensating film having the multilayer structure is made an integral multiple of 1/2 the wavelength of the resonance frequency of the bulk elastic wave resonator, and the bulk elastic wave resonance is performed. A method for manufacturing a bulk elastic wave resonator, which comprises a step of adjusting the resonance frequency of the instrument to a predetermined value.
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2017013227A JP6885533B2 (en) | 2017-01-27 | 2017-01-27 | Manufacturing method of bulk elastic wave resonator |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2017013227A JP6885533B2 (en) | 2017-01-27 | 2017-01-27 | Manufacturing method of bulk elastic wave resonator |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2018121291A JP2018121291A (en) | 2018-08-02 |
| JP6885533B2 true JP6885533B2 (en) | 2021-06-16 |
Family
ID=63045494
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2017013227A Active JP6885533B2 (en) | 2017-01-27 | 2017-01-27 | Manufacturing method of bulk elastic wave resonator |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP6885533B2 (en) |
Families Citing this family (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP7208828B2 (en) * | 2019-02-28 | 2023-01-19 | 太陽誘電株式会社 | Filters and multiplexers |
| TWI784331B (en) * | 2020-10-22 | 2022-11-21 | 台灣奈米碳素股份有限公司 | Method for manufacturing film bulk acoustic resonance device having specific resonant frequency |
Family Cites Families (7)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP3889351B2 (en) * | 2002-12-11 | 2007-03-07 | Ｔｄｋ株式会社 | Duplexer |
| JP2005176333A (en) * | 2003-11-18 | 2005-06-30 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | Acoustic resonator apparatus, filtering apparatus, method of manufacturing acoustic resonator apparatus, and communication apparatus |
| JP2005311849A (en) * | 2004-04-23 | 2005-11-04 | Seiko Epson Corp | Piezoelectric membrane resonator, filter and method for manufacturing piezoelectric membrane resonator |
| US7561009B2 (en) * | 2005-11-30 | 2009-07-14 | Avago Technologies General Ip (Singapore) Pte. Ltd. | Film bulk acoustic resonator (FBAR) devices with temperature compensation |
| JP4836748B2 (en) * | 2006-10-27 | 2011-12-14 | 京セラ株式会社 | Bulk acoustic wave resonator, filter device, and communication device |
| JP4978210B2 (en) * | 2007-01-25 | 2012-07-18 | セイコーエプソン株式会社 | Manufacturing method of bulk acoustic vibrator |
| CN102904546B (en) * | 2012-08-30 | 2016-04-13 | 中兴通讯股份有限公司 | The adjustable piezoelectric acoustic wave resonator of a kind of temperature compensation capability |
-
2017
- 2017-01-27 JP JP2017013227A patent/JP6885533B2/en active Active
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JP2018121291A (en) | 2018-08-02 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| US10720900B2 (en) | Acoustic resonator and method | |
| CN100542022C (en) | The manufacturing of resonator, filter and resonator | |
| US11271543B2 (en) | Bulk acoustic wave resonator | |
| US8610333B2 (en) | Acoustic wave devices | |
| US10965271B2 (en) | Acoustic resonator and method for fabricating the same | |
| CN107786182A (en) | Bulk acoustic wave resonator and filter including the same | |
| CN102916674A (en) | Acoustic wave filter | |
| US11418168B2 (en) | Acoustic resonator and method for manufacturing the same | |
| JP2008211394A (en) | Resonator | |
| CN108631748A (en) | Acoustic wave resonator and filter including the same | |
| JP6819005B2 (en) | Bulk elastic wave resonator | |
| JP6885533B2 (en) | Manufacturing method of bulk elastic wave resonator | |
| KR102449355B1 (en) | Acoustic resonator and method for fabricating the same | |
| JP2009290369A (en) | Baw resonance device | |
| JP2008211392A (en) | Resonator and manufacturing method thereof | |
| KR102066958B1 (en) | Filter | |
| KR102588798B1 (en) | Acoustic wave filter device and method for manufacturing the same | |
| US11146245B2 (en) | Mode suppression in acoustic resonators | |
| JP2011176644A (en) | Acoustic wave device | |
| EP3895309A1 (en) | Thin film saw device | |
| JP2019201305A (en) | Acoustic resonator | |
| JP6892061B2 (en) | Manufacturing method of bulk elastic wave resonator | |
| JP6828973B2 (en) | Manufacturing method of bulk elastic wave resonator | |
| JP7348794B2 (en) | Bulk elastic wave resonator and its manufacturing method | |
| US20220140811A1 (en) | Bulk acoustic wave resonator |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20191225 |
|
| A977 | Report on retrieval |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20201015 |
|
| A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20201027 |
|
| A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20201222 |
|
| A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20210202 |
|
| A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20210316 |
|
| TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
| A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20210413 |
|
| A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20210427 |
|
| R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
Ref document number: 6885533 Country of ref document: JP Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 |
|
| R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |