JP6822146B2 - Manufacturing method of semiconductor substrate and manufacturing method of composite semiconductor substrate - Google Patents

Manufacturing method of semiconductor substrate and manufacturing method of composite semiconductor substrate Download PDF

Info

Publication number
JP6822146B2
JP6822146B2 JP2016569523A JP2016569523A JP6822146B2 JP 6822146 B2 JP6822146 B2 JP 6822146B2 JP 2016569523 A JP2016569523 A JP 2016569523A JP 2016569523 A JP2016569523 A JP 2016569523A JP 6822146 B2 JP6822146 B2 JP 6822146B2
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
substrate
semiconductor
layer
light
ion
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Active
Application number
JP2016569523A
Other languages
Japanese (ja)
Other versions
JPWO2016114382A1 (en
Inventor
西林　良樹
良樹 西林
仲前　一男
一男 仲前
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Sumitomo Electric Industries Ltd
Original Assignee
Sumitomo Electric Industries Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Sumitomo Electric Industries Ltd filed Critical Sumitomo Electric Industries Ltd
Publication of JPWO2016114382A1 publication Critical patent/JPWO2016114382A1/en
Application granted granted Critical
Publication of JP6822146B2 publication Critical patent/JP6822146B2/en
Active legal-status Critical Current
Anticipated expiration legal-status Critical

Links

Images

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/70—Manufacture or treatment of devices consisting of a plurality of solid state components formed in or on a common substrate or of parts thereof; Manufacture of integrated circuit devices or of parts thereof
    • H01L21/77—Manufacture or treatment of devices consisting of a plurality of solid state components or integrated circuits formed in, or on, a common substrate
    • H01L21/78—Manufacture or treatment of devices consisting of a plurality of solid state components or integrated circuits formed in, or on, a common substrate with subsequent division of the substrate into plural individual devices
    • H01L21/7806—Manufacture or treatment of devices consisting of a plurality of solid state components or integrated circuits formed in, or on, a common substrate with subsequent division of the substrate into plural individual devices involving the separation of the active layers from a substrate
    • H01L21/7813—Manufacture or treatment of devices consisting of a plurality of solid state components or integrated circuits formed in, or on, a common substrate with subsequent division of the substrate into plural individual devices involving the separation of the active layers from a substrate leaving a reusable substrate, e.g. epitaxial lift off
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C30—CRYSTAL GROWTH
    • C30B—SINGLE-CRYSTAL GROWTH; UNIDIRECTIONAL SOLIDIFICATION OF EUTECTIC MATERIAL OR UNIDIRECTIONAL DEMIXING OF EUTECTOID MATERIAL; REFINING BY ZONE-MELTING OF MATERIAL; PRODUCTION OF A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; SINGLE CRYSTALS OR HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; AFTER-TREATMENT OF SINGLE CRYSTALS OR A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; APPARATUS THEREFOR
    • C30B25/00—Single-crystal growth by chemical reaction of reactive gases, e.g. chemical vapour-deposition growth
    • C30B25/02—Epitaxial-layer growth
    • C30B25/18—Epitaxial-layer growth characterised by the substrate
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/02002—Preparing wafers
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/02104—Forming layers
    • H01L21/02365—Forming inorganic semiconducting materials on a substrate
    • H01L21/02367—Substrates
    • H01L21/0237—Materials
    • H01L21/02387—Group 13/15 materials
    • H01L21/02389—Nitrides
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/02104—Forming layers
    • H01L21/02365—Forming inorganic semiconducting materials on a substrate
    • H01L21/02367—Substrates
    • H01L21/0237—Materials
    • H01L21/024—Group 12/16 materials
    • H01L21/02409—Selenides
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/02104—Forming layers
    • H01L21/02365—Forming inorganic semiconducting materials on a substrate
    • H01L21/02367—Substrates
    • H01L21/02433—Crystal orientation
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/02104—Forming layers
    • H01L21/02365—Forming inorganic semiconducting materials on a substrate
    • H01L21/02518—Deposited layers
    • H01L21/02521—Materials
    • H01L21/02524—Group 14 semiconducting materials
    • H01L21/02527—Carbon, e.g. diamond-like carbon
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/02104—Forming layers
    • H01L21/02365—Forming inorganic semiconducting materials on a substrate
    • H01L21/02518—Deposited layers
    • H01L21/02521—Materials
    • H01L21/02524—Group 14 semiconducting materials
    • H01L21/02529—Silicon carbide
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/02104—Forming layers
    • H01L21/02365—Forming inorganic semiconducting materials on a substrate
    • H01L21/02518—Deposited layers
    • H01L21/02521—Materials
    • H01L21/02538—Group 13/15 materials
    • H01L21/0254—Nitrides
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/02104—Forming layers
    • H01L21/02365—Forming inorganic semiconducting materials on a substrate
    • H01L21/02518—Deposited layers
    • H01L21/02521—Materials
    • H01L21/02551—Group 12/16 materials
    • H01L21/02557—Sulfides
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/02104—Forming layers
    • H01L21/02365—Forming inorganic semiconducting materials on a substrate
    • H01L21/02518—Deposited layers
    • H01L21/02521—Materials
    • H01L21/02551—Group 12/16 materials
    • H01L21/0256—Selenides
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/02104—Forming layers
    • H01L21/02365—Forming inorganic semiconducting materials on a substrate
    • H01L21/02612—Formation types
    • H01L21/02617—Deposition types
    • H01L21/0262—Reduction or decomposition of gaseous compounds, e.g. CVD
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/02104—Forming layers
    • H01L21/02365—Forming inorganic semiconducting materials on a substrate
    • H01L21/02612—Formation types
    • H01L21/02617—Deposition types
    • H01L21/02631—Physical deposition at reduced pressure, e.g. MBE, sputtering, evaporation
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/02104—Forming layers
    • H01L21/02365—Forming inorganic semiconducting materials on a substrate
    • H01L21/02656—Special treatments
    • H01L21/02658—Pretreatments
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
    • H01L21/18—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer the devices having semiconductor bodies comprising elements of Group IV of the Periodic Table or AIIIBV compounds with or without impurities, e.g. doping materials
    • H01L21/20—Deposition of semiconductor materials on a substrate, e.g. epitaxial growth solid phase epitaxy
    • H01L21/2003—Deposition of semiconductor materials on a substrate, e.g. epitaxial growth solid phase epitaxy characterised by the substrate
    • H01L21/2007—Bonding of semiconductor wafers to insulating substrates or to semiconducting substrates using an intermediate insulating layer
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
    • H01L21/18—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer the devices having semiconductor bodies comprising elements of Group IV of the Periodic Table or AIIIBV compounds with or without impurities, e.g. doping materials
    • H01L21/26—Bombardment with radiation
    • H01L21/263—Bombardment with radiation with high-energy radiation
    • H01L21/268—Bombardment with radiation with high-energy radiation using electromagnetic radiation, e.g. laser radiation
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/70—Manufacture or treatment of devices consisting of a plurality of solid state components formed in or on a common substrate or of parts thereof; Manufacture of integrated circuit devices or of parts thereof
    • H01L21/77—Manufacture or treatment of devices consisting of a plurality of solid state components or integrated circuits formed in, or on, a common substrate
    • H01L21/78—Manufacture or treatment of devices consisting of a plurality of solid state components or integrated circuits formed in, or on, a common substrate with subsequent division of the substrate into plural individual devices
    • H01L21/7806—Manufacture or treatment of devices consisting of a plurality of solid state components or integrated circuits formed in, or on, a common substrate with subsequent division of the substrate into plural individual devices involving the separation of the active layers from a substrate
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L29/00—Semiconductor devices specially adapted for rectifying, amplifying, oscillating or switching and having potential barriers; Capacitors or resistors having potential barriers, e.g. a PN-junction depletion layer or carrier concentration layer; Details of semiconductor bodies or of electrodes thereof ; Multistep manufacturing processes therefor
    • H01L29/02—Semiconductor bodies ; Multistep manufacturing processes therefor
    • H01L29/12—Semiconductor bodies ; Multistep manufacturing processes therefor characterised by the materials of which they are formed
    • H01L29/16—Semiconductor bodies ; Multistep manufacturing processes therefor characterised by the materials of which they are formed including, apart from doping materials or other impurities, only elements of Group IV of the Periodic Table
    • H01L29/1602—Diamond
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L29/00—Semiconductor devices specially adapted for rectifying, amplifying, oscillating or switching and having potential barriers; Capacitors or resistors having potential barriers, e.g. a PN-junction depletion layer or carrier concentration layer; Details of semiconductor bodies or of electrodes thereof ; Multistep manufacturing processes therefor
    • H01L29/02—Semiconductor bodies ; Multistep manufacturing processes therefor
    • H01L29/12—Semiconductor bodies ; Multistep manufacturing processes therefor characterised by the materials of which they are formed
    • H01L29/16—Semiconductor bodies ; Multistep manufacturing processes therefor characterised by the materials of which they are formed including, apart from doping materials or other impurities, only elements of Group IV of the Periodic Table
    • H01L29/1608—Silicon carbide
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L29/00—Semiconductor devices specially adapted for rectifying, amplifying, oscillating or switching and having potential barriers; Capacitors or resistors having potential barriers, e.g. a PN-junction depletion layer or carrier concentration layer; Details of semiconductor bodies or of electrodes thereof ; Multistep manufacturing processes therefor
    • H01L29/02—Semiconductor bodies ; Multistep manufacturing processes therefor
    • H01L29/12—Semiconductor bodies ; Multistep manufacturing processes therefor characterised by the materials of which they are formed
    • H01L29/20—Semiconductor bodies ; Multistep manufacturing processes therefor characterised by the materials of which they are formed including, apart from doping materials or other impurities, only AIIIBV compounds
    • H01L29/2003—Nitride compounds
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L29/00—Semiconductor devices specially adapted for rectifying, amplifying, oscillating or switching and having potential barriers; Capacitors or resistors having potential barriers, e.g. a PN-junction depletion layer or carrier concentration layer; Details of semiconductor bodies or of electrodes thereof ; Multistep manufacturing processes therefor
    • H01L29/02—Semiconductor bodies ; Multistep manufacturing processes therefor
    • H01L29/12—Semiconductor bodies ; Multistep manufacturing processes therefor characterised by the materials of which they are formed
    • H01L29/22—Semiconductor bodies ; Multistep manufacturing processes therefor characterised by the materials of which they are formed including, apart from doping materials or other impurities, only AIIBVI compounds
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L29/00—Semiconductor devices specially adapted for rectifying, amplifying, oscillating or switching and having potential barriers; Capacitors or resistors having potential barriers, e.g. a PN-junction depletion layer or carrier concentration layer; Details of semiconductor bodies or of electrodes thereof ; Multistep manufacturing processes therefor
    • H01L29/02—Semiconductor bodies ; Multistep manufacturing processes therefor
    • H01L29/30—Semiconductor bodies ; Multistep manufacturing processes therefor characterised by physical imperfections; having polished or roughened surface
    • H01L29/34—Semiconductor bodies ; Multistep manufacturing processes therefor characterised by physical imperfections; having polished or roughened surface the imperfections being on the surface

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Ceramic Engineering (AREA)
  • Materials Engineering (AREA)
  • High Energy & Nuclear Physics (AREA)
  • Crystallography & Structural Chemistry (AREA)
  • Optics & Photonics (AREA)
  • Toxicology (AREA)
  • Health & Medical Sciences (AREA)
  • Electromagnetism (AREA)
  • Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
  • Organic Chemistry (AREA)
  • Metallurgy (AREA)
  • General Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Recrystallisation Techniques (AREA)
  • Crystals, And After-Treatments Of Crystals (AREA)
  • Chemical Vapour Deposition (AREA)
  • Laser Beam Processing (AREA)
  • Physical Vapour Deposition (AREA)

Description

本発明は、半導体基板の製造方法、半導体基板、複合半導体基板の製造方法、複合半導体基板、および半導体接合基板に関する。 The present invention relates to a method for manufacturing a semiconductor substrate, a semiconductor substrate, a method for manufacturing a composite semiconductor substrate, a composite semiconductor substrate, and a semiconductor bonded substrate.

半導体基板は、あらゆるエレクトロニクスに内蔵され、幅広く利用されており、特にワイドバンドギャップ半導体基板は、省エネに寄与する高効率のデバイス、パワーデバイスなどの半導体基板として、今後期待されている材料である。中でもダイヤモンド基板は、半導体基板としてだけでなく、各種工具（ドリル、エンドミル、フライス、カッタ、バイトなどの切削工具や、ダイス、水やその他流体のジェットノズル、スティッチェルなどの耐磨工具など）、光学部品（窓、レンズなど）、電子部品の材料（放熱基板など）として幅広く用いられており、今後さらに重要性が増すものと考えられる。 Semiconductor substrates are embedded in all types of electronics and are widely used. In particular, wide bandgap semiconductor substrates are expected materials for semiconductor substrates such as high-efficiency devices and power devices that contribute to energy saving. Among them, diamond substrates are not only used as semiconductor substrates, but also various tools (cutting tools such as drills, end mills, milling cutters, cutters, and cutting tools, jet nozzles for dies, water and other fluids, and abrasion resistant tools such as stickels). It is widely used as a material for optical components (windows, lenses, etc.) and electronic components (radiation board, etc.), and is expected to become even more important in the future.

ほとんどの半導体は、気相合成法（以下、ＣＶＤ法（Ｃｈｅｍｉｃａｌ Ｖａｐｏｒ Ｄｅｐｏｓｉｔｉｏｎ）ともいう）によって、薄膜あるいは板状、バルク状のものを形成することができる。 Most semiconductors can be formed into a thin film, a plate, or a bulk by a vapor phase synthesis method (hereinafter, also referred to as a CVD method (Chemical Vapor Deposition)).

気相合成法では、種結晶である種基板上に半導体層を成長させる。半導体層は、種基板とともに利用することができる。また、半導体層を種基板から分離し、半導体層のみを製品に利用することができる。この場合は、種基板を再利用できるため、製造コストを低減することができる。 In the vapor phase synthesis method, a semiconductor layer is grown on a seed substrate which is a seed crystal. The semiconductor layer can be used together with the seed substrate. Further, the semiconductor layer can be separated from the seed substrate, and only the semiconductor layer can be used in the product. In this case, since the seed substrate can be reused, the manufacturing cost can be reduced.

特許文献１（特開平６−２３４５９５号公報）には、気相合成法により、光透過性の高い第１のダイヤモンド層と、光透過性の低い第２のダイヤモンド層とを交互に積層し、この積層体にレーザー光を照射して、第２のダイヤモンド層にレーザー光を吸収させ、第１のダイヤモンド層をダイヤモンド薄板として分離する方法が開示されている。 In Patent Document 1 (Japanese Unexamined Patent Publication No. 6-234595), a first diamond layer having high light transmission and a second diamond layer having low light transmission are alternately laminated by a vapor phase synthesis method. A method of irradiating this laminate with laser light to cause the second diamond layer to absorb the laser light and separating the first diamond layer as a diamond thin plate is disclosed.

特許文献２（特開２００７−１１２６３７号公報）には、気相合成法により、基板上に光透過性の低い第１のダイヤモンド層および光透過性の高い第２のダイヤモンド層を成長させて積層体を得て、前記積層体の上面または下面側からレーザー光を照射して第１のダイヤモンド層を変質させ、前記変質した第１のダイヤモンド層を加熱処理、電気化学的エッチングまたは酸エッチング等の処理によって剥離させて、第２のダイヤモンド層を分離する方法が開示されている。 In Patent Document 2 (Japanese Unexamined Patent Publication No. 2007-112637), a first diamond layer having low light transmission and a second diamond layer having high light transmission are grown and laminated on a substrate by a vapor phase synthesis method. A body is obtained, and laser light is irradiated from the upper surface or the lower surface side of the laminate to alter the first diamond layer, and the altered first diamond layer is heat-treated, electrochemically etched, acid-etched, or the like. A method of separating the second diamond layer by peeling by treatment is disclosed.

特許文献３（米国特許第５５８７２１０明細書）には、ダイヤモンド基板にイオン注入を行い、基板の内部に非ダイヤモンド炭素からなるダメージ層を形成した後、前記基板上に気相合成法によりダイヤモンドを成長させ、その後ダメージ層を電気化学的エッチングして、成長したダイヤモンドを基板から分離する方法が開示されている。 In Patent Document 3 (US Pat. No. 5,587,210), ions are injected into a diamond substrate to form a damaged layer made of non-diamond carbon inside the substrate, and then diamond is grown on the substrate by a vapor phase synthesis method. A method is disclosed in which the damaged layer is then electrochemically etched to separate the grown diamond from the substrate.

また、製造コストを下げるためには、種基板を薄くスライスして用いることも有効である。 Further, in order to reduce the manufacturing cost, it is also effective to slice the seed substrate into thin slices.

特許文献４（特開２０１１−６０８６０号公報）には、基板表面にレーザー光を照射することにより基板内部に改質層を形成した後、前記改質層をエッチングして、基板をスライスする方法が開示されている。 In Patent Document 4 (Japanese Unexamined Patent Publication No. 2011-60860), a method of forming a modified layer inside a substrate by irradiating the surface of the substrate with laser light and then etching the modified layer to slice the substrate. Is disclosed.

特許文献５（特開２０１２−１６９３６３号公報）には、基板表面にレーザー光を照射することにより基板内部に改質層を形成した後、前記基板を改質層または改質層近傍において割断する基板の加工方法が開示されている。 In Patent Document 5 (Japanese Unexamined Patent Publication No. 2012-169363), a modified layer is formed inside the substrate by irradiating the surface of the substrate with laser light, and then the substrate is cut in the modified layer or in the vicinity of the modified layer. A method for processing a substrate is disclosed.

特許文献６（特開２０１１−６０８６２号公報）には、基板表面にレーザー光を照射することにより基板内部に改質層を形成した後、前記改質層に溝を形成して前記溝を基点に基板を剥離する基板のスライス方法が開示されている。 In Patent Document 6 (Japanese Unexamined Patent Publication No. 2011-60862), a modified layer is formed inside the substrate by irradiating the surface of the substrate with laser light, and then a groove is formed in the modified layer to use the groove as a base point. Discloses a method of slicing a substrate for peeling the substrate.

特開平６−２３４５９５号公報Japanese Unexamined Patent Publication No. 6-234595 特開２００７−１１２６３７号公報JP-A-2007-112637 米国特許第５５８７２１０明細書U.S. Pat. No. 5,587,210 特開２０１１−６０８６０号公報Japanese Unexamined Patent Publication No. 2011-60860 特開２０１２−１６９３６３号公報Japanese Unexamined Patent Publication No. 2012-169363 特開２０１１−６０８６２号公報Japanese Unexamined Patent Publication No. 2011-60862

特許文献１の方法は、レーザー光を吸収する第２のダイヤモンド層をレーザー光により十分開裂するために、材料中最も硬いダイヤモンドの結合を切る必要がある。このような開裂のためにはレーザー光強度を十分強く保つ必要がある。この時、本来レーザー光を透過すべき第１のダイヤモンド層の表面において、表面のごみや凹凸の影響で、部分的にレーザー光強度が加工しきい値を超えて、第１のダイヤモンド層も加工される場合がある。また、第２のダイヤモンド層が急激に開裂するため、その開裂の勢いで第１のダイヤモンド層にも開裂の境界が及ぶこともあり、分離した表面が粗くなるという問題がある。また、加工時の衝撃でダイヤモンド全体が割れる場合もある。 In the method of Patent Document 1, it is necessary to break the bond of the hardest diamond in the material in order to sufficiently cleave the second diamond layer that absorbs the laser light by the laser light. For such cleavage, it is necessary to keep the laser beam intensity sufficiently strong. At this time, on the surface of the first diamond layer that should originally transmit the laser light, the laser light intensity partially exceeds the processing threshold due to the influence of dust and unevenness on the surface, and the first diamond layer is also processed. May be done. In addition, since the second diamond layer is rapidly cleaved, the force of the cleft may extend the boundary of the cleft to the first diamond layer, and there is a problem that the separated surface becomes rough. In addition, the entire diamond may crack due to the impact during processing.

特許文献２〜４では、エッチングされる層（以下、ダメージ層ともいう）の厚みが非常に薄いため、エッチング液のダメージ層の内部への浸透速度が非常に遅い。したがって、基板のサイズが大きくなると、ダイヤモンドの分離速度が非常に遅くなり、製造コストが上昇してしまうという問題がある。液がダメージ層の内部に浸透しなくなって、分離が不可能となる場合もある。 In Patent Documents 2 to 4, since the thickness of the layer to be etched (hereinafter, also referred to as a damaged layer) is very thin, the penetration rate of the etching solution into the damaged layer is very slow. Therefore, when the size of the substrate is increased, there is a problem that the separation speed of diamond becomes very slow and the manufacturing cost increases. In some cases, the liquid does not penetrate inside the damaged layer, making separation impossible.

特許文献５および６では、改質層に物理的な力を加えて基板を剥離するため、得られた基板の表面が粗くなりやすいという問題がある。また、基板の厚さがサイズに対して十分厚くない場合などは、基板が割れてしまうという問題がある。 In Patent Documents 5 and 6, since the substrate is peeled off by applying a physical force to the modified layer, there is a problem that the surface of the obtained substrate tends to be rough. Further, if the thickness of the substrate is not sufficiently thick with respect to the size, there is a problem that the substrate is cracked.

そこで、本発明の第１の目的は、短時間で半導体層を種基板の一部から分離でき、さらに、種基板が薄くても、または、種基板のサイズが大きくなっても分離でき、分離表面が平坦となる半導体基板の製造方法、前記半導体基板の製造方法から得られる半導体基板、ならびに前記半導体基板を分離できる半導体接合基板を提供することである。 Therefore, the first object of the present invention is that the semiconductor layer can be separated from a part of the seed substrate in a short time, and even if the seed substrate is thin or the size of the seed substrate is large, it can be separated and separated. It is an object of the present invention to provide a method for manufacturing a semiconductor substrate having a flat surface, a semiconductor substrate obtained from the method for manufacturing the semiconductor substrate, and a semiconductor bonding substrate capable of separating the semiconductor substrate.

本発明の第２の目的は、短時間で、種基板を薄くスライスすることができ、スライス面が平坦となる複合半導体基板の製造方法、ならびに前記複合半導体基板の製造方法から得られる複合半導体基板を提供することである。 A second object of the present invention is a method for manufacturing a composite semiconductor substrate in which a seed substrate can be sliced thinly in a short time and the sliced surface becomes flat, and a composite semiconductor substrate obtained from the method for manufacturing the composite semiconductor substrate. Is to provide.

本発明の一態様に係る半導体基板の製造方法は、半導体材料を含む種基板を準備する工程と、前記種基板にイオン注入を行うことにより、前記種基板の主面の表面から一定深さに、イオン注入層（注入したイオンが留まる層）を形成する工程と、前記種基板の主面上に気相合成法により、半導体層を成長させる工程と、前記半導体層および前記種基板の少なくともいずれかの主面の表面から光を照射することにより、前記半導体層および前記種基板の一部を含む半導体基板を分離する工程とを含む、半導体基板の製造方法である。 The method for manufacturing a semiconductor substrate according to one aspect of the present invention includes a step of preparing a seed substrate containing a semiconductor material and ion implantation into the seed substrate to a certain depth from the surface of the main surface of the seed substrate. , A step of forming an ion-implanted layer (a layer in which injected ions stay), a step of growing a semiconductor layer on the main surface of the seed substrate by a vapor phase synthesis method, and at least one of the semiconductor layer and the seed substrate. A method for manufacturing a semiconductor substrate, which comprises a step of separating the semiconductor layer and the semiconductor substrate including a part of the seed substrate by irradiating light from the surface of the main surface.

本方法は、光（レーザー光など）によって半導体元素の結合状態を直接切るというものではなく、あるいは光によって半導体中に改質層や変質層を形成しておくというものでもなく、イオン注入によって半導体中の元素の結合を緩めておき、レーザーは注入で内部に留まったイオン（原子あるいは分子）に直接的あるいは間接的にエネルギーを与え、注入したイオン（原子あるいは分子）の膨張エネルギーによって、半導体の結合を切るものである。イオン注入では、一つ一つの原子のエネルギーが高いにもかかわらず、原子一つは小さいので、エネルギー全体からすると小さいものであることに効果がある。すなわち、原子１個のエネルギーはダイヤモンドの結合を緩めたり、あるいは切るのに十分であるが、ダイヤモンド全体を割ってしまうエネルギーから比べるとはるかに小さいという効果を生じる。そのような状況で、イオン注入で内部に留まった原子に、光でエネルギーを与えて蒸発、膨張させ、あるいは単に膨張させて、弱くなった部分（注入界面）のみを切るというのが本発明の原理である。従来の光のみで切っていた方法よりも、はるかに小さい光のエネルギーで基板と成長した半導体を分離するという目的を達するものである。光によって半導体元素の結合状態を直接切るという方法では、集光したレーザーの１点で半導体結晶中に等方的に力が加わり、分離したい方向だけでなく、基板を割る方向にも力が加わり、基板が割れてしまう恐れがある。しかしながら、予め注入によってイオンが留まる部分を面状に形成すると、弱い部分が面状になり、光を１点に集光しても、切り取り線があるがごとく、割れる方向は等方的ではなく、イオン注入面を垂直に引き裂く方向に作用する。１点に光を集光しても走査すれば、きれいに分離できる。 This method does not directly break the bonded state of semiconductor elements by light (laser light, etc.), nor does it form a modified layer or altered layer in the semiconductor by light, but semiconductors by ion implantation. By loosening the bonds of the elements inside, the laser directly or indirectly gives energy to the ions (atoms or molecules) that remain inside by implantation, and the expansion energy of the injected ions (atoms or molecules) causes the semiconductor to It breaks the bond. In ion implantation, although the energy of each atom is high, each atom is small, so it is effective that the energy is small in terms of the total energy. That is, the energy of one atom is sufficient to loosen or break the bond of diamond, but it has the effect of being much smaller than the energy that breaks the entire diamond. In such a situation, it is the present invention to apply energy to the atoms staying inside by ion implantation to evaporate, expand, or simply expand and cut only the weakened part (implantation interface). It is a principle. It achieves the purpose of separating the substrate and the grown semiconductor with much less light energy than the conventional method of cutting only with light. In the method of directly cutting the bonded state of semiconductor elements with light, a force is applied isotropically to the semiconductor crystal at one point of the focused laser, and the force is applied not only in the direction to be separated but also in the direction of breaking the substrate. , The substrate may crack. However, if the part where the ions stay is formed into a plane by implantation in advance, the weak part becomes a plane, and even if the light is focused on one point, the direction of cracking is not isotropic, as if there is a cut line. , Acts in the direction of vertically tearing the ion implantation surface. Even if light is focused on one point, it can be separated cleanly by scanning.

本発明の一態様に係る半導体基板は、上記の半導体基板の製造方法により得られる半導体基板である。 The semiconductor substrate according to one aspect of the present invention is a semiconductor substrate obtained by the above-mentioned method for manufacturing a semiconductor substrate.

本発明の一態様に係る半導体基板は、気相合成法により形成された半導体層を含む半導体基板であって、前記半導体基板は第１の主面および第２の主面を含み、前記第１の主面は、前記半導体基板を構成する主元素とは種類または結合状態が異なる第１元素を含み、前記第１元素は、水素、酸素、窒素、炭素、ヘリウム、ネオンおよびアルゴンからなる群より選ばれる少なくとも１種の元素を含み、前記第１の主面の表面粗さは、１０μｍ未満である、半導体基板である。ここで、半導体基板を構成する主元素とは、半導体基板の半導体格子を構成する元素であって、原子比率で１ａｔｍ％以上含有されている元素を意味する。ここで異なる結合状態とは次のようなものを意味する。炭素の場合、ｓｐ３結合とｓｐ２結合は異なる結合状態であり、金属が窒素と結合している場合は、酸素と結合している状態や金属結合をしている状態は異なる結合状態である。ここで、表面粗さとは、ＪＩＳ Ｂ ０６０１−２０１３で規定するＲａのことであり、表面凹凸の算術平均の値である。以下においても同様である。第１元素は、第１の主面において、例えば、複数の略円形の模様をなすように存在する。The semiconductor substrate according to one aspect of the present invention is a semiconductor substrate including a semiconductor layer formed by a vapor phase synthesis method, and the semiconductor substrate includes a first main surface and a second main surface, and the first main surface is included. The main surface of the semiconductor substrate contains a first element whose type or bonding state is different from that of the main element constituting the semiconductor substrate, and the first element is composed of a group consisting of hydrogen, oxygen, nitrogen, carbon, helium, neon and argon. A semiconductor substrate containing at least one element of choice and having a surface roughness of less than 10 μm on the first main surface. Here, the main element constituting the semiconductor substrate means an element constituting the semiconductor lattice of the semiconductor substrate and containing 1 atm% or more in atomic ratio. Here, the different bonded states mean the following. In the case of carbon, the sp 3 bond and the sp 2 bond are different bonding states, and when the metal is bonded to nitrogen, the state of being bonded to oxygen and the state of being bonded to metal are different bonding states. .. Here, the surface roughness is Ra defined by JIS B 0601-2013, and is an arithmetic mean value of the surface unevenness. The same applies to the following. The first element is present on the first main surface, for example, in a plurality of substantially circular patterns.

本発明の一態様に係る複合半導体基板の製造方法は、半導体材料を含む種基板を準備する工程と、前記種基板にイオン注入を行うことにより、前記種基板の主面の表面から一定深さに、イオン注入層を形成する工程と、前記種基板の主面上に気相合成法により、半導体層を成長させる工程と、前記半導体層上に第１の基板を貼り合せる工程と、前記第１の基板および前記種基板の少なくともいずれかの主面の表面から光を照射することにより、前記第１の基板、前記半導体層および前記種基板の一部を含む複合半導体基板を分離する工程とを含む、複合半導体基板の製造方法である。 The method for manufacturing a composite semiconductor substrate according to one aspect of the present invention includes a step of preparing a seed substrate containing a semiconductor material and ion implantation into the seed substrate to a certain depth from the surface of the main surface of the seed substrate. In addition, a step of forming an ion-implanted layer, a step of growing a semiconductor layer on the main surface of the seed substrate by a vapor phase synthesis method, a step of laminating a first substrate on the semiconductor layer, and the first step. A step of separating a composite semiconductor substrate including the first substrate, the semiconductor layer, and a part of the seed substrate by irradiating light from the surface of at least one of the main surface of the substrate and the seed substrate. It is a manufacturing method of a composite semiconductor substrate including.

本発明の一態様に係る複合半導体基板の製造方法は、半導体材料を含む種基板を準備する工程と、前記種基板にイオン注入を行うことにより、前記種基板の主面の表面から一定深さに、イオン注入層を形成する工程と、前記種基板の主面上に第１の基板を貼り合せる工程と、前記第１の基板および前記種基板の少なくともいずれかの主面の表面から光を照射することにより、前記第１の基板および前記種基板の一部を含む複合半導体基板を分離する工程とを含む、複合半導体基板の製造方法である。 The method for manufacturing a composite semiconductor substrate according to one aspect of the present invention includes a step of preparing a seed substrate containing a semiconductor material and ion implantation into the seed substrate to a certain depth from the surface of the main surface of the seed substrate. In addition, a step of forming an ion implantation layer, a step of bonding the first substrate on the main surface of the seed substrate, and light from the surface of at least one of the first substrate and the main surface of the seed substrate. This is a method for manufacturing a composite semiconductor substrate, which comprises a step of separating the composite semiconductor substrate including a part of the first substrate and the seed substrate by irradiating the substrate.

本発明の一態様に係る複合半導体基板は、上記の複合半導体基板の製造方法により得られる複合半導体基板である。 The composite semiconductor substrate according to one aspect of the present invention is a composite semiconductor substrate obtained by the above-mentioned method for manufacturing a composite semiconductor substrate.

本発明の一態様に係る複合半導体基板は、第１の基板と、前記第１の基板の主面上に積層された半導体層とを含む複合半導体基板であって、前記複合半導体基板は、前記半導体層側の主面が、前記半導体層を構成する主元素とは種類または結合状態が異なる第１元素を含み、前記第１元素は、水素、酸素、窒素、炭素、ヘリウム、ネオンおよびアルゴンからなる群より選ばれる少なくとも１種の元素を含み、前記複合半導体基板は、前記半導体層側の主面の表面粗さが、１０μｍ未満であり、前記半導体層は、厚みが０．１μｍ以上５０μｍ以下である、複合半導体基板である。ここで、半導体層を構成する主元素とは、半導体層の半導体格子を構成する元素であって、原子比率で１ａｔｍ％以上含有されている元素を意味する。ここで異なる結合状態とは次のようなものを意味する。炭素の場合、ｓｐ３結合とｓｐ２結合は異なる結合状態であり、金属が窒素と結合している場合は、酸素と結合している状態や金属結合をしている状態は異なる結合状態である。The composite semiconductor substrate according to one aspect of the present invention is a composite semiconductor substrate including a first substrate and a semiconductor layer laminated on the main surface of the first substrate, and the composite semiconductor substrate is the above-mentioned composite semiconductor substrate. The main surface on the semiconductor layer side contains a first element whose type or bonding state is different from that of the main element constituting the semiconductor layer, and the first element is composed of hydrogen, oxygen, nitrogen, carbon, helium, neon and argon. The composite semiconductor substrate contains at least one element selected from the above group, the surface roughness of the main surface on the semiconductor layer side is less than 10 μm, and the thickness of the semiconductor layer is 0.1 μm or more and 50 μm or less. It is a composite semiconductor substrate. Here, the main element constituting the semiconductor layer means an element constituting the semiconductor lattice of the semiconductor layer and containing 1 atm% or more in atomic ratio. Here, the different bonded states mean the following. In the case of carbon, the sp 3 bond and the sp 2 bond are different bonding states, and when the metal is bonded to nitrogen, the state of being bonded to oxygen and the state of being bonded to metal are different bonding states. ..

本発明の一態様に係る半導体接合基板は、半導体材料を含む種基板と、前記種基板の主面上に配置された半導体層とを含み、前記種基板は、前記半導体材料を構成する主元素とは種類または結合状態が異なる第１元素を含むイオン注入層を有し、前記第１元素は、水素、酸素、窒素、炭素、ヘリウム、ネオンおよびアルゴンからなる群より選ばれる少なくとも１種の元素を含む、半導体接合基板である。ここで、半導体材料を構成する主元素とは、半導体材料の半導体格子を構成する元素であって、原子比率で１ａｔｍ％以上含有されている元素を意味する。ここで異なる結合状態とは次のようなものを意味する。炭素の場合、ｓｐ３結合とｓｐ２結合は異なる結合状態であり、金属が窒素と結合している場合は、酸素と結合している状態や金属結合をしている状態は異なる結合状態である。The semiconductor bonding substrate according to one aspect of the present invention includes a seed substrate containing a semiconductor material and a semiconductor layer arranged on the main surface of the seed substrate, and the seed substrate is a main element constituting the semiconductor material. It has an ion injection layer containing a first element having a different type or bonding state from the above, and the first element is at least one element selected from the group consisting of hydrogen, oxygen, nitrogen, carbon, helium, neon, and argon. It is a semiconductor bonding substrate including. Here, the main element constituting the semiconductor material means an element constituting the semiconductor lattice of the semiconductor material and containing 1 atm% or more in atomic ratio. Here, the different bonded states mean the following. In the case of carbon, the sp 3 bond and the sp 2 bond are different bonding states, and when the metal is bonded to nitrogen, the state of being bonded to oxygen and the state of being bonded to metal are different bonding states. ..

上記態様によれば、短時間で半導体層を種基板の一部から分離でき、さらに、種基板が薄くても、または、種基板のサイズが大きくなっても分離でき、分離表面が平坦となる半導体基板の製造方法、ならびに前記半導体基板の製造方法から得られる半導体基板を提供することができる。さらに、熱的な制約や、電気的な制約もないので、室温で分離できるなどの分離する時の自由度も高く、幅広い応用が可能である。例えば、ＡｕＳｎ系やＳｎ系やＩｎ系などで、はんだ付けした後に分離することができるなどの応用がある。 According to the above aspect, the semiconductor layer can be separated from a part of the seed substrate in a short time, and even if the seed substrate is thin or the size of the seed substrate is increased, the semiconductor layer can be separated and the separation surface becomes flat. It is possible to provide a method for manufacturing a semiconductor substrate and a semiconductor substrate obtained from the method for manufacturing a semiconductor substrate. Furthermore, since there are no thermal restrictions or electrical restrictions, there is a high degree of freedom when separating, such as being able to separate at room temperature, and a wide range of applications is possible. For example, there are applications such as AuSn type, Sn type, In type, etc., which can be separated after soldering.

上記態様によれば、短時間で、種基板を薄くスライスすることができ、スライス面が平坦となる複合半導体基板の製造方法、ならびに前記複合半導体基板の製造方法から得られる複合半導体基板を提供することができる。これは、通常のレーザーによる半導体の原子結合を切る原理を使った分離方法であると、割れを防いで結合を切るために極端に小さいエリアにエネルギーを集中させる必要がある。しかしながら、本発明では、大きいエリアへの照射での割れを気にせず、結合を切ることができる。１回の照射のエリアが大きいと、走査する光（レーザー光など）を照射する時間を短縮できる。 According to the above aspect, the seed substrate can be sliced thinly in a short time, and a method for manufacturing a composite semiconductor substrate having a flat slice surface and a composite semiconductor substrate obtained from the method for manufacturing a composite semiconductor substrate are provided. be able to. If this is a separation method using the principle of breaking the atomic bond of a semiconductor by a normal laser, it is necessary to concentrate energy in an extremely small area in order to prevent cracking and break the bond. However, in the present invention, the bond can be broken without worrying about cracking when irradiating a large area. When the area of one irradiation is large, the time for irradiating the scanning light (laser light or the like) can be shortened.

図１（Ａ）〜図１（Ｅ）は、本発明の一態様に係る半導体基板の製造方法を模式的に示す図である。1A to 1E are diagrams schematically showing a method for manufacturing a semiconductor substrate according to one aspect of the present invention. 図２は、本発明の一態様に係る半導体基板の製造方法を示すフローチャートである。FIG. 2 is a flowchart showing a method for manufacturing a semiconductor substrate according to one aspect of the present invention. 図３（Ａ）〜図３（Ｆ）は、本発明の一態様に係る複合半導体基板の製造方法を模式的に示す図である。3 (A) to 3 (F) are diagrams schematically showing a method for manufacturing a composite semiconductor substrate according to one aspect of the present invention. 図４は、本発明の一態様に係る複合半導体基板の製造方法を示すフローチャートである。FIG. 4 is a flowchart showing a method for manufacturing a composite semiconductor substrate according to one aspect of the present invention. 図５（Ａ）〜図５（Ｅ）は、本発明の一態様に係る複合半導体基板の製造方法を模式的に示す図である。5 (A) to 5 (E) are diagrams schematically showing a method for manufacturing a composite semiconductor substrate according to one aspect of the present invention. 図６は、本発明の一態様に係る半導体基板の製造方法を示すフローチャートである。FIG. 6 is a flowchart showing a method for manufacturing a semiconductor substrate according to one aspect of the present invention. 図７（Ａ）〜図７（Ｄ）は、本発明の一態様に係る半導体基板の製造方法を模式的に示す図である。7 (A) to 7 (D) are diagrams schematically showing a method for manufacturing a semiconductor substrate according to one aspect of the present invention. 図８は、本発明の一態様に係る半導体基板の製造方法を示すフローチャートである。FIG. 8 is a flowchart showing a method for manufacturing a semiconductor substrate according to one aspect of the present invention.

［本発明の実施形態の説明］
最初に本発明の実施態様を列記して説明する。[Explanation of Embodiments of the Present Invention]
First, embodiments of the present invention will be listed and described.

本発明の一態様に係る半導体基板の製造方法は、（１）半導体材料を含む種基板を準備する工程と、前記種基板にイオン注入を行うことにより、前記種基板の主面の表面から一定深さにイオン注入層（注入されたイオンが留まる層）を形成する工程と、前記種基板の主面の表面から光を照射することにより、前記種基板の一部を含む半導体基板を分離する工程とを含む、半導体基板の製造方法、または、（２）半導体材料を含む種基板を準備する工程と、前記種基板にイオン注入を行うことにより、前記種基板の主面の表面から一定深さに、イオン注入層（注入されたイオンが留まる層）を形成する工程と、前記種基板の主面上に気相合成法により、半導体層を成長させる工程と、前記半導体層および前記種基板の少なくともいずれかの主面の表面から光を照射することにより、前記半導体層および前記種基板の一部を含む半導体基板を分離する工程とを含む、半導体基板の製造方法である。 The method for manufacturing a semiconductor substrate according to one aspect of the present invention is constant from the surface of the main surface of the seed substrate by (1) a step of preparing a seed substrate containing a semiconductor material and ion injection into the seed substrate. The semiconductor substrate including a part of the seed substrate is separated by the step of forming an ion injection layer (layer in which the injected ions stay) at a depth and irradiating light from the surface of the main surface of the seed substrate. A method for manufacturing a semiconductor substrate, including a step, or (2) a step of preparing a seed substrate containing a semiconductor material, and ion injection into the seed substrate to a certain depth from the surface of the main surface of the seed substrate. In addition, a step of forming an ion injection layer (a layer in which injected ions stay), a step of growing a semiconductor layer on the main surface of the seed substrate by a vapor phase synthesis method, and the semiconductor layer and the seed substrate. This is a method for manufacturing a semiconductor substrate, which comprises a step of separating the semiconductor layer and the semiconductor substrate including a part of the seed substrate by irradiating light from the surface of at least one of the main surfaces of the above.

上記イオン注入層は必ずしも光吸収の大きい層にならなくともよい。ダイヤモンドなどの炭素を含む半導体の場合は特定のイオンを特定の濃度以上でイオン注入をすると、炭素の結合が切れて、炭素のｓｐ２結合が増え、黒くなり光の吸収層を形成することがあるが、特定の濃度未満でイオン注入したり、特定のイオン（主に水素イオン）を注入しても、炭素の結合を終端する能力があると、光の吸収係数が大きくならないことも多い。ダイヤモンド以外の半導体では、炭素のｓｐ２結合が生じない場合は、特定の濃度以上でも光の吸収係数がほとんど増加しない場合もある。しかし、光の吸収係数が大きくならずとも、基板を形作っている元素の結合を切ったり、緩めたりしているので、レーザー照射で、周りの格子にエネルギーを与えたり、直接注入イオンにエネルギーを与えたりすると、最終的に膨張するイオンや分子にエネルギーを与え、気化、膨張させて、十分、基板を分離する強度が得られる。The ion-implanted layer does not necessarily have to be a layer having a large light absorption. In the case of semiconductors containing carbon such as diamond, when a specific ion is implanted at a specific concentration or higher, the carbon bond is broken, the sp 2 bond of carbon is increased, and it becomes black and forms a light absorption layer. However, even if ions are implanted at a concentration lower than a specific concentration or a specific ion (mainly a hydrogen ion) is implanted, the light absorption coefficient often does not increase if the carbon bond is terminated. In semiconductors other than diamond, if carbon sp 2 bonds do not occur, the light absorption coefficient may hardly increase even at a specific concentration or higher. However, even if the light absorption coefficient does not increase, the bonds of the elements that make up the substrate are broken or loosened, so laser irradiation can be used to give energy to the surrounding lattice or directly to the injected ions. When given, energy is given to the ions and molecules that finally expand, and they are vaporized and expanded to obtain sufficient strength to separate the substrate.

上記態様によれば、短時間で半導体基板を種基板の一部から分離することができる。さらに、種基板が薄くても、または、種基板のサイズが大きくなっても、半導体基板を種基板の一部から分離することができる。また、分離表面が平坦な半導体基板を得ることができる。 According to the above aspect, the semiconductor substrate can be separated from a part of the seed substrate in a short time. Further, even if the seed substrate is thin or the size of the seed substrate is increased, the semiconductor substrate can be separated from a part of the seed substrate. In addition, a semiconductor substrate having a flat separation surface can be obtained.

上記態様では、種基板の中に、イオン注入により、種基板よりも結晶性の低いイオン注入層を形成する。すなわち、種基板中に、結合力の弱いイオン注入層をあらかじめ形成しておく。これにより、種基板の主面、または半導体層および種基板の少なくともいずれかの主面の表面から照射された光は、イオン注入層またはその近傍へ吸収される。吸収された光のエネルギーは、イオン注入層に存在するイオン（原子あるいは分子）をガス化して膨張させて、結合の弱くなったイオン注入層の部分を押し広げ、種基板の一部を含む半導体基板、または半導体層および種基板の一部を含む半導体基板を分離させる。すなわち、上記態様の半導体基板の製造方法は、光（レーザー光を含む）の照射による種基板を形成する半導体の直接的な変質や開裂といった作用を用いずに、半導体基板を分離することができる。したがって、光の照射によって種基板を形成する半導体を直接的に開裂する方法と比べると、より低パワーで、かつ、より大きな領域（ビームサイズ）で照射できるので、短時間で半導体基板を分離することができる。 In the above aspect, an ion implantation layer having a lower crystallinity than the seed substrate is formed in the seed substrate by ion implantation. That is, an ion-implanted layer having a weak binding force is formed in advance in the seed substrate. As a result, the light emitted from the main surface of the seed substrate or the surface of at least one of the semiconductor layer and the seed substrate is absorbed into the ion implantation layer or its vicinity. The absorbed light energy gasifies and expands the ions (atoms or molecules) existing in the ion-implanted layer, expands the part of the ion-implanted layer with weakened bonds, and a semiconductor containing a part of the seed substrate. The substrate or the semiconductor substrate containing a part of the semiconductor layer and the seed substrate is separated. That is, in the method for manufacturing a semiconductor substrate according to the above aspect, the semiconductor substrate can be separated without using the action of direct alteration or cleavage of the semiconductor forming the seed substrate by irradiation with light (including laser light). .. Therefore, compared to the method of directly cleaving the semiconductor forming the seed substrate by irradiation with light, the semiconductor substrate can be separated in a short time because it can be irradiated with lower power and a larger region (beam size). be able to.

上記態様によれば、強固な半導体元素の結合を直接切る方法ではなく、照射光を、イオン注入層あるいはその近傍に照射し、そのエネルギーを注入層あるいはその近傍に作用させ、注入層に存在する注入元素を気化し、ガス圧で、イオン注入層の上下面を押し広げて、非常に低パワーで、半導体基板を種基板の大部分から分離できる。 According to the above aspect, instead of a method of directly breaking the bond of a strong semiconductor element, irradiation light is irradiated to the ion-implanted layer or its vicinity, and the energy is applied to the implantation layer or its vicinity, and is present in the implantation layer. The implant element can be vaporized and the gas pressure can spread the upper and lower surfaces of the ion-implanted layer to separate the semiconductor substrate from most of the seed substrate with very low power.

上記態様によれば、半導体基板の分離は室温で行うことができる。すなわち、注入した元素をガス化させるために必要な温度が、半導体を溶融する温度以上であっても、照射光のエネルギーは局所的な注入元素に作用し、所望のガス圧を発生させるだけであり、半導体基板全体を高温に晒す必要はない。このため、種基板や半導体層を構成する半導体は、熱による溶融、変質、表面原子の脱離や再構成、ドーピング原子の拡散などの影響をほとんど受けない。照射光のエネルギーは、イオン注入によって欠陥を導入した面（イオン注入層、つまり注入されたイオンが留まる層）に作用するが、欠陥の導入していない結晶部分には作用しないため、イオン注入層以外の場所では、ほとんどクラックなどは発生しない。そして、イオン注入層では、ミシン目の切り取り線を外してゆくように容易に剥離が進行する。 According to the above aspect, the semiconductor substrate can be separated at room temperature. That is, even if the temperature required to gasify the injected element is higher than the temperature at which the semiconductor is melted, the energy of the irradiation light acts on the local injected element and only generates a desired gas pressure. Yes, it is not necessary to expose the entire semiconductor substrate to high temperatures. Therefore, the semiconductors constituting the seed substrate and the semiconductor layer are hardly affected by heat melting, alteration, desorption and reconstruction of surface atoms, diffusion of doping atoms, and the like. The energy of the irradiation light acts on the surface into which the defect is introduced by ion implantation (ion implantation layer, that is, the layer in which the injected ion stays), but does not act on the crystal portion in which the defect is not introduced, so that the ion implantation layer In places other than the above, almost no cracks occur. Then, in the ion-implanted layer, the peeling proceeds easily so as to remove the cut line at the perforation.

半導体基板の分離は、所望の温度に上げて行うこともできる。この場合は、これまでの分離技術に比べると、温度的制約、イオンの注入量の制約、時間的制約、装置の制約などを格段に広い条件の中から選択し、設定することができる。 Separation of the semiconductor substrate can also be performed by raising the temperature to a desired temperature. In this case, the temperature constraint, the ion injection amount constraint, the time constraint, the device constraint, and the like can be selected and set from a much wider range of conditions as compared with the conventional separation techniques.

上記態様によれば、照射光は、種基板がイオン注入された際に導入された元素や、イオン注入層あるいはその近傍へ作用すればよい。したがって、従来の半導体原子結合を直接開裂する際に用いられた光よりも、より低パワーの照射光を用いることができる。 According to the above aspect, the irradiation light may act on the element introduced when the seed substrate is ion-implanted, the ion-implanted layer or its vicinity. Therefore, it is possible to use irradiation light having a lower power than the light used for directly cleaving the conventional semiconductor atomic bond.

（３）前記イオン注入層は、厚さが５０ｎｍ以上１０μｍ以下であり、イオンのドーズ量が１×１０１４ｃｍ−２以上２×１０１８ｃｍ−２以下の範囲であることが好ましい。これによると、半導体基板を種基板の一部から分離する時間を短縮することができる。(3) The ion-implanted layer preferably has a thickness of 50 nm or more and 10 μm or less, and an ion dose amount in the range of 1 × 10 14 cm- 2 or more and 2 × 10 18 cm- 2 or less. According to this, the time for separating the semiconductor substrate from a part of the seed substrate can be shortened.

（４）前記イオン注入は、水素、酸素、窒素、炭素、ヘリウム、ネオンおよびアルゴンからなる群より選ばれる少なくとも１種の元素を含むイオンを用いて行うことが好ましい。これらのイオンは光のエネルギーを間接的にまたは直接的に吸収するとガス化しやすい。したがって、光の照射エネルギーを効率的に用いることができるため、半導体基板を種基板の一部から分離する時間を短縮することができる。また、水素分子、酸素分子、窒素分子からなる群より選ばれる少なくとも１種の分子を含むイオンを用いて行うことが好ましい。これらの分子イオンは光のエネルギーを間接的にまたは直接的に吸収すると原子単体よりガス化しやすい。従って、より光の照射エネルギーを効率的に用いることができるため、半導体基板を種基板の一部から分離する時間をより短縮することができる。 (4) The ion implantation is preferably carried out using ions containing at least one element selected from the group consisting of hydrogen, oxygen, nitrogen, carbon, helium, neon and argon. These ions tend to gasify when they absorb the energy of light indirectly or directly. Therefore, since the irradiation energy of light can be used efficiently, the time for separating the semiconductor substrate from a part of the seed substrate can be shortened. Further, it is preferable to use an ion containing at least one molecule selected from the group consisting of hydrogen molecule, oxygen molecule and nitrogen molecule. These molecular ions are more likely to gasify than elemental atoms when they absorb the energy of light indirectly or directly. Therefore, since the irradiation energy of light can be used more efficiently, the time for separating the semiconductor substrate from a part of the seed substrate can be further shortened.

（５）前記光はパルス光であり、前記光を照射する前記主面の表面におけるパルス当たりの照射フルエンスが０．０１Ｊ／ｍｍ２以上１５００Ｊ／ｍｍ２以下であることが好ましい。これによると、光が半導体層および種基板の主面の表面を破壊せず、また、種基板および半導体層の内部にクラックを発生させることなく、イオン注入層のみを破壊することができる。(5) The light is pulsed light, and the irradiation fluence per pulse on the surface of the main surface to which the light is irradiated is preferably 0.01 J / mm 2 or more and 1500 J / mm 2 or less. According to this, only the ion-implanted layer can be destroyed without the light destroying the surface of the main surface of the semiconductor layer and the seed substrate and without causing cracks inside the seed substrate and the semiconductor layer.

（６）前記光はパルス光であり、前記光を照射する前記主面の表面におけるパルスエネルギーが０．０５ｍＪ以上１０００ｍＪ以下であることが好ましい。これによると、光を照射する主面の表面が光により破壊せず、また、種基板、および半導体層を有する場合には半導体層の内部にクラックを発生させることなく、イオン注入層のみを破壊することができる。 (6) The light is pulsed light, and the pulse energy on the surface of the main surface irradiated with the light is preferably 0.05 mJ or more and 1000 mJ or less. According to this, the surface of the main surface irradiated with light is not destroyed by light, and when the seed substrate and the semiconductor layer are provided, only the ion implantation layer is destroyed without causing cracks inside the semiconductor layer. can do.

（７）前記光はレーザー光であり、前記光を照射する前記主面の表面上を走査することが好ましい。レーザー光を用いると、１パルスで強力な光を発生でき、１パルスの強度やパルス幅などを容易に制御することができる。また、集光したり、広げたりすることも容易で、パワー密度を調整できる。さらに、レーザー光は波長を選択でき、結晶性のよい半導体が吸収し難く、結晶性の悪いイオン注入層や欠陥が吸収しやすい波長を選択することも可能となる。 (7) The light is laser light, and it is preferable to scan on the surface of the main surface irradiated with the light. When laser light is used, strong light can be generated with one pulse, and the intensity and pulse width of one pulse can be easily controlled. In addition, it is easy to collect and spread light, and the power density can be adjusted. Further, the wavelength of the laser light can be selected, and it is possible to select a wavelength that is difficult for a semiconductor having good crystallinity to absorb, and an ion-implanted layer having poor crystallinity or a defect is easily absorbed.

（８）前記半導体基板を分離する工程は、液体中で行うことが好ましい。これによると、光照射による種基板、および半導体層を有する場合には半導体層への衝撃を低減できるため、種基板または半導体層でのクラックや割れの発生を抑制することができる。 (8) The step of separating the semiconductor substrate is preferably performed in a liquid. According to this, when the seed substrate and the semiconductor layer are provided by light irradiation, the impact on the semiconductor layer can be reduced, so that the occurrence of cracks and cracks in the seed substrate or the semiconductor layer can be suppressed.

（９）前記半導体層は、ダイヤモンド、窒化アルミニウム、窒化ガリウム、炭化シリコン、セレン化亜鉛および硫化亜鉛からなる群より選択される少なくとも１種を含むことが好ましい。これらの半導体を含む半導体層は、半導体デバイスの材料として好適に用いることができる。これらの半導体材料は多結晶であっても構わないし、光学用途に用いられるものであっても構わない。 (9) The semiconductor layer preferably contains at least one selected from the group consisting of diamond, aluminum nitride, gallium nitride, silicon carbide, zinc selenide and zinc sulfide. The semiconductor layer containing these semiconductors can be suitably used as a material for a semiconductor device. These semiconductor materials may be polycrystalline or may be used for optical applications.

（１０）本発明の一態様に係る半導体基板は、上述の（１）〜（９）に記載の半導体基板の製造方法によって得られた半導体である。該半導体基板は、種基板の一部からの分離時間が短縮されているため、製造コストが低減されている。 (10) The semiconductor substrate according to one aspect of the present invention is a semiconductor obtained by the method for manufacturing a semiconductor substrate according to the above-mentioned (1) to (9). Since the separation time of the semiconductor substrate from a part of the seed substrate is shortened, the manufacturing cost is reduced.

（１１）本発明の一態様に係る半導体基板は、気相合成法により形成された半導体層を含む半導体基板であって、前記半導体基板は第１の主面および第２の主面を含み、前記第１の主面は、前記半導体基板を構成する主元素とは種類または結合状態が異なる第１元素を含み、前記第１元素は、水素、酸素、窒素、炭素、ヘリウム、ネオンおよびアルゴンからなる群より選ばれる少なくとも１種の元素を含み、前記第１の主面の表面粗さは、１０μｍ未満である。該半導体基板は、表面が平坦であり、各種用途への加工が容易である。ここで、半導体基板を構成する主元素とは、半導体基板の半導体格子を構成する元素であって、原子比率で１ａｔｍ％以上含有されている元素を意味する。ここで異なる結合状態とは次のようなものを意味する。炭素の場合、ｓｐ３結合とｓｐ２結合は異なる結合状態であり、金属が窒素と結合している場合は、酸素と結合している状態や金属結合をしている状態は異なる結合状態である。半導体基板の半導体格子を構成する元素は、半導体格子を構成する他の元素と結合している。第１の主面において、半導体基板の半導体格子を構成する元素が、半導体格子における結合状態とは異なる結合状態で存在する場合として、半導体格子を構成する他の元素と結合していない場合、半導体格子を構成する元素とは異なる元素と結合している場合などが挙げられる。元素の種類は、２次イオン質量分析法（ＳＩＭＳ）、Ｘ線光電子分光分析法（ＸＰＳ）、オージェ電子分光法（ＡＥＳ）、エネルギー分散型Ｘ線分光法（ＥＤＸ）、電子線マイクロ分析法（ＥＰＭＡ）などで分析することができる。元素や結合状態は、Ｘ線光電子分光分析法（ＸＰＳ）、オージェ電子分光法（ＡＥＳ）などで分析することができる。元素の結合状態は、Ｘ線光電子分光分析法（ＸＰＳ）、オージェ電子分光法（ＡＥＳ）などで分析することができる。(11) The semiconductor substrate according to one aspect of the present invention is a semiconductor substrate including a semiconductor layer formed by a vapor phase synthesis method, and the semiconductor substrate includes a first main surface and a second main surface. The first main surface contains a first element whose type or bonding state is different from that of the main element constituting the semiconductor substrate, and the first element is composed of hydrogen, oxygen, nitrogen, carbon, helium, neon and argon. It contains at least one element selected from the above group, and the surface roughness of the first main surface is less than 10 μm. The semiconductor substrate has a flat surface and can be easily processed into various applications. Here, the main element constituting the semiconductor substrate means an element constituting the semiconductor lattice of the semiconductor substrate and containing 1 atm% or more in atomic ratio. Here, the different bonded states mean the following. In the case of carbon, the sp 3 bond and the sp 2 bond are different bonding states, and when the metal is bonded to nitrogen, the state of being bonded to oxygen and the state of being bonded to metal are different bonding states. .. The elements that make up the semiconductor lattice of the semiconductor substrate are bonded to other elements that make up the semiconductor lattice. On the first main surface, when the elements constituting the semiconductor lattice of the semiconductor substrate exist in a bonding state different from the bonding state in the semiconductor lattice, and when they are not bonded to other elements constituting the semiconductor lattice, the semiconductor For example, it may be bonded to an element different from the elements constituting the lattice. The types of elements are secondary ion mass analysis (SIMS), X-ray photoelectron spectroscopy (XPS), Auger electron spectroscopy (AES), energy dispersive X-ray spectroscopy (EDX), and electron beam microanalysis (EDX). It can be analyzed by EPMA) or the like. Elements and bonding states can be analyzed by X-ray photoelectron spectroscopy (XPS), Auger electron spectroscopy (AES), and the like. The bonding state of the elements can be analyzed by X-ray photoelectron spectroscopy (XPS), Auger electron spectroscopy (AES), or the like.

（１２）前記第１元素は、前記第１の主面において、複数の略円形の模様をなすように存在する場合がある。このような場合として、前記第１元素が、前記第１の主面において、複数の略円形の窪みを形成するように存在することにより、前記した略円形の模様をなす場合も含まれる。元素が形成している模様は、Ｘ線光電子分光分析法（ＸＰＳ）、オージェ電子分光法（ＡＥＳ）などでマッピング分析することができる。 (12) The first element may be present on the first main surface so as to form a plurality of substantially circular patterns. As such a case, the case where the first element is present on the first main surface so as to form a plurality of substantially circular depressions to form the above-mentioned substantially circular pattern is also included. The pattern formed by the elements can be mapped and analyzed by X-ray photoelectron spectroscopy (XPS), Auger electron spectroscopy (AES), or the like.

（１３）本発明の一態様に係る複合半導体基板の製造方法は、半導体材料を含む種基板を準備する工程と、前記種基板にイオン注入を行うことにより、前記種基板の主面の表面から一定深さに、イオン注入層を形成する工程と、前記種基板の主面上に気相合成法により、半導体層を成長させる工程と、前記半導体層上に第１の基板を貼り合せる工程と、前記第１の基板および前記種基板の少なくともいずれかの主面の表面から光を照射することにより、前記第１の基板、前記半導体層および前記種基板の一部を含む複合半導体基板を分離する工程とを含む、複合半導体基板の製造方法である。 (13) The method for manufacturing a composite semiconductor substrate according to one aspect of the present invention includes a step of preparing a seed substrate containing a semiconductor material and ion implantation into the seed substrate from the surface of the main surface of the seed substrate. A step of forming an ion-implanted layer at a constant depth, a step of growing a semiconductor layer on the main surface of the seed substrate by a vapor phase synthesis method, and a step of laminating a first substrate on the semiconductor layer. By irradiating light from the surface of at least one of the main surfaces of the first substrate and the seed substrate, the composite semiconductor substrate including the first substrate, the semiconductor layer, and a part of the seed substrate is separated. It is a method of manufacturing a composite semiconductor substrate including the step of performing.

上記態様によれば、短時間で、種基板を薄くスライスすることができる。さらに、種基板が薄くても、または、種基板のサイズが大きくなっても、種基板を薄くスライスすることができる。また、スライス面が平坦な複合半導体基板を得ることができる。 According to the above aspect, the seed substrate can be sliced thinly in a short time. Further, even if the seed substrate is thin or the size of the seed substrate is increased, the seed substrate can be sliced thinly. In addition, a composite semiconductor substrate having a flat slice surface can be obtained.

（１４）本発明の一態様に係る複合半導体基板の製造方法は、半導体材料を含む種基板を準備する工程と、前記種基板にイオン注入を行うことにより、前記種基板の主面の表面から一定深さに、イオン注入層を形成する工程と、前記種基板の主面上に第１の基板を貼り合せる工程と、前記第１の基板および前記種基板の少なくともいずれかの主面の表面から光を照射することにより、前記第１の基板および前記種基板の一部を含む複合半導体基板を分離する工程とを含む、複合半導体基板の製造方法である。 (14) The method for manufacturing a composite semiconductor substrate according to one aspect of the present invention includes a step of preparing a seed substrate containing a semiconductor material and ion implantation into the seed substrate from the surface of the main surface of the seed substrate. A step of forming an ion implantation layer at a constant depth, a step of bonding the first substrate on the main surface of the seed substrate, and a surface of at least one of the first substrate and the seed substrate. This is a method for manufacturing a composite semiconductor substrate, which comprises a step of separating the composite semiconductor substrate including a part of the first substrate and the seed substrate by irradiating light from the ground.

上記態様によれば、短時間で、種基板を薄くスライスすることができる。さらに、種基板が薄くても、または、種基板のサイズが大きくなっても、種基板を薄くスライスすることができる。また、スライス面が平坦な複合半導体基板を得ることができる。 According to the above aspect, the seed substrate can be sliced thinly in a short time. Further, even if the seed substrate is thin or the size of the seed substrate is increased, the seed substrate can be sliced thinly. In addition, a composite semiconductor substrate having a flat slice surface can be obtained.

（１５）本発明の一態様に係る複合半導体基板は、上記（１３）または（１４）に記載の複合半導体基板の製造方法により得られる複合半導体基板である。該複合半導体基板は、種基板の一部からの分離時間が短縮されているため、製造コストが低減されている。 (15) The composite semiconductor substrate according to one aspect of the present invention is a composite semiconductor substrate obtained by the method for manufacturing a composite semiconductor substrate according to (13) or (14) above. Since the separation time of the composite semiconductor substrate from a part of the seed substrate is shortened, the manufacturing cost is reduced.

（１６）本発明の一態様に係る複合半導体基板は、第１の基板と、前記第１の基板の主面上に積層された半導体層とを含む複合半導体基板であって、前記複合半導体基板は、前記半導体層側の主面が、前記半導体層を構成する主元素とは種類または結合状態が異なる第１元素を含み、前記第１元素は、水素、酸素、窒素、炭素、ヘリウム、ネオンおよびアルゴンからなる群より選ばれる少なくとも１種の元素を含み、前記複合半導体基板は、前記半導体層側の主面の表面粗さが、１０μｍ未満であり、前記半導体層は、厚みが０．１μｍ以上５０μｍ以下である。該複合体半導体基板は、表面が平坦であり、各種用途への加工が容易である。ここで、半導体層を構成する主元素とは、半導体層の半導体格子を構成する元素であって、原子比率で１ａｔｍ％以上含有されている元素を意味する。ここで異なる結合状態とは次のようなものを意味する。炭素の場合、ｓｐ３結合とｓｐ２結合は異なる結合状態であり、金属が窒素と結合している場合は、酸素と結合している状態や金属結合をしている状態は異なる結合状態である。半導体層の半導体格子を構成する元素は、半導体格子を構成する他の元素と結合している。第１の主面において、半導体層の半導体格子を構成する元素が、半導体格子における結合状態とは異なる結合状態で存在する場合として、半導体格子を構成する他の元素と結合していない場合、半導体格子を構成する元素とは異なる元素と結合している場合などが挙げられる。元素の種類は、２次イオン質量分析法（ＳＩＭＳ）、Ｘ線光電子分光分析法（ＸＰＳ）、オージェ電子分光法（ＡＥＳ）、エネルギー分散型Ｘ線分光法（ＥＤＸ）、電子線マイクロ分析法（ＥＰＭＡ）などで分析することができる。元素の結合状態は、Ｘ線光電子分光分析法（ＸＰＳ）、オージェ電子分光法（ＡＥＳ）などで分析することができる。(16) The composite semiconductor substrate according to one aspect of the present invention is a composite semiconductor substrate including a first substrate and a semiconductor layer laminated on the main surface of the first substrate, and is the composite semiconductor substrate. Contains a first element whose main surface on the semiconductor layer side is different in type or bonding state from the main elements constituting the semiconductor layer, and the first element is hydrogen, oxygen, nitrogen, carbon, helium, neon. The composite semiconductor substrate contains at least one element selected from the group consisting of and argon, and the surface roughness of the main surface on the semiconductor layer side is less than 10 μm, and the semiconductor layer has a thickness of 0.1 μm. It is 50 μm or more and 50 μm or less. The composite semiconductor substrate has a flat surface and can be easily processed into various applications. Here, the main element constituting the semiconductor layer means an element constituting the semiconductor lattice of the semiconductor layer and containing 1 atm% or more in atomic ratio. Here, the different bonded states mean the following. In the case of carbon, the sp 3 bond and the sp 2 bond are different bonding states, and when the metal is bonded to nitrogen, the state of being bonded to oxygen and the state of being bonded to metal are different bonding states. .. The elements that make up the semiconductor lattice of the semiconductor layer are bonded to other elements that make up the semiconductor lattice. In the first main surface, when the elements constituting the semiconductor lattice of the semiconductor layer exist in a bonding state different from the bonding state in the semiconductor lattice, and when they are not bonded to other elements constituting the semiconductor lattice, the semiconductor For example, it may be bonded to an element different from the elements constituting the lattice. The types of elements are secondary ion mass analysis (SIMS), X-ray photoelectron spectroscopy (XPS), Auger electron spectroscopy (AES), energy dispersive X-ray spectroscopy (EDX), and electron beam microanalysis (EDX). It can be analyzed by EPMA) or the like. The bonding state of the elements can be analyzed by X-ray photoelectron spectroscopy (XPS), Auger electron spectroscopy (AES), or the like.

（１７）前記第１元素は、前記半導体層側の主面において、複数の略円形の模様をなすように存在する場合がある。元素が形成している模様は、Ｘ線光電子分光分析法（ＸＰＳ）、オージェ電子分光法（ＡＥＳ）などでマッピング分析することができる。 (17) The first element may be present on the main surface on the semiconductor layer side so as to form a plurality of substantially circular patterns. The pattern formed by the elements can be mapped and analyzed by X-ray photoelectron spectroscopy (XPS), Auger electron spectroscopy (AES), or the like.

（１８）本発明の一態様に係る半導体接合基板は、半導体材料を含む種基板と、前記種基板の主面上に配置された半導体層とを含み、前記種基板は、前記半導体材料を構成する主元素とは種類または結合状態が異なる第１元素を含むイオン注入層を有し、前記第１元素は、水素、酸素、窒素、炭素、ヘリウム、ネオンおよびアルゴンからなる群より選ばれる少なくとも１種の元素を含む。ここで、半導体材料を構成する主元素とは、半導体材料の半導体格子を構成する元素であって、原子比率で１ａｔｍ％以上含有されている元素を意味する。ここで異なる結合状態とは次のようなものを意味する。炭素の場合、ｓｐ３結合とｓｐ２結合は異なる結合状態であり、金属が窒素と結合している場合は、酸素と結合している状態や金属結合をしている状態は異なる結合状態である。半導体材料の半導体格子を構成する元素は、半導体格子を構成する他の元素と結合している。イオン注入層において、半導体材料の半導体格子を構成する元素が、半導体格子における結合状態とは異なる結合状態で存在する場合として、半導体格子を構成する他の元素と結合していない場合、半導体格子を構成する元素とは異なる元素と結合している場合などが挙げられる。元素の種類は、２次イオン質量分析法（ＳＩＭＳ）、Ｘ線光電子分光分析法（ＸＰＳ）、オージェ電子分光法（ＡＥＳ）、エネルギー分散型Ｘ線分光法（ＥＤＸ）、電子線マイクロ分析法（ＥＰＭＡ）などで分析することができる。元素の結合状態は、Ｘ線光電子分光分析法（ＸＰＳ）、オージェ電子分光法（ＡＥＳ）などで分析することができる。(18) The semiconductor bonded substrate according to one aspect of the present invention includes a seed substrate containing a semiconductor material and a semiconductor layer arranged on the main surface of the seed substrate, and the seed substrate constitutes the semiconductor material. It has an ion injection layer containing a first element having a type or bonding state different from that of the main element, and the first element is at least one selected from the group consisting of hydrogen, oxygen, nitrogen, carbon, helium, neon and argon. Contains seed elements. Here, the main element constituting the semiconductor material means an element constituting the semiconductor lattice of the semiconductor material and containing 1 atm% or more in atomic ratio. Here, the different bonded states mean the following. In the case of carbon, the sp 3 bond and the sp 2 bond are different bonding states, and when the metal is bonded to nitrogen, the state of being bonded to oxygen and the state of being bonded to metal are different bonding states. .. The elements that make up the semiconductor lattice of the semiconductor material are bonded to other elements that make up the semiconductor lattice. In the ion implantation layer, when the elements constituting the semiconductor lattice of the semiconductor material exist in a bonding state different from the bonding state in the semiconductor lattice, and when they are not bonded to other elements constituting the semiconductor lattice, the semiconductor lattice is formed. For example, it may be bonded to an element different from the constituent elements. The types of elements are secondary ion mass analysis (SIMS), X-ray photoelectron spectroscopy (XPS), Auger electron spectroscopy (AES), energy dispersive X-ray spectroscopy (EDX), and electron beam microanalysis (EDX). It can be analyzed by EPMA) or the like. The bonding state of the elements can be analyzed by X-ray photoelectron spectroscopy (XPS), Auger electron spectroscopy (AES), or the like.

［本発明の実施形態の詳細］
本発明の実施形態に係る半導体基板の製造方法および半導体基板の具体例を、以下に図面を参照しつつ説明する。なお、本発明はこれらの例示に限定されるものではなく、特許請求の範囲によって示され、特許請求の範囲と均等の意味および範囲内でのすべての変更が含まれることが意図される。[Details of Embodiments of the present invention]
A method for manufacturing a semiconductor substrate and a specific example of the semiconductor substrate according to the embodiment of the present invention will be described below with reference to the drawings. It should be noted that the present invention is not limited to these examples, and is indicated by the scope of claims, and is intended to include all modifications within the meaning and scope equivalent to the scope of claims.

［実施の形態１］
＜半導体基板の製造方法＞
図１（Ａ）〜図１（Ｅ）は、本発明の実施形態に係る半導体基板の製造方法を模式的に示す図である。図２は、本発明の実施形態に係る半導体基板の製造方法を示すフローチャートである。[Embodiment 1]
<Manufacturing method of semiconductor substrate>
1A to 1E are diagrams schematically showing a method for manufacturing a semiconductor substrate according to an embodiment of the present invention. FIG. 2 is a flowchart showing a method for manufacturing a semiconductor substrate according to the embodiment of the present invention.

本発明の実施形態に係る半導体基板の製造方法は、半導体材料を含む種基板を準備する工程（図１（Ａ）および図２の基板準備工程（Ｓ１）で示される。）と、前記種基板にイオン注入を行うことにより、前記種基板の主面の表面から一定深さに、イオン注入層を形成する工程（図１（Ｂ）および図２のイオン注入層形成工程（Ｓ２）で示される。）と、前記種基板の主面上に気相合成法により、半導体層を成長させる工程（図１（Ｃ）および図２の半導体層成長工程（Ｓ３）で示される。）と、前記半導体層および前記種基板の少なくともいずれかの主面の表面から光を照射することにより、前記半導体層および前記種基板の一部を含む半導体基板を分離する工程（図１（Ｄ−１）、（Ｄ−２）、（Ｅ）および図２の半導体分離工程（Ｓ４）で示される。）とを含む。 The method for manufacturing a semiconductor substrate according to the embodiment of the present invention includes a step of preparing a seed substrate containing a semiconductor material (shown in the substrate preparation step (S1) of FIG. 1A and FIG. 2) and the seed substrate. Is shown in the steps of forming an ion-implanted layer at a constant depth from the surface of the main surface of the seed substrate (shown in the ion-implanted layer forming step (S2) of FIGS. 1 (B) and 2). ), A step of growing a semiconductor layer on the main surface of the seed substrate by a vapor phase synthesis method (shown in the semiconductor layer growth step (S3) of FIGS. 1 (C) and 2), and the semiconductor. A step of separating the semiconductor layer and the semiconductor substrate containing a part of the seed substrate by irradiating light from the surface of at least one of the main surface of the layer and the seed substrate (FIG. 1 (D-1), D-2), (E) and the semiconductor separation step (S4) of FIG. 2) are included.

（種基板を準備する工程）
はじめに、図１（Ａ）を参照して、半導体材料を含む種基板１を準備する。(Process of preparing seed substrate)
First, the seed substrate 1 containing the semiconductor material is prepared with reference to FIG. 1 (A).

種基板１は、単結晶半導体基板であっても多結晶半導体基板であってもよい。一般に、単結晶素材の方が高価であり、本発明の実施形態の効果をより大きく発揮させるという観点から、単結晶半導体基板が好ましい。なお、半導体デバイスでは単結晶であることが多い。 The seed substrate 1 may be a single crystal semiconductor substrate or a polycrystalline semiconductor substrate. In general, a single crystal material is more expensive, and a single crystal semiconductor substrate is preferable from the viewpoint of exerting more effect of the embodiment of the present invention. In semiconductor devices, it is often a single crystal.

種基板１に含まれる半導体材料としては、ダイヤモンド、窒化アルミニウム、酸化アルミニウム、酸化マグネシウム、窒化ガリウム、酸化ガリウム、炭化シリコン、セレン化亜鉛、硫化亜鉛などのワイドバンドギャップ半導体、あるいはガリウムヒ素、インジウムリン、シリコンなどの半導体を用いることができる。これらの半導体材料は、各種半導体デバイスに好適に用いることができる。 Examples of the semiconductor material contained in the seed substrate 1 include wide bandgap semiconductors such as diamond, aluminum nitride, aluminum oxide, magnesium oxide, gallium nitride, gallium oxide, silicon carbide, zinc selenide, and zinc sulfide, or gallium arsenide and indium phosphorus. , Semiconductors such as silicon can be used. These semiconductor materials can be suitably used for various semiconductor devices.

種基板１は高い結晶性を有することが好ましい。種基板１が高い結晶性を有することにより、種基板１上に形成される半導体層３も高い結晶性を有することができる。種基板１は、高い結晶性の半導体を合成できる方法であることが好ましい。ダイヤモンドであれば、高温高圧合成法によって製造された単結晶であることが好ましい。炭化シリコンであれば、昇華法であることが好ましい。シリコンであれば、引き上げ法であることが好ましい。窒化アルミニウムは昇華法、酸化アルミニウムはフラックス法あるいは引き上げ法、酸化マグネシウムはフラックス法、窒化ガリウムは気相成長法あるいはフラックス法、酸化ガリウムは融液成長法、セレン化亜鉛は昇華法あるいはヨウ素を輸送剤とした化学輸送法、硫化亜鉛は昇華法、ガリウムヒ素やインジウムリンは縦型ブリッジマン法であることが好ましい。ただし、気相合成法によって製造された単結晶半導体であっても構わない。また、本発明の実施形態に係る半導体基板の製造方法から得られる半導体基板を加工したものであってもよい。 The seed substrate 1 preferably has high crystallinity. Since the seed substrate 1 has high crystallinity, the semiconductor layer 3 formed on the seed substrate 1 can also have high crystallinity. The seed substrate 1 is preferably a method capable of synthesizing a semiconductor having high crystallinity. If it is diamond, it is preferably a single crystal produced by a high temperature and high pressure synthesis method. If it is silicon carbide, the sublimation method is preferable. If it is silicon, the pulling method is preferable. Aluminum nitride is a sublimation method, aluminum oxide is a flux method or a pulling method, magnesium oxide is a flux method, gallium nitride is a vapor phase growth method or a flux method, gallium oxide is a melt growth method, zinc selenide is a sublimation method or iodine transport. It is preferable to use the chemical transport method as an agent, the sublimation method for zinc sulfide, and the vertical Bridgeman method for gallium arsenide and indium phosphorus. However, it may be a single crystal semiconductor manufactured by the vapor phase synthesis method. Further, the semiconductor substrate obtained from the method for manufacturing a semiconductor substrate according to the embodiment of the present invention may be processed.

半導体層３の厚み（図１（Ｃ）中、上下方向）を効率よく厚く形成するためには、種基板１の主面は特定の面方位であることが好ましい。例えば、シリコンやダイヤモンドでは、（００１）面であることが好ましい。炭化シリコンや窒化ガリウムでは、ｃ面であることが好ましい。セレン化亜鉛や硫化亜鉛では、（１１１）面であることが好ましい。半導体層３の結晶の均質性をより高めるためには、種基板１の主面は、特定の面方位に対するオフ角が０°以上１５°以下であることが好ましく、１．５°以上１０°以下であることがより好ましい。 In order to efficiently form the thickness of the semiconductor layer 3 (in the vertical direction in FIG. 1C), it is preferable that the main surface of the seed substrate 1 has a specific surface orientation. For example, in the case of silicon or diamond, the (001) plane is preferable. For silicon carbide and gallium nitride, the c-plane is preferable. For zinc selenide and zinc sulfide, the (111) plane is preferable. In order to further enhance the crystal homogeneity of the semiconductor layer 3, the main surface of the seed substrate 1 preferably has an off angle of 0 ° or more and 15 ° or less with respect to a specific plane orientation, and is 1.5 ° or more and 10 ° or more. The following is more preferable.

種基板１の厚さは、１０μｍ以上１０００μｍ以下が好ましく、１００μｍ以上８００μｍ以下がさらに好ましい。ここで、種基板１の厚さとは種基板１主面の中心近傍で測定した厚さとする。 The thickness of the seed substrate 1 is preferably 10 μm or more and 1000 μm or less, and more preferably 100 μm or more and 800 μm or less. Here, the thickness of the seed substrate 1 is the thickness measured near the center of the main surface of the seed substrate 1.

図１では、種基板１は、一種類の基板から形成されているが、後のプロセスに支障がなければ、種基板１は、非半導体基板上に種結晶を含む半導体層が接合された（貼り合わせた）構造であってもよい。これによると、種結晶を含む半導体層が薄い場合にも、割れを防止でき、ハンドリング性が向上する。 In FIG. 1, the seed substrate 1 is formed of one type of substrate, but the seed substrate 1 is formed by bonding a semiconductor layer containing a seed crystal on a non-semiconductor substrate as long as the subsequent process is not hindered. It may have a (bonded) structure. According to this, even when the semiconductor layer containing the seed crystal is thin, cracking can be prevented and the handleability is improved.

種基板１の主面の形状は特に限定されないが、たとえば四角形、多角形および円形（オリエンテーションフラット付も含む）などが挙げられる。種基板１の主面の表面は平面であってもよいし、凹面レンズ状、凸面レンズ状、矩形、台形、ピラミッド形などの凹凸を有する面でもよい。 The shape of the main surface of the seed substrate 1 is not particularly limited, and examples thereof include a quadrangle, a polygon, and a circle (including those with an orientation flat). The surface of the main surface of the seed substrate 1 may be a flat surface, or may be a surface having irregularities such as a concave lens shape, a convex lens shape, a rectangle, a trapezoid, and a pyramid shape.

（イオン注入層を形成する工程）
次に、図１（Ｂ）を参照して、前記種基板１にイオン注入（図中、下方向矢印）を行うことにより、前記種基板１の主面の表面から一定深さに、イオン注入層２を形成する。イオン注入では、種基板１に種基板を形成する半導体原子と異なる原子を導入したり、欠陥を導入したり、半導体原子同士の結合を緩めたりする。イオン注入では、異なる原子や欠陥が種基板１の内部に侵入するため、種基板１の表面は半導体の結晶構造を維持している。したがって、イオン注入による層を形成した後に、種基板１上に半導体層を形成することができる。(Step of forming an ion-implanted layer)
Next, referring to FIG. 1B, ion implantation (downward arrow in the figure) is performed on the seed substrate 1 to implant ions at a constant depth from the surface of the main surface of the seed substrate 1. Form layer 2. In ion implantation, an atom different from the semiconductor atom forming the seed substrate is introduced into the seed substrate 1, a defect is introduced, or a bond between the semiconductor atoms is loosened. In ion implantation, different atoms and defects penetrate into the seed substrate 1, so that the surface of the seed substrate 1 maintains the crystal structure of the semiconductor. Therefore, the semiconductor layer can be formed on the seed substrate 1 after the layer is formed by ion implantation.

形成されるイオン注入層２の基板の表面からの深さや厚さは、主に使用するイオンの種類、注入エネルギー、照射量によって調整することができる。イオン注入層２の設計はＴＲＩＭのようなモンテカルロシミュレーションによってほぼ正確に計算して予測することができる。 The depth and thickness of the formed ion implantation layer 2 from the surface of the substrate can be adjusted mainly by the type of ions used, the implantation energy, and the irradiation amount. The design of the ion-implanted layer 2 can be calculated and predicted almost accurately by a Monte Carlo simulation such as TRIM.

注入エネルギーは、５０ｋｅＶ以上１００００ｋｅＶ以下が好ましく、８０ｋｅＶ以上８００ｋｅＶ以下がさらに好ましい。照射量は、１×１０１４個/ｃｍ２以上２×１０１８個/ｃｍ２以下が好ましく、1×１０１５個/ｃｍ２以上８×１０１７個/ｃｍ２以下がさらに好ましい。注入エネルギーおよび照射量が前記範囲であると、種基板１の主面の結晶性を、気相合成法によるエピタキシャル成長が可能な程度に維持したまま、種基板１内部の結晶構造を破壊して、半導体原子間の結合力が低下したイオン注入層２を形成することができる。The injection energy is preferably 50 keV or more and 10000 keV or less, and more preferably 80 keV or more and 800 keV or less. The irradiation amount is preferably 1 × 10 14 pieces / cm 2 or more and 2 × 10 18 pieces / cm 2 or less, and more preferably 1 × 10 15 pieces / cm 2 or more and 8 × 10 17 pieces / cm 2 or less. When the implantation energy and the irradiation amount are within the above ranges, the crystallinity of the main surface of the seed substrate 1 is maintained to such an extent that epitaxial growth by the vapor phase synthesis method is possible, and the crystal structure inside the seed substrate 1 is destroyed. It is possible to form the ion-implanted layer 2 in which the bonding force between semiconductor atoms is reduced.

注入エネルギーが５０ｋｅＶ以上という高エネルギーであると、イオン注入層２には、原子空孔が生じ、半導体を構成する原子同士の結合力が弱くなる。イオン注入層２では、原子同士の結合力が弱い部分が同一面上に並んでいるので、外部から光を照射して導入原子にエネルギーを吸収させて気化膨張させた場合、イオン注入層２の部分に等しく力がかかる。したがって、イオン注入層２を破壊した後の破壊面である分離表面が平坦となる。イオン注入層２が薄いほど、また、原子空孔の量が多いほど、平坦性は増すので好ましい。イオン注入層２中のイオンの量が少なすぎると、剥離の力が得られにくくなる。 When the implantation energy is as high as 50 keV or more, atomic vacancies are formed in the ion implantation layer 2, and the bonding force between atoms constituting the semiconductor is weakened. In the ion implantation layer 2, the portions where the bonding force between atoms is weak are lined up on the same plane. Therefore, when the introduced atoms are vaporized and expanded by irradiating light from the outside, the ion implantation layer 2 The force is applied equally to the parts. Therefore, the separated surface, which is the fracture surface after the ion implantation layer 2 is fractured, becomes flat. The thinner the ion-implanted layer 2 and the larger the amount of atomic vacancies, the higher the flatness, which is preferable. If the amount of ions in the ion implantation layer 2 is too small, it becomes difficult to obtain the peeling force.

照射量が多すぎると、最表面の半導体の結晶構造が壊れて、注入後の種基板１の表面上に半導体層３を合成できなくなるおそれがある。また、半導体層３を合成できても、イオン注入層２が合成時の雰囲気の影響を受けて、部分的に消失し、分離し難くなるおそれがある。注入エネルギーが大きくなりすぎると、イオン注入層２が厚くなりすぎて、平坦な分離面を得にくくなる。照射量が少なすぎると、後の工程で行われる光照射により、半導体基板を分離することが困難となる。 If the irradiation amount is too large, the crystal structure of the semiconductor on the outermost surface may be broken, and the semiconductor layer 3 may not be synthesized on the surface of the seed substrate 1 after injection. Further, even if the semiconductor layer 3 can be synthesized, the ion-implanted layer 2 may be partially lost due to the influence of the atmosphere at the time of synthesis, and it may be difficult to separate the ion-implanted layer 2. If the implantation energy becomes too large, the ion implantation layer 2 becomes too thick, making it difficult to obtain a flat separation surface. If the irradiation amount is too small, it becomes difficult to separate the semiconductor substrate by the light irradiation performed in the subsequent step.

種基板１中に形成されるイオン注入層２は、種基板１と照射光の吸収率が異なることが好ましい。これによると、より短時間で半導体層を種基板の一部から分離することができる。なお、イオン注入層２と種基板１との光の吸収率は同一であっても、半導体層を種基板の一部から分離することができる。それは、光で半導体基板の結合力を直接切るのではなく、半導体結晶の格子、あるいは注入イオンに局部的にエネルギーを与え、注入原子あるいは注入分子にエネルギーを伝えて、原子や分子が膨張することによって、注入で弱くなった結合に作用して切るからである。 The ion implantation layer 2 formed in the seed substrate 1 preferably has a different absorption rate of irradiation light from the seed substrate 1. According to this, the semiconductor layer can be separated from a part of the seed substrate in a shorter time. Even if the ion implantation layer 2 and the seed substrate 1 have the same light absorption rate, the semiconductor layer can be separated from a part of the seed substrate. It does not directly cut the bonding force of the semiconductor substrate with light, but locally gives energy to the lattice of the semiconductor crystal or the injected ions and transfers the energy to the injected atoms or molecules, causing the atoms and molecules to expand. This is because it acts on the bond weakened by injection and cuts it.

イオン注入層２の光透過率は、種基板１の光透過率に対して１％以上低いと、照射光が効率よくイオン注入層２に吸収されるようになり、好ましい。イオン注入層２の光透過率は、種基板１の光透過率に対して５％以上低いことがさらに好ましく、２０％以上低いことがさらに好ましい。なお、イオン注入層２の光透過率が種基板１の光透過率と同程度または高い場合であっても、光の照射条件を調整することにより、短時間で半導体層を種基板の一部から分離することができる。ここで、光透過率Ｔａとは、多重内部反射を考慮し、下記の式（１）によって表わされる値である。
Ｔａ＝Ｉｔ／Ｉ０ 式（１）
さらに、多重反射を考慮した反射率Ｒａと単反射Ｒは、それぞれ以下の式（２）、（３）によって表される。
Ｒａ＝Ｉｒ／Ｉ０ 式（２）
Ｒ＝（ｎ０−ｎｆ）2／（ｎ０＋ｎｆ）2 式（３）
（式（１）中、Ｉ０は入射光の強度、Ｉｔは媒質を通過した後の出射光の強度、Ｉｒは媒質を挿入した後の反射光の強度、ｎ０は空気の屈折率、ｎｆはダイヤの屈折率を示す。）
ただし、照射光のエネルギーが半導体のバンドギャップよりも大きい場合は、このような差は生じない。半導体自身の吸収が大きいので、この差が分からないほど小さいということである。また、イオン注入層に光を照射する場合に、半導体基板中を通過して届ける必要があるが、この場合、半導体基板中で光が吸収されない方がよい。従って、本実施の形態では、半導体のバンドギャップよりも小さなエネルギーの光を用いることが一般的で、効果がある。When the light transmittance of the ion implantation layer 2 is 1% or more lower than the light transmittance of the seed substrate 1, the irradiation light is efficiently absorbed by the ion implantation layer 2, which is preferable. The light transmittance of the ion implantation layer 2 is more preferably 5% or more lower than the light transmittance of the seed substrate 1, and further preferably 20% or more lower. Even when the light transmittance of the ion-implanted layer 2 is about the same as or higher than the light transmittance of the seed substrate 1, the semiconductor layer can be partially formed on the seed substrate in a short time by adjusting the light irradiation conditions. Can be separated from. Here, the light transmittance Ta is a value represented by the following equation (1) in consideration of multiple internal reflections.
Ta = I t / I 0 formula (1)
Further, the reflectance Ra and the single reflection R in consideration of multiple reflection are represented by the following equations (2) and (3), respectively.
Ra = I r / I 0 formula (2)
R = (n 0 −n f ) 2 / (n 0 + n f ) 2 equation (3)
(In the formula (1), I 0 is the intensity of incident light, I t is the intensity of the emitted light after passing through the medium, I r is the intensity of the reflected light after the insertion of the medium, n 0 is the refractive index of air , N f indicates the refractive index of the diamond.)
However, when the energy of the irradiation light is larger than the band gap of the semiconductor, such a difference does not occur. Since the absorption of the semiconductor itself is large, this difference is so small that it cannot be understood. Further, when irradiating the ion-implanted layer with light, it is necessary to deliver the light through the semiconductor substrate. In this case, it is better that the light is not absorbed in the semiconductor substrate. Therefore, in the present embodiment, it is common and effective to use light having an energy smaller than the band gap of the semiconductor.

光透過率の測定は、通常の分光光度計によって行うことができる。イオン注入層２の透過率は光透過性の高い種基板１と比べての値であり、反射率は差し引かず、反射率込みの値として測定される。従って、１００％の光透過性のものでも、反射率が半導体の屈折率で計算される値以上あるので、それを差し引いた透過率を超えることはない。イオン注入層の厚さが非常に薄いので、光透過率の変化が、たとえ１％であっても、吸収係数に大きな違いがあり、大きな効果がある。しかしながら、本発明では、イオン注入層があまりにも薄く、あるいは明確な吸収の準位を作らず、本発明の範囲の透過率にほとんど反映されない場合もある。本発明では、そのような場合においても、結晶中の原子結合をイオンにおいて切っていれば、効果が発揮される。 The measurement of light transmittance can be performed by a normal spectrophotometer. The transmittance of the ion-implanted layer 2 is a value as compared with the seed substrate 1 having high light transmittance, and the reflectance is not subtracted and is measured as a value including the reflectance. Therefore, even if the light transmittance is 100%, the reflectance is equal to or higher than the value calculated by the refractive index of the semiconductor, so that the transmittance does not exceed the subtracted transmittance. Since the thickness of the ion-implanted layer is very thin, even if the change in light transmittance is 1%, there is a large difference in the absorption coefficient, which has a great effect. However, in the present invention, the ion-implanted layer may be too thin or may not form a clear absorption level and may be hardly reflected in the transmittance within the range of the present invention. In the present invention, even in such a case, the effect is exhibited as long as the atomic bonds in the crystal are broken by ions.

後の半導体基板３を分離する工程で用いる照射光の波長において、イオン注入層２の吸収係数は、種基板１の吸収係数に対して、５倍以上大きいことが好ましく、さらに３０倍以上大きいことがより好ましい。ここで、光吸収係数とは、多重内部反射を考慮した下記の式（４）によって表わされる値である。
μ＝（ｌｏｇｅ（（Ｉｔ／Ｉ０）／（（Ｉｒ／Ｉ０）／Ｒ−１）））／ｘ 式（４）
（式（４）中、μは平均の光吸収係数、Ｉ０は入射光の強度、Ｉｔは媒質を通過した後の出射光の強度、Ｉｒは媒質を挿入した後の反射光の強度、Ｒは式(３）で表される単反射Ｒ、ｘは媒質の厚さ（イオン注入層２の実効的な厚さ）を示す。）
光源として混合波長を含む光源を用いる場合は、光源が含む波長および波長域において、最大の吸収エネルギーを示す波長の光透過率および吸収係数を意味するものとする。In the wavelength of the irradiation light used in the subsequent step of separating the semiconductor substrate 3, the absorption coefficient of the ion implantation layer 2 is preferably 5 times or more larger than the absorption coefficient of the seed substrate 1, and further 30 times or more. Is more preferable. Here, the light absorption coefficient is a value represented by the following equation (4) in consideration of multiple internal reflections.
μ = (log e ((I t / I 0) / ((I r / I 0) / R-1))) / x (4)
(Intensity of formula (4), the optical absorption coefficient of the average mu, I 0 is the intensity of incident light, I t is the intensity of the emitted light after passing through the medium, I r is the reflected light after the insertion of the medium , R is a simple reflection R represented by the formula (3), and x is the thickness of the medium (effective thickness of the ion injection layer 2).
When a light source including a mixed wavelength is used as the light source, it means the light transmittance and the absorption coefficient of the wavelength showing the maximum absorption energy in the wavelength and the wavelength range included in the light source.

種基板１とイオン注入層２との光透過率または光吸収係数の関係が前記の範囲であると、種基板１に光を照射した時、光が種基板１を透過してイオン注入層２に効率的に吸収される。したがって、イオン注入層２の破壊に要する時間を短縮することができる。ただし、イオン注入層２の光透過率が大きくなると光のエネルギーを吸収する効率が高くなって、イオン注入層２の時間短縮に好都合ではあるが、必須ではない。イオンの注入は、次に述べる原子結合力を弱くすることが主目的であるからである。その場合、結晶格子やイオンに自身に光を非線形的に吸収させるようにすればよい。この場合、結晶格子の結合を直接きることなく、注入原子を膨張させてその力で結合の弱い部分を切るということが重要である。したがって、イオン注入の後に熱アニールをするなどして、光で分離する工程の前までに、光の透過率を低減させておいても問題はない。また、吸収のある光の波長とは異なる光の波長を用いても問題はない。間接的にエネルギーを注入イオンに伝え、最終的に注入イオンが膨張して、分離するエネルギーとすればよいからである。 When the relationship between the light transmittance or the light absorption coefficient between the seed substrate 1 and the ion implantation layer 2 is within the above range, when the seed substrate 1 is irradiated with light, the light passes through the seed substrate 1 and the ion implantation layer 2 is used. Is efficiently absorbed. Therefore, the time required for the destruction of the ion implantation layer 2 can be shortened. However, when the light transmittance of the ion implantation layer 2 becomes large, the efficiency of absorbing light energy becomes high, which is convenient for shortening the time of the ion implantation layer 2, but is not essential. This is because the main purpose of ion injection is to weaken the atomic bond force described below. In that case, the crystal lattice or ions may be made to absorb light non-linearly. In this case, it is important to expand the injected atom and cut the weak bond by its force without directly breaking the bond of the crystal lattice. Therefore, there is no problem even if the light transmittance is reduced before the step of separating with light by performing thermal annealing after ion implantation. Further, there is no problem even if a wavelength of light different from the wavelength of absorbed light is used. This is because the energy may be indirectly transmitted to the injected ions, and finally the injected ions may be expanded to be the energy to be separated.

注入するイオンの種類は、イオン注入層２の結晶性を低下させることができる元素のイオンであればよい。たとえば、炭素、ホウ素、窒素、酸素、リン、ネオン、水素、ヘリウム、アルミニウム、シリコン、硫黄、アルゴンなど、イオン注入可能なすべての元素のイオンが使用可能である。なかでも、水素イオン、水素分子イオン、酸素イオン、酸素分子イオン、窒素イオン、窒素分子イオン、ヘリウムイオン、ネオンイオンおよびアルゴンイオンからなる群より選ばれる少なくとも１種のイオンを用いることが好ましい。これらのイオンは光のエネルギーによってガス化しやすい。したがって、イオン注入層がこれらのイオンを含むと、イオン注入層２あるいはその近傍に光を吸収させた時に、これらのイオンがガス化して膨張することにより、弱い原子間結合を有するイオン注入層の破壊が促進される。 The type of ions to be implanted may be any elemental ions that can reduce the crystallinity of the ion implantation layer 2. Ions of all ion-implantable elements such as carbon, boron, nitrogen, oxygen, phosphorus, neon, hydrogen, helium, aluminum, silicon, sulfur and argon can be used. Among them, it is preferable to use at least one ion selected from the group consisting of hydrogen ion, hydrogen molecule ion, oxygen ion, oxygen molecule ion, nitrogen ion, nitrogen molecule ion, helium ion, neon ion and argon ion. These ions are easily gasified by the energy of light. Therefore, when the ion-implanted layer contains these ions, when the ion-implanted layer 2 or its vicinity absorbs light, these ions are gasified and expanded, so that the ion-implanted layer having a weak interatomic bond is formed. Destruction is promoted.

また、これらのイオンは半導体と結合を起こさない不活性ガスイオンか、起こしてもマトリックスに組み込まれずに、終端するような水素イオンであることが、半導体を分離する容易さとなるので、さらに好ましい。 Further, it is more preferable that these ions are inert gas ions that do not form a bond with the semiconductor, or hydrogen ions that terminate without being incorporated into the matrix even if they do occur, because it facilitates separation of the semiconductor.

ボロン、窒素、シリコンおよびリンは半導体中の原子と４配位の結合をすると、半導体原子の結合を切るのと同等のエネルギーが必要となるので効率的ではない。一方、４配位していない凝集した窒素はガス化しやすく有効である。マトリックス中の原子と置換されているかどうかは、置換型で検出されるＥＳＲ（Ｅｌｅｃｔｒｏｎ Ｓｐｉｎ Ｒｅｓｏｎａｎｃｅ：電子スピン共鳴）の量とＳＩＭＳ（Ｓｅｃｏｎｄａｒｙ Ｉｏｎ Ｍａｓｓ Ｓｐｅｃｔｒｏｍｅｔｒｙ：二次イオン質量分析法）による全窒素の量を比べることにより、算出することができる。 Boron, nitrogen, silicon, and phosphorus are not efficient when they have a four-coordinate bond with an atom in a semiconductor because they require the same energy as breaking the bond between semiconductor atoms. On the other hand, aggregated nitrogen that is not tetra-coordinated is easily gasified and effective. Whether or not it is replaced with an atom in the matrix is determined by the amount of ESR (Electron Spin Response) detected by the substitution type and the amount of total nitrogen by SIMS (Secondary Ion Mass Spectrometry). Can be calculated by comparing.

イオン注入層２は、種基板１の主面からの深さが０．０５μｍ以上１０μｍ以下であることが好ましく、０．１μｍ以上１μｍ以下であることがさらに好ましい。これによると、照射光により破壊される層の厚さが十分小さく、また、分離の失敗を防止することができる。ここで、種基板１の主面とは、イオン注入を行った面のことである。種基板１の主面からの深さとは、種基板１の主面と、前記種基板１の主面にもっとも近いイオン注入層２の中心（注入イオン濃度の一番大きな位置）との距離を意味する。 The depth of the ion-implanted layer 2 from the main surface of the seed substrate 1 is preferably 0.05 μm or more and 10 μm or less, and more preferably 0.1 μm or more and 1 μm or less. According to this, the thickness of the layer destroyed by the irradiation light is sufficiently small, and the failure of separation can be prevented. Here, the main surface of the seed substrate 1 is a surface on which ion implantation has been performed. The depth from the main surface of the seed substrate 1 is the distance between the main surface of the seed substrate 1 and the center of the ion implantation layer 2 closest to the main surface of the seed substrate 1 (the position where the implantation ion concentration is highest). means.

イオン注入層２は、厚さが５０ｎｍ以上１０μｍ以下であることが好ましく、１００ｎｍ以上１μｍ以下であることがさらに好ましい。これによると、照射光により破壊される層（分離に必要な層）の厚さが十分小さく、かつ、分離面の十分な平坦性を確保することができる。 The thickness of the ion-implanted layer 2 is preferably 50 nm or more and 10 μm or less, and more preferably 100 nm or more and 1 μm or less. According to this, the thickness of the layer (layer required for separation) destroyed by the irradiation light is sufficiently small, and sufficient flatness of the separation surface can be ensured.

イオン注入層２は、イオンのドーズ量が１×１０１４ｃｍ−２以上２×１０１８ｃｍ−２以下の範囲であることが好ましく、１×１０１５ｃｍ−２以上８×１０１７ｃｍ−２以下の範囲がさらに好ましい。イオンのドーズ量が前記の範囲であると、イオン注入層２中に原子空孔が十分な量形成されている。原子空孔の位置には原子が存在しないため、周辺の原子の結合力が緩和される。したがって、イオン注入層２あるいはその近傍が光を吸収すると、原子空孔を基点としてイオン注入層が破壊される。イオンのドーズ量は、注入時のイオン電流と照射面積から算出されるイオン電流密度と注入時間より算出した値であり、設計通りの注入ができていることを二次イオン質量分析法（ＳＩＭＳ：Ｓｅｃｏｎｄａｒｙ Ｉｏｎ Ｍａｓｓ Ｓｐｅｃｔｒｏｍｅｔｒｙ）によって確認できる。The ion implantation layer 2 preferably has an ion dose amount in the range of 1 × 10 14 cm- 2 or more and 2 × 10 18 cm- 2 or less, and 1 × 10 15 cm- 2 or more and 8 × 10 17 cm- 2. The following ranges are more preferred. When the dose amount of ions is in the above range, a sufficient amount of atomic vacancies are formed in the ion implantation layer 2. Since there are no atoms at the positions of the atomic vacancies, the bonding force of surrounding atoms is relaxed. Therefore, when the ion-implanted layer 2 or its vicinity absorbs light, the ion-implanted layer is destroyed with the atomic vacancies as the base point. The amount of ion dose is a value calculated from the ion current density and injection time calculated from the ion current at the time of injection and the irradiation area, and the secondary ion mass spectrometry (SIMS) indicates that the injection is performed as designed. It can be confirmed by Secondary Ion Mass Spectrometry).

イオン注入層の厚さやドーズ量は、照射される光（レーザー）の強度に対応して設計される。すなわち、集光された光（レーザー）の強度が大きいとイオン注入量は少なくても分離され、集光される光（レーザー）の強度が小さいときはイオン注入量は多めに設計される。注入される半導体の最表面の結晶が崩れない程度にイオン注入量を調整する必要がある。 The thickness and dose amount of the ion implantation layer are designed according to the intensity of the irradiated light (laser). That is, when the intensity of the focused light (laser) is high, the ion implantation amount is separated even if the amount is small, and when the intensity of the focused light (laser) is low, the ion implantation amount is designed to be large. It is necessary to adjust the amount of ion implantation so that the crystals on the outermost surface of the semiconductor to be implanted do not collapse.

イオン注入層２は、原子空孔密度が最大ピーク値で０．００１％以上１００％以下の範囲であることが好ましく、０．０１％以上１００％以下の範囲であることがさらに好ましい。原子空孔密度が前記の範囲であると、イオン注入層２の破壊を促進することができる。最大ピーク値の原子空孔密度が０．００１％未満であると、イオン注入層２の破壊の基点が少ないため、イオン注入層２の破壊に要するパワーや時間が増大する。そのような場合は、結晶性の高い半導体も損傷を受けてしまう。原子空孔密度は、可視あるいは近赤外透過率によって測定した値である。イオン注入のシミュレーションで得られる原子密度と、透過率の測定値の検量線によって算出できる。原子密度は、室温の理想の炭素原子密度に対する百分率で表している。従って、原子空孔密度は、イオン注入条件が決まれば、測定しなくとも、決定できる。 The ion implantation layer 2 preferably has an atomic vacancy density in the range of 0.001% or more and 100% or less at the maximum peak value, and more preferably 0.01% or more and 100% or less. When the atomic pore density is in the above range, the destruction of the ion-implanted layer 2 can be promoted. When the atomic pore density of the maximum peak value is less than 0.001%, the power and time required for the destruction of the ion-implanted layer 2 increase because there are few base points for the destruction of the ion-implanted layer 2. In such a case, the highly crystalline semiconductor will also be damaged. The atomic pore density is a value measured by visible or near-infrared transmittance. It can be calculated from the atomic density obtained by the simulation of ion implantation and the calibration curve of the measured value of transmittance. Atomic density is expressed as a percentage of the ideal carbon atom density at room temperature. Therefore, the atomic vacancy density can be determined without measurement if the ion implantation conditions are determined.

イオン注入層２は、原子空孔の集合であってもよいし、非晶質相を含んでいてもよい。非晶質相は、ダングリングボンドが多く含まれている方が好ましい。この場合、イオン注入層２あるいはその近傍が光を吸収した時に、非晶質相のダングリングボンドが基点となってイオン注入層２が破壊される。一方、種基板１の最表面まで非晶質相層が形成されるため、分離がうまくいかない。イオン注入した種基板１の上面に半導体層３がエピタキシャル成長することが困難になるからである。従って、イオン注入量には上限がある。 The ion implantation layer 2 may be an aggregate of atomic vacancies or may contain an amorphous phase. The amorphous phase preferably contains a large amount of dangling bonds. In this case, when the ion-implanted layer 2 or its vicinity absorbs light, the ion-implanted layer 2 is destroyed with the dangling bond of the amorphous phase as a base point. On the other hand, since the amorphous phase layer is formed up to the outermost surface of the seed substrate 1, the separation is not successful. This is because it becomes difficult for the semiconductor layer 3 to epitaxially grow on the upper surface of the ion-implanted seed substrate 1. Therefore, there is an upper limit to the amount of ion implantation.

（半導体層を成長させる工程）
次に、図１（Ｃ）を参照して、前記種基板１の主面上に気相合成法により、半導体層３を成長させる。半導体層３はヘテロエピタキシャル成長層や、ホモエピタキシャル成長層となることがより好ましい。(Process to grow semiconductor layer)
Next, with reference to FIG. 1C, the semiconductor layer 3 is grown on the main surface of the seed substrate 1 by a vapor phase synthesis method. It is more preferable that the semiconductor layer 3 is a heteroepitaxial growth layer or a homoepitaxial growth layer.

まず、半導体層がダイヤモンドである場合の成長方法の一例を説明する。
気相合成法は特に限定されず、ＰＶＤ法、ＣＶＤ法、ＭＯＣＶＤ法、ＶＰＥ法、分子線エピタクシー法、昇華法などを用いることができる。具体的には、たとえば、ダイヤモンドのマイクロ波プラズマＣＶＤの合成方法において、種基板１を真空チャンバ内に設置し、真空チャンバ内の圧力を２．６６ｋＰａ〜５３．２ｋＰａ、チャンバ内の基板温度を８００℃〜１２００℃に加熱した上で、メタンなどの炭化水素ガス、水素ガス、および、不活性ガス、窒素などの添加ガスを導入し、種基板１の主面上にダイヤモンドからなる半導体層３をエピタキシャル成長させる。添加ガスは、必要に応じて添加するが、添加しなくともよい。半導体層３の成長方向は図１（Ｃ）中、上方向である。半導体層３の上面は、種基板１の主面の面方位を引き継いでいる。First, an example of a growth method when the semiconductor layer is diamond will be described.
The vapor phase synthesis method is not particularly limited, and a PVD method, a CVD method, a MOCVD method, a VPE method, a molecular beam epitaxy method, a sublimation method, or the like can be used. Specifically, for example, in the method for synthesizing microwave plasma CVD of diamond, the seed substrate 1 is installed in a vacuum chamber, the pressure in the vacuum chamber is 2.66 kPa to 53.2 kPa, and the substrate temperature in the chamber is 800. After heating to ° C to 1200 ° C, a hydrocarbon gas such as methane, a hydrogen gas, and an additive gas such as an inert gas and nitrogen are introduced to form a semiconductor layer 3 made of diamond on the main surface of the seed substrate 1. Epitaxially grow. The added gas is added as needed, but it does not have to be added. The growth direction of the semiconductor layer 3 is upward in FIG. 1 (C). The upper surface of the semiconductor layer 3 inherits the plane orientation of the main surface of the seed substrate 1.

次に、半導体層が、窒化ガリウム、窒化アルミニウム、セレン化亜鉛の場合の合成方法の一例を説明する。 Next, an example of the synthesis method when the semiconductor layer is gallium nitride, aluminum nitride, or zinc selenide will be described.

窒化ガリウムをＭＯＣＶＤ法で成長する方法では、種基板１（典型的には（０００１）面のＣ面を主面とする基板）を炉内に設置し、炉内の基板温度を６００℃〜１３００℃に加熱した上で、トリメチルガリウムなどの有機ガリウムガス、アンモニアガス、および、水素などのキャリアガスを導入し、種基板１の主面上に窒化ガリウムからなる半導体層３をエピタキシャル成長させる。原料ガス中のトリメチルガリウムガスとアンモニアガスの混合比は体積比で、１：２０００などが好ましい。半導体層３の成長方向は図１（Ｃ）中、上方向である。半導体層３の上面は、種基板１の主面の面方位を引き継いでいる。気相合成法は、前記のＭＯＣＶＤ法に限定されず、一般的に知られる他の気相合成法を利用することもできる。 In the method of growing gallium nitride by the MOCVD method, a seed substrate 1 (typically, a substrate having the C surface of the (0001) plane as the main surface) is installed in the furnace, and the substrate temperature in the furnace is set to 600 ° C. to 1300 ° C. After heating to ° C., an organic gallium gas such as trimethylgallium, an ammonia gas, and a carrier gas such as hydrogen are introduced to epitaxially grow a semiconductor layer 3 made of gallium nitride on the main surface of the seed substrate 1. The mixing ratio of trimethylgallium gas and ammonia gas in the raw material gas is preferably 1: 2000 or the like in terms of volume ratio. The growth direction of the semiconductor layer 3 is upward in FIG. 1 (C). The upper surface of the semiconductor layer 3 inherits the plane orientation of the main surface of the seed substrate 1. The gas phase synthesis method is not limited to the MOCVD method described above, and other generally known gas phase synthesis methods can also be used.

窒化アルミニウムを昇華法で成長する方法では、種基板１（（０００１）面や（０００２）面の基板）を炉内に設置し、炉内の基板温度を２０００℃に保持した上に、窒化アルミニウム原料を２４００℃で昇華させ、種基板１の主面上に窒化アルミニウムからなる半導体層３をエピタキシャル成長させる。半導体層３の成長方向は図１（Ｃ）中、上方向である。半導体層３の上面は、種基板１の主面の面方位を引き継いでいる。気相合成法は、前記の昇華法に限定されず、一般的に知られる他の気相合成法を利用することもできる。 In the method of growing aluminum nitride by the sublimation method, the seed substrate 1 (the substrate on the (0001) plane or the (0002) plane) is installed in the furnace, the substrate temperature in the furnace is maintained at 2000 ° C., and then the aluminum nitride is grown. The raw material is sublimated at 2400 ° C., and a semiconductor layer 3 made of aluminum nitride is epitaxially grown on the main surface of the seed substrate 1. The growth direction of the semiconductor layer 3 is upward in FIG. 1 (C). The upper surface of the semiconductor layer 3 inherits the plane orientation of the main surface of the seed substrate 1. The gas phase synthesis method is not limited to the above-mentioned sublimation method, and other generally known gas phase synthesis methods can also be used.

セレン化亜鉛を昇華法で合成する方法では、種基板１を炉内に設置し、炉内の基板温度を１０００〜１２００℃に保持した上に、より高い温度に設置した原料の多結晶セレン化亜鉛から不活性ガスをキャリアガスとして原料のセレンと亜鉛を装置内に導入し、種基板１の主面上にセレン化亜鉛からなる半導体層３をエピタキシャル成長させる。半導体層３の成長方向は図１（Ｃ）中、上方向である。半導体層３の上面は、種基板１の主面の面方位を引き継いでいる。気相合成法は、前記の昇華法に限定されず、一般的に知られる他の気相合成法を利用することもできる。 In the method of synthesizing zinc selenide by the sublimation method, the seed substrate 1 is placed in a furnace, the substrate temperature in the furnace is maintained at 1000 to 1200 ° C., and the raw material is polycrystalline selenium placed at a higher temperature. Selenium and zinc as raw materials are introduced into the apparatus using an inert gas from zinc as a carrier gas, and a semiconductor layer 3 made of zinc selenide is epitaxially grown on the main surface of the seed substrate 1. The growth direction of the semiconductor layer 3 is upward in FIG. 1 (C). The upper surface of the semiconductor layer 3 inherits the plane orientation of the main surface of the seed substrate 1. The gas phase synthesis method is not limited to the above-mentioned sublimation method, and other generally known gas phase synthesis methods can also be used.

次に、半導体層が、炭化シリコンの場合の合成方法の一例を説明する。
種基板１（典型的には（０００１）面を主面として利用するが、０．０５〜１０°の範囲でオフしている。）を炉内に設置し、炉内の基板温度を１４００℃〜１６００℃に高周波で加熱した上で、モノシランガスなどのシリコン水素系ガス、プロパンガスなどの炭化水素系ガス、および、水素などのキャリアガスを導入し、種基板１の主面上に炭化シリコンからなる半導体層３をエピタキシャル成長させる。炉は、常圧横型コールドウォールＣＶＤ装置などである。原料ガス中のシリコン系と炭素系ガスとの混合比は、１．５：１などがよい。半導体層３の成長方向は図１（Ｃ）中、上方向である。半導体層３の上面は、種基板１の主面の面方位を引き継いでいる。気相合成法は、前記の方法に限定されず、一般的に知られる他の気相合成法を利用することもできる。Next, an example of the synthesis method when the semiconductor layer is silicon carbide will be described.
A seed substrate 1 (typically using the (0001) plane as the main plane, but off in the range of 0.05 to 10 °) is installed in the furnace, and the substrate temperature in the furnace is set to 1400 ° C. After heating to ~ 1600 ° C. at a high frequency, a silicon hydrogen-based gas such as monosilane gas, a hydrocarbon-based gas such as propane gas, and a carrier gas such as hydrogen are introduced from the silicon carbide on the main surface of the seed substrate 1. The semiconductor layer 3 is epitaxially grown. The furnace is a normal pressure horizontal cold wall CVD apparatus or the like. The mixing ratio of the silicon-based gas and the carbon-based gas in the raw material gas is preferably 1.5: 1. The growth direction of the semiconductor layer 3 is upward in FIG. 1 (C). The upper surface of the semiconductor layer 3 inherits the plane orientation of the main surface of the seed substrate 1. The gas phase synthesis method is not limited to the above method, and other generally known gas phase synthesis methods can also be used.

半導体層３とイオン注入層２との光透過性の関係は、イオン注入層２の光透過率が、半導体層３の光透過率に対して１％以上低いことが好ましく、５％以上低いことがさらに好ましい。ここで、光透過率とは、上記の式（１）によって表わされる値である。 Regarding the relationship of light transmittance between the semiconductor layer 3 and the ion implantation layer 2, the light transmittance of the ion implantation layer 2 is preferably 1% or more lower than the light transmittance of the semiconductor layer 3 and 5% or more lower. Is even more preferable. Here, the light transmittance is a value represented by the above equation (1).

照射する光の波長における半導体層３とイオン注入層２の光の吸収係数の関係は、イオン注入層２の吸収係数が、半導体層３の吸収係数に対して、５倍以上大きいことが好ましく、３０倍以上大きいことがより好ましい。ここで、光吸収係数とは、上記の式（４）によって表わされる値である。 Regarding the relationship between the light absorption coefficient of the semiconductor layer 3 and the ion implantation layer 2 at the wavelength of the irradiated light, it is preferable that the absorption coefficient of the ion implantation layer 2 is 5 times or more larger than the absorption coefficient of the semiconductor layer 3. It is more preferable that it is 30 times or more larger. Here, the light absorption coefficient is a value represented by the above equation (4).

イオン注入層２と半導体層３との光透過率または光吸収係数の関係が前記の範囲であると、半導体層３に光を照射した時、光が照射された半導体層３を透過してイオン注入層２に効率的に吸収される。したがって、イオン注入層２の破壊に要する時間を短縮することができる。 When the relationship between the light transmittance or the light absorption coefficient between the ion implantation layer 2 and the semiconductor layer 3 is within the above range, when the semiconductor layer 3 is irradiated with light, the light is transmitted through the irradiated semiconductor layer 3 to form ions. It is efficiently absorbed by the implantation layer 2. Therefore, the time required for the destruction of the ion implantation layer 2 can be shortened.

半導体層３の光透過性をイオン注入層２よりも高くするためには、結晶性のよい条件で合成することが有効である。イオン注入層２は注入により発生した原子空孔に由来する点欠陥によって光透過性が低下している。イオン注入された種基板１の最表面は、結晶格子の秩序がイオン注入層２よりもはるかに良好に保たれており、点欠陥のほとんどは後に成長された半導体層３に引き継ぐことがない。従って、半導体層３はイオン注入層２よりも結晶性が高い。 In order to make the light transmittance of the semiconductor layer 3 higher than that of the ion-implanted layer 2, it is effective to synthesize the semiconductor layer 3 under good crystallinity conditions. The ion implantation layer 2 has reduced light transmittance due to point defects caused by atomic vacancies generated by implantation. On the outermost surface of the ion-implanted seed substrate 1, the crystal lattice order is maintained much better than that of the ion-implanted layer 2, and most of the point defects are not inherited by the semiconductor layer 3 grown later. Therefore, the semiconductor layer 3 has higher crystallinity than the ion implantation layer 2.

半導体層３は、単結晶であっても多結晶であってもよい。単結晶の半導体は高価であり、製造コストを低減させるという効果をより大きく発揮できるため好ましい。半導体層３は、導電性であっても絶縁性であってもよい。半導体層３は絶縁性が好ましいが、ドーピング原子をイオン注入しているドーピング基板であっても構わない。ただし、金属的にドーピングを行う場合は、半導体層３側から光を照射した場合、光がイオン注入層２に届かないこともある。したがって、金属的なドーピングを行った場合は、種基板１の半導体層が形成されていない主面側から光を照射することによって、光がイオン注入層２に到達するようにする。 The semiconductor layer 3 may be single crystal or polycrystalline. Single crystal semiconductors are preferable because they are expensive and can exert a greater effect of reducing manufacturing costs. The semiconductor layer 3 may be conductive or insulating. The semiconductor layer 3 is preferably insulating, but it may be a doping substrate in which doping atoms are ion-implanted. However, in the case of metallic doping, when light is irradiated from the semiconductor layer 3 side, the light may not reach the ion implantation layer 2. Therefore, when metallic doping is performed, the light reaches the ion implantation layer 2 by irradiating the light from the main surface side on which the semiconductor layer of the seed substrate 1 is not formed.

図１（Ｃ）に示される、イオン注入層２を有する種基板１と、種基板１の主面上に配置された半導体層３とを含む積層体を、本明細書においては「半導体接合基板」ともいう。図１（Ｃ）に示される半導体接合基板を用いて、以下で説明する分離する工程を経ることにより、半導体基板を作製することができる。 The laminate including the seed substrate 1 having the ion implantation layer 2 and the semiconductor layer 3 arranged on the main surface of the seed substrate 1 shown in FIG. 1 (C) is referred to as "semiconductor bonded substrate" in the present specification. Also called. The semiconductor substrate can be manufactured by using the semiconductor bonded substrate shown in FIG. 1C and undergoing the separation step described below.

（半導体層と基板とを分離する工程）
次に、図１（Ｄ−１)および図１（Ｄ−２）を参照して、前記半導体層３および前記種基板１の少なくともいずれかの主面の表面から光４を照射する。そして、図１（Ｅ）を参照して、前記イオン注入層２あるいはその近傍に光４を吸収させて、光のエネルギーにより、イオン注入層に存在するイオンを気化膨張させて、半導体間の結合が弱いイオン注入層の部分を膨張圧で押し広げ、半導体層３および種基板の一部（種基板１ａ）を含む半導体基板５を、種基板の大部分（種基板１ｂ）から分離させる。(Process for separating the semiconductor layer and the substrate)
Next, with reference to FIGS. 1 (D-1) and 1 (D-2), light 4 is irradiated from the surface of at least one of the main surfaces of the semiconductor layer 3 and the seed substrate 1. Then, with reference to FIG. 1 (E), light 4 is absorbed in or near the ion implantation layer 2, and the ions existing in the ion implantation layer are vaporized and expanded by the energy of the light to bond the semiconductors. The weak ion-implanted layer is expanded by the expansion pressure to separate the semiconductor layer 3 and the semiconductor substrate 5 including a part of the seed substrate (seed substrate 1a) from most of the seed substrate (seed substrate 1b).

イオン注入層２はイオンの注入により形成されているため、層内にイオン、原子空孔、非晶質部、マトリックスを構成する半導体原子のダングリングボンドの少なくともいずれかを含む。イオン注入層２あるいはその近傍が光４を吸収すると、イオン注入層２の温度が上昇し、イオン注入層に存在するイオン原子あるいは半導体格子の原子に結合していない原子が気化して膨張し、イオン注入層２中の原子間結合の弱い部分である原子空孔やダングリングボンドを基点としてイオン注入層２が破壊される。このとき、半導体層３には影響を与えないように押し広げることができる。イオン注入層２は、イオン注入を行う種基板１の表面を、あらかじめ平滑または平らな面に形成しておき、その面を通してイオン注入することにより形成されているため、イオン注入層２と種基板１との界面の凹凸が少ない。したがって、イオン注入層２あるいはその近傍に光を吸収させて破壊した後の半導体基板５と種基板１ｂとの分離面は、表面粗さが小さくなる。分離面の粗さは、イオン注入層厚程度の表面粗さとなるので、１０μｍより小さく、さらには１μｍより小さくできる。 Since the ion implantation layer 2 is formed by implantation of ions, the layer contains at least one of ions, atomic vacancies, amorphous portions, and dangling bonds of semiconductor atoms constituting the matrix. When the ion-implanted layer 2 or its vicinity absorbs light 4, the temperature of the ion-implanted layer 2 rises, and the ion atoms existing in the ion-implanted layer or the atoms not bonded to the atoms of the semiconductor lattice are vaporized and expanded. The ion implantation layer 2 is destroyed from the atomic vacancies and dungling bonds, which are the weakly interatomic bonds in the ion implantation layer 2. At this time, the semiconductor layer 3 can be expanded so as not to affect the semiconductor layer 3. Since the ion implantation layer 2 is formed by forming the surface of the seed substrate 1 to be ion-implanted into a smooth or flat surface in advance and then implanting ions through the surface, the ion implantation layer 2 and the seed substrate are formed. There is little unevenness at the interface with 1. Therefore, the surface roughness of the separation surface between the semiconductor substrate 5 and the seed substrate 1b after being destroyed by absorbing light in or near the ion implantation layer 2 becomes small. Since the roughness of the separation surface is about the thickness of the ion-implanted layer, it can be smaller than 10 μm and further smaller than 1 μm.

光４は、イオン注入層２に集光して、集光点を走査させることが好ましい。光４はイオン注入層２に集光していてもよいが、イオン注入層２から少しずれてもよい。イオン注入層２が光を吸収しやすい層となってエネルギーを吸収してもよいし、イオン注入層２近傍がエネルギーを吸収し、それが注入されたイオンにエネルギーを伝えてもよい。従って、集光の距離が多少ずれても、関係なく作用できる。 It is preferable that the light 4 is focused on the ion implantation layer 2 and the focusing point is scanned. The light 4 may be focused on the ion implantation layer 2, but may be slightly deviated from the ion implantation layer 2. The ion-implanted layer 2 may be a layer that easily absorbs light to absorb energy, or the vicinity of the ion-implanted layer 2 may absorb energy and transfer the energy to the injected ions. Therefore, even if the focusing distance deviates slightly, it can work regardless.

光４は、図１（Ｄ−１)のように、半導体層３の主面側から照射してもよい。また、図１（Ｄ−２）のように、種基板１の半導体層３が形成されていない主面側から照射してもよい。照射する最表面は、多少荒れた表面でもよい。コンパクトディスク（ＣＤ）の表面が曇っていても、内部の情報を引き出せる原理と同じで、照射する最表面が多少荒れていても、イオン注入層あるいはその近傍にうまく光を吸収させることができるからである。 Light 4 may be irradiated from the main surface side of the semiconductor layer 3 as shown in FIG. 1 (D-1). Further, as shown in FIG. 1 (D-2), irradiation may be performed from the main surface side on which the semiconductor layer 3 of the seed substrate 1 is not formed. The outermost surface to be irradiated may be a slightly rough surface. Even if the surface of the compact disc (CD) is cloudy, the principle is the same as the principle that internal information can be extracted, and even if the outermost surface to be irradiated is slightly rough, light can be absorbed well in or near the ion implantation layer. Is.

照射する光の光源としては、パルスレーザー、ＣＷレーザー（Ｃｏｎｔｉｎｕｏｕｓ Ｗａｖｅ Ｌａｓｅｒ：連続波発信レーザー）、フラッシュランプ、パルス状ランプなどを用いることができる。中でも、パルスレーザー、フラッシュランプ、パルス状ランプなどのパルス光を発する光源を用いると、半導体全体の温度が上昇する前に光の照射を中止し、半導体がクールダウンした後に光の照射を再開することができるので、イオン注入層のみを温度上昇させることができるため好ましい。ここで、パルス状ランプとは、ランプ自体は連続照射型のランプでも、物理的に遮蔽版が、光をさえぎったり、光の進路を変更したりして、実質的にパルス状に照射されるランプのことを意味する。 As a light source for irradiating light, a pulse laser, a CW laser (Continuous Wave Laser), a flash lamp, a pulse lamp, or the like can be used. In particular, when a light source that emits pulsed light such as a pulse laser, a flash lamp, or a pulsed lamp is used, the light irradiation is stopped before the temperature of the entire semiconductor rises, and the light irradiation is restarted after the semiconductor cools down. This is preferable because the temperature of only the ion-implanted layer can be raised. Here, the pulsed lamp means that even if the lamp itself is a continuous irradiation type lamp, the shielding plate physically blocks the light or changes the course of the light to irradiate the lamp substantially in a pulsed manner. It means a lamp.

光源としてパルス光を用いる場合、光を照射する半導体層３および種基板１の少なくともいずれかの主面の表面におけるパルス当たりの照射フルエンスは０．０１Ｊ／ｍｍ２以上１５００Ｊ／ｍｍ２以下であることが好ましく、０．１Ｊ／ｍｍ２以上５００Ｊ／ｍｍ２以下であることがさらに好ましい。これによると、光が半導体層および基板を昇温せずに、イオン注入層のみを昇温することができる。したがって、半導体層および種基板の主面の表面を破壊せず、また、種基板および半導体層の内部にクラックを発生させることなく、イオン注入層のみを破壊することができる。パルス光のパルス当たりの照射フルエンスが０．０１Ｊ／ｍｍ２未満であると、イオン注入層の破壊に要するパルス数が増大したり、パルス光がイオン注入層を破壊できないおそれがある。一方、パルス光のパルス当たりの照射フルエンスが１５００Ｊ／ｍｍ２を超えると種基板や半導体層の表面や内部の結晶構造にダメージを与えるおそれがある。When pulsed light is used as the light source, the irradiation fluence per pulse on the surface of at least one of the main surfaces of the semiconductor layer 3 and the seed substrate 1 to be irradiated shall be 0.01 J / mm 2 or more and 1500 J / mm 2 or less. preferably, further preferably 0.1 J / mm 2 or more 500 J / mm 2 or less. According to this, only the ion-implanted layer can be heated without the light raising the temperature of the semiconductor layer and the substrate. Therefore, only the ion-implanted layer can be destroyed without destroying the surface of the main surface of the semiconductor layer and the seed substrate and without generating cracks inside the seed substrate and the semiconductor layer. If the irradiation fluence per pulse of the pulsed light is less than 0.01 J / mm 2 , the number of pulses required to destroy the ion-implanted layer may increase, or the pulsed light may not destroy the ion-implanted layer. On the other hand, if the irradiation fluence per pulse of the pulsed light exceeds 1500 J / mm 2 , the surface and internal crystal structure of the seed substrate and the semiconductor layer may be damaged.

パルス光のパルス幅は、０．０１ｐｓｅｃから１０ｍｓｅｃが好ましい。さらに、０．０１ｎｓｅｃ以上１０ｍｓｅｃ以下が好ましく、０．１ｎｓｅｃ以上１ｍｓｅｃ以下がさらに好ましい。パルス幅が０．０１ｎｓｅｃより小さくなると、パルス光のエネルギーが、半導体の原子の結合を切るエネルギーレベルに入ってくるので、半導体層および種基板の主面の表面が粗くなったり、割れたりするおそれがある。また、パルス幅が０．０１ｎｓｅｃ未満であると、光照射装置でパルス幅を制御するのが困難である。一方、パルス幅が１０ｍｓｅｃを超えると、イオン注入層のみだけでなく、種基板および半導体を含む全体の温度の上昇に影響を与える。ただし、全体の温度の上昇は照射フルエンスにも依存するため、照射フルエンスが０．０１Ｊ／ｍｍ２未満の場合は、１００ｍｓｅｃまで許容される。The pulse width of the pulsed light is preferably 0.01 psec to 10 msec. Further, 0.01 nsec or more and 10 msec or less is preferable, and 0.1 nsec or more and 1 msec or less is more preferable. When the pulse width is smaller than 0.01 nsec, the energy of the pulsed light enters the energy level at which the atoms of the semiconductor are broken, so that the surface of the main surface of the semiconductor layer and the seed substrate may be roughened or cracked. There is. Further, if the pulse width is less than 0.01 nsec, it is difficult to control the pulse width with the light irradiation device. On the other hand, when the pulse width exceeds 10 msec, it affects not only the temperature rise of the ion-implanted layer but also the temperature of the whole including the seed substrate and the semiconductor. However, since the increase in the overall temperature also depends on the irradiation fluence, if the irradiation fluence is less than 0.01 J / mm 2 , up to 100 msec is allowed.

パルス光のパルス間隔は０．１ｎｓｅｃから１００ｍｓｅｃが好ましい。すなわち、下限が０．１ｎｓｅｃ以上、好ましくは１０ｎｓｅｃ以上、より好ましくは１μｓｅｃ以上、さらに好ましくは１０μｓｅｃ以上であり、上限が１００ｍｓｅｃ以下、好ましくは１０ｍｓｅｃ以下、さらに好ましくは１ｍｓｅｃ以下である。（繰り返し周波数は、下限としては１Ｈｚ以上が好ましく、１０Ｈｚ以上がより好ましく、１００Ｈｚ以上がさらに好ましく、１ｋＨｚ以上がもっと好ましい。上限としては１０００ＭＨｚ以下が好ましく、１０００ｋＨｚ以下がより好ましく、１００ｋＨｚ以下がさらに好ましい。）パルス幅とパルス間隔の比は、間隔／幅の比で、１０〜１０９が好ましい。１０〜１０６がより好ましい。さらには、１０〜１０００が好ましい。The pulse interval of the pulsed light is preferably 0.1 nsec to 100 msec. That is, the lower limit is 0.1 nsec or more, preferably 10 nsec or more, more preferably 1 μsec or more, still more preferably 10 μsec or more, and the upper limit is 100 msec or less, preferably 10 msec or less, still more preferably 1 msec or less. (The lower limit of the repetition frequency is preferably 1 Hz or higher, more preferably 10 Hz or higher, further preferably 100 Hz or higher, further preferably 1 kHz or higher. The upper limit is preferably 1000 MHz or lower, more preferably 1000 kHz or lower, still more preferably 100 kHz or lower. The ratio of the pulse width to the pulse interval is preferably 10 to 9 in the interval / width ratio. 10 to 6 are more preferable. Furthermore, 10 to 1000 is preferable.

パルス光は、光を照射する半導体層３および種基板１の少なくともいずれかの主面の表面におけるパルスエネルギーが０．０５ｍＪ以上１０００ｍＪ以下であることが好ましい。これによると、光が半導体層３および種基板１の主面の表面を破壊せず、また、種基板１および半導体層３の内部にクラックを発生させることなく、イオン注入層２のみを破壊することができる。パルスエネルギーが０．０５ｍＪ未満であると、照射光がイオン注入層を破壊することができない。一方、パルスエネルギーが１０００ｍＪを超えると、照射光がイオン注入層以外の半導体層や基板を破壊する恐れがある。パルスエネルギーは、０．１ｍＪ以上５０ｍＪ以下がさらに好ましく、０．３ｍＪ以上３０ｍＪ以下がさらに好ましい。 The pulsed light preferably has a pulse energy of 0.05 mJ or more and 1000 mJ or less on the surface of at least one of the main surfaces of the semiconductor layer 3 and the seed substrate 1 to be irradiated with light. According to this, the light does not destroy the surfaces of the main surfaces of the semiconductor layer 3 and the seed substrate 1, and also destroys only the ion implantation layer 2 without causing cracks inside the seed substrate 1 and the semiconductor layer 3. be able to. If the pulse energy is less than 0.05 mJ, the irradiation light cannot destroy the ion-implanted layer. On the other hand, if the pulse energy exceeds 1000 mJ, the irradiation light may destroy the semiconductor layer and the substrate other than the ion implantation layer. The pulse energy is more preferably 0.1 mJ or more and 50 mJ or less, and further preferably 0.3 mJ or more and 30 mJ or less.

照射する光はレーザー光であることが好ましい。レーザー光を用いると、パルスの幅や強度を可変しやすいことに加え、吸収に適した波長を選べるという効果を得ることができる。レーザーは、イオン注入層の吸収波長に合わせて、固体レーザー、液体レーザー、気体レーザーなどを用いることができる。具体的には、ガラスレーザー、ＹＡＧレーザー（ＹＡＧ：Ｙｔｔｒｉｕｍ Ａｌｕｍｉｎｕｍ Ｇａｒｎｅｔ）、ＹＬＦレーザー（ＹＬＦ：Ｙｔｔｒｉｕｍ Ｌｉｔｈｉｕｍ Ｆｌｕｏｒｉｄｅ）、ＣＯ２レーザー、エキシマレーザー、Ｙｂドープファイバーレーザーなどを用いることができる。また、これらの２倍波、３倍波などの波長をＳＨＧ（Ｓｅｃｏｎｄ Ｈａｒｍｏｎｉｃ Ｇｅｎｅｒａｔｉｏｎ）などで得て用いてもよい。The light to be irradiated is preferably laser light. When laser light is used, in addition to being able to easily change the pulse width and intensity, it is possible to obtain the effect of selecting a wavelength suitable for absorption. As the laser, a solid-state laser, a liquid laser, a gas laser, or the like can be used according to the absorption wavelength of the ion implantation layer. Specifically, a glass laser, a YAG laser (YAG: Yttrium aluminum garnet), a YLF laser (YLF: Yttrium Lithium Fluoride), a CO 2 laser, an excima laser, a Yb-doped fiber laser and the like can be used. Further, wavelengths such as these second harmonic waves and third harmonic waves may be obtained and used by SHG (Second Harmonic Generation) or the like.

レーザー光の波長はイオン注入層２の吸収波長に合わせて、２５０ｎｍ〜１０．６μｍの範囲で、適宜選択することができる。たとえば、２５０ｎｍ以上４００ｎｍ以下が好ましく、４５０ｎｍ以上５５０ｎｍ以下がさらに好ましい。さらには、１μｍ以上２μｍ以下がより好ましい。すなわち、レーザー光の波長が長い方が、多格子吸収でマトリックスを形成する半導体原子結合を切る割合よりも、注入イオンを熱的にガス化して膨張のエネルギーとする割合が大きくなり、好ましい。 The wavelength of the laser light can be appropriately selected in the range of 250 nm to 10.6 μm according to the absorption wavelength of the ion implantation layer 2. For example, 250 nm or more and 400 nm or less is preferable, and 450 nm or more and 550 nm or less is more preferable. Further, it is more preferably 1 μm or more and 2 μm or less. That is, it is preferable that the wavelength of the laser beam is long because the ratio of thermally gasifying the injected ions to the energy of expansion is larger than the ratio of breaking the semiconductor atomic bonds forming the matrix by multi-lattice absorption.

レーザー光は半導体層３または種基板１の主面の表面上を走査することが好ましい。走査速度は、パルス間隔（周波数）と光のサイズ（レーザービームサイズ）で決まる。操作速度はパルス周波数×ビームサイズの２倍以上、パルス周波数×ビームサイズの３０倍以下が好ましく、５倍以上２０倍以下がさらに好ましい。これによると、表面をより平坦に加工でき、無駄なく効率よく短時間で分離できる。 The laser light preferably scans on the surface of the main surface of the semiconductor layer 3 or the seed substrate 1. The scanning speed is determined by the pulse interval (frequency) and the size of the light (laser beam size). The operating speed is preferably twice or more the pulse frequency × beam size, 30 times or less the pulse frequency × beam size, and more preferably 5 times or more and 20 times or less. According to this, the surface can be processed more flatly, and separation can be performed efficiently and in a short time without waste.

半導体基板５と種基板１ｂとを分離する工程は、液体中で行うことが好ましい。これによると、光照射による半導体基板５および種基板１ｂへの衝撃を低減できるため、種基板１ａ、１ｂおよび半導体層３でのクラックの発生を抑制することができる。液体はレーザー光の衝撃を低減できるものであれば特に制限はなく、たとえば、純水、各種水溶液、各種オイル、あるいは固体状ジェルなどのやわらかい固体などを用いることができる。 The step of separating the semiconductor substrate 5 and the seed substrate 1b is preferably performed in a liquid. According to this, since the impact on the semiconductor substrate 5 and the seed substrate 1b due to light irradiation can be reduced, the occurrence of cracks in the seed substrates 1a and 1b and the semiconductor layer 3 can be suppressed. The liquid is not particularly limited as long as it can reduce the impact of laser light, and for example, pure water, various aqueous solutions, various oils, or a soft solid such as a solid gel can be used.

半導体基板５と種基板１ｂとを分離する工程は、周囲の温度を冷却しながら行うことが好ましい。これによると、照射する光による種基板１ａ、１ｂや半導体層３の熱膨張を低減することができ、種基板１ａ、１ｂや半導体層３でのクラックの発生を抑制することができる。冷却は、たとえば、冷媒雰囲気の導入や、純水、各種水溶液、各種オイルなどの液体や、固体状ジェルなどを冷却したものを用いて行うことができる。 The step of separating the semiconductor substrate 5 and the seed substrate 1b is preferably performed while cooling the ambient temperature. According to this, the thermal expansion of the seed substrates 1a and 1b and the semiconductor layer 3 due to the irradiated light can be reduced, and the occurrence of cracks in the seed substrates 1a and 1b and the semiconductor layer 3 can be suppressed. Cooling can be performed, for example, by introducing a refrigerant atmosphere, using a liquid such as pure water, various aqueous solutions, various oils, or a cooled solid gel or the like.

図１（Ｅ）に示されるように、分離された種基板１ｂと、半導体基板５の分離面は、表面粗さが小さい。種基板１ａおよび半導体層３を含む半導体基板５をデバイス用基板ほか応用製品として用いる場合には、表面を平坦化することが必要な場合がある。半導体基板５に含まれる種基板１ａは分離面の表面粗さが小さいため、デバイス用基板など応用製品への加工を容易に行うことができる。また、分離された種基板１ｂを再度エピタキシャル成長の基板として用いるためには、表面を平坦化する必要がある。種基板１ｂは分離面の表面粗さが小さいため、種基板への加工を容易に行うことができる。究極的には、基板への再加工なしに同じプロセスを通して、イオン注入後、ＣＶＤエピ後のレーザー分離ができる。 As shown in FIG. 1 (E), the separated surface roughness of the separated seed substrate 1b and the separated surface of the semiconductor substrate 5 is small. When the semiconductor substrate 5 including the seed substrate 1a and the semiconductor layer 3 is used as a device substrate or other applied product, it may be necessary to flatten the surface. Since the seed substrate 1a contained in the semiconductor substrate 5 has a small surface roughness on the separation surface, it can be easily processed into an applied product such as a device substrate. Further, in order to use the separated seed substrate 1b as a substrate for epitaxial growth again, it is necessary to flatten the surface. Since the surface roughness of the separation surface of the seed substrate 1b is small, the seed substrate can be easily processed. Ultimately, laser separation after ion implantation and after CVD epic is possible through the same process without reworking the substrate.

分離された種基板１ｂと、半導体基板５の分離面の表面粗さ（Ｒａ）は、１０μｍ未満が好ましく、１μｍ以下がより好ましく、０．３μｍ未満がさらに好ましい。これによると、表面を平坦化する加工が容易である。ここで、表面粗さ（Ｒａ）とは、ＪＩＳ Ｂ ０６０１−２０１３の規定に準ずる算術平均粗さを意味し、粗さ曲線からその平均線の方向に基準長さだけを抜き取り、この抜取り部分の平均線の方向にＸ軸を、縦倍率の方向にＹ軸を取り、粗さ曲線をｙ＝ｆ（ｘ）で表したときに、以下の式（５）によって求められる値をマイクロメートル（μｍ）で表したものをいう。 The surface roughness (Ra) of the separated seed substrate 1b and the separation surface of the semiconductor substrate 5 is preferably less than 10 μm, more preferably 1 μm or less, still more preferably less than 0.3 μm. According to this, the process of flattening the surface is easy. Here, the surface roughness (Ra) means the arithmetic average roughness according to the provisions of JIS B 0601-2013, and only the reference length is extracted from the roughness curve in the direction of the average line, and the extracted portion is When the X-axis is taken in the direction of the average line and the Y-axis is taken in the direction of the vertical magnification, and the roughness curve is expressed by y = f (x), the value obtained by the following equation (5) is micrometer (μm). ).

Figure 0006822146
Figure 0006822146

分離された種基板１ｂの平坦化は通常の機械研磨によって行うことができ、Ｒａを０．１ｎｍにすることができる。種基板１の表面からイオン注入して、イオン注入層２を形成し、光の照射によりイオン注入層２を破壊すると、分離面の平坦度は低下する。しかしながら、イオン注入層２の厚さを薄くする、光の走査速度を遅くする、低パワーを利用するなどの工夫によって、分離面の平坦度の向上を図ることができる。 Flattening of the separated seed substrate 1b can be performed by ordinary mechanical polishing, and Ra can be set to 0.1 nm. When ions are implanted from the surface of the seed substrate 1 to form the ion implantation layer 2 and the ion implantation layer 2 is destroyed by irradiation with light, the flatness of the separation surface is lowered. However, the flatness of the separation surface can be improved by reducing the thickness of the ion implantation layer 2, slowing down the scanning speed of light, and using low power.

［実施の形態２］
本発明の実施形態に係る半導体基板は、実施の形態１の半導体基板の製造方法によって得られた半導体基板５である。前記半導体基板５は、種基板１ｂからの分離時間が短縮されているため、製造コストが低減されている。[Embodiment 2]
The semiconductor substrate according to the embodiment of the present invention is the semiconductor substrate 5 obtained by the method for manufacturing the semiconductor substrate of the first embodiment. Since the separation time of the semiconductor substrate 5 from the seed substrate 1b is shortened, the manufacturing cost is reduced.

本発明の実施形態に係る半導体基板は、気相合成法により形成された半導体層３を含む半導体基板５であって、前記半導体基板５は第１の主面および第２の主面を含み、前記第１の主面は、前記半導体基板を構成する主元素とは種類または結合状態が異なる第１元素を含み、前記第１元素は、水素、酸素、窒素、炭素、ヘリウム、ネオンおよびアルゴンからなる群より選ばれる少なくとも１種の元素を含み、前記第１の主面の表面粗さは、１０μｍ未満である。該半導体基板は、表面が平坦であり、各種用途への加工が容易である。第１の主面の表面粗さは、１μｍ以下が好ましく、０．３μｍ未満がより好ましい。本実施形態の半導体基板は、実施の形態１の半導体基板の製造方法により作製することができる。この場合、本実施形態の半導体基板において、第１の主面の表面とは、種基板１ａの表面に対応する。また、第１の主面に含まれる第１元素である水素、酸素、窒素、炭素、ヘリウム、ネオンおよびアルゴンからなる群より選ばれる少なくとも１種の元素は、イオン注入で注入されたイオンに由来するものである。イオン注入で注入されたイオンは、半導体基板の分離時に大部分が除去されるが、イオン注入層の欠陥の少ない一部には残存する。イオン注入による元素分布は既知であり、半導体基板を構成する主元素とは種類または結合状態が異なるという特徴があるため、第１の主面に、イオン注入により注入されたイオンが存在することは、判別可能である。この表面は、半導体基板のデバイス形成表面として使用しない限りは問題がない。基板の裏面として使用する場合は、注入したイオンが残っていると炭素結合間に存在するので、最表面のみがそれほど硬くない層で形成されることとなり、異種基板などに接合する際にはクッションの役割をする利点がある。この層は、後にプラズマエッチングや化学エッチング（可能な場合）研磨や機械的に除去することもできるので、半導体のデバイス形成表面として利用することも可能である。しかし、エッチピットが生じる、機械的ひずみが蓄積する、余分なコストが発生する、などの欠点も併せ持つので、再度きれいなエピ膜を形成するなどの工程を経る必要がある。分離表面と対面の成長表面は、エピ形成された表面であるので、半導体デバイス形成表面として問題はない。 The semiconductor substrate according to the embodiment of the present invention is a semiconductor substrate 5 including a semiconductor layer 3 formed by a vapor phase synthesis method, and the semiconductor substrate 5 includes a first main surface and a second main surface. The first main surface contains a first element whose type or bonding state is different from that of the main element constituting the semiconductor substrate, and the first element is composed of hydrogen, oxygen, nitrogen, carbon, helium, neon and argon. It contains at least one element selected from the above group, and the surface roughness of the first main surface is less than 10 μm. The semiconductor substrate has a flat surface and can be easily processed into various applications. The surface roughness of the first main surface is preferably 1 μm or less, more preferably less than 0.3 μm. The semiconductor substrate of the present embodiment can be manufactured by the method of manufacturing the semiconductor substrate of the first embodiment. In this case, in the semiconductor substrate of the present embodiment, the surface of the first main surface corresponds to the surface of the seed substrate 1a. Further, at least one element selected from the group consisting of hydrogen, oxygen, nitrogen, carbon, helium, neon and argon, which are the first elements contained in the first main surface, is derived from the ions implanted by ion implantation. To do. Most of the ions implanted by ion implantation are removed when the semiconductor substrate is separated, but remain in some of the ion-implanted layers with few defects. Since the element distribution by ion implantation is known and the type or bond state is different from that of the main elements constituting the semiconductor substrate, it is possible that the ions implanted by ion implantation exist on the first main surface. , Can be identified. This surface has no problem as long as it is not used as a device forming surface of a semiconductor substrate. When used as the back surface of a substrate, if the injected ions remain, they exist between the carbon bonds, so only the outermost surface is formed by a layer that is not so hard, and a cushion is used when joining to dissimilar substrates. Has the advantage of playing the role of. Since this layer can be later plasma-etched, chemically etched (if possible) polished, or mechanically removed, it can also be used as a device-forming surface for semiconductors. However, it also has drawbacks such as etch pits, accumulation of mechanical strain, and extra cost, so it is necessary to go through steps such as forming a clean epi film again. Since the growth surface facing the separated surface is an epiformed surface, there is no problem as a semiconductor device forming surface.

第１の主面の表面に含まれるクラックは長さが１００μｍ以下であり、かつ、前記表面に含まれる変質層は最大径が１００μｍ以下であることが好ましい。このクラックは、光学顕微鏡で観察でき、直線的な黒い影として観察され、局部的な、瞬時的な膨張が原因であるものであるが、微小で表面に留まるので、半導体基板のデバイス形成表面として使用しない限りは、特に問題はない。また変質層は非晶質層の部分を指し、ＲＨＥＥＤによってリングパターンの存在で確認できる。クラックは既にひずみが解放されており、変質層は非晶質なので、ここでは劈開が起こらないという特徴を有する。したがって、改めて異種基板などに接合される裏面として利用する場合は、新たなクラックの伸展を止める働きをして、割れに対する耐久性が発現するという利点がある。これらの層は、後にプラズマエッチングや化学エッチング（可能な場合）研磨や機械的に除去することもでき、半導体のデバイス形成表面として利用することも可能である。しかし、エッチピットが生じる、機械的ひずみが蓄積する、余分なコストが発生する、などの欠点も併せ持つので、再度きれいなエピ膜を形成するなどの工程を経る必要がある。分離表面と対面の成長表面は、エピ形成された表面であるので、半導体デバイス形成表面として問題はない。 It is preferable that the cracks contained in the surface of the first main surface have a length of 100 μm or less, and the altered layer contained in the surface has a maximum diameter of 100 μm or less. This crack can be observed with an optical microscope and is observed as a linear black shadow, which is caused by local and instantaneous expansion, but it is minute and stays on the surface, so that it can be used as a device forming surface of a semiconductor substrate. As long as it is not used, there is no particular problem. The altered layer refers to a portion of the amorphous layer, which can be confirmed by the presence of a ring pattern by RHEED. Since the crack has already been released from strain and the altered layer is amorphous, it has the characteristic that cleavage does not occur here. Therefore, when it is used again as a back surface to be joined to a different type of substrate or the like, it has an advantage that it functions to stop the growth of new cracks and develops durability against cracks. These layers can be later plasma-etched, chemically-etched (if possible) polished, mechanically removed, and used as a device-forming surface for semiconductors. However, it also has drawbacks such as etch pits, accumulation of mechanical strain, and extra cost, so it is necessary to go through steps such as forming a clean epi film again. Since the growth surface facing the separated surface is an epiformed surface, there is no problem as a semiconductor device forming surface.

第１の主面の表面には、半導体基板を構成する主元素の少なくとも一つである第１元素が半導体基板の半導体格子とは異なる原子結合状態で存在していることが好ましい。結合状態が異なる元素が表面に存在することは、ＸＰＳやＡＥＳで観察することにより確認することができる。第１元素は、表面に留まるので、半導体基板のデバイス形成表面として使用しない限りは、特に基板の使用に問題はない。強固な表面に緩く留まっているので、異種基板などに接合する裏面として使用する場合は、割れを防ぎ、クッションの役割をする利点がある。この層は、後にプラズマエッチングや化学エッチング（可能な場合）研磨や機械的に除去することもでき、半導体のデバイス形成表面として利用することも可能である。しかし、エッチピットが生じる、機械的ひずみが蓄積する、余分なコストが発生する、などの欠点も併せ持つので、再度きれいなエピ膜を形成するなどの工程を経る必要がある。分離表面と対面の成長表面は、エピ形成された表面であるので、半導体デバイス形成表面として問題はない。 It is preferable that the first element, which is at least one of the main elements constituting the semiconductor substrate, is present on the surface of the first main surface in an atomic bond state different from that of the semiconductor lattice of the semiconductor substrate. The presence of elements with different bonding states on the surface can be confirmed by observing with XPS or AES. Since the first element stays on the surface, there is no particular problem in using the substrate unless it is used as the device forming surface of the semiconductor substrate. Since it stays loosely on a strong surface, it has the advantage of preventing cracking and acting as a cushion when used as a back surface for joining to different types of substrates. This layer can be later plasma-etched, chemically etched (if possible) polished, mechanically removed, and used as a device-forming surface for semiconductors. However, it also has drawbacks such as etch pits, accumulation of mechanical strain, and extra cost, so it is necessary to go through steps such as forming a clean epi film again. Since the growth surface facing the separated surface is an epiformed surface, there is no problem as a semiconductor device forming surface.

第１の主面の表面には、半導体基板を構成する主元素の少なくとも一つである第１元素が半導体基板の半導体格子とは異なる原子結合状態であって、複数の略円形の模様をなして存在していることが好ましい。結合状態が異なる元素が表面に存在すること、またその模様は、ＸＰＳやＡＥＳでマッピングすることで観察することにより確認することができる。半導体基板５を、種基板１ｂから分離する際に印加される物理的なエネルギーによって、第１元素が瞬時的に膨張し、複数の略円形の模様を形成することがある。複数の略円形の模様が包絡線をなすこともある。本表面は、半導体基板のデバイス形成表面として使用しない限りは、特に基板の使用に問題はない。強固な表面に緩く、部分的に留まっているので、異種基板などに接合する際にはクッションの役割をする利点がある。この層は、後にプラズマエッチングや化学エッチング（可能な場合）研磨や機械的に除去することもでき、半導体のデバイス形成表面として利用することも可能である。しかし、エッチピットが生じる、機械的ひずみが蓄積する、余分なコストが発生する、などの欠点も併せ持つので、再度きれいなエピ膜を形成するなどの工程を経る必要がある。分離表面と対面の成長表面は、エピ形成された表面であるので、半導体デバイス形成表面として問題はない。 On the surface of the first main surface, the first element, which is at least one of the main elements constituting the semiconductor substrate, has an atomic bond state different from that of the semiconductor lattice of the semiconductor substrate, and forms a plurality of substantially circular patterns. It is preferable that it exists. The presence of elements with different bonding states on the surface and the pattern can be confirmed by observing by mapping with XPS or AES. The physical energy applied when the semiconductor substrate 5 is separated from the seed substrate 1b may cause the first element to expand instantaneously to form a plurality of substantially circular patterns. Multiple substantially circular patterns may form an envelope. As long as this surface is not used as a device forming surface of a semiconductor substrate, there is no particular problem in using the substrate. Since it is loose and partially stays on a strong surface, it has the advantage of acting as a cushion when joining to different types of substrates. This layer can be later plasma-etched, chemically etched (if possible) polished, mechanically removed, and used as a device-forming surface for semiconductors. However, it also has drawbacks such as etch pits, accumulation of mechanical strain, and extra cost, so it is necessary to go through steps such as forming a clean epi film again. Since the growth surface facing the separated surface is an epiformed surface, there is no problem as a semiconductor device forming surface.

本実施形態に係る半導体基板は、デバイス用基板やその他基板を適用する応用製品に用いることができる。前記デバイス用基板や応用製品は、前記半導体基板を備えているため、製造コストが低減されている。 The semiconductor substrate according to this embodiment can be used for a device substrate and other applied products to which the substrate is applied. Since the device substrate and the applied product include the semiconductor substrate, the manufacturing cost is reduced.

半導体層３がダイヤモンドの場合の応用製品としては、具体的には、ダイヤモンドバイト、ドリル、エンドミル、ドリル用刃先交換型切削チップ、エンドミル用刃先交換型切削チップ、フライス加工用刃先交換型切削チップ、切削加工用刃先交換型切削チップ、メタルソー、歯切工具、リーマ、タップなどの切削工具が挙げられる。また、切削工具に限られず、研削工具、耐摩工具、部品などを挙げることができる。研削工具としては、ドレッサなどを挙げることができる。耐摩工具、部品としては、ダイス、スクライバー、水または粉末噴出ノズル、ワイヤなどのガイドを挙げることができる。さらに、熱的応用では、高出力レーザーダイオード（ＬＤ）や高出力半導体発光素子（ＬＥＤ）などの半導体デバイスのためのヒートシンクであるとか、光学的応用では、高出力用のレーザー用窓材料、Ｘ線ターゲットなどが挙げられる。 Specific examples of the applied products when the semiconductor layer 3 is diamond include a diamond cutting tool, a drill, an end mill, a cutting edge exchangeable cutting tip for a drill, a cutting edge exchangeable cutting tip for an end mill, and a cutting edge exchangeable cutting tip for milling. Examples thereof include cutting tools such as replaceable cutting edge cutting tips for cutting, metal saws, gear cutting tools, reamers, and taps. Further, the present invention is not limited to cutting tools, and examples thereof include grinding tools, wear-resistant tools, and parts. Examples of the grinding tool include a dresser and the like. Examples of wear-resistant tools and parts include guides such as dies, scribers, water or powder ejection nozzles, and wires. Furthermore, in thermal applications, it is a heat sink for semiconductor devices such as high-power laser diodes (LDs) and high-power semiconductor light-emitting devices (LEDs), and in optical applications, it is a laser window material for high powers, X. Examples include line targets.

半導体層３が窒化ガリウムの場合の応用製品としては、例えば、青色ＬＥＤ、白色ＬＥＤ用の基板や、高効率のスイッチングデバイスなどの基板が挙げられる。 Examples of the applied product when the semiconductor layer 3 is gallium nitride include substrates for blue LEDs and white LEDs, and substrates such as high-efficiency switching devices.

半導体３が炭化シリコンの場合の応用製品としては、例えば、電力制御用あるいは車載の高効率パワーデバイス用の基板が挙げられる。 Examples of the applied product when the semiconductor 3 is silicon carbide include a substrate for power control or an in-vehicle high-efficiency power device.

［実施の形態３］
＜複合半導体基板の製造方法＞
図３（Ａ）〜図３（Ｆ）は、本発明の実施形態に係る複合半導体基板の製造方法を模式的に示す図である。図４は、本発明の実施形態に係る複合半導体基板の製造方法を示すフローチャートである。[Embodiment 3]
<Manufacturing method of composite semiconductor substrate>
3 (A) to 3 (F) are diagrams schematically showing a method for manufacturing a composite semiconductor substrate according to an embodiment of the present invention. FIG. 4 is a flowchart showing a method for manufacturing a composite semiconductor substrate according to an embodiment of the present invention.

本発明の実施形態に係る複合半導体基板の製造方法は、半導体材料を含む種基板を準備する工程（図３（Ａ）および図４の基板準備工程（Ｓ２１）で示される）と、前記種基板にイオン注入を行うことにより、前記種基板の主面の表面から一定深さに、イオン注入層を形成する工程（図３（Ｂ）および図４のイオン注入層形成工程（Ｓ２２）で示される）と、前記種基板の主面上に気相合成法により、半導体層を成長させる工程（図３（Ｃ）および図４の半導体層成長工程（Ｓ２３）で示される）と、前記半導体層上に第１の基板を貼り合せる工程と（図３（Ｄ）および図４の第１の基板貼り合わせ工程（Ｓ２４）で示される）と、前記第１の基板および前記種基板の少なくともいずれかの主面の表面から光を照射することにより、前記第１の基板、前記半導体層および前記種基板の一部を含む複合半導体基板を分離する工程（図３（Ｅ−１）、（Ｅ−２）、（Ｆ）および図４の複合半導体基板分離工程（Ｓ２５）で示される）とを含む。 The method for manufacturing a composite semiconductor substrate according to an embodiment of the present invention includes a step of preparing a seed substrate containing a semiconductor material (shown in FIG. 3A and a substrate preparation step of FIG. 4 (S21)) and the seed substrate. Is shown in the steps of forming an ion-implanted layer at a constant depth from the surface of the main surface of the seed substrate (shown in FIG. 3B and FIG. 4 in the ion-implanted layer forming step (S22)). ), A step of growing a semiconductor layer on the main surface of the seed substrate by a vapor phase synthesis method (shown in the semiconductor layer growth step (S23) of FIGS. 3 (C) and 4), and on the semiconductor layer. And at least one of the first substrate and the seed substrate (shown in FIG. 3D and the first substrate bonding step (S24) of FIG. 4). A step of separating the composite semiconductor substrate including the first substrate, the semiconductor layer, and a part of the seed substrate by irradiating light from the surface of the main surface (FIGS. 3 (E-1), (E-2). ), (F) and the composite semiconductor substrate separation step (S25) of FIG. 4).

実施の形態３に係る複合半導体基板の製造方法は、基板準備工程（Ｓ２１）、イオン注入層形成工程（Ｓ２２）、半導体層成長工程（Ｓ２３）、複合半導体基板分離工程（Ｓ２５）は、それぞれ、実施の形態１に係る半導体基板の製造方法の基板準備工程（Ｓ１）、イオン注入層形成工程（Ｓ２）、半導体層成長工程（Ｓ３）、半導体基板分離工程（Ｓ４）と同一の方法を採用することができる。したがって、以下では、実施の形態１とは異なる点である、第１の基板を貼り合わせる工程（Ｓ２４）について説明する。 The method for manufacturing a composite semiconductor substrate according to the third embodiment includes a substrate preparation step (S21), an ion implantation layer formation step (S22), a semiconductor layer growth step (S23), and a composite semiconductor substrate separation step (S25), respectively. The same methods as the substrate preparation step (S1), the ion implantation layer formation step (S2), the semiconductor layer growth step (S3), and the semiconductor substrate separation step (S4) of the semiconductor substrate manufacturing method according to the first embodiment are adopted. be able to. Therefore, the step (S24) of bonding the first substrate, which is different from the first embodiment, will be described below.

（第１の基板を貼り合わせる工程）
図３（Ｄ）に示されるように、半導体層２３の上に第１の基板２５を貼り合わせる。これによると、半導体層２３を自立しないほど薄く形成した場合でも、半導体層２３および第１の基板２５を含む複合半導体基板２６は自立することができ、ハンドリング性が良好である。すなわち、実施の形態３では、実施の形態１よりも、高価な半導体層２３を薄くできるため、複合半導体基板２６の製造コストが低減される。(Step of bonding the first substrate)
As shown in FIG. 3D, the first substrate 25 is bonded onto the semiconductor layer 23. According to this, even when the semiconductor layer 23 is formed so thin that it does not stand on its own, the composite semiconductor substrate 26 including the semiconductor layer 23 and the first substrate 25 can stand on its own and has good handleability. That is, in the third embodiment, the expensive semiconductor layer 23 can be made thinner than in the first embodiment, so that the manufacturing cost of the composite semiconductor substrate 26 is reduced.

第１の基板２５としては、例えば酸化ケイ素（ＳｉＯ２）基板を用いることができる。酸化ケイ素基板は、非常に平坦に研磨した半導体基板２３上にＳｉＯ２層を形成し、該ＳｉＯ２層上に貼り合せることができる。また、第１の基板２５は複数枚を用いてもよい。例えば、第１の基板２５上に、ＳｉＯ２層を形成し、該ＳｉＯ２層上にＳｉＯ２基板を複数枚貼り合せることができる。第１の基板の材料はＳｉＯ２に限定されず、表面に清浄な平坦な膜を形成できるものであれば、他の材料（金属など）を用いることもできる。他の材料としては、例えば金（Ａｕ）、チタン（Ｔｉ）、モリブデン（Ｍｏ）、タンタル（Ｔａ）、タングステン（Ｗ）が挙げられる。半導体でも、セラミックスでも、単結晶でも、多結晶でも構わない。例えばシリコン（Ｓｉ）、ゲルマニウム（Ｇｅ）、アルミナ（Ａｌ２Ｏ３）も挙げられる。いずれの組み合わせも、分離する半導体基板よりも低価格な基板であることが好ましい。As the first substrate 25, for example, a silicon oxide (SiO 2 ) substrate can be used. In the silicon oxide substrate, a SiO 2 layer can be formed on a semiconductor substrate 23 polished to be very flat, and the SiO 2 layer can be bonded to the SiO 2 layer. Further, a plurality of first substrates 25 may be used. For example, a SiO 2 layer can be formed on the first substrate 25, and a plurality of SiO 2 substrates can be laminated on the SiO 2 layer. The material of the first substrate is not limited to SiO 2 , and other materials (metals and the like) can be used as long as a clean flat film can be formed on the surface. Examples of other materials include gold (Au), titanium (Ti), molybdenum (Mo), tantalum (Ta), and tungsten (W). It may be a semiconductor, a ceramic, a single crystal, or a polycrystal. For example, silicon (Si), germanium (Ge), and alumina (Al 2 O 3 ) can also be mentioned. Both combinations are preferably substrates that are cheaper than the semiconductor substrates to be separated.

第１の基板２５としては、樹脂からなる基板を用いることができる。これは、本発明が室温で分離できる技術であることで初めて実現することである。半導体層２３を高温プロセスに用いたい場合は、複合半導体基板２６の種基板２１の主面を、耐熱性のある別の基板に接着剤を用いて貼り合せた後に、樹脂からなる第１の基板２５をアルコールなどの適正な液中で除去したり、第１の基板２５と半導体層２３の間の接着剤を除去し、第１の基板２５を外すことができる。第１の基板２５が樹脂からなる場合は、第１の基板２５の表面は、第１の基板２５がＳｉＯ２からなる場合よりも、表面の平坦性が多少劣っていても構わない。これは、第１の基板２５と半導体層２３との間に、柔らかく薄い接着剤からなる接着層を配置することができるからである。As the first substrate 25, a substrate made of resin can be used. This is realized for the first time when the present invention is a technique capable of separating at room temperature. When the semiconductor layer 23 is to be used for a high temperature process, the main surface of the seed substrate 21 of the composite semiconductor substrate 26 is bonded to another heat-resistant substrate using an adhesive, and then the first substrate made of resin is used. 25 can be removed in a suitable liquid such as alcohol, or the adhesive between the first substrate 25 and the semiconductor layer 23 can be removed to remove the first substrate 25. When the first substrate 25 is made of resin, the surface of the first substrate 25 may be slightly inferior in flatness to that of the case where the first substrate 25 is made of SiO 2 . This is because an adhesive layer made of a soft and thin adhesive can be arranged between the first substrate 25 and the semiconductor layer 23.

［実施の形態４］
＜複合半導体基板の製造方法＞
図５（Ａ）〜図５（Ｅ）は、本発明の実施形態に係る複合半導体基板の製造方法を模式的に示す図である。図６は、本発明の実施形態に係る複合半導体基板の製造方法を示すフローチャートである。[Embodiment 4]
<Manufacturing method of composite semiconductor substrate>
5 (A) to 5 (E) are diagrams schematically showing a method for manufacturing a composite semiconductor substrate according to an embodiment of the present invention. FIG. 6 is a flowchart showing a method for manufacturing a composite semiconductor substrate according to an embodiment of the present invention.

本発明の実施形態に係る複合半導体基板の製造方法は、半導体材料を含む種基板を準備する工程（図５（Ａ）および図６の基板準備工程（Ｓ３１）で示される）と、前記種基板にイオン注入を行うことにより、前記種基板の主面の表面から一定深さに、イオン注入層を形成する工程（図５（Ｂ）および図６のイオン注入層形成工程（Ｓ３２）で示される）と、前記種基板の主面上に第１の基板を貼り合せる工程（図５（Ｃ）および図６の第１の基板貼り合せ工程（Ｓ３３）で示される）と、前記第１の基板および前記種基板の少なくともいずれかの主面の表面から光を照射することにより、前記第１の基板および前記種基板の一部を含む複合半導体基板を分離する工程（図５（Ｄ−１）、（Ｄ−２）、（Ｅ）および図６の複合半導体基板分離工程（Ｓ３４）で示される）とを含む。 The method for manufacturing a composite semiconductor substrate according to an embodiment of the present invention includes a step of preparing a seed substrate containing a semiconductor material (shown in the substrate preparation step (S31) of FIGS. 5 (A) and 6) and the seed substrate. Is shown in the steps of forming an ion-implanted layer at a constant depth from the surface of the main surface of the seed substrate (shown in FIG. 5 (B) and the ion-implanted layer forming step (S32) of FIG. 6). ), The step of bonding the first substrate on the main surface of the seed substrate (shown in FIG. 5C and the first substrate bonding step (S33) of FIG. 6), and the first substrate. And a step of separating the composite semiconductor substrate including the first substrate and a part of the seed substrate by irradiating light from the surface of at least one of the main surfaces of the seed substrate (FIG. 5 (D-1)). , (D-2), (E) and the composite semiconductor substrate separation step (S34) of FIG. 6).

実施の形態４に係る複合半導体基板の製造方法は、実施の形態３の複合半導体基板の製造方法における半導体層成長工程（Ｓ２３）を含まない点以外は、実施の形態３と同様の工程を含む。 The method for manufacturing a composite semiconductor substrate according to the fourth embodiment includes the same steps as those for the third embodiment except that the method for manufacturing the composite semiconductor substrate according to the third embodiment does not include the semiconductor layer growth step (S23). ..

実施の形態４に係る複合半導体基板の製造方法では、種基板３１の主面上に、直接第１の基板３５を貼り合せる。得られる複合半導体基板３６は、第１の基板３５の表面に、種基板３１ａの層が薄く形成されている。種基板３１ａを自立しないほど薄くスライスした場合でも、複合半導体基板２６は自立することができ、ハンドリング性が良好である。また、高価な半導体層を形成していないため、実施の形態４では、実施の形態３よりも、複合半導体基板３６の製造コストが低減される。 In the method for manufacturing a composite semiconductor substrate according to the fourth embodiment, the first substrate 35 is directly bonded to the main surface of the seed substrate 31. In the obtained composite semiconductor substrate 36, a thin layer of the seed substrate 31a is formed on the surface of the first substrate 35. Even when the seed substrate 31a is sliced so thin that it does not stand on its own, the composite semiconductor substrate 26 can stand on its own and has good handleability. Further, since the expensive semiconductor layer is not formed, the manufacturing cost of the composite semiconductor substrate 36 is reduced in the fourth embodiment as compared with the third embodiment.

［実施の形態５］
本発明の実施形態に係る複合半導体基板は、実施の形態３または実施の形態４の複合半導体基板の製造方法によって得られた複合半導体基板２６，３６である。前記複合半導体基板２６，３６は、種基板２１ｂまたは３１ｂからの分離時間が短縮されているため、製造コストが低減されている。また、高価な半導体層２３を薄くしたり、半導体層を作製せずに、複合半導体基板２６，３６を得ることができるため、製造コストが低減されている。[Embodiment 5]
The composite semiconductor substrate according to the embodiment of the present invention is the composite semiconductor substrates 26 and 36 obtained by the method for manufacturing the composite semiconductor substrate of the third embodiment or the fourth embodiment. Since the separation time of the composite semiconductor substrates 26 and 36 from the seed substrate 21b or 31b is shortened, the manufacturing cost is reduced. Further, since the composite semiconductor substrates 26 and 36 can be obtained without thinning the expensive semiconductor layer 23 or manufacturing the semiconductor layer, the manufacturing cost is reduced.

本発明の一態様に係る複合半導体基板は、第１の基板と、前記第１の基板の主面上に積層された半導体層とを含む複合半導体基板であって、前記複合半導体基板は、前記半導体層側の主面が、半導体層を構成する主元素とは種類または結合状態が異なる第１元素を含み、前記第１元素は、水素、酸素、窒素、炭素、ヘリウム、ネオンおよびアルゴンからなる群より選ばれる少なくとも１種の元素を含み、前記複合半導体基板は、前記半導体層側の主面の表面粗さが、１０μｍ未満であり、前記半導体層は、厚みが０．１μｍ以上５０μｍ以下である、複合半導体基板である。該半導体基板は、表面が平坦であり、各種用途への加工が容易である。本複合半導体基板は、内部に第１元素を含むものであるが、透光性のある基板であることが好ましい。 The composite semiconductor substrate according to one aspect of the present invention is a composite semiconductor substrate including a first substrate and a semiconductor layer laminated on the main surface of the first substrate, and the composite semiconductor substrate is the above-mentioned composite semiconductor substrate. The main surface on the semiconductor layer side contains a first element having a different type or bonding state from the main elements constituting the semiconductor layer, and the first element is composed of hydrogen, oxygen, nitrogen, carbon, helium, neon, and argon. The composite semiconductor substrate contains at least one element selected from the group, the surface roughness of the main surface on the semiconductor layer side is less than 10 μm, and the thickness of the semiconductor layer is 0.1 μm or more and 50 μm or less. There is a composite semiconductor substrate. The semiconductor substrate has a flat surface and can be easily processed into various applications. The composite semiconductor substrate contains the first element inside, but is preferably a translucent substrate.

複合半導体基板２６，３６は、実施の形態２の半導体基板と同様の応用製品に用いることができる。 The composite semiconductor substrates 26 and 36 can be used in the same application products as the semiconductor substrate of the second embodiment.

［実施の形態６］
本発明の実施の形態６の半導体接合基板は以下のようにして作製することができる。実施の形態１で用いた製法の「種基板を準備する工程」と「イオン注入層を形成する工程」と「半導体層を成長させる工程」まで同様にして行う。次に、半導体基板の分離を行わず、成長面を平坦に研磨する。平坦性はＲａが１００ｎｍ以下が好ましく、１０ｎｍ以下がより好ましく、１ｎｍ以下がさらに好ましい。この平坦性は、接合時に、直接接合あるいはＳＯＧを非常に薄く塗布した後に貼り合わせることができる平坦性である。また、その研磨表面はイオン注入層との平行度が１°以下が好ましく、０．１°以下がより好ましく、０．０３°以下がさらに好ましい。平行度が高いほど、後に分離した時の半導体層の厚さ分布に影響するからである。半導体層の厚さが薄いほど大きな影響になるからである。厚さ分布が均一である方が半導体としての特性が良好となる。このように半導体接合基板はイオン注入層で種基板から半導体層の分離を行わない状態のものであるが、後に室温あるいは５００℃以下の低温で分離して利用することができることが特徴である。イオン注入条件は、実施の形態１でも説明してる通りのものである。さらに、それに加えて、本半導体接合基板ではイオンのドーズ量が１×１０１５ｃｍ−２以上３×１０１６ｃｍ−２未満のものがよい。透明を確保して、かつ照射光のエネルギーで分離できる範囲であるからである。[Embodiment 6]
The semiconductor bonding substrate of the sixth embodiment of the present invention can be manufactured as follows. The same steps as the "step of preparing the seed substrate", the "step of forming the ion-implanted layer", and the "step of growing the semiconductor layer" of the manufacturing method used in the first embodiment are performed. Next, the growth surface is polished flat without separating the semiconductor substrate. The flatness is preferably Ra of 100 nm or less, more preferably 10 nm or less, and even more preferably 1 nm or less. This flatness is a flatness that can be directly joined or bonded after applying SOG very thinly at the time of joining. Further, the polished surface preferably has a parallelism of 1 ° or less, more preferably 0.1 ° or less, and further preferably 0.03 ° or less with the ion implantation layer. This is because the higher the parallelism, the more it affects the thickness distribution of the semiconductor layer when it is separated later. This is because the thinner the semiconductor layer, the greater the effect. The more uniform the thickness distribution, the better the characteristics as a semiconductor. As described above, the semiconductor bonded substrate is an ion-implanted layer in which the semiconductor layer is not separated from the seed substrate, but it is characterized in that it can be later separated and used at room temperature or a low temperature of 500 ° C. or lower. The ion implantation conditions are as described in the first embodiment. Further, in addition to this, in the present semiconductor bonded substrate, the dose amount of ions is preferably 1 × 10 15 cm -2 or more and less than 3 × 10 16 cm -2 . This is because it is a range that can be separated by the energy of the irradiation light while ensuring transparency.

また、半導体接合基板は、半導体層が薄い場合、例えば半導体層の厚みが２００μｍ以下の場合に有効に利用できる。半導体層が薄いと、分離して自立させると割れやすいからである。半導体接合基板における半導体層の厚さは１４０μｍ以下が好ましく、９０μｍ以下がより好ましく、５０μｍ以下がさらに好ましい。半導体層は、好ましくは１μｍ以上であり、この厚さであれば半導体層として機能させることができる。
半導体接合基板は、加熱処理することができない基板や回路に対しても、接合させて、その後、種基板を分離することができる。例えば、室温でこの接合基板を電子回路が形成されている回路基板にはんだを用いて接合し、その後、光を照射して種基板を分離し、薄い半導体層を回路基板に貼り付けた状態にすることができる。半導体層が、ダイヤモンド層の場合は、その上に、ベアのＧａＮチップ（レーザーダイオードチップ）を接合し、レーザーダイオードのヒートシンクを構成することができる。半導体層が、ＧａＮ層の場合は、内部に発光ダイオード（ＬＥＤ）やレーザーダイオード（ＬＤ）を組み込んだものをマウントし、ハイブリッドデバイスを構成することができる。Further, the semiconductor bonding substrate can be effectively used when the semiconductor layer is thin, for example, when the thickness of the semiconductor layer is 200 μm or less. This is because if the semiconductor layer is thin, it is easily cracked if it is separated and self-supporting. The thickness of the semiconductor layer in the semiconductor bonding substrate is preferably 140 μm or less, more preferably 90 μm or less, still more preferably 50 μm or less. The semiconductor layer is preferably 1 μm or more, and if it has this thickness, it can function as a semiconductor layer.
The semiconductor bonded substrate can be bonded to a substrate or circuit that cannot be heat-treated, and then the seed substrate can be separated. For example, at room temperature, this bonded substrate is bonded to a circuit board on which an electronic circuit is formed using solder, and then light is irradiated to separate the seed substrate, and a thin semiconductor layer is attached to the circuit board. can do. When the semiconductor layer is a diamond layer, a bare GaN chip (laser diode chip) can be bonded onto the diamond layer to form a heat sink for the laser diode. When the semiconductor layer is a GaN layer, a hybrid device can be configured by mounting a light emitting diode (LED) or a laser diode (LD) incorporated therein.

［実施の形態７］
＜半導体基板の製造方法＞
図７（Ａ）〜図７（Ｄ）は、本発明の実施形態に係る半導体基板の製造方法を模式的に示す図である。図８は、本発明の実施形態に係る半導体基板の製造方法を示すフローチャートである。[Embodiment 7]
<Manufacturing method of semiconductor substrate>
7 (A) to 7 (D) are diagrams schematically showing a method for manufacturing a semiconductor substrate according to an embodiment of the present invention. FIG. 8 is a flowchart showing a method for manufacturing a semiconductor substrate according to the embodiment of the present invention.

本発明の実施形態に係る半導体基板の製造方法は、半導体材料を含む種基板を準備する工程（図７（Ａ）および図８の基板準備工程（Ｓ４１）で示される。）と、前記種基板にイオン注入を行うことにより、前記種基板の主面の表面から一定深さに、イオン注入層を形成する工程（図７（Ｂ）および図８のイオン注入層形成工程（Ｓ４２）で示される。）と、前記種基板の主面の表面から光を照射することにより、前記種基板の一部を含む半導体基板を分離する工程（図７（Ｃ−１）、（Ｃ−２）、（Ｄ）および図８の半導体分離工程（Ｓ４３）で示される。）とを含む。 The method for manufacturing a semiconductor substrate according to the embodiment of the present invention includes a step of preparing a seed substrate containing a semiconductor material (shown in FIG. 7A and a substrate preparation step (S41) of FIG. 8) and the seed substrate. Is shown in the steps of forming an ion-implanted layer at a certain depth from the surface of the main surface of the seed substrate (shown in FIG. 7B and FIG. 8 in the ion-implanted layer forming step (S42)). ) And the steps of separating the semiconductor substrate including a part of the seed substrate by irradiating light from the surface of the main surface of the seed substrate (FIGS. 7 (C-1), (C-2), D) and (shown in the semiconductor separation step (S43) of FIG. 8) are included.

実施の形態７に係る半導体基板の製造方法は、実施の形態１の半導体基板の製造方法における半導体層成長工程（Ｓ３）を含まない点以外は、実施の形態１と同様の工程を含む。 The semiconductor substrate manufacturing method according to the seventh embodiment includes the same steps as those of the first embodiment except that the semiconductor layer growth step (S3) in the semiconductor substrate manufacturing method of the first embodiment is not included.

以下、実施例を挙げて本発明の実施形態をさらに具体的に説明するが、本発明の実施形態はこれらに限定されるものではない。 Hereinafter, embodiments of the present invention will be described in more detail with reference to examples, but the embodiments of the present invention are not limited thereto.

実施例１では、実施の形態１に係る半導体基板の製造方法について検討した。
［試料１−１、１−２］
（種基板の準備）
はじめに、サイズ６ｍｍ×６ｍｍで厚さが１ｍｍの高温高圧合成ＩＩａ型単結晶ダイヤモンド基板からなる種基板１を準備した。前記種基板１の表面を機械研磨した後、反応性イオンエッチングによって、種基板１の表面を１μｍ〜２μｍの厚さでエッチングした。In Example 1, the method for manufacturing a semiconductor substrate according to the first embodiment was examined.
[Samples 1-1 and 1-2]
(Preparation of seed substrate)
First, a seed substrate 1 made of a high-temperature and high-pressure synthetic IIa type single crystal diamond substrate having a size of 6 mm × 6 mm and a thickness of 1 mm was prepared. After mechanical polishing the surface of the seed substrate 1, the surface of the seed substrate 1 was etched to a thickness of 1 μm to 2 μm by reactive ion etching.

（イオン注入層の形成）
次に、前記種基板１の主面から水素イオンを注入して、イオン注入層２を形成した。注入エネルギーは２００ｋｅＶ、ドーズ量は１×１０１５個/ｃｍ２（試料１−１）および１×１０１６個/ｃｍ２（試料１−２）であった。イオン注入層２の種基板１の主面の表面からの深さは約０．３４μｍであり、厚さは約０．０６μｍであった。(Formation of ion-implanted layer)
Next, hydrogen ions were implanted from the main surface of the seed substrate 1 to form the ion implantation layer 2. The injection energy was 200 keV, and the dose amount was 1 × 10 15 / cm 2 (Sample 1-1) and 1 × 10 16 / cm 2 (Sample 1-2). The depth from the surface of the main surface of the seed substrate 1 of the ion implantation layer 2 was about 0.34 μm, and the thickness was about 0.06 μm.

目視にて、イオン注入層２の光透過性を確認した。いずれの試料も透明であり、種基板１の光透過率と、イオン注入層２の光透過率との差は明確に確認できなかった。 The light transmittance of the ion-implanted layer 2 was visually confirmed. All the samples were transparent, and the difference between the light transmittance of the seed substrate 1 and the light transmittance of the ion-implanted layer 2 could not be clearly confirmed.

（ダイヤモンド層の形成）
次に、イオン注入層２を形成した種基板１を、イオン注入を行った面が露出するようにマイクロ波プラズマＣＶＤ装置の真空チャンバ内に配置した。そして、種基板１を８００℃の温度に加熱し、真空チャンバ内の圧力を１３．３ｋＰａとした後、真空チャンバ内に水素ガス、メタンガス、窒素ガスを導入してマイクロ波プラズマＣＶＤ法を行い、種基板１上に５００μｍの厚みの単結晶ダイヤモンド層からなる半導体層３を形成した。この時の各ガスの配合割合（体積％）は水素ガス：メタンガス：窒素ガス＝９２：８：０．００５とした。(Formation of diamond layer)
Next, the seed substrate 1 on which the ion implantation layer 2 was formed was placed in the vacuum chamber of the microwave plasma CVD apparatus so that the surface on which the ion implantation was performed was exposed. Then, the seed substrate 1 is heated to a temperature of 800 ° C., the pressure in the vacuum chamber is set to 13.3 kPa, and then hydrogen gas, methane gas, and nitrogen gas are introduced into the vacuum chamber to perform a microwave plasma CVD method. A semiconductor layer 3 made of a single crystal diamond layer having a thickness of 500 μm was formed on the seed substrate 1. The mixing ratio (volume%) of each gas at this time was hydrogen gas: methane gas: nitrogen gas = 92: 8: 0.005.

試料１−１および試料１−２のサンプルにおいて、種基板１の光透過率（Ｔ１）、イオン注入層２の光透過率（Ｔ２）およびダイヤモンド層（半導体層３）の光透過率（Ｔ３）を一般的な紫外可視近赤外領域の分光光度計で測定した。いずれの試料も、波長８００ｎｍの光の基板の光透過率（Ｔ１）とイオン注入層の光透過率（Ｔ２）との比（Ｔ２／Ｔ１）は９９％以上であった。波長８００ｎｍの光のイオン注入層の光透過率（Ｔ２）およびダイヤモンド層の光透過率（Ｔ３）との比（Ｔ２／Ｔ３）は９９％以上であった。 In the samples of Sample 1-1 and Sample 1-2, the light transmittance of the seed substrate 1 (T1), the light transmittance of the ion injection layer 2 (T2), and the light transmittance of the diamond layer (semiconductor layer 3) (T3). Was measured with a general ultraviolet-visible near-infrared spectrophotometer. In each sample, the ratio (T2 / T1) of the light transmittance (T1) of the substrate of light having a wavelength of 800 nm to the light transmittance (T2) of the ion-implanted layer was 99% or more. The ratio (T2 / T3) of the light transmittance (T2) of the ion-implanted layer of light having a wavelength of 800 nm and the light transmittance (T3) of the diamond layer was 99% or more.

（半導体基板の分離）
次に、ダイヤモンド層（半導体層３）の主面の表面から、波長１．０６μｍのＹＡＧレーザー光を照射した。レーザー光はパルス間隔４０μｓｅｃ、パルス幅１０ｎｓｅｃ、主面表面で直径３０μｍになるように集光して照射した。この時、レーザー光の焦点は、イオン注入層内部に位置していた。レーザー光の走査速度は２５ｍｍ／秒とした。レーザー光のパルスエネルギー（Ａ）を０．０１ｍＪ以上１０ｍＪ以下の範囲で選択した。ダイヤモンド層（半導体層３）の主面表面におけるパルス当たりの照射フルエンスは１４１０ｍＪ／ｍｍ２であった。レーザー光の照射は、室温空気中（２５℃）、冷却空気中（−５℃）、純水中（２５℃）、市販のエンジンオイル中（２５℃）のいずれかを選択した。この結果、種基板１ｂと、ダイヤモンド層（半導体層３）および種基板１ａを含む半導体基板５とが分離した。室温空気中での分離に要した時間は、試料１−１は１１分、試料１−２は７分であった。(Separation of semiconductor substrate)
Next, YAG laser light having a wavelength of 1.06 μm was irradiated from the surface of the main surface of the diamond layer (semiconductor layer 3). The laser beam was focused and irradiated so that the pulse interval was 40 μsec, the pulse width was 10 nsec, and the diameter was 30 μm on the surface of the main surface. At this time, the focal point of the laser beam was located inside the ion implantation layer. The scanning speed of the laser beam was 25 mm / sec. The pulse energy (A) of the laser beam was selected in the range of 0.01 mJ or more and 10 mJ or less. The irradiation fluence per pulse on the surface of the main surface of the diamond layer (semiconductor layer 3) was 1410 mJ / mm 2 . The laser beam irradiation was selected from room temperature air (25 ° C.), cooling air (-5 ° C.), pure water (25 ° C.), and commercially available engine oil (25 ° C.). As a result, the seed substrate 1b and the semiconductor substrate 5 including the diamond layer (semiconductor layer 3) and the seed substrate 1a were separated. The time required for separation in room temperature air was 11 minutes for sample 1-1 and 7 minutes for sample 1-2.

Figure 0006822146
Figure 0006822146

（評価）
得られた種基板１ｂならびに、種基板１ａおよびダイヤモンド層（半導体層３）を含む半導体基板５について、以下の基準で評価を行った。(Evaluation)
The obtained seed substrate 1b and the semiconductor substrate 5 including the seed substrate 1a and the diamond layer (semiconductor layer 3) were evaluated according to the following criteria.

Ａ：種基板１ａ、１ｂおよびダイヤモンド層（半導体層３）のいずれにも通常の光学顕微鏡の２０倍で観察して、クラックが発生せず、かつ、分離面の表面粗さ（Ｒａ）が、Ｒａ≦１μｍであった。 A: No cracks were generated on any of the seed substrates 1a and 1b and the diamond layer (semiconductor layer 3) at 20 times that of a normal optical microscope, and the surface roughness (Ra) of the separation surface was increased. Ra ≦ 1 μm.

Ｂ：基板１ａ、１ｂおよびダイヤモンド層（半導体層３）のいずれにもクラックが発生せず、かつ、分離面の表面粗さ（Ｒａ）が、１μｍ＜Ｒａ＜１０μｍであった。 B: No cracks were generated in any of the substrates 1a and 1b and the diamond layer (semiconductor layer 3), and the surface roughness (Ra) of the separation surface was 1 μm <Ra <10 μm.

Ｃ：基板１ａ、１ｂおよびダイヤモンド層（半導体層３）の少なくともいずれかにクラックが発生した、または、分離面の表面粗さ（Ｒａ）が、Ｒａ≧１０μｍであった。 C: Cracks were generated in at least one of the substrates 1a and 1b and the diamond layer (semiconductor layer 3), or the surface roughness (Ra) of the separation surface was Ra ≧ 10 μm.

クラックの発生は通常の光学顕微鏡の２０倍にて観察した。表面粗さは白色干渉法原理を用いた光学顕微鏡の３次元プロファイラ（機種名：ＮＥＷ ＶＩＥＷ２００、ＺＹＧＯ社製）にて測定した。 The occurrence of cracks was observed at 20 times that of a normal optical microscope. The surface roughness was measured with a three-dimensional profiler (model name: NEW VIEW 200, manufactured by ZYGO) of an optical microscope using the principle of white interferometry.

（結果）
レーザー照射を室温空気中で行ったものはＢ判定、冷却空気中、純水中およびオイル中で行ったものはＡ判定であった。結果をまとめて表２に示す。(result)
Laser irradiation in room temperature air was judged as B, and laser irradiation in cooling air, pure water and oil was judged as A. The results are summarized in Table 2.

Figure 0006822146
Figure 0006822146

Ａ判定のサンプルの分離した表面をＳＩＭＳで観察すると、バルク中よりも明らかに多い量の水素元素が確認できた。Ｂ判定のサンプルの分離した表面をＳＩＭＳで観察すると、バルク中よりも明らかに多い量の水素元素が確認でき、かつ、さらに表面をＸＰＳ分析すると、ｓｐ３結合の炭素元素だけでなく、ｓｐ２結合の炭素元素が確認できた。When the separated surface of the A-judgment sample was observed by SIMS, a clearly larger amount of hydrogen element was confirmed than in the bulk. When the separated surface of the B-judgment sample is observed by SIMS, a clearly larger amount of hydrogen element can be confirmed than in the bulk, and when the surface is further analyzed by XPS, not only the carbon element of sp 3 bond but also sp 2 The carbon element of the bond was confirmed.

試料１−１、試料１−２と同じ条件の試料を、レーザー光の照射条件について、パルス幅を０．０２ｐｓｅｃ、１ｐｓｅｃ、１０ｐｓｅｃ、パルス間隔はいずれも１ｍｓｅｃ（繰り返し周波数１ｋＨｚ）で行い、それぞれパルスエネルギーは、０．０１μＪ、０．０３μＪ、０．０６μＪで、室温純水中で行った。判定は、試料１−１および試料１−２ともに同じ結果であり、０．０２ｐｓｅｃの条件と１ｐｓｅｃの条件は、前述の評価判定でＣ判定であり、１０ｐｓｅｃの条件はＢ判定であった。結合を切るエネルギーが高くＡ判定は難しかったが、かかるレーザー光の照射条件であっても、ダイヤモンド層を種基板から分離することができた。 Samples with the same conditions as Sample 1-1 and Sample 1-2 were subjected to pulse width of 0.02 psec, 1 psec, 10 psec, and pulse interval of 1 msec (repetition frequency 1 kHz) under the laser light irradiation conditions. The energies were 0.01 μJ, 0.03 μJ, 0.06 μJ and were carried out in pure water at room temperature. The judgment was the same result for both Sample 1-1 and Sample 1-2, the condition of 0.02 psec and the condition of 1 psec were C judgment in the above-mentioned evaluation judgment, and the condition of 10 psec was B judgment. Although the energy for breaking the bond was high and it was difficult to determine A, the diamond layer could be separated from the seed substrate even under the irradiation conditions of such laser light.

［試料２〜試料３５］
試料２〜試料３５では、イオン注入の注入イオンの種類、イオン注入層のドーズ量、レーザー光照射条件を表１および表２に示す条件とした以外は、試料１−１と同様の方法を用いて半導体基板５と種基板１ｂとを分離した。なお、試料１１、２５、３２は、レーザー光照射をダイヤモンド層（半導体層３）の主面側からではなく、種基板１の主面側から行った。室温空気中での分離に要した時間を表１に示す。[Sample 2 to Sample 35]
In Samples 2 to 35, the same method as in Sample 1-1 was used except that the type of ion-implanted ion, the dose amount of the ion-implanted layer, and the laser irradiation conditions were set as the conditions shown in Tables 1 and 2. The semiconductor substrate 5 and the seed substrate 1b were separated. In the samples 11, 25 and 32, the laser light irradiation was performed not from the main surface side of the diamond layer (semiconductor layer 3) but from the main surface side of the seed substrate 1. Table 1 shows the time required for separation in room temperature air.

得られた種基板１ｂならびに、種基板１ａおよびダイヤモンド層（半導体層３）を含む半導体基板５について、試料１−１と同様の基準で評価した。 The obtained seed substrate 1b and the semiconductor substrate 5 including the seed substrate 1a and the diamond layer (semiconductor layer 3) were evaluated according to the same criteria as in Sample 1-1.

レーザー照射を室温空気中で行ったものはＢ判定またはＣ判定であり、冷却空気中、水溶液中およびオイル中で行ったものは、試料１９の冷却空気中で行なったものを除いて、Ａ判定またはＢ判定であった。結果をまとめて表２に示す。 Laser irradiation in room temperature air is judged as B or C, and laser irradiation in cooling air, aqueous solution and oil is judged as A except for those performed in the cooling air of sample 19. Or it was a B judgment. The results are summarized in Table 2.

Ａ判定のサンプルの分離した表面をＳＩＭＳで観察すると、炭素イオンを注入した場合を除いて、バルク中よりも明らかに多い量の注入元素が確認できた。Ｂ判定のサンプルの分離表面でもＳＩＭＳで、炭素イオンを注入した場合を除いて、バルク中よりも多い量の注入元素が確認でき、かつ、さらに表面をＸＰＳ分析すると、炭素イオンを注入した場合も含めて、ｓｐ３結合の炭素元素だけでなく、ｓｐ２結合の炭素元素が確認できた。Ｃ判定のサンプルの分離表面では、ＳＩＭＳでバルク中よりも多い量の注入元素が確認でき、かつ、ＸＰＳ分析でｓｐ２結合状態の炭素元素が存在し、それが少なくとも一つの直径３０μｍ以上の略円形の模様を形成していることが確認できた。また、表面粗さを３次元プロファイラーで評価して、略円形の模様部分が窪んでいることが確認できた。それらいずれの略円形の模様について、少なくとも２つ以上確認できた場合は、線状に並んでいた。その線方向は分離の際のレーザーの走査方向と一致した。本願明細書でいう略円形の模様とは、完全な円を意味するものではなく、少なくとも輪郭が完全な円の１／５以上の弧を持っているものを指している。円は正円だけでなく、楕円形状も含んでいる。When the separated surface of the A-judgment sample was observed by SIMS, a clearly larger amount of injected elements was confirmed than in the bulk, except when carbon ions were injected. Even on the separated surface of the B-judgment sample, a larger amount of injected elements can be confirmed by SIMS except when carbon ions are injected, and when the surface is further XPS analyzed, even when carbon ions are injected. Including, not only the carbon element of sp 3 bond but also the carbon element of sp 2 bond was confirmed. On the separated surface of the C-judged sample, SIMS confirms a larger amount of injected element than in the bulk, and XPS analysis shows the presence of sp 2- bonded carbon element, which is at least one abbreviation of 30 μm or more in diameter. It was confirmed that a circular pattern was formed. In addition, the surface roughness was evaluated with a three-dimensional profiler, and it was confirmed that the substantially circular pattern portion was dented. If at least two or more of these substantially circular patterns could be confirmed, they were lined up in a line. The line direction coincided with the scanning direction of the laser during separation. The substantially circular pattern referred to in the present specification does not mean a perfect circle, but means a pattern having an arc whose outline is at least 1/5 or more of that of a perfect circle. The circle includes not only a perfect circle but also an elliptical shape.

実施例２では、実施の形態１に係る半導体基板の製造方法について検討した。
［試料３６］
（種基板の準備、イオン注入層の形成、ダイヤモンド層の形成）
試料１−１と同様の種基板１を準備し、試料１−１と同様の方法でイオン注入層２およびダイヤモンド層（半導体層３）を形成した。試料３６のサンプルにおいて、種基板１の光透過率（Ｔ１）、イオン注入層２の光透過率（Ｔ２）およびダイヤモンド層（半導体層３）の光透過率（Ｔ３）を一般的な紫外可視近赤外領域の分光光度計で測定した。波長８００ｎｍの光の基板の光透過率（Ｔ１）とイオン注入層の光透過率（Ｔ２）との比（Ｔ２／Ｔ１）は９９％以上であった。波長８００ｎｍの光のイオン注入層の光透過率（Ｔ２）およびダイヤモンド層の光透過率（Ｔ３）との比（Ｔ２／Ｔ３）は９９％以上であった。In Example 2, the method for manufacturing a semiconductor substrate according to the first embodiment was examined.
[Sample 36]
(Preparation of seed substrate, formation of ion implantation layer, formation of diamond layer)
A seed substrate 1 similar to that of sample 1-1 was prepared, and an ion implantation layer 2 and a diamond layer (semiconductor layer 3) were formed by the same method as sample 1-1. In the sample of sample 36, the light transmittance (T1) of the seed substrate 1, the light transmittance (T2) of the ion injection layer 2 and the light transmittance (T3) of the diamond layer (semiconductor layer 3) are generally ultraviolet-visible. It was measured with a spectrophotometer in the infrared region. The ratio (T2 / T1) of the light transmittance (T1) of the substrate for light having a wavelength of 800 nm to the light transmittance (T2) of the ion-implanted layer was 99% or more. The ratio (T2 / T3) of the light transmittance (T2) of the ion-implanted layer of light having a wavelength of 800 nm and the light transmittance (T3) of the diamond layer was 99% or more.

（ダイヤモンド層の分離）
次に、ダイヤモンド層（半導体層３）の主面の表面から、フラッシュランプ光を照射した。フラッシュランプ光は、キセノンのフラッシュランプ５ｍｍ径に集光して用い、波長５００ｎｍ未満および１．２５μｍを超える光をカットして、波長５００ｎｍ以上１．２５μｍ以下の光を選択的に用いた。フラッシュランプ光はパルス間隔８ｍｓｅｃ、パルス幅１μｓｅｃ、主面表面で直径１ｍｍになるように物理的にカットし、さらに０．１ｍｍに集光して照射した。この時、フラッシュランプ光の焦点は、イオン注入層２内部に位置していた。フラッシュランプ光の走査速度（実際はサンプルが移動）は１０ｍｍ／秒とした。フラッシュランプ光のパルス出力（Ａ）を３ｍＪより大きく３０ｍＪ未満の範囲で変化させた。すなわち、ダイヤモンド層（半導体層３）の主面表面におけるパルス幅１ｍｓｅｃ当たりの放射フルエンスは１９００ｍＪ／ｍｍ２であった。フラッシュランプ光の照射は、室温空気中（２５℃）、冷却空気中（−５℃）、純水中（２５℃）、市販のエンジンオイル中（２５℃）のいずれかを選択した。種基板１ｂと、ダイヤモンド層（半導体層３）および種基板１ａを含む半導体基板５とが分離した。室温空気中での分離に要した時間は、１４分であった。(Separation of diamond layer)
Next, the flash lamp light was irradiated from the surface of the main surface of the diamond layer (semiconductor layer 3). The flash lamp light was focused on a xenon flash lamp having a diameter of 5 mm, and light having a wavelength of less than 500 nm and more than 1.25 μm was cut off, and light having a wavelength of 500 nm or more and 1.25 μm or less was selectively used. The flash lamp light was physically cut so that the pulse interval was 8 msec, the pulse width was 1 μsec, and the diameter was 1 mm on the surface of the main surface, and the light was further focused to 0.1 mm and irradiated. At this time, the focus of the flash lamp light was located inside the ion implantation layer 2. The scanning speed of the flash lamp light (actually, the sample moves) was set to 10 mm / sec. The pulse output (A) of the flash lamp light was changed in a range larger than 3 mJ and less than 30 mJ. That is, the radiation fluence per 1 msec of pulse width on the main surface of the diamond layer (semiconductor layer 3) was 1900 mJ / mm 2 . For irradiation of the flash lamp light, one of room temperature air (25 ° C.), cooling air (-5 ° C.), pure water (25 ° C.), and commercially available engine oil (25 ° C.) was selected. The seed substrate 1b and the semiconductor substrate 5 including the diamond layer (semiconductor layer 3) and the seed substrate 1a were separated. The time required for separation in room temperature air was 14 minutes.

Figure 0006822146
Figure 0006822146

（評価）
得られた種基板１ｂならびに、種基板１ａおよびダイヤモンド層（半導体層３）を含む半導体基板５について、実施例１と同様の基準で評価した。(Evaluation)
The obtained seed substrate 1b and the semiconductor substrate 5 including the seed substrate 1a and the diamond layer (semiconductor layer 3) were evaluated according to the same criteria as in Example 1.

（結果）
フラッシュランプ光照射を室温空気中で行ったものはＢ判定、冷却空気中、純水中およびオイル中で行ったものはＡ判定であった。結果を表４に示す。(result)
When the flash lamp light irradiation was performed in room temperature air, it was judged as B, and when it was performed in cooling air, pure water, and oil, it was judged as A. The results are shown in Table 4.

Figure 0006822146
Figure 0006822146

Ａ判定のサンプルの分離表面をＳＩＭＳで観察すると、バルク中よりも明らかに多い量の水素元素が確認できた。Ｂ判定のサンプルの分離した表面をＳＩＭＳで観察すると、バルク中よりも明らかに多い量の水素元素が確認でき、かつ、さらに表面をＸＰＳ分析すると、ｓｐ３結合の炭素元素だけでなく、ｓｐ２結合の炭素元素が確認できた。When the separated surface of the A-judgment sample was observed by SIMS, a clearly larger amount of hydrogen element was confirmed than in the bulk. When the separated surface of the B-judgment sample is observed by SIMS, a clearly larger amount of hydrogen element can be confirmed than in the bulk, and when the surface is further analyzed by XPS, not only the carbon element of sp 3 bond but also sp 2 The carbon element of the bond was confirmed.

［試料３７〜試料４９］
（試料の作製）
試料３７〜試料４９では、イオン注入の注入イオンの種類、イオン注入層のドーズ量、フラッシュランプ光照射条件を表３に示す条件とした以外は、試料３６と同様の方法を用いて半導体基板５と種基板１ｂとを分離した。室温空気中での分離に要した時間を表３に示す。[Sample 37 to 49]
(Preparation of sample)
In Samples 37 to 49, the semiconductor substrate 5 was used in the same manner as in Sample 36, except that the types of ion-implanted ions, the dose amount of the ion-implanted layer, and the flash lamp light irradiation conditions were set as the conditions shown in Table 3. And the seed substrate 1b were separated. Table 3 shows the time required for separation in room temperature air.

（評価）
得られた基板およびダイヤモンド層について、実施例１と同様の基準で評価した。結果を表４にまとめて示す。(Evaluation)
The obtained substrate and diamond layer were evaluated according to the same criteria as in Example 1. The results are summarized in Table 4.

（結果）
フラッシュランプ光照射を室温空気中で行ったものはＢ判定またはＣ判定であり、冷却空気中および純水中で行ったものは、Ａ判定またはＢ判定であり、オイル中で行ったものはＡ判定であった。(result)
The flash lamp irradiation performed in room temperature air is judged as B or C, the one performed in cooling air and pure water is judged as A or B, and the one performed in oil is A. It was a judgment.

Ａ判定のサンプルの分離した表面をＳＩＭＳで観察すると、炭素イオンを注入した場合を除いて、バルク中よりも多い量の注入元素が確認できた。Ｂ判定のサンプルの分離表面でもＳＩＭＳで、炭素イオンを注入した場合を除いて、バルク中よりも多い量の注入元素が確認でき、かつ、さらに表面をＸＰＳ分析で、ｓｐ３結合の炭素元素だけでなく、ｓｐ２結合の炭素元素が確認できた。Ｃ判定のサンプルの分離表面では、ＳＩＭＳでバルク中よりも多い量の注入元素が確認でき、かつ、ＸＰＳ分析でｓｐ２結合状態の炭素元素が存在し、それが少なくとも一つの直径３０μｍ以上の略円形の模様として確認できた。また、表面粗さを３次元プロファイラーで評価して、略円形の模様部分が窪んでいることが確認できた。それらいずれの略円形の模様について、少なくとも２つ以上確認できた場合は、線状に並んでいた。その線方向は分割の際のレーザーの走査方向と一致した。When the separated surface of the A-judgment sample was observed by SIMS, a larger amount of injected elements than in the bulk could be confirmed except when carbon ions were injected. In SIMS separation surface of the sample B determination, except when injected carbon ions, high amounts of implantation elements than in the bulk can be confirmed, and further the surface by XPS analysis, only the carbon element of sp 3 bonds However, the carbon element of the sp 2 bond was confirmed. On the separated surface of the C-judged sample, SIMS confirms a larger amount of injected element than in the bulk, and XPS analysis shows the presence of sp 2- bonded carbon element, which is at least one abbreviation of 30 μm or more in diameter. It was confirmed as a circular pattern. In addition, the surface roughness was evaluated with a three-dimensional profiler, and it was confirmed that the substantially circular pattern portion was dented. If at least two or more of these substantially circular patterns could be confirmed, they were lined up in a line. The line direction coincided with the scanning direction of the laser during the division.

実施例３では、実施の形態１に係る半導体基板の製造方法について検討した。
［試料１０１−１、１０１−２、２０１−１、２０１−２、３０１−１、３０１−２、４０１−１、４０１−２］
（種基板の準備）
はじめに、サイズ２０ｍｍ×２０ｍｍで厚さが２ｍｍの窒化ガリウム基板（試料１０１−１、１０１−２）、窒化アルミニウム基板（試料２０１−１、２０１−２）、セレン化亜鉛基板（試料３０１−１、３０１−２）、炭化シリコン基板（試料４０１−１、４０１−２）の各半導体基板からなる種基板１を準備した。前記種基板１の表面を機械研磨した後、それぞれの種基板１に合った熱もしくはプラズマもしくは化学処理によって、種基板１の表面を３〜５μｍの厚さでエッチングした。In Example 3, the method for manufacturing a semiconductor substrate according to the first embodiment was examined.
[Samples 101-1, 101-2, 201-1, 201-2, 301-1, 301-2, 401-1, 401-2]
(Preparation of seed substrate)
First, a gallium nitride substrate (samples 101-1 and 101-2) having a size of 20 mm × 20 mm and a thickness of 2 mm, an aluminum nitride substrate (samples 201-1 and 201-2), and a zinc selenide substrate (samples 301-1 and 201-2). A seed substrate 1 composed of each semiconductor substrate of the silicon carbide substrate (Samples 401-1 and 401-2) was prepared. After the surface of the seed substrate 1 was mechanically polished, the surface of the seed substrate 1 was etched to a thickness of 3 to 5 μm by heat, plasma, or chemical treatment suitable for each seed substrate 1.

（イオン注入層の形成）
次に、前記種基板１の主面から水素イオンを注入して、イオン注入層２を形成した。注入エネルギーは２００ｋｅＶ、ドーズ量は７×１０１５個/ｃｍ２（試料１０１−１，２０１−１，３０１−１，４０１−１）または７×１０１６個/ｃｍ２［試料１０１−２，２０１−２，３０１−２，４０１−２）であった。イオン注入層２の基板の主面の表面からの深さは、ほぼ正確にシミュレーション可能であり、それぞれ１μｍ以下であり、厚さは０．５μｍ以下であった。(Formation of ion-implanted layer)
Next, hydrogen ions were implanted from the main surface of the seed substrate 1 to form the ion implantation layer 2. Injection energy is 200 keV, dose amount is 7 × 10 15 pieces / cm 2 (Samples 101-1, 201-1, 301-1, 401-1) or 7 × 10 16 pieces / cm 2 [Samples 101-2, 201 -2,301-2,401-2). The depth of the ion-implanted layer 2 from the surface of the main surface of the substrate could be simulated almost accurately, and each was 1 μm or less and the thickness was 0.5 μm or less.

（半導体層の形成）
次に、イオン注入層２を形成した種基板１のイオン注入を行った面上に半導体層３を成長させた。半導体層３の形成について、半導体層３の種類ごと以下に記述する。(Formation of semiconductor layer)
Next, the semiconductor layer 3 was grown on the ion-implanted surface of the seed substrate 1 on which the ion-implanted layer 2 was formed. The formation of the semiconductor layer 3 will be described below for each type of the semiconductor layer 3.

半導体層３が窒化ガリウム層である場合は、窒化ガリウム層はＭＯＣＶＤ法で成長させた。まず、（０００１）面を主面とする窒化ガリウムからなる種基板１を炉内に設置し、炉内の種基板１の温度を１０３０℃に加熱した上で、トリメチルガリウムとアンモニアガス、およびキャリアガスとして水素ガスを導入し、種基板１の主面上に窒化ガリウム層（半導体層３）をエピタキシャル成長させた。トリメチルガリウムガス：アンモニアガスの混合比は体積比で１：２０００とした。その結果、窒化ガリウム基板からなる種基板１上に窒化ガリウム層（半導体層３）を０．８ｍｍの厚さでエピタキシャル成長させることができた。 When the semiconductor layer 3 was a gallium nitride layer, the gallium nitride layer was grown by the MOCVD method. First, a seed substrate 1 made of gallium nitride having the (0001) plane as the main surface is installed in the furnace, the temperature of the seed substrate 1 in the furnace is heated to 1030 ° C., and then trimethylgallium, ammonia gas, and carriers. Hydrogen gas was introduced as a gas, and a gallium nitride layer (semiconductor layer 3) was epitaxially grown on the main surface of the seed substrate 1. The mixing ratio of trimethylgallium gas: ammonia gas was 1: 2000 by volume. As a result, the gallium nitride layer (semiconductor layer 3) could be epitaxially grown to a thickness of 0.8 mm on the seed substrate 1 made of the gallium nitride substrate.

半導体層３が窒化アルミニウム層である場合は、窒化アルミニウム層は昇華法で成長させた。まず、（０００１）面を主面とする窒化アルミニウムからなる種基板１を炉内に設置し、炉内の種基板１の温度を２０００℃に保持した上に、窒化アルミニウム原料を２３８０℃で昇華させ、種基板１の主面上に窒化アルミニウム層（半導体層３）を１ｍｍ厚さでエピタキシャル成長させた。 When the semiconductor layer 3 was an aluminum nitride layer, the aluminum nitride layer was grown by a sublimation method. First, a seed substrate 1 made of aluminum nitride having the (0001) plane as the main surface is installed in the furnace, the temperature of the seed substrate 1 in the furnace is maintained at 2000 ° C., and the aluminum nitride raw material is sublimated at 2380 ° C. Then, an aluminum nitride layer (semiconductor layer 3) was epitaxially grown on the main surface of the seed substrate 1 to a thickness of 1 mm.

半導体層３がセレン化亜鉛である場合は、セレン化亜鉛層は昇華法で合成させた。まず、（１１１）面を主面とするセレン化亜鉛からなる種基板１を炉内に設置し、炉内の種基板１の温度を１１００℃に保持した上に、多結晶セレン化亜鉛原料を約１１３０℃で分解して得られたセレンと亜鉛を、不活性ガスをキャリアガスとして装置内に導入し、種基板１の主面上にセレン化亜鉛層３をエピタキシャル成長させた。 When the semiconductor layer 3 was zinc selenide, the zinc selenide layer was synthesized by a sublimation method. First, a seed substrate 1 made of zinc selenide having the (111) plane as the main surface is installed in the furnace, the temperature of the seed substrate 1 in the furnace is maintained at 1100 ° C., and a polycrystalline zinc selenide raw material is used. Selenium and zinc obtained by decomposition at about 1130 ° C. were introduced into the apparatus using an inert gas as a carrier gas, and the zinc selenide layer 3 was epitaxially grown on the main surface of the seed substrate 1.

半導体層３が炭化シリコンである場合は、常圧横型コールドウォールＣＶＤ装置を用いて炭化シリコン層を成長させた。まず、４Ｃ-ＳｉＣ基板の（０００１）面から２°オフした種基板１を炉内に設置し、炉内の種基板１の温度を高周波加熱で１５００℃に設定した。モノシランガスとプロパンガス、およびキャリアガスとして水素ガスを導入し、種基板１の主面上に炭化珪素層３をエピタキシャル成長させた。モノシランガス：プロパンガスの混合比は体積比で１．５：１とした。 When the semiconductor layer 3 was silicon carbide, the silicon carbide layer was grown using a normal pressure horizontal cold wall CVD apparatus. First, the seed substrate 1 off from the (0001) plane of the 4C-SiC substrate by 2 ° was installed in the furnace, and the temperature of the seed substrate 1 in the furnace was set to 1500 ° C. by high frequency heating. Hydrogen gas was introduced as monosilane gas, propane gas, and carrier gas, and the silicon carbide layer 3 was epitaxially grown on the main surface of the seed substrate 1. The mixing ratio of monosilane gas: propane gas was 1.5: 1 by volume.

種基板１の光透過率（Ｔ１）、イオン注入層２の光透過率（Ｔ２）および各半導体層３の光透過率（Ｔ３）を一般的な紫外可視近赤外領域の分光光度計で測定した。波長８００ｎｍの光の種基板１の光透過率（Ｔ１）とイオン注入層２の光透過率（Ｔ２）との比（Ｔ２／Ｔ１）は、いずれも９０％を超えていた。波長８００ｎｍの光のイオン注入層の光透過率（Ｔ２）および半導体層の光透過率（Ｔ３）との比（Ｔ２／Ｔ３）は、いずれも９０％を超えていた。 The light transmittance (T1) of the seed substrate 1, the light transmittance (T2) of the ion implantation layer 2 and the light transmittance (T3) of each semiconductor layer 3 are measured with a general ultraviolet-visible-near-infrared region spectrophotometer. did. The ratio (T2 / T1) of the light transmittance (T1) of the light seed substrate 1 having a wavelength of 800 nm and the light transmittance (T2) of the ion implantation layer 2 exceeded 90%. The ratio (T2 / T3) of the light transmittance (T2) of the ion-implanted layer of light having a wavelength of 800 nm and the light transmittance (T3) of the semiconductor layer both exceeded 90%.

（半導体基板の分離）
次に、半導体層３の主面の表面から、波長１．０６μｍのＹＡＧレーザー光を照射した。レーザー光はパルス間隔４０μｓｅｃ、パルス幅１０ｎｓｅｃ、主面表面で直径３０μｍになるように集光して照射した。この時、レーザー光の焦点は、光吸収層内部に位置していた。レーザー光の走査速度は２５ｍｍ／秒とした。レーザー光のパルスエネルギー（Ａ）を０．０１ｍＪ以上１０ｍＪ以下の範囲で選択した。すなわち、半導体層の主面表面におけるパルス当たりの照射フルエンスは１４１０ｍＪ／ｍｍ２であった。レーザー光の照射は、室温空気中（２５℃）、冷却空気中（−５℃）、純水中（２５℃）、市販のエンジンオイル中（２５℃）のいずれかを選択した。この結果、基板と半導体層とが分離した。(Separation of semiconductor substrate)
Next, YAG laser light having a wavelength of 1.06 μm was irradiated from the surface of the main surface of the semiconductor layer 3. The laser beam was focused and irradiated so that the pulse interval was 40 μsec, the pulse width was 10 nsec, and the diameter was 30 μm on the surface of the main surface. At this time, the focal point of the laser beam was located inside the light absorption layer. The scanning speed of the laser beam was 25 mm / sec. The pulse energy (A) of the laser beam was selected in the range of 0.01 mJ or more and 10 mJ or less. That is, the irradiation fluence per pulse on the surface of the main surface of the semiconductor layer was 1410 mJ / mm 2 . The laser beam irradiation was selected from room temperature air (25 ° C.), cooling air (-5 ° C.), pure water (25 ° C.), and commercially available engine oil (25 ° C.). As a result, the substrate and the semiconductor layer were separated.

Figure 0006822146
Figure 0006822146

Figure 0006822146
Figure 0006822146

Figure 0006822146
Figure 0006822146

Figure 0006822146
Figure 0006822146

（評価）
得られた種基板１ｂならびに、種基板１ａおよび半導体層３を含む半導体基板５について、実施例１と同様の基準で評価を行った。(Evaluation)
The obtained seed substrate 1b and the semiconductor substrate 5 including the seed substrate 1a and the semiconductor layer 3 were evaluated according to the same criteria as in Example 1.

（結果）
半導体層３が窒化ガリウムである試料１０１−１および１０１−２は、レーザー照射を室温空気中で行ったものはＢ判定、冷却空気中、純水中およびオイル中で行ったものはＡ判定であった。(result)
Samples 101-1 and 101-2 in which the semiconductor layer 3 is gallium nitride are judged as B when laser irradiation is performed in room temperature air, and are judged as A when laser irradiation is performed in cooling air, pure water, or oil. there were.

半導体層３が窒化アルミニウムである試料２０１−１および２０１−２は、レーザー照射を室温空気中で行ったものはＢ判定、冷却空気中、純水中およびオイル中で行ったものはＡ判定であった。 Samples 21-1 and 201-2 in which the semiconductor layer 3 is aluminum nitride are judged as B when the laser irradiation is performed in room temperature air, and are judged as A when the laser irradiation is performed in cooling air, pure water and oil. there were.

半導体層３がセレン化亜鉛である試料３０１−１および３０１−２は、レーザー照射を室温空気中で行ったものはＣ判定、冷却空気中で行ったものはＢ判定、純水中およびオイル中で行ったものはＡ判定であった。 Samples 301-1 and 301-2 in which the semiconductor layer 3 is zinc selenide are judged as C when the laser irradiation is performed in room temperature air, and as B in the cooling air, in pure water and in oil. What was done in was A judgment.

半導体層３が炭化シリコンである試料４０１−１および４０１−２は、レーザー照射を室温空気中で行ったものはＢ判定、冷却空気中、純水中およびオイル中で行ったものはＡ判定であった。 Samples 401-1 and 401-2 in which the semiconductor layer 3 is silicon carbide are judged as B when laser irradiation is performed in room temperature air, and are judged as A when laser irradiation is performed in cooling air, pure water, or oil. there were.

結果をまとめて表９〜１２に示す。 The results are summarized in Tables 9-12.

Figure 0006822146
Figure 0006822146

Figure 0006822146
Figure 0006822146

Figure 0006822146
Figure 0006822146

Figure 0006822146
Figure 0006822146

Ａ判定のサンプルの分離した表面をＳＩＭＳで観察すると、バルク中よりも明らかに多い量の水素元素が確認できた。Ｂ判定のサンプルの分離表面ではＳＩＭＳで観察して、バルク中よりも多い量の水素元素が確認でき、かつ、さらに表面をＸＰＳ分析すると、半導体基板中とは異なる結合状態の主元素の存在を確認できた。具体的には、ＧａＮ基板の場合はＧａ元素、ＡｌＮ基板の場合はＡｌ元素、ＺｎＳｅの場合はＺｎ元素、ＳｉＣ基板の場合はＳｉ元素について、それぞれ基板中とは異なる結合状態で確認できた。Ｃ判定のサンプルの分離表面では、ＳＩＭＳでバルク中よりも多い量の水素元素が確認でき、かつ、ＸＰＳ分析で半導体基板中とは異なる結合状態の主元素が確認でき、かつ表面粗さを３次元プロファイラーで評価して、直径３０μｍ以上の窪みが略円形の模様になっていることも確認できた。 When the separated surface of the A-judgment sample was observed by SIMS, a clearly larger amount of hydrogen element was confirmed than in the bulk. By observing with SIMS on the separated surface of the B-judgment sample, a larger amount of hydrogen elements can be confirmed than in the bulk, and further XPS analysis of the surface reveals the presence of the main element in a bonded state different from that in the semiconductor substrate. It could be confirmed. Specifically, the Ga element in the case of the GaN substrate, the Al element in the case of the AlN substrate, the Zn element in the case of ZnSe, and the Si element in the case of the SiC substrate were confirmed in different bonding states from those in the substrate. On the separated surface of the C-judgment sample, SIMS can confirm a larger amount of hydrogen elements than in the bulk, XPS analysis can confirm the main element in a bonded state different from that in the semiconductor substrate, and the surface roughness is 3. Evaluation with a dimensional profiler confirmed that the depressions having a diameter of 30 μm or more had a substantially circular pattern.

試料１０１−１、試料１０１−２、試料２０１−１、試料２０１−２、試料３０１−１、試料３０１−２、試料４０１−１、試料４０１−２と同じ条件の試料を、レーザー光の照射条件について、パルス幅を０．０２ｐｓｅｃ、１ｐｓｅｃ、１０ｐｓｅｃ、パルス間隔はいずれも１ｍｓｅｃ（繰り返し周波数１ｋＨｚ）で行い、それぞれパルスエネルギーは、０．００８μＪ、０．０２μＪ、０．０５μＪで、室温純水中で行った。判定は、いずれの試料ともに同じ結果であり、０．０２ｐｓｅｃの条件と１ｐｓｅｃの条件は、前述の評価判定でＣ判定であり、１０ｐｓｅｃの条件はＢ判定であった。結合を切るエネルギーが高くＡ判定は難しかったが、かかるレーザー光の照射条件であっても、ダイヤモンド層を種基板から分離することができた。 Irradiate a sample with the same conditions as sample 101-1, sample 101-2, sample 201-1, sample 201-2, sample 301-1, sample 301-2, sample 401-1, and sample 401-2 with laser light. Regarding the conditions, the pulse width was 0.02 psec, 1 psec, 10 psec, and the pulse interval was 1 msec (repetition frequency 1 kHz), and the pulse energies were 0.008 μJ, 0.02 μJ, and 0.05 μJ, respectively, in pure water at room temperature. I went there. The judgment was the same result for all the samples, the condition of 0.02 psec and the condition of 1 psec were C judgment in the above-mentioned evaluation judgment, and the condition of 10 psec was B judgment. Although the energy for breaking the bond was high and it was difficult to determine A, the diamond layer could be separated from the seed substrate even under the irradiation conditions of such laser light.

［試料１０２〜試料１２０］
試料１０２〜試料１２０では、イオン注入の注入イオンの種類、イオン注入層のドーズ量、レーザー光照射条件を表５に示す条件とした以外は、試料１０１−１と同様の方法を用いて基板と半導体層とを分離した。なお、試料１１１は、レーザー光照射を半導体層の主面側からではなく、基板の主面側から行った。[Sample 102 to 120]
In Samples 102 to 120, the same method as in Sample 101-1 was used with the substrate, except that the types of ion-implanted ions, the dose amount of the ion-implanted layer, and the laser irradiation conditions were set as the conditions shown in Table 5. Separated from the semiconductor layer. In the sample 111, the laser light irradiation was performed not from the main surface side of the semiconductor layer but from the main surface side of the substrate.

［試料２０２〜試料２２０］
（試料の作製）
試料２０２〜試料２２０では、イオン注入の注入イオンの種類、イオン注入層のドーズ量、レーザー光照射条件を表６に示す条件とした以外は、試料２０１−１と同様の方法を用いて基板と半導体層とを分離した。なお、試料２１１は、レーザー光照射を半導体層の主面側からではなく、基板の主面側から行った。[Sample 202-Sample 220]
(Preparation of sample)
In Samples 202 to 220, the same method as in Sample 201-1 was used with the substrate except that the types of ion-implanted ions, the dose amount of the ion-implanted layer, and the laser irradiation conditions were set as the conditions shown in Table 6. Separated from the semiconductor layer. In the sample 211, the laser light irradiation was performed not from the main surface side of the semiconductor layer but from the main surface side of the substrate.

［試料３０２〜試料３２０］
試料３０２〜試料３２０では、イオン注入の注入イオンの種類、イオン注入層のドーズ量、レーザー光照射条件を表７に示す条件とした以外は、試料３０１−１と同様の方法を用いて基板と半導体層とを分離した。なお、試料３１１は、レーザー光照射を半導体層の主面側からではなく、基板の主面側から行った。[Sample 302 to 320]
In Samples 302 to 320, the same method as in Sample 301-1 was used with the substrate, except that the type of ion-implanted ion, the dose amount of the ion-implanted layer, and the laser irradiation conditions were set as the conditions shown in Table 7. Separated from the semiconductor layer. In the sample 311, the laser light irradiation was performed not from the main surface side of the semiconductor layer but from the main surface side of the substrate.

［試料１０２〜試料１２０］
試料４０２〜試料４２０では、イオン注入の注入イオンの種類、イオン注入層のドーズ量、レーザー光照射条件を表８に示す条件とした以外は、試料４０１−１と同様の方法を用いて基板と半導体層とを分離した。なお、試料４１１は、レーザー光照射を半導体層の主面側からではなく、基板の主面側から行った。[Sample 102 to 120]
In Samples 402 to 420, the same method as in Sample 401-1 was used with the substrate, except that the type of ion-implanted ion, the dose amount of the ion-implanted layer, and the laser irradiation conditions were set as the conditions shown in Table 8. Separated from the semiconductor layer. In the sample 411, the laser light irradiation was performed not from the main surface side of the semiconductor layer but from the main surface side of the substrate.

（評価）
得られた種基板１ｂならびに、種基板１ａおよび半導体層３を含む半導体基板５について、実施例１と同様の基準で評価を行った。(Evaluation)
The obtained seed substrate 1b and the semiconductor substrate 5 including the seed substrate 1a and the semiconductor layer 3 were evaluated according to the same criteria as in Example 1.

（結果）
半導体層３が窒化ガリウムである試料１０２〜１２０は、レーザー照射を室温空気中または冷却空気中で行ったものはＡ判定またはＢ判定、純水中およびオイル中で行ったものはＡ判定であった。(result)
Samples 102 to 120 in which the semiconductor layer 3 is gallium nitride are judged as A or B when the laser irradiation is performed in room temperature air or cooling air, and A judgment is performed in pure water and oil. It was.

半導体層３が窒化アルミニウムである試料２０２〜２２０は、レーザー照射を室温空気中または冷却空気中で行ったものはＡ判定またはＢ判定、純水中およびオイル中で行ったものはＡ判定であった。 Samples 202 to 220 in which the semiconductor layer 3 is aluminum nitride are judged as A or B when the laser irradiation is performed in room temperature air or cooling air, and are judged as A when the laser irradiation is performed in pure water or oil. It was.

半導体層３がセレン化亜鉛である試料３０２〜３２０は、レーザー照射を室温空気中で行ったものはＢ判定またはＣ判定、冷却空気中で行ったものはＡ判定またはＢ判定、純水中およびオイル中で行ったものはＡ判定であった。 For the samples 302 to 320 in which the semiconductor layer 3 is zinc selenide, those subjected to laser irradiation in room temperature air are judged as B or C, those subjected to cooling air are judged as A or B, in pure water and What was done in oil was judged as A.

半導体層３が炭化シリコンである試料４０２〜４２０は、レーザー照射を室温空気中で行ったものはＡ判定またはＢ判定、冷却空気中、純水中およびオイル中で行ったものはＡ判定であった。 For the samples 402 to 420 in which the semiconductor layer 3 is silicon carbide, those subjected to laser irradiation in room temperature air are judged as A or B, and those subjected to laser irradiation in cooling air, pure water and oil are judged as A. It was.

Ａ判定のサンプルの分離した表面をＳＩＭＳで観察すると、バルク中よりも明らかに多い量の注入元素が確認できた。Ｂ判定のサンプルの分離表面ではＳＩＭＳで観察して、バルク中よりも多い量の注入元素が確認でき、かつ、さらに表面をＸＰＳ分析すると、半導体基板中とは異なる結合状態の主元素の存在を確認できた。具体的には、ＧａＮ基板の場合はＧａ元素、ＡｌＮ基板の場合はＡｌ元素、ＺｎＳｅの場合はＺｎ元素、ＳｉＣ基板の場合はＳｉ元素について、それぞれ基板中とは異なる結合状態で確認できた。Ｃ判定のサンプルの分離表面では、ＳＩＭＳでバルク中よりも多い量の注入元素が確認でき、かつ、ＸＰＳ分析で半導体基板中とは異なる結合状態の主元素が確認でき、かつ表面粗さを３次元プロファイラーで評価して、直径３０μｍ以上の窪みが略円形の模様になっていることも確認できた。 When the separated surface of the A-judgment sample was observed by SIMS, a clearly larger amount of injection element was confirmed than in the bulk. By observing with SIMS on the separated surface of the B-judgment sample, a larger amount of injected elements can be confirmed than in the bulk, and further XPS analysis of the surface reveals the presence of the main element in a bonded state different from that in the semiconductor substrate. It could be confirmed. Specifically, the Ga element in the case of the GaN substrate, the Al element in the case of the AlN substrate, the Zn element in the case of ZnSe, and the Si element in the case of the SiC substrate were confirmed in different bonding states from those in the substrate. On the separated surface of the C-judged sample, SIMS can confirm a larger amount of injected elements than in the bulk, XPS analysis can confirm the main element in a bonded state different from that in the semiconductor substrate, and the surface roughness is 3. Evaluation with a dimensional profiler confirmed that the depressions having a diameter of 30 μm or more had a substantially circular pattern.

実施例４では、実施の形態４に係る半導体基板の製造方法について検討した。具体的には、本実施例では、実施例３の試料１０１〜１２０の製造工程において、半導体層を形成する代わりに、種基板へのイオン注入後に、ＳｉＯ２からなる第１の基板３５を種基板３１に貼り合わせる以外は、実施例３と同様の方法を用いて複合半導体基板３６と種基板３１ｂとを分離した。分離面に関する評価は、一部において、表面の荒れは若干大きくなったものの、ほぼ実施例３の表９と一致する傾向を示した。In Example 4, the method for manufacturing a semiconductor substrate according to the fourth embodiment was examined. Specifically, in this embodiment, in the manufacturing process of the samples 101 to 120 of Example 3, instead of forming the semiconductor layer, the first substrate 35 made of SiO 2 is seeded after ion implantation into the seed substrate. The composite semiconductor substrate 36 and the seed substrate 31b were separated by the same method as in Example 3 except that they were bonded to the substrate 31. The evaluation of the separated surface showed a tendency to be almost the same as Table 9 of Example 3, although the surface roughness was slightly increased in some parts.

複合半導体基板３６において、ＳｉＯ２からなる第１の基板３５は０．３ｍｍ以上の厚さを容易に形成できるので、半導体基板が薄くても、割れることがなく、持ち運びが容易な基板とすることができた。In the composite semiconductor substrate 36, the first substrate 35 made of SiO 2 can be easily formed to have a thickness of 0.3 mm or more. Therefore, even if the semiconductor substrate is thin, it does not crack and is easy to carry. Was made.

実施例５では、実施の形態４に係る半導体基板の製造方法について検討した。具体的には、本実施例では、実施例１の試料１〜試料３５の製造工程において、ダイヤモンド層を形成する代わりに、種基板へのイオン注入後に、ＳｉＯ２からなる第１の基板３５を種基板３１に貼り合わせる以外は、実施例１と同様の方法を用いて複合半導体基板３６と種基板３１ｂとを分離した。分離面に関する評価は、一部において、表面の荒れは若干大きくなったものの、ほぼ実施例１の表２と一致する傾向を示した。In Example 5, the method for manufacturing a semiconductor substrate according to the fourth embodiment was examined. Specifically, in this embodiment, in the manufacturing process of Samples 1 to 35 of Example 1, instead of forming the diamond layer, the first substrate 35 made of SiO 2 is used after ion implantation into the seed substrate. The composite semiconductor substrate 36 and the seed substrate 31b were separated by the same method as in Example 1 except that they were bonded to the seed substrate 31. The evaluation of the separated surface showed a tendency to be almost the same as Table 2 of Example 1, although the surface roughness was slightly increased in some parts.

複合半導体基板３６において、ＳｉＯ２からなる第１の基板３５は０．３ｍｍ以上の厚さを容易に形成できるので、半導体基板が薄くても、割れることがなく、持ち運びが容易な基板とすることができた。In the composite semiconductor substrate 36, the first substrate 35 made of SiO 2 can be easily formed to have a thickness of 0.3 mm or more. Therefore, even if the semiconductor substrate is thin, it does not crack and is easy to carry. Was made.

実施例６では、実施の形態６の半導体接合基板を以下のようにして作製した。実施例１で用いた試料１−１と試料１−２と同じ製法で、種基板を準備し、イオン注入層を形成して、その後、ダイヤモンド層（半導体層）を形成した。次に、半導体基板の分離を行わず、成長面をＲａが０．１μｍ以下となるように平坦に研磨し、半導体接合基板を得た。なお、Ｒａが１μｍ以下の場合は、研磨は必要ない。この時、試料１−１と同じ条件で作製したものは、半導体層の厚さが１５０μｍで、試料１−２と同じ条件で作製したものは、半導体層の厚さが５０μｍであった。この適切な条件のイオン注入層が設けられ、平坦に加工した基板が、半導体接合基板である。この半導体接合基板を電子回路が形成されている回路基板（半導体のベアの基板）にＡｕＳｎはんだを用いて接合した。その後、実施例１にあるような、冷却空気中で、レーザー光を照射して種基板から分離し、薄いダイヤモンド層を回路基板に貼り付けた。その後、薄いダイヤモンド層の上に、ベアのＧａＮチップ（レーザーダイオードチップ）を薄いＳｎを介して室温で、超音波振動を利用した摩擦の原理で貼り付けた後、レーザーダイオードに配線し、動作させた。ダイヤモンド層の有無によるレーザーダイオードの出力を比較すると、ダイヤモンド層がある場合の方が２０〜３０％アップの大きな出力を出すことができた。 In Example 6, the semiconductor bonded substrate of the sixth embodiment was produced as follows. A seed substrate was prepared, an ion-implanted layer was formed, and then a diamond layer (semiconductor layer) was formed by the same manufacturing method as that of Sample 1-1 and Sample 1-2 used in Example 1. Next, the semiconductor substrate was not separated, and the growth surface was polished flat so that Ra was 0.1 μm or less to obtain a semiconductor bonded substrate. When Ra is 1 μm or less, polishing is not necessary. At this time, the one prepared under the same conditions as Sample 1-1 had a semiconductor layer thickness of 150 μm, and the one prepared under the same conditions as Sample 1-2 had a semiconductor layer thickness of 50 μm. A substrate provided with an ion implantation layer under appropriate conditions and processed flat is a semiconductor bonding substrate. This semiconductor bonding substrate was bonded to a circuit board (semiconductor bare substrate) on which an electronic circuit was formed using AuSn solder. Then, as in Example 1, laser light was irradiated in the cooling air to separate the seed substrate, and a thin diamond layer was attached to the circuit board. After that, a bare GaN chip (laser diode chip) is attached on a thin diamond layer via a thin Sn at room temperature by the principle of friction using ultrasonic vibration, and then wired to the laser diode and operated. It was. Comparing the output of the laser diode with and without the diamond layer, it was possible to output a larger output of 20 to 30% when the diamond layer was present.

実施例７では、実施の形態６の半導体接合基板は以下のようにして作製した。実施例３で用いた試料１０１−１と試料１０１−２と同じ製法で、種基板を準備し、イオン注入層を形成して、その後、ダイヤモンド層（半導体層）を形成した。次に、半導体基板の分離を行わず、半導体基板としての平坦化処理を行い、半導体接合基板を得た。この半導体接合基板上に、必要なエピ層を形成したりして、ＬＥＤ素子を作製し、その上にキャップ層としてＳｉＯ２を形成し、その面をＲａが１０ｎｍ以下に平坦に研磨した。ここまでは２インチウェハ上で行った。この後３ｍｍ角に切り出し、このＬＥＤ付の半導体接合基板を、平坦なＳｉＯ２層が設けられている回路基板（Ｓｉ半導体のベアの基板）に貼り合わせて接合した。その後、実施例１と同様に、冷却空気中で、レーザー光を照射して種基板から分離し、薄い半導体層だけが載った回路基板を作製した。その後、レーザーダイオードに配線したところ、動作させることができた。本実施例においては、ハイブリッド型の電子回路を作製できた。In Example 7, the semiconductor bonded substrate of the sixth embodiment was manufactured as follows. A seed substrate was prepared, an ion-implanted layer was formed, and then a diamond layer (semiconductor layer) was formed by the same manufacturing method as that of Sample 101-1 and Sample 101-2 used in Example 3. Next, the semiconductor substrate was not separated, but was flattened as a semiconductor substrate to obtain a semiconductor bonded substrate. An LED element was produced by forming a necessary epi layer on this semiconductor bonding substrate, SiO 2 was formed as a cap layer on the LED element, and the surface was polished flat so that Ra was 10 nm or less. Up to this point, the process was performed on a 2-inch wafer. After that, it was cut into a 3 mm square, and the semiconductor bonding substrate with the LED was bonded and bonded to a circuit board (a bare substrate of Si semiconductor) provided with two flat SiO layers. Then, in the same manner as in Example 1, laser light was irradiated in the cooling air to separate the seed substrate from the seed substrate, and a circuit board on which only a thin semiconductor layer was placed was produced. After that, when I wired it to the laser diode, I was able to operate it. In this example, a hybrid electronic circuit could be manufactured.

今回開示された実施形態および実施例はすべての点で例示であって制限的なものではないと考えられるべきである。本発明の範囲は上記した説明ではなくて請求の範囲によって示され、請求の範囲と均等の意味および範囲内でのすべての変更が含まれることが意図される。 The embodiments and examples disclosed this time should be considered to be exemplary and not restrictive in all respects. The scope of the present invention is shown by the claims rather than the above description, and it is intended to include all modifications within the meaning and scope of the claims.

本発明の半導体基板および複合半導体基板は、切削工具、研削工具、耐摩工具などの工具の他、光学部品、半導体、電子部品などの各種製品、青色ＬＥＤ、白色ＬＥＤ用の基板や高効率のスイッチングデバイスなどの基板、電力制御用あるいは車載の高効率パワーデバイス用の基板、光学用の基板や光学用のレンズなどに用いると有益である。 The semiconductor substrate and composite semiconductor substrate of the present invention include tools such as cutting tools, grinding tools, and abrasion resistant tools, various products such as optical parts, semiconductors, and electronic parts, substrates for blue LEDs and white LEDs, and highly efficient switching. It is useful for substrates such as devices, substrates for power control or high-efficiency power devices in vehicles, substrates for optics, lenses for optics, and the like.

１，２１，３１，４１ 種基板、１ａ，１ｂ，２１ａ，２１ｂ，３１ａ，３１ｂ，４１ａ，４１ｂ 種基板の一部、２，２２，３２ イオン注入層、３，２３ 半導体層、４，２４，３４，４４ 光、５ 半導体基板、２５，３５ 第１の基板、２６，３６ 複合半導体基板。 1,21,31,41 type substrate, 1a, 1b, 21a, 21b, 31a, 31b, 41a, 41b type substrate, 2,22,32 ion implantation layer, 3,23 semiconductor layer, 4,24, 34,44 light, 5 semiconductor substrate, 25,35 first substrate, 26,36 composite semiconductor substrate.

Claims (9)

半導体材料を含む種基板を準備する工程と、
前記種基板にイオン注入を行うことにより、前記種基板の主面の表面から一定深さにイオン注入層を形成する工程と、
前記種基板の主面上に、気相合成法により、半導体層を成長させる工程と、
前記半導体層および前記種基板の少なくともいずれかの主面の表面から光を照射することにより、前記イオン注入層あるいはその近傍に前記光を吸収させて、前記光のエネルギーにより、前記イオン注入層に存在するイオンを気化膨張させて、前記イオン注入層を膨張圧で押し広げ、前記半導体層および前記種基板の一部を含む半導体基板を分離する工程とを含む、
半導体基板の製造方法。 The process of preparing a seed substrate containing a semiconductor material and
A step of forming an ion-implanted layer at a constant depth from the surface of the main surface of the seed substrate by implanting ions into the seed substrate.
A step of growing a semiconductor layer on the main surface of the seed substrate by a vapor phase synthesis method,
By irradiating light from the surface of at least one of the main surfaces of the semiconductor layer and the seed substrate, the light is absorbed by the ion-implanted layer or its vicinity, and the ion-implanted layer is subjected to the energy of the light. The step includes vaporizing and expanding existing ions, expanding the ion-implanted layer with an expansion pressure, and separating the semiconductor layer and the semiconductor substrate including a part of the seed substrate.
Manufacturing method of semiconductor substrate. 前記イオン注入層は、厚さが５０ｎｍ以上１０μｍ以下であり、イオンのドーズ量が１×１０１４ｃｍ−２以上２×１０１８ｃｍ−２以下の範囲である、請求項１に記載の半導体基板の製造方法。 The semiconductor substrate according to claim 1, wherein the ion-implanted layer has a thickness of 50 nm or more and 10 μm or less, and an ion dose amount in the range of 1 × 10 14 cm- 2 or more and 2 × 10 18 cm- 2 or less. Manufacturing method. 前記イオン注入は、水素、酸素、窒素、炭素、ヘリウム、ネオンおよびアルゴンからなる群より選ばれる少なくとも１種の元素を含むイオンを用いて行う、請求項１または請求項２に記載の半導体基板の製造方法。 The semiconductor substrate according to claim 1 or 2, wherein the ion implantation is performed using an ion containing at least one element selected from the group consisting of hydrogen, oxygen, nitrogen, carbon, helium, neon and argon. Production method. 前記光はパルス光であり、前記光を照射する前記主面の表面におけるパルス当たりの照射フルエンスが０．０１Ｊ／ｍｍ２以上１５００Ｊ／ｍｍ２以下である、請求項１〜請求項３のいずれか１項に記載の半導体基板の製造方法。 Any of claims 1 to 3, wherein the light is pulsed light, and the irradiation fluence per pulse on the surface of the main surface to which the light is irradiated is 0.01 J / mm 2 or more and 1500 J / mm 2 or less. The method for manufacturing a semiconductor substrate according to item 1. 前記光はパルス光であり、前記光を照射する前記主面の表面におけるパルスエネルギーが０．０５ｍＪ以上１０００ｍＪ以下である、請求項１〜請求項４のいずれか１項に記載の半導体基板の製造方法。 The production of the semiconductor substrate according to any one of claims 1 to 4, wherein the light is pulsed light, and the pulse energy on the surface of the main surface irradiated with the light is 0.05 mJ or more and 1000 mJ or less. Method. 前記光はレーザー光であり、前記光を照射する前記主面の表面上を走査する、請求項１〜請求項５のいずれか１項に記載の半導体基板の製造方法。 The method for manufacturing a semiconductor substrate according to any one of claims 1 to 5, wherein the light is laser light and scans on the surface of the main surface irradiated with the light. 前記半導体基板を分離する工程を液体中で行う、請求項１〜請求項６のいずれか１項に記載の半導体基板の製造方法。 The method for manufacturing a semiconductor substrate according to any one of claims 1 to 6, wherein the step of separating the semiconductor substrate is performed in a liquid. 前記半導体層は、ダイヤモンド、窒化アルミニウム、窒化ガリウム、炭化シリコン、セレン化亜鉛および硫化亜鉛からなる群より選択される少なくとも１種を含む、請求項１〜請求項７のいずれか１項に記載の半導体基板の製造方法。 The semiconductor layer according to any one of claims 1 to 7, wherein the semiconductor layer contains at least one selected from the group consisting of diamond, aluminum nitride, gallium nitride, silicon carbide, zinc selenide and zinc sulfide. Manufacturing method of semiconductor substrate. 半導体材料を含む種基板を準備する工程と、
前記種基板にイオン注入を行うことにより、前記種基板の主面の表面から一定深さに、イオン注入層を形成する工程と、
前記種基板の主面上に気相合成法により、半導体層を成長させる工程と、
前記半導体層上に第１の基板を貼り合せる工程と、
前記第１の基板および前記種基板の少なくともいずれかの主面の表面から光を照射することにより、前記イオン注入層あるいはその近傍に前記光を吸収させて、前記光のエネルギーにより、前記イオン注入層に存在するイオンを気化膨張させて、前記イオン注入層を膨張圧で押し広げ、前記第１の基板、前記半導体層および前記種基板の一部を含む複合半導体基板を分離する工程とを含む、
複合半導体基板の製造方法。 The process of preparing a seed substrate containing a semiconductor material and
A step of forming an ion-implanted layer at a constant depth from the surface of the main surface of the seed substrate by implanting ions into the seed substrate.
A step of growing a semiconductor layer on the main surface of the seed substrate by a vapor phase synthesis method,
The step of laminating the first substrate on the semiconductor layer and
By irradiating light from the surface of at least one of the main surfaces of the first substrate and the seed substrate, the light is absorbed in or near the ion implantation layer, and the ion implantation is performed by the energy of the light. The step includes vaporizing and expanding the ions existing in the layer, expanding the ion-implanted layer with an expansion pressure, and separating the first substrate, the semiconductor layer, and the composite semiconductor substrate including a part of the seed substrate. ,
A method for manufacturing a composite semiconductor substrate.
JP2016569523A 2015-01-16 2016-01-15 Manufacturing method of semiconductor substrate and manufacturing method of composite semiconductor substrate Active JP6822146B2 (en)

Applications Claiming Priority (3)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2015006903 2015-01-16
JP2015006903 2015-01-16
PCT/JP2016/051094 WO2016114382A1 (en) 2015-01-16 2016-01-15 Method for manufacturing semiconductor substrate, semiconductor substrate, method for manufacturing composite semiconductor substrate, composite semiconductor substrate, and semiconductor bonding substrate

Related Child Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP2020144805A Division JP2021006501A (en) 2015-01-16 2020-08-28 Semiconductor substrate, composite semiconductor substrate, and semiconductor joint substrate

Publications (2)

Publication Number Publication Date
JPWO2016114382A1 JPWO2016114382A1 (en) 2017-11-30
JP6822146B2 true JP6822146B2 (en) 2021-01-27

Family

ID=56405922

Family Applications (3)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP2016569523A Active JP6822146B2 (en) 2015-01-16 2016-01-15 Manufacturing method of semiconductor substrate and manufacturing method of composite semiconductor substrate
JP2020144805A Pending JP2021006501A (en) 2015-01-16 2020-08-28 Semiconductor substrate, composite semiconductor substrate, and semiconductor joint substrate
JP2022185070A Pending JP2023039951A (en) 2015-01-16 2022-11-18 Method for manufacturing semiconductor substrate, semiconductor substrate, method for manufacturing composite semiconductor substrate, composite semiconductor substrate and semiconductor joint substrate

Family Applications After (2)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP2020144805A Pending JP2021006501A (en) 2015-01-16 2020-08-28 Semiconductor substrate, composite semiconductor substrate, and semiconductor joint substrate
JP2022185070A Pending JP2023039951A (en) 2015-01-16 2022-11-18 Method for manufacturing semiconductor substrate, semiconductor substrate, method for manufacturing composite semiconductor substrate, composite semiconductor substrate and semiconductor joint substrate

Country Status (5)

Country Link
US (1) US10304739B2 (en)
EP (1) EP3246937B1 (en)
JP (3) JP6822146B2 (en)
CN (1) CN107112205B (en)
WO (1) WO2016114382A1 (en)

Families Citing this family (32)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP4350054B2 (en) 2005-03-14 2009-10-21 株式会社クボタ Operating cabin structure
US20180019169A1 (en) * 2016-07-12 2018-01-18 QMAT, Inc. Backing substrate stabilizing donor substrate for implant or reclamation
JP6945215B2 (en) * 2016-08-05 2021-10-06 国立大学法人東京工業大学 Metal compound crystalline film and its manufacturing method
JP6923877B2 (en) * 2017-04-26 2021-08-25 国立大学法人埼玉大学 Substrate manufacturing method
US10756234B2 (en) * 2017-05-12 2020-08-25 Crystal Is, Inc. Aluminum nitride substrate removal for ultraviolet light-emitting devices
CN107326435A (en) * 2017-07-28 2017-11-07 西安交通大学 A kind of stripping means of growth GaN SiC substrate
DE102017119568B4 (en) 2017-08-25 2024-01-04 Infineon Technologies Ag Silicon carbide components and method for producing silicon carbide components
JP6943388B2 (en) * 2017-10-06 2021-09-29 国立大学法人埼玉大学 Substrate manufacturing method
JP7123583B2 (en) * 2018-03-14 2022-08-23 株式会社ディスコ Wafer production method and wafer production apparatus
FR3079535B1 (en) 2018-03-28 2022-03-18 Soitec Silicon On Insulator METHOD FOR MANUFACTURING A MONOCRYSTALLINE LAYER OF DIAMOND OR IRIDIUM MATERIAL AND SUBSTRATE FOR GROWTH BY EPITAXIS OF A MONOCRYSTALLINE LAYER OF DIAMOND OR IRIDIUM MATERIAL
FR3079657B1 (en) * 2018-03-29 2024-03-15 Soitec Silicon On Insulator COMPOSITE STRUCTURE THAT CAN BE DISASSEMBLED BY APPLYING A LIGHT FLOW, AND METHOD FOR SEPARATING SUCH A STRUCTURE
CN112655083A (en) * 2018-04-27 2021-04-13 环球晶圆股份有限公司 Photo-assisted sheet formation to facilitate layer transfer from a semiconductor donor substrate
JP2021522676A (en) * 2018-05-04 2021-08-30 ザ ガバメント オブ ザ ユナイテッド ステイツ オブ アメリカ， アズ リプレゼンテッド バイ ザ セクレタリー オブ ザ ネイビー Injection Dopant Activation for Wide Bandgap Semiconductor Electronics
DE102018111450A1 (en) 2018-05-14 2019-11-14 Infineon Technologies Ag A method of processing a wide bandgap semiconductor wafer, a method of forming a plurality of thin wide bandgap semiconductor wafers, and wider bandgap semiconductor wafers
DE102019111377A1 (en) * 2018-05-28 2019-11-28 Infineon Technologies Ag A method of processing a silicon carbide wafer and a silicon carbide semiconductor device
US10497817B1 (en) * 2018-07-09 2019-12-03 Wisconsin Alumni Research Foundation P-n diodes and p-n-p heterojunction bipolar transistors with diamond collectors and current tunneling layers
JP7327920B2 (en) * 2018-09-28 2023-08-16 株式会社ディスコ Diamond substrate production method
US11414782B2 (en) * 2019-01-13 2022-08-16 Bing Hu Method of separating a film from a main body of a crystalline object
CN110079859A (en) * 2019-04-28 2019-08-02 厦门市三安集成电路有限公司 A kind of stripping means of SiC base GaN epitaxy piece
JP6701418B1 (en) * 2019-07-26 2020-05-27 Ｊｘ金属株式会社 Indium phosphide substrate and method for manufacturing indium phosphide substrate
JPWO2021025086A1 (en) * 2019-08-06 2021-02-11
CN114423888A (en) * 2019-09-27 2022-04-29 学校法人关西学院 Method and apparatus for manufacturing semiconductor substrate
DE102019132158A1 (en) * 2019-11-27 2021-05-27 Infineon Technologies Ag METHOD OF EDITING A SEMICONDUCTOR SUBSTRATE
FR3105748B1 (en) * 2019-12-26 2022-09-02 Aledia Device for laser treatment and laser treatment method
CN111146146B (en) * 2019-12-30 2022-09-06 长春理工大学 Preparation method of high-efficiency heat-dissipation semiconductor substrate with reusable base
JP6941208B2 (en) * 2020-02-06 2021-09-29 信越化学工業株式会社 Manufacturing method of gallium oxide film and manufacturing method of vertical semiconductor device
EP4101952A4 (en) * 2020-02-06 2024-01-24 Shinetsu Chemical Co Crystalline oxide semiconductor film and gallium oxide film production method, and vertical semiconductor device production method
US11652146B2 (en) 2020-02-07 2023-05-16 Rfhic Corporation Method of forming a semiconductor wafer containing a gallium-nitride layer and two diamond layers
DE102020205670A1 (en) 2020-05-05 2021-11-11 Fraunhofer-Gesellschaft zur Förderung der angewandten Forschung eingetragener Verein Monocrystalline aluminum nitride substrate and method for separating an aluminum nitride substrate from an epitaxially deposited component
CN111733454B (en) * 2020-05-20 2022-08-23 西南科技大学 Separation method of CVD homoepitaxy diamond large single crystal based on boron-doped transition layer
US20220020705A1 (en) * 2020-07-20 2022-01-20 Western Digital Technologies, Inc. Semiconductor wafer thinned by stealth lasing
US11848197B2 (en) 2020-11-30 2023-12-19 Thinsic Inc. Integrated method for low-cost wide band gap semiconductor device manufacturing

Family Cites Families (34)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US545559A (en) * 1895-09-03 William henry wakfer
JP3350994B2 (en) 1993-02-12 2002-11-25 住友電気工業株式会社 Manufacturing method of diamond sheet
US5587210A (en) 1994-06-28 1996-12-24 The United States Of America As Represented By The Secretary Of The Navy Growing and releasing diamonds
JP3809733B2 (en) * 1998-02-25 2006-08-16 セイコーエプソン株式会社 Thin film transistor peeling method
JP3849683B2 (en) * 1998-02-25 2006-11-22 セイコーエプソン株式会社 Thin film transistor peeling method
JPH11330438A (en) * 1998-05-08 1999-11-30 Shin Etsu Handotai Co Ltd Manufacture of soi wafer and soi wafer
JP2000077287A (en) * 1998-08-26 2000-03-14 Nissin Electric Co Ltd Manufacture of crystal thin-film substrate
US6387829B1 (en) * 1999-06-18 2002-05-14 Silicon Wafer Technologies, Inc. Separation process for silicon-on-insulator wafer fabrication
JP2001077335A (en) * 1999-09-07 2001-03-23 Sony Corp Isolation method of semiconductor layer, manufacturing method of semiconductor substrate and manufacturing method of semiconductor device
FR2823599B1 (en) * 2001-04-13 2004-12-17 Commissariat Energie Atomique DEMOMTABLE SUBSTRATE WITH CONTROLLED MECHANICAL HOLDING AND METHOD OF MAKING
JP5055671B2 (en) * 2001-07-26 2012-10-24 信越半導体株式会社 Manufacturing method of SOI substrate
GB0127263D0 (en) 2001-11-13 2002-01-02 Diamanx Products Ltd Layered structures
US7261777B2 (en) 2003-06-06 2007-08-28 S.O.I.Tec Silicon On Insulator Technologies Method for fabricating an epitaxial substrate
JP2005219962A (en) * 2004-02-05 2005-08-18 Sumitomo Electric Ind Ltd Diamond single crystal substrate and its manufacturing method
DE102005052358A1 (en) * 2005-09-01 2007-03-15 Osram Opto Semiconductors Gmbh Method for the lateral dicing of a semiconductor wafer and optoelectronic component
JP4742800B2 (en) 2005-10-18 2011-08-10 住友電気工業株式会社 Diamond processing method
US8124499B2 (en) * 2006-11-06 2012-02-28 Silicon Genesis Corporation Method and structure for thick layer transfer using a linear accelerator
EP2087507A4 (en) * 2006-11-15 2010-07-07 Univ California Method for heteroepitaxial growth of high-quality n-face gan, inn, and ain and their alloys by metal organic chemical vapor deposition
FR2920589B1 (en) * 2007-09-04 2010-12-03 Soitec Silicon On Insulator "PROCESS FOR OBTAINING A HYBRID SUBSTRATE COMPRISING AT LEAST ONE LAYER OF NITRIDE MATERIAL"
WO2009035063A1 (en) * 2007-09-14 2009-03-19 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device and electronic appliance
JP5455595B2 (en) * 2008-12-11 2014-03-26 信越化学工業株式会社 Manufacturing method of bonded wafer
JP5420968B2 (en) * 2009-05-07 2014-02-19 信越化学工業株式会社 Manufacturing method of bonded wafer
JP2010278337A (en) * 2009-05-29 2010-12-09 Shin-Etsu Chemical Co Ltd Sos substrate reduced in surface defect density
JP2010278338A (en) * 2009-05-29 2010-12-09 Shin-Etsu Chemical Co Ltd Sos substrate low in defect density in proximity of interface
JP2011054622A (en) * 2009-08-31 2011-03-17 Sumco Corp Silicon substrate and manufacturing method thereof
JP5509448B2 (en) 2009-09-07 2014-06-04 国立大学法人埼玉大学 Substrate slicing method
JP5561666B2 (en) 2009-09-07 2014-07-30 国立大学法人埼玉大学 Substrate slicing method
JP5643509B2 (en) * 2009-12-28 2014-12-17 信越化学工業株式会社 SOS substrate manufacturing method with reduced stress
JP5946112B2 (en) 2011-02-10 2016-07-05 国立大学法人埼玉大学 Substrate processing method
CA2769141C (en) * 2011-03-08 2016-07-12 Drilformance Technologies, Llc Drilling apparatus
JP2011176322A (en) * 2011-03-11 2011-09-08 Sumitomo Electric Ind Ltd GaN SUBSTRATE, METHOD OF MANUFACTURING THE SAME, METHOD OF MANUFACTURING GaN LAYER BONDED SUBSTRATE, AND METHOD OF MANUFACTURING SEMICONDUCTOR DEVICE
WO2013126927A2 (en) * 2012-02-26 2013-08-29 Solexel, Inc. Systems and methods for laser splitting and device layer transfer
JP2013191889A (en) * 2013-06-21 2013-09-26 Shin Etsu Handotai Co Ltd Silicon epitaxial wafer
JP5888286B2 (en) 2013-06-26 2016-03-16 信越半導体株式会社 Manufacturing method of bonded wafer

Also Published As

Publication number Publication date
EP3246937A4 (en) 2018-09-26
EP3246937A1 (en) 2017-11-22
US20170372965A1 (en) 2017-12-28
JP2021006501A (en) 2021-01-21
WO2016114382A1 (en) 2016-07-21
CN107112205A (en) 2017-08-29
JPWO2016114382A1 (en) 2017-11-30
JP2023039951A (en) 2023-03-22
EP3246937B1 (en) 2023-05-10
US10304739B2 (en) 2019-05-28
CN107112205B (en) 2020-12-22

Similar Documents

Publication Publication Date Title
JP6822146B2 (en) Manufacturing method of semiconductor substrate and manufacturing method of composite semiconductor substrate
JP6575522B2 (en) Diamond manufacturing method
US10164144B2 (en) Bond and release layer transfer process
CN105899325B (en) By means of the combined chip autofrettage of laser treatment and temperature-induced stress
TWI527099B (en) Process for recycling a substrate
US20150214432A1 (en) Optical device and manufacturing method therefor
JP2011040564A (en) Method and apparatus for manufacturing semiconductor element
EP1692719A1 (en) Semiconductor substrate assemblies and methods for preparing and dicing the same
TW200419682A (en) Method to manufacture a semiconductor component
TW561652B (en) Method of manufacturing compound semiconductor substrate
JP2009266892A (en) Method for manufacturing compound semiconductor crystalline substrate
JP4742800B2 (en) Diamond processing method
JP2008207968A (en) Method for producing gallium oxide-gallium nitride composite substrate, and gallium oxide-gallium nitride composite substrate
JP3350994B2 (en) Manufacturing method of diamond sheet
CN115555744A (en) Method for manufacturing diamond substrate
CN115555743A (en) Method for manufacturing diamond substrate

Legal Events

Date Code Title Description
A521 Request for written amendment filed

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523

Effective date: 20170627

A621 Written request for application examination

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621

Effective date: 20180723

A131 Notification of reasons for refusal

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131

Effective date: 20190326

A521 Request for written amendment filed

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523

Effective date: 20190524

A131 Notification of reasons for refusal

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131

Effective date: 20191029

A521 Request for written amendment filed

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523

Effective date: 20191225

A02 Decision of refusal

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A02

Effective date: 20200630

A521 Request for written amendment filed

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523

Effective date: 20200828

C60 Trial request (containing other claim documents, opposition documents)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: C60

Effective date: 20200828

A911 Transfer to examiner for re-examination before appeal (zenchi)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A911

Effective date: 20200907

C21 Notice of transfer of a case for reconsideration by examiners before appeal proceedings

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: C21

Effective date: 20200908

A131 Notification of reasons for refusal

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131

Effective date: 20201110

A521 Request for written amendment filed

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523

Effective date: 20201126

TRDD Decision of grant or rejection written
A01 Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01

Effective date: 20201208

A61 First payment of annual fees (during grant procedure)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61

Effective date: 20201221

R150 Certificate of patent or registration of utility model

Ref document number: 6822146

Country of ref document: JP

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250