JP6767314B2 - Laser control device - Google Patents
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Description
本発明は、レーザ制御装置に関し、特に、複数のレーザ半導体素子の温度および出力の制御に関する。 The present invention relates to a laser control device, and more particularly to control of temperature and output of a plurality of laser semiconductor elements.
光ファイバを伝わる光によって電気機器に電力を供給するシステムが実用化されている。このような光給電システムでは、光電源装置と電気機器との間が光ファイバで接続されている。光電源装置は、レーザダイオード等の発光素子を有し、発光素子から光ファイバに光を出力する。光ファイバは、発光素子から発せられた光を電気機器に伝送する。電気機器は、光ファイバから受信した光を電力に変換し、その電力によって動作する。 A system that supplies electric power to electrical equipment by light transmitted through an optical fiber has been put into practical use. In such an optical power supply system, an optical power supply device and an electric device are connected by an optical fiber. The optical power supply device has a light emitting element such as a laser diode, and outputs light from the light emitting element to an optical fiber. The optical fiber transmits the light emitted from the light emitting element to the electric device. An electric device converts light received from an optical fiber into electric power and operates by the electric power.
光給電システムには、ユーザから離れた場所に設置された電気機器を制御する遠隔制御システムに組み込まれたものがある。電気機器には、モータを用いた機械、監視カメラ、温度計、湿度計等がある。遠隔制御システムでは制御装置と電気機器が光ファイバによって接続されている。制御装置は、電力供給用の光を光ファイバを介して電気機器に送信する。電気機器は光ファイバから受信した光を電力に変換し、その電力によって動作する。また、制御装置は、光ファイバを介して制御信号を送信して電気機器を制御し、あるいは、電気機器から送信された情報を光ファイバを介して受信する。遠隔制御システムに光給電システムが組み込まれることで、制御装置と電気機器との間に、光ファイバに加えて電力供給用の電線を設ける必要がなくなる、これによって、制御装置と電気機器との間のケーブルの数が削減される。また、電線が用いられないため、落雷や外来の電磁波等によって制御装置および電気機器に生じるノイズが抑制される。以下の特許文献１には、計測装置に光ファイバを介して電力を供給すると共に、計測装置から光ファイバを介してデータを収集する光給電システムが記載されている。
Some optical power supply systems are incorporated into remote control systems that control electrical equipment installed in a location away from the user. Electrical equipment includes machines using motors, surveillance cameras, thermometers, hygrometers, and the like. In a remote control system, a control device and an electric device are connected by an optical fiber. The control device transmits light for power supply to an electric device via an optical fiber. An electric device converts light received from an optical fiber into electric power and operates by the electric power. Further, the control device transmits a control signal via the optical fiber to control the electric device, or receives the information transmitted from the electric device via the optical fiber. By incorporating an optical power supply system into the remote control system, it is not necessary to provide an electric wire for power supply in addition to the optical fiber between the control device and the electric device, thereby between the control device and the electric device. The number of cables is reduced. In addition, since electric wires are not used, noise generated in the control device and electrical equipment due to lightning strikes, external electromagnetic waves, or the like is suppressed. The following
光電源装置から電気機器に十分な電力を送信するため、光電源装置には複数の発光素子を備えるものがある。以下の特許文献２には、このような光電源装置として、複数のレーザ半導体素子（半導体レーザ）を備える半導体レーザ光源装置が記載されている。この文献には、各半導体レーザの温度を検出し、検出結果に応じて各半導体レーザに流れる電流を制御する技術が記載されている。
In order to transmit sufficient power from the optical power supply device to the electric device, some optical power supply devices are provided with a plurality of light emitting elements. The following
一般に、光給電システムに用いられる光電源装置等の光送信装置では、単位時間当たりに出力される光のエネルギー（以下、パワーという。）が一定であることが要求される。複数のレーザ半導体素子を備える光送信装置では、各レーザ半導体素子に流れる電流を調整することでパワーが制御される。そして、各レーザ半導体素子に流れる電流の調整に伴って、各レーザ半導体素子の温度が変化する。レーザ半導体素子に流れる電流と、レーザ半導体素子の温度との関係には、レーザ半導体素子ごとにばらつきがある。そのため、各レーザ半導体素子に流れる電流を同様に調整することでパワーを一定に制御した場合には、特定のレーザ半導体素子の温度が上昇し、そのレーザ半導体素子の寿命が短くなってしまうことがある。 In general, an optical transmission device such as an optical power supply device used in an optical power supply system is required to have a constant light energy (hereinafter referred to as power) output per unit time. In an optical transmitter including a plurality of laser semiconductor elements, the power is controlled by adjusting the current flowing through each laser semiconductor element. Then, the temperature of each laser semiconductor element changes as the current flowing through each laser semiconductor element is adjusted. The relationship between the current flowing through the laser semiconductor element and the temperature of the laser semiconductor element varies from laser semiconductor element to laser semiconductor element. Therefore, if the power is controlled to be constant by adjusting the current flowing through each laser semiconductor element in the same manner, the temperature of the specific laser semiconductor element may rise and the life of the laser semiconductor element may be shortened. is there.
本発明は、光送信装置に用いられる複数のレーザ半導体素子の温度を均一化することを目的とする。 An object of the present invention is to make the temperatures of a plurality of laser semiconductor elements used in an optical transmitter uniform.
本発明は、複数のレーザ半導体素子のそれぞれについて温度をモニタするモニタ部と、各前記レーザ半導体素子について得られた各モニタ温度と、所定の温度閾値との比較に基づいて、各前記レーザ半導体素子が低温であるか高温であるかを判定する判定部と、複数の前記レーザ半導体素子に対する合計出力目標値が一定であるという条件の下で、高温であると判定された前記レーザ半導体素子に対する出力目標値を減少させ、低温であると判定された前記レーザ半導体素子に対する出力目標値を増加させる目標値決定部と、各前記レーザ半導体素子に対して決定された出力目標値に基づいて、各前記レーザ半導体素子を制御するドライバと、を備え、高温であると判定された前記レーザ半導体素子の数が所定値以下であるときに、前記温度閾値を減少させる温度条件設定部、を備えることを特徴とする。 The present invention is based on a comparison between a monitor unit that monitors the temperature of each of a plurality of laser semiconductor elements, each monitor temperature obtained for each of the laser semiconductor elements, and a predetermined temperature threshold, and each of the laser semiconductor elements. The output to the laser semiconductor element determined to be high temperature under the condition that the determination unit for determining whether is low temperature or high temperature and the total output target value for the plurality of the laser semiconductor elements are constant. Based on the target value determination unit that reduces the target value and increases the output target value for the laser semiconductor element determined to be low temperature, and the output target value determined for each laser semiconductor element, each said includes a driver for controlling the laser semiconductor element, and when the number of the laser semiconductor device is determined to be high temperature is equal to or less than a predetermined value, the Rukoto includes a temperature condition setting unit, which reduces the temperature threshold It is a feature.
本発明は、複数のレーザ半導体素子のそれぞれについて温度をモニタするモニタ部と、各前記レーザ半導体素子について得られた各モニタ温度と、所定の温度閾値との比較に基づいて、各前記レーザ半導体素子が低温であるか高温であるかを判定する判定部と、複数の前記レーザ半導体素子に対する合計出力目標値が一定であるという条件の下で、高温であると判定された前記レーザ半導体素子に対する出力目標値を減少させ、低温であると判定された前記レーザ半導体素子に対する出力目標値を増加させる目標値決定部と、各前記レーザ半導体素子に対して決定された出力目標値に基づいて、各前記レーザ半導体素子を制御するドライバと、を備え、高温であると判定された前記レーザ半導体素子の数が所定値以上であるときに、前記温度閾値を増加させる温度条件設定部、を備えることを特徴とする。 The present invention is based on a comparison between a monitor unit that monitors the temperature of each of a plurality of laser semiconductor elements, each monitor temperature obtained for each of the laser semiconductor elements, and a predetermined temperature threshold, and each of the laser semiconductor elements. The output to the laser semiconductor element determined to be high temperature under the condition that the determination unit for determining whether is low temperature or high temperature and the total output target value for the plurality of the laser semiconductor elements are constant. Based on the target value determination unit that reduces the target value and increases the output target value for the laser semiconductor element determined to be low temperature, and the output target value determined for each laser semiconductor element, each said includes a driver for controlling the laser semiconductor element, and when the number of the laser semiconductor element determined to be a high temperature is a predetermined value or more, characterized in that it comprises a temperature-condition setting unit, increasing the temperature threshold And .
望ましくは、前記温度条件設定部は、高温であると判定された前記レーザ半導体素子の数が第２の所定値以下であるときに、前記温度閾値を減少させる。
Preferably, the temperature condition setting unit, when the number of the laser semiconductor device is determined to be Atsushi Ko is not more than a second predetermined value, decreases the temperature threshold.
望ましくは、前記温度条件設定部によって増加させた前記温度閾値が上限値に至り、かつ、高温であると判定された前記レーザ半導体素子の数が前記所定値以上であるときに、前記合計出力目標値を既定値から減少させる出力条件設定部、を備える。 Desirably, when the temperature threshold value increased by the temperature condition setting unit reaches the upper limit value and the number of the laser semiconductor elements determined to be high temperature is equal to or more than the predetermined value, the total output target It is provided with an output condition setting unit that reduces the value from the default value.
望ましくは、前記出力条件設定部は、前記合計出力目標値を減少させた後に、高温であると判定された前記レーザ半導体素子の数が前記所定値未満となったときに、前記合計出力目標値を前記既定値とする。 Desirably, when the number of the laser semiconductor elements determined to be high temperature becomes less than the predetermined value after the total output target value is reduced, the output condition setting unit determines the total output target value. Is the default value.
本発明によれば、光送信装置に用いられる複数のレーザ半導体素子の温度を均一化することができる。 According to the present invention, it is possible to make the temperatures of a plurality of laser semiconductor elements used in an optical transmitter uniform.
図１には、本発明の実施形態に係る光電源装置の構成が示されている。光電源装置は、発光部１０、モニタ部１２、制御部１４、ドライバ１６および電源部２２を備える。発光部１０は、レーザダイオード１８−１〜１８−ｎ、およびバイポーラトランジスタ２０−１〜２０−ｎ（以下、単にトランジスタというときはバイポーラトランジスタを指す。）を備える。レーザダイオード１８−ｊのアノードは、電源部２２の正極端子に接続され、レーザダイオード１８−ｊのカソードはトランジスタ２０−ｊのコレクタに接続されている（ｊは１〜ｎの整数である。）。トランジスタ２０−ｊのベースはドライバ１６に接続され、トランジスタ２０−ｊのエミッタは接地導体に接続されている。
FIG. 1 shows a configuration of an optical power supply device according to an embodiment of the present invention. The optical power supply device includes a
電源部２２は、正極端子から各トランジスタのコレクタに電源電圧を出力する。制御部１４からは、レーザダイオード１８−ｊに対する制御値Ｃｊがドライバに出力される。ドライバ１６は、制御値Ｃｊに応じてトランジスタ２０−ｊのベースの電圧を変化させて、トランジスタ２０−ｊのコレクタに流れる電流を制御し、レーザダイオード１８−ｊに流れる電流を制御する。このようにして、ドライバ１６は、レーザダイオード１８−１〜１８−ｎが出力する光のパワーを制御する。レーザダイオード１８−１〜１８−ｎは、光ファイバーに光を放射する。ドライバ１６が、レーザダイオード１８−１〜１８−ｎのそれぞれが出力するパワーを制御することで、光ファイバーに送信される光のパワーが制御される。
The
モニタ部１２は、レーザダイオード１８−１〜１８−ｎの温度を測定し、それぞれの測定値であるモニタ温度Ｔ１〜Ｔｎを制御部１４に出力する。また、モニタ部１２は、レーザダイオード１８−１〜１８−ｎが出力するパワーを測定し、それぞれの測定値であるモニタパワーＭ１〜Ｍｎを制御部１４に出力する。制御部１４は、各モニタ温度および各モニタパワーに基づいて、ドライバ１６に各トランジスタを制御させる。
The
レーザダイオード１８−１〜１８−ｎに流れる電流を制御する半導体素子としては、バイポーラトランジスタの他、電界効果トランジスタ等が用いられてもよい。この場合、バイポーラトランジスタのベース、コレクタ、およびエミッタが、電界効果トランジスタのゲート、ドレインおよびソースにそれぞれ対応する。 As the semiconductor element that controls the current flowing through the laser diodes 18-1 to 18-n, a field effect transistor or the like may be used in addition to the bipolar transistor. In this case, the base, collector, and emitter of the bipolar transistor correspond to the gate, drain, and source of the field effect transistor, respectively.
図２には、制御部１４の構成が示されている。制御部１４は、条件設定部２４および目標値演算部２８を備えている。制御部１４は、予め記憶されたプログラムを実行することで各構成要素を構成するプロセッサによって構成されてもよい。
FIG. 2 shows the configuration of the
条件設定部２４には、各レーザダイオードに対する温度閾値Ｔｓについての初期値Ｔ０と、出力パワーに対する合計出力目標値Ｐの既定値Ｐ０がユーザの操作等によって入力される。条件設定部２４は、温度閾値Ｔｓの初期値Ｔ０と、目標値演算部２８から与えられる高温素子数ｍに基づいて温度閾値Ｔｓを求め、目標値演算部２８に出力する。高温素子数ｍは、過去に目標値演算部２８に出力された温度閾値Ｔｓよりも高温であるレーザダイオードの個数として、目標値演算部２８によって求められる。温度閾値Ｔｓを求める具体的な処理については後述する。
The initial value T0 for the temperature threshold value Ts for each laser diode and the default value P0 for the total output target value P for the output power are input to the
条件設定部２４は、合計出力目標値Ｐの既定値Ｐ０と高温素子数ｍとに基づいて、合計出力目標値Ｐを求め１／ｎ倍器２６に出力する。合計出力目標値Ｐは、光電源装置が出力するパワーに対する目標値である。合計出力目標値Ｐを求める具体的な処理については後述する。１／ｎ倍器２６は、合計出力目標値Ｐのｎ分の１である個別目標値Ｐａ＝Ｐ／ｎを求め、目標値演算部２８に出力する。
The
目標値演算部２８は、判定／目標値決定部３０−１〜３０−ｎ、加算合計部３２および制御値決定部３４−１〜３４−ｎを備えている。
The target
判定／目標値決定部３０−１〜３０−ｎには、個別目標値Ｐａが入力されている。また、判定／目標値決定部３０−１〜３０−ｎには、それぞれ、モニタ温度Ｔ１〜Ｔｎが入力されている。 The individual target value Pa is input to the determination / target value determination unit 30-1 to 30-n. Further, the monitor temperatures T1 to Tn are input to the determination / target value determination units 30-1 to 30-n, respectively.
判定／目標値決定部３０−ｊおよび制御値決定部３４−ｊが実行する処理について説明する。図３には、判定／目標値決定部３０−ｊおよび制御値決定部３４−ｊが実行する制御値決定処理のフローチャートが示されている。判定／目標値決定部３０−ｊは、モニタ温度Ｔｊと温度閾値Ｔｓとを比較し、モニタ温度Ｔｊが温度閾値Ｔｓよりも大きいか否かを判定する（Ｓ１０１）。判定／目標値決定部３０−ｊは、モニタ温度Ｔｊが温度閾値Ｔｓよりも大きいと判定したときは、（数１）に従ってパワー減算値Δｊを求める（Ｓ１０２）。 The processing executed by the determination / target value determination unit 30-j and the control value determination unit 34-j will be described. FIG. 3 shows a flowchart of the control value determination process executed by the determination / target value determination unit 30-j and the control value determination unit 34-j. The determination / target value determination unit 30-j compares the monitor temperature Tj with the temperature threshold value Ts, and determines whether or not the monitor temperature Tj is larger than the temperature threshold value Ts (S101). When the determination / target value determination unit 30-j determines that the monitor temperature Tj is larger than the temperature threshold value Ts, the determination / target value determination unit 30-j obtains the power subtraction value Δj according to (Equation 1) (S102).
（数１）Δｊ＝Ｋｊ・Ｐａ (Equation 1) Δj = Kj · Pa
ここで、係数Ｋｊ（ｊ＝１〜ｎ）は任意の定数であり、Ｋ１〜Ｋｎのそれぞれに個別に値が設定されていてもよいし、Ｋ１〜Ｋｎに対し同一の値が設定されていてもよい。すなわち、レーザダイオード１８−１〜１８−ｎのそれぞれに対して個別に値が設定されていてもよいし、同一の値が設定されていてもよい。 Here, the coefficient Kj (j = 1 to n) is an arbitrary constant, and a value may be set individually for each of K1 to Kn, or the same value is set for K1 to Kn. May be good. That is, a value may be set individually for each of the laser diodes 18-1 to 18-n, or the same value may be set.
判定／目標値決定部３０−ｊは、（数１）に従って求めたパワー減算値Δｊを加算合計部３２に出力する（Ｓ１０３）。判定／目標値決定部３０−ｊは、（数２）に従って出力目標値Ｐｊを求め、制御値決定部３４−ｊに出力する（Ｓ１０４）。 The determination / target value determination unit 30-j outputs the power subtraction value Δj obtained according to (Equation 1) to the addition total unit 32 (S103). The determination / target value determination unit 30-j obtains the output target value Pj according to (Equation 2) and outputs the output target value Pj to the control value determination unit 34-j (S104).
（数２）Ｐｊ＝Ｐａ−Δｊ (Equation 2) Pj = Pa−Δj
制御値決定部３４−ｊは、出力目標値ＰｊとモニタパワーＭｊとの差異に基づいて制御値Ｃｊを求め（Ｓ１０５）、制御値Ｃｊをドライバ１６に出力する（Ｓ１０６）。制御値Ｃｊは、トランジスタ２０−ｊのコレクタに流れる電流をドライバ１６に調整させるための値である。すなわち、ドライバ１６は、出力目標値ＰｊおよびモニタパワーＭｊに基づく制御値Ｃｊに従いレーザダイオード１８−ｊが出力する光のパワーが、出力目標値Ｐｊに近付き、または一致するように、トランジスタ２０−ｊのコレクタに流れる電流を調整する。
The control value determining unit 34-j obtains the control value Cj based on the difference between the output target value Pj and the monitor power Mj (S105), and outputs the control value Cj to the driver 16 (S106). The control value Cj is a value for causing the
判定／目標値決定部３０−ｊは、ステップＳ１０１においてモニタ温度Ｔｊが温度閾値Ｔｓ以下であると判定したときは、パワー減算値Δｊを０とし（Ｓ１０７）、加算合計部３２に出力する（Ｓ１０８）。 When the determination / target value determination unit 30-j determines in step S101 that the monitor temperature Tj is equal to or less than the temperature threshold value Ts, the power subtraction value Δj is set to 0 (S107) and output to the addition total unit 32 (S108). ).
加算合計部３２は、判定／目標値決定部３０−１〜３０−ｎが、それぞれ、パワー減算値Δ１〜Δｎを出力した後、総パワー減算値ΔＰを求める。総パワー減算値ΔＰは、パワー減算値Δ１〜Δｎを加算合計した値である。
The addition
判定／目標値決定部３０−ｊは、他の総ての判定／目標値決定部がパワー減算値を加算合計部３２に出力した後（Ｓ１０３またはＳ１０８）、加算合計部３２によって求められた総パワー減算値ΔＰを取得する（Ｓ１０９）。
The determination / target value determination unit 30-j is the total obtained by the addition
判定／目標値決定部３０−ｊは、（数３）に従って、パワー加算値δを求める（Ｓ１１０）。 The determination / target value determination unit 30-j obtains the power addition value δ according to (Equation 3) (S110).
（数３）δ＝Ｐａ／（ｎ−ｍ） (Equation 3) δ = Pa / (nm)
ここで、ｍは高温素子数であり、判定／目標値決定部３０−１〜３０−ｎのうち、ステップＳ１０１においてモニタ温度Ｔｊが温度閾値Ｔｓよりも大きいと判定されたものの個数である。すなわち、高温素子数ｍは、高温であると判定されたレーザダイオードの個数を示す。一方、ｎ−ｍは低温素子数であり、判定／目標値決定部３０−１〜３０−ｎのうち、ステップＳ１０１においてモニタ温度Ｔｊが温度閾値Ｔｓ以下であると判定されたものの個数である。すなわち、低温素子数ｎ−ｍは、低温であると判定されたレーザダイオードの個数を示す。 Here, m is the number of high-temperature elements, and is the number of determination / target value determination units 30-1 to 30-n for which the monitor temperature Tj is determined to be larger than the temperature threshold value Ts in step S101. That is, the number of high-temperature elements m indicates the number of laser diodes determined to be high-temperature. On the other hand, nm is the number of low temperature elements, which is the number of determination / target value determination units 30-1 to 30-n for which the monitor temperature Tj is determined to be equal to or less than the temperature threshold Ts in step S101. That is, the number of low temperature elements nm indicates the number of laser diodes determined to be low temperature.
判定／目標値決定部３０−ｊは、（数４）に従って出力目標値Ｐｊを求め、制御値決定部３４−ｊに出力する（Ｓ１１１）。 The determination / target value determination unit 30-j obtains the output target value Pj according to (Equation 4) and outputs the output target value Pj to the control value determination unit 34-j (S111).
（数４）Ｐｊ＝Ｐａ＋δ (Equation 4) Pj = Pa + δ
制御値決定部３４−ｊは、出力目標値ＰｊとモニタパワーＭｊとの差異に基づいて制御値Ｃｊを求め（Ｓ１０５）、制御値Ｃｊをドライバ１６に出力する（Ｓ１０６）。ドライバ１６は、制御値Ｃｊに従いレーザダイオード１８−ｊが出力する光のパワーが、出力目標値Ｐｊに近付き、または一致するように、トランジスタ２０−ｊのコレクタに流れる電流を調整する。
The control value determining unit 34-j obtains the control value Cj based on the difference between the output target value Pj and the monitor power Mj (S105), and outputs the control value Cj to the driver 16 (S106). The
このように、判定／目標値決定部３０−ｊは、モニタ温度Ｔｊが温度閾値Ｔｓを超えるときは、パワー減算値Δｊ＝Ｋｊ・Ｐａを加算合計部３２に出力すると共に、出力目標値Ｐｊ＝Ｐａ−Δｊを制御値決定部３４−ｊに出力する。一方、モニタ温度Ｔｊが温度閾値Ｔｓ以下であるときは、判定／目標値決定部３０−ｊは、パワー減算値Δｊ＝０を加算合計部３２に出力する。さらに、他の総ての判定／目標値決定部がパワー減算値を加算合計部３２に出力し、加算合計部３２が総パワー減算値ΔＰを求めた後に、加算合計部３２から総パワー減算値ΔＰを取得し、Ｐｊ＝Ｐａ＋ΔＰ／（ｎ−ｍ）を制御値決定部３４−ｊに出力する。制御値決定部３４−ｊは、出力目標値ＰｊおよびモニタパワーＭｊに基づいて制御値Ｃｊを求め、制御値Ｃｊをドライバ１６に出力する。
In this way, when the monitor temperature Tj exceeds the temperature threshold value Ts, the determination / target value determination unit 30-j outputs the power subtraction value Δj = Kj · Pa to the addition
このような処理によれば、高温と判定されたレーザダイオード１８−ｊに対する出力目標値Ｐｊは、合計出力目標値Ｐのｎ分の１である個別目標値ＰａからＫｊ・Ｐａだけ減少する。そして、ドライバ１６の制御によって、レーザダイオード１８−ｊが発する光のパワーは、個別目標値ＰａからＫｊ・Ｐａだけ減少する。
According to such processing, the output target value Pj for the laser diode 18-j determined to have a high temperature is reduced by Kj · Pa from the individual target value Pa which is 1/1 n of the total output target value P. Then, by the control of the
一方、低温と判定されたレーザダイオード１８−ｋに対する出力目標値は、個別目標値Ｐａに対して、パワー加算値δ＝Ｐａ／（ｎ−ｍ）だけ増加する。そして、ドライバ１６の制御によって、レーザダイオード１８−ｋが発する光のパワーは、Ｐａ／（ｎ−ｍ）だけ増加する。
On the other hand, the output target value for the laser diode 18-k determined to be low temperature increases by the power addition value δ = Pa / (nm) with respect to the individual target value Pa. Then, by the control of the
パワー加算値δは、高温のレーザダイオードのパワー減算値を加算合計したものである。したがって、高温のレーザダイオードが発するパワーが減少した分だけ、低温のレーザダイオードが発するパワーが増加する。そのため、光電源装置が発する光のパワーが合計出力目標値Ｐに維持されると共に、高温のレーザダイオードが発するパワーが減少し、低温のレーザダイオードが発するパワーが増加する。これによって、レーザダイオード１８−１〜１８−ｎの温度が均一となるように、各レーザダイオードが発する光のパワーが制御される。 The power addition value δ is the sum of the power subtraction values of the high temperature laser diode. Therefore, the power generated by the low temperature laser diode increases by the amount that the power generated by the high temperature laser diode decreases. Therefore, the power of the light emitted by the optical power supply device is maintained at the total output target value P, the power emitted by the high temperature laser diode decreases, and the power emitted by the low temperature laser diode increases. As a result, the power of light emitted by each laser diode is controlled so that the temperatures of the laser diodes 18-1 to 18-n become uniform.
次に、条件設定部２４が実行する処理について説明する。条件設定部２４は、温度条件としての温度閾値Ｔｓを求める温度条件設定部としての機能と、出力条件としての合計出力目標値Ｐを求める出力条件設定部としての機能を有している。図４には、条件設定部２４が実行する均一化処理のフローチャートが示されている。均一化処理では、温度閾値Ｔｓを変化させて、高温のレーザダイオードの個数と、低温のレーザダイオードの個数とを近付けることで、複数のレーザダイオードの温度を均一化させる処理である。すなわち、均一化処理では、モニタ温度が温度閾値Ｔｓよりも大きいレーザダイオードの個数と、モニタ温度が温度閾値Ｔｓ以下のレーザダイオードの個数とが近付くように、あるいは一致するように温度閾値Ｔｓを変化させる。
Next, the process executed by the
最初に条件設定部２４は、温度閾値Ｔｓを初期値Ｔ０に設定し、合計出力目標値Ｐを既定値Ｐ０に設定する（Ｓ２０１）。条件設定部は２４、高温素子数ｍが第１閾値ａ以上であるか否かを判定する（Ｓ２０２）。条件設定部２４は、高温素子数ｍが第１閾値ａ以上であると判定したときは、温度閾値Ｔｓに所定の加算値αを加算した値Ｔｓ＋αが、上限値Ｔｍａｘを超えるか否かを判定する（Ｓ２０３）。条件設定部２４は、Ｔｓ＋αが上限値Ｔｍａｘ以下であるときは、温度閾値Ｔｓに加算値αを加算した値Ｔｓ＋αを新たな温度閾値Ｔｓとし（Ｓ２０４）、ステップＳ２０２に戻る。一方、条件設定部２４は、Ｔｓ＋αが上限値Ｔｍａｘよりも大きいときは、合計出力目標値Ｐから減算値βを減算した値Ｐ−βを新たな合計出力目標値Ｐとし（Ｓ２０５）、ステップＳ２０２に戻る。
First, the
ステップＳ２０２〜Ｓ２０５によれば、高温素子数ｍが第１閾値ａ以上であるときは、温度閾値Ｔｓが上限値Ｔｍａｘを超えないことを条件に、温度閾値Ｔｓに加算値αが加算される。温度閾値Ｔｓに加算値αを加算した値が上限値Ｔｍａｘを超えてしまうときは、代わりに合計出力目標値Ｐから減算値βを減算した値が、新たな合計出力目標値Ｐとされる。このように、温度閾値Ｔｓを増加させる処理、または、合計出力目標値Ｐを減少させる処理が繰り返される。これによって高温素子数ｍが小さくなる場合には、高温素子数ｍは第１閾値ａ未満の値に至る。第１閾値ａは、例えば、光電源装置が備えるレーザダイオードの数ｎである。この場合、高温素子数ｍが第１閾値ａ以上であるか否かの判定は、高温素子数ｍがｎであるか否かの判定となる。 According to steps S202 to S205, when the number of high temperature elements m is equal to or higher than the first threshold value a, the added value α is added to the temperature threshold value Ts on condition that the temperature threshold value Ts does not exceed the upper limit value Tmax. When the value obtained by adding the addition value α to the temperature threshold value Ts exceeds the upper limit value Tmax, the value obtained by subtracting the subtraction value β from the total output target value P is set as the new total output target value P. In this way, the process of increasing the temperature threshold value Ts or the process of decreasing the total output target value P is repeated. As a result, when the number of high-temperature elements m becomes small, the number of high-temperature elements m reaches a value less than the first threshold value a. The first threshold value a is, for example, the number n of laser diodes included in the optical power supply device. In this case, the determination as to whether or not the number of high temperature elements m is equal to or greater than the first threshold value is the determination as to whether or not the number of high temperature elements m is n.
条件設定部２４は、ステップ２０２において高温素子数ｍが第１閾値ａ未満であると判定したときは、合計出力目標値Ｐが既定値Ｐ０であるか否かを判定する（Ｓ２０６）。条件設定部２４は、合計出力目標値Ｐが既定値Ｐ０でないと判定したときは、合計出力目標値Ｐを既定値Ｐ０に設定し（Ｓ２０９）、ステップＳ２０２に戻る。
When the
合計出力目標値Ｐが既定値Ｐ０でないときは、先に実行されたステップＳ２０５によって合計出力目標値Ｐが小さくなり、これによって高温素子数ｍが第１閾値ａ未満の値に至り、ステップＳ２０６に至った可能性が高い。合計出力目標値Ｐを既定値Ｐ０に再び設定することにより、合計出力目標値Ｐを減少させる処理が実行され、再び、高温素子数ｍが第１閾値ａ未満の値となってステップＳ２０９に至るという処理が繰り返される可能性が高い。 When the total output target value P is not the default value P0, the total output target value P becomes smaller by the previously executed step S205, whereby the number of high temperature elements m reaches a value less than the first threshold value a, and in step S206. It is highly possible that it was reached. By resetting the total output target value P to the default value P0, the process of reducing the total output target value P is executed, and the number of high temperature elements m becomes less than the first threshold value a again to reach step S209. There is a high possibility that the process will be repeated.
条件設定部２４は、合計出力目標値Ｐが既定値Ｐ０であると判定したときは、高温素子数ｍが第２閾値ｂ以下であるか否かを判定する（Ｓ２０７）。条件設定部２４は、高温素子数ｍが第２閾値ｂ以下であると判定したときは、温度閾値Ｔｓから減算値γを減算した値を新たな温度閾値Ｔｓとし（Ｓ２０８）、ステップＳ２０７に戻る。
When the
一方、条件設定部２４は、高温素子数ｍが第２閾値ｂよりも大きいと判定したときは、ステップＳ２０２に戻る。
On the other hand, when the
ステップＳ２０７およびステップＳ２０８によれば、高温素子数ｍが第２閾値ｂ以下であるという条件の下で、温度閾値Ｔｓを減少させる処理が繰り返される。温度閾値Ｔｓが小さくなることで高温素子数ｍは大きくなるため、高温素子数ｍは第２閾値ｂより大きい値に至り、条件設定部２４の処理は、ステップＳ２０２に至る。第２閾値ｂは、例えば０である。この場合、高温素子数ｍが第２閾値ｂ以下であるか否かの判定は、高温素子数ｍが０であるか否かの判定となる。
According to step S207 and step S208, the process of reducing the temperature threshold value Ts is repeated under the condition that the number of high temperature elements m is equal to or less than the second threshold value b. Since the number of high-temperature elements m increases as the temperature threshold value Ts decreases, the number of high-temperature elements m reaches a value larger than the second threshold value b, and the processing of the
このような均一化処理によれば、温度閾値Ｔｓが上限値に至らず合計出力目標値Ｐが一定であるという条件の下で、高温素子数ｍが第２閾値ｂより大きく、第１閾値ａ未満となる状態に温度閾値Ｔｓが収束する。これによって、光電源装置が発する光のパワーを一定としながら、ｎ個のレーザダイオードの温度を均一にすることができる。そのため、特定のレーザダイオードが高温になって寿命が短縮してしまうこと回避される。 According to such a homogenization process, the number of high temperature elements m is larger than the second threshold value b and the first threshold value a is provided under the condition that the temperature threshold value Ts does not reach the upper limit value and the total output target value P is constant. The temperature threshold Ts converges to a state where it becomes less than. As a result, the temperature of the n laser diodes can be made uniform while the power of the light emitted by the optical power supply device is kept constant. Therefore, it is avoided that the specific laser diode becomes hot and its life is shortened.
なお、温度閾値Ｔｓを増加させる過程において温度閾値Ｔｓが上限値を超えてしまう場合には（Ｓ２０３）、合計出力目標値Ｐを既定値Ｐ０よりも小さくし、各レーザダイオードの温度を下げて、高温素子数ｍを減らす処理（Ｓ２０５）、および合計出力目標値Ｐを既定値に戻す処理（Ｓ２０９）が繰り返される。これによって、各レーザダイオードの温度が上限値Ｔｍａｘを超えないような制御が行われ、各レーザダイオードの寿命の短縮が回避される。 If the temperature threshold Ts exceeds the upper limit in the process of increasing the temperature threshold Ts (S203), the total output target value P is made smaller than the default value P0, and the temperature of each laser diode is lowered. The process of reducing the number of high-temperature elements m (S205) and the process of returning the total output target value P to the default value (S209) are repeated. As a result, control is performed so that the temperature of each laser diode does not exceed the upper limit value Tmax, and shortening of the life of each laser diode is avoided.
上記では、レーザ半導体素子（半導体レーザ）として、レーザダイオードが用いられる実施形態について説明した。レーザ半導体素子としては、レーザとして機能するその他の半導体素子が用いられてもよい。 In the above, an embodiment in which a laser diode is used as a laser semiconductor element (semiconductor laser) has been described. As the laser semiconductor element, another semiconductor element that functions as a laser may be used.
１０ 発光部、１２ モニタ部、１４ 制御部、１６ ドライバ、１８−１〜１８−ｎ レーザダイオード、２０−１〜２０−ｎ トランジスタ、２２ 電源部、２４ 条件設定部、２６ １／ｎ倍器、２８ 目標値演算部、３０−１〜３０−ｎ 判定／目標値決定部、３２ 加算合計部、３４−１〜３４−ｎ 制御値決定部。
10 light emitting unit, 12 monitor unit, 14 control unit, 16 driver, 18-1 to 18-n laser diode, 20-1 to 20-n transistor, 22 power supply unit, 24 condition setting unit, 26 1 / n multiplier, 28 Target value calculation unit, 30-1 to 30-n determination / target value determination unit, 32 addition total unit, 34-1 to 34-n control value determination unit.
Claims (5)
各前記レーザ半導体素子について得られた各モニタ温度と、所定の温度閾値との比較に基づいて、各前記レーザ半導体素子が低温であるか高温であるかを判定する判定部と、
複数の前記レーザ半導体素子に対する合計出力目標値が一定であるという条件の下で、高温であると判定された前記レーザ半導体素子に対する出力目標値を減少させ、低温であると判定された前記レーザ半導体素子に対する出力目標値を増加させる目標値決定部と、
各前記レーザ半導体素子に対して決定された出力目標値に基づいて、各前記レーザ半導体素子を制御するドライバと、を備え、
高温であると判定された前記レーザ半導体素子の数が所定値以下であるときに、前記温度閾値を減少させる温度条件設定部、を備えることを特徴とするレーザ制御装置。 A monitor unit that monitors the temperature of each of multiple laser semiconductor elements,
A determination unit for determining whether each of the laser semiconductor elements has a low temperature or a high temperature based on a comparison between each monitor temperature obtained for each of the laser semiconductor elements and a predetermined temperature threshold value.
Under the condition that the total output target value for the plurality of laser semiconductor elements is constant, the output target value for the laser semiconductor element determined to be high temperature is reduced, and the laser semiconductor determined to be low temperature is reduced. A target value determination unit that increases the output target value for the element,
A driver for controlling each laser semiconductor element based on an output target value determined for each laser semiconductor element is provided .
When the number of the laser semiconductor element determined to be a high temperature it is less than a predetermined value, laser control apparatus according to claim Rukoto includes a temperature condition setting unit, which reduces the temperature threshold.
各前記レーザ半導体素子について得られた各モニタ温度と、所定の温度閾値との比較に基づいて、各前記レーザ半導体素子が低温であるか高温であるかを判定する判定部と、
複数の前記レーザ半導体素子に対する合計出力目標値が一定であるという条件の下で、高温であると判定された前記レーザ半導体素子に対する出力目標値を減少させ、低温であると判定された前記レーザ半導体素子に対する出力目標値を増加させる目標値決定部と、
各前記レーザ半導体素子に対して決定された出力目標値に基づいて、各前記レーザ半導体素子を制御するドライバと、を備え、
高温であると判定された前記レーザ半導体素子の数が所定値以上であるときに、前記温度閾値を増加させる温度条件設定部、を備えることを特徴とするレーザ制御装置。 A monitor unit that monitors the temperature of each of multiple laser semiconductor elements,
A determination unit for determining whether each of the laser semiconductor elements is low temperature or high temperature based on a comparison between each monitor temperature obtained for each of the laser semiconductor elements and a predetermined temperature threshold value.
Under the condition that the total output target value for the plurality of laser semiconductor elements is constant, the output target value for the laser semiconductor element determined to be high temperature is reduced, and the laser semiconductor determined to be low temperature is reduced. A target value determination unit that increases the output target value for the element,
A driver for controlling each laser semiconductor element based on an output target value determined for each laser semiconductor element is provided.
A laser control device including a temperature condition setting unit that increases the temperature threshold value when the number of the laser semiconductor elements determined to be high temperature is equal to or higher than a predetermined value.
前記温度条件設定部は、
高温であると判定された前記レーザ半導体素子の数が第２の所定値以下であるときに、前記温度閾値を減少させることを特徴とするレーザ制御装置。 In the laser control device according to claim 2 ,
The temperature condition setting unit
When the number of the laser semiconductor device is determined to be Atsushi Ko is not more than a second predetermined value, the laser control device characterized by decreasing the temperature threshold.
前記温度条件設定部によって増加させた前記温度閾値が上限値に至り、かつ、高温であると判定された前記レーザ半導体素子の数が前記所定値以上であるときに、前記合計出力目標値を既定値から減少させる出力条件設定部、を備えることを特徴とするレーザ制御装置。 In the laser control device according to claim 2 or 3 .
When the temperature threshold value increased by the temperature condition setting unit reaches the upper limit value and the number of the laser semiconductor elements determined to be high temperature is equal to or more than the predetermined value, the total output target value is set as the default value. A laser control device including an output condition setting unit that reduces the value.
前記出力条件設定部は、
前記合計出力目標値を減少させた後に、高温であると判定された前記レーザ半導体素子の数が前記所定値未満となったときに、前記合計出力目標値を前記既定値とすることを特徴とするレーザ制御装置。 In the laser control device according to claim 4 ,
The output condition setting unit
After reducing the total output target value, when the number of the laser semiconductor elements determined to be high temperature becomes less than the predetermined value, the total output target value is set to the default value. Laser control device.
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