JP6721856B2 - 圧電素子の製造方法 - Google Patents
圧電素子の製造方法 Download PDFInfo
- Publication number
- JP6721856B2 JP6721856B2 JP2015157626A JP2015157626A JP6721856B2 JP 6721856 B2 JP6721856 B2 JP 6721856B2 JP 2015157626 A JP2015157626 A JP 2015157626A JP 2015157626 A JP2015157626 A JP 2015157626A JP 6721856 B2 JP6721856 B2 JP 6721856B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- layer
- electrode
- piezoelectric
- piezoelectric layer
- plane
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Active
Links
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 title claims description 16
- BASFCYQUMIYNBI-UHFFFAOYSA-N platinum Chemical compound [Pt] BASFCYQUMIYNBI-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 74
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims description 73
- 238000000034 method Methods 0.000 claims description 42
- 239000013078 crystal Substances 0.000 claims description 40
- 229910052697 platinum Inorganic materials 0.000 claims description 33
- 238000004544 sputter deposition Methods 0.000 claims description 16
- 239000007791 liquid phase Substances 0.000 claims description 10
- 239000010408 film Substances 0.000 description 69
- 239000010936 titanium Substances 0.000 description 36
- XEEYBQQBJWHFJM-UHFFFAOYSA-N Iron Chemical compound [Fe] XEEYBQQBJWHFJM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 34
- 239000000243 solution Substances 0.000 description 30
- 239000002243 precursor Substances 0.000 description 28
- 229910052719 titanium Inorganic materials 0.000 description 26
- 239000000463 material Substances 0.000 description 21
- 229910052742 iron Inorganic materials 0.000 description 20
- 230000000052 comparative effect Effects 0.000 description 16
- 239000007788 liquid Substances 0.000 description 16
- 150000004696 coordination complex Chemical class 0.000 description 15
- 238000006073 displacement reaction Methods 0.000 description 13
- 238000010304 firing Methods 0.000 description 13
- 238000004891 communication Methods 0.000 description 12
- TVMXDCGIABBOFY-UHFFFAOYSA-N octane Chemical compound CCCCCCCC TVMXDCGIABBOFY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 12
- RTAQQCXQSZGOHL-UHFFFAOYSA-N Titanium Chemical compound [Ti] RTAQQCXQSZGOHL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 11
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 11
- 229910052797 bismuth Inorganic materials 0.000 description 11
- 238000000576 coating method Methods 0.000 description 11
- 238000002441 X-ray diffraction Methods 0.000 description 10
- 239000011248 coating agent Substances 0.000 description 10
- 230000001681 protective effect Effects 0.000 description 10
- 238000005238 degreasing Methods 0.000 description 9
- OGIDPMRJRNCKJF-UHFFFAOYSA-N titanium oxide Inorganic materials [Ti]=O OGIDPMRJRNCKJF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 9
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N Silicium dioxide Chemical compound O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 8
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 8
- 239000011572 manganese Substances 0.000 description 8
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 8
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 8
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 8
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 8
- QTBSBXVTEAMEQO-UHFFFAOYSA-N acetic acid Substances CC(O)=O QTBSBXVTEAMEQO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 7
- 239000012212 insulator Substances 0.000 description 7
- LYCAIKOWRPUZTN-UHFFFAOYSA-N Ethylene glycol Chemical compound OCCO LYCAIKOWRPUZTN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- DNIAPMSPPWPWGF-UHFFFAOYSA-N Propylene glycol Chemical compound CC(O)CO DNIAPMSPPWPWGF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- YXFVVABEGXRONW-UHFFFAOYSA-N Toluene Chemical compound CC1=CC=CC=C1 YXFVVABEGXRONW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- JCXGWMGPZLAOME-UHFFFAOYSA-N bismuth atom Chemical compound [Bi] JCXGWMGPZLAOME-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- GWEVSGVZZGPLCZ-UHFFFAOYSA-N Titan oxide Chemical compound O=[Ti]=O GWEVSGVZZGPLCZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 5
- QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N atomic oxygen Chemical compound [O] QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 5
- 238000001035 drying Methods 0.000 description 5
- 229910052748 manganese Inorganic materials 0.000 description 5
- 239000001301 oxygen Substances 0.000 description 5
- 229910052760 oxygen Inorganic materials 0.000 description 5
- 238000000059 patterning Methods 0.000 description 5
- 229910052726 zirconium Inorganic materials 0.000 description 5
- KBPLFHHGFOOTCA-UHFFFAOYSA-N 1-Octanol Chemical compound CCCCCCCCO KBPLFHHGFOOTCA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- LRHPLDYGYMQRHN-UHFFFAOYSA-N N-Butanol Chemical compound CCCCO LRHPLDYGYMQRHN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- AMQJEAYHLZJPGS-UHFFFAOYSA-N N-Pentanol Chemical compound CCCCCO AMQJEAYHLZJPGS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- WYURNTSHIVDZCO-UHFFFAOYSA-N Tetrahydrofuran Chemical compound C1CCOC1 WYURNTSHIVDZCO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- QCWXUUIWCKQGHC-UHFFFAOYSA-N Zirconium Chemical compound [Zr] QCWXUUIWCKQGHC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 239000011651 chromium Substances 0.000 description 4
- 239000002131 composite material Substances 0.000 description 4
- DIOQZVSQGTUSAI-UHFFFAOYSA-N decane Chemical compound CCCCCCCCCC DIOQZVSQGTUSAI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 230000006870 function Effects 0.000 description 4
- 239000010931 gold Substances 0.000 description 4
- ZSIAUFGUXNUGDI-UHFFFAOYSA-N hexan-1-ol Chemical compound CCCCCCO ZSIAUFGUXNUGDI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 229910052746 lanthanum Inorganic materials 0.000 description 4
- RVTZCBVAJQQJTK-UHFFFAOYSA-N oxygen(2-);zirconium(4+) Chemical compound [O-2].[O-2].[Zr+4] RVTZCBVAJQQJTK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 238000004549 pulsed laser deposition Methods 0.000 description 4
- 238000004151 rapid thermal annealing Methods 0.000 description 4
- 239000002994 raw material Substances 0.000 description 4
- 239000000377 silicon dioxide Substances 0.000 description 4
- 235000012239 silicon dioxide Nutrition 0.000 description 4
- 239000011734 sodium Substances 0.000 description 4
- 229910001928 zirconium oxide Inorganic materials 0.000 description 4
- NJLQUTOLTXWLBV-UHFFFAOYSA-N 2-ethylhexanoic acid titanium Chemical compound [Ti].CCCCC(CC)C(O)=O.CCCCC(CC)C(O)=O.CCCCC(CC)C(O)=O.CCCCC(CC)C(O)=O NJLQUTOLTXWLBV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- KDLHZDBZIXYQEI-UHFFFAOYSA-N Palladium Chemical compound [Pd] KDLHZDBZIXYQEI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 239000000853 adhesive Substances 0.000 description 3
- 230000001070 adhesive effect Effects 0.000 description 3
- NUMHJBONQMZPBW-UHFFFAOYSA-K bis(2-ethylhexanoyloxy)bismuthanyl 2-ethylhexanoate Chemical compound [Bi+3].CCCCC(CC)C([O-])=O.CCCCC(CC)C([O-])=O.CCCCC(CC)C([O-])=O NUMHJBONQMZPBW-UHFFFAOYSA-K 0.000 description 3
- -1 but may be SOI Substances 0.000 description 3
- 229910052804 chromium Inorganic materials 0.000 description 3
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 description 3
- 239000000203 mixture Substances 0.000 description 3
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 description 3
- 238000005192 partition Methods 0.000 description 3
- 238000000206 photolithography Methods 0.000 description 3
- 238000002360 preparation method Methods 0.000 description 3
- 229910052708 sodium Inorganic materials 0.000 description 3
- SMSVUYQRWYTTLI-UHFFFAOYSA-L 2-ethylhexanoate;iron(2+) Chemical compound [Fe+2].CCCCC(CC)C([O-])=O.CCCCC(CC)C([O-])=O SMSVUYQRWYTTLI-UHFFFAOYSA-L 0.000 description 2
- FHRAKXJVEOBCBQ-UHFFFAOYSA-L 2-ethylhexanoate;manganese(2+) Chemical compound [Mn+2].CCCCC(CC)C([O-])=O.CCCCC(CC)C([O-])=O FHRAKXJVEOBCBQ-UHFFFAOYSA-L 0.000 description 2
- XDTMQSROBMDMFD-UHFFFAOYSA-N Cyclohexane Chemical compound C1CCCCC1 XDTMQSROBMDMFD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- CTQNGGLPUBDAKN-UHFFFAOYSA-N O-Xylene Chemical compound CC1=CC=CC=C1C CTQNGGLPUBDAKN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910052581 Si3N4 Inorganic materials 0.000 description 2
- 229910004298 SiO 2 Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000000443 aerosol Substances 0.000 description 2
- 150000004703 alkoxides Chemical class 0.000 description 2
- VJFFDDQGMMQGTQ-UHFFFAOYSA-L barium(2+);2-ethylhexanoate Chemical compound [Ba+2].CCCCC(CC)C([O-])=O.CCCCC(CC)C([O-])=O VJFFDDQGMMQGTQ-UHFFFAOYSA-L 0.000 description 2
- 229910002115 bismuth titanate Inorganic materials 0.000 description 2
- 238000005229 chemical vapour deposition Methods 0.000 description 2
- 238000000151 deposition Methods 0.000 description 2
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 2
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 2
- 230000007613 environmental effect Effects 0.000 description 2
- 238000005530 etching Methods 0.000 description 2
- PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N gold Chemical compound [Au] PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910052737 gold Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000011261 inert gas Substances 0.000 description 2
- 229910052741 iridium Inorganic materials 0.000 description 2
- GKOZUEZYRPOHIO-UHFFFAOYSA-N iridium atom Chemical compound [Ir] GKOZUEZYRPOHIO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- FZLIPJUXYLNCLC-UHFFFAOYSA-N lanthanum atom Chemical compound [La] FZLIPJUXYLNCLC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 238000000608 laser ablation Methods 0.000 description 2
- 229910052451 lead zirconate titanate Inorganic materials 0.000 description 2
- HFGPZNIAWCZYJU-UHFFFAOYSA-N lead zirconate titanate Chemical compound [O-2].[O-2].[O-2].[O-2].[O-2].[Ti+4].[Zr+4].[Pb+2] HFGPZNIAWCZYJU-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910052744 lithium Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000007769 metal material Substances 0.000 description 2
- 239000010955 niobium Substances 0.000 description 2
- WWZKQHOCKIZLMA-UHFFFAOYSA-N octanoic acid Chemical compound CCCCCCCC(O)=O WWZKQHOCKIZLMA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000003960 organic solvent Substances 0.000 description 2
- 150000002902 organometallic compounds Chemical class 0.000 description 2
- 229910052700 potassium Inorganic materials 0.000 description 2
- BDERNNFJNOPAEC-UHFFFAOYSA-N propan-1-ol Chemical compound CCCO BDERNNFJNOPAEC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 238000007789 sealing Methods 0.000 description 2
- HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N silicon nitride Chemical compound N12[Si]34N5[Si]62N3[Si]51N64 HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000002904 solvent Substances 0.000 description 2
- 238000004528 spin coating Methods 0.000 description 2
- YLQBMQCUIZJEEH-UHFFFAOYSA-N tetrahydrofuran Natural products C=1C=COC=1 YLQBMQCUIZJEEH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000010409 thin film Substances 0.000 description 2
- 239000012808 vapor phase Substances 0.000 description 2
- 239000008096 xylene Substances 0.000 description 2
- OBETXYAYXDNJHR-SSDOTTSWSA-M (2r)-2-ethylhexanoate Chemical compound CCCC[C@@H](CC)C([O-])=O OBETXYAYXDNJHR-SSDOTTSWSA-M 0.000 description 1
- QYIGOGBGVKONDY-UHFFFAOYSA-N 1-(2-bromo-5-chlorophenyl)-3-methylpyrazole Chemical compound N1=C(C)C=CN1C1=CC(Cl)=CC=C1Br QYIGOGBGVKONDY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- VYZAMTAEIAYCRO-UHFFFAOYSA-N Chromium Chemical compound [Cr] VYZAMTAEIAYCRO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000000018 DNA microarray Methods 0.000 description 1
- ZLMJMSJWJFRBEC-UHFFFAOYSA-N Potassium Chemical compound [K] ZLMJMSJWJFRBEC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- YPQJHZKJHIBJAP-UHFFFAOYSA-N [K].[Bi] Chemical compound [K].[Bi] YPQJHZKJHIBJAP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- UTBYQPSPFXHANA-UHFFFAOYSA-N [K].[Na].[Li] Chemical compound [K].[Na].[Li] UTBYQPSPFXHANA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- INNSZZHSFSFSGS-UHFFFAOYSA-N acetic acid;titanium Chemical compound [Ti].CC(O)=O.CC(O)=O.CC(O)=O.CC(O)=O INNSZZHSFSFSGS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000012670 alkaline solution Substances 0.000 description 1
- OBETXYAYXDNJHR-UHFFFAOYSA-N alpha-ethylcaproic acid Natural products CCCCC(CC)C(O)=O OBETXYAYXDNJHR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052788 barium Inorganic materials 0.000 description 1
- ITHZDDVSAWDQPZ-UHFFFAOYSA-L barium acetate Chemical compound [Ba+2].CC([O-])=O.CC([O-])=O ITHZDDVSAWDQPZ-UHFFFAOYSA-L 0.000 description 1
- DSAJWYNOEDNPEQ-UHFFFAOYSA-N barium atom Chemical compound [Ba] DSAJWYNOEDNPEQ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- JRPBQTZRNDNNOP-UHFFFAOYSA-N barium titanate Chemical compound [Ba+2].[Ba+2].[O-][Ti]([O-])([O-])[O-] JRPBQTZRNDNNOP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910002113 barium titanate Inorganic materials 0.000 description 1
- DJHZYHWLGNJISM-FDGPNNRMSA-L barium(2+);(z)-4-oxopent-2-en-2-olate Chemical compound [Ba+2].C\C([O-])=C\C(C)=O.C\C([O-])=C\C(C)=O DJHZYHWLGNJISM-FDGPNNRMSA-L 0.000 description 1
- CPUJSIVIXCTVEI-UHFFFAOYSA-N barium(2+);propan-2-olate Chemical compound [Ba+2].CC(C)[O-].CC(C)[O-] CPUJSIVIXCTVEI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- FSAJRXGMUISOIW-UHFFFAOYSA-N bismuth sodium Chemical compound [Na].[Bi] FSAJRXGMUISOIW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000000903 blocking effect Effects 0.000 description 1
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 description 1
- NPCUWXDZFXSRLT-UHFFFAOYSA-N chromium;2-ethylhexanoic acid Chemical compound [Cr].CCCCC(CC)C(O)=O NPCUWXDZFXSRLT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910017052 cobalt Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010941 cobalt Substances 0.000 description 1
- GUTLYIVDDKVIGB-UHFFFAOYSA-N cobalt atom Chemical compound [Co] GUTLYIVDDKVIGB-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- QAEKNCDIHIGLFI-UHFFFAOYSA-L cobalt(2+);2-ethylhexanoate Chemical compound [Co+2].CCCCC(CC)C([O-])=O.CCCCC(CC)C([O-])=O QAEKNCDIHIGLFI-UHFFFAOYSA-L 0.000 description 1
- JUPWRUDTZGBNEX-UHFFFAOYSA-N cobalt;pentane-2,4-dione Chemical compound [Co].CC(=O)CC(C)=O.CC(=O)CC(C)=O.CC(=O)CC(C)=O JUPWRUDTZGBNEX-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000000354 decomposition reaction Methods 0.000 description 1
- 230000007423 decrease Effects 0.000 description 1
- 230000003247 decreasing effect Effects 0.000 description 1
- KTMLBHVBHVXWKQ-UHFFFAOYSA-N dibismuth dioxido(dioxo)manganese Chemical compound [Bi+3].[Bi+3].[O-][Mn]([O-])(=O)=O.[O-][Mn]([O-])(=O)=O.[O-][Mn]([O-])(=O)=O KTMLBHVBHVXWKQ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 125000005594 diketone group Chemical group 0.000 description 1
- 238000010790 dilution Methods 0.000 description 1
- 239000012895 dilution Substances 0.000 description 1
- NKZSPGSOXYXWQA-UHFFFAOYSA-N dioxido(oxo)titanium;lead(2+) Chemical compound [Pb+2].[O-][Ti]([O-])=O NKZSPGSOXYXWQA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000007772 electrode material Substances 0.000 description 1
- 239000011521 glass Substances 0.000 description 1
- PVFSDGKDKFSOTB-UHFFFAOYSA-K iron(3+);triacetate Chemical compound [Fe+3].CC([O-])=O.CC([O-])=O.CC([O-])=O PVFSDGKDKFSOTB-UHFFFAOYSA-K 0.000 description 1
- LZKLAOYSENRNKR-LNTINUHCSA-N iron;(z)-4-oxoniumylidenepent-2-en-2-olate Chemical compound [Fe].C\C(O)=C\C(C)=O.C\C(O)=C\C(C)=O.C\C(O)=C\C(C)=O LZKLAOYSENRNKR-LNTINUHCSA-N 0.000 description 1
- 238000010030 laminating Methods 0.000 description 1
- RVLXVXJAKUJOMY-UHFFFAOYSA-N lanthanum;oxonickel Chemical compound [La].[Ni]=O RVLXVXJAKUJOMY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052745 lead Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000004973 liquid crystal related substance Substances 0.000 description 1
- MVDSPIQMADQKKM-UHFFFAOYSA-N lithium potassium sodium Chemical compound [Li+].[Na+].[K+] MVDSPIQMADQKKM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000011777 magnesium Substances 0.000 description 1
- 239000000395 magnesium oxide Substances 0.000 description 1
- CPLXHLVBOLITMK-UHFFFAOYSA-N magnesium oxide Inorganic materials [Mg]=O CPLXHLVBOLITMK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- AXZKOIWUVFPNLO-UHFFFAOYSA-N magnesium;oxygen(2-) Chemical compound [O-2].[Mg+2] AXZKOIWUVFPNLO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229940071125 manganese acetate Drugs 0.000 description 1
- UOGMEBQRZBEZQT-UHFFFAOYSA-L manganese(2+);diacetate Chemical compound [Mn+2].CC([O-])=O.CC([O-])=O UOGMEBQRZBEZQT-UHFFFAOYSA-L 0.000 description 1
- WPBNNNQJVZRUHP-UHFFFAOYSA-L manganese(2+);methyl n-[[2-(methoxycarbonylcarbamothioylamino)phenyl]carbamothioyl]carbamate;n-[2-(sulfidocarbothioylamino)ethyl]carbamodithioate Chemical compound [Mn+2].[S-]C(=S)NCCNC([S-])=S.COC(=O)NC(=S)NC1=CC=CC=C1NC(=S)NC(=O)OC WPBNNNQJVZRUHP-UHFFFAOYSA-L 0.000 description 1
- 238000005259 measurement Methods 0.000 description 1
- 229910044991 metal oxide Inorganic materials 0.000 description 1
- 150000004706 metal oxides Chemical class 0.000 description 1
- 238000002156 mixing Methods 0.000 description 1
- 229910021421 monocrystalline silicon Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910000480 nickel oxide Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052758 niobium Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910000484 niobium oxide Inorganic materials 0.000 description 1
- URLJKFSTXLNXLG-UHFFFAOYSA-N niobium(5+);oxygen(2-) Chemical compound [O-2].[O-2].[O-2].[O-2].[O-2].[Nb+5].[Nb+5] URLJKFSTXLNXLG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910000510 noble metal Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000003647 oxidation Effects 0.000 description 1
- 238000007254 oxidation reaction Methods 0.000 description 1
- 230000001590 oxidative effect Effects 0.000 description 1
- ZBSCCQXBYNSKPV-UHFFFAOYSA-N oxolead;oxomagnesium;2,4,5-trioxa-1$l^{5},3$l^{5}-diniobabicyclo[1.1.1]pentane 1,3-dioxide Chemical compound [Mg]=O.[Pb]=O.[Pb]=O.[Pb]=O.O1[Nb]2(=O)O[Nb]1(=O)O2 ZBSCCQXBYNSKPV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- GNRSAWUEBMWBQH-UHFFFAOYSA-N oxonickel Chemical compound [Ni]=O GNRSAWUEBMWBQH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052763 palladium Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000002093 peripheral effect Effects 0.000 description 1
- 239000004038 photonic crystal Substances 0.000 description 1
- BITYAPCSNKJESK-UHFFFAOYSA-N potassiosodium Chemical compound [Na].[K] BITYAPCSNKJESK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000011591 potassium Substances 0.000 description 1
- 238000007639 printing Methods 0.000 description 1
- 239000002096 quantum dot Substances 0.000 description 1
- 238000003980 solgel method Methods 0.000 description 1
- 238000010532 solid phase synthesis reaction Methods 0.000 description 1
- 239000000126 substance Substances 0.000 description 1
- 229910052715 tantalum Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000007740 vapor deposition Methods 0.000 description 1
- 238000003466 welding Methods 0.000 description 1
- 238000001039 wet etching Methods 0.000 description 1
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10N—ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10N30/00—Piezoelectric or electrostrictive devices
- H10N30/704—Piezoelectric or electrostrictive devices based on piezoelectric or electrostrictive films or coatings
-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B41—PRINTING; LINING MACHINES; TYPEWRITERS; STAMPS
- B41J—TYPEWRITERS; SELECTIVE PRINTING MECHANISMS, i.e. MECHANISMS PRINTING OTHERWISE THAN FROM A FORME; CORRECTION OF TYPOGRAPHICAL ERRORS
- B41J2/00—Typewriters or selective printing mechanisms characterised by the printing or marking process for which they are designed
- B41J2/005—Typewriters or selective printing mechanisms characterised by the printing or marking process for which they are designed characterised by bringing liquid or particles selectively into contact with a printing material
- B41J2/01—Ink jet
- B41J2/135—Nozzles
- B41J2/14—Structure thereof only for on-demand ink jet heads
- B41J2/14201—Structure of print heads with piezoelectric elements
-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B41—PRINTING; LINING MACHINES; TYPEWRITERS; STAMPS
- B41J—TYPEWRITERS; SELECTIVE PRINTING MECHANISMS, i.e. MECHANISMS PRINTING OTHERWISE THAN FROM A FORME; CORRECTION OF TYPOGRAPHICAL ERRORS
- B41J2/00—Typewriters or selective printing mechanisms characterised by the printing or marking process for which they are designed
- B41J2/005—Typewriters or selective printing mechanisms characterised by the printing or marking process for which they are designed characterised by bringing liquid or particles selectively into contact with a printing material
- B41J2/01—Ink jet
- B41J2/135—Nozzles
- B41J2/14—Structure thereof only for on-demand ink jet heads
- B41J2/14201—Structure of print heads with piezoelectric elements
- B41J2/14233—Structure of print heads with piezoelectric elements of film type, deformed by bending and disposed on a diaphragm
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10N—ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10N30/00—Piezoelectric or electrostrictive devices
- H10N30/01—Manufacture or treatment
- H10N30/05—Manufacture of multilayered piezoelectric or electrostrictive devices, or parts thereof, e.g. by stacking piezoelectric bodies and electrodes
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10N—ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10N30/00—Piezoelectric or electrostrictive devices
- H10N30/01—Manufacture or treatment
- H10N30/06—Forming electrodes or interconnections, e.g. leads or terminals
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10N—ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10N30/00—Piezoelectric or electrostrictive devices
- H10N30/01—Manufacture or treatment
- H10N30/06—Forming electrodes or interconnections, e.g. leads or terminals
- H10N30/067—Forming single-layered electrodes of multilayered piezoelectric or electrostrictive parts
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10N—ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10N30/00—Piezoelectric or electrostrictive devices
- H10N30/01—Manufacture or treatment
- H10N30/07—Forming of piezoelectric or electrostrictive parts or bodies on an electrical element or another base
- H10N30/074—Forming of piezoelectric or electrostrictive parts or bodies on an electrical element or another base by depositing piezoelectric or electrostrictive layers, e.g. aerosol or screen printing
- H10N30/077—Forming of piezoelectric or electrostrictive parts or bodies on an electrical element or another base by depositing piezoelectric or electrostrictive layers, e.g. aerosol or screen printing by liquid phase deposition
- H10N30/078—Forming of piezoelectric or electrostrictive parts or bodies on an electrical element or another base by depositing piezoelectric or electrostrictive layers, e.g. aerosol or screen printing by liquid phase deposition by sol-gel deposition
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10N—ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10N30/00—Piezoelectric or electrostrictive devices
- H10N30/20—Piezoelectric or electrostrictive devices with electrical input and mechanical output, e.g. functioning as actuators or vibrators
- H10N30/204—Piezoelectric or electrostrictive devices with electrical input and mechanical output, e.g. functioning as actuators or vibrators using bending displacement, e.g. unimorph, bimorph or multimorph cantilever or membrane benders
- H10N30/2047—Membrane type
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10N—ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10N30/00—Piezoelectric or electrostrictive devices
- H10N30/704—Piezoelectric or electrostrictive devices based on piezoelectric or electrostrictive films or coatings
- H10N30/706—Piezoelectric or electrostrictive devices based on piezoelectric or electrostrictive films or coatings characterised by the underlying bases, e.g. substrates
- H10N30/708—Intermediate layers, e.g. barrier, adhesion or growth control buffer layers
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10N—ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10N30/00—Piezoelectric or electrostrictive devices
- H10N30/80—Constructional details
- H10N30/85—Piezoelectric or electrostrictive active materials
- H10N30/853—Ceramic compositions
- H10N30/8561—Bismuth-based oxides
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10N—ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10N30/00—Piezoelectric or electrostrictive devices
- H10N30/80—Constructional details
- H10N30/87—Electrodes or interconnections, e.g. leads or terminals
- H10N30/877—Conductive materials
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10N—ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10N30/00—Piezoelectric or electrostrictive devices
- H10N30/80—Constructional details
- H10N30/87—Electrodes or interconnections, e.g. leads or terminals
- H10N30/877—Conductive materials
- H10N30/878—Conductive materials the principal material being non-metallic, e.g. oxide or carbon based
-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B41—PRINTING; LINING MACHINES; TYPEWRITERS; STAMPS
- B41J—TYPEWRITERS; SELECTIVE PRINTING MECHANISMS, i.e. MECHANISMS PRINTING OTHERWISE THAN FROM A FORME; CORRECTION OF TYPOGRAPHICAL ERRORS
- B41J2/00—Typewriters or selective printing mechanisms characterised by the printing or marking process for which they are designed
- B41J2/005—Typewriters or selective printing mechanisms characterised by the printing or marking process for which they are designed characterised by bringing liquid or particles selectively into contact with a printing material
- B41J2/01—Ink jet
- B41J2/135—Nozzles
- B41J2/14—Structure thereof only for on-demand ink jet heads
- B41J2/14201—Structure of print heads with piezoelectric elements
- B41J2/14233—Structure of print heads with piezoelectric elements of film type, deformed by bending and disposed on a diaphragm
- B41J2002/14241—Structure of print heads with piezoelectric elements of film type, deformed by bending and disposed on a diaphragm having a cover around the piezoelectric thin film element
-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B41—PRINTING; LINING MACHINES; TYPEWRITERS; STAMPS
- B41J—TYPEWRITERS; SELECTIVE PRINTING MECHANISMS, i.e. MECHANISMS PRINTING OTHERWISE THAN FROM A FORME; CORRECTION OF TYPOGRAPHICAL ERRORS
- B41J2/00—Typewriters or selective printing mechanisms characterised by the printing or marking process for which they are designed
- B41J2/005—Typewriters or selective printing mechanisms characterised by the printing or marking process for which they are designed characterised by bringing liquid or particles selectively into contact with a printing material
- B41J2/01—Ink jet
- B41J2/135—Nozzles
- B41J2/14—Structure thereof only for on-demand ink jet heads
- B41J2/14201—Structure of print heads with piezoelectric elements
- B41J2/14233—Structure of print heads with piezoelectric elements of film type, deformed by bending and disposed on a diaphragm
- B41J2002/1425—Embedded thin film piezoelectric element
-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B41—PRINTING; LINING MACHINES; TYPEWRITERS; STAMPS
- B41J—TYPEWRITERS; SELECTIVE PRINTING MECHANISMS, i.e. MECHANISMS PRINTING OTHERWISE THAN FROM A FORME; CORRECTION OF TYPOGRAPHICAL ERRORS
- B41J2202/00—Embodiments of or processes related to ink-jet or thermal heads
- B41J2202/01—Embodiments of or processes related to ink-jet heads
- B41J2202/03—Specific materials used
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Ceramic Engineering (AREA)
- Dispersion Chemistry (AREA)
- Particle Formation And Scattering Control In Inkjet Printers (AREA)
Description
このような問題は、インクジェット式記録ヘッド等の液体噴射ヘッドに用いられる圧電素子に限定されず、他のデバイスに用いられる圧電素子においても同様に存在する。
かかる態様によると、圧電体層上に成膜される白金からなる第2電極は、ペロブスカイト(100)面に格子マッチングして成膜されるので、成膜後、圧電体層には面内方向に圧縮応力が付与され、圧電体層が第2電極成膜前から有していた面内方向の引っ張り応力が緩和され、圧電体層の特性が向上し、変位効率の高い圧電素子となる。
なお、本明細書において、「結晶の面間隔」とは、電極や圧電体層等の膜の面に平行な「面内方向」(後述するX方向またはY方向)における結晶格子の面の間隔ではなく、電極や圧電体層等の膜の面に垂直な方向(後述するZ方向)における結晶格子の面の間隔である。
ここで、前記圧電体層は、Aサイトがビスマスを含み、Bサイトが鉄及びチタンを含むことが好ましい。これによれば、環境保護の観点から好ましい圧電素子が実現できる。
本発明の他の態様は、上記態様の圧電素子を具備することを特徴とする圧電素子応用デバイスにある。かかる態様によれば、特性の向上した圧電素子を具備するため、特性に優れた圧電素子応用デバイスを実現することができる。
また、本発明の他の態様は、基板上に、第1電極、圧電体層及び第2電極を層形成して圧電素子とする圧電素子の製造方法において、前記圧電体層を液相法により、(100)面に優先配向したペロブスカイト型構造の複合酸化物の結晶からなる層として形成する工程と、前記第2電極を、基板温度を400〜800℃に設定したスパッタリング法により、(100)面に優先配向した白金からなる層として形成する工程と、を具備することを特徴とする圧電素子の製造方法にある。
かかる態様によると、圧電体層上に成膜される白金からなる第2電極は、ペロブスカイト(100)面に格子マッチングして成膜されるので、成膜後、圧電体層には圧縮応力が付与され、圧電体層が第2電極成膜前から有していた引っ張り応力が緩和され、圧電体層の特性が向上し、変位効率の高い圧電素子が製造される。
本発明に関連する別の態様は、第1電極と、前記第1電極に設けられ、(100)面に優先配向したペロブスカイト型構造の複合酸化物の結晶からなる圧電体層と、前記圧電体層に設けられ、(100)面に優先配向した白金からなる第2電極とを備えた圧電素子であって、前記圧電体層は、前記第1電極側の結晶の面間隔より、前記第2電極側の結晶の面間隔の方が大きいことを特徴とする圧電素子にある。
かかる態様によると、圧電体層上に成膜される白金からなる第2電極は、ペロブスカイト(100)面に格子マッチングして成膜されるので、成膜後、圧電体層には面内方向に圧縮応力が付与され、圧電体層が第2電極成膜前から有していた面内方向の引っ張り応力が緩和され、圧電体層の特性が向上し、変位効率の高い圧電素子となる。
かかる態様によると、圧電体層上に成膜される白金からなる第2電極は、ペロブスカイト(100)面に格子マッチングして成膜されるので、成膜後、圧電体層には圧縮応力が付与され、圧電体層が第2電極成膜前から有していた引っ張り応力が緩和され、圧電体層の特性が向上し、変位効率の高い圧電素子が製造される。
図1は本発明の実施形態に係る液体噴射装置の一例であるインクジェット式記録装置である。図示するように、インクジェット式記録装置Iにおいて、複数のインクジェット式記録ヘッドを有するインクジェット式記録ヘッドユニット(ヘッドユニット)II(図2参照)に、インク供給手段を構成するカートリッジ2A及び2Bが着脱可能に設けられている。ヘッドユニットIIを搭載したキャリッジ3は、装置本体4に取り付けられたキャリッジ軸5に軸方向移動自在に設けられており、例えば各々ブラックインク組成物及びカラーインク組成物を吐出するものとされている。
<基板の準備>
まず、単結晶シリコン基板を酸化することで、表面に厚さ170nmの二酸化シリコン膜からなる弾性膜51を形成した。次に、二酸化シリコン膜上にスパッター法にて厚さ285nmのジルコニウム膜を形成し、これを熱酸化することで、酸化ジルコニウム膜からなる絶縁体膜52を形成した。その後、酸化ジルコニウム膜上にスパッター法にて厚さ20nmのチタン膜を形成し、これを熱酸化することで、酸化チタン膜からなる密着層56を形成した。次に、酸化チタン膜上に、スパッター法により、300℃で厚さ130nmの第1電極60を形成して、電極付き基板とした。
2−エチルヘキサン酸ビスマス、2−エチルヘキサン酸鉄、2−エチルヘキサン酸チタンのn−オクタン溶液(いずれも0.5mol/L)を、各元素がモル比でBi:Fe:Tiのモル比が、120:60:40となるように混合して、Bi、Fe及びTiを含む原料溶液(以下、「BFT原料溶液」という)を調製し、n−オクタンで希釈を行いシード層の前駆体溶液(以下、「BFT前駆体溶液」という)とした。なお、BFT原料溶液に対するn−オクタンの希釈割合は、BFT原料溶液:n−オクタンで1:7とした。このBFT前駆体溶液を用いることにより、Biと、Fe及びTiとのモル比(Bi/(Fe+Ti))が1.2、FeとTiとのモル比(Fe/Ti)が1.5となる組成を有するシード層65が後述する手順により形成される。
Bi、Ba、Fe、Ti及びMnを含むペロブスカイト型構造を有する複合酸化物からなる圧電体膜72を形成するために、2−エチルヘキサン酸ビスマス、2−エチルヘキサン酸バリウム、2−エチルヘキサン酸鉄、2−エチルヘキサン酸チタン及び2−エチルヘキサン酸マンガンの各n−オクタン溶液を混合し、Bi:Ba:Fe:Ti:Mnのモル比が、Bi:Ba:Fe:Ti:Mn=75:25:71.25:25:3.75となるように混合して、Bi、Ba、Fe、Ti及びMnを含む圧電体層の前駆体溶液(以下、「BFM―BT前駆体溶液」という)を調製した(BFM:BT=75:25)。
前記BFT前駆体溶液を上記電極付き基板上に滴下し、3000rpmで前記電極付き基板を回転させてスピンコートすることによりシード層前駆体膜を形成した(シード層前駆体溶液塗布工程)。次に、180℃のホットプレート上で4分間加熱した後、350℃で4分間加熱した(シード層乾燥工程及びシード層脱脂工程)。次に、RTA装置を使用し、700℃で5分間焼成した(シード層焼成工程)。以上の工程により、Bi、Fe及びTiを含むペロブスカイト型構造を有する複合酸化物(以下、「BFT」ともいう)からなり、島状で厚さ10nmのシード層65を形成した。
次に、前記BFM―BT前駆体溶液を前記電極付き基板上に滴下し、3000rpmで前記電極付き基板を回転させてスピンコートすることにより圧電体層前駆体膜を形成した(塗布工程)。次に、180℃のホットプレート上で4分間加熱した後、350℃で4分間加熱した(乾燥工程及び脱脂工程)。塗布工程から脱脂工程までの工程を2回繰り返した後に、RTA装置を使用し、750℃で5分間酸素雰囲気中で焼成を行った(焼成工程)。以上の工程(塗布〜脱脂工程までを2回繰り返した後に焼成工程を1回実施する工程)を6回繰り返すことにより、Bi、Ba、Fe、Ti及びMnを含むペロブスカイト型構造を有する複合酸化物(以下、「BFM―BT」とも言う)からなり、全体で900nmの厚さを有する圧電体層70を形成した。
次に、圧電体層70上に、基板温度を600℃として白金をスパッターすること(高温スパッター法)により、厚さ50nmの第2電極80を作製した。以上の工程によって、第1電極60、シード層65、圧電体層70及び第2電極80を具備する圧電素子300を作製した。
第2電極を構成する白金膜を室温(25℃)で形成した以外は、実施例と同様の手法により圧電素子を作製した。
Bruker AXS社製の「D8 Discover With GADDS;微小領域X線回折装置」を用い、X線源にCuKα線を使用し、室温で、実施例及び比較例のX線回折チャートを求めた。この結果を図10、図11に示す。図11(a)は、図10において、2θが37°から42°までの範囲を拡大した図である。図11(b)は、図10において、2θが45°から50°までの範囲を拡大した図である。また、第2電極を形成する前のX線回折チャートを求め、これを比較例のX線回折チャートと比較した。この結果を図12、図13に示す。図13は、図12において、2θが37°から42°までの範囲を拡大した図である。図13(b)は、図12において、2θが45°から50°までの範囲を拡大した図である。
以上、本発明の一実施形態について説明したが、本発明は上述したものに限定されるものではない。例えば、上述の実施形態及び実施例では、圧電体層70を液相法で形成していたが、圧電体層70は、レーザーアブレーション法、スパッター法、パルス・レーザー・デポジション法(PLD法)、CVD法、エアロゾル・デポジション法などの気相法によっても形成することができる。圧電体層70が気相法で形成された場合であっても、圧電体層70の面内方向に引っ張り応力が発生している場合は、本発明を適用することが可能である。
Claims (1)
- 基板上に、第1電極、圧電体層及び第2電極を層形成して圧電素子とする圧電素子の製造方法において、
前記圧電体層を液相法により、(100)面に優先配向したペロブスカイト型構造の複合酸化物の結晶からなる層として形成する工程と、
前記第2電極を、基板温度を400〜800℃に設定したスパッタリング法により、(100)面に優先配向した白金からなる層として形成する工程と、
を具備することを特徴とする圧電素子の製造方法。
Priority Applications (3)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2015157626A JP6721856B2 (ja) | 2015-08-07 | 2015-08-07 | 圧電素子の製造方法 |
US15/227,324 US10003007B2 (en) | 2015-08-07 | 2016-08-03 | Piezoelectric element, piezoelectric element application device, and method for manufacturing piezoelectric element |
CN201610640074.0A CN106427217A (zh) | 2015-08-07 | 2016-08-04 | 压电元件、压电元件应用设备、以及压电元件的制造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2015157626A JP6721856B2 (ja) | 2015-08-07 | 2015-08-07 | 圧電素子の製造方法 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2017037932A JP2017037932A (ja) | 2017-02-16 |
JP6721856B2 true JP6721856B2 (ja) | 2020-07-15 |
Family
ID=58049638
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2015157626A Active JP6721856B2 (ja) | 2015-08-07 | 2015-08-07 | 圧電素子の製造方法 |
Country Status (3)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US10003007B2 (ja) |
JP (1) | JP6721856B2 (ja) |
CN (1) | CN106427217A (ja) |
Families Citing this family (8)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2018129402A (ja) * | 2017-02-08 | 2018-08-16 | セイコーエプソン株式会社 | 圧電素子及びその製造方法 |
IT201700019431A1 (it) * | 2017-02-21 | 2018-08-21 | St Microelectronics Srl | Dispositivo microfluidico mems di stampa ad attuazione piezoelettrica |
WO2019023101A1 (en) * | 2017-07-28 | 2019-01-31 | Intel Corporation | PRINTING WRITING CONTROL DEVICE FOR FERROELECTRIC MEMORY |
JP7067085B2 (ja) * | 2018-01-29 | 2022-05-16 | セイコーエプソン株式会社 | 圧電素子及び液体吐出ヘッド |
CN111683896B (zh) * | 2018-02-09 | 2023-11-10 | 株式会社村田制作所 | Mems设备 |
JP7196503B2 (ja) * | 2018-09-27 | 2022-12-27 | セイコーエプソン株式会社 | 圧電素子およびその製造方法、液体吐出ヘッド、ならびにプリンター |
JP7298159B2 (ja) * | 2019-01-11 | 2023-06-27 | Tdk株式会社 | 圧電薄膜、圧電薄膜素子、圧電アクチュエータ、圧電センサ、ヘッドアセンブリ、ヘッドスタックアセンブリ、ハードディスクドライブ、プリンタヘッド、及びインクジェットプリンタ装置 |
US20210305485A1 (en) * | 2020-03-26 | 2021-09-30 | Tdk Corporation | Piezoelectric thin film, piezoelectric thin film element and piezoelectric transducer |
Family Cites Families (26)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US6498097B1 (en) | 1997-05-06 | 2002-12-24 | Tong Yang Cement Corporation | Apparatus and method of forming preferred orientation-controlled platinum film using oxygen |
JP3019845B1 (ja) * | 1997-11-25 | 2000-03-13 | セイコーエプソン株式会社 | インクジェット式記録ヘッド及びインクジェット式記録装置 |
JP3541877B2 (ja) * | 1999-09-22 | 2004-07-14 | セイコーエプソン株式会社 | 圧電体素子及びその製造方法並びにインクジェット式記録ヘッド及びインクジェットプリンタ |
JP2004128492A (ja) * | 2002-09-13 | 2004-04-22 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 圧電体薄膜素子およびそれを用いたアクチュエータ、インクジェットヘッドならびにインクジェット記録装置 |
JP4513252B2 (ja) * | 2002-10-25 | 2010-07-28 | パナソニック株式会社 | 圧電体薄膜素子およびそれを用いたアクチュエータ、インクジェットヘッドならびにインクジェット記録装置 |
JP4165347B2 (ja) | 2003-06-25 | 2008-10-15 | セイコーエプソン株式会社 | 圧電素子の製造方法 |
US7235917B2 (en) * | 2004-08-10 | 2007-06-26 | Canon Kabushiki Kaisha | Piezoelectric member element and liquid discharge head comprising element thereof |
JP2006100622A (ja) * | 2004-09-30 | 2006-04-13 | Canon Inc | ユニモルフ型圧電膜素子、液体吐出ヘッド、およびユニモルフ型圧電膜素子の製造方法 |
US8142678B2 (en) * | 2005-08-23 | 2012-03-27 | Canon Kabushiki Kaisha | Perovskite type oxide material, piezoelectric element, liquid discharge head and liquid discharge apparatus using the same, and method of producing perovskite type oxide material |
JP4953351B2 (ja) * | 2005-08-23 | 2012-06-13 | キヤノン株式会社 | ペロブスカイト型酸化物、これを用いた圧電素子、液体吐出ヘッド及び液体吐出装置 |
JP2008159807A (ja) * | 2006-12-22 | 2008-07-10 | Hitachi Cable Ltd | 圧電薄膜素子及び圧電薄膜素子を用いて製造したアクチュエータとセンサ |
US8211328B2 (en) * | 2007-12-27 | 2012-07-03 | Ngk Insulators, Ltd. | Crystallographically-oriented ceramic |
JP2010021512A (ja) * | 2008-01-30 | 2010-01-28 | Ngk Insulators Ltd | 圧電/電歪膜型素子及びその製造方法 |
JP5185224B2 (ja) * | 2008-09-24 | 2013-04-17 | 日本碍子株式会社 | 結晶配向セラミックスの製造方法 |
JP5499533B2 (ja) * | 2008-10-06 | 2014-05-21 | セイコーエプソン株式会社 | 液体噴射ヘッド、液体噴射装置、アクチュエーター装置及び圧電素子 |
JP5491085B2 (ja) * | 2008-11-10 | 2014-05-14 | 日本碍子株式会社 | セラミックスシートの製造方法 |
JP5523167B2 (ja) * | 2010-03-30 | 2014-06-18 | 日本碍子株式会社 | セラミックス及び圧電/電歪素子 |
JP2012018994A (ja) | 2010-07-06 | 2012-01-26 | Seiko Epson Corp | 液体噴射ヘッドの製造方法、液体噴射装置及び圧電素子の製造方法並びに圧電体膜形成用組成物の製造方法 |
US8740355B2 (en) | 2010-12-10 | 2014-06-03 | Seiko Epson Corporation | Liquid ejecting head, liquid ejecting apparatus, piezoelectric element, and piezoelectric ceramic |
JP2012139919A (ja) | 2010-12-28 | 2012-07-26 | Seiko Epson Corp | 液体噴射ヘッドの製造方法、液体噴射装置、及び圧電素子の製造方法 |
JP5754198B2 (ja) | 2011-03-24 | 2015-07-29 | セイコーエプソン株式会社 | 液体噴射ヘッド、液体噴射装置及び圧電アクチュエーター |
JP2013131572A (ja) * | 2011-12-20 | 2013-07-04 | Seiko Epson Corp | 液体噴射ヘッド、液体噴射装置及び圧電素子 |
JP5472549B1 (ja) * | 2012-08-10 | 2014-04-16 | コニカミノルタ株式会社 | 圧電素子、圧電デバイス、インクジェットヘッドおよびインクジェットプリンタ |
JP6037123B2 (ja) * | 2013-01-30 | 2016-11-30 | セイコーエプソン株式会社 | 液体噴射ヘッド、液体噴射装置、圧電素子及びセンサー |
JP6098830B2 (ja) * | 2013-03-27 | 2017-03-22 | セイコーエプソン株式会社 | 圧電素子、液体噴射ヘッド、液体噴射装置、超音波デバイス、フィルター及びセンサー |
CN104512115B (zh) | 2013-09-26 | 2016-08-24 | 精工爱普生株式会社 | 压电元件、液体喷射头以及液体喷射装置 |
-
2015
- 2015-08-07 JP JP2015157626A patent/JP6721856B2/ja active Active
-
2016
- 2016-08-03 US US15/227,324 patent/US10003007B2/en active Active
- 2016-08-04 CN CN201610640074.0A patent/CN106427217A/zh active Pending
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
US20170040523A1 (en) | 2017-02-09 |
CN106427217A (zh) | 2017-02-22 |
JP2017037932A (ja) | 2017-02-16 |
US10003007B2 (en) | 2018-06-19 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
JP6721856B2 (ja) | 圧電素子の製造方法 | |
JP6299338B2 (ja) | 圧電素子、液体噴射ヘッド、液体噴射装置及びセンサー | |
US9238366B2 (en) | Piezoelectric actuator, liquid ejecting head, and method of manufacturing piezoelectric actuator | |
JP6037123B2 (ja) | 液体噴射ヘッド、液体噴射装置、圧電素子及びセンサー | |
JP6210188B2 (ja) | 圧電素子、液体噴射ヘッド、液体噴射装置、超音波デバイス、フィルター及びセンサー並びに圧電素子の製造方法 | |
EP3070753B1 (en) | Piezoelectric element, piezoelectric element applying device, and manufacturing method of piezoelectric element | |
JP6094143B2 (ja) | 液体噴射ヘッド、液体噴射装置及び圧電素子 | |
US8608289B2 (en) | Liquid ejecting head, liquid ejecting apparatus, and piezoelectric element | |
JP2016027651A (ja) | 圧電素子、アクチュエーター装置、液体噴射ヘッド、液体噴射装置及び超音波測定装置 | |
JP2012139923A (ja) | 液体噴射ヘッド及びその製造方法、液体噴射装置、並びに圧電素子 | |
JP2015195373A (ja) | 圧電素子及び圧電素子応用デバイス | |
JP5975210B2 (ja) | 圧電素子、液体噴射ヘッド、液体噴射装置、超音波デバイス及びセンサー並びに圧電素子の製造方法 | |
JP5773129B2 (ja) | 液体噴射ヘッド、液体噴射装置、圧電素子、超音波デバイス及びirセンサー | |
JP5610133B2 (ja) | 液体噴射ヘッド、液体噴射装置、及び圧電素子 | |
JP2015084393A (ja) | 圧電素子、液体噴射ヘッド、及び液体噴射装置 | |
JP6372644B2 (ja) | 圧電素子、液体噴射ヘッド及びセンサー | |
JP5740951B2 (ja) | 液体噴射ヘッド、液体噴射装置、圧電素子、赤外線センサー及び超音波センサー | |
JP2012169467A (ja) | 圧電セラミックス膜形成用組成物、圧電素子の製造方法及び液体噴射ヘッドの製造方法 | |
JP5440795B2 (ja) | 液体噴射ヘッド、液体噴射装置、及び圧電素子 | |
US9446588B2 (en) | Liquid ejecting head, liquid ejecting apparatus, and piezoelectric element | |
JP6057049B2 (ja) | 圧電素子、液体噴射ヘッド、液体噴射装置、超音波デバイス及びセンサー | |
US8985747B2 (en) | Piezoelectric element, liquid ejecting head, liquid ejecting apparatus and piezoelectric device | |
JP2015061048A (ja) | 液体噴射ヘッド、液体噴射装置及び圧電素子 | |
JP5610134B2 (ja) | 液体噴射ヘッド、液体噴射装置、及び圧電素子 | |
JP2017037933A (ja) | 圧電素子、圧電素子応用デバイス、及び圧電素子の製造方法 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20180621 |
|
A977 | Report on retrieval |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20190325 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20190403 |
|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20190522 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20191002 |
|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20191121 |
|
A02 | Decision of refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A02 Effective date: 20200318 |
|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20200401 |
|
A911 | Transfer to examiner for re-examination before appeal (zenchi) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A911 Effective date: 20200413 |
|
TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20200520 |
|
A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20200602 |
|
R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
Ref document number: 6721856 Country of ref document: JP Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 |